TWI422289B - 佈線基板及其製造方法 - Google Patents

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Fujitsu Ltd
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Description

佈線基板及其製造方法
本申請案根據及主張2007年10月12日所提出之日本專利申請案第2007-267116號之優先權，特此以提及方式併入該日本專利申請案之整個內容。
本揭露係有關於一種佈線基板及一種製造該佈線基板之方法，以及更特別地，是有關於一種佈線基板，該佈線基板包括一核心層，其中在一由一導電材料所製成之核心基板的兩個表面上經由絕緣層形成佈線圖案及該等佈線圖案藉由一在一穿過該核心基板之通孔中所形成之介層而彼此連接，以及有關於一種製造該佈線基板之方法。
近年來，已使用一核心基板，以便減少一佈線基板之熱膨脹係數，其中該核心基板主要是由碳纖維及絕緣樹脂所製成且具有比該佈線基板之其它構件低之熱膨脹係數(以下，簡稱為一具有低熱膨脹係數之核心基板)(見例如國際專利公告第WO2004/064467號)。
然而，在上述核心基板方面，在該具有低熱膨脹係數之核心基板中使用導電碳纖維。基於此理由，如圖7所示，在一構成一佈線基板100之核心層102中，在一穿過一核心基板102a之通孔104中形成一介層106且在該通孔之內表面與該介層間插入一絕緣層102b。該介層電性連接在該核心基板102a之兩個表面上經由該由一絕緣樹脂所製成之絕緣層102b所形成之佈線圖案102c及102c，其中該核心基板102a具有一低熱膨脹係數。該介層106係一在該通孔104中經由該絕緣層102b所形成之圓筒狀介層106a，以及以一樹脂106b填充該圓筒狀介層106a之中空部分。
在圖7所示之佈線基板100中，在該核心層102之兩個表面上形成佈線圖案110且在其間插入絕緣層108。
為了製造圖7所示之佈線基板100，首先，如圖8A所示，由鑽孔機在該核心基板102a中形成該通孔104，該核心基板102a係由碳纖維及絕緣樹脂所製成且具有一低熱膨脹係數。然後，如圖8B所示，以一絕緣樹脂在該核心基板102a之兩個表面上形成該絕緣層102b，以及以該絕緣樹脂填充該通孔104。
再者，如圖8C所示，由鑽孔機在該核心基板102a之通孔104中形成一通孔105，該通孔105具有比該通孔104小之直徑。然後，由電鍍或氣相沉積在該等絕緣層102b之表面上及在該通孔105之內表面上形成一金屬層114(見圖8D)。
如圖8E所示，以該絕緣樹脂106b填充該通孔105。然後，藉由實施拋光來移除該絕緣樹脂106b之從該通孔105所突出之突出部，使得該絕緣樹脂與該金屬層114之表面齊平(見圖8F)。
如圖9A所示，由電鍍沉積在該金屬層114之表面及該絕緣樹脂106b之拋光表面上形成一金屬層116。然後，藉由圖案化該等金屬層114及116來形成該等佈線圖案102c，以便形成該核心層102(見圖9B)。
在該核心層102中，在該通孔104中形成該介層106且在其間插入該絕緣層102b，其中該通孔104穿過該導電核心基板102a。該介層106係為在該通孔104中所形成之該圓筒狀介層106a且在其間插入該絕緣層102b，以及以構成該絕緣層102b之該絕緣樹脂106b填充該圓筒狀介層106a之中空部分。
然後，由一已知加成法或半加成法經由該等絕緣層108在該核心層102之兩個表面上堆積該等佈線圖案110、110...。於是，可形成圖7所示之佈線基板100。
再者，在JP-A-2007-12746中描述一藉由將一同軸線(其中一覆蓋一金屬線之樹脂膜的表面係以電鍍金屬來覆蓋)插入一基板之一通孔所形成之介層。依據此方法，可簡單地形成一介層。
然而，在將該同軸線插入該通孔之情況中，該同軸線之對準係必需的及該同軸線之金屬線在此方法中需要朝該通孔之縱向來暴露。基於此理由，它的步驟變得複雜。再者，該同軸線需要具有某一程度之強度，使得可將該同軸線插入該通孔。為此目的，如果使該同軸線變薄，以便以小間距形成一介層，則很可能發生該同軸線之彎曲或分離。
使用一由碳纖維及絕緣樹脂所製成且具有比該佈線基板之其它構件低之熱膨脹係數的核心基板做為在圖7所示之佈線基板100中之核心基板102a。基於此理由，相較於使用一由樹脂所製成之核心基板所形成之相關技藝佈線基板，可降低該佈線基板之熱膨脹係數。於是，甚至當在圖7所示之佈線基板100上安裝一半導體裝置時，可減少因該半導體裝置與該佈線基板間之熱膨脹係數的差異所造成之破裂的產生。
然而，在圖7所示之佈線基板100中，在該核心基板102a中所形成之通孔104中形成穿過該核心基板102a之介層106且在其間插入沿著該通孔之內表面所形成之絕緣層102b。
基於此理由，在製造圖7所示之佈線基板100的步驟中，在形成該通孔104以穿過該核心基板102a後，以一絕緣樹脂填充該通孔104及然後需要再次形成該通孔105。該通孔105應該準確地形成於該通孔104之中心。這是因為具有下面可能性：如果該通孔105偏離該通孔104之中心，則該絕緣層之厚度會有偏差及該介層106之可靠性變差。
再者，為了藉由儘量減少該絕緣層之厚度的偏差來確保該介層106之可靠性，應該考量用以在該通孔104中形成該通孔105之處理的準確性來確保在該核心基板102a中所形成之通孔104的某一程度之直徑。因此，很難以小間距形成該介層106。
本發明之示範性具體例提出上述缺點及上面未描述之缺點。然而，本發明不需要克服上述缺點，以及因此，本發明之一示範性具體例可以不克服任何上述問題。
於是，本發明之一態樣提供一種佈線基板，其中可簡化一穿過一由導電材料所製成之核心基板的介層之結構及可以小間距形成該介層，以及提供一種製造該佈線基板之方法。
依據本發明之一個或多個態樣，提供一種佈線基板。該佈線基板包括：一核心基板，由一導電材料所形成且內部具有一通孔；一絕緣層，形成於該核心基板之第一及第二表面上；佈線圖案，經由該絕緣層形成於該第一及第二表面上；以及一介層，形成於該通孔中且電性連接至該等佈線圖案。該介層包括：一導體球，具有一導電面及一覆蓋該導電面之絕緣構件，其中從該絕緣構件暴露該導電面之一部分；以及一導體部，電性連接至該暴露導電面及該等佈線圖案。在該介層與該核心基板間插入該絕緣構件及該絕緣層中之至少一者。
依據本發明之一個或多個態樣，該導電面係一包含一球形金屬粒子之金屬面及該絕緣構件係一絕緣樹脂膜。
依據本發明之一個或多個態樣，該金屬粒子係一銅粒子。
依據本發明之一個或多個態樣，該核心基板在該佈線基板中具有最低熱膨脹係數。
依據本發明之一個或多個態樣，該核心基板係由一碳纖維及一絕緣樹脂所形成。
依據本發明之一個或多個態樣，該通孔係一錐形通孔，其中在該核心基板之第一表面上的開口具有大於在該核心基板之第二表面上的另一開口之直徑。
依據本發明之一個或多個態樣，提供一種佈線基板之製造方法。該方法包括：(a)形成一通孔於一由導電材料所形成之核心基板中；(b)插入一導體球於該通孔中，該導體球具有一導電面及一覆蓋該整個導電面之絕緣構件；(c)形成一絕緣層於該核心基板之兩個表面上及該通孔中；(d)從該核心基板之兩個表面形成凹部於該通孔中，使得從該絕緣層及該絕緣構件暴露該導體球之導電面的一部分及使得該等凹部具有小於該通孔之直徑；(e)形成一金屬層於該等凹部中及經由該絕緣層於該核心基板之兩個表面上；以及(f)圖案化在該核心基板之兩個表面上所形成之金屬層，以形成佈線圖案。
依據本發明之一個或多個態樣，步驟(a)包括：形成該通孔成為一錐形形狀，使得在該核心基板之一表面上的開口具有比在該核心基板之另一表面上的另一開口大之直徑。
再者，步驟(c)可以包括疊合一金屬箔於該絕緣層上。在另一情況中，在步驟(c)中，可以使用附著至一金屬箔之該絕緣層。
依據本發明，將該導體球(以該絕緣構件覆蓋該導體球之導電面)插入穿過該由導電材料所製成之導電核心基板的該通孔，藉此形成該介層。於是，該導體球之絕緣構件可用以做為在該核心基板之通孔的內表面上所形成之絕緣層的一部分。
因此，可形成該介層而不需在該核心基板中所形成之通孔中再次形成一通孔，以及以小間距形成該介層。
此外，因為該導體球之絕緣構件做為在該核心基板之通孔的內表面上所形成之絕緣層的一部分，所以可減少該絕緣層之厚度的偏差及亦維持以小間距所形成之介層的可靠性。
再者，依據本發明，在一電導核心基板中形成一介層之相關技藝步驟中可省略在一穿過一核心基板所形成之通孔中所填充之樹脂中形成一通孔之步驟、在該形成通孔之內表面上形成一金屬層之步驟及拋光之步驟。因此，可簡化製造該介層之步驟。
此外，在本發明中使用該導體球，其中以該絕緣構件覆蓋該導體球之整個導電面。於是，當將該導體球插入該核心基板之通孔時，可省略確定該導體球之插入方向的步驟，以及因此可在該核心基板之通孔中輕易地形成該介層。
從下面敘述、圖式及申請專利範圍將明顯易知本發明之其它態樣及優點。
從下面更特別敘述與下面圖式將更明顯易知本發明之上述及其它態樣、特徵及優點。
以下，將參考圖式以描述本發明之示範性具體例。
在圖1中顯示依據本發明之一具體例的一佈線基板。在圖1所示之佈線基板10中形成一核心層12，該核心層12包括一具有比該佈線基板之其它構件低之熱膨脹係數的核心基板12a。該核心層12之核心基板12a係由碳纖維及絕緣樹脂所製成且係一導電基板。
在該核心基板12a之兩個表面上經由以一絕緣樹脂所製成之絕緣層12b形成佈線圖案12c及12c，以及該等佈線圖案12c及12c係藉由一在一穿過該核心基板12a之通孔14中所形成之介層22而彼此連接。該介層22係形成朝該通孔之縱向延伸，而沒有與該通孔14之內周面接觸。
該介層22包括一導體球22a(球形銅粒子)及導體部(由銅金屬所製成之圓柱部22c及22c)。該導體球22a係插入該通孔14。並且，該導體球22a具有一導電面(銅面)及一由絕緣樹脂所製成之絕緣構件22b。該絕緣構件22b覆蓋除了該導體球22a之面對該通孔14之縱向的部分之外的導電面。該等導體部之一端係連接至該導體球22a之暴露導電面(銅面)。該等導體部(圓柱部22c及22c)之另一端穿過該等絕緣層12b且電性連接至該等佈線圖案12c及12c，其中該等絕緣層12b係由一絕緣樹脂所製成且形成於該核心基板12a之兩個表面上。
該等暴露面(暴露該導體球22a之連接至該等圓柱部22c及22c之一端的導電面(銅面))面對穿過該核心基板12a所形成之通孔14的縱向。同時，不移除及保留覆蓋該導體球22a之除了該等暴露面之外的導電面(銅面)之該絕緣構件22b。於是，覆蓋該導體球22a之導電面的該絕緣構件22b之部分構成一在該導體球22a與穿過該核心基板12a所形成之通孔14的內表面間之絕緣層。
以該絕緣層12b之絕緣樹脂填充在該等圓柱部22c及22c(或覆蓋該導體球22a之周面的絕緣構件22b)與該通孔14之內表面間之間隙。
在此方式中，在圖1所示之佈線基板10中，相較於圖7所示之核心層102的介層結構，可簡化該核心層12之介層結構，以及亦可以小間距形成該介層22。
同時，在圖1所示之佈線基板10中，在該核心層12之兩側表面上經由絕緣層18形成佈線圖案20、20...。
將參考圖2A至3B描述製造圖1所示之佈線基板的步驟。首先，將描述形成該核心層12之步驟。如圖2A及2B所示，由鑽孔機形成該通孔14，以便穿過該核心層12之核心基板12a，其中該核心基板12a係由碳纖維及絕緣樹脂所製成且具有一低熱膨脹係數。然後，將一以該絕緣構件22b覆蓋該導體球22a之整個導電面的球體24插入該通孔14。當形成有該通孔14之該核心基板12a的一表面與一夾具接觸時，可輕易插入該球體24。
最好可以使用一具有導電率之球形金屬粒子做為該球體24之導體球22a。有鑑於導電率，可以使用一球形銅粒子或鋁粒子做為該導體球。特別地，最好可以使用該球形銅粒子做為該導體球。可以使用一絕緣樹脂或像二氧化矽(SiO2 )或三氧化二鋁(Al2 O3 )之陶瓷做為該絕緣構件22b，其中該絕緣構件22b覆蓋該導體球22a之整個導電面。根據該導體球22a之外徑及該通孔14之內徑決定該絕緣構件22b之厚度，其中該絕緣構件22b覆蓋該導體球22a之整個導電面。例如，當該導體球22a之外徑係設定為50μm時，該絕緣構件22b之厚度可以在約20至30μm範圍內。
可以使用在日本專利第3262372號中描述之方法，藉由使用一熱塑性樹脂在該球形金屬粒子之表面上形成一絕緣膜。此方法包括：當在一具有攪拌機構及加熱機構之裝置中攪拌該等球形金屬粒子時，加熱球形金屬粒子至等於或高於一熱塑性樹脂之軟化溫度的溫度；混合及攪拌該等金屬粒子與一熱塑性樹脂，以便經由該等金屬粒子之加熱操作加熱該熱塑性樹脂；以及固定該軟化及熔化熱塑性樹脂至該等金屬粒子之表面。可以在該熱塑性樹脂中混合像二氧化矽(SiO2 )或三氧化二鋁(Al2 O3 )之陶瓷的細粉。
再者，如圖2C所示，將上面疊合有像銅箔之金屬箔26的絕緣樹脂層熱壓合至該核心基板12a之兩個表面上，以及以構成該絕緣層12b之絕緣樹脂填充該通孔14之內表面與該球體24間之間隙。
然後，如圖2D所示，由一雷射光束之照射來形成凹部28、28。該等凹部之每一凹部具有小於該通孔14之直徑，以及使該金屬面之一部分暴露於該等凹部之底部，其中該金屬面係為被插入該通孔14之球體24的導體球22a之導電面。
如圖3A所示，由介層-填充電鍍來填充該等凹部28、28。該介層-填充電鍍包括：由無電鍍或氣相沉積來形成一薄金屬膜於圖2D所示之金屬箔26、26的表面及該等凹部28、28之內表面上；以及實施使用該薄金屬膜做為一電源層之電解電鍍。由於該介層-填充電鍍，如圖3A所示，以該電鍍金屬填充該等凹部28、28，形成該等圓柱部22c及22c(該等圓柱部22c及22c之一端係連接至該導體球22a之導電面的一部分)，以及亦在金屬箔26、26上沈澱該電鍍金屬，以便形成一金屬層30。
之後，藉由圖案化該金屬層30來形成圖3B所示之佈線圖案12c、12c，以及因而形成該核心層12。該等佈線圖案12c、12C由穿過該核心基板12a之介層22而彼此電性連接。在該介層22中，該等圓柱部22c、22c之一端係連接至該等暴露表面(暴露在該通孔14中所插入之導體球22a的導電面)，以及該等圓柱部22c、22c藉由該絕緣層12b及該絕緣構件22b與該通孔14之內周面絕緣，其中該絕緣構件22b係由一絕緣樹脂所製成且覆蓋該導體球22a之導電面。再者，該等圓柱部22c、22c係形成朝該通孔14之縱向延伸，以及該等圓柱部22c、22c之另一端係連接至在該核心基板12a之兩個表面上所形成之佈線圖案12c、12c。
再者，由一已知加成法或半加成法在圖3B示之核心層12的兩個表面上經由該等絕緣層18堆積該等佈線圖案20、20、…。於是，可形成圖1所示之佈線基板10。
同時，在製造圖2A至3B所示之佈線基板的方法中，當該核心基板12a之一表面與該夾具接觸時，將該球體24插入該通孔14。並且，在該核心基板12a之一表面上形成該絕緣層12b後，可以將該球體24插入該通孔14。
如圖4所示，可以使用凹導體部23c及23c以取代構成圖1所示之佈線基板10的介層之圓柱部22c、22c。
在圖4所示之一佈線基板10的一核心層12中，由相同元件符號表示相同於圖1所示之核心層12的組件。下面將省略其詳述敘述。
為了形成圖4所示之核心層12，首先，如圖5A所示，將一以一絕緣構件22b覆蓋一導體球22a之整個導電面的球體24插入一由鑽孔機所形成之穿過一核心基板12a的通孔14，其中該核心基板12a係由碳纖維及絕緣樹脂所製成且具有一低熱膨脹係數。然後，以一絕緣樹脂在該核心基板12a之兩個表面上形成絕緣層12b、12b，使得以該絕緣樹脂填充該通孔14(見圖5A)。
再者，如圖5B所示，由一雷射光束之照射來形成錐形凹部28、28。該等凹部之每一凹部具有小於該通孔14之直徑，以及使該金屬面之一部分暴露至該等凹部之底部，其中該金屬面係為被插入該通孔14之球體24的導體球22a之導電面。
隨後，在由無電鍍或氣相沉積在該等絕緣層12b、12b之表面上及在該等凹部28、28之內表面上形成一薄金屬膜後，由使用該薄金屬膜做為一電源層之電解電鍍來形成一金屬層23(見圖5C)。
之後，藉由圖案化該金屬層23以如圖5D所示形成佈線圖案12c、12c，以及因此可形成該核心層12。該等佈線圖案12c、12c藉由穿過該核心基板12a之介層22彼此電性連接。在該介層22中，該等凹導體部23c、23c之一端係連接至該暴露表面(暴露在該通孔14中所插入之導體球22a的導電面)，以及該等凹導體部23c、23c藉由該絕緣層12b及該絕緣構件22b與該通孔14之內周面絕緣，其中該絕緣構件22b係由一絕緣樹脂所製成且覆蓋該導體球22a之導電面。再者，該等凹導體部23c、23c係形成朝該通孔之縱向延伸，以及該等凹導體部23c、23c之另一端係連接至在該核心基板12a之兩個表面上所形成之佈線圖案12c、12c。
再者，由一已知加成法或半加成法在圖5D所示之核心層12的兩個表面上經由該絕緣層堆積該等佈線圖案20、20。於是，可形成圖4所示之佈線基板10。
亦可藉由一製造圖6A至6C所示之一佈線基板的方法來形成圖4所示之核心層12。在圖6A至6C所示之方法中，首先，如同在圖2A至2C所示之步驟中，將以該絕緣構件22b覆蓋該導體球22a之整個導電面的球體24插入一由鑽孔機所形成之穿過該核心基板12a的通孔14，其中該核心基板12a係由碳纖維及絕緣樹脂所製成且具有一低熱膨脹係數。接著，將上面疊合有像銅箔之金屬箔26的絕緣樹脂層熱壓合至該核心基板12a之兩個表面上，以及以構成該絕緣層12b之絕緣樹脂填充該通孔14之內表面與該球體24間之間隙。
再者，如圖6A所示，由一雷射光束之照射來形成錐形凹部28、28。該等凹部之每一凹部具有小於該通孔14之直徑，以及使該金屬面之一部分暴露於該等凹部之底部，其中該金屬面係為被插入該通孔14之球體24的導體球22a之導電面。
隨後，在由無電鍍或氣相沉積在該等絕緣層12b、12b之表面上及在該等凹部28、28之內表面上形成一薄金屬膜後，由使用該薄金屬膜及該金屬箔26做為一電源層之電解電鍍來形成一金屬層23(見圖6B)。
之後，藉由圖案化該金屬層23以如圖6C所示形成佈線圖案12c、12c，以及因此可形成該核心層12。
該直立直通孔14係形成穿過上述核心基板12a。然而，如圖10所示，可以形成一錐形通孔，以便穿過該核心基板，其中該錐形通孔在該核心基板12a之一表面上的開口具有大於在該核心基板之另一表面上的另一開口之直徑。依據該錐形通孔，可從該具有較大直徑之開口將該球體24輕易插入該通孔，以及亦可藉由調整錐形面之角度以在一預定位置上放置在該通孔中所插入之球體24。
此外，圖11A至11F顯示製造圖10所示之佈線基板的步驟。除了在該核心基板12a中形成該通孔14之步驟之外，圖11A至11F所示之步驟幾乎相同於圖2A至圖3B中之步驟。亦即，在圖11A中，該通孔14係形成為一錐形形狀，以致於在該核心基板12a之一表面上的開口具有大於在該核心基板12a之另一表面上的另一開口之直徑。
如以上所述，依據製造圖2A至2D、圖3A及3B、圖5A至5D及圖6A至6C所示之佈線基板10的步驟，相較於製造圖8A至8F及圖9A及9B所示之核心層102的相關技藝步驟，可特別簡化製造該核心層12之步驟。
再者，依據製造圖2A至2D、圖3A及3B、圖5A至5D及圖6A至6C所示之佈線基板的步驟，不像在製造圖8A至8F及圖9A及9B所示之核心層102的步驟中，可省略在穿過該核心基板102a所形成之通孔104中再次形成該通孔105之步驟，以及亦可以小間距形成該介層22，同時確保該介層22之可靠性。
雖然使用一由碳纖維及絕緣樹脂所製成且具有一低熱膨脹係數之核心基板做為圖1至圖3B所示之核心基板12a，但是可以使用一由金屬所製成之核心基板。
雖然已參考某些示範性具體例來表示及描述本發明，但是熟習該項技藝者將了解到，在不脫離所附申請專利範圍所界定之本發明的精神及範圍內可以在形式及細節方面實施各種變化。因此，意欲在所附申請專利範圍內涵蓋落在本發明之精神及範圍內之所有變更及修改。
10．．．佈線基板
12．．．核心層
12a．．．核心基板
12b．．．絕緣層
12c．．．佈線圖案
14．．．通孔
18．．．絕緣層
20．．．佈線圖案
22．．．介層
22a．．．導體球
22b．．．絕緣構件
22c．．．圓柱部
23c．．．凹導體部
24．．．球體
26．．．金屬箔
28．．．凹部
30．．．金屬層
100．．．佈線基板
102．．．核心層
102a．．．核心基板
102b．．．絕緣層
102c．．．佈線圖案
104．．．通孔
105．．．通孔
106．．．介層
106a．．．圓筒狀介層
106b．．．樹脂
108．．．絕緣層
110．．．佈線圖案
114．．．金屬層
116．．．金屬層
圖1係描述依據本發明之一具體例的一佈線基板之剖面圖；
圖2A至2D係描述製造圖1所示之佈線基板的步驟之一部分的視圖；
圖3A及3B係描述製造圖1所示之佈線基板的步驟之另一部分的視圖；
圖4係描述依據本發明之另一具體例的佈線基板之剖面圖；
圖5A至5D係描述製造圖4所示之佈線基板的步驟之一實施例的視圖；
圖6A至6C係描述製造圖4所示之佈線基板的步驟之另一實施例的視圖；
圖7係在該相關技藝中之一佈線基板的剖面圖；
圖8A至8F係描述製造圖7所示之相關技藝佈線基板的步驟之一部分的視圖；
圖9A及9B係描述製造圖7所示之相關技藝佈線基板的步驟之另一部分的視圖；
圖10係描述依據本發明之另一具體例的一佈線基板之剖面圖；以及
圖11A至11F係描述製造圖10所示之佈線基板的步驟之視圖。
10．．．佈線基板
12．．．核心層
12a．．．核心基板
12b．．．絕緣層
12c．．．佈線圖案
14．．．通孔
18．．．絕緣層
20．．．佈線圖案
22．．．介層
22a．．．導體球
22b．．．絕緣構件
22c．．．圓柱部

Claims (14)

  1. 一種佈線基板，包括：一核心基板，由一導電材料所形成且內部具有一通孔；一絕緣層，形成於該核心基板之第一及第二表面上；佈線圖案，經由該絕緣層形成於該第一及第二表面上；以及一介層，形成於該通孔中且電性連接至該等佈線圖案，其中該介層包括：一導體球，具有：一導電面；以及一絕緣構件，覆蓋該導電面，其中從該絕緣構件暴露該導電面之一部分，以及一導體部，電性連接至該暴露導電面及該等佈線圖案，以及其中在該導體球之該導電面與該核心基板間插入有該絕緣構件及該絕緣層中之至少一者。
  2. 如申請專利範圍第1項之佈線基板，其中，該導電面係一包含一球形金屬粒子之金屬面及該絕緣構件係一絕緣樹脂膜。
  3. 如申請專利範圍第2項之佈線基板，其中，該金屬粒子係一銅粒子。
  4. 如申請專利範圍第1項之佈線基板，其中，該核心基板在該佈線基板中具有最低熱膨脹係數。
  5. 如申請專利範圍第1項之佈線基板，其中，該核心基板係由一碳纖維及一絕緣樹脂所形成。
  6. 如申請專利範圍第1項之佈線基板，其中該通孔係一錐形通孔，其中在該核心基板之第一表面上的開口具有大於在該核心基板之第二表面上的另一開口之直徑。
  7. 一種佈線基板之製造方法，該方法包括：(a)形成一通孔於一由導電材料所形成之核心基板中；(b)插入一導體球於該通孔中，該導體球具有一導電面及一覆蓋該整個導電面之絕緣構件；(c)形成一絕緣層於該核心基板之兩個表面上及該通孔中；(d)從該核心基板之兩個表面形成凹部於該通孔中，使得從該絕緣層及該絕緣構件暴露該導體球之導電面的一部分及使得該等凹部具有小於該通孔之直徑的直徑；(e)形成一金屬層於該等凹部中及經由該絕緣層於該核心基板之兩個表面上；以及(f)圖案化在該核心基板之兩個表面上所形成之金屬層，以形成佈線圖案。
  8. 如申請專利範圍第7項之方法，其中，該導電面係一包含一球形金屬粒子之金屬面及該絕緣構件係一絕緣樹脂膜。
  9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中，該金屬粒子係一銅粒子。
  10. 如申請專利範圍第7項之方法，其中，該核心基板在該佈線基板中具有最低熱膨脹係數。
  11. 如申請專利範圍第7項之方法，其中，該核心基板係由一碳纖維及一絕緣樹脂所形成。
  12. 如申請專利範圍第7項之方法，其中，步驟(a)包括：形成該通孔成為一錐形形狀，使得在該核心基板之一表面上的開口具有比在該核心基板之另一表面上的另一開口大之直徑。
  13. 如申請專利範圍第7項之方法，其中，步驟(c)包括：疊合一金屬箔於該絕緣層上。
  14. 如申請專利範圍第7項之方法，其中，在步驟(c)中，使用附著至一金屬箔之該絕緣層。
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