TWI435676B - 佈線板之製造方法 - Google Patents

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Description

佈線板之製造方法
本揭露係有關於一種佈線板之製造方法，該佈線板具有一覆蓋焊墊之絕緣層、藉由雷射形成於該絕緣層中且允許該等焊墊之部分的暴露之開口以及在該等開口中所提供且連接至該等焊墊之介層。
相關技藝佈線板包括一具有核心基板之增層佈線板(見圖1)及一不具有核心基板之無核心板(見圖2)。
圖1係該相關技藝佈線板之剖面圖。
參考圖1，一相關技藝佈線板200係一具有核心基板之增層佈線板。該佈線板200具有一核心基板201、貫穿電極202、焊墊203及217、絕緣層204、208、218及223、介層206、209、219及224、佈線圖案207及221、電子組件連接墊211、防焊層212及227、防擴散膜213及228以及外部連接墊226。
該等貫穿電極202係提供成穿過該核心基板201。該等貫穿電極202之上端連接至該等焊墊203，以及該等貫穿電極202之下端連接至該等焊墊217。
該等焊墊203係提供於該等貫穿電極202之上端及該核心基板201之上表面201A上。該絕緣層204係提供於該核心基板201之上表面201A上，以便覆蓋該等焊墊203之部分。該絕緣層204具有用以部分暴露該等焊墊203之上表面的開口231。該等開口231係藉由使該絕緣層204直接暴露至雷射光所製成。該等介層206係提供於該等個別開口231中。該等介層206之下端連接至該等個別焊墊203。該等介層206係與該等佈線圖案207整體形成。
該等佈線圖案207之每一佈線圖案具有一焊墊233及一佈線234。該焊墊233係提供於該絕緣層204之上表面204A上。該焊墊233係提供成與該佈線234整合成一體。該佈線234係提供於該絕緣層204之上表面204A上及該介層206之上端。該佈線234係與該等介層206整體形成。該佈線234電性連接該介層206至該焊墊233。
該絕緣層208係提供於該絕緣層204之上表面204A上，以便覆蓋該佈線234。該絕緣層208具有用以部分暴露該等焊墊233之上表面的開口236。該等開口236係藉由使該絕緣層208直接暴露至雷射光所製成。
該等介層209係提供於該等個別開口236中。該等介層209之下端連接至該等個別焊墊233。該等電子組件連接墊211係提供於該等介層209之上端及該絕緣層208之上表面208A上。該等電子組件連接墊211係與該等介層209整體形成。該等電子組件連接墊211之每一電子組件連接墊具有一產生有該防擴散膜213之防擴散膜產生區域211A。該等電子組件連接墊211係為經由該等防擴散膜213電性連接至一電子組件(例如，一半導體晶片)之墊。
該防焊層212係提供於該絕緣層208之上表面208A上，以便覆蓋該等電子組件連接墊211之除了它們的防擴散膜產生區域211A之外的區域。該防焊層212具有經由暴露該等防擴散膜產生區域211A之開口202A。該等防擴散膜213係提供成覆蓋該等防擴散膜產生區域211A。該等防擴散膜213連接至一未說明電子組件(例如，一半導體晶片)。
該等焊墊217係提供於該等貫穿電極202之下端及該核心基板201之下表面201B上。該等焊墊217係經由該等貫穿電極202電性連接至該等焊墊203。該絕緣層218係提供於該核心基板201之下表面201B，以便覆蓋該等焊墊217之部分。該絕緣層218具有經由部分暴露該等焊墊217之下表面的開口241。該等開口241係藉由使該絕緣層218直接暴露至雷射光所製成。該等介層219係提供於該等個別開口241中。該等介層219之上端連接至該等個別焊墊217。該等介層219係與該等佈線圖案221整體形成。
該等佈線圖案221之每一佈線圖案具有一焊墊242及一佈線243。該焊墊242係提供於該絕緣層218之下表面218A上。該等焊墊242係提供成與該等佈線243整合成一體。該等佈線243係提供於該絕緣層218之下表面218A上及該等介層219之個別下端。該等佈線243之每一佈線係與該等介層219整體形成。該等佈線243之每一佈線電性連接該介層219至該焊墊242。
該絕緣層223係提供於該絕緣層218之下表面218A上，以便覆蓋該等佈線243。該絕緣層223具有經由部分暴露該等焊墊242之上表面的開口245。該等開口245係藉由使該絕緣層223直接暴露至雷射光所製成。
該等介層224係提供於該等個別開口245中。該等介層224之上端連接至該等個別焊墊242。該等外部連接墊226係提供成與該等介層224整合成一體。該等外部連接墊226之每一外部連接墊具有一產生有該防擴散膜228之防擴散膜產生區域226A。該等外部連接墊226係為經由該等防擴散膜228電性連接至一安裝板(未顯示)之墊；例如，一母板。
該防焊層227係提供於該絕緣層223之下表面223A上，以便覆蓋該等外部連接墊226之除了它們的防擴散膜產生區域226A之外的區域。該防焊層227具有經由暴露該等防擴散膜產生區域226A之開口227A。該等防擴散膜228係提供於該等防擴散膜產生區域226A中。在該防擴散膜228上提供電性連接至一像母板之安裝板(未顯示)的外部連接端(未顯示)。
在具有上述配置之佈線板200中，使用一不包含二氧化矽粒子之樹脂層、一包含二氧化矽粒子之樹脂層等做為該等絕緣層204、208、218及223。當相較於使用一不包含二氧化矽粒子之樹脂層的情況時，使用包含有二氧化矽粒子之樹脂層做為該等絕緣層204、208、218及223，能減少該等絕緣層204、208、218及223之熱膨脹係數與一在該等電子組件連接墊211上所安裝之電子組件(特別是一半導體晶片)的熱膨脹係數間之差異(見例如，專利文件1)。
圖2係另一相關技藝佈線板之剖面圖。
參考圖2，另一相關技藝佈線板250係一無核心板。該佈線板250具有電子組件連接墊251、絕緣層253及257、介層254及259、佈線圖案255、外部連接墊261及防焊層263。
該等電子組件連接墊251之每一電子組件連接墊具有一要連接一未說明電子組件(例如，一半導體晶片)之連接面251A。該等電子組件連接墊251係埋入該絕緣層253中，同時使該等連接面251A維持暴露。該等連接面251A大致上係與該絕緣層253之一表面253A(亦即，該絕緣層253之相對於與該絕緣層257接觸之表面253B的表面)齊平。
該等電子組件連接墊251係埋入該絕緣層253中，同時暴露該等連接面251A。該絕緣層253具有經由部分暴露該等電子組件連接墊251在該等個別連接面251A之相對側上的表面251B之開口265。該等開口265係藉由使該絕緣層253直接暴露至雷射光所製成。
該等介層254係提供於該等個別開口265中。該等介層254之一端連接至該等電子組件連接墊251。該等介層254係與該等佈線圖案255整體形成。
該等佈線圖案255之每一佈線圖案具有一焊墊281及一佈線282。該焊墊281係提供於該絕緣層253之表面253B上。該等焊墊281係提供成與該等佈線282整合成一體。該等佈線282係提供於該絕緣層253之表面253B上及該等介層254之個別其它端上。該等佈線282之每一佈線係與該介層254及該焊墊281整體形成。該等佈線282之每一佈線電性連接該介層254至該焊墊281。
該絕緣層257係提供於該絕緣層253之表面253B上，以便覆蓋該等佈線282。該絕緣層257具有經由部分暴露該等焊墊281之開口267。該等開口267係藉由使該絕緣層257直接暴露至雷射光所製成。
該等介層259係提供於該等個別開口267中。該等介層259之一端連接至該等個別焊墊281。該等介層259係與該等外部連接墊261整體形成。
該等外部連接墊261係提供於該絕緣層257之表面257A上。該等外部連接墊261之每一外部連接墊具有一要提供有一外部連接端(未顯示)之端供應區域261A。該等外部連接墊261係為經由例如外部連接端(未顯示)電性連接至一像母板之安裝板(未顯示)的墊。該等外部連接墊261係與該等介層259整體形成。
該防焊層263係提供於該絕緣層257之表面257A上。該防焊層263具有經由暴露該等端供應區域261A之開口263A。
因為上述配置之佈線板250不具有任何核心基板，所以該佈線板在厚度方向上的小型化(亦即，該佈線板之厚度的減少)係可能的；然而，該佈線板250易受翹曲之影響。基於此理由，在該佈線板250中，使用一藉由使樹脂滲入做為核心材料之玻璃纖維所製成之樹脂層、一藉由使包含填充物(像二氧化矽粒子)之樹脂滲入做為核心材料之玻璃纖維所製成之樹脂層及其它樹脂層做為該等絕緣層253及257，藉此企圖減少該等佈線板250之翹曲。
圖3係概要地顯示在該絕緣層中之開口的形成時所使用之雷射(雷射光)的剖面輪廓之視圖。
現在將描述在該等絕緣層204、208、218、223、253及257中之開口231、236、241、245、265及267的形成時所使用之雷射271。
參考圖3，該雷射271具有一高能量區域272、一低能量區域273及一中能量區域274。
該高能量區域272係位於該雷射271之中心且在能量強度方面高於該低能量區域273及該中能量區域274。該高能量區域272之外周面272A與該雷射271之中心線J所形成之角度θ1 係小於該低能量區域273之外周面273A與該雷射271之中心線J所形成之角度θ3 及該中能量區域274之外周面274A與該雷射271之中心線J所形成之角度θ2 。
該低能量區域273係位於該雷射271之外部區域且在能量強度方面係低於該高能量區域272及該中能量區域274。該低能量區域273之外周面273A與該雷射271之中心線J所形成之角度θ3 係大於該高能量區域272之外周面272A與該雷射271之中心線J所形成之角度θ1 及該中能量區域274之外周面274A與該雷射271之中心線J所形成之角度θ2 。
該中能量區域274係位於該高能量區域272與該低能量區域273之間。該中能量區域274在能量強度方面係高於該低能量區域273，但是低於該高能量區域272。該中能量區域274之外周面274A與該雷射271之中心線J所形成之角度θ2 係大於該高能量區域272之外周面272A與該雷射271之中心線J所構成之角度θ1 ，但是小於該低能量區域273之外周面273A與該雷射271之中心線J所構成之角度θ3 。
[專利文件1]日本專利未審查申請案公告第2000-244115號。
圖4係描述一用以製造該相關技藝佈線板之方法的缺點之視圖。在圖4中，相同於該相關技藝佈線板200之構成部分分配有相同元件符號。
如圖4所示，當使該絕緣層204直接暴露至如圖3所示所配置之雷射271時，將該雷射271之一對應於該高能量區域272之部分、該雷射之一對應於該低能量區域273之部分及該雷射271之一對應於該中能量區域274之部分照射在該絕緣層204上，據此將位於該雷射271之外部區域的該低能量區域273之外周面273A的幾何形狀轉移至該開口231之側面。結果，該開口231之側面呈現一顯著錐形狀。該開口231之下端的直徑K2 變成相當小於該開口231之上端的直徑K1 (該開口231暴露至該雷射271之部分的直徑)。
基於此理由，很難減少該等開口231之直徑，同時確保該焊墊203與該開口231中所提供之該介層206間之電性連接的可靠性。
在圖4中，藉由參考在該絕緣層204中形成該等開口231之情況來描述該相關技藝中之缺點。甚至在該等絕緣層208、218、223、253及257中形成該等開口236、241、245、265及267之情況中亦會產生該等缺點。
當使用一具有很難由該雷射271處理之玻璃纖維及一像二氧化矽粒子之填充物的樹脂層做為該等絕緣層204、208、218、223、253及257時，前述缺點變得更顯著。例如，很難由該雷射之對應於該低能量區域273之部分及該雷射之對應於該中能量區域274之部分處理該玻璃纖維。因此，該玻璃纖維突出進入該等絕緣層204、208、218、223、253及257之開口231、236、241、245、265及267中。結果，在藉由例如電鍍產生該等介層之情況中，無法將充分數量之電鍍液供應至該等開口之內部。
本發明之示範性具體例提供一種佈線板之製造方法，該方法能減少在一絕緣層中藉由雷射所形成之開口的直徑。
依據本發明之一態樣，提供一種佈線板之製造方法，包括：一絕緣層產生構件準備步驟，準備一絕緣層產生構件，該絕緣層產生構件具有一支撐膜及一在該支撐膜之一表面上所提供之半硬化絕緣層；一絕緣層產生構件固定步驟，固定該絕緣層產生構件至一焊墊，使得該焊墊接觸該半硬化絕緣層；一絕緣層硬化步驟，在該絕緣層產生構件固定步驟後，硬化該半硬化絕緣層；以及一開口產生步驟，使該硬化絕緣層藉由該支撐膜暴露至雷射，藉此在該硬化絕緣層中開出一開口。
依據本發明，準備一絕緣層產生構件，該絕緣層產生構件具有一支撐膜及一在該支撐膜之一表面上所提供之半硬化絕緣層。隨後，固定該絕緣層產生構件至一焊墊，使得該焊墊接觸該半硬化絕緣層。在硬化該半硬化絕緣層後，藉由該支撐膜暴露該硬化絕緣層至雷射，藉此在該絕緣層中開出一開口。因此，該等支撐膜可防止該等絕緣層暴露至一位於該雷射之外部區域且具有低能量強度之低能量區域及一位於該低能量區域之內側且具有低於該高能量區域及高於該低能量區域之能量強度的中能量區域。因此，可藉由只使用該雷射之對應於該高能量區域之部分，在該絕緣層中開出一接近一垂直幾何形狀之側面的開口，其中該高能量區域具有一外周面，該外周面之形狀比該低能量區域之外周面的錐形形狀及該中能量區域之外周面的錐形形狀更接近一垂直幾何(亦即，可減少該等個別開口之兩端的直徑間之差異)，以及因此，可減少該等開口之直徑。
依據本發明，可減少在一絕緣層中藉由雷射(雷射光)所形成之開口的直徑。
可以從下面詳細敘述、所附圖式及申請專利範圍明顯易知其它特徵及優點。
現在將參考圖式以描述本發明之具體例。
(第一具體例)
圖5係本發明之第一具體例的一佈線板之剖面圖；參考圖5，該第一具體例之一佈線板10係一具有一核心基板之增層佈線板。該佈線板10具有一核心基板21、貫穿電極22、焊墊23及37、絕緣層24、28、38及43、介層26、29、39及44、佈線圖案27及41、電子組件連接墊31、防焊層32及47、防擴散膜33及48以及外部連接墊46。
該核心基板21採用平板的形狀及具有通孔49。該核心基板21係為一用以支撐一在該核心基板21之兩個表面21A及21B上所製造之增層結構體的基板。特別地，在本具體例中，由該等焊墊23、該等絕緣層24及28、該等介層26及29、該等佈線圖案27、該等電子組件連接墊31、該等防焊層32及該等防擴散膜33製成一增層結構體及一由該等焊墊37、該等絕緣層38及43、該等介層39及44、該等佈線圖案41、該等防焊層47、該等防擴散膜48及該等外部連接墊46製成一增層結構體。例如，該核心基板21可使用一藉由使環氧樹脂滲入玻璃纖維所製成之玻璃環氧樹脂基板。當使用一玻璃環氧樹脂基板做為該核心基板21時，該核心基板21之厚度可設定為例如800μm。
該等貫穿電極22係提供於該等個別通孔49中。每一貫穿電極22之上端連接至該焊墊23，以及每一貫穿電極22之下端連接至該焊墊37。該等貫穿電極22之每一貫穿電極藉此電性連接該焊墊23及該焊墊37。例如，可使用銅做為該等貫穿電極22之材料。
該等焊墊23之每一焊墊係提供於該貫穿電極22之上端及該核心基板21之上表面21A上。該等焊墊23由該貫穿電極22電性連接至在核心基板21之下表面21B上所提供之該等焊墊37。例如，可使用銅做為該等焊墊23之材料。該等焊墊23之厚度可以設定為例如25μm。
該絕緣層24係提供於該核心基板21之上表面21A上，以便覆蓋該等焊墊23之部分。該絕緣層24具有經由部分暴露該等焊墊23之上表面23A的開口51。該等開口51係藉由前述層271(見圖3)之使用所形成。該等開口51係以該開口之一端的直徑與該開口之另一端的直徑間的差異變成小於在該相關技藝佈線板200中所提供之該開口231(見圖1)的一端之直徑與該開口231之另一端的直徑間之差異的方式所開出。簡言之，配置該等開口51，使得該絕緣層24之對應於該開口51之側面的表面24B與該焊墊23之表面23A所形成之角度θ4 變成接近90度之角度。
例如，可使用一不包括一像二氧化矽粒子之填充物的樹脂層、一包含一像二氧化矽粒子之填充物的樹脂層等做為上述所配置之絕緣層24。當相較於使用一不包括二氧化矽粒子之樹脂層的情況時，使用例如一包含二氧化矽粒子之樹脂層做為該絕緣層24，能減少該絕緣層24之熱膨脹係數與在該等電子組件連接墊31上所安裝之電子組件11(例如，一半導體晶片)的熱膨脹係數間之差異。除了二氧化矽粒子之外，亦可以使用氧化鋁粒子、碳化矽粒子等做為一將構成該絕緣層24之填充物。可使用一具有熱固性特性之環氧樹脂、一熱固性聚烯烴系樹脂等做為一將構成該絕緣層24之樹脂的材料。亦可以使用一不同於上述那些樹脂之樹脂做為一將構成該絕緣層24之樹脂的材料。
該絕緣層24之厚度可設定為例如55μm。在此情況中，該開口51之深度可設定為30μm。當該開口51之深度為30μm時及當該開口51之暴露於該雷射271之端的直徑為60μm時，該開口51之位於相同 於該焊墊23所處之側上的端之直徑可設定為例如55μm。
該等介層26係提供於該等個別開口51中。該等介層26之下端連接至該等焊墊23。該等介層26之上端係與該等佈線圖案27整體形成。
該等佈線圖案27之每一佈線圖案具有一焊墊53及一佈線54。該等焊墊53係提供於該絕緣層24之上表面24A上。該等焊墊53係提供成與該等佈線54整合成一體。該等焊墊53經由該等佈線54電性連接至該等介層26。該等佈線54係提供於該等介層26之上端及該絕緣層24之上表面24A上。該等佈線54係與該等介層26及該等焊墊53整體產生。例如，可使用銅做為該等介層26及該等佈線圖案27之材料。
該絕緣層28係提供於該絕緣層24之上表面24A上，以便覆蓋該等佈線54。該絕緣層28具有經由部分暴露該等焊墊53之上表面53A的開口56。該等開口56係藉由前述雷射271(見圖3)之使用所形成。該等開口56之每一開口係以該開口之兩端的直徑間之差異變成小於在該相關技藝佈線板200中所提供之該開口236(見圖1)的兩端之直徑間的差異之方式所形成。亦即，該等開口56係以該絕緣層28之對應於該開口56之側面的一表面28B與該焊墊53之上表面53A所形成角度θ5 變成接近90度之角度的方式所形成。
例如，可使用一不包括一像二氧化矽粒子之填充物的樹脂 層、一包含一像二氧化矽粒子之填充物的樹脂層等做為上述所配置之絕緣層28。當相較於使用一不包括二氧化矽粒子之樹脂層的情況時，使用例如一包含二氧化矽粒子之樹脂層做為該絕緣層28，能減少該絕緣層28之熱膨脹係數與在該等電子組件連接墊31上所安裝之電子組件11(例如，一半導體晶片)的熱膨脹係數間之差異。除了二氧化矽粒子之外，亦可以使用氧化鋁粒子、碳化矽粒子等做為一將構成該絕緣層28之填充物。可使用一具有熱固性特性之環氧樹脂、一熱固性聚烯烴系樹脂等做為一將構成該絕緣層28之樹脂層的材料。亦可以使用一不同於上述這些樹脂之樹脂做為一將構成該絕緣層28之樹脂層的材料。
該絕緣層28之厚度可設定為例如45μm。在此情況中，該開口56之深度可設定為30μm。當該開口56之深度為30μm時及當該開口56之暴露於該雷射之端的直徑為60μm時，該開口56之位於相同於該焊墊53所處之側上的端之直徑可設定為例如55μm。
該等介層29係提供於該等個別開口56中。該等介層29之下端連接至該等焊墊53。該等介層29之上端係與該等電子組件連接墊31整體形成。
該等電子組件連接墊31係提供於該絕緣層28之上表面28A及該等介層29之上端上。該等電子組件連接墊31之每一電子組件連接墊具有一上面產生有該防擴散膜33之連接面31A。該電子組件連接墊31係與該等介層29整體產生。該等電子組件連接墊31經由該等介層29電性連接至該等焊墊53。例如，可使用銅做為該等介層29及該等電子組件連接墊31之材料。
該防焊層32係提供於該絕緣層28之上表面28A上，以便覆蓋該等電子組件連接墊31(除了它們的連接面31A之外)。該防焊層32具有經由暴露該等電子組件連接墊31之連接面31A的開口32A。
該防擴散膜33係提供成覆蓋該等電子組件連接墊31之連接面31A。該防擴散膜33係為一上面安裝有該電子組件11(例如，一半導體晶片)之膜。例如，可使用一藉由在該連接面31A上依序堆疊一鎳層及一金層所製成之鎳/金多層膜；一藉由在該連接面31A上依序堆疊一鎳層、一鈀層及一金層所製成之鎳/鈀/金多層膜；一藉由在該連接面31A上依序堆疊一鈀層及一金層所製成之鈀/金多層膜；等等做為該防擴散膜33。當使用鎳/鈀/金多層膜做為該防擴散膜33時，藉由以例如無電解電鍍依序堆疊一鎳層(具有例如3μm或更大之厚度)、一鈀層(具有例如0.1μm或更小之厚度)及一金層(具有例如0.01μm至0.5μm之厚度)，以產生一鎳/鈀/金多層膜。
該等焊墊37係提供於該核心基板21之下表面21B及該等貫穿電極21之下端上。該等焊墊37經由該等貫穿電極22電性連接至在該核心基板21之上表面21A上所提供之該等焊墊37。例如，可使用銅做為該等焊墊37之材料。該等焊墊37之厚度可設定為例如25μm。
該絕緣層38係放置在該核心基板21之下表面21B上，以便覆蓋該等焊墊37之部分。該絕緣層38具有經由部分暴露該等焊墊23之下表面37A的開口61。該等開口61係藉由前述雷射271(見圖3)之使用所形成。該等開口61係以該開口之一端的直徑與該開口之另一端的直徑間的差異變成小於在該相關技藝佈線板200中所提供之該開口241(見圖1)的一端之直徑與該開口241之另一端的直徑間之差異的方式所形成。簡言之，配置該等開口61，使得該絕緣層38之對應於該開口61之側面的表面38B與該焊墊37之下表面37A所形成之角度θ6 變成接近90度之角度。
例如，可使用一不包括一像二氧化矽粒子之填充物的樹脂層、一包含一像二氧化矽粒子之填充物的樹脂層等做為上述所配置之絕緣層38。當相較於使用一不包括二氧化矽粒子之樹脂層的情況時，使用例如一包含二氧化矽粒子之樹脂層做為該絕緣層38，能減少該絕緣層38之熱膨脹係數與在該等電子組件連接墊31上經由該防擴散膜33所安裝之電子組件11(例如，一半導體晶片)的熱膨脹係數間之差異。除了二氧化矽粒子之外，亦可以使用氧化鋁粒子、碳化矽粒子等做為一將構成該絕緣層38之填充物。可使用一具有熱固性特性之環氧樹脂、一熱固性聚烯烴系樹脂等做為一將構成該絕緣層38之樹脂層的材料。亦可以使用一不同於上述那些樹脂之樹脂做為一將構成該絕緣層38之樹脂層的材料。
該絕緣層38之厚度可設定為例如55μm。在此情況中，該開口61之深度可設定為30μm。當該開口61之深度為30μm時及當該開口61之暴露於該雷射之端的直徑為60μm時，該開口61之位於相同於該焊墊37所處之側上的端之直徑可設定為例如55μm。
該等介層39係提供於該等個別開口61中。該等介層39之上端連接至該等焊墊37。該等介層39之下端係與該等佈線圖案41整體形成。
該等佈線圖案41之每一佈線圖案具有一焊墊62及一佈線63。該等焊墊62係提供於該絕緣層38之下表面38A上。該等焊墊62係提供成與該等佈線63整合成一體。該等焊墊62經由該等佈線63電性連接至該等介層39。該等佈線63係提供於該等介層39之下端及該絕緣層38之下表面38A上。該等佈線63係與該等介層39及該等焊墊62整體產生。例如，可使用銅做為該等介層39及該等佈線圖案41之材料。
一絕緣層43係提供於該絕緣層38之下表面38A上，以便覆蓋該等佈線63。該絕緣層43具有經由部分暴露該等焊墊 62之下表面62A的開口65。該等開口65係藉由前述層271(見圖3)之使用所形成。該等開口65之每一開口係以該開口之兩端的直徑間之差異變成小於在該相關技藝佈線板200中所提供之該開口245(見圖1)的兩端之直徑間的差異之方式所形成。亦即，該等開口65係以該絕緣層43之對應於該開口65之側面的一表面43B與該焊墊62之下表面62A所形成角度θ7 變成接近90度之角度的方式所形成。
例如，可使用一不包括一像二氧化矽粒子之填充物的樹脂層、一包含一像二氧化矽粒子之填充物的樹脂層等做為上述所配置之絕緣層43。當相較於使用一不包括二氧化矽粒子之樹脂層的情況時，使用例如一包含二氧化矽粒子之樹脂層做為該絕緣層43，能減少該絕緣層43之熱膨脹係數與在該等電子組件連接墊31上經由該防擴散膜33所安裝之電子組件11(例如，一半導體晶片)的熱膨脹係數間之差異。除了二氧化矽粒子之外，亦可以使用氧化鋁粒子、碳化矽粒子等做為一將構成該絕緣層43之填充物。可使用一具有熱固性特性之環氧樹脂、一熱固性聚烯烴系樹脂等做為一將構成該絕緣層43之樹脂層的材料。亦可以使用一不同於上述那些樹脂之樹脂做為一將構成該絕緣層43之樹脂層的材料。
該絕緣層43之厚度可設定為例如45μm。在此情況中，該開口65之深度可設定為30μm。當該開口65之深度為30μm時及當該開口65之暴露於該雷射 之端的直徑為60μm時，該開口65之位於相同於該焊墊62所處之側上的端之直徑可設定為例如55μm。
該等介層44係提供於該等個別開口65中。該等介層44之上端連接至該等焊墊62。該等介層44係與該等外部連接墊46整體形成。
該等外部連接墊46係提供於該絕緣層43之下表面43A及該等介層44之下端上。該等外部連接墊46之每一外部連接墊具有一上面產生有該防擴散膜48之連接面46A。該等外部連接墊46係為經由該等防擴散膜48電性連接至像母板之安裝基板13的墊。該等外部連接墊46係與該等介層44整體產生。例如，可使用銅做為該等介層44及該等外部連接墊46之材料。
該防焊層47係提供於該絕緣層43之下表面43A上，以便覆蓋該等外部連接墊46(除了它們的連接面46A之外)。該防焊層47具有經由暴露該等外部連接墊46之連接面46A的開口47A。
該防擴散膜48係提供成覆蓋該等外部連接墊46之連接面46A。該防擴散膜48係為一上面提供有外部連接端15(例如，焊球)之膜。例如，可使用一藉由在該連接面46A上依序堆疊一鎳層及一金層所製成之鎳/金多層膜；一藉由在該連接面46A上依序堆疊一鎳層、一鈀層及一金層所製成之鎳/鈀/金多層膜；一藉由在該連接面46A上依序堆疊一鈀層及一金層所製成之鈀/金多層膜；等等做為該防擴散膜48。當使用鎳/鈀/金多層膜做為該防擴散膜48時，藉由以例如無電解電鍍依序堆疊一鎳層(具有例如3μm或更大之厚度)、一鈀層(具有例如0.1μm或更小之厚度)及一金層(具有例如0.01μm至0.5μm之厚度)，以產生一鎳/鈀/金多層膜。
圖6至16係顯示用以製造本發明之第一具體例的佈線板之製程的視圖。在圖6至16中，相同於該第一具體例之佈線板10的構成元件分配有相同元件符號。
參考圖6至16，將描述用以製造該第一具體例之佈線板10的方法。首先，在圖6所示之製程中，在一具有要製造該佈線板10之複數個佈線板產生區域A的核心基板71中藉由一已知技術形成該等通孔49、該等貫穿電極22及該等焊墊23及37。該核心基板71係為一要被沿著切割位置B切割成複數個核心基板21(該等核心基板21係圖5所示之佈線板10的構成元件中之一)之基板。例如，該核心基板71可使用一藉由使環氧樹脂滲入玻璃纖維所製成之玻璃環氧樹脂基板。當該核心基板71使用該玻璃環氧樹脂基板時，該核心基板71之厚度可設定為例如800μm。
可藉由使用例如一鑽頭來開出該等通孔49。可藉由例如電鍍來產生該等貫穿電極22及該等焊墊23、37。在此情況中，可使用銅做為該等貫穿電極22及該等焊墊23及37之材料。
在圖7所示之製程中，準備一具有一支撐膜74及一絕緣層75之絕緣層產生構件73，該絕緣層75係提供於該支撐膜74之一表面74A(一個表面)上且處於一半硬化狀態(一絕緣層產生構件準備步驟)。在此製程中準備兩個絕緣層產生構件73。該支撐膜74係為一用以支撐該絕緣層75之膜。例如，可使用像PET(聚乙烯對苯二甲酸酯)之聚酯、聚乙烯、像聚氯乙烯之聚烯烴、聚碳酸酯等做為該支撐膜74之材料。該支撐膜74之厚度可設定為例如30μm至40μm。
在稍後所述之圖9中所示的製程中使處於半硬化狀態之該絕緣層75硬化，因而轉變成為該等絕緣層24及38。例如，可使用一不包括一像二氧化矽粒子之填充物的半硬化樹脂層、一包含一像二氧化矽之填充物的半硬化樹脂層等做為該半硬化絕緣層75。除了二氧化矽粒子之外，亦可以使用氧化鋁粒子、碳化矽粒子等做為一將構成該絕緣層75之填充物。可使用一具有熱固性特性之環氧樹脂、一熱固性聚烯烴系樹脂等做為一將構成該絕緣層75之半硬化樹脂層的材料。亦可以使用一不同於上述那些樹脂之樹脂做為一將構成該絕緣層75之半硬化樹脂層的材料。該半硬化絕緣層75之厚度可設定為例如30μm至40μm。
在圖8所示之製程中，以圖6所示之結構的兩個表面(特別地，該核心基板71之上面形成有該等焊墊23之上表面71A及該核心基板71之上面形成有該等焊墊37之下表面71B)接觸該半硬化絕緣層75之方式，將該絕緣層產生構件73固定至圖6所示之結構的兩個表面(一絕緣層產生構件固定步驟)。特別地，藉由例如真空熱壓接合將該絕緣層產生構件73固定至圖6所示之結構的兩個表面。被固定至該核心基板71之上表面71A的絕緣層75係為一將因在稍後所述之圖9所示的製程中被硬化而轉變成該絕緣層24(見圖5)之層。被固定至該核心基板71之下表面71B的絕緣層75係為一將因在稍後所述之圖9所示的製程中被硬化而轉變成該絕緣層38(見圖5)之層。
接下來，在圖9所示之製程中使半硬化且顯示於圖8中之該等絕緣層75硬化，藉此同時在該核心基板71之上表面71A上產生該絕緣層24(一硬化絕緣層)及在該核心基板71之下表面71B上產生該絕緣層38(一硬化絕緣層)(一絕緣層硬化步驟)。特別地，例如，當該等絕緣層75係由一做為基材之熱固性樹脂所形成時，(在例如180℃之加熱溫度下)加熱圖8所示之結構，因而產生該等硬化絕緣層24及38。
隨後，在圖10所示之製程中，藉由該等支撐膜74使該等硬化絕緣層24及38暴露至該雷射271(見圖3)。換言之，使該支撐膜74之表面74B(該支撐膜74沒有與該等絕緣層24及38接觸之表面)暴露至該雷射271，因而在該絕緣層24中產生經由部分暴露該等焊墊23之上表面23A的開口51及在該絕緣層38中產生經由部分暴露該等焊墊37之下表面37A的開口61(一開口產生步驟)。
圖17係概要地顯示在該開口產生製程中該支撐膜之剖面輪廓及被照射至該絕緣層之雷射的剖面輪廓之視圖。在圖17中，相同於前述圖3所示之雷射271及圖10所示之結構的構成元件分配有相同元件符號。
現在將描述在下面情況中完成操作：使該雷射271(見圖3)藉由該等支撐膜74照射至該等絕緣層24及38，同時該等支撐膜74保持固定至該等絕緣層24及38，因而開出該等開口51及61。
如圖17所示，使該雷射271藉由該等支撐膜74照射至該等硬化絕緣層24及38，因而在該等絕緣層24及38中開出該等開口51及61。結果，該等支撐膜74可防止該等絕緣層24及38暴露至該雷射271之對應於該低能量區域273之部分及該雷射271之對應於該中能量區域274之部分，其中該低能量區域273位於該雷射271之外部區域且具有低能量強度，以及該中能量區域274位於該低能量區域之內側且具有低於該高能量區域272及高於該低能量區域273之能量強度，其中該高能量區域272位於該雷射之中央且具有高能量強度。
結果，可藉由只使用該雷射271之對應於該高能量區域272的部分來開出該等開口51及61，其中該高能量區域272具有該外周面272A，該外周面272A之形狀比該低能量區域273之外周面273A的錐形形狀及該中能量區域274之外周面274A的錐形狀更接近垂直幾何(換言之，角度θ4 及θ6 接近90度)。結果，可在該等絕緣層24及38中開出該等開口51及61，其中該等開口51及61之側面具有接近垂直幾何之形狀(亦即，可減少該等個別開口51之兩端的直徑間之差異及該等個別開口61之兩端的直徑間之差異)，因而，可減少該等開口51及61之直徑。
藉由使該等絕緣層24及38經由該等支撐膜74暴露至該雷射271(見圖3)，以產生該等開口51及61，同時該等支撐膜74保持固定至該等絕緣層24及38，藉此防止在雷射處理期間發生殘餘物(例如，該等絕緣層24及38之屑片)黏著至該等絕緣層24及38之表面24A及38A。因此，可在該等絕緣層24及38之表面24A及38A上以較高準確性產生該等佈線圖案27及41。
當該等開口51及61之深度為30μm時及當該等開口51及61之暴露於該雷射271之端的直徑為60μm時，該等個別開口51及61之另一端的直徑可設定為例如55μm。
接下來，在圖11所示之製程中移除在圖10所示之結構上所提供之兩個支撐膜74(一支撐膜移除步驟)。特別地，從圖10所示之結構上所提供之絕緣層24及38剝除該等支撐膜74，藉此移除該等支撐膜74。
藉由一已知技術在圖12所示之製程中同時產生該等介層26、39及該等佈線圖案27、41(一介層產生步驟)。可藉由例如一半加成法產生該等介層26、39及該等佈線圖案27、41。
特別地，在此情況中，藉由一粗化法使該絕緣層24之上表面24A及表面24B以及該絕緣層38之下表面38A及表面38B變粗糙。接下來，產生一種子層(未顯示)，以便覆蓋該粗化絕緣層24之上表面24A及表面24B、該粗化絕緣層38之下表面38A及表面38B、該等焊墊23經由該等開口51所暴露之上表面23A以及該等焊墊37經由該等開口61所暴露之下表面37A。在該絕緣層24之上表面24A上形成一具有對應於產生該等佈線圖案27之區域的開口之光阻膜(未顯示)。在該絕緣層38之下表面38A上形成一具有對應於產生該等佈線圖案41之區域的開口之光阻膜(未顯示)。
藉由一使用種子層做為一饋電層之電解電鍍法，在該種子層經由該光阻膜之開口部所暴露之區域上以沉積成長產生一電鍍膜[例如，一鍍銅膜(具有例如15μm之厚度)]。隨後，去除該光阻膜及以該光阻膜所覆蓋之不需要的種子層，藉此同時產生該等介層26、39以及該等佈線圖案27、41。例如，可使用去膠渣(desmearing)做為該粗化法。此外，可使用一藉由無電鍍或濺鍍所產生之銅層(具有例如0.1μm之厚度)做為該種子層。
最好在緊接該等介層26及39之產生前移除該等支撐膜74。如以上所述，由於在緊接該等介層26及39之形成前移除該等支撐膜74，可防止由搬運(運送)而造成外來物質黏著至該絕緣層24之上表面24A及該絕緣層38之下表面38A或在該等絕緣層24及38中施加瑕疵。藉此，可提高該等佈線板10之產量。
然後，在圖13所示之製程中實施相似於有關圖7至10所示之前述製程的處理，藉此在圖12所示之結構上形成具有開口56之絕緣層28及具有開口65之絕緣層43。
因此，將該雷射271藉由該等支撐膜74照射至該等硬化絕緣層28及43，因而在該等絕緣層28及43中開出該等開口56及65。結果，該等支撐膜74可防止該等絕緣層28及43暴露至該雷射271之對應於該低能量區域273之部分及該雷射271之對應於該中能量區域274之部分，其中該低能量區域273位於該雷射271之外部區域且具有低能量強度，以及該中能量區域274具有低於該高能量區域272及高於該低能量區域273之能量強度。
結果，可藉由只使用該雷射271之對應於該高能量區域272的部分，開出具有接近垂直幾何之輪廓的側面之該等開口56及65，其中該高能量區域272具有該外周面272A，該外周面272A之形狀比該低能量區域273之外周面273A的錐形形狀及該中能量區域274之外周面274A的錐形狀更接近垂直幾何(換言之，角度θ5 及θ7 接近90度)(亦即，可減少該等個別開口56之兩端的直徑間之差異及該等個別開口65之兩端的直徑間之差異)，以及因此，可減少該等開口56及65之直徑。
藉由使該等絕緣層28及43經由該等支撐膜74暴露至該雷射271(見圖3)，以產生該等開口56及65，同時該等支撐膜74保持固定至該等絕緣層28及43，藉此防止在雷射處理期間發生殘餘物(例如，該等絕緣層28及43之屑片)黏著至該等絕緣層28及43之表面28A及43A。因此，可在該等絕緣層28及43之表面28A及43A上以較高準確性產生該等電子組件連接墊31或該等外部連接墊46。
當該等開口56及65之深度為30μm時及當該等開口56及65之暴露於該雷射271之端的直徑為60μm時，該等個別開口56及65之另一端的直徑可設定為例如55μm。
接下來，在圖14所示之製程中實施相似於有關圖12所示之前述製程的處理，藉此同時產生該等介層29及44、該等電子組件連接墊31以及該等外部連接墊46。
在圖15所示之製程中藉由一已知技術產生具有該等開口32A之該防焊層32、具有該等開口47A之該防焊層47及該等防擴散膜33及48。結果，在該複數個佈線板產生區域A中分別產生對應於該等佈線板10之結構。例如，可使用一藉由依序堆疊一鎳層及一金層所製成之鎳/金多層膜；一藉由依序堆疊一鎳層、一鈀層及一金層所製成之鎳/鈀/金多層膜；一藉由依序堆疊一鈀層及一金層所製成之鈀/金多層膜；一金屬；等等做為該等防擴散膜33及48。當使用鎳/鈀/金多層膜做為該等防擴散膜33及48時，藉由以例如無電解電鍍依序堆疊一鎳層(具有例如3μm或更大之厚度)、一鈀層(具有例如0.1μm或更小之厚度)及一金層(具有例如0.01μm至0.5μm之厚度)，以產生一鎳/鈀/金多層膜。
在圖16所示之製程中，沿著該等切割線B切割圖15所示之結構，藉此將該複數個佈線板10分割成數片。
依據用以製造本具體例之佈線板的方法，準備具有該等支撐膜74及該等絕緣層75之該絕緣層產生構件73，該等絕緣層75係提供於該等個別支撐膜74之表面74A上且係為半硬化的。該絕緣層產生構件73係固定至該等焊墊23、37、53及62，使得該等焊墊23、37、53及62接觸該等半硬化絕緣層75。接下來，硬化該等半硬化絕緣層75，因而產生該等絕緣層24、28、38及43。隨後，使該等硬化絕緣層24、28、38及43藉由該等支撐膜74暴露至該雷射271，藉此開出該等開口51、56、61及65。因此，該等支撐膜74阻擋該雷射271之對應於該低能量區域273之部分及該雷射271之對應於該中能量區域274之部分，其中該低能量區域273位於該雷射271之外部區域且具有低能量強度，以及該中能量區域274具有低於該高能量區域272及高於該低能量區域273之能量強度。因而，防止該等絕緣層24、28、38及43暴露至該雷射271之對應於該低能量區域273及該中能量區域274之部分。結果，可藉由只使用該雷射271之對應於該高能量區域272的部分，開出接近垂直幾何之形狀的側面之該等開口51、56、61及65，其中該高能量區域272具有該外周面272A，該外周面272A之形狀比該低能量區域273之外周面273A的錐形形狀及該中能量區域274之外周面274A的錐形狀更接近垂直幾何(換言之，角度θ4 、θ5 、θ6 及θ7 接近90度)(亦即，可減少該等個別開口51之兩端的直徑間之差異、該等個別開口56之兩端的直徑間之差異、該等個別開口61之兩端的直徑間之差異及該等個別開口65之兩端的直徑間之差異)，以及因此又可減少該等開口51、56、61及65之直徑。
(第二具體例)
圖18係本發明之第二具體例的一佈線板之剖面圖。在圖18中，相同於該第一具體例所述之圖5所示的結構之構成元件分配有相同元件符號。
參考圖18，該第二具體例之一佈線板80係一無核心基板。該佈線板80具有電子組件連接墊81、絕緣層82及87、介層84及88、佈線圖案85、外部連接墊91以及一防焊層92。
該等電子組件連接墊81之每一電子組件連接墊具有一上面安裝(連接)有該電子組件11之連接面81A。該等電子組件連接墊81係埋入該絕緣層82(特別是一構成該絕緣層82且將描述於後之樹脂層96)中，使得該連接面81A變成基本上與該絕緣層82之表面82A(相對於與該絕緣層87接觸之表面82B的表面)齊平。例如，可使用一藉由從該連接面81A依序堆疊一金層(具有例如0.05μm之厚度)；一鈀層(具有例如0.05μm之厚度)；以及一鎳層(具有例如5μm之厚度)所製成之金/鈀/鎳多層膜做為該等電子組件連接墊81。在此情況中，在該金層上安裝該電子組件11。
該絕緣層82具有一核心材料95及該硬化樹脂層96，其中該硬化樹脂層96覆蓋該核心材料95。該絕緣層82之表面82A係基本上與該等電子組件連接墊81之連接面81A齊平。該絕緣層82具有經由暴露該等電子組件連接墊81之表面81B(該等電子組件連接墊81之相對於該等連接面81A之側上的表面)的開口100。該等開口100係開出成穿過該絕緣層82之相對於該等電子組件連接墊81之表面81B的區域(特別是該核心材料95及該樹脂層96)。藉由使該絕緣層82之表面82B(該絕緣層82之相對於該表面82A之側上的表面)暴露至雷射，以開出該等開口100。以一開口之一端的直徑與該開口之另一端的直徑間之差異變成小於在該相關技藝佈線板250中所提供之該開口256(見圖2)的一端之直徑與該開口256之另一端的直徑間之差異的方式開出該等開口100。簡言之，配置該等開口100，使得該樹脂層96之對應於該開口100之側面的表面96A與該電子組件連接墊81之表面81B所形成之角度θ8 變成接近90度之角度。該等絕緣層82之厚度可設定為例如55μm。在此情況中，該開口100之深度可設定為40μm。當該開口100之深度為40μm時及當該開口100之暴露於該雷射之端的直徑為60μm時，該開口100之位於相同於該等電子組件連接墊81所處之側上的端之直徑可設定為例如45μm。
以該硬化樹脂層96覆蓋該核心材料95。當相較於該樹脂層96，該核心材料95比較不可能受雷射之處理，以及因此，該核心材料95突出至該等開口100之每一開口的內部。該核心材料95係為一用以藉由加強該絕緣層82之強度以減少在做為一無核心板之該佈線板80中之翹曲的構件。例如，可使用玻璃纖維之織布或不織布、醯胺纖維之織布或不織布之類做為該核心材料95。亦可以使用不同於上述織物之纖維做為該核心材料95。
該樹脂層96覆蓋該等電子組件連接墊81之側面及表面81B的部分。例如，可使用一不包括一像二氧化矽粒子之填充物的樹脂層、一包含一像二氧化矽粒子之填充物的樹脂層等做為該樹脂層96。當相較於使用一不包括二氧化矽粒子之樹脂層的情況時，使用例如一包含二氧化矽粒子之樹脂層 做為該樹脂層96，能減少該絕緣層82之熱膨脹係數與在該等電子組件連接墊81上所安裝之電子組件11(例如，一半導體晶片)的熱膨脹係數間之差異。
除了二氧化矽粒子之外，亦可以使用氧化鋁粒子、碳化矽粒子等做為一將構成該絕緣層82之填充物。例如，可使用一具有熱固性特性之環氧樹脂、一熱固性聚烯烴系樹脂等做為該樹脂層96之材料。亦可以使用一不同於上述那些樹脂之樹脂做為該樹脂層96之材料。
該等介層84係提供於該絕緣層82中所開出之該等個別開口100中。該等介層84之單端連接至該等電子組件連接墊81，以及該等介層之另一端係與該等佈線圖案85整體產生。該等介層84藉此電性連接該等電子組件連接墊81至該等佈線圖案85。
該等佈線圖案85之每一佈線圖案具有一焊墊98及一佈線99。該等焊墊98係提供於該絕緣層82之表面82B上。該等焊墊98係配置成與該等佈線99整合成一體。該等焊墊98藉由該等佈線99電性連接至該等介層84。該等個別佈線99係提供於該等介層84之另一端及該絕緣層82之表面82B上。該等佈線99係配置成與該等介層84及該等焊墊98整合成一體。例如，可使用銅做為該等介層84及該等佈線圖案85之材料。該等介層84及該等佈線圖案85可藉由例如一半加成法所產生。
該絕緣層87具有該核心材料95及該硬化樹脂層96，該硬化樹脂層96覆蓋該核心材料95。該絕緣層87係提供於該絕緣層82之表面82B上，以便覆蓋該等佈線99。該絕緣層87具有經由暴露該等焊墊98之表面98A的開口102。該等開口102係開出成穿過該絕緣層87之相對於該等焊墊98之表面98A的區域(特別是該核心材料95及該樹脂層96)。藉由使該絕緣層87之表面87A(該絕緣層87之相對於與該絕緣層82接觸之表面的側上之表面)暴露至雷射，以開出該等開口102。以一開口之一端的直徑與該開口之另一端的直徑間之差異變成小於在該相關技藝佈線板250中所提供之該開口267(見圖2)的一端之直徑與該開口267之另一端的直徑間之差異的方式開出該等開口102。簡言之，配置該等開口102，使得該樹脂層96之對應於該開口102之側面的表面96B與該焊墊98之表面98A所形成之角度θ9 變成接近90度之角度。該等絕緣層87之厚度可設定為例如55μm。在此情況中，該開口102之深度可設定為40μm。當該開口102之深度為40μm時及當該開口102之暴露於該雷射之端的直徑為60μm時，該開口102之位於相同於該等外部連接墊91所處之側上的端之直徑可設定為例如45μm。
以該硬化樹脂層96覆蓋該核心材料95。當相較於該樹脂層96，該核心材料95比較不可能受雷射之處理，以及因此， 該核心材料95突出至該等開口102之每一開口的內部。該核心材料95係為一用以藉由加強該絕緣層87之強度以減少在做為一無核心板之該佈線板80中之翹曲的構件。例如，可使用玻璃纖維之織布或不織布、醯胺纖維之織布或不織布之類做為該核心材料95。亦可以使用不同於上述織物之纖維做為該核心材料95。
該樹脂層96係提供於該絕緣層82之表面82B上，以覆蓋該等佈線99。例如，可使用一不包括一像二氧化矽粒子之填充物的樹脂層、一包含一像二氧化矽粒子之填充物的樹脂層等做為該樹脂層96。當相較於使用一不包括二氧化矽粒子之樹脂層的情況時，使用例如一包含二氧化矽粒子之樹脂層做為該樹脂層96，能減少該絕緣層87之熱膨脹係數與在該等電子組件連接墊81上所安裝之電子組件11(例如，一半導體晶片)的熱膨脹係數間之差異。
除了二氧化矽粒子之外，亦可以使用氧化鋁粒子、碳化矽粒子等做為一將構成該絕緣層87之填充物。例如，可使用一具有熱固性特性之環氧樹脂、一熱固性聚烯烴系樹脂等做為該樹脂層96之材料。亦可以使用一不同於上述那些樹脂之樹脂做為該樹脂層96之材料。
該等介層88係提供於該絕緣層87中所開出之該等個別開口102中。該等介層88之單端連接至該等焊墊98，以及該等介層之另一端係與該等外部連接墊91整體產生。該等介層88藉此電性連接該等焊墊98至該等外部連接墊91。
該等外部連接墊91係提供於該絕緣層87之表面87A(該絕緣層87之相對於與該絕緣層82接觸之表面的側上之表面)上及配置成與該等介層88整合一體。該等外部連接墊91之每一外部連接墊具有一上面配置有該外部連接端15之端配置面91A。該等外部連接墊91係為藉由該外部連接端15電性連接至像母板之該安裝基板13的墊。例如，可使用銅做為該等介層88及該等外部連接墊91之材料。該等介層88及該等外部連接墊91可藉由例如一半加成法所產生。
該防焊層92係提供於該絕緣層87之表面87A上，以便覆蓋該等外部連接墊91(除了它們的端配置面91A之外)。該防焊層92具有經由暴露該等外部連接墊91之端配置面91A的開口92A。
圖19至30係顯示用以製造本發明之第二具體例的佈線板之製程的視圖。在圖19至30中，相同於該第二具體例之佈線板80的構成元件分配有相同元件符號。
參考圖19至30，將描述用以製造該第二具體例之佈線板80的方法。首先，在圖19所示之製程中，在一支撐物111之一表面111A上形成一具有開口112A之光阻膜112，其中經由該等開口112A暴露該導電支撐物111之表面111A的對應於產生電子組件連接墊81之區域的部分。接下來，藉由一使用該支撐物111做為一饋電層之電解電鍍法在該支撐物111之表面111A的經由該等開口112A所暴露之區域上產生該等電子組件連接墊81。特別地，例如，當使用一金/鈀/鎳多層膜做為該等電子組件連接墊81時，在具有該等開口112A之該光阻膜112的形成後，藉由一電解電鍍法經由一金層(具有例如0.05μm之厚度)、一鈀層(具有例如0.05μm之厚度)及一鎳層(具有例如5μm之厚度)之連續沉積成長來產生該等電子組件連接墊81。例如，可使用一金屬箔(例如，一銅箔)、一金屬板(例如，一銅板)等做為具有導電特性之該支撐物111。在圖20所示之隨後製程中，移除該光阻膜112。
在圖21所示之製程中，準備一具有該支撐膜74及一絕緣層114之絕緣層產生構件113，該絕緣層114係提供於該支撐膜74之表面74A(一個表面)上且處於半硬化狀態(一絕緣層產生構件準備步驟)。該支撐膜74係為一用以支撐該絕緣層114之膜。例如，可使用像PET(聚乙烯對苯二甲酸酯)之聚酯、聚乙烯、像聚氯乙烯之聚烯烴、聚碳酸酯等做為該支撐膜74之材料。該支撐膜74之厚度可設定為例如30μm至40μm。
該絕緣層114具有該核心材料95及一半硬化樹脂層115，該半硬化樹脂層115覆蓋該核心材料95。例如，可使用玻璃纖維之織布或不織布、醯胺纖維之織布或不織布之類做為該核心材料95。亦可以使用不同於上述織物之纖維做為該核心材料95。例如，可使用一不包括一像二氧化矽粒子之填充物的半硬化樹脂層、一包含一像二氧化矽粒子之填充物的半硬化樹脂層等做為該半硬化樹脂層115。除了二氧化矽粒子之外，亦可以使用氧化鋁粒子、碳化矽粒子等做為一將構成該絕緣層114之填充物。可使用一具有熱固性特性之環氧樹脂、一熱固性聚烯烴系樹脂等做為該半硬化樹脂層115之材料。亦可以使用一不同於上述那些樹脂之樹脂做為該半硬化樹脂層115之材料。該絕緣層114之厚度可設定為例如30μm至50μm。
在圖22所示之製程中，以該支撐物111上所形成之該等電子組件連接墊81接觸該半硬化樹脂層115之方式將該絕緣層產生構件113固定至該支撐物111之表面111A(一絕緣層產生構件固定步驟)。特別地，藉由例如真空熱壓接合將該絕緣層產生構件113固定至該支撐物111之表面111A。被固定至該支撐物111之表面111A的該半硬化絕緣層114係為一將因在稍後所述之圖23所示的製程中被硬化而轉變成該絕緣層82(見圖18)之層。
接下來，在圖23所示之製程中使半硬化且顯示於圖22中之該等樹脂層115硬化，藉此產生該樹脂層96(一絕緣層硬化步驟)。結果，產生在該支撐物111之表面111A上之具有該硬化樹脂層96的該絕緣層82。
特別地，例如，當該等半硬化樹脂層115係由一做為基材之熱固性樹脂所形成時，(在例如180℃之加熱溫度下)加熱圖22所示之結構，因而產生具有該硬化樹脂層96之該絕緣層82。
隨後，在圖24所示之製程中，藉由該支撐膜74使該硬化絕緣層82暴露至圖3所示之雷射271。換言之，使該支撐膜74之表面74B(該支撐膜74沒有與該絕緣層82接觸之表面)暴露至該雷射271，因而在該絕緣層82中產生經由部分暴露該等電子組件連接墊81之表面81B的該等開口100(一開口產生步驟)。
圖31係概要地顯示在該開口產生製程中該支撐膜之剖面輪廓及被照射至該絕緣層之雷射的剖面輪廓之視圖。在圖31中，相同於前述圖3所示之雷射271及圖18所示之結構的構成元件分配有相同元件符號。
現在將描述在下面情況中完成操作：使該雷射271(見圖3)藉由該等支撐膜74照射至該絕緣層82，藉此開出該等開口100。
如圖31所示，使該雷射271藉由該等支撐膜74照射至該硬化絕緣層82，因而在該絕緣層82中開出該等開口100。結果，該等支撐膜74可阻擋該雷射271之對應於該低能量區域273之部分及該雷射271之對應於該中能量區域274之部分，其中該低能量區域273位於該雷射271之外部區域且具有低能量強度，以及該中能量區域274位於該低能量區域273之內側且具有低於該高能量區域272及高於該低能量區域273之能量強度，其中該高能量區域272位於該雷射之中央且具有高能量強度。
結果，可藉由只使用該雷射271之對應於該高能量區域272的部分，開出具有接近垂直幾何之形狀的側面之該等開口100，其中該高能量區域272具有該外周面272A，該外周面272A之形狀比該低能量區域273之外周面273A的錐形形狀及該中能量區域274之外周面274A的錐形狀更接近垂直幾何(換言之，角度θ8 接近90度)(亦即，可減少該等個別開口100之兩端的直徑間之差異)，以及因而，可減少等開口100之直徑。
可藉由只使用該雷射271之對應於該高能量區域272的部分，開出該等開口100，藉此相較於該相關技藝之情況，變成更易處理該核心材料95。因此，相較於該相關技藝之情況，可減少該核心材料95突出進入該等開口100之程度。結果，在藉由例如電鍍產生該等介層84之情況中，可供應充分數量之電鍍液至該等開口100之內部。因此，可提高該等電子組件連接墊81與該等佈線圖案85間之電連接的可靠性。
該等開口100係藉由使該絕緣層82經由該支撐膜74暴露至該雷射271(見圖3)所開出，同時該支撐膜74保持固定至該絕緣層82，藉此防止在雷射處理期間發生殘餘物(例如，該核心材料95及該樹脂層96之屑片)黏著至該絕緣層82之表面82B。因此，可在該絕緣層82之表面82B上以較高準確性產生該佈線圖案85。
當該等開口100之深度為40μm時及當該等開口100之暴露於該雷射271之端的直徑為60μm時，該等個別開口100之另一端的直徑可設定為例如45μm。
接下來，在圖25所示之製程中移除在圖24所示之結構上所提供之該支撐膜74(一支撐膜移除步驟)。特別地，從內部開出該等開口100之該絕緣層82剝除該支撐膜74，藉此移除該支撐膜74。
藉由一已知技術在圖26所示之製程中同時產生該等介層84及該等佈線圖案85(一介層產生步驟)。可藉由例如一半加成法產生該等介層84及該等佈線圖案85。
特別地，在此情況中，藉由一粗化法使該絕緣層82之表面82B及該樹脂層96之表面96A變粗糙。接下來，產生一種子層(未顯示)，以便覆蓋該絕緣層87之已粗化表面87A及該樹脂層96之已粗化表面96A以及該等電子組件連接墊81之經由該等開口100所暴露之表面81B。然後，在該絕緣層82之表面82B上形成一具有對應於產生該等佈線圖案85之區域的開口之光阻膜(未顯示)。藉由一使用種子層做為一饋電層之電解電鍍法，在該種子層經由該光阻膜之開口部所暴露之區域上經由沉積成長來產生一電鍍膜[例如，一鍍銅膜(具有例如15μm之厚度)]。隨後，去除該光阻膜及該光阻膜所覆蓋之不需要的種子層，藉此同時產生該等介層84及該等佈線圖案85。例如，可使用去膠渣(desmearing)做為該粗化法。此外，可使用一藉由無電鍍或濺鍍所產生之銅層(具有例如0.1μm之厚度)做為該種子層。
最好在緊接該等介層84之產生前移除該支撐膜74。如以上所述，由於在緊接該等介層84之形成前移除該支撐膜74，可防止外來物質黏著至該絕緣層82之表面82B或在該絕緣層82中施加瑕疵。藉此，可提高該等佈線板80之產量。
接下來，在圖27所示之製程中實施相似於有關圖21至25所示之前述製程的處理，藉此在圖26所示之結構上形成具有開口102之絕緣層87。
例如，將該雷射271藉由該支撐膜74照射至該硬化絕緣層87，因而在該硬化絕緣層87中開出該等開口102。結果，該支撐膜74可阻擋該雷射271之對應於該低能量區域273之部分及該雷射271之對應於該中能量區域274之部分，其中該低能量區域273位於該雷射271之外部區域且具有低能量強度，以及該中能量區域274具有低於該高能量區域272及高於該低能量區域273之能量強度。
結果，可藉由只使用該雷射271之對應於該高能量區域272的部分，開出具有接近垂直幾何之形狀的側面之該等開口102，其中該高能量區域272具有該外周面272A，該外周面272A之形狀比該低能量區域273之外周面273A的錐形形狀及該中能量區域274之外周面274A的錐形狀更接近垂直幾何(換言之，角度θ8 及θ9 接近90度)(亦即，可減少該等個別開口102之兩端的直徑間之差異)，以及因此，可減少該等開口102之直徑。
藉由使該絕緣層87經由該支撐膜74暴露至該雷射271(見圖3)，以產生該等開口102，同時該支撐膜74保持固定至該絕緣層87，藉此防止在雷射處理期間發生殘餘物(例如，該核心材料95及該樹脂層96之屑片)黏著至該絕緣層87之表面87A。因此，可在該絕緣層87之表面87A上以較高準確性產生該等外部連接墊91。
當該等開口102之深度為40μm時及當該等開口102之暴露於該雷射271之端的直徑為60μm時，該等個別開口102之另一端的直徑可設定為例如45μm。
接下來，在圖28所示之製程中實施相似於有關圖26所示之前述製程的處理，藉此同時產生該等介層88及該等外部連接墊91。在圖29所示之製程中藉由一已知技術在該絕緣層87之表面87A上產生具有經由暴露該等端配置面91A之開口92A的防焊層92。結果，在該支撐物111上產生一對應於該佈線板80之結構。在該防焊層92之產生後，藉由無電鍍在該等端配置面91A上依序堆疊一鍍鎳膜及一鍍金膜，因而產生一鎳/金多層膜。
在圖30所示之製程中，移除該支撐物111。特別地，當使用例如一銅箔或一銅板做為該支撐物111時，藉由蝕刻來移除該支撐物111。因而，製造該佈線板80。圖30以垂直顛倒方式顯示已移除該支撐物111之圖29所示的結構。
依據用以製造本具體例之佈線板的方法，準備具有該支撐膜74及該絕緣層114之該絕緣層產生構件113，其中該絕緣層114係提供於該支撐膜74之表面74A上且係為半硬化的。將該絕緣層產生構件113固定至該等電子組件連接墊81或該等焊墊98，使得該等電子組件連接墊81或該等焊墊98接觸該半硬化絕緣層114。接下來，使半硬化絕緣層114硬化，因而產生該等絕緣層82及87。隨後，使該等絕緣層82及87經由該支撐膜74暴露至該雷射271，藉此開出該等開口100及102。因此，該支撐膜74可阻擋該雷射271之對應於該低能量區域273之部分及該雷射271之對應於該中能量區域274之部分，其中該低能量區域273位於該雷射271之外部區域且具有低能量強度，以及該中能量區域274具有低於該高能量區域272及高於該低能量區域273之能量強度。
結果，可藉由只使用該雷射271之對應於該高能量區域272的部分，在該等絕緣層82及87中開出接近垂直幾何之形狀的側面之該等開口100及102，其中該高能量區域272具有該外周面272A，該外周面272A之形狀比該低能量區域273之外周面273A的錐形形狀及該中能量區域274之外周面274A的錐形狀更接近垂直幾何(換言之，角度θ8 及θ9 接近90度)(亦即，可減少該等個別開口100之兩端的直徑間之差異及該等個別開口102之兩端的直徑間之差異)，以及因此，可減少該等開口100及102之直徑。
可藉由只使用該雷射271之對應於該高能量區域272的部分，在該等絕緣層82及87中開出該等開口100及102，藉此相較於該相關技藝之情況，變成更易處理該核心材料95。因此，可減少該核心材料95突出進入該開口100之程度。結果，在藉由例如電鍍產生該等介層84及88之情況中，可供應充分數量之電鍍液至該等開口100及102之內部。因此，可提高該等電子組件連接墊81與該等佈線圖案85間之電性連接的可靠性及該等外部連接墊91與該等焊墊98間之電性連接的可靠性。
已藉由採用在該支撐物111上製造一佈線板80之情況做為一實施例來描述本具體例。然而，亦可以在具有複數個要製造佈線板80之區域的該支撐物111上形成對應於該複數個佈線板80之結構，以及可以稍後移除該支撐物111。隨後，將對應於該複數個佈線板80之結構切割成數片。
已詳細描述本發明之較佳具體例。然而，本發明並非侷限於該等特定具體例，而是在所附申請專利範圍所述之本發明的範圍及主旨內可允許各種修改及變更。
例如，亦可以藉由使用有關該第二具體例所述之絕緣層產生構件113來取代有關該第一具體例所述之絕緣層產生構件73，以形成該等絕緣層24、28、38及43(亦即，亦可以在該等絕緣層24、28、38及43中提供該核心材料95)。此外，亦可以藉由使用有關該第一具體例所述之絕緣層產生構件73來取代有關該第二具體例所述之絕緣層產生構件113，以產生該等絕緣層82及87(亦即，亦可以使用不具有該核心材料95之絕緣層82及87)。
再者，例如，可以在該等硬化絕緣層24、28、38、43、82及87上提供該支撐膜74(亦即，可以在硬化該等半硬化絕緣層75、114後，提供該支撐膜74)。參考圖32至38，將描述用以製造該第一具體例之修改實施例的佈線板10之方法。在圖32至38中，相同於有關該第一具體例所述之圖5所示的結構之構成元件分配有相同元件符號。
在圖32所示之製程中，準備一核心基板71(見圖6)及一具有一支撐膜174及一絕緣層75之絕緣層產生構件173，其中該絕緣層75係提供於該支撐膜174之一表面174A(一個表面)上且處於半硬化狀態(一絕緣層產生構件準備步驟)。在此製程中準備兩個絕緣層產生構件173。該支撐膜174係為一用以支撐該絕緣層75之膜。該絕緣層產生構件173可能相同於該絕緣層產生構件73，以及可使用像PET(聚乙烯對苯二甲酸酯)之聚酯、聚乙烯、像聚氯乙烯之聚烯烴、聚碳酸酯等做為該支撐膜174之材料。然而，因為在稍後所述之雷射處理前移除該支撐膜174，所以不需要考量對該支撐膜174之材料的雷射處理。例如，可使用很難由該雷射271處理之材料做為該支撐膜174之材料。
在圖33所示之製程中，以圖6所示之結構的兩個表面(特別地，該核心基板71之上面形成有該等焊墊23的上表面71A及該核心基板71之上面形成有該等焊墊37的下表面71B)接觸該半硬化絕緣層75的方式將該絕緣層產生構件173固定至圖6所示之結構的兩個表面。特別地，藉由例如真空熱壓接合將該絕緣層產生構件173固定至圖6所示之結構的兩個表面。被固定至該核心基板71之上表面71A的絕緣層75係為一將因在稍後所述之圖34所示的製程中被硬化而轉變成該絕緣層24(見圖5)之層。被固定至該核心基板71之下表面71B的絕緣層75係為一將因在稍後所述之圖34所示的製程中被硬化而轉變成該絕緣層38(見圖5)之層。
接下來，在圖34所示之製程中使半硬化且顯示於圖33中之該等絕緣層75硬化，藉此同時在該核心基板71之上表面71A上產生該絕緣層24(一硬化絕緣層)及在該核心基板71之下表面71B上產生該絕緣層38(一硬化絕緣層)(一絕緣層硬化步驟)。特別地，例如，當該等絕緣層75係由一做為基材之熱固性樹脂所形成時，(在例如180℃之加熱溫度下)加熱圖33所示之結構，因而產生該等硬化絕緣層24及38。再者，在圖34所示之製程中移除在圖33所示之結構上所提供之兩個支撐膜174(一第一膜移除步驟)。特別地，從圖33所示之結構上所提供之絕緣層24及38剝除該等支撐膜174，藉此移除該等支撐膜174。
然後，在圖35所示之製程中，準備一用以產生該等絕緣層24、38之開口51、61的膜74’。該膜74’的材料可使用相同於該第一具體例之支撐膜74的材料。例如，可使用像PET(聚乙烯對苯二甲酸酯)之聚酯、聚乙烯、像聚氯乙烯之聚烯烴、聚碳酸酯等做為該膜74’之材料。
在圖36所示之製程中，將該等膜74’分別固定至圖34所示之結構的兩個表面(特別地，該絕緣層24之上表面24A及該絕緣層38之下表面38A)(一第二膜提供步驟)。特別地，經由黏著材料(未顯示)將該等膜74’固定至該等絕緣層24、38。例如，可使用由環氧類樹脂、聚醯亞胺之類所構成之黏著材料。
隨後，在圖37所示之製程中，使該等硬化絕緣層24及38藉由該等膜74’暴露至該雷射271(見圖3)。換言之，使該膜74’之表面74B’(該膜74’沒有與該等絕緣層24及38接觸之表面)暴露至該雷射271，因而在該絕緣層24中產生經由部分暴露該等焊墊23之上表面23A的開口51及在該絕緣層38中產生經由部分暴露該等焊墊37之下表面37A的開口61(一開口產生步驟)。
接下來，在圖38所示之製程中移除圖37所示之結構上所提供之兩層膜74’(一第二膜移除步驟)。特別地，從圖37所示之結構上所提供之絕緣層24及38剝除該等膜74’，藉此移除該等膜74’。隨後製程(例如，用以產生介層26、39及佈線圖案27、41之製程、用以產生絕緣層28、43之製程等)相似於有關該第一具體例中且亦有關於圖32至38中之前述製程，因此，將省略有關它們的詳細說明。依據用以製造一佈線板之方法，可獲得該第一具體例之相同效果。在該第二具體例中可以使用該支撐膜174及該開口產生膜74’以取代該支撐膜74。
本發明可應用至一種佈線板之製造方法，該佈線板具有覆蓋焊墊之絕緣層、藉由雷射形成於該等絕緣層中且經由部分暴露該等焊墊之開口以及在該等個別開口中所提供且連接至該等焊墊之介層。
10．．．佈線板
11．．．電子組件
13．．．安裝基板
15．．．外部連接端
21．．．核心基板
21A．．．上表面
21B．．．下表面
22．．．貫穿電極
23．．．焊墊
23A．．．上表面
24．．．絕緣層
24A．．．上表面
24B．．．表面
26．．．介層
27．．．佈線圖案
28．．．絕緣層
28A．．．上表面
28B．．．表面
29．．．介層
31．．．電子組件連接墊
31A．．．連接面
32．．．防焊層
32A．．．開口
33．．．防擴散膜
37．．．焊墊
37A．．．下表面
38．．．絕緣層
38A．．．下表面
38B．．．表面
39．．．介層
41．．．佈線圖案
43．．．絕緣層
43A．．．下表面
43B．．．表面
44．．．介層
46．．．外部連接墊
46A．．．連接面
47．．．防焊層
47A．．．開口
48．．．防擴散膜
49．．．通孔
51．．．開口
53．．．焊墊
53A．．．上表面
54．．．佈線
56、61．．．開口
62．．．焊墊
62A．．．下表面
63．．．佈線
65．．．開口
71．．．核心基板
71A．．．上表面
71B．．．下表面
73．．．絕緣層產生構件
74．．．支撐膜
74A、74B．．．表面
74’．．．膜
74A’、74B’．．．表面
75．．．絕緣層
80．．．佈線板
81．．．電子組件連接墊
81A．．．連接面
81B．．．表面
82．．．絕緣層
82A、82B．．．表面
84．．．介層
85．．．佈線圖案
87．．．絕緣層
87A．．．表面
88．．．介層
91．．．外部連接墊
91A．．．端配置面
92．．．防焊層
92A．．．開口
95．．．核心材料
96．．．樹脂層
96A、96B．．．表面
98．．．焊墊
98A．．．表面
99．．．佈線
100．．．開口
102．．．開口
111．．．支撐物
111A、111B．．．表面
112．．．光阻膜
112A．．．開口
113．．．絕緣層產生構件
114．．．絕緣層
115．．．半硬化樹脂層
173．．．絕緣層產生構件
174．．．支撐膜
174A、174B．．．表面
200．．．佈線板
201．．．核心基板
201A．．．上表面
201B．．．下表面
202．．．貫穿電極
202A．．．開口
203．．．焊墊
204．．．絕緣層
204A．．．上表面
206．．．介層
207．．．佈線圖案
208．．．絕緣層
208A．．．上表面
209．．．介層
211．．．電子組件連接墊
211A．．．防擴散膜產生區域
212．．．防焊層
213．．．防擴散膜
217．．．焊墊
218．．．絕緣層
218A．．．下表面
219．．．介層
221．．．佈線圖案
223．．．絕緣層
223A．．．下表面
224．．．介層
226．．．外部連接墊
226A．．．防擴散膜產生區域
227．．．防焊層
227A．．．開口
228．．．防擴散膜
231．．．開口
233．．．焊墊
234．．．佈線
236、241．．．開口
242．．．焊墊
243．．．佈線
245．．．開口
250．．．佈線板
251．．．電子組件連接墊
251A‧‧‧連接面
251B‧‧‧表面
253‧‧‧絕緣層
253A、253B‧‧‧表面
254‧‧‧介層
255‧‧‧佈線圖案
257‧‧‧絕緣層
257A‧‧‧表面
259‧‧‧介層
261‧‧‧外部連接墊
261A‧‧‧端供應區域
263‧‧‧防焊層
263A‧‧‧開口
265、267‧‧‧開口
271‧‧‧雷射
272‧‧‧高能量區域
272A‧‧‧外周面
273‧‧‧低能量區域
273A‧‧‧外周面
274‧‧‧中能量區域
274A‧‧‧外周面
281‧‧‧焊墊
282‧‧‧佈線
A‧‧‧佈線板產生區域
B‧‧‧切割位置
J‧‧‧中心線
K1 、K2 ‧‧‧直徑
θ1 ~θ9 ‧‧‧角度
圖1係一相關技藝佈線板之剖面圖；
圖2係另一相關技藝佈線板之剖面圖；
圖3係概要地顯示在絕緣層中之開口的產生時所使用之雷射的剖面輪廓之視圖；
圖4係用以描述在一用以製造一相關技藝佈線板之方法中的缺點之視圖；
圖5係本發明之第一具體例的一佈線板之剖面圖；
圖6係顯示用以製造本發明之第一具體例的佈線板之製程的視圖(第一部分)；
圖7係顯示用以製造本發明之第一具體例的佈線板之製程的視圖(第二部分)；
圖8係顯示用以製造本發明之第一具體例的佈線板之製程的視圖(第三部分)；
圖9係顯示用以製造本發明之第一具體例的佈線板之製程的視圖(第四部分)；
圖10係顯示用以製造本發明之第一具體例的佈線板之製程的視圖(第五部分)；
圖11係顯示用以製造本發明之第一具體例的佈線板之製程的視圖(第六部分)；
圖12係顯示用以製造本發明之第一具體例的佈線板之製程的視圖(第七部分)；
圖13係顯示用以製造本發明之第一具體例的佈線板之製程的視圖(第八部分)；
圖14係顯示用以製造本發明之第一具體例的佈線板之製程的視圖(第九部分)；
圖15係顯示用以製造本發明之第一具體例的佈線板之製程的視圖(第十部分)；
圖16係顯示用以製造本發明之第一具體例的佈線板之製程的視圖(第十一部分)；
圖17係概要地顯示在用以產生該等開口之製程中照射至支撐膜及絕緣層上之雷射的剖面輪廓之視圖；
圖18係本發明之第二具體例的一佈線板之剖面圖；
圖19係顯示用以製造本發明之第二具體例的佈線板之製程的視圖(第一部分)；
圖20係顯示用以製造本發明之第二具體例的佈線板之製程的視圖(第二部分)；
圖21係顯示用以製造本發明之第二具體例的佈線板之製程的視圖(第三部分)；
圖22係顯示用以製造本發明之第二具體例的佈線板之製程的視圖(第四部分)；
圖23係顯示用以製造本發明之第二具體例的佈線板之製程的視圖(第五部分)；
圖24係顯示用以製造本發明之第二具體例的佈線板之製程的視圖(第六部分)；
圖25係顯示用以製造本發明之第二具體例的佈線板之製程的視圖(第七部分)；
圖26係顯示用以製造本發明之第二具體例的佈線板之製程的視圖(第八部分)；
圖27係顯示用以製造本發明之第二具體例的佈線板之製程的視圖(第九部分)；
圖28係顯示用以製造本發明之第二具體例的佈線板之製程的視圖(第十部分)；
圖29係顯示用以製造本發明之第二具體例的佈線板之製程的視圖(第十一部分)；
圖30係顯示用以製造本發明之第二具體例的佈線板之製程的視圖(第十二部分)；以及
圖31係概要地顯示在用以產生該等開口之製程中照射至一支撐膜及一絕緣層上之雷射的剖面輪廓之視圖；
圖32係顯示用以製造本發明之第一具體例的一修改實施例之佈線板的製程之視圖；
圖33係顯示用以製造本發明之第一具體例的該修改實施例之佈線板的製程之視圖；
圖34係顯示用以製造本發明之第一具體例的該修改實施例之佈線板的製程之視圖；
圖35係顯示用以製造本發明之第一具體例的該修改實施例之佈線板的製程之視圖；
圖36係顯示用以製造本發明之第一具體例的該修改實施例之佈線板的製程之視圖；
圖37係顯示用以製造本發明之第一具體例的該修改實施例之佈線板的製程之視圖；以及
圖38係顯示用以製造本發明之第一具體例的該修改實施例之佈線板的製程之視圖。
22‧‧‧貫穿電極
23‧‧‧焊墊
23A‧‧‧上表面
24‧‧‧絕緣層
24B‧‧‧表面
37‧‧‧焊墊
37A‧‧‧下表面
38‧‧‧絕緣層
38B‧‧‧表面
51‧‧‧開口
61‧‧‧開口
71‧‧‧核心基板
71A‧‧‧上表面
71B‧‧‧下表面
74‧‧‧支撐膜
74A、74B‧‧‧表面
271‧‧‧雷射
272‧‧‧高能量區域
272A‧‧‧外周面
273‧‧‧低能量區域
273A‧‧‧外周面
274‧‧‧中能量區域
274A‧‧‧外周面
A‧‧‧佈線板產生區域
B‧‧‧切割位置
θ4 、θ6 ‧‧‧角度

Claims (17)

  1. 一種佈線板之製造方法，該佈線板係具備一焊墊、一被覆該焊墊之絕緣層、與一形成於該絕緣層並使該焊墊之一部分露出的開口；該製造方法包括：一絕緣層產生構件準備步驟，準備一絕緣層產生構件，該絕緣層產生構件具有一由樹脂所構成之支撐膜及一提供在該支撐膜之一表面上之由樹脂所構成之半硬化絕緣層；一絕緣層產生構件固定步驟，固定該絕緣層產生構件至該焊墊，使得該焊墊接觸該半硬化絕緣層；一絕緣層硬化步驟，在該絕緣層產生構件固定步驟後，對該支撐膜及該半硬化絕緣層進行加熱，而硬化該半硬化絕緣層；以及一開口產生步驟，使該硬化絕緣層經由該支撐膜暴露至雷射，藉此在該支撐膜與該硬化絕緣層中同時開出該開口，而露出該焊墊。
  2. 如申請專利範圍第1項之佈線板之製造方法，其中，該支撐膜係由包括聚乙烯對苯二甲酸酯之聚酯、聚乙烯、包括聚氯乙烯之聚烯烴、或聚碳酸酯所構成。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之佈線板之製造方法，其中，該半硬化絕緣層係由具有熱固性之環氧樹脂或聚烯烴系樹脂所構成。
  4. 如申請專利範圍第1項之佈線板之製造方法，進一步包 括：一支撐膜移除步驟，在該開口產生步驟後，從該硬化絕緣層移除該支撐膜；以及一在該支撐膜移除步驟後，於包括該開口之內壁的該硬化絕緣層之表面形成一種子層，藉由一以該種子層作為饋電層之電解電鍍法，在該種子層上形成一電鍍膜，藉由該種子層與該電鍍膜，於該開口中一體形成一連接於該焊墊之介層與一形成於該絕緣層上之佈線圖案的步驟。
  5. 如申請專利範圍第4項之佈線板之製造方法，其中，緊接在該介層形成之前，實施該支撐膜之移除。
  6. 如申請專利範圍第1項之佈線板之製造方法，其中，於該開口產生步驟中，該支撐膜係防止該硬化絕緣層暴露至該雷射之對應於低能量區域之部分，並使該硬化絕緣層暴露至該雷射之對應於高能量區域之部分而開出該開口。
  7. 如申請專利範圍第1項之佈線板之製造方法，其中，該半硬化絕緣層係一含二氧化矽粒子之半硬化樹脂層。
  8. 如申請專利範圍第1項之佈線板之製造方法，其中，該半硬化絕緣層具有一核心材料及一覆蓋該核心材料之半硬化樹脂層。
  9. 如申請專利範圍第8項之佈線板之製造方法，其中，該半硬化樹脂層包含二氧化矽粒子。
  10. 如申請專利範圍第8項之佈線板之製造方法，其中， 該核心材料係玻璃纖維。
  11. 一種佈線板之製造方法，包括：一絕緣層產生構件準備步驟，準備一絕緣層產生構件，該絕緣層產生構件具有一第一膜及一提供在該第一膜之一表面上之半硬化絕緣層；一絕緣層產生構件固定步驟，固定該絕緣層產生構件至一焊墊，使得該焊墊接觸該半硬化絕緣層；一絕緣層硬化步驟，在該絕緣層產生構件固定步驟後，硬化該半硬化絕緣層；一第一膜移除步驟，從該硬化絕緣層移除該第一膜；一第二膜提供步驟，在該第一膜移除步驟後，提供一第二膜於該硬化絕緣層上；以及一開口產生步驟，使該硬化絕緣層經由該第二膜暴露至雷射，藉此在該硬化絕緣層中開出一開口。
  12. 如申請專利範圍第11項之佈線板之製造方法，進一步包括：一第二膜移除步驟，在該開口產生步驟後，從該硬化絕緣層移除該第二膜；以及一介層產生步驟，在該第二膜移除步驟後，產生一介層於該開口中。
  13. 如申請專利範圍第11項之佈線板之製造方法，其中，該第一膜係由包括聚乙烯對苯二甲酸酯之聚酯、聚乙烯、包 括聚氯乙烯之聚烯烴、或聚碳酸酯所構成。
  14. 如申請專利範圍第11項之佈線板之製造方法，其中，該第二膜係由包括聚乙烯對苯二甲酸酯之聚酯、聚乙烯、包括聚氯乙烯之聚烯烴、或聚碳酸酯所構成。
  15. 如申請專利範圍第11項之佈線板之製造方法，其中，該半硬化絕緣層係由具有熱固性之環氧樹脂或聚烯烴系樹脂所構成。
  16. 如申請專利範圍第12項之佈線板之製造方法，其中，包括：一在該第二膜移除步驟後，於包括該開口之內壁的該硬化絕緣層之表面形成一種子層，藉由一以該種子層作為饋電層之電解電鍍法，在該種子層上形成一電鍍膜，藉由該種子層與該電鍍膜，於該開口中一體形成一連接於該焊墊之介層與一形成於該絕緣層上之佈線圖案的步驟。
  17. 如申請專利範圍第11項之佈線板之製造方法，其中，該第二膜係防止該硬化絕緣層暴露至該雷射之對應於低能量區域之部分，並使該硬化絕緣層暴露至該雷射之對應於高能量區域之部分而開出該開口。
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