JP2006344664A - 配線基板およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 絶縁層と配線導体とが交互に積層されており、最外層の絶縁層上に半導体素子接続用の帯状配線導体5aが複数並んで形成されているとともに該帯状配線導体5a上の一部に半導体素子の電極端子がフリップチップ接続される導電突起12が前記帯状配線導体5aの幅と一致する幅で形成されており、かつ前記最外層の絶縁層上および前記帯状配線導体5a上に前記導電突起12の少なくとも上面を露出させるソルダーレジスト層6が被着されている配線基板である。
【選択図】 図1
Description
このような半導体集積回路素子を配線基板に搭載する方法として、フリップチップ接続により接続する方法がある。フリップチップ接続とは、配線基板上に設けた半導体素子接続用の配線導体の一部を半導体集積回路素子の電極端子の配置に対応した並びに露出させ、この半導体素子接続用の配線導体の露出部と前記半導体集積回路素子の電極端子とを対向させ、これらを半田等の導電バンプを介して電気的に接続する方法である。
なお、図14に示すように、上面側のソルダーレジスト層106は、半導体素子接続用の帯状配線導体105aの露出部を露出させるスリット状の開口106aを有している。
(1)絶縁層と配線導体とが交互に積層されており、最外層の絶縁層上に半導体素子接続用の帯状配線導体が複数並んで形成されているとともに、該帯状配線導体上の一部に半導体素子の電極端子がフリップチップ接続される導電突起が前記帯状配線導体の幅と一致する幅で形成されており、かつ前記最外層の絶縁層上および前記帯状配線導体上に前記導電突起の少なくとも上面を露出させるソルダーレジスト層が被着されていることを特徴とする配線基板。
(2)前記導電突起の上面と前記ソルダーレジスト層の上面とが実質的に同じ高さであることを特徴とする前記(1)記載の配線基板。
(3)前記導電突起の長さが該導電突起の幅よりも長いことを特徴とする前記(1)または(2)に記載の配線基板。
(4)絶縁層と配線導体とを交互に積層し、最外層の絶縁層上に半導体素子接続用の帯状配線導体を複数並べて形成するとともに該帯状配線導体上の一部に半導体素子の電極端子がフリップチップ接続される導電突起を設け、かつ前記最外層の絶縁層と前記帯状配線導体上に前記導電突起の少なくとも上面を露出させるソルダーレジスト層を被着する配線基板の製造方法であって、前記最外層の絶縁層上に、該絶縁層上の全面を覆う電解めっき用の下地金属層を形成する工程と、次に前記下地金属層上に前記帯状配線導体に対応する形状の第一開口を有する第一レジスト層を形成する工程と、次に前記第一開口内の前記下地金属層上に電解めっきにより前記帯状配線導体を形成する工程と、次に前記第一レジスト層および前記帯状配線導体の上に、前記第一開口を横切る第二開口を有する第二レジスト層を形成する工程と、次に前記第一開口および第二開口で囲まれた前記帯状配線導体上に電解めっきにより前記導電突起を前記第一開口で画定される幅および第二開口で画定される長さで形成する工程と、次に前記第一レジスト層および第二レジスト層を除去する工程と、次に前記帯状配線導体が形成された部分以外の前記下地金属層を除去する工程と、次に前記最上層の絶縁層および帯状配線導体の表面に前記導電突起の少なくとも上面を露出させるソルダーレジスト層を被着する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
(5)前記導電突起の上面と前記ソルダーレジスト層の上面とを実質的に同じ高さに形成することを特徴とする前記(4)記載の配線基板の製造方法。
(6)前記導電突起の前記長さを前記幅よりも長く形成することを特徴とする前記(4)または(5)に記載の配線基板の製造方法。
(7)前記ソルダーレジスト層を被着する工程は、ソルダーレジスト層用の樹脂で前記導電突起を含む最外層の絶縁層および帯状配線導体の全面を被覆する工程と、被覆した前記ソルダーレジスト層用の樹脂を前記導電突起の上面が露出するまで研磨する工程とを含んでいる前記(4)乃至(6)の何れかに記載の配線基板の製造方法。
(8)前記ソルダーレジスト層を被着する工程は、ソルダーレジスト層用の感光性樹脂で前記導電突起を含む最外層の絶縁層および帯状配線導体の全面を被覆する工程と、被覆した前記感光性樹脂を露光および現像処理して前記ソルダーレジスト層に前記導電突起の上面を露出させる開口を形成する工程とを含む前記(4)乃至(6)の何れかに記載の配線基板の製造方法。
以下、本発明にかかる配線基板について図面を参照して詳細に説明する。図1は、ペリフェラル型の半導体集積回路素子をフリップチップ接続により搭載した本発明にかかる配線基板を示す概略断面図であり、図2は、図1の配線基板を示す平面図である。
次に本発明の配線基板の製造方法に従い、上述の帯状配線導体5a、導電突起12およびソルダーレジスト層6を形成する方法について図3〜図12を基にして説明する。
(第一の製造方法)
図3〜図5は、本発明にかかる配線基板の第一の製造方法を示す概略説明図であり、図6〜図8は、その工程説明図である。これらのうち、図6,図7は、半導体素子接続用の帯状配線導体およびその上の導電突起の形成方法を示す工程説明図であり、図8は、ソルダーレジスト層の被着方法を示す工程説明図である。
図9〜図11は、本発明にかかる配線基板の第二の製造方法を示す概略説明図であり、図12は、その工程説明図である。なお、図9〜図12においては、前述した図1〜8の構成と同一または同等な部分には同一の符号を付して説明は省略する。さらに、図9〜図11(h)および図12(a)は、図3〜図5(h)および図8(a)と同じであるので、これらの工程の説明は省略する。
3 絶縁基板
4 絶縁層
5 第二の配線導体
5a 半導体素子接続用の帯状配線導体
5b 外部接続用の配線導体
6 ソルダーレジスト層
6a,6b ソルダーレジスト層用の樹脂
7 スルーホール
8 埋め込み樹脂
9 ビアホール
10 配線基板
12 導電突起
51 下地金属層
101 半導体集積回路素子
110 導電バンプ
111 半田ボール
112 充填樹脂
A1 第一開口
A2 第二開口
R1 第一レジスト層
R2 第二レジスト層
Claims (8)
- 絶縁層と配線導体とが交互に積層されており、最外層の絶縁層上に半導体素子接続用の帯状配線導体が複数並んで形成されているとともに、該帯状配線導体上の一部に半導体素子の電極端子がフリップチップ接続される導電突起が前記帯状配線導体の幅と一致する幅で形成されており、かつ前記最外層の絶縁層上および前記帯状配線導体上に前記導電突起の少なくとも上面を露出させるソルダーレジスト層が被着されていることを特徴とする配線基板。
- 前記導電突起の上面と前記ソルダーレジスト層の上面とが実質的に同じ高さであることを特徴とする請求項1記載の配線基板。
- 前記導電突起の長さが該導電突起の幅よりも長いことを特徴とする請求項1または2に記載の配線基板。
- 絶縁層と配線導体とを交互に積層し、最外層の絶縁層上に半導体素子接続用の帯状配線導体を複数並べて形成するとともに該帯状配線導体上の一部に半導体素子の電極端子がフリップチップ接続される導電突起を設け、かつ前記最外層の絶縁層と前記帯状配線導体上に前記導電突起の少なくとも上面を露出させるソルダーレジスト層を被着する配線基板の製造方法であって、
前記最外層の絶縁層上に、該絶縁層上の全面を覆う電解めっき用の下地金属層を形成する工程と、
次に前記下地金属層上に前記帯状配線導体に対応する形状の第一開口を有する第一レジスト層を形成する工程と、
次に前記第一開口内の前記下地金属層上に電解めっきにより前記帯状配線導体を形成する工程と、
次に前記第一レジスト層および前記帯状配線導体の上に、前記第一開口を横切る第二開口を有する第二レジスト層を形成する工程と、
次に前記第一開口および第二開口で囲まれた前記帯状配線導体上に電解めっきにより前記導電突起を前記第一開口で画定される幅および第二開口で画定される長さで形成する工程と、
次に前記第一レジスト層および第二レジスト層を除去する工程と、
次に前記帯状配線導体が形成された部分以外の前記下地金属層を除去する工程と、
次に前記最外層の絶縁層および帯状配線導体の表面に前記導電突起の少なくとも上面を露出させるソルダーレジスト層を被着する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記導電突起の上面と前記ソルダーレジスト層の上面とを実質的に同じ高さに形成することを特徴とする請求項4記載の配線基板の製造方法。
- 前記導電突起の前記長さを前記幅よりも長く形成することを特徴とする請求項4または5に記載の配線基板の製造方法。
- 前記ソルダーレジスト層を被着する工程は、ソルダーレジスト層用の樹脂で前記導電突起を含む最外層の絶縁層および帯状配線導体の全面を被覆する工程と、被覆した前記ソルダーレジスト層用の樹脂を前記導電突起の上面が露出するまで研磨する工程とを含んでいる請求項4乃至6の何れかに記載の配線基板の製造方法。
- 前記ソルダーレジスト層を被着する工程は、ソルダーレジスト層用の感光性樹脂で前記導電突起を含む最外層の絶縁層および帯状配線導体の全面を被覆する工程と、被覆した前記感光性樹脂を露光および現像処理して前記ソルダーレジスト層に前記導電突起の上面を露出させる開口を形成する工程とを含む請求項4乃至6の何れかに記載の配線基板の製造方法。
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