JP5350099B2 - 回路基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、回路基板の製造方法及び半田塊に関する。

近年、半導体装置の高集積化を目的として、半導体装置における配線構造、電極パッド構造などの微細化に関する開発が行われている。ＬＳＩなどの半導体素子同士を縦方向に積層して層間接続するために半導体基板に貫通電極を設けること等が試みられている。

特許文献１には、絶縁接着材料付き銅箔と、穴開け済み金属板とを積層一体化し、その後層間接続を行う部分に穴をあけ、めっき、導電ペーストにより回路両面を電気的に接続する技術が開示されている。そこで、絶縁接着材料付き銅箔と、穴開け済み金属板とを積層一体化する際に、金属板の穴に絶縁材料を埋めようとしている。

特開平８−２３１６５号公報

しかしながら、上記特許文献記載の従来技術では、積層一体化の際に金属板の穴に絶縁材料を埋めた後、積層された金属板の層間接続をするために、さらに後に穴をあけてめっき等により穴埋めをしなければならなかった。そのため、基板表面及びスルーホール部を平坦化するために、エッチング処理や研磨処理などの工程が必要となり、工程時間を費やすこととなった。このため、工程が複雑化し、生産性が低下するといった場合があった。

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、簡便なプロセスで良好な導体回路間接続が得られる回路基板の製造方法及び半田塊を提供する。

本発明によれば、
第１導体回路層、第１絶縁層、導電性基板、第２絶縁層、及び第２導体回路層がこの順に積層した回路基板の製造方法であって、
前記導電性基板を貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔内に、半田塊を埋設するとともに、前記半田塊を埋設する前または後に、前記第１導体回路層上に、前記第１絶縁層を介して前記導電性基板を積層する工程と、
前記半田塊が埋め込まれた前記導電性基板上に、前記第２絶縁層を介して前記第２導体回路層を積層する工程と、
前記半田塊を溶融させることにより、前記第１導体回路層と前記第２導体回路層とを電気的に接続する熱圧着工程と、
を含み、
前記半田塊は、半田からなる半田層と、前記半田層の外側を被覆する樹脂層と、を有することを特徴とする回路基板の製造方法が提供される。

本発明は、導電性基板を貫通する貫通孔の内部に外表面に樹脂層が形成された半田塊を配置し、半田リフロー接続時の熱圧着によりこの樹脂層を溶融する。これにより、樹脂層が流動して半田塊の半田層が露出され、露出した半田層を介して第１導体回路層と第２導体回路層とを電気的に接続できる。さらに、溶融した樹脂が貫通孔内に広がることにより、露出した半田層と導電性基板との絶縁性を確保しつつ、貫通孔内のすき間を埋めることができる。これにより、簡便な方法で第１と第２導体回路層間の接続ができる。

本発明によれば、簡便なプロセスで良好な導体回路間接続が得られる回路基板の製造方法及び半田塊を提供できる。

本発明の第１実施形態に係る回路基板の製造工程の一例を示す工程断面図である。 本発明の第１実施形態に係る回路基板の製造工程の一例を示す工程断面図である。 本発明の第２実施形態に係る回路基板の製造工程の一例を示す工程断面図である。 本発明の第２実施形態に係る回路基板の製造工程の一例を示す工程断面図である。 本発明の実施形態に係る回路基板の製造工程の変形例を示す工程断面図である。 本発明の実施形態に係る回路基板の製造工程の変形例を示す工程断面図である。 本発明の実施形態に係る回路基板の製造工程の変形例を示す工程断面図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

（第１実施形態）
図１及び図２は、本発明の第１実施形態に係る回路基板の製造工程の一例を示す工程断面図である。

回路基板１００は、配線板１５ａ、メタルコア基板１１、及び配線板１５ｂがこの順に積層した構造を有している（図２（ｃ）参照）。より詳細には、金属層１４ａ（第１導体回路層）、プリプレグ１３ａ（第１絶縁層）、メタルコア基板１１、プリプレグ１３ｂ（第２絶縁層）、及び金属層１４ｂ（第２導体回路層）がこの順に積層している。

配線板１５ａ、ｂは、プリプレグ１３ａ、ｂの一方の面に金属層１４ａ、ｂがそれぞれ形成されている。配線板１５ａ、ｂ上であって、後述する貫通孔３１と対向する領域には、プリプレグ１３ａ、ｂは形成されておらず、金属層１４ａ、ｂがそれぞれ露出している。これにより、金属層１４ａ、ｂと貫通孔３１内部の半田ボール２５とが接続できる。すなわち、配線板１５ａ、ｂは、メタルコア基板１１の貫通孔３１内に配置された半田ボール２５を介して電気的に接続できる。

プリプレグ１３ａ、ｂは、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、液晶ポリマーなどの樹脂を硬化させた絶縁材を用いて形成される。金属層１４ａ、ｂとしては、鉄、ニッケル、アルミ、ステンレス、銅などが用いられ、これらのなかで、銅を用いることがより好ましい。

半田ボール２５は、コア２１と、コア２１を被覆する半田層２２と、半田層２２の外側を被覆する樹脂層２３と、を有している。本実施形態において、半田層２２は、内部にコア２１を有している。これにより、半田ボール２５の形状をより安定的にできる。

本実施形態において、半田ボール２５の形状は球状である。これにより、上下左右の区別なく貫通孔３１に埋設することができる。半田ボール２５の大きさは、貫通孔３１の深さまたはメタルコア基板１１の厚み、貫通孔３１の開口部の径等により適宜調整できる。

ここで、「被覆」とは、コア２１の外表面または半田層２２の外表面の全面を覆うものに限定されず、未被覆の領域を有していてもよい。被覆の程度や度合いは適宜調整できる。

コア２１は、熱変形しにくいものが好ましく、半田層２２よりも融点が高くなっていればよく、例えば、半田層２２よりも融点が高い樹脂組成物を用いて形成されてもよい。これにより、半田リフロー時に溶融変形されないため、良好な接続を実現できる。またコア２１は、導電性材料を含んでいてもよい。導電性材料としては、銅、などが挙げられる。コア２１に銅が含まれることにより、導電率を向上でき電気抵抗を下げることができる。

半田層２２は、接続端子として機能する。半田層２２の形成方法としては、例えば電解めっきを用いること等により形成される。半田層２２の厚さ、組成などは適宜選択して用いることができる。

樹脂層２３は、半田リフロー時に溶融し、貫通孔３１と半田ボール２５とのすき間を埋めるように広がる。これにより、ボイドの発生を抑制し、接続を良好にできる。

本実施形態における樹脂層２３としては、熱硬化性樹脂が好ましく、更には常温で液状のものが好ましい。例としては、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、ウレタン樹脂、ポリブタジエン樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂等公知の熱硬化性樹脂を適用することが出来るが、より好ましくはエポキシ樹脂である。貫通孔３１のすき間を埋めるため不純物、特にイオン性不純物が少ないものが好ましい。

エポキシ樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂の種類として特に限定されず、例えば、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、多官能型エポキシ樹脂等を用いることができるが、常温で液状のものが好ましい。常温で液状ではないものに関しては、既存の液状エポキシ樹脂にあらかじめ溶解させて使用するか、予め溶剤に溶かして使用することも出来る。

エポキシ樹脂の硬化剤としては、公知のものを用いることができ、例えば、酸無水物系硬化剤、アミン系硬化剤、フェノール樹脂系硬化剤等を用いることができる。エポキシ樹脂の硬化促進剤としては、公知のものを用いることができ、例えば、イミダゾール類、ＤＢＵ、リン系触媒、金属アセチルアセトナートや金属ナフテン酸等の金属錯体等を用いることができる。また、特性を向上させるためにフィラーを添加することが出来る。その例としては、シリカ、炭酸カルシウム、アルミナ、窒化アルミ等が挙げられる。

また樹脂層２３は、さらに、フラックス活性化合物を含有してもよい。フラックス活性化合物とは、半田バンプの酸化膜を還元し、半田の表面張力を低下させ、半田の濡れを良くする作用を有するものをいう。

このフラックス活性化合物としては、例えば有機カルボン酸類（ポリマー、モノマー含む）、ハイドロキノン、ナフトキノンのような還元作用を示す物質または該構造を有する化合物のことを示す。これらは主剤となる液状の熱硬化性樹脂１００重量部に対し、１０〜５０重量部であることが望ましい。１０重量部未満であると十分なフラックス活性が得られず、半田バンプの接合性が低下するという不具合が生じる可能性があり、５０重量部を越えるとマイグレーションや耐湿劣化などにつながる可能性がある。

また、フラックス活性化合物は、例えば、エポキシ樹脂の硬化剤としての作用とフラックス作用の両方を有する物質であってもよい。例えば、１分子あたり少なくとも２個以上のフェノール性水酸基と１分子当たり少なくとも１個以上の芳香族カルボン酸を有する化合物であり、この様な化合物の例としては、例えば、ジヒドロキシ安息香酸、フェノールフタリン、ジヒドロキシナフトエ酸、無水メチルナジック酸等がある。

さらに、樹脂層２３はフラックス活性化合物とは別の硬化剤をさらに含んでもよい。硬化剤としては、特に限定されるものではなく、フェノール類、アミン類、チオール類があげられるが、エポキシ樹脂との反応性や硬化後の物性を考えた場合、フェノール類が好適に用いられる。

これらの原材料の他に必要に応じて、低応力剤、顔料、難燃剤、粘度調整剤、密着助剤等を添加することが出来る。

樹脂層２３に用いられる樹脂組成物の製造方法は、例えば、これらの原材料について所定の配合量を秤量し、３本ロールや混練機等を用いて、混合し、脱泡して製造できる。

さらにこの樹脂組成物を用いて半田ボール２５の樹脂層２３を形成する方法としては、次の方法が挙げられる。例えば、基板上に半田層２２付きコア２１を載置し、これを転がしながら、溶剤に樹脂を溶解させたワニスをスプレーガンなどにより吹き付けることにより、半田層２２の外表面に樹脂層２３を形成する。また、別の方法としては、例えば、基板上に、溶剤に樹脂を溶解させたワニスを塗布して、薄膜を形成し、この薄膜上に半田層２２付きコア２１を載置して転がすことにより、半田層２２の外表面に付着させてもよい。

次に図１及び図２を用いて、本実施形態における回路基板の製造方法について説明する。

まず、図１（ａ）に示すように、メタルコア基板１１を準備する。

次に、図１（ｂ）に示すように、例えば、エッチング、ドリル加工、レーザー加工などの方法により、メタルコア基板１１を貫通する貫通孔３１を形成する。

続けて、図１（ｃ）に示すように、プリプレグ１３ａを上側、金属層１４ａを下側にして、配線板１５ａ上にメタルコア基板１１を設置する。これにより、金属層１４ａ上に、プリプレグ１３ａを介してメタルコア基板１１が積層される。このとき、配線板１５ａと貫通孔３１とが対向する領域には、プリプレグ１３ａは形成されておらず、金属層１４ａが露出している。これにより、後に説明する半田リフロー工程で、金属層１４ａと半田層２２とが接続できる。

次に、図２（ａ）に示すように、半田ボール２５の下面が金属層１４ａに接するように貫通孔３１の内に、半田ボール２５を埋設する。

次に、図２（ｂ）に示すように、メタルコア基板１１上に、金属層１４ｂを上側、プリプレグ１３ｂを下側にして、配線板１５ｂを設置する。これにより、メタルコア基板１１上に、プリプレグ１３ｂを介して金属層１４ｂが積層される。このとき、配線板１５ｂと貫通孔３１とが対向する領域には、プリプレグ１３ｂは形成されておらず、金属層１４ｂが露出している。これにより、後に説明する半田リフロー工程で、金属層１４ｂと半田層２２とが接続できる。

続けて、リフロー炉にて加熱することにより、半田ボール２５の最外周に形成された樹脂層２３を溶融し、半田層２２を露出させるようにし、配線板１５ａの金属層１４ａと配線板１５ｂの金属層１４ｂとを電気的に接続する。このとき、半田ボール２５の最外周に形成された樹脂層２３の一部が溶融して広がり、貫通孔３１の内部のすき間を埋め込むことができる（図２（ｃ）の溶融領域１６）。さらに、プリプレグ１３ａ、ｂが溶融することによって、溶融領域１６を形成してもよい。これにより、貫通孔３１の内部のすき間をより低減できる。また、コア２１は、半田層２２よりも溶融温度が高いため、半田リフロー時でも溶融せず、半田ボール２５の熱変形を低減できる。これにより、図２（ｃ）に示すように、良好に半田接合された回路基板１００が得られる。

本実施形態の効果を説明する。
本発明は、メタルコア基板１１を貫通する貫通孔３１の内部に樹脂層２３を含む半田ボール２５を配置し、半田リフロー接続時にこの樹脂層２３を溶融する。これにより、樹脂層２３が流動して半田ボール２５の半田層２２が露出できるようになるため、露出した半田層２２を介して配線板１５ａの金属層１４ａと配線板１５ｂの金属層１４ｂとが接続できる。さらに、溶融した樹脂層２３が貫通孔３１内に広がることにより、メタルコア基板１１と半田層２２との絶縁性を確保しつつ、貫通孔３１内のすき間を埋めることができる。これにより、簡便な方法で導体回路間接続ができる。

また上記特許文献に記載された技術では、基板にスルーホール形成用の貫通孔を形成し、貫通孔に絶縁材料を埋め込んだ後、絶縁材料を除去してスルーホールを形成した。その後スルーホールの内壁に導電性材料を電解めっきなどにより形成し、さらに電解めっきされたスルーホール部を絶縁材料により、穴埋めしなければならなかった。
そのため、基板を貫通する穴を少なくとも２回形成し、さらに、絶縁材料、導電性材料、絶縁材料の順に、穴埋めする作業が必要となった。また、穴埋めした絶縁材料、導電性材料を選択的に除去して、基板表面を平坦化しエッチング処理や研磨処理などの工程が必要となった。更に、穴埋めした絶縁材料の端面を塞ぐように形成される蓋めっきも必要となる為、工程時間がかかり、工程が複雑化し、生産性が低下するといった問題があった。

これに対し、本実施形態では、貫通孔３１の内部の半田ボール２５の数や大きさを適宜調整して配置することができる。そのため、貫通孔の内壁に導電性材料を形成する作業や貫通孔の内部を穴埋めする作業が必要ない。また、メタルコア基板１１を平坦化する作業が生じないため、簡便な方法で、生産性の高い回路基板１００が実現できる。

また従来は、導電性基板を用いた場合、貫通孔内に導電材料を埋め込む前に、導電性基板と貫通電極との絶縁性を確保するため、導電性基板の貫通孔の内壁に絶縁層を形成していた。これに対し、本実施形態では、半田ボール２５の最外周に樹脂層２３が形成されているため、予め導電性基板の貫通孔の内壁に絶縁層を形成する必要がない。

さらに、従来は、貫通孔内に導電材料を埋め込んだ後、すき間を埋めて絶縁性を確保するために樹脂等を充填していたが、本実施形態では、半田層２２とメタルコア基板１１との間に溶融して広がった樹脂層２３が介在するため、メタルコア基板１１の側面での絶縁性が確保できる。なお、半田層２２と金属層１４ａ、ｂとの間に介在した樹脂層２３は、リフロー時のプレスなどにより広がるため、半田層２２と金属層１４ａ、ｂとの間は低い抵抗で接続できる。

また、従来は貫通孔内に電解めっきを用いて導電性材料を埋め込むためにめっきシードとなる導体回路層が厚くなりバラツキが増大するといった問題があったが、本発明は電解めっき工程を必要とせず薄く厚さの一定な銅箔を使用できる。そのため、薄く厚さバラツキの小さい金属層１４ａ、ｂを形成することが可能であり、精度の高い微細な回路パターニングが得られる。また、穴埋めされた絶縁材料の端面を塞ぐように形成される蓋めっきも不要となる為、薄型化と厚みバラツキの低減効果は一層顕著になる。

また、従来は、スルーホールよりも径の大きい貫通孔を予め設けていたため、スルーホール同士の間隔が広くなってしまうのに対し、本発明では、メタルコア基板１１に形成した貫通孔３１に半田ボール２５を埋設しているため、貫通孔３１同士の間隔を小さくできる。これにより、回路パターンのファイン化ができる。

また、従来は半田から形成されたコアと、コアを被覆する樹脂層からなる半田塊に対し、本実施形態における半田ボール２５は、半田よりも融点が高いコア２１を有するため、半田ボール２５の熱変形を抑制し、接続位置を固定することができる。これにより信頼性の高い回路基板をえることができる。

（第２実施形態）
図３及び図４は、本発明の第２実施形態に係る回路基板の製造工程の一例を示す工程断面図である。

上記第１実施形態では、配線板１５ａ上にメタルコア基板１１を設置して積層した後に、貫通孔３１に半田ボール２５を埋設する製造方法について説明したが、第２実施形態の製造方法は、貫通孔３２に半田ボール２５を埋設した後に、配線板１５ａ上にメタルコア基板１１を設置して積層している。

図３に示すように、第２実施形態において、貫通孔３２は、下方に向かって径が小さくなるテーパ形状を有している。かかる構成により、メタルコア基板１１の貫通孔３２に上方から半田ボール２５を埋設した場合であっても、半田ボール２５が貫通孔３２内のテーパ部でとどまることができる。
他の構成は、上記第１実施形態と同様である。

次に図３及び図４を用いて、本実施形態における回路基板の製造方法について説明する。
まず、図３（ａ）に示すように、メタルコア基板１１を準備する。

次に、図３（ｂ）に示すように、メタルコア基板１１を貫通する貫通孔３２を形成する。貫通孔３２は、エッチング又はレーザー加工を行なうことによりテーパ形状が形成される。ドリルを用いた場合は、特殊な先端形状のビットを使用するか、複数回の加工を施すことにより形成できる。本実施形態において、テーパ形状は下方に向かって径が小さくなることが好ましい。

続けて、図３（ｃ）に示すように、貫通孔３２の内部に、半田ボール２５を埋設する。
貫通孔３２のテーパ形状により、半田ボール２５がとどまっている。

続けて、図４（ａ）に示すように、プリプレグ１３ａを上側、金属層１４ａを下側にして、配線板１５ａ上に、メタルコア基板１１を設置して積層する。このとき、配線板１５ａと貫通孔３２とが対向する領域には、プリプレグ１３ａは形成されておらず、金属層１４ａが露出している。

以後の工程は、上記第１実施形態で、図２（ｂ）、（ｃ）を用いて説明したのと同様であるため、以下簡単に説明する。

次に、図４（ｂ）に示すように、メタルコア基板１１上に、金属層１４ｂを上側、プリプレグ１３ｂを下側にして、配線板１５ｂを設置して積層する。このとき、貫通孔３２内の半田ボール２５の上面と、露出した金属層１４ｂとが接している。

続けて、リフロー炉にて加熱することにより、半田ボール２５の最外周に形成された樹脂層２３を溶融し、半田層２２を露出させて、配線板１５ａと配線板１５ｂとを電気的に接続する。これにより、図４（ｃ）に示すような、回路基板２００が得られる。

本実施形態において、貫通孔３２がテーパ形状であるため半田ボール２５が貫通孔３２内のテーパ部でとどまり、貫通孔３２に半田ボール２５を埋設した後に、配線板１５ａとメタルコア基板１１を積層一体化することができる。
本実施形態のその他の効果は、上記実施形態と同様である。

以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

例えば、上記実施形態においては、貫通孔３１に埋め込まれた半田ボール２５が一つである場合について説明したが、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、複数の半田ボール２５を用いてもよい。すなわち、図５（ａ）に示すように、配線板１５a、メタルコア基板１１を積層して、メタルコア基板１１の貫通孔３１内に半田ボール２５を複数埋め込み、さらにメタルコア基板１１上に、金属層１４ｂを上側、プリプレグ１３ｂを下側にして、配線板１５ｂを設置して積層する。

続けて、リフロー炉にて加熱することにより、半田ボール２５の樹脂層２３を溶融してそれぞれの半田層２２を露出させ、隣り合う半田層２２同士が接続しあうことによって、配線板１５ａと配線板１５ｂとを電気的に接続する。さらに、それぞれの半田ボール２５の最外周に形成された樹脂層２３およびプリプレグ１３ａ、１３ｂが溶融して広がり、貫通孔３１の内部で溶融一体化して、貫通孔３１の内部のすき間を埋め込むことができる（図５（ｂ）の溶融領域１６）。これにより、アスペクト比の低い貫通孔３１に対しても図５（ｂ）に示すような良好な半田接続の回路基板３００を得ることができる。

また、図６（a）、（ｂ）に示すように貫通孔３１が高アスペクト比を有する場合であっても、半田ボール２５の径、個数、配置を適宜変更することで、図６（ｂ）に示すように良好な半田接続の回路基板４００を得ることができる。

また、上記実施形態においては、配線板１５ａ、ｂ上のプリプレグ１３ａ、ｂに開口（プリプレグ１３ａ、ｂ未形成領域）を設けて金属層１４ａ、ｂを露出させた場合について説明したが、プリプレグ１３ａ、ｂの形成領域はこれに限られない。たとえば、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、プリプレグ１３ａ、ｂが金属層１４ａ、ｂの全面に形成されていてもよい。この場合まず図７（ａ）に示すように、メタルコア基板１１の貫通孔３１に埋設された半田ボール２５上に、配線板１５ｂを設置する。その後リフロー炉にて加熱して半田ボール２５と金属層１４ａ、ｂとの間に介在する樹脂層２３およびプリプレグ１３ａ、ｂを溶融、流動させ、図７（ｂ）に示すように、半田層２２及び配線板１５ａ、ｂを電気的に接続させてもよい。なお、この場合も、溶融した樹脂層２３およびプリプレグ１３ａ、１３ｂにより貫通孔３１の内部のすき間を埋めることができる（図７（ｂ）の溶融領域１６）。ただし、この場合、半田ボール２５の樹脂層２３がフラックスを含み、樹脂層２３とプリプレグ１３ａ、ｂとが同じ材料から形成されているものとする。フラックス含有のプリプレグ１３ａ、ｂとしては例えば、ガラスクロス等がない樹脂層のみで形成されているものが好ましい。これにより、プリプレグ１３ａ、ｂに開口を設けることなく、半田ボール２５を介して、配線板１５ａと、配線板１５ｂとを電気的に接続でき、回路基板５００が得られる。

上記実施形態においては、メタルコア基板１１に半田ボール２５を埋設した後、配線板１５ａ上に、メタルコア基板１１を積層した例について説明したが、配線板１５ａ上に、メタルコア基板１１を積層した後半田ボール２５を埋設してもよい。また、メタルコア基板１１に半田ボール２５を埋設した後、配線板１５ａと配線板１５ｂをメタルコア基板１１の上下方向から同時に積層一体化してもよい。また、配線板１５ａ上にメタルコア基板１１を積層した後に、メタルコア基板１１を選択的に除去して貫通孔３１を形成し、その後貫通孔３１に半田ボール２５を埋設してもよい。

上記実施形態においては、半田塊として、球状の半田ボール２５である場合について説明したが、半田塊の形状は、楕円状、柱状であってもよく、例えば、円筒状、角柱状などが挙げられる。また、コアの形状が、球状、柱状、または、円筒状、角柱状等であってもよい。

上記実施形態においては、導電性基板として、メタルコア基板１１を用いた場合について説明したが、導電性を有するものであればよい。例えば、導電性基板は、カーボンを含む材料から形成されてもよく、例えば、カーボンファイバーから形成されてもよい。これにより、熱放散性が向上できる。

上記実施形態においては、回路基板が単層である場合について説明したが、複数の回路基板を用いて積層した多層配線構造としてもよい。例えば、回路基板は、第１導体回路層及び第２導体回路層上に形成された多層配線構造を有する構造としてもよい。

上記実施形態においては、半田ボール２５がコア２１を有する場合について説明したが、半田ボール２５がコア２１を有さず半田層２２と半田層２２の外側を被覆する樹脂層２３とで形成されていてもよい。
以下、参考形態の例を付記する。
＜１＞第１導体回路層、第１絶縁層、導電性基板、第２絶縁層、及び第２導体回路層がこの順に積層した回路基板の製造方法であって、
前記導電性基板を貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔内に、半田塊を埋設するとともに、前記半田塊を埋設する前または後に、前記第１導体回路層上に、前記第１絶縁層を介して前記導電性基板を積層する工程と、
前記半田塊が埋め込まれた前記導電性基板上に、前記第２絶縁層を介して前記第２導体回路層を積層する工程と、
前記半田塊を溶融させることにより、前記第１導体回路層と前記第２導体回路層とを電気的に接続する熱圧着工程と、
を含み、
前記半田塊は、半田からなる半田層と、前記半田層の外側を被覆する樹脂層と、を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
＜２＞＜１＞に記載された回路基板の製造方法において、
前記熱圧着工程は、前記樹脂層を溶融することによって前記貫通孔を埋設することを特徴とする回路基板の製造方法。
＜３＞＜１＞または＜２＞に記載された回路基板の製造方法において、
前記半田塊の前記樹脂層は、フラックス活性化合物を含有することを特徴とする回路基板の製造方法。
＜４＞＜１＞乃至＜３＞いずれかに記載された回路基板の製造方法において、
前記貫通孔は、下方に向かって幅が小さくなるテーパ形状を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
＜５＞＜１＞乃至＜４＞いずれかに記載された回路基板の製造方法において、
前記半田塊を埋設する工程は、前記貫通孔内に複数の前記半田塊を積み上げることを特徴とする回路基板の製造方法。
＜６＞＜１＞乃至＜５＞いずれかに記載された回路基板の製造方法において、
前記半田層は内部に半田よりも融点が高いコアを有することを特徴とする回路基板の製造方法。
＜７＞＜１＞乃至＜６＞いずれかに記載された回路基板の製造方法において、
前記回路基板は、前記第１導体回路層及び前記第２導体回路層上に形成された多層配線構造を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
＜８＞＜１＞乃至＜７＞いずれかに記載された回路基板の製造方法において、
前記半田塊の前記樹脂層は、熱硬化性樹脂を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
＜９＞＜１＞乃至＜８＞いずれかに記載された回路基板の製造方法において、
前記半田塊の前記コアは、Ｃｕを含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
＜１０＞＜１＞乃至＜９＞いずれかに記載された回路基板の製造方法において、
前記半田塊の形状は、球状または柱状であることを特徴とする回路基板の製造方法。
＜１１＞＜１＞乃至＜１０＞いずれかに記載された回路基板の製造方法において、
前記導電性基板は、金属基板であることを特徴とする回路基板の製造方法。
＜１２＞＜１＞乃至＜１１＞いずれかに記載された回路基板の製造方法に用いられる、半田からなる半田層と、前記半田層の外側を被覆する樹脂層と、を有することを特徴とする半田塊。

１１ メタルコア基板
１３ａ プリプレグ
１３ｂ プリプレグ
１４ａ 金属層
１４ｂ 金属層
１５ａ 配線板
１５ｂ 配線板
１６ 溶融領域
２１ コア
２２ 半田層
２３ 樹脂層
２５ 半田ボール
３１ 貫通孔
３２ 貫通孔
１００ 回路基板
２００ 回路基板
３００ 回路基板
４００ 回路基板
５００ 回路基板

Claims (11)

1. 第１導体回路層、第１絶縁層、導電性基板、第２絶縁層、及び第２導体回路層がこの順に積層した回路基板の製造方法であって、
   前記導電性基板を貫通する貫通孔を形成する工程と、
   前記貫通孔内に、半田塊を埋設するとともに、前記半田塊を埋設する前または後に、前記第１導体回路層上に、前記第１絶縁層を介して前記導電性基板を積層する工程と、
   前記半田塊が埋め込まれた前記導電性基板上に、前記第２絶縁層を介して前記第２導体回路層を積層する工程と、
   前記半田塊を溶融させることにより、前記第１導体回路層と前記第２導体回路層とを電気的に接続する熱圧着工程と、
   を含み、
   前記半田塊は、半田からなる半田層と、前記半田層の外側を被覆する樹脂層と、を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
2. 請求項１に記載された回路基板の製造方法において、
   前記熱圧着工程は、前記樹脂層を溶融することによって前記貫通孔を埋設することを特徴とする回路基板の製造方法。
3. 請求項１または２に記載された回路基板の製造方法において、
   前記半田塊の前記樹脂層は、フラックス活性化合物を含有することを特徴とする回路基板の製造方法。
4. 請求項１乃至３いずれかに記載された回路基板の製造方法において、
   前記貫通孔は、下方に向かって幅が小さくなるテーパ形状を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
5. 請求項１乃至４いずれかに記載された回路基板の製造方法において、
   前記半田塊を埋設する工程は、前記貫通孔内に複数の前記半田塊を積み上げることを特徴とする回路基板の製造方法。
6. 請求項１乃至５いずれかに記載された回路基板の製造方法において、
   前記半田層は内部に半田よりも融点が高いコアを有することを特徴とする回路基板の製造方法。
7. 請求項１乃至６いずれかに記載された回路基板の製造方法において、
   前記回路基板は、前記第１導体回路層及び前記第２導体回路層上に形成された多層配線構造を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
8. 請求項１乃至７いずれかに記載された回路基板の製造方法において、
   前記半田塊の前記樹脂層は、熱硬化性樹脂を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
9. 請求項１乃至８いずれかに記載された回路基板の製造方法において、
   前記半田塊の前記コアは、Ｃｕを含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
10. 請求項１乃至９いずれかに記載された回路基板の製造方法において、
    前記半田塊の形状は、球状または柱状であることを特徴とする回路基板の製造方法。
11. 請求項１乃至１０いずれかに記載された回路基板の製造方法において、
    前記導電性基板は、金属基板であることを特徴とする回路基板の製造方法。

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