JP2011014572A - 回路基板の製造方法及び半田塊 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 回路基板の製造方法は、樹脂基板11を貫通する貫通孔31を形成する工程と、配線板15a上に、樹脂基板11を積層する工程と、貫通孔31内に、半田ボール25を埋設する工程と、半田ボール25が埋め込まれた樹脂基板11上に、配線板15bを積層する工程と、半田ボール25を溶融させることにより、配線板15aと配線板15bとを電気的に接続する熱圧着工程と、を含み、半田ボール25は、半田層22と、半田層22の外側を被覆する樹脂層23と、を有することを特徴とする。
【選択図】図2
Description
第1導体回路層、樹脂基板、及び第2導体回路層がこの順に積層した回路基板の製造方法であって、
前記樹脂基板を貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔内に半田塊を埋設する工程と、
前記樹脂基板を貫通する貫通孔を形成する前記工程の前、前記樹脂基板を貫通する貫通孔を形成する前記工程と前記貫通孔内に半田塊を埋設する前記工程との間、または前記貫通孔内に半田塊を埋設する工程の後に、前記第1導体回路層上に、前記樹脂基板を積層する工程と、
前記半田塊が埋め込まれた前記樹脂基板上に、前記第2導体回路層を積層する工程と、
前記半田塊を溶融させることにより、前記第1導体回路層と前記第2導体回路層とを電気的に接続する熱圧着工程と、
を含み、
前記半田塊は、前記半田からなる半田層と、前記半田層の外側を被覆する樹脂層と、を有することを特徴とする回路基板の製造方法が提供される。
第1導体回路層、樹脂基板、及び第2導体回路層がこの順に積層した回路基板の製造方法であって、
前記樹脂基板を貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔内に半田塊を埋設する工程と、
前記樹脂基板を貫通する貫通孔を形成する前記工程の前、前記樹脂基板を貫通する貫通孔を形成する前記工程と前記貫通孔内に半田塊を埋設する前記工程との間、または前記貫通孔内に半田塊を埋設する工程の後に、前記第1導体回路層上に、前記樹脂基板を積層する工程と、
前記半田塊が埋め込まれた前記樹脂基板上に、前記第2導体回路層を積層する工程と、
前記半田塊を溶融させることにより、前記第1導体回路層と前記第2導体回路層とを電気的に接続する熱圧着工程と、
を含み、
前記半田塊は、前記半田からなる半田層と、前記半田層の外側を被覆する樹脂層と、を有することを特徴とする回路基板の製造方法に用いられる半田塊が提供される。
図1及び図2は、本発明の第1実施形態に係る回路基板の製造工程の一例を示す工程断面図である。
本発明は、樹脂基板11を貫通する貫通孔31の内部に樹脂層23を含む半田ボール25を配置し、半田リフロー接続時にこの樹脂層23を溶融する。これにより、樹脂層23が流動して半田ボール25の半田層22が露出できるようになるため、露出した半田層22を介して配線板15aの金属層14aと配線板15bの金属層14bとが接続できる。さらに、溶融した樹脂層23が貫通孔31内に広がることにより、貫通孔31内のすき間を埋めることができる。これにより、簡便な方法で導体回路間接続ができる。
そのため、穴埋めした導電性材料を選択的に除去して、基板表面を平坦化しエッチング処理や研磨処理などの工程が必要となった。
図3及び図4は、本発明の第2実施形態に係る回路基板の製造工程の一例を工程断面図である。
他の構成は、上記第1実施形態と同様である。
まず、図3(a)に示すように、樹脂基板11を準備する。
貫通孔32のテーパ形状により、半田ボール25がとどまっている。
本実施形態のその他の効果は、上記実施形態と同様である。
13a プリプレグ
13b プリプレグ
14a 金属層
14b 金属層
15a 配線板
15b 配線板
16 溶融領域
21 コア
22 半田層
23 樹脂層
25 半田ボール
31 貫通孔
32 貫通孔
100 回路基板
200 回路基板
300 回路基板
400 回路基板
500 回路基板
Claims (12)
- 第1導体回路層、樹脂基板、及び第2導体回路層がこの順に積層した回路基板の製造方法であって、
前記樹脂基板を貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔内に半田塊を埋設する工程と、
前記樹脂基板を貫通する貫通孔を形成する前記工程の前、前記樹脂基板を貫通する貫通孔を形成する前記工程と前記貫通孔内に半田塊を埋設する前記工程との間、または前記貫通孔内に半田塊を埋設する工程の後に、前記第1導体回路層上に、前記樹脂基板を積層する工程と、
前記半田塊が埋め込まれた前記樹脂基板上に、前記第2導体回路層を積層する工程と、
前記半田塊を溶融させることにより、前記第1導体回路層と前記第2導体回路層とを電気的に接続する熱圧着工程と、
を含み、
前記半田塊は、前記半田からなる半田層と、前記半田層の外側を被覆する樹脂層と、を有することを特徴とする回路基板の製造方法。 - 請求項1に記載された回路基板の製造方法において、
前記半田塊の前記樹脂層は、フラックス活性化合物を含有することを特徴とする回路基板の製造方法。 - 請求項1または2に記載の回路基板の製造方法において、
前記半田層は内部に前記半田よりも融点が高いコアを有することを特徴とする回路基板の製造方法。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載された回路基板の製造方法において、
前記第1導体回路層及び前記第2導体回路層は、
前記樹脂基板と接着するプリプレグと、前記プリプレグ上に形成された金属箔と、を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。 - 請求項1乃至4のいずれかに記載された回路基板の製造方法において、
前記熱圧着工程は、
前記樹脂層が溶融することによって前記貫通孔を埋設することを特徴とする回路基板の製造方法。 - 請求項1乃至5いずれかに記載された回路基板の製造方法において、
前記貫通孔は、下方に向かって幅が小さくなるテーパ形状を有することを特徴とする回路基板の製造方法。 - 請求項1乃至6いずれかに記載された回路基板の製造方法において、
前記半田塊を埋設する工程は、前記貫通孔内に複数の前記半田塊を積み上げることを特徴とする回路基板の製造方法。 - 請求項1乃至7いずれかに記載された回路基板の製造方法において、
前記回路基板は、前記第1導体回路層及び前記第2導体回路層上に形成された多層配線構造を有することを特徴とする回路基板の製造方法。 - 請求項1乃至8いずれかに記載された回路基板の製造方法において、
前記半田塊の前記樹脂層は、熱硬化性樹脂を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。 - 請求項1乃至9いずれかに記載された回路基板の製造方法において、
前記半田塊の前記コアは、Cuを含むことを特徴とする回路基板の製造方法。 - 請求項1乃至10いずれかに記載された回路基板の製造方法において、
前記半田塊の形状は、球状または柱状であることを特徴とする回路基板の製造方法。 - 請求項1乃至11いずれかに記載された回路基板の製造方法に用いられる、半田からなる半田層と、前記半田層の外側を被覆する樹脂層と、を有することを特徴とする半田塊。
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