TWI458416B - 配線基板製造方法 - Google Patents

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TWI458416B TW100130051A TW100130051A TWI458416B TW I458416 B TWI458416 B TW I458416B TW 100130051 A TW100130051 A TW 100130051A TW 100130051 A TW100130051 A TW 100130051A TW I458416 B TWI458416 B TW I458416B
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Satoru Watanabe
Hajime Saiki
Koji Sakuma
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Ngk Spark Plug Co
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Description

配線基板製造方法 [相關申請案之對照參考資料]
本申請案主張2010年8月25日所提出之日本專利申請案第2010-188464號之優先權，在此以提及方式併入該日本專利申請案之整個揭露。
本發明係有關於一種配線基板製造方法。
近年來，製造業者已渴望生產一種使用一配線基板之半導體封裝體(在此亦稱為一配線基板組合件)，其中分別在一核心層之至少一主表面上交替地疊合一導體層及一樹脂絕緣層成為至少一層(亦即，一組合該交替疊合導體層及樹脂絕緣層之疊合層)，以及然後，在其最外表面上形成一防焊阻劑層，亦即，一所謂樹脂製配線基板。接著，在其上安裝一半導體裝置。
該半導體裝置經由在該配線基板之一主表面上的一半導體裝置安裝部中的墊上所形成之個別焊料凸塊(solder bumps)電連接至該配線基板。相較下，在該配線基板之背面側上形成電連接至一基座基板或插入插槽而電連接用之外部端子。在此，依據該等外部端子之封裝模式，將配線基板分類成球形柵格陣列(BGA)、針形柵格陣列(PGA)等。
藉由將針腳插入在該配線基板組合件之一防焊阻劑層中所形成之個別開口部中，以及接著，使該等針腳分別電連接至從開口部所暴露之最外導體層，可獲得一PGA型配線基板。
藉由如需要的話，對從該配線基板組合件之該防焊阻劑層中所形成之開口部暴露的最外導體層之部分實施一助熔製程(fluxing process)，以移除氧化膜，然後安裝焊料球於該導體層之個別暴露部分上，以及接著對該等焊料球實施一回流焊接製程(reflow soldering process)，可獲得一BGA型配線基板。
然而，在該BGA型配線基板之情況中，當將該等焊料球直接安裝在該導體層之部分上時，無法藉由回流焊接製程來改善該等焊料球對該導體層之部分的附著，以及因此，該等焊料球分別脫離(亦即，移出)它們的原始安裝位置。例如，在一些情況中，無法充分維持該配線基板與該基座基板間之電性及機械連接。
為了處理這樣的問題，已提出一種方法，其中如需要的話，對從該配線基板組合件上之該防焊阻劑層中所形成之開口部暴露之該導體層的部分實施該助熔製程，以及然後，在該導體層之部分上印刷一預定焊料膏。接著，藉由回流該焊料膏，形成位於該等焊料球下方之一下層的個別部分。然後，在該下層之個別部分上安裝該等焊料球，以及接著，藉由實施該回流焊接製程，使該等焊料球連接至它們(見JP-A-2006-173143官方公報)。在此情況下，使該等焊料球經由該下層之部分連接至該導體層之個別部分，以及因此，可改善該等焊料球對該導體層之部分的附著，而不是使該等焊料球直接與該導體層之部分相互連接的情況。
然而，藉由該回流焊接製程使該焊料膏形成像一半球形狀。因此，減少由這樣的焊料膏所形成之下層與其上所安裝之焊料球間之接觸面積，而無法充分維持或改善它們之間的附著。結果，像上述，在一些情況中，該等焊料球脫離(亦即，移出)它們的原始安裝位置，以及因此，無法充分維持該配線基板與該基座基板間之電性及機械連接。
當減少該開口部之深度及/或增加該下層之厚度(特別是在中心部分之厚度)時，增加從該開口部暴露該焊料球之程度。因此，增加在橫向上對該焊料球所作用之剪力。因此，具有下面之傾向：當減少該開口部之深度及/或增加該下層之厚度時，上述現象變得更明顯。
在此情況下，當藉由一預定平坦化機器加壓由一半球狀焊料膏所形成之該下層時，可使這樣的下層有某種程度之平坦化，然而，需要複雜且額外的製程(亦即，該平坦化機器之使用)。因此，會有這樣的問題：該製造方法之總製程變得複雜。即使當使該下層平坦及增加該整個下層之厚度時，特別是當該開口部之深度小時，該焊料球與該下層間之附著是不夠的，以及因此，該等焊料球脫離(亦即，移出)它們的原始安裝位置。結果，無法充分維持及無法充分改善該配線基板與該基座基板間之電性及機械連接。
本發明之一目的提供一種新的配線基板製造方法，其能在一所謂BGA型配線基板中改善一導體層與焊料球間之附著，在該配線基板中之一核心層的至少一主表面上分別交替地疊合一導體層及一樹脂絕緣層成為至少一層(亦即，一組合該交替疊合之導體層及樹脂絕緣層之疊合層)，以及然後，在其最外表面上形成一防焊阻劑層。
為了達成上述目的，本發明係有關於一種配線基板製造方法，該方法包括：製備一配線基板，該配線基板包括：一核心層，其具有一主表面；一樹脂絕緣層及一導體層，其在該核心層之該主表面上交替地疊合成至少一疊合層；一防焊阻劑層，其包括開口部且形成於該至少一疊合層之一最外表面上，以致於從該等開口部暴露一最外導體層之個別部分；藉由一鍍敷製程形成一含錫(Sn)之下層於該最外導體層之個別部分上；以及藉由一加熱處理熔解該含錫之下層，然後直接安裝焊料球於該熔解的含錫之下層之個別部分上，以及接著連接該等焊料球至該含錫之下層之個別部分。
依據本發明，藉由鍍敷，在從該防焊阻劑層中所形成之開口暴露之該導體層(具體的是從該配線基板中之該等開口部暴露之該導體層的部分)上，不是形成該傳統焊料膏而是形成該含錫之下層，在該配線基板中之該核心基板的至少一主表面上分別交替地疊合該導體層及該樹脂絕緣層成為至少一層，以及然後，在最外表面上形成該防焊阻劑層。因此，該下層之形狀係扁平的，以及該下層包含做為該焊料之主要成分的錫。於是，當藉由加熱熔解這樣的下層及然後在其上安裝該等焊料球時，可使該等焊料球牢固地連接至該下層。
另外，藉由控制對該下層所施加之像形成時間等的形成條件，可調整該下層之厚度至一期望位準。於是，即使當在維持該下層之厚度以提高該焊料球之附著的情況中將該防焊阻劑層中所形成之該開口部的深度設定成小時，可充分地保持該下層有小的厚度，以及因此，可充分地使從該開口部暴露該焊料球之程度係小的。因此，可進一步減少在橫向上對該焊料球所作用之剪力。
結果，該等焊料球絕不會脫離原始安裝位置，以及可以良好狀態保持該配線基板與該基座基板間之電性及機械連接。
在本發明之一範例中，最好是，對應於該開口部之深度(亦即，到達該最外導體層之深度)的該防焊阻劑層之厚度應該設定成10μm至40μm。在此情況下，可更有效地達成本發明之優點，亦即，可防止該等焊料球自原始安裝位置之移位，以及並且，可以良好狀況保持該配線基板與該基座基板間之電性及機械連接。
在本發明之一範例中，最好是，該含錫之下層之厚度應該設定在1μm至5μm之範圍內。在此情況下，即使當在非常充分保持對該焊料球之附著的情況中，如上所述，該開口部之深度設定至10μm至40μm時，可充分地減少從該開口部暴露該焊料球之程度，以及可減少在橫向上對該焊料球所作用之剪力。於是，可更有效地達成本發明之優點：可防止該等焊料球自原始安裝位置之移位，以及可以良好狀況保持該配線基板與該基座基板間之電性及機械連接。
另外，在本發明之一範例中，最好是，該下層包含0.1質量百分比至1質量百分比的數量之銀(Ag)。例如，當該下層只由錫所形成時，在一些情況中，會隨時間從該下層產生晶鬚(whisker)，以及此晶鬚與該基座基板等接觸及在與該配線基板電接觸時產生不良影響。在此情況下，當該下層包含如上所述之微量的銀時，可抑制上述晶鬚的產生。於是，可抑制上述不良電性影響。
如上所述，依據本發明，該新的配線基板製造方法能在該所謂BAG型配線基板中改善該導體層與該焊料球間之附著，其中在該BAG型配線基板中之該核心層的至少一主表面上分別堆疊該導體層及該樹脂絕緣層成為至少一疊合層，以及在該最外表面上形成該防焊阻劑層。
將參考下面圖式來描述本發明之說明性態樣。
 示範性配線基板
以下，將參考圖式來說明本發明之一實施例。
首先，下文將說明要藉由本發明之方法所製造之一示範性配線基板之配置。在此，下文所示之該配線基板只是為了說明而提供。該示範性配線基板包括：分別堆疊成一層之至少一導體層及一樹脂絕緣層；一在一最外表面上所形成之防焊阻劑層；從該防焊阻劑層中所形成之開口部暴露之一最外導體層的部分；以及根據本發明之製造方法的特徵，在從該等開口部所暴露之該導體層的個別部分上形成之一含錫(Sn)之下層及焊料球。
第1圖及第2圖係依據本實施例之一配線基板的個別平面圖。第1圖顯示當從上側觀看時之配線基板的狀態，以及第2圖顯示當從下側觀看時之第1圖所示之配線基板的狀態。第3圖係顯示在沿著線I-I切割第1及2圖所示之配線基板時之放大形式的剖面之一部分的圖。第4圖係顯示在沿著線II-II切割第1及2圖所示之配線基板時之放大形式的剖面之一部分的圖。另外，第5圖係以放大形式顯示第3圖及第4圖所示之配線基板的一開口部18a及其鄰域(附近)的圖，該開口部18a係形成於下側之一防焊阻劑層18中。在此，在第5圖中，顛倒顯示此開口部及其鄰域(附近)，以使本發明之特徵清楚。
在第1至4圖所示之配線基板1中，藉由鍍銅(Cu)在一板狀核心2之兩個表面上分別形成核心導體層M1、M11(以下，亦簡單分別稱為一導體層)，使該等核心導體層M1、M11之每一者成形為一預定圖案，以構成一金屬配線7a。此板狀核心2係由一耐熱樹脂板(例如，一雙馬來醯亞胺三(bismuleimide-triazine)樹脂板)、一纖維強化樹脂板(例如，一玻璃纖維強化環氧樹脂)等所構成。使這些核心導體層M1、M11分別形成為一覆蓋該板狀核心2之大部分表面的表面導體圖案，以及用以做為一電源層或一接地層。
同時，在該板狀核心2中形成以一鑽頭鑽出之通孔12，以及在該等通孔12之內壁表面上分別形成一使該等核心導體層M1、M11相互導電之通孔導體30。以一樹脂填孔材料31(例如，環氧樹脂等)填充該等通孔12。
在該等核心導體層M1、M11之上層上分別形成第一中介層(即，增層、絕緣層、或樹脂絕緣層)V1、V11，每一中介層係由一熱固性樹脂複合材料6所形成。藉由該鍍銅在該等第一中介層V1、V11之表面上分別形成第一導體層M2、M12，使該等第一導體層M2、M12之每一者成形為一預定圖案，以構成一金屬配線7b。在此，藉由介層34在該等核心導體層M1、M11與該等一導體層M2、M12間分別提供一層間連接。同樣地，在該等第一導體層M2、M12之上層上分別形成第二中介層(即，增層、絕緣層、或樹脂絕緣層)V2、V12，每一中介層係由該熱固性樹脂複合材料6所形成。
在該等第二中介層V2、V12上分別形成具有金屬端子墊10、17之第二導體層M3、M13。藉由介層34在該等第一導體層M2、M12與該等第二導體層M3、M13間提供一層間連接。該等介層34包括介層孔34h、介層導體34s(每一者被提供於該介層孔34h之內周圍表面上)、介層墊34p(每一者被提供用以連接至該介層導體34s之底表面側)、及介層地帶34l(每一者在該介層墊34p之相對側上從該介層孔34h之開口周圍向外突出)。
如上所述，在該板狀核心2之一第一主表面MP1上依序堆疊該核心導體層M1、該第一中介層V1、該第一導體層M2、該第二中介層V2、及該第二導體層M3(亦即，一最外導體層)，以構成一第一配線堆疊部L1(亦即，一疊合層)。在該板狀核心2之一第二主表面MP2上依序堆疊該核心導體層M11、該第一中介層V11、該第一導體層M12、該第二中介層V12、及該第二導體層M13(亦即，一最外導體層)，以構成一第二配線堆疊部L2(亦即，一疊合層)。然後，在一第一主表面CP1上形成複數個金屬端子墊10，以及在一第二主表面CP2上形成複數個金屬端子墊17。
在此，該等金屬端子墊10用以做為一半導體裝置(未顯示)經由稍後形成之焊料凸塊所要覆晶連接之墊(FC墊)，以及分別構成一半導體裝置安裝區域。如第1圖所示，使該等金屬端子墊10形成於該配線基板1之一幾乎中心部分中，以及排列成像一矩形形狀。
利用該等金屬端子墊17做為用以連接該配線基板1至一母板之背面地帶(LGA墊)。使該等金屬端子墊17形成於該配線基板1之除了大致中心區域之外的外周圍區域中，以及排列成像一矩形形狀，以包圍該大致中心區域。
另外，在該第一主表面CP1上形成一具有開口部8a之防焊阻劑層8，以及然後，在從該等開口部8a所暴露之金屬端子墊10上分別形成一藉由無電解鍍敷法所形成之含錫之下層10a。在該下層10a之個別部分上形成藉由印刷一焊料膏及然後對該焊料膏實施一回流焊接(亦即，回流焊接製程)所獲得之焊料凸塊11。
在該第二主表面CP2上形成一具有開口部18a之防焊阻劑層18，然後，在從該等開口部18a所暴露之金屬端子墊17上分別形成一含錫之下層17a，以及接著，在該等下層17a之個別部分上形成(或安裝)焊料球19，以便這些焊料球19連接至下層17a之個別部分(見第5圖)。
在此，該焊料球19可由例如錫-鉛(Sn-Pb)、錫-銀(Sn-Ag)、錫-銀-銅(Sn-Ag-Cu)等所形成。它的尺寸(直徑)可設定在例如300μm至1300μm之範圍內。
在本實施例之配線基板1中，藉由鍍敷，在從該等開口部18a所暴露之金屬端子墊17上不是形成傳統焊料膏，而是形成該含錫之下層17a。可藉由鍍敷法(例如，電解鍍敷法、無電解鍍敷法等)簡單地形成該下層17a。因此，如第5圖所示，它的形狀係扁平的，以及它亦包含錫做為主要成分。於是，在本實施例之配線基板1中，當藉由加熱熔解該下層17a及然後在該下層17a之個別部分上安裝該等焊料球19時，可使該等焊料球19牢固地連接至該等下層17a之個別部分。
另外，能藉由控制對該下層17a所實施之形成條件(例如，形成時間等)來調整該下層17a之厚度。於是，即使當在維持該下層17a之厚度以提高對該焊料球之附著的情況中將該防焊阻劑層18中所形成之開口部18a的深度(離該開口部18a中之金屬端子墊17的距離)設定成小時，仍可充分地保持該下層17a有小的厚度，以及因此，可充分地使從該開口部18a暴露該等焊料球19之程度係小的。
因此，可減少在橫向上對該焊料球19所作用之剪力。結果，如第5圖所示(藉由只有單一焊料球之範例)，該等焊料球19絕不會脫離原始安裝位置，以及可以良好狀態保持該配線基板1與該基座基板(未顯示)間之電性及機械連接。
同時，如第6圖所示，當像習知技藝使用焊料膏17b來取代該含錫之下層17a時，藉由該回流焊接製程形成此焊料膏17b像半球狀。因而，減少該焊料膏17b與其上所安裝之該焊料球19間之接觸面積，以及因此，無法充分地改善它們之間的附著。特別地，當設定該開口部18a之深度成小的及/或增加該焊料膏17b之厚度(特別是中心部分之厚度)時，增加從該開口部18a暴露該焊料球19之程度，以及增加在橫向上對該焊料球19所作用之剪力。
因此，如第6圖所示(同樣藉由只有單一焊料球之範例)，該等焊料球19脫離原始安裝位置，以及無法充分地保持該配線基板1與該基座基板(未顯示)間之電性及機械連接。
在此，最好是，該開口部18a之深度d應該設定成10μm至40μm。在此情況下，可更有效地達成本發明之優點，亦即，可防止該等焊料球19自原始安裝位置之移位，以及並且，可以良好狀況保持該配線基板1與該基座基板間之電性及機械連接。
最好是，該下層17a之厚度應該設定在1μm至5μm之範圍內。在此情況下，當在非常充分地保持對該焊料球19之附著的情況中，如上所述，該開口部18a之深度d設定至10μm至40μm，可充分減少從該開口部暴露該焊料球19之程度，以及可減少在橫向上對該焊料球19所作用之剪力。於是，可更有效地達成本發明之優點：可防止該等焊料球19自原始安裝位置之移位，以及可以良好狀況保持該配線基板1與該基座基板間之電性及機械連接。
另外，最好是，當假設該整個下層為100質量百分比時，該下層17a應該包含0.1質量百分比至1質量百分比的銀(Ag)。例如，當該下層17a只由錫所形成時，在一些情況中，會隨著時間從該下層17a產生晶鬚(whisker)，以及此晶鬚與該基座基板等接觸及在與該配線基板1電接觸時產生不良影響。在此情況下，當該下層17a包含如上所述之微量的銀時，可抑制上述晶鬚之發生。於是，可抑制上述不良電性影響。
在此情況下，隨著時間造成上述缺點，以及當然絕不會造成上述缺點。因此，沒有經常排除100%錫之下層17a的形成製程。
在此，根據第1至4圖可明顯易知，本實施例之配線基板1顯示一板狀矩形形狀，以及它的尺寸可設定為例如約35mm×約35mm×約1mm。
示範性配線基板製造方法
接下來，下面將說明第1至4圖所示之示範性配線基板的一示範性配線基板製造方法。第7至17圖係顯示在本實施例中之配線基板製造方法的製程之圖。在此，下文所述之製程圖主要分別描述對當沿著線II-II切割該配線基板時之第4圖的對應剖面所實施之連續製程。
首先，如第7圖所示，製備一成形為板狀之耐熱樹脂板(例如，一雙馬來醯亞胺三(bismuleimide-triazine)樹脂板)或一纖維強化樹脂板(例如，一玻璃纖維強化環氧樹脂)做為該核心2，以及以像鑽孔之方法鑽出該等通孔12。然後，如第8圖所示，以圖案鍍敷形成該等核心導體層M1、M11及該等通孔導體30，以及在該等通孔12中分別填充該樹脂填孔材料31。
然後，對該等核心導體層M1、M11實施粗化製程。接著，如第9圖所示，藉由疊合該樹脂膜6來覆蓋該等核心導體層M1、M11及然後硬化該膜，以獲得該等絕緣層V1、V11。當場合需要時，該樹脂膜可以包含該等填充物。
接著，如第10圖所示，藉由照射雷射光束至該等絕緣層V1、V11(中介層)之主表面，以分別形成該等介層孔34h成一預定圖案。然後，對包含該等介層孔34h之該等絕緣層V1、V11實施粗化製程。在此，當在該等絕緣層V1、V11包含該等填充物之情況中，如上所述，對該等絕緣層V1、V11實施粗化製程時，造成該等填充物之游離及該等填充物仍然留在該等絕緣層V1、V11上。因此，藉由適當地實施水清洗來移除該等游離的填充物。
然後，實施除渣製程(desmear process)及外形蝕刻(outline etching)，以清洗該等介層孔34h之內部。在此，在本實施例中，因為已實施該水清洗，所以可抑制在該除渣製程中之水清洗的過程中所造成之該等填充物的凝集(flocculation)。
在本實施例中，可以在上述使用高水壓之水清洗與該除渣製程間實施吹氣(air blowing)。於是，縱使上述水清洗沒有完全移除該等游離的填充物，仍能藉由該吹氣補充該等填充物之移除。
然後，如第11圖所示，藉由圖案鍍敷形成該等第一導體層M2、M12及該等介層導體34s。如下藉由半加成製程(semi-additive process)等形成該等第一導體層M2等。首先，在該第二中介層V2、V12上形成例如一無電解鍍銅膜，接著，在此無電解鍍銅膜上形成一阻劑，以及然後，藉由對阻劑非形成區域實施電解鍍銅，以形成該第一導體層M2等。在此情況下，可藉由使用KOH等剝除/移除該阻劑，以預定圖案形成該第一導體層M2等。
接著，對該等第一導體層M2、M12實施粗化製程。然後，如第12圖所示，藉由疊合/硬化該樹脂膜6來覆蓋該等第一導體層M2、M12，以獲得該等第二中介層V2、V12。當場合需要時，此樹脂膜如上述可包含該等填充物。
然後，如第13圖所示，藉由照射雷射光束至該等絕緣層V2、V12(中介層)之主表面，以一預定圖案形成該等介層孔34h。接著，對包含該等介層孔34h之該等絕緣層V2、V12實施粗化製程。當在該等絕緣層V2、V12包含該等填充物之情況中，如上所述，對該等絕緣層V2、V12實施粗化製程時，造成該等填充物之游離及該等填充物仍然留在該等絕緣層V1、V11上。因此，像上述，適當地實施水清洗或吹氣。然後，對該等介層孔34h實施除渣製程及輪廓蝕刻(外形蝕刻)，以清洗該等介層孔34h之內部。
接著，如第14圖所示，藉由圖案鍍敷形成該等第二導體層M3、M13及該等介層導體34s。
然後，如第15圖所示，在該等第二導體層M3、M13上分別形成等防焊阻劑層8及18，以掩埋該等介層孔34h之內部。接著，如第16圖及第17圖所示，藉由對該等防焊阻劑層8及18實施阻劑塗佈及曝光/顯影製程，以形成該等開口部8a及18a。在此，第17圖係顯示對當沿著該配線基板之線I-I切割該配線基板時之第3圖的對應剖面所實施之製程的製程圖。
接著，在第17圖所示之組合件中，藉由例如像無電解鍍敷、電解鍍敷等之鍍敷方法在從該等開口部18a所暴露之金屬端子墊17及從該等開口部8a所暴露之金屬端子墊10上分別形成該含錫之下層17a，接著，藉由實施該回流焊接製程熔解這樣的下層17a，然後，當場合需要時，實施供應助熔劑至該等含錫之下層17a之表面的助熔製程，以及接著，使該等焊料球19直接安裝及連接至該等金屬端子墊17上之熔解之該含錫之下層17a的個別部分上。
經由上述步驟獲得第1至4圖所示之配線基板1。
如需要的話，可對該等防焊阻劑層8、18實施電漿處理。執行此電漿處理，以藉由電漿照射活化該等防焊阻劑層8、18，特別是它們的表面。依據此處理，例如，可在封裝製程中改善焊料對密封樹脂層之潤濕性，以及因此，可改善該密封樹脂層之塗佈特性。特別地，當例如應將一底部填充樹脂填入該配線基板與該半導體裝置間之窄空隙等時，這樣的底部填充樹脂因上述該潤濕性之改善而在整個該配線基板(亦即，該等防焊阻劑層8)上容易地散佈。結果，可輕易地執行很難在習知技藝中做到之該底部填充樹脂的注入。
以上述，詳細說明本發明，同時引用具體的實例。本發明並非侷限於上述內容，以及可實施所有變更及修改而不脫離本發明之範圍。
例如，在上述具體實例中，說明具有該心基板2之配線基板1。但是，本發明之製造方法當然可應用至不具有該核心基板2之配線基板1。
1．．．配線基板
2．．．板狀核心
6．．．熱固性樹脂複合材料
7a．．．金屬配線
7b．．．金屬配線
8．．．防焊阻劑層
8a．．．開口部
10．．．金屬端子墊
10a．．．含錫之下層
11．．．焊料凸塊
12．．．通孔
17．．．金屬端子墊
17a．．．含錫之下層
17b．．．焊料膏
18．．．防焊阻劑層
18a．．．開口部
19．．．焊料球
30．．．通孔導體
31．．．樹脂填孔材料
34．．．介層
34h．．．介層孔
34l．．．介層地帶
34p．．．介層墊
34s．．．介層導體
CP1．．．第一主表面
CP2．．．第二主表面
d．．．深度
L1．．．第一配線堆疊部
L2．．．第二配線堆疊部
M1．．．核心導體層
M2．．．第一導體層
M3．．．第二導體層
M11．．．核心導體層
M12．．．第一導體層
M13．．．第二導體層
MP1．．．第一主表面
MP2．．．第二主表面
V1．．．第一中介層
V2．．．第二中介層
V11．．．第一中介層
V12．．．第二中介層
第1圖係顯示在一實施例中之一配線基板的平面圖；
第2圖係顯示在該實施例中之該配線基板的平面圖；
第3圖係顯示在沿著線I-I切割第1及2圖所示之配線基板時之放大形式的剖面之一部分的圖；
第4圖係顯示在沿著線II-II切割第1及2圖所示之配線基板時之放大形式的剖面之一部分的圖；
第5圖係以放大形式顯示第3圖及第4圖所示之配線基板的一開口部18a及其鄰域的圖，該開口部18a係形成於下側之一防焊阻劑層18中；
第6圖係以放大形式顯示第3圖及第4圖所示之配線基板的該開口部18a及其鄰域的圖，該開口部18a係形成於下側之該防焊阻劑層18中；
第7圖係顯示在該實施例中之一配線基板製造方法的一製程之圖；
第8圖係顯示在該實施例中之該配線基板製造方法的一製程之圖；
第9圖係顯示在該實施例中之該配線基板製造方法的一製程之圖；
第10圖係顯示在該實施例中之該配線基板製造方法的一製程之圖；
第11圖係顯示在該實施例中之該配線基板製造方法的一製程之圖；
第12圖係顯示在該實施例中之該配線基板製造方法的一製程之圖；
第13圖係顯示在該實施例中之該配線基板製造方法的一製程之圖；
第14圖係顯示在該實施例中之該配線基板製造方法的一製程之圖；
第15圖係顯示在該實施例中之該配線基板製造方法的一製程之圖；
第16圖係顯示在該實施例中之該配線基板製造方法的一製程之圖；以及
第17圖係顯示在該實施例中之該配線基板製造方法的一製程之圖。
1．．．配線基板
2．．．板狀核心
6．．．熱固性樹脂複合材料
7a、7b．．．金屬配線
8、18．．．防焊阻劑層
10、17．．．金屬端子墊
12．．．通孔
17a．．．下層
18a．．．開口部
19．．．焊料球
30．．．通孔導體
31．．．樹脂填孔材料
34．．．介層
34h．．．介層孔
34l．．．介層地帶
34p．．．介層墊
34s．．．介層導體
CP1、MP1．．．第一主表面
CP2、MP2．．．第二主表面
L1．．．第一配線堆疊部
L2．．．第二配線堆疊部
M1、M11．．．核心導體層
M2、M12．．．第一導體層
M3、M13．．．第二導體層
V1、V11．．．第一中介層
V2、V12．．．第二中介層

Claims (4)

  1. 一種配線基板製造方法，該方法包括：製備一配線基板，該配線基板包括：一核心層，其具有一主表面；一樹脂絕緣層及一導體層，其在該核心層之該主表面上交替地疊合成至少一疊合層；一防焊阻劑層，其包括開口部且形成於該至少一疊合層之一最外表面上，以致於從該等開口部暴露一最外導體層之個別部分；藉由一鍍敷製程形成一含錫(Sn)之下層於該最外導體層之個別部分上；以及藉由一加熱處理熔解該含錫之下層，然後直接安裝焊料球於該熔解的含錫之下層之個別部分上，以及接著連接該等焊料球至該含錫之下層之個別部分，該等焊料球的直徑係300至1300μm。
  2. 如申請專利範圍第1項之配線基板製造方法，其中對應於該等開口部之深度的該防焊阻劑層之厚度係10μm至40μm。
  3. 如申請專利範圍第1項之配線基板製造方法，其中該含錫之下層之厚度係1μm至5μm。
  4. 如申請專利範圍第1項之配線基板製造方法，其中該含錫下層包含0.1至1質量百分比之份量的銀(Ag)。
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