JP5775010B2

JP5775010B2 - 配線基板

Info

Publication number: JP5775010B2
Application number: JP2012024023A
Authority: JP
Inventors: 琢也半戸; 一斉木; 篤彦杉本
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date: 2012-02-07
Filing date: 2012-02-07
Publication date: 2015-09-09
Anticipated expiration: 2032-02-07
Also published as: JP2013162016A

Description

本発明は、配線基板に関する。

近年、コア層の少なくとも一方の主面上において導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層され、最表面にソルダーレジスト層が形成されてなる配線基板、いわゆる樹脂製配線基板を用い、この上に半導体素子を搭載して半導体パッケージを製造することが盛んに行われている。

半導体素子は、配線基板の主面をなす半導体素子搭載領域のパッド上に、はんだバンプを介して電気的に接続される。一方、配線基板の裏面側にはベース基板と電気的に接続するためのはんだボールや、ソケットに挿入して電気的に接続するためのピンなどの外部端子が形成されている。なお、外部端子の形態に依存して、一般に、前者のように外部端子としてはんだボールを有する配線基板は、いわゆるボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）配線基板と呼ばれ、後者のように外部端子としてピンを有する配線基板は、いわゆるピングリッドアレイ（ＰＧＡ）配線基板と呼ばれる。

特に、ＰＧＡタイプの配線基板は、配線基板のソルダーレジスト層に形成された開口部に対してピンを挿設し、開口部に露出した導体層と電気的に接続させることによって得ることができる。ピンの固定は、開口部に露出した導体層にはんだを印刷した後、当該ピンを上記開口部内に挿入してからリフローを行うことにより行う。

しかしながら、一般にピンは電気伝導性に優れた金属材料から構成されるため、ピンとはんだとの濡れ性が高くなる。このため、はんだをリフローさせて上記開口部内に流し込む際に、はんだはピンの基部のみではなく、当該基部の中心から上方に向けて立設した軸部にまで濡れ広がり、軸部の側面においてもはんだ層が形成されてしまう場合がある。

この場合、ピンの軸部の太さが設計値よりも増大してしまい、ソケットの孔径よりも大きくなって、外部端子であるピンを当該ソケットに装着することができなくなってしまうという問題が生じる。また、ピンをソケットに装着できたとしても、その軸部には電気伝導性に劣るはんだ層が形成されているために、ピンとソケットとの接続部における電気伝導性が劣化し、配線基板からの電気信号を高いＳ／Ｎ比の下に外部回路に伝送することが困難になるとともに、配線基板に供給すべき電力も劣化してしまい、配線基板の駆動性が劣化する場合がある。

このような問題に対処すべく、配線基板の外部端子であるピンの基部の中央において、段部を形成することが試みられている。この場合、はんだの濡れ性の広がりは上記段部で抑制され、はんだがピンの軸部にまで濡れ広がるのを抑制することができる。したがって、ピンの軸部にはんだ層が形成されることがないので、上述したような問題を回避することができる（特許文献１）。

しかしながら、上述した段部を形成すると軸部へのはんだ層の形成は抑制されるものの、はんだはピンの基部における段部以下の側面を覆うだけの状態で形成されることとなり、はんだによるピン基部の被覆割合が減少する。このため、導体層に対してピンを強固に固定することができず、上記導体層からピンが離脱してしまうという問題があった。

特開２００４−５５９５８号

本発明は、導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されるとともに、はんだを介して、少なくとも１層の導体層に電気的に接続された複数のピンと、を備えた配線基板において、各ピンを固定する際のはんだの濡れ広がりを抑制するとともに、各ピンが強固に固定された配線基板を提供することを目的とする。

上記目的を達成すべく、本発明は、
互いに積層された少なくとも１層の導体層及び少なくとも１層の樹脂絶縁層と、
はんだを介して、前記少なくとも１層の導体層に電気的に接続された複数のピンと、を備えた配線基板であって、
前記ピンは、段部を上面側の中心部に有する基部と、前記段部に立設された軸部と、少なくとも前記基部の上面において外周端から前記中心部に向かって連続するようにして形成された少なくとも１つの線状の突起部と、を有し、
前記基部は、前記はんだによって前記少なくとも１層の導体層に固定されていることを特徴とする配線基板に関する。

本発明によれば、導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されるとともに、はんだを介して、少なくとも１層の導体層に電気的に接続された複数のピンと、を備えた配線基板において、上記ピンは、段部を上面側の中心部に有する基部と、段部に立設された軸部と、少なくとも基部の上面において外周端から中心部に向かって連続するようにして形成された少なくとも１つの線状の突起部とを有するように構成している。

上記ピンは、電気伝導性に優れた金属材料から構成されるため、リフローを行うことでピンを固定する際に、溶融したはんだがピンに対して濡れ広がり、ピンの軸部に向かって這い上がるようになる。しかしながら、本発明においては、上述のように、ピンの基部の中心部に段部を形成するようにしている。したがって、はんだのピンに対する濡れ広がりは、段部において抑制されるので、はんだがピンの軸部まで濡れ広がって、軸部の表面にはんだ層を形成するようなことがない。

このため、ピンの軸部の太さが設計値よりも増大してしまい、配線基板を電気的に接続すべき外部ソケットの孔径よりも大きくなって、外部端子であるピンを当該ソケットに装着することができなくなってしまうという問題を回避することができる。また、ピンをソケットに装着できた場合において、その軸部には電気伝導性に劣るはんだ層が形成されていないので、ピンとソケットとの接続部における電気伝導性の劣化を抑制することができ、配線基板からの電気信号を高いＳ／Ｎ比の下に外部回路に伝送することが可能になり、さらに配線基板に供給すべき電力の劣化も抑制して、配線基板の駆動性の劣化を防止することができる。

また、本発明においては、上記ピンの、少なくとも基部の上面において、外周端から中心部に向かって連続するように、少なくとも１つの線状の突起部を形成するようにしている。したがって、ピンを固定するはんだは、上記突起部を辿って上昇する一方、上述のように、はんだの濡れ広がりは上記段部で抑制されるので、上記はんだは、例えば少なくとも基部の上面（段部の側面）を覆うようになる。したがって、上記ピンの導体層への接合強度を増大させることができる。

換言すれば、ピンを固定する際のはんだの濡れ広がりを抑制し、ピンの性能劣化を防止するとともに、ピンを導体層に対して強固に固定することができる。

本発明の一例においては、上記ピンの表面、すなわち基部、軸部、段部及び突起部の表面に、少なくとも金を含むめっき層を形成することができる。金を含む例えばＮｉ／Ａｕめっき層は、特にはんだとの濡れ性が高いので、ピンに対するはんだの濡れ広がり性が増大する。しかしながら、本発明においては、上述のように段部を有しているので、上記はんだの濡れ広がり性の増大による軸部への這い上がりを効果的に抑制することができる。一方、はんだは突起部を辿って容易に上昇し、基部の上面（段部の側面）を簡易に覆うことができるようになる。したがって、配線基板に対するピンの接合強度を向上させることができる。

本発明の一例においては、ピンの基部の上面側の角部を曲面状とすることができる。この場合、上記はんだは、基部の上面（段部の側面）まで容易に達することができる。したがって、ピンとはんだとの接合面積を容易に増大させることができ、ピンの導体層への接合強度を増大させることができる。

以上説明したように、本発明によれば、導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されるとともに、はんだを介して、少なくとも１層の導体層に電気的に接続された複数のピンと、を備えた配線基板において、各ピンを固定する際のはんだの濡れ広がりを抑制するとともに、各ピンが強固に固定された配線基板を提供することができる。

実施形態における配線基板の平面図である。同じく、実施形態における配線基板の平面図である。図１及び２に示す配線基板をＩ−Ｉ線に沿って切った場合の断面の一部を拡大して示す図である。図１及び２に示す配線基板をＩＩ−ＩＩ線に沿って切った場合の断面の一部を拡大して示す図である。図３及び図４に示す配線基板の、下側のソルダーレジスト層に形成された開口部及び開口部内に形成されたピンの近傍を拡大して示す図である。図５に示す状態を下方から見た場合の平面図である。図３及び図４に示す配線基板の、下側のソルダーレジスト層に形成された開口部内に形成されたピンの形成過程を説明するための図である。同じく、図３及び図４に示す配線基板の、下側のソルダーレジスト層に形成された開口部内に形成されたピンの形成過程を説明するための図である。実施形態における配線基板の製造方法における一工程図である。同じく、実施形態における配線基板の製造方法における一工程図である。同じく、実施形態における配線基板の製造方法における一工程図である。同じく、実施形態における配線基板の製造方法における一工程図である。同じく、実施形態における配線基板の製造方法における一工程図である。同じく、実施形態における配線基板の製造方法における一工程図である。同じく、実施形態における配線基板の製造方法における一工程図である。同じく、実施形態における配線基板の製造方法における一工程図である。同じく、実施形態における配線基板の製造方法における一工程図である。同じく、実施形態における配線基板の製造方法における一工程図である。

以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。

（配線基板）
最初に、本発明の実施形態における配線基板の構成について説明する。但し、以下に示す配線基板はあくまでも例示であって、導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されるとともに、はんだを介して、上記少なくとも１層の導体層に電気的に接続された複数のピンを有していれば特に限定されるものではない。

図１及び２は、本実施形態における配線基板の平面図であり、図１は、配線基板を上側から見た場合の状態を示し、図２は、図１に示す配線基板を下側から見た場合の状態を示している。また、図３は、図１及び図２に示す配線基板をＩ−Ｉ線に沿って切った場合の断面の一部を拡大して示す図であり、図４は、図１及び図２に示す配線基板をＩＩ−ＩＩ線に沿って切った場合の断面の一部を拡大して示す図である。

図５は、図３及び図４に示す配線基板の、下側のソルダーレジスト層に形成された開口部及び開口部内に形成されたピンの近傍を拡大して示す図であり、図６は、図５に示す状態を下方から見た場合の平面図である。また、図７及び図８は、図３及び図４に示す配線基板の、下側のソルダーレジスト層に形成された開口部内に形成されたピンの形成過程を説明するための図である。

図１〜４に示す配線基板１は、耐熱性樹脂板（たとえばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）や、繊維強化樹脂板（たとえばガラス繊維強化エポキシ樹脂）等で構成された板状コア２の両表面に、所定のパターンに形成されてなる金属配線７ａをなすコア導体層Ｍ１，Ｍ１１（単に導体層ともいう）がＣｕメッキによりそれぞれ形成されている。これらコア導体層Ｍ１，Ｍ１１は板状コア２の表面の大部分を被覆する面導体パターンとして形成され、電源層または接地層として用いられるものである。

他方、板状コア２には、ドリル等により穿設されたスルーホール１２が形成され、その内壁面にはコア導体層Ｍ１，Ｍ１１を互いに導通させるスルーホール導体３０が形成されている。また、スルーホール１２は、エポキシ樹脂等の樹脂製穴埋め材３１により充填されている。

また、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１の上層には、熱硬化性樹脂組成物６にて構成された第１のビア層（ビルドアップ層：絶縁層）Ｖ１，Ｖ１１がそれぞれ形成されている。さらに、その表面には、所定のパターンに形成されてなる金属配線７ｂをなす第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２がＣｕメッキによりそれぞれ形成されている。なお、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１と第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２とは、それぞれビア３４により層間接続がなされている。同様に、第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２の上層には、熱硬化性樹脂組成物６を用いた第２のビア層（ビルドアップ層：絶縁層）Ｖ２，Ｖ１２がそれぞれ形成されている。

第２のビア層Ｖ２及びＶ１２上には、それぞれ金属端子パッド１０，１６を有する第２の導体層Ｍ３，Ｍ１３が形成されている。これら第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２と第２の導体層Ｍ３，Ｍ１３とは、それぞれビア３４により層間接続がなされている。ビア３４は、ビアホール３４ｈとその内周面に設けられたビア導体３４ｓと、底面側にてビア導体３４ｓと導通するように設けられたビアパッド３４ｐと、ビアパッド３４ｐと反対側にてビア導体３４ｈの開口周縁から外向きに張り出すビアランド３４ｌとを有している。

以上のように、板状コア２の第１の主面ＭＰ１上には、コア導体層Ｍ１、第１のビア層Ｖ１、第１の導体層Ｍ２、第２のビア層Ｖ２及び第２の導体層Ｍ３が順次に積層され、第１の配線積層部Ｌ１を形成している。また、板状コア２の第２の主面ＭＰ２上においては、コア導体層Ｍ１１、第１のビア層Ｖ１１、第１の導体層Ｍ１２、第２のビア層Ｖ１２及び第２の導体層Ｍ１３が順次に積層され、第２の配線積層部Ｌ２を形成している。そして、第１の主表面ＣＰ１上には複数の金属端子パッド１０が形成されており、第２の主表面ＣＰ２上には、複数の金属端子パッド１６が形成されている。

なお、金属端子パッド１０は、リフローすることによって形成したはんだバンプ１１を介して、図示しない半導体素子をフリップチップ接続するためのパッド（ＦＣパッド）であり、半導体素子搭載領域を構成する。図１に示すように、これら金属端子パッド１０は、配線基板１の略中央部において形成され、矩形状に配列されている。

また、金属端子パッド１６は、配線基板１をソケット等に接続するためのピンを固定する裏面ランド（ＰＧＡパッド）として利用されるものであって、これら金属端子パッド１６は、配線基板１の略中心部を除く外周領域に形成され、前記略中央部を囲むようにして矩形状に配列されている。

さらに、第１の主表面ＣＰ１上には開口部８ａを有するソルダーレジスト層８が形成されており、第２の主表面ＣＰ２上にも開口部１８ａを有するソルダーレジスト層１８が形成されている。開口部１８ａに露出した金属端子パッド１６には、ピン１７がはんだ１９によって固定され、金属端子パッド１６とピン１７とが電気的に接続されている。

はんだは、例えばＳｎ−Ｓｂ，Ｓｎ−Ｐｂ，Ｓｎ−Ａｇ及びＳｎ−Ａｇ−Ｃｕなどから構成することができる。

なお、図１〜４から明らかなように、本実施形態における配線基板１は矩形の略板形状を呈しており、その大きさは、例えば約３５ｍｍ×約３５ｍｍ×約１ｍｍとすることができる。

図５及び図６に示すように、ピン１７は、底面が半球状を呈し、上面側の中心部に形成された段部１７３を有する円板状の基部１７１と、平面視で円形をなす段部１７３に立設される軸部１７２と、基部１７１の上面及び段部１７３の上面において、基部１７１の外周端から中心部に向かって連続するようにして形成された１つの線状の突起部１７４とを有している。

ピン１７は、一般に電気伝導性に優れた金属材料から構成されるため、ピン１７を固定する際に、はんだがピン１７に対して濡れ広がり、ピン１７を這い上がるようになる。しかしながら、本実施形態においては、上述のように、ピン１７の基部１７１の中心部に段部１７３を形成するようにしている。したがって、はんだのピン１７に対する濡れ広がりは、段部１７３において抑制されるので、はんだがピン１７の軸部１７２まで濡れ広がって、軸部１７２の表面にはんだ層を形成するようなことがない。

このため、ピン１７の軸部の太さが設計値よりも増大してしまい、配線基板１を電気的に接続すべき外部ソケットの孔径よりも大きくなって、外部端子であるピン１７を当該ソケットに装着することができなくなってしまうという問題を回避することができる。また、ピン１７をソケットに装着できた場合において、その軸部１７２には電気伝導性に劣るはんだ層が形成されていないので、ピン１７とソケットとの接続部における電気伝導性の劣化を抑制することができ、配線基板１からの電気信号を高いＳ／Ｎ比の下に外部回路に伝送することが可能になり、さらに配線基板１に供給すべき電力の劣化も抑制して、配線基板１の駆動性の劣化を防止することができる。

また、本実施形態においては、ピン１７の、段部１７３の上面を含む基部１７１の上面において、基部１７１の外周端から中心部に向かって連続するように、線状の突起部１７４を形成するようにしている。したがって、ピン１７を固定するはんだは、突起部１７４を辿って上昇する一方、上述のように、はんだの濡れ広がりは段部１７３で抑制されるので、上記はんだは、例えば基部１７１の上面（段部１７３の側面）を覆うようになる。したがって、ピン１７の、金属端子パッド１６への接合強度を増大させることができる。

換言すれば、ピン１７を固定する際のはんだの濡れ広がりを抑制し、ピン１７の性能劣化を防止するとともに、ピン１７を金属端子パッド１６に対して強固に固定することができる。

ピン１７の表面、すなわち基部１７１、軸部１７２、段部１７３及び突起部１７４の表面に、少なくとも金を含むめっき層を形成することができる。金を含む例えばＮｉ／Ａｕめっき層は、特にはんだとの濡れ性が高いので、ピン１７に対するはんだの濡れ広がり性が増大する。しかしながら、本実施形態においては、上述のように段部１７３を有しているので、上記はんだの濡れ広がり性の増大による軸部１７２への這い上がりを効果的に抑制することができる。一方、はんだは突起部１７４を辿って容易に上昇し、基部１７１の上面（段部１７３の側面）を簡易に覆うことができるようになる。したがって、金属端子パッド１６に対するピン１７の接合強度を向上させることができる。

また、ピン１７の基部１７１、軸部１７２、段部１７３及び突起部１７４は同一の材料から構成することができる。これによって、ピン１７の製造工程を簡略化することができる。なお、ここでいう材料とは、ピン１７を構成する母材を意味するものであり、Ｃｕなどの金属材料を用いることができる。

さらに、ピン１７の基部１７１の上面側の角部は曲面状とすることができる。この場合、上記はんだは、ピン１７の基部１７１の上面（段部１７３の側面）にまで容易に達することができる。したがって、ピン１７の、金属端子パッド１６への接合強度を容易に増大させることができる。なお、基部１７１の角部を曲面状とするには、例えばピン１７に対してバレル研磨を行う。

なお、ピン１７の、基部１７１の直径ｄ１は、例えば０．５ｍｍ〜０．８ｍｍとすることができ、段部１７３よりも外周側における基部１７１の高さｈ１は、例えば０．１４ｍｍ〜０．２５ｍｍとすることができる。軸部１７２の直径ｄ２は、例えば０．２９ｍｍ〜０．３２ｍｍとすることができ、高さｈ２は、１．４ｍｍ〜２．０ｍｍとすることができる。軸部１７２よりも外周側における段部１７３の幅ｔ１は、例えば０．０５ｍｍ〜０．１５ｍｍとすることができ、高さｈ３は０．０１ｍｍ〜０．０５ｍｍとすることができる。突起部１７４の幅ｔ２は、０．００５ｍｍ〜０．０１５ｍｍとすることができ、高さｈ４は０．００５ｍｍ〜０．０１５ｍｍとすることができる。

図７及び図８は、本実施形態におけるピン１７の製造方法の一例を示す図である。図７は、ピン１７の一製造工程を示す正面図であり、図８は、ピン１７の同一製造工程を示す側面図である。

図７及び図８に示すように、ピン１７の原材料であるワイヤ１７Ｘを上型４１及び下型４２によって狭持する。上型４１及び下型４２には、ワイヤ１７Ｘを狭持した際に、互いに連続するようなリング状の溝部４１Ａ及び４２Ａが形成されている。したがって、ワイヤ１７Ｘの、上型４１及び下型４２の左方に突出した部分を、押圧部材４３によって殴打して押圧することにより、当該部分は円弧状に変形してピン１７の基部１７１となり、上型４１及び下型４２で狭持された部分は、ピン１７の軸部１７２を構成するようになる。

また、上述のように押圧部材４３によって殴打する際に、ワイヤ１７Ｘの突出した部分は、変形して溝部４１Ａ及び４２Ａ内に圧入されるようになる。したがって、溝部４１Ａ及び４２Ａ内に圧入された部分が、ピン１７の段部１７３を構成するようになる。

さらに、上述のように押圧部材４３によって殴打する際に、ワイヤ１７Ｘの突出した部分は、変形して上型４１及び下型４２の境界部分Ｓに形成された隙間に圧入され、バリを形成するようになる。本実施形態では、このようにして形成されたバリを削り取ることなく、そのまま残存させる。これによって、上記バリが上記突起部１７４を構成するようになる。

このような製造方法によれば、通常のピンの構造に対して、本発明の特徴部分である段部１７３及び突起部１７４を簡易に形成することができる。

但し、上述した製造方法はあくまで一例であって、段部１７３及び突起部１７４は、溶接やろう付け等によって形成することもできる。また、基部１７１を設計値より厚く形成し（高さｈ１を大きくし）、その後に、基部１７１の表面をレーザ等で加工することにより、上記段部１７３及び突起部１７４とすることもできる。

（配線基板の製造方法）
次に、図１〜４に示す配線基板の製造方法について説明する。図９〜１８は、本実施形態における製造方法の工程図である。なお、以下に示す工程図は、図４に相当する、配線基板のII−II線に沿って切った場合の断面で見た場合の順次の工程を中心に示すものである。

最初に、図９に示すように、板形状の耐熱性樹脂板（たとえばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）または繊維強化樹脂板（たとえばガラス繊維強化エポキシ樹脂）を、コア２として用意し、ドリリング等の方法でスルーホール１２を穿孔する。次いで、図１０に示すように、パターンメッキによりコア導体層Ｍ１，Ｍ１１及びスルーホール導体３０を形成し、スルーホール１２に樹脂製穴埋め材３１を充填する。

次に、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１に粗化処理を施したのち、図１１に示すように、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１を被覆するように樹脂フィルム６をラミネート及び硬化させて、絶縁層Ｖ１，Ｖ１１を得る。樹脂フィルムは、必要に応じてフィラーを含んでいてもよい。

次いで、図１２に示すように、絶縁層Ｖ１，Ｖ１１（ビア層）に対してその主表面からレーザを照射し、所定のパターンにてビアホール３４ｈを形成し、ビアホール３４ｈを含む絶縁層Ｖ１及びＶ１１に対して粗化処理を実施する。なお、絶縁層Ｖ１及びＶ１１が、フィラーを含む場合は、上述のようにして絶縁層Ｖ１及びＶ１１に対して粗化処理を施すと、フィラーが遊離して、絶縁層Ｖ１及びＶ１１上に残存するようになるので、適宜水洗浄を実施して、遊離したフィラーを除去する。

次いで、デスミア処理及びアウトラインエッチングを実施してビアホール３４ｈ内を洗浄する。なお、本実施形態では、水洗浄を実施しているので、デスミア工程における水洗浄の際に、上記フィラーの凝集を抑制することができる。

また、本例では、上述した高水圧による水洗浄と上記デスミア処理の間に、エアーブローを行うことができる。これによって、上述した水洗浄によって遊離したフィラーが完全に除去されていない場合でも、エアーブローにおいてフィラーの除去を補完することができる。

次いで、図１３に示すように、パターンメッキにより第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２及びビア導体３４ｓを形成する。第１の導体層Ｍ２、Ｍ１２は、セミアディティブ法等により、以下のようにして形成する。最初に、絶縁層Ｖ１，Ｖ１１上に、例えば無電解銅めっき膜を形成した後、この無電解銅メッキ膜上にレジストを形成し、このレジストの非形成部分に電解銅めっきを行う。なお、前記レジストはＫＯＨ等で剥離除去し、パターニングされた第１の導体層Ｍ２、Ｍ１２を形成することができる。

次いで、第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２に粗化処理を施したのち、図１４に示すように、第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２を被覆するように樹脂フィルム６をラミネート及び硬化させて、絶縁層Ｖ２，Ｖ１２を得る。この樹脂フィルムも、上述したように、必要に応じてフィラーを含んでいてもよい。

次いで、図１５に示すように、絶縁層Ｖ２，Ｖ１２（ビア層）に対してその主表面からレーザを照射し、所定のパターンにてビアホール３４ｈを形成し、ビアホール３４ｈを含む絶縁層Ｖ２及びＶ１２に対して粗化処理を実施する。絶縁層Ｖ２及びＶ１２がフィラーを含む場合は、上述のようにして絶縁層Ｖ２及びＶ１２に対して粗化処理を施すと、フィラーが遊離して、絶縁層Ｖ２及びＶ１２上に残存するようになるので、上記同様に適宜水洗浄、エアーブローを行う。次いで、ビアホール３４ｈに対して、デスミア処理及び外形エッチング（アウトラインエッチング）を実施してビアホール３４ｈ内を洗浄する。

次いで、図１６に示すように、パターンメッキにより第２の導体層Ｍ３，Ｍ１３及びビア導体３４ｓを形成する。

その後、図１７に示すように、第２の導体層Ｍ３，Ｍ１３上に、ビアホール３４ｈ内を埋設するようにしてレジスト層８及び１８をそれぞれ形成し、露光現像処理を施すことによって、図１８に示すように、開口部１８ａを形成する。

次いで、図１７に示す製造過程にある配線基板アセンブリにおいては、開口部１８ａに露出した金属端子パッド１６上にはんだを印刷し、はんだが印刷された金属端子パッド上に図５及び図６に示すようなピン１７を配置してリフローした後、当該はんだを固化させてピン１７を固定する。以上のような工程を経ることにより、図１〜４に示すような配線基板１を得る。

レジスト層８及び１８に対しては必要に応じてプラズマ処理を実施することができる。このプラズマ処理は、プラズマ照射によって、レジスト層８及び１８の特に表面を活性化するために実施するものであって、これによって、例えばパッケージ化する際に、封止樹脂層に対する濡れ性が向上することになり、封止樹脂層の塗布性が向上するようになる。特に、配線基板と例えば半導体素子等との狭い空隙にアンダーフィル樹脂を充填する際には、上述した濡れ性の向上によってアンダーフィル樹脂が配線基板、すなわちレジスト層８上で容易に広がるようになるので、従来困難であったアンダーフィル樹脂の注入も容易に行うことができる。

なお、上述のように、ピン１７は、ピン１７の基部１７１の上面及び段部１７３の上面において、例えば、図７及び図８に関連して説明したように、ピン１７の形成時に生じるバリ等の線状の突起部１７４が基部１７１の外周端から中心部に向かって連続するように形成されているので、図５に示すように、上記はんだは、突起部１７４を辿って上昇し、ピン１７の基部１７１の上面（段部１７３の側面）を覆うようにして形成される。したがって、ピン１７の金属端子パッド１６、すなわち製造過程にある配線基板アセンブリへの接合強度を増大させることができる。

また、ピン１７を例えばバレル研磨等で研磨処理すれば、基部１７１の上面側の角部は、図５に示すように曲面状となるので、上記はんだは、基部１７１の上面（段部１７３の側面）にまで容易に達する。したがって、ピン１７の金属端子パッド１６、すなわち製造過程にある配線基板アセンブリへの接合強度を簡易に増大させることができる。

さらに、ピン１７の外表面、すなわち、基部１７１、軸部１７２、段部１７３及び突起部１７４の表面に金を含むめっき、例えばＮｉ／Ａｕめっきを施せば、上述したように、金ははんだとの濡れ性が高いので、はんだは突起部１７４を辿って容易に上昇し、基部１７１の上面（段部１７３の側面）を簡易に覆うことができるようになる。したがって、製造過程にある配線基板アセンブリ、すなわち最終的な配線基板１に対するピン１７の接合強度を向上させることができる。但し、はんだの濡れ広がりは、段部１７３によって抑制されるので、はんだが段部１７３を超えて軸部１７２に致り、軸部１７２の表面にはんだ層が形成されることはない。

以上、本発明を具体例を挙げながら詳細に説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。

例えば、上記具体例においては、コア基板２を有する配線基板１に対して説明したが、本発明の製造方法は、当然にコア基板２を有しない配線基板においても適用することができる。

例えば、上記具体例においては、底面が半球状を呈する基部１７１を有するピン１７に対して説明したが、基部１７１の底面形状は特に限定されるものではなく、種々の形状に変形することが可能である。

１配線基板、
Ｍ１コア導体層
Ｖ１第１のビア層
Ｍ２第１の導体層
Ｖ２第２のビア層
Ｍ１１コア導体層
Ｖ１１第１のビア層
Ｍ１２第１の導体層
Ｖ１２第２のビア層
３４ｌビアランド
３４ｐビアパッド
３４ｓビア導体
７ａ，７ｂ金属配線
８，１８ソルダーレジスト層
８ａ，１８ａ開口部
１７ピン
１９はんだ

Claims

互いに積層された少なくとも１層の導体層及び少なくとも１層の樹脂絶縁層と、
はんだを介して、前記少なくとも１層の導体層に電気的に接続された複数のピンと、を備えた配線基板であって、
前記ピンは、段部を上面側の中心部に有する基部と、前記段部に立設された軸部と、少なくとも前記基部の上面において外周端から前記中心部に向かって連続するようにして形成された少なくとも１つの線状の突起部と、を有し、
前記基部は、前記はんだによって前記少なくとも１層の導体層に固定されていることを特徴とする配線基板。
前記はんだは、前記ピンの、少なくとも前記基部の上面側を覆っていることを特徴とする、請求項１に記載の配線基板。
前記ピンの、前記基部、前記軸部、及び前記突起部の表面には、少なくとも金を含むめっき層が形成されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の配線基板。
前記ピンにおいて、前記基部の上面側の角部が曲面状に形成されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の配線基板。