JP2008177619A - チップキャリア及び半導体装置並びにチップキャリアの製造方法 - Google Patents
チップキャリア及び半導体装置並びにチップキャリアの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008177619A JP2008177619A JP2008103567A JP2008103567A JP2008177619A JP 2008177619 A JP2008177619 A JP 2008177619A JP 2008103567 A JP2008103567 A JP 2008103567A JP 2008103567 A JP2008103567 A JP 2008103567A JP 2008177619 A JP2008177619 A JP 2008177619A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- chip carrier
- insulating substrate
- layer
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
【解決手段】絶縁基板13の片面に電極パッド16と接合ろう15からなるバンプ21が、もう一方の面に配線層17及び配線層19からなる多層配線を形成してチップキャリア10を得る。さらに、ICチップのパッドとチップキャリア基板のバンプ21とを接合し半田フリップチップ実装して半導体装置を得る。
【選択図】図1
Description
(a)金属板11上にスペーサー層12及び絶縁基板13を形成する工程。
(b)スペーサー層12及び絶縁基板13の所定位置に開口部14を形成する工程。
(c)開口部14に電解めっきにより所定厚の接合ろう15を形成する工程。
(d)接合ろう15が形成された開口部14の残部に電解めっきにより電極パッド16を形成する工程。
(e)電極パッド16及び絶縁基板13上に配線層17及び19からなる多層配線を形成する工程。
(f)金属板11及びスペーサー層12を剥離・除去してチップキャリア10を形成する工程。
さらに、本発明の製造方法でバンプを形成すると、接合ろうの厚みを精度良く形成できるとともに、実装条件にあった接合ろう(材料配合及び厚み)を設定でき、且つ絶縁基板上に均一な高さのバンプを形成できる。
さらに、本発明のチップキャリアを用いて半田フリップチップ実装した場合高い接合信頼性を有する半導体装置を実現することができる。
これにより、実装信頼性の高い半導体装置を提供でき、半導体パッケージ分野において優れた実用上の効果を発揮できる。
図1(a)に本発明のチップキャリアの一実施例を示す模式斜視図を、図1(b)に図1(a)の本発明のチップキャリアの一実施例を示す斜視図をA−A線で切断した構成断面図を、図2(a)〜(f)に本発明のチップキャリアの一実施例を工程順に示す構成断面図を、図3(a)に本発明のチップキャリアを用いてICチップを半田フリップチップ実装した本発明の半導体装置の一実施例を示す模式斜視図を、図3(b)に本発明の半導体装置の一実施例を示す模式斜視図をB−B線で切断した模式構成断面図を、それぞれ示す。
さらに、チップキャリア10上にICチップ31を半田フリップチップ実装して本発明の半導体装置30を得る。
バンプ21は電極パッド16の一部が絶縁基板13に埋め込まれた形で形成されており、この絶縁基板13がソルダーレジストを兼ねているため、従来のチップキャリアのようにバンプの周辺にソルダーレジストを形成する必要がなく、バンプ21の絶縁基板13の表面からの高さは後の製造工程で述べるスペーサ層の厚み及び接合ろう16の高さで決まり、両者を精度良く形成してやれば、バンプ21の高さは精度良く形成できるので、ICチップ31を半田フリップチップ実装する際にもICチップ31のパッド32とチップキャリア10のバンプ21との高い接合信頼性を実現することができる。
まず、金属基板11上にスペーサ層12及び絶縁基板13を形成する(図2(a)参照)。
ここで、金属基板11は導電性を有する金属であれば使用可能であるが、ここでは製造プロセス上ステンレス板が好ましい。スペーサ層12は接合ろう15及び電極パッド16を電解めっきで形成するために使用されるもので、絶縁性を有する樹脂であれば使用可能であるが、後工程で最終的に剥離・除去されるため、電解めっきプロセスには充分な耐性を有し、且つ剥離処理が容易な液状の感光性レジスト又はドライフィルムレジストが好適である。また、スペーサ層12の厚みは絶縁基板13の面からのバンプ21の高さを決めることになるので均一な厚みバラツキのない層を形成してやる必要がある。さらに、絶縁基板13の面からのバンプ21の高さは5〜200μmがで、好ましくは40〜100μmである。
開口部14の形状は円柱もしくは円錐台形状が一般的である。
接合ろう15の金属材料としては、湿式メッキ法にて形成可能で、且つ実装時の加熱温度で溶融してICチップのパッドとの接合が完了する金属が望ましい。
ここでは鉛−錫半田が好適である。
電極パッド16の金属材料としては電気抵抗が低い銅及び銅合金がもっとも適している。さらに、配線層が銅金属で形成されるため配線層との接続信頼性の点からも好都合である。また、電極パッド16は電解めっき法の他にスクリーン印刷による金属ペースト充填法や高速無電解めっき法でも形成可能である。
ここでは、2層の多層配線について記述したが特に限定されるものではなく、単層若しくは2層以上の多層配線を必要に応じて適宜設定できる。
まず、0.3mm厚のステンレス板からなる金属基板11上に25μm厚のドライフィルムレジスト(H−K825:日立化成工業(株)製)をラミネートしてスペーサ層12を形成し、このスペーサ層12を接着層として、90μm厚のポリイミドフィルム(カプトン:デュポン(株)製)をラミネートして絶縁基板13を形成した。
本発明のチップキャリア10を用いてICチップをフリップチップ実装した結果ICチップ31のパッド32側に適正な量の半田が供給されて、高い接合信頼性を有する本発明の半導体装置30が得られた。
11……金属基板
12……スペーサ層
13……絶縁基板
14……開口部
15……接合ろう
16……電極パッド
17……配線層
18……絶縁層
19……配線層
21……バンプ
30……半導体装置
31……ICチップ
32……パッド
Claims (4)
- 絶縁基板に配線層及びバンプが形成されたチップキャリアにおいて、前記絶縁基板の片面に前記配線層が、もう一方の面に前記バンプが形成されていることを特徴とするチップキャリア。
- 前記バンプは電極パッドと接合ろうとからなることを特徴とする請求項1に記載のチップキャリア。
- 請求項1又は2に記載のチップキャリアを用いてICチップを半田フリップチップ実装したことを特徴とする半導体装置。
- 以下の工程を有することを特徴とする請求項1又は2に記載のチップキャリアの製造方法。
(a)金属板(11)上にスペーサー層(12)及び絶縁基板(13)を形成する工程。
(b)スペーサー層(12)及び絶縁基板(13)の所定位置に開口部(14)を形成する工程。
(c)開口部(14)に電解めっきにより所定厚の接合ろう(15)を形成する工程。
(d)接合ろう(15)が形成された開口部(14)の残部に電解めっきにより電極パッド(16)を形成する工程。
(e)電極パッド(16)及び絶縁基板(13)上に配線層(17)及び(19)からなる多層配線を形成する工程。
(f)金属板(11)及びスペーサー層(12)を剥離除去してチップキャリア(10)を形成する工程。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008103567A JP4835629B2 (ja) | 2008-04-11 | 2008-04-11 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008103567A JP4835629B2 (ja) | 2008-04-11 | 2008-04-11 | 半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP09606399A Division JP4161463B2 (ja) | 1999-04-02 | 1999-04-02 | チップキャリアの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008177619A true JP2008177619A (ja) | 2008-07-31 |
JP4835629B2 JP4835629B2 (ja) | 2011-12-14 |
Family
ID=39704344
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008103567A Expired - Fee Related JP4835629B2 (ja) | 2008-04-11 | 2008-04-11 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4835629B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20100114845A (ko) * | 2009-04-16 | 2010-10-26 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | 기둥 형상의 돌출부를 가지는 배선 기판 |
JP2011040702A (ja) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Kinko Denshi Kofun Yugenkoshi | コアレスパッケージ基板及びその製造方法 |
JP2013038443A (ja) * | 2012-10-04 | 2013-02-21 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板及び半導体パッケージ |
JP2015159223A (ja) * | 2014-02-25 | 2015-09-03 | 凸版印刷株式会社 | ポスト電極、ポスト電極の製造方法および回路基板 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220022762A (ko) | 2020-08-19 | 2022-02-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03177034A (ja) * | 1989-12-05 | 1991-08-01 | Casio Comput Co Ltd | 電子部品の接続方法 |
JPH06216195A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-08-05 | Sumitomo Kinzoku Ceramics:Kk | バンプ付セラミックス基板 |
JPH09243661A (ja) * | 1996-03-06 | 1997-09-19 | Nitto Denko Corp | プローブの製造方法およびそれに用いられる回路基板 |
JPH09260528A (ja) * | 1996-03-21 | 1997-10-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
-
2008
- 2008-04-11 JP JP2008103567A patent/JP4835629B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03177034A (ja) * | 1989-12-05 | 1991-08-01 | Casio Comput Co Ltd | 電子部品の接続方法 |
JPH06216195A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-08-05 | Sumitomo Kinzoku Ceramics:Kk | バンプ付セラミックス基板 |
JPH09243661A (ja) * | 1996-03-06 | 1997-09-19 | Nitto Denko Corp | プローブの製造方法およびそれに用いられる回路基板 |
JPH09260528A (ja) * | 1996-03-21 | 1997-10-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20100114845A (ko) * | 2009-04-16 | 2010-10-26 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | 기둥 형상의 돌출부를 가지는 배선 기판 |
JP2010251552A (ja) * | 2009-04-16 | 2010-11-04 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板及び半導体パッケージ並びにそれらの製造方法 |
US8458900B2 (en) | 2009-04-16 | 2013-06-11 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Wiring substrate having columnar protruding part |
US9018538B2 (en) | 2009-04-16 | 2015-04-28 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Wiring substrate having columnar protruding part |
KR101709629B1 (ko) * | 2009-04-16 | 2017-02-23 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | 기둥 형상의 돌출부를 가지는 배선 기판 제조 방법 |
JP2011040702A (ja) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Kinko Denshi Kofun Yugenkoshi | コアレスパッケージ基板及びその製造方法 |
JP2013038443A (ja) * | 2012-10-04 | 2013-02-21 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板及び半導体パッケージ |
JP2015159223A (ja) * | 2014-02-25 | 2015-09-03 | 凸版印刷株式会社 | ポスト電極、ポスト電極の製造方法および回路基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4835629B2 (ja) | 2011-12-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5113114B2 (ja) | 配線基板の製造方法及び配線基板 | |
TWI451536B (zh) | 多層配線基板及其製造方法 | |
JP4204989B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5138277B2 (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
JP4673207B2 (ja) | 多層プリント配線板およびその製造方法 | |
JP2009158593A (ja) | バンプ構造およびその製造方法 | |
JPWO2007126090A1 (ja) | 回路基板、電子デバイス装置及び回路基板の製造方法 | |
JP2015026722A (ja) | バンプ構造、配線基板及び半導体装置並びにバンプ構造の製造方法 | |
JP4835629B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4918780B2 (ja) | 多層配線基板の製造方法、ならびに半導体装置 | |
JP2015144157A (ja) | 回路基板、電子装置及び電子装置の製造方法 | |
JP2009272435A (ja) | 部品内蔵基板及びその製造方法 | |
JP4161463B2 (ja) | チップキャリアの製造方法 | |
JP6107021B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP5363377B2 (ja) | 配線基板及びその製造方法 | |
JP2008192878A (ja) | 多層配線基板及びその製造方法 | |
JP4429435B2 (ja) | バンプ付き二層回路テープキャリアおよびその製造方法 | |
JP2007305636A (ja) | 部品実装モジュール | |
KR100746365B1 (ko) | 플립칩 실장용 기판의 제조방법 | |
JP2016127066A (ja) | バンプ付きプリント配線板およびその製造方法 | |
JP5359993B2 (ja) | 部品内蔵配線板、部品内蔵配線板の製造方法 | |
JP5653144B2 (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
JP2004200608A (ja) | プリント配線基板およびその製造方法 | |
CN108305864A (zh) | 新型端子 | |
JP2012204732A (ja) | 配線基板およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080512 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110510 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110708 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110830 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110912 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141007 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |