JP2011040702A - コアレスパッケージ基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】対向する第1の表面24aと第2の表面24bを有する補助誘電体層24と、第2の表面に設けられた内層回路26と、第2の表面と内層回路に設けられたビルドアップ構造からなる基板本体2と、対向する第1端252aと第2端252bを有する金属柱252と、第1端に設けられた半田層251とからなる複数の電気接触バンプ25とを備え、金属柱の第2端が補助誘電体層に位置して内層回路26に電気的に接続され、金属柱の第1端と半田層が補助誘電体層の第1の表面に突出される。
【選択図】図11
Description
図12に示すように、まず、搭載板10を用意し、前記搭載板10の両表面に薄膜金属層11、離型膜12、キャリア金属層13が順次に設けられている。
図14に示すように、前記第1の誘電体層14にフォトリソグラフィ(photolithography)またはレーザーアブレーション(laser ablation)によって複数のビア140が形成され、エッチングによってそれらのビア140が露出されたキャリア金属層13の表面に複数の凹部(concave)130が形成されている。
図17に示すように、前記キャリア金属層13を除去し、第1の誘電体層14の表面に突出される半田バンプ141aが複数形成され、コアレスパッケージ基板を作成する。前記半田バンプ141aは後の工程において半導体チップ(図示せず)に接続され、前記電気接触パッド154は後にプリント回路基板(図示せず)に接続される。
本発明は、対向する両表面を有するキャリア層と、前記キャリア層の対向する両表面に形成された離型膜と、前記離型膜上に形成された金属層と、前記金属層に形成された第1のレジスト層と、前記第1のレジスト層に形成された補助誘電体層とからなり、且つ前記の各補助誘電体層に有効領域が定義された基材を用意する工程と、前記補助誘電体層及び前記第1のレジスト層に金属層の表面の一部を露出させる複数の開孔を形成する工程と、前記各開孔にめっきによって半田層と金属柱を順次に形成する工程と、前記補助誘電体層に第2のレジスト層を形成し、前記第2のレジスト層にフォトリソグラフィにより複数の開口領域を形成することにより、補助誘電体層の一部を露出させ、それに対応して前記の各金属柱を露出させる工程と、前記の各開口領域にめっきによって内層回路を形成し、且つ前記内層回路をそれらの前記金属柱に接続させる工程と、前記第2のレジスト層を除去する工程と、少なくとも一つの誘電体層と、前記誘電体層に設けられた回路層と、前記誘電体層に設けられ前記回路層と内層回路に電気的に接続された導電ビアとを備え、且つ、最外層の回路層に複数の電気接触パッドを備えたビルドアップ構造を、前記補助誘電体層と内層回路に形成する工程と、前記ビルドアップ構造に、前記の各電気接触パッドを対応させて露出するための絶縁保護層開孔を複数備えた絶縁保護層を形成する工程と、前記有効領域以外の部分を除去する工程と、前記キャリア層と離型膜を除去して前記金属層を露出させ、二つの基礎基板を形成する工程と、前記金属層を除去して前記各開孔における半田層と金属柱で電気接触バンプを形成する工程と、前記第1のレジスト層を除去し、補助誘電体層と、内層回路と、ビルドアップ構造とからなるコア層がない基板本体を形成し、前記の各電気接触バンプを前記補助誘電体層の表面に突出させる工程と、を備えるコアレスパッケージ基板の製造方法がさらに掲示されている。
また、前記製造方法は、電気接触パッドに表面処理層を形成する工程をさらに含み、前記表面処理層は、めっきニッケル/金、めっき銀、めっきスズ、電気ニッケル・無電解金(EGIN)、無電解ニッケル・無電解パラジウム・置換金(ENEPIG)、無電解スズめっき(Immersion Tin)、化学金、化学銀、プリフラックス(OSP)からなる群の一つから選ばれて成るものである。
図1乃至図11は本発明に係るコアレスパッケージ基板の製造方法を示す図である。
図2に示すように、補助誘電体層24と第1のレジスト層23aに複数の開孔240を形成し、金属層22表面の一部を露出させる。前記開孔240は、フォトリソグラフィ(photolithography)、レーザーアブレーション、またはプラズマ(plasma)によって形成される。また、開孔240を形成する工程について、まず、補助誘電体層24に孔状構造を形成した後、第1のレジスト層23aに前記孔状構造に対応するビア230aを形成し、連通された孔状構造とビア230aによって開孔240を形成し、または補助誘電体層24と第1のレジスト層23aを同時に貫通することで開孔240を形成する。また、第1のレジスト層23aは、フォトレジスト材または感光可能な樹脂材から成り、補助誘電体層24は、誘電体材から成る。
図4に示すように、補助誘電体層24に第2のレジスト層23bを形成し、フォトリソグラフィによって前記第2のレジスト層23bに複数の開口領域230bを形成することで、補助誘電体層24の一部を露出させ且つ各金属柱252を対応的に露出させた後、各開口領域230bにおける補助誘電体層24と金属柱252に、めっきにより、金属柱252に電気的に接続された内層回路26を形成する。
図6に示すように、補助誘電体層24と内層回路26に、少なくとも一つの誘電体層270と、前記誘電体層270に設けられた回路層271と、前記誘電体層270に設けられ前記回路層271に電気的に接続された導電ビア272とを備えたビルドアップ構造27を形成し、導電ビア272’の 一部は回路層271’と内層回路26に電気的に接続され、且つ、最外層の回路層271にプリント回路基板(図示せず)に接続されるための複数の電気接触パッド273を備える。
図10に示すように、金属層22を除去し、各開孔240における半田層251と金属柱252で電気接触バンプ25を形成する。また、各電気接触パッド273に表面処理層30を形成する。
前記基板本体2は、対向する第1の表面24aと第2の表面24bを有する補助誘電体層24と、前記第2の表面24bに設けられた内層回路26と、前記第2の表面24bと前記内層回路26上に設けられたビルドアップ構造27からなる。前記ビルドアップ構造27は、少なくとも一つの誘電体層270と、前記誘電体層270に設けられた回路層271と、前記誘電体層270に形成され前記回路層271に電気的に接続された複数の導電ビア272とを備え、導電ビア272’の一部が回路層271’と内層回路26に電気的に接続され、且つ、最外層の回路層271にプリント回路基板(図示せず)に接続されるための複数の電気接触パッド273を備える。
2 基板本体
2’ 基礎基板
2a 基材
10 搭載板
11 薄膜金属層
12、21 離型膜
13 キャリア金属層
14 第1の誘電体層
15、27 ビルドアップ構造
16、29 絶縁保護層
20 キャリア層
20a 接着層
22 金属層
23a 第1のレジスト層
23b 第2のレジスト層
24 補助誘電体層
24a 第1の表面
24b 第2の表面
25 電気接触バンプ
26 内層回路
30 表面処理層
130 凹部
140、230a ビア
141a 半田バンプ
141b 第1の導電ビア
142 第1の回路層
151 第2の誘電体層
152 第2の回路層
153 第2の導電ビア
154、273 電気接触パッド
160、290 絶縁保護層開孔
230b 開口領域
240 開孔
251 半田層
252 金属柱
252a 第1端
252b 第2端
270 誘電体層
271、271’ 回路層
272、272’ 導電ビア
A 有効領域
S-S 切断線
Claims (14)
- 対向する第1の表面と第2の表面を有する補助誘電体層と、前記第2の表面に設けられた内層回路と、前記第2の表面と前記内層回路に設けられたビルドアップ構造とからなり、前記ビルドアップ構造は、少なくとも一つの誘電体層と、前記誘電体層に設けられた回路層と、前記誘電体層に形成され前記回路層に電気的に接続された複数の導電ビアとを備え、且つ前記導電ビアの一部は前記回路層と前記内層回路に電気的に接続され、また、前記ビルドアップ構造の最外層の回路層に複数の電気接触パッドをさらに備える基板本体と、
対向する第1端と第2端を有する金属柱と、前記第1端に設けられた半田層とからなり、前記金属柱の前記第2端が前記補助誘電体層に位置して前記内層回路に電気的に接続され、且つ前記金属柱の前記第1端と前記半田層が前記補助誘電体層の前記第1の表面に突出される複数の電気接触バンプと、
を備えることを特徴とするコアレスパッケージ基板。 - 前記ビルドアップ構造に設けられ、且つ前記の各電気接触パッドを対応させて露出させるための絶縁保護層開孔が複数形成された絶縁保護層をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のコアレスパッケージ基板。
- 前記の各電気接触パッドに設けられた表面処理層をさらに備えることを特徴とする請求項2に記載のコアレスパッケージ基板。
- 前記表面処理層は、めっきニッケル/金、めっき銀、めっきスズ、電気ニッケル・無電解金(EGIN)、無電解ニッケル・無電解パラジウム・置換金(ENEPIG)、無電解スズめっき(Immersion Tin)、化学金、化学銀、プリフラックス(OSP)からなる群の一つから選ばれて成るものであることを特徴とする請求項3に記載のコアレスパッケージ基板。
- 前記金属柱は、銅柱であることを特徴とする請求項1に記載のコアレスパッケージ基板。
- 対向する両表面を有するキャリア層と、前記キャリア層の対向する両表面に形成された離型膜と、前記離型膜上に形成された金属層と、前記金属層に形成された第1のレジスト層と、前記第1のレジスト層に形成された補助誘電体層とからなり、且つ前記の各補助誘電体層に有効領域が定義された基材を用意する工程と、
前記補助誘電体層及び前記第1のレジスト層に金属層の一部の表面を露出させる複数の開孔を形成する工程と、
前記の各開孔にめっきによって半田層と金属柱を順次に形成する工程と、
前記補助誘電体層に第2のレジスト層を形成し、前記第2のレジスト層にフォトリソグラフィにより複数の開口領域を形成することにより、補助誘電体層の一部を露出させ、それに対応して前記の各金属柱を露出させる工程と、
前記の各開口領域にめっきによって内層回路を形成し、且つ前記内層回路をそれらの前記金属柱に接続させる工程と、
前記第2のレジスト層を除去する工程と、
少なくとも一つの誘電体層と、前記誘電体層に設けられた回路層と、前記誘電体層に設けられ前記回路層と前記内層回路に電気的に接続された導電ビアとを備え、且つ、最外層の前記回路層に複数の電気接触パッドを備えたビルドアップ構造を、前記補助誘電体層と前記内層回路に形成する工程と、
前記ビルドアップ構造に、前記の各電気接触パッドを対応させて露出させるための絶縁保護層開孔を複数備えた絶縁保護層を形成する工程と、
前記有効領域以外の部分を除去する工程と、
前記キャリア層と前記離型膜を除去して前記金属層を露出させ、二つの基礎基板を形成する工程と、
前記金属層を除去して前記各開孔における半田層と金属柱で電気接触バンプを形成する工程と、
前記第1のレジスト層を除去し、補助誘電体層と、内層回路と、ビルドアップ構造とからなり、コア層がない基板本体を形成し、前記の各電気接触バンプを前記補助誘電体層の表面に突出させる工程と、を備えることを特徴とするコアレスパッケージ基板の製造方法。 - 前記キャリア層と前記金属層の面積は前記有効領域に対応する前記離型膜の面積より大きいことを特徴とする請求項6に記載のコアレスパッケージ基板の製造方法。
- 前記基材は、前記キャリア層と前記金属層との間、及び前記離型膜以外の領域に接着層が形成されることを特徴とする請求項7に記載のコアレスパッケージ基板の製造方法。
- 前記有効領域以外の部分を除去する時、前記接着層をともに除去することを特徴とする請求項8に記載のコアレスパッケージ基板の製造方法。
- 前記金属層は銅箔であることを特徴とする請求項6に記載のコアレスパッケージ基板の製造方法。
- 前記金属柱は銅柱であることを特徴とする請求項6に記載のコアレスパッケージ基板の製造方法。
- 切断方法によって前記有効領域以外の部分を除去することを特徴とする請求項6に記載のコアレスパッケージ基板の製造方法。
- 前記電気接触パッドに表面処理層を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項6に記載のコアレスパッケージ基板の製造方法。
- 前記表面処理層は、めっきニッケル/金、めっき銀、めっきスズ、電気ニッケル・無電解金(EGIN)、無電解ニッケル・無電解パラジウム・置換金(ENEPIG)、無電解スズめっき(Immersion Tin)、化学金、化学銀、プリフラックス(OSP)からなる群の一つから選ばれて成るものであることを特徴とする請求項13に記載のコアレスパッケージ基板の製造方法。
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