JP2015211146A - 配線基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】平板状の支持基板8上面に剥離可能な状態に金属箔10bを被着させる工程と、金属箔10b上に半導体素子接続パッド6を含む導体パターン用のめっきレジストRを形成して導体パターン用のめっき金属層2aを析出させる工程と、めっきレジストRおよびめっき金属層2a上に絶縁層1と配線導体層2とを交互に積層してめっき金属層2aと絶縁層1と配線導体層2とから成るビルドアップ部12を形成する工程と、金属箔10bを支持基板8から剥離して金属箔10b上にめっきレジスト層Rおよびビルドアップ部12が被着した積層体13を分離する工程と、積層体13の金属箔10bを除去した後、めっきレジストRを除去して半導体素子接続パッド6を含む最表層の配線導体層2をビルドアップ部12の最下層の絶縁層1表面から突出する状態に形成する。
【選択図】図3
Description
コアレス基板に搭載される半導体素子の電極は、電子機器の高機能化に伴い、小径で多数の電極が狭ピッチで形成されている。このため、半導体素子の電極と接続するためにコアレス基板の上面に設けられる半導体素子接続パッドも、小径で多数のパッドが狭ピッチで形成されている。
そして、これらの半導体素子の電極と半導体素子接続パッドとは互いに対向した状態で半田を介してフリップチップ接続される。
さらに半導体素子とコアレス基板との間には、アンダーフィルと呼ばれる封止樹脂が充填されてフリップチップ接続部が保護される。
なお、このようなコアレス基板においては、半導体素子の電極と半導体素子接続パッドとをフリップチップ接続により良好に接続するために、半導体素子が搭載される面の平坦性、すなわち半導体素子接続パッド表面の高さばらつきが小さいことが要求される。
また、半導体素子とコアレス基板との間への封止樹脂の充填を良好なものとするために、半導体素子接続パッドを基板の表面から突出させることにより、フリップチップ接続された半導体素子とコアレス基板との間の隙間を大きくする場合もある。
しかしながら、この引用文献1に開示された製造方法では、製造途中のコアレス基板の平坦性を確保するために、厚さ0.3mm程度の銅板上に半導体素子接続パッドや絶縁性樹脂層を形成した後、この銅板をエッチング除去することで半導体素子接続パッドが形成される。このため、厚い銅板をエッチング除去するのに時間を要することから効率良くコアレス基板を製造することができない。
なお、引用文献2の多層基板における極薄銅箔側と反対側の面の配線パターンを半導体素子接続パッドとすることで、半導体素子接続パッドを基板の表面から突出した状態とすることは可能である。しかしながら、この場合、極薄導体側から順次積み重ねられた配線パターンと層間絶縁樹脂層との厚みばらつきにより半導体素子接続パッドの高さばらつきが大きなものとなる。
また、本発明の配線基板の製造方法によれば、半導体素子接続パッドが最表層の絶縁層表面から突出した状態になることから、フリップチップ接続された半導体素子とコアレス基板との間の隙間を大きくして両者間への封止樹脂の充填を良好なものとすることができる。
そして、半導体素子と回路基板との間で配線導体層2を介して電気信号の伝送をすることで半導体素子が作動する。
プリプレグ8Pは、厚みが0.1〜0.2mm程度であり、縦横の寸法が400〜1000mm程度の略四角形である。プリプレグ8Pには、例えばガラス繊維にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて半硬化状態とした板状のものが用いられる。
分離フィルム9は、例えば銅箔等の金属箔や、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム等の耐熱フィルム等から成るのが好ましい。
第1の金属箔10aは、厚みが10〜30μm程度であり、製品形成用領域Xよりも大きく、かつ第2の金属箔10bよりも小さな寸法をしている。第2の金属箔10bは、厚みが1〜7μm程度であり、第1の金属箔10aよりも縦横がそれぞれ10〜20mm程度大きな寸法をしている。第1の金属箔10aおよび第2の金属箔10bは、例えば銅等の良導電性金属から成るのが好ましい。
また、接着層は配線基板Aの形成中にかかる熱負荷に耐え得る上で、例えばシリコン樹脂系、アクリル樹脂系等の耐熱性粘着材、あるいはニッケル系の金属層から成るのが好ましい。このような接着層は、後述するビルドアップ部12を支持基板8から分離するときに、第1の金属箔10aと第2の金属箔10bとの間で相互に剥がれ残りなく分離する上で、粘着力が1〜10N/m程度であるのが好ましい。
このとき、各プリプレグ8Pの外周部が分離フィルム9により被覆されないように配置することが好ましい。
なお、プリプレグ8Pの外周部には分離フィルム9で被覆されない領域が残されているので、この領域のプリプレグ8P同士が接合されることで2枚の支持基板8同士が固定される。また、製品形成用領域Xでは、分離フィルム9同士は、互いに接着せずに重なりあったままの状態である。
また、本発明の配線基板の製造方法によれば、半導体素子接続パッド6が、最表層の絶縁層1表面から突出した状態になることから、フリップチップ接続された半導体素子と配線基板Aとの間の隙間を大きくして両者間への封止樹脂の充填を良好なものとすることができる。
2 配線導体層
2a めっき金属層
6 半導体素子接続パッド
8 支持基板
10b (第2の)金属箔
12 ビルドアップ部
13 積層体
A 配線基板
R めっきレジスト
Claims (1)
- 平板状の支持基板を準備する工程と、
前記支持基板上面に該支持基板から剥離可能な状態に金属箔を被着させる工程と、
前記金属箔上に複数の半導体素子接続パッドを含む所定の導体パターンに対応する開口部を有するめっきレジストを形成する工程と、
前記開口部に露出する前記金属箔上に前記導体パターン用のめっき金属層を析出させる工程と、
前記めっきレジストおよびめっき金属層上に絶縁層と配線導体層とを交互に複数積層固着して、前記めっき金属層と絶縁層と配線導体層とから成るビルドアップ部を形成する工程と、
前記金属箔を前記支持基板から剥離することで、前記金属箔上に前記めっきレジストおよび前記ビルドアップ部が被着した積層体を分離する工程と、
前記積層体の前記金属箔をエッチング除去して前記めっき金属層および前記めっきレジストを露出する工程と、
前記めっきレジストを除去することで、前記半導体素子接続パッドを含む前記導体パターンから成る最表層の配線導体層を、前記ビルドアップ部の最下層の前記絶縁層表面から突出した状態となるように形成する工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
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JP2014092394A JP2015211146A (ja) | 2014-04-28 | 2014-04-28 | 配線基板の製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019016647A (ja) * | 2017-07-04 | 2019-01-31 | 日立化成株式会社 | ファンアウト・ウエハレベルパッケージの仮固定方法 |
Citations (2)
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---|---|---|---|---|
JP2011040702A (ja) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Kinko Denshi Kofun Yugenkoshi | コアレスパッケージ基板及びその製造方法 |
JP2012186270A (ja) * | 2011-03-04 | 2012-09-27 | Toppan Printing Co Ltd | 半導体パッケージの製造方法 |
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2014
- 2014-04-28 JP JP2014092394A patent/JP2015211146A/ja active Pending
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