JP6169955B2 - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、配線基板及びその製造方法に関する。

従来、受動部品を内蔵した配線基板において、配線層の高密度化を可能とする技術が知られている。具体的には、熱硬化性樹脂を積層した絶縁層を含む低配線密度層上に、感光性樹脂を積層した絶縁層を含む高配線密度層を形成した配線基板が知られている。なお、受動部品は、低配線密度層に内蔵されている（例えば、特許文献１参照）。

特開平１１−１２６９７８号公報

しかしながら、上記配線基板は、上下が非対称の構造であるため、配線基板に反りが生じる問題がある。配線基板に反りが生じると、高配線密度層上に電子部品を実装する際に問題となるおそれがある。

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、配線層の高密度化を実現しつつ反りを抑制可能な配線基板等を提供することを課題とする。

本配線基板は、熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁層と配線層を備えた第１の配線部材と、前記第１の配線部材の一方の側に積層された、感光性樹脂を主成分とする絶縁層と配線層を備えた第２の配線部材と、前記第１の配線部材の他方の側に積層された、感光性樹脂を主成分とする最外絶縁層と、を有し、前記第２の配線部材の配線密度は、前記第１の配線部材の配線密度よりも高く、前記最外絶縁層の厚さに対する前記第２の配線部材の厚さの比率は１と等しい、又は、１以下であることを要件とする。

開示の技術によれば、配線層の高密度化を実現しつつ反りを抑制可能な配線基板等を提供できる。

第１の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その４）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その５）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その６）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その７）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その８）である。 第１の実施の形態の変形例１に係る配線基板を例示する断面図である。 第１の実施の形態の変形例１に係る配線基板の製造工程を例示する図である。 第１の実施の形態の変形例１に係る半導体パッケージを例示する断面図である。 第１の実施の形態の変形例２に係る配線基板を例示する断面図である。 第１の実施の形態の変形例２に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。 第１の実施の形態の変形例２に係る配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。 第１の実施の形態の変形例３に係る配線基板を例示する断面図である。 第２の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。 第３の実施の形態に係る半導体パッケージを例示する断面図である。 実施例１のシミュレーション結果を例示する図である。 実施例２のシミュレーション結果を例示する図である。 実施例３のシミュレーション結果を例示する図である。

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

〈第１の実施の形態〉
［第１の実施の形態に係る配線基板の構造］
まず、第１の実施の形態に係る配線基板の構造について説明する。図１は、第１の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。図１を参照するに、第１の実施の形態に係る配線基板１は、第１の配線部材１０と、第１の配線部材１０の一方の側に積層された第２の配線部材３０と、第１の配線部材１０の他方の側に積層されたソルダーレジスト層４０とを有する。配線基板１の平面形状は、例えば、４０ｍｍ角の正方形状とすることができる。但し、これには限定されず、平面形状は任意の形状とすることができる。

以下、第１の配線部材１０、第２の配線部材３０、及びソルダーレジスト層４０について詳説する。なお、以下の説明では、便宜上、配線基板１の各構成要素において、第２の配線部材３０の配線層３７側（図１断面図中における上側）を一方の面又は上面と称する場合がある。又、ソルダーレジスト層４０側（図１断面図中における下側）を他方の面又は下面と称する場合がある。

まず、第１の配線部材１０について説明する。第１の配線部材１０は、第２の配線部材３０よりも配線密度の低い配線層が形成された低密度配線層である。第１の配線部材１０の略中心部には、コア層１１が設けられている。コア層１１としては、例えば、ガラスクロスにエポキシ系樹脂等の熱硬化性の絶縁性樹脂を含浸させた所謂ガラスエポキシ基板等を用いることができる。コア層１１として、ガラス繊維、炭素繊維、アラミド繊維等の織布や不織布にエポキシ系樹脂等の熱硬化性の絶縁性樹脂を含浸させた基板等を用いてもよい。コア層１１の厚さは、例えば、２００〜１０００μｍ程度とすることができる。なお、各図において、ガラスクロス等の図示は省略されている。

コア層１１には、複数の貫通孔１１ｘが形成されている。貫通孔１１ｘの平面形状は、例えば、直径が１００〜５００μｍ程度の円形とすることができる。貫通孔１１ｘのピッチは、例えば、２００〜１０００μｍ程度とすることができる。貫通孔１１ｘの内壁面には、貫通配線１９が形成されており、貫通孔１１ｘの中心部（貫通配線１９の内側）には樹脂部２９が充填されている。貫通配線１９の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。樹脂部２９の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を用いることができる。

コア層１１の一方の面１１ａには、配線層１２と、絶縁層１３と、配線層１４と、絶縁層１５と、配線層１６と、絶縁層１７と、配線層１８とが順次積層されている。配線層１２は、コア層１１の一方の面１１ａに形成されている配線パターンである。配線層２２は、コア層１１の他方の面１１ｂに形成されている配線パターンである。配線層１２は、コア層１１を貫通する貫通配線１９を介して、配線層２２と電気的に接続されている。配線層１２の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層１２の厚さは、例えば、１０〜２０μｍ程度とすることができる。配線層１２のライン／スペースは、例えば、２０μｍ／２０μｍ程度とすることができる。

絶縁層１３は、コア層１１の一方の面１１ａに、配線層１２を被覆するように形成されている。絶縁層１３の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂等を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層１３の厚さは、例えば２０〜４５μｍ程度とすることができる。絶縁層１３は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。なお、絶縁層１３は、本発明に係る第１絶縁層の代表的な一例である。

配線層１４は、絶縁層１３の一方の側に形成されており、配線層１２と電気的に接続されている。配線層１４は、絶縁層１３を貫通し配線層１２の一方の面を露出するビアホール１３ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１３の一方の面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール１３ｘは、絶縁層１５側に開口されている開口部の径が配線層１２の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大となる逆円錐台状の凹部とされている。ビアホール１３ｘの開口部の径は、例えば６０〜７０μｍ程度とすることができる。配線層１４の材料、配線層１４を構成する配線パターンの厚さやライン／スペースは、例えば、配線層１２と同様とすることができる。

絶縁層１５は、絶縁層１３の一方の面に、配線層１４を被覆するように形成されている。絶縁層１５の材料や厚さは、例えば、絶縁層１３と同様とすることができる。絶縁層１５は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。

配線層１６は、絶縁層１５の一方の側に形成されており、配線層１４と電気的に接続されている。配線層１６は、絶縁層１５を貫通し配線層１４の一方の面を露出するビアホール１５ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１５の一方の面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール１５ｘは、絶縁層１７側に開口されている開口部の径が配線層１４の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大となる逆円錐台状の凹部とされている。ビアホール１５ｘの開口部の径は、例えば６０〜７０μｍ程度とすることができる。配線層１６の材料、配線層１６を構成する配線パターンの厚さやライン／スペースは、例えば、配線層１２と同様とすることができる。

絶縁層１７は、絶縁層１５の一方の面に、配線層１６を被覆するように形成されている。絶縁層１７の材料や厚さは、例えば、絶縁層１３と同様とすることができる。絶縁層１７は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。

配線層１８は、絶縁層１７を貫通し配線層１６の一方の面を露出するビアホール１７ｘ内に充填されたビア配線であり、配線層１６と電気的に接続されている。ビアホール１７ｘは、第２の配線部材３０側に開口されている開口部の径が配線層１６の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大となる逆円錐台状の凹部とされている。ビアホール１７ｘの開口部の径は、例えば６０〜７０μｍ程度とすることができる。ビア配線である配線層１８の上面（第２の配線部材３０側の端面）は、例えば、絶縁層１７の上面（第２の配線部材３０側の面）と面一とすることができる。ビア配線である配線層１８の上面（第２の配線部材３０側の端面）は、第２の配線部材３０を構成する配線層３１と直接接合されている。配線層１８の材料は、例えば、配線層１２と同様とすることができる。

コア層１１の他方の面１１ｂには、配線層２２と、絶縁層２３と、配線層２４と、絶縁層２５と、配線層２６と、絶縁層２７と、配線層２８とが順次積層されている。配線層２２は、コア層１１の他方の面１１ｂに形成されている。配線層２２は、コア層１１を貫通する貫通配線１９を介して、コア層１１の一方の面１１ａに形成されている配線層１２と電気的に接続されている。配線層２２の材料、配線層２２の厚さやライン／スペースは、例えば、配線層１２と同様とすることができる。

絶縁層２３は、コア層１１の他方の面１１ｂに、配線層２２を被覆するように形成されている。絶縁層２３の材料や厚さは、例えば、絶縁層１３と同様とすることができる。絶縁層２３は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。なお、絶縁層２３は、本発明に係る第２絶縁層の代表的な一例である。

配線層２４は、絶縁層２３の他方の側に形成されており、配線層２２と電気的に接続されている。配線層２４は、絶縁層２３を貫通し配線層２２の他方の面を露出するビアホール２３ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層２３の他方の面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール２３ｘは、絶縁層２５側に開口されている開口部の径が配線層２２の下面によって形成された開口部の底面の径よりも大となる円錐台状の凹部とされている。ビアホール２３ｘの開口部の径は、例えば６０〜７０μｍ程度とすることができる。配線層２４の材料、配線層２４を構成する配線パターンの厚さやライン／スペースは、例えば、配線層１２と同様とすることができる。

絶縁層２５は、絶縁層２３の他方の面に、配線層２４を被覆するように形成されている。絶縁層２５の材料や厚さは、例えば、絶縁層１３と同様とすることができる。絶縁層２５は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。

配線層２６は、絶縁層２５の他方の側に形成されており、配線層２４と電気的に接続されている。配線層２６は、絶縁層２５を貫通し配線層２４の他方の面を露出するビアホール２５ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層２５の他方の面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール２５ｘは、絶縁層２７側に開口されている開口部の径が配線層２４の下面によって形成された開口部の底面の径よりも大となる円錐台状の凹部とされている。ビアホール２５ｘの開口部の径は、例えば６０〜７０μｍ程度とすることができる。配線層２６の材料、配線層２６を構成する配線パターンの厚さやライン／スペースは、例えば、配線層１２と同様とすることができる。

絶縁層２７は、絶縁層２５の他方の面に、配線層２６を被覆するように形成されている。絶縁層２７の材料や厚さは、例えば、絶縁層１３と同様とすることができる。絶縁層２７は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。

配線層２８は、絶縁層２７の他方の側に形成されており、配線層２６と電気的に接続されている。配線層２８は、絶縁層２７を貫通し配線層２６の他方の面を露出するビアホール２７ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層２７の他方の面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール２７ｘは、ソルダーレジスト層４０側に開口されている開口部の径が配線層２６の下面によって形成された開口部の底面の径よりも大となる円錐台状の凹部とされている。ビアホール２７ｘの開口部の径は、例えば６０〜７０μｍ程度とすることができる。配線層２８の材料、配線層２８を構成する配線パターンの厚さやライン／スペースは、例えば、配線層１２と同様とすることができる。

このように、第１の配線部材１０において、コア層１１の両面には同一層数の絶縁層及び配線層が積層されている。つまり、コア層１１を中心として絶縁層及び配線層が上下対称の層構造をしている。そのため、第１の配線部材１０は、反りに強い構造となる。特に、各絶縁層を同一層厚とすることにより、上下のバランスが向上するため、反りに強い構造となる。

本実施の形態では、コア層１１の一方の面１１ａ側に３層の絶縁層（絶縁層１３、１５、１７）が形成され、コア層１１の他方の面１１ｂ側に３層の絶縁層（絶縁層２３、２５、２７）が形成されている。しかし、コア層１１の各面に形成される絶縁層の数は３層以外としても構わない。又、本実施の形態では、コア層１１の一方の面１１ａ側に４層の配線層（配線層１２、１４、１６、１８）が形成され、コア層１１の他方の面１１ｂ側に４層の配線層（配線層２２、２４、２６、２８）が形成されている。しかし、コア層１１の各面に形成される配線層の数は４層以外としても構わない。

なお、本実施の形態では、第２の配線部材３０側の配線層１８は、絶縁層１７のビアホール１７ｘに形成されたビア配線のみからなる。言い換えれば、配線層１８には、絶縁層１７の一方の面に一体的に形成される配線パターンはない。配線層１８と配線層３１は、電気的には接続されているが、一体的ではない。具体的には、後述する製造方法において、配線層３１をセミアディティブ法で形成した場合には、配線層１８の一方の端面と配線層３１の他方の面（下面）の境界にはシード層（チタン（Ｔｉ）層と銅（Ｃｕ）層との積層体等）が介在する。このような構造とする理由は、後述の配線層３１として高密度の配線パターン（例えば、ライン／スペースが２μｍ／２μｍ程度）を形成するためである。詳しくは、配線基板１の製造方法の項で説明する。

次に、第２の配線部材３０について説明する。第２の配線部材３０は、第１の配線部材１０よりも配線密度の高い配線層が形成された高密度配線層である。第２の配線部材３０は、第１の配線部材１０上に順次積層された配線層３１と、絶縁層３２と、配線層３３と、絶縁層３４と、配線層３５と、絶縁層３６と、配線層３７とを有する。第２の配線部材３０の厚さＴ_１（絶縁層３２、３４、３６、及び、配線層３１、３３、３５を含む部分の厚さ）は、例えば、２０〜４０μｍ程度とすることができる。なお、本願において『第２の配線部材３０の厚さ』は、配線層３７の突出部を含まない、絶縁層のみが積層された部分の厚さを指すものとする。

配線層３１は、第１の配線部材１０の絶縁層１７の一方の面に形成されている配線パターンである。配線層３１の下面の一部は、第１の配線部材１０の配線層１８の上面と接しており、両者は電気的に接続されている。配線層３１の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層３１の厚さは、例えば、１〜３μｍ程度とすることができる。配線層３１のライン／スペースは、例えば、２μｍ／２μｍ程度とすることができる。

絶縁層３２は、第１の配線部材１０の絶縁層１７の一方の面に、配線層３１を被覆するように形成されている。絶縁層３２の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂等を主成分とする感光性の絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層３２の厚さは、例えば５〜１０μｍ程度とすることができる。絶縁層３２は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。

配線層３３は、絶縁層３２の一方の側に形成されており、配線層３１と電気的に接続されている。配線層３３は、絶縁層３２を貫通し配線層３１の一方の面を露出するビアホール３２ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層３２の一方の面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール３２ｘは、絶縁層３４側に開口されている開口部の径が配線層３１の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大となる逆円錐台状の凹部とされている。ビアホール３２ｘの開口部の径は、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。配線層３３の材料、配線層３３を構成する配線パターンの厚さやライン／スペースは、例えば、配線層３１と同様とすることができる。

絶縁層３４は、絶縁層３２の一方の面に、配線層３３を被覆するように形成されている。絶縁層３４の材料や厚さは、例えば、絶縁層３２と同様とすることができる。絶縁層３４は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。

配線層３５は、絶縁層３４の一方の側に形成されている。配線層３５は、絶縁層３４を貫通し配線層３３の一方の面を露出するビアホール３４ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層３４の一方の面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール３４ｘは、絶縁層３６側に開口されている開口部の径が配線層３３の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大となる逆円錐台状の凹部とされている。ビアホール３４ｘの開口部の径は、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。配線層３５の材料、配線層３５を構成する配線パターンの厚さやライン／スペースは、例えば、配線層３１と同様とすることができる。

絶縁層３６は、絶縁層３４の一方の面に、配線層３５を被覆するように形成されている。絶縁層３６の材料や厚さは、例えば、絶縁層３２と同様とすることができる。絶縁層３６は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。

配線層３７は、絶縁層３６の一方の側に形成されている。配線層３７は、絶縁層３６を貫通し配線層３５の一方の面を露出するビアホール３６ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層３６の一方の面から突出するパッドを含んで構成されている。ビアホール３６ｘは、パッド側に開口されている開口部の径が配線層３５の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大となる逆円錐台状の凹部とされている。ビアホール３６ｘの開口部の径は、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。

配線層３７は、電解めっき層３７ｂ及びシード層３７ａを有し、電解めっき層３７ｂの底面（絶縁層３６側の面）はシード層３７ａにより被覆されている。つまり、配線層３７を構成するパッド（突出部）の上面及び側面には、シード層３７ａは形成されていない。シード層３７ａは、例えば、チタン（Ｔｉ）層と銅（Ｃｕ）層とをこの順番で積層して形成することができる。チタン（Ｔｉ）層の厚さは、例えば、２０〜５０ｎｍ程度とすることができる。銅（Ｃｕ）層の厚さは、例えば、１００〜３００ｎｍ程度とすることができる。チタン（Ｔｉ）に代えて、窒化チタン（ＴｉＮ）等を用いても構わない。電解めっき層３７ｂの材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。

配線層３７の厚さ（絶縁層３６の一方の面から突出するパッド部分も含む電解めっき層３７ｂ及びシード層３７ａの総厚）は、例えば、１０μｍ程度とすることができる。配線層３７を構成するパッドの平面形状は、例えば、円形とすることができる。この場合、配線層３７の直径は、ビアホール３６ｘの開口部の直径（例えば１０〜２０μｍ程度）よりも大きく、例えば、２０〜３０μｍ程度とすることができる。配線層３７を構成するパッドのピッチは、例えば、４０〜５０μｍ程度とすることができる。なお、配線層３７を構成するパッドは、半導体チップ等の電子部品と電気的に接続するための電子部品搭載用のパッドとして機能する。

なお、配線層３７を構成するパッドの表面（上面及び側面、又は上面のみ）に表面処理層（図示せず）を形成してもよい。表面処理層の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等を挙げることができる。又、配線層３７を構成するパッドの表面（上面及び側面、又は上面のみ）に、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理等の酸化防止処理を施して表面処理層を形成してもよい。

後述の第１の実施の形態の変形例１でも示すように、表面処理層を形成することにより、例えば、はんだバンプを介して配線層３７を構成するパッドと半導体チップの電極端子とをフリップチップ接続する際のはんだ濡れ性を向上できる。特に、配線層３７を構成するパッドの上面のみに表面処理層を形成した場合には、表面処理層のみが良好に、はんだバンプを構成するはんだと濡れるため、配線層３７を構成するパッドの側面へのはんだ流れ出しを防止できる。

仮に、配線層３７を構成するパッドの側面まではんだが流れ出すと、隣接する配線層３７同士がはんだでショートするおそれがあるため、微細で狭ピッチの電極端子を有する半導体チップを接続することが困難である。配線層３７を構成するパッドの上面のみに表面処理層を形成した場合には、配線層３７を構成するパッドの側面へのはんだ流れ出しを防止できるため、微細で狭ピッチの電極端子を有する半導体チップを好適に接続可能である。

次に、ソルダーレジスト層４０について説明する。ソルダーレジスト層４０は、第１の配線部材１０の絶縁層２７の他方の面に、第１の配線部材１０の配線層２８を被覆するように形成されている最外絶縁層である。ソルダーレジスト層４０の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂等を主成分とする感光性の絶縁性樹脂を用いることができる。ソルダーレジスト層４０は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。

ソルダーレジスト層４０は、開口部４０ｘを有し、開口部４０ｘの底部には第１の配線部材１０の配線層２８の一部が露出している。開口部４０ｘの底部に露出する配線層２８は、例えば、マザーボード等の実装基板と電気的に接続されるパッドとして機能する。なお、開口部４０ｘの底部に露出する配線層２８の下面に、前述の表面処理層を形成してもよい。

ソルダーレジスト層４０の厚さＴ_２は、第２の配線部材３０の厚さＴ_１（例えば、２０〜４０μｍ程度）と等しい、又は、第２の配線部材３０の厚さＴ_１以上とされている。例えば、第２の配線部材３０の厚さＴ_１が３０μｍである場合には、ソルダーレジスト層４０の厚さＴ_２は、例えば３０〜５０μｍ程度とすることができる。このように、ソルダーレジスト層４０の厚さＴ_２を第２の配線部材３０の厚さＴ_１と等しい、又は、第２の配線部材３０の厚さＴ_１以上とすることにより（第２の配線部材３０の厚さＴ_１をソルダーレジスト層４０の厚さＴ_２と等しい、又は、ソルダーレジスト層４０の厚さＴ_２以下とすることにより）、配線基板１の反り量を低減できる。

具体的には、ソルダーレジスト層４０の厚さＴ_２に対する第２の配線部材３０の厚さＴ_１の比率（Ｔ_１／Ｔ_２）は１と等しい、又は、１以下とすることが好ましい。更に好ましくは、比率（Ｔ_１／Ｔ_２）が０．７５以下である。配線基板１の反り量を更に低減できるからである。詳しくは、反りのシミュレーションの項で説明する。

配線基板１において、コア層１１の弾性率は約３０ＧＰａ程度とし、熱膨張係数は約１０ｐｐｍ／℃程度とすることが好ましい。又、熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁層１３、１５、１７、２３、２５、及び２７の弾性率は約５〜１５ＧＰａ程度とし、熱膨張係数は約１０〜４０ｐｐｍ／℃程度とすることが好ましい。又、感光性樹脂を主成分とする絶縁層３２、３４、及び３６の弾性率は約５ＧＰａ程度とし、熱膨張係数は約５０〜７０ｐｐｍ／℃程度とすることが好ましい。又、感光性樹脂を主成分とするソルダーレジスト層４０の弾性率は約２〜４ＧＰａ程度とし、熱膨張係数は約４０〜５０ｐｐｍ／℃程度とすることが好ましい。

なお、各絶縁層の熱膨張係数は、例えば、フィラーの含有量により所定値に調整できる。但し、感光性樹脂を主成分とする絶縁層では、フィラーの含有量が多くなると露光が不可能となるため、含有可能なフィラーの量には制限（上限）がある。従って、感光性樹脂を主成分とする絶縁層の熱膨張係数は、熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁層の熱膨張係数よりも大きくなる傾向がある。フィラーとしては、前述のシリカ（ＳｉＯ_２）以外に、例えば、カオリン（Ａｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_５（ＯＨ_４））、タルク（Ｍｇ_３Ｓｉ_４Ｏ_１０（ＯＨ_２））、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等を用いてもよい。又、これらを混在させてもよい。

このような物性値（弾性率及び熱膨張係数）とすることにより、配線基板１は、コア層１１を中心として外層に行くにつれて徐々に軟らかくなる構造となる。そのため、上記のソルダーレジスト層４０と第２の配線部材３０の厚さの関係との相乗効果により、配線基板１の反りが抑制される。

［第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法］
次に、第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図２〜図９は、第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。なお、本実施の形態では、配線基板となる複数の部分を作製後、個片化して各配線基板とする工程の例を示すが、単品の配線基板を作製する工程としてもよい。

図２（ａ）〜図４（ｂ）に示す工程は、第１の配線部材１０を作製する工程である。まず、図２（ａ）に示す工程では、コア層１１の一方の面１１ａに平板状の金属箔１２０が形成され、他方の面１１ｂに平板状の金属箔２２０が形成された基材を準備し、この基材に複数の貫通孔１１ｘを形成する。コア層１１としては、例えば、ガラスクロスにエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を含浸させた所謂ガラスエポキシ基板等を用いることができる。

コア層１１として、ガラス繊維、炭素繊維、アラミド繊維等の織布や不織布にエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を含浸させた基板等を用いてもよい。コア層１１の厚さは、例えば、２００〜１０００μｍ程度とすることができる。金属箔１２０及び２２０としては、例えば、厚さが１０〜２０μｍ程度の銅箔等を用いることができる。貫通孔１１ｘは、例えば、ドリル加工法等により形成できる。貫通孔１１ｘの平面形状は、例えば、直径が１００〜５００μｍ程度の円形とすることができる。貫通孔１１ｘのピッチは、例えば、２００〜１０００μｍ程度とすることができる。

次に、図２（ｂ）に示す工程では、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いた無電解めっき法等により、各貫通孔１１ｘの内壁面に貫通配線１９を形成する。そして、内壁面に貫通配線１９が形成された各貫通孔１１ｘの中心部に、例えば、エポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を充填して樹脂部２９を形成する。更に、貫通配線１９及び樹脂部２９の上端面及び下端面に、例えば、無電解めっき法等により銅（Ｃｕ）パターン等を形成する。なお、貫通配線１９及び樹脂部２９の上端面及び下端面に形成された銅（Ｃｕ）パターン等と、その周辺部の金属箔とは特に区別していない。そのため、図２（ｂ）では、銅（Ｃｕ）パターン等を形成した部分も含めて平板状の金属箔１２０及び２２０として図示している（他の図においても同様）。

次に、図２（ｃ）に示す工程では、平板状の金属箔１２０及び２２０をパターニングして、コア層１１の一方の面１１ａに配線層１２を形成し、他方の面１１ｂに配線層２２を形成する。配線層１２及び２２は、例えば、サブトラクティブ法等により形成できる。

次に、図３（ａ）に示す工程では、配線層１２を被覆するようにコア層１１の一方の面１１ａに絶縁層１３を形成する。又、配線層２２を被覆するようにコア層１１の他方の面１１ｂに絶縁層２３を形成する。絶縁層１３及び２３の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂等を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層１３及び２３の厚さは、例えば２０〜４５μｍ程度とすることができる。絶縁層１３及び２３は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。

絶縁層１３及び２３の材料として、フィルム状のエポキシ系樹脂等を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂を用いた場合には、配線層１２を被覆するようにコア層１１の一方の面１１ａにフィルム状の絶縁性樹脂をラミネートする。又、配線層２２を被覆するようにコア層１１の他方の面１１ｂにフィルム状の絶縁性樹脂をラミネートする。そして、ラミネートした絶縁性樹脂を押圧しつつ、絶縁性樹脂を硬化温度以上に加熱して硬化させ、絶縁層１３及び２３を形成する。なお、絶縁性樹脂を真空雰囲気中でラミネートすることにより、ボイドの巻き込みを防止できる。

絶縁層１３及び２３の材料として、液状又はペースト状のエポキシ系樹脂等を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂を用いた場合には、配線層１２を被覆するようにコア層１１の一方の面１１ａに液状又はペースト状の絶縁性樹脂をスピンコート法等により塗布する。又、配線層２２を被覆するようにコア層１１の他方の面１１ｂに液状又はペースト状の絶縁性樹脂をスピンコート法等により塗布する。そして、塗布した絶縁性樹脂を硬化温度以上に加熱して硬化させ、絶縁層１３及び２３を形成する。

次に、図３（ｂ）に示す工程では、絶縁層１３に、絶縁層１３を貫通し配線層１２の上面を露出するビアホール１３ｘを形成する。又、絶縁層２３に、絶縁層２３を貫通し配線層２２の下面を露出するビアホール２３ｘを形成する。ビアホール１３ｘ及び２３ｘは、例えばＣＯ_２レーザ等を用いたレーザ加工法等により形成できる。ビアホール１３ｘ及び２３ｘをレーザ加工法により形成した場合には、デスミア処理を行い、ビアホール１３ｘ及び２３ｘの底部に露出する配線層１２及び２２の表面に付着した樹脂残渣を除去することが好ましい。

次に、図３（ｃ）に示す工程では、絶縁層１３の一方の側に配線層１４を形成し、絶縁層２３の他方の側に配線層２４を形成する。配線層１４は、絶縁層１３を貫通し配線層１２の一方の面を露出するビアホール１３ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１３の一方の面に形成された配線パターンを含んで構成される。配線層１４は、ビアホール１３ｘの底部に露出した配線層１２と電気的に接続される。

又、配線層２４は、絶縁層２３を貫通し配線層２２の他方の面を露出するビアホール２３ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層２３の他方の面に形成された配線パターンを含んで構成される。配線層２４は、ビアホール２３ｘの底部に露出した配線層２２と電気的に接続される。

配線層１４及び２４の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層１４及び２４は、セミアディティブ法やサブトラクティブ法等の各種の配線形成方法を用いて形成できる。一例として、セミアディティブ法を用いて配線層１４を形成する方法を以下に示す。

まず、無電解めっき法又はスパッタ法により、ビアホール１３ｘの底部に露出した配線層１２の上面及びビアホール１３ｘの内壁面を含む絶縁層１３上に銅（Ｃｕ）等からなるシード層（図示せず）を形成する。更に、シード層上に配線層１４に対応する開口部を備えたレジスト層（図示せず）を形成する。そして、シード層を給電層に利用した電解めっき法により、レジスト層の開口部に銅（Ｃｕ）等からなる電解めっき層（図示せず）を形成する。

続いて、レジスト層を除去した後に、電解めっき層をマスクにして、電解めっき層に覆われていない部分のシード層をエッチングにより除去する。これにより、シード層上に電解めっき層が積層された配線層１４が形成される。つまり、絶縁層１３上にビアホール１３ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１３上に形成された配線パターンを含んで構成される配線層１４が形成される。

なお、この場合、配線層１４及び２４は、シード層上に電解めっき層が積層された構造となるが、各図において、シード層の図示は省略されている（他の配線層についても同様）。

次に、図４（ａ）に示す工程では、図３（ａ）〜図３（ｃ）と同様の工程を繰り返すことにより、絶縁層１３上に、絶縁層１５、配線層１６、絶縁層１７、及び金属層１８０を積層する。又、絶縁層２３上に、絶縁層２５、配線層２６、絶縁層２７、及び配線層２８を積層する。各層の材料や厚さ等は、配線基板１の構造で説明した通りである。なお、金属層１８０は、図４（ｂ）に示す工程で配線層１８となる層であり、ビアホール１７ｘ内を充填すると共に絶縁層１７の上面に延在するように（例えば、絶縁層１７の上面の全面に）形成される。金属層１８０を形成するには、例えば、図３（ｃ）に示す工程において説明したセミアディティブ法において、シード層を形成後、レジスト層を形成せずに、シード層上の全面に電解めっき層を形成すればよい。

次に、図４（ｂ）に示す工程では、金属層１８０を研磨して絶縁層１７の上面及びビアホール１７ｘ内を充填する金属層１８０の上面を露出させ、ビアホール１７ｘ内に充填されたビア配線である配線層１８を形成する。配線層１８は、例えば、図４（ａ）に示す金属層１８０のビアホール１７ｘ内に充填された部分を除きＣＭＰ法（chemical mechanical polishing法）等を用いて研磨して除去することにより形成できる。この際、絶縁層１７の上面の一部を同時に除去してもよい。配線層１８の上面は、例えば、絶縁層１７の上面と面一とすることができる。

なお、金属層１８０と共に絶縁層１７の上面を研磨し、絶縁層１７の上面の一部を除去することにより、絶縁層１７の上面の粗度を研磨前より小さくできる。つまり、絶縁層１７の上面の平滑度を向上できる。絶縁層１７の上面の粗度はＣＭＰ法を実行する前（研磨前）は、例えば、Ｒａ３００〜４００ｎｍ程度であり、ＣＭＰ法を実行することによりＲａ１５〜４０ｎｍ程度とすることができる。このように、絶縁層１７の上面の粗度を低減して平滑度を向上することにより、後工程において、微細配線（高密度の配線パターン）の形成が可能となる。以上の工程により、第１の配線部材１０が完成する。

図５（ａ）〜図９に示す工程は、第２の配線部材３０を作製する工程である。まず、図５（ａ）に示す工程では、第１の配線部材１０の絶縁層１７の一方の面に、所定の平面形状にパターニングされた配線層３１を形成する。配線層３１は、第１の配線部材１０の配線層１８と電気的に接続される。配線層３１の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層３１は、セミアディティブ法等を用いて形成できる。

なお、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ部の拡大図である。配線層３１をセミアディティブ法で形成する場合、図５（ｂ）に示すように、配線層３１はシード層３１ａ上に電解めっき層３１ｂが積層された構造となる。配線層１８の上面は、配線層３１のシード層３１ａを介して、配線層３１の電解めっき層３１ｂと接合される。

セミアディティブ法については前述の通りであるが、この際、例えば、スパッタリング法によりチタン（Ｔｉ）層と銅（Ｃｕ）層を積層してシード層３１ａを形成することができる。チタン（Ｔｉ）層の厚さは、例えば、２０〜５０ｎｍ程度とすることができ、銅（Ｃｕ）層の厚さは、例えば、１００〜３００ｎｍ程度とすることができる。シード層３１ａの下層にチタン（Ｔｉ）層を形成することにより、絶縁層１７と配線層３１との密着性を向上できる。チタン（Ｔｉ）に代えて、窒化チタン（ＴｉＮ）等を用いても構わない。なお、チタン（Ｔｉ）や窒化チタン（ＴｉＮ）は、銅よりも耐腐食性の高い金属である。その後、前述のように、シード層３１ａを給電層に利用した電解めっき法により、シード層３１ａ上に銅（Ｃｕ）等からなる電解めっき層３１ｂを積層し、配線層３１が形成される。

シード層３１ａを形成する前に、絶縁層１７の上面に、Ｏ_２プラズマアッシング等のプラズマ処理を施してもよい。プラズマ処理を施すことにより、絶縁層１７の上面を粗化できる。絶縁層１７の上面を粗化することにより、シード層３１ａとの密着性を高めることができる。但し、前述のように、絶縁層１７の上面の粗度を低減して平滑度を向上することにより微細配線の形成が可能となるため、この工程では、後工程での微細配線の形成に支障がない程度に絶縁層１７の上面を粗化する。

次に、図６（ａ）に示す工程では、配線層３１を被覆するように第１の配線部材１０の絶縁層１７の一方の面に絶縁層３２を形成する。そして、絶縁層３２に、絶縁層３２を貫通し配線層３１の上面を露出するビアホール３２ｘを形成する。絶縁層３２の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂等を主成分とする感光性の絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層３２の厚さは、例えば５〜１０μｍ程度とすることができる。絶縁層３２は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。絶縁層３２の具体的な形成方法については、図３（ａ）に示す工程で説明した絶縁層１３及び２３の形成方法と同様とすることができる。なお、この時点では、絶縁層３２は硬化されていない。ビアホール３２ｘは、例えば、フォトリソグラフィ法により形成できる。すなわち、感光性の絶縁性樹脂を主成分とする絶縁層３２を露光及び現像し、その後硬化させてビアホール３２ｘを形成できる。

次に、図６（ｂ）に示す工程では、図５（ａ）及び図６（ａ）と同様の工程を繰り返し、絶縁層３２上に、配線層３３、絶縁層３４、配線層３５、及び絶縁層３６を積層し、更に、絶縁層３６を貫通し配線層３５の上面を露出するビアホール３６ｘを形成する。各層の材料や厚さ、直径等は、配線基板１の構造で説明した通りである。

次に、図７（ａ）に示す工程では、例えば、無電解めっき法又はスパッタ法により、ビアホール３６ｘの底部に露出した配線層３５の上面、ビアホール３６ｘの内壁面、及び絶縁層３６の上面を連続的に被覆するシード層３７ａを形成する。シード層３７ａは、例えば、チタン（Ｔｉ）層と銅（Ｃｕ）層を積層して形成することができる。チタン（Ｔｉ）層の厚さは、例えば、２０〜５０ｎｍ程度とすることができ、銅（Ｃｕ）層の厚さは、例えば、１００〜３００ｎｍ程度とすることができる。チタン（Ｔｉ）に代えて、窒化チタン（ＴｉＮ）等を用いても構わない。

次に、図７（ｂ）に示す工程では、絶縁層３６の上面に形成されたシード層３７ａ上に配線層３７に対応する開口部３００ｘを備えたレジスト層３００を形成する。次に、図８（ａ）に示す工程では、シード層３７ａを給電層に利用した電解めっき法により、レジスト層３００の開口部３００ｘに銅（Ｃｕ）等からなる電解めっき層３７ｂを形成する。

次に、図８（ｂ）に示す工程では、図８（ａ）に示すレジスト層３００を除去した後に、電解めっき層３７ｂをマスクにして、電解めっき層３７ｂに覆われていない部分のシード層３７ａをエッチングにより除去する。これにより、シード層３７ａ上に電解めっき層３７ｂが積層された配線層３７が形成される。配線層３７を構成するパッドの平面形状は、例えば、直径が２０〜３０μｍ程度の円形とすることができる。その後、配線層３７を構成するパッドの表面（上面及び側面、又は上面のみ）に、前述の表面処理層を形成してもよい。以上の工程により、第２の配線部材３０が完成する。

次に、図９に示す工程では、第１の配線部材１０の絶縁層２７の他方の面に、第１の配線部材１０の配線層２８を被覆するように最外絶縁層であるソルダーレジスト層４０を形成する。なお、ソルダーレジスト層４０の厚さＴ_２は、第２の配線部材３０の厚さＴ_１と等しい、又は、第２の配線部材３０の厚さＴ_１以上となるように形成する。ソルダーレジスト層４０の厚さＴ_２に対する第２の配線部材３０の厚さＴ_１の比率（Ｔ_１／Ｔ_２）が０．７５以下となるように形成するとより好ましい。ソルダーレジスト層４０は、図６（ａ）に示す絶縁層３２と同様の方法により形成できる。

その後、図６（ａ）に示すビアホール３２ｘと同様の方法により開口部４０ｘを形成できる。開口部４０ｘの底部には第１の配線部材１０の配線層２８の一部が露出する。開口部４０ｘの底部に露出する配線層２８は、例えば、マザーボード等の実装基板と電気的に接続されるパッドとして機能する。開口部４０ｘの底部に露出する配線層２８の下面に、前述の表面処理層を形成してもよい。

例えば、電解めっき層３７ｂ及び配線層２８の材料が何れも銅（Ｃｕ）であり、開口部４０ｘの底部に露出する配線層２８の下面にＯＳＰ処理を施して表面処理層を形成する場合には、電解めっき層３７ｂの露出部分をマスクする必要がある。電解めっき層３７ｂの露出部分に表面処理層が形成されないようにするためである。なお、ソルダーレジスト層４０は、図４（ａ）に示す工程の後に形成してもよいし、図４（ｂ）に示す工程の後に形成してもよい。

図９に示す工程の後、図９に示す構造体を、ダイサー等を用いて切断位置Ｃで切断することにより、個片化された複数の配線基板１（図１参照）が完成する。

このように、配線基板１は、低密度配線層である第１の配線部材１０と、第１の配線部材１０の一方の側に積層された高密度配線層である第２の配線部材３０と、第１の配線部材１０の他方の側に積層されたソルダーレジスト層４０とを有する。そして、第１の配線部材１０は、熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁層と配線層を備えており、第２の配線部材３０は、感光性樹脂を主成分とする絶縁層と配線層を備えている。又、最外絶縁層であるソルダーレジスト層４０は、感光性樹脂を主成分としている。そして、第２の配線部材３０の厚さＴ_１は、ソルダーレジスト層４０の厚さＴ_２と等しい、又は、ソルダーレジスト層４０の厚さＴ_２以下とされている。

配線基板１を上記構造とすることにより、第１の配線部材１０を中心として上下に積層された層の物性値（弾性率及び熱膨張係数）及び厚さのバランスがとれるため、配線基板１の反りが抑制される。

〈第１の実施の形態の変形例１〉
第１の実施の形態の変形例１では、電子部品搭載用のパッドの形状が異なる配線基板の例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例１において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。

図１０は、第１の実施の形態の変形例１に係る配線基板を例示する断面図である。図１０を参照するに、第１の実施の形態の変形例１に係る配線基板１Ａは、第２の配線部材３０が第２の配線部材３０Ａに置換された点が、配線基板１（図１参照）と相違する。第２の配線部材３０Ａでは、配線層３７に代えて配線層３７Ａが設けられており、更に、配線層３７Ａ上に表面処理層３８が設けられている。配線層３７Ａの厚さは、例えば、配線層３７と同様とすることができる。

配線層３７Ａは、電解めっき層３７ｂ及びシード層３７ｃを有し、電解めっき層３７ｂの底面（絶縁層３６側の面）及び側面はシード層３７ｃにより被覆されている。つまり、配線層３７Ａを構成するパッド（突出部）の側面は、シード層３７ｃで被覆されている。シード層３７ｃの材料や厚さ等は、例えば、シード層３７ａと同様とすることができる。

配線層３７Ａを構成するパッドの平面形状は、例えば、円形とすることができる。この場合、配線層３７Ａの直径は、ビアホール３６ｘの開口部の直径（例えば１０〜２０μｍ程度）よりも大きく、例えば、２０〜３０μｍ程度とすることができる。配線層３７Ａを構成するパッドのピッチは、例えば、４０〜５０μｍ程度とすることができる。なお、配線層３７Ａを構成するパッドは、半導体チップ等の電子部品と電気的に接続するための電子部品搭載用のパッドとして機能する。

配線層３７Ａを構成するパッド（突出部）の上面（電解めっき層３７ｂの上面）には、表面処理層３８が形成されている。表面処理層３８の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等を挙げることができる。又、配線層３７Ａを構成するパッドの上面に、ＯＳＰ処理等の酸化防止処理を施して表面処理層３８を形成してもよい。

配線層３７Ａ及び表面処理層３８は、以下のような工程により形成できる。図１１は、第１の実施の形態の変形例１に係る配線基板の製造工程を例示する図である。なお、本実施の形態では、配線基板となる複数の部分を作製後、個片化して各配線基板とする工程の例を示すが、単品の配線基板を作製する工程としてもよい。

まず、第１の実施の形態の図２（ａ）〜図６（ｂ）に示す工程を実行後、図１１（ａ）に示す工程では、第１の実施の形態の図７（ｂ）に示す工程と同様にして、絶縁層３６上に配線層３７Ａに対応する開口部３００ｘを備えたレジスト層３００を形成する。そして、例えば、ビアホール３６ｘの底部に露出した配線層３５の上面、ビアホール３６ｘの内壁面、開口部３００ｘの内壁面、及びレジスト層３００の上面を連続的に被覆するシード層３７ｃを形成する。シード層３７ｃは、例えば、無電解めっき法やスパッタ法等により形成できる。シード層３７ｃの材料や厚さは、例えば、シード層３７ａと同様とすることができる。

次に、図１１（ｂ）に示す工程では、シード層３７ｃ上に感光性のレジスト層を形成し、露光及び現像を行って開口部３００ｘに略連通する開口部３０５ｘを形成して、シード層３７ｃの上面のみを被覆するレジスト層３０５を形成する。そして、開口部３０５ｘ内に露出するシード層３７ｃ上に、シード層３７ｃを給電層に利用した電解めっき法により、電解めっき層３７ｂ及び表面処理層３８を順次形成する。

図１１（ｂ）に示す工程の後、レジスト層３０５を除去する。これにより、電解めっき層３７ｂの底面（絶縁層３６側の面）及び側面がシード層３７ｃにより被覆された配線層３７Ａが形成され、配線層３７Ａを構成するパッドの上面（電解めっき層３７ｂの上面）に表面処理層３８が形成される。

次に、配線基板１Ａの適用例として、配線基板１Ａ上に半導体チップを実装した半導体パッケージについて説明する。図１２は、第１の実施の形態の変形例１に係る半導体パッケージを例示する断面図である。図１２を参照するに、第１の実施の形態の変形例１に係る半導体パッケージ７０は、図１０に示す配線基板１Ａ上に半導体チップ７１がフリップチップ接続されたものである。

より詳しくは、配線基板１Ａの表面処理層３８と半導体チップ７１の電極端子（図示せず）とが、はんだバンプ７２を介して接合され、配線基板１Ａと半導体チップ７１の対向する部分にアンダーフィル樹脂７３が充填されている。又、ソルダーレジスト層４０の開口部４０ｘの底部に露出する配線層２８に、外部接続端子７４（はんだバンプ）が形成されている。なお、外部接続端子７４として、はんだバンプに代えてピン等を用いてもよい。又、アンダーフィル樹脂７３に代えてモールド樹脂を用いて封止してもよい。

本実施の形態では、第１の実施の形態の効果に加えて、更に以下の効果を奏する。すなわち、配線層３７Ａを構成するパッドの上面に表面処理層３８が形成されているため、はんだバンプ７２を介して配線層３７Ａを構成するパッドと半導体チップ７１の電極端子とをフリップチップ接続する際のはんだ濡れ性を向上できる。

又、配線層３７Ａを構成するパッドの側面にはシード層３７ｃが形成されているが、シード層３７ｃの最表面には表面処理層３８よりもはんだ濡れ性が悪いチタン（Ｔｉ）層や窒化チタン（ＴｉＮ）層等が露出している。そのため、はんだ濡れ性が良い表面処理層３８のみが良好にはんだバンプ７２を構成するはんだと濡れ、配線層３７Ａを構成するパッドの側面のチタン（Ｔｉ）層や窒化チタン（ＴｉＮ）層等へのはんだ流れ出しを防止できる。その結果、微細で狭ピッチの電極端子を有する半導体チップ７１と好適に接続可能となる。

又、配線層３７Ａでは、配線層３７とは異なり、パッドの側面が銅よりも耐腐食性の高い金属であるチタン（Ｔｉ）や窒化チタン（ＴｉＮ）等を含むシード層３７ｃで被覆されているため、配線層３７Ａの酸化防止やマイグレーション対策として有効である。

又、配線基板１Ａの製造工程において、ソルダーレジスト層４０を形成後であって外部接続端子７４を形成する前に、ソルダーレジスト層４０の開口部４０ｘの底部に露出する配線層２８の下面にＯＳＰ処理を施して表面処理層を形成する場合がある。ＯＳＰ処置では、イミダゾール化合物が銅（Ｃｕ）と選択的に化学反応する特性を利用し、銅（Ｃｕ）からなる配線層（パッド）上に表面処理層を形成する。本実施の形態では、配線層３７Ａを構成するパッドの側面がシード層３７ｃで被覆され、配線層３７Ａを構成するパッドの上面に表面処理層３８が形成されているため、配線層３７Ａにおいて銅（Ｃｕ）が露出する部分がない。

そのため、配線層３７Ａをマスクしなくても、ソルダーレジスト層４０の開口部４０ｘの底部に露出する配線層２８の下面のみにＯＳＰ処理を施すことができる。仮に、配線層３７Ａに銅（Ｃｕ）が露出する部分があれば、その部分をマスクする工程やマスクを除去する工程が必要となる。しかし、本実施の形態では、そのような工程が不要となるため、製造工程を簡略化することが可能となり、配線基板１Ａの製造コストを低減できる。

〈第１の実施の形態の変形例２〉
第１の実施の形態の変形例２では、電子部品搭載用のパッドの形状が異なる配線基板の他の例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例２において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。

図１３は、第１の実施の形態の変形例２に係る配線基板を例示する断面図である。図１３を参照するに、第１の実施の形態の変形例２に係る配線基板１Ｂは、第２の配線部材３０が第２の配線部材３０Ｂに置換された点が、配線基板１（図１参照）と相違する。第２の配線部材３０Ｂでは、第２の配線部材３０のビアホール３６ｘに代えてビアホール３６ｙが設けられ、配線層３７に代えて配線層５７が設けられている。

配線層５７は、絶縁層３６の一方の側に形成されている。配線層５７は、絶縁層３６を貫通し配線層３５の一方の面を露出するビアホール３６ｙ内に充填されたビア配線、及び絶縁層３６の一方の面から突出するパッドを含んで構成されている。ビアホール３６ｙは、円柱状の凹部とされている。ビアホール３６ｙの開口部の径は、例えば２０〜３０μｍ程度とすることができる。

配線層５７は、電解めっき層５７ｂ及びシード層５７ａを有し、電解めっき層５７ｂの底面及び側面はシード層５７ａにより被覆されている。つまり、配線層５７を構成するパッド（突出部）の上面には、シード層５７ａは形成されていない。電解めっき層５７ｂ及びシード層５７ａの材料や厚さ等は、例えば、電解めっき層３７ｂ及びシード層３７ａと同様とすることができる。

配線層５７の厚さ（絶縁層３６の一方の面から突出するパッド部分も含む電解めっき層５７ｂ及びシード層５７ａの総厚）は、例えば、１０μｍ程度とすることができる。配線層５７は、例えば、直径が２０〜３０μｍ程度の円柱状とすることができる。つまり、ビア配線の直径とパッド部分の直径が同一であり、例えば、２０〜３０μｍ程度である。配線層５７のピッチは、例えば、４０〜５０μｍ程度とすることができる。なお、配線層５７を構成するパッドは、半導体チップ等の電子部品と電気的に接続するための電子部品搭載用のパッドとして機能する。なお、配線層５７を構成するパッドの上面（電解めっき層５７ｂの上面）に、前述の表面処理層（図示せず）を形成してもよい。表面処理層を形成することの効果に関しては、第１の実施の形態の変形例１で説明した通りである。

配線層５７は、以下のような工程により形成できる。図１４及び図１５は、第１の実施の形態の変形例２に係る配線基板の製造工程を例示する図である。なお、本実施の形態では、配線基板となる複数の部分を作製後、個片化して各配線基板とする工程の例を示すが、単品の配線基板を作製する工程としてもよい。

まず、第１の実施の形態の図２（ａ）〜図６（ａ）に示す工程を実行後、図１４（ａ）に示す工程では、図５（ａ）及び図６（ａ）と同様の工程を繰り返すことにより、絶縁層３２上に、配線層３３、絶縁層３４、配線層３５、及び絶縁層３６を積層する。

次に、図１４（ｂ）に示す工程では、絶縁層３６の上面に感光性のレジスト層３１０を形成し、露光及び現像を行って開口部３１０ｘを形成する。次に、開口部３１０ｘ内に露出する絶縁層３６をドライエッチング等により除去し、開口部３１０ｘに連通するビアホール３６ｙを形成する。ビアホール３６ｙの底部には配線層３５の上面が露出する。ビアホール３６ｙ及び開口部３１０ｘは、例えば、直径が２０〜３０μｍ程度の円柱状とすることができる。ビアホール３６ｙ及び開口部３１０ｘのピッチは、例えば、４０〜５０μｍ程度とすることができる。

次に、図１５（ａ）に示す工程では、例えば、ビアホール３６ｙの底部に露出した配線層３５の上面、ビアホール３６ｙの内壁面、開口部３１０ｘの内壁面、及びレジスト層３１０の上面を連続的に被覆するシード層５７ａを形成する。シード層５７ａは、例えば、無電解めっき法やスパッタ法等により形成できる。シード層５７ａの材料や厚さは、例えば、シード層３７ａと同様とすることができる。

次に、図１５（ｂ）に示す工程では、ビアホール３６ｙ内及び開口部３１０ｘ内に、シード層５７ａ及び電解めっき層５７ｂを含む配線層５７を形成した後、レジスト層３１０を除去する。具体的には、レジスト層３１０の上面に形成されたシード層５７ａ上に配線層５７に対応する開口部を備えた他のレジスト層（図示せず）を形成する。そして、シード層５７ａを給電層に利用した電解めっき法により、他のレジスト層の開口部に銅（Ｃｕ）等からなる電解めっき層５７ｂを形成する。

続いて、他のレジスト層を除去することにより、シード層５７ａ上に電解めっき層５７ｂが積層された配線層５７が形成される。配線層５７は、例えば、直径が２０〜３０μｍ程度の円柱状とすることができる。つまり、ビア配線の直径とパッド部分の直径が同一であり、例えば、２０〜３０μｍ程度となる。

このように、第１の実施の形態の変形例２では、ビア配線の直径とパッド部分の直径が同一である円柱状の配線層５７を形成する。これにより、第１の実施の形態の効果に加えて更に以下の効果を奏する。すなわち、配線層５７は、配線基板１の配線層３７（図１、図９参照）と比べて、直下の配線層３５と接続される部分の面積が大きいため、配線層３５との接続信頼性を向上できる。

又、配線層５７では、配線層３７とは異なり、パッドの側面が銅よりも耐腐食性の高い金属であるチタン（Ｔｉ）や窒化チタン（ＴｉＮ）等を含むシード層５７ａで被覆されているため、配線層５７の酸化防止やマイグレーション対策として有効である。

〈第１の実施の形態の変形例３〉
第１の実施の形態の変形例３では、第１の配線部材が絶縁層と配線層とが多層に積層された積層構造を有しない配線基板の例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例３において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。

図１６は、第１の実施の形態の変形例３に係る配線基板を例示する断面図である。図１６を参照するに、第１の実施の形態の変形例３に係る配線基板１Ｃは、第１の配線部材１０が第１の配線部材１０Ｃに置換され、第２の配線部材３０が第２の配線部材３０Ｃに置換された点が、配線基板１（図１参照）と相違する。

第１の配線部材１０Ｃでは、コア層１１の一方の面１１ａに絶縁層１３のみが積層され、コア層１１の他方の面１１ｂに絶縁層２３及び配線層２４が積層されている。絶縁層１３と絶縁層２３とは、同一の厚さとすることができる。絶縁層１３と絶縁層２３としては、同一種類の熱硬化性の絶縁性樹脂を用いることができる。なお、第１の配線部材１０Ｃにおける絶縁層１３は、本発明に係る第１絶縁層の代表的な一例であり、かつ、本発明に係る第２の配線部材側絶縁層の代表的な一例である。又、第１の配線部材１０Ｃにおける絶縁層２３は、本発明に係る第２絶縁層の代表的な一例である。

コア層１１、絶縁層１３、及び絶縁層２３を貫通する貫通孔１１ｘ内に、貫通配線１９（ビア配線）が形成されている。なお、第１の配線部材１０Ｃでは、貫通孔１１ｘ内に貫通配線１９が充填されており、第１の配線部材１０の樹脂部２９に相当する部位は形成されていない。貫通配線１９（ビア配線）の上端面（第２の配線部材３０Ｃ側の端面）は、例えば、絶縁層１３の上面（第２の配線部材３０Ｃ側の面）と面一とすることができる。貫通配線１９（ビア配線）の下端面（ソルダーレジスト層４０側の端面）は、例えば、絶縁層２３の下面（ソルダーレジスト層４０側の面）と面一とすることができる。貫通配線１９（ビア配線）の上端面（第２の配線部材３０Ｃ側の端面）は、第２の配線部材３０Ｃを構成する配線層３３と直接接合されている。貫通配線１９（ビア配線）の下端面（ソルダーレジスト層４０側の端面）は、配線層２４と直接接合されている。

第２の配線部材３０Ｃは、配線層３１を有さず、配線層３３のビア配線の下端面が貫通配線１９の上端面と直接接合されている。最外絶縁層であるソルダーレジスト層４０は、第１の配線部材１０Ｃの絶縁層２３の他方の面に、第１の配線部材１０Ｃの配線層２４を被覆するように形成されている。ソルダーレジスト層４０の厚さＴ_２は、第２の配線部材３０Ｃの厚さＴ_１と等しい、又は、第２の配線部材３０Ｃの厚さＴ_１以上とされている。具体的には、ソルダーレジスト層４０の厚さＴ_２に対する第２の配線部材３０Ｃの厚さＴ_１の比率（Ｔ_１／Ｔ_２）は１と等しい、又は、１以下とすることが好ましい。更に好ましくは、比率（Ｔ_１／Ｔ_２）が０．７５以下である。

このように、第１の実施の形態の変形例３では、第１の配線部材１０Ｃが絶縁層と配線層とが多層に積層された積層構造を有しないが、このような構造の配線基板１Ｃも第１の実施の形態と同様の効果を奏する。

〈第２の実施の形態〉
第２の実施の形態では、第１の配線部材がコア層を有しない配線基板の例を示す。なお、第２の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。

図１７は、第２の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。図１７を参照するに、第２の実施の形態に係る配線基板１Ｄは、第１の配線部材１０が第１の配線部材１０Ｄに置換され、第２の配線部材３０が第２の配線部材３０Ｄに置換された点が、配線基板１（図１参照）と相違する。

第１の配線部材１０Ｄはコア層を有さず、配線層２２と、絶縁層２３と、配線層２４と、絶縁層２５と、配線層２６と、絶縁層２７と、配線層２８が積層された構造とされている。配線層２２の一部は、第２の配線部材３０Ｄのビアホール３６ｘ内に延在し、第２の配線部材３０Ｄの配線層３５と電気的に接続されている。

第２の配線部材３０Ｄは、第２の配線部材３０とは絶縁層及び配線層の積層構造が異なる。すなわち、円柱状のパッドである配線層３７Ｄ側に、ビアホール３２ｘを有する絶縁層３２が形成されている。配線層３３は、絶縁層３２の他方の側に形成されており、ビアホール３２ｘを介して、配線層３７Ｄと電気的に接続されている。絶縁層３４は、絶縁層３２の他方の面に、配線層３３を被覆するように形成されている。

配線層３５は、絶縁層３４の他方の側に形成されており、絶縁層３４に形成されたビアホール３４ｘを介して、配線層３３と電気的に接続されている。絶縁層３６は、絶縁層３４の他方の面に、配線層３５を被覆するように形成されている。配線層３５は、絶縁層３６に形成されたビアホール３６ｘを介して、第１の配線部材１０Ｄの配線層２２と電気的に接続されている。

最外絶縁層であるソルダーレジスト層４０は、第１の配線部材１０Ｄの絶縁層２７の他方の面に、第１の配線部材１０Ｄの配線層２８を被覆するように形成されている。ソルダーレジスト層４０の厚さＴ_２は、第２の配線部材３０Ｄの厚さＴ_１とほぼ等しくされている。

なお、配線層３７Ｄをセミアディティブ法で形成した場合には、配線層３７Ｄは、電解めっき層及びシード層を有し、電解めっき層の底面はシード層により被覆される。

このように、第２の実施の形態では、第１の配線部材１０Ｄがコア層を有しないが、このような構造の配線基板１Ｃにおいても、第２の配線部材３０Ｄの厚さとソルダーレジスト層４０の厚さとの関係を適切に設定することにより、反りを抑制できる。

〈第３の実施の形態〉
第３の実施の形態では、ＰＯＰ構造（パッケージオンパッケージ構造）の半導体パッケージの例を示す。なお、第３の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。

図１８は、第３の実施の形態に係る半導体パッケージを例示する断面図である。図１８を参照するに、第３の実施の形態に係る半導体パッケージ８０は、配線基板１Ｅ上に半導体チップ８１がフリップチップ接続された半導体パッケージ上に、接合部８５を介して、他の配線基板９０が搭載された所謂ＰＯＰ構造の半導体パッケージである。

配線基板１Ｅは、配線基板１の絶縁層３６に配線層３５の一部を露出する開口部３６ｚを形成したものである。なお、開口部３６ｚの底部に露出する配線層３５の上面に、前述の表面処理層を形成してもよい。

配線基板１Ｅの配線層３７の上面と半導体チップ８１の電極端子（図示せず）とが、はんだバンプ８２を介して接合されている。図１８の例では、半導体チップ８１が２個実装されているが、半導体チップ８１は１個実装されても３個以上実装されてもよい。又、各半導体チップ８１は同一の機能を有するものでも異なる機能を有するものでもよい。

配線基板９０は、基板本体９１と、配線層９２と、配線層９３と、ソルダーレジスト層９４と、ソルダーレジスト層９５とを有する。基板本体９１としては、例えば、ガラスクロスにエポキシ系樹脂等の熱硬化性の絶縁性樹脂を含浸させた所謂ガラスエポキシ基板等を用いることができる。基板本体９１として、ガラス繊維、炭素繊維、アラミド繊維等の織布や不織布にエポキシ系樹脂等の熱硬化性の絶縁性樹脂を含浸させた基板等を用いてもよい。

配線層９２は、基板本体９１の下面に形成されている。配線層９３は、基板本体９１の上面に形成されている。配線層９２と配線層９３とは、例えば、基板本体９１を貫通する貫通電極（図示せず）により電気的に接続されてもよい。配線層９２及び９３の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。

ソルダーレジスト層９４は、配線層９２を覆うように基板本体９１の下面に形成されている。ソルダーレジスト層９５は、配線層９３を覆うように基板本体９１の上面に形成されている。ソルダーレジスト層９４及び９５の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂等を主成分とする感光性の絶縁性樹脂を用いることができる。ソルダーレジスト層９４及び９５は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。

ソルダーレジスト層９４は、開口部９４ｘを有し、開口部９４ｘの底部には配線層９２の一部が露出している。なお、開口部９４ｘの底部に露出する配線層９２の下面に、前述の表面処理層を形成してもよい。ソルダーレジスト層９５に配線層９３の一部が露出する開口部を設け、他の電子部品を実装してもよい。

配線基板１Ｅの開口部３６ｚの底部に露出する配線層３５の上面と、配線基板９０の開口部９４ｘの底部に露出する配線層９２の下面とは、接合部８５を介して電気的に接続されている。接合部８５としては、例えば、はんだボールや銅コアボール等を用いることができる。配線基板１Ｅと配線基板９０の対向する面間には、モールド樹脂１００が充填されている。

半導体パッケージ８０では、配線基板１Ｅの反りが低減されて平坦な形状を有するため、配線基板１Ｅ上に配線基板９０を容易に搭載できる。又、配線基板１Ｅと配線基板９０の対向する面間にモールド樹脂１００が充填されているため、モールド樹脂１００の剛性が加わり、更に反りを低減できる。又、例えば、第２の配線部材３０の厚さＴ_１、ソルダーレジスト層４０の厚さＴ_２、ソルダーレジスト層９４の厚さ、ソルダーレジスト層９５の厚さの比を１：１：１：１とすることで、更に平坦性を確保し、反りを低減できる。

なお、配線基板１Ｅに代えて、図１０に示す配線基板１Ａ、図１３に示す配線基板１Ｂ、図１６に示す配線基板１Ｃ、図１７に示す配線基板１Ｄに、接合部８５との接続部を設けた配線基板を用いてもよい。

又、モールド樹脂１００を設けない構造としてもよい。この場合、半導体チップ８１と配線基板１Ｅとの間に、はんだバンプ８２を被覆するアンダーフィル樹脂を設けてもよい。

又、配線基板９０に代えて、半導体チップ等の電子部品を搭載してもよい。

〈反りのシミュレーション〉
［実施例１］
図１の構造を有する配線基板（配線基板Ａとする）について、反りのシミュレーションを実行した。具体的には、配線基板Ａの平面形状は４０ｍｍ×４０ｍｍの矩形状とした。そして、第２の配線部材３０の厚さＴ_１を２２．５μｍに固定し、ソルダーレジスト層４０の厚さＴ_２を１５μｍ、２２．５μｍ、３０μｍ、３５μｍ、４０μｍに変えた場合の配線基板Ａの反りのシミュレーションを実行した。なお、第１の配線部材１０の厚さも固定であり、コア層１１の厚さを８００μｍとし、絶縁層１３、１５、１７、２３、２５、及び２７の厚さを２５μｍとしている。

又、ガラスクロスに熱硬化性樹脂を含浸させたコア層１１の弾性率は約３０ＧＰａ程度とし、熱膨張係数は約１０ｐｐｍ／℃程度とした。又、熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁層１３、１５、１７、２３、２５、及び２７の弾性率は約５〜１５ＧＰａ程度とし、熱膨張係数は約１０〜４０ｐｐｍ／℃程度とした。又、感光性樹脂を主成分とする絶縁層３２、３４、及び３６の弾性率は約５ＧＰａ程度とし、熱膨張係数は約５０〜７０ｐｐｍ／℃程度とした。又、感光性樹脂を主成分とするソルダーレジスト層４０の弾性率は約２〜４ＧＰａ程度とし、熱膨張係数は約４０〜５０ｐｐｍ／℃程度とした。

シミュレーション結果を表１及び図１９に示す。表１及び図１９に示すように、比率Ｔ_１／Ｔ_２が小さくなるほど、すなわち、第２の配線部材３０の厚さＴ_１に対してソルダーレジスト層４０の厚さＴ_２が厚くなるほど、配線基板Ａの反り量が低減されることが確認された。又、比率Ｔ_１／Ｔ_２が大きい場合には第２の配線部材３０側が凸に反る傾向があり、比率Ｔ_１／Ｔ_２が小さくなると第２の配線部材３０側が凹に反る傾向に変化することが確認された。

［実施例２］
図１の構造を有する配線基板（配線基板Ｂとする）について、反りのシミュレーションを実行した。具体的には、配線基板Ｂの平面形状は４０ｍｍ×４０ｍｍの矩形状とした。そして、ソルダーレジスト層４０の厚さＴ_２を３０μｍに固定し、第２の配線部材３０の厚さＴ_１を１８μｍ、２２．５μｍ、２８．５μｍ、３１．５μｍ、３７．５μｍに変えた場合の配線基板Ｂの反りのシミュレーションを実行した。なお、第１の配線部材１０の厚さも固定であり、コア層１１の厚さを８００μｍとし、絶縁層１３、１５、１７、２３、２５、及び２７の厚さを２５μｍとしている。各層の弾性率や熱膨張係数は、実施例１と同様である。

シミュレーション結果を表２及び図２０に示す。表２及び図２０に示すように、比率Ｔ_１／Ｔ_２が小さくなるほど、すなわち、ソルダーレジスト層４０の厚さＴ_２に対して第２の配線部材３０の厚さＴ_１が薄くなるほど、配線基板Ｂの反り量が低減されることが確認された。又、比率Ｔ_１／Ｔ_２が大きい場合には第２の配線部材３０側が凸に反る傾向があり、比率Ｔ_１／Ｔ_２が小さくなると第２の配線部材３０側が凹に反る傾向に変化することが確認された。

［比較例］
図１において第２の配線部材３０に代えてソルダーレジスト層４０を設けた構造、すなわち、第１の配線部材１０の両側にソルダーレジスト層４０を設けた構造の配線基板（配線基板Ｃとする）について、反りのシミュレーションを実行した。具体的には、配線基板Ｃの平面形状は４０ｍｍ×４０ｍｍの矩形状とした。そして、第１の配線部材１０の両側のソルダーレジスト層４０の厚さＴ_２を各々３０μｍとした場合の配線基板Ｃの反りのシミュレーションを実行した。なお、コア層１１の厚さを８００μｍとし、絶縁層１３、１５、１７、２３、２５、及び２７の厚さを２５μｍとしている。各層の弾性率や熱膨張係数は、実施例１と同様である。

シミュレーション結果は、反り量が２８μｍの凹状の反りとなった。

［実施例１及び２、比較例の結果のまとめ］
比較例に係る配線基板Ｃは、第１の配線部材１０に対して上下対称構造であり、反り量が２８μｍであった。これに対し、実施例１に係る配線基板Ａや実施例２に係る配線基板Ｂは、第１の配線部材１０の一方の側に高密度配線層である第２の配線部材３０が形成され、他方の側にソルダーレジスト層４０が形成された第１の配線部材１０に対して上下非対称構造である。

しかし、上下非対称構造である配線基板ＡやＢでも、ソルダーレジスト層４０の厚さＴ_２に対する第２の配線部材３０の厚さＴ_１の比率（Ｔ_１／Ｔ_２）を１と等しく、又は、１以下にすることで、上下対称構造である配線基板Ｃよりも反り量を低減できることがわかった。

なお、発明者らに検討により、第２の配線部材３０の配線層３７のパッド部に半導体チップ等の電子部品を実装する場合を考慮すると、配線基板の反り量を２０μｍ以下に抑制すると好適であり、１０μｍ以下に抑制すると更に好適であることがわかっている。上記シミュレーション結果より、配線基板Ａ及びＢの反り量を１０μｍ以下に抑制するためには、比率Ｔ_１／Ｔ_２を０．７５以下とすると好ましい。

［実施例３］
図１７の構造を有する配線基板（配線基板Ｄとする）について、反りのシミュレーションを実行した。具体的には、配線基板Ｄの平面形状は４０ｍｍ×４０ｍｍの矩形状とした。そして、第２の配線部材３０Ｄの厚さＴ_１を２７．５μｍに固定し、ソルダーレジスト層４０の厚さＴ_２を１０μｍ、１５μｍ、２０μｍ、３０μｍ、４０μｍに変えた場合の配線基板Ｄの反りのシミュレーションを実行した。なお、第１の配線部材１０Ｄの厚さも固定であり、絶縁層２３、２５、及び２７の厚さを２５μｍとしている。各層の弾性率や熱膨張係数は、実施例１と同様である。

シミュレーション結果を表３及び図２１に示す。表３及び図２１に示すように、比率Ｔ_１／Ｔ_２が所定値に近くなると配線基板Ｄの反り量が低減されることが確認された。又、比率Ｔ_１／Ｔ_２が所定値より大きい場合には第２の配線部材３０Ｄ側が凸に反る傾向があり、比率Ｔ_１／Ｔ_２が所定値より小さい場合には第２の配線部材３０Ｄ側が凹に反る傾向があることが確認された。

このように、配線基板Ｄのようなコア層１１を有しないコアレス構造の場合には、コア層１１を有する配線基板Ａや配線基板Ｂとは、反り量の変化の傾向が異なることが確認された。すなわち、コアレス構造の配線基板Ｄでは、比率Ｔ_１／Ｔ_２が１近傍の所定値に近くなると反り量が改善される傾向にあるが、比率Ｔ_１／Ｔ_２が所定値より大きくなっても小さくなっても反り量が悪化する傾向にある。

以上、好ましい実施の形態及び実施例について詳説したが、上述した実施の形態及び実施例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態及び実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。

１、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、９０ 配線基板
１０、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ 第１の配線部材
１１ コア層
１１ａ 一方の面
１１ｂ 他方の面
１１ｘ 貫通孔
１２、１４、１６、１８、２２、２４、２６、２８、３１、３３、３５、３７、３７Ａ、３７Ｄ、５７、９２、９３ 配線層
１３、１５、１７、２３、２５、２７、３２、３４、３６ 絶縁層
１９ 貫通配線
２９ 樹脂部
１３ｘ、１５ｘ、１７ｘ、２３ｘ、２５ｘ、２７ｘ、３２ｘ、３４ｘ、３６ｘ、３６ｙ ビアホール
３０、３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ、３０Ｄ 第２の配線部材
３１ａ、３７ａ、３７ｃ、５７ａ シード層
３１ｂ、３７ｂ、５７ｂ 電解めっき層
３６ｚ、４０ｘ、３００ｘ、３０５ｘ、３１０ｘ 開口部
３８ 表面処理層
４０、９４、９５ ソルダーレジスト層
７０、８０ 半導体パッケージ
７１、８１ 半導体チップ
７２、８２ はんだバンプ
７３ アンダーフィル樹脂
７４ 外部接続端子
８５ 接合部
９１ 基板本体
１００ モールド樹脂
１２０、２２０ 金属箔
１８０ 金属層
３００、３０５、３１０ レジスト層

Claims (10)

1. 熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁層と配線層を備えた第１の配線部材と、
   前記第１の配線部材の一方の側に積層された、感光性樹脂を主成分とする絶縁層と配線層を備えた第２の配線部材と、
   前記第１の配線部材の他方の側に積層された、感光性樹脂を主成分とする最外絶縁層と、を有し、
   前記第２の配線部材の配線密度は、前記第１の配線部材の配線密度よりも高く、
   前記最外絶縁層の厚さに対する前記第２の配線部材の厚さの比率は１と等しい、又は、１以下である配線基板。
2. 前記比率は０．７５以下である請求項１記載の配線基板。
3. 前記第１の配線部材は、コア層、前記コア層の前記第２の配線部材側に積層された熱硬化性樹脂を主成分とする第１絶縁層、及び前記コア層の前記最外絶縁層側に積層された熱硬化性樹脂を主成分とする第２絶縁層、を有し、
   前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層の弾性率は、前記コア層の弾性率よりも小さく、
   前記第２の配線部材を構成する前記感光性樹脂を主成分とする絶縁層及び前記最外絶縁層の弾性率は、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層の弾性率よりも小さい請求項１又は２記載の配線基板。
4. 前記第１の配線部材は、コア層、前記コア層の前記第２の配線部材側に積層された熱硬化性樹脂を主成分とする第１絶縁層、及び前記コア層の前記最外絶縁層側に積層された熱硬化性樹脂を主成分とする第２絶縁層、を有し、
   前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層の熱膨張係数は、前記コア層の熱膨張係数よりも大きく、
   前記第２の配線部材を構成する前記感光性樹脂を主成分とする絶縁層及び前記最外絶縁層の熱膨張係数は、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層の熱膨張係数よりも大きい請求項１乃至３の何れか一項記載の配線基板。
5. 前記第１の配線部材を構成する前記熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁層であって、前記第２の配線部材に最も近い側に配置された第２の配線部材側絶縁層にはビア配線が形成され、
   前記ビア配線の前記第２の配線部材側の端面は、前記第２の配線部材側絶縁層の前記第２の配線部材側の面と面一とされている請求項１乃至４の何れか一項記載の配線基板。
6. 前記ビア配線の前記第２の配線部材側の端面は、前記第２の配線部材を構成する配線層とシード層を介して接合されている請求項５記載の配線基板。
7. 前記第２の配線部材を構成する最外の配線層の最外の絶縁層から突出する部分は電子部品搭載用のパッドであり、
   前記パッドの側面は、銅よりも耐腐食性の高い金属を含む層により被覆されている請求項１乃至６の何れか一項記載の配線基板。
8. 熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁層と配線層を備えた第１の配線部材を作製する工程と、
   前記第１の配線部材の一方の側に、感光性樹脂を主成分とする絶縁層と配線層を備えた第２の配線部材を積層する工程と、
   前記第１の配線部材の他方の側に、感光性樹脂を主成分とする最外絶縁層を積層する工程と、を有し、
   前記第１の配線部材を作製する工程は、
   配線層を被覆する熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁層を形成する工程と、
   前記熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁層に前記配線層の表面を露出するビアホールを形成する工程と、
   前記ビアホール内を充填すると共に前記熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁層の上面に延在する金属層を形成する工程と、
   前記金属層を研磨して前記熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁層の上面及び前記ビアホール内を充填する前記金属層の上面を露出させる工程と、を含み、
   前記第２の配線部材を積層する工程は、
   前記熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁層の上面に、前記金属層の上面と接合される配線層を形成する工程を含み、
   前記第２の配線部材を積層する工程では、前記第２の配線部材の配線密度は、前記第１の配線部材の配線密度よりも高く形成され、
   前記最外絶縁層の厚さに対する前記第２の配線部材の厚さの比率が１と等しく、又は、１以下に形成される配線基板の製造方法。
9. 前記金属層の上面を露出させる工程では、前記熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁層の上面と前記ビアホール内を充填する前記金属層の上面とは面一とされる請求項８記載の配線基板の製造方法。
10. 前記金属層の上面を露出させる工程では、前記金属層と共に前記熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁層の上面を研磨し、前記熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁層の上面の粗度を研磨前より小さくする請求項８又は９記載の配線基板の製造方法。

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