JP6368635B2 - 配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法に関するものである。

半導体チップ等の電子部品を実装するための配線基板は、様々な形状・構造のものが提案されている。近年は、半導体チップの高集積化及び高機能化に伴い、半導体チップが実装される配線基板においても配線の微細化の要求が高まっている。そこで、配線パターンの形成されたベース基板上にソルダレジスト層を形成し、そのソルダレジスト層から露出する配線パターン上に柱状の接続端子を形成した配線基板が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１０−１２９９９６号公報

ところで、ソルダレジスト層の材料として感光性樹脂を用いる場合には、そのソルダレジスト層と接続端子との界面にクラック等が生じやすいという問題がある。詳述すると、感光性樹脂からなるソルダレジスト層は、ガラスクロス等の補強材を含有していないため、機械的強度が弱い。また、ソルダレジスト層と接続端子（例えば、銅層）とは熱膨張係数が異なる。このため、接続端子が形成される領域では、接続端子とソルダレジスト層との界面に熱応力が集中し、その界面にクラック等が生じやすい。

本発明の一観点によれば、第１配線層と、感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂からなり、前記第１配線層を被覆する第１絶縁層と、前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通して前記第１配線層を露出する貫通孔内に形成された第１ビア配線と、前記第１ビア配線を介して前記第１配線層と電気的に接続され、前記第１絶縁層の上面から上方に突出して形成され、電子部品と接続される接続端子と、感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂からなり、前記接続端子の側面を被覆するように前記第１絶縁層の上面に形成された保護層と、を有し、前記保護層は、前記電子部品が実装される実装領域に形成され、前記接続端子の側面に接して前記接続端子を取り囲むように形成された第１保護層と、前記実装領域よりも外側の外周領域において、前記第１絶縁層の上面を露出する第１開口部により前記第１保護層と離間して形成され、前記第１保護層よりも薄く形成された第２保護層とを有し、前記第１保護層の上面には、前記接続端子の側面側から、前記接続端子から離間する方向に向かって湾曲状に凹む湾曲部が形成されている。

本発明の一観点によれば、接続端子と絶縁層との界面にクラック等が発生することを抑制できるという効果を奏する。

（ａ）は、第１実施形態の配線基板を示す概略断面図（図２における１−１断面図）、（ｂ）は、（ａ）に示した配線基板の一部を拡大した拡大断面図。 第１実施形態の配線基板を示す概略平面図。 第１実施形態の半導体装置を示す概略断面図。 （ａ），（ｂ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。 （ａ），（ｂ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。 （ａ），（ｂ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。 （ａ），（ｂ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。 （ａ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図、（ｂ）は、（ａ）の一部を拡大した拡大断面図。 （ａ），（ｂ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。 第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。 第１実施形態の配線基板の製造方法を示す拡大断面図。 第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。 （ａ），（ｂ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す拡大断面図。 （ａ），（ｂ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す拡大断面図。 第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。 第１実施形態の半導体装置の製造方法を示す概略断面図。 （ａ）は、実施例サンプルのモデル構造を示す概略断面図、（ｂ）は、比較例サンプルのモデル構造を示す概略断面図。 （ａ）は、実施例サンプルの応力分布のシミュレーション結果を示す説明図、（ｂ）は、比較例サンプルの応力分布のシミュレーション結果を示す説明図。 比較例の保護層を示す概略断面図。 反りのシミュレーション結果を示す説明図。 第２実施形態の配線基板を示す概略断面図。 第３実施形態の配線基板を示す概略断面図。 第４実施形態の配線基板を示す概略断面図。 変形例の配線基板の一部を示す拡大断面図。 変形例の配線基板の一部を示す拡大断面図。

以下、一実施形態を添付図面を参照して説明する。
なお、添付図面は、便宜上、特徴を分かりやすくするために特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを梨地模様に代えて示し、一部の部材のハッチングを省略している。

図１（ａ）に示すように、配線基板１０は、配線構造１１（第１配線構造）と、配線構造１１の一方の側（ここでは、上側）に積層された配線構造１２（第２配線構造）と、配線構造１１の他方の側（ここでは、下側）に積層されたソルダレジスト層１３とを有している。配線基板１０の平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、配線基板１０の平面形状は、２０ｍｍ×２０ｍｍ〜４０ｍｍ×４０ｍｍ程度の正方形状とすることができる。

まず、配線構造１１の構造について説明する。
配線構造１１は、配線構造１２よりも配線密度の低い配線層が形成された低密度配線層である。この配線構造１１は、コア基板２０と、コア基板２０の上面２０Ａに積層された絶縁層３１と、コア基板２０の下面２０Ｂに積層された絶縁層４１とを有している。

ここで、コア基板２０及び絶縁層３１，４１の材料としては、例えば、熱硬化性樹脂を主成分とする非感光性の絶縁性樹脂を用いることができる。例えば、コア基板２０及び絶縁層３１，４１の材料としては、補強材であるガラスクロス（ガラス織布）にエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂を含浸させ硬化させた、いわゆるガラスエポキシ樹脂を用いることができる。補強材としてはガラスクロスに限らず、例えば、ガラス不織布、アラミド織布、アラミド不織布、液晶ポリマ（Liquid Crystal Polymer：ＬＣＰ）織布やＬＣＰ不織布を用いることができる。熱硬化性の絶縁性樹脂としてはエポキシ樹脂に限らず、例えば、ポリイミド樹脂やシアネート樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。なお、コア基板２０及び絶縁層３１，４１は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。また、コア基板２０及び絶縁層３１，４１の材料としては、例えば、補強材が含有されていない熱硬化性樹脂を主成分とする非感光性の絶縁性樹脂を用いることもできる。

コア基板２０は、配線構造１１の厚さ方向の中心付近に設けられている。コア基板２０の厚さは、例えば８０〜８００μｍ程度とすることができる。コア基板２０には、所要の箇所（図１（ａ）では４箇所）に貫通孔２０Ｘが設けられている。貫通孔２０Ｘは、コア基板２０の上面２０Ａから下面２０Ｂまでを貫通するように形成されている。貫通孔２０Ｘ内には、コア基板２０を厚さ方向に貫通する貫通電極２１が形成されている。貫通電極２１は、例えば、貫通孔２０Ｘ内に充填されている。貫通孔２０Ｘ及び貫通電極２１は、図示は省略するが、例えば平面視略円形状に形成されている。これら貫通孔２０Ｘ及び貫通電極２１の直径は、例えば、５０〜１００μｍ程度とすることができる。貫通孔２０Ｘ及び貫通電極２１のピッチは、例えば、１００〜２００μｍ程度とすることができる。また、貫通電極２１の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）や銅合金を用いることができる。

コア基板２０の上面２０Ａには配線層２２が形成され、コア基板２０の下面２０Ｂには配線層２３が形成されている。これら配線層２２，２３は貫通電極２１を介して相互に電気的に接続されている。なお、配線層２２，２３の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。配線層２２，２３の厚さは、例えば、１５〜３５μｍ程度とすることができる。配線層２２，２３のラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）は、例えば、２０μｍ／２０μｍ程度とすることができる。ここで、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）は、配線の幅と、隣り合う配線同士の間隔とを示す。

コア基板２０の上面２０Ａには、絶縁層３１と、絶縁層３１に形成されたビア配線３２とが積層されている。
絶縁層３１は、配線層２２を被覆するように、コア基板２０の上面２０Ａに積層されている。絶縁層３１の厚さは、例えば、コア基板２０よりも薄く設定されている。例えば、絶縁層３１の厚さは４０〜７５μｍ程度とすることができる。

絶縁層３１には、上面３１Ａの所要の箇所に開口し、当該絶縁層３１を厚さ方向に貫通して配線層２２の上面の一部を露出する貫通孔３１Ｘが形成されている。貫通孔３１Ｘは、図１（ａ）において下側（コア基板２０側）から上側（配線構造１２側）に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。例えば、貫通孔３１Ｘは、下側の開口端の開口径が上側の開口端の開口径よりも小さくなる略逆円錐台形状に形成されている。なお、貫通孔３１Ｘの上側の開口端の開口径は、例えば、貫通電極２１の直径よりも小さい。例えば、貫通孔３１Ｘの上側の開口端の開口径は５０〜７０μｍ程度とすることができる。

絶縁層３１の上面３１Ａは、凹凸が少ない平滑面（低粗度面）である。例えば、絶縁層３１の上面３１Ａは研磨面である。絶縁層３１の上面３１Ａは、例えば、貫通孔３１Ｘの内側面よりも表面粗度が小さく、絶縁層４１の下面よりも表面粗度が小さくなっている。絶縁層３１の上面３１Ａの粗度は、表面粗さＲａ値で例えば１５〜４０ｎｍ程度となるように設定されている。また、貫通孔３１Ｘの内側面の粗度及び絶縁層４１の下面の粗度は、表面粗さＲａ値で例えば３００〜４００ｎｍ程度となるように設定されている。ここで、表面粗さＲａ値とは、表面粗さを表わす数値の一種であり、算術平均粗さと呼ばれるものであって、具体的には測定領域内で変化する高さの絶対値を平均ラインである表面から測定して算術平均したものである。

貫通孔３１Ｘ内には、配線層２２と電気的に接続されるビア配線３２が形成されている。このビア配線３２は、絶縁層３１を厚さ方向に貫通するように形成されている。本例のビア配線３２は、貫通孔３１Ｘ内に充填されている。本例のビア配線３２は、貫通孔３１Ｘと同様に、上端面３２Ａが下端面よりも大きくなる略逆円錐台形状に形成されている。ビア配線３２の上端面３２Ａの直径は例えば５０〜７０μｍ程度とすることができる。

ビア配線３２の上端面３２Ａは、絶縁層３１の上面３１Ａから露出されている。例えば、ビア配線３２の上端面３２Ａは、絶縁層３１の上面３１Ａと略面一に形成されている。ビア配線３２の上端面３２Ａは、絶縁層３１の上面３１Ａと同様に、凹凸が少ない平滑面（低粗度面）である。例えば、ビア配線３２の上端面３２Ａは研磨面である。ビア配線３２の上端面３２Ａの粗度は、表面粗さＲａ値で例えば１５〜４０ｎｍ程度となるように設定されている。なお、ビア配線３２の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。

コア基板２０の下面２０Ｂには、絶縁層４１と、配線層４２とが順に積層されている。絶縁層４１は、配線層２３を被覆するように、コア基板２０の下面２０Ｂに積層されている。絶縁層４１の厚さは、例えば、コア基板２０よりも薄く設定されている。例えば、絶縁層４１の厚さは４０〜７５μｍ程度とすることができる。

配線層４２は、絶縁層４１の下面に積層されている。配線層４２は、配線層２３と電気的に接続されている。この配線層４２は、貫通孔４１Ｘ内に充填されたビア配線と、絶縁層４１の下面に形成された配線パターンとを有している。絶縁層４１の下面上に積層された配線層４２の厚さは、例えば、１５〜３５μｍ程度とすることができる。配線層４２のラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）は、例えば、２０μｍ／２０μｍ程度とすることができる。なお、配線層４２の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。

次に、配線構造１２の構造について説明する。
配線構造１２は、配線構造１１の最上層に形成された絶縁層３１の上面３１Ａに積層された配線構造である。配線構造１２は、配線構造１１よりも配線密度の高い配線層が形成された高密度配線層である。

配線構造１２は、絶縁層３１上に積層された配線層５０と、絶縁層５１と、配線層５２と、絶縁層５３と、配線層５４と、保護層６０とが順に積層された構造を有している。
ここで、絶縁層５１，５３の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂等の感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂を用いることができる。これら絶縁層５１，５３は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。

また、配線層５０，５２，５４は、配線構造１１の配線層よりも薄い配線層である。絶縁層３１，５１上に形成された配線層５０，５２の厚さは、例えば１〜３μｍ程度とすることができる。絶縁層５３上に形成された配線層５４の厚さは、例えば１０〜１５μｍ程度とすることができる。配線層５０，５２，５４の配線幅及び配線間隔は、配線構造１１内の配線層２２，２３，４２の配線幅及び配線間隔よりも小さい。配線層５０，５２，５４のラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）は、例えば２μｍ／２μｍ程度とすることができる。また、絶縁層５１，５３は、配線構造１１内の絶縁層３１，４１よりも薄い絶縁層である。絶縁層５１，５３の厚さは、例えば３〜１０μｍ程度とすることができる。

配線層５０は、ビア配線３２の上端面３２Ａと接続するように、絶縁層３１の上面３１Ａ上に積層されている。すなわち、配線層５０の下面の一部がビア配線３２の上端面３２Ａと接しており、配線層５０とビア配線３２とが電気的に接続されている。換言すると、配線層５０とビア配線３２とは電気的に接続されているが、一体的ではない。具体的には、配線層５０は、例えば、ビア配線３２（例えば、銅（Ｃｕ）層）の上端面３２Ａ上に形成されたシード層５０Ａ（例えば、チタン（Ｔｉ）層とＣｕ層の積層体）と、そのシード層５０Ａ上に形成された金属層５０Ｂ（例えば、Ｃｕ層）とを有している。すなわち、金属層５０Ｂは、シード層５０Ａを介してビア配線３２に接続されている。

シード層５０Ａは、ビア配線３２の上端面３２Ａを被覆するとともに、その上端面３２Ａ周辺の絶縁層３１の上面３１Ａを被覆するように形成されている。金属層５０Ｂは、シード層５０Ａの上面全面を被覆するように形成されている。

絶縁層５１は、絶縁層３１の上面３１Ａに、配線層５０を被覆するように形成されている。絶縁層５１には、所要の箇所に、当該絶縁層５１を厚さ方向に貫通して配線層５０の上面の一部を露出する貫通孔５１Ｘが形成されている。

配線層５２は、絶縁層５１の上面に積層されている。配線層５２は、配線層５０と電気的に接続されている。この配線層５２は、貫通孔５１Ｘ内に充填されたビア配線と、絶縁層５１の上面に形成された配線パターンとを有している。配線層５２の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。

絶縁層５３は、絶縁層５１の上面に、配線層５２を被覆するように形成されている。絶縁層５３には、所要の箇所に、当該絶縁層５３を厚さ方向に貫通して配線層５２の上面の一部を露出する貫通孔５３Ｘが形成されている。

ここで、貫通孔５１Ｘ，５３Ｘは、図１（ａ）において下側（配線構造１１側）から上側（配線層５４側）に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。例えば、貫通孔５１Ｘ，５３Ｘは、上側の開口端の開口径が下側の開口端の開口径よりも大径となる略逆円錐台形状に形成されている。貫通孔５１Ｘの上側の開口端の開口径は、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。

絶縁層５３の上面５３Ａには、配線層５４と認識マーク５４Ｍとが形成されている。配線層５４は、貫通孔５３Ｘ内に充填されたビア配線５５と、絶縁層５３の上面５３Ａから上方に突出する接続端子Ｐ１とを有している。接続端子Ｐ１は、例えば、絶縁層５３の上面５３Ａから上方に延びるように形成された柱状の接続端子（金属ポスト）である。また、認識マーク５４Ｍは、例えば、絶縁層５３の上面５３Ａから上方に延びるように柱状に形成されている。なお、ビア配線５５及び接続端子Ｐ１の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。

図１（ｂ）に示すように、接続端子Ｐ１は、半導体チップ等の電子部品が実装される実装領域Ａ１に形成されている。この接続端子Ｐ１は、電子部品と電気的に接続するための電子部品搭載用のパッドとして機能する。また、認識マーク５４Ｍは、実装領域Ａ１よりも外側の外周領域Ａ２に形成されている。この認識マーク５４Ｍは、例えば、アライメントマークとして利用される。

図２に示すように、複数の接続端子Ｐ１は、実装領域Ａ１における絶縁層５３の上面５３Ａ上に、平面視でマトリクス状に形成されている。各接続端子Ｐ１は、例えば、平面視略円形状に形成されている。すなわち、本例の接続端子Ｐ１は、略円柱状に形成されている。一方、認識マーク５４Ｍの平面形状は、例えば、接続端子Ｐ１とは異なる形状に形成されている。例えば、本例の認識マーク５４Ｍは、平面視略矩形状に形成されている。すなわち、本例の認識マーク５４Ｍは、略四角柱状に形成されている。

図１（ｂ）に示すように、接続端子Ｐ１の高さと認識マーク５４Ｍの高さとは略同じ高さに設定されている。接続端子Ｐ１及び認識マーク５４Ｍの高さは、例えば、１０〜２０μｍ程度とすることができる。接続端子Ｐ１の直径は、例えば、２０〜３０μｍ程度とすることができる。接続端子Ｐ１のピッチは、例えば、４０〜６０μｍ程度とすることができる。

なお、必要に応じて、接続端子Ｐ１の表面（上面及び側面、又は上面のみ）に表面処理層を形成するようにしてもよい。表面処理層の例としては、金（Ａｕ）層、ニッケル（Ｎｉ）層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ層／パラジウム（Ｐｄ）層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。これらＮｉ層、Ａｕ層、Ｐｄ層としては、例えば、無電解めっき法により形成された金属層（無電解めっき金属層）を用いることができる。また、Ｎｉ層はＮｉ又はＮｉ合金からなる金属層、Ａｕ層はＡｕ又はＡｕ合金からなる金属層、Ｐｄ層はＰｄ又はＰｄ合金からなる金属層である。また、接続端子Ｐ１の表面（上面及び側面、又は上面のみ）に、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理などの酸化防止処理を施して表面処理層を形成するようにしてもよい。

絶縁層５３の上面５３Ａには、配線層５４の側面を被覆する保護層６０が形成されている。保護層６０は、実装領域Ａ１に形成された第１保護層６１と、外周領域Ａ２に形成された第２保護層６２とを有している。保護層６０には、第１保護層６１と第２保護層６２との間に、下層の絶縁層５３の上面５３Ａを露出する溝状の開口部６０Ｘが形成されている。この開口部６０Ｘによって第１保護層６１と第２保護層６２とは互いに離間されている。開口部６０Ｘは、例えば、実装領域Ａ１を取り囲むように環状に形成されている。

第１保護層６１は、複数の接続端子Ｐ１の各々に対応して設けられた第１保護絶縁層６３と、第１保護絶縁層６３と離間して形成された第２保護絶縁層６４とを有している。
各第１保護絶縁層６３は、接続端子Ｐ１の側面の一部と接し、その接続端子Ｐ１の側面を被覆するように形成されている。各第１保護絶縁層６３は、略円柱状に形成された接続端子Ｐ１をリング状に取り囲むように形成されている。すなわち、本例の第１保護絶縁層６３は、略円筒状に形成されている。各第１保護絶縁層６３の厚さＨ２は、接続端子Ｐ１の厚さＨ１以下の厚さに設定されている。本例の第１保護絶縁層６３の厚さＨ２は、接続端子Ｐ１の厚さＨ１よりも薄く設定されている。このため、各接続端子Ｐ１の上面及び各接続端子Ｐ１の上端部側の側面は、第１保護絶縁層６３から露出されている。

第２保護絶縁層６４は、実装領域Ａ１のうち第１保護絶縁層６３の形成されていない領域に形成されている。具体的には、第２保護絶縁層６４は、隣接する第１保護絶縁層６３の間において、絶縁層５３の上面５３Ａに形成されている。第２保護絶縁層６４の平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。図２に示すように、第２保護絶縁層６４を平面視略菱形状に形成してもよいし、第２保護絶縁層６４を一方向（ここでは、図中上下方向）に延びるように平面視略帯状に形成してもよい。また、第２保護絶縁層６４を、二方向（例えば、図中上下方向及び左右方向）にそれぞれ延びるように平面視略十字状に形成してもよい。なお、第２保護絶縁層６４の厚さＨ３（図１（ｂ）参照）は、例えば、第１保護絶縁層６３の厚さＨ２（図１（ｂ）参照）と略同じ厚さに設定されている。

第１保護層６１には、隣接する第１保護絶縁層６３間、及び第１保護絶縁層６３と第２保護絶縁層６４との間に、下層の絶縁層５３の上面５３Ａを露出する開口部６１Ｘが形成されている。開口部６１Ｘは、各第１保護絶縁層６３を取り囲むように環状（ここでは、略円環状）に形成されている。本例の開口部６１Ｘは、平面視において８の字が連続した形状に形成されている。この開口部６１Ｘによって、隣接する第１保護絶縁層６３が互いに離間され、第１保護絶縁層６３と第２保護絶縁層６４とが互いに離間されている。換言すると、開口部６１Ｘの形成によって、第１保護絶縁層６３及び第２保護絶縁層６４が画定されている。

第２保護層６２は、外周領域Ａ２における絶縁層５３の上面５３Ａを全体的に被覆するように形成されている。第２保護層６２は、例えば、べた状に形成されている。図１（ｂ）に示すように、第２保護層６２は、第１保護層６１よりも薄く形成されている。すなわち、第２保護層６２の厚さＨ４は、第１保護絶縁層６３の厚さＨ２よりも薄く、且つ第２保護絶縁層６４の厚さＨ３よりも薄く設定されている。

第２保護層６２には、例えば、認識マーク５４Ｍを露出する開口部６２Ｘが形成されている。第２保護層６２は、開口部６２Ｘにより認識マーク５４Ｍと離間して形成されている。開口部６２Ｘは、第２保護層６２を厚さ方向に貫通するように形成され、下層の絶縁層５３の上面５３Ａを露出するように形成されている。図２に示すように、開口部６２Ｘの平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。本例の開口部６２Ｘは、平面視略十字状に形成されている。そして、開口部６２Ｘの平面視略中央部に、平面視略矩形状の認識マーク５４Ｍが形成されている。

以上説明した保護層６０、つまり第１保護層６１（第１保護絶縁層６３及び第２保護絶縁層６４）及び第２保護層６２の材料としては、例えば、感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂を用いることができる。例えば、保護層６０の材料としては、絶縁層５３と同様の材料や、ソルダレジストを用いることができる。

図１（ａ）に示すように、ソルダレジスト層１３は、配線構造１１の下面に形成された最外層（ここでは、最下層）の絶縁層である。ソルダレジスト層１３は、配線構造１１の最下層に形成された絶縁層４１の下面に、配線構造１１の最下層の配線層４２を被覆するように積層されている。

ソルダレジスト層１３には、最下層の配線層４２の一部を外部接続用パッドＰ２として露出させるための開口部１３Ｘが形成されている。この外部接続用パッドＰ２には、配線基板１０をマザーボード等の実装基板に実装する際に使用されるはんだボールやリードピン等の外部接続端子８６（図３参照）が接続されるようになっている。なお、必要に応じて、開口部１３Ｘから露出する配線層４２上に表面処理層を形成するようにしてもよい。表面処理層の例としては、Ａｕ層、Ｎｉ／Ａｕ層や、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｕ層などを挙げることができる。また、外部接続用パッドＰ２に、ＯＳＰ処理などの酸化防止処理を施して表面処理層を形成するようにしてもよい。なお、開口部１３Ｘから露出する配線層４２（あるいは、配線層４２上に表面処理層が形成されている場合には、その表面処理層）自体を、外部接続端子としてもよい。

開口部１３Ｘ及び外部接続用パッドＰ２の平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、開口部１３Ｘ及び外部接続用パッドＰ２の平面形状は、直径が２００〜３００μｍ程度の円形状とすることができる。なお、ソルダレジスト層１３の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂などを主成分とする感光性の絶縁性樹脂を用いることができる。ソルダレジスト層１３は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。

次に、図３に従って、半導体装置７０の構造について説明する。
半導体装置７０は、配線基板１０と、１つ又は複数（ここでは、２つ）の半導体チップ８０と、アンダーフィル樹脂８５と、外部接続端子８６とを有している。

半導体チップ８０は、配線基板１０にフリップチップ実装されている。すなわち、半導体チップ８０の回路形成面（ここでは、下面）に配設された接続端子８１を、接合部材８２を介して配線基板１０の接続端子Ｐ１に接合することにより、半導体チップ８０は、接続端子８１及び接合部材８２を介して配線層５４と電気的に接続されている。

半導体チップ８０としては、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）チップやＧＰＵ（Graphics Processing Unit）チップなどのロジックチップを用いることができる。また、半導体チップ８０としては、例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）チップ、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）チップやフラッシュメモリチップなどのメモリチップを用いることもできる。なお、配線基板１０に複数の半導体チップ８０を搭載する場合には、ロジックチップとメモリチップとを組み合わせて配線基板１０に搭載するようにしてもよい。例えば、配線基板１０にＣＰＵチップとＤＲＡＭチップとを搭載するようにしてもよいし、配線基板１０にＧＰＵチップとＤＲＡＭチップとを搭載するようにしてもよい。

半導体チップ８０の大きさは、例えば、平面視で３ｍｍ×３ｍｍ〜１２ｍｍ×１２ｍｍ程度とすることができる。また、半導体チップ８０の厚さは、例えば、５０〜１００μｍ程度とすることができる。

接続端子８１としては、例えば、金属ポストを用いることができる。この接続端子８１は、半導体チップ８０の回路形成面から下方に延びる柱状の接続端子である。本例の接続端子８１は、例えば、円柱状に形成されている。このような接続端子８１の高さは、例えば、１０〜２０μｍ程度とすることができる。接続端子８１の直径は、例えば、２０〜３０μｍ程度とすることができる。また、接続端子８１のピッチは、例えば、４０〜６０μｍ程度とすることができる。接続端子８１の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。なお、接続端子８１としては、金属ポストの他に、例えば金バンプを用いることもできる。

接合部材８２は、配線層５４に接合されるとともに、接続端子８１に接合されている。接合部材８２としては、例えば、錫（Ｓｎ）層や鉛（Ｐｂ）フリーはんだのはんだめっきを用いることができる。はんだめっきの材料としては、例えば、Ｓｎ−銀（Ａｇ）系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系の鉛フリーはんだを用いることができる。なお、接合部材８２の厚さは、例えば、５〜１５μｍ程度とすることができる。

アンダーフィル樹脂８５は、配線基板１０と半導体チップ８０との隙間を充填するように設けられている。このアンダーフィル樹脂８５は、第１保護層６１の開口部６１Ｘを充填するように形成されている。アンダーフィル樹脂８５の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。

外部接続端子８６は、配線基板１０の外部接続用パッドＰ２上に形成されている。この外部接続端子８６は、例えば、図示しないマザーボード等の実装基板に設けられたパッドと電気的に接続される接続端子である。外部接続端子８６としては、例えば、はんだボールやリードピンを用いることができる。なお、本例では、外部接続端子８６として、はんだボールを用いている。

本実施形態において、配線構造１１は第１配線構造の一例、配線構造１２は第２配線構造の一例、配線層２２は第２配線層の一例、絶縁層３１は第２絶縁層の一例、ビア配線３２は第２ビア配線の一例である。また、配線層５２は第１配線層の一例、絶縁層５３は第１絶縁層の一例、ビア配線５５は第１ビア配線の一例、半導体チップ８０は電子部品の一例である。

次に、配線基板１０及び半導体装置７０の作用について説明する。
配線構造１２の最上層の絶縁層５３の上面５３Ａに、柱状の接続端子Ｐ１の側面に接してその接続端子Ｐ１を取り囲む保護層６０（第１保護層６１の第１保護絶縁層６３）を形成するようにした。これにより、接続端子Ｐ１の下面が絶縁層５３の上面５３Ａに接触されるとともに、接続端子Ｐ１の側面の一部が保護層６０に接触される。このため、保護層６０が形成されていない場合に比べて、接続端子Ｐ１と感光性樹脂層（絶縁層５３及び保護層６０）との界面を増加させることができる。これにより、接続端子Ｐ１と感光性樹脂層との熱膨張係数の相違に起因する熱応力を分散させることができ、１箇所に集中する応力を減少させることができる。この結果、接続端子Ｐ１と感光性樹脂層との界面にクラックが発生することを好適に抑制できる。

次に、配線基板１０の製造方法について説明する。以下の説明では、１つの配線基板１０を拡大して説明するが、実際には１つの基板上に複数の配線基板１０となる部材を一括して作製した後、個々の配線基板１０に個片化される。

まず、図４（ａ）に示す工程では、例えばコア基板２０となる銅張積層板（Copper Clad Laminate：ＣＣＬ）に貫通孔２０Ｘを形成し、電解めっきやペースト充填等の方法により貫通孔２０Ｘ内に貫通電極２１を形成する。その後、例えばサブトラクティブ法により、コア基板２０の上面２０Ａに配線層２２を形成するとともに、コア基板２０の下面２０Ｂに配線層２３を形成する。

次に、図４（ｂ）に示す工程では、コア基板２０の上面２０Ａ及び配線層２２を被覆する絶縁層３１を形成するとともに、コア基板２０の下面２０Ｂ及び配線層２３を被覆する絶縁層４１を形成する。絶縁層３１，４１として樹脂フィルムを用いる場合には、例えば、コア基板２０の上面２０Ａ及び下面２０Ｂに樹脂フィルムをラミネートする。そして、樹脂フィルムを押圧しながら硬化温度以上の温度（例えば、１３０〜２００℃程度）で熱処理して硬化させることにより、絶縁層３１，４１を形成することができる。このとき、樹脂フィルムを真空雰囲気中でラミネートすることにより、ボイドの巻き込みを防止することができる。なお、樹脂フィルムとしては、例えば、エポキシ系樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂のフィルムを用いることができる。また、絶縁層３１，４１として液状又はペースト状の絶縁性樹脂を用いる場合には、コア基板２０の上面２０Ａ及び下面２０Ｂに液状又はペースト状の絶縁性樹脂をスピンコート法などにより塗布する。そして、塗布した絶縁性樹脂を硬化温度以上の温度で熱処理して硬化させることにより、絶縁層３１，４１を形成することができる。なお、液状又はペースト状の絶縁性樹脂としては、例えば、エポキシ系樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂を用いることができる。

続いて、図５（ａ）に示す工程では、配線層２２の上面の一部が露出されるように絶縁層３１の所定箇所に貫通孔３１Ｘを形成するとともに、配線層２３の下面の一部が露出されるように絶縁層４１の所定箇所に貫通孔４１Ｘを形成する。これら貫通孔３１Ｘ，４１Ｘは、例えば、ＣＯ_２レーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等によるレーザ加工法によって形成することができる。次いで、貫通孔３１Ｘ，４１Ｘをレーザ加工法によって形成した場合には、デスミア処理を行って、貫通孔３１Ｘ，４１Ｘの底部に露出する配線層２２，２３の露出面に付着した樹脂スミアを除去する。このデスミア処理により、貫通孔３１Ｘの内側面及び絶縁層３１の上面３１Ａが粗化されるとともに、貫通孔４１Ｘの内側面及び絶縁層４１の下面が粗化される。

次に、図５（ｂ）に示す工程では、絶縁層４１の貫通孔４１Ｘに充填されたビア配線と、そのビア配線を介して配線層２３と電気的に接続され、絶縁層４１の下面に積層された配線パターンとを有する配線層４２を形成する。配線層４２は、例えば、セミアディティブ法やサブトラクティブ法などの各種の配線形成方法を用いて形成することができる。

また、図５（ｂ）に示す工程では、貫通孔３１Ｘの内面を含む絶縁層３１の表面全面及び貫通孔３１Ｘから露出する配線層２２の上面全面を被覆するシード層（図示略）を形成し、そのシード層を給電層とする電解めっきを施す。例えば、シード層を無電解銅めっき法により形成し、そのシード層を給電層とする電解銅めっき法を施す。これにより、貫通孔３１Ｘを充填するとともに、絶縁層３１の上面３１Ａ全面を被覆する導電層１００が形成される。

続いて、例えばＣＭＰ法（Chemical Mechanical Polishing）等により、絶縁層３１の上面３１Ａから突出する導電層１００を研磨するとともに、粗化面である絶縁層３１の上面３１Ａの一部を研磨する。これにより、図６（ａ）に示すように、貫通孔３１Ｘ内に充填されたビア配線３２が形成され、そのビア配線３２の上端面３２Ａが絶縁層３１の上面３１Ａと略面一になるように形成される。また、絶縁層３１の上面３１Ａの一部を研磨することにより、絶縁層３１の上面３１Ａが平滑化される。例えば、研磨前における絶縁層３１の上面３１Ａの粗度が表面粗さＲａ値で３００〜４００ｎｍ程度であるのに対し、研磨により絶縁層３１の上面３１Ａの粗度を表面粗さＲａ値で１５〜４０ｎｍ程度とすることができる。換言すると、本工程では、絶縁層３１の上面３１Ａが平滑化される（例えば、表面粗さＲａ値で１５〜４０ｎｍ程度となる）ように、絶縁層３１の上面３１Ａが研磨される。なお、貫通孔３１Ｘの内側面及び絶縁層４１の下面は粗面化された状態のままであるため、絶縁層３１の上面３１Ａは貫通孔３１Ｘの内側面及び絶縁層４１の下面よりも表面粗度が小さくなる。本工程の研磨により、絶縁層３１の上面３１Ａ及びビア配線３２の上端面３２Ａは研磨面となる。

以上の製造工程により、配線構造１１を製造することができる。
次に、図６（ｂ）に示す工程では、絶縁層３１の上面３１Ａ全面及びビア配線３２の上端面３２Ａ全面を被覆するようにシード層５０Ａを形成する。このシード層５０Ａは、例えばスパッタ法や無電解めっき法により形成することができる。例えば、本工程では、絶縁層３１の上面３１Ａが平滑面であるため、その上面３１Ａに対してスパッタ法によりシード層５０Ａを均一に形成することができ、シード層５０Ａの上面を平滑に形成することができる。このため、粗化面に対してスパッタ法によりシード層５０Ａを形成する場合に比べて、シード層５０Ａを薄く形成することができる。例えば、スパッタ法によりシード層５０Ａを形成する場合には、まず、絶縁層３１の上面３１Ａ及びビア配線３２の上端面３２Ａを被覆するように、それら上面３１Ａ及び上端面３２Ａ上にチタン（Ｔｉ）をスパッタリングにより堆積させてＴｉ層を形成する。その後、Ｔｉ層上に銅をスパッタリングにより堆積させてＣｕ層を形成する。これにより、２層構造（Ｔｉ層／Ｃｕ層）のシード層５０Ａを形成することができる。このように、シード層５０Ａの下層にＴｉ層を形成することにより、絶縁層３１とシード層５０Ａとの密着性を向上させることができる。なお、Ｔｉ層を窒化チタン（ＴｉＮ）からなるＴｉＮ層に変更し、ＴｉＮ層とＣｕ層からなる２層構造のシード層５０Ａを形成するようにしてもよい。ここで、チタンや窒化チタンは、銅よりも耐腐食性の高い金属である。また、無電解めっき法によりシード層５０Ａを形成する場合には、例えば、無電解銅めっき法によりＣｕ層（１層構造）からなるシード層５０Ａを形成することができる。

なお、シード層５０Ａを形成する前に、絶縁層３１の上面３１Ａに、Ｏ_２プラズマアッシング等のプラズマ処理を施すようにしてもよい。プラズマ処理を施すことにより、絶縁層３１の上面３１Ａを粗化できる。絶縁層３１の上面３１Ａを粗化することにより、シード層５０Ａと絶縁層３１との密着性を高めることができる。但し、絶縁層３１の上面３１Ａの粗度を低減して平滑度を向上することにより上面３１Ａ上に微細配線の形成が可能となるため、プラズマ処理を施す場合は、後工程での微細配線の形成に支障のない程度に絶縁層３１の上面３１Ａを粗化する。

次いで、図７（ａ）に示す工程では、シード層５０Ａ上に、所定の箇所に開口パターン１０１Ｘを有するレジスト層１０１を形成する。開口パターン１０１Ｘは、配線層５０（図１参照）の形成領域に対応する部分のシード層５０Ａを露出するように形成される。レジスト層１０１の材料としては、例えば、次工程のめっき処理に対して耐めっき性がある材料を用いることができる。例えば、レジスト層１０１の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えば、ノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば、感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、シード層５０Ａの上面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムをフォトリソグラフィ法によりパターニングして開口パターン１０１Ｘを有するレジスト層１０１を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層１０１を形成することができる。本工程において、シード層５０Ａの上面が平滑面になっているため、そのシード層５０Ａ上に形成されるレジスト層１０１にパターニング欠陥が生じることを抑制することができる。すなわち、レジスト層１０１に開口パターン１０１Ｘを高精度に形成することができる。

次に、図７（ｂ）に示す工程では、レジスト層１０１をめっきマスクとして、シード層５０Ａの上面に、そのシード層５０Ａをめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。具体的には、レジスト層１０１の開口パターン１０１Ｘから露出されたシード層５０Ａの上面に電解めっき法（ここでは、電解銅めっき法）を施すことにより、そのシード層５０Ａの上面に金属層５０Ｂ（電解めっき金属層）を形成する。

続いて、レジスト層１０１を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。次いで、金属層５０Ｂをエッチングマスクとして、不要なシード層５０Ａをエッチングにより除去する。これにより、図８（ａ）に示すように、ビア配線３２の上端面３２Ａ及び絶縁層３１の上面３１Ａ上に配線層５０が形成される。図８（ｂ）に示すように、配線層５０は、ビア配線３２の上端面３２Ａと接触されたシード層５０Ａと、そのシード層５０Ａ上に形成された金属層５０Ｂとから構成されている。このように、配線層５０は、セミアディティブ法によって形成される。また、配線層５０とビア配線３２とは別工程で形成されるため、配線層５０とビア配線３２とは一体的に形成されていない。

次に、図９（ａ）に示す工程では、絶縁層３１の上面３１Ａ上に、配線層５０の表面（上面及び側面）全面を被覆する絶縁層５１を形成する。絶縁層５１として樹脂フィルムを用いる場合には、例えば、絶縁層３１の上面３１Ａに樹脂フィルムを熱圧着によりラミネートすることにより絶縁層５１を形成することができる。このとき、樹脂フィルムを真空雰囲気中でラミネートすることにより、ボイドの巻き込みを防止することができる。なお、樹脂フィルムとしては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂等の感光性樹脂のフィルムを用いることができる。また、絶縁層５１として液状又はペースト状の絶縁性樹脂を用いる場合には、絶縁層３１の上面３１Ａに液状又はペースト状の絶縁性樹脂をスピンコート法などにより塗布することにより絶縁層５１を形成することができる。なお、液状又はペースト状の絶縁性樹脂としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂等の感光性樹脂を用いることができる。

続いて、図９（ｂ）に示す工程では、例えばフォトリソグラフィ法により、絶縁層５１の所要箇所に、当該絶縁層５１を厚さ方向に貫通して配線層５０の上面を露出する貫通孔５１Ｘを形成する。なお、このような感光性樹脂からなる絶縁層５１の上面の粗度は、例えば、表面粗さＲａ値で２〜１０ｎｍ程度とすることができる。すなわち、絶縁層５１の上面は、貫通孔３１Ｘの内側面よりも表面粗度が低く、且つ絶縁層３１の上面３１Ａよりも表面粗度が低い。

次いで、図１０に示す工程では、図６（ｂ）〜図８（ｂ）に示した工程と同様に、例えばセミアディティブ法により、貫通孔５１Ｘに充填されたビア配線と、そのビア配線を介して配線層５０と電気的に接続され、絶縁層５１の上面に積層された配線パターンとを有する配線層５２を形成する。このとき、配線層５２は、図１１に示すように、貫通孔５１Ｘの内面全面及び貫通孔５１Ｘ周辺の絶縁層５１の上面を被覆するシード層１０２と、そのシード層１０２上に形成された電解銅めっき層１０３とから構成されている。

次に、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示した工程と同様に、絶縁層５１上に、配線層５２の上面の一部を露出する貫通孔５３Ｘを有する絶縁層５３を形成する。続いて、図６（ｂ）〜図８（ｂ）に示した工程と同様に、例えばセミアディティブ法により、貫通孔５３Ｘに充填されたビア配線５５と、そのビア配線５５を介して配線層５２と電気的に接続され、絶縁層５３の上面５３Ａに積層された接続端子Ｐ１とを有する配線層５４を形成する。このとき、配線層５４は、貫通孔５３Ｘの内面全面及び貫通孔５３Ｘ周辺の絶縁層５３の上面を被覆するシード層１０４と、そのシード層１０４上に形成された電解銅めっき層１０５とから構成されている。また、接続端子Ｐ１は、略円柱状に形成されている。なお、必要に応じて、接続端子Ｐ１の表面に表面処理層を形成するようにしてもよい。

続いて、図１２に示す工程では、絶縁層５３の上面５３Ａに、第１保護層６１と第２保護層６２とを有する保護層６０を形成する。以下に、保護層６０の形成方法の一例について説明する。

図１３（ａ）に示す工程では、絶縁層５３の上面５３Ａ上に、接続端子Ｐ１の表面（側面及び上面）全面と認識マーク５４Ｍの表面（側面及び上面）全面とを被覆する感光性樹脂層１０６を形成する。感光性樹脂層１０６は、例えば、ワニス状の感光性樹脂をスピンコート法で塗布することによって形成することができる。このとき、感光性樹脂層１０６は、絶縁層５３の上面５３Ａと接続端子Ｐ１とによって形成される段差に追従して成膜される。このため、感光性樹脂層１０６は、接続端子Ｐ１による段差において盛り上がるように形成される。なお、本実施形態では、感光性樹脂層１０６の材料として、ポジ型の感光性樹脂を用いる。但し、感光性樹脂層１０６の材料としては、ネガ型の感光性樹脂を用いることもできる。

次に、図１３（ｂ）に示す工程では、感光性樹脂層１０６をパターニングして保護層６０を形成するためのフォトマスク１０７を準備する。フォトマスク１０７は、透光部１０７Ａと遮光部１０７Ｂとを有している。そして、フォトマスク１０７を感光性樹脂層１０６の上方に配置して位置合わせする。この位置合わせの際に、認識マーク５４Ｍをアライメントマークとして利用することができる。

続いて、フォトマスク１０７の透光部１０７Ａを通じて、保護層６０の開口部６０Ｘ，６１Ｘ，６２Ｘに対応する位置に配置された感光性樹脂層１０６を露光する。
次いで、図１４（ａ）に示す工程では、感光性樹脂層１０６を現像する。この現像により、所定波長の光が照射された（露光された）部分の感光性樹脂層１０６が完全に除去され、下層の絶縁層５３の上面５３Ａを露出する開口部６０Ｘ，６１Ｘ，６２Ｘが形成される。また、本工程では、現像を過剰に実施することにより、未露光部分の感光性樹脂層１０６を膜減りさせ、未露光部分の感光性樹脂層１０６を薄化する。これにより、接続端子Ｐ１の上端部側の一部が感光性樹脂層１０６から露出される。このとき、感光性樹脂層１０６の成膜時の膜厚差（破線参照）に起因して、過剰な現像後の感光性樹脂層１０６の膜厚にも差が生じる。具体的には、現像後では、実装領域Ａ１に配置された感光性樹脂層１０６（つまり、第１保護層６１）が、外周領域Ａ２に配置された感光性樹脂層１０６（つまり、第２保護層６２）よりも厚く形成される。なお、過剰な現像は、例えば、現像時間を一般的な現像時間よりも長く設定することにより実現できる。

以上説明した露光・現像工程による開口部６０Ｘの形成によって、第１保護層６１と第２保護層６２とがパターニングされる。開口部６１Ｘの形成によって、第１保護層６１において第１保護絶縁層６３と第２保護絶縁層６４とがパターニングされる。開口部６２Ｘの形成によって、認識マーク５４Ｍが保護層６０から露出される。

その後、感光性樹脂層１０６を加熱処理により硬化させる。これにより、図１４（ｂ）に示すように、絶縁層５３の上面５３Ａ上に、第１保護層６１と第２保護層６２とを有する保護層６０が形成される。

以上の製造工程により、図１５に示すように、配線構造１１の最上層に形成された絶縁層３１の上面３１Ａ上に配線構造１２を積層することができる。
次に、図１５に示す工程では、配線構造１１の最下層の配線層４２の所要箇所に画定される外部接続用パッドＰ２を露出させるための開口部１３Ｘを有するソルダレジスト層１３を、絶縁層４１の下面に積層する。このソルダレジスト層１３は、例えば感光性のソルダレジストフィルムをラミネートし、又は液状のソルダレジストを塗布し、当該レジストを所要の形状にパターニングすることにより形成することができる。

なお、必要に応じて、ソルダレジスト層１３の開口部１３Ｘから露出された配線層４２（つまり、外部接続用パッドＰ２）上に表面処理層を形成するようにしてもよい。
以上の製造工程により、本実施形態の配線基板１０を製造することができる。

次に、半導体装置７０の製造方法について説明する。
図１６に示す工程では、外部接続用パッドＰ２上に外部接続端子８６を形成する。例えば、外部接続用パッドＰ２上に、適宜フラックスを塗布した後、外部接続端子８６（ここでは、はんだボール）を搭載し、２４０〜２６０℃程度の温度でリフローして固定する。その後、表面を洗浄してフラックスを除去する。

また、図１６に示す工程では、柱状の接続端子８１を有する半導体チップ８０を用意する。接続端子８１は、公知の製造方法により製造することが可能であるため、図示を省略して詳細な説明を割愛するが、例えば以下のような方法で製造される。

まず、半導体チップ８０の回路形成面（ここでは、下面）に、例えば電極パッドを露出させる開口部を有する保護膜を形成し、その保護膜の下面及び電極パッドの下面を被覆するようにシード層を形成する。次に、接続端子８１の形成領域に対応する部分のシード層（電極パッドの下面を被覆するシード層）を露出させたレジスト層を形成する。続いて、レジスト層から露出されたシード層上に、そのシード層を給電層に利用する電解めっき法（例えば、電解銅めっき法）を施すことにより、電極パッド上に柱状の接続端子８１を形成する。

続いて、接続端子８１の下面に、接合部材８２を形成する。この接合部材８２は、例えばシード層上に形成されたレジスト層をめっきマスクに利用し、シード層をめっき給電層に利用する電解はんだめっき法により、接続端子８１の下面にはんだを被着することにより形成することができる。その後、不要なシード層及びレジスト層を除去する。

次いで、配線基板１０の接続端子Ｐ１（配線層５４）上に、半導体チップ８０の接続端子８１をフリップチップ接合する。例えば、配線基板１０と半導体チップ８０とを位置合わせした後に、リフロー処理を行って接合部材８２（はんだめっき層）を溶融させ、接続端子８１を接続端子Ｐ１に電気的に接続する。

その後、フリップチップ接合された半導体チップ８０と配線基板１０との間に、アンダーフィル樹脂８５（図３参照）を充填し、そのアンダーフィル樹脂８５を硬化する。このとき、第１保護層６１に開口部６１Ｘを形成したことにより、毛細管現象が顕著となるため、アンダーフィル樹脂８５の充填性を向上させることができる。

以上の製造工程により、図３に示した半導体装置７０を製造することができる。
（シミュレーション結果）
次に、以上説明した半導体装置７０における応力分布を解析したシミュレーション結果について説明する。

まず、評価用のサンプル、つまり図１７（ａ）に示したモデル構造（実施例サンプル）と図１７（ｂ）に示したモデル構造（比較例サンプル）について説明する。
図１７（ａ）に示すように、実施例サンプルは、図３に示した構造の半導体装置７０と略同様の構造を有している。シミュレーション条件としては、半導体チップ８０の平面形状を１５０μｍ×１５０μｍ、ビア配線５５の下端面の直径を１０μｍ、接続端子Ｐ１の直径を２５μｍ、接続端子Ｐ１の厚さを１０μｍ、接続端子８１の直径を２２μｍ、接続端子８１の厚さを２５μｍとした。なお、実施例サンプルでは、接続端子Ｐ１の側面全面を被覆するように保護層６０（第１保護層６１）が形成されている。

一方、図１７（ｂ）に示すように、比較例サンプルは、絶縁層５３の上面５３Ａから上方に突出するように接続端子Ｐ１が形成され、その絶縁層５３の上面５３Ａ上には保護層６０が形成されていない。このため、比較例サンプルでは、接続端子Ｐ１の側面が接合部材８２Ａによって被覆されている。シミュレーション条件としては、保護層６０を形成していない点以外は、実施例サンプルにおけるシミュレーション条件と同様である。

図１８（ａ）は、実施例サンプルにおける接続端子Ｐ１と感光性樹脂層（絶縁層５３及び保護層６０）との界面に生じる応力の分布を解析したシミュレーション結果を示している。また、図１８（ｂ）は、比較例サンプルおける接続端子Ｐ１と感光性樹脂層（絶縁層５３）との界面に生じる応力の分布を解析したシミュレーション結果を示している。

図１８（ｂ）に示すように、比較例サンプルでは、接続端子Ｐ１の角部の直下、つまり接続端子Ｐ１の下面と絶縁層５３の上面との界面に応力が集中している。そして、比較例サンプルにおける接続端子Ｐ１と絶縁層５３との界面に生じる応力は、約１４６．０ＭＰａであった。これに対し、図１８（ａ）に示すように、実施例サンプルでは、接続端子Ｐ１と感光性樹脂層との界面に生じる応力が分散されている。これにより、実施例サンプルでは、接続端子Ｐ１の下面と絶縁層５３の上面との界面に集中する応力が減少している。具体的には、実施例サンプルにおける接続端子Ｐ１と絶縁層５３との界面に生じる応力は、約１００．２ＭＰａであり、比較例サンプルのそれよりも大幅に減少している。

以上説明したように、接続端子Ｐ１を取り囲むように保護層６０（感光性樹脂層）を形成することにより、接続端子Ｐ１と感光性樹脂層との界面において１箇所に集中する応力が減少されることが確認された。これにより、接続端子Ｐ１と感光性樹脂層との界面にクラックが発生することを好適に抑制できる。

以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）柱状の接続端子Ｐ１の側面に接してその接続端子Ｐ１を取り囲む保護層６０（第１保護層６１の第１保護絶縁層６３）を形成するようにした。これにより、接続端子Ｐ１と感光性樹脂層（保護層６０及び絶縁層５３）との界面を増加させることができるため、接続端子Ｐ１と感光性樹脂層との界面に生じる応力を分散させることができる。このため、接続端子Ｐ１と感光性樹脂層との界面において１箇所に集中する応力を減少させることができる。この結果、接続端子Ｐ１と感光性樹脂層との界面にクラックが発生することを好適に抑制できる。

（２）第１保護層６１と第２保護層６２とを開口部６０Ｘによって離間して形成した。このため、アンダーフィル樹脂８５が実装領域Ａ１よりも外側に広がることを好適に抑制することができる。すなわち、開口部６０Ｘよりも外側に形成された第２保護層６２を、アンダーフィル樹脂８５をせき止めるダムとして機能させることができる。また、開口部６０Ｘによって第１保護層６１と第２保護層６２とを分離することができるため、樹脂の熱収縮による反りを低減することができる。

（３）第１保護層６１を、第２保護層６２よりも厚く形成した。これにより、第１保護層６１と第２保護層６２とを略同一の厚さに形成した場合に比べて、配線基板１０の反りを抑制することができる。

詳述すると、図１９に示すように第１保護層６１と第２保護層６２とを略同一の厚さに形成した比較例の場合には、配線構造１２側が凹状に反る傾向にある。これは、外周領域Ａ２では実装領域Ａ１に比べて配線密度が低く、保護層６０（感光性樹脂層）の熱膨張係数（例えば、５０〜７０ｐｐｍ／℃程度）が接続端子Ｐ１（銅層）の熱膨張係数（例えば、１７ｐｐｍ／℃程度）よりも高いことに起因している。詳しくは、第１保護層６１と第２保護層６２とが略同一の厚さに形成されると、外周領域Ａ２における感光性樹脂の含有量が実装領域Ａ１における感光性樹脂の含有量よりも多くなる。すると、外周領域Ａ２の方が実装領域Ａ１よりも熱収縮が大きくなるため、外周領域Ａ２が実装領域Ａ１に向かって反り、配線構造１２側が凹状に反る。これに対し、本実施形態では、実装領域Ａ１における第１保護層６１を、外周領域Ａ２における第２保護層６２よりも厚く形成するようにした。これにより、実装領域Ａ１における感光性樹脂の含有量と、外周領域Ａ２における感光性樹脂の含有量との差を小さくすることができる。この結果、第１保護層６１と第２保護層６２とを略同一の厚さに形成した場合に比べて、配線基板１０の反りを抑制することができる。このことを示す評価結果例を図２０に示している。

図２０は、図１（ａ）に示した配線基板１０（実施例）について、反りのシミュレーションを実行した結果を示している。具体的には、配線基板１０の平面形状を４０ｍｍ×４０ｍｍの正方形状とし、実装領域Ａ１の平面形状を２０ｍｍ×１０ｍｍの矩形状とした。また、コア基板２０の厚さを８００μｍ、配線構造１１内の配線層２２，２３の厚さを２５μｍ、配線層４２の厚さを１５μｍ、配線構造１１内の絶縁層３１，４１の厚さを４０μｍ、ソルダレジスト層１３の厚さを２０μｍとした。さらに、配線構造１２内の配線層５０，５２の厚さを２．５μｍ、接続端子Ｐ１の厚さを１０μｍ、配線構造１２内の絶縁層５１，５３の厚さを５μｍとした。そして、このような配線基板１０において、第１保護層６１の厚さを５μｍ、第２保護層６２の厚さを３μｍとした場合の反りのシミュレーションを実行した。なお、比較例としては、図１９に示した配線基板と同様に、第１保護層６１と第２保護層６２とを同じ厚さに設定した場合、具体的には、第１保護層６１の厚さを３μｍ、第２保護層６２の厚さを３μｍとした場合の反りのシミュレーションも実行した。

図２０に示したシミュレーション結果から明らかなように、第１保護層６１を第２保護層６２よりも厚く形成することにより、第１保護層６１と第２保護層６２が同じ厚さである比較例よりも、配線基板１０の反り量を低減できることが確認された。

（４）隣接する第１保護絶縁層６３の間に、第２保護絶縁層６４をパターニングするようにした。換言すると、第１保護絶縁層６３と第２保護絶縁層６４との間に、第１保護絶縁層６３を取り囲むように開口部６１Ｘを形成するようにした。この開口部６１Ｘを形成したことにより、配線基板１０と半導体チップ８０との間にアンダーフィル樹脂８５を充填する際に、毛細管現象が顕著となるため、アンダーフィル樹脂８５の充填性を向上させることができる。

（５）また、隣接する第１保護絶縁層６３の間に第２保護絶縁層６４を残すようにしたため、従来技術のように隣接する接続端子の間を全てアンダーフィル樹脂８５で充填する必要がなくなる。すなわち、従来技術に比べて、アンダーフィル樹脂８５で充填する面積を減らすことができる。これにより、アンダーフィル樹脂８５中にボイド等が発生することを好適に抑制することができる。また、第２保護絶縁層６４を形成したことによって毛細管現象がさらに顕著となるため、アンダーフィル樹脂８５の充填性を向上させることができる。

（６）さらに、第２保護絶縁層６４を形成したため、第１保護層６１とアンダーフィル樹脂８５との接触面積を増大させることができる。また、第２保護絶縁層６４がアンダーフィル樹脂８５に食い込むように形成される。これにより、大きなアンカー効果が得られるようになり、第１保護層６１とアンダーフィル樹脂８５との密着性を向上させることができる。

（第２実施形態）
以下、図２１に従って第２実施形態について説明する。この実施形態の配線基板１０Ａは、配線構造１１が配線構造１１Ａに置換された点が上記第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。先の図１〜図２０に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。

図２１に示すように、配線基板１０Ａは、配線構造１１Ａと、配線構造１１Ａの上側に積層された配線構造１２と、配線構造１１Ａの下側に積層されたソルダレジスト層１３とを有している。

配線構造１１Ａは、配線構造１２よりも配線密度の低い配線層が形成された低密度配線層である。コア基板２０の上面２０Ａ上には、配線層２２を被覆する絶縁層３３と、配線層３４と、絶縁層３１と、ビア配線３２とが順に積層されている。コア基板２０の下面２０Ｂ上には、配線層２３を被覆する絶縁層４３と、配線層４４と、絶縁層４１と、配線層４２とが順に積層されている。

絶縁層３３，３１，４３，４１の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などの熱硬化性樹脂を主成分とする非感光性の絶縁性樹脂を用いることができる。これら絶縁層３３，３１，４３，４１は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。配線層３４，４４，４２及びビア配線３２の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。また、絶縁層３３，３１，４３，４１の厚さは、例えば、２０〜４５μｍ程度とすることができる。配線層３４，４４，４２の厚さは、例えば、１５〜３５μｍ程度とすることができる。配線層３４，４４，４２のラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）は、例えば、２０μｍ／２０μｍ程度とすることができる。

絶縁層３３には、所要の箇所に、当該絶縁層３３を厚さ方向に貫通して配線層２２の上面の一部を露出する貫通孔３３Ｘが形成されている。絶縁層３１には、所要の箇所に、当該絶縁層３１を厚さ方向に貫通して配線層３４の上面の一部を露出する貫通孔３１Ｘが形成されている。これら貫通孔３３Ｘ，３１Ｘは、図２１において下側（コア基板２０側）から上側（配線構造１２側）に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。配線層３４は、貫通孔３３Ｘに充填され、配線層２２と電気的に接続されたビア配線を有している。ビア配線３２は、貫通孔３１Ｘに充填され、配線層３４と電気的に接続されている。そして、絶縁層３１の上面３１Ａ上及びビア配線３２の上端面３２Ａ上には、配線構造１２が積層されている。

一方、絶縁層４３には、所要の箇所に、当該絶縁層４３を厚さ方向に貫通して配線層２３の下面の一部を露出する貫通孔４３Ｘが形成されている。絶縁層４１には、所要の箇所に、当該絶縁層４１を厚さ方向に貫通して配線層４４の下面の一部を露出する貫通孔４１Ｘが形成されている。これら貫通孔４３Ｘ，４１Ｘは、図２１において上側（コア基板２０側）から下側（ソルダレジスト層１３側）に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。配線層４４は、貫通孔４３Ｘに充填され、配線層２３と電気的に接続されたビア配線を有している。配線層４２は、貫通孔４１Ｘに充填され、配線層４４と電気的に接続されたビア配線を有している。

このようにコア基板２０の上下両面に絶縁層と配線層とが複数層積層された場合であっても、上記第１実施形態の（１）〜（６）の効果と同様の効果を奏することができる。
なお、本実施形態において、配線構造１１Ａは第１配線構造の一例、配線層３４は第２配線層の一例、絶縁層３１は第２絶縁層の一例、ビア配線３２は第２ビア配線の一例である。

（第３実施形態）
以下、図２２に従って第３実施形態を説明する。この実施形態の配線基板１０Ｂは、配線構造１１が配線構造１１Ｂに置換された点、及び配線構造１２が配線構造１２Ｂに置換された点が上記第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。なお、先の図１〜図２１に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。

図２２に示すように、配線基板１０Ｂは、配線構造１１Ｂと、配線構造１１Ｂの上側に積層された配線構造１２Ｂと、配線構造１１Ｂの下側に積層されたソルダレジスト層１３とを有している。

配線構造１１Ｂは、絶縁層と配線層とが多層に積層された積層構造を有しない配線構造であり、配線構造１２Ｂよりも配線密度の低い配線層が形成された低密度配線層である。この配線構造１１Ｂでは、コア基板２０の上面２０Ａに絶縁層３７のみが積層され、コア基板２０の下面２０Ｂに絶縁層４７及び配線層４８が積層されている。絶縁層３７，４７の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などの熱硬化性樹脂を主成分とする非感光性の絶縁性樹脂を用いることができる。これら絶縁層３７，４７は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。配線層４８の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。絶縁層３７，４７の厚さは、例えば、２０〜４５μｍ程度とすることができる。配線層４８の厚さは、例えば、１５〜３５μｍ程度とすることができる。

コア基板２０、絶縁層３７及び絶縁層４７には、それらコア基板２０及び絶縁層３７，４７を厚さ方向に貫通する貫通孔２０Ｙが形成されている。この貫通孔２０Ｙには、貫通電極２１が形成されている。貫通電極２１は、例えば、貫通孔２０Ｙを充填するように形成されている。貫通電極２１の上端面は絶縁層３７の上面から露出され、貫通電極２１の下端面は絶縁層４７の下面から露出されている。例えば、貫通電極２１の上端面は絶縁層３７の上面と略面一になるように形成され、貫通電極２１の下端面は絶縁層４７の下面と略面一になるように形成されている。そして、貫通電極２１の上端面は、配線構造１２Ｂ内の配線層５２が有するビア配線Ｖ１と直接接合されている。貫通電極２１の下端面は、配線層４８と直接接合されている。

配線構造１２Ｂは、配線層５０を有さず、ビア配線Ｖ１の下端面が貫通電極２１の上端面と直接接合されている。絶縁層５１は、ビア配線Ｖ１から露出する絶縁層３７の上面全面を被覆するように形成されている。

ソルダレジスト層１３は、絶縁層４７の下面に、最下層の配線層４８を被覆するように形成されている。ソルダレジスト層１３には、最下層の配線層４８の一部を外部接続用パッドＰ２として露出させるための開口部１３Ｘが形成されている。

このように配線構造１１Ｂが絶縁層と配線層とが多層に積層された積層構造を有しない場合であっても、上記第１実施形態の（１）〜（６）の効果と同様の効果を奏することができる。

（第４実施形態）
以下、図２３に従って第４実施形態を説明する。この実施形態の配線基板１０Ｃは、配線構造１１が配線構造１１Ｃに置換された点が上記第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。なお、先の図１〜図２２に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。

図２３に示すように、配線構造１１Ｃは、コア基板２０を有していない配線構造であり、配線構造１２よりも配線密度の低い配線層が形成された低密度配線層である。配線構造１１Ｃは、配線層１１０と、絶縁層１１１と、配線層１１２と、絶縁層１１３と、配線層１１４と、絶縁層１１５と、ビア配線１１６とが順に積層された構造を有している。絶縁層１１１，１１３，１１５の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などの熱硬化性樹脂を主成分とする非感光性の絶縁性樹脂を用いることができる。これら絶縁層１１１，１１３，１１５は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよいし、補強材を含有していてもよい。配線層１１２，１１４及びビア配線１１６の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。また、絶縁層１１１，１１３，１１５の厚さは、例えば、２０〜４５μｍ程度とすることができる。配線層１１０，１１２，１１４の厚さは、例えば、１５〜３５μｍ程度とすることができる。配線層１１０，１１２，１１４のラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）は、例えば、２０μｍ／２０μｍ程度とすることができる。

配線層１１０は、配線構造１１Ｃの最下層の配線層である。例えば、配線層１１０の下面は、絶縁層１１１から露出されている。配線層１１０の下面は、例えば、絶縁層１１１の下面と略面一になるように形成されている。例えば、配線層１１０としては、第１導電層（例えば、Ｃｕ層）と、第２導電層（例えば、Ｎｉ層／Ａｕ層）とが積層された構造を採用することができる。この場合に、配線層１１０は、Ａｕ層が絶縁層１１１から露出するように形成されている。

絶縁層１１１は、配線層１１０の上面及び側面を被覆し、配線層１１０の下面を露出するように形成されている。絶縁層１１１には、所要の箇所に、当該絶縁層１１１を厚さ方向に貫通して配線層１１０の上面の一部を露出する貫通孔１１１Ｘが形成されている。

配線層１１２は、絶縁層１１１の上面に積層されている。配線層１１２は、貫通孔１１１Ｘ内に充填されたビア配線と、そのビア配線を介して配線層１１０と電気的に接続され、絶縁層１１１の上面に積層された配線パターンとを有している。

絶縁層１１３は、絶縁層１１１の上面に、配線層１１２を被覆するように形成されている。絶縁層１１３には、所要の箇所に、当該絶縁層１１３を厚さ方向に貫通して配線層１１２の上面の一部を露出する貫通孔１１３Ｘが形成されている。

配線層１１４は、絶縁層１１３の上面に積層されている。配線層１１４は、貫通孔１１３Ｘ内に充填されたビア配線と、そのビア配線を介して配線層１１２と電気的に接続され、絶縁層１１３の上面に積層された配線パターンとを有している。

絶縁層１１５は、絶縁層１１３の上面に、配線層１１４を被覆するように形成されている。絶縁層１１５には、当該絶縁層１１５の上面の所要の箇所に開口し、当該絶縁層１１５を厚さ方向に貫通して配線層１１４の上面の一部を露出する貫通孔１１５Ｘが形成されている。

ここで、貫通孔１１１Ｘ，１１３Ｘ，１１５Ｘは、図２３において下側（ソルダレジスト層１３側）から上側（配線構造１２側）に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。すなわち、配線構造１１Ｃに形成された貫通孔１１１Ｘ，１１３Ｘ，１１５Ｘの全てが、ソルダレジスト層１３側の開口部に対して配線構造１２側の開口部が拡開されたテーパ状に形成されている。なお、貫通孔１１１Ｘ，１１３Ｘ，１１５Ｘの上側の開口端の開口径は、例えば、６０〜７０μｍ程度とすることができる。

貫通孔１１５Ｘ内には、配線層１１４と絶縁層１１５の上面１１５Ａ上に形成された配線層５０とを電気的に接続するビア配線１１６が形成されている。ビア配線１１６は、例えば、貫通孔１１５Ｘ内に充填されている。このため、ビア配線１１６は、貫通孔１１５Ｘと同様の形状に形成されている。ビア配線１１６の上端面１１６Ａは、例えば、絶縁層１１５の上面１１５Ａと略面一になるように形成されている。

これら絶縁層１１５の上面１１５Ａ及びビア配線１１６の上端面１１６Ａ上には、配線構造１２が積層されている。例えば、配線構造１２の配線層５０は、ビア配線１１６の上端面１１６Ａと接続するように、絶縁層１１５の上面１１５Ａ上に積層されている。ここで、絶縁層１１５の上面１１５Ａ及びビア配線１１６の上端面１１６Ａを、例えば、上記第１実施形態の絶縁層３１の上面３１Ａ及びビア配線３２の上端面３２Ａ（図１参照）と同様に、研磨面としてもよい。

一方、ソルダレジスト層１３は、絶縁層１１１の下面に、最下層の配線層１１０を被覆するように形成されている。ソルダレジスト層１３には、最下層の配線層１１０の一部を外部接続用パッドＰ２として露出させるための開口部１３Ｘが形成されている。

このように配線構造１１Ｃがコア基板２０を有しない場合であっても、上記第１実施形態の（１）〜（６）の効果と同様の効果を奏することができる。
本実施形態において、配線構造１１Ｃは第１配線構造の一例、配線層１１４は第２配線層の一例、絶縁層１１５は第２絶縁層の一例、ビア配線１１６は第２ビア配線の一例である。

（他の実施形態）
なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・図２４に示すように、第１保護絶縁層６３の上面に、接続端子Ｐ１の側面側から、その接続端子Ｐ１から離間する方向に向かって湾曲状に凹む湾曲部６３Ａを形成するようにしてもよい。このような湾曲部６３Ａによって、アンダーフィル樹脂８５（図３参照）の流動性を向上させることができ、ひいてはアンダーフィル樹脂８５の充填性を向上させることができる。この場合、接続端子Ｐ１の側面と最も接している第１保護絶縁層６３の厚さＨ１１よりも第２保護絶縁層６４の厚さＨ１２の方が薄く形成されている。また、第２保護絶縁層６４の厚さＨ１２よりも第２保護層６２の厚さＨ１３の方が薄く形成されている。換言すると、第２保護絶縁層６４の上面は、接続端子Ｐ１の側面と最も接している第１保護絶縁層６３の頂部（上端）よりも低い。また、第２保護層６２の上面は、第２保護絶縁層６４の上面よりも低い。なお、図示の例では、第１保護絶縁層６３の上面全面に湾曲部６３Ａを形成するようにしたが、第１保護絶縁層６３の上面の一部のみに湾曲部６３Ａを形成するようにしてもよい。また、第２保護絶縁層６４の上面に、湾曲部６３Ａと同様に、湾曲状に凹む湾曲部を形成してもよい。

・図２５に示すように、接続端子Ｐ１の上面及び側面を粗化面としてもよい。例えば、接続端子Ｐ１の上面及び側面の表面粗度を、配線層５２の表面粗度よりも大きくしてもよい。これにより、接続端子Ｐ１と保護層６０との密着性を向上させることができる。

・図２５に示すように、第１保護絶縁層６３の上面に、上方に盛り上がる隆起部６３Ｂを形成するようにしてもよい。隆起部６３Ｂは、例えば、その頂部Ｔ１（上端部）が断面視において針のように尖った形状に形成されている。具体的には、隆起部６３Ｂは、頂部Ｔ１から接続端子Ｐ１に向かって下方に傾斜する傾斜部Ｂ１と、頂部Ｔ１から、接続端子Ｐ１から離間する方向に向かって下方に傾斜する傾斜部Ｂ２とから構成されている。図示の例では、傾斜部Ｂ１は、頂部Ｔ１から接続端子Ｐ１に向かって湾曲状に凹むように形成され、傾斜部Ｂ２は、頂部Ｔ１から、接続端子Ｐ１から離間する方向に向かって湾曲状に凹むように形成されている。このような隆起部６３Ｂ（とくに、傾斜部Ｂ１）によって、はんだめっき等である接合部材８２（図３参照）が接続端子Ｐ１の外側に広がることを好適に抑制することができる。また、湾曲状に凹む傾斜部Ｂ２によって、アンダーフィル樹脂８５（図３参照）の流動性を向上させることができる。

なお、頂部Ｔ１は、必ずしも針のように尖った形状である必要はない。例えば、頂部Ｔ１を、平坦な面を有する形状に形成してもよい。
・上記各実施形態及び上記各変形例における開口部６１Ｘの形成を省略してもよい。この場合には、例えば、第１保護絶縁層６３と第２保護絶縁層６４とが連続して一体に形成される。

・上記各実施形態及び上記各変形例における第２保護絶縁層６４を省略してもよい。
・上記各実施形態及び上記各変形例における保護層６０の表面（上面及び側面、又は上面のみ）にプラズマ処理を施すようにしてもよい。これにより、保護層６０における濡れ性を改善することができる。

・上記各実施形態では、ビア配線３２の上端面３２Ａを絶縁層３１の上面３１Ａと面一になるように形成した。これに限らず、例えば、ビア配線３２の上端面３２Ａを、絶縁層３１の上面３１Ａよりも下方に凹むように形成してもよい。また、ビア配線３２の上端面３２Ａを、絶縁層３１の上面３１Ａよりも上方に突出するように形成してもよい。

・上記各実施形態及び上記各変形例の配線基板１０，１０Ａ〜１０Ｃに形成された貫通孔の断面形状は特に限定されない。例えば、配線基板１０，１０Ａ〜１０Ｃに形成された貫通孔をストレート形状（断面視略矩形状）に形成するようにしてもよい。

・上記各実施形態及び上記各変形例における配線構造１１，１１Ａ〜１１Ｃにおける配線層及び絶縁層の層数や配線の取り回しなどは様々に変形・変更することが可能である。
・上記各実施形態及び上記各変形例における配線構造１２，１２Ｂにおける配線層及び絶縁層の層数や配線の取り回しなどは様々に変形・変更することが可能である。

・上記各実施形態及び上記各変形例の配線基板１０，１０Ａ〜１０Ｃに、半導体チップ８０の代わりに、チップコンデンサ、チップ抵抗やチップインダクタ等のチップ部品や水晶振動子などの半導体チップ以外の電子部品を実装するようにしてもよい。

・また、半導体チップ８０、チップ部品及び水晶振動子などの電子部品の実装の形態（例えば、フリップチップ実装、ワイヤボンディング実装、はんだ実装又はこれらの組み合わせ）などは様々に変形・変更することが可能である。

・上記各実施形態では、コア基板２０の貫通孔２０Ｘ，２０Ｙを充填する貫通電極２１を介してコア基板２０の上下の配線層を相互に電気的に接続するようにした。これに限らず、例えば、貫通孔２０Ｘ，２０Ｙの内壁に設けられたスルーホールめっき層（貫通電極）を介してコア基板２０の上下の配線層を相互に電気的に接続するようにしてもよい。この場合、スルーホールめっき層よりも内側に形成された貫通孔２０Ｘ，２０Ｙの孔を樹脂で充填するようにしてもよい。

１０，１０Ａ〜１０Ｃ 配線基板
１１，１１Ａ〜１１Ｃ 配線構造（第１配線構造）
１２，１２Ｂ 配線構造（第２配線構造）
２２，３４，１１４ 配線層（第２配線層）
３１，１１５ 絶縁層（第２絶縁層）
３２ ビア配線（第２ビア配線）
５２ 配線層（第１配線層）
５３ 絶縁層（第１絶縁層）
５３Ｘ 貫通孔
５５ ビア配線（第１ビア配線）
６０ 保護層
６０Ｘ 開口部（第１開口部）
６１ 第１保護層
６１Ｘ 開口部（第２開口部）
６２ 第２保護層
６３ 第１保護絶縁層
６３Ａ 湾曲部
６３Ｂ 隆起部
６４ 第２保護絶縁層
７０ 半導体装置
８０ 半導体チップ（電子部品）
１０６ 感光性樹脂層
Ａ１ 実装領域
Ａ２ 外周領域
Ｂ１，Ｂ２ 傾斜部
Ｐ１ 接続端子
Ｔ１ 頂部

Claims (8)

1. 第１配線層と、
   感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂からなり、前記第１配線層を被覆する第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通して前記第１配線層を露出する貫通孔内に形成された第１ビア配線と、
   前記第１ビア配線を介して前記第１配線層と電気的に接続され、前記第１絶縁層の上面から上方に突出して形成され、電子部品と接続される接続端子と、
   感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂からなり、前記接続端子の側面を被覆するように前記第１絶縁層の上面に形成された保護層と、を有し、
   前記保護層は、
   前記電子部品が実装される実装領域に形成され、前記接続端子の側面に接して前記接続端子を取り囲むように形成された第１保護層と、
   前記実装領域よりも外側の外周領域において、前記第１絶縁層の上面を露出する第１開口部により前記第１保護層と離間して形成され、前記第１保護層よりも薄く形成された第２保護層とを有し、
   前記第１保護層の上面には、前記接続端子の側面側から、前記接続端子から離間する方向に向かって湾曲状に凹む湾曲部が形成されていることを特徴とする配線基板。
2. 第１配線層と、
   感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂からなり、前記第１配線層を被覆する第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通して前記第１配線層を露出する貫通孔内に形成された第１ビア配線と、
   前記第１ビア配線を介して前記第１配線層と電気的に接続され、前記第１絶縁層の上面から上方に突出して形成され、電子部品と接続される接続端子と、
   感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂からなり、前記接続端子の側面を被覆するように前記第１絶縁層の上面に形成された保護層と、を有し、
   前記保護層は、
   前記電子部品が実装される実装領域に形成され、前記接続端子の側面に接して前記接続端子を取り囲むように形成された第１保護層と、
   前記実装領域よりも外側の外周領域において、前記第１絶縁層の上面を露出する第１開口部により前記第１保護層と離間して形成され、前記第１保護層よりも薄く形成された第２保護層とを有し、
   前記第１保護層の上面には、上方に盛り上がる隆起部が形成され、
   前記隆起部は、当該隆起部の頂部から前記接続端子に向かって湾曲状に凹むように形成されるとともに、前記頂部から、前記接続端子から離間する方向に向かって湾曲状に凹むように形成されていることを特徴とする配線基板。
3. 前記第１保護層の厚さは、前記接続端子よりも薄いことを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
4. 前記第１保護層は、複数の前記接続端子の各々を取り囲むように形成された第１保護絶縁層と、隣接する前記第１保護絶縁層の間に形成され、前記第１保護絶縁層と離間して形成された第２保護絶縁層と、を有し、
   前記第１保護絶縁層と前記第２保護絶縁層との間、及び隣接する前記第１保護絶縁層の間には、前記第１絶縁層の上面を露出する第２開口部が前記第１保護絶縁層を取り囲むように形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線基板。
5. 前記第１配線層の上面及び側面は粗化面であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の配線基板。
6. 第２配線層と、前記第２配線層を被覆する第２絶縁層と、前記第２絶縁層を厚さ方向に貫通して前記第２配線層と電気的に接続され、前記第２絶縁層から露出された上端面を有する第２ビア配線と、を含む第１配線構造と、
   前記第２絶縁層の上面及び前記第２ビア配線の上端面に積層された第２配線構造と、を有し、
   前記第２配線構造は、前記第２ビア配線と電気的に接続される前記第１配線層と、前記第１絶縁層と、前記第１ビア配線と、前記接続端子と、前記保護層とを含み、
   前記第１配線層の配線幅及び配線間隔は、前記第２配線層の配線幅及び配線間隔よりも小さいことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の配線基板。
7. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の配線基板と、
   前記接続端子にフリップチップ実装された半導体チップと、
   を有することを特徴とする半導体装置。
8. 第１配線層を形成する工程と、
   感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂からなり、前記第１配線層を被覆する第１絶縁層を形成する工程と、
   前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通する第１ビア配線を形成するとともに、前記第１ビア配線を介して前記第１配線層と電気的に接続され、前記第１絶縁層の上面から上方に突出する柱状の接続端子を形成する工程と、
   感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂からなり、前記接続端子の側面を被覆する保護層を、前記第１絶縁層の上面に形成する工程と、を有し、
   前記保護層を形成する工程では、
   前記接続端子と接続される電子部品が実装される実装領域に形成され、前記接続端子の側面に接して前記接続端子を取り囲むように形成された第１保護層と、前記実装領域よりも外側の外周領域において、前記第１絶縁層の上面を露出する第１開口部により前記第１保護層と離間して形成され、前記第１保護層よりも薄く形成された第２保護層とを有する前記保護層が形成され、
   前記保護層を形成する工程は、
   前記第１絶縁層の上面にワニス状の感光性樹脂を塗布し、前記接続端子の表面全面を被覆する感光性樹脂層を形成する工程と、
   露光及び現像により、前記感光性樹脂層をパターニングするとともに、前記感光性樹脂層を薄化して前記保護層を形成する工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。