JPH11186335A

JPH11186335A - 回路基板とその製造方法及びこれを用いた電子機器

Info

Publication number: JPH11186335A
Application number: JP35760097A
Authority: JP
Inventors: Yasunori Narizuka; 康則成塚; Hiroyuki Tenmyo; 浩之天明
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1997-12-25
Filing date: 1997-12-25
Publication date: 1999-07-09
Also published as: WO1999034435A1

Abstract

(57)【要約】【課題】配線基板の接続端子を他の配線基板の接続端
子と接続するにあたり、加熱による接続工程において発
生する熱応力に起因する接続不良の発生を、低コストで
防止できる基板の構造及び製造方法を提供すること。【解決手段】接続部を厚い金属膜で構成することで、
金属膜がせん断力により変形しやすくし、これにより接
続部の破壊及び信頼性の低下を防ぐ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩを基板上に
搭載して機能させる電子機器全般に関する配線基板（回
路基板）の構造及びその製造方法に係り、特に、信頼性
を要求される電子機器に最適な配線基板の構造及びその
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来は、ＬＳＩを配線基板上に接続する
方法としては、ＬＳＩの接続端子数がそれほど多くない
こと及び接続ピッチもそれほど狭くないために、ワイヤ
ーボンディング（ＷＢ）又はテープオートメーテッドボ
ンディング（ＴＡＢ）で接続する方法が主流であった。
これらの方法は、ＬＳＩの接続電極と配線基板上の接続
電極の間を柔軟性のある配線で接続していたために、接
続時及び接続後の熱工程におけるＬＳＩと配線基板との
熱膨張係数差による断線等の不良発生は、殆どなかっ
た。これは、ＷＢ法であれば、Ａｕ，Ａｌ，Ｃｕ等の金
属の極細線が柔軟に変形すること、ＴＡＢであれば、接
続端子は配線と共に柔軟な樹脂シート上に形成されてい
ることにより、やはり外力に対して柔軟に変形すること
で、接続部の破壊を防ぐことができたためである。しか
しながら、これらの接続方法は、その接続法そのものに
起因して接続端子がＬＳＩ端子の４辺にのみ配設せざる
を得ず、近年の端子数の増加による端子ピッチの狭ピッ
チ化に対して十分な対応ができないという欠点がある。

【０００３】これに対応できる接続方法として、エリア
アレイ配設とはんだボールによる接続を組み合わせた接
続法があり、従来よりコントロールド・コラプス・ボン
ディング（ＣＣＢ）、又はコントロールド・コラプス・
チップ・コネクション（Ｃ４）と呼ばれ、大形計算機等
の限られた製品にのみ適用され、実績もある。しかし、
この接続法は、基板及びＬＳＩの接続端子を微小なはん
だボールだけで直接接続するため、ＬＳＩと配線基板間
に熱膨張係数の差がある場合は、はんだ接続のための熱
工程における熱応力のため、接続後に接続部分が破壊さ
れる。これを防ぐために、基板の熱膨張係数がＬＳＩの
熱膨張係数に合うように基板の材料を選定する必要があ
り、基板の製造コストを大きく増加させ、さらにはプロ
セスが難しくなるために、歩留まりが下がる等の弊害が
あり、高価格且つ生産数量が少ない製品のみに適用され
ていた。

【０００４】上記のような欠点を克服し、エリアアレイ
配設によるＬＳＩ及び配線基板の電極の相互接続を行う
ために、ＬＳＩと基板の間に樹脂を流し込み、この樹脂
の接着性によりＬＳＩ全体を基板に対して固定すること
で、熱応力が接続端子にだけ集中することを防ぐ接続法
が提案され、一部では実用化が始まっている。この樹脂
はアンダーフィル材と呼ばれ、これによりエリアアレイ
配設によるＬＳＩ及び配線基板の電極の相互接続の適用
範囲が広がった。しかし、この方法でも、極端に膨張係
数が異なる場合、例えばプリント配線基板上にＬＳＩを
直接接続する等の場合は、熱応力の分散効果が不足する
ため、熱応力が比較的小さい小型のＬＳＩにのみ適用さ
れており、未だ十分とは言えない。

【０００５】近年は、ＬＳＩの集積度が急速に向上して
おり、これに伴いＬＳＩの大きさも大きくなる傾向にあ
る。特にロジックＬＳＩにおいてはこの傾向が顕著であ
り、最先端のロジックＬＳＩでは１０ｍｍ角を越えるよ
うになって来た。この傾向は今後も続き、２０ｍｍ角程
度のＬＳＩの出現も予想されている。このような状況に
対処するため、ＬＳＩと配線基板との間に熱膨張係数が
両者の中間のチップキャリアをいれ、ＬＳＩは一旦チッ
プキャリアの上部電極にはんだ接続され、チップキャリ
アの下部電極を基板の接続電極にはんだ接続する方法が
提案されている。この方法と上記アンダーフィルとの組
み合わせにより、エリアアレイ配設によるＬＳＩ及び配
線基板の電極の相互接続の適用対象が、かなり広がって
きた。しかし、この方法は特定の熱膨張係数のチップキ
ャリアが別個に必要となる上に、接続工程も２回に増え
る等、コスト面及び接続技術の面でかなり不利となるた
め、一般的に広がるには至っていない。

【０００６】このような欠点を克服するために、図１８
に示した特開昭６４−６８９３５号公報に開示された技
術のように、接続電極１を含めた基板２上に感光性の樹
脂層３を被覆し、接続電極１上に微小な樹脂の穴４を多
数形成し、この微小な穴４をめっき膜５で埋め込み、樹
脂層３上に突き出た部分を利用して熱圧着法又は超音波
ボンディング法により、ＬＳＩを接続する方法が考案さ
れている。この例では、接続に寄与するのは微小な穴に
充填された微細なめっき膜５のみであるため、接続面積
が小さく接続抵抗が高い上に、接続強度が低いという欠
点がある。また、接続工程においても柔軟な樹脂層３表
面に点々と顔を出しているめっき膜５に接着を行うた
め、超音波ボンディングが困難であることや、樹脂層３
にも熱が直接かかるために十分に高温にできず、熱圧着
も事実上うまくゆかない。従って、この例では接続法に
も問題がある。また、応力を緩和するためには、剪断力
が働く方向、つまり基板２表面と平行な方向に対して動
きやすい状態になっている必要があるが、この例では樹
脂層３が電極１上及びその周辺の広い面積を覆っている
ため、樹脂及び微細化されためっき膜は柔らかくとも、
広い面積にわたる樹脂層３全体を動かす必要があるため
に変形抵抗が大きくなってしまい、容易に変形しない。
従って、接続部分に柔軟性を付与して応力を緩和するた
めには、更に工夫が必要であることが判った。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上述した従来
技術のもつ問題点に鑑みなされたもので、その目的とす
るところは、加熱することで配線基板とＬＳＩを接続す
るにあたり、チップキャリア等の補助的基板などを使わ
ずに、信頼性良く接続できる基板構造及びその製造方法
を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】加熱することで基板とＬ
ＳＩを接続する方法として、前記のはんだボールを用い
た方法に加え、最近では、導電性樹脂又は導電性接着剤
を用いた接続が量産に適用され始めているが、これも樹
脂又は接着剤を硬化させるために、Ｃ４ほどではないも
のの加熱を必要とする。

【０００９】このように、接続する際に加熱を行う方法
においては、冷却後に基板とＬＳＩとの熱膨張率の差に
起因して、接続部に剪断応力が発生する。この熱膨張率
の差が大きい場合は、剪断力によって接続部が接続直後
に破壊されたり、ある程度の時間をかけて破壊が進むこ
とが広く知られている。これを避けるためには、何らか
の方法で剪断力を低減することが必要であるが、本発明
においては、基板表面又はＬＳＩ表面の接続用のパッド
の厚さを特定の厚さ以上にすることで、電極の厚さを使
って電極自身を変形しやすくすることで、他の構成部分
への剪断力の影響を抑制するものである。変形しやすく
した部分は、破断限界以下の変形に抑制する必要があ
り、このことから電極の厚さ（高さ）に関する条件が決
まってくる。また、電極自身の変形のしやすさは、高さ
だけでなく、前述のように電極面積にも依存するが、前
述のようにＬＳＩの接続端子数の増加は必然的に接続端
子の電極面積を小さくすることにつながるため、電極の
柔軟性は増加する傾向にある。また、本来の電極面積で
は十分な柔軟性が得られない場合は、電極の一部のみを
厚くし、見かけ上接続電極面積を減らすことで柔軟性を
向上させる。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を用いて説明する。基板２の熱膨張率をα１、ＬＳＩ
の熱膨張率をα２、ＬＳＩチップの大きさをａ、接続温
度をＴ１、室温をＴ２とすると、加熱による接続を行っ
たＬＳＩ６及び基板２との間には、熱膨張率の差に基づ
く歪みが生じる。図１に示すように、ＬＳＩ６と基板２
の断面を考え、最も歪みが大きくなる場合を想定してＬ
ＳＩ６の両端に接続用電極１があると仮定すると、高温
で接続した時点で対向していた部分は、冷却後には変位
Ｘ＝(α１−α２)(Ｔ１−Ｔ２)ａ／２を生じる。実際に
は、両者が接続されているために互いに変形を拘束し合
って、変位はこの値よりも必ず小さくなる。互いを拘束
し合う力は全て接続部分を通じて伝わっており、接続部
分は大きな力に晒されることになる。

【００１１】基板２とＬＳＩ６との間の接続を単純化し
て柱状の媒体７で接続した場合を考え、理論的に最大の
変位Ｘを生じたと考える。この最大変位を生じるという
ことは、両基板の変形拘束が起こっていないということ
になり、接続電極部分には力がかかっていない状態であ
る。このような状態になるためには、図２に示す如く、
上記ＬＳＩの変位８に応じて柱状媒体７は変形し、７’
のようになる。その変形を考えると、本来は複雑な曲線
で表されるような変形をしており、曲線の外側に位置す
る部分の表面が最も大きな力がかかって伸ばされてい
る。従って、この部分の歪みが、この柱状の媒体７の材
料特性である破断歪みεｆを越えれば、この部分からこ
の媒体７の破壊が始まることになる。よって、この部分
の歪みを少なくとも破断歪み以下、できれば弾性限界以
下に抑制することで、信頼性良く接続を行うことが可能
となる。

【００１２】図３に示す如く、柱状媒体７の側面をモデ
ル化して２つの円弧８、８’で近似してみる。この場
合、力の加わり方は上半分と下半分は点対称で等価であ
るから、変形前の側面の下半分の長さをｈ／２として、
変形後にこれが下半分の円弧の円周の長さまで伸ばされ
たとすれば、その伸び歪みεは次式で表される。

【００１３】 ε＝(2(arctan(x/h))(√(x2+h2)/4)(√(x2+h2)/x)-h/2)/(h/2) ＝((x2+h2)arctan(x/h))/hx-1 この式をもとに、具体的な場合を想定して見ると、εを
電極として良く用いられる材料である、Ｃｕの破断歪み
として考えると、比較的純度が高いものは２０％以上で
あることから、ε＝０．２、また、Ｃｕの弾性限界の歪
み量として金属学の分野で耐力として用いられる０．２
％という数値を当てはめれば、ε＝０．００２となる。

【００１４】変位量Ｘを具体的に見積もって見ると、基
板の熱膨張率を通常のプリント基板を想定すれば、α１
=１７×１０~⁵、ＬＳＩの熱膨張率の大きさはα２＝４
×１０~⁶、ＬＳＩチップの大きさはａ＝２０ｍｍ、接続
温度は錫と鉛の合金系の共晶はんだのはんだ付けを想定
して凝固温度Ｔ１＝１９０℃、室温をＴ２＝２０℃とす
れば、Ｘ＝２２μｍである。これらの値を上式に当ては
めれば、柱状の媒体７の高さｈは、ｈ＝３９μｍ(歪み２０％の場合)、３９３μｍ(歪み
０．２％の場合) また、チップサイズをａ＝１０ｍｍとすればｈ＝２２μｍ(チップサイズ１０ｍｍ，歪み２０％の場
合) となる。

【００１５】従って、上記例では、厚さが約４０μｍ以
上のＣｕが電極として形成できれば、接続直後に接続部
が破断するということを防ぐことができる。更に、約４
００μｍの厚さで形成できれば、信頼性の点からも全く
問題が無い接続とすることができる。

【００１６】電極材料がＡｌの場合は、特に高純度でな
くとも破断伸びが３０から４０％程度はあるので、上記
の計算に基づけば、伸びを４０％とすれば、ＬＳＩの大
きさが１０ｍｍ角の場合で約１０μｍの厚さがあれば良
いことになる。

【００１７】次に、上述したような、厚い電極を有した
配線基板の製造方法の一実施形態について、図４〜図１
４を用いて説明する。

【００１８】まず、図４に示すように、前工程の終わっ
たウエハ又は配線形成が終わった配線基板２において、
外部との接続のための電極１だけが保護層１０に形成さ
れた窓から露出し、他の配線は全て保護層１０に覆われ
ている状態とする。

【００１９】この状態で、図５に示すように、ウエハ又
は基板全面に樹脂層１１を形成する。この樹脂層１１の
形成は、ワニスを塗布してベークするようなプロセスで
も良いが、耐熱性のある接着剤が塗布された樹脂シート
を貼り付けて形成しても良い。樹脂層１１の厚さは１μ
ｍ以上が良好であり、上限は後の工程を考慮すると５０
μｍ程度が望ましいが、厳密にこの範囲に限定されるも
のではない。

【００２０】次に、図６に示すように、樹脂層１１に対
して穴開け加工を実施し、ウエハ又は配線基板表面の接
続用電極１を露出させる。加工は、樹脂膜１１の厚さが
１０μｍを越える場合はドライエッチ又はレーザー加工
が適当であるが、樹脂膜１１がこれより薄ければウエッ
トエッチングでも可能である。加工に際しては、樹脂膜
１１と穴の下地との間に加工プロセスに対する選択性が
必要であり、ウエハ又は配線基板表面に形成された保護
層１０が無機物であれば、樹脂層１１の穴は保護層１０
の窓の大きさより大きくすることが可能である。保護層
１０が有機物である場合は選択性が期待できないので、
穴は保護層１０の窓より小さく形成する方がプロセスの
安定性の点で良好である。

【００２１】穴開け加工終了後、電極１の表面のクリー
ニング処理を行い、然る後、図７に示すように、ウエハ
又は配線基板の全面にＣｒ又はＴｉを成膜し、続けてＣ
ｕを成膜する。この２層膜は、後の工程でめっきの種膜
１２として用いるものであるので、樹脂層１１及び電極
１の表面との接着性に優れている必要がある。この２層
膜は、無電解の金属めっきでも形成可能であるが、接着
性の観点からＣｒ又はＴｉを接着層とした薄膜を形成す
る方が望ましい。また、これらの薄膜を成膜する場合、
樹脂層１１の穴の中への付着性を考慮すれば、スパッタ
リング法が最も望ましく、膜厚はＣｒ又はＴｉが０．１
μｍ程度、Ｃｕは１μｍ程度で良い。

【００２２】めっきの種膜１２の成膜完了後、図８に示
すように、ウエハ又は基板全面のめっきの種膜１２上
に、所定の厚さの樹脂層１３を形成する。この樹脂層１
３の厚みが電極の最終的な厚さを決めることになる。膜
厚の分布の点を考慮すれば、この樹脂層１３は、耐熱性
のある接着剤が塗布された樹脂シートを貼り付けて形成
する方法が望ましいが、ワニス状の樹脂を塗布・ベーク
することで形成することも可能である。

【００２３】その後、図９に示すように、電極１上の樹
脂層１３に対して穴開け加工を行う。この場合、穴開け
加工プロセスとしては、樹脂層１３の厚さが数十〜数百
μｍと厚いことから、サイドエッチングの防止の点を考
慮して、ドライエッチ加工又はレーザー加工が良好であ
る。特にレーザー加工では、紫外レーザーを用いること
で、５０μｍの径で２５０μｍ以上の深さの穴をポリイ
ミドのシートに形成できることは確認しており、深い穴
であればレーザー加工が最適である。これらの加工にお
いては、穴は前述のめっきの種膜１２である金属層で加
工が止まり、選択性は良好である。この穴の径は、下層
の穴の径に対して大きくても小さくても良い。更に、前
述のように穴径が小さい方が電極の柔軟性が良好である
ため、電気抵抗の制約の範囲内で穴径を小さくすること
は、本発明の効果を表しやすくする。また、穴の位置
も、接続部の抵抗が許容できる範囲で電極１の表面の露
出面積が確保できていれば良く、部分的に保護層１０の
窓及び下層樹脂層１１の穴から外れていても良い。

【００２４】更に、樹脂層１３として接着剤の付いた樹
脂シートを用いる場合は、予め穴を適当な手段で開けて
おき、これをウエハ又は配線基板上の電極１に位置合せ
して貼り付けるという工程を採ることも可能である。

【００２５】穴加工後、穴の底をクリーニング処理後
に、図１０に示すように、既に形成してある金属膜を種
膜１２として、電気めっきを行い、樹脂層１１及び１３
の穴をめっき膜１４で充填する。電気めっきとしてはＣ
ｕめっきが最適であり、その場合は、硫酸銅系のめっき
液がめっき速度、安定性、液管理等の点から良好であ
る。めっき膜１４は、穴を完全に埋めることが必要で、
数μｍ程度であれば穴から盛り上がる状態になっても良
い。厚さばらつきが大きい場合は、ウエハ又は配線基板
全面で少なくとも樹脂層１３の穴が完全に埋め込まれる
までめっきを行い、その後、テープ研磨のような手法で
厚くなりすぎた部分を削り落とすと良い。

【００２６】その後、めっき膜１４と樹脂層１３の界面
が外部に露出するのを防止するために、図１１に示すよ
うに、薄い樹脂膜１５を形成し、めっき膜上面に相当す
る部分に窓を開ける。めっき膜１４と樹脂層１３の界面
は、めっき前に樹脂層１３の穴の側面に対し化学処理を
することで接着性を付与することは可能であるが、工程
が長い上に、ウエハ又は配線基板表面の電極を腐食する
恐れもあるため、樹脂膜１５で界面を覆う方が、工程と
して簡単である。

【００２７】更に、図１２に示すように、穴埋めを行っ
ためっき膜１４上に、接続時にこのめっき膜１４を保護
して接続信頼性を向上させるための保護金属膜１６を、
同じく電気めっきで成膜する。この金属膜１６は、ウエ
ハ又は配線基板をどのような方法で接続するかにより、
材料が異なるが、例えばはんだを使う場合は、Ｎｉめっ
き膜とＡｕめっき膜の２層が良い。また、導電性接着剤
のようなもので接続するのであれば、Ａｕ膜だけでも適
用可能である。

【００２８】次に、図１３に示すように、電極の周囲の
樹脂層１３を除去することにより、電極に外力が加わっ
た場合に容易に動けるように電極を分離する。不要部分
の除去は、前述の穴加工と同様に、ドライエッチ加工又
はレーザー加工が好適である。加工は、最終的にメッキ
の種膜１２としての金属膜が露出した時点で完了する。
めっき膜１４の周囲に残す樹脂層１３は、本発明の目的
から言えば残す必要はなく、むしろ、樹脂膜が残ること
で厚く積んだめっき膜の外力による変形を妨げるという
悪影響が現れる。しかし、めっき膜１４を環境から保護
するという意味では、５μｍ以上の厚さでめっき膜側面
を覆う程度に残ることが望ましい。

【００２９】最後に、上記の分離工程によって、樹脂層
１３を除去した部分の底に露出しためっきの種膜１２の
金属膜を、図１４に示すように、ウエットエッチングで
除去し、電気的にこの電極を分離する。金属膜１２とし
て上述したＣｒ，Ｃｕ，Ｔｉは、めっき膜１４の保護と
して形成するＡｕ膜との間でエッチングの選択性がある
ので、保護金属膜１６を損なうことなく除去することが
できる。電気的な分離が終わることで、本発明による配
線基板が完成する。

【００３０】ここで、ウエハ上に厚い電極を形成する際
に、ＬＳＩの電極配列を基板側に合わせて変換する必要
がある場合には、図１５に示すように、ＬＳＩ表面の接
続電極１上に絶縁層１７を形成し、この上に配線１８を
形成して所定の配線パターンを形成し、この配線１８に
設けた接続電極に対して、上述した工程を適用して厚い
電極を形成する。この構造によれば、ＬＳＩの周辺配列
電極のような微小ピッチで厚い電極を形成することに伴
うプロセス上の困難を避けるよう、例えばエリアアレイ
の電極配列に変換することが可能となる。

【００３１】次に、本発明による配線基板を実際に接続
を行うにあたり、はんだを用いて接続する例を、図１６
を用いて説明する。

【００３２】例えば、図４〜図１４の工程に基づいて形
成したウエハに対して、個々の電極に対してはんだボー
ル２０を供給した後、一旦はんだを溶解させて、図１６
に示すように、はんだボール２０を電極表面に固着させ
る。次に、このウエハを配線基板の所定の位置に位置決
めして置く。この後、通常のリフローを行うことで接続
は完了する。基本的には、従来の接続となんら変わるこ
とはない。

【００３３】なお、接続にはんだを使う場合は、電極の
変形に加えてはんだの変形も生じるために、剪断力の緩
和効果がより大きくなり、信頼性を一層向上させること
ができる。

【００３４】更に、はんだ接続後に、前述したアンダー
フィル材を接続部の空隙に充填するようになすと、接続
部が外気から遮断されることになり、酸化及び腐食等に
よる接続不良の発生を防ぐことが可能となる。

【００３５】なお、電極を前述のような数値まで厚く形
成するのが困難な場合には、図１７に示す如く、基板側
とＬＳＩ側の双方に厚い電極を形成し、これをはんだ２
０を用いて接続する。このようにすることで、電極の厚
さは、個々の厚さではなく双方の厚さを足した分の応力
緩和効果が得られる。従って、前述したような４００μ
ｍ近い厚さの電極でなく、個々の基板では２００μｍ程
度の厚さの電極形成で済む。また、間にはんだが入るこ
とで、はんだによる応力緩和効果があることから、実際
には１５０μｍ程度でも十分となる。この厚さ低減の効
果により、めっき工程での基板へのダメージ、及び厚い
樹脂層の除去工程での技術的な困難さを、軽減できるこ
とになる。

【００３６】

【発明の効果】叙上のように本発明によれば、従来は困
難であったＳｉと熱膨張係数の異なる基板、例えばプリ
ント配線板のような基板に、直接ＬＳＩを接続すること
が可能となる上、接続信頼性も十分確保できる。更に、
従来のような補助的な基板を介することなく接続ができ
るため、実効的な接続距離が短くなり、今後のＬＳＩの
高速駆動に対しても十分対応ができる。また、接続にあ
たっては特別な技術や設備が不要で、従来のものがその
まま使用できるため、付加的なコストも殆ど増えない。

【図面の簡単な説明】

【図１】基板とＬＳＩの接続部分のレイアウトを示す断
面図である。

【図２】基板とＬＳＩとの接続部分の変形を模擬的に示
した断面図である。

【図３】接続部分の変形モデルを説明するための断面図
である。

【図４】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法
の工程説明図である。

【図５】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法
の工程説明図である。

【図６】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法
の工程説明図である。

【図７】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法
の工程説明図である。

【図８】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法
の工程説明図である。

【図９】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法
の工程説明図である。

【図１０】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方
法の工程説明図である。

【図１１】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方
法の工程説明図である。

【図１２】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方
法の工程説明図である。

【図１３】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方
法の工程説明図である。

【図１４】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方
法の工程説明図である。

【図１５】本発明による電極レイアウト変更を可能とし
た配線基板の断面図である。

【図１６】本発明による配線基板をはんだ接続に適用す
る場合の基板断面図である。

【図１７】本発明を配線基板およびＬＳＩの両者に適応
した場合の接続部分の断面図である。

【図１８】従来技術による接続構造の一例を示す断面図
である。

【符号の説明】

１接続用電極２基板３感光性樹脂層４感光性樹脂層の穴５めっき膜６ＬＳＩ７柱状接続媒体７’ 変形した柱状接続媒体８冷却時のＬＳＩの相対的な動き９７の側面を近似した円弧１０基板表面保護層１１下層樹脂層１２めっき種膜１３上層樹脂層１４めっき膜１５薄い樹脂膜１６保護金属膜１７絶縁層１８配線２０はんだ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】外部回路と接続するために回路基板上に
形成する接続用電極における、実際に接続する部分のみ
を、これにつながる配線の上面よりも１０μｍ以上厚く
形成して、外部回路との接続を、この厚く形成した電極
の上面のみで行うようにしたことを特徴とする回路基
板。
【請求項２】請求項１記載において、前記厚く形成した電極の側面を、電気的絶縁物で被覆し
たことを特徴とする回路基板。
【請求項３】請求項１記載において、前記厚く形成した電極の側面を、電極材料とは異種の金
属で被覆したことを特徴とする回路基板。
【請求項４】請求項２または３記載において、前記厚く形成した電極の上面を、外部回路との接続に好
適な金属膜で被覆したことを特徴とする回路基板。
【請求項５】請求項１記載において、前記厚く形成する電極部分の材料を、Ｃｕ，Ａｌ，Ａｕ
の何れかとしたことを特徴とする回路基板。
【請求項６】外部回路と接続するために回路基板上に
形成する接続用電極における、実際に接続する部分のみ
を、これにつながる配線の上面よりも１０μｍ以上厚く
なるように、電気めっき法を用いて形成したことを特徴
とする回路基板の製造方法。
【請求項７】請求項１乃至５の何れか１つに記載の回
路基板を、他の回路基板と接続するにあたり、はんだ又
は導電性の樹脂で接続するようにしたことを特徴とする
電子機器。
【請求項８】請求項７記載において、接続された回路基板間の空隙を、有機樹脂で充填したこ
とを特徴とする電子機器。