JP7148278B2 - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 230
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 230
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 122
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 8
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 claims description 4
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 508
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 26
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 26
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 8
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 2
- -1 azole compound Chemical class 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 1H-pyrrole Natural products C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N butadiene group Chemical group C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 230000002335 preservative effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002335 surface treatment layer Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
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Description
[第1の実施の形態に係る配線基板の構造]
まず、第1の実施の形態に係る配線基板の構造について説明する。図1は、第1の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。
次に、第1の実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図2~図5は、第1の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。本実施の形態では、便宜上支持体上に1個ずつ配線基板を作製し支持体を除去する工程の例を示すが、支持体上に複数の配線基板となる部分を作製し支持体を除去後個片化して各配線基板とする工程とすることができる。
第1の実施の形態の変形例1では、絶縁層10の形成方法の他の例を示す。なお、第1の実施の形態の変形例1において、既に説明した実施の形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。
第1の実施の形態の変形例2では、導体層を被覆する第1樹脂層の形状が異なる例を示す。なお、第1の実施の形態の変形例2において、既に説明した実施の形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。
導体層20の上面に形成された第1樹脂層11Aの厚さ、及び導体層20の各々の側面に形成された第1樹脂層11Aの厚さは、例えば、5~10μm程度とすることができる。
第1の実施の形態の変形例3では、絶縁層30に開口部を形成する例を示す。なお、第1の実施の形態の変形例3において、既に説明した実施の形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。
第2の実施の形態では、絶縁層10が最下層となる例を示す。なお、第2の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。
図11(d)に示す工程では、支持体300の上面全面に導体層20Cを被覆するようにBステージ状態(半硬化状態)の第1樹脂層11を形成する。第1樹脂層11は、例えば、Bステージ状態(半硬化状態)のフィルム状の樹脂を支持体300の上面全面にラミネートすることで形成できる。或いは、液状又はペースト状の樹脂をスクリーン印刷法、ロールコート法、又は、スピンコート法等で支持体300の上面全面に塗布して形成してもよい。第1樹脂層11の材料や厚さは前述の通りである。なお、この工程では、第1樹脂層11の硬化は行わない。以降の工程は、第1の実施の形態の図3(d)以降と同様である。
第2の実施の形態の変形例1では、絶縁層30の形成方法の他の例を示す。なお、第2の実施の形態の変形例1において、既に説明した実施の形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。
10、30、30A 絶縁層
10x ビアホール
11、11A 第1樹脂層
12、12A 第2樹脂層
20、20C、40 導体層
21、41 密着層
22、42 配線層
30x、50x、310x、320x 開口部
50 ソルダーレジスト層
300 支持体
310、320 レジスト層
Claims (10)
- 第1樹脂層と、前記第1樹脂層の一方の面を被覆する第2樹脂層と、を有する絶縁層と、
一方の面及び側面が前記第1樹脂層に被覆され、他方の面が前記第1樹脂層の他方の面から露出する第1導体層と、
前記第2樹脂層の前記第1樹脂層の一方の面と接する面の反対面に形成された配線パターン、及び前記第2樹脂層及び前記第1樹脂層を貫通し前記配線パターンと前記第1導体層の一方の面とを接続するビア配線、を含む第2導体層と、を有し、
前記ビア配線は、前記第2樹脂層及び前記第1樹脂層を貫通し、前記第2樹脂層側に開口されている開口部の径が前記第1導体層の一方の面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状のビアホール内に形成され、
前記第1樹脂層は前記第2樹脂層よりも高弾性率かつ低伸び率の樹脂から構成され、
前記第1樹脂層の材料は、ビフェニル構造、ビキシレノール構造、ビスフェノールアセトフェノン構造、又はビスフェノールフルオレン構造を含む熱硬化性樹脂組成物であり、
前記第1樹脂層の弾性率は、3GPa以上10GPa以下である配線基板。 - 前記第1樹脂層の他方の面及び前記第1導体層の他方の面を被覆する他の絶縁層を有し、
前記他の絶縁層は、前記第2樹脂層と同じ樹脂により構成されている請求項1に記載の配線基板。 - 前記第1導体層は、前記他の絶縁層と接する密着層と、前記密着層上に形成された配線層と、を有する請求項2に記載の配線基板。
- 前記他の絶縁層を貫通し、前記密着層を露出する開口部を有する請求項3に記載の配線基板。
- 前記第1樹脂層は前記第1導体層の一方の面及び側面に沿って形成され、前記第2樹脂層は前記第1樹脂層の一方の面及び側面を被覆する請求項1乃至4の何れか一項に記載の配線基板。
- 前記第2樹脂層は、前記第1樹脂層の一方の面全面を被覆する請求項1乃至4の何れか一項に記載の配線基板。
- 支持体上に、第1導体層を形成する工程と、
前記支持体上に、前記第1導体層の一方の面及び側面を被覆する第1樹脂層と、前記第1樹脂層の一方の面を被覆する第2樹脂層と、を有する絶縁層を形成する工程と、
レーザ加工法により、前記第2樹脂層及び前記第1樹脂層を貫通し、前記第1導体層の一方の面を露出するビアホールを形成する工程と、
前記第2樹脂層の前記第1樹脂層の一方の面と接する面の反対面に形成された配線パターン、及び前記ビアホールを充填し前記配線パターンと前記第1導体層の一方の面とを接続するビア配線、を含む第2導体層を形成する工程と、
前記支持体を除去する工程と、を有し、
前記ビアホールを形成する工程では、前記ビアホールは、前記第2樹脂層側に開口されている開口部の径が前記第1導体層の一方の面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状に形成され、
前記絶縁層を形成する工程では、前記第1樹脂層を前記第2樹脂層よりも高弾性率かつ低伸び率の樹脂から構成し、
前記第1樹脂層の材料は、ビフェニル構造、ビキシレノール構造、ビスフェノールアセトフェノン構造、又はビスフェノールフルオレン構造を含む熱硬化性樹脂組成物であり、
前記第1樹脂層の弾性率は、3GPa以上10GPa以下である配線基板の製造方法。 - 前記第1導体層を形成する工程よりも前に、前記支持体の直上に他の絶縁層を形成する工程を有し、
前記第1導体層を形成する工程では、前記他の絶縁層の直上に第1導体層を形成し、
前記他の絶縁層を形成する工程では、前記他の絶縁層を前記第2樹脂層と同じ樹脂により構成する請求項7に記載の配線基板の製造方法。 - 前記他の絶縁層の直上に第1導体層を形成する工程は、
前記他の絶縁層の直上に密着層を形成する工程と、
前記密着層上に配線層を形成する工程と、を有する請求項8に記載の配線基板の製造方法。 - 前記絶縁層を形成する工程では、
予め前記第1樹脂層上に前記第2樹脂層が積層された絶縁性多層フィルムを準備し、
前記支持体上に、前記第1導体層の一方の面及び側面を被覆するように、前記絶縁性多層フィルムをラミネートする請求項7乃至9の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018105370A JP7148278B2 (ja) | 2018-05-31 | 2018-05-31 | 配線基板及びその製造方法 |
US16/418,168 US10510649B1 (en) | 2018-05-31 | 2019-05-21 | Interconnect substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018105370A JP7148278B2 (ja) | 2018-05-31 | 2018-05-31 | 配線基板及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019212692A JP2019212692A (ja) | 2019-12-12 |
JP7148278B2 true JP7148278B2 (ja) | 2022-10-05 |
Family
ID=68695277
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018105370A Active JP7148278B2 (ja) | 2018-05-31 | 2018-05-31 | 配線基板及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10510649B1 (ja) |
JP (1) | JP7148278B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113260135A (zh) * | 2020-02-13 | 2021-08-13 | 群创光电股份有限公司 | 电子装置以及制造可挠性电路板的方法 |
KR20220053310A (ko) * | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003037365A (ja) | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Kyocera Corp | 多層配線基板 |
JP2003204169A (ja) | 2002-01-10 | 2003-07-18 | Toppan Printing Co Ltd | 可撓性を有する多層配線板 |
JP2004356569A (ja) | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用パッケージ |
JP2018032827A (ja) | 2016-08-26 | 2018-03-01 | 大日本印刷株式会社 | 配線基板及び表示装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2011108308A1 (ja) * | 2010-03-04 | 2013-06-24 | 日本電気株式会社 | 半導体素子内蔵配線基板 |
EP3127699B1 (en) * | 2014-03-31 | 2021-04-28 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Thermoplastic resin film and laminated glass |
WO2017096167A1 (en) * | 2015-12-02 | 2017-06-08 | Multek Technologies Limited | Pcb hybrid redistribution layer |
-
2018
- 2018-05-31 JP JP2018105370A patent/JP7148278B2/ja active Active
-
2019
- 2019-05-21 US US16/418,168 patent/US10510649B1/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003037365A (ja) | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Kyocera Corp | 多層配線基板 |
JP2003204169A (ja) | 2002-01-10 | 2003-07-18 | Toppan Printing Co Ltd | 可撓性を有する多層配線板 |
JP2004356569A (ja) | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用パッケージ |
JP2018032827A (ja) | 2016-08-26 | 2018-03-01 | 大日本印刷株式会社 | 配線基板及び表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10510649B1 (en) | 2019-12-17 |
US20190371717A1 (en) | 2019-12-05 |
JP2019212692A (ja) | 2019-12-12 |
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