WO2006046510A1 - 多層プリント配線板及び多層プリント配線板の製造方法 - Google Patents

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corrosion
solder
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printed wiring
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PCT/JP2005/019499
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Yasuhiro Watanabe
Michimasa Takahashi
Masakazu Aoyama
Takenobu Nakamura
Hiroyuki Yanagisawa
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Ibiden Co., Ltd.
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Definitions

  • Multilayer printed wiring board and method for manufacturing multilayer printed wiring board are Multilayer printed wiring board and method for manufacturing multilayer printed wiring board
  • the present invention relates to a multilayer printed wiring board in which electronic components, semiconductor elements, and the like are mounted on a surface layer of a substrate, and a method for manufacturing the same.
  • the present invention relates to a multilayer printed wiring board suitably used for a mobile phone, a portable electronic device, a package, and the like, and a manufacturing method thereof.
  • a one-unit circuit board is formed by opening a via hole in a hard insulating base material having a conductor circuit on at least one side with a laser and applying a conductor layer to the opening with a metal paste or plating.
  • a multilayer circuit board (multilayer printed wiring board) can be obtained by preparing two or more layers of this circuit board and thermocompression-bonding these boards sequentially or collectively. At that time, the via hole or via hole land of one circuit board and the conductor circuit or land of the other circuit board are connected, so that the electrical connection of the two-layer circuit board is made. In other areas where electrical connection is not performed, the circuit boards are brought into close contact with each other by an adhesive layer made of a thermosetting resin or a pre-preda. Examples of these conventional techniques include JP-A-10-13028.
  • a solder resist layer for protecting a conductor circuit was formed on the surface layer of these substrates or a general printed wiring board, and a solder pad having a part of the solder resist layer opened was formed. The opening force conductor circuit is exposed, and a corrosion-resistant layer of gold, nickel gold, or the like is formed on the surface layer. All solder pads are provided with a corrosion-resistant layer, and solder is formed on the conductor circuit on which the corrosion-resistant layer is applied, and electronic components and the like are mounted.
  • Patent Document 1 JP-A-10-13028
  • the mounting density can be increased, it is also required to ensure reliability. Among them, improvement of reliability especially for drop test is desired. In other words, even if a product (all parts, liquid crystal, etc. are mounted and shown in a case) or a printed wiring board is dropped from a certain height, the function and startability of the board will not be reduced. Therefore, it is required to make it difficult for parts to fall off.
  • the substrate manufactured by the conventional method it is difficult to maintain the function and startability of the substrate with respect to the drop test in the reliability test.
  • the board manufactured by the conventional method has been unable to reduce the frequency of parts falling off.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to ensure reliability and ensure electrical connectivity and functionality.
  • a conductor circuit is formed on the surface layer, a solder resist layer covering the conductor circuit is applied, and a plurality of openings of the solder resist exposing a part of the conductor circuit are provided.
  • a multilayer printed wiring board in which a plurality of solder pads are formed and a corrosion-resistant layer is formed on the surface of the conductor circuit!
  • the solder pad is technically characterized by a mixture of a corrosion-resistant layer-formed solder pad with a corrosion-resistant layer and a corrosion-resistant layer-unformed solder pad without a corrosion-resistant layer.
  • an interlayer connection is formed by a via hole, and a conductor layer is filled in the via hole, and at least two or more layers are laminated, and a solder resist layer is applied to a surface layer, and a part of the conductor circuit is exposed.
  • a multilayer printed wiring board in which a plurality of solder pads are formed by a plurality of openings, and a corrosion-resistant layer is formed on the surface layer of the conductor circuit,
  • the solder pad is technically characterized by a mixture of a corrosion-resistant layer-formed solder pad with a corrosion-resistant layer and a corrosion-resistant layer-unformed solder pad without a corrosion-resistant layer.
  • a multilayer printed wiring board in which a portion where the corrosion-resistant layer is formed and a portion where the corrosion-resistant layer is not formed is mixed is a conventional surface layer.
  • the substrate expands and contracts due to the temperature when mounting IC chips, etc., under heat cycle conditions, or at high temperatures and humidity.
  • the surface of the substrate is in the same state, so that the generated stress is easily transmitted due to expansion and contraction.
  • the stress caused by heat or the like is buffered, so that it is difficult for warpage to occur as a multilayer printed wiring board, and the flatness of the substrate surface is ensured. For this reason, it is easy to obtain connectivity with the IC chip and connectivity with the external substrate in the packaging substrate where the IC chip is mounted as a bare chip. Furthermore, it is easy to obtain connectivity between an IC chip and an electronic component, especially on a mixed packaging substrate that has electronic components such as capacitors mounted on the surface layer in addition to the IC chip.
  • the portion that is formed by the formation of the corrosion-resistant layer ensures the rigidity of the substrate as compared with the portion that is formed by the formation of the corrosion-resistant layer. Since the rigidity is secured, it is possible to suppress the warpage of the printed circuit board and other problems with the printed wiring board.Even if components are mounted, poor contact between the conductor part of the solder pad and the external terminals of the component, etc. It is hard to cause.
  • the mounted parts are placed on a rigid corrosion-resistant layer, so it is stable.
  • operation parts such as keypads are in contact with the land portion where the corrosion-resistant layer is formed.
  • the portion where the corrosion-resistant layer is not formed is more flexible than the portion where the corrosion-resistant layer is formed. Since it has flexibility, the stress generated by expansion and contraction is buffered, and defects such as cracks in the conductor circuit, solder, or insulating layer are more reliable than conventional printed wiring boards. Further, even when subjected to an impact from an external force, the portion where the corrosion-resistant layer is not formed can be buffered against the impact. For this reason, the mounted parts are not easily affected by the impact, and problems such as part dropout are less likely to occur.
  • the printed board is subject to thermal expansion and contraction (for example, when the temperature rises, it expands and returns from high temperature to room temperature. Therefore, in the portion where the corrosion-resistant layer is not formed, defects such as cracks in the conductor circuit and the insulating layer are less likely to occur compared to the portion where the corrosion-resistant layer is formed. In particular, it is difficult to cause defects such as cracks in the solder layer. With the expansion and contraction, the generated stress is buffered, It is estimated that the generated stress is less likely to be concentrated locally, and that it is difficult to cause defects such as cracks. The same tendency was observed in the size of the printed board (meaning vertical and horizontal sizes), thickness, number of layers, and materials.
  • the area of the portion where the corrosion-resistant layer is formed be larger than the area of the portion where the corrosion-resistant layer is not formed. This is because it is easier to increase the rigidity of the substrate itself by increasing the area of the portion where the corrosion-resistant layer is formed!
  • the corrosion-resistant layer is formed by forming one or more kinds of metals selected from noble metals such as gold, silver, and platinum in one or more layers, and by laminating a combination of noble metals and other metals 1 It refers to something above the layer.
  • noble metals such as gold, silver, and platinum
  • Specific examples include nickel gold, nickel silver, nickel platinum, gold (single layer), silver (single layer), nickel palladium gold, nickel-palladium mono-silver, and the like.
  • the conductor circuit from which the solder pad portion force is also exposed is a circuit having various shapes such as a flat circuit, a circuit having a recess, a circuit having a protrusion, and a circuit having a rough surface layer. Also good.
  • These substrates can be applied to various types of printed wiring boards such as printed wiring boards that perform interlayer connection through via holes, substrates manufactured by a subtractive method, and substrates manufactured by an additive method. Is possible. Other than this, it can also be applied to substrates manufactured through the conformal method.
  • solder pads are used to recognize dummy conductor layers, alignment marks, and products that are not electrically connected only through the exposed conductor circuit from the opening of the solder resist layer. Also included are conductor layers formed on the switch and terminal conductor layers for switches. It is desirable that the solder pad provided with the corrosion resistant layer is mainly an external terminal.
  • the corrosion-resistant layer is formed in the portion where the corrosion-resistant layer is formed, and the rigidity of the substrate is increased as compared with the portion. Since the rigidity is increased, defects in the printed wiring board such as board warping can be suppressed, and even if external terminals are mounted, poor contact and unconnected connections between the solder pad conductors and external terminals such as parts can be avoided. Hard to cause. In addition, since the external terminals are arranged on the pads on which the corrosion-resistant layer is formed, the installation itself is stabilized.
  • the strength is increased by repeated contact with the solder pad on which the corrosion-resistant layer is formed, and the rigidity of the pad portion. ing. In addition, repeated contact is unlikely to cause poor contact.
  • solder pads not provided with the corrosion-resistant layer are mainly terminals for mounting electronic components.
  • the solder pad portion where the corrosion resistant layer is not formed is more flexible than the portion where the corrosion resistant layer is formed.
  • the portion where the corrosion-resistant layer is not formed has flexibility, so that the impact can be buffered.
  • the connectivity of the components is ensured, so that the electrical connectivity and functionality as a product do not deteriorate, and the reliability is lower than that of a conventional printed wiring board.
  • the electronic components used for the electronic component mounting terminals include active components such as semiconductors, and general passive components such as capacitors, resistors, and inductors.
  • the solder pad provided with the corrosion-resistant layer is preferably a connection pad for connecting the IC chip mainly by a bare chip.
  • wire bonding pads and solder pads for connecting flip-chip IC chips are desirable U ,.
  • connection pad with the IC chip having a corrosion-resistant layer applied to the connection area of the IC chip is formed.
  • the rigidity of the substrate is increased. Since the rigidity is increased, it is possible to suppress the warpage of the printed wiring board and other problems on the printed wiring board.Even when components are mounted, contact failure between the conductor part of the solder pad and the external terminals of the component, etc. may be caused. hard.
  • solder pads not provided with the corrosion-resistant layer are mainly terminals for mounting electronic components.
  • the portion where the corrosion-resistant layer is not formed is more flexible than the portion where the corrosion-resistant layer is formed. Because it has flexibility, the stress generated by expansion and contraction is buffered, and defects such as cracks in the conductor circuit or insulating layer ensure long-term reliability compared to conventional printed wiring boards. Further, even when an impact from an external force is received, the portion where the corrosion-resistant layer is not formed can be buffered against the impact. For this reason, the mounted components are not easily affected by the impact, and problems such as component dropping are less likely to occur.
  • solder pad for connecting an IC chip and a solder pad for connecting an electronic component are formed on the same surface layer, the solder pad for connecting an IC chip is used. It is desirable that a corrosion-resistant layer is formed on the solder pads for connecting electronic components, and no corrosion-resistant layer is formed. As a result, compared to the conventional package substrate, if the warpage of the substrate is suppressed, the influence on the impact of external force can be buffered. For this reason, connection with IC chips and electronic components mounted on the surface of the package substrate is secured, making it difficult to reduce connectivity and reliability.
  • an external terminal for example, a PGA pin
  • stress such as thermal stress at the time of external terminal placement is buffered, and the occurrence of defects such as cracks in conductive materials such as solder for connection can be suppressed. Can be obtained. Also
  • the external terminals in the present application may be arranged on the same surface as the IC chip to be mounted, or may be arranged on the opposite surface of the IC chip.
  • the corrosion-resistant layer is formed on the surface of the region where the corrosion-resistant layer is formed and the opposite surface, even though the region where the corrosion-resistant layer is formed and the region where the corrosion-resistant layer is not formed are arranged on the same surface.
  • An area that is not used may be arranged. Further, depending on the case, a mixture of these may be used.
  • a metaphysis layer is provided, and an OSP (Organic Solderability Preservative: preflux) layer is provided on the solder pad.
  • OSP Organic Solderability Preservative: preflux
  • a coating layer other than the OSP layer may be applied.
  • a layer mainly composed of an imidazole compound for example, alkylbenzimidazole, benzimidazole, etc.
  • metal ions for example, copper ions, silver ions, nickel, etc.
  • organic acids may be contained.
  • An organic film is applied on the copper circuit exposed from the solder pad by immersing the printed wiring board in which the solder pad is exposed in this solution between room temperature and heating temperature (for example, 80 ° C.). This organic coating can ensure solderability.
  • an organic film can be formed on the conductor and can be applied as long as it is removed during heating.
  • a solder resist layer that covers the conductor circuit of the surface layer is applied, and a plurality of solder pads are formed by a plurality of openings of the solder resist that expose a part of the conductor circuit.
  • a technical feature is a method for producing a multilayer printed wiring board through the steps (a) to (e).
  • a multilayer printed wiring board is manufactured in which a portion where the corrosion-resistant layer is formed and a portion where the corrosion-resistant layer is not formed are mixed in the exposed conductor layer portion of the printed wiring board. it can. According to the printed wiring board obtained by the manufacturing method of the present application, reliability is easily obtained as compared with the conventional multilayer printed wiring board in which the corrosion-resistant layer is formed on all the conductor portions exposed on the surface layer.
  • the solder pad covered with the mask layer is mainly an electronic component mounting pad or an external terminal connection pad.
  • solder pad portion where the corrosion-resistant layer is not formed and where the corrosion-resistant layer is not formed By covering with a mask layer, it is possible to form a solder pad portion where the corrosion-resistant layer is not formed and where the corrosion-resistant layer is not formed.
  • the solder pad portion where the corrosion resistant layer is not formed is more flexible than the portion where the corrosion resistant layer is formed. When subjected to an impact from an external force, the portion where the corrosion-resistant layer is not formed has flexibility, so that the impact can be buffered.
  • a solder pad without a corrosion-resistant layer as an electronic component mounting terminal, it is difficult to cause a drop between the conductive circuit exposed from the solder pad and the electronic component when an impact is applied from the outside.
  • the mask layer can cover the solder pad not provided with the corrosion-resistant layer through exposure / development or laser opening. That is, in the surface layer of the substrate to which the solder resist layer is applied, a mask layer forming portion and a non-forming portion are formed on the mask layer, and a plating film is applied to the non-forming portion of the mask layer.
  • the mask layer is formed by applying a resin whose viscosity has been adjusted in advance or applying it in the form of a dry film. Thereafter, a mask layer is formed in a region where the corrosion-resistant layer is not formed, and a corrosion-resistant layer is not formed on the solder pad portion below the mask layer. In other solder pad areas, an opening is formed in the mask layer by exposure and development, or an opening is formed in the mask layer by laser. Thereby, a non-formation portion of the mask layer is formed on the solder resist layer, and a corrosion-resistant layer is formed on the solder pad in the non-formation region.
  • an OSP layer may be formed on a solder pad not provided with the corrosion-resistant layer.
  • OSP Organic Solderability Preservative: preflux
  • a multilayer printed wiring board for a knock board can be manufactured by the above manufacturing method.
  • a corrosion-resistant layer is formed on a solder pad for mounting a bare chip of an IC chip, and a corrosion-resistant layer is not formed on a solder pad for an electronic component such as a capacitor. They may be applied on the same surface layer.
  • a mask layer is mainly applied to solder pads for electronic components. As a result, a corrosion resistant layer is not formed on the corresponding solder pad.
  • Solder resist is applied to the printed wiring board on which one side or both sides are electrically connected to the conductor circuit (including lands), the dummy conductor layer, the alignment mark, and the conductor layer formed to recognize the product. Form a layer. If necessary, a blackening treatment or a roughening layer may be formed on the conductor circuit and the conductor layer.
  • the printed wiring board refers to various types of printed wiring boards such as a printed wiring board that performs interlayer connection in via holes, a board manufactured by a subtractive method, and a board manufactured by an additive method.
  • the solder resist is formed by applying a resin whose viscosity has been adjusted in advance, attaching a film in the form of a dry film, or thermocompression bonding.
  • the thickness when the solder resist layer is formed is 10 to 50 m, and the thickness after the solder resist layer is completely cured is 5 to 50 m.
  • thermosetting resins, thermoplastic resins, photo-curable resins, thermosetting resins with (meth) acrylic resins, and composites of these resins are used. Among these, it is desirable to use epoxy resin, polyimide resin, phenol resin, polyolefin resin, phenoxy resin, and the like.
  • the formed solder resist layer may be dried at about 80 to 100 ° C. as necessary. This causes the solder resist layer to be in a semi-cured (B stage) state.
  • the mask on which the solder pads are drawn is placed on the solder resist layer, exposed to ultraviolet rays, and then developed with a chemical solution such as alkali to form the solder pads on the solder resist layer.
  • a chemical solution such as alkali
  • An opening is provided.
  • an opening having a solder pad force is provided in the solder resist layer by a laser.
  • a carbon dioxide laser, an excimer laser, a YAG laser, or the like can be used as a laser for providing the opening.
  • the pulse energy is 0.5 ⁇ : LOOniJ
  • the pulse width is 1 ⁇ : LOO / zs
  • the pulse interval is 0.5ms or more
  • the frequency is 1000 ⁇ 6000Hz.
  • via holes may be formed by abrasion.
  • desmear treatment may be performed by chemical treatment with an acid or an oxidizing agent, plasma with oxygen or nitrogen, physical treatment such as corona treatment, or the like.
  • the solder pad includes a dummy conductor layer that is not electrically connected only by a conductor circuit (including), an alignment mark, and a conductor layer formed to recognize a product.
  • a mask layer is formed on a printed wiring board in which solder pads are formed on the solder resist layer.
  • the mask layer is formed by applying a resin whose viscosity has been adjusted in advance, attaching a film in the form of a dry film, or thermocompression bonding.
  • the thickness of the mask layer is about 5 to 30 ⁇ m.
  • thermosetting resin, thermoplastic resin, photo-curable resin, heat-curable resin partly (meth) acrylated resin, or a composite of these resins can be used. Among them, it is desirable to use epoxy resin, polyimide resin, phenol resin, polyolefin resin, phenoxy resin, and the like.
  • the formed mask layer may be dried at about 80 to about LOO ° C as required. Thereby, the mask layer may be in a semi-cured (B stage) state. This B-stage may be pasted as a film. In some cases, direct exposure may be performed.
  • the mask on which the solder pad non-formation region is drawn is placed on the mask layer and exposed to ultraviolet rays or the like, and then developed with a chemical solution such as an alkali to develop the corrosion resistance layer on the solder layer on the mask layer.
  • a chemical solution such as an alkali to develop the corrosion resistance layer on the solder layer on the mask layer.
  • An opening that also has a non-forming region force is provided, or an opening made of an anti-corrosion layer forming region is provided in the solder pad by a laser.
  • a mask layer non-formation portion and a mask formation portion are formed on the solder resist.
  • a carbon dioxide laser, an excimer laser, a YAG laser, or the like can be used as a laser for providing an opening in the mask layer.
  • the pulse energy is 0.5 ⁇ : LOOniJ
  • the pulse width is 1 ⁇ : LOO / zs
  • the pulse interval is 0.5ms or more
  • the frequency is 1000 ⁇ 6000Hz.
  • via holes may be formed by abrasion.
  • the desmear process may be performed by a physical process or the like.
  • a corrosion-resistant layer is formed on the solder pad in the area where the mask layer is not formed.
  • a corrosion-resistant layer is formed on the solder resist layer where the mask layer is not formed.
  • the corrosion-resistant layer refers to a layer in which one or more kinds of metals selected from gold, silver, platinum and noble metals are formed in one or more layers. Specific examples include nickel gold, nickel silver, nickel-platinum, gold (single layer), silver (single layer) nickel-palladium monogold, nickel-palladium silver, and the like.
  • These corrosion-resistant layers are formed by plating (electrolytic plating, electroless plating, substitution plating). Besides this, it may be formed by vapor deposition such as sputtering. These single layers or a plurality of layers of two or more layers may be used.
  • the corrosion resistant layer is applied to the solder pad corresponding to the non-formation portion of the mask layer.
  • the mask layer is peeled off with a chemical solution such as alkali to obtain a printed wiring board in which a corrosion-resistant layer-formed solder pad with a corrosion-resistant layer and a corrosion-resistant layer-free solder pad without a corrosion-resistant layer are mixed. Can do.
  • an OSP Organic Solder ability Preservative: preflux
  • OSP Organic Solder ability Preservative: preflux
  • solder such as Sn-Pb, Sn-Ag-Cu, etc. was placed on each pad by printing, so that a solder layer was formed in the shape of a solder pad having a conductor circuit (including land) force.
  • a printed wiring board is obtained.
  • MPU capacitors, resistors and other electronic components, LCDs, digital displays and other display systems, keypads and switches, and other external terminals such as USB and earphones A kind is implemented.
  • a solder pad without a corrosion-resistant layer is used as an electronic component mounting terminal, and a solder pad with a corrosion-resistant layer is used for an external terminal.
  • the circuit board as a basic unit constituting the multilayer circuit board is a starting material obtained by attaching copper foil 32 on one or both sides of an insulating base material 30. (Fig. 1 (A)).
  • the insulating base material is, for example, a glass cloth epoxy resin base material, a glass cloth bismaleimide triazine resin base material, a glass cloth polyphenylene ether resin base material, a aramid non-woven fabric epoxy resin base material.
  • Hard laminate substrates selected from aramid nonwovens—polyimide resin base materials can be used, but glass cloth epoxy resin base materials are most preferred.
  • the insulating base material preferably has a thickness of 20-600 ⁇ m.
  • the reason for this is that when the thickness is less than 20 ⁇ m, the strength decreases and the handling becomes difficult, the reliability with respect to the electrical insulation is lowered, and the formation of via holes may be difficult. Conversely, when the thickness exceeds 600 m, it becomes difficult to form fine via holes, and in some cases, to fill with conductive paste, and the substrate itself becomes thick.
  • the thickness of the copper foil is preferably 5 to 18 ⁇ m.
  • a direct laser method in which a copper foil and an insulating base material are simultaneously formed, and a conformal method in which a copper foil portion corresponding to the via hole of the copper foil is removed by etching. Yes, either one can be used.
  • the via hole forming opening is formed in the insulating base material by using a laser force as described later, and the via hole is deformed at the end face portion of the copper foil. Therefore, it is difficult to form a conductor circuit. Conversely, if the copper foil exceeds 18 m, it is difficult to form a conductor circuit pattern with a fine line width by etching.
  • the thickness of the copper foil 32 may be adjusted through half-etching (FIG. 1B). In this case, the copper foil 32 is thicker than the above numerical value (5 to 18 m). Half etching Later, the thickness of the copper foil is adjusted to 5 to 18 / ⁇ ⁇ . Furthermore, in the case of a double-sided copper-clad laminate, the thickness may be different on both sides as long as the copper foil thickness is within the above range. As a result, the strength can be ensured and the subsequent process can be prevented.
  • the conductor circuit When the conductor circuit is formed on one side by etching, it can be easily formed.
  • the insulating base and the copper foil are, in particular, obtained by laminating a pre-predder in which a glass cloth is impregnated with epoxy resin in a glass cloth and a copper foil, and heating and pressing. It is preferable to use a double-sided copper-clad laminate. The reason is that the position of the wiring pattern and via hole is not shifted during handling after the copper foil is etched, and the position accuracy is excellent.
  • This laser carriage is performed by a pulse oscillation type carbon dioxide laser carriage apparatus.
  • the additional conditions are as follows: pulse energy of 0.5 to: LOOmJ, pulse width of 1 to: LOO s, and pulse interval of 0.5 ms or more. It is desirable that the number of shots be in the range of 1-50.
  • the diameter of the via forming opening 34 that can be formed under such processing conditions is preferably 50 to 250 m.
  • a desmear treatment is performed to remove the resin residue remaining on the side and bottom surfaces of the opening formed in the step (2).
  • This desmear treatment is performed by wet treatment such as chemical treatment of acid or oxidant (for example, chromic acid, permanganic acid) or dry treatment such as oxygen plasma discharge treatment, corona discharge treatment, ultraviolet laser treatment or excimer laser treatment. Is called.
  • acid or oxidant for example, chromic acid, permanganic acid
  • dry treatment such as oxygen plasma discharge treatment, corona discharge treatment, ultraviolet laser treatment or excimer laser treatment. Is called.
  • These desmear treatment methods are selected according to the amount of smear that is expected to remain depending on the type, thickness, via hole opening diameter, laser conditions, and the like of the insulating base material.
  • the electrolytic copper plating process it is deposited on the upper part of the via hole opening of the substrate.
  • the raised electrolytic copper plating may be removed by belt sander polishing, puff polishing, etching, or the like for flattening.
  • the electroless plating film may be made of a metal such as copper, nickel or silver.
  • a resist layer 38 is formed on the electrolytic copper plating film 36 (FIG. 2A).
  • the resist layer can be applied either in the form of a coating or in the form of a film.
  • a mask on which a circuit is drawn in advance is placed on this resist, exposed and developed to form an etching resist layer, and the metal layer in the portion where no etching resist is formed is etched to include conductor circuits and lands.
  • Conductor circuit patterns 44 and 42 are formed (Fig. 2 (B)).
  • the etching solution is preferably at least one aqueous solution selected from aqueous solutions such as monohydrogen sulfate, persulfate, cupric chloride, and ferric chloride.
  • aqueous solutions such as monohydrogen sulfate, persulfate, cupric chloride, and ferric chloride.
  • the entire surface of the copper foil may be etched in advance to adjust the thickness.
  • the land as a part of the conductor circuit is preferably formed so that its inner diameter is substantially the same as the via hole diameter, and its outer diameter is in the range of 50 to 250 ⁇ m.
  • Single-sided circuit board 30 manufactured according to the steps (1) to (5) described above has a copper foil as a conductor layer on one surface of an insulating base material, and reaches the copper foil from the other surface. It has a via hole in the opening and a unit circuit board. By laminating a plurality of these layers, it is used as a circuit board for forming a multilayer circuit board. At the time of this lamination, all circuit boards may be laminated, and a multilayer circuit board may be formed by batch heating and pressure bonding. In addition, a multilayer circuit board may be formed by sequentially stacking at least one circuit board one by one to make a multilayer. All of these circuit boards may be laminated on a double-sided circuit board, or all of them may be laminated on a single-sided circuit board, or a mixed board of these may be laminated.
  • the copper foil of the uppermost single-sided circuit board of the circuit board integrated in (6) above The copper foil of the outermost single-sided circuit board can be etched to form a conductor circuit and a conductor circuit (both including via hole lands).
  • a photosensitive dry film resist is applied to the surface of the laminated and pressure-bonded copper foils, respectively, and then exposed and developed along a predetermined circuit pattern to form an etching resist.
  • the metal layer in the non-resist formation portion is etched to form a conductor circuit and a conductor circuit including a no hole land.
  • solder resist layer 90 is formed on the surface of the outermost circuit board (FIG. 4A).
  • the solder resist composition is applied to the entire outer surface of the circuit board, the coating film is dried, and then a photomask film on which the solder pad openings are drawn is placed on the coating film for exposure, By performing development processing, solder pad openings 90a exposing the conductive pad portions positioned immediately above the via holes of the conductor circuit are formed.
  • a solder resist layer formed in a dry film may be pasted and an opening may be formed by exposure and development or laser.
  • a mask layer 50 a is formed on a solder resist layer 90 on a substrate having solder pads opened by coating or pasting a fine film.
  • An exposure mask 50 on which a mask layer forming portion 52a is drawn is placed on the mask layer 50 ⁇ (FIG. 4B), and an unformed portion of the mask layer 50 is formed through exposure and development ( Figure 4 (C)).
  • Figure 4 (C) Figure 4 (C)
  • a corrosion-resistant layer such as nickel 54-gold 56 is formed on the solder pad 60 exposed from the non-formation portion of the mask layer 20 (FIGS. 5A and 5B).
  • the thickness of the nickel layer 54 is preferably 1 to 7 ⁇ m
  • the thickness of the gold layer 56 is preferably 0.01 to 0.
  • a corrosion-resistant layer such as -keckel palladium-gold, gold (single layer), silver (single layer) may be formed.
  • the mask layer 50 is peeled off.
  • a corrosion-resistant layer-formed solder pad 60A having a corrosion-resistant layer and a corrosion-resistant layer-unformed solder pad 60B having no corrosion-resistant layer are mixed is obtained (FIG. 5 (C)).
  • a portion where a corrosion-resistant layer is formed is mainly used for an external terminal, and the corrosion-resistant layer is formed.
  • the non-formed portion is mainly used as an electronic component mounting terminal.
  • a portion where a corrosion-resistant layer is formed is mainly used as a terminal for an IC chip mounted on a bare chip. It is mainly used for terminals for mounting electronic components or pads for external terminals where corrosion-resistant layers are not formed.
  • solder resist opening force obtained in the above step (8) Solder body is supplied to the solder pad portion exposed directly above the via hole, and the solder bump 96U is melted and solidified. 96D is formed (Fig. 6).
  • a conductive ball or a conductive pin is bonded to the pad portion using a conductive adhesive or a solder layer to form a multilayer circuit board.
  • components such as capacitors and resistors may be mounted on the formed solder layer.
  • external terminals such as a liquid crystal and a keypad are mounted.
  • solder transfer method As a method for supplying the solder body and the solder layer, a solder transfer method or a printing method can be used.
  • solder transfer method a solder foil is bonded to a pre-preder, and the solder foil is etched leaving only a portion corresponding to the opening, thereby forming a solder pattern to form a solder carrier film.
  • the film is laminated so that the solder pattern comes into contact with the pads after the film is coated on the solder resist opening of the substrate, and then transferred.
  • the printing method is a method in which a printing mask (metal mask) provided with an opening at a position corresponding to a pad is placed on a substrate, a solder paste is printed, and heat treatment is performed.
  • solder for forming such solder bumps SnZAg solder, SnZln solder, SnZZn solder, Sn / Bi solder, and the like can be used.
  • knock board if bare chip mounting is performed by flip chip, it is mounted on the same surface as the IC chip or on the opposite surface of the IC chip.
  • An external terminal arranged can be obtained.
  • the melting point of the solder connected to the IC chip is the melting point of the solder layer connected to the external terminal. It is desirable that the force be lower than the melting point as well. As a result, the connection terminal, It is easy to ensure the connectivity.
  • the package substrate if bare chip mounting is performed by wire bonding, the IC chip is mounted, and external terminals are arranged on the same surface as the IC chip or on the opposite surface of the IC chip. Is obtained.
  • the present invention can also be applied to a substrate manufactured by a subtra method, a semi-additive method, a fluidic method, or two or more manufacturing methods thereof.
  • the substrate is a via hole (non-through hole), but it may be a substrate in which interlayer connection is made through all or part of through holes (through holes) that penetrate all layers of the substrate.
  • a double-sided circuit board constituting a multilayer circuit board is manufactured.
  • This circuit board uses, as a starting material, a double-sided copper-clad laminate obtained by laminating epoxy resin in glass cloth and making a B-stage pre-preda 30 and copper foil 32 and heat-pressing them. ( Figure 1 (A)).
  • the insulating substrate had a thickness of 75 ⁇ m and the copper foil had a thickness of 12 m.
  • a copper foil thicker than 12 m may be used as the laminated board, and the thickness of the copper foil may be adjusted to 12 m by etching (Fig. 1 (B)).
  • a double-sided circuit board having a copper foil 32 is irradiated with a carbon dioxide laser to form via holes that penetrate the copper foil 32 and the insulating base material 30 and reach the copper foil 32 on the opposite surface.
  • An opening 34 was formed (Fig. 1 (C)). Furthermore, the inside of the opening was desmeared by chemical treatment with permanganic acid.
  • a high-peak short-pulse oscillation type carbon dioxide laser processing machine manufactured by Hitachi Via Co., Ltd. was used for forming the opening for forming the via hole, and the substrate thickness was 75 ⁇ m.
  • a glass cloth epoxy resin base material was directly irradiated with a laser beam on a copper foil to form an opening 34 for forming an 80 m ⁇ via hole at a speed of 100 holes Z seconds.
  • Additive A (Reaction accelerator) 10. 0 ml / 1
  • Additive A promotes the formation of an electrolytic copper plating film in the via hole, and conversely adheres mainly to the copper foil portion by additive B, thereby suppressing the formation of the plating film.
  • additive B is attached, so that formation of a plating film is suppressed as in the copper foil portion. Is done.
  • the electrolytic copper plating 36 was filled in the opening 34 to form a via hole 46 in which the via hole portion and the copper foil were flattened (FIG. 1 (D)).
  • the thickness of the conductor layer may be adjusted by a physical method of sander belt polishing and puff polishing.
  • a photosensitive dry film etching resist 38 was formed on the copper foil 32 and the copper plating 36 of the insulating base material subjected to the above step (3) (FIG. 2 (A)).
  • the resist 38 was formed with a thickness of 15 to 20 m, and a resist circuit non-formed portion was formed on the copper foil through a conductor circuit, a land of a no-hole, exposure and development. Etching is performed on the non-formed portion of the resist with an etching solution made of hydrogen peroxide and Z sulfuric acid to remove the copper plating film and the copper foil corresponding to the non-formed portion.
  • the circuit board 30 obtained through the steps (1) to (5) is regarded as one unit (FIG. 3 (A)), and an adhesive layer 48 such as a pre-preda is sandwiched between the boards 30. ⁇ 250 ° C, pressure 1.0 ⁇ 5. Okgf / cm 2 was heated and laminated to form multilayered wire board 10 (Fig. 3 (B))
  • a solder resist layer was formed on the surface of the circuit board located in the uppermost layer and the lowermost layer of the multilayer substrate 10.
  • a solder resist layer formed into a film was formed to a thickness of 20 to 30 ⁇ m on the substrate by applying a film-formed solder resist layer or coating with a varnish whose viscosity was adjusted in advance.
  • solder resist layer Before forming the solder resist layer on the surface of the circuit board located on the uppermost layer and the lowermost layer of the multilayer substrate, a roughened layer is provided as necessary.
  • a mask layer in the form of a dry film made of a photosensitive resin is formed on the solder resist layer.
  • a mask layer was formed to a thickness of 10 to 20 ⁇ m on the solder resist layer by applying a film-formed mask layer or coating with a varnish whose viscosity was adjusted in advance.
  • a soda-lime glass base slope 52 having a thickness of 5 mm on which a mask layer non-formation pattern (mask pattern) 52a was drawn was applied to the mask layer 50 a
  • the film was exposed to UV light of 800 mjZcm 2 (FIG. 4 (B)) and DMTG developed. Furthermore, heat treatment is performed at 120 ° C for 1 hour, and solder pads in areas where no corrosion-resistant layer is formed 6
  • a mask layer (thickness 15 m) 50 is also formed which has a mask layer forming portion covered with OB and a non-forming force of the mask layer in which the solder pad 60A in the region where the corrosion resistant layer is formed is exposed (FIG. 4 (C )).
  • a plan view of the multilayer printed wiring board 10 is shown in FIG.
  • the bb cross section in Fig. 8 (B) corresponds to Fig. 4 (C).
  • the substrate was immersed in an electroless gold plating solution composed of 1.5 gZl of cyanogen-platinum potassium and 80 gZl of citrate at a temperature of 80 ° C for 600 seconds to obtain a thickness of 0 on the nickel plating 54 layer.
  • a 05 ⁇ m gold-plated layer 56 was formed, and a corrosion-resistant metal layer composed of a nickel plating layer 54 and a gold-plated layer 56 was formed (FIG. 5 (B)).
  • FIG. 8 (C) A plan view of the multilayer printed wiring board 10 is shown in FIG. 8 (C).
  • the cc cross section in Fig. 8 (C) corresponds to Fig. 5 (B).
  • a corrosion-resistant layer made of nickel 54-gold 56 was formed on the solder pad 60A corresponding to the non-formed portion of the mask layer 50.
  • the mask layer 50 is peeled off with an alkaline solution or the like, and a corrosion-resistant layer-formed solder pad 60A having a corrosion-resistant layer and a corrosion-resistant layer are formed.
  • a printed wiring board 10 was obtained.
  • An OPS layer 58 was formed on the solder pad 60B with no corrosion-resistant layer (FIG. 5 (C)).
  • FIG. 8 (D) A plan view of the multilayer printed wiring board 10 is shown in FIG. 8 (D).
  • the d-d cross section in Fig. 8 (D) corresponds to Fig. 5 (C).
  • solder base made of SnZPb solder having a melting point T2 of about 183 ° C is applied to the solder pads 60A and 60B that also expose the opening force of the solder resist layer covering the uppermost multilayer circuit board.
  • Solder layers 96U and 96D were formed by printing and reflowing at 183 ° C (Fig. 6).
  • the solder layer 96U, 96D on the corrosion-resistant layer-unformed solder pad 60B without the corrosion-resistant layer is mainly mounted on the corrosion-resistant layer-formed solder pad 60A.
  • an external terminal 92A such as a keypad is mainly mounted (Fig. 7).
  • FIG. 9 is a plan view of a multilayer printed wiring board for a mobile phone manufactured by the manufacturing method of Example 1.
  • FIG. 9 is a plan view of a multilayer printed wiring board for a mobile phone manufactured by the manufacturing method of Example 1.
  • a solder pad 60B to which a component is attached via solder and an anticorrosion layer made of a nickel layer and a gold layer are formed in the opening 90a of the solder resist layer 90, and the land constituting the keypad terminal.
  • 60A is provided.
  • the land 60A includes a central portion 60Ac and an outer ring portion 60Ar.
  • a carbon column (conductive member) held by a flexible holding member is disposed on the land 60A, and when the key operation is performed, the carbon column is connected to the central portion 60Ac and the ring portion 60Ar. Configured to electrically connect! Speak.
  • Example 11 is the same as Example 1-1 except that the corrosion-resistant layer of Example 1 was formed and the OPS layer was not formed on the solder pad.
  • Example 1-1 is the same as Example 1-1 except that a corrosion-resistant layer consisting of nickel, palladium, and gold is formed on the solder pad on which the corrosion-resistant layer of Example 1-1 is formed.
  • Example 1-1 is the same as Example 1-1 except that a single layer of corrosion resistant layer such as a metal strength is formed on the solder pad on which the corrosion resistant layer of Example 1-1 is formed.
  • Example 1-1 In Comparative Example 1-1, all solder pads were formed with a corrosion-resistant layer (nickel-gold). Otherwise, the same as Example 1-1.
  • Example 1 group and Comparative Example 1 item A was evaluated with the manufactured printed wiring board, and the manufactured printed wiring board was housed in a casing, and evaluation was performed on items B and C below. It was. The evaluation results are shown in FIG.
  • Heat cycle conditions 130 ° CZ3min. 55 ° C / 3min. 1 cycle. This cycle test is conducted up to 5000 cycles, and after 500 cycles, the test is allowed to stand for 2 hours and then the continuity test. We compared the number of cycles until a circuit with a resistance change rate exceeding ⁇ 10% exceeded 50% of the measured circuit.
  • the multilayer printed wiring board of the present invention was applied to a multilayer printed wiring board for a mobile phone.
  • the printed wiring board of the present invention is applied to a package substrate on which an IC chip is mounted.
  • Example 2-1-1 The manufacturing process is the same as in Example 1-1, but Example 2-1-1 is used as the package substrate.
  • Fig. 11 (A) shows a perspective view of the package substrate 70 before mounting the IC chip
  • Fig. 11 (B) shows a cross section along the line B-B in Fig. 11 (A)
  • Fig. 11 (C) shows after the IC chip is mounted.
  • a perspective view of the package substrate 70 is shown
  • FIG. 11 (D) shows a DD cross section of FIG. 11 (C).
  • 12 (A1) shows a plan view of the package substrate 70 before mounting the IC chip
  • FIG. 12 (B1) shows a rear view
  • FIG. 12 (A2) shows a plan view of the package substrate 70 after mounting the IC chip.
  • FIG. 12 (B2) shows a back view.
  • a cavity 74 is provided on the surface of the package substrate 70, and a bonding pad 72 extends to the cavity 74.
  • FIG. 11 (B) the knock substrate 70 is formed by laminating the substrate 30 in which the via hole 46 is formed, and the bonding pad 72 on the front side has a corrosion resistant layer composed of a nickel layer 54 and a gold layer 56. Is formed.
  • An OPS layer 58 is provided on the pad 80 on the back side.
  • the IC chip 76 is accommodated in the cavity 74, and the IC chip 7 6 and the bonding pad 72 are connected by a wire (gold wire) 78.
  • a connection pin 82 is attached via a solder 83 to a bump (corrosion-resistant layer not formed) 80 which is an external terminal on the back side.
  • Example 2 Shorte as in 1-1, wire bonding pad (corrosion-resistant layer formation) 72 is arranged on the front surface, and connection pin nod 80 (corrosion-resistant layer non-formation) 80 is arranged on the back surface.
  • the OSP layer is not applied.
  • Example 2- Shame as in 1-1, wire bonding pad (corrosion-resistant layer formation) 72 is arranged on the front surface, and connection pin node 80 (corrosion-resistant layer non-formation) 80 is arranged on the back surface.
  • the bonding pad (corrosion-resistant layer) 72 is applied with either nickel or gold-palladium palladium.
  • Example 2-1-1 Same as Example 1, except that wire bonding pad (corrosion-resistant layer formation) 72 and electronic component mounting pad (corrosion-resistant layer non-formation) 86 are formed on the surface as shown in FIG. 13 (A1).
  • a connection pin node (non-corrosion resistant layer) 80 as an external terminal is disposed on the back surface, and an OSP layer is applied on the electronic component mounting pad 86 and the connection pin pad 80.
  • an electronic component (chip capacitor) 90 is mounted on the electronic component mounting pad 86 on the front surface, and a connection pin 82 is mounted on the pad 80 on the back surface.
  • Example 2 Showe as 1—1, but with wire bonding pad (corrosion-resistant layer) 72 and connection pin pad (corrosion-resistant layer not formed) 80 on the surface as shown in FIG. 14 (A1). Place the OSP layer on the pad 80 for connecting pins. Then, as shown in FIG. 14 (A1), an IC chip 76 is mounted on the surface, and a connection pin 82 is attached to the pad 80.
  • wire bonding pad corrosion-resistant layer
  • connection pin pad corrosion-resistant layer not formed
  • Example 2-11 Same as 1, except that a flip chip pad (corrosion-resistant layer formation) 88 is formed on the front surface as shown in FIG. 15 (A1), and on the back surface as shown in FIG. 15 (B1).
  • the BGA pad (corrosion-resistant layer is not formed) 80 which is an external terminal, is disposed on the BGA pad 80 and an OSP layer is applied. So Then, the IC chip 76 is mounted via the flip chip pad 88 on the front surface as shown in FIG. 15 (A2), and the BGA 84 is formed on the BGA pad 80 on the back surface as shown in FIG. 15 (B2). .
  • Example 2-4-1 Same as 1 but with flip chip pad (corrosion-resistant layer formation) 88 formed on the front surface and BGA pad (corrosion-resistant layer not formed) 80, which is an external terminal, on the back surface. There is no OSP layer on top.
  • Example 2 Showe as in 1-1, flip chip pad (corrosion-resistant layer formation) 88 is formed on the front surface, and BGA pad (corrosion-resistant layer non-formation) 80, which is an external terminal, is arranged on the back surface.
  • the force to apply the OSP layer to the flip-chip pad (corrosion-resistant layer formation) 88 is applied with nickel-gold or nickel-palladium-gold.
  • Example 2 Shorte as 1, except that the flip chip pad (corrosion-resistant layer formation) 88 and the electronic component mounting pad (corrosion-resistant layer non-formation) 86 are formed on the surface as shown in FIG. 15 (A1).
  • the BGA pad (corrosion-resistant layer not formed) 80 is disposed on the back surface, and the OSP layer is applied on the electronic component mounting pad 86 and the BGA pad (corrosion-resistant layer not formed) 80.
  • an electronic component (chip capacitor) 90 is mounted on the electronic component mounting pad 86 on the front surface, and BGA 84 is formed on the BGA pad 80 on the rear surface.
  • Example 2-1 Same as 1 except that a flip-chip pad (corrosion-resistant layer formation) 88 and a BGA pad (corrosion-resistant layer non-formation) 80 are arranged on the surface as shown in FIG. 17 (A1). Apply an OSP layer to the BGA pad (corrosion-resistant layer not formed) 80. Then, as shown in FIG. 17A1, an IC chip 76 is mounted on the surface, and a BGA 84 is formed on the BGA pad 80 on the surface.
  • a flip-chip pad (corrosion-resistant layer formation) 88 and a BGA pad (corrosion-resistant layer non-formation) 80 are arranged on the surface as shown in FIG. 17 (A1). Apply an OSP layer to the BGA pad (corrosion-resistant layer not formed) 80. Then, as shown in FIG. 17A1, an IC chip 76 is mounted on the surface, and a BGA 84 is formed on the BGA pad 80 on the surface.
  • Example 2-1 corrosion resistant layers (nickel-gold) were formed on all pads 80. Otherwise, it was the same as Example 2-1-1.
  • Example 2-2 a corrosion-resistant layer (nickel-gold) was formed on all pads 80. Other than that The same as Example 2-4-1.
  • Example 2 group and Comparative Example 2 the manufactured printed wiring board was evaluated for item 2-A, and the printed wiring board on which the IC chip was mounted was as follows. Evaluation was performed on the C item.
  • Heat cycle conditions 130 ° CZ3min. 55 ° C / 3min. 1 cycle. This cycle test is conducted up to 5000 cycles, and after 500 cycles, the test is allowed to stand for 2 hours and then the continuity test. The number of cycles where continuity was confirmed was confirmed by comparing the number of cycles.
  • the cross section near the external connection terminal where the resistance change rate exceeded 10% was cross-cut, and the pad was observed with a microscope (X200) to confirm the presence of cracks in the conductor circuit or solder layer. .
  • Heat cycle conditions 130 ° CZ3min. 55 ° C / 3min. 1 cycle. This cycle test is conducted up to 5000 cycles, and after 500 cycles, the test is allowed to stand for 2 hours and then the continuity test. The number of cycles in which the resistance change rate exceeded ⁇ 10% was checked for the presence or absence of 5 or more, and the number of cycles that existed was compared.
  • FIG. 1 is a process diagram showing a method for producing a multilayer printed wiring board according to Example 1 of the present invention.
  • FIG. 2 is a process drawing showing the method for producing the multilayer printed wiring board of Example 1.
  • FIG. 3 is a process diagram showing a method for producing the multilayer printed wiring board of Example 1.
  • FIG. 4 is a process diagram showing a method for producing the multilayer printed wiring board of Example 1.
  • FIG. 5 is a process diagram showing a method for producing the multilayer printed wiring board of Example 1.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of a multilayer printed wiring board according to Example 1.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the multilayer printed wiring board of FIG. 6 showing a state where components are mounted.
  • FIG. 8 is a plan view showing a method for manufacturing the multilayer printed wiring board according to the first embodiment.
  • 9] is a plan view of a printed wiring board applied to the mobile phone of the first embodiment.
  • FIG. 10 is a chart showing the evaluation results of Example 1 and Comparative Example 1.
  • FIG. 11 (A) is a perspective view of the package substrate according to Example 2-1-1 before mounting the IC chip
  • FIG. 11 (B) is a cross-sectional view along BB in FIG. 11 (A).
  • FIG. 11 (C) is a perspective view of the package substrate after the IC chip is mounted
  • FIG. 11 (D) is a sectional view taken along the line DD in FIG. 11 (C).
  • FIG. 12 (A1) is a plan view of the package substrate according to Example 2-1-1 before mounting the IC chip
  • FIG. 12 (B1) is a back view
  • FIG. FIG. 12B is a plan view of the package substrate after mounting the IC chip
  • FIG. 12B2 is a rear view.
  • FIG. 13 (A1) is a plan view of the package substrate according to Example 2-2-1 before mounting the IC chip
  • FIG. 13 (B1) is a back view
  • FIG. FIG. 13B is a plan view of the package substrate after mounting the IC chip
  • FIG. 13B2 is a rear view.
  • FIG. 14 (A1) is a plan view of the package substrate according to Example 2-3-1 before mounting the IC chip
  • FIG. 14 (B1) is a back view
  • FIG. 14 (A2) is FIG. 14B is a plan view of the package substrate after mounting the IC chip
  • FIG. 14B2 is a rear view.
  • FIG. 15 (A1) is a plan view of the package substrate according to Example 2-4-1 before mounting the IC chip
  • FIG. 15 (B1) is a back view
  • FIG. FIG. 15B is a plan view of the package substrate after mounting the IC chip
  • FIG. 15B2 is a rear view.
  • FIG. 16 (A1) is a plan view of the package substrate according to Example 2-5-1 before mounting the IC chip
  • FIG. 16 (B1) is a back view
  • FIG. FIG. 16B is a plan view of the package substrate after mounting the IC chip
  • FIG. 16B2 is a rear view.
  • FIG. 17 (A1) is a plan view of the package substrate according to Example 2-6-1 before mounting the IC chip
  • FIG. 17 (B1) is a back view
  • FIG. FIG. 17B is a plan view of the package substrate after mounting the IC chip
  • FIG. 17B2 is a rear view.
  • FIG. 18 is a chart showing the evaluation results of Example 2 and Comparative Example 2.

Abstract

  【課題】 信頼性を向上させて、電気的接続性や機能性を確保させ、特に、落下試験に対する信頼性をより向上させることができる多層プリント配線板を提供する。   【解決手段】 部品が実装される半田パッド60Bには、耐食層が形成されておらず柔軟性がある。このため、落下の際に衝撃を受けた際でも、衝撃を緩衝することができ、実装部品の脱落が起こり難くなる。他方、耐食層が形成されたランド60Aは、操作キーを構成する炭素柱が繰り返し接触しても接触不良を引き起こし難い。

Description

明 細 書
多層プリント配線板及び多層プリント配線板の製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、基板の表層に、電子部品、半導体素子などが実装された多層プリント配 線板及びその製造方法に関する。特に、携帯電話や携帯用電子機器あるいは、パッ ケージなどに好適に用いられる多層プリント配線板及びその製造方法に関する。 背景技術
[0002] 少なくとも片面に導体回路を有する絶縁性硬質基材に、レーザによりバイァホールを 開口し、その開口に金属ペーストもしくはめっきにより、導体層を施すことにより、 1単 位の回路基板が形成される。この回路基板を 2層以上用意し、これらの基板を逐次 積層あるいは一括積層で、熱圧着させることにより、多層回路基板 (多層プリント配線 板)を得ることができる。その際、一方の回路基板のバイァホールもしくはバイァホー ルのランドと他方の回路基板の導体回路もしくはランドとが接続されているので、 2層 の回路基板の電気的な接続が成される。また、電気的な接続が行われない他の領域 では、熱硬化性榭脂からなる接着剤層やプリプレダ等により回路基板同士を密着さ せている。これらの従来技術としては、特開平 10— 13028号公報等が挙げられる。
[0003] これらの基板もしくは一般的なプリント配線板の表層には、導体回路を保護するソル ダーレジスト層が形成されて、そのソルダーレジスト層の一部を開口した半田パッドが 形成された。その開口力 導体回路が露出され、その表層には金、ニッケル 金等 の耐食層が形成される。全ての半田パッドに耐食層が施されており、その耐食層が 施された導体回路上には、半田が形成され、電子部品などが実装される。
[0004] また、近年の携帯電話、デジタルカメラ等の携帯用電子機器は、高機能化、高密度 化の要求の高まりや、実装する部品の小型化などに伴って、実装される基板におい ても配線密度 (ライン Zスペース)を小さくしたり、半田パッドを小さくしたりなどにより、 部品の高密度化の要求に対応させていた。その形成された基板上には、電子部品( 半導体、コンデンサ、抵抗、インダクタ等の受動部品を指す)、あるいは液晶、デジタ ル表示器などの表示類、キーパッド、スィッチなどの操作系、 USB、ィヤーホーンな どの外部端子類のノッド等の半田パッドが混在し、これらの半田パッド上に半田を介 して、各部品が実装されている。また、別の半田パッド上では、スィッチなどの操作系 部品などがパッドに接触することにより、電子機器としての操作させることができる。
[0005] また、プリント配線板に ICチップをベアチップ実装するパッケージ基板においても、 高機能化、高密度化の要求の高まりや、実装する部品の小型化などに伴って、実装 される基板においても配線密度 (ライン Zスペース)を小さくしたり、半田パッドを小さ くしたりすることにより、部品の高密度化の要求に対応させていた。その基板のサイズ も、 ICチップに近い大きさである CSP (Chip Size Package)とすることも要望され ている。それにより、マザ一ボードに実装した際、ノ ッケージの実装領域を小さくし、 他の部品の実装領域を確保し、より高密度化した実装基板を得ることを可能としてい る。さらに、ノ ッケージ基板にコンデンサや抵抗などの電子部品を搭載することにより 、 ICチップの高周波に対応することができ、ノ ッケージ基板としての機能、性能を確 保させている。
さらに、 ICチップと電子部品とを混載したパッケージ基板にすることにより、高周波化 、高機能化し、その機能、性能を効率良く発揮させている。
特許文献 1 :特開平 10— 13028号
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0006] 実装密度を高められるのに伴い、信頼性を確保することも要望されている。その中で も、特に落下試験に対する信頼性の向上が望まれている。つまり、製品 (すべての部 品、液晶などを実装し、筐体に収めた状態を示す)やプリント配線板を一定の高さか ら落下させても、基板の機能や起動性が低下しないことや、部品などを脱落し難くす ることが求められている。
[0007] しかしながら、従来方法で製造された基板においては、信頼性試験における落下試 験に対して、基板の機能や起動性を維持させることが難しかった。特に、前述のよう に部品等の実装密度を高められた基板においては、落下試験に対して、基板の機 能や起動性を維持させることは困難であった。また、従来方法で製造された基板では 、部品の脱落する頻度を低下させることができな力つた。 [0008] 本願発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とすると ころは、信頼性を確保させて、電気的接続性や機能性を確保させることにある。特に 、落下試験に対する信頼性をより確保させることができる多層プリント配線板及びそ の製造方法を提供することにある。
課題を解決するための手段
[0009] 本発明の具体的な実施態様では、表層に導体回路が形成され、該導体回路を覆うソ ルダーレジスト層が施され、導体回路の一部を露出せる該ソルダーレジストの複数の 開口によって複数の半田パッドが形成され、該導体回路の表層に耐食層が形成され た多層プリント配線板にお!、て、
前記半田パッドには、耐食層が施された耐食層形成半田パッドと耐食層が施されて いない耐食層非形成半田パッドとが混在することを技術的特徴とする。
[0010] また、バイァホールにより層間接続が成され、該バイァホール内に導体層が充填され 少なくとも 2層以上積層され、表層にソルダーレジスト層が施され、導体回路の一部を 露出せる該ソルダーレジストの複数の開口によって複数の半田パッドが形成され、該 導体回路の表層に耐食層が形成された多層プリント配線板において、
前記半田パッドには、耐食層が施された耐食層形成半田パッドと耐食層が施されて いない耐食層非形成半田パッドとが混在することを技術的特徴とする。
[0011] プリント配線板の表層の露出した導体層部分において、耐食層が形成されている部 分と耐食層が形成されていない部分が混在させた多層プリント配線板は、従来の表 層に、露出した導体部分の全てに耐食層を形成された多層プリント配線板に比べる と、信頼性が確保しやすくなる。 ICチップなどの実装時やヒートサイクル条件下や高 温高湿した際に、温度の影響により基板の伸縮がされる。従来の表層に露出した導 体部分の全てに耐食層を形成された多層プリント配線板では、基板の表面が同一の 状態となるため、伸縮により、発生した応力が伝達されやすい。そのため応力が緩衝 され難い。し力しながら、部分的に耐食層が形成されていない半田パッドをする多層 プリント配線板においては、発生した応力が伝達され難くなる。これにより、応力が緩 衝されやすい。そのために、従来のプリント配線板と比べると、長期間に渡り、信頼性 を得やすくなる。 [0012] 特に落下試験を行った際、その電気接続性や信頼性などの評価を行うと、従来のプ リント配線板に比べると、応力が緩衝されるため、劣化の度合いが小さくなる。その結 果として、信頼性が得やすくなる。
[0013] また、本願発明により、熱などを起因とする応力を緩衝されることにより、多層プリント 配線板としての反りの発生をしにくくなり、基板表面の平坦性が確保される。そのため に、 ICチップをベアチップで実装するノ ッケージ基板における ICチップとの接続性 および外部基板との接続性を得やすい。さらに、表層に ICチップ以外にもコンデンサ などの電子部品を実装された混載のノ ッケージ基板にぉ 、ては、 ICチップと電子部 品との接続性が得やすい。
[0014] 耐食層を形成されて!ヽる部分は、耐食層が形成されて ヽな ヽ部分と比べると、基板 の剛性が確保される。剛性が確保されるので基板の反りなどをプリント配線板の不具 合抑えることができ、部品などを実装させても、半田パッドの導体部分と部品等の外 部端子とでの接触不良や未接続などを引き起こし難い。実装部品を剛性がある耐食 層上に配置しているので、安定する。また、キーパッドなどの操作系部品は、耐食層 が形成されたランド部分に接触するので、繰り返し接触しても接触不良を引き起こし 難い。
[0015] 逆に耐食層が形成されていない部分は、耐食層が形成されている部分と比べると、 柔軟性がある。柔軟性を有するので、伸縮により発生した応力が緩衝されるし、導体 回路、半田もしくは絶縁層のクラック等の不具合は、従来のプリント配線板に比べると 、信頼性が得やすい。また、外部力ゝらの衝撃を受けた際でも、耐食層が形成されてい ない部分においては、その衝撃に対して緩衝することができる。そのために、実装さ れた部品なども、その衝撃の影響を受けにくくなり、部品の脱落等の不具合が起こり 難くなる。
[0016] また、硬化ゃリフローなどのプリント配線板の製造時の加熱工程の際には、プリント板 には、熱による伸縮 (その一例として、温度が上昇すると、伸びて、高温から常温に戻 ると、縮む)に伴い、耐食層の非形成部分では、耐食層の形成部と比較すると、導体 回路や絶縁層でのクラック等の不具合を引き起こし難くなる。特に、半田層へのクラッ ク等の不具合を引き起こし難くなる。伸縮に伴って、発生した応力が緩衝されるか、 発生した応力が局所的な集中をされにくくなり、そのために、クラック等の不具合が引 き起こし難くなると推定される。それは、プリント板の大きさ(縦、横のサイズを意味す る)、厚み、層数、材質などで同様の傾向にあった。
[0017] 耐食層が形成されている部分の面積は、耐食層が形成されていない部分の面積に 比べると、大きくした方がより望ましい。耐食層が形成されている部分の面積を大きく した方が基板自体の剛性を高めやす!/、からである。
[0018] 耐食層とは、金、銀、白金などの貴金属から選ばれる 1種類以上の金属を 1層以上で 形成されたものや、貴金属とその他の金属との組み合わせで積層されたものを 1層以 上するものを指す。具体的には、ニッケル 金、ニッケル 銀、ニッケル 白金、金( 単層)、銀 (単層)、ニッケル パラジウム 金、ニッケル一パラジウム一銀等が挙げら れる。
[0019] また、半田パッド部力も露出されている導体回路は、平坦な回路、凹部を有する回路 、突起部を有する回路、表層の粗ィヒ層を有する回路等様々な形状の回路であっても よい。
[0020] 例えば、これらのプリント配線板は、携帯用電子機器の筐体に収まった場合に、 MP U、コンデンサ、抵抗などの半導体系部品、いわゆる起動系、駆動系の部品を数多く 実装させて、これ以外にも液晶、デジタル表示器などの表示類、キーパッド、スィッチ などの操作系、 USB、ィヤーホーンなどの外部力もなる外部端子類であるものが実 装されていて、これらが筐体に収まっていることにより、電子機器としての果たしてい る。これらの電子機器は携帯が主目的であり、その際、落下させることも想定する必 要がある。
[0021] これらの基板においては、バイァホールで層間接続を行うプリント配線板、サブトラク ティブ法で製造された基板、アディティブ法で製造された基板等の様々タイプのプリ ント配線板において、適用することが可能である。これ以外もコンフオマル工法を経て 製造された基板にも適用できる。
[0022] また、この場合における半田パッドとは、ソルダーレジスト層の開口から、露出されて いる導体回路だけでなぐ電気接続がされていないダミーの導体層、ァライメントマー ク、製品を認識させるために形成された導体層、スィッチ用の端子導体層も含まれる [0023] 耐食層が施された半田パッドは、主として外部用端子であることが望ましい。
これにより耐食層を形成されて 、る部分は、耐食層が形成されて 、な 、部分と比べる と、基板の剛性が高められる。剛性が高められるので基板の反りなどのプリント配線 板の不具合抑えることができ、外部端子を実装させても、半田パッドの導体部分と部 品等の外部端子とでの接触不良や未接続などを引き起こし難い。それに、該耐食層 が形成されているパッド上に、外部端子が配置されているので、設置自体が安定す る。また、外部端子であってキーパッドなどの可動接点部分を有する操作系部品で は、耐食層が形成されている半田パッドに接触を繰り返して、該パッド部分の剛性に より、その強度が高められている。また、繰り返し接触しても接触不良を引き起こし難 い。
[0024] 耐食層が施されていない半田パッドは、主として電子部品実装用端子であることが望 ましい。
耐食層が形成されていない半田パッド部分は、耐食層が形成されている部分と比べ ると、柔軟性がある。外部からの衝撃を受けた際、耐食層が形成されていない部分に おいては、柔軟性を有するので、その衝撃を緩衝することができる。耐食層が形成さ れていない半田パッドを、電子部品実装用端子に用いることにより、外部から衝撃を 受けた際、半田パッドから露出された導体回路と電子部品との間での脱落が引き起 こし難い。特に、それらを接合させるため半田層においても、衝撃が緩衝されるので、 半田層におけるクラック等を引き起こし難いので、脱落を引き起こし難い。
その結果として、部品の接続性が確保されるので、電気接続性や製品としての機能 性が低下せず、信頼性にぉ 、ても従来のプリント配線板よりも低下しな 、。
この場合における電子部品実装用端子に用いられる電子部品には、半導体等の能 動部品、コンデンサ、抵抗、インダクタ等の受動部品全般等が該当する。
[0025] 耐食層が施された半田パッドには、主としてベアチップで ICチップを接続する接続用 パッドであることが望ましい。特に、ワイヤーボンディング用パッド、 ICチップをフリップ チップ実装する接続用半田パッドであることが望ま U、。
[0026] これにより、 ICチップの接続領域に耐食層が施された ICチップとの接続パッドが形成 されていることから、基板の剛性が高められる。剛性が高められるので基板の反りなど をプリント配線板の不具合抑えることができ、部品などを実装させても、半田パッドの 導体部分と部品等の外部端子とでの接触不良や未接続などを引き起こし難い。
[0027] また、ワイヤーボンディングでは、パッド部分の耐ボンディング性や金属接合を加味 するためにも耐食層の形成が必要である。また、耐食層により、ボンディングパッドの 平坦性を保てるので、ボンディング時の不具合を引き起こしに《なる。さらに、ボンデ イングパッドの平坦性を保てるので、接続性や信頼性も得られる。
[0028] また、 ICチップのベアチップ実装をフリップチップで行うに辺り、耐食層を形成させる ことにより、パッド上に形成される ICチップ接続用の半田バンプもしくは金属バンプな どの形状、量が安定させられ、リフロー時の接続が安定する。接続性や信頼性も得ら れる。
[0029] 耐食層が施されていない半田パッドは、主として電子部品実装用端子であることが望 ましい。
[0030] 逆に耐食層が形成されていない部分は、耐食層が形成されている部分と比べると、 柔軟性がある。柔軟性を有するので、伸縮により発生した応力が緩衝されるし、導体 回路もしくは絶縁層のクラック等の不具合は、従来のプリント配線板に比べると、長期 間に渡り信頼性が確保される。また、外部力ゝらの衝撃を受けた際でも、耐食層が形成 されていない部分においては、その衝撃に対して緩衝することができる。そのために 、実装された部品なども、その衝撃の影響を受けにくくなり、部品の脱落等の不具合 が起こり難くなる。
[0031] また、ノ ッケージ基板においては、同一表層上に、 ICチップ接続用の半田パッドと電 子部品接続用の半田パッドが形成されている場合には、 ICチップ接続用の半田パッ ドには耐食層を形成されて、電子部品接続用の半田パッドには耐食層が形成されて いないことが望ましい。これにより、従来のパッケージ基板と比較し、基板の反りを抑 えられると、外部力 の衝撃に対する影響を緩衝させられる。そのために、パッケージ 基板の表層に実装されて ヽる ICチップや電子部品などとの接続が確保され、接続性 や信頼性を低下しにくくさせる。
[0032] また、パッケージ基板では、外部基板との接続用の外部端子 (例えば、 PGAであるピ ン端子、 BGAであるボール端子など)が配設されるが、該当の外部接続端子の半田 ノ^ド上には、耐食層を形成させない方が望ましい。それにより、外部端子の配設時 における熱応力などの応力が緩衝されて、接続用の半田などの導電性材料でのクラ ック等の不具合の発生を抑えられ、接続端子と基板との接続を得ることができる。また
、外部基板との接続性や信頼性も得られやすい。
[0033] 本願における外部端子は、実装される ICチップと同一面上で配置してもよいし、 ICチ ップの反対面上に配置してもよい。この場合には、同一面上に耐食層の形成される 領域と耐食層が形成されない領域が配置されるのでもよぐ耐食層の形成される領域 の面とその反対面に、耐食層が形成されない領域が配置されるのでもよい。さらに、 場合によっては、これらの混在での配置でもよい。
[0034] 而食層が施されて 、な 、半田パッド上に OSP (Organic Solderability Preservative: プリフラックス)層が設けられていることが望ましい。それにより、半田が実装されるま での導体回路および導体層の酸ィ匕等を防止される。そして、半田を実装した際に、 O SP層は除去され、電気接続性を阻害しない。 OSP層以外の被覆層を施してもよい。 OSP層の一例としては、イミダゾール化合物(例えば、アルキルべンズイミダゾール、 ベンゾイミダゾールなど)を主成分とするものを用いることができる。これ以外には、金 属イオン (例えば、銅イオン、銀イオン、ニッケルなど)、有機酸が含まれていてもよい 。常温〜加熱温度 (例えば、 80°C)の間にしたこの溶液中に、半田パッドが露出した プリント配線板を浸漬させることにより、半田パッドから露出した銅回路上に有機被膜 を施す。この有機被膜により、半田付け性を確保できる。これ以外にも導体上に有機 被膜を形成し、加熱時おいて、除去されるものであれば、適用することが可能である
[0035] 更に本願発明では、表層の導体回路が覆われるソルダーレジスト層を施され、導体 回路の一部を露出せる該ソルダーレジストの複数の開口によって複数の半田パッド が形成され、該導体回路の表層に耐食層が形成された多層プリント配線板の製造方 法において:
(a)導体回路を有するプリント配線の表層にソルダーレジストを形成する工程;
(b)ソルダーレジストを露光'現像あるいはレーザ開口により半田パッドを形成するェ 程;
(c)半田パッドが形成されたソルダーレジスト層上に、該半田パッドを覆うマスク層を 形成する工程;
(d)前記マスク層の非形成部に半田パッドに、耐食層を形成する工程;
(e)マスク層を剥離し、耐食層が施された半田パッドと耐食層が施されて 、な 、半田 ノッドとが混在した複数の半田パッドを得る工程;
(a)〜 (e)の工程を経る多層プリント配線板の製造方法を技術的特徴とする。
[0036] 上記製造方法により、プリント配線板の表層の露出した導体層部分において、耐食 層が形成されている部分と耐食層が形成されていない部分とを混在させた多層プリ ント配線板を製造できる。本願の製造方法で得られたプリント配線板によれば、従来 の表層に露出した導体部分の全てに耐食層を形成された多層プリント配線板に比べ ると、信頼性を得られやすい。
[0037] 特に落下試験を行った際、その電気接続性や信頼性などの評価を行うと、応力が緩 衝されるため、劣化の度合いを小さくできる。その結果として、信頼性が低下し難くな る。
[0038] (c)工程では、マスク層で覆う半田パッドは、主として電子部品搭載用もしくは外部端 子接続用パッドであることが望まし 、。
マスク層で覆うことで、耐食層が形成されていない耐食層非形成半田パッド部分を形 成できる。その耐食層非形成半田パッド部分は耐食層が形成されている部分と比べ ると柔軟性がある。外部力ゝらの衝撃を受けた際、耐食層が形成されていない部分に おいては、柔軟性を有するので、その衝撃を緩衝することができる。耐食層が形成さ れていない半田パッドを電子部品実装用端子に用いることにより、外部から衝撃を受 けた際、半田パッドから露出された導体回路と電子部品との間での脱落を引き起こし 難い。
特に、それらを接合させるため半田層においても、衝撃が緩衝されるので、半田層に おけるクラック等を引き起こし難いので、電子部品もしくは外部端子などの脱落を引き 起こし難い。
その結果として、部品や外部端子との接続性が確保されるので、電気接続性や製品 としての機能性が得られ、信頼性も得やすい。
[0039] マスク層は、露光 ·現像あるいはレーザ開口を経て、耐食層を設けない半田パッドを 覆うことができる。即ち、ソルダーレジスト層を施された基板の表層において、マスク 層の形成部とマスク層に非形成部とが形成され、マスク層の非形成部にめっき膜が 施される。
マスク層は、予め粘度を調整した榭脂を塗布するもしくはドライフィルム状にした貼り 付けること〖こより形成される。この後、耐食層を形成されない領域には、マスク層が形 成され、マスク層の下部にあたる半田パッド部には耐食層が形成されない。それ以外 の半田パッド領域には、露光 ·現像によりマスク層に開口を設ける、あるいはレーザに よりマスク層に開口を設ける。これによりソルダーレジスト層上にマスク層の非形成部 が形成され、その非形成領域では半田パッドに耐食層が形成される。
これにより、半田パッドに耐食層を形成する領域と耐食層を形成されない領域を形成 できる。
[0040] 前記 (e)工程後、前記耐食層が施されていない半田パッド上に OSP層を形成してもよ い。
[0041] 而食層が施されていない半田パッド上に OSP (Organic Solderability Preservative: プリフラックス)層を設けることが望ましい。それにより、半田が実装されるまでの導体 回路および導体層の酸化等を防止される。そして、半田を実装した際に OSP層は除 去され、電気接続性を阻害しない。
[0042] また、上記製造方法により、ノ ッケージ基板用の多層プリント配線板を製造できる。こ の場合には、その一例として、 ICチップのベアチップ実装用の半田パッドには耐食 層を形成され、コンデンサなどの電子部品用の半田パッドでは、耐食層が形成されて いない。それらを同一表層上で施してもよい。
それ故に、主として、電子部品用の半田パッドにマスク層を施す。それにより、該当の 半田パッドには、耐食層が形成されない。
[0043] 以下それぞれの(a)〜(e)工程を工程ごとに、詳細に説明をする。
(a)導体回路を有するプリント配線の表層にソルダーレジストを形成する工程と (b)ソ ルダーレジストを露光.現像あるいはレーザ開口により半田パッドを形成する工程とに ついて説明する。
片面あるいは両面に導体回路 (含むランド)と電気接続がされて 、な 、ダミーの導体 層、ァライメントマーク、製品を認識させるために形成された導体層が形成されたプリ ント配線板にソルダーレジスト層を形成する。必要に応じて、導体回路および導体層 上に、黒化処理や粗化層を形成してもよい。ここで、プリント配線板とは、バイァホー ルで層間接続を行うプリント配線板、サブトラクティブ法で製造された基板、アディテ イブ法で製造された基板等の様々タイプのプリント配線板を指す。
[0044] ソルダーレジストは、予め粘度を調整した榭脂を塗布するもしくはドライフィルム状に したフィルム貼り付け、もしくは熱圧着することにより形成される。ソルダーレジスト層が 形成されたときの厚みは 10〜50 mであり、ソルダーレジスト層が完全硬化された後 の厚みは、 5〜50 mとなる。ソルダーレジストとして、熱硬化性榭脂、熱可塑性榭脂 、光硬化性榭脂、熱硬化性榭脂の一部を (メタ)アクリルィ匕した榭脂、これらの榭脂の 複合体などを用いられ、その中でも、エポキシ榭脂、ポリイミド榭脂、フエノール榭脂、 ポリオレフイン榭脂、フエノキシ榭脂などを用いることが望ましい。形成されたソルダー レジスト層は、必要に応じて、 80〜100°C程度で乾燥させてもよい。これにより、ソル ダーレジスト層を半硬化 (Bステージ)状態にさせる。
[0045] この後、半田パッドが描画されたマスクをソルダーレジスト層に載置して紫外線等によ り露光を行い、その後、アルカリ等の薬液により現像により、ソルダーレジスト層に半 田パッドからなる開口を設ける。あるいはレーザによりソルダーレジスト層に半田パッド 力らなる開口を設ける。
[0046] このとき、開口を設けるためのレーザとしては、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、 YA Gレーザ等を用いることができる。半田パッドの開口を炭酸ガスで行った場合には、 パルスエネルギーが 0. 5〜: LOOniJ、パルス幅が 1〜: LOO /z s、ノ ルス間隔が 0. 5ms 以上、周波数 1000〜6000Hzの範囲内であることが望ましい。また、バイァホール の形成をアブレーシヨンによって行ってもよい。また、レーザで開口形成した後に、酸 あるいは酸化剤等の薬液処理、酸素、窒素などのプラズマ、コロナ処理等の物理処 理などにより、デスミア処理を行ってもよい。
[0047] この後、 100〜200°C、少なくとも 30分以上硬化を行い、ソルダーレジスト層を完全 に硬化させる。この場合における半田パッドとは、導体回路 (含む)だけでなぐ電気 接続がされていないダミーの導体層、ァライメントマーク、製品を認識させるために形 成された導体層も含まれる。
これにより、導体回路および導体層上に半田パッドが開口したソルダーレジストを有 するプリント配線板を得ることができる。
[0048] (c)半田パッドが形成されたソルダーレジスト層上に、該半田パッドを覆うマスク層を 形成する工程ついて説明する。
ソルダーレジスト層に半田パッドが形成されたプリント配線板にマスク層を形成する。 マスク層は、予め粘度を調整した榭脂を塗布するもしくはドライフィルム状にしたフィ ルム貼り付け、もしくは熱圧着することにより形成される。マスク層の厚みは、 5〜30 μ m程度である。マスクとして、熱硬化性榭脂、熱可塑性榭脂、光硬化性榭脂、熱硬 化性榭脂の一部を (メタ)アクリル化した榭脂、これらの榭脂の複合体などを用いられ 、その中でも、エポキシ榭脂、ポリイミド榭脂、フエノール榭脂、ポリオレフイン榭脂、フ エノキシ榭脂などを用いることが望ましい。形成されたマスク層は、必要に応じて、予 め 80〜: LOO°C程度で乾燥させてもよい。これにより、マスク層を半硬化 (Bステージ) 状態にさせてもよい。この Bステージ状にしたものをフィルムとして張り付けてもよい。 場合によっては、直描露光により実施してもよい。
[0049] この後、半田パッドの非形成領域が描画されたマスクをマスク層に載置して紫外線等 により露光を行い、その後、アルカリ等の薬液により現像により、マスク層に半田パッド に耐食層の非形成領域力もなる開口を設ける、あるいはレーザにより半田パッドに耐 食層の非形成領域からなる開口を設ける。これにより、ソルダーレジスト上には、マス ク層の非形成部とマスクの形成部とが形成される。
[0050] このとき、マスク層に開口を設けるためのレーザとしては、炭酸ガスレーザ、エキシマ レーザ、 YAGレーザ等を用いることができる。マスク層の開口に炭酸ガスで行った場 合には、パルスエネルギーが 0. 5〜: LOOniJ、パルス幅が 1〜: LOO /z s、パルス間隔が 0. 5ms以上、周波数 1000〜6000Hzの範囲内であることが望ましい。また、バイァ ホールの形成をアブレーシヨンによって行ってもよい。また、レーザで開口形成した後 に、酸あるいは酸化剤等の薬液処理、酸素、窒素などのプラズマ、コロナ処理等の物 理処理などにより、デスミア処理を行ってもよい。マスク層の非形成領域で、半田パッ ドに耐食層が形成される。
[0051] (d)前記マスク層の非形成部に半田パッドに、耐食層を形成する工程と (e)マスクレ ジスト層を剥離し、耐食層が施された半田パッドと耐食層が施されていない半田パッ ドとが混在した複数の半田パッドを得る工程とについて説明する。
ソルダーレジスト層のマスク層の非形成部に耐食層を形成する。この場合、耐食層と は、金、銀、白金や貴金属から選ばれる 1種類以上の金属を 1層以上で形成したもの を指す。具体的には、ニッケル 金、ニッケル 銀、ニッケル一白金、金(単層)、銀( 単層 )ニッケル -パラジウム一金、ニッケル一パラジウム 銀等が挙げられる。
これらの耐食層を、めっき (電解めつき、無電解めつき、置換めつき)により形成させる 。これ以外にもスパッタ等の蒸着によって形成してもよい。また、これらの単層、 2層以 上の複数層としてもよい。
[0052] これにより、マスク層の非形成部に該当する半田パッドには、耐食層が施される。
この後、マスク層をアルカリ等の薬液により、剥離し、耐食層が施された耐食層形成 半田パッドと耐食層が施されていない耐食層非形成半田パッドとが混在したプリント 配線板を得ることができる。
[0053] 場合によっては、印刷などにより、耐食層非形成半田パッドに、 OSP (Organic Solder ability Preservative:プリフラックス)層を施してもよい。それにより、半田が実装され るまで導体回路および導体層の酸ィ匕等を防止できる。半田を実装した際には、 OSP 層は除去され、電気接続性を阻害しない。
[0054] この後、 Sn— Pb、 Sn— Ag— Cu等の半田を印刷により、それぞれのパッドに配置す ることにより、導体回路 (含むランド)力 なる半田パッド状に半田層が形成されたプリ ント配線板が得られる。この基板に、 MPU、コンデンサ、抵抗などの電子部品、これ 以外にも液晶、デジタル表示器などの表示系、キーパッド、スィッチなどの操作系、 U SB、ィヤーホーンなどの外部用端子力 なる外部端子類が実装される。
[0055] より望ましいのは、耐食層が形成されていない半田パッドを電子部品実装用端子とし て用い、耐食層が形成されて 、る半田パッドを外部端子用に用いる。
[0056] この構成にすることにより、従来の表層に露出した導体部分の全てに耐食層を形成さ れた多層プリント配線板に比べて、信頼性が低下し難くなる。
特に落下試験を行った際、その電気接続性や信頼性などの評価を行うと、従来のプ リント配線板に比べて、劣化の度合いを小さくすることができ、結果として長期間に渡 る信頼性を確保されやすくなるために、信頼性が低下しに《なる。
[0057] 以下、本発明にかかる多層化回路基板を製造する方法の一例について、添付図面 を参照にして具体的に説明する。
(1)本発明にかかる多層化回路基板を製造するに当たって、それを構成する基本単 位としての回路基板は、絶縁性基材 30の片面もしくは両面に銅箔 32が貼付けられ たものを出発材料として用いる(図 1 (A) )。
[0058] この絶縁性基材は、たとえば、ガラス布エポキシ榭脂基材、ガラス布ビスマレイミドトリ アジン榭脂基材、ガラス布ポリフエ-レンエーテル榭脂基材、ァラミド不織布 ェポキ シ榭脂基材、ァラミド不織布—ポリイミド榭脂基材カゝら選ばれる硬質な積層基材が使 用され得るが、ガラス布エポキシ榭脂基材が最も好ま ヽ。
[0059] 上記絶縁性基材の厚さは、 20-600 μ mが望ましい。その理由は、 20 μ m未満の 厚さでは、強度が低下して取扱が難しくなるとともに、電気的絶縁性に対する信頼性 が低くなり、バイァホールの形成も困難にしてしまうことがある。逆に 600 mを超える 厚さでは微細なバイァホールの形成、場合によっては導電性ペーストの充填が難しく なるとともに、基板そのものが厚くなるためである。
[0060] また銅箔の厚さは、 5〜18 μ mが望ましい。回路基板にレーザでバイァホールを形 成させるには、銅箔と絶縁基材とを同時に行うダイレクトレーザ法と、銅箔のバイァホ ールに該当する銅箔部分をエッチングにより除去するコンフォーマル法とがあり、そ のどちらを用いてもよい。
[0061] 銅箔が 5 μ m未満では、後述するようなレーザ力卩ェを用いて、絶縁性基材にバイァホ ール形成用の開口を形成すると、バイァホールの銅箔の端面部分での変形してしま うことがあり、導体回路を形成し難い。逆に銅箔が 18 m超では、エッチングにより、 微細な線幅の導体回路パターンを形成し難 、。
[0062] 銅箔 32は、ハーフエッチングを経て、厚みを調整してもよい(図 1 (B) )。この場合に は、銅箔 32は、上記の数値(5〜18 m)よりも厚いものを用いる。ハーフエッチング 後に銅箔の厚みを 5〜18 /ζ πιに調整する。さらに、両面銅張積層版の場合では、銅 箔厚みが上記の範囲内であるなら、両面で厚みが異なっていてもよい。それにより、 強度を確保したりして後工程を阻害しな 、ようにできる。
エッチングで導体回路を形成するのが片面である場合には、形成し易くできる。
[0063] 上記絶縁性基材および銅箔としては、特に、エポキシ榭脂をガラスクロスに含潰させ て Βステージとしたプリプレダと、銅箔とを積層して加熱プレスすることにより得られる 片面もしくは両面銅張積層板を用いることが好ましい。その理由は、銅箔がエツチン グされた後の取扱中に、配線パターンやバイァホールの位置がずれることがなぐ位 置精度に優れるからである。
[0064] (2)次に、絶縁性基材 30の銅箔 32が貼付けられた表面に炭酸ガスレーザ照射を行 つて、絶縁性基材 30の表面力も裏面の銅箔 (あるいは導体回路パターン) 32に達す る開口 34を形成する(図 1 (C) )。
このレーザカ卩ェは、パルス発振型炭酸ガスレーザカ卩ェ装置によって行われ、その加 ェ条件は、パルスエネルギーが 0. 5〜: LOOmJ、パルス幅が 1〜: LOO s、パルス間隔 が 0. 5ms以上、ショット数が 1〜50の範囲内であることが望ましい。
[0065] このような加工条件のもとで形成され得るビア形成用開口 34の口径は、 50〜250 mであることが望ましい。
[0066] (3)前記(2)の工程で形成された開口の側面および底面に残留する榭脂残滓を除 去するために、デスミア処理を行う。
このデスミア処理は、酸あるい酸化剤(例えば、クロム酸、過マンガン酸)の薬液処理 等の湿式処理や酸素プラズマ放電処理、コロナ放電処理、紫外線レーザ処理または エキシマレーザ処理等の乾式処理によって行われる。これらのデスミア処理方法は、 絶縁基材の種類、厚み、バイァホールの開口径、レーザ条件などにより、残留が予想 されるスミア量により選ばれる。
[0067] (4) 次に、デスミア処理した基板の銅箔面に対して、銅箔 32をめつきリードとする電 解銅めつき処理を施して、開口内に電解銅めつき 36を充填して、フィールド状となつ たバイァホール 46を形成する(図 1 (D) )。
[0068] なお、場合によっては電解銅めつき処理の後、基板のバイァホール開口の上部に盛 り上がった電解銅めつきを、ベルトサンダー研磨、パフ研磨、エッチング等によって除 去して平坦ィ匕してもよい。
また、無電解めつきを経て、電解めつきを形成してもよい。この場合には、無電解めつ き膜は、銅、ニッケル、銀等の金属を用いてもよい。
[0069] (5)電解銅めつき膜 36上に、レジスト層 38を形成する(図 2 (A) )。レジスト層は、塗 布でも予めフィルム状にしたものを貼り付ける 、ずれの方法でもよ 、。このレジスト上 に予め回路が描画されたマスクを載置して、露光、現像処理してエッチングレジスト 層を形成し、エッチングレジスト非形成部分の金属層をエッチングして、導体回路お よびランドを含んだ導体回路パターン 44、 42を形成する(図 2 (B) )。
[0070] このエッチング液としては、硫酸一過酸化水素、過硫酸塩、塩化第二銅、塩化第二 鉄などの水溶液力 選ばれる少なくとも 1種の水溶液が望ま 、。上記銅箔をエッチ ングして導体回路を形成する前処理として、ファインパターンを形成し易くするため、 予め銅箔の表面全面をエッチングして厚さを調整してもよ 、。導体回路の一部として のランドは、その内径がバイァホール口径とほぼ同様である力 その外径は、 50〜2 50 μ mの範囲に形成されることが好ましい。
[0071] 上記(1)〜(5)の工程に従って作製された片面回路基板 30は、絶縁性基材の一方 の表面に導体層としての銅箔を有し、他方の表面から銅箔に達する開口に充填バイ ァホールを有するとともに、 1単位の回路基板である。これらを複数層積層させること により、多層回路基板を形成する回路基板として用いられる。この積層の際、全ての 回路基板を積層し、一括で加熱圧着して多層回路基板を形成してもよい。また、少な くとも 1つの回路基板を逐一積層して、多層化にする逐次積層により多層回路基板を 形成してもよい。これらの回路基板をすベて両面回路基板で積層してもよいし、全て を片面回路基板で積層してもよいし、これらの混合基板を積層してもよい。
[0072] (6) 回路基板を複数枚、積層し(図 3 (A) )、加熱温度 150〜250°C、圧力 1〜: LOM Paの条件のもとで、加熱プレスすることによって、一体化して多層化する(図 3 (B) )。 この加熱プレスは、より好ましくは、減圧下において行なう。これにより、基板の密着性 をより確保される。
[0073] さらに、上記 (6)において一体化された回路基板の最上層の片面回路基板の銅箔と 、最も外側の片面回路基板の銅箔を、エッチング処理することによって、導体回路お よび導体回路(共にバイァホールランドを含む)を形成することもできる。このエツチン グ処理工程においては、積層し圧着された銅箔の表面に、それぞれ感光性ドライフィ ルムレジストを貼付した後、所定の回路パターンに沿って露光、現像処理してエッチ ングレジストを形成し、エッチングレジスト非形成部分の金属層をエッチングして、ノ ィァホールランドを含んだ導体回路および導体回路を形成する。
[0074] (7) 次に、最も外側の回路基板の表面にソルダーレジスト層 90をそれぞれ形成す る(図 4 (A) )。この場合、回路基板の外表面全体にソルダーレジスト組成物を塗布し 、その塗膜を乾燥した後、この塗膜に、半田パッドの開口部を描画したフォトマスクフ イルムを載置して露光、現像処理することにより、導体回路のバイァホール直上に位 置する導電性パッド部分を露出させた半田パッド開口 90aをそれぞれ形成する。この 場合、ソルダーレジスト層をドライフィルム化したものを貼り付けて、露光'現像もしくは レーザにより開口を形成させてもよい。
[0075] (8)ソルダーレジスト層 90上に半田パッドが開口された基板上に、塗布もしくはフィノレ ムの貼り付けによりマスク層 50 aを形成する。マスク層の形成部 52aが描画された露 光用マスク 50をマスク層 50 α上に載置し(図 4 (B) )、露光 ·現像を経て、マスク層 50 の非形成部を形成させる(図 4 (C) )。これにより、ソルダーレジスト層 60上に形成され た半田パッド 60Βがマスク層 50で覆われた基板となる。
[0076] マスク層 20の非形成部から露出した半田パッド 60Α上に、ニッケル 54—金 56などの 耐食層を形成する(図 5 (A)、図 5 (B) )。このとき、ニッケル層 54の厚みは、 1〜7 μ mが望ましぐ金層 56の厚みは 0. 01-0. が望ましい。これ以外にも、 -ッケ ルーパラジウム—金、金 (単層)、銀 (単層)等の耐食層を形成してもよい。
[0077] 耐食層を形成した後に、マスク層 50を剥離する。これにより、耐食層を形成された耐 食層形成半田パッド 60Aと耐食層が形成されていない耐食層非形成半田パッド 60B とが混在するプリント配線板となる(図 5 (C) )。
[0078] 携帯用電子機器用の基板であれば、その一例として、ソルダーレジスト層から露出し た半田パッドにおいて、耐食層の形成された部分には、主として外部用端子に用い られ、耐食層が非形成部分には、主として電子部品実装用端子に用いられる。 [0079] パッケージ基板であれば、その一例として、ソルダーレジスト層から露出した半田パッ ドにおいて、耐食層の形成された部分には、主としてベアチップ実装された ICチップ 用の端子に用いられであると耐食層が非形成部分には、主として電子部品実装用端 子あるいは外部端子用のパッドに用いられる。
[0080] (9) 上記(8)の工程で得られたソルダーレジストの開口力 バイァホール直上に露 出した半田パッド部分に、半田体を供給し、この半田体の溶融 ·固化によって半田バ ンプ 96U、 96Dを形成する(図 6)。あるいは導電性ボールまたは導電性ピンを導電 性接着剤もしくは半田層を用いてパッド部に接合して、多層回路基板が形成される。 それ以外にも形成された半田層に、コンデンサ、抵抗などの部品を実装させてもよい 。他にも、液晶、キーパッド等の外部端子などを実装させる。
[0081] 上記半田体および半田層の供給方法としては、半田転写法や印刷法を用いることが できる。
ここで、半田転写法は、プリプレダに半田箔を貼合し、この半田箔を開口部分に相当 する箇所のみを残してエッチングすることにより、半田パターンを形成して半田キヤリ ァフィルムとし、この半田キャリアフィルムを、基板のソルダーレジスト開口部分にフラ ックスを塗布した後、半田パターンがパッドに接触するように積層し、これを加熱して 転写する方法である。
[0082] 一方、印刷法は、パッドに相当する箇所に開口を設けた印刷マスク (メタルマスク) を基板に載置し、半田ペーストを印刷して加熱処理する方法である。このような半田 バンプを形成する半田としては、 SnZAg半田、 SnZln半田、 SnZZn半田、 Sn/B i半田などが使用できる。
これにより、携帯用電子機器用のプリント配線板を得られる。
[0083] また、ノ ッケージ基板としては、ベアチップ実装をフリップチップで行われるのであれ ば、 ICチップ実装されていて、 ICチップと同一面上もしくは、 ICチップの反対面上に
、外部端子を配置されたものが得られる。
[0084] その一例として、ノ ッケージ基板に用いられ、半田により ICチップと電子部品および 外部端子を設ける場合には、 ICチップと接続される半田の融点は、外部端子と接続 される半田層の融点よりも同様力低いことが望ましい。これにより、接続端子と基板と の接続性が確保され易くなる。
[0085] また、パッケージ基板としては、ベアチップ実装をワイヤーボンディングで行われるの であれば、 ICチップ実装されていて、 ICチップと同一面上もしくは、 ICチップの反対 面上に、外部端子を配置されたものが得られる。
[0086] ここで、上記説明をした製造方法以外にも、サブトラ法、セミアディティブ法、フルァ ディティブ法もしくはこれらの 2つ以上の製法により製造された基板にも適用できる。 また、図面においてはバイァホール (非貫通孔)の基板であつたが、基板の全層を貫 通するスルーホール (貫通孔)での層間接続を全部もしくは一部で行った基板でもよ い。
発明を実施するための最良の形態
[0087] <第一実施形態 >
(実施例 1 1)
(1) まず、多層化回路基板を構成する両面回路基板を製作する。この回路基板は 、エポキシ榭脂をガラスクロスに含潰させて Bステージとしたプリプレダ 30と、銅箔 32 とを積層して加熱プレスすることにより得られる両面銅張積層板を出発材料として用 いる(図 1 (A) )。
[0088] この絶縁性基材の厚さは 75 μ m、銅箔の厚さは 12 mであった。この積層板の銅箔 として 12 mよりも厚いものを用い、エッチング処理により銅箔の厚み 12 mに調整 してもよい(図 1 (B) )。
[0089] (2) 銅箔 32を有する両面回路基板に、炭酸ガスレーザ照射を行って、銅箔 32およ び絶縁性基材 30を貫通して、反対面の銅箔 32に至るビアホール形成用開口 34を 形成した(図 1 (C) )。さらにその開口内を過マンガン酸の薬液処理によってデスミア 処理した。
[0090] この実施例にぉ 、ては、ビアホール形成用の開口の形成には、 日立ビア社製の高ピ ーク短パルス発振型炭酸ガスレーザ加工機を使用し、基材厚 75 μ mのガラス布ェポ キシ榭脂基材に、銅箔にダイレクトにレーザビーム照射して 100穴 Z秒のスピードで 、 80 m φのビアホール形成用の開口 34を形成した。
[0091] (3) デスミア処理を終えた絶縁性基材のビアホールを開口した銅箔面に、以下のよ うな条件で、銅箔をめつきリードとする電解銅めつき処理を施した。
〔電解めつき液〕
硫酸 2. 24 mol/1
硫酸銅 0. 26 mol/1
添加剤 A (反応促進剤) 10. 0 ml/1
添加剤 B (反応抑制剤) 10. 0 ml/1
〔電解めつき条件〕
電流密度 1 AZdm2
時間 65 分
温度 22 ± 2 °C
[0092] 添加剤 Aによりバイァホール内の電解銅めつき膜の形成が促進され、逆に添加剤 B により主として銅箔部分に付着されて、めっき膜の形成を抑制される。また、ノィァホ ール内が電解銅めつきで充填されて、銅箔とほぼ同一の高さになると、添加剤 Bが付 着されるので、銅箔部分と同様にめつき膜の形成が抑制される。これにより、開口 34 内に電解銅めつき 36を充填して、ビアホール部分と銅箔が平坦ィ匕されたビアホール 46を形成した(図 1 (D) )。
なお、銅箔、電解めつき膜からなる導体層をエッチングによって、厚みを調整してもよ V、。場合によってはサンダーベルト研磨およびパフ研磨の物理的方法によって導体 層の厚みを調整してもよい。
[0093] (4) 上記(3)工程を経た絶縁基材の銅箔 32および銅めつき 36上に、感光性ドライ フィルムエッチングレジスト 38を形成した(図 2 (A) )。レジスト 38の厚みは 15〜20 mで形成され、導体回路、ノィァホールのランド、露光 ·現像を経て、銅箔上にレジス トの非形成部を形成した。レジストの非形成部に、過酸化水素水 Z硫酸からなるエツ チング液により、エッチングを行い、非形成部に該当する銅めつき膜および銅箔が除 去される。
[0094] (5)その後、レジスト 38をアルカリ液により剥離して、導体回路 42、 44およびバイァホ ール 46が形成される。(図 2 (B) )。これにより、表裏を接続するバイァホール 46があ り、そのバイァホールと導体回路を成す銅箔部分とが平坦化された回路基板が得ら れる。この後、黒化処理を施し、導体回路 42、 44上に黒ィ匕層 44Bを設けてもよい(図 2 (C) )。
[0095] ( 1)〜(5)工程を経て得られた回路基板 30を 1単位として(図 3 (A) )、この基板 30間 にプリプレダなどの接着材層 48を挟み、プレス条件 温度 80〜250°C、圧力 1. 0〜 5. Okgf /cm2により加熱プレスを行 、積層して多層化線板 10を形成した(図 3 (B) )
[0096] ( 10) 多層化基板 10の最上層および最下層に位置する回路基板の表面に、ソルダ 一レジスト層を形成した。フィルム化されたソルダーレジスト層を貼り付ける、もしくは 予め粘度を調整されたワニスにより塗布することにより基板上に、ソルダーレジスト層 を 20〜30 μ mの厚さで形成した。
[0097] 次いで、 70°Cで 20分間、 100°Cで 30分間の乾燥処理を行った後、クロム層によって ソルダーレジスト開口部の円パターン(マスクパターン)が描画された厚さ 5mmのソー ダライムガラス基坂を、クロム層が形成された側をソルダーレジスト層に密着させて 10 OOmiZcm2の紫外線で露光し、 DMTG現像処理した。さらに、 120°Cで 1時間、 150 °Cで 3時間の条件で加熱処理し、パッド部分に対応した開口 90aを有する(開口径 2 00 μ m)ソルダーレジスト層(厚み 20 μ m) 90を形成した(図 4 (A) )。この多層プリン ト配線板 10の平面図を図 8 (A)に示す。図 8 (A)中の a— a断面が図 4 (A)に対応す る。
[0098] 多層化基板の最上層および最下層に位置する回路基板の表面に、ソルダーレジスト 層を形成する前に、必要に応じて、粗化層を設ける。
[0099] (11)ソルダーレジスト層上に感光性榭脂からなるドライフィルム状となったマスク層を 形成する。フィルム化されたマスク層を貼り付ける、もしくは予め粘度を調整されたヮ ニスにより塗布することによりソルダーレジスト層上に、マスク層を 10〜20 μ mの厚さ で形成した。
[0100] 次いで、 80°Cで 30分間の乾燥処理を行った後、マスク層の非形成パターン(マスク パターン) 52aが描画された厚さ 5mmのソーダライムガラス基坂 52を、マスク層 50 a に密着させて 800mjZcm2の紫外線で露光し(図 4 (B) )、 DMTG現像処理した。さら に、 120°Cで 1時間の条件で加熱処理し、耐食層が形成されない領域の半田パッド 6 OBが覆われたマスク層形成部と、耐食層が形勢される領域の半田パッド 60Aが露出 されたマスク層の非形成部力もなるマスク層(厚み 15 m) 50を形成した(図 4 (C) )。 この多層プリント配線板 10の平面図を図 8 (B)に示す。図 8 (B)中の b—b断面が図 4 (C)に対応する。
[0101] (12) 次に、ソルダーレジスト層を形成した基板を、硫酸ニッケル 6. OgZl、次亜リ ン酸ナトリウム 25gZlからなる ρΗ= 5の無電解ニッケルめっき液に 40分間浸漬して 、開口部 90a (半田パッド 60A)に厚さ 4 mのニッケルめっき層 54を形成した(図 5 ( A) )。
[0102] さらに、その基板を、シアンィ匕金カリウム 1. 5gZl、クェン酸 80gZlからなる無電解 金めつき液に 80°Cの条件で 600秒間浸漬して、ニッケルめっき 54層上に厚さ 0. 05 μ mの金めつき層 56を形成し、ニッケルめっき層 54と金めつき層 56とからなる耐食 金属層を形成した(図 5 (B) )。この多層プリント配線板 10の平面図を図 8 (C)に示す 。図 8 (C)中の c c断面が図 5 (B)に対応する。
これにより、マスク層 50の非形成部に該当する半田パッド 60Aには、ニッケル 54— 金 56からなる耐食層が形成された。その後、マスク層 50をアルカリ溶液などにより剥 離し、耐食層が形成された耐食層形成半田パッド 60Aと耐食層が形成されて ヽな ヽ 耐食層非形成半田パッド 60Bとが混在して ヽる多層プリント配線板 10を得らた。耐食 層非形成半田パッド 60Bには、 OPS層 58を形成した(図 5 (C) )。この多層プリント配 線板 10の平面図を図 8 (D)に示す。図 8 (D)中の d— d断面が図 5 (C)に対応する。
[0103] (13) そして、最上層の多層回路基板を覆うソルダーレジスト層の開口力も露出する 半田パッド 60A、 60Bに対して、融点 T2が約 183°Cの SnZPb半田からなる半田べ 一ストを印刷して 183°Cでリフローすることにより、半田層 96U、 96Dを形成した(図 6
) o
耐食層が形成されていない耐食層非形成半田パッド 60B上の半田層 96U、 96Dに は、主として、コンデンサ、抵抗等の電子部品 82Bカゝらなる実装され、耐食層形成半 田パッド 60A上の半田層 96U、 96Dが形成されている領域には、主として、キーパッ ド等の外部端子 92Aが実装された(図 7)。
[0104] 図 9は、実施例 1の製造方法により製造した携帯電話用の多層プリント配線板の平面 図である。
該多層プリント配線板においては、ソルダーレジスト層 90の開口 90aに、半田を介し て部品が取り付けられる半田パッド 60Bと、ニッケル層—金層からなる耐食層が形成 されキーパッドの端子を構成するランド 60Aとが設けられている。ランド 60Aは、中心 部 60Acと外周のリング部 60Arとから成る。該ランド 60Aの上部には、可撓性を有す る保持部材により保持された炭素柱 (導電部材)が配置され、キー操作がなされた際 に、炭素柱が中心部 60Acとリング部 60Arとを電気接続するように構成されて!ヽる。
[0105] (実施例 1 2)
実施例 1 1の耐食層が形成されて 、な 、半田パッドに OPS層を形成しなかった以 外は、実施例 1—1と同じにする。
[0106] (実施例 1 3)
実施例 1—1の耐食層が形成される半田パッドに、ニッケル一パラジウム一金力 なる 耐食層を形成した以外は、実施例 1— 1と同じにする。
[0107] (実施例 1 4)
実施例 1— 1の耐食層が形成される半田パッドに、単層の金力ゝらなる耐食層を形成し た以外は、実施例 1—1と同じにする。
[0108] (比較例 1 1)
比較例 1—1では、全ての半田パッドに耐食層(ニッケル—金)で形成した。それ以外 は、実施例 1—1と同じにした。
[0109] 実施例 1群と比較例 1において、製造されたプリント配線板で A項目を評価し、該製 造されたプリント配線板を筐体に収めて以下に B、 C項目で評価を行った。この評価 結果を図 10中に示す。
[0110] 1 A.信頼性試験
ヒートサイクル条件下(130°CZ3min. 55°C/3min. 1サイクルとした。)このサ イタル試験を 5000サイクルまで行い、 500サイクル毎に、試験終了後、 2時間放置さ せた後に、導通試験を行い、抵抗変化率が ± 10%を越えた回路が、測定した回路 の 50%を越えるまでのサイクル数を比較した。
[0111] 1 -B.起動試験 電源を取り付けた筐体にぉ 、て、電源を入れて力も起動する力否かを判定した。 電源を入れてから 2秒以内に起動ができた :〇
電源を入れてから 10秒以内に起動ができた:△
起動できなかった : X
[0112] 1 -C.落下試験
lmの高さに固定した台から、液晶部分を下向きにして、自然落下させた。これを 1回
、 3回、 5回と行い、それぞれの Bの起動試験を行った。
[0113] 上記試験結果から、耐食層を設けるパッドと耐食層を設けないパッドとを用いることで 信頼性が得られる。また、落下させた際の起動性が低下し難くなることも分力つた。
[0114] <第 2実施形態 >
図 1〜図 10を参照して上述した第 1実施形態では、本発明の多層プリント配線板を 携帯電話用の多層プリント配線板に適用した例を挙げた。これに対して、第 2実施形 態では、本発明のプリント配線板を ICチップを搭載するパッケージ基板に適用して ヽ る。
[0115] (実施例 2— 1 1)
製造工程は、実施例 1—1と同じであるが、実施例 2— 1—1はパッケージ基板として 用いられる。図 11 (A)に ICチップ搭載前のパッケージ基板 70の斜視図を示し、図 1 1 (B)に図 11 (A)の B— B断面を示し、図 11 (C)に ICチップ搭載後のパッケージ基 板 70の斜視図を示し、図 11 (D)に図 11 (C)の D—D断面を示している。また、図 12 (A1)は ICチップ搭載前のパッケージ基板 70の平面図を示し、図 12 (B1)は裏面図 を示し、図 12 (A2)は ICチップ搭載後のパッケージ基板 70の平面図を示し、図 12 ( B2)は裏面図を示している。
[0116] 図 11 (A)及び図 12 (A1)に示すようにパッケージ基板 70の表面には、キヤビティー 74が設けられ、キヤビティー 74にはボンディングパット 72が延在している。図 11 (B) に示すように、ノ ッケージ基板 70は、バイァホール 46の形成された基板 30を積層し て成り、表面側のボンディングパット 72には、ニッケル層 54、金層 56から成る耐食層 が形成されている。裏面側のパッド 80には、 OPS層 58が設けられている。図 11 (C) 及び図 12 (A2)に示すように、 ICチップ 76がキヤビティー 74に収容され、 ICチップ 7 6とボンディングパット 72とがワイヤ(金線) 78で接続される。図 11 (D)及び図 12 (B2 )で示すように、裏面側の外部端子であるバンプ (耐食層非形成) 80には、半田 83を 介して接続ピン 82が取り付けられる。
[0117] (実施例 2— 1— 2)
実施例 2— 1— 1と同じで表面にワイヤーボンディング用パッド (耐食層形成) 72、裏 面に外部端子である接続ピン用のノッド (耐食層非形成) 80を配置するが、ノッド 80 上に OSP層は施さない。
[0118] (実施例 2— 1 3)
実施例 2— 1— 1と同じで表面にワイヤーボンディング用パッド (耐食層形成) 72、裏 面に外部端子である接続ピン用のノ^ド (耐食層非形成) 80を配置し、パッド 80上に
OSP層を施す力 ボンディングパット(耐食層) 72には、ニッケル一金もしくは-ッケ ルーパラジウム 金を施す。
[0119] (実施例 2— 2— 1)
実施例 2— 1— 1と同じであるが、図 13 (A1)に示すように表面にワイヤーボンディン グ用パッド (耐食層形成) 72と電子部品実装用パッド (耐食層非形成) 86とを設け、 裏面に外部端子である接続ピン用のノ¾ド (耐食層非形成) 80を配置し、電子部品 実装用パッド 86及び接続ピン用パッド 80上に OSP層を施す。そして、図 13 (A2)に 示すように表面の電子部品実装用パッド 86に電子部品(チップコンデンサ) 90を実 装し、裏面のパッド 80に接続ピン 82を取り付ける。
[0120] (実施例 2— 3— 1)
実施例 2— 1— 1と同じであるが、図 14 (A1)に示すように表面にワイヤーボンディン グ用パッド (耐食層形成) 72と共に接続ピン用のパッド (耐食層非形成) 80を配置し、 接続ピン用パッド 80に OSP層を施す。そして、図 14 (A1)に示すように表面に ICチ ップ 76を搭載すると共に、パッド 80に接続ピン 82を取り付ける。
[0121] (実施例 2— 4— 1)
実施例 2— 1 1と同じであるが、図 15 (A1)に示すように表面にフリップチップ用パ ッド (耐食層形成) 88を形成し、図 15 (B1)に示すように裏面に外部端子である BGA 用のパッド (耐食層非形成) 80で配置して、 BGA用パッド 80上に OSP層を施す。そ して、図 15 (A2)に示すように表面のフリップチップ用パッド 88を介して ICチップ 76 を搭載し、図 15 (B2)に示すように裏面の BGA用パッド 80上に BGA84を形成する。
[0122] (実施例 2— 4 2)
実施例 2—4— 1と同じで表面にフリップチップ用パッド (耐食層形成) 88を形成し、 裏面に外部端子である BGA用のパッド (耐食層非形成) 80で配置するが、ノッド 80 上に OSP層は施さない。
[0123] (実施例 2— 4 3)
実施例 2— 1— 1と同じで表面にフリップチップ用パッド (耐食層形成) 88を形成し、 裏面に外部端子である BGA用のパッド (耐食層非形成) 80を配置し、パッド 80上に OSP層を施す力 フリップチップ用パッド (耐食層形成) 88には、ニッケル一金もしく はニッケル -パラジウム—金を施す。
[0124] (実施例 2— 5— 1)
実施例 2— 1 1と同じであるが、図 15 (A1)に示すように表面にフリップチップ用パ ッド (耐食層形成) 88と電子部品実装用パッド (耐食層非形成) 86とを設け、裏面に B GA用のパッド (耐食層非形成) 80を配置し、電子部品実装用パッド 86及び BGA用 のパッド (耐食層非形成) 80上に OSP層を施す。そして、図 15 (A2)に示すように表 面の電子部品実装用パッド 86に電子部品(チップコンデンサ) 90を実装し、裏面の B GA用パッド 80上に BGA84を形成する。
[0125] (実施例 2— 6— 1)
実施例 2— 1 1と同じであるが、図 17 (A1)に示すように表面にフリップチップ用パ ッド (耐食層形成) 88と共に BGA用のパッド (耐食層非形成) 80を配置し、 BGA用の パッド (耐食層非形成) 80に OSP層を施す。そして、図 17 (A1)に示すように表面に I Cチップ 76を搭載すると共に、表面の BGA用パッド 80上に BGA84を形成する。
[0126] (比較例 2— 1)
比較例 2—1では、全てのパッド 80に耐食層(ニッケル—金)を形成した。それ以外は 、実施例 2— 1—1と同じにした。
[0127] (比較例 2— 2)
比較例 2— 2では、全てのパッド 80に耐食層(ニッケル—金)を形成した。それ以外は 、実施例 2— 4—1と同じにした。
[0128] 実施例 2群と比較例 2にお 、て、製造されたプリント配線板で 2— A項目を評価し、 IC チップが実装されたたプリント配線板を以下に 2— B、 2— C項目で評価を行った。
[0129] 2-A.プリント配線板の信頼性試験
ヒートサイクル条件下(130°CZ3min. 55°C/3min. 1サイクルとした。)このサ イタル試験を 5000サイクルまで行い、 500サイクル毎に、試験終了後、 2時間放置さ せた後に、導通試験で導通の有無を確認し、導通なしが確認されたサイクル数を比 較した。
[0130] 2-B.実装後の導通試験
ベアチップ実装と外部端子配置後に、導通試験をランダムに 20箇所行い、抵抗変化 率が士 10%を越えた端子の発生の有無を確認した。
また、抵抗変化率が士 10%を越えた外部接続端子付近での断面をクロスカットを施 し、顕微鏡(X 200)で該パッドを観察し、導体回路もしくは半田層のクラックの有無を 確認した。
[0131] 2-C.ベアチップ実装後の信頼性試験
ヒートサイクル条件下(130°CZ3min. 55°C/3min. 1サイクルとした。)このサ イタル試験を 5000サイクルまで行い、 500サイクル毎に、試験終了後、 2時間放置さ せた後に、導通試験を 10箇所行い、抵抗変化率が ± 10%を越えた回路が、 5個所 以上の有無を確認し、有りとなったサイクル数を比較した。
[0132] 上記試験結果から、耐食層を設けるパッドと耐食層を設けな 、パッドとを用いることで 信頼性が得られる。なお、落下させた際の起動性が低下し難くなることも分力つた。 図面の簡単な説明
[0133] [図 1]本発明の実施例 1の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
[図 2]実施例 1の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
[図 3]実施例 1の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
[図 4]実施例 1の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
[図 5]実施例 1の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
[図 6]実施例 1に係る多層プリント配線板の断面図である。 圆 7]部品が実装された状態を示す図 6の多層プリント配線板の断面図である。 圆 8]第一実施形態の多層プリント配線板の製造方法を示す平面図である。
圆 9]第一実施形態の携帯電話用に適用したプリント配線板の平面図である。
[図 10]実施例 1及び比較例 1の評価結果を示す図表である。
[図 11]図 11 (A)は ICチップ搭載前の実施例 2— 1—1に係るパッケージ基板の斜視 図であり、図 11 (B)は図 11 (A)の B— B断面図であり、図 11 (C)は ICチップ搭載後 のパッケージ基板の斜視図である、図 11 (D)は図 11 (C)の D— D断面図である。
[図 12]図 12 (A1)は ICチップ搭載前の実施例 2— 1 - 1に係るパッケージ基板の平 面図であり、図 12 (B1)は裏面図であり、図 12 (A2)は ICチップ搭載後のパッケージ 基板の平面図であり、図 12 (B2)は裏面図である。
[図 13]図 13 (A1)は ICチップ搭載前の実施例 2— 2 - 1に係るパッケージ基板の平 面図であり、図 13 (B1)は裏面図であり、図 13 (A2)は ICチップ搭載後のパッケージ 基板の平面図であり、図 13 (B2)は裏面図である。
[図 14]図 14 (A1)は ICチップ搭載前の実施例 2— 3—1に係るパッケージ基板の平 面図であり、図 14 (B1)は裏面図であり、図 14 (A2)は ICチップ搭載後のパッケージ 基板の平面図であり、図 14 (B2)は裏面図である。
[図 15]図 15 (A1)は ICチップ搭載前の実施例 2— 4 - 1に係るパッケージ基板の平 面図であり、図 15 (B1)は裏面図であり、図 15 (A2)は ICチップ搭載後のパッケージ 基板の平面図であり、図 15 (B2)は裏面図である。
[図 16]図 16 (A1)は ICチップ搭載前の実施例 2— 5—1に係るパッケージ基板の平 面図であり、図 16 (B1)は裏面図であり、図 16 (A2)は ICチップ搭載後のパッケージ 基板の平面図であり、図 16 (B2)は裏面図である。
[図 17]図 17 (A1)は ICチップ搭載前の実施例 2— 6 - 1に係るパッケージ基板の平 面図であり、図 17 (B1)は裏面図であり、図 17 (A2)は ICチップ搭載後のパッケージ 基板の平面図であり、図 17 (B2)は裏面図である。
[図 18]実施例 2及び比較例 2の評価結果を示す図表である。

Claims

請求の範囲
[1] 表層に導体回路が形成され、該導体回路を覆うソルダーレジスト層が施され、導体回 路の一部を露出せる該ソルダーレジストの複数の開口によって複数の半田パッドが 形成され、該導体回路の表層に耐食層が形成された多層プリント配線板にお!ヽて、 前記半田パッドには、耐食層が施された耐食層形成半田パッドと耐食層が施されて
V、な 、耐食層非形成半田パッドとが混在する多層プリント配線板。
[2] ノィァホールにより層間接続が成され、該バイァホール内に導体層が充填され少なく とも 2層以上積層され、表層にソルダーレジスト層が施され、導体回路の一部を露出 せる該ソルダーレジストの複数の開口によって複数の半田パッドが形成され、該導体 回路の表層に耐食層が形成された多層プリント配線板にぉ 、て、
前記半田パッドには、耐食層が施された耐食層形成半田パッドと耐食層が施されて
V、な 、耐食層非形成半田パッドとが混在する多層プリント配線板。
[3] 前記耐食層形成半田パッドは、主として外部用端子である請求項 1または 2に記載の 多層プリント配線板。
[4] 前記耐食層形成半田パッドは、主としてベアチップ実装を行うパッドである請求項 1ま たは 2に記載の多層プリント配線板。
[5] 前記耐食層非形成半田パッドは、主として電子部品実装用端子である請求項 1また は 2に記載の多層プリント配線板。
[6] 前記耐食層非形成半田パッドは、主として外部接続用端子である請求項 1または 2に 記載の多層プリント配線板。
[7] 前記耐食層非形成半田パッド上は、 OSP層が設けられている請求項 1または 2に記 載の多層プリント配線板。
[8] 表層の導体回路が覆われるソルダーレジスト層を施され、導体回路の一部を露出せ る該ソルダーレジストの複数の開口によって複数の半田パッドが形成され、該導体回 路の表層に耐食層が形成された多層プリント配線板の製造方法において、少なくとも
(a)〜 (e)の工程を経ることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法:
(a)導体回路を有するプリント配線の表層にソルダーレジストを形成する工程;
(b)ソルダーレジストを露光'現像あるいはレーザ開口により半田パッドを形成するェ 程;
(c)半田パッドが形成されたソルダーレジスト層上に、該半田パッドを覆うマスク層を 形成する工程;
(d)前記マスク層の非形成部に半田パッドに、耐食層を形成する工程;
(e)マスクレジスト層を剥離し、耐食層が施された耐食層形成半田パッドと耐食層が 施されて ヽな 、耐食層非形成半田パッドとが混在した複数の半田パッドを得る工程。
[9] 前記 (c)工程では、マスク層で覆う半田パッドは、主として外部用端子である請求項 8 に記載の多層プリント配線板の製造方法。
[10] 前記 (c)工程では、マスク層で覆う半田パッドは、主として C4用の半田パッドである請 求項 8に記載の多層プリント配線板の製造方法。
[11] 前記マスク層は、露光 ·現像あるいはレーザ開口を経て、耐食層非形成半田パッドを 覆う請求項 8に記載の多層プリント配線板の製造方法。
[12] 前記 (e)工程後、前記耐食層非形成半田パッド上に OSP層を形成する工程を備える 請求項 8に記載の多層プリント配線板の製造方法。
[13] 表層に導体回路が形成され、該導体回路を覆うソルダーレジスト層が施され、該ソル ダーレジストの複数の開口によって導体回路の一部が露出された多層プリント配線 板において、
前記導体回路の露出部に、耐食層が施された耐食層形成露出部と耐食層が施され て 、な 、耐食層非形成露出部とが混在する多層プリント配線板。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010106839A1 (ja) * 2009-03-19 2010-09-23 株式会社村田製作所 回路基板及びマザー積層体
WO2011122246A1 (ja) * 2010-03-31 2011-10-06 イビデン株式会社 配線板及びその製造方法
JP2012074505A (ja) * 2010-09-28 2012-04-12 Ngk Spark Plug Co Ltd 半導体搭載装置用基板、半導体搭載装置
US8513818B2 (en) 2009-01-07 2013-08-20 Panasonic Corporation Semiconductor device and method for fabricating the same
WO2018181742A1 (ja) 2017-03-31 2018-10-04 三菱瓦斯化学株式会社 プリント配線板の製造方法
WO2023210815A1 (ja) * 2022-04-28 2023-11-02 凸版印刷株式会社 配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法

Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100601493B1 (ko) * 2004-12-30 2006-07-18 삼성전기주식회사 하프에칭된 본딩 패드 및 절단된 도금 라인을 구비한bga 패키지 및 그 제조 방법
WO2007004658A1 (ja) * 2005-06-30 2007-01-11 Ibiden Co., Ltd. プリント配線板
CN101171894B (zh) * 2005-06-30 2010-05-19 揖斐电株式会社 印刷线路板
JP4890835B2 (ja) * 2005-10-28 2012-03-07 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US7432202B2 (en) * 2005-12-28 2008-10-07 Intel Corporation Method of substrate manufacture that decreases the package resistance
JPWO2008053833A1 (ja) * 2006-11-03 2010-02-25 イビデン株式会社 多層プリント配線板
TWI331387B (en) * 2007-01-10 2010-10-01 Advanced Semiconductor Eng Embedded passive device and methods for manufacturing the same
CN101296570A (zh) * 2007-04-25 2008-10-29 富葵精密组件(深圳)有限公司 电路板及其制作方法
JP5101169B2 (ja) * 2007-05-30 2012-12-19 新光電気工業株式会社 配線基板とその製造方法
KR100841987B1 (ko) * 2007-07-10 2008-06-27 삼성전기주식회사 다층 인쇄회로기판 제조방법
JP5297083B2 (ja) * 2007-07-17 2013-09-25 新光電気工業株式会社 はんだバンプ形成方法
US7807560B2 (en) * 2007-07-17 2010-10-05 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Solder bump forming method
JP5114130B2 (ja) * 2007-08-24 2013-01-09 新光電気工業株式会社 配線基板及びその製造方法、及び半導体装置
US7872483B2 (en) * 2007-12-12 2011-01-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Circuit board having bypass pad
US8552570B2 (en) * 2008-01-09 2013-10-08 Renesas Electronics Corporation Wiring board, semiconductor device, and method for manufacturing wiring board and semiconductor device
JP5233637B2 (ja) * 2008-04-02 2013-07-10 日立金属株式会社 多層セラミック基板、及び電子部品
US8597490B2 (en) * 2008-04-14 2013-12-03 CERN—European Organization for Nuclear Research Method of manufacturing a gas electron multiplier
TWI365517B (en) * 2008-05-23 2012-06-01 Unimicron Technology Corp Circuit structure and manufactring method thereof
TW201010557A (en) * 2008-08-22 2010-03-01 World Wiser Electronics Inc Method for fabricating a build-up printing circuit board of high fine density and its structure
JP5101451B2 (ja) 2008-10-03 2012-12-19 新光電気工業株式会社 配線基板及びその製造方法
KR101006619B1 (ko) * 2008-10-20 2011-01-07 삼성전기주식회사 라운드형 솔더범프를 갖는 인쇄회로기판 및 그 제조방법
JP5269563B2 (ja) * 2008-11-28 2013-08-21 新光電気工業株式会社 配線基板とその製造方法
JP5306789B2 (ja) * 2008-12-03 2013-10-02 日本特殊陶業株式会社 多層配線基板及びその製造方法
KR20100065689A (ko) * 2008-12-08 2010-06-17 삼성전기주식회사 금속범프를 갖는 인쇄회로기판 및 그 제조방법
JP5350830B2 (ja) * 2009-02-16 2013-11-27 日本特殊陶業株式会社 多層配線基板及びその製造方法
EP2405727A1 (en) * 2009-04-02 2012-01-11 Panasonic Corporation Manufacturing method for circuit board, and circuit board
US8399801B2 (en) * 2009-04-14 2013-03-19 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd Method of manufacturing printed circuit board
JP5344036B2 (ja) * 2009-05-12 2013-11-20 株式会社村田製作所 回路基板及びその製造方法
JP5561460B2 (ja) * 2009-06-03 2014-07-30 新光電気工業株式会社 配線基板および配線基板の製造方法
US8400782B2 (en) 2009-07-24 2013-03-19 Ibiden Co., Ltd. Wiring board and method for manufacturing the same
US8461036B2 (en) * 2009-12-22 2013-06-11 Intel Corporation Multiple surface finishes for microelectronic package substrates
US8450619B2 (en) * 2010-01-07 2013-05-28 International Business Machines Corporation Current spreading in organic substrates
JP5623308B2 (ja) * 2010-02-26 2014-11-12 日本特殊陶業株式会社 多層配線基板及びその製造方法
JP2011211072A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Fujitsu Ltd プリント配線板およびプリント配線板の作製方法
KR101140978B1 (ko) * 2010-08-20 2012-05-03 삼성전기주식회사 인쇄회로기판의 제조방법
US20120152606A1 (en) * 2010-12-16 2012-06-21 Ibiden Co., Ltd. Printed wiring board
JP2012147264A (ja) * 2011-01-12 2012-08-02 Sony Corp 遠隔操作装置
US8693203B2 (en) 2011-01-14 2014-04-08 Harris Corporation Method of making an electronic device having a liquid crystal polymer solder mask laminated to an interconnect layer stack and related devices
KR101175909B1 (ko) * 2011-07-27 2012-08-22 삼성전기주식회사 인쇄회로기판의 표면처리 방법 및 인쇄회로기판
US8969732B2 (en) * 2011-09-28 2015-03-03 Ibiden Co., Ltd. Printed wiring board
US9536818B2 (en) * 2011-10-13 2017-01-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor package and method of forming the same
US10096544B2 (en) * 2012-05-04 2018-10-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor interconnect structure
ITMI20121238A1 (it) * 2012-07-17 2014-01-18 St Microelectronics Srl Dispositivo trasformatore balun planare
US9362236B2 (en) * 2013-03-07 2016-06-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package structures and methods for forming the same
CN103227160B (zh) * 2013-03-18 2016-03-16 三星半导体(中国)研究开发有限公司 一种混合的表面镀层及其制造方法
JP6727749B2 (ja) * 2013-07-11 2020-07-22 三菱マテリアル株式会社 高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材及び高純度銅スパッタリングターゲット
JP2015032649A (ja) * 2013-08-01 2015-02-16 イビデン株式会社 配線板の製造方法および配線板
US9147667B2 (en) 2013-10-25 2015-09-29 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor device with face-to-face chips on interposer and method of manufacturing the same
JP2015231003A (ja) * 2014-06-06 2015-12-21 イビデン株式会社 回路基板および回路基板の製造方法
CN104409364B (zh) * 2014-11-19 2017-12-01 清华大学 转接板及其制作方法、封装结构及用于转接板的键合方法
US10806030B2 (en) 2015-01-15 2020-10-13 International Business Machines Corporation Multi-layer circuit using metal layers as a moisture diffusion barrier for electrical performance
US10043769B2 (en) 2015-06-03 2018-08-07 Micron Technology, Inc. Semiconductor devices including dummy chips
KR102413224B1 (ko) * 2015-10-01 2022-06-24 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 모듈
US10568201B2 (en) * 2016-01-26 2020-02-18 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Multilayer printed wiring board and multilayer metal clad laminated board
JP2017152536A (ja) * 2016-02-24 2017-08-31 イビデン株式会社 プリント配線板及びその製造方法
JP6832630B2 (ja) * 2016-03-28 2021-02-24 富士通インターコネクトテクノロジーズ株式会社 配線基板の製造方法
CN107665876A (zh) * 2016-07-27 2018-02-06 华邦电子股份有限公司 封装体用基板、其制造方法以及封装体
CN108076584B (zh) * 2016-11-15 2020-04-14 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 柔性电路板、电路板元件及柔性电路板的制作方法
JPWO2018105000A1 (ja) * 2016-12-05 2019-03-22 三菱電機株式会社 プリント配線板の作製方法
DE102017217815A1 (de) * 2017-10-06 2019-04-11 Conti Temic Microelectronic Gmbh Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Komponente, elektronische Komponente und Lötstopplack
KR20200091060A (ko) * 2019-01-21 2020-07-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11315862B2 (en) * 2020-01-31 2022-04-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor structure and manufacturing method thereof
KR102393573B1 (ko) * 2020-07-06 2022-05-03 (주)와이솔 표면 탄성파 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제작 방법
CN114364157B (zh) * 2021-12-23 2023-11-10 广东德赛矽镨技术有限公司 一种带双面焊接焊盘的pcb的贴片及封装方法
TWI799109B (zh) * 2022-01-25 2023-04-11 福懋科技股份有限公司 基板導孔測試方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001283805A (ja) * 2000-03-29 2001-10-12 Rohm Co Ltd 電池パックおよびその製造方法
JP2002134885A (ja) * 2001-07-09 2002-05-10 Hitachi Ltd 回路基板およびその製造方法、電子デバイス実装体、グリーンシート
JP2004172415A (ja) * 2002-11-20 2004-06-17 Kyocera Corp 配線基板の製造方法
JP2004207381A (ja) * 2002-12-24 2004-07-22 Shinko Electric Ind Co Ltd 配線基板及びその製造方法並びに半導体装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2300524A (en) 1995-05-05 1996-11-06 Compeq Manufacturing Co Limite Process for making a printed circuit board partially coated with solder
JP3492467B2 (ja) 1996-06-20 2004-02-03 イビデン株式会社 多層プリント配線板用片面回路基板、および多層プリント配線板とその製造方法
EP1796446B1 (en) * 1996-11-20 2011-05-11 Ibiden Co., Ltd. Printed circuit board
WO1999034654A1 (fr) * 1997-12-29 1999-07-08 Ibiden Co., Ltd. Plaquette a circuits imprimes multicouche
DE69928518T2 (de) 1998-02-26 2006-03-30 Ibiden Co., Ltd., Ogaki Mehrschichtige leiterplatte mit einer struktur von gefüllten kontaktlöchern
JP4066522B2 (ja) * 1998-07-22 2008-03-26 イビデン株式会社 プリント配線板
JP4869461B2 (ja) 1999-05-17 2012-02-08 イビデン株式会社 プリント配線板
WO2000076281A1 (fr) 1999-06-02 2000-12-14 Ibiden Co., Ltd. Carte a circuit imprime multicouche et procede de fabrication d'une telle carte
EP1207730B1 (en) * 1999-08-06 2009-09-16 Ibiden Co., Ltd. Electroplating solution, method for fabricating multilayer printed wiring board using the solution, and multilayer printed wiring board
DE10018025A1 (de) * 2000-04-04 2001-10-18 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zum Erzeugen von lötfähigen Oberflächen und funktionellen Oberflächen auf Schaltungsträgern
JP4613457B2 (ja) 2001-07-25 2011-01-19 日本電気株式会社 表面実装用接触端子、その端子を用いたプリント基板、および携帯情報端末装置
JP3879461B2 (ja) * 2001-09-05 2007-02-14 日立電線株式会社 配線基板及びその製造方法
TW544877B (en) * 2002-03-04 2003-08-01 Orient Semiconductor Elect Ltd Method for electroplating IC encapsulated substrate
JP3922995B2 (ja) 2002-10-08 2007-05-30 三井化学株式会社 半導体実装用プリント配線板およびその製造方法
JP3816928B2 (ja) 2004-02-20 2006-08-30 日本特殊陶業株式会社 配線基板の製造方法
US7339260B2 (en) * 2004-08-27 2008-03-04 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Wiring board providing impedance matching

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001283805A (ja) * 2000-03-29 2001-10-12 Rohm Co Ltd 電池パックおよびその製造方法
JP2002134885A (ja) * 2001-07-09 2002-05-10 Hitachi Ltd 回路基板およびその製造方法、電子デバイス実装体、グリーンシート
JP2004172415A (ja) * 2002-11-20 2004-06-17 Kyocera Corp 配線基板の製造方法
JP2004207381A (ja) * 2002-12-24 2004-07-22 Shinko Electric Ind Co Ltd 配線基板及びその製造方法並びに半導体装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1806956A4 *

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8513818B2 (en) 2009-01-07 2013-08-20 Panasonic Corporation Semiconductor device and method for fabricating the same
WO2010106839A1 (ja) * 2009-03-19 2010-09-23 株式会社村田製作所 回路基板及びマザー積層体
US8705247B2 (en) 2009-03-19 2014-04-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. Circuit board and mother laminated body
WO2011122246A1 (ja) * 2010-03-31 2011-10-06 イビデン株式会社 配線板及びその製造方法
TWI406622B (zh) * 2010-03-31 2013-08-21 Ibiden Co Ltd 佈線板及其製造方法
US8530755B2 (en) 2010-03-31 2013-09-10 Ibiden Co., Ltd. Wiring board and method for manufacturing the same
JP5352005B2 (ja) * 2010-03-31 2013-11-27 イビデン株式会社 配線板及びその製造方法
KR101412389B1 (ko) 2010-03-31 2014-06-25 이비덴 가부시키가이샤 배선판 및 그 제조 방법
JP2012074505A (ja) * 2010-09-28 2012-04-12 Ngk Spark Plug Co Ltd 半導体搭載装置用基板、半導体搭載装置
WO2018181742A1 (ja) 2017-03-31 2018-10-04 三菱瓦斯化学株式会社 プリント配線板の製造方法
US11197379B2 (en) 2017-03-31 2021-12-07 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Method for producing printed wiring board
WO2023210815A1 (ja) * 2022-04-28 2023-11-02 凸版印刷株式会社 配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1806956A4 (en) 2007-11-21
EP1806956A1 (en) 2007-07-11
US20060102384A1 (en) 2006-05-18
US20130112469A1 (en) 2013-05-09
CN101049057A (zh) 2007-10-03
US8737087B2 (en) 2014-05-27
TWI319698B (ja) 2010-01-11
TWI392426B (zh) 2013-04-01
TW200631478A (en) 2006-09-01
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