DE10018025A1 - Verfahren zum Erzeugen von lötfähigen Oberflächen und funktionellen Oberflächen auf Schaltungsträgern - Google Patents
Verfahren zum Erzeugen von lötfähigen Oberflächen und funktionellen Oberflächen auf SchaltungsträgernInfo
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Abstract
Bekannte Verfahren zur Herstellung von Schaltungsträgern, auf denen sich sowohl Bereiche befinden, die zur Bildung von Lötverbindungen dienen, als auch Bereiche, die beispielsweise zum Bonden geeignet sind, sind nachteilig, da in einem teuren Verfahren entweder alle Bereiche mit einer Schichtkombination aus Nickel und Gold überzogen werden, oder die lötfähigen Bereiche mit einem thermisch wenig beständigen organischen Schutzüberzug versehen werden. Mit der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren bereitgestellt, mit dem die erwähnten Nachteile nicht auftreten. Es weist folgende Verfahrensschritte auf: Erzeugen lötfähiger Oberflächen durch Abscheiden einer lötfähigen Metallschicht 5, Abdecken der Lötbereiche mit einer Abdeckmaske 6, Erzeugen der funktionellen Oberflächen 7, 8 in den Funktionsbereichen und schließlich Entfernen der Abdeckmaske 6.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen mindestens einer lötfähigen
Oberfläche in ausgewählten Lötbereichen und mindestens einer funktionellen
Oberfläche in von den Lötbereichen verschiedenen Funktionsbereichen auf mit
Kupferoberflächen versehenen Schaltungsträgern sowie entsprechende Schal
tungsträger.
Schaltungsträger dienen zur Aufnahme von aktiven und passiven Bauelemen
ten. Grundsätzlich werden herkömmliche Leiterplatten von Chip-Carriern unter
schieden. Während erstere mit passiven Bauelementen, beispielsweise Kon
densatoren und Widerständen, sowie gehäusten Halbleiterbauelementen be
stückt werden, dienen die Chip-Carrier zur Montage von ungehäusten Halblei
terbauelementen. Teilweise werden mehrere ungehäuste Halbleiterbauelemen
te auf einem Chip-Carrier zusammengefaßt. Seit kurzem werden ungehäuste
Halbleiterbauelemente auch ohne vorherige Montage zusammen mit passiven
Bauelementen direkt auf einem Schaltungsträger montiert.
Zur Herstellung von zur Bestückung mit passiven Bauelementen und ungehäu
sten Halbleiterbauelementen vorgesehenen Schaltungsträgern sind verschiede
ne Verfahren bekannt. Zuerst wird das hierzu erforderliche aus Kupfer beste
hende Schaltungsmuster mit bekannten Verfahren gebildet. Um eine Bestüc
kung der Schaltungsträger zu ermöglichen, wird anschließend beispielsweise
eine Goldoberfläche gebildet, um zum einen eine lötfähige Oberfläche herzu
stellen, die zur Bestückung mit passiven Bauelementen erforderlich ist. Zum
anderen ist die Goldoberfläche auch zum Bonden von gehäusten und ungehäu
sten Halbleiterbauelementen geeignet.
Beispielsweise wird in US-A-5.364.460 angegeben, daß Goldschichten unter
anderem auf Leiterplatten und Karten für integrierte Schaltungen stromlos ab
geschieden werden.
Goldschichten werden auch zum Herstellen von lösbaren elektrischen Kontak
ten gebildet, beispielsweise von Steckkontakten zum Einstecken der bestückten
Schaltungsträger in Kontaktstecker und von Kontaktflächen zur Herstellung von
Drucktasten. In DE 197 45 602 C1 wird darüber hinaus angegeben, daß Gold
schichten zur Herstellung löt-, kleb- und bondfähiger Oberflächen eingesetzt
werden. Mit den in diesem Dokument beschriebenen Verfahren können feinsts
trukturierte Schaltungsträger mit oberflächenmontierten Halbleiterschaltkreisen
hergestellt werden, bei denen die Schaltkreise über Ball-wedge-Bonds mit kor
respondierenden Anschlußplätzen (Pads) auf dem Schaltungsträger verbunden
sind.
Galvanotechnisch hergestellte Goldschichten werden nicht direkt auf die Kupf
eroberflächen aufgebracht. Vielmehr wird beispielsweise gemäß
US-A-5.364.460 zuerst eine Nickelschicht abgeschieden und auf der Nickel
schicht die Goldschicht. Als Nickelschicht wird vorzugsweise eine stromlos ab
geschiedene Ni/B- oder Ni/P-Schicht gebildet. Nach US-A-5,470,381 wird zu
erst eine Nickelschicht und danach eine Goldschicht abgeschieden.
In DE 197 45 602 C1, US-A-5.202.151, US-A-5.318.621, US-A-5.364.460 und
US-A-5.470.381 sind Verfahren zur stromlosen Abscheidung von Goldschichten
beschrieben.
Anstelle der Nickelschicht können auch andere Metallschichten, beispielsweise
aus Kobalt oder Palladium, auf den Kupferoberflächen abgeschieden werden,
bevor die Goldschicht gebildet wird. In US-A-5.202.151 wird hierzu unter ande
rem vorgeschlagen, eine Kobaltschicht auf die Kupferoberflächen aufzutragen
und anschließend die Goldschicht abzuscheiden. Anstelle einer auf galvano
technischem Wege abgeschiedenen Nickel- oder Kobaltschicht kann auch eine
aufgedampfte oder gesputterte Goldschicht aufgebracht und danach mit einem
stromlosen Verfahren vergoldet werden. In DE 19 74 501 C1 wird weiterhin ein
Verfahren zur Herstellung von Goldschichten auf einem eine Palladiumober
fläche aufweisenden Werkstück angegeben.
Anstelle einer Goldschicht können auch Palladiumschichten verwendet werden.
In DE 42 01 129 A1 ist ein Verfahren zur Herstellung einer Verdrahtungsplatte
beschrieben, bei dem durch stromlose Plattierung auf den Kupferteilen der Plat
te ein Palladiumüberzug gebildet wird, wobei die Palladiumoberflächen auf dop
pelseitigen Verdrahtungsplatten hergestellt werden, um Bauelemente vom
Oberflächenmontagetyp durch Löten zu befestigen. Ferner ist in
US-A-4.424.241 ein stromloses Palladinierungsverfahren angegeben, wobei die
gebildeten Palladiumschichten zur Herstellung von leitfähigen Elementen in
elektrischen Schaltkreisen, wie integrierten Schaltkreisen, dienen.
Es hat sich herausgestellt, daß die Herstellung von Goldschichten auf der ge
samten Schaltungsträgeroberfläche zu aufwendig ist. Meist werden lediglich
kleinere bondbare Bereiche auf den Schaltungsträgeroberflächen benötigt,
während andere Oberflächenbereiche lediglich zur Aufnahme von durch Löten
montierten Bauelementen geeignet sein müssen. Außerdem wurde festgestellt,
daß Goldschichten mit darunterliegenden Nickelschichten zur Befestigung von
sogenannten Ball-grid-arrays (BGA) durch Löten bei mechnischer und/oder
thermischer Belastung des bestückten Schaltungsträgers zu Sprödbrüchen
führen.
Aus diesem Grunde wurde ein Verfahren entwickelt, bei dem die Bereiche zu
erst mit einer geeigneten Maske, beispielsweise einem photostrukturierbaren
Resist, abgedeckt werden, die für eine Lötbefestigung von Bauelementen vor
gesehen sind, und anschließend in den noch freiliegenden Bereichen eine
Nickel/Gold-Schichtkombination aufgebracht wird. Danach wird die Maske von
der Schaltungsträgeroberfläche wieder entfernt. Anschließend wird eine organi
sche Schutzschicht beispielsweise mit einer wäßrigen sauren Lösung von
Alkylimidazol- oder Alkylbenzimidazolverbindungen gebildet. Diese Schutz
schicht verhindert die Oxdiation der Kupferoberflächen und erhält die Lötfähig
keit der Kupferoberflächen.
Zum einen wird die Nickel/Gold-Kombinationsschicht mit diesem Verfahren nur
in den Bereichen gebildet, in denen Bauelemente durch Bonden befestigt oder
in denen elektrische Kontaktflächen benötigt werden. Zum anderen wird das
Problem behoben, das sich beim Löten mit der BGA-Technik ergibt.
Allerdings hat sich bei Durchführung dieses Verfahrens herausgestellt, daß sich
das Aussehen der Goldoberflächen nachteilig verändert, indem sich die Schich
ten rötlich verfärben. Außerdem wird die Nickelschicht unter der Goldschicht
durch die Prozeßchemikalien beeinträchtigt. Dadurch wird der elektrische Kon
taktwiderstand vergrößert, so daß die Anwendung der Nickel/Gold-Kombina
tionsschicht zur Bildung von elektrischen Kontaktflächen nur begrenzt möglich
ist.
Darüber hinaus hat sich herausgestellt, daß beim Löten Probleme entstehen:
Ein mehrmaliges Löten an Anschlußplätzen für die Bauelemente ist praktisch nicht möglich. Jeder Lötvorgang nach dem ersten Löten führt zu einer Erhöhung der Ausschußrate. Lediglich durch ein aufwendiges Umschmelzverfahren unter Schutzgas (beispielsweise Stickstoff), bei dem teure Vorrichtungen zum Um schmelzen verwendet werden, können Lötvorgänge an den Anschlußplätzen mehrmals durchgeführt werden. Außerdem treten zuweilen Benetzungsproble me auf den mit der organischen Schutzschicht versehenen Kupferoberflächen auf.
Ein mehrmaliges Löten an Anschlußplätzen für die Bauelemente ist praktisch nicht möglich. Jeder Lötvorgang nach dem ersten Löten führt zu einer Erhöhung der Ausschußrate. Lediglich durch ein aufwendiges Umschmelzverfahren unter Schutzgas (beispielsweise Stickstoff), bei dem teure Vorrichtungen zum Um schmelzen verwendet werden, können Lötvorgänge an den Anschlußplätzen mehrmals durchgeführt werden. Außerdem treten zuweilen Benetzungsproble me auf den mit der organischen Schutzschicht versehenen Kupferoberflächen auf.
Der vorliegenden Erfindung liegt von daher das Problem zugrunde, die Nachtei
le der bekannten Verfahren zu vermeiden und insbesondere ein Verfahren zu
finden, mit dem auf einer Schaltungsträgeroberfläche sowohl gebondete Bau
elemente als auch gelötete Bauelemente befestigt werden können. Darüber
hinaus sollen sichere und problemlose Lötverbindungen herstellbar sein, wobei
auch mehrmalige Lötvorgänge an einzelnen Anschlußplätzen für Bauelemente
ohne Probleme durchführbar sein sollen. Ferner soll das Verfahren kostengün
stig und mit geringem Aufwand realisierbar sein.
Das Problem wird gelöst mit dem Verfahren nach Anspruch 1 und dem Schal
tungsträger nach Anspruch 13. Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung
sind in den Unteransprüchen angegeben.
Das erfindungsgemäße Verfahren dient zum Erzeugen mindestens einer löt
fähigen Oberfläche in ausgewählten Lötbereichen und mindestens einer funktio
nellen Oberfläche in von den Lötbereichen verschiedenen Funktionsbereichen
auf mit Kupferoberflächen versehenen Schaltungsträgern. Als funktionelle
Oberfläche wird vorzugsweise eine bondbare und/oder für die Herstellung von
lösbaren elektrischen Kontakten geeignete Oberfläche erzeugt.
Das Verfahren besteht darin, daß
- a) die lötfähigen Oberflächen durch Abscheiden einer lötfähigen Metall schicht erzeugt werden,
- b) die Lötbereiche mit einer Abdeckmaske abgedeckt werden,
- c) die funktionellen Oberflächen in den Funktionsbereichen erzeugt wer den und
- d) die Abdeckmaske schließlich wieder entfernt wird.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren steht zum einen ein kostengünstiges
Verfahren zur Verfügung, da lediglich in den Bereichen auf der Schaltungsträg
eroberfläche eine funktionelle Oberfläche gebildet wird, in denen Bondverbin
dungen zu Bauelementen oder lösbare elektrische Kontaktflächen gebildet wer
den sollen, während in den Bereichen, in denen Lötverbindungen gebildet wer
den sollen, eine billigere lötfähige Metallschicht abgeschieden wird. Ferner wer
den auch keine Sprödbrüche bei Anwendung der BGA-Technik beobachtet.
Vorteilhaft ist insbesondere die größere Lötsicherheit gegenüber dem Verfah
ren, bei dem organische Schutzschichten für die Kupferoberflächen eingesetzt
werden. Vor allem ist die Ausschußrate hinsichtlich der Lötbarkeit bei der Her
stellung als auch beim Bestücken der Schaltungsträger geringer als bei den
bekannten Verfahren. Auch ein mehrmaliges Umschmelzen oder Löten von
einzelnen Anschlußplätzen für die Bauelemente ist ohne Probleme möglich. Es
hat sich beispielsweise herausgestellt, daß die Lotbenetzung der erfindungs
gemäß gebildeten lötfähigen Oberflächen auch nach dreimaligem Umschmel
zen noch innerhalb der geforderten Toleranz liegt. Außerdem wurde eine sehr
gute Lagerfähigkeit der erfindungsgemäß hergestellten Schaltungsträger fest
gestellt, ohne daß die Lötbarkeit in den Lötbereichen wesentlich beeinträchtigt
wird.
Weiterhin wird das Aussehen von Goldschichten als Funktionsschicht bei
Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens nicht beeinträchtigt. Der
elektrische Kontaktwiderstand dieser Schichten ist geeignet, lösbare elektrische
Kontaktflächen bilden zu können.
Zur Erzeugung einer lötfähigen Oberfläche wird vorzugsweise ein Metall abge
schieden, ausgewählt aus der Gruppe, umfassend Zinn, Silber, Wismut, Palla
dium und deren Legierungen. Diese Metalle können stromlos abgeschieden
werden, d. h. auf chemisch reduktivem oder zementativem Wege, so daß auch
elektrisch isolierte Strukturen auf der Schaltungsträgeroberfläche problemlos
mit der lötfähigen Schicht überzogen werden können.
Für die Zinnabscheidung werden die Kupferoberflächen auf dem Schaltungs
träger vorzugsweise zunächst gereinigt, insbesondere mit einem (sauren, Netz
mittel enthaltenden) Reiniger. Anschließend werden Reste der Reinigungsflüs
sigkeit durch Spülen von den Oberflächen wieder entfernt. Danach werden die
Kupferoberflächen vorzugsweise angeätzt, um eine ausreichende Haftfestigkeit
der nachfolgend aufgebrachten Metallschichten zu gewährleisten. Hierzu kann
ein handelsüblicher Ätzreiniger eingesetzt werden, beispielsweise eine wäßrige
schwefelsaure Lösung von Wasserstoffperoxid oder einem Caroatsalz oder
eine wäßrige Lösung von Natriumperoxodisulfat. Nach der Ätzreinigung werden
die Kupferoberflächen wieder gespült und anschließend vorzugsweise durch
Behandlung mit einer Lösung von Säure, insbesondere Schwefelsäure, vor
getaucht. Außerdem können die Kupferoberflächen vor der Vortauchbehand
lung in der sauren Lösung mit einer Edelmetallionen enthaltenden Lösung kata
lysiert werden, damit Zinn leichter abgeschieden werden kann.
Zur Zinnabscheidung kann eine übliche Behandlungslösung eingesetzt werden.
Vorzugsweise wird ein zementatives Zinnabscheidebad verwendet. Derartige
Bäder enthalten zusätzlich zu mindestens einer Zinn(II)-Verbindung Säure und
üblicherweise Thioharnstoff oder ein Thioharnstoffderivat. Beispielsweise ent
halten diese Bäder 15 g Zinn(II)-fluoroborat, 100 ml Fluoroborsäure, 100 g
Thioharnstoff und 2 mg Natriumlaurylsulfat in 1 l wäßriger Lösung oder 5 g
Zinn(II)-chlorid, 55 g N-Methylthioharnstoff, 20 g Schwefelsäure, konz., 500 ml
Isopropanol und 500 ml Wasser oder 20 g Zinn(II)-chlorid, 25 ml Salzsäure
(37 Gew.-%), 50 ml Schwefelsäure (50 Gew.-%), 16 g Natriumhypophosphit,
200 g Thioharnstoff und 0,5 g Phenolsulfonsäure in 1 l wäßriger Lösung. Die
Behandlungstemperatur beträgt 40-90°C. Die Behandlungszeit beträgt 30 s bis
60 min. Weitere Beispiele für derartige Verzinnungsbäder sind beispielsweise in
DE 30 11 697 A1, WO 99/55935 A1 und US-A-4.816.070 angegeben. Die in
diesen Dokumenten angegebenen Zusammensetzungen werden hiermit ein
bezogen.
Zur stromlosen Abscheidung von Silber werden die Schaltungsträgeroberflä
chen im allgemeinen zunächst gereinigt, anschließend gespült, danach mit ei
ner Glanzätzlösung (beispielsweise H2SO4/H2O2-Lösung) behandelt und danach
wieder gespült. Anschließend werden die Oberflächen vorzugsweise mit einer
Schwefelsäure enthaltenden Vortauchlösung vorbehandelt.
Danach wird die Silberschicht aufgebracht. Für die Silberabscheidelösung kann
beispielsweise ein Bad mit folgender Zusammensetzung verwendet werden:
200 g Natriumthiosulfat, 20 g Natriumsulfit, 0,1 g Dinatrium-EDTA, 3 g Silber als Silber-Thiosulfatlsulfit-Komplex, 5 g Glycin in 1 l wäßriger Lösung. Der pH-Wert kann beispielsweise auf etwa 7,5 und die Behandlungstemperatur vorzugsweise auf 50-95°C eingestellt werden. Die Behandlungszeit beträgt beispielsweise 15 min. Weitere Beispiele sind unter anderem in US-A-5.318.621 angegeben. Die in diesem Dokument angegebenen Zusammensetzungen werden hiermit einbezogen.
200 g Natriumthiosulfat, 20 g Natriumsulfit, 0,1 g Dinatrium-EDTA, 3 g Silber als Silber-Thiosulfatlsulfit-Komplex, 5 g Glycin in 1 l wäßriger Lösung. Der pH-Wert kann beispielsweise auf etwa 7,5 und die Behandlungstemperatur vorzugsweise auf 50-95°C eingestellt werden. Die Behandlungszeit beträgt beispielsweise 15 min. Weitere Beispiele sind unter anderem in US-A-5.318.621 angegeben. Die in diesem Dokument angegebenen Zusammensetzungen werden hiermit einbezogen.
Vorzugsweise werden die Oberflächen nach der Silberschichtbildung mit einer
anorganischen Salzlösung behandelt und anschließend gespült.
Zur stromlosen Abscheidung von Palladium kann beispielsweise eine Lösung,
enthaltend 0,05 Mol Palladiumacetat, 0,1 Mol Ethylendiamin, 0,2 Mol Natrium
formiat und 0,15 Mol Bernsteinsäure in 1 l wäßriger Lösung eingesetzt werden.
Der pH-Wert dieses Bades wird bevorzugt auf 5,5 und die Temperatur auf etwa
70°C eingestellt. Weitere mögliche Zusammensetzungen sind beispielsweise:
0,01 Mol Palladiumchlorid, 0,08 Mol Ethylendiamin 20 mg Thiodiglykolsäure und 0,06 Mol Natriumhypophosphit in 1 l wäßriger Lösung (pH 8, 60°C). Weitere Hinweise und Beispiele sowie geeignete Vorbehandlungsbedingungen für die zu beschichtenden Oberflächen sind unter anderem in DE 197 45 602 C1, DE 42 01 129 A1 und US-A-4.424.241 angegeben. Die in diesen Dokumenten angegebenen Zusammensetzungen werden hiermit einbezogen.
0,01 Mol Palladiumchlorid, 0,08 Mol Ethylendiamin 20 mg Thiodiglykolsäure und 0,06 Mol Natriumhypophosphit in 1 l wäßriger Lösung (pH 8, 60°C). Weitere Hinweise und Beispiele sowie geeignete Vorbehandlungsbedingungen für die zu beschichtenden Oberflächen sind unter anderem in DE 197 45 602 C1, DE 42 01 129 A1 und US-A-4.424.241 angegeben. Die in diesen Dokumenten angegebenen Zusammensetzungen werden hiermit einbezogen.
Nach der Erzeugung der lötfähigen Oberflächen durch Abscheidung der löt
fähigen Metallschicht werden die lötfähigen Bereiche gemäß Verfahrensschritt
(b) mit einer Abdeckmaske abgedeckt. Hierzu wird eine photostrukturierte Mas
ke auf der Schaltungsträgeroberfläche gebildet. Diese wird unter Verwendung
eines Photoresists durch folgende Verfahrensschritte gebildet:
- 1. Aufbringen einer Photoresistschicht,
- 2. Belichten der Photoresistschicht mit einer Maskenvorlage derart, daß die Funktionsbereiche in einem nachfolgenden Entwicklungsschritt freilegbar sind und
- 3. Entwickeln der belichteten Photoresistschicht.
In einer alternativen Ausführungsvariante kann die Abdeckmaske auch mit ei
nem Siebdruckverfahren gebildet werden.
Werden Zinn, Wismut oder eine Legierung dieser Metalle zur Erzeugung der
lötfähigen Oberfläche verwendet, wird die lötfähige Metallschicht in den Funk
tionsbereichen vor Durchführung des Verfahrensschrittes (c) vorzugsweise mit
einer sauren Ätzlösung wieder entfernt. Zur Entfernung dieser Metalle kann
eine Salpetersäure und Inhibitoren (vorzugsweise Imidazolderivate) enthalten
den Ätzlösung verwendet werden: Palladium und Silber sowie deren Legierun
gen als lötfähige Metallschicht müssen nicht entfernt werden. Die Funktions
schicht kann in diesem Falle auf der Palladium-, Silber- oder einer Legierungs
schicht dieser Metalle abgeschieden werden.
Die funktionellen Oberflächen werden bevorzugt aus Metallen gebildet, ausge
wählt aus der Gruppe, umfassend Gold, Palladium, Silber und deren Legierun
gen. Die Oberflächen werden insbesondere durch chemisch reduktive oder
zementative Abscheidung gebildet. Besonders bevorzugt ist die Abscheidung
einer Kombinationsschicht aus einer Nickel- und einer darauf aufgebrachten
Goldschicht. Der erfindungsgemäße Schaltungsträger weist vorzugsweise min
destens eine lötfähige Oberfläche aus Metall, ausgewählt aus der Gruppe, um
fassend Zinn, Silber, Palladium und deren Legierungen, und mindestens eine
funktionelle Oberfläche aus Gold auf, wobei die Goldoberfläche durch eine
Kombinationsschicht aus Nickel und darauf aufgebrachtem Gold gebildet ist.
Zur Nickelabscheidung vor der Bildung einer Goldschicht wird vorzugsweise
eine Nickel/Phosphor-Schicht chemisch reduktiv abgeschieden. Alternativ kann
auch eine Nickel/Bor- oder eine reine Nickelschicht abgeschieden werden. Zur
Bildung dieser Schichten können die Schaltungsträger zunächst mit einer Netz
mittel enthaltenden Lösung in Kontakt gebracht werden, um die Oberflächen mit
Flüssigkeit vollständig zu benetzen. Daran schließt sich ein Spülschritt an. Vor
zugsweise werden die freiliegenden Kupferoberflächen anschließend mit einem
handelsüblichen Ätzreiniger geätzt. Überschüssiges Ätzmittel wird danach in
einem weiteren Spülschritt wieder entfernt. Danach können die Oberflächen mit
einer Schwefelsäure enthaltenden Vortauchlösung behandelt und anschließend
in einer Aktvierungslösung behandelt werden, die Palladiumsulfat mit einem
Palladiumgehalt von 80-120 mg/l und Schwefelsäure mit einem Gehalt von
etwa 50 ml/l enthält. Nachdem die Oberflächen erneut gespült worden sind,
wird eine Nickel-, Nickel/Phosphor- oder Nickel/Bor-Schicht abgeschieden.
Chemische Nickelbäder sind an sich bekannt. Üblicherweise werden diese Bä
der bei einer Temperatur von 85-90°C betrieben. Es hat sich herausgestellt,
daß sich die Lötfähigkeit von Zinnschichten besonders dann vorteilhaft verhält,
wenn die Temperaturbelastung bei der Nickelabscheidung niedrig ist. Daher
werden bevorzugt Nickelbäder eingesetzt, die bei einer Temperatur von
70-75°C betrieben werden.
Zur stromlosen Goldabscheidung können Bäder mit folgender Zusammenset
zung eingesetzt werden: 0,015 Mol Natriumtetrachloroaurat-(III), 0,1 Mol Na
triumthioulfat, 0,04 Mol Thioharnstoff, 0,3 Mol Natriumsulfit und 0,1 Mol Na
triumtetraborat in 1 l wäßriger Lösung (pH 8,0, 90°C) oder 3 g Natriumgold(I)-
sulfit, 70 g Natriumsulfit, 110 g Natriumethylendiamintetra(methylenphosphonat)
und 10 g Hydrazinhydrat in 1 l wäßriger Lösung (pH 7, 60°C). Weitere Beispiele
sind unter anderem in US-A-5.202.151, US-A-5.364.460, US-A-5.318.621 und
US-A-5.470.381 angegeben. Die in diesen Dokumenten angegebenen Zusam
mensetzungen werden hiermit einbezogen.
Wird die Goldschicht ohne zusätzliche Nickelschicht direkt auf eine als lötfähige
Metallschicht eingesetzte Palladiumschicht abgeschieden, kann beispielsweise
folgende Zusammensetzung eingesetzt werden: 3 g Natriumgold(I)-cyanid, 20 g
Natriumformiat, 20 g β-Alanindiessigsäure in 1 l wäßriger Lösung (pH 3,5,
89°C). Weitere Beispiele für diesen Anwendungsfall sind unter anderem in
DE 197 45 602 C1 angegeben. Die in diesem Dokument angegebenen Zusam
mensetzungen werden hiermit einbezogen.
Wird die Goldschicht mit zusätzlicher Nickelschicht auf eine als lötfähige Metall
schicht eingesetzte Palladiumschicht abgeschieden, wird folgender Verfahrens
ablauf verfolgt: Zunächst werden die mit den Palladiumoberflächen versehenen
Schaltungsträger mit einer Netzmittel enthaltenden Lösung in Kontakt gebracht,
um die gesamte Oberfläche sicher mit Flüssigkeit benetzen zu können. An
schließend wird überschüssige Netzmittellösung wieder abgespült und danach
eine Nickelschicht in an sich bekannter Weise abgeschieden. Nach dem Spülen
wird die Goldschicht gebildet.
Für die Abscheidung einer Nickel/Gold-Kombinationsschicht auf eine Silber
schicht werden die mit der Silberschicht versehenen Schaltungsträger bevor
zugt zunächst mit einer Benetzungslösung behandelt, anschließend gespült und
danach in einer anorganische Salze enthaltenden Vortauchlösung und schließ
lich mit einer Silberaktivierungslösung behandelt. Nach einem erneuten Spül
schritt kann die Nickelschicht und nach nochmaligem Spülen die Goldschicht
aufgebracht werden.
Für die Abscheidung von Palladium- und Silberschichten wird auf die vorste
hend angegebenen Beispiele zur Erzeugung von lötfähigen Oberflächen verwie
sen.
Vorzugsweise werden die mit den Kupferoberflächen versehenen Schaltungs
träger vor Durchführung des Verfahrensschrittes (a) mit einer Lötstopmaske
versehen.
Das dargestellte Verfahren kann in herkömmlicher Weise in einer Tauchanlage
durchgeführt werden, wobei die Schaltungsträger an Gestellen befestigt und
vertikal hängend mit diesen nacheinander in die einzelnen Behandlungsbäder
eingetaucht werden. Vorteilhaft ist die Behandlung der Schaltungsträger in einer
an sich bekannten Durchlaufanlage, bei der die Schaltungsträger in horizontaler
Transportrichtung und horizontaler oder vertikaler Betriebslage durch die An
lage geführt und dabei mit den einzelnen Behandlungslösungen nacheinander
in Kontakt gebracht werden. Hierzu werden diese Lösungen beispielsweise
über Düsen an die Schaltungsträgeroberflächen gefördert. Die Schaltungsträger
können in diesen Anlagen aber auch durch ein aufgestautes Flüssigkeitsbett
hindurchgeführt werden, ohne daß Düsen für die Förderung der Behandlunglö
sungen vorgesehen sind.
Die nachfolgenden Beispiele sowie Fig. 1, die beispielhaft eine Ausführungs
form der Erfindung wiedergibt, dienen zur näheren Erläuterung der Erfindung. In
Fig. 1 sind schematisch die Schritte des erfindungsgemäßen Verfahrens ge
zeigt:
Gemäß Verfahrensschritt A ist der Ausgangszustand gezeigt, wobei auf einem Substrat 1 des Schaltungsträgers Kupferstrukturen 2 und 4 dargestellt sind. Die aus den Kupferstrukturen 2 gebildeten Anschlußplätze dienen zur Montage von Bauelementen, die durch Löten befestigt werden. Die aus den Kupferstrukturen 4 gebildeten Anschlußplätze dienen zur Montage von Bauelementen, die durch Bonden befestigt werden. Die Kupferstrukturen 4 können auch zur Herstellung von Kontaktflächen dienen. Zwischen den Kupferstrukturen 2 und 4 sind Löt stopmaskenbereiche 3 erkennbar.
Gemäß Verfahrensschritt A ist der Ausgangszustand gezeigt, wobei auf einem Substrat 1 des Schaltungsträgers Kupferstrukturen 2 und 4 dargestellt sind. Die aus den Kupferstrukturen 2 gebildeten Anschlußplätze dienen zur Montage von Bauelementen, die durch Löten befestigt werden. Die aus den Kupferstrukturen 4 gebildeten Anschlußplätze dienen zur Montage von Bauelementen, die durch Bonden befestigt werden. Die Kupferstrukturen 4 können auch zur Herstellung von Kontaktflächen dienen. Zwischen den Kupferstrukturen 2 und 4 sind Löt stopmaskenbereiche 3 erkennbar.
Zunächst wird im vorliegenden Beispiel auf alle Kupferoberflächen der Struktu
ren 2 und 4 eine Zinnschicht 5 abgeschieden. Dies ist in der Teilfigur gemäß
Verfahrensschritt B wiedergegeben.
Anschließend wird, wie in der Teilfigur gemäß Verfahrensschritt C dargestellt,
eine Abdeckmaske 6 über die Bereiche auf dem Schaltungsträger aufgebracht,
die eine lötfähige Oberfläche erhalten sollen. Als Abdeckmaske 6 wird eine
photostrukturierte Resistschicht aufgebracht, die durch Auflaminieren eines
handelsüblichen Trockenfilmresists, Belichten der gebildeten Resistschicht mit
dem gewünschten Belichtungsmuster und Entwickeln der belichteten Resist
schicht entsteht.
Gemäß Verfahrensschritt D wird die Zinnschicht 5 von den Kupferstrukturen 4
anschließend mit einem Zinnstripper wieder restlos entfernt.
Danach wird eine Nickel/Phosphor-Schicht 7 auf den freigelegten Oberflächen
der Kupferstrukturen 4 und auf die Nickel/Phosphor-Schicht eine Goldschicht 8
abgeschieden (Verfahrensschritt E).
Zum Abschluß wird die Abdeckmaske 6 wieder entfernt (Verfahrensschritt F).
Eine fertig strukturierte Leiterplatte, die Leiterbahnen, Lötpads, Bondpads,
Schalterstrukturen und metallisierte Bohrungen aufweist, wurde gemäß nachfol
gendem Verfahrensablauf I mit einer lötfähigen Zinnschicht überzogen:
Als Reinigungslösung wurde eine saure, Netzmittel enthaltende Lösung, als
Ätzlösung eine Natriumperoxodisulfat enthaltende schwefelsaure Lösung und
als Vortauchlösung eine Schwefelsäure enthaltende Lösung eingesetzt. Die
Zinnabscheidelösung wies folgende Zusammensetzung auf:
10 g/l, Zinn2+ als Zinnsalz
80 g/l Thioharnstoff
80 ml/l Methansulfonsäure
10 g/l, Zinn2+ als Zinnsalz
80 g/l Thioharnstoff
80 ml/l Methansulfonsäure
Unter den angewendeten Bedingungen wurde eine 0,6-1,0 µm dicke Zinn
schicht abgeschieden.
Danach wurde die Platte mit einer Abdeckmaske versehen, dadurch daß ein
Trockenfilmresist (W140 von DuPont de Nemours, DE) auf die Leiterplatten
oberflächen gemäß Gebrauchsanweisung laminiert, die gebildete Resistschicht
mit dem gewünschten Muster belichtet und die belichtete Resistschicht an
schließend entwickelt wurde. Nach Durchführung des Strukturierungsprozesses
waren einige Bereiche von dem Resist abgedeckt (Lötbereiche), andere lagen
frei (Funktionsbereiche).
Die in den Funktionsbereichen freiliegenden Zinnschichten sowie die intermetal
lische Zinn/Kupfer-Phase auf den Kupferstrukturen wurden dann mit einem
Salpetersäure enthaltenden Zinnstripper entfernt.
Nachdem die Leiterplatte anschließend gespült worden war, wurde auf den
freigelegten Kupferoberflächen zuerst eine Nickel/Phosphor- und danach eine
Goldschicht stromlos abgeschieden. Hierzu wurde der nachfolgende Verfah
rensablauf II angewendet:
Als Reinigungslösung wurde wiederum eine saure, Netzmittel enthaltende Lö
sung, als Ätzlösung eine Natriumperoxodisulfat enthaltende schwefelsaure Lö
sung und als Vortauchlösung eine Schwefelsäure enthaltende Lösung einge
setzt. Die Lösung zum stromlosen Abscheiden von Nickel wies folgende Zu
sammensetzung auf:
24-34 g/l NiSO4.7 H2O
30-40 g/l NaH2PO2.H2O
15-25 g/l Milchsäure
Stabilisatoren.
24-34 g/l NiSO4.7 H2O
30-40 g/l NaH2PO2.H2O
15-25 g/l Milchsäure
Stabilisatoren.
Es wurde eine Nickel/Phosphor-Schicht mit einer Dicke von 3-6 µm abgeschie
den.
Die Lösung zum stromlosen Abscheiden von Gold wies folgende Zusammen
setzung auf:
2 g/l Au+ eines Goldkomplexsalzes
40 g/l Ethylendiamintetraessigsäure
2 g/l Au+ eines Goldkomplexsalzes
40 g/l Ethylendiamintetraessigsäure
Es wurde eine Goldschicht mit einer Dicke von 0,05-0,10 µm abgeschieden.
Nach der Goldabscheidung wurde der photostrukturierte Resist von der Leiter
plattenoberfläche mit einem an sich bekannten Verfahren entfernt, die Platte
intensiv gespült und getrocknet. Die fertige Leiterplatte wies damit Bereiche auf,
die für einen Lötprozeß mit Zinn, und für die Durchführung von Bondprozessen
sowie als Funktionsschicht zu anderen Zwecken, beispielsweise als elektrische
Kontaktflächen, mit einer Nickel/Gold-Kombinationsschicht beschichtet waren.
Zur Ermittlung der Lötfähigkeit der mit der chemischen Zinnschicht überzoge
nen Kupferstrukturen wurden Untersuchungen zur Benetzung der Oberflächen
mit flüssigem Lot mit dem sogenannten Solder-spread-Test durchgeführt. Hier
zu wurde der Randwinkel nach dem Benetzen dadurch indirekt ermittelt, daß
die Größe einer geschmolzenen Lotkugel ausgemessen und der Randwinkel
daraus errechnet wurde. Eine besonders gute Benetzung lag dann vor, wenn
ein geringer Randwinkel ermittelt werden konnte. Der Randwinkel sollte dabei
im Mittel unter 10° liegen, wobei die Standardabweichung nicht größer als 1°
sein sollte.
Es wurden folgende Bedingungen miteinander verglichen:
- 1. Es wurde eine chemische Zinnschicht auf eine Kupferoberfläche aufgebracht und der Benetzungstest an der Zinnschicht durchgeführt.
- 2. Der Benetzungstest wurde an der chemisch gebildeten Zinnschicht nach dem Entfernen des Trockenresists durchgeführt (nach Verfahrensschritt C).
- 3. Der Benetzungstest wurde nach Aufbringen der Nickel/Gold-Kombinations schicht und nach dem Entfernen des Trockenresists mit einer Methanolamin enthaltenden Lösung bei 50°C und anschließendem ersten Spülen in einer ebenfalls Methanolamin enthaltenden Lösung und nachfolgendem zweiten Spü len in deionisiertem Wasser durchgeführt (nach Verfahrensschritt F).
Es wurden zwei verschiedene Trockenfilmresiste als Abdeckmasken eingesetzt
(Resist 1: W140 von DuPont de Nemours, Resist 2: HW440 von Hitachi).
In der nachfolgenden Tabelle A sind die ermittelten Randwinkel aus dem Be
netzungstest wiedergegeben:
Anschließend wurden die Versuche wiederholt, allerdings unter Verwendung
eines Nickelbades, bei dem die Beschichtungstemperatur auf 85-90°C einge
stellt wurde. Die ermittelten Randwinkel sind in Tabelle B wiedergegeben:
Aus den Ergebnissen der Benetzungstests ist eindeutig erkennbar, daß sehr
gute Lötergebnisse bei Anwendung einer niedrigen Nickelbadtemperatur erhal
ten werden.
Eine wie gemäß Beispiel 1 strukturierte Leiterplatte, die aber zusätzlich eine
Lötstopmaske aufwies, von der die Kupferstrukturen teilweise abgedeckt waren,
wurde mit einer dünnen Palladiumschicht gemäß Verfahrensablauf III be
schichtet:
Als Reinigungslösung wurde wiederum eine saure, Netzmittel enthaltende Lö
sung, als Ätzlösung eine Natriumperoxodisulfat enthaltende schwefelsaure Lö
sung und als Vortauchlösung eine Schwefelsäure enthaltende Lösung einge
setzt. Die Lösung zum stromlosen Abscheiden von Palladium wies folgende
Zusammensetzung auf:
0,7-1,2 g/l Pd2+ als Palladiumsulfat
10 g/l Ethylendiamin
0,2 Mol/l Natriumformiat.
0,7-1,2 g/l Pd2+ als Palladiumsulfat
10 g/l Ethylendiamin
0,2 Mol/l Natriumformiat.
Es wurde eine Palladiumschicht mit einer Dicke von 0,1-0,25 µm abgeschieden.
Anschließend wurde eine Abdeckmaske auf die Leiterplattenoberfläche aufge
bracht und strukturiert, wobei die Bedingungen und verwendeten Materialien mit
denen von Beispiel 1 identisch waren.
Auf die Palladiumschicht wurde danach gemäß Verfahrensablauf IV direkt
eine Nickel/Gold-Kombinationsschicht aufgebracht.
Als Benetzungslösung wurde eine Netzmittel enthaltende Lösung eingesetzt.
Die Lösungen zum stromlosen Abscheiden von Nickel bzw. Gold wiesen diesel
ben Zusammensetzungen wie die in Beispiel 1 angegebenen Nickel- bzw.
Goldabscheidelösungen auf. Es wurde eine Nickelschicht mit einer Dicke von
3-6 µm und eine Goldschicht mit einer Dicke von 0,05-0,10 µm abgeschieden.
Die sich anschließende Behandlung der Leiterplatte zur Entfernung der Abdeck
maske war mit der gemäß Beispiel 1 identisch.
Neben Lötbereichen mit Palladiumoberflächen wies die Platte Bereiche mit
Goldoberflächen für hochwertige Funktionen auf.
Eine gemäß Beispiel 2 strukturierte und mit einer Lötstopmaske beschichtete
Leiterplatte wurde gemäß Verfahrensablauf V mit Silber stromlos beschichtet:
Als Reinigungslösung wurde wiederum eine saure, Netzmittel enthaltende Lö
sung, als Glanzätzlösung eine H2O2/H2SO4 enthaltende Lösung, als Vortauchlö
sung eine anorganische Salze enthaltende Lösung und als Nachtauchlösung
ebenfalls eine anorganische Salze enthaltende Lösung eingesetzt.
Es wurde eine Silberschicht mit einer Dicke von 0,10-0,20 µm abgeschieden.
Anschließend wurde eine Abdeckmaske auf die Leiterplattenoberfläche aufge
bracht und strukturiert, wobei die Bedingungen und verwendeten Materialien mit
denen von Beispiel 1 identisch waren. Dadurch wurden die Silberoberflächen
teilweise offengelassen. Diese Oberflächen wurden nachfolgend mit einem Akti
vierungsprozeß für eine Nickel/Gold-Abscheidung vorbereitet und dann mit ei
ner Nickel/Gold-Kombinationsschicht beschichtet. Die Silberschicht wurde nicht
entfernt. Der hierfür angewendete Verfahrensablauf VI ist nachfolgend wie
dergegeben:
Für die Benetzungslösung und die Vortauchlösung wurden wiederum die in den
Beispielen 1 und 2 verwendeten Zusammensetzungen eingesetzt. Die Lösung
zum Aktivieren mit Silber enthielt Pd(NO3)2. Die Lösungen zum stromlosen Ab
scheiden von Nickel bzw. Gold wiesen dieselben Zusammensetzungen wie die
in Beispiel 1 angegebenen Nickel- bzw. Goldabscheidelösungen auf. Es wurde
eine Nickelschicht mit einer Dicke von 3-6 µm und eine Goldschicht mit einer
Dicke von 0,05-0,10 µm abgeschieden.
Die sich anschließende Behandlung der Leiterplatte zur Entfernung der Abdeck
maske war mit der von Beispiel 1 identisch.
Neben mit Silber beschichteten Pads und Bohrungen für den Lötprozeß waren
zu hochwertigen Funktionen dienende Bereiche mit der Nickel/Gold-Kombina
tionsschicht überzogen.
Eine mit einer Lötstopmaske versehene Leiterplatte mit Leiterbahnen, Lötpads,
Bondpads, Schalterstrukturen und metallisierten Bohrungen wurde nach folgen
dem Verfahrensablauf VII behandelt:
Aufbringen einer Trockenfilmresistschicht
Belichten mit dem gewünschten Muster
Entwickeln des belichteten Resists
Abscheiden von Nickel
Abscheiden von Gold
Entfernen des Resists
Aufbringen einer organischen Schutzschicht
Belichten mit dem gewünschten Muster
Entwickeln des belichteten Resists
Abscheiden von Nickel
Abscheiden von Gold
Entfernen des Resists
Aufbringen einer organischen Schutzschicht
Die Bedingungen und Materialien zum Aufbringen, Belichten, Entwickeln und
Entfernen des Trockenfilmresists nach dem Abscheiden der Nickel/Gold-Kombi
nationsschicht waren mit den Bedingungen und Materialien gemäß Beispiel 1
identisch. Die Verfahrensbedingungen und Badzusammensetzungen zum Ab
scheiden der Nickelschicht und der Goldschicht waren mit den Bedingungen
und Badzusammensetzungen gemäß Beispiel 1 ebenfalls identisch.
Zum Aufbringen der organischen Schutzschicht wurde eine Lösung, enthaltend
10 g/l 2-n-Heptylbenzimidazol
32 g/l Ameisensäure
in Wasser
bei 40°C innerhalb von 2 min aufgebracht. Hierzu wurden die freigelegten Kupf eroberflächen vorher mit einer Ätzlösung, enthaltend KHSO5 und H2SO4, vor behandelt.
10 g/l 2-n-Heptylbenzimidazol
32 g/l Ameisensäure
in Wasser
bei 40°C innerhalb von 2 min aufgebracht. Hierzu wurden die freigelegten Kupf eroberflächen vorher mit einer Ätzlösung, enthaltend KHSO5 und H2SO4, vor behandelt.
An den derart hergestellten Leiterplatten wurde die Alterungsbeständigkeit der
lötfähigen Oberflächen ermittelt (Proben bezeichnet mit "OSP"). Die erhaltenen
Ergebnisse wurden mit den an mit dem erfindungsgemäßen Verfahren herge
stellten Zinnoberflächen gemäß Beispiel 1 verglichen (Proben bezeichnet mit
"chem. Sn").
Zur Ermittlung der Alterungsbeständigkeit wurden die jeweiligen Proben unter
schiedlichen Temperaturbedingungen unterworfen:
- 1. Untersuchungen mit Proben ohne Temperaturbehandlung.
- 2. Untersuchungen mit Proben, die einem einmaligen Reflow-Verfahren unter worfen wurden.
- 3. Untersuchungen mit Proben, die einem dreimaligen Reflow-Verfahren unter worfen wurden.
- 4. Untersuchungen mit Proben, die 4 Stunden lang bei 155°C an Luft getempert wurden.
Die Bedingungen des Reflow-Verfahrens waren wie folgt: Eine bestimmte Men
ge der Lotpaste RP10 von Multicore wurde in einer Dicke von 120 µm auf die zu
untersuchenden Oberflächen aufgedruckt und danach in einem Reflow-Ofen bis
über den Schmelzpunkt hinaus erhitzt. Das Lot der Paste wurde dadurch flüssig
und breitete sich auf den benetzbaren Oberflächen aus.
Mit einer Lötwaage (Menisto ST-50 von Metronelec, FR) wurden jeweils die
Benetzungszeit tB[s], die Benetzungskraft F2[mN/mm] nach 2 s und die Benet
zungskraft F6[mN/mm] nach 6 s gemessen. Die Lötfähigkeit der untersuchten
Oberflächen ist umso größer je geringer die Benetzungszeit und je größer die
Benetzungskraft ist.
Die Ergebnisse sind in Tabelle C zusammengefaßt:
Aus den vorstehenden Ergebnissen ergibt sich eindeutig, daß die Lötbarkeit der
mit dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Oberflächen durch die
Temperaturbehandlung nicht beeinträchtigt wird. Aus den ermittelten Werten
ergibt sich, daß die Benetzungszeit umso größer wird je gravierender die Tem
peraturbehandlung ist. Die Benetzungskraft ist im wesentlichen unabhängig von
der Temperaturbelastung. Daraus kann der Schluß gezogen werden, daß sich
keine nachteiligen Folgen durch eine Alterung von nach dem erfindungsgemä
ßen Verfahren hergestellten lötfähigen Oberflächen einstellen.
Im Gegensatz hierzu leidet die Lötfähigkeit der mit der organischen Schutz
schicht überzogen Kupferoberflächen durch die Temperaturbehandlung erheb
lich. Unter der Testbedingung 4 gealterte Proben sind überhaupt nicht mehr
lötfähig.
Claims (13)
1. Verfahren zum Erzeugen mindestens einer lötfähigen Oberfläche in ausge
wählten Lötbereichen und mindestens einer funktionellen Oberfläche in von den
Lötbereichen verschiedenen Funktionsbereichen auf mit Kupferoberflächen
versehenen Schaltungsträgern mit folgenden aufeinanderfolgenden Verfahrens
schritten:
- a) Erzeugen der lötfähigen Oberflächen durch Abscheiden einer lötfähi gen Metallschicht,
- b) Abdecken der Lötbereiche mit einer Abdeckmaske,
- c) Erzeugen der funktionellen Oberflächen in den Funktionsbereichen und
- d) Entfernen der Abdeckmaske.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine
lötfähige Oberfläche erzeugt wird, ausgewählt aus der Gruppe der Metalle, um
fassend Zinn, Silber, Wismut, Palladium und deren Legierungen.
3. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net, daß die mindestens eine lötfähige Oberfläche durch chemisch reduktive
oder zementative Abscheidung mindestens einer lötfähigen Metallschicht ge
bildet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die mindestens
eine lötfähige Metallschicht in den Funktionsbereichen vor Durchführung des
Verfahrensschrittes (c) wieder entfernt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die mindestens
eine lötfähige Metallschicht mit einer sauren Ätzlösung entfernt wird.
6. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net, daß als mindestens eine funktionelle Oberfläche mindestens eine bond
bare und/oder für die Herstellung von lösbaren elektrischen Kontakten geeigne
te Oberfläche erzeugt wird.
7. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net, daß mindestens eine funktionelle Oberfläche erzeugt wird, ausgewählt aus
der Gruppe der Metalle, umfassend Gold, Palladium, Silber und deren Legie
rungen.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die mindestens
eine funktionelle Oberfläche durch chemisch reduktive oder zementative Ab
scheidung mindestens einer Funktionsschicht gebildet wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 und 8, dadurch gekennzeichnet,
daß zur Erzeugung der mindestens einen funktionellen Oberfläche zuerst eine
Nickelschicht und darauf eine Goldschicht abgeschieden wird.
10. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Abdeckmaske durch folgende Verfahrensschritte gebildet
wird:
- 1. Aufbringen einer Photoresistschicht,
- 2. Belichten der Photoresistschicht mit einer Maskenvorlage derart, daß die Funktionsbereiche in einem nachfolgenden Entwicklungsschritt freilegbar sind und
- 3. Entwickeln der belichteten Photoresistschicht.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet,
daß die Abdeckmaske mit einem Siebdruckverfahren gebildet wird.
12. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß die mit den Kupferoberflächen versehenen Schaltungsträger vor
Durchführung des Verfahrensschrittes (a) mit einer Lötstopmaske versehen
werden.
13. Schaltungsträger mit mindestens einer lötfähigen Oberfläche in ausgewähl
ten Lötbereichen und mindestens einer zum Bonden und/oder für die Herstel
lung von lösbaren elektrischen Kontakten geeigneten funktionellen Oberfläche
in von den Lötbereichen verschiedenen Funktionsbereichen, dadurch gekenn
zeichnet, daß die mindestens eine lötfähige Oberfläche aus Metall besteht,
ausgewählt aus der Gruppe, umfassend Zinn, Silber, Wismut, Palladium und
deren Legierungen, und daß die mindestens eine funktionelle Oberfläche aus
Gold besteht.
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