JP2022119655A - 配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】品質の高い配線基板の提供。【解決手段】実施形態の配線基板は、絶縁層と導体層とを交互に積層し、第１絶縁層１１と第１導体層１２で構成される第１面１０Ｆおよび第２絶縁層２１と第２導体層２２で構成される第２面１０Ｂを有するビルドアップ層１０を含み、コア基板を有さず、ビルドアップ層１０が、第１絶縁層１１における第１導体層１２と反対側に形成されていて少なくとも部分的に第１絶縁層１１と接する第３絶縁層３１と、第２絶縁層２１における第２導体層２２と反対側に形成されていて少なくとも部分的に第２絶縁層２１と接する第４絶縁層４１とを含み、第１および第２絶縁層１１、２１が芯材を含まず、第３および第４絶縁層３１、４１が芯材を含む。【選択図】図１

Description

本発明は配線基板に関する。

特許文献１には、絶縁層および配線層を含むビルドアップ層の強度を補強するための板状基材が用意され、その表面側および裏面側にビルドアップ層がそれぞれ形成される多層配線基板の製造方法が開示されている。ビルドアップ層の形成後に、板状基材の表面側および裏面側のビルドアップ層がそれぞれ板状基材から分離されている。

特開２００４－１８６２６５号公報

特許文献１の多層配線基板の製造方法では、板状基材によって形成途中のビルドアップ層の強度が維持されている。板状基材を分離した後のビルドアップ層の強度が十分でなく、部品実装時に不具合が生じるおそれがあると考えられる。

本発明の配線基板は、絶縁層と導体層とを交互に積層し、第１絶縁層と第１導体層とにより構成される第１面および第２絶縁層と第２導体層とにより構成される、前記第１面と反対側の第２面を有するビルドアップ層を含み、コア基板を有さない配線基板である。そして、前記ビルドアップ層が、前記第１絶縁層における前記第１導体層と反対側に形成されていて少なくとも部分的に前記第１絶縁層と接する第３絶縁層と、前記第２絶縁層における前記第２導体層と反対側に形成されていて少なくとも部分的に前記第２絶縁層と接する第４絶縁層とをさらに含み、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層が、芯材を含まず、前記第３絶縁層および前記第４絶縁層が、芯材を含んでいる。

本発明の実施形態の配線基板によれば、配線板の剛性が向上され、反りなどの不具合の発生が生じ難いと考えられる。実装信頼性の高い配線基板を提供することができる。

本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１は一実施形態の配線基板の一例である配線基板１を示す断面図である。

図１に示されるように、配線基板１は、複数の絶縁層１１、２１、３１、４１、５１と複数の導体層１２、２２、３２、４２、５２、６２とを交互に積層し、その厚さ方向において対向する２つの主面（第１面１０Ｆおよび第１面１０Ｆと反対側の第２面１０Ｂ）を有するビルドアップ層１０を有している。ビルドアップ層１０の第１面１０Ｆは、ビルドアップ層１０の積層方向の一方側に露出する第１絶縁層１１および第１導体層１２の面から構成されている。また、ビルドアップ層１０の第２面１０Ｂは、ビルドアップ層１０の積層方向の他方側に露出する第２絶縁層２１および第２導体層２２の面から構成されている。第１絶縁層１１および第１導体層１２上にはソルダーレジスト層１７が形成されている。配線基板１は、コア基板を有さない。

図１の例では、ビルドアップ層１０の第２面１０Ｂ側から第１面１０Ｆ側に向って、順に、第２導体層２２、第２絶縁層２１、第４導体層４２、第４絶縁層４１、第６導体層６２、第５絶縁層５１、第５導体層５２、第３絶縁層３１、第３導体層３２、第１絶縁層１１、第１導体層１２が積層されている。

第２導体層２２は、第２絶縁層２１内に埋め込まれて一面をビルドアップ層１０の第２面１０Ｂに露出している。このように、第２導体層２２が第２絶縁層２１内に埋め込まれることは、配線基板１の薄型化に寄与する。第２導体層２２は、少なくとも一つの導体パッド２２ｅを含んでいる。導体パッド２２ｅの一面２２Ｂは、ビルドアップ層１０の第２面１０Ｂよりも凹んでいる。導体パッド２２ｅの側面は第２絶縁層２１に被覆されている。したがって、隣接する各導体パッド間での、はんだなどの接合材の接触が生じ難いと考えられる。短絡不良が生じ難いと考えられる。

実施形態の配線基板１において、第１絶縁層１１、第１導体層１２、およびソルダーレジスト層１７は、配線基板１の第１面１Ｆ側の表層部を形成している。第１面１Ｆは、第１絶縁層１１、第１導体層１２、およびソルダーレジスト層１７それぞれの露出面によって構成されている。また、第２絶縁層２１および第２導体層２２は、配線基板１の第２面１Ｂ側の表層部を形成している。第２面１Ｂは、第２絶縁層２１および第２導体層２２それぞれの露出面によって構成されている。

図１の配線基板１では、ビルドアップ層１０は、交互に積層された５つの絶縁層１１、２１、３１、４１、５１と６つの導体層１２、２２、３２、４２、５２、６２とで構成されている。すなわち、図１には、いわゆる６層構造のビルドアップ層１０の例が示されている。しかし、絶縁層および導体層の積層数は、この例に限定されるものではなく、所望の回路構成により適宜選択され得る。ビルドアップ層１０は、任意の数の、例えば６またはそれ以上の数の絶縁層および７またはそれ以上の数の導体層で構成されていてもよい。

導体層１２、２２、３２、４２、５２、６２は、任意の金属を用いて形成される。例えば、導体層１２、２２、３２、４２、５２、６２は、銅箔などの金属箔や、めっきまたはスパッタリングなどで形成される金属膜によって形成され得る。図１に示される例では、導体層１２、３２、４２、５２、６２は単層で示されているが、導体層１２、３２、４２、５２、６２は、多層構造で構成されていてもよい。例えば、導体層１２、３２、４２、５２、６２は、金属箔層、無電解めっき膜層、および、電解めっき膜層を有する３層構造で構成され得る。また、導体層１２、２２、３２、４２、５２、６２は、無電解めっき膜層および電解めっき膜層を有する２層構造で構成されていてもよい。導体層１２、２２、３２、４２、５２、６２は、例えば、銅、ニッケルなどの任意の金属を単独でまたは組み合わせて用いて形成され得る。例えば、導体層１２、２２、３２、４２、５２、６２は、電解めっきによる形成が容易で、導電性に優れていることから銅で形成され得る。

導体層１２、２２、３２、４２、５２、６２には、それぞれ、配線パターンおよび／または導体パッドを含む所望の導体パターンが形成されている。図１に示される例の配線基板１では、第１導体層１２は、部品実装パッド１２ｅを有している。すなわち配線基板１は、第１面１Ｆに部品実装パッド１２ｅを含んでいる。図１に示されるように、部品実装パッド１２ｅは第１絶縁層１１上に形成されている。

図１の例では、配線基板１は、第１絶縁層１１および第１導体層１２の表面上に形成されたソルダーレジスト層１７を備えている。ソルダーレジスト層１７は、例えば、感光性のポリイミド樹脂やエポキシ樹脂を用いて形成されている。ソルダーレジスト層１７は、部品実装パッド１２ｅを画定する開口１７ａを有している。ソルダーレジスト層１７の開口１７ａに部品実装パッド１２ｅが露出している。部品実装パッド１２ｅの形状は、任意の形状とされてよく、例えばソルダーレジスト層１７の開口１７ａにより画定され得る。

各部品実装パッド１２ｅは、配線基板１の使用時に配線基板１に実装される電子部品（図示せず）と接続され得る導体パッドである。部品実装パッド１２ｅは、例えばはんだなどの接合材（図示せず）を介して、配線基板１の第１面１Ｆに実装される電子部品の電極と電気的および機械的に接続されてよい。部品実装パッド１２ｅは、配線基板１に実装される電子部品の配線パターンなどに応じて任意の位置に、任意の数で形成され得る。

電子部品としては、半導体装置などの能動部品や、抵抗体のような受動部品が例示される。電子部品は、半導体基板上に形成された微細配線を含む配線材であってもよい。しかし、電子部品はこれらに限定されない。

実施形態の配線基板１の第２面１Ｂは、外部の配線基板、例えば任意の電気機器のマザーボードなど（図示せず）に接続され得る。導体パッド２２ｅは、マザーボード上の接続パッドなどと接続される接続パッドである。実施形態の配線基板１の第２面１Ｂには、半導体素子などの電子部品（図示せず）が実装されてもよい。その場合、導体パッド２２ｅは、第２面１Ｂに実装される電子部品の電極と接続されてよい。導体パッド２２ｅは、配線基板１の第２面１Ｂに接続されるマザーボードや、配線基板１の第２面１Ｂに実装される電子部品の配線パターンなどに応じて任意の位置に、任意の数で形成され得る。

絶縁層１１、２１、３１、４１、５１それぞれには、各絶縁層を貫通し、絶縁層１１、２１、３１、４１、５１それぞれを挟む導体層同士を接続するビア導体１５が形成されている。ビア導体１５は、各絶縁層１１、２１、３１、４１、５１それぞれを貫く、貫通孔を導電体で埋めることによって形成される所謂フィルドビアである。ビア導体１５は、それぞれの上側の導体層と一体的に形成されている。したがって、例えば、ビア導体１５と導体層１２、３２、４２、５２、６２とは、同一の、例えば銅またはニッケルなどからなるめっき膜（無電解めっき膜および電解めっき膜）によって形成されている。ビア導体１５形成用の貫通孔は、例えば、各絶縁層の一方の表面へのレーザー光の照射により形成され得る。貫通孔の径は、レーザー光の照射側で大きく、レーザー光の照射側と反対側（奥側）では小さくなる。図１に示される例では、図の上側からレーザー光が照射されるため、貫通孔の上側の径（幅）が大きく、下側の径（幅）が小さい。そのため、その貫通孔内に形成される各ビア導体も上側の幅（径）が大きく、下側の幅（径）が小さい。図１に示される例では、各ビア導体は、いずれも、ビルドアップ層１０の第１面１０Ｆから第２面１０Ｂに向かって縮径するテーパー形状に形成されている。なお、便宜上、「縮径」という文言が用いられているが、ビア導体１５の形状は、必ずしも円形に限定されない。「縮径」は、単に、ビア導体１５の水平断面における外周上の最長の２点間の距離が小さくなることを意味している。

絶縁層１１、２１、３１、４１、５１は、任意の絶縁性樹脂によって形成される。絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）またはフェノール樹脂などが例示される。絶縁層１１、２１、３１、４１、５１は、無機フィラーを含んでいてもよい。各絶縁層に含まれる無機フィラーとしては、シリカ（ＳｉＯ₂）、アルミナ、またはムライトなどからなる微粒子が例示される。

図１に示されるように、実施形態の配線基板１では、配線基板１の第１面１Ｆ側の最外層の絶縁層（すなわち、ビルドアップ層１０の第１面１０Ｆを構成する最外層の絶縁層、第１絶縁層１１）は、芯材（補強材）を含まない。第２面１Ｂ側の最外層の絶縁層（すなわち、ビルドアップ層１０の第２面１０Ｂを構成する最外層の絶縁層、第２絶縁層２１）も、芯材を含まない。これに対し、第３絶縁層３１と第４絶縁層４１の２つの絶縁層は絶縁性樹脂を含浸された芯材（図１の例ではそれぞれ、３１ｃおよび４１ｃ）を含んでいる。第３絶縁層３１は、第１絶縁層１１における第１導体層１２と反対側に形成されていて少なくとも部分的に第１絶縁層１１と接している。第４絶縁層４１は、第２絶縁層２１における第２導体層２２と反対側に形成されていて少なくとも部分的に第２絶縁層２１と接している。

例えば、芯材としてはガラス繊維やアラミド繊維などが例示されるがこれらに限定されるわけではない。第３絶縁層３１および第４絶縁層４１は、例えば、ガラス繊維などの芯材にエポキシ樹脂などの樹脂材料を含浸してなるプリプレグの硬化物で形成され得る。しかし、第３絶縁層３１および第４絶縁層４１の材料は、これに限定される訳ではなく、例えば、ガラス繊維入りのビルドアップ樹脂フィルムでもよい。

配線基板１の第１面１Ｆおよび第２面１Ｂの両側において、ビルドアップ層１０の表面に露出する最外層を形成する絶縁層が芯材を含まないことにより、高密度の配線を形成することができる。一方、ビルドアップ層１０内の絶縁層であって、第１面１０側および第２面１０Ｂ側の両方において、最外層の絶縁層に接して内側に形成されている２つの絶縁層（図１の例における、第３絶縁層３１および第４絶縁層４１）は芯材（図１の３１ｃおよび４１ｃ）を含んでいる。このように最外層の絶縁層に隣接していて芯材を含む絶縁層をビルドアップ層１０内に含むことにより、最外層の絶縁層が芯材を含んでいなくても、配線基板１の剛性が維持され、機械的強度が維持又は向上し得る。本実施形態では、配線基板１の第１面１Ｆおよび第２面１Ｂの両側において、芯材を含む絶縁層の上に芯材を含まない最外層の絶縁層が形成されているというこのような構成により、配線基板１の高密度化およびファインピッチ化を達成しつつ、配線基板１における反りの発生が抑制され得る。

図１に示されている例では、さらに、ビルドアップ層１０内で、芯材３１ｃを含む第３絶縁層３１および芯材４１ｃを含む第４絶縁層４１のあいだに挟まれて積層されている絶縁層（第５絶縁層５１）が、芯材を含まない絶縁性樹脂で形成されている。なお、図１では、第３絶縁層３１および第４絶縁層４１のあいだに挟まれて形成されている絶縁層が一層である例が示されているが、第３絶縁層３１および第４絶縁層４１のあいだに挟まれて形成される絶縁層は、一層だけでなく、複数層であってもよい。所望の回路構成に応じて、第３絶縁層３１および第４絶縁層４１のあいだに形成される絶縁層の層数は適宜選択され得る。好ましくは、第３絶縁層３１および第４絶縁層４１のあいだには少なくとも一層の絶縁層が形成される。より好ましくは、第３絶縁層３１および第４絶縁層４１のあいだには、芯材を含まない少なくとも一層の絶縁層が形成される。すなわち、第３絶縁層３１および第４絶縁層４１のあいだに複数の絶縁層が形成される場合、好ましくは、該複数の絶縁層のうち、少なくとも一層の絶縁層が、芯材を含まない。ビルドアップ層１０がこのような絶縁層の構成を有することにより、配線基板１における反りの発生がさらに良好に抑制されることがある。

図示されていないが、ソルダーレジスト層１７の開口１７ａにより画定されている部品実装パッド１２ｅ、および導体パッド２２ｅの露出面には、保護膜が形成されていてもよい。このような保護膜は、金属皮膜または有機被膜であり得る。例えば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、またはＳｎなどの複数または単一の金属めっき膜であってよく、また、イミダゾール系ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）膜であってもよい。

次に、図１に示される配線基板１の製造方法の一実施形態が、図２Ａ～２Ｅを参照して説明される。

まず、図２Ａおよび図２Ｂに示されるように、ベース板９０上に導体パッド２２ｅを含む第２導体層２２が形成される。図２Ａに示されるように、コア材９３およびその表面に金属箔９１を有するベース板９０が用意される。金属箔９１は一面に接着されたキャリア金属箔９２を備えており、キャリア金属箔９２とコア材９３とが熱圧着などにより接合されている。金属箔９１とキャリア金属箔９２とは、例えば、熱可塑性接着剤などの分離可能な接着剤で接着されるか、縁部だけで固着されている。コア材９３には、例えばガラスエポキシ基板が用いられる。両面銅張積層板が、キャリア金属箔９２を備えたコア材９０として用いられてもよい。金属箔９１およびキャリア金属箔９２は好ましくは銅箔である。

なお、図２Ａ～２Ｄには、ベース板９０の両側の面に第２導体層２２などが形成される実施形態の製造方法の一例が示されている。このような製造方法の例では、第２導体層２２などが２つ同時に形成される。しかし、ベース板９０の一方の面だけに第２導体層２２などが形成されてもよい。以下の説明では、ベース板９０の一方の面について実施形態の製造方法が説明され、他方の面についての各図面中の符号の表示や説明は適宜省略されている。また、図２Ａ～２Ｅにおいて各構成要素の厚さの正確な比率を示すことは意図されていない。

図２Ｂに示されるように、ベース板９０上に第２導体層２２が形成される。例えば、図示されないめっきレジストが金属箔９１上に形成される。めっきレジストには、第２導体層２２が有するべき導体パッド２２ｅなどの導体パターンに応じた開口が設けられる。そして、めっきレジストの開口部に、金属箔９１をシード層とする電解めっきにより電解銅めっき膜が形成され、その後、めっきレジストが除去される。それにより、導体パッド２２ｅなどの所望の導体パターンを含む第２導体層２２が形成される。エッチングを用いないので、ファインピッチで導体パッド２２ｅなどの導体パターンを形成することができる。第２導体層２２は、無電解めっきなどの他の方法で形成されてもよい。

図２Ｃ～２Ｄに示されるように、ベース板９０上および第２導体層２２上に絶縁層および導体層が積層され、それにより第２導体層２２を覆う絶縁層（第２絶縁層２１）を含むビルドアップ層１０（図１参照）が形成される。その後、ベース板９０が除去される。一般的なビルドアップ配線板の製造方法が用いられ得る。

例えば、絶縁性樹脂によって主に構成されるフィルム状の絶縁材が第２導体層２２および金属箔９１の露出部分上に積層され、加圧されると共に加熱される。その硬化物として、図２Ｃに示されるように、第２絶縁層２１が形成される。第２絶縁層２１の材料は、芯材を含まない、例えばエポキシ樹脂が例示される。

第２絶縁層２１は、導体パッド２２ｅを含む第２導体層２２を、金属箔９１側の一面を除いて被覆するように形成される。その後、ビア導体１５の形成場所に対応する位置の第２絶縁層２１に、例えばＣＯ₂レーザー光の照射によってビア導体１５形成用の貫通孔が形成される。そして、ビア導体１５形成用の貫通孔内および第２絶縁層２１の表面上に、無電解銅めっきなどによって金属膜が形成される。さらに、この金属膜をシード層として用いて、パターンめっき法を用いて銅などからなる電解めっき膜が形成される。その後、パターンめっきに用いられたレジストが除去され、その除去により露出する金属膜が除去される。その結果、所望の導体パターンを含む第４導体層４２およびビア導体１５が形成される。

図２Ｄに示されるように、第２絶縁層２１、第４導体層４２およびビア導体１５の形成方法と同様の方法で、第２絶縁層２１および第４導体層４２上に、順に、第４絶縁層４１、第６導体層６２、第５絶縁層５１、第５導体層５２、第３絶縁層３１、第３導体層３２、第１絶縁層１１、および第１導体層１２が、ならびに、各絶縁層を貫通するビア導体１５が、形成される。第５絶縁層５１および第１絶縁層１１の材料である絶縁材は、芯材を含まない。第４絶縁層４１および第３絶縁層３１の材料である絶縁材は、芯材４１ｃ、３１ｃをそれぞれ含んでいる。ビルドアップ層１０が、ベース板９０上に形成される。

次いで、ソルダーレジスト層１７が、第１絶縁層１１および第１導体層１２の表面上への感光性のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂層の形成によって形成される。そして、フォトリソグラフィ技術により、部品実装パッド１２ｅを画定する開口１７ａがそれぞれ形成される。

その後、ベース板９０が除去される。具体的には、キャリア金属箔９２と金属箔９１とが分離され、それにより露出する金属箔９１が、例えばエッチングによって除去される。金属箔９１とキャリア金属箔９２との分離は、例えば、両者を接着している熱可塑性接着剤を加熱により軟化させることや、両者を縁部において固着している接合部の切除によって行われ得る。ベース板９０の除去によって、第２導体層２２および第２絶縁層２１が露出する。エッチングにより金属箔９１が除去されるが、このエッチングは、第２導体層２２内の個々の導体パターン同士が確実に分離されるように、金属箔９１の消失後も継続され得る。

その結果、図２Ｅに示されるように、金属箔９１の消失後に露出する第２導体層２２の表面は、エッチングされることによって第２絶縁層２１の表面よりも凹む。したがって、第２導体層２２に含まれる導体パッド２２ｅの一面２２Ｂも第２絶縁層２１の表面（すなわちビルドアップ層１０の第２面１０Ｂ）よりも凹んでいる。このように、導体パッド２２ｅの一面２２Ｂが、その周囲の第２絶縁層２１の表面よりも凹んでいると、導体パッド２２ｅ上に供されるはんだなどの接合材の濡れ広がりが抑制される。例えば、導体パッド２２ｅの一面２２Ｂは、第２絶縁層２１の表面から、１μｍ以上、６μｍ以下の深さで凹んでいる。このような深さで凹んでいると、導体パッド２２ｅがファインピッチで形成されている場合であっても、近接する導体パッド２２ｅ同士でのショート不良の効果的な抑制作用が得られると考えられる。図１に示される配線基板１が完成する。

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、ならびに、本明細書において例示される構造、形状、および材料を備えるものに限定されない。実施形態の配線基板は、上述のように、例えば、７層以上の層構造を有するビルドアップ層１０を含んでいてもよい。また、実施形態の配線基板の製造方法は、図２Ａ～２Ｅを参照して説明された方法に限定されず、その条件や順序などは任意に変更され得る。また、特定の工程が省略されてもよく、別の工程が追加されてもよい。例えば、部品実装パッド１２ｅおよび導体パッド２２ｅに、保護膜が形成されてもよい。例えば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、またはＳｎなどからなる保護膜がめっきにより形成され得る。液状の有機材内への浸漬や有機材の吹付けなどによりＯＳＰが形成されてもよい。

１ 配線基板
１Ｆ 配線基板の第１面
１Ｂ 配線基板の第２面
１０ ビルドアップ層
１０Ｆ ビルドアップ層の第１面
１０Ｂ ビルドアップ層の第２面
１１、２１、３１、４１、５１ 絶縁層
１２、２２、３２、４２、５２、６２ 導体層
１２ｅ 部品実装パッド
２２ｅ 導体パッド
１５ ビア導体
１７ ソルダーレジスト層
３１ｃ、４１ｃ 芯材

Claims (7)

1. 絶縁層と導体層とを交互に積層し、第１絶縁層と第１導体層とにより構成される第１面および第２絶縁層と第２導体層とにより構成される、前記第１面と反対側の第２面を有するビルドアップ層を含み、コア基板を有さない配線基板であって、
   前記ビルドアップ層が、前記第１絶縁層における前記第１導体層と反対側に形成されていて少なくとも部分的に前記第１絶縁層と接する第３絶縁層と、前記第２絶縁層における前記第２導体層と反対側に形成されていて少なくとも部分的に前記第２絶縁層と接する第４絶縁層とをさらに含み、
   前記第１絶縁層および前記第２絶縁層が、芯材を含まず、
   前記第３絶縁層および前記第４絶縁層が、芯材を含む。
2. 請求項１記載の配線基板であって、
   前記ビルドアップ層内の、前記第３絶縁層および前記第４絶縁層のあいだに、少なくとも一つの絶縁層が積層されており、前記少なくとも一つの絶縁層が芯材を含まない。
3. 請求項１記載の配線基板であって、前記芯材が、ガラス繊維である。
4. 請求項１記載の配線基板であって、
   前記第１絶縁層および前記第１導体層上に形成されているソルダーレジスト層をさらに含む。
5. 請求項１記載の配線基板であって、
   前記ビルドアップ層は、前記第２面を構成する第２絶縁層内に埋め込まれて一面を前記第２面に露出する導体パッドを含んでいる。
6. 請求項１記載の配線基板であって、
   各前記絶縁層内に形成されていて前記第１面から前記第２面に向かって縮径している複数のビア導体を備えている。
7. 請求項１記載の配線基板であって、
   各前記導体層は、無電解めっき膜層および電解めっき膜層を有する２層構造で構成されている。

Images