JP2005072064A - 配線基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】比較的薄肉の金属コア基板および高密度な配線層などを含む配線基板、およびこれを精度と効率良く得るための配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】表面３および裏面４を有する金属コア基板２と、かかる金属コア基板２の表面３上方および裏面４上方にそれぞれ形成した絶縁層８，１６，２２，９，１５，２３およびその間に位置する配線層１４，２０，１３，２１と、上記金属コア基板２の表面３と裏面４との間を貫通する第１貫通孔２ａと、かかる第１貫通孔２ａを接触しつつ貫通し且つ金属コア基板２、上記表面３上方の配線層１４、および裏面４上方の配線層１３の間を接続し且つ大径部６を有する第１ビア導体５と、を含む、配線基板１。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属コア基板を内設する多層構造の配線基板およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から配線基板の強度を高めるため、厚みが約１００μｍ〜数１００μｍの金属コア基板を用い、かかる金属コア基板の表面上方および裏面上方に複数の絶縁層とこれらの間に位置する配線層とをそれぞれ対称に積層した多層構造の配線基板が使用されている。かかる配線基板は、上記厚みで且つ多数個取り用の金属板にスルーホール導体用の貫通孔を穿孔した後、かかる金属板の表面上方および裏面上方に、絶縁層と配線層とを交互に積層するビルドアップ工程を行うことにより製造されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２０００−１０１２４５号公報 （第４〜７頁、図５）
【０００４】
ところで、金属コア基板は、薄肉であるほど配線基板全体の厚みを薄くできるが、上述した金属板およびこれを分割した金属コア基板を剛性のある芯材として用いると、その厚みを１００μｍ未満の薄肉とするには自ずと限界があった。
このため、金属コア基板の表面上方および裏面上方の配線層同士間を導通するスルーホール導体を形成するべく、大きな内径のスルーホールの穿孔、銅メッキによるスルーホール導体の形成、穴埋め樹脂の充填、および蓋メッキの形成などの煩雑な工程を要すると共に、上記導体や配線層の精密な配置（ファインピッチ）が困難であった。しかも、複数の金属コア基板を有する金属板を薄肉化すると、製造工程内や製造工程間のハンドリングにも支障を来す、という問題もあった。
【０００５】
【発明が解決すべき課題】
本発明は、以上に説明した従来の技術における問題点を解決し、比較的薄肉の金属コア基板および高密度な配線層などを含む配線基板、およびこれを精度と効率良く得るための配線基板の製造方法を提供する、ことを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
本発明は、上記課題を解決するため、金属コア基板を絶縁層や配線層と同様に積層すべき１単位と着想し且つかかる金属コア基板をビア導体と接続して配線の一部とする、ことにより成されたものである。
即ち、本発明の第１の配線基板（請求項１）は、表面および裏面を有する金属コア基板と、かかる金属コア基板の表面上方および裏面上方にそれぞれ形成した複数の絶縁層およびその間に位置する配線層と、上記金属コア基板の表面と裏面との間を貫通する第１貫通孔と、かかる第１貫通孔を貫通し且つ上記金属コア基板、上記表面上方の配線層、および裏面上方の配線層の間を接続する第１ビア導体と、を含む、ことを特徴とする。
【０００７】
これによれば、第１ビア導体は、第１貫通孔を介して金属コア基板と導通し、且つその表面上方の配線層と裏面上方の配線層との３者を接続するため、金属コア基板が極く薄肉であっても、これらの間の電気的導通を確実に得ることができる。しかも、金属コア基板とその表面上方の配線層と裏面上方の配線層とを含め、全体を薄くして高密度にした多層基板とすることも可能となる。
尚、金属コア基板は、上記厚みの銅箔、ステンレス鋼（例えばＳＵＳ３０４）箔や、Ｆｅ−４２ｗｔ％Ｎｉ（所謂４２アロイ）またはＦｅ−３６ｗｔ％Ｎｉ（インバ−）などの箔を含む薄板が用いられる。また、前記ビア導体は、円錐形状の導体であるコンフォーマルビア導体の他、フィルドビア導体も含まれ、後者の場合は、金属コア基板の貫通孔内を貫通するフィルドビア導体の真上や真下に別のフィルドビア導体を接続しても良い。
【０００８】
付言すれば、上記配線基板は、前記金属コア基板の厚みが５０μｍ以下である、とすることも可能である。望ましい厚みは、３５μｍまたはこれ以下である。
また、本発明には、前記第１ビア導体は、前記金属コア基板の表面上方または裏面上方に前記貫通孔の内径よりも大径の大径部を含んでいる、配線基板（請求項２）も含まれる。これによれば、第１ビア導体は、金属コア基板の第１貫通孔の内壁と共に、これに隣接する表面または裏面でも、当該金属コア基板と接触する。従って、かかる第１ビア導体を介して金属コア基板とその表面上方の配線層と裏面上方の配線層との３者間の導通を確実に取ることが可能となる。
【０００９】
更に、本発明には、前記金属コア基板の表面と裏面との間を貫通し且つ前記第１貫通孔よりも大径の第２貫通孔内を絶縁材を介して貫通し且つ前記表面上方の配線層と前記裏面上方の配線層との間を接続する第２ビア導体を更に有する、配線基板（請求項３）も含まれる。これによれば、金属コア基板が極く薄肉であっても、第１ビア導体および第２ビア導体によって、金属コア基板とその表面上方の配線層と裏面上方の配線層との間の電気的導通を確実に得ることができ、全体を薄くして高密度にした多層基板とすることが一層容易となる。
【００１０】
付言すれば、本発明の配線基板は、前記金属コア基板の各側面は、前記表面上方の絶縁層または裏面上方の絶縁層と一体の側面絶縁材に被覆されている、とすることもできる。これによる場合、金属コア基板の４つの側面は、上記絶縁層の何れかと一体で且つ当該金属コア基板の各側面とほぼ平行な側面絶縁材によって被覆される。このため、従来のような金属コア基板の側面からタイバーが突出しないので、これによる外部や基板内部との不用意な導通を防止できると共に、配線基板の周辺部においても緻密な配線層を配置することが可能となる。
【００１１】
一方、本発明の配線基板の製造方法（請求項４）は、支持基板の平坦面の上に複数の絶縁層およびその間に位置する配線層を形成する工程と、前記のうち最外層の絶縁層の上に金属コア基板を積層する工程と、かかる金属コア基板を貫通する第１貫通孔を穿孔する工程と、上記金属コア基板の上面に新たな絶縁層を形成する工程と、上記複数の絶縁層の何れか、上記第１貫通孔、および上記新たな絶縁層に、上記配線層に達する第１ビアホールを穿設する工程と、かかる第１ビアホール内に第１ビア導体を形成し且つ上記新たな絶縁層の上にかかる第１ビア導体と接続する新たな配線層を形成する工程と、を含む、ことを特徴とする。
これによれば、金属コア基板は、剛性を有する支持基板の平坦面（平坦な表面）上に予め形成された絶縁層の上方に積層されるため、前述した薄肉の銅箔などとすることができる。また、薄肉の金属コア基板を貫通する第１貫通孔も精度良く容易に形成できると共に、かかる第１貫通孔を含む第１ビアホールに第１ビア導体を確実に形成できる。しかも、剛性を有する支持基板の平坦面の上方に絶縁層や配線層などを順次積層するため、ハンドリング性も向上する。
【００１２】
尚、上記「最外層の絶縁層」とは、支持基板から相対的に離れている絶縁層を指す。また、支持基板には、剛性を有する厚みが約１ｍｍの銅板、銅合金板、鋼板、ステンレス鋼板、アルミニウム合金板、あるいはチタン合金板などが用いられ、且つ平坦な表面である平坦面を有するものである。かかる平坦面は、製品単位である前記金属コア基板を平面方向に沿って複数個載置できる多数個取り用の広さを有しても良く、かかる平坦面を有する大きな支持基板（パネル）としても良い。更に、支持基板の平坦面上に、積層する順序は、前記配線基板の第１主面側のソルダーレジスト層（絶縁層）、配線層、絶縁層、および金属コア基板などの順の他、前記配線基板の第２主面側のソルダーレジスト層（絶縁層）、配線層、絶縁層、および金属コア基板などの順としても良い。即ち、前記「新たな絶縁層」や後述する「新たな配線層」および「別の絶縁層」は、製造工程における支持基板の平坦面上に積層する順序における相対的な呼称である。
【００１３】
更に、本発明には、前記第１ビアホールを穿設する工程は、前記第１貫通孔の内径よりもレーザ径の大きなレーザを照射して行われる、配線基板の製造方法（請求項５）も含まれる。尚、上記レーザには、炭酸ガスレーザが推奨される。
これによれば、第１ビアホールを穿設するために照射するレーザの径を第１貫通孔の内径よりも大きくている。この結果、金属コア基板の上面側に当該レーザ径に応じた大径のビアホール部分が形成されると共に、金属コア基板の下面側には、第１貫通孔を通過したレーザのみが照射されるため、かかる第１貫通孔の内径に応じた小径のビアホール部分が形成される。このため、これら大小２つのビアホール部分からなる第１ビアホールに追って形成される第１ビア導体は、金属コア基板に対し第１貫通孔の内壁およびその上面の両方で確実に接続できる。
【００１４】
更に、本発明には、前記新たな絶縁層、前記第１貫通孔よりも大径の第２貫通孔内に位置する絶縁材、およびかかる第２貫通孔の直下に位置する前記複数の絶縁層の何れかに、前記配線層に達する第２ビアホールを穿設する工程と、上記第２ビアホール内に第２ビア導体を形成し且つ上記新たな絶縁層の上に第２ビア導体と接続する前記新たな配線層を形成する工程と、を更に有する、配線基板の製造方法（請求項６）も含まれる。これによる場合、前記第１ビア導体のほかに、金属コア基板と接続せず表面および裏面の上方の配線層同士の間を直に接続する第２ビア導体を有する配線基板を確実に製造することが可能となる。
【００１５】
更に付言すれば、本発明の配線基板の製造方法は、前記金属コア基板には、製品単位（金属コア基板）を複数有する多数個取りの金属薄板が用いられ、前記第１貫通孔および第２貫通孔を先行する工程と同時に、上記金属薄板を穿孔することにより、かかる金属薄板を複数の金属コア基板に分離する平面視が矩形の区画溝が形成する工程を有する、とすることもできる。
これによる場合、金属薄板は、上記区画孔（溝）に囲まれた製品単位である複数の金属コア基板に分割されると共に、前記支持基板を除去した後で、区画孔の幅方向の中間に沿ってダイシング加工などにより切断することにより、金属コア基板の側面が側面絶縁材で覆われている前記配線基板を確実に得ることが可能となる。尚、上記金属薄板には、銅や銅合金などからなる金属箔が含まれる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下において、本発明の実施に好適な形態を図面と共に説明する。
図１は、本発明の１形態である配線基板１の模式的断面を示す。
配線基板１は、図１に示すように、表面３および裏面４を有する金属コア基板２と、この金属コア基板２の表面３上方および裏面４上方（図示で下方）にそれぞれ形成した複数の絶縁層８，１６，２２，９，１５，２３およびその間に位置する配線層１４，２０，１３，２１と、上記金属コア基板２の表面３と裏面４との間を貫通する第１貫通孔２ａおよび第２貫通孔２ｂと、を備えている。
【００１７】
金属コア基板２は、平面視が正方形（矩形）で厚みが３５μｍの銅箔または銅合金（例えばＣｕ−２．３ｗｔ％Ｆｅ−０．０３ｗｔ％Ｐ：所謂１９４アロイ）の箔からなる。金属コア基板２には、表面３と裏面４との間を貫通する内径約１００μｍの第１貫通孔２ａと、異なる位置で貫通する内径約２５０μｍの第２貫通孔２ｂとが所定の位置に複数貫通している。
第１貫通孔２ａには、その内壁と接触しつつ貫通し且つ金属コア基板２の裏面４上方の配線層１３と表面３上方の配線層１４との間を接続する第１ビア導体（コンフォーマルビア導体）５が位置する。かかる第１ビア導体５は、第１貫通孔２ａに隣接する金属コア基板２の裏面４にも接触する大径部６を一体に有し、図示で内側の凹んだ部分には、絶縁層１５と一体の絶縁材７が充填されている。
【００１８】
また、図１の左右に示すように、第２貫通孔２ｂには、絶縁材１２を介して、金属コア基板２の裏面４上方の配線層１３と表面３上方の配線層１４との間を接続する第２ビア導体（コンフォーマルビア導体）１０が貫通している。かかる第２ビア導体１０の内側の凹んだ部分には、絶縁層１５と一体の絶縁材１１が充填されている。尚、第２貫通孔２ｂ内に充填された絶縁材１２は、絶縁層８，９の何れかの一方と一体である。
図１に示すように、金属コア基板２の各側面は、当該側面と平行で且つ一定の厚み（約３５μｍ：金属コア基板２の厚み分）の側面絶縁材２ｃに被覆され、かかる側面絶縁材２ｃは、絶縁層８，９の何れかの一方と一体である。
【００１９】
図１に示すように、金属コア基板２の表面３上方には、厚みが約４０μｍでエポキシ系樹脂からなる絶縁層８，１６および厚みが約２０μｍで同様の樹脂からなるソルダーレジスト層（絶縁層）２２と、これらの間に位置し所定のパターンを有する厚みが約１５μｍの配線層１４，２０が積層されている。この配線層１４，２０間は、ビア導体（コンフォーマルビア導体）１８により接続される。
尚、絶縁層８などは、例えばシリカフィラなどの無機フィラを含み、上記配線層１４などは、銅メッキ膜や銅箔からなる。また、絶縁層８，１６および配線層１４，２０は、一方のビルドアップ層を形成している。
【００２０】
一方、図１に示すように、金属コア基板２の裏面４の上方（図示で下方）には、厚み約４０μｍでエポキシ系樹脂からなる上記同様の絶縁層９，１５および厚み約２０μｍで同様の樹脂からなるソルダーレジスト層（絶縁層）２３と、これらの間に位置し所定のパターンを有する厚み約１５μｍの配線層１３，２１が積層される。上記配線層１３，２１間は、ビア導体（コンフォーマルビア）１９により接続されている。尚、絶縁層９，１５および配線層１３，２１は、他方のビルドアップ層を形成している。
【００２１】
更に、図１に示すように、配線層２０における所定の表面には、ソルダーレジスト層２２を貫通する複数の開口部２６が形成され、それらの底面にランド２８が個別に露出する。かかるランド２８の表面上に、半球形状のハンダバンプ３０が第１主面２４よりも高く突出して形成される。かかるハンダバンプ３０は、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｚｎ系、Ｐｂ−Ｓｎ系など（本実施形態ではＳｎ−Ａｇ系）の低融点合金からなり、第１主面２４上に実装されるＩＣチップ（電子部品）３１の接続端子と個別に接続される。
尚、ハンダバンプ３０とＩＣチップ３１の接続端子とは、図示しないアンダーフィル材に覆われ且つ保護される。
【００２２】
一方、図１に示すように、配線層２１から延びた配線２９は、最下層のソルダーレジスト層（絶縁層）２３に設けた開口部２７の底面に位置し且つ第２主面２５側に露出している。かかる配線２９は、その表面にＮｉメッキおよびＡｕメッキが薄く被覆され、当該配線基板１自体を搭載する図示しないマザーボードなどのプリント基板との接続端子として活用される。尚、配線２９の表面には、ハンダボールや銅系合金あるいは鉄系合金の導体ピンなどを接合しても良い。
【００２３】
以上のような配線基板１によれば、金属コア基板２が薄肉であるため、かかる金属コア基板２の表面３上方および裏面４上方に配線層１４，１３などを高密度にそれぞれ形成できる。また、第１ビア導体５を介して、配線層１４，１３および金属コア基板２の間が互いに接続されるため、配線構造を緻密化および高性能化することができる。更に、第２ビア導体１０を介して、配線層１４，１３間を直に接続できる。加えて、金属コア基板２の各側面が側面絶縁材２ｃで被覆され且つ従来のようなタイバーが突出しないため、外部や基板内部との不要な導通を防止でき、配線基板１の周辺部にも緻密な配線層を配置することが可能となる。尚、配線基板１の金属コア基板２は、信号電極として活用するほか、電源電極あるいは接地電極としても活用することができる。
【００２４】
ここで、前記配線基板１の製造方法を図２〜図４に基づいて説明する。尚、図２，図４は、前記図１における配線基板１の左側部分に基づいて図示する。
図２（Ａ）に示すように、予め厚みが約１ｍｍの銅板からなり且つ剛性を有するる支持基板３２を用意し、その平坦な表面である平坦面３３の表面上方に、厚みが約２０μｍのエポキシ系樹脂フィルムを積層し且つ熱圧着することで、絶縁層（ソルダーレジスト層）２２を形成する。尚、この製造方法では、前記配線基板１の第１主面２４側の部分から順次積層を行う。また、支持基板３２は、複数の配線基板１を製造可能な多数個取り用の金属パネルである。
【００２５】
次に、絶縁層２２の表面上方に図示しない厚さ約１５μｍの銅箔を貼り付け、その上に形成した図示しないドライフィルムを露光・現像して所定パターンのエッチングレジストを形成し、上記銅箔をエッチングした後、かかるエッチングレジストを剥離する（公知のサブトラクティブ法）。その結果、図２（Ａ）に示すように、絶縁層２２の表面上方に上記パターンに倣った配線層２０が形成される。
次いで、絶縁層２２および配線層２０の表面上方に厚みが約４０μｍのエポキシ系樹脂フィルムを積層し且つ熱圧着して絶縁層１６を形成する。かかる絶縁層１６の所定の位置にレーザ（例えば炭酸ガスレーザ）を照射して配線層２０の表面が露出するビアホールを形成し、かかるビアホール内を含む絶縁層１６の表面上方に粗面化処理、無電解銅メッキ、および電解銅メッキを全面に施す。得られた銅メッキ膜の上面に形成したドライフィルム（図示せず）を露光・現像して所定パターンのエッチングレジストを形成し、上記銅メッキ膜をエッチングした後、上記エッチングレジストを剥離する。
【００２６】
その結果、図２（Ａ）に示すように、絶縁層１６の表面上方に上記パターンに倣った配線層１４が形成され、且つ上記ビアホール内には、配線層２０，１４間を接続するビア導体１８が形成される。
更に、図２（Ｂ）に示すように、支持基板３０から離れた最外層の絶縁層１６および配線層１４の表面上方に厚みが約４０μｍのエポキシ系樹脂フィルムを積層し且つ熱圧着して絶縁層８を形成する。尚、上記絶縁層２２，１６，８は、本発明の製造方法（前記請求項４）における「複数の絶縁層」に相当する。
次いで、図２（Ｃ）に示すように、かかる絶縁層８の表面上方に厚みが約３５μｍの金属コア基板２（金属薄板２ｅ）を積層して圧着する。
この段階では、図３（Ａ）の一部で示すように、前記支持基板３０の上方は、製品単位である複数の金属コア基板２を含む金属薄板２ｅに覆われている。
【００２７】
次に、金属コア基板２（金属薄板２ｅ）の上面に形成したドライフィルムを露光・現像して所定パターンのエッチングレジストを形成し、金属コア基板２をエッチングした後、上記エッチングレジストを剥離する。その結果、図２（Ｄ）に示すように、金属コア基板２の所定の位置に表面３と裏面４との間を貫通する内径約１００μｍの第１貫通孔２ａと内径約２５０μｍの第２貫通孔２ｂとが穿孔される。尚、第１貫通孔２ａの内径は、後述するレーザＬ１の径よりも小径である。
同時に、図２（Ｄ）および図３（Ｂ）に示すように、金属薄板２ｅには、複数の金属コア基板２の境界に沿って平面視が正方形（矩形）の区画孔（溝）２ｄが形成される。尚、図３（Ｂ）中の符号２ｆは、耳部を示す。
【００２８】
次いで、図２（Ｅ）に示すように、金属コア基板２の上面（裏面４）上方に厚みが約４０μｍのエポキシ系樹脂フィルムを積層し且つ熱圧着して絶縁層９を形成する。かかる絶縁層９の一部は、第１貫通孔２ａおよび第２貫通孔２ｂに充填され、後者では絶縁材１２となる。同時に、絶縁層９の一部を上記区画孔２ｄ内に充填して側面絶縁材２ｃを形成する。即ち、本形態では、側面絶縁材２ｃは、絶縁層９と一体である。尚、上記絶縁層９は、本発明の製造方法（前記請求項４）における「新たな絶縁層」に相当する。
かかる状態で、図２（Ｅ）に示すように、第１貫通孔２ａの真上および第２貫通孔２ｂの中心部の上方から、絶縁層９などに対しレーザ（例えば炭酸ガスレーザ）Ｌ１，Ｌ２を照射する。このうち、レーザＬ１の径は、第１貫通孔２ａの内径よりも大きく設定されている。
【００２９】
その結果、図４（Ａ）に示すように、絶縁層９、第１貫通孔２ａ、および絶縁層８を貫通し且つ配線層１４の表面に達するほぼ円錐形の第１ビアホール５ａが穿設される。第１ビアホール５ａの径は約１００μｍであるが、第１貫通孔２ａに遮られなかった表面３上方は、レーザＬ１の径とほぼ同じ大径部６ａとなる。
一方、前記レーザＬ２の照射により、図４（Ａ）の右側に示すように、絶縁層９、絶縁材１２の中心部、および絶縁層８を貫通し且つ配線層１４の表面に達するほぼ円錐形の第２ビアホール１０ａが穿設される。
【００３０】
次いで、第１・第２ビアホール５ａ，１０ａの内壁を粗化処理し、且つ第１・第２ビアホール５ａ，１０ａ内および絶縁層９の表面に無電解銅メッキおよび電解銅メッキを施す。更に、絶縁層９の表面上方に所定パターンのドライフィルムを形成した後、かかるドライフィルム間に銅メッキを施す。更に、当該フイルムを剥離した後、クイックエッチングを施す（公知のセミアディティブ法）。
その結果、図４（Ｂ）に示すように、第１ビアホール５ａ内には、これに倣ったほぼ円錐形の第１ビア導体５が形成される。同時に、第２ビアホール１０ａ内には、これに倣った第２ビア導体１０が形成される。
【００３１】
上記第１ビア導体５のうち、絶縁層９側には、前記大径部６ａに倣った大径部６が位置し且つこれは金属コア基板２の上面（裏面４）に接触している。
同時に、絶縁層９の表面上方には、第１・第２ビア導体５，１０と接続し且つ所定パターンを有する配線層１３が形成される。尚、配線層１３は、本発明の製造方法における「新たな配線層」に相当する。
次に、図４（Ｃ）に示すように、絶縁層９および配線層１３の上方に、厚みが約４０μｍのエポキシ系樹脂フィルムを積層し且つ熱圧着して絶縁層１５を形成する。かかる絶縁層１５の一部は、第１・第２ビア導体５，１０内側の凹部に充填されて、絶縁材７，１１となる。尚、絶縁層１５は、本発明の製造方法（前記請求項４）における「別の絶縁層」に相当する。
【００３２】
更に、絶縁層１５の所定の位置をレーザ加工してビアホールを形成し、且つこのビアホール内および絶縁層１５の表面上方に前記同様のセミアデティブ法を施す。この結果、図４（Ｃ）に示すように、絶縁層１５の表面上方に所定パターンの配線層２１が形成され、且つ上記ビアホール内に配線層１３，２１間を接続するビア導体１９が形成される。
この段階で、支持基板３２を塩化第２銅溶液のシャワー噴射によりエッチングして除去した後、図４（Ｃ）中の破線Ｓで示すように、区画孔２ｄの幅方向の中間位置に沿って、金属コア基板２ごとにダイシングブレードにより切断する。
この結果、図４（Ｄ）に示すように、金属コア基板２ごとの複数（本実施形態では４個）の製品単位が得られる共に、複数の金属コア基板２の各側面は、それらと平行で且つ一定の厚みである側面絶縁材２ｃによって覆われている。
【００３３】
次に、図４（Ｄ）に示すように、絶縁層１５および配線層２１の表面上方に、厚みが約２０μｍのエポキシ系樹脂フィルムを積層し且つ熱圧着してソルダーレジスト層（絶縁層）２３を形成し、その表面（第２主面）２５から配線層２１に達する開口部２７をレーザ加工などで形成する。かかる開口部２７の底面に露出する配線２９の表面にＮｉメッキおよびＡｕメッキを施す。
次いで、図４（Ｄ）に示すように、最下層のソルダーレジスト層（絶縁層）２２の表面（第１主面）２４の所定の位置をレーザ加工などして、配線層２０に達する開口部２６を穿設し、配線層２０の表面が露出するランド２８を複数形成する。
【００３４】
そして、図４（Ｄ）の下方に示すように、ランド２８ごとにハンダバンプ３０を第１主面２４よりも高く突出して個別に形成する。これにより、前記配線基板１を複数個製造することができる。
以上のような配線基板１の製造方法によれば、薄肉の金属コア基板２に第１貫通孔２ａおよび第２貫通孔２ｂを精度良く容易に形成できると共に、第１貫通孔２ａ内などに第１ビア導体５を、第２貫通孔２ｂ内に絶縁材１２を介して第２ビア導体１０をそれぞれ容易に形成できる。しかも、金属コア基板２の表面３および裏面４の上方に形成する絶縁層８，９などや配線層１３，１４などを高密度で且つ精度良く配置することができ、且つ側面絶縁材２ｃも併せて形成できる。
尚、配線基板１の製造方法は、支持基板３２の平坦面３３の上方に、第２主面２５側の絶縁層２３，配線層２１，絶縁層１５，配線層１３，絶縁層９、および金属コア基板２などの順序にして、前述した方法と逆向きに積層しても良い。
【００３５】
図５（Ａ）は、異なる形態の配線基板１ａの断面を模式的に示す。尚、以下において、前記形態と共通する部分や要素には、前記形態と共通する符号を用いる。
配線基板１ａも、図５（Ａ）に示すように、表面３および裏面４を有する前記同様の金属コア基板２と、かかる金属コア基板２の表面３上方および裏面４上方にそれぞれ形成した絶縁層８，１６，２２，９，１５，２３およびその間に位置する配線層１４，２０，１３，２１と、上記金属コア基板２の表面３と裏面４との間を貫通する第１貫通孔２ａおよび第２貫通孔２ｂと、を備えている。
第１貫通孔２ａには、その内壁と接しつつ貫通し且つ表面３上方の配線層１４と金属コア基板２の裏面４上方に形成した配線層１３との間を接続する第１ビア導体（フィルドビア導体）３５が位置する。第１ビア導体３５は、絶縁層９側に大径部３４を一体に有する。また、第２貫通孔２ｂには、絶縁材１２を介して配線層１４，１３間を接続する第２ビア導体（フィルドビア導体）３６が位置する。
【００３６】
以上のような配線基板１ａによれば、前記配線基板１と同様に、金属コア基板２の表面３上方および裏面４上方に配線層１４，１３などが高密度にそれぞれ配置される。更に、金属コア基板２の各側面が側面絶縁材２ｃで被覆されているため、外部や基板内部との不要な導通を防止でき、配線基板１ａの周辺部においても緻密な配線層を配置することが可能となる。しかも、第１ビア導体３５および第２ビア導体３６は、フィルドビアであるため、金属コア基板２、配線層１３、および配線層１４の間の電気的導通が安定して得られる。
【００３７】
図５（Ｂ）は、更に異なる形態の配線基板１ｂの断面を模式的に示す。
図５（Ｂ）に示すように、配線基板１ｂも、前記同様の金属コア基板２と、そのの表面３上方や裏面４上方に形成した絶縁層８，１６，２２，９，１５，２３およびその間に位置する配線層１４，２０，１３，２１と、前記第１貫通孔２ａおよび第２貫通孔２ｂと、これらを貫通する前記同様の第１ビア導体３５および第２ビア導体３６と、を備えている。
配線基板１ｂでは、図５（Ｂ）に示すように、第１ビア導体３５の真上に配線層１４，２０間を接続するフィルドビア導体３８が同心で接続すると共に、第１ビア導体３５の下方に配線層１３，１９間を接続するフィルドビア導体３７がややずれて接続している点で、前記配線基板１ａと相違する。
【００３８】
以上のような配線基板１ｂによれば、前記配線基板１ａと同様に高密度の配線ができ、且つ外部との不要な導通を防止できると共に、第１ビア導体３５、第２ビア導体３６がフィルドビアであり且つフィルドビア導体３７，３８がほぼ垂直に接続されるため、基板内部の電気的導通が一層安定して得られる。
尚、配線基板１ａ，１ｂは、前記図２〜図４に示した前記配線基板１の製造方法とほぼ同様にして製造することができる。
【００３９】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、金属コア基板や金属薄板は、平面視で長方形を呈する形態としても良い。例えば、前記金属薄板２ｅに形成する複数の金属コア基板２は、縦×横方向の数が互いに異なる形態でも良い。
また、金属コア基板２および金属薄板２ｅの素材には、前記銅やＦｅ−Ｎｉ系合金に限らず、純銅、無酸素銅、銅合金、各種の鋼材、チタンおよびその合金、または、アルミニウムおよびその合金などを適用することも可能である。
【００４０】
更に、前記絶縁層８，９などの材質は、前記エポキシ樹脂を主成分とするもののほか、同様の耐熱性、パターン成形性等を有するポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、あるいは、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂系の複合材料などを用いることもできる。尚、絶縁層の形成には、絶縁性の樹脂フィルムを熱圧着する方法のほか、液状の樹脂をロールコータにより塗布する方法を用いることもできる。尚また、絶縁層に混入するガラス布またはガラスフィラの組成は、Ｅガラス、Ｄガラス、Ｑガラス、Ｓガラスの何れか、またはこれらのうちの２種類以上を併用したものとしても良い。
【００４１】
また、前記配線層１４などや第１ビア導体５などの材質は、銅（Ｃｕ）メッキの他、Ａｇ、Ｎｉ、Ｎｉ−Ａｕ系などにしても良く、あるいは、これら金属のメッキ層を用いず、導電性樹脂を塗布するなどの方法により形成しても良い。
更に、配線基板１ａにおいて、ビア導体（コンフォールビア導体）１８，１９もフィルドビア導体としても良い。
加えて、前記ビア導体は、複数のビア導体の軸心をずらしつつ積み重ねるスタッガードの形態でも良いし、途中で平面方向に延びる配線層が介在する形態としても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の１形態の配線基板を示す模式的な断面図。
【図２】（Ａ）〜（Ｅ）は図１の配線基板の製造工程を示す概略図。
【図３】（Ａ），（Ｂ）は図２（Ｃ），（Ｄ）の工程を示す平面図。
【図４】（Ａ）〜（Ｄ）は図２（Ｅ）に続く製造工程を示す概略図。
【図５】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ異なる形態の配線基板を示す模式的な断面図。
【符号の説明】
１，１ａ，１ｂ…………………配線基板
２…………………………………金属コア基板
２ａ………………………………第１貫通孔
２ｂ………………………………第２貫通孔
３…………………………………表面
４…………………………………裏面
５，３５…………………………第１ビア導体
５ａ………………………………第１ビアホール
６，３４…………………………大径部
８，９，１５，１６，２２，２３…絶縁層
１０，３６………………………第２ビア導体
１０ａ……………………………第２ビアホール
１２………………………………絶縁材
１３，１４，２０，２１………配線層
３２………………………………支持基板
３３………………………………平坦面
Ｌ１………………………………レーザ

Claims (6)

1. 表面および裏面を有する金属コア基板と、
   上記金属コア基板の表面上方および裏面上方にそれぞれ形成した複数の絶縁層およびその間に位置する配線層と、
   上記金属コア基板の表面と裏面との間を貫通する第１貫通孔と、
   上記第１貫通孔を貫通し且つ上記金属コア基板、上記表面上方の配線層、および裏面上方の配線層の間を接続する第１ビア導体と、を含む、
   ことを特徴とする配線基板。
2. 前記第１ビア導体は、前記金属コア基板の表面上方または裏面上方に前記貫通孔の内径よりも大径の大径部を含んでいる、
   ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
3. 前記金属コア基板の表面と裏面との間を貫通し且つ前記第１貫通孔よりも大径の第２貫通孔内を絶縁材を介して貫通し且つ前記表面上方の配線層と前記裏面上方の配線層との間を接続する第２ビア導体を、更に有する、
   ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
4. 支持基板の平坦面の上に複数の絶縁層およびその間に位置する配線層を形成する工程と、
   上記のうち最外層の絶縁層の上に金属コア基板を積層する工程と、
   上記金属コア基板を貫通する第１貫通孔を穿孔する工程と、
   上記金属コア基板の上面に新たな絶縁層を形成する工程と、
   上記複数の絶縁層の何れか、上記第１貫通孔、および上記新たな絶縁層に、上記配線層に達する第１ビアホールを穿設する工程と、
   上記第１ビアホール内に第１ビア導体を形成し且つ上記新たな絶縁層の上にかかる第１ビア導体と接続する新たな配線層を形成する工程と、を含む、
   ことを特徴とする配線基板の製造方法。
5. 前記第１ビアホールを穿設する工程は、前記第１貫通孔の内径よりもレーザ径の大きなレーザを照射して行われる、
   ことを特徴とする請求項４に記載の配線基板の製造方法。
6. 前記新たな絶縁層、前記第１貫通孔よりも大径の第２貫通孔内に位置する絶縁材、およびかかる第２貫通孔の直下に位置する前記複数の絶縁層の何れかに、前記配線層に達する第２ビアホールを穿設する工程と、
   上記第２ビアホール内に第２ビア導体を形成し且つ上記新たな絶縁層の上に第２ビア導体と接続する前記新たな配線層を形成する工程と、を更に有する、
   ことを特徴とする請求項４または５に記載の配線基板の製造方法。

Images