JP2003243783A - 配線基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】配線密度の高度化に対処し易く均一で且つ安定
した電気・磁気的特性を有するスルーホール導体を含む
配線基板、およびかかる配線基板を効率よく製造できる
配線基板の製造方法を提供する。 【解決手段】表面３および裏面４を有する金属コア基板
２と、かかる金属コア基板２における表面３と裏面４と
の間を貫通し且つ平面視がほぼ繭形(非円形)の貫通孔５
と、かかる貫通孔５内に絶縁材８を介して配置される複
数のスルーホール導体９，９と、を備え、上記ほぼ繭形
の貫通孔５(５ａ，５ｂ)の内壁は、上記複数のスルーホ
ール導体９，９のうち最短距離で対向するスルーホール
導体９の外周面との間にほぼ均一な距離ｄを有する、配
線基板１。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、金属コア基板を含
む配線基板およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】複数の絶縁層とこれらの間に位置する複
数の配線層とを含む多層構造の配線基板には、樹脂製ま
たは樹脂−ガラス製の絶縁性を有するコア基板が用いら
れている。しかし、配線基板の強度を高め且つ反りなど
の変形を防ぐため、例えば銅合金からなる金属コア基板
も活用されている。かかる金属コア基板を含む配線基板
３０は、例えば、図４(Ａ)に示すように、表面３２およ
び裏面３３を有する金属コア基板３１と、かかる金属コ
ア基板３１の表面３２と裏面３３との間を貫通する貫通
孔３４内を絶縁材３５を介して貫通するスルーホール導
体３６および充填樹脂３７と、を含む。金属コア基板３
１の表面３２上および裏面３３上には、絶縁材３５と一
体の絶縁層３８，３９が個別に形成され、これらの表面
には、所定パターンで且つスルーホール導体３６の上端
または下端と接続する配線層４０，４１が形成されてい
る。

【０００３】図４(Ａ)に示すように、配線層４０，４１
上の所定の位置には、絶縁層４２，４３を貫通するビア
導体４４，４５が位置し、これらの上端で且つ絶縁層４
２，４３の表面上には、所定パターンの配線層４６，４
７が形成されている。また、配線層４６上の所定の位置
には、最上層の絶縁層(ソルダーレジスト層)４８を貫通
し且つ第１主面５０よりも高く突出するハンダバンプ５
２が複数形成されている。更に、図４(Ａ)に示すよう
に、配線層４７から延びた配線５５は、最下層の絶縁層
(ソルダーレジスト層)４９に設けた開口部５３の底面に
位置し且つ第２主面５１側に露出している。

【０００４】ところで、図４(Ｂ)に示すように、前記ス
ルーホール導体３６は、金属コア基板３１に穿孔した円
形断面の貫通孔３４内を、絶縁材３５を介してかかる貫
通孔３４の中心部を同軸心にして貫通している。かかる
貫通孔３４の内壁とスルーホール導体３６の外周面との
距離は、当該スルーホール導体３６自体の導通性および
その他の電気的特性を安定させるに必要な距離に設定さ
れている。しかしながら、１つの貫通孔３４に１個のス
ルーホール導体３６を同軸心で貫通させる配線基板３０
において、金属コア基板３１を挟んだ配線層４０，４１
間における精緻な導通を取るには、多数の貫通孔３４を
金属コア基板３１に穿孔することが必要となる。この結
果、製造工数が増加する、という問題が生じる。

【０００５】このため、例えば図４(Ｃ)に示すように、
金属コア基板３１に大径の丸い貫通孔３４ａを穿孔し、
絶縁材３５を介して２つのスルーホール導体３６を配置
する形態も考えられる。しかしながら、大径の貫通孔３
４ａを形成すると、図４(Ｃ)で当該貫通孔３４ａ内の上
下の空間が無駄になると共に、隣接する貫通孔３４ａと
の間隔を広く取る必要が生じるため、多数のスルーホー
ル導体３６を高密度にして配置することが困難となる、
という問題があった。この結果、配線密度の高度化に対
処しにくくなる、という問題があった。しかも、前記配
線基板３０において、金属コア基板３１を電源電位また
は接地電位とし、スルーホール導体３６を信号電位とし
た場合、かかる導体３６と貫通孔３４との距離が不均一
になるため、安定した電気的特性が確保しにくい、とい
う問題もあった。

【０００６】

【発明が解決すべき課題】本発明は、以上にて説明した
従来の技術における問題点を解決し、配線密度の高度化
に対処し易く且つ均一で安定した電気・磁気的特性を有
するスルーホール導体を含む配線基板、およびかかる配
線基板を効率良く製造できる配線基板の製造方法を提供
する、ことを課題とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、複数のスルーホール導体を貫通させる金属
コア基板に穿孔する貫通孔の内壁を、対向するスルーホ
ール導体との距離がほぼ均一にする、ことに着想して成
されたものである。即ち、本発明の配線基板(請求項１)
は、表面および裏面を有する金属コア基板と、上記金属
コア基板における表面と裏面との間を貫通し且つ平面視
が非円形の貫通孔と、かかる貫通孔内に絶縁材を介して
配置される複数のスルーホール導体とを備え、上記貫通
孔の内壁は、上記複数のスルーホール導体のうち対向す
るスルーホール導体の外周面との間にほぼ均一な距離を
有する、ことを特徴とする。

【０００８】これによれば、複数のスルーホール導体の
何れもほぼ均一な距離を保ち且つ絶縁材を介して金属コ
ア基板を貫通させた配線基板とすることができる。これ
により、金属コア基板において、少ない貫通孔により複
数のスルーホール導体を貫通させ、且つこれらの電気・
磁気的特性(例えば、絶縁性、電界分布、磁界分布など)
を均一で且つ安定させられる。例えば、金属コア基板が
接地電位で且つスルーホール導体が信号電位である場
合、各スルーホール導体と貫通孔の内壁との距離がほぼ
均一であるため、各スルーホール導体のインピーダンス
が均一となり、信号の伝達特性が向上可能となる。従っ
て、配線の高密度や配線基板の小型化が容易な配線基板
となる。尚、上記金属コア基板の素材には、例えばＣｕ
−２．３ｗｔ％Ｆｅ−０．０３wt％Ｐ(１９４アロイ)の
銅合金、純銅、無酸素銅、あるいはＦｅ−４２wt％Ｎｉ
(４２アロイ)やＦｅ−３６wt％Ｎｉ(インバー)などのＦ
ｅ−Ｎｉ系合金などが適用される。また、上記非円形で
且つ対向するスルーホール導体との距離がほぼ均一とな
る貫通孔は、平面視にてほぼ繭形、ほぼ団子形、ほぼＴ
字形、ほぼ＋字形、またはほぼコ字形や、複数の円弧部
が任意に方向に連なった形状を呈する。

【０００９】付言すれば、本発明の配線基板は、表面お
よび裏面を有する金属コア基板と、上記金属コア基板に
おける表面と裏面との間を貫通し且つ平面視が非円形の
貫通孔と、かかる貫通孔内に絶縁材を介して配置される
複数のスルーホール導体と、上記金属コア基板の表面上
および裏面上の少なくとも一方に形成された絶縁層およ
び配線層からなるビルドアップ層と、を備え、上記貫通
孔の内壁は、上記複数のスルーホール導体のうち(最短
距離で)対向するスルーホール導体の外周面との間にほ
ぼ均一な距離を有する、とすることも可能である。尚、
本明細書において「対向する」とは、最短距離で対向する
ことを指す。尚また、本明細書において、ビルドアップ
層とは、少なくとも１層の絶縁層および１層の配線層を
積層した部分を指し示すが、これらの上に更に別の絶縁
層および配線層を積層した複数の絶縁層とこれらの間に
位置する複数の配線層とからなる形態も含まれる。

【００１０】また、本発明には、前記金属コア基板の厚
みは、前記貫通孔の内壁と前記スルーホール導体の外周
面との距離と同じか、それよりも大きい、配線基板(請
求項２)も含まれる。これによれば、金属コア基板の厚
みは、常に貫通孔の内壁と対向するスルーホール導体の
外周面との距離(ギャップ)と同じか、それ以上となる。
この結果、貫通孔内における複数のスルーホール導体の
前記電気・磁気的特性を均一化することが確実にできる
と共に、配線基板全体の強度を保ち且つ外力による変形
を防止することも容易となる。尚、金属コア基板の厚み
が、貫通孔の内壁と対向するスルーホール導体の外周面
との距離よりも小さくなると、当該貫通孔内におけるス
ルーホール導体の電気・磁気的特性が均一になりにくく
なると共に、配線基板全体の強度も低下する。このた
め、かかる範囲を除外したものである。尚、上記金属コ
ア基板を電源電位または接地電位とし、上記スルーホー
ル導体を信号電位とする前記何れかの配線基板とするこ
とも可能である。

【００１１】一方、本発明による配線基板の製造方法
(請求項３)は、前記各配線基板の製造方法であって、金
属コア基板における表面と裏面との間を貫通する平面視
が非円形の貫通孔を形成する工程と、かかる貫通孔内を
含む上記金属コア基板の表面上および裏面上に絶縁層を
形成する工程と、かかる絶縁層および上記金属コア基板
の貫通孔内を貫通させ且つ当該貫通孔の内壁との距離が
ほぼ均一となる位置に複数のスルーホール導体を形成す
る工程と、を含む、ことを特徴とする。これによれば、
前述した配線基板を効率良く確実に製造することが可能
となる。尚、上記非円形とは、前述したほぼ繭形やほぼ
団子形などを指し示す。また、上記貫通孔は、金属コア
基板またはこれを複数含む多数個取り用の金属板におい
て、所定の位置をエッチングやレーザ加工などにより穿
孔される。

【００１２】本発明の配線基板の製造方法は、前記各配
線基板の製造方法であって、金属コア基板における表面
と裏面との間を貫通する平面視が非円形の貫通孔を形成
する工程と、かかる貫通孔内を含む上記金属コア基板の
表面上および裏面上に絶縁層を形成する工程と、かかる
絶縁層および上記金属コア基板の貫通孔内を貫通させ且
つ当該貫通孔の内壁との距離がほぼ均一となる位置に複
数のスルーホール導体を形成する工程と、上記各絶縁層
の少なくとも一方の上に配線層および別の絶縁層を含む
ビルドアップ層を形成する工程と、を含む、とすること
も可能である。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下において、本発明の実施に好
適な形態を図面と共に説明する。図１(Ａ)は、本発明の
配線基板１における垂直断面を示す。配線基板１は、図
１(Ａ)に示すように、表面３および裏面４を有する金属
コア基板２と、かかる金属コア基板２の表面３と裏面４
との間を貫通する複数の貫通孔５と、これらの貫通孔５
内に絶縁材８を介して配置される一対ずつのスルーホー
ル導体９，９と、上記コア基板２の表面３上方および裏
面４上方(図示で下側)にそれぞれ位置するビルドアップ
層ＢＵと、を備えている。金属コア基板２は、平面視が
正方形で厚みが約０．３ｍｍの前記銅合金からなり、貫
通孔５は、図１(Ｂ)に示すように、一対の円弧部５ａ，
５ｂからなる平面視がほぼ繭形(非円形)を呈し、左右の
最大長さが４５０μｍ、上下の最大長さが２５０μｍ
で、左右の円弧部５ａ，５ｂの半径がそれぞれ１２５μ
ｍである。

【００１４】かかる貫通孔５内には、一対のスルーホー
ル導体９，９が円弧部５ａ，５ｂ内を個別且つ互いに平
行に貫通し、それらの内側には充填樹脂１０が個別に充
填されている。各スルーホール導体９は、外径：１００
μｍ×内径：７０μｍの銅メッキからなる円筒体であ
り、隣接するスルーホール導体９，９の中心間距離は、
２００μｍである。従って、貫通孔５の内壁(円弧部５
ａ，５ｂ)は、図１(Ｂ)に示すように、最短距離で対向
するスルーホール導体９，９の外周面との距離(ギャッ
プ)ｄが、７５μｍで均一となる。また、隣接するスル
ーホール導体９，９の外周面同士の間には、１００μｍ
の間隔が位置している。尚、貫通孔５内には、一対のス
ルーホール導体９，９を包囲して、次述する絶縁層６，
７と一体の絶縁材８が充填されている。ところで、図１
(Ａ)に示すように、金属コア基板２の厚みｔは、貫通孔
５の内壁(円弧部５ａ，５ｂ)と最短距離で対向するスル
ーホール導体９，９の外周面との距離ｄと同じが、それ
より厚く設定される。本実施形態では、上記厚みｔは、
上記距離ｄの約４倍である。これにより、各スルーホー
ル導体９の貫通孔５内における電気・磁気的特性を均一
化が一層可能となる。

【００１５】図１(Ａ)に示すように、金属コア基板２の
表面３上方には、絶縁層６，１４，２０と、これらの間
に位置し且つ所定パターンを有する配線層１２，１８と
が形成されている。また、金属コア基板２の裏面４上方
(図示で下側)にも、絶縁層７，１５，２１と、これらの
間に位置する配線層１３，１９とが形成されている。上
記絶縁層６，１４，７，１５は、約３０μｍの厚みで例
えばシリカフィラなどの無機フィラを含むエポキシ系樹
脂からなる。最上層または最下層に位置する絶縁層(ソ
ルダーレジスト層)２０，２１は、約２５μｍの厚みで
上記同様の樹脂からなり、配線層１２，１３などは、約
１５μｍの厚みの銅メッキ層からなる。配線層１２，１
３は、図１(Ａ)に示すように、各スルーホール導体９の
上端または下端とそれぞれ接続されている。尚、絶縁層
６，１４および配線層１２，１８と、絶縁層７，１５お
よび配線層１３，１９とは、それぞれビルドアップ層Ｂ
Ｕを構成している。

【００１６】図１(Ａ)に示すように、金属コア基板２の
表面３上方の配線層１２，１８間には、両者を接続する
ビア導体(フィルドビア)１６が絶縁層１４内に形成され
る。また、配線層１８上の所定位置には、最上層の絶縁
層(ソルダーレジスト層)２０を貫通し且つ第１主面２２
よりも高く突出するハンダバンプ(ＩＣ接続端子)２４が
複数形成される。ハンダバンプ２４は、Ｓｎ−Ａｇ系、
Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｚｎ系、Ｐ
ｂ−Ｓｎ系など(本実施形態ではＳｎ−Ａｇ系)の低融点
合金からなり、図１に示すように、第１主面２２上に実
装される図示しないＩＣチップの接続端子と個別に接続
される。尚、複数のハンダバンプ２４とＩＣチップの接
続端子とは、図示しないアンダーフィル材に覆われ且つ
保護される。

【００１７】図１(Ａ)に示すように、金属コア基板２の
裏面４下方の配線層１３，１９間にも、両者を接続する
ビア導体１７が絶縁層１５内に形成される。また、最下
層の配線層１９から延びた配線２５は、最下層の絶縁層
(ソルダーレジスト層)２１に設けた開口部２３の底面に
位置し、且つ第２主面２７側に露出している。かかる配
線２５は、その表面にＮｉおよびＡｕメッキが被覆さ
れ、当該配線基板１自体を搭載する図示しないマザーボ
ードなどのプリント基板との接続端子として活用され
る。尚、配線２５の表面には、ハンダボールや銅系合金
または鉄系合金の導体ピンなどを接合しても良い。

【００１８】以上のような配線基板１によれば、金属コ
ア基板２に穿孔したほぼ繭形の貫通孔５内に、当該貫通
孔５の内壁(円弧部５ａ，５ｂ)との距離ｄを均一にして
一対のスルーホール導体９，９を配置すると共に、金属
コア基板２の厚みｔが上記距離ｄよりも大きく設定され
ている。このため、一対のスルーホール導体９は、均一
な距離ｄを保ちつつ絶縁材８を介して金属コア基板２を
貫通するため、貫通孔５内におけるこれらの電気・磁気
的特性(絶縁性、電界分布、磁界分布など)を均一および
安定化することができる。この結果、スルーホール導体
９を、信号電位、電源電位、または接地電位などに活用
することが容易となる。従って、少ない貫通孔５内に一
対のスルーホール導体９を上記特性を均一にして配置で
きるため、配線の高密度や配線基板の小型化に容易に対
応することができる。

【００１９】ここで、前記配線基板１の製造方法を、図
２に基づいて説明する。図２(Ａ)は、Ｃｕ−２．３wt％
Ｆｅ−０．０３wt％Ｐ(１９４アロイ)の銅合金からな
り、厚みｔが約０．３ｍｍで且つ平面視が正方形の金属
素板２ａの断面を示す。金属素板２ａの表面３および裏
面４に図示しない感光性樹脂層を形成し、これに対して
所定パターンによる露光および現像をした後、エッチン
グを施す。この結果、図２(Ｂ)に示すように、所定の位
置に表面３と裏面４との間を貫通し且つ平面視がほぼ繭
形(非円形)を呈する貫通孔５，５が穿孔された金属コア
基板２が得られる。尚、多数個取り用の広い金属素板に
対し、上記感光性樹脂層の形成、露光、現像、およびエ
ッチングを行うことにより、複数の金属コア基板２を同
時に形成した金属板を用いても良い。また、上記エッチ
ングなどに替え、レーザ加工またはプレスによる打ち抜
き加工により、貫通孔５を穿孔しても良い。

【００２０】次に、金属コア基板２の表面３および裏面
４に、厚みが約５０μｍの樹脂フィルムをそれぞれ配置
し、厚み方向に沿って真空熱圧着する。この結果、図２
(Ｃ)に示すように、金属コア基板２の表面３上および裏
面４下に、厚みが約３０μｍの絶縁層６，７が形成され
る。同時に、金属コア基板２に穿孔された貫通孔５内に
も、上記樹脂フィルムの一部が進入して固化した絶縁材
８が充填される。尚、絶縁層６，７および絶縁材８は、
液状の樹脂をロールコータを用いて、金属コア基板２の
表面３上および裏面４下に形成し、且つ貫通孔５内に充
填しても良い。

【００２１】次いで、金属コア基板２の貫通孔５内にお
ける円弧部５ａ，５ｂの中心付近にて、絶縁材８の厚み
方向に沿ってレーザ(例えば、炭酸ガスレーザ)をそれぞ
れ照射する。その結果、図２(Ｄ)に示すように、内径約
１００μｍの一対のスルーホール８ａが、絶縁層６，７
および貫通孔５内の絶縁材８を貫通して穿孔される。更
に、複数のスルーホール８ａの内壁および絶縁層６，７
の表面にＰｄを含むメッキ触媒を予め塗布した後、無電
解銅メッキおよび電解銅メッキを施す。その結果、図２
(Ｅ)に示すように、各スルーホール８ａ内にほぼ円柱形
のスルーホール導体９が形成されると同時に、絶縁層
６，７の表面全体に図示しない銅メッキ層が形成され
る。その後、かかる銅メッキ層の上に所定パターンのエ
ッチングレジストを形成し、且つエッチングを施すこと
により、絶縁層６，７の表面に所定パターンの配線層１
２，１３が形成される(公知のサブトラクティブ法)。

【００２２】また、各スルーホール導体９の内側には、
図２(Ｅ)に示すように、シリカフィラなどを含むエポキ
シ系樹脂からなる充填樹脂１０がそれぞれ充填される。
尚、図２(Ｅ)に示すように、金属コア基板２の厚みｔ
は、貫通孔５の内壁とこれに対向するスルーホール導体
９との距離ｄよりも予め大きく設定されている。この結
果、図２(Ｅ)に示すように、絶縁層６，７上に上記パタ
ーンに倣った配線層１２，１３が形成され、且つこれら
は各スルーホール導体９の上端または下端と接続され
る。これ以降は、絶縁層６，７および配線層１２，１３
と共に前記ビルドアップ層ＢＵを形成する絶縁層１４，
１５および配線層１８，１９を、公知のビルドアップ工
程(セミアディティブ法、フルアディティブ法、サブト
ラクティブ法、フィルム状樹脂材料のラミネートによる
絶縁層の形成、フォトリソグラフィ技術など)により形
成する。

【００２３】更に、前記図１(Ａ)に示したように、上方
のビルドアップ層ＢＵ上には、前記絶縁層２０およびハ
ンダバンプ２４を形成し、下方のビルドアップ層ＢＵ下
には、前記絶縁層２１、開口部２３、および配線２５を
形成する。この結果、前記図１(Ａ)に示した断面構造を
有する配線基板１を得ることができる。尚、以上の各工
程も、前述した多数個取り用の金属板(パネル)におい
て、各金属コア基板２の製品エリアごとに同時に行うこ
ともできる。以上の配線基板１の製造方法によれば、金
属コア基板２に穿孔したほぼ繭形の貫通孔５内に、絶縁
材８を介して一対のスルーホール導体９，９を当該貫通
孔５の内壁との距離ｄを均一にし且つ互いに密して配置
できると共に、金属コア基板２の上下にビルドアップ層
ＢＵを有する配線基板１を確実に製造できる。

【００２４】図３は、異なる形態の貫通孔５′，２８，
２９，２９′に関する。図３(Ａ)は、金属コア基板２に
３つの円弧部５ａ，５ｂ，５ｃを互いに重複させつつ直
線状に配置した平面視でほぼ団子形(非円形)の貫通孔
５′を示す。かかる貫通孔５′内には、図３(Ａ)に示す
ように、絶縁材８を介して３つのスルーホール導体９が
円弧部５ａ，５ｂ，５ｃの中心付近に個別に配置され、
且つこれらのスルーホール導体９は、最短距離で対向す
る貫通孔５′の内壁(円弧部５ａ〜５ｃ)との間に均一な
距離ｄを有している。また、図３(Ｂ)は、金属コア基板
２に４つの円弧部５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄを互いに重複
させつつ平面視でほぼＬ字形(非円形)に配置した貫通孔
２８を示す。この貫通孔２８内には、図３(Ｂ)に示すよ
うに、絶縁材８を介して４つのスルーホール導体９が円
弧部５ａ〜５ｄの中心付近に個別に配置され、且つこれ
らのスルーホール導体９は、最短距離で対向する貫通孔
２８の内壁(円弧部５ａ〜５ｄ)との間に均一な距離ｄを
有している。

【００２５】更に、図３(Ｃ)は、金属コア基板２に４つ
の円弧部５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄを互いに重複させつつ
平面視でほぼＴ字形(非円形)に配置した貫通孔２９を示
す。この貫通孔２９内には、図３(Ｂ)に示すように、絶
縁材８を介して４つのスルーホール導体９が円弧部５ａ
〜５ｄの中心付近に個別に配置され、且つこれらのスル
ーホール導体９は、最短距離で対向する貫通孔２９の内
壁(円弧部５ａ〜５ｄ)との間に均一な距離ｄを有してい
る。加えて、図３(Ｄ)は、金属コア基板２において、中
央の中空部の周囲に対称に４つの円弧部５ａ，５ｂ，５
ｃ，５ｄを互いに重複させつつ配置して、平面視で全体
がほぼ＋字形(非円形)を呈する貫通孔２９′を示す。こ
の貫通孔２９′内には、図３(Ｄ)に示すように、絶縁材
８を介して５つのスルーホール導体９が円弧部５ａ〜５
ｄの中心付近とこれらに挟まれた中心部に個別に配置さ
れ、且つ図３(Ｄ)で中央に位置するものを除いた４つの
スルーホール導体９は、最短で対向する貫通孔２９′の
内壁(円弧部５ａ〜５ｄ)との間に均一な距離ｄを有して
いる。以上のような貫通孔５′，２８，２９，２９′や
これらを貫通する複数のスルーホール導体９も前記配線
基板１の金属コア基板２に適用することもできる。

【００２６】本発明は、以上において説明した各形態に
限定されるものではない。前記金属コア基板２は、平面
視で長方形を呈する形態としても良い。また、金属コア
基板２の素材には、前記銅合金に限らず、純銅や無酸素
銅、４２アロイやインバーなどのＦｅ−Ｎｉ系合金、各
種の鋼材、チタンおよびその合金、または、アルミニウ
ムおよびその合金などを適用することも可能である。更
に、金属コア基板２に穿孔する貫通孔は、一対または３
つのスルーホール導体９を貫通させる平面視で楕円形、
あるいは３つまたは４つのスルーホール導体９を貫通さ
せる平面視でほぼＴ字形またはほぼコ字形を呈する形態
としても良く、これら以外の任意の異形形状にすること
も可能である。また、前記ビルドアップ層ＢＵは、金属
コア基板２の表面３上方のみ、あるいは金属コア基板２
の裏面４下方のみに形成しても良い。

【００２７】更に、前記絶縁層６，７などの材質は、前
記エポキシ樹脂を主成分とするもののほか、同様の耐熱
性、パターン成形性等を有するポリイミド樹脂、ＢＴ樹
脂、ＰＰＥ樹脂、あるいは、連続気孔を有するＰＴＦＥ
など３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂など
の樹脂を含浸させた樹脂−樹脂系の複合材料などを用い
ることもできる。尚、絶縁層の形成には、絶縁性の樹脂
フィルムを熱圧着する方法のほか、液状の樹脂をロール
コータにより塗布する方法を用いることもできる。尚ま
た、絶縁層に混入するガラス布またはガラスフィラの組
成は、Ｅガラス、Ｄガラス、Ｑガラス、Ｓガラスの何れ
か、またはこれらのうちの２種類以上を併用したものと
しても良い。また、前記配線層１２などやスルーホール
導体１６などの材質は、前記銅メッキの他、Ａｇ、Ｎ
ｉ、Ｎｉ−Ａｕ系などにしても良く、あるいは、これら
金属のメッキ層を用いず、導電性樹脂を塗布するなどの
方法により形成しても良い。加えて、ビア導体は、前記
フィルドビア導体１６などでなく、内部が完全に導体で
埋まってない逆円錐形状のコンフォーマルビア導体とす
ることもできる。あるいは、各ビア導体の軸心をずらし
つつ積み重ねるスタッガードの形態でも良いし、途中で
平面方向に延びる配線層が介在する形態としても良い。

【００２８】

【発明の効果】以上にて説明した本発明の配線基板(請
求項１，２)によれば、複数のスルーホール導体の何れ
もほぼ均一な距離を保ち且つ絶縁材を介して金属コア基
板を貫通する。これにより、金属コア基板において、少
ない貫通孔により複数のスルーホール導体を貫通させ、
且つこれらの前記電気・磁気的特性を均一で且つ安定さ
せられる。従って、金属コア基板に少数の貫通孔を穿孔
することで、配線密度の高度化および配線基板の小型化
に容易に対処することが可能となる。また、本発明の配
線基板の製造方法(請求項３)によれば、上記配線基板を
効率良く確実に製造することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】(Ａ)は本発明の配線基板を示す断面図、(Ｂ)は
(Ａ)中のＢ−Ｂ線に沿った矢視における断面図。

【図２】(Ａ)〜(Ｅ)は本発明の配線基板の製造方法にお
ける各工程を示す概略図。

【図３】(Ａ)〜(Ｄ)は異なる形態の貫通孔およびその付
近を示す概略図。

【図４】(Ａ)は従来の配線基板を示す断面図、(Ｂ)は
(Ａ)中のＢ−Ｂ線に沿った矢視における断面図、(Ｃ)は
異なる形態の貫通孔とその付近を示す断面図。

【符号の説明】

１………………………………配線基板 ２………………………………金属コア基板 ３………………………………表面 ４………………………………裏面 ５,５′,２８,２９,２９′…貫通孔 ５ａ〜５ｄ……………………円弧部(貫通孔の内壁) ６，７…………………………絶縁層 ８………………………………絶縁材 ９………………………………スルーホール導体 ｔ………………………………金属コア基板の厚み ｄ………………………………距離

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E315 AA01 AA11 BB02 BB04 BB05 CC01 CC15 CC21 DD05 DD20 DD23 DD27 GG20 GG22 5E317 AA24 AA25 BB05 BB12 CC32 CC33 CD27 CD32 GG09 GG12 GG16 5E346 AA03 AA12 AA15 AA32 AA43 AA51 BB11 DD25 DD32 FF01 FF15 GG15 GG17 GG22 GG28 HH01 HH26

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】表面および裏面を有する金属コア基板と、 上記金属コア基板における表面と裏面との間を貫通し且
   つ平面視が非円形の貫通孔と、 上記貫通孔内に絶縁材を介して配置される複数のスルー
   ホール導体と、 を備え、 上記貫通孔の内壁は、上記複数のスルーホール導体のう
   ち対向するスルーホール導体の外周面との間にほぼ均一
   な距離を有する、 ことを特徴とする配線基板。
2. 【請求項２】前記金属コア基板の厚みは、前記貫通孔の
   内壁と前記スルーホール導体の外周面との距離と同じ
   か、それよりも大きい、 ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
3. 【請求項３】請求項１または２に記載の配線基板の製造
   方法であって、 金属コア基板における表面と裏面との間を貫通する平面
   視が非円形の貫通孔を形成する工程と、 上記貫通孔内を含む上記金属コア基板の表面上および裏
   面上に絶縁層を形成する工程と、 上記絶縁層および上記金属コア基板の貫通孔内を貫通さ
   せ且つ当該貫通孔の内壁との距離がほぼ均一となる位置
   に複数のスルーホール導体を形成する工程と、を含む、
   ことを特徴とする配線基板の製造方法。