JP2003229661A - 配線基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】コア基板の片面(表面)にのみビルドアップ層を
有し且つかかるビルドアップ層を含む全体が反ることな
く平坦性が確保された配線基板およびその製造方法を提
供する。 【解決手段】表面２ａおよび裏面２ｂを有するコア基板
２と、かかるコア基板２の表面２ａに形成した表面配線
層１０と、上記コア基板２の表面２ａ上方に交互に形成
された複数の絶縁層１４，２０および複数の配線層１
８，２４からなるビルドアップ層ＢＵと、上記コア基板
２の裏面２ｂに形成され且つ上記表面配線層１０よりも
厚い裏面配線層１１と、を含む、配線基板１。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、コア基板の表面
(片面)にビルドアップ層を有し且つ厚み方向に反りが生
じにくい配線基板およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、低コスト化の要請に応じ、コア基
板の表面(片面)上方にのみ複数の絶縁層および複数の配
線層を交互に積層したビルドアップ層を形成する配線基
板が提案されている(例えば、特許文献１参照)。しかし
ながら、コア基板の表面上のみ(片面)にビルドアップ層
を形成した場合、かかるコア基板の表面に形成した表面
配線層と上記ビルドアップ層を形成する複数の配線層お
よび複数の絶縁層とからなる表面側と、コア基板の裏面
に形成した裏面配線層およびソルダーレジスト層からな
る裏面側との間では、当該コア基板を挟んで熱膨張率に
差が生じる。

【０００３】

【特許文献１】特開平１１−２０４９４０号公報 (図
１)

【０００４】

【発明が解決すべき課題】この結果、得られる配線基板
全体が、上記ビルドアップ層寄りに反る、即ちビルドア
ップ層の中央付近が凹むため、かかるビルドアップ層の
平坦性が確保できなくなると共に、当該ビルドアップ層
の表面上に実装すべきＩＣチップなどの半導体素子が実
装できなくなる、という問題があった。本発明は、以上
に説明した従来の技術における問題点を解決し、コア基
板の片面にのみビルドアップ層を有し且つかかるビルド
アップ層を含む全体が反ることなく平坦性が確保された
配線基板およびその製造方法を提供する、ことを課題と
する。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、ビルドアップ層が形成されるコア基板の表
面側の表面配線層とビルドアップ層が形成されないコア
基板の裏面側の裏面配線層との厚みを相違させる、こと
に着想して成されたものである。即ち、本発明の配線基
板(請求項１)は、表面および裏面を有するコア基板と、
上記コア基板の表面に形成した表面配線層と、上記コア
基板の表面上方に交互に形成された複数の配線層および
複数の絶縁層からなるビルドアップ層と、上記コア基板
の裏面に形成され且つ上記表面配線層よりも厚い裏面配
線層と、を含む、ことを特徴とする。

【０００６】これによれば、裏面配線層が表面配線層よ
りも厚肉に形成される。このため、コア基板の表面に形
成した表面配線層および上記ビルドアップ層を形成する
複数の配線層および複数の絶縁層からなる表面側と、コ
ア基板の裏面に形成した裏面配線層およびソルダーレジ
スト層からなる裏面側との熱膨張の差をなくすか、小さ
くすることができる。従って、配線基板全体が、従来の
ようにビルドアップ層寄りに反る、即ちビルドアップ層
の中央付近が凹む事態を防止または抑制できるため、当
該ビルドアップ層の平坦性が確保できると共に、配線基
板の表面上に実装すべきＩＣチップなどの半導体素子を
容易に実装することが可能となる。尚、上記コア基板に
は、樹脂またはセラミックの単一の絶縁層からなる形態
の他、複数の絶縁層とその間に配置した配線層とを有す
る多層基板の形態も含まれる。また、表面側配線層の厚
みは、約１５〜２５μｍであり、裏面側配線層の厚み
は、約２７〜７０μｍである。更に、配線基板には、上
記コア基板の裏面側に開口する凹部などに電子部品を実
装または内蔵する形態も含まれる。

【０００７】一方、本発明の配線基板の製造方法(請求
項２)は、表面および裏面を有するコア基板において、
かかる表面に表面配線層を形成し且つ上記裏面に上記表
面配線層よりも厚い裏面配線層を形成する工程と、上記
コア基板の表面上方に複数の配線層および複数の絶縁層
を交互に積層してビルドアップ層を形成するビルドアッ
プ工程と、を含む、ことを特徴とする。これによれば、
上記コア基板の裏面に形成され且つ上記表面配線層より
も厚い裏面配線層を有すると共に、かかるコア基板の表
面上にのみ(片面)に平坦なビルドアップ層を有する配線
基板を確実に製造することが可能となる。尚、上記裏面
側配線層には、コア基板の裏面に貼り付ける銅箔を、表
面に貼り付ける銅箔よりも予め厚肉のもとする形態や、
コア基板の表面および裏面に同じ厚みの銅箔を貼り付け
たコア基板に対し、裏面側の銅箔の上に銅メッキを施し
て裏面側配線層を表面側配線層よりも厚肉にする形態が
含まれる。

【０００８】また、本発明には、前記ビルドアップ工程
は、一対のコア基板の裏面配線層同士の間に離型シート
を挟んで一対のコア基板を積層および固定し、かかる一
対のコア基板の表面上方にそれぞれ複数の配線層および
複数の絶縁層を交互に形成することにより行われる、配
線基板の製造方法(請求項３)も含まれる。これによれ
ば、比較的厚肉の裏面側配線層と比較的薄肉の表面側配
線層とを有する一対のコア基板を積層した状態で、それ
ぞれのコア基板の表面上方にビルドアップ層を形成する
ため、得られるビルドアップ層における複数の配線層お
よび絶縁層を、一層平坦にして製造することが可能とな
る。尚、ビルドアップ工程は、複数のコア基板(製品単
位)を有する多数個取り用のパネルを用いて行う形態も
含まれる。また、上記離型シートには、クッション材を
含む絶縁性のシートが用いられる。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下において、本発明の実施に好
適な形態を図面と共に説明する。図１は、本発明の配線
基板１における主要部の断面を示す。配線基板１は、図
１に示すように、表面２ａおよび裏面２ｂを有するコア
基板２と、かかるコア基板２の表面２ａに形成した表面
配線層１０と、コア基板２の表面２ａの上方に形成され
たビルトアップ層ＢＵと、コア基板の裏面２ｂに形成さ
れ且つ表面配線層１０よりも厚い裏面配線層１１と、を
備えている。コア基板２は、厚さ約８００μｍのガラス
−エポキシ樹脂からなる単一の絶縁層である。図１に示
すように、コア基板２には、その表面２ａと裏面２ｂと
の間を貫通する複数のスルーホール５と、それらの内側
に位置する銅メッキ製のスルーホール導体６および充填
樹脂７とが、形成されている。尚、各スルーホール導体
６は、上記表面配線層１０と裏面配線層１１との間を接
続する。また、表面配線層１０の厚みは約２５μｍで、
裏面配線層１１の厚みは約５０μｍである。

【００１０】図１に示すように、コア基板２の表面２ａ
の上方には、絶縁層１４，２０および銅メッキ製の配線
層１８，２４(厚さ約１５μｍ)を交互に積層したビルト
アップ層ＢＵが形成されている。絶縁層１４，２０は、
厚さが約３０μｍの無機フィラを含むエポキシ系樹脂か
らなり、これらの適所には、表面配線層１０、配線層１
８，２４の相互間を接続するビア導体(フィルドビア)１
６，２２が形成されている。また、絶縁層２０および配
線層２４の上には、厚さが約２５μｍのソルダーレジス
ト層(絶縁層)２６が形成されている。

【００１１】図１に示すように、配線層２４上の適所に
は、第１主面２７よりも高く突出するハンダバンプ(Ｉ
Ｃ接続端子)２８が複数形成される。かかるハンダバン
プ２８は、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｐｂ−Ｓｎ系、Ｓｎ−Ａｇ−
Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｚｎ系など(本実施形態
ではＳｎ−Ａｇ系)の低融点合金からなり、第１主面２
７上に実装されるＩＣチップ２９の接続端子(図示せず)
と個別に接続される。尚、複数のハンダバンプ２８とＩ
Ｃチップ２９の接続端子とは、図示しないアンダーフィ
ル材により埋設され且つ保護される。

【００１２】図１に示すように、コア基板２の裏面２ｂ
および裏面配線層１１の下には、厚さが約２５μｍのソ
ルダーレジスト層(絶縁層)１２が形成される。裏面配線
層１１から延び且つソルダーレジスト層１２に形成した
開口部１３内から第２主面１５側に露出する配線１１ｃ
は、その表面にＮｉおよびＡｕメッキが被覆され、当該
配線基板１自体を搭載する図示しないマザーボードなど
のプリント基板との接続端子として活用される。尚、配
線１１ｃには、ハンダボールや銅系または鉄系合金から
なるピンなどを接合しても良い。

【００１３】以上のような配線基板１によれば、コア基
板２の表面２ａに形成した表面配線層１０と前記ビルド
アップ層ＢＵを形成する複数の配線層１８，２４および
複数の絶縁層１４，２０とからなる表面側と、コア基板
２の裏面２ｂに形成した裏面配線層１１およびソルダー
レジスト層１２からなる裏面側との熱膨張の差をなくす
か、小さくできる。この結果、配線基板１全体が、従来
のように表面側のビルドアップ層ＢＵ寄りに反る変形を
防止または抑制できるため、当該ビルドアップ層ＢＵの
平坦性が確保できると共に、当該配線基板１の表面上に
ＩＣチップ２９などの半導体素子を容易に実装すること
が可能となる。従って、信頼性の高い配線基板(１)とす
ることができる。

【００１４】ここで、前記配線基板１の製造方法につい
て説明する。図２(Ａ)に示すように、コア基板２は、そ
の表面２ａに厚さ約１５μｍの銅箔１０ａが、その裏面
２ｂに厚さ約４０μｍの銅箔１１ａが、それぞれ予め貼
り付けられている。尚、裏面２ｂの銅箔１１ａは、表面
２ａの銅箔１０ａと同じ厚みとし、その上に銅メッキ層
を被覆して上記の厚みとしても良い。上記コア基板２の
所定の位置にレーザを照射するか、細径のドリルにて穿
孔する。その結果、図２(Ｂ)に示すように、コア基板２
における表面２ａと裏面２ｂとの間を貫通し且つ内径が
約１００μｍのスルーホール５が複数形成される。

【００１５】次に、複数のスルーホール５を有するコア
基板２の全面に対し、無電解銅メッキおよび電解銅メッ
キを施す。尚、各スルーホール５の内壁には、予めＰｄ
を含むメッキ触媒を塗布しておく。また、上記スルーホ
ール５の穿孔および銅メッキは、複数のコア基板２(製
品単位)を含むパネル(多数個取りの基板)の状態で行っ
ても良い。その結果、図２(Ｃ)に示すように、各スルー
ホール５の内壁表面に沿って厚みが約１５μｍのスルー
ホール導体６がそれぞれ形成される。また、銅箔１０
ａ，１１ａは、厚めの銅メッキ層１０ｂ，１１ｂ(便宜
上厚みは銅箔１０ａ，１１ａと同じとする)となる。

【００１６】次いで、図２(Ｄ)に示すように、各スルー
ホール導体６の内側に、シリカフィラなどの無機フィラ
入りのエポキシ系樹脂からなる充填樹脂７を充填する。
尚、充填樹脂７に替え、多量の金属粉末を含む導電性樹
脂または金属粉末を含む非導電性樹脂を用いても良い。
更に、表面２ａおよび裏面２ｂの銅メッキ層１０ｂ，１
１ｂの上に、全面銅メッキを行い且つ充填樹脂７の表面
に蓋メッキを行う。そして、公知のフォトリソグラフィ
技術により、所定のパターンを有する図示しないエッチ
ングレジストを形成した後、かかるエッチングレジスト
のパターン間の隙間から露出する銅メッキ層１０ｂ，１
１ｂをエッチング(公知のサブトラクティブ法)する。

【００１７】その結果、図２(Ｄ)に示すように、コア基
板２の表面２ａおよび裏面２ｂに、上記レジストのパタ
ーンに倣った表面配線層１０または裏面配線層１１が形
成される。かかる表面配線層１０の厚みは約２５μｍで
あり、裏面配線層１１の厚みは約５０μｍである。ま
た、表面配線層１０は、コア基板２の表面２ａのうち少
なくとも６０％以上の面積を占め、裏面配線層１１は、
裏面２ｂのうち少なくとも６０％以上の面積を占めてい
る。尚、充填樹脂７の表面の真上にビア導体を形成しな
い場合には、上記蓋メッキを省いても良い。

【００１８】次に、図３(Ａ)に示すように、表面配線層
１０および裏面配線層１１を形成した一対のコア基板
２，２を、それぞれの裏面配線層１１，１１を対向さ
せ、離型シートｒを挟んで積層し且つ固定する。かかる
離型シートｒは、例えば一対のフィルム間に熱可塑性樹
脂からなるクッション材を挟み且つその周縁で前記フィ
ルムによって密封したシート状のものである。尚、上記
クッション材には、柔軟性(弱い弾性)を有する熱可塑性
樹脂(商品名：パコタンプラス)が用いられる。

【００１９】次いで、図３(Ｂ)に示すように、何れかの
コア基板２の表面２ａの上方に、絶縁層１４を形成し且
つ表面配線層１０上の所定の位置にフィルドビア導体１
６を形成する。これ以降は、ビルドアップ層ＢＵを絶縁
層１４など共に形成する絶縁層２０、配線層１８，２
４、フィルドビア導体２２、ソルダーレジスト層２６を
公知のビルドアップ工程(セミアディティブ法、フルア
ディティブ法、サブトラクティブ法、フィルム状樹脂材
料のラミネートによる絶縁層の形成、フォトリソグラフ
ィ技術など)により形成する(ビルドアップ工程)。ま
た、配線層２４上には、第１主面２７よりも高く突出す
るハンダバンプ２８を複数形成する。尚、残りのコア基
板２の表面２ａの上方にも、上記と同様にしてビルドア
ップ層ＢＵなどを形成する。

【００２０】そして、図４(Ａ)に示すように、離型シー
トｒを除去して個別に分離したビルドアップ層ＢＵなど
を有するコア基板２の裏面２ｂおよび裏面配線層１１の
下に、ソルダーレジスト層１２を形成すると共に、レー
ザ加工などによりソルダーレジスト層１２における所定
の位置に開口部１３を形成する。裏面配線層１１から延
び且つ開口部１３内から第２主面１５側に露出する配線
１１ｃは、その表面にＮｉおよびＡｕメッキが被覆さ
れ、当該配線基板１自体を搭載する図示しないマザーボ
ードなどのプリント基板との接続端子となる。この結
果、図４(Ａ)に示すように、前記ＩＣチップ２９を実装
する直前の配線基板１を得ることができる。

【００２１】以上のような配線基板１の製造方法によれ
ば、コア基板２を挟んだ裏面配線層１１を表面配線層１
０よりも厚くしたため、コア基板２の表面２ａ上方に、
絶縁層１４，２０および配線層１８，２４からなるビル
ドアップ層ＢＵを形成しても、第１主面２７側が凹む反
りをなくすか、小さくできる。しかも、一対のコア基板
２，２を積層した状態でビルドアップ形成工程を行うた
め、上記反りを抑えて平坦としたビルドアップ層ＢＵを
一層確実に形成することができる。従って、反り変形が
なく、平坦なビルドアップ層ＢＵを有すると共に、ＩＣ
チップ２９の実装も容易に行える配線基板１を確実に提
供することができる。

【００２２】図４(Ｂ)は、前記配線基板１の応用形態の
配線基板１ａを示す。配線基板１ａは、図４(Ｂ)に示す
ように、多層基板のコア基板Ｋと、かかるコア基板Ｋの
表面３ａに形成した表面配線層１０と、コア基板Ｋの表
面３ａの上方に形成したビルトアップ層ＢＵと、コア基
板Ｋの裏面４ｂに形成され且つ表面配線層１０よりも厚
い裏面配線層１１と、を備えている。表面配線層１０と
裏面配線層１１との厚みは、前記配線基板１とほぼ同様
である。図４(Ｂ)に示すように、コア基板Ｋは、絶縁層
２と、その表面２ａおよび裏面２ｂ上に形成した配線層
８，９と、これらの上に形成した絶縁層３，４とからな
る多層基板である。絶縁層２は、平面視がほぼ正方形で
且つ厚みが５００μｍ未満のガラスクロスまたはガラス
繊維入りのエポキシ樹脂からなる。また、配線層８，９
は、厚さ１０数μｍの銅メッキ層であり、絶縁層３，４
は、ガラスフィラなどの無機フィラを含む厚さ数１０μ
ｍのエポキシ系樹脂からなる。かかるコア基板Ｋの全体
の厚みは、約６００〜８００μｍである。

【００２３】図４(Ｂ)に示すように、コア基板Ｋの表面
３ａ上方には、前記と同様の表面配線層１０、ビルドア
ップ層ＢＵ、ソルダーレジスト層２６、およびハンダバ
ンプ２８が形成され、コア基板Ｋの裏面４ｂ下方には、
前記同様の裏面配線層１１、ソルダーレジスト層１２、
開口部１３、および配線１１ｃが形成されている。以上
のような配線基板１ａを得るには、絶縁層２の表面２ａ
および裏面２ｂに予め貼り付けた銅箔に対し、フォトリ
ソグラフィ技術を施して、配線層８，９を形成した後、
これらの上にエポキシ系樹脂のフイルムを貼り付けて絶
縁層３，４を形成し、先ずコア基板Ｋを形成する。次
に、コア基板Ｋの所定の位置に、前記同様のスルーホー
ル５、スルーホール導体６、および充填樹脂７を形成す
る。この際、スルーホール導体６は、その中間で上記配
線層８，９と接続される。

【００２４】上記コア基板Ｋの表面３ａに、メッキ触媒
を付与し且つ無電解銅メッキおよび電解銅メッキを施し
て、前記同様の厚みを有する表面配線層１０を形成す
る。また、コア基板Ｋの裏面４ｂにも、予め表面３ａに
メッキガード(例えばドライフィルムなど)を施した後、
表面配線層１０よりも厚めの裏面配線層１１を形成す
る。この後は、前記図３(Ａ)〜図４(Ａ)に示したビルド
アップ工程などを施すことにより、図４(Ｂ)に示す配線
基板１ａが得られる。以上のような配線基板１ａによれ
ば、前記配線基板１と同様の平坦なビルドアップ層ＢＵ
が得られると共に、コア基板Ｋにも配線層８，９が内蔵
されているため、内部の配線密度を高くすることができ
る。

【００２５】図５は、本発明の異なる形態の配線基板３
０における主要部の断面を示す。配線基板３０は、図５
に示すように、多層基板のコア基板Ｋ、その表面３７に
形成した表面配線層５０、コア基板Ｋの表面３７の上方
に形成したビルドアップ層ＢＵ、コア基板Ｋの裏面３４
に形成され且つ表面配線層５０よりも厚い裏面配線層５
１、およびコア基板Ｋの裏面３４側に開口する凹部３
１、を含む。コア基板Ｋは、比較的厚肉の第１の絶縁層
３２および比較的薄肉の第２の絶縁層３６から形成され
る。第１の絶縁層３２は、表面３３および裏面３４を有
する厚さが約８００μｍのガラス−エポキシ樹脂からな
り、その中央付近には、凹部３１が穿設されている。第
２の絶縁層３６は、表面３７および裏面３８を有する厚
さ約２００μｍのガラス−エポキシ樹脂からなり、その
中央付近には、直径約１００μｍのスルーホール４７が
複数貫通する。スルーホール４７の内側には、銅メッキ
製のスルーホール導体４８と充填樹脂４９とが形成され
ている。

【００２６】図５に示すように、第１の絶縁層３２と第
２の絶縁層３６とは、厚みが約６０μｍの接着性を有す
るプリプレグ(接着層)４０を介して貼り合わされること
により、積層されている。尚、凹部３１は、予め第１の
絶縁層３２をプレス加工して形成され、平面視で縦・横
それぞれ約１４ｍｍずつのほぼ正方形を呈する。図５の
左右に示すように、上記凹部３１の周囲における第１の
絶縁層３２および第２の絶縁層３６には、直径が約１０
０μｍの複数のスルーホール４３が貫通し、各スルーホ
ール４３の内側には、銅メッキ製で長いスルーホール導
体４４および充填樹脂４５が形成されている。また、図
５に示すように、第２の絶縁層３６の裏面３８には、所
定パターンを有して銅製で且つ厚みが約１５μｍである
銅メッキ製の配線層４１，４６が形成され、配線層(電
子部品接続配線)４６はスルーホール導体４８の下端
と、配線層４１はスルーホール導体４４の中間と接続さ
れている。第１の絶縁層３２の表面３３にも、上記同様
の所定パターンおよび厚みを有する銅メッキ製の配線層
４２が形成され、且つスルーホール導体４４の中間と接
続されている。

【００２７】更に、図５に示すように、コア基板Ｋの表
面３７には、所定パターンを有し銅メッキ製で厚みが約
１５〜２５μｍ(本実施形態では２０μｍ)の表面配線層
５０が形成され、スルーホール導体４４，４８の上端と
接続されている。コア基板Ｋの表面３７および配線層５
０の上方には、エポキシ系樹脂の絶縁層５４，６０およ
び配線層５８，６４を交互に積層したビルドアップ層Ｂ
Ｕが形成される。絶縁層５４，６０には、表面配線層５
０、配線層５８，６４の間を相互に接続するフィルドビ
ア導体５６，６２が形成されている。絶縁層６０および
配線層６４の上には、最上層のソルダーレジスト層(絶
縁層)６６が形成される。尚、絶縁層５４などの厚みは
約３０μｍ、ソルダーレジスト層６６の厚みは約２５μ
ｍである。

【００２８】図５に示すように、配線層６４上の所定の
位置には、第１主面(表面)６７よりも高く突出する複数
のハンダバンプ(ＩＣ接続端子)６８が個別に形成され、
かかるバンプ６８は、第１主面６７上に実装する図示し
ないＩＣチップ(半導体素子)の接続端子と個別に接続さ
れる。上記バンプ６８は、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｐｂ−Ｓｎ
系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｚｎ系
など(本実施形態ではＳｎ−Ａｇ系)の低融点合金からな
る。

【００２９】また、図５に示すように、第１の絶縁層３
２および第２の絶縁層３６により形成される凹部３１に
は、複数のチップコンデンサ(電子部品)７０が実装され
る。上記コンデンサ７０は、両側面の上端および下端に
突出する電極７２を図５の前後方向に沿って複数有し、
例えばチタン酸バリウムを主成分とする誘電体層および
内部電極となるＮｉ層を交互に積層したセラミックスコ
ンデンサで、３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×０．７ｍｍのサ
イズである。かかるコンデンサ７０の上端の電極７２
は、図示しないハンダを介してスルーホール導体４８の
下端に位置する配線層４６と接続されている。一方、コ
ンデンサ７０における下端の電極７２は、裏面配線層５
１とほぼ同じ高さに位置する。

【００３０】図５に示すように、コア基板Ｋの裏面３４
には、厚みが約２７〜７０μｍ(本実施形態では６０μ
ｍ)と前記表面配線層５０よりも厚いと裏面配線層５１
がほぼ全面に形成される。コア基板Ｋの裏面３４および
裏面配線層５１の下側には、前記同様の厚みを有するソ
ルダーレジスト層(絶縁層)５２が形成され、裏面配線層
５１から延び且つ第２主面６９側に開口する開口部５３
の底部には配線５１ａが露出する。かかる配線５１ａ
は、表面にＮｉおよびＡｕメッキが被覆され、当該配線
基板３０自体を搭載する図示しないマザーボードなどの
プリント基板との接続端子として活用される。尚、配線
５１ａには、ハンダボールや銅系または鉄系合金からな
るピンなどを接合しても良い。また、前記コンデンサ７
０の下端の電極７２も、ハンダボールなどを介してマザ
ーボードなどと接続しても良い。

【００３１】以上のような配線基板３０によれば、前記
配線基板１，１ａと同様に平坦なビルドアップ層ＢＵが
得られると共に、コア基板Ｋの凹部３１にチップコンデ
ンサ７０が実装されているため、第１主面６７上に実装
するＩＣチップとの配線経路を短くでき、クロストーク
ノイズを低減し、安定した導通が取れる。また、上記チ
ップコンデンサ７０を直にプリント基板などに接続する
ことも容易となる。尚、前記凹部３１の面積は、平面視
においてコア基板Ｋの約４０％以下の面積比とすること
が、厚みが異なる表面配線層５０および裏面配線層５１
による前記効果を得る上で望ましい。また、凹部３１内
で各チップコンデンサ７０を、その下端の電極７２を除
いて埋め込み樹脂によりモールドして内蔵しても良い。

【００３２】本発明は以上において説明した形態に限定
されるものではない。前記コア基板Ｋは、単一の絶縁層
からなるものとし、その裏面側に開口する凹部３１をル
ータ(座ぐり)により形成したものを用いても良い。前記
コア基板２やコア基板Ｋの絶縁層３２，３６の材質は、
前記ガラス−エポキシ樹脂系の複合材料の他、ビスマレ
イミド・トリアジン(ＢＴ)樹脂、エポキシ樹脂、同様の
耐熱性、機械強度、可撓性、加工容易性などを有するガ
ラス織布や、ガラス織布などのガラス繊維とエポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂、またはＢＴ樹脂などの樹脂との複
合材料であるガラス繊維−樹脂系の複合材料を用いても
良い。あるいは、ポリイミド繊維などの有機繊維と樹脂
との複合材料や、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元
網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂などの樹脂を含
浸させた樹脂−樹脂系の複合材料などを用いることも可
能である。

【００３３】あるいは、前記コア基板２やコア基板Ｋの
絶縁層３２，３６などの材質をセラミックとすることも
できる。かかるセラミックには、アルミナ、ガラスセラ
ミック、ムライト、窒化アルミニウムなどが含まれ、更
には約１０００℃以下の比較的低温で焼成が可能な低温
焼成セラミックを用いることもできる。セラミックから
なるコア基板２やコア基板Ｋには、パンチングやレーザ
加工によってスルーホール５，４３が穿孔され、それら
の表面２ａ，３７上には、樹脂フィルムからなる絶縁層
１４，５４などがラミネートされると共に、前述したビ
ルドアップ工程によりビルドアップ層ＢＵが形成され
る。尚、前記コア基板Ｋの場合、上記セラミックからな
る複数枚のグリーンシートの表面および裏面の少なくと
も一方にＷ、Ｍｏ、またはＣｕなどからなるメタライズ
インクで所定パターンの配線層を形成した後、かかるシ
ートのうち凹部３１となる位置を打ち抜き加工したもの
を含めて積層し且つ焼成する。また、上記メタライズ
は、Ａｇ、Ａｕ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄなどを素材と
しても良い。

【００３４】また、前記表面配線層１０などや、スルー
ホール導体６などの材質は、前記Ｃｕの他、Ａｇ、Ｎ
ｉ、Ｎｉ−Ａｕ系などにしても良く、あるいは、これら
金属のメッキ層を用いず、導電性樹脂を塗布するなどの
方法により形成しても良い。更に、前記絶縁層１４，２
０などの材質は、前記エポキシ樹脂を主成分とするもの
のほか、同様の耐熱性、パターン成形性等を有するポリ
イミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、あるいは、連続気
孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂
にエポキシ樹脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂系の
複合材料などを用いることもできる。尚、絶縁層の形成
には、絶縁性の樹脂フィルムを熱圧着する方法のほか、
液状の樹脂をロールコータにより塗布する方法を用いる
こともできる。尚また、絶縁層に混入するガラス布また
はガラスフィラの組成は、Ｅガラス、Ｄガラス、Ｑガラ
ス、Ｓガラスの何れか、またはこれらのうちの２種類以
上を併用したものとしても良い。

【００３５】また、ビア導体は、前記フィルドビア導体
１６などでなく、内部が完全に導体で埋まってない逆円
錐形状のコンフォーマルビア導体とすることもできる。
あるいは、各ビア導体の軸心をずらしつつ積み重ねるス
タッガードの形態でも良いし、途中で平面方向に延びる
配線層が介在する形態としても良い。また、前記凹部３
１に実装または内蔵する電子部品は、１つのみでも良
い。逆に、多数の配線基板３０を含む多数個取りの基板
(パネル)内における製品単位１個内に、複数の凹部３１
を形成しても良い。更に、複数のチップ状電子部品を互
いの側面間で予め接着したユニットとし、これを凹部３
１内に実装することもできる。また、チップ状電子部品
には、前記チップコンデンサ７０などの他、チップ状の
インダクタ、抵抗、フィルタなどの受動部品や、トラン
ジスタ、半導体素子、ＦＥＴ、ローノイズアンプ(ＬＮ
Ａ)などの能動部品、あるいはＳＡＷフィルタ、ＬＣフ
ィルタ、アンテナスイッチモジュール、カプラ、ダイプ
レクサ、ＩＣチップ、半導体集積回路なども含まれる。
しかも、互いに異種の電子部品同士を配線基板３０の同
じ凹部３１内に併せて実装することも可能である。

【００３６】

【発明の効果】以上に説明した本発明の配線基板(請求
項１)によれば、裏面配線層が表面配線層よりも厚肉に
形成されるため、表面配線層およびビルドアップ層を形
成する複数の配線層および複数の絶縁層とからなるコア
基板の表面側と、裏面配線層およびソルダーレジスト層
からなるコア基板の裏面側の熱膨張の差をなくすか、小
さくできる。従って、配線基板全体が、従来のようにビ
ルドアップ層寄りに反る(ビルドアップ層の中央付近が
凹む)事態を防止または抑制できるため、当該ビルドア
ップ層の平坦性が確保できる。更に、配線基板の表面上
に実装すべきＩＣチップなどの半導体素子を容易に実装
することも可能となる。

【００３７】一方、本発明による配線基板の製造方法に
(請求項２)よれば、コア基板の裏面に形成され且つ表面
配線層よりも厚い裏面配線層を有すると共に、かかるコ
ア基板の表面上にのみ(片面)に平坦なビルドアップ層を
有する配線基板を確実に製造することができる。また、
請求項３の配線基板の製造方法によれば、比較的厚肉の
裏面側配線層と比較的薄肉の表面側配線層とを有する一
対のコア基板を積層した状態で、それぞれのコア基板の
表面上にビルドアップ層を形成するため、ビルドアップ
層を平坦に形成することが一層確実となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の配線基板の主要部を示す断面図。

【図２】(Ａ)〜(Ｄ)は本発明の製造方法における主な製
造工程を示す概略図。

【図３】(Ａ)，(Ｂ)は図２(Ｄ)に続く本発明の製造方法
の製造工程を示す概略図。

【図４】(Ａ)は得られた配線基板の主要部を示す断面
図、(Ｂ)は図１の配線基板の変形形態における主要部を
示す断面図。

【図５】本発明の異なる形態の配線基板における主要部
を示す断面図。

【符号の説明】

１，１ａ，３０………………配線基板 ２，Ｋ…………………………コア基板 ２ａ，３ａ，３７……………表面 ２ｂ，４ｂ，３４……………裏面 １０，５０……………………表面配線層 １１，５１……………………裏面配線層 １４，２０，５４，６０……絶縁層 １８，２４，５８，６４……配線層 ＢＵ……………………………ビルドアップ層 ｒ………………………………離型シート

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E346 AA06 AA12 AA15 AA43 BB15 CC04 CC09 CC32 DD02 DD03 DD25 DD32 DD33 DD44 EE33 FF04 FF07 FF15 GG17 GG22 HH21

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】表面および裏面を有するコア基板と、 上記コア基板の表面に形成した表面配線層と、 上記コア基板の表面上方に交互に形成された複数の配線
   層および複数の絶縁層からなるビルドアップ層と、 上記コア基板の裏面に形成され且つ上記表面配線層より
   も厚い裏面配線層と、を含む、ことを特徴とする配線基
   板。
2. 【請求項２】表面および裏面を有するコア基板におい
   て、かかる表面に表面配線層を形成し且つ上記裏面に上
   記表面配線層よりも厚い裏面配線層を形成する工程と、 上記コア基板の表面上方に複数の配線層および複数の絶
   縁層を交互に積層してビルドアップ層を形成するビルド
   アップ工程と、を含む、 ことを特徴とする配線基板の製造方法。
3. 【請求項３】前記ビルドアップ工程は、一対のコア基板
   の裏面配線層同士の間に離型シートを挟んで一対のコア
   基板を積層および固定し、かかる一対のコア基板の表面
   上方にそれぞれ複数の配線層および複数の絶縁層を交互
   に形成することにより行われる、ことを特徴とする請求
   項２に記載の配線基板の製造方法。