JP2003298231A - 配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】コア基板の表面上方(片面)にのみ平坦なビルド
アップ層を確実に形成できる配線基板の製造方法を提供
する。 【解決手段】表面２ａに表面配線層１０を形成し且つ裏
面２ｂに裏面配線層１１を形成したコア基板２における
上記表面２ａの上方にのみ、交互に積層した絶縁層１
６，２３および配線層２２，２６を含むビルドアップ層
ＢＵを形成するビルドアップ層形成工程において、上記
配線層２２，２６をセミアディティブ法に基づいて形成
する、配線基板の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、コア基板の表面上
方にのみビルドアップ層を有する配線基板の製造方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】低コスト化のため、コア基板の表面上方
にのみビルドアップ層を形成した配線基板が提案されて
いる(例えば、特許文献１参照)。かかる配線基板は、コ
ア基板とビルドアップ層との熱膨張や熱収縮の相違に起
因して、かかるビルドアップ層寄りに反る、即ち当該ビ
ルドアップ層の中央付近が凹む変形を生じ易い。かかる
反りを防いで平坦なビルドアップ層を有する配線基板を
効率良く製造する方法として、以下のような方法が検討
されている。即ち、予め表面および裏面に所定パターン
の配線層を形成した２枚のコア基板を重ね合わせ、それ
らの外側面に絶縁樹脂付き銅箔を積層し且つプレスして
積層体を形成し、かかる積層体の両面(表面)に樹脂絶縁
層および配線層を有するビルドアップ配線層をサブトラ
クティブ法に基づいて形成する。その後、コア基板を個
別に分離することにより、片面ビルドアップ配線基板を
からなる多層プリント基板を２枚同時に製造する方法で
ある。

【０００３】

【特許文献１】特開平１１−２０４９４０号公報 (図
１)

【０００４】ところで、上記の製造方法では、ビルドア
ップ層における配線層は、サブトラクティブ法によるパ
ネルメッキで形成される。即ち、コア基板の表面上に形
成した絶縁層の表面全体に銅メッキ層をパネルメッキで
形成し、かかる銅メッキ層の上に所定パターンのエッチ
ングレジストを形成した後、エッチングすることにより
配線層が形成される。しかしながら、上記パネルメッキ
による残留応力が大きいため、前記２枚のコア基板を積
層した積層体にして、ビルドアップ層を形成しても、反
りを解消できない場合がある。かかる反りが生じると、
例えば樹脂フィルムを配線層の上に貼り付ける際に、そ
の密着が十分でなく、部分的な剥離(テンティング)を生
じたり、これに起因して真空吸着ができなくなる。更に
は、第１主面上に実装すべきＩＣチップなどの半導体素
子の実装ができなくなる、という問題があった。加え
て、上記パネルメッキによる残留応力のため、積層した
２枚のコア基板が当該応力により剥離してしまう、とい
う問題もあった。

【０００５】

【発明が解決すべき課題】本発明は、以上に説明した従
来の技術における問題点を解決し、コア基板の表面上方
(片面)にのみ平坦なビルドアップ層を確実に形成できる
配線基板の製造方法を提供する、ことを課題とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するため、コア基板の表面上方に形成されるビルドア
ップ層における配線層をパターンメッキにより形成す
る、ことに着想して成されたものである。即ち、本発明
の配線基板の製造方法(請求項１)は、表面に表面配線層
を形成し且つ裏面に裏面配線層を形成したコア基板にお
ける上記表面の上方にのみ、複数の絶縁層および複数の
配線層を含むビルドアップ層を形成するビルドアップ層
形成工程において、上記複数の配線層をアディティブ法
に基づいて形成する、ことを特徴とする。

【０００７】これによれば、ビルドアップ層における複
数の配線層は、所定のパターンメッキにより形成される
ので、かかる配線層を形成する電解銅メッキによる残留
応力を最小限にできる。このため、従来のサブトラクテ
ィブ法により一旦全面に銅メッキ層を形成した後、これ
をエッチングによりパターニングして配線層を形成しつ
つ、コア基板の表面上方(片面)にのみビルドアップ層を
有する配線基板に比べ、かかるビルドアップ層側への反
りを小さく抑制することができる。この結果、ビルドア
ップ層の絶縁層を形成する樹脂フィルムの貼り付けも不
具合なく行えるため、平坦なビルドアップ層を確実に形
成することが可能となる。尚、上記アディティブ法に
は、フルアディティブ法、セミアディティブ法、および
バートリーアディティブ法が含まれる。また、上記コア
基板には、樹脂またはセラミックの単一の絶縁層からな
る形態の他、樹脂またはセラミック製の複数の絶縁層お
よびこれらの間に形成した単数または複数の配線層から
なる多層基板の形態も含まれる。更に、上記ビルドアッ
プ層形成工程は、複数のコア基板を有する多数個取り用
パネルの製品エリア毎に行うことも可能である。

【０００８】付言すれば、本発明には、コア基板の表面
に表面配線層を形成し且つ裏面に裏面配線層を形成する
と共に、かかる表面および裏面の間を貫通し且つ上記表
面配線層と裏面配線層とを導通するスルーホール導体を
有する上記コア基板における表面の上方にのみ、複数の
絶縁層および複数の配線層を含むビルドアップ層を形成
するビルドアップ層形成工程において、上記複数の配線
層をアディティブ法に基づいて形成する、配線基板の製
造方法を含めることも可能である。

【０００９】また、本発明には、前記ビルドアップ層形
成工程は、一対のコア基板をそれぞれの裏面配線層を互
いに直に接触させ、あるいは離型シートを介して接触さ
せて積層した各コア基板の表面側において行われる、配
線基板の製造方法(請求項２)も含まれる。これによれ
ば、積層した一対のコア基板全体が高い剛性を有するた
め、前記アディティブ法と相まって、ビルドアップ層を
一層確実に平坦にして形成することが可能となる。尚、
かかる積層した状態で行うビルドアップ層形成工程も、
複数のコア基板を有する多数個取りのパネルにおいて行
うことも可能である。

【００１０】更に、本発明には、前記裏面配線層は、前
記表面配線層よりも厚肉である、配線基板の製造方法
(請求項３)も含まれる。これによれば、表面配線層の厚
みよりも厚肉の厚みを有する裏面配線層は、当該表面配
線層よりも熱収縮し易くなるため、前記アディティブ法
と相まって、更には前記一対のコア基板の積層形態とも
相まって、ビルドアップ層を平坦にした配線基板を一層
確実に製造することが可能となる。尚、上記表面配線層
は、予め前記コア基板の表面に形成した銅箔をパターニ
ングし、上記裏面配線層は、予め前記コア基板の裏面に
形成した銅箔の上に更に銅メッキ層を形成し、かかる銅
箔および銅メッキ層をパターニングしたもので形成して
も良い。あるいは、コア基板の裏面側の銅箔を表面側の
銅箔よりも予め厚肉のもので貼り付けても良い。一方、
コア基板がセラミックからなる形態では、かかるコア基
板の表面と裏面とに厚みの異なるメタライズインクのパ
ターンを形成し且つ焼成することにより、上記配線基板
を形成することができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下において、本発明の実施に好
適な形態を図面と共に説明する。図１(Ａ)は、例えばガ
ラス−エポキシ樹脂の複合材料からなる厚さ約８００μ
ｍのコア基板２の断面を示す。コア基板２には、図１
(Ａ)に示すように、その表面２ａに厚さ約１５μｍの銅
箔１０ａが、その裏面２ｂには厚さ約４０μｍの銅箔１
１ａが予め貼り付けられている。尚、裏面２ｂの銅箔１
１ａは、表面２ａの銅箔１０ａと同じ厚みに形成し、そ
の上に銅メッキ層を被覆して上記の厚みに形成しても良
い。上記コア基板２の所定の位置にレーザを照射する
か、細径のドリルにて穿孔する(本実施形態ではドリル
にて穿孔)。その結果、図１(Ｂ)に示すように、コア基
板２における表面２ａと裏面２ｂとの間を貫通し且つ内
径が約１００μｍのスルーホール５が複数形成される。

【００１２】次に、複数のスルーホール５を有するコア
基板２の全面に対し、無電解銅メッキおよび電解銅メッ
キを施す。尚、各スルーホール５の内壁には、予めＰｄ
を含むメッキ触媒を塗布しておく。また、上記スルーホ
ール５の穿孔および銅メッキは、複数のコア基板２(製
品単位)を含むパネル(多数個取りの基板)の状態で行っ
ても良い。その結果、図１(Ｃ)に示すように、各スルー
ホール５の内壁表面に沿って厚みが約１５μｍのスルー
ホール導体６がそれぞれ形成される。また、銅箔１０
ａ，１１ａは、上記メッキにより、厚めの銅メッキ層１
０ｂ，１１ｂ(便宜上、その厚みは銅箔１０ａ，１１ａ
と同じに図示する)となる。

【００１３】次いで、図１(Ｄ)に示すように、各スルー
ホール導体６の内側に、シリカフィラなどの無機フィラ
入りのエポキシ系樹脂からなる充填樹脂７を充填する。
尚、充填樹脂７に替え、多量の金属粉末を含む導電性樹
脂または金属粉末を含む非導電性樹脂を用いても良い。
更に、表面２ａおよび裏面２ｂの銅メッキ層１０ｂ，１
１ｂの上に、その全面に対し銅メッキを行い且つ充填樹
脂７の表面に蓋をするように蓋メッキを行う。そして、
公知のフォトリソグラフィ技術により、所定のパターン
を有する図示しないエッチングレジストを形成した後、
かかるエッチングレジストのパターン間の隙間から露出
する銅メッキ層１０ｂ，１１ｂをエッチングする(公知
のサブトラクティブ法)。

【００１４】その結果、図２(Ａ)に示すように、コア基
板２の表面２ａおよび裏面２ｂに、上記レジストのパタ
ーンに倣った表面配線層１０または裏面配線層１１が形
成される。かかる表面配線層１０の厚みは約２５μｍで
あり、裏面配線層１１の厚みは約５０μｍである。ま
た、表面配線層１０は、コア基板２の表面２ａのうち少
なくとも６０％以上の面積を占め、裏面配線層１１は、
裏面２ｂのうち少なくとも６０％以上の面積を占めてい
る。尚、充填樹脂７の表面の真上にビア導体を形成しな
い場合には、前記蓋メッキを省いても良い。

【００１５】次に、図２(Ｂ)に示すように、コア基板２
の裏面２ｂおよび裏面配線層１１の上(図示で下側)にプ
リプレグ(接着性の絶縁層)１２を形成する。かかるプリ
プレグ１２は、接着性、弾力性、および絶縁性を有する
厚さ数１０μｍの熱硬化性樹脂(例えばエポキシ、ビス
マレイミド・トリアジン、フェノール、ポリイミド、ポ
リエステルなど)からなる(本実施形態ではエポキシ)。
尚、前記多数個取り用のパネルの裏面全体にプリプレグ
１２を形成しても良い。次いで、図２(Ｃ)に示すよう
に、表面配線層１０および裏面配線層１１を形成した一
対のコア基板２，２を、それぞれのプリプレグ１２，１
２を対向させ、離型シート１４を挟んで積層し且つ固定
する。この離型シート１４には、例えば一対のフィルム
間に熱可塑性樹脂からなるクッション材を挟み且つその
周縁で前記フィルムにより密封したシート状のものであ
る。尚、上記クッション材には、柔軟性(弱い弾性)を有
する熱可塑性樹脂(商品名：パコタンプラス)が用いられ
る。

【００１６】次に、ビルトアップ層形成工程をセミアデ
ィティブ法により行う。以下にかかるの工程を説明す
る。図３(Ａ)に示すように、積層した一対のコア基板２
における何れかの表面２ａおよび表面配線層１０の上
に、シリカフィラなどの無機フィラを含むエポキシ樹脂
からなり厚みが３０μｍの絶縁層１６を形成する。更
に、図３(Ｂ)に示すように、絶縁層１６における所定の
位置に対し、フォトリソグラフィ技術またはレーザ加工
(炭酸ガスレーザなどを使用する)を施して(本実施形態
ではレーザ加工)、ビアホール１７を複数形成する。か
かるビアホール１７の底面には、表面配線層１０が露出
している。尚、図３(Ｂ)以降においては、図３(Ａ)で上
側のコア基板２について図示しつつ説明する。次に、絶
縁層１６の表面、ビアホール１７の内壁面、および該ビ
アホール１７の底面に露出する表面配線層１０上に、Ｐ
ｄを含むメッキ触媒を塗布した後、無電解銅メッキを施
す。この結果、図３(Ｂ)中の破線で示すように、厚みが
１μｍ未満の極く薄い銅メッキ膜１８が、絶縁層１６の
表面全体、ビアホール１７の内壁面、およびビアホール
１７の底面に露出する表面配線層１０上に形成される。

【００１７】次いで、図３(Ｃ)に示すように、銅メッキ
膜１８が形成された絶縁層１６の上に、感光性樹脂から
なり厚みが約１０μｍのフィルム１９を貼り付ける。か
かるフイルム１９の上に、所定パターンを有するマスク
(図示せず)を載置した後、当該フィルム１９に対して露
光および現像(フォトグラフィ技術)を施す。この結果、
図４(Ａ)に示すように、上記フィルム１９には、ビアホ
ール１７を含む上記マスクのパターンに倣った開口部１
９ａが複数形成される。かかる開口部１９ａ内には、前
記メッキ触媒および銅メッキ膜１８が被覆されたビアホ
ール１７およびかかるビアホール１７の上端に隣接する
絶縁層１６が露出する。

【００１８】更に、開口部１９ａ内における絶縁層１６
上、ビアホール１７内、およびその底面に露出する表面
配線層１０上の銅メッキ膜１８に対し、電解銅メッキを
施す。この結果、図４(Ｂ)に示すように、絶縁層１６の
上には、所定パターンの配線層２２が形成され、各ビア
ホール１７内には、表面配線層１０と配線層２２との間
を接続するほぼ円錐形のビア導体２０が形成される。
尚、上記電解銅メッキのメッキ条件を変更することによ
り、ビアホール１７の内部も銅で埋まった形態のフィル
ドビア導体を形成することもできる(図示せず)。次い
で、図４(Ｃ)に示すように、残ったフィルム１９をエッ
チングなどにより剥離し、その下に位置する前記メッキ
触媒および銅メッキ膜１８をエッチングなどにより除去
する。

【００１９】次に、図５(Ａ)に示すように、絶縁層１
６、配線層２２，およびビア導体２０の上に、前記同様
の絶縁層２３を例えばロールコータを用いて形成する。
これ以降は、上述したような絶縁層１６、ビアホール１
７、開口部１９ａ、配線層２２、ビア導体２０、および
絶縁層２３(２７)の形成を繰り返して行う。この結果、
図５(Ｂ)に示すように、絶縁層１６の上方に、絶縁層２
３，２７、配線層２６、および絶縁層２３内のビアホー
ル２５内に位置するビア導体２４が形成される。このう
ち、絶縁層１６，２３および配線層２２，２６はビルド
アップ層ＢＵを形成する。また、ビア導体２４は、配線
層２２，２６間を接続する。

【００２０】図５(Ｂ)に示すように、最上層の絶縁層
(ソルダーレジスト層)２７には、配線層２６上の適所か
ら第１主面２９よりも高く突出するハンダバンプ２８が
貫通する。このハンダバンプ２８は、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｐ
ｂ−Ｓｎ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ
−Ｚｎ系など(本実施形態ではＳｎ−Ａｇ系)の低融点合
金からなり、第１主面２９上に実装される図示しないＩ
Ｃチップの接続端子と個別に接続される。また、複数の
ハンダバンプ２８とＩＣチップの接続端子とは、公知の
アンダーフィル材(図示せず)により埋設され且つ保護さ
れる。尚、一対のコア基板２，２のうち、他方のコア基
板２にも、上記と同じビルドアップ層形成工程が施され
る。また、以上のような工程を前記多数個取り用のパネ
ルを一対積層した状態で、一対のコア基板２，２に対し
同時に行っても良い。

【００２１】次いで、図５(Ｃ)に示すように、ビルドア
ップ層ＢＵが形成されたコア基板２，２を個別に分離し
た後、かかるコア基板２の裏面２ｂ下のプリプレグ１２
における所定の位置にレーザ加工を行う。この結果、プ
リプレグ１２に形成される開口部１５の底面には、配線
層１１から延びた配線１１ｃが第２主面１３側に露出す
る。この配線１１ｃは、その表面に図示しないＮｉおよ
びＡｕメッキが被覆され、マザーボードなどのプリント
基板と接続するための接続端子(ランド)となる。尚、配
線１１ｃには、図示しないハンダを介して例えばコバー
ル製の導体ピンを接続しても良い。これにより、図５
(Ｃ)に示すような配線基板１が得られる。

【００２２】以上のような配線基板１の製造方法によれ
ば、ビルドアップ層ＢＵにおける配線層２２，２６は、
所定のパターンメッキにより形成されるため、かかる配
線層２２，２６を形成する電解銅メッキによる残留応力
を最小限にできる。このため、従来のサブトラクティブ
法により一旦全面に銅メッキ層を形成した後、これをパ
ターニングして配線層を形成しつつ、コア基板の表面２
ａ上方にのみビルドアップ層を形成する配線基板に比べ
て、かかるビルドアップ層ＢＵ側への反りを小さく抑制
することができる。この結果、ビルドアップ層ＢＵの絶
縁層２３，２７を形成する樹脂フィルムも平坦に貼り付
けられるため、平坦なビルドアップ層ＢＵを確実に形成
することができる。しかも、裏面配線層１１を表面配線
層１０よりも厚く形成するため、上記反りを一層確実に
抑制することができる。これにより、配線基板１の第１
主面２９上にＩＣチップなどを確実に実装することもで
きる。従って、信頼性の高い配線基板１を提供すること
が可能となる。

【００２３】ところで、ビルドアップ層形成工程におけ
る配線層２２，２６の形成には、フルアディティブ法を
用いることもできる。即ち、図６(Ａ)に示すように、前
記同様に積層した一対のコア基板２の何れかにおける表
面２ａ上に絶縁層１６およびビアホール１７を形成した
際、前記メッキ触媒や無電解銅メッキを施さない。次
に、前記同様のフィルム１９を絶縁層１６の上に形成し
且つフォトリソグラフィ技術により、図６(Ｂ)に示すよ
うに、上記フィルム１９の適所に開口部１９ａを形成す
る。かかる開口部１９ａ内の絶縁層１６、ビアホール１
７などにＰｄを含むメッキ触媒を塗布した後、無電解銅
メッキを施し、図６(Ｂ)中の破線で示すように、薄い銅
メッキ膜１８を形成する。

【００２４】引き続いて、上記銅メッキ膜１８上に無電
解銅メッキを施すことにより、図６(Ｃ)に示すように、
絶縁層１６上に所定パターンの配線層２２が形成され、
且つ各ビアホール１７内には、表面配線層１０と配線層
２２との間を接続するビア導体２０が形成される。尚、
上記無電解銅メッキのメッキ条件を変更することによ
り、フィルドビア導体を形成することも可能である。ま
た、フイルム１９は、剥離されず、絶縁層１６と共に残
留する。以上の工程を繰り返すことにより、フルアディ
ティブ法により形成した配線層２２，２６を有するビル
ドアップ層ＢＵを形成することができる。

【００２５】図７は、前記配線基板１の応用形態である
配線基板１ａの製造方法に関する。尚、以下において、
前記形態と同じ部分や要素には共通する符号を用いる。
図７(Ａ)に示すように、多層基板のコア基板Ｋ，Ｋを、
それらの裏面４ａに予め形成したプリプレグ１２同士を
離型シート１４を挟んで対向しつつ積層し且つ固定す
る。コア基板Ｋは、絶縁層２の表面２ａおよび裏面２ｂ
に予め形成された銅箔を、フォトリソグラフィ技術およ
びエッチングにより所定パターンの配線層８，９とし、
その上に樹脂フィルムを圧着して絶縁層３，４を形成す
ることで得られる。コア基板Ｋの表面３ａと裏面４ａと
の間に、図７(Ａ)に示すように、スルーホール５、スル
ーホール導体６、および充填樹脂７を、前述した方法に
より複数形成する。各スルーホール導体６は、その中間
で配線層８，９と接続する。また、コア基板Ｋの表面３
ａおよび裏面４ａには、銅メッキ、フォトリソグラフィ
技術、およびエッチングにより、前記同様の表面配線層
１０と裏面配線層１１とが形成され、これらは各スルー
ホール導体６を介して互いに導通している。

【００２６】上述した積層状態で、何れかのコア基板Ｋ
の表面３ａ上方に、前記同様のセミアディティブ法また
はフルアディティブ法により、図７(Ｂ)に示すように、
ビルドアップ層ＢＵを形成し、ソルダーレジスト層２
７、およびハンダバンプ２８を形成する。尚、図７(Ｂ)
中で示すビア導体２０，２４はフィルドビアである。ま
た、他方のコア基板Ｋにも、上記同様にビルドアップ層
ＢＵなどを形成する。更に、図７(Ｂ)に示すように、個
別に分離したコア基板Ｋにおいて、そのプリプレグ１２
に前記同様のレーザ加工により、開口部１５を形成す
る。かかる開口部１５の底面に露出する配線１１ｃは、
ＮｉおよびＡｕメッキが被覆されて、マザーボードなど
のプリント基板と接続するための接続端子(ランド)とな
る。この結果、図７(Ｂ)に示すように、コア基板Ｋの表
面３ａ上方に平坦なビルドアップ層ＢＵを有する配線基
板１ａが得られる。尚、配線基板１ａでは、コア基板Ｋ
に配線層８，９が内設されているため、配線の高密度化
にも対応できる。

【００２７】図８は、本発明の製造方法により得られる
異なる形態の配線基板３０の主要部における断面を示
す。配線基板３０は、図８に示すように、多層基板のコ
ア基板Ｋ、その表面３７に形成した表面配線層５０、コ
ア基板Ｋの表面３７の上方に形成したビルドアップ層Ｂ
Ｕ、コア基板Ｋの裏面３４に形成され且つ表面配線層５
０よりも厚い裏面配線層５１、およびコア基板Ｋの裏面
３４側に開口する凹部３１、を含む。コア基板Ｋは、比
較的厚肉の第１の絶縁層３２および比較的薄肉の第２の
絶縁層３６から形成される。第１の絶縁層３２は、表面
３３および裏面３４を有する厚さが約８００μｍのガラ
ス−エポキシ樹脂の複合材料からなり、その中央付近に
は、凹部３１が穿孔されて設られている。第２の絶縁層
３６は、表面３７および裏面３８を有する厚さ約２００
μｍのガラス−エポキシ樹脂からなり、その中央付近に
は、直径約１００μｍのスルーホール４７が複数貫通す
る。かかるスルーホール４７の内側には、銅メッキ製の
スルーホール導体４８とその内側の充填樹脂４９とが形
成されている。

【００２８】図８に示すように、第１の絶縁層３２と第
２の絶縁層３６とは、厚みが約６０μｍの接着性を有す
るプリプレグ(接着層)４０を介して貼り合わされること
により、積層されている。尚、凹部３１は、予め第１の
絶縁層３２をプレス加工して形成され、平面視で縦・横
それぞれ約１４ｍｍずつのほぼ正方形を呈する。図８の
左右に示すように、上記凹部３１の周囲における第１の
絶縁層３２および第２の絶縁層３６には、直径が約１０
０μｍの複数のスルーホール４３が貫通し、各スルーホ
ール４３の内側には、銅メッキ製で比較的に長いスルー
ホール導体４４および充填樹脂４５がほぼ同軸心で形成
されている。また、図８に示すように、第２の絶縁層３
６の裏面３８には、所定パターンを有する銅メッキ製で
且つ厚みが約１５μｍの配線層４１，４６が形成され、
配線層(電子部品接続配線)４６はスルーホール導体４８
の下端と、配線層４１はスルーホール導体４４の中間と
接続されている。第１の絶縁層３２の表面３３にも、上
記同様の所定パターンおよび厚みを有する銅メッキ製の
配線層４２が形成され、且つスルーホール導体４４の中
間と接続されている。

【００２９】更に、図８に示すように、コア基板Ｋの表
面３７には、所定パターンを有し銅メッキ製で厚みが約
１５〜２５μｍ(本実施形態では２０μｍ)の表面配線層
５０が形成され、スルーホール導体４４，４８の上端と
接続されている。コア基板Ｋの表面３７および配線層５
０の上方には、前記同様のセミアディティブ法またはフ
ルアディティブ法により、エポキシ系樹脂の絶縁層５
４，６０と配線層５８，６４とを交互に積層したビルド
アップ層ＢＵが形成される。絶縁層５４，６０には、表
面配線層５０、配線層５８，６４の間を相互に接続する
フィルドビア導体５６，６２が形成される。絶縁層６０
と配線層６４との上には、最上層のソルダーレジスト層
(絶縁層)６６が形成される。尚、絶縁層５４などの厚み
は約３０μｍ、ソルダーレジスト層６６の厚みは約２５
μｍである。

【００３０】図８に示すように、配線層６４上の所定の
位置には、第１主面(表面)６７よりも高く突出する複数
のハンダバンプ(ＩＣ接続端子)６８が個別に形成され、
かかるバンプ６８は、第１主面６７上に実装する図示し
ないＩＣチップ(半導体素子)の接続端子と個別に接続さ
れる。上記バンプ６８は、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｐｂ−Ｓｎ
系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｚｎ系
など(本実施形態ではＳｎ−Ａｇ系)の低融点合金からな
る。

【００３１】また、図８に示すように、第１の絶縁層３
２および第２の絶縁層３６により形成される凹部３１に
は、複数のチップコンデンサ(電子部品)７０が実装され
る。上記コンデンサ７０は、両側面の上端および下端に
突出する電極７２を図８の前後方向に沿って複数有し、
例えばチタン酸バリウムを主成分とする誘電体層および
内部電極となるＮｉ層を交互に積層したセラミックスコ
ンデンサで、３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×０．７ｍｍのサ
イズである。かかるコンデンサ７０の上端の電極７２
は、図示しないハンダを介してスルーホール導体４８の
下端に位置する配線層(電子部品接続配線)４６と接続さ
れている。一方、コンデンサ７０における下端の電極７
２は、裏面配線層５１とほぼ同じ高さに位置する。

【００３２】図８に示すように、コア基板Ｋの裏面３４
には、厚みが約２７〜７０μｍ(本実施形態では６０μ
ｍ)と前記表面配線層５０よりも厚い裏面配線層５１が
ほぼ全面に形成される。コア基板Ｋの裏面３４と裏面配
線層５１との下側には、前記同様の厚みを有するプリプ
レグ(接着性の絶縁層)５２が形成され、裏面配線層５１
から延び且つ第２主面６９側に開口する開口部５３の底
部には配線５１ａが露出する。かかる配線５１ａは、表
面にＮｉおよびＡｕメッキが被覆され、当該配線基板３
０自体を搭載する図示しないマザーボードなどのプリン
ト基板との接続端子として活用される。尚、配線５１ａ
には、ハンダボールや銅系または鉄系合金からなる導体
ピンなどを接合しても良い。また、前記コンデンサ７０
の下端の電極７２も、ハンダボールなどを介してマザー
ボードなどと接続しても良い。

【００３３】以上のような配線基板３０によれば、前記
配線基板１，１ａと同様に平坦なビルドアップ層ＢＵが
得られると共に、コア基板Ｋの凹部３１内にチップコン
デンサ７０が実装されているため、第１主面６７上に実
装するＩＣチップとの配線経路を短くでき、クロストー
クノイズを低減し、安定した導通が取れる。また、上記
チップコンデンサ７０を直接的にプリント基板などに接
続することも容易となる。尚、前記凹部３１の面積は、
平面視においてコア基板Ｋの約４０％以下の面積比とす
ることが、厚みが異なる表面配線層５０および裏面配線
層５１による前述した反り防止などの効果を得る上で望
ましい。また、凹部３１内で各チップコンデンサ７０
を、その下端の電極７２を除いて埋め込み樹脂によりモ
ールドして内蔵しても良い。

【００３４】本発明は、以上において説明した形態に限
定されるものではない。前記コア基板Ｋは、単一の絶縁
層からなるものとし、その裏面側に開口する凹部３１を
ルータ(座ぐり)により形成したものを用いても良い。前
記コア基板２やコア基板Ｋの絶縁層３２，３６の材質
は、前記ガラス−エポキシ樹脂系の複合材料の他、ビス
マレイミド・トリアジン(ＢＴ)樹脂、エポキシ樹脂、同
様の耐熱性、機械強度、可撓性、加工容易性などを有す
るガラス織布や、ガラス織布などのガラス繊維とエポキ
シ樹脂、ポリイミド樹脂、またはＢＴ樹脂などの樹脂と
の複合材料であるガラス繊維−樹脂系の複合材料を用い
ても良い。あるいは、ポリイミド繊維などの有機繊維と
樹脂との複合材料や、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３
次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂などの樹脂
を含浸させた樹脂−樹脂系の複合材料などを用いること
も可能である。

【００３５】更に、前記コア基板２やコア基板Ｋの絶縁
層３２，３６などの材質をセラミックとすることもでき
る。かかるセラミックには、アルミナ、シリカ、ガラス
セラミック、ムライト、窒化アルミニウムなどが含ま
れ、更には約１０００℃以下の比較的低温で焼成が可能
な低温焼成セラミックを用いることもできる。セラミッ
クからなるコア基板２やコア基板Ｋには、パンチングや
レーザ加工によってスルーホール５，４３が穿孔され、
その後スルーホール５，４３内には、Ｗ，Ｍｏ，または
Ｃｕなどの金属粉末を含むメタライズインクが印刷・充
填される。尚、セラミック材料のコア基板の場合、スル
ーホール導体内の充填樹脂は省略される。更に、セラミ
ック製のコア基板２，Ｋの表面２ａ，３７に予めカップ
リング剤を塗布した後、樹脂フィルムからなる絶縁層１
６，５４などをラミネートするなどの前記ビルドアップ
層形成工程により、ビルドアップ層ＢＵが形成される。
尚、前記コア基板Ｋの場合、上記セラミックからなる複
数枚のグリーンシートの表面および裏面の少なくとも一
方にＷ、Ｍｏ、またはＣｕなどからなるメタライズイン
クで所定パターンの配線層を形成した後、かかるシート
のうち凹部３１となる位置を打ち抜き加工したものを含
めて積層し且つ焼成する。また、上記メタライズは、Ａ
ｇ、Ａｕ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄなどを素材としても
良い。

【００３６】また、前記表面配線層１０などやスルーホ
ール導体６などの材質は、前記Ｃｕ(銅)の他、Ａｇ、Ｎ
ｉ、Ｎｉ−Ａｕ系などにしても良く、あるいは、これら
金属のメッキ層を用いず、導電性樹脂を塗布するなどの
方法により形成しても良い。更に、前記絶縁層１６，２
３などの材質は、前記エポキシ樹脂を主成分とするもの
のほか、同様の耐熱性、パターン成形性等を有するポリ
イミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、あるいは、連続気
孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂
にエポキシ樹脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂系の
複合材料などを用いることもできる。尚、絶縁層の形成
には、絶縁性の樹脂フィルムを熱圧着する方法のほか、
液状の樹脂をロールコータにより塗布する方法を用いる
こともできる。尚また、絶縁層に混入するガラス布また
はガラスフィラの組成は、Ｅガラス、Ｄガラス、Ｑガラ
ス、Ｓガラスの何れか、またはこれらのうちの２種類以
上を併用したものとしても良い。

【００３７】また、前記ビア導体２０やフィルドビア導
体５６などは、各ビア導体の軸心をずらしつつ積み重ね
るスタッガードの形態でも良いし、途中で平面方向に延
びる配線層が介在する形態としても良い。また、前記凹
部３１に実装または内蔵する電子部品は、１つのみでも
良い。逆に、多数の配線基板３０を含む多数個取りの基
板(パネル)内における製品単位１個内に、複数の凹部３
１を形成しても良い。更に、複数のチップ状電子部品を
互いの側面間で予め接着したユニットとし、これを凹部
３１内に実装または内蔵することもできる。また、チッ
プ状電子部品には、前記チップコンデンサ７０などの
他、チップ状のインダクタ、抵抗、フィルタなどの受動
部品や、トランジスタ、半導体素子、ＦＥＴ、ローノイ
ズアンプ(ＬＮＡ)などの能動部品、あるいはＳＡＷフィ
ルタ、ＬＣフィルタ、アンテナスイッチモジュール、カ
プラ、ダイプレクサ、ＩＣチップ、半導体集積回路など
も含まれる。しかも、異種の電子部品同士を配線基板３
０の同じ凹部３１内に実装または内蔵することも可能で
ある。

【００３８】

【発明の効果】以上に説明した本発明の配線基板の製造
方法(請求項１)によれば、ビルドアップ層における複数
の配線層は、所定のパターンメッキにより形成されるの
で、かかる配線層を形成する電解銅メッキによる残留応
力を最小限にできる。このため、サブトラクティブ法に
より配線層を形成しつつ、コア基板の表面上方にのみビ
ルドアップ層を有する配線基板に比べ、かかるビルドア
ップ層側への反りを抑制することができる。この結果、
ビルドアップ層の絶縁層を形成する樹脂フィルムの貼り
付けも適切に行えるため、平坦なビルドアップ層を確実
に形成できるとと共に、第１主面上にＩＣチップなどを
確実に実装することも可能となる。

【００３９】また、請求項２の配線基板の製造方法によ
れば、積層した一対のコア基板全体が高い剛性を有する
ため、前記アディティブ法と相まって、コア基板の表面
上方にのみビルドアップ層を平坦にして確実に形成する
ことが一層可能となる。更に、請求項３の配線基板の製
造方法によれば、厚肉の裏面配線層は熱収縮し易くなる
ため、前記アディティブ法や一対のコア基板の積層と相
まって、ビルドアップ層を平坦にした配線基板を一層確
実に製造することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】(Ａ)〜(Ｄ)は本発明の製造方法における各工程
を示す概略図。

【図２】(Ａ)〜(Ｃ)は図１(Ｄ)に続く本発明の製造方法
における各工程を示す概略図。

【図３】(Ａ)〜(Ｃ)は図２(Ｃ)に続く本発明の製造方法
における各工程を示す概略図。

【図４】(Ａ)〜(Ｃ)は図３(Ｃ)に続く本発明の製造方法
における各工程を示す概略図。

【図５】(Ａ)〜(Ｃ)は図４(Ｃ)に続く製造方法における
各工程またはこれにより得られた配線基板を示す概略断
面図。

【図６】(Ａ)〜(Ｃ)は異なる形態の製造工程を示す概略
断面図。

【図７】(Ａ)，(Ｂ)は図５(Ｃ)に示した配線基板の応用
形態の配線基板を得るための製造工程を示す概略断面
図。

【図８】本発明の製造方法により得られる異なる形態の
配線基板を示す概略断面図。

【符号の説明】

１，１ａ，３０……………配線基板 ２，Ｋ………………………コア基板 ２ａ，３ａ，３７…………表面 ２ｂ，４ａ，３４…………裏面 １０，５０…………………表面配線層 １１，５１…………………裏面配線層 １６，２３，５４，６０…絶縁層 ２２，２６，５８，６４…配線層 １４…………………………離型シート ＢＵ…………………………ビルドアップ層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E338 AA03 CC10 CD22 EE26 5E346 AA06 AA22 AA32 AA51 BB01 BB11 BB15 DD33 EE33 HH11

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】表面に表面配線層を形成し且つ裏面に裏面
   配線層を形成したコア基板における上記表面の上方にの
   み、複数の絶縁層および複数の配線層を含むビルドアッ
   プ層を形成するビルドアップ層形成工程において、上記
   複数の配線層をアディティブ法に基づいて形成する、こ
   とを特徴とする配線基板の製造方法。
2. 【請求項２】前記ビルドアップ層形成工程は、一対のコ
   ア基板をそれぞれの裏面配線層を互いに直に接触させ、
   あるいは離型シートを介して接触させて積層した各コア
   基板の表面側において行われる、 ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方
   法。
3. 【請求項３】前記裏面配線層は、前記表面配線層よりも
   厚肉である、 ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の
   製造方法。