JP2003046252A

JP2003046252A - 配線基板の製造方法

Info

Publication number: JP2003046252A
Application number: JP2001229929A
Authority: JP
Inventors: Sumio Ota; 純雄太田
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 2001-07-30
Filing date: 2001-07-30
Publication date: 2003-02-14

Abstract

(57)【要約】【課題】コア基板の表面上方にのみビルドアップ層を有
し且つコア基板の裏面側に開口する凹部に電子部品を実
装可能とした平坦なビルドアップ層を有する配線基板を
確実に製造できる配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】表面３および裏面８を有するコア基板Ｋに
おける裏面８側に開口する凹部９に電子部品２５を実装
する実装工程と、かかる実装工程の後で上記コア基板Ｋ
の表面３上方に配線層２６，３２および絶縁層２２，２
８を交互に形成するビルドアップ工程と、を含み、上記
実装工程は、上記コア基板Ｋにおける凹部９の底面に予
め形成された電子部品接続配線１９に電子部品２５の電
極２７を接続して当該電子部品２５を凹部９に実装する
と共に、かかる凹部９に埋込樹脂Ｍを充填するものであ
る、配線基板１の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、コア基板の表面
(片面)にビルドアップ層を有し且つコア基板の裏面側に
開口する凹部に電子部品を実装する配線基板の製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、低コスト化の要請に応じ、コア基
板の表面(片面)上方にのみ複数の絶縁層および複数の配
線層を交互に積層したビルドアップ層を形成し且つコア
基板の裏面側に開口する凹部に電子部品を実装可能とし
た配線基板が提案されている。かかる配線基板を得るた
め、図１０(Ａ)に示すように、表面４１に銅メッキ層４
３を有し且つ裏面４２に電子部品接続配線４４および配
線層４５を有する第１のコア基板４０と、表面５１に配
線層５３および凹溝５５を有し且つ裏面５２に銅メッキ
層５４を有する第２のコア基板５０とが用いられる。第
１のコア基板４０は、その表面４１と裏面４２との間を
貫通する複数のスルーホール４６内にスルーホール導体
４７および充填樹脂４８を有する。また、上記凹溝５５
は、平面視でほぼ正方形を呈し、追って電子部品を実装
するための凹部を形成する際の切断位置を示す。尚、上
記銅メッキ層４３，５４は、追って所定パターンの配線
層に成形される。

【０００３】上記第１のコア基板４０と第２のコア基板
５０とを、上記配線４４を除いた位置に配置した接着層
４９を介して、図１０(Ａ)中の矢印で示すように、接近
させつつ図１０(Ｂ)に示すように積層する。この際、第
１のコア基板４０の裏面４２および第２のコア基板５０
の表面５１の中央部で且つ上記凹溝５５に囲まれた位置
には、偏平な中空部Ｓが形成される。かかる状態で、第
１のコア基板４０と第２のコア基板５０とを、真空熱プ
レスにより加熱および加圧して接着する。その後、第２
のコア基板５０の裏面５２側から上記凹溝５５に沿って
切り込みを入れると、裏面５２側に開口し底面(天井面)
に上記電子部品接続配線４４を有する電子部品実装用の
凹部を形成することができる。

【０００４】しかしながら、第１のコア基板４０と第２
のコア基板５０との間に上記中空部Ｓが存在したり、裏
面５２側に開口する凹部が存在すると、第１のコア基板
４０の表面４１の上方に追って形成する複数の絶縁層お
よび複数の配線層を交互に積層したビルドアップ層の平
坦度が損なわれ易い、という問題があった。

【０００５】

【発明が解決すべき課題】本発明は、以上に説明した従
来の技術における問題点を解決し、コア基板の表面上方
にのみビルドアップ層を有し且つコア基板の裏面側に開
口する凹部に電子部品を実装可能とした平坦なビルドア
ップ層を有する配線基板を確実に製造できる配線基板の
製造方法を提供する、ことを課題とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、コア基板の凹部による影響を排除すること
に着想して成されたものである。即ち、本発明における
第１の配線基板の製造方法(請求項１)は、表面および裏
面を有するコア基板における裏面側に開口する凹部に電
子部品を実装する実装工程と、かかる実装工程の後で上
記コア基板の表面上方に複数の配線層および複数の絶縁
層を交互に形成するビルドアップ工程と、を含む、こと
を特徴とする。

【０００７】これによれば、コア基板においてその裏面
側に開口する凹部に電子部品が先に実装されるため、ほ
ぼ同じ高さにした上記電子部品の裏面とコア基板の裏面
とを平坦面上などで拘束することにより、当該コア基板
の反りが抑制可能となる。このため、かかるコア基板の
表面上方に形成する複数の配線層および複数の絶縁層を
交互に積層してなるビルドアップ層も、平坦にして形成
することが可能となる。従って、信頼性の高い配線基板
を製造することが可能となる。付言すれば、上記第１の
配線基板の製造方法は、表面および裏面を有するコア基
板における裏面側に開口する凹部に電子部品を実装し且
つかかる電子部品の裏面と上記コア基板の裏面とがほぼ
同じ高さとなる実装工程と、かかる実装工程の後で上記
コア基板の表面上方に複数の配線層および複数の絶縁層
を交互に形成するビルドアップ工程と、を含む、とする
ことも可能である。

【０００８】尚、コア基板は、単一の絶縁層からなる形
態の他、複数の絶縁板とその間に配置した配線層とを有
する多層基板の形態も含まれる。また、ビルドアップ工
程は、コア基板を複数有する多数個取り用のパネルを用
いて行う形態も含まれる。更に、前記電子部品には、後
述するチップコンデンサの他、チップ状のインダクタ、
抵抗、フィルタなどの受動部品や、トランジスタ、半導
体素子、ＦＥＴ、ローノイズアンプ(ＬＮＡ)などの能動
部品、あるいはＳＡＷフィルタ、ＬＣフィルタ、アンテ
ナスイッチモジュール、カプラ、ダイプレクサなども含
まれる。そして、互いに異種の電子部品同士を配線基板
の同じ凹部内に併せて実装または内蔵することも可能で
ある。

【０００９】また、本発明における第２の配線基板の製
造方法(請求項２)は、表面および裏面を有するコア基板
における裏面側に開口する凹部に電子部品を実装する実
装工程と、上記実装工程の後で上記コア基板の表面上方
に複数の配線層および複数の絶縁層を交互に形成するビ
ルドアップ工程と、を含み、かかる実装工程は、上記コ
ア基板における凹部の底面に予め形成された電子部品接
続配線に電子部品の電極を接続して当該電子部品を凹部
に実装し且つかかる凹部に埋込樹脂を充填するものであ
る、を特徴とする。これによれば、コア基板においてそ
の裏面側に開口する凹部に実装した電子部品を埋込樹脂
を介して内蔵するため、かかるコア基板の表面および裏
面の平坦性を維持することができる。このため、コア基
板の表面上方に形成する複数の配線層および複数の絶縁
層を交互に積層してなるビルドアップ層も、一層平坦に
して形成することが可能となる。この結果、ビルドアッ
プ層内の配線層同士の導通は基より、当該配線層と配線
基板の表面上方に実装するＩＣチップ(半導体素子)や後
述する凹部内に実装する電子部品との間における導通も
確実に得ることが可能となる。従って、更に信頼性の高
い配線基板を製造することが可能となる。

【００１０】付言すれば、上記第２の配線基板の製造方
法は、表面および裏面を有するコア基板における裏面側
に開口する凹部に電子部品を実装し且つかかる電子部品
の裏面と上記コア基板の裏面とがほぼ同じ高さとなる実
装工程と、かかる実装工程の後で上記コア基板の表面上
方に複数の配線層および複数の絶縁層を交互に形成する
ビルドアップ工程と、を含み、かかる実装工程は、上記
コア基板における凹部の底面に予め形成された電子部品
接続配線に電子部品の電極を接続して当該電子部品を凹
部に実装し且つかかる凹部に埋込樹脂を充填するもので
ある、とすることも可能である。

【００１１】更に、本発明には、前記ビルドアップ工程
は、一対の前記コア基板における裏面同士を対向して積
層および固定し、一対のコア基板の表面上方にそれぞれ
複数の配線層および複数の絶縁層を交互に形成すること
により行われる、配線基板の製造方法(請求項３)も含ま
れる。これによれば、凹部に電子部品を実装しあるいは
更に埋込樹脂を介して内蔵した一対のコア基板を、それ
ぞれの裏面同士を対向して積層および固定した状態で、
それぞれのコア基板の表面上方に複数の配線層および複
数の絶縁層を交互に積層するため、ビルドアップ層を平
坦にして形成することが一層確実になる。尚、本発明に
は、前記ビルドアップ工程は、一対の前記コア基板にお
ける裏面同士を対向し且つかかる裏面同士の間に離型シ
ートを挟持しつつ積層および固定し、一対のコア基板の
表面上方にそれぞれ複数の配線層および複数の絶縁層を
交互に形成することにより行われる、配線基板の製造方
法とすることも可能である。これによる場合、何れかの
コア基板の裏面に形成した配線層を損傷することなく、
各コア基板の表面上方にビルドアップ層を平坦に形成可
能となる。

【００１２】付言すれば、本発明には、前記各工程の前
に、前記第１の絶縁板における前記凹部と重なる位置に
当該第１の絶縁板を貫通するスルーホール導体およびか
かるスルーホール導体に接続され且つ上記凹部の底面に
位置する電子部品接続配線を形成する工程と、上記第１
の絶縁板および上記凹部を形成する第２の絶縁板を厚み
方向に積層して接着して前記コア基板を形成する工程
と、を有する、配線基板の製造方法を含むことも可能で
ある。これによる場合、凹部を有するコア基板を第１の
絶縁板と第２の絶縁板とにより容易に形成できると共
に、得られたコア基板の凹部に電子部品を容易に実装ま
たは内蔵することが可能となる。尚、本発明には、前記
コア基板を形成する工程は、前記第１の絶縁板および前
記凹部を形成する第２の絶縁板の間にクッション材を含
む絶縁性介在物を介在させつつ、かかる一対の絶縁板を
厚み方向に積層して接着するものである、配線基板の製
造方法とすることも可能である。これによる場合、何れ
かの絶縁板の対向する面に形成した配線層を損傷するこ
となく、コア基板を形成可能となる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下において、本発明の実施に好
適な形態を図面と共に説明する。図１は、本発明の製造
方法により得られる配線基板１の主要部の断面を示す。
配線基板１は、図１に示すように、コア基板Ｋ、その表
面３に形成した配線層２０、コア基板Ｋの表面３上方に
交互に形成された配線層２６，３２および絶縁層２２，
２８からなるビルドアップ層ＢＵ、最上層の絶縁層３
４、およびコア基板Ｋの裏面８側に開口する凹部９、を
含む。コア基板Ｋは、比較的薄肉の第１の絶縁板２およ
び比較的厚肉の第２の絶縁板６から形成される。第１の
絶縁板２は、表面３および裏面４を有する厚さ１００〜
４００μｍのガラス−エポキシ樹脂からなり(本実施形
態では２００μｍ)、その中央付近には、直径約１００
μｍの複数のスルーホール１１が貫通する。かかるスル
ーホール１１の内側には、銅メッキ製のスルーホール導
体１２および充填樹脂１３が形成されている。

【００１４】図１に示すように、第２の絶縁板６は、表
面７および裏面８を有する厚さが約８００μｍのガラス
−エポキシ樹脂からなり、その中央付近には、凹部９が
穿設されている。凹部９は、平面視で縦・横約１４ｍｍ
ずつのほぼ正方形を呈する。第１の絶縁板２と第２の絶
縁板６とは、厚みが約６０μｍの接着性を有するプリプ
レグ(接着層)５を介して貼り合わされることにより、積
層されている。図１の左右に示すように、上記凹部９の
周囲における第１の絶縁板２および第２の絶縁板６に
は、直径が約１００μｍの複数のスルーホール１４が貫
通し、各スルーホール１４の内側には、銅メッキ製で長
いスルーホール導体１５および充填樹脂１６が形成され
ている。

【００１５】また、図１に示すように、第１の絶縁板２
の裏面４には、所定パターンを有し銅製で且つ厚みが約
１５μｍである銅メッキ製の配線層１７，１９が形成さ
れ、配線層(電子部品接続配線)１９はスルーホール導体
１１の下端と、配線層１７はスルーホール導体１５の中
間と接続されている。第２の絶縁板６の表面７にも、上
記同様の所定パターンおよび厚みを有する銅メッキ製の
配線層１８が形成され、且つスルーホール導体１５の中
間と接続されている。

【００１６】更に、図１に示すように、第１の絶縁板２
の表面３には、所定パターンを有する銅メッキ製の配線
層２０が形成され、スルーホール導体１２，１５の上端
と接続されている。表面３および配線層２０の上には、
エポキシ系樹脂の絶縁層２２が形成され、且つ配線層２
０上の所定の位置にフィルドビア導体２４が形成されて
いる。絶縁層２２の上には、同様の絶縁層２８および上
記ビア導体２４の上端と接続する配線層２６が形成され
る。同様にして、絶縁層２８の上には、最上層の絶縁層
(ソルダーレジスト層)３４および上記ビア導体３０の上
端と接続する配線層３２が形成される。以上のうち絶縁
層２２，２８および配線層２６，３２は、ビルドアップ
層ＢＵを形成する。尚、絶縁層２２などの厚みは約３０
μｍで、ソルダーレジスト層３４の厚みは約２５μｍで
ある。

【００１７】図１に示すように、配線層３２上の所定の
位置には、第１主面(表面)３５よりも高く突出する複数
のハンダバンプ(ＩＣ接続端子)３６が個別に形成され、
かかるバンプ３６は、第１主面３５上に実装するＩＣチ
ップ(半導体素子)３８の底面における複数の接続端子３
８ａと個別に接続される。上記バンプ３６は、Ｓｎ−Ａ
ｇ系、Ｐｂ−Ｓｎ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｃｕ
系、Ｓｎ−Ｚｎ系など(本実施形態ではＳｎ−Ａｇ系)の
低融点合金からなり、隣接するハンダバンプ３６，３６
の軸心間距離(ピッチ)は、約１５０μに設定される。
尚、複数のハンダバンプ３６と接続端子３８ａとは、図
示しないアンダーフィル材により埋設され且つ保護され
る。

【００１８】また、図１に示すように、第１の絶縁板２
および第２の絶縁板６により形成される凹部９には、複
数のチップコンデンサ(電子部品)２５が挿入され且つハ
ンダ２３を介して実装されると共に、埋込樹脂Ｍを介し
て内蔵される。上記コンデンサ２５は、両側面の上端お
よび下端に突出する電極２７を図１の前後方向に沿って
複数有し、例えばチタン酸バリウムを主成分とする誘電
体層および内部電極となるＮｉ層を交互に積層したセラ
ミックスコンデンサで、３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×０．
７ｍｍのサイズである。当該コンデンサ２５の上端の電
極２７は、ハンダ２３を介してスルーホール導体１２の
下端に位置する配線層１９と接続されている。上記ハン
ダ２３も低融点の合金(Ｓｎ−Ｓｂ系ハンダ)からなる。
一方、コンデンサ２５における下端の電極２７は、第２
の絶縁板６の裏面８とほぼ同じ高さに位置し且つ当該裏
面８に形成する配線層２１内の配線２１ａと接続され
る。

【００１９】図１に示すように、第２の絶縁板６の裏面
８と配線層２１との下側には、前記同様の厚みを有する
ソルダーレジスト層(絶縁層)３１が形成され、配線層２
１から延びて第２主面３３側に開口する開口部３７の底
部には配線３９が露出する。かかる配線３９は、表面に
ＮｉおよびＡｕメッキが被覆され、当該配線基板１自体
を搭載する図示しないマザーボードなどのプリント基板
との接続端子として活用される。尚、配線３９には、ハ
ンダボールや銅系または鉄系合金からなるピンなどを接
合しても良い。また、上記配線層２１内の配線２１ａ
は、前記コンデンサ２５における下端の電極２７と接続
される。

【００２０】以上のような配線基板１によれば、薄肉の
第１の絶縁板２にプリプレグ５を介して厚肉の第２の絶
縁板６を積層してコア基板Ｋを形成し、その凹部９にチ
ップコンデンサ２５を実装し且つ埋込樹脂Ｍで内蔵する
と共に、コア基板Ｋの表面３上にビルドアップ層ＢＵを
有している。この結果、コア基板Ｋの平坦性が得られる
し、従来のような補強材を取り付けることなく、低コス
トで製造可能となる。また、第１主面３５上に実装する
ＩＣチップ３８の接続端子３８ａと凹部９に内臓するチ
ップコンデンサ２５の電極２７とは、ハンダバンプ３
６、配線層３２，２６，２０、ビア導体３０，２４、ス
ルーホール導体１２、配線層１９、およびハンダ２３の
短い経路により接続される。このため、かかる経路にお
けるループインダクタンスや抵抗を小さくでき、安定し
た導通を取ることが可能となる。

【００２１】更に、第１主面３５から突出する複数のハ
ンダバンプ３６は、第１の絶縁板２を貫通しチップコン
デンサ２５と導通するスルーホール導体１２の配線だけ
でなく、第１の絶縁板２および第２の絶縁板６を貫通す
るスルーホール導体１５を経る配線に対応した位置にも
形成することができる。このため、複数のハンダバンプ
３６を約１５０μｍ程度のピッチの高密度で配置するこ
とが可能となり、多数の接続端子３８ａを有するＩＣチ
ップ３８も確実に実装することができる。従って、反り
がなく且つ内部の電気的特性が安定していると共に、第
１主面３５にハンダバンプ３６を高密度で配置した配線
基板１となる。尚、凹部９の埋込樹脂Ｍを充填せず、か
かる凹部９に実装したチップコンデンサ２５の下端側の
電極２７とコア基板Ｋの裏面８とを、配線基板の厚さ方
向でほぼ同じ高さとしても良い。かかる形態の配線基板
(１)でも、コア基板Ｋの裏面８側が凹部９によるたわみ
変形を生じにくくなるため、表面３上方にビルドアップ
層ＢＵを平坦に形成することが可能である。

【００２２】前記配線基板１を得るための本発明の製造
方法における主要な製造工程を、図２乃至図９により説
明する。図２(Ａ)は、表面３と裏面４とに厚みが約１６
μｍの銅箔３ａ，４ａを貼り付けた厚みが約２００μｍ
の第１の絶縁板２を示す。この絶縁板２の表面３側の中
央部における所定の位置にレーザを照射するか、細径の
ドリルにより穿孔する。その結果、図２(Ｂ)に示すよう
に、第１の絶縁板２の中央部において、表面３と裏面４
との間を貫通し且つ内径が約１００μｍのスルーホール
１１が複数形成される。尚、スルーホール１１は、第１
の絶縁板２の周辺寄りの位置で且つ後述するスルーホー
ル１４と同軸心の位置に併せて形成しても良い。

【００２３】次に、複数のスルーホール１１を有する第
１の絶縁板２の全面に対し、無電解銅メッキおよび電解
銅メッキを施す。尚、各スルーホール１１の内壁には、
予めＰｄを含むメッキ触媒を塗布しておく。また、上記
スルーホール１１の穿孔と銅メッキとは、複数の第１の
絶縁板２(製品単位)を含むパネル(多数個取りの基板)の
状態で行っても良い。その結果、図２(Ｃ)に示すよう
に、各スルーホール１１の内壁表面に沿って厚みが約３
０μｍのスルーホール導体１２が形成される。また、銅
箔３ａ，４ａは、銅メッキ層３ｂ，４ｂ(便宜上厚みは
銅箔３ａ，４ａと同じとする)となる。

【００２４】次いで、図２(Ｄ)に示すように、各スルー
ホール導体１２の内側には、シリカフィラなどの無機フ
ィラ入りのエポキシ系樹脂からなる充填樹脂１３が充填
する。尚、充填樹脂１３に替え、多量の金属粉末を含む
導電性樹脂または金属粉末を含む非導電性樹脂を用いて
も良い。更に、裏面４の銅メッキ層４ｂの上に、全面銅
メッキを行い充填樹脂１３の表面に蓋メッキを行う。そ
して、公知のフォトリソグラフィ技術により、所定のパ
ターンを有する図示しないエッチングレジストを形成し
た後、かかるエッチングレジストのパターン間の隙間か
ら露出する銅メッキ層４ｂをエッチング(公知のサブト
ラクティブ法)する。その結果、図２(Ｅ)に示すよう
に、第１の絶縁板２の裏面４に、上記レジストのパター
ンに倣った配線層１７，１９が形成される。尚、充填樹
脂１３の表面の真上にビア導体を形成しない場合には、
上記蓋メッキを省いても良い。

【００２５】図３(Ａ)は、厚みが約８００μｍの第２の
絶縁板６を示し、その表面７と裏面８とには前記と同様
の厚みの銅箔７ａ，８ａを有している。図３(Ｂ)，(ｂ)
に示すように、第２の絶縁板６の表面７には、その中央
部において平面視でほぼ正方形を呈する凹溝６ａが、エ
ンドミルによる座ぐり加工によって形成される。次に、
表面７側の銅箔７ａに対して、前記同様のフォトリソグ
ラフィ技術およびエッチングを施す。その結果、図３
(Ｃ)に示すように、第２の絶縁板６の表面７には、所定
パターンの配線層１８が凹溝６ａの周囲に形成される。

【００２６】次に、図４(Ａ)に示すように、裏面４に配
線層１７と電子部品接続配線１９とを有する第１の絶縁
板２と、表面７に凹溝６ａおよび配線層１８を有する第
２の絶縁板６との間に、中央の絶縁性介在物Ｓとその周
辺の接着性を有するプリプレグ(接着層)５とを配置す
る。かかる絶縁性介在物Ｓは、一対のフィルム間に熱可
塑性樹脂からなるクッション材を挟み且つその周縁で上
記フィルムにより密封したシート状のものである。尚、
上記クッション材には、柔軟性(弱い弾性)を有する熱可
塑性樹脂(商品名：パコタンプラス)が用いられる。かか
る状態で、図４(Ａ)中の矢印方向に沿って、第１の絶縁
板２および第２の絶縁板６を、図示しない真空熱プレス
により加圧しつつ加熱する。

【００２７】その結果、図４(Ｂ)に示すように、第１の
絶縁板２および第２の絶縁板６は、絶縁性介在物Ｓを挟
持しつつ、その周りのプリプレグ(接着層)５を介して貼
り合わされ且つ積層される。この結果、本発明のコア基
板Ｋが形成される。尚、絶縁性介在物Ｓは、前記加熱に
より軟化すると共に、第２の絶縁板６の凹溝６ａに囲ま
れた表面７と第１の絶縁板２における配線層１９付近の
裏面４との間の偏平な空間に押し込まれる。また、上記
積層時に、過剰なプリプレグ５は、絶縁性介在物Ｓによ
り中央寄りへの移動を阻止される。更に、上記配線１９
は、絶縁性介在物Ｓに押されても損傷しないため、当初
の形態のままで保持される。

【００２８】次いで、絶縁性介在物Ｓの真上を除いた図
４(Ｂ)で左右に位置する第１の絶縁板２の表面３側か
ら、当該コア基板Ｋに対し、前記同様のレーザの照射ま
たはドリルによる穿孔を行う。その結果、図５(Ａ)に示
すように、コア基板Ｋの左右において、プリプレグ５を
含み且つ第１の絶縁板２の表面３と第２の絶縁板６の裏
面８との間を貫通する長いスルーホール１４が複数穿孔
される。かかるスルーホール１４は、その中間でプリプ
レグ５の上下に位置する配線層１７，１８を貫通してい
る。尚、スルーホール１４は、予め第１の絶縁板２の同
じ位置に穿孔しておいたスルーホール１１の軸心に沿っ
て同軸心で形成することも可能である。かかる方法によ
る場合、各スルーホール１４の位置決めが容易となる。

【００２９】更に、各スルーホール１４の内壁に、前記
同様のメッキ触媒を塗布した後、無電解銅メッキおよび
電解銅メッキを全面に施す。その結果、図５(Ｂ)に示す
ように、各スルーホール１４の内壁に沿ったスルーホー
ル導体１５が形成される。同時に、銅メッキ層３ｂと銅
箔８ａとは、それぞれ銅メッキ層３ｃ，８ｂとなる。次
に、図６(Ａ)に示すように、各スルーホール導体１５の
内側に前記同様の充填樹脂１６を個別に充填した後、全
面に銅メッキを行い且つ充填樹脂１６の表面に蓋メッキ
を行う。そして、第１の絶縁板２の表面３における銅メ
ッキ層３ｃと、第２の絶縁板６の裏面８における銅メッ
キ層８ｂとに対して、前記同様のフォトリソグラフィ技
術およびエッチングを施す。

【００３０】その結果、図６(Ａ)に示すように、コア基
板Ｋにおいて、第１の絶縁板２の表面３および第２の絶
縁板６の裏面８に、所定パターンの配線層２０，２１が
形成される。尚、充填樹脂１６の表面の真上にビア導体
を形成しない場合には、上記蓋メッキを省いても良い。
次いで、第２の絶縁板６における凹溝６ａの下側で且つ
図６(Ａ)中で破線で示す位置に、裏面８側から切り込み
を入れ且つ凹溝６ａに沿って切除する。その結果、図６
(Ｂ)に示すように、第２の絶縁板６における凹溝６ａの
下側の部分と絶縁性介在物Ｓとを除去することにより、
裏面８に開口した凹部９が形成される。ここで、図６
(Ｃ)に示すように、凹部９の底面(天井面)に露出した電
子部品接続配線１９にハンダ２３を介して、チップコン
デンサ(電子部品)２５の上端側の電極２７を接続し、か
かるコンデンサ２５を凹部９に実装する(実装工程)。

【００３１】次に、第１の絶縁板２および第２の絶縁板
６からなり凹部９にチップコンデンサ２５を実装したコ
ア基板Ｋを上下逆になるよう１８０℃回転し、図７(Ａ)
に示すように、凹部９の開口部を上向きにする。かかる
状態で、凹部９に液状のエポキシ樹脂を図示しないディ
スペンサを用いて充填する。かかる液状のエポキシ樹脂
には、例えばビスフェノール型エポキシ樹脂が用いら
れ、必要に応じてシリカフィラなどの無機フィラや液状
硬化剤が添加されている。かかる液状のエポキシ樹脂を
凹部９内に充填した後、コア基板Ｋを１１０〜１８０℃
に加熱すると、図７(Ａ)に示すように、エポキシ樹脂は
硬化した埋込樹脂Ｍとなる(実装工程)。この結果、チッ
プコンデンサ２５は、埋込樹脂Ｍを介して凹部９に内蔵
される。更に、埋込樹脂Ｍのカーブして盛り上がった表
面に対し、ベルトサンダによる研磨およびラップ研磨な
どによる仕上げ研磨を施して平坦に整面し、チップコン
デンサ２５の下端側の電極２７を露出する。尚、図７
(Ａ)に示した埋込樹脂Ｍの充填を省略した状態で、以降
の工程を行っても良い。

【００３２】次いで、図７(Ｂ)に示すように、凹部９に
チップコンデンサ２５を実装し且つ埋込樹脂Ｍを介して
内蔵した一対のコア基板Ｋ，Ｋを、それぞれの第２の絶
縁板６の裏面８および埋込樹脂Ｍの表面を対向させ、離
型シートＳを挟んで厚み方向に積層して拘束(固定)す
る。この状態で、各コア基板Ｋの外側に露出する第１の
絶縁板２の表面３上方にビルドアップ層ＢＵを形成する
(ビルドアップ工程)。尚、各コア基板Ｋにおける埋込樹
脂Ｍの表面には、チップコンデンサ２５の露出した電極
２７と接続する配線層２１内の配線２１ａが予め形成さ
れている。

【００３３】図８に示すように、何れかのコアＫにおけ
る第１の絶縁板２の表面３の上方に、絶縁層２２を形成
し且つ配線層２０上の所定の位置にフィルドビア導体２
４を形成する。これ以降は、ビルドアップ層ＢＵを絶縁
層２２など共に形成する絶縁層２８、ソルダーレジスト
層３４、配線層２６，３２、フィルドビア導体３０を公
知のビルドアップ工程(セミアディティブ法、フルアデ
ィティブ法、サブトラクティブ法、フィルム状樹脂材料
のラミネートによる絶縁層の形成、フォトリソグラフィ
技術など)により形成する(ビルドアップ工程)。同様に
して、残りのコアＫにおける第１の絶縁板２の表面３上
方にも、ビルドアップ層ＢＵを形成する。

【００３４】この際、コア基板Ｋの裏面側８に開口する
凹部９にはチップコンデンサ２５を埋込樹脂Ｍにより内
蔵しているため、表面３(反対側)は平坦に保たれる。こ
の結果、ビルドアップ層ＢＵを平坦な状態で確実に形成
することができる。また、図９に示すように、個別に分
離したコア基板Ｋにおける配線層３２上における所定の
位置に、ソルダーレジスト層３４を貫通する開口部(パ
ッド)３４ａを形成し、それらの内側に前記同様の低融
点合金を印刷・充填して、ソルダーレジスト層３４の表
面(第１主面)３５よりも突出するハンダバンプ３６を形
成する。この際、隣接し合うハンダバンプ３６，３６の
軸心間距離(ピッチ)を約１５０μｍで配置可能となる。
更に、残りのコア基板Ｋにおける第１の絶縁板２にも、
図９に示すと同様にしてハンダバンプ３６などを形成す
る。

【００３５】最後に、図９に示すように、コア基板Ｋの
裏面８の配線層２１の上(図面下側)にソルダーレジスト
層３１を形成し、その開口部３７から第２主面３３側に
露出し且つ配線層２１から延びた配線３９にＮｉおよび
Ａｕメッキを被覆した接続端子とする。尚、配線３９に
ハンダを介してハンダボールや銅系または鉄系合金から
なるピンを接続しても良い。上述した各工程により、前
記図１に示した配線基板１を得ることができる。以上の
ような配線基板１の製造方法によれば、第１の絶縁板２
および第２の絶縁板６からなるコア基板Ｋの裏面側８に
開口する凹部９にチップコンデンサ２５を内蔵している
ため、表面３(反対側)は平坦に保たれる。この結果、ビ
ルドアップ層ＢＵを平坦な状態で確実に形成できる。し
かも、第１主面３５上に実装するＩＣチップ３８の接続
端子３８ａと凹部９に内蔵したチップコンデンサ２５の
電極２７とは、ハンダバンプ３６、配線層３２，２６，
２０、ビア導体３０，２４、スルーホール導体１２、配
線層１９、およびハンダ２３の短い経路により接続する
こともできる。従って、内部配線や電子部品などとの導
通が副実に取れて信頼性の高い配線基板１を製造するこ
とができる。

【００３６】本発明は以上において説明した形態に限定
されるものではない。コア基板Ｋは、単一の絶縁板から
なるものとし、その裏面側に開口する凹部をルータ(座
ぐり)により形成したものを用いても良い。前記第１・
第２の絶縁板２，６、および単一のコア基板の材質は、
前記ガラス−エポキシ樹脂系の複合材料の他、ビスマレ
イミド・トリアジン(ＢＴ)樹脂、エポキシ樹脂、同様の
耐熱性、機械強度、可撓性、加工容易性などを有するガ
ラス織布や、ガラス織布などのガラス繊維とエポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂、またはＢＴ樹脂などの樹脂との複
合材料であるガラス繊維−樹脂系の複合材料を用いても
良い。あるいは、ポリイミド繊維などの有機繊維と樹脂
との複合材料や、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元
網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂などの樹脂を含
浸させた樹脂−樹脂系の複合材料などを用いることも可
能である。

【００３７】また、前記配線層２０，２６、スルーホー
ル導体１２などの材質は、前記Ｃｕの他、Ａｇ、Ｎｉ、
Ｎｉ−Ａｕ系などにしても良く、あるいは、これら金属
のメッキ層を用いず、導電性樹脂を塗布するなどの方法
により形成しても良い。更に、前記絶縁層２２，２８な
どの材質は、前記エポキシ樹脂を主成分とするもののほ
か、同様の耐熱性、パターン成形性等を有するポリイミ
ド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、あるいは、連続気孔を
有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエ
ポキシ樹脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂系の複合
材料などを用いることもできる。尚、絶縁層の形成に
は、絶縁性の樹脂フィルムを熱圧着する方法のほか、液
状の樹脂をロールコータにより塗布する方法を用いるこ
ともできる。尚また、絶縁層に混入するガラス布または
ガラスフィラの組成は、Ｅガラス、Ｄガラス、Ｑガラ
ス、Ｓガラスの何れか、またはこれらのうちの２種類以
上を併用したものとしても良い。

【００３８】また、ビア導体は、前記フィルドビア導体
２４などでなく、内部が完全に導体で埋まってない逆円
錐形状のコンフォーマルビア導体とすることもできる。
あるいは、各ビア導体の軸心をずらしつつ積み重ねるス
タッガードの形態でも良いし、途中で平面方向に延びる
配線層が介在する形態としても良い。また、前記凹部９
に実装または内蔵する電子部品は、１つのみでも良い。
逆に、多数の配線基板１を含む多数個取りの基板(パネ
ル)内における製品単位１個内に、複数の凹部９を形成
しても良い。更に、複数のチップ状電子部品を互いの側
面間で予め接着したユニットとし、これを前記凹部９内
に実装することもできる。また、チップ状電子部品に
は、前記チップコンデンサ２５などの他、チップ状のイ
ンダクタ、抵抗、フィルタなどの受動部品や、トランジ
スタ、半導体素子、ＦＥＴ、ローノイズアンプ(ＬＮＡ)
などの能動部品、あるいはＳＡＷフィルタ、ＬＣフィル
タ、アンテナスイッチモジュール、カプラ、ダイプレク
サなども含まれる。しかも、互いに異種の電子部品同士
を配線基板１の同じ凹部９内に併せて実装または内蔵す
ることも可能である。

【００３９】

【発明の効果】以上に説明した本発明による第１の配線
基板の製造方法(請求項１)によれば、コア基板の裏面側
に開口する凹部に電子部品を先に実装するため、かかる
電子部品の裏面側を活用して、コア基板の反りを抑制可
能となる。従って、コア基板の表面上方に形成する複数
の配線層および複数の絶縁層を交互に積層してなるビル
ドアップ層も平坦に形成可能となり、信頼性の高い配線
基板が製造可能となる。また、本発明による第２の配線
基板の製造方法によれば、コア基板の裏面側に開口する
凹部に電子部品を埋込樹脂を介して内蔵するため、かか
るコア基板の表面および裏面の平坦性を維持できる。こ
の結果、コア基板の表面上方に形成する複数の配線層お
よび複数の絶縁層を交互に積層するビルドアップ層も、
一層平坦に形成可能となるため、更に信頼性の高い配線
基板を製造することができる。

【００４０】更に、請求項３の配線基板の製造方法によ
れば、凹部に電子部品を埋込樹脂を介して内蔵した一対
のコア基板を裏面同士を対向して積層および固定した状
態で、各コア基板の表面上方に複数の配線層および複数
の絶縁層を交互に積層するため、得られるビルドアップ
層を平坦に形成することが一層確実となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の製造方法により得られる配線基板の主
要部を示す断面図。

【図２】(Ａ)〜(Ｅ)は本発明の製造方法のうち第１の絶
縁板に関する主な製造工程を示す概略図。

【図３】(Ａ)〜(Ｃ)，(ｂ)は本製造方法のうち第２の絶
縁板に関する主な製造工程を示す概略図。

【図４】(Ａ)，(Ｂ)は図２，３に続く本発明の製造方法
の主な工程を示す概略図。

【図５】(Ａ)，(Ｂ)は図４(Ｂ)に続く本発明の製造方法
の主な工程を示す概略図。

【図６】(Ａ)〜(Ｃ)は図５(Ｂ)に続く本発明の製造方法
の主な工程を示す概略図。

【図７】(Ａ)，(Ｂ)は図６(Ｃ)に続く本発明の製造方法
の主な工程を示す概略図。

【図８】図７(Ｂ)に続く本発明の製造方法のビルドアッ
プ工程を示す概略図。

【図９】図８に続く本発明の主要な製造工程を示す概略
図。

【図１０】(Ａ)，(Ｂ)は従来の配線基板の主な製造工程
を示す断面図。

【符号の説明】

１………………………………配線基板２………………………………第１の絶縁板３，７…………………………表面４，８…………………………裏面５………………………………プリプレグ(接着層) ５ａ……………………………スペーサ(接着層) ６………………………………第２の絶縁板６ａ……………………………凹溝９………………………………凹部１２……………………………スルーホール導体１９……………………………電子部品接続配線２２，２８……………………絶縁層２５……………………………チップコンデンサ(電子部
品) ２６，３２……………………配線層２７……………………………電極Ｋ………………………………コア基板ＢＵ……………………………ビルドアップ層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5E314 AA24 BB06 CC01 FF05 FF21 GG19 5E336 AA08 AA12 BB03 BB15 BC26 CC32 CC53 EE01 GG14 5E346 AA06 AA12 AA15 AA22 AA26 AA43 AA60 BB01 BB16 CC02 CC08 CC32 DD02 DD22 EE02 EE06 EE09 EE31 FF04 FF45 GG15 GG17 GG28 GG40 HH11 HH21

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表面および裏面を有するコア基板における
裏面側に開口する凹部に電子部品を実装する実装工程
と、上記実装工程の後で上記コア基板の表面上方に複数の配
線層および複数の絶縁層を交互に形成するビルドアップ
工程と、を含む、ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】表面および裏面を有するコア基板における
裏面側に開口する凹部に電子部品を実装する実装工程
と、上記実装工程の後で上記コア基板の表面上方に複数の配
線層および複数の絶縁層を交互に形成するビルドアップ
工程と、を含み、上記実装工程は、上記コア基板における凹部の底面に予
め形成された電子部品接続配線に電子部品の電極を接続
して当該電子部品を凹部に実装し且つかかる凹部に埋込
樹脂を充填するものである、ことを特徴とする配線基板
の製造方法。
【請求項３】前記ビルドアップ工程は、一対の前記コア
基板における裏面同士を対向して積層および固定し、か
かる一対のコア基板の表面上方にそれぞれ複数の配線層
および複数の絶縁層を交互に形成することにより行われ
る、ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の
製造方法。