JP2003031942A - 配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】コア基板の表面上方にのみ平坦なビルドアップ
層を有し且つコア基板の裏面側に開口する凹部に電子部
品を実装可能とした平坦な配線基板を確実に製造できる
配線基板の製造方法を提供する。 【解決手段】第１のコア基板２と第２のコア基板６とを
厚み方向に対向して配置し、かかる第１のコア基板２と
第２のコア基板６との間に絶縁性介在物Ｓを挟持すると
共に、上記絶縁性介在物Ｓの周囲における第１のコア基
板２と第２のコア基板６との間に配置した接着層５によ
り、かかる第１のコア基板２および第２のコア基板６を
接着して積層する積層工程、を含む、配線基板１の製造
方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、コア基板の表面上
方のみにビルドアップ層を有する配線基板で、更には電
子部品を実装するための凹部を有する配線基板の製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、低コスト化の要請に応じ、コア基
板の表面(片面)上方にのみ複数の絶縁層および複数の配
線層を交互に積層したビルドアップ層を形成し且つコア
基板の裏面側に開口する凹部に電子部品を実装可能とし
た配線基板が提案されている。かかる配線基板を得るた
め、図１１(Ａ)に示すように、表面４１に銅メッキ層４
３を有し裏面４２に電子部品接続用配線４４および配線
層４５を有する第１のコア基板４０と、表面５１に配線
層５３および凹溝５５を有し裏面５２に銅メッキ層５４
を有する第２のコア基板５０と、が用いられる。第１の
コア基板４０は、その表面４１と裏面４２との間を貫通
する複数のスルーホール４６内にスルーホール導体４７
および充填樹脂４８を有する。また、上記凹溝５５は、
平面視で矩形を呈し、追って電子部品を実装するための
凹部を形成する際の切断位置を示す。尚、銅メッキ層４
３，５４は、追って所定パターンの配線層に成形され
る。

【０００３】上記第１のコア基板４０と第２のコア基板
５０とを、上記配線４４を除いた位置に配置した接着層
４９を介して、図１１(Ａ)中の矢印で示すように、接近
させつつ図１１(Ｂ)に示すように積層する。この際、第
１のコア基板４０の裏面４２および第２のコア基板５０
の表面５１の中央部で且つ上記凹溝５５に囲まれた位置
には、偏平な中空部Ｓが形成される。かかる状態で、第
１のコア基板４０と第２のコア基板５０とを、真空熱プ
レスにより加熱および加圧して接着する。その後、第２
のコア基板５０の裏面５２側から上記凹溝５５に沿って
切り込みを入れると、裏面５２側に開口し且つその底面
(天井面)に上記配線４４を有する電子部品実装用の凹部
を形成することができる。

【０００４】しかしながら、第１のコア基板４０と第２
のコア基板５０との間に、上記中空部Ｓが存在すると、
第１のコア基板４０の表面４１の上方に追って形成する
複数の絶縁層および複数の配線層を交互に積層したビル
ドアップ層の平坦度が損なわれ易い、という問題があっ
た。。また、上記プレス時に、第１のコア基板４０の中
央部が上記中空部Ｓ寄りに数１０μｍ程度(例えば約３
０μｍ)の撓み変形を生じてしまい、得られる配線基板
の信頼性を損ねかねない、という問題があった。

【０００５】

【発明が解決すべき課題】本発明は、以上に説明した従
来の技術における問題点を解決し、コア基板の表面上方
にのみ平坦なビルドアップ層を有し且つコア基板の裏面
側に開口する凹部に電子部品を実装可能とした平坦な配
線基板を確実に製造できる配線基板の製造方法を提供す
る、ことを課題とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、第１のコア基板および第２のコア基板の
間、更には、第１のコア基板と第２のコア基板とを積層
した基板本体同士の間に絶縁性介在物を挟持させる、こ
とに着想して成されたものである。即ち、本発明による
第１の配線基板の製造方法(請求項１)は、第１のコア基
板と第２のコア基板とを厚み方向に対向して配置し、か
かる第１のコア基板と第２のコア基板との間に絶縁性介
在物を挟持すると共に、上記絶縁性介在物の周囲におけ
る第１のコア基板と第２のコア基板との間に配置した接
着層により、かかる第１のコア基板および第２のコア基
板を接着して積層する積層工程、を含む、ことを特徴と
する。

【０００７】これによれば、第１のコア基板と第２のコ
ア基板との間に絶縁性介在物が挟持されるため、第１の
コア基板および第２のコア基板を平坦に維持して積層で
きると共に、第１のコア基板および第２のコア基板の対
向する面に予め形成した配線層などを損傷することなく
活用することができる。しかも、追って第１のコア基板
の表面上方に配置するビルドアップ層も平坦性をもって
形成することができる。従って、信頼性の高い配線基板
を製造することが可能となる。尚、第１のコア基板およ
び第２のコア基板は、単一の絶縁層からなる形態の他、
複数の絶縁層とその間に配置した配線層とを有する多層
基板の形態も含まれる。また、絶縁性介在物は、第１の
コア基板と第２のコア基板との中央部に挟持することが
望ましい。更に、積層工程は、第１のコア基板を複数有
するパネル(多数個取りのパネル)および第２のコア基板
を複数有するパネル(多数個取りのパネル)を用いて行う
形態も含まれる。

【０００８】一方、本発明による第２の配線基板の製造
方法(請求項２)は、第１のコア基板および第２のコア基
板を両者の間に位置する絶縁性介在物を挟み且つかかる
絶縁性介在物の周囲に配置した接着層により積層した基
板本体を形成する積層工程と、一対の基板本体を厚み方
向に対向して配置し、かかる一対の基板本体それぞれの
第２のコア基板同士の間に周辺部のスペーサとその内側
の絶縁性介在物とを挟持すると共に、上記一対の基板本
体においてそれぞれ外側に向いた第１のコア基板の表面
上方に複数の絶縁層および複数の配線層を交互に積層し
たビルドアップ層を形成するビルドアップ形成工程と、
を含む、ことを特徴とする。

【０００９】これによれば、第１のコア基板および第２
のコア基板を積層した基板本体同士を新たな(別の)絶縁
性介在物を挟持した状態で、各基板本体の外側に露出す
る第１のコア基板の表面上方にビルドアップ層をそれぞ
れ形成するため、かかるビルドアップ層を一層平坦にし
て形成した配線基板を確実に製造することができる。こ
のため、ビルドアップ層内の配線層同士の導通はもとよ
り、かかる配線層と当該配線基板の表面上方に実装する
ＩＣチップ(半導体素子)や後述する凹部内に実装する電
子部品との間における導通も確実に得ることが可能とな
る。従って、信頼性の高い配線基板を製造することが可
能となる。

【００１０】尚、本発明において、ビルドアップ層と
は、第１のコア基板の表面上方に交互に形成された複数
の絶縁層および複数の配線層を指称する。また、絶縁性
介在物は、第１のコア基板と第２のコア基板との中央部
に挟持することが望ましい。付言すれば、一対の基板本
体を厚み方向に対向して配置し、かかる一対の基板本体
の間に周辺部のスペーサとその内側の絶縁性介在物とを
挟持すると共に、上記一対の基板本体においてそれぞれ
外側に向いた表面上方に複数の絶縁層および複数の配線
層を交互に積層したビルドアップ層を形成するビルドア
ップ形成工程を、含む、配線基板の製造方法を本発明に
含めることも可能である。かかる製造方法では、基板本
体には単層のコア基板のみからなる形態も含まれる。

【００１１】更に、本発明には、前記絶縁性介在物は、
前記接着層または前記スペーサとほぼ同じ厚みに成形さ
れた樹脂フイルム、または全体が前記接着層とほぼ同じ
厚みを有し且つ一対のフィルム間に保持された樹脂から
なるクッション材の何れかである、配線基板の製造方法
(請求項３)も含まれる。これによれば、第１のコア基板
および第２のコア基板を接着層を介して積層する際の加
熱により、樹脂フイルムまたは樹脂製のクッション材が
軟化するため、例えば第１のコア基板の裏面に予め形成
した電子部品接続用配線などの損傷を防止できる。ある
いは、一対の基板本体において対向するそれぞれの第１
のコア基板の裏面に予め形成した配線層を損傷すること
なく、それぞれの第１のコア基板の表面上方にビルドア
ップ層を形成することができる。しかも、前述したよう
に第１のコア基板および第２のコア基板を平坦に保てる
と共に、一対の基板本体においてビルドアップ層をそれ
ぞれ平坦にして形成することもできる。尚、上記樹脂フ
ィルムまたはクッション材の樹脂には、熱可塑性の樹脂
を用いることにより、上述した加熱時に確実に軟化させ
ることができる。

【００１２】加えて、本発明には、前記第１のコア基板
および前記第２のコア基板の何れか一方のコア基板の対
向する面には、前記絶縁性介在物の周辺に沿った凹溝が
予め形成されていると共に、前記積層工程の後に、上記
凹溝を有する上記第１のコア基板および上記第２のコア
基板の何れか一方のコア基板において、上記凹溝が形成
された面と反対側の面から上記凹溝に沿った切り込みを
入れることにより、当該コア基板の一部を切除し且つ凹
部を形成する工程、を有する、配線基板の製造方法(請
求項４)も含まれる。

【００１３】これによれば、第１のコア基板および第２
のコア基板を平坦に保って積層した工程の後で、第１の
コア基板および第２のコア基板の何れかにおいて、両者
が対向する面と反対側の面側に開口し且つ上記凹溝に沿
った電子部品実装用の凹部を形成することができる。し
かも、かかる凹部から前記絶縁性介在物を除去すること
により、当該凹部の底面(天井面)に隣接するコア基板の
裏面に形成され且つ損傷していない電子部品接続用配線
などを露出させることができる。従って、かかる配線を
介して電子部品を上記凹部内に容易に実装することが可
能となる。

【００１４】付言すれば、前記凹部を形成する工程の後
に、かかる凹部の底面に予め形成した電子部品接続端子
に電子部品の電極を接続することにより、上記凹部内に
電子部品を実装する工程を有する、配線基板の製造方法
を本発明に含めることも可能である。これによる場合、
実装した電子部品と平坦に形成されたビルドアップ層の
配線層とを容易に導通できるため、高性能化する配線基
板を提供することが可能となる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下において本発明の実施に好適
な形態を図面と共に説明する。図１は、本発明の製造方
法により得られる配線基板１の主要部の断面を示す。配
線基板１は、図１に示すように、比較的薄肉の第１のコ
ア基板２と、比較的厚肉の第２のコア基板６と、第１の
コア基板２における表面３の上方に形成された絶縁層２
２，２８，３４および配線層２０，２６，３２からなる
ビルドアップ層ＢＵと、第１のコア基板２と第２のコア
基板６により形成される凹部９と、を含む。第１のコア
基板２は、表面３および裏面４を有する厚さ１００〜４
００μｍのガラス−エポキシ樹脂からなり(本実施形態
では２００μｍ)、その中央付近には、直径約１００μ
ｍの複数のスルーホール１１が貫通すると共に、各スル
ーホール１１の内側には、銅製のスルーホール導体１２
および充填樹脂１３が形成されている。

【００１６】図１に示すように、第２のコア基板６は、
表面７および裏面８を有する厚さ約８００μｍのガラス
−エポキシ樹脂からなり、その中央付近には、凹部９が
穿設されている。凹部９は、平面視で縦・横約１４ｍｍ
ずつのほぼ正方形を呈する。第１のコア基板２と第２の
コア基板６とは、厚みが約６０μｍの接着性を有するプ
リプレグ(接着層)５を介して貼り合わされることによ
り、積層されている。図１の左右に示すように、上記凹
部９の周囲における第１のコア基板２および第２のコア
基板６には、直径約１００μｍの複数のスルーホール１
４が貫通し、各スルーホール１４の内側には、銅製で長
いスルーホール導体１５および充填樹脂１６が形成され
ている。

【００１７】また、図１に示すように、第１のコア基板
２の裏面４には、所定パターンを有し且つ厚みが約１５
μｍである銅製の配線層１７，１９が形成され、図１で
中央の配線層(電子部品接続端子)１９はスルーホール導
体１２の下端と、図１で左右の配線層１７はスルーホー
ル導体１５の中間と接続されている。第２のコア基板６
の表面７にも、上記同様の所定パターンおよび厚みを有
する銅製の配線層１８が形成され、且つスルーホール導
体１５の中間と接続されている。

【００１８】更に、図１に示すように、第１のコア基板
２の表面３には、所定パターンを有する銅製の配線層２
０が形成され、スルーホール導体１２，１５の上端と接
続されている。表面３および配線層２０の上には、エポ
キシ系樹脂の絶縁層２２が形成され、且つ配線層２０上
の所定の位置にフィルドビア導体２４が形成されてい
る。上記絶縁層２２の上には、同様の絶縁層２８および
上記ビア導体２４の上端と接続する配線層２６が形成さ
れる。同様にして、絶縁層２８の上には、ソルダーレジ
スト層(絶縁層)３４および上記ビア導体３０の上端と接
続する配線層３２が形成される。以上の絶縁層２２，２
８，３４および配線層２０，２６，３２は、ビルドアッ
プ層ＢＵを形成する。尚、絶縁層２２などの厚みは約３
０μｍで、ソルダーレジスト層３４の厚みは約２５μｍ
である。

【００１９】図１に示すように、配線層３２上の所定の
位置には、第１主面(表面)３５よりも高く突出する複数
のハンダバンプ(ＩＣ接続端子)３６が個別に形成され、
かかるバンプ３６は、第１主面３５上に実装するＩＣチ
ップ(半導体素子)３８の底面における複数の接続端子３
８ａと個別に接続される。かかるバンプ３６は、Ｓｎ−
Ａｇ系、Ｐｂ−Ｓｎ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｃ
ｕ系、Ｓｎ−Ｚｎ系などの低融点合金からなり、隣接す
るハンダバンプ３６，３６の軸心間距離(ピッチ)は、約
１５０μｍとされる。尚、複数のハンダバンプ３６と接
続端子３８ａとは、図示しないアンダーフィル材により
埋設され且つ保護される。

【００２０】また、図１に示すように、第１のコア基板
２および第２のコア基板６により形成される凹部９に
は、複数のチップコンデンサ(電子部品)２５が挿入さ
れ、且つハンダ２３を介して実装される。かかるコンデ
ンサ２５は、両側面の上端に突出する電極２７を図１の
前後方向に沿って複数有し、例えばチタン酸バリウムを
主成分とする誘電体層および内部電極となるＮｉ層を交
互に積層したセラミックスコンデンサであり、３．２ｍ
ｍ×１．６ｍｍ×０．７ｍｍのサイズを有する。かかる
コンデンサ２５における上端の電極２７は、ハンダ２３
を介してスルーホール導体１２の下端に位置する配線層
(電子部品接続端子)１９と接続されている。尚、上記ハ
ンダ２３も低融点の合金(Ｓｎ−Ｓｂ系ハンダ)からな
る。

【００２１】更に、図１に示すように、第２のコア基板
６の裏面８と配線層２１との下側には、凹部９の真下を
除いて、前記同様の厚みを有するソルダーレジスト(絶
縁層)３１が形成され、配線層２１から延びて第２主面
３３側に開口する開口部３７内に露出する配線３９が形
成されている。かかる配線３９は、表面にＮｉおよびＡ
ｕメッキが被覆され、当該配線基板１自体を搭載する図
示しないマザーボードなどのプリント基板との接続端子
として活用される。尚、かかる接続端子には、ハンダボ
ールや銅系または鉄系合金からなるピンなどを接合して
も良い。

【００２２】以上のような配線基板１によれば、薄肉の
第１のコア基板２にプリプレグ５を介して厚肉の第２の
コア基板６を積層し且つ第１のコア基板２の表面３上に
ビルドアップ層ＢＵを有しているので、充分な強度が得
られるため、補強材を取り付けることが不要となり、低
コストで製造することが可能となる。また、第１主面３
５上に実装されるＩＣチップ３８の接続端子３８ａと凹
部９に実装されるチップコンデンサ２５の電極２７と
は、ハンダバンプ３６、配線層３２，２６，２０、ビア
導体３０，２４、スルーホール導体１２、配線層１９、
およびハンダ２３の短い経路により接続される。このた
め、かかる経路におけるループインダクタンスや抵抗を
小さくでき、安定した導通を取ることが可能となる。

【００２３】更に、第１主面３５から突出する複数のハ
ンダバンプ３６は、第１のコア基板２を貫通しチップコ
ンデンサ２５と導通するスルーホール導体１２の配線だ
けでなく、第１のコア基板２と第２のコア基板６とを貫
通するスルーホール導体１５を経る配線に対応した位置
にも形成することができる。このため、複数のハンダバ
ンプ３６を約１５０μｍ程度のピッチの高密度で配置す
ることが可能となり、多数の接続端子３８ａを有するＩ
Ｃチップ３８も確実に実装することができる。従って、
反りがなく且つ内部の電気的特性が安定していると共
に、第１主面３５にハンダバンプ３６を高密度で配置し
た配線基板１となる。

【００２４】前記配線基板１を得るための本発明の製造
方法における主要な製造工程を、図２乃至図１０により
説明する。図２(Ａ)は、表・裏面３，４に厚みが約１６
μｍの銅箔３ａ，４ａを貼り付けた厚みが約２００μｍ
の第１のコア基板２を示す。該コア基板２の表面３側の
中央部における所定の位置にレーザを照射するか、細径
のドリルにより穿孔する。その結果、図２(Ｂ)に示すよ
うに、第１のコア基板２の中央部において、表面３と裏
面４との間を貫通し且つ内径が約１００μｍのスルーホ
ール１１が複数形成される。尚、スルーホール１１は、
第１のコア基板２の周辺寄りの位置で且つ後述するスル
ーホール１４と同軸心の位置に併せて形成しても良い。

【００２５】次に、複数のスルーホール１１を有する第
１のコア基板２の全面に対し、無電解銅メッキおよび電
解銅メッキを施す。尚、各スルーホール１１の内壁に
は、予めＰｄを含むメッキ触媒を塗布しておく。また、
上記スルーホール１１の穿孔と銅メッキは、複数のコア
基板２(製品単位)を含むパネル(多数個取りの基板)の状
態で行っても良い。その結果、図２(Ｃ)に示すように、
各スルーホール１１の内壁表面に沿って厚みが約３０μ
ｍのスルーホール導体１２が形成される。また、銅箔３
ａ，４ａは、銅メッキ層３ｂ，４ｂ(便宜上厚みは銅箔
３ａ，４ａと同じとする)となる。

【００２６】次いで、図２(Ｄ)に示すように、各スルー
ホール導体１２の内側に、シリカフィラなどの無機フィ
ラ入りのエポキシ系樹脂からなる充填樹脂１３を充填す
る。尚、充填樹脂１３に替え、多量の金属粉末を含む導
電性樹脂、または金属粉末を含む非導電性樹脂を用いて
も良い。更に、裏面４の銅メッキ層４ｂの上に、全面銅
メッキを行い充填樹脂１３の表面に蓋メッキを行う。そ
して、公知のフォトリソグラフィ技術により、所定のパ
ターンを有する図示しないエッチングレジストを形成し
た後、かかるエッチングレジストのパターン間の隙間か
ら露出する銅メッキ層４ｂをエッチング(公知のサブト
ラクティブ法)する。その結果、図２(Ｅ)に示すよう
に、第１のコア基板２の裏面４に、上記パターンに倣っ
た配線層１７，１９が形成される。尚、充填樹脂１３の
表面の真上にビア導体を形成しない場合には、上記蓋メ
ッキを省いても良い。

【００２７】図３(Ａ)は、厚みが約８００μｍの第２の
コア基板６を示し、その表・裏面７，８には前記同様の
厚みの銅箔７ａ，８ａを有している。図３(Ｂ)，(ｂ)に
示すように、第２のコア基板６の表面７には、その中央
部において平面視でほぼ正方形を呈する凹溝６ａが、エ
ンドミルによる座ぐり加工によって形成される。次に、
表面７側の銅箔７ａに対して、前記同様のフォトリソグ
ラフィ技術およびエッチングを施す。その結果、図３
(Ｃ)に示すように、第２のコア基板６の表面７には、所
定パターンの配線層１８が凹溝６ａの周囲に形成され
る。

【００２８】次に、図４(Ａ)に示すように、裏面４に配
線層１７，１９を有する第１のコア基板２と、表面７に
凹溝６ａおよび配線層１８を有する第２のコア基板６と
の間に、中央の絶縁性介在物Ｓとその周辺の接着性を有
するプリプレグ(接着層)５とを配置する。かかる絶縁性
介在物Ｓは、一対のフィルムｓ１間に熱可塑性樹脂から
なるクッション材ｓ２を挟み且つその周縁でフィルムｓ
１により密封したシート状のものである。尚、クッショ
ン材ｓ２には、柔軟性(弱い弾性)を有する熱可塑性樹脂
(商品名：パコタンプラス)が用いられるかかる状態で、
図４(Ａ)中の矢印方向に沿って、第１のコア基板２およ
び第２のコア基板６を、図示しない真空熱プレスにより
加圧しつつ加熱する。

【００２９】その結果、図４(Ｂ)に示すように、第１の
コア基板２および第２のコア基板６は、絶縁性介在物Ｓ
を挟持しつつ、その周りのプリプレグ(接着層)５を介し
て貼り合わされ且つ積層される(本発明の第１・第２の
製造方法における積層工程)。この結果、基板本体Ｋが
形成される。尚、絶縁性介在物Ｓは、前記加熱により軟
化すると共に、第２のコア基板６の凹溝６ａに囲まれた
表面７と第１のコア基板２における配線層１９付近の裏
面４との間の偏平な空間に押し込まれる。また、上記積
層時に、過剰なプリプレグ５は、絶縁性介在物Ｓにより
中央寄りへの移動を阻止される。更に、上記配線層１９
は、絶縁性介在物Ｓに押されても損傷しないため、当初
の形態のままで保たれる。

【００３０】次いで、絶縁性介在物Ｓの真上を除いた図
４(Ｂ)で左右に位置する第１のコア基板２の表面３側か
ら、当該基板本体Ｋに対し、前記同様のレーザの照射ま
たはドリルによる穿孔を行う。その結果、図５(Ａ)に示
すように、基板本体Ｋの左右において、プリプレグ５を
含み且つ第１のコア基板２の表面３と第２のコア基板６
の裏面８との間を貫通する長いスルーホール１４が複数
穿孔される。かかるスルーホール１４は、その中間でプ
リプレグ５の上下に位置する配線層１７，１８を貫通し
ている。尚、スルーホール１４は、予め第１のコア基板
２の同じ位置に穿孔しておいたスルーホール１１の軸心
に沿って同軸心で形成することも可能である。かかる方
法による場合、各スルーホール１４の位置決めが容易と
なる。

【００３１】更に、各スルーホール１４の内壁に、前記
同様のメッキ触媒を塗布した後、無電解銅メッキおよび
電解銅メッキを全面に施す。その結果、図５(Ｂ)に示す
ように、各スルーホール１４の内壁に沿ったスルーホー
ル導体１５が形成される。同時に、銅メッキ層３ｂと銅
箔８ａとは、それぞれ銅メッキ層３ｃ，８ｂとなる。次
に、各スルーホール導体１５の内側に前記同様の充填樹
脂１６を個別に充填した後、全面銅メッキを行い充填樹
脂１６の表面に蓋メッキを形成する。そして、第１のコ
ア基板２の表面３における銅メッキ層３ｃと、第２のコ
ア基板６の裏面８における銅メッキ層８ｂに対して、前
記同様のフォトリソグラフィ技術およびエッチングを施
す。

【００３２】その結果、図６(Ａ)に示すように、基板本
体Ｋにおいて、第１のコア基板２の表面３および第２の
コア基板６の裏面８に、それぞれ所定パターンの配線層
２０，２１が形成される。尚、充填樹脂１６の表面の真
上にビア導体を形成しない場合には、上記蓋メッキを省
いても良い。次いで、図６(Ｂ)に示すように、第１およ
び第２のコア基板２，６をプリプレグ５を介して貼り併
せて積層した一対の基板本体Ｋ，Ｋを、各組における第
２のコア基板６の裏面８同士を対向させ、両者の間に新
たな(別の)絶縁性介在物Ｓおよびその周辺部のスペーサ
(接着層)５ａを挟持した状態で拘束する。これにより、
一対の基板本体Ｋ，Ｋは、互いに対称に積層され且つ全
体として、厚肉となり且つ高い剛性を発揮するため、反
りの発生が防止される。

【００３３】次に、図７に示すように、何れかの基板本
体Ｋにおける第１のコア基板２の表面３の上方に、絶縁
層２２を形成し、且つ配線層２０上の所定の位置にフィ
ルドビア導体２４を形成する。これ以降は、ビルドアッ
プ層ＢＵを上記絶縁層２２など共に形成する絶縁層２
８、ソルダーレジスト層３４、配線層２６，３２、およ
びフィルドビア導体３０を、公知のビルドアップ工程
(セミアディティブ法、フルアディティブ法、サブトラ
クティブ法、フィルム状樹脂材料のラミネートによる絶
縁層の形成、フォトリソグラフィ技術など)により形成
する(本発明の第２の製造方法におけるビルドアップ形
成工程)。

【００３４】また、図７に示すように、配線層３２上に
おける所定の位置に、ソルダーレジスト層３４を貫通す
る開口部(パッド)を形成し、それらの内側に前記同様の
低融点合金を印刷・充填して、ソルダーレジスト層３４
の表面(第１主面)３５よりも突出するハンダバンプ３６
を形成する。この際、隣接し合うハンダバンプ３６，３
６の軸心間距離(ピッチ)を約１５０μｍにして配置する
ことが可能である。更に、残りの基板本体Ｋにおける第
１のコア基板２にも、上記同様にしてビルドアップ層Ｂ
Ｕなどを形成する。その結果、これらのビルドアップ層
ＢＵを一層平坦で且つ精度良く形成することができる。

【００３５】図８(Ａ)は、第１のコア基板２を複数有す
る第１のパネルＰ１と第２のコア基板６を複数有する第
２のパネルＰ２とを用いて、前記図４(Ａ)で示した本発
明の第１の製造方法における積層工程を示す。かかるパ
ネルＰ１，Ｐ２は、多数個取りの基板であり、第１のパ
ネルＰ１には、前記図２(Ａ)〜(Ｄ)で示した各工程を経
て、銅メッキ層３ｂ、スルーホール導体１２、配線層１
７，１９などが予め形成されている。一方、第２のパネ
ルＰ２には、前記図３(Ａ)〜(Ｃ)で示した各工程を経
て、凹溝６ａ、配線層１８、銅メッキ層８ａが予め形成
されている。

【００３６】図８(Ａ)に示すように、第１のパネルＰ１
と第２のパネルＰ２との間において、製品単位となる第
１のコア基板２と第２のコア基板６との中央部に絶縁性
介在物Ｓを、かかる介在物Ｓの周囲で且つ隣接する絶縁
性介在物Ｓとの間にプリプレグ(接着層)５を配置し、前
記同様に真空熱プレスにより加圧しつつ加熱する。この
結果、第１のパネルＰ１および第２のパネルＰ２は積層
されると共に、複数の基板本体Ｋがその平面方向に沿っ
て効率良く得られる。また、図８(Ｂ)に示すように、前
記に対して更にスルーホール導体１５を形成した複数の
基板本体Ｋ１，Ｋ２(製品単位)を含む２枚のパネルＰ
１，Ｐ２を積層した一対のパネルユニットＵ１，Ｕ２
を、絶縁性介在物Ｓを介して固定した状態で、本発明の
第２の製造方法におけるビルドアップ形成工程を行って
も良い。

【００３７】図８(Ｂ)に示すように、パネルユニットＵ
１，Ｕ２において互いに対向する第２のパネル(第２の
コア基板６)Ｐ２，Ｐ２間には、その周辺部に配置する
スペーサ５ａを除いて新たな(別の)絶縁性介在物Ｓが全
体に挟持される。かかる状態でパネルユニットＵ１，Ｕ
２を固定した後、ユニットＵ１，Ｕ２にて外側に露出す
る第１のパネル(第１のコア基板２)Ｐ１の表面上方３
に、前記図７と同様にして、絶縁層２２，２８，３４、
配線層２６，３２を交互に積層し、且つ所定の位置にフ
ィルドビア導体２４，３０を配置してビルドアップ層Ｂ
Ｕを形成する。この結果、ビルドアップ層ＢＵを平坦に
形成した複数のコア基板２，６からなる製品単位の基板
本体Ｋ１，Ｋ２を効率良く得ることができる。

【００３８】次に、基板本体Ｋ１，Ｋ２間の前記絶縁性
介在物Ｓおよびその周辺部のスペーサ(接着層)５ａを除
去し、ビルドアップ層ＢＵを有する第１のコア基板２と
第２のコア基板６からなる基板本体Ｋ，Ｋを分離する
と、図９(Ａ)の状態となる。尚、図７において、前記絶
縁性介在物Ｓおよびその周辺部のスペーサ(接着層)５ａ
を除去し、基板本体Ｋ，Ｋを分離する他、図８(Ｂ)にお
いて、これらを含むパネルユニットＵ１，Ｕ２を分離し
ても、図９(Ａ)の状態となる。次いで、第２のコア基板
６の裏面８および配線層２１の下側に、ソルダーレジス
ト層３１を形成すると共に、図９(Ａ)に示すように、か
かるレジスト層３１の表面である第２主面３３側に開口
する開口部３７を、フォトリソグラフィ技術などにより
形成する。この開口部３７内に露出する配線層２１内の
配線３９に、図示しないＮｉおよびＡｕメッキを施し、
マザーボードなどとの接続端子とする。尚、上記配線３
９に対し、ハンダを介して銅系または鉄系合金からなる
図示しないピンを接続しても良い。

【００３９】そして、第２のコア基板６の裏面８側か
ら、図９(Ａ)中に一対の破線ｋ間で示す位置に、高速回
転するエンドミルを挿入し且つその先端を凹溝６ａの底
部付近に入れると共に、凹溝６ａに沿った軌跡で移動さ
せつつ切り込みを入れる。その結果、図９(Ｂ)に示すよ
うに、第２のコア基板６において凹溝６ａに囲まれてい
た位置が切除されると共に、その裏面８側に開口する凹
部９が形成される。この際、かかる凹部９の底部に密封
されていた絶縁性介在物Ｓを除去する。凹部９の底面
(天井面)には、第１のコア基板２の裏面４における配線
層１９が露出すると共に、その周囲にはプリプレグ(接
着層)５の側面が露出する。これにより、図９(Ｂ)に示
すように、第１のコア基板２、第２のコア基板６、およ
びビルドアップ層ＢＵを含み且つ凹部９を有する配線基
板１を得ることができる。

【００４０】以下において、前記凹部９に電子部品を実
装する方法について説明する。図１０(Ａ)に示すよう
に、ビルドアップ層ＢＵを形成した配線基板１における
第２のコア基板６の裏面８側に開口した凹部９に、チッ
プコンデンサ(電子部品)２５を図示しないチップマウン
タにより複数挿入する。この際、予め凹部９内に位置す
る各配線層１９の上にハンダ２３をそれぞれ形成してお
き、各ハンダ２３を介してチップコンデンサ２５の電極
２７と配線層１９とを個別に接続する。これにより、図
１０(Ｂ)に示すように、複数のチップコンデンサ２５が
上記ハンダ２３を介して配線基板１の凹部９内に実装さ
れる。尚、上記ハンダ２３には、例えばＳｎ−Ｓｂ系の
低融点合金が用いられる。

【００４１】以上の図２〜図１０において説明した本発
明のうち、第１の製造方法によれば、第１のコア基板２
と第２のコア基板６との間に絶縁性介在物Ｓが挟持され
るため、第１のコア基板２および第２のコア基板６を平
坦な状態に維持できる。しかも、上記介在物Ｓは加熱時
に軟化するため、第１のコア基板２の裏面４に予め形成
した配線層１９を損なうことなく、これを活用すること
ができる。また、本発明のうち、第２の製造方法によれ
ば、第１のコア基板２および第２のコア基板６を積層し
た基板本体Ｋ同士を更に絶縁性介在物Ｓにより挟持した
状態で、各基板本体Ｋの外側に露出する第１のコア基板
２の表面３上方にビルドアップ層ＢＵをそれぞれ形成す
るため、かかるビルドアップ層ＢＵを一層平坦にして配
置した配線基板１を確実に製造することができる。

【００４２】更に、凹部９は、ルータ(ざぐり)加工によ
る加工面積が、凹部９の全体を加工する場合に比べ少な
くて済むため、加工時間や加工コストを低減できる。加
えて、凹部９にチップコンデンサ(電子部品)２５を実装
した際、かかるチップコンデンサ２５と第１主面３５上
方に実装するＩＣチップ(半導体素子)３８との導通距離
を短くできる。このため、かかる経路におけるループイ
ンダクタンスや抵抗を低減できるなどの内部の電気的特
性を安定させることもできる。また、ＩＣチップ３８と
接続するハンダバンプ(ＩＣ接続端子)３６は、第１のコ
ア基板２のみを貫通するスルーホール導体１２を経る配
線経路の他、第１および第２のコア基板２，６を貫通す
るスルーホール導体１５からの配線経路も活用できるた
め、隣接する距離を短くして高密度に形成することも可
能となる。

【００４３】本発明は、以上において説明した形態に限
定されるものではない。前記第１のコア基板２や第２の
コア基板６の材質は、前記ガラス−エポキシ樹脂系の複
合材料の他、ビスマレイミド・トリアジン(ＢＴ)樹脂、
エポキシ樹脂、同様の耐熱性、機械強度、可撓性、加工
容易性などを有するガラス織布や、ガラス織布などのガ
ラス繊維とエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、またはＢＴ
樹脂などの樹脂との複合材料であるガラス繊維−樹脂系
の複合材料を用いても良い。あるいは、ポリイミド繊維
などの有機繊維と樹脂との複合材料や、連続気孔を有す
るＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキ
シ樹脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂系の複合材料
などを用いることも可能である。更に、前記基板本体に
は、単層のコア基板のみからなる形態も含まれる。ま
た、前記配線層２０，２６、スルーホール導体１２など
の材質は、前記Ｃｕの他、Ａｇ、Ｎｉ、Ｎｉ−Ａｕ系な
どにしても良く、あるいは、これら金属のメッキ層を用
いず、導電性樹脂を塗布するなどの方法により形成して
も良い。

【００４４】更に、前記絶縁層２２，２８などの材質
は、前記エポキシ樹脂を主成分とするもののほか、同様
の耐熱性、パターン成形性等を有するポリイミド樹脂、
ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、あるいは、連続気孔を有するＰ
ＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹
脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂系の複合材料など
を用いることもできる。尚、絶縁層の形成には、絶縁性
の樹脂フィルムを熱圧着する方法のほか、液状の樹脂を
ロールコータにより塗布する方法を用いることもでき
る。尚また、絶縁層に混入するガラス布またはガラスフ
ィラの組成は、Ｅガラス、Ｄガラス、Ｑガラス、Ｓガラ
スの何れか、またはこれらのうちの２種類以上を併用し
たものとしても良い。

【００４５】また、ビア導体は、前記フィルドビア導体
２４などでなく、内部が完全に導体で埋まってないコン
フォーマルビア導体とすることもできる。あるいは、各
ビア導体の軸心をずらしつつ積み重ねるスタッガードの
形態でも良いし、途中で平面方向に延びる配線層が介在
する形態としても良い。また、前記凹部９に実装する電
子部品は、１つのみでも良い。逆に、多数の配線基板１
を含む多数個取りの基板(前記パネルＰ)内における製品
単位１個内に、複数の凹部９を形成しても良い。更に、
複数のチップ状電子部品を互いの側面間で予め接着した
電子部品ユニットとし、これを前記凹部９内に実装する
こともできる。更に、かかるチップ状電子部品には、前
記チップコンデンサ２５などの他、チップ状のインダク
タ、抵抗、フィルタなどの受動部品や、トランジスタ、
半導体素子、ＦＥＴ、ローノイズアンプ(ＬＮＡ)などの
能動部品も含まれ、あるいはＳＡＷフィルタ、ＬＣフィ
ルタ、アンテナスイッチモジュール、カプラ、ダイプレ
クサなども含まれる。そして、互いに異種の電子部品同
士を配線基板１の同じ凹部９内に併せて実装することも
可能である。

【００４６】

【発明の効果】以上に説明した本発明による第１の配線
基板の製造方法(請求項１)によれば、第１のコア基板と
第２のコア基板との間に絶縁性介在物を挟持して積層さ
れるため、第１のコア基板および第２のコア基板を平坦
に維持できると共に、これらのコア基板の対向する面に
予め形成した配線層などを損なわずに活用できる。ま
た、本発明による第２の配線基板の製造方法(請求項２)
によれば、第１のコア基板および第２のコア基板を積層
した基板本体同士を更に絶縁性介在物により挟持した状
態で、各基板本体の外側に露出する第１のコア基板の表
面上方にビルドアップ層をそれぞれ形成できる。このた
め、かかるビルドアップ層を一層平坦にして形成した配
線基板を確実に製造することができる。

【００４７】更に、請求項３の配線基板の製造方法によ
れば、第１のコア基板および第２のコア基板を接着層を
介して積層する際の加熱により、絶縁性介在物である樹
脂製のクッション材などが軟化するため、例えば第１の
コア基板の裏面に予め形成した電子部品接続用配線など
の損傷を防止できる。あるいは、一対の基板本体におい
て対向するそれぞれの第１のコア基板の裏面に予め形成
した配線層を損傷させずに、第１のコア基板の表面上方
にビルドアップ層を形成することができる。加えて、請
求項４の配線基板の製造方法によれば、第１のコア基板
および第２のコア基板を平坦に保って積層した後で、第
１のコア基板および第２のコア基板の何れかにおいて、
両者が対向する面と半体側の面側に開口し且つ上記凹溝
に沿った電子部品実装用の凹部を形成できる。しかも、
かかる凹部から前記絶縁性介在物を除去することで、当
該凹部の底面(天井面)に隣接するコア基板の裏面に形成
され且つ損傷のない電子部品接続用配線などを露出させ
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の製造方法により得られる配線基板の主
要部を示す断面図。

【図２】(Ａ)〜(Ｅ)は本発明の製造方法のうち第１のコ
ア基板に関する主な製造工程を示す概略図。

【図３】(Ａ)〜(Ｃ)，(ｂ)は本製造方法のうち第２のコ
ア基板に関する主な製造工程を示す概略図。

【図４】(Ａ)，(Ｂ)は図２，３に続く本発明の製造方法
の主な工程を示す概略図。

【図５】(Ａ)，(Ｂ)は図４(Ｂ)に続く本発明の製造方法
の主な工程を示す概略図。

【図６】(Ａ)，(Ｂ)は図５(Ｂ)に続く本発明の製造方法
の主な工程を示す概略図。

【図７】図６(Ｂ)に続く本発明の製造方法の主な工程を
示す概略図。

【図８】(Ａ)は図４(Ａ)，(Ｂ)の工程をパネルにより行
う形態を示す概略図、(Ｂ)は図６(Ｂ)，図７の工程をパ
ネルにより行う形態を示す概略図。

【図９】(Ａ)，(Ｂ)は図７または図８(Ｂ)に続く主要な
製造工程を示す概略図。

【図１０】(Ａ)，(Ｂ)は図９(Ｂ)に続くの主な製造工程
を示す概略図。

【図１１】(Ａ)，(Ｂ)は従来の配線基板の主な製造工程
を示す概略断面図。

【符号の説明】

１………………………………配線基板 ２………………………………第１のコア基板 ３，７…………………………表面 ４，８…………………………裏面 ５………………………………プリプレグ(接着層) ５ａ……………………………スペーサ(接着層) ６………………………………第２のコア基板 ６ａ……………………………凹溝 ９………………………………凹部 Ｓ………………………………絶縁性介在物 ２０,２６,３２………………配線層 ２２,２８,３４………………絶縁層 ＢＵ……………………………ビルドアップ層 Ｋ,Ｋ１,Ｋ２…………………基板本体 ｓ１……………………………フイルム ｓ２……………………………クッション材

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E346 AA22 CC04 CC09 CC32 DD22 EE02 EE06 EE08 EE12 FF07 FF10 FF15 FF18 FF45 HH11 HH32

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第１のコア基板と第２のコア基板とを厚み
   方向に対向して配置し、かかる第１のコア基板と第２の
   コア基板との間に絶縁性介在物を挟持すると共に、上記
   絶縁性介在物の周囲における第１のコア基板と第２のコ
   ア基板との間に配置した接着層により、第１のコア基板
   および第２のコア基板を接着して積層する積層工程、を
   含む、ことを特徴とする配線基板の製造方法。
2. 【請求項２】第１のコア基板および第２のコア基板を両
   者の間に位置する絶縁性介在物を挟み且つかかる絶縁性
   介在物の周囲に配置した接着層により積層した基板本体
   を形成する積層工程と、 一対の基板本体を厚み方向に対向して配置し、かかる一
   対の基板本体それぞれの第２のコア基板同士の間に周辺
   部のスペーサとその内側の絶縁性介在物とを挟持すると
   共に、上記一対の基板本体においてそれぞれ外側に向い
   た第１のコア基板の表面上方に複数の絶縁層および複数
   の配線層を交互に積層したビルドアップ層を形成するビ
   ルドアップ形成工程と、を含む、 ことを特徴とする配線基板の製造方法。
3. 【請求項３】前記絶縁性介在物は、前記接着層または前
   記スペーサとほぼ同じ厚みに成形された樹脂フイルム、
   または全体が前記接着層とほぼ同じ厚みを有し且つ一対
   のフィルム間に保持された樹脂からなるクッション材の
   何れかである、 ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の
   製造方法。
4. 【請求項４】前記第１のコア基板および前記第２のコア
   基板の何れか一方のコア基板の対向する面には、前記絶
   縁性介在物の周辺に沿った凹溝が予め形成されていると
   共に、 前記積層工程の後に、上記凹溝を有する上記第１のコア
   基板および上記第２のコア基板の何れか一方のコア基板
   において、上記凹溝が形成された面と反対側の面から上
   記凹溝に沿った切り込みを入れることにより、当該コア
   基板の一部を切除し且つ凹部を形成する工程、を有す
   る、 ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の
   配線基板の製造方法。