JP2001345559A - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】内蔵した電子部品の電極と内部の配線層との接
続が容易に行えると共に、上記電極と第１主面上に搭載
するＩＣチップとを導通する配線も短くし得る配線基板
およびその製造方法を提供する。 【解決手段】表・裏面２，３を有し、かかる表・裏面
２，３間を貫通する貫通孔４を備える配線基板本体(コ
ア基板)１と、貫通孔４内に樹脂９を介して内臓され且
つ上・下端に電極８ａ，８ｂを有する複数のチップコン
デンサ(電子部品)８と、上記樹脂９中を貫通し且つ電極
８ａと導通する接続導体１２と、を含む、配線基板４
０。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板本体内に
電子部品を内蔵し且つ第１主面上にＩＣチップなどの電
子部品を搭載する配線基板およびその製造方法に関す
る。尚、本発明の配線基板にはインターポーザ(中継基
板)も含まれる。

【０００２】

【従来の技術】近年における配線基板の小型化および配
線基板内における配線の高密度化に対応するため、配線
基板の第１主面上にＩＣチップなどの電子部品を搭載す
るだけでなく、配線基板の内部に電子部品を内蔵するこ
とが行われている。例えば図１０(Ａ)に示す配線基板１
２０は、絶縁性の基板１２１に明けた貫通孔１２２にチ
ップコンデンサ(電子部品)１２３を挿入し、その両端に
おける一対の電極１２４をハンダ１２８を介して、上記
基板１２１と隣接する絶縁層１２６との間に形成したラ
ンド１２７と接続している。そして、貫通孔１２２内に
樹脂１２９を充填することにより、上記コンデンサ１２
３を基板１２１に内臓している。尚、上記コンデンサ１
２３には、内部電極１２５が内設されている。

【０００３】また、図１０(Ｂ)に示す配線基板１３０
は、絶縁性の基板１３１に形成した貫通孔１３２の下側
の開口部を、予め図示しない粘着性の仮固定膜により塞
ぎ、この仮固定膜に内部電極１３５を有するチップコン
デンサ(電子部品)１３３を貼り付けている。かかる状態
で、貫通孔１３２内に溶けた樹脂１３９を充填し固化さ
せた後、上記仮固定膜を除去したものである。図１０
(Ｂ)に示すように、上記配線基板１３０では、上記コン
デンサ１３３の両端に位置する一対の電極１３４を、予
め上記基板１３１とこれに隣接する絶縁層１３６との間
に設けたランド１３７にハンダ１３８を介して接続して
いる。

【０００４】配線基板の小型化および配線基板内におけ
る配線の高密度化の要請に対応するため、配線基板内に
は複雑な配線が形成される。しかしながら、前記図１０
(Ａ)，(Ｂ)に示した配線基板１２０，１３０では、絶縁
性の基板に内蔵した電子部品の電極と配線基板内の配線
層とを接続するには、上記電極にハンダ付けする同一層
のランドを介して行うので、上記電極と接続するための
配線が制約される。このため、上記の要請に応えること
は実際上困難であった。

【０００５】また、前記１０図(Ａ)，(Ｂ)に示した配線
基板１２０，１３０では、絶縁性の基板に内蔵した電子
部品の電極から真上に配線を接続できないので、上記電
極と第１主面上に搭載するＩＣチップとを接続する配線
を設計上長くせざるを得ない。かかる配線が長くなる
と、当該配線自体の抵抗やインダクタンスが大きくな
り、低抵抗および低インダクタンス化の要請に十分に応
じることができない。このため、一層小型化され且つ内
部配線の高密度化が要請される配線基板に対応するに
は、前記配線基板１２０，１３０では困難である、とい
う問題もあった。

【０００６】

【発明が解決すべき課題】本発明は、以上に説明した従
来の技術における問題点を解決し、配線基板本体に内蔵
した電子部品の電極と配線基板内の配線層との接続が容
易に行えると共に、上記電子部品の電極と第１主面上に
搭載するＩＣチップ等とを接続する配線も短くし得る配
線基板およびその製造方法を提供すること、を課題とす
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するため、配線基板本体の貫通孔または凹部内に樹
脂を介して内蔵した電子部品の電極を、上記樹脂を貫通
する接続導体または当該電極を介して配線基板内の配線
層や第１主面上に搭載したＩＣチップ等とを接続する、
ことに着想して成されたものである。即ち、本発明の第
一の配線基板(請求項１)は、表面および裏面を有し、か
かる表・裏面間を貫通する貫通孔、あるいは表面側また
は裏面側に開口する凹部を備える配線基板本体と、上記
貫通孔または凹部内に樹脂を介して内臓され且つ少なく
とも上端に電極を有する電子部品と、上記樹脂中を貫通
し且つ電子部品上端の電極と導通する接続導体と、を含
む、ことを特徴とする。付言すれば、上記配線基板は、
表面および裏面を有する板状を呈し、かかる表・裏面間を
貫通する貫通孔または表面側に開口する凹部を備える配
線基板本体と、上記貫通孔または凹部内に樹脂を介して
固着され且つ少なくとも上端に電極を有する電子部品
と、上記樹脂中を貫通し且つ電子部品上端の電極と導通
する接続導体とを含む、でもある。

【０００８】また、もう一つの第一の配線基板(請求項
２)は、表面および裏面を有し、かかる表・裏面間を貫
通する貫通孔、あるいは表面側または裏面側に開口する
凹部を備える配線基板本体と、上記貫通孔または凹部内
に樹脂を介して内臓され且つ上端および下端の少なくと
も一方に電極を有する電子部品と、上記樹脂中を貫通し
且つ電子部品の上端および下端の少なくとも一方の電極
と導通する接続導体と、を含む、ことを特徴とする。付
言すれば、上記配線基板は、表面および裏面を有する板
状を呈し、かかる表・裏面間を貫通する貫通孔または表
面側に開口する凹部を備える配線基板本体と、上記貫通
孔または凹部内に樹脂を介して固着され且つ上端および
下端の少なくとも一方に電極を有する電子部品と、上記
樹脂中を貫通し且つ電子部品の上端および下端の少なく
とも一方の電極と導通する接続導体とを含む、ものでも
ある。

【０００９】これらによれば、貫通孔や凹部内に内臓し
た電子部品の電極を、接続導体を介して、内部の配線層
と容易且つ自在に接続できると共に、上記電極と当該配
線基板の第１主面上に搭載したＩＣチップとの間も複雑
にすることなく短い配線により、確実に導通することが
できる。従って、小型化と配線の高密度化が要請される
配線基板において、例えばチップ状とされた複数の電子
部品を容易に内蔵でき、配線回路中のノイズを低減した
り、電気的特性を安定させることができる。

【００１０】更に、前記配線基板本体の表面の上方およ
び裏面の下方の少なくとも一方に前記接続導体と導通す
る配線層が形成されている、配線基板も本発明に含まれ
る。これによれば、上記配線基板本体の表面の上方で且
つ第１主面との間に、任意数の配線層が形成され、ビル
ドアップ構造の配線基板とすることができると共に、こ
れらの配線層を介して内蔵する電子部品と第１主面上に
搭載するＩＣチップなどの電子部品との間を、短い配線
で導通することもできる。あるいは、配線基板本体の裏
面の下方で且つ第２主面との間にも配線層が形成され、
これを介して電子部品とマザーボードなどとの間を短い
配線で確実に導通することもできる。尚、内蔵する電子
部品の電極を、前記接続導体を介して第１主面上に搭載
するＩＣチップの外部端子と直に接続することも可能で
ある。これによる場合、内蔵した電子部品の電極と第１
主面に搭載するＩＣチップとを、極めて近くして接続で
きるため、ノイズを低減したり、電気的特性を安定させ
ることが可能となる。

【００１１】本発明の第二の配線基板(請求項４)は、表
面および裏面を有し、かかる表・裏面間を貫通する貫通
孔、あるいは表面側または裏面側に開口する凹部を備え
る配線基板本体と、上記貫通孔または凹部内に樹脂を介
して内臓され且つ上端および下端の少なくとも一方に電
極を有する電子部品と、上記配線基板本体の表面の上方
および裏面の下方の少なくとも一方に形成され且つ上記
電極と導通する配線層と、を含むことを特徴とする。付
言すれば、上記配線基板は、表面及び裏面を有する板状
を呈し、かかる表・裏面間を貫通する貫通孔または表面
側に開口する凹部を備える配線基板本体と、上記貫通孔
または凹部内に樹脂を介して固着され且つ上端および下
端の少なくとも一方に電極を有する電子部品と、上記配
線基板本体の表面の上方および裏面の下方の少なくとも
一方に形成され且つ上記電極と導通する配線層を含む、
ものでもある。これによれば、貫通孔または凹部内に内
臓した電子部品の上端や下端における各電極を介して、
容易且つ自在に内部の配線層と接続できる。しかも、か
かる電極と当該配線基板内の配線層や第１主面上に搭載
したＩＣチップ、あるいはマザーボードとの接続端子と
の間も、配線を複雑にすることなく短い配線により、確
実に導通することができる。

【００１２】また、前記電子部品における電極の端面
は、前記配線基板本体の表面および裏面の少なくとも一
方に形成される前記配線層と同一平面内に位置してい
る、配線基板も本発明に含まれる。これによれば、配線
層の形成と同時に電子部品の電極が導通されため、短い
配線で電子部品と配線層およびＩＣチップなどとの導通
が取れる。しかも、内臓される電子部品の電極同士を接
続する配線の引き回しが、同一平面内にあるため、一つ
の電子部品内または複数の電子部品間の電極同士を、短
い距離で導通することも可能となる。従って、配線基板
内に高密度の配線が可能となると共に、例えば抵抗やイ
ンダクタンスを低下させるなどの電気的に安定した特性
を得ることができる。尚、上記同一平面とは、電極の端
面と配線層が形成される面とが共通していること指す。
即ち、電子部品を固着して配線基板本体に内蔵する樹脂
の表面や裏面において、かかる電子部品の電極と配線層
とが接続されていることを示す。

【００１３】更に、前記配線基板本体は、単一の絶縁層
または(複数の)絶縁層と配線層とを交互に積層した多層
基板の何れかである、配線基板も本発明に含まれる。こ
れによれば、種々のサイズの電子部品を容易に内臓でき
ると共に、多層基板の形態では、内臓した電子部品の電
極と第１主面に搭載するＩＣチップとを導通する配線を
短くできるため、かかる配線におけるノイズ、ループイ
ンダクタンス、および抵抗を低減できるなどの電気的特
性を安定させることも可能となる。付言すれば、前記電
子部品が複数のチップ状電子部品である、配線基板を本
発明に含めることも可能である。これによる場合、小型
化したチップ状電子部品を貫通孔内などに精度良く配置
でき、各電子部品の電極を個別に内部の配線層や第１主
面上に搭載するＩＣチップと精度良く接続できるため、
高機能で高密度の配線基板とすることが可能となる。

【００１４】尚、上記チップ状電子部品には、チップコ
ンデンサ、チップインダクタ、チップフィルタ、チップ
抵抗、またはチップトランジスタなどが含まれる。特
に、チップコンデンサを内臓する場合には、１個のコン
デンサを内臓する場合よりも複数のコンデンサを並列に
接続して内蔵することにより、コンデンサの数で割り算
したインダクタンスとなって、全体のインダクタンスを
下げることが可能となる。更に、１個の大きな電子部品
を樹脂を介して内蔵する場合に比べ、熱応力を緩和する
こともでき、固化した上記樹脂に生じるクラックを効果
的に防止できる。加えて、前記配線基板本体のうち、第
１主面上に搭載されるＩＣチップの位置を厚さ方向に投
影してなるＩＣチップ対応部に、前記電子部品が配置さ
れている、配線基板も本発明に含まれる。これによれ
ば、電子部品とＩＣチップとを最も最短の配線により導
通することが可能となり、基板内部におけるノイズ、抵
抗、およびインダクタンスを低くして安定した電気的特
性を得ることができる。

【００１５】一方、本発明における第一の配線基板の製
造方法(請求項８)は、表面および裏面を有し、かかる表
・裏面間を貫通する貫通孔、あるいは表面側または裏面
側に開口する凹部を備える配線基板本体と、かかる貫通
孔または凹部内に樹脂を介して(固着・)内臓され且つ上
端および下端の少なくとも一方に電極を有する電子部品
と、この電子部品の電極と接続する接続配線を含む配線
と、を備える配線基板の製造方法であって、上記貫通孔
または凹部内に電子部品を配置する工程と、上記貫通孔
または凹部内に樹脂を充填し且つ硬化することにより、
上記電子部品を上記配線基板本体に樹脂を介して(固着
・)内臓する工程と、を含む、ことを特徴とする。

【００１６】付言すれば、上記製造方法は、表面および
裏面を有する板状を呈し、かかる表・裏面間を貫通する
貫通孔または表面側に開口する凹部を備える配線基板本
体と、かかる貫通孔または凹部に樹脂を介して固着され
且つ上端および下端の少なくとも一方に電極を有する電
子部品と、この電子部品の電極と接続する接続配線を含
む配線と、を備える配線基板の製造方法であって、上記
貫通孔または凹部内に電子部品を配置する工程と、上記
貫通孔または凹部内に樹脂を充填し且つ硬化することに
より、上記電子部品を上記配線基板本体に埋設して固着
する工程と、を含む方法でもある。これによれば、貫通
孔や凹部内に内臓した電子部品の上端や下端における各
電極を介して、容易且つ自在に内部の配線層と接続で
き、かかる電極と第１主面上に搭載したＩＣチップやマ
ザーボードの接続端子との間を、配線を複雑にすること
なく短い配線により、確実に導通する配線基板を容易に
提供できる。

【００１７】また、前記電子部品を(固着して)内臓する
工程の後に、前記樹脂の表・裏面の少なくとも一方に露
出する電子部品の前記電極と接続する前記配線基板本体
の表面の上方および裏面の下方の少なくとも一方の配線
層を、メッキにより形成する工程を含む、配線基板の製
造方法も含まれる。付言すれば、上記製造方法は、前記
電子部品を埋設する工程の後に、前記樹脂の表・裏面に
露出する電子部品の前記電極と接続する前記配線基板本
体の表面の上方および裏面の下方の少なくとも一方の配
線層を、メッキにより形成する工程を含む、方法でもあ
る。これによれば、配線層を形成するメッキと同時にか
かる配線層と電子部品の電極とが導通されため、短い配
線で電子部品と配線層およびＩＣチップなどとの導通が
取れる。従って、配線基板内にて高密度の配線が可能と
なる。

【００１８】更に、前記配線層をメッキにより形成する
工程において、前記電子部品の電極と前記配線層との接
続配線は、かかる配線層と同時に形成される、配線基板
の製造方法も本発明に含まれる。これによっても、配線
層を形成するメッキと同時にかかる配線層と電子部品の
電極との導通を確実に取ることができる。即ち、ハンダ
により電子部品の電極と配線層とを接続する場合、ハン
ダ実装用のランドを設ける必要がある。しかし、メッキ
により配線層自体の形成、およびかかる配線層と電極と
の接続配線とが同時に形成できるため、上記ランドが不
要となる。これにより、多くの電子部品を高密度に内蔵
することができる。また、メッキにより配線層自体の形
成、およびかかる配線層と電極との接続配線とが同時に
形成でき、ハンダ印刷という工程を省略できるため、工
数とコストを低減することもできる。更に、上記ハンダ
のリフロが不要なため、電子部品の損傷をなくせ、第１
主面上にＩＣチップを実装する際の加熱による断線を予
防することもできる。

【００１９】本発明における第二の配線基板の製造方法
(請求項１１)は、表面および裏面を有し、かかる表・裏
面間を貫通する貫通孔、あるいは表面側または裏面側に
開口する凹部を備える配線基板本体と、上記貫通孔また
は凹部内に樹脂を介して内臓され且つ上端および下端の
少なくとも一方に電極を有する電子部品と、この電子部
品の電極と接続する接続導体と、を備える配線基板の製
造方法であって、上記貫通孔または凹部内に電子部品を
配置する工程と、上記貫通孔または凹部内に樹脂を充填
し且つ硬化することにより、上記電子部品を上記配線基
板本体に樹脂を介して内臓する工程と、上記硬化した樹
脂の表面および裏面の少なくとも一方に穴明けして、上
記電子部品の電極を穴内で露出させる工程と、この穴内
に導電性物質を充填して、上記電極と導通する接続導体
を形成する工程と、を含む、ことを特徴とする。

【００２０】付言すれば、上記製造方法は、表面及び裏
面を有する板状を呈し、かかる表・裏面間を貫通する貫
通孔または表面側に開口する凹部を備える配線基板本体
と、かかる貫通孔または凹部内に挿入して固着され且つ
上端および下端の少なくとも一方に電極を有する電子部
品と、この電子部品の電極と接続する接続導体と、を備
える配線基板の製造方法であって、上記貫通孔または凹
部内に電子部品を配置する工程と、上記貫通孔または凹
部内に樹脂を充填し且つ硬化することにより、上記電子
部品を上記配線基板本体に埋設して固着する工程と、上
記硬化した樹脂の表面および裏面の少なくとも一方に穴
明けして、上記電子部品の電極を穴内で露出させる工程
と、この穴内に導電性物質を充填して、上記電極と導通
する接続導体を形成する工程と、を含む、方法でもあ
る。

【００２１】これによれば、貫通孔または凹部内に内臓
した電子部品の電極を接続導体を介して、容易且つ自在
に内部の配線層と接続できると共に、上記電極と配線基
板内の配線層や第１主面上に搭載したＩＣチップとの間
も、配線を複雑にすることなく短い配線により確実に導
通できる。従って、小型化および配線の高密度化の要請
下で、例えばチップ状とされた複数の電子部品を容易に
内蔵でき、配線回路中のノイズを除去し、電気的特性が
安定化した配線基板を確実に提供できる。尚、上記貫通
孔内に電子部品を配置する工程は、貫通孔の一方の開口
部を粘着面を内側にしたテープにより閉塞する工程と、
貫通孔内に挿入した電子部品を上記粘着面に接着して配
置する工程と、からなるとすることもできる。この場
合、例えば複数のチップ状電子部品でも、位置精度を良
くして容易に配置できる。

【００２２】また、前記樹脂の表面に穴明けする工程
は、レーザ照射により行われる、配線基板の製造方法も
本発明に含まれる。これによれば、比較的小径の穴を容
易且つ精度良く樹脂に穿設できるので、ファインな配線
を形成することに寄与し得る。特に、複数のチップ状電
子部品を内蔵する場合に、上記穴を位置精度良く穿設で
き、且つ各部品の電極の高さにバラツキがあっても支障
なく穴明けできる。尚、上記レーザには、ＣＯ_２、ＹＡ
Ｇ、またはエキシマレーザなどが使用される。

【００２３】更に、前記穴内に導電性物質を充填して前
記接続導体を形成する工程は、ハンダよりも高融点の金
属または合金によるメッキを施すことにより行われる、
配線基板の製造方法も本発明に含まれる。これによれ
ば、例えば第１主面上にＩＣチップをハンダ付けで搭載
する際、その熱により接続導体が溶出して断線したり、
電子部品を損傷せず、内蔵する電子部品の電極と配線層
との導通を確実に取ることができる。また、配線基板本
体の表・裏面に配線層を形成する際、接続導体を介して
同時に上記電極との接続を行うことも可能となる。尚、
上記メッキに用いる金属には、Ｃｕ，Ａｇ，Ｎｉ、また
はこれらをベースとする合金が含まれる。

【００２４】また、前記電子部品を(固着して)内臓する
工程の後に、前記樹脂の表面および裏面の少なくとも一
方を平坦に整面する工程と、を更に含む、配線基板の製
造方法も本発明に含まれる。付言すれば、この方法は、
前記電子部品を固着する工程の後に、前記樹脂の表面お
よび裏面の少なくとも一方を平坦に整面する工程と、を
含む、ものでもある。これによれば、前記レーザ照射に
よる穴明け工程を、一層容易且つ精度良く行うことが可
能となる。しかも、かかる整面後における樹脂の表面や
裏面は、配線基板本体の表面や裏面とほぼ同一の平面と
なるため、樹脂の表面および裏面上に平坦な配線や絶縁
層を容易に形成できる。尚、上記整面に際しては、バフ
研磨やベルトサンダによる研磨などが用いられる。

【００２５】更に、前記接続導体の形成工程と同時に、
前記配線基板本体の表面の上方および裏面の下方の少な
くとも一方に上記接続導体と導通する配線層を形成す
る、配線基板の製造方法も本発明に含まれる。これによ
れば、接続導体の形成と同時に、これと導通する配線層
が形成でき、ビルドアップ構造の配線基板を得ることが
できる。従って、少ない工程で前記配線基板を容易に製
造することが可能となる。尚、内蔵する電子部品の電極
は、前記接続導体を介して第１主面上に搭載するＩＣチ
ップと直に接続することも可能である。

【００２６】付言すれば、前記接続導体の形成工程の後
に、前記配線基板本体の表面の上方および裏面の下方の
少なくとも一方に前記接続導体と導通する配線層を形成
する工程を、更に含む、配線基板の製造方法とすること
も可能である。これによる場合、電子部品と配線層とを
接続導体を介して、あるいは直に導通できると共に、ビ
ルドアップ構造の配線層も確実に形成することが可能と
なる。しかも、上記配線層を銅などによる金属メッキで
形成することにより、ハンダ実装用のランドが不要とな
るため、多くの電子部品を高密度に内蔵することができ
ると共に、ハンダのリフロが不必要となるため、電子部
品の損傷や第１主面上にＩＣチップを実装する際の加熱
による断線も確実に防ぐことができる。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下において本発明の実施に好適
な形態を図面と共に説明する。図１(Ａ)は、絶縁材から
なるパネルＰの平面図を示し、図中に破線で示す個別の
配線基板(製品単位)となる複数の配線基板本体１と、そ
れらの中央に穿孔した貫通孔４とを含む。かかるパネル
Ｐにより、多数の配線基板(縦横各約４０ｍｍ)を同時に
製造することができる。図１(Ｂ)は、上記パネルＰ中に
おける配線基板本体(コア基板)１と、その表面２と裏面
３との間を貫通する貫通孔４との断面を示す。配線基板
本体１は、平面視でほぼ正方形を呈する厚さ約０．８ｍ
ｍの板状で、例えばガラス−エポキシ樹脂の複合材から
なる単一の絶縁層である。また、配線基板本体１ほぼ中
央をパンチングすることにより、平面視が略正方形で一
辺が約１２ｍｍの貫通孔４が予め穿孔されている。

【００２８】図１(Ｂ)に示すように、先ず貫通孔４にお
ける裏面３側の開口部を、粘着面７を貫通孔４内に向け
たテープ６を裏面３に貼り付けることにより閉塞する。
尚、テープ６は、前記パネルＰの貫通孔４全てを同時に
閉塞するため、図１(Ｂ)のように、パネルＰの下側のほ
ぼ全面を覆うように貼り付けられる。次に、図１(Ｃ)に
示すように、例えばチップコンデンサなどの複数の電子
部品８を貫通孔４内に挿入すると共に、上記テープ６の
粘着面７上における所定の位置にそれぞれ配置して接着
する。この作業は例えばチップマウンタなどにより行
う。この際、前記パネルＰにおける複数の貫通孔４をテ
ープ６で同時に塞ぐことにより、各貫通孔４内に電子部
品８を同時に配置できるため、効率良く製造することが
可能となり且つコストダウンにもつながる。尚、上記電
子部品８は、その上・下端にＣｕからなる電極８ａ，８
ｂを有すると共に、例えばチタン酸バリウムを主成分と
する誘電体層とＮｉ製の内部電極とを交互に積層したセ
ラミックコンデンサが用いられ、その寸法は約３.２ｍ
ｍ×１.６ｍｍ×０.７ｍｍである。

【００２９】次いで、図１(Ｄ)に示すように、貫通孔４
の表面２側の開口部から、エポキシ樹脂を主成分とする
溶けた樹脂９を貫通孔４内に注入した後、約１００℃に
６０分間程度保持するキュア処理を行う。この結果、図
示のように、樹脂９が固化することにより、各電子部品
８は貫通孔４内の所定の位置で固着され、下端の電極８
ｂの端面を除き樹脂９中に埋設され且つ内臓される。ま
た、固化した樹脂９の表面９ａはカーブ状に盛り上がる
が、樹脂９の裏面９ｂは上記テープ６の粘着面７に倣っ
た平坦面となり、且つ各電極８ｂの端面が追って露出す
る。尚、上記テープ６は、樹脂９用のモールドの底部を
形成し、且つ上記キュア処理に耐え得る程度の耐熱性を
有している。また、上記キュア処理により、樹脂９の内
部における気泡も併せて除去され緻密な組織となる。更
に、この段階で樹脂９中に埋設された電子部品８の配設
位置およびショートの有無などをチェック(検査)する。

【００３０】更に、図２(Ａ)に示すように、テープ６を
剥離した後、配線基板本体１を固定し、樹脂９の表面９
ａを例えばバフ研磨により整面する。この結果、図２
(Ａ)に示すように、新たに形成される樹脂９の表面９ｃ
は、配線基板本体１の表面２と同一平面となる。次に、
図２(Ｂ)に示すように、樹脂９の表面９ｃ側からほぼ垂
直に例えばＣＯ _２レーザＬを照射する。レーザＬの照射
位置は、各電子部品８上端の電極８ａの真上に設定され
ている。この結果、図示のように、電子部品８上端の電
極８ａに対応する位置に穴１０が穿設され、各穴１０の
底部において各電子部品８上端の電極８ａの上端面が露
出する。尚、穴１０の内径は、約１００μｍである。即
ち、レーザＬの照射により、小径の穴１０を所定の位置
に精度良く形成できる。

【００３１】次いで、上記穴１０内に予めＰｄ触媒を塗
布した後、無電解銅メッキおよび電解銅メッキをそれぞ
れ施す。この結果、図２(Ｃ)に示すように、各穴１０内
には銅(導電性物質)からなる円柱形の接続導体１２が形
成される。尚、各穴１０から表面９ｃ上に突出した接続
導体１２の上端部は、バフ研磨などにより除去される。
これにより、接続導体１２の上端面は、樹脂９の表面９
ｃおよび配線基板本体１の表面２と同一平面に形成され
る。従って、配線基板本体１の表面２上や第１主面寄り
に追って形成する絶縁層や配線層は、歪みや段差などの
不具合を伴わずに形成され、且つ第１主面にＩＣチップ
を適正に搭載することも容易となる。

【００３２】尚、接続導体１２をハンダよりも高融点の
銅で形成することにより、電子部品８の損傷を防いだ
り、追って行う配線間や第１主面上での他の電子部品
(例えばＩＣチップなど)のハンダ付け時の熱による影響
を阻止することができる。また、電極８ａ,８ｂ、接続導
体１２、およびこれと接続される配線層に、同種の導電
性物質(本形態では銅)を用いることより、後述するＩＣ
チップ搭載時のハンダ・リフローなどに伴い生じる熱応
力を更に緩和することができる。更に、前記穴１０の深
さが比較的浅い場合には、次述する配線層１４と同時に
接続導体１２を銅メッキにより形成することもできる。
これにより、製造工程を短縮できる。

【００３３】更に、配線基板本体１の表・裏面２，３お
よび樹脂９の表・裏面９ｃ，９ｂの上に銅メッキを施し
た後、図示しない感光性樹脂を塗布し且つマスクを介し
た露光と現像とを行う。得られたエッチングレジストを
介して銅メッキ層をエッチングした後、上記レジストを
剥離する。この結果、図３(Ａ)に示すように、表面２，
９ｃと裏面３，９ｂの上に所定パターンの配線層１４，
１６(厚さ約１５μｍ)が形成される。配線層１４内の配
線１４ａは、電子部品８上端の電極８ａと接続導体１２
を介して接続され、配線層１６内の配線１６ａは、電子
部品８下端の電極８ｂと直に接続される。尚、接続導体
１２側を図３(Ａ)の下側(裏面９ｂ側)に形成し、追って
第１主面上に搭載されるＩＣチップと反対側になるよう
にしてから、その後の工程を行っても良い。尚、配線層
１４，１６は、別途に配線基板本体１に貫通して形成さ
れる図示しないスルーホール導体を介しても互いに導通
される。次に、図３(Ａ)のように、表・裏面２,３およ
び配線層１４,１６の上／下に感光性のエポキシ樹脂を
塗布して厚さ約３０μｍの絶縁層１８,１９を形成す
る。

【００３４】次いで、絶縁層１８，１９における所定の
位置に、マスクを介した露光および現像を施してビアホ
ール(図示せず)を形成する。更に、かかるビアホール内
および絶縁層１８，１９上に銅メッキを施した後、前記
同様に感光性樹脂を塗布してマスクを介した露光と現像
とを行う。この結果、図３(Ｂ)に示すように、絶縁層１
８，１９を貫通するビア導体(フィルドビア)２０，２２
と絶縁層１８，１９の上／下の配線層２４，２６とが形
成される。以下同様の方法により、絶縁層１８，１９お
よび配線層２４，２６の上に絶縁層２８，２９を形成
し、これを貫通するビア導体(フィルドビア)３０，３１
と絶縁層２８，２９上の配線層３２，３４とを形成す
る。尚、ビア導体３０などの形成前におけるビアホール
の穴明けは、絶縁層２８などが感光性材料でない場合、
レーザ(ＣＯ_２，ＹＡＧ，エキシマ等)照射により行って
も良い。

【００３５】更に、図３(Ｂ)に示すように、絶縁層２
８，２９と配線層３２，３４の上／下に絶縁層(ソルダ
ーレジスト層)３６，３７を形成する。配線層３２上の
所定の位置にレーザなどで穿設した凹み内にハンダを充
填することにより、第１主面３６ａよりも高く突出する
ハンダ製のフリップチップバンプ３８を複数形成する。
かかるバンプ３８は、第１主面３６ａ上に搭載されるＩ
Ｃチップ３９の底面に形成される図示しない外部端子と
接続される。かかる接続の際に上記バンプ３８を加熱し
ても、前記接続導体１２には影響を与えない。また、図
３(Ｂ)に示すように、ＩＣチップ３９が搭載される位置
を厚さ方向に投影するＩＣチップ対応部３９ａの範囲内
に、各電子部品８が配置されているので、電子部品８と
ＩＣチップ３９とを最短の配線により導通できる。これ
により、抵抗やインダクタンスを低くし、安定した電気
的特性を得ることができる。

【００３６】更に、図３(Ｂ)に示すように、ビア導体２
０，３０およびビア導体２２，３１がフィルドビアから
なり、且つこれらが厚さ方向に連続するスタックトビア
(積み上げビア)を形成するので、電子部品８とＩＣチッ
プ３９およびマザーボードとをほぼ直線的に短く接続で
き、これらの経路における電気的特性を良好にすること
ができる。一方、絶縁層３７における第２主面３７ｂ側
に開口して形成した開口部３７ａ内に露出する配線層３
４内の配線３４ａは、その表面に薄いＮｉおよびＡｕメ
ッキを被覆され、図示しないマザーボードなどと接続す
るための接続端子とされる。これにより、複数の電子部
品８を内蔵し、第１主面３６ａ上にＩＣチップ３９のよ
うな電子部品を搭載可能とした第一の配線基板４０を得
ることができる。

【００３７】以上のような第一の配線基板(請求項１，
２)４０とその製造方法(請求項１１)によれば、配線基
板本体１の貫通孔４内に精度良く固着して内臓された複
数の電子部品８は、各電子部品８上端の電極８ａを接続
導体１２を介して、配線層１４，２４，３２などや第１
主面３６ａ上に搭載したＩＣチップ３９と配線を複雑に
することなく短い配線により、容易且つ確実に導通する
ことができる。また、レーザＬにより穴１０を穿設(穴
明け)し且つその内部にハンダよりも高融点の銅メッキ
により接続導体１２を形成するので、比較的小径の穴１
０を容易且つ精度良く樹脂９に穿設でき、ファインな配
線回路を形成できる。更に、電子部品８の下端の電極８
ｂも配線層１６，２６などと接続される。尚、配線層１
４，１６は、スルーホール導体(図示せず)を介しても導
通する。従って、小型化および配線の高密度化が要請さ
れる配線基板において、チップ状とされた複数の電子部
品８を容易に内蔵できると共に、例えば配線回路中のノ
イズを除去したり、あるいは種々の電気的特性を安定化
させることができる。

【００３８】図４は、前記配線基板４０の変形形態の配
線基板４０′とその製造工程に関する。図４(Ａ)は、前
記図２(Ｃ)に示した配線基板本体(コア基板)１を、その
表・裏面２，３が上下逆になるようにし、接続導体１２
を下側に配置した状態を示す。以下図４においては、配
線基板本体１の表面を表面３とし且つ裏面を裏面２とし
て説明する。かかる状態にて、表面３および樹脂９の裏
面９ｂの上に配線１４ａを含む配線層１４を、裏面２お
よび樹脂の表面９ｃの下に配線１６ａを含む配線層１６
を、それぞれ形成した後、これらの上／下に絶縁層１
８，１９を形成する。この際、図４(Ａ)に示すように、
電子部品８の電極８ｂは、上端面が表面３側に露出して
いるため、配線層１４を銅メッキで形成すると同時に配
線１４ａと接続される。また、電子部品８の電極８ａは
接続導体１２を介して、裏面２側の配線層１６の配線１
６ａと接続される。尚、図４(Ａ)では、接続導体１２と
これに接続する配線層１６とが、配線基板本体１の裏面
２側に形成されている。また、接続導体１２は、配線層
１６を形成する銅メッキと同時に形成することもでき
る。

【００３９】図４(Ｂ)は、図４(Ａ)の絶縁層１８，１９
中に前記同様のビア導体２０，２２を形成し、且つ絶縁
層１８，１９の上／下に配線層２４，３２，２６，３４
および絶縁層２８，３６，２９，３７を形成した状態を
示す。更に、図４(Ｂ)に示すように、前記同様に配線層
３２上に第１主面３６ａ上に突出するフリップチップバ
ンプ３８を形成すると共に、絶縁層３７に形成した開口
部３７ａ内に露出する配線層３４内の配線３４ａは、Ｎ
ｉおよびＡｕメッキを被覆され接続端子とされる。これ
により、前記配線基板４０の変形形態の配線基板４０′
が得られる。配線基板４０′は、配線基板本体１に内臓
した電子部品８下端の電極８ａが接続導体１２を介して
上記本体１の裏面２側の配線層１６と導通し、且つ電子
部品８上端の電極８ｂが直に配線層１４と導通する点で
のみ、配線基板４０と相違する。但し、配線基板４０′
は、配線基板４０に比べ、接続導体１２の厚み分だけ電
子部品８とＩＣチップ３９とを近付けられるため、スイ
ッチングノイズなどを低減でき、内部の電気的特性を向
上させることができる。

【００４０】図５は、本発明の第二の配線基板(請求項
４)とこれを得るための製造方法(請求項８)に関する。
図５(Ａ)は、前記図１(Ｄ)と同様に、配線基板本体(コア
基板)１の貫通孔４内に、樹脂９を充填し且つ固化する
ことにより、複数の電子部品８を内臓した状態を示す。
各電子部品８は、上端の電極８ａが配線基板本体１の表
面２よりも僅かに高い位置にある。前記同様にテープ６
を剥離し、図５(Ｂ)に示すように、樹脂９のカーブして
いた表面９ａを整面して平坦な表面９ｃとする。この結
果、新たな表面９ｃには、各電子部品８の上端におい
て、上端面が研磨された電極８ａが露出する。一方、樹
脂９の裏面９ｂには、各電子部品８における下端の電極
８ｂが露出している。尚、樹脂９の裏面９ｂも上記と同
様に整面すると、電極８ｂを確実に露出させ得る。

【００４１】次に、図５(Ｃ)に示すように、配線基板本
体１の表・裏面２，３および樹脂９の表・裏面９ｃ，９
ｂの上／下において、前記同様の方法により所定パター
ンの配線層１４，１６を銅メッキにより形成する。この
際、配線層１４，１６の形成と同時に形成され、これと
同一層内に位置する接続配線(引き回し配線)１４ａ，１
６ａは、電子部品８の上端の電極８ａまたは下端の電極
８ｂと接続される。即ち、電極８ａ，８ｂの端面は、予
め配線層１４，１６が形成される表・裏面２，３に露出
している、換言すれば配線層１４，１６が形成される面
と同一平面内に位置している。このため、上記メッキで
配線層１４，１６を形成すると同時に、電極８ａ，８ｂ
と接続配線１４ａ，１６ａとを直に接続することができ
る。

【００４２】更に、配線層１４，１６の上に絶縁層１
８，１９を形成する。これ以降は、前記図３(Ｂ)や図４
(Ｂ)に示したと同様にビア導体２０，２２などや配線層
２４，２６などを形成し、且つ配線層２４，２６などの
上にソルダーレジスト層３６，３７が形成される。更
に、第１主面３６ａ側にフリップチップバンプ３８を、
ソルダーレジスト層３７側の開口部３７ａ内に配線(接
続端子)３４ａを形成する。この結果、前記配線基板４
０，４０′と同様な配線基板を得ることができる。以上
のような第二の配線基板とその製造方法によれば、前記
穴１０や接続導体１２の形成工程を省略できると共に、
電子部品８とＩＣチップ３９とを更に短くして導通させ
ることができ、一層安定した電気的特性を得ることが可
能となる。

【００４３】図６は、異なる形態の第一の配線基板(請
求項１，２)４４とその製造方法(請求項１１)に関す
る。尚、以下の形態において、前記形態と同じ部分や要
素には共通の符号を用いるものとする。図６(Ａ)は、前
記と同様に配線基板本体(コア基板)１における貫通孔４
の一方の開口部をテープ６で閉塞し、その粘着面７上に
複数のチップ状電子部品８′を接着して配置した後、貫
通孔４内に樹脂９を充填・硬化して、貫通孔４に上記電
子部品８′を内臓した状態を示す。尚、電子部品８′
は、上端のみに突出する電極８ａを有するタイプであ
る。また、図６(Ａ)に示すように、配線基板本体１の左
右には、ドリルによりスルーホール４１が表・裏面２，
３間に貫通している。図６(Ｂ)に示すように、上記テー
プ６を剥離し、樹脂９の表面９ａを研磨して整面し平坦
な表面９ｃとした後、表面９ｃにレーザを照射して穴１
０を穿設する。各穴１０の底部には、直下の電子部品
８′上端の電極８ａの端面が露出する。

【００４４】次に、図６(Ｃ)に示すように、各穴１０の
内部に無電解銅メッキおよび電解銅メッキを施して、接
続導体１２を形成する。また、配線基板本体１の表・裏
面２，３および樹脂９の表・裏面９ｃ，９ｂの上に、前
記同様の方法で配線層１４，１６を形成する。この際、
同時にスルーホール４１内にもスルーホール導体４２を
形成し且つその上下端と配線層１４，１６とを接続す
る。また、図６(Ｃ)に示すように、配線層１４内の配線
１４ａは、接続導体１２の何れかと接続される。更に、
図６(Ｄ)に示すように、配線基板本体１の表・裏面２，
３および配線層１４，１６の上／下に絶縁層１８，１９
を前記同様に形成した後、これを貫通するビア導体２
０，２２、および上・下の配線層２４，２６を形成す
る。

【００４５】次に、図６(Ｄ)に示すように、前記同様に
して配線層２４，２６上に前記図３(Ｂ)で示した絶縁層
２８，２９またはソルダーレジスト層３６，３７(図示
せず)を形成すると共に、第１主面３６ａ側にはハンダ
製の前記バンプ３８(図示せず)を、上記レジスト層３７
側には配線(接続端子)３４ａ(図示せず)を形成する。こ
れにより、第一の配線基板４４を得ることができる。か
かる配線基板４４とその製造方法によれば、配線基板本
体１の貫通孔４内に内蔵した複数の電子部品８′は、そ
の上端の電極８ａと接続する接続導体１２を介して配線
層１４，２４と容易に接続されると共に、第１主面３６
ａ上に搭載されるＩＣチップ３９と短い配線で導通でき
る。また、各電子部品８′は、スルーホール導体４２を
介して配線基板本体１の裏面３側における配線層１６，
２６や配線(接続端子)３４ａとも導通される。従って、
少ない配線により、内蔵した複数の電子部品８′と第１
主面３６ａ上に搭載するＩＣチップ３９や配線基板４４
自体を搭載する図示しないマザーボードとの導通を確実
に取ることができ、小型化し高密度な配線回路を有する
配線基板にも容易に適用することが可能である。

【００４６】図７は、更に異なる形態の第一の配線基板
４８とその製造方法に関する。図７(Ａ)に示すように、
配線基板本体（コア基板）１′は、その表面２側に開口
する平面視でほぼ正方形の凹部４ａを有する。かかる配
線基板本体１′は、図示しない厚肉で貫通孔(４)を有す
る絶縁板と薄肉の平らな絶縁板とを、接着シートを挟ん
で加熱しつつ圧着して形成したものである。上記凹部４
ａの底部４ｂには、予め所定の位置に充填樹脂４６ａを
有する複数のスルーホール導体４６が貫通している。先
ず、凹部４ａ内に挿入した複数のチップ状電子部品８の
下端の電極８ｂと上記導体４６とを、ハンダ４７を介し
て接続した後、図７(Ａ)に示すように、凹部４ａ内に樹
脂９を充填し且つ硬化する。次いで、図７(Ｂ)に示すよ
うに、固化した樹脂９の表面９ａを研磨して整面し平坦
な表面９ｃとした後、所定の位置にレーザを照射して各
電極８ａの真上に穴１０を穿設する。その後、各穴１０
内に前記同様の銅メッキを施して、図７(Ｃ)に示すよう
に、接続導体１２を形成する。

【００４７】更に、前記と同様の方法により、図７(Ｃ)
に示すように、配線基板本体１′の表面２および樹脂９
の表面９ｃ上に、所定パターンを有し且つ何れかの接続
導体１２と接続する配線１４ａを含む配線層１４を形成
する。また、配線基板本体１′の裏面３下には、電子部
品８下端の電極８ｂとスルーホール導体４６を介して導
通する配線１６ａを含む所定パターンの配線層１６を形
成する。更に、図７(Ｄ)に示すように、前記同様に配線
層１４，１６の上に絶縁層１８,１９を形成した後、ビ
ア導体２０，２２や配線層２４，２６を形成する。そし
て、前記同様に配線層２４，２６の上にソルダーレジス
ト層３６，３７が形成されると共に、第１主面３６ａ側
にフリップチップバンプ３８を、ソルダーレジスト層３
７側の開口部３７ａ内に配線(接続端子)２６ａを形成す
ることにより、図７(Ｄ)に示す第一の配線基板４８を得
ることができる。

【００４８】かかる配線基板４８とその製造方法によれ
ば、配線基板本体１′の凹部４ａに内蔵した複数の電子
部品８は、上端に設けた各電極８ａに接続する接続導体
１２を介して配線層１４に容易に接続され、且つ第１主
面３６ａ上に搭載するＩＣチップ３９とも比較的短い配
線で導通できる。また、各電子部品８下端の電極８ｂ
は、スルーホール導体４６を介して配線層１６に接続さ
れ、且つ接続端子２６ａと導通される。更に、図７(Ｄ)
に示したように、ＩＣチップ対応部３９ａ内に、各電子
部品８が配置されているので、これらと上記ＩＣチップ
３９とを最短の配線で導通できる。従って、配線を複雑
にすることなく、複数のチップ状電子部品８を配線基板
本体１′内に高密度で内蔵でき、内部の配線層２４，２
６などや搭載するＩＣチップ３９との導通も確実に行え
る。尚、凹部４ａの両外側における配線基板本体１′
に、前記スルーホール導体４２を形成することで、配線
層１４，１６を電子部品８を介さず直に接続できること
も明らかである。

【００４９】図８は、異なる形態の第二の配線基板(請
求項４)４９とその製造方法(請求項８)に関する。図８
(Ａ)に示すように、配線基板本体(コア基板)１′は、そ
の表面２側に開口する凹部４ａを有し、凹部４ａに隣接
してスルーホール４１，４１が予め貫通している。先
ず、凹部４ａ内に、上端のみに一対の電極８ａを有する
複数の電子部品８′を、図示しないチップマウンタにて
所定の位置に配置する。この際、各電極８ａの上端面
は、配線基板本体１′の表面２よりも僅かに高い位置に
ある。次に、図８(Ｂ)に示すように、凹部４ａ内に樹脂
９を充填し且つ硬化する。この際、各電子部品８′の電
極８ａも樹脂９の中に埋設・内臓される。更に、図８
(Ｃ)に示すように、固化した樹脂９の表面９ａを研磨し
て整面し平坦な表面９ｃとする。この際、各電子部品
８′の電極８ａの上端面も研磨され、新たな表面９ｃに
露出する。

【００５０】また、前記同様の方法により、図８(Ｄ)に
示すように、配線基板本体１′の表面２および樹脂９の
表面９ｃ上に、所定パターンを有し且つ各電子部品８′
の上端の電極８ａと直かに接続する接続配線(引き回し
配線)１４ａを含む配線層１４を、銅メッキにより形成
する。即ち、電極８ａの上端面は、配線層１４が形成さ
れる上記本体１′の表面２と同一平面内に露出している
ため、上記メッキによって直ちに電極８ａと接続配線１
４ａとを接続することができる。同様にして、配線基板
本体１′の裏面３下に配線層１６を形成する。尚、スル
ーホール４１内には、充填樹脂４３を内蔵したスルーホ
ール導体４２が形成され予め形成され、その上下端に配
線層１４，１６が上記メッキにより形成される。

【００５１】更に、図８(Ｄ)に示すように、前記同様に
配線層１４，１６の上に絶縁層１８，１９を形成した
後、ビア導体２０，２２や配線層２４，２６を形成する
ことにより、配線基板４９が得られる。そして、前記同
様に配線層２４，２６の上に前記同様のソルダーレジス
ト層を形成すると共に、第１主面側にフリップチップバ
ンプを、底面側の開口部内に接続端子の配線を形成する
ことにより、前記図７(Ｄ)に示した配線基板４８と同様
な第二の配線基板を得ることができる。

【００５２】図９(Ａ)は、更に異なる形態の第二の配線
基板(請求項４)５０の主要部の断面を示す。この配線基
板５０は、図９(Ａ)に示すように、多層基板の配線基板
本体５１と、その表面５４ａ上と裏面５５ａ下とに形成
した配線層６６，７２，６７，７３と、絶縁層６８，７
４，６９，７５とを有する。図９(Ａ)に示すように、配
線基板本体５１は、ガラス−エポキシ樹脂からなる絶縁
層５２と、エポキシ樹脂からなる絶縁層５４，５５と、
これらの間に形成された銅製の配線層６４，６５とから
なる多層基板である。この配線基板本体５１の表・裏面
５４ａ，５５ａ間を貫通するスルーホール５７には、ス
ルーホール導体５８およびその内側の充填樹脂５９が形
成されている。尚、スルーホール導体５８の中間と配線
層６４とが接続されると共に、スルーホール導体５８の
上下端と配線層６６，６７とが接続されている。但し、
スルーホール導体５８は、配線層６５とは接続されず、
かかる配線層６５に明けた丸孔６５ａを貫通している。

【００５３】また、配線基板本体５１には、その表・裏
面５４ａ，５５ａ間を、平面視がほぼ正方形である貫通
孔５６が貫通している。かかる貫通孔５６には、複数の
チップ状電子部品(チップコンデンサ)６０が、前記同様
の方法により樹脂６３を介して内蔵されている。また、
各チップ状電子部品６０の上下端の電極６１，６２は、
樹脂６３の表・裏面に露出し、且つ配線基板本体５１の
表・裏面５４ａ，５５ａの配線層６６，６７内の接続配
線６６ａ，６７ａと接続されている。更に、図９(Ａ)に
示すように、絶縁層６８，６９には、配線層６６，７２
間や配線層６７，７３間を接続するフィルドビア導体７
０，７１が配置され、且つ配線層７２の上には、絶縁層
(ソルダーレジスト層)７４を貫通し、第１主面７６より
も高く突出し且つＳｎ−Ａｇからなるハンダバンプ７８
が形成されている。

【００５４】そして、図９(Ａ)に示すように、配線層７
３において、最下層の絶縁層(ソルダーレジスト層)７５
に設けた開口部７７から第２主面７５ａ側に露出する配
線７９は、その表面にＮｉおよびＡｕメッキが被覆さ
れ、接続端子に用いられいる。以上のような配線基板５
０によれば、配線層６６，６７の形成と同時に、電子部
品６０の電極６１，６２と接続配線６６ａ，６７ａとが
導通されるため、電子部品６０と接続配線６６ａ，６７
ａとの導通が短い配線で取れる。しかも、電子部品６０
の電極６１，６１間または電極６２，６２間を接続する
接続配線６６ａ，６７ａの引き回しが、配線層６６，６
７と同一平面内にあるため、一つの電子部品６０内また
は複数の電子部品６０，６０の電極６１，６１間または
電極６２，６２間を、短い距離で導通できる。

【００５５】更に、配線基板５０によれば、全体の厚み
が前記配線基板４０と同じ場合、前記電子部品６０の電
極６１と第１主面７６上に搭載される図示しないＩＣチ
ップとの間は、配線層６６，７２、ビア導体７０，およ
びハンダバンプ７８からなる絶縁層５４の厚み分だけ短
い導通経路となる。この結果、かかる経路におけるルー
プインダクタンスを低減できるため、スイチッングノイ
ズやクロストークノイズが低下するなどの電気的特性が
向上する。従って、チップ状電子部品６０やＩＣチップ
を誤動作なく正常に動作させることが一層容易となる。

【００５６】図９(Ｂ)は、更に別形態である第二の配線
基板(請求項４)８０の主要部の断面を示す。配線基板８
０は、図９(Ｂ)に示すように、多層基板の配線基板本体
８１と、その表面８４ａ上および裏面８５ａ下に形成し
た銅製の配線層９８，１０４，９９，１０５と、絶縁層
１００，１０６，１０１，１０７とを有する。配線基板
本体８１は、ガラス−エポキシ樹脂からなる絶縁層８
２，８４，８５と、これらの間に形成した銅製の配線層
９４，９５とからなる多層基板である。かかる基板本体
８１の表・裏面８４ａ，８５ａ間を貫通するスルーホー
ル８７には、スルーホール導体８８およびその内側の充
填樹脂８９が形成されている。また、図９(Ｂ)に示すよ
うに、スルーホール導体８８の中間と配線層９４とが接
続されると共に、かかるスルーホール導体８８の上下端
と配線層９８，９９とが接続されている。但し、スルー
ホール導体８８は、配線層９５とは接続されず、かかる
配線層９５に明けた丸孔９５ａを貫通している。

【００５７】更に、図９(Ｂ)に示すように、配線基板本
体８１には、その表面８４ａ側に開口する凹部８６がル
ータ加工などにより形成されている。かかる凹部８６
は、配線基板本体８１のうち、絶縁層８２，８４をルー
タ加工するか、または予めこれらに貫通孔を穿孔した
後、絶縁層８５と積層することにより形成される。図９
(Ｂ)に示すように、凹部８６中には樹脂９３を介して、
複数のチップ状電子部品(チップコンデンサ)９０が内蔵
されている。電子部品９０は、上下端に電極９１，９２
を有し、上端の電極９１は樹脂９３の表面に露出して、
配線基板本体８１の表面８４ａにおける配線層９８内の
接続配線９８ａと接続される。

【００５８】また、チップ状電子部品９０の下端の電極
９２は、凹部８６の底面と配線基板本体８１の裏面８５
ａとの間を貫通するスルーホール導体９６の上端と予め
接続され、且つこれを介して配線基板本体８１の裏面８
５ａの配線層９９と導通している。尚、スルーホール導
体９６の内側には、充填樹脂９７が形成されている。図
９(Ｂ)に示すように、絶縁層１００，１０１には、配線
層９８，１０４間または配線層９９，１０５間を接続す
るフィルドビア導体１０２，１０３が配置され、配線層
１０４の上には、絶縁層(ソルダーレジスト層)１０６を
貫通し、第１主面１０８よりも高く突出するハンダバン
プ１１０が形成されている。また、配線層１０５のう
ち、絶縁層(ソルダーレジスト層)１０７に設けた開口部
１０９から第２主面１１３側に露出する配線１１１は、
その表面にＮｉおよびＡｕメッキが被覆され、図示しな
いマザーボードなどとの接続端子として用いられる。

【００５９】尚、チップコンデンサ９０に替えて、上端
のみに電極を有するチップ状電子部品を用いても良い。
この場合は、凹部８６の底面と配線基板本体８１の裏面
８５ａとの間を貫通するスルーホール導体９６が省略さ
れる。以上のような配線基板８０でも、配線層９８の形
成と同時に電子部品９０の電極９１が導通されため、電
子部品９０と接続配線９８ａとの導通が短い配線で取れ
る。しかも、電子部品９０の電極９１，９１間を接続す
る接続配線９８ａの引き回しが、配線層９８と同一平面
内にあるため、一つの電子部品９０内または複数の電子
部品９０，９０の電極９１，９１間を、短い距離で導通
できる。

【００６０】更に、前記配線基板４０と全体の厚みが同
じ場合には、前記電子部品９０の電極９１と第１主面１
０８上に搭載される図示しないＩＣチップとの間は、配
線層９８，１０４、ビア導体１０２，およびハンダバン
プ１１０からなる絶縁層８４の厚み分だけ短い導通経路
となる。この結果、かかる経路におけるループインダク
タンスを低減できるため、スイチッングノイズやクロス
トークノイズが低下するなどの電気的特性が向上する。
従って、チップ状電子部品９０やＩＣチップを誤動作な
く正常に動作させることが一層容易となる。

【００６１】本発明は以上に説明した各形態に限定され
るものではない。例えば、貫通孔４，５６や凹部４ａ，
８６内に樹脂９，６３，９３を介して内蔵する電子部品
８，６０，９０は１つのみでも良い。逆に、配線基板本
体１，１′，５１，８１の製品単位１(４０，４０′，
４８，５０，８０)個内に複数の貫通孔４，５６や凹部
４ａ，８６を形成しても良い。また、前記配線基板４
０，４８などで電子部品の下端の電極は、絶縁層を貫通
する接続導体を介して、何れかの配線層と接続すること
も可能である。更に、複数のチップ状電子部品８，８′
などを互いの側面間で予め接着したユニットとし、これ
を貫通孔４または凹部４内ａに挿入し配置することもで
きる。また、チップ状電子部品８,８′,６０,９０に
は、前記チップコンデンサの他、チップ状にしたインダ
クタ、抵抗、フィルタ(ＳＡＷフィルタ、ＬＣフィルタ
など)などの受動部品や、トランジスタ、メモリ、ロー
ノイズアンプ(ＬＮＡ)などの能動部品も含まれると共
に、半導体素子、ＦＥＴ、アンテナスイッチモジュー
ル、カプラ、ダイプレクサなども含まれ、更に、互いに
異種の電子部品同士を、同じ貫通孔や凹部内に併設して
内蔵することも可能である。

【００６２】更に、配線基板本体(コア基板)１，配線基
板本体(多層基板)５１の絶縁層５２などの材質は、前記
ガラス−エポキシ樹脂複合材料の他、同様の耐熱性、機
械強度、可撓性、加工容易性等を有するガラス織布や、
ガラス織布などのガラス繊維とエポキシ樹脂、ポリイミ
ド樹脂、またはＢＴ樹脂などの樹脂との複合材料である
ガラス繊維−樹脂材料を用いても良い。あるいは、ポリ
イミド繊維などの有機繊維と樹脂との複合材料や、連続
気孔を有するＰＴＦＥ等３次元網目構造のフッ素系樹脂
にエポキシ樹脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂系の
複合材料などを用いることも可能である。また、絶縁層
１８，１９などの材質は、前記エポキシ樹脂を主成分と
するものの他、同様の耐熱性、パターン成形性等を有す
るポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、あるいは、
連続気孔を有するＰＴＦＥ等３次元網目構造のフッ素系
樹脂にエポキシ樹脂等の樹脂を含浸させた樹脂−樹脂系
の複合材料などを用いることもできる。且つ絶縁層の形
成には、絶縁性のフィルムを熱圧着する方法で行っても
良い。

【００６３】更に、配線層１４，１６などの材質は、前
記銅メッキの他、Ｎｉや、Ｎｉ−Ａｕ等にしても良く、
あるいは、金属メッキを用いず、導電性樹脂を塗布する
等の方法によって形成することも可能である。また、Ｉ
Ｃチップ３９との接続端子には、前記フリップチップバ
ンプ３８やハンダバンプ７８などの他、フリップチップ
パッド、ワイヤボンディングパッド、或いはＴＡＢ接続
用パッドを形成したもの等を用いても良い。且つ、上記
バンプ３８などには、Ｓｎ−Ａｇの他、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓ
ｎ−Ｚｎ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系などのハンダ(低融点合
金のロウ材)を用いても良い。更に、前記電子部品８，
８′，６０，９０のコンデンサでは、ＢａＴｉＯ_３を主
成分とする高誘電体セラミックを用いたが、ＰｂＴｉＯ
_３，ＰｂＺｒＯ_３，ＴｉＯ_２，ＳｒＴｉＯ_３，ＣａＴｉ
Ｏ_３，ＭｇＴｉＯ_３，ＫＮｂＯ_３，ＮａＴｉＯ _３，ＫＴ
ａＯ_３，ＰｂＴａＯ_３，(Ｎａ_１／２Ｂｉ_１／２)ＴｉＯ
_３，Ｐｂ(Ｍｇ _１／２Ｗ_１／２)Ｏ_３，(Ｋ_１／２Ｂｉ
_１／２)ＴｉＯ_３等を主成分とするものを用いても良
い。

【００６４】また、前記電子部品８，８′，６０，９０
の電極８ａ，８ｂなどの材質は、Ｃｕを主成分とした
が、電子部品６との適合性を有するＰｔ，Ａｇ，Ａｇ−
Ｐｔ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｎｉ等を用いることが
できる。更に、ビア導体は、フィルドビア導体に限ら
ず、コンフォーマルビア導体(導体で完全に充填されな
いビア導体)にしても良い。加えて、前記電子部品８等
のコンデンサは、高誘電体セラミックを主成分とする誘
電体層やＡｇ−Ｐｄ等からなる電極層と、樹脂やＣｕメ
ッキ、Ｎｉメッキ等からなるビア導体や配線層とを複合
させたコンデンサとしたものとしても良い。尚、前記第
１主面３６ａ，７６，１０８上において複数の搭載エリ
アを形成し、複数のＩＣチップ３９を個別に搭載するこ
とも可能である。

【００６５】

【発明の効果】以上において説明した本発明の第一の配
線基板(請求項１，２)によれば、前記貫通孔または凹部
内に内臓された電子部品は、その電極を接続導体を介し
て当該配線基板内の配線層や第１主面上に搭載したＩＣ
チップなどと配線を複雑にすることなく短い配線によ
り、容易且つ確実に導通することができる。また、第二
の配線基板(請求項４)によれば、前記貫通孔または凹部
内に固着されて内臓された電子部品は、その上端および
下端の少なくとも一方の電極と配線層やＩＣチップとを
一層短い配線で導通することができる。従って、第一・
二の配線基板によれば、小型化および配線の高密度化が
要請されている配線基板において、例えばチップ状とさ
れた複数の電子部品を容易に内蔵できると共に、例えば
配線回路中のノイズを除去したり、種々の電気的特性を
安定化させることができる。

【００６６】また、請求項７の配線基板によれば、第１
主面上に搭載するＩＣチップと内臓した電子部品とを、
最短の配線で導通することができる。一方、本発明の第
一および第二の配線基板の製造方法によれば、上記のよ
うな各配線基板を少ない工数で容易且つ確実に提供する
ことが可能となる。

【００６７】また、請求項１２の配線基板の製造方法に
よれば、比較的小径な穴を容易且つ精度良く樹脂に穿設
することができ、且つファインな配線回路を形成し得
る。特に、チップ状の複数の電子部品を内蔵する場合に
上記穴を位置精度良く穿設できると共に、各部品の電極
の高さにバラツキがあっても支障なく穴明けできる。更
に、請求項１３の配線基板の製造方法によれば、追って
施されるハンダ付け時の熱により、上記接続導体が溶出
して断線したりせず、内蔵する電子部品の電極と配線層
との導通を確実に取ることができる。

【００６８】また、請求項１４の配線基板の製造方法に
よれば、上記レーザ照射による穴明けが一層容易且つ精
度良く行うことが可能となる。しかも、樹脂の表面およ
び裏面上に平坦な配線や絶縁層を形成することもでき
る。加えて、請求項１５の配線基板の製造方法によれ
ば、配線基板本体の表面上に配線層を形成する際、同時
に上記電極との接続を行うことも可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】(Ａ)は本発明の第一の配線基板を得るためのパ
ネルを示す平面図、(Ｂ)〜(Ｄ)は本発明の製造方法を示
す各工程の概略断面図。

【図２】(Ａ)乃至(Ｃ)は図１(Ｄ)に続く本発明の製造方
法を示す各工程の概略断面図。

【図３】(Ａ)は図２(Ｃ)に続く工程の概略断面図、(Ｂ)
は得られた第一の配線基板を示す概略断面図。

【図４】(Ａ)は図３(Ｂ)に示した第一の配線基板の変形
形態を得るための製造方法を示す工程の概略断面図、
(Ｂ)は得られた第一の配線基板を示す断面図。

【図５】(Ａ)乃至(Ｃ)は第二の配線基板とその製造方法
の各工程を示す概略断面図。

【図６】(Ａ)乃至(Ｃ)は第一の配線基板の異なる形態の
製造方法を示す各工程の概略断面図、(Ｄ)は得られた第
一の配線基板を示す概略断面図。

【図７】(Ａ)乃至(Ｃ)は第一の配線基板の更に異なる形
態の製造方法を示す各工程の概略断面図、(Ｄ)は得られ
た第一の配線基板を示す概略断面図。

【図８】(Ａ)乃至(Ｃ)は異なる形態の第二の配線基板の
製造方法を示す各工程の概略断面図、(Ｄ)は得られた第
二の配線基板を示す概略断面図。

【図９】(Ａ)および(Ｂ)は異なる形態の第二の配線基板
における主要部を示す断面図。

【図１０】(Ａ)および(Ｂ)は共に従来の配線基板及びそ
の製造方法を示す概略断面図。

【符号の説明】

１，１′，５１，８１………………………………配線基
板本体 ２，５４ａ，８４ａ…………………………………表面 ３，５５ａ，８５ａ…………………………………裏面 ４，５６………………………………………………貫通孔 ４ａ，８６……………………………………………凹部 ８，８′，６０，９０………………………………電子部
品(チップ状電子部品) ８ａ，８ｂ，６１，６２，９１，９２……………電極 ９，６３，９３………………………………………樹脂 ９ａ……………………………………………………樹脂の
表面 １０……………………………………………………穴 １２……………………………………………………接続導
体 １４,１６，２４,２６,３２,３４,64,65,66,67,94,95,9
8,99…配線層 １４ａ，１６ａ，６６ａ，６７ａ，９８ａ………接続配
線(引き回し配線) ３６ａ，７６，１０８………………………………第１主
面 ３９……………………………………………………ＩＣチ
ップ ３９ａ…………………………………………………ＩＣチ
ップ対応部 ４０,４０′,４４,４８,４９,５０,８０…………配線基
板 ５２,５４,５５，８２,８４,８５…………………絶縁層 Ｌ………………………………………………………レーザ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E346 AA43 AA60 CC04 CC05 CC09 CC10 CC32 CC37 CC38 CC40 DD25 FF45 FF50 GG15 HH01 HH32

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】表面および裏面を有し、かかる表・裏面間
   を貫通する貫通孔、あるいは表面側または裏面側に開口
   する凹部を備える配線基板本体と、 上記貫通孔または凹部内に樹脂を介して内臓され且つ少
   なくとも上端に電極を有する電子部品と、 上記樹脂中を貫通し且つ電子部品上端の電極と導通する
   接続導体と、を含む、ことを特徴とする配線基板。
2. 【請求項２】表面および裏面を有し、かかる表・裏面間
   を貫通する貫通孔、あるいは表面側または裏面側に開口
   する凹部を備える配線基板本体と、 上記貫通孔または凹部内に樹脂を介して内臓され且つ上
   端および下端の少なくとも一方に電極を有する電子部品
   と、 上記樹脂中を貫通し且つ電子部品の上端および下端の少
   なくとも一方の電極と導通する接続導体と、を含む、こ
   とを特徴とする配線基板。
3. 【請求項３】前記配線基板本体の表面の上方および裏面
   の下方の少なくとも一方に、前記接続導体と導通する配
   線層が形成されている、 ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
4. 【請求項４】表面および裏面を有し、かかる表・裏面間
   を貫通する貫通孔、あるいは表面側または裏面側に開口
   する凹部を備える配線基板本体と、 上記貫通孔または凹部内に樹脂を介して内臓され且つ上
   端および下端の少なくとも一方に電極を有する電子部品
   と、 上記基板の表面の上方および裏面の下方の少なくとも一
   方に形成され且つ上記電極と導通する配線層と、を含
   む、ことを特徴とする配線基板。
5. 【請求項５】前記電子部品における電極の端面は、前記
   配線基板本体の表面および裏面の少なくとも一方に形成
   される前記配線層と同一平面内に位置している、ことを
   特徴とする請求項４に記載の配線基板。
6. 【請求項６】前記配線基板本体は、単一の絶縁層または
   絶縁層と配線層とを交互に積層した多層基板の何れかで
   ある、 ことを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の配線
   基板。
7. 【請求項７】前記配線基板本体のうち、第１主面上に搭
   載されるＩＣチップの位置を厚さ方向に投影してなるＩ
   Ｃチップ対応部に、前記電子部品が配置されている、こ
   とを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の配線基
   板。
8. 【請求項８】表面および裏面を有し、かかる表・裏面間
   を貫通する貫通孔、あるいは表面側または裏面側に開口
   する凹部を備える配線基板本体と、かかる貫通孔または
   凹部内に樹脂を介して内臓され且つ上端および下端の少
   なくとも一方に電極を有する電子部品と、この電子部品
   の電極と接続する接続配線を含む配線と、を備える配線
   基板の製造方法であって、 上記貫通孔または凹部内に電子部品を配置する工程と、 上記貫通孔または凹部内に樹脂を充填し且つ硬化するこ
   とにより、上記電子部品を上記配線基板本体に樹脂を介
   して内臓する工程と、を含む、 ことを特徴とする配線基板の製造方法。
9. 【請求項９】前記電子部品を内臓する工程の後に、前記
   樹脂の表・裏面の少なくとも一方に露出する電子部品の
   前記電極と接続する前記配線基板本体の表面の上方およ
   び裏面の下方の少なくとも一方の配線層を、メッキによ
   り形成する工程を含む、ことを特徴とする請求項８に記
   載の配線基板の製造方法。
10. 【請求項１０】前記配線層をメッキにより形成する工程
    において、前記電子部品の電極と前記配線層との接続配
    線は、かかる配線層と同時に形成される、ことを特徴と
    する請求項９に記載の配線基板の製造方法。
11. 【請求項１１】表面および裏面を有し、かかる表・裏面
    間を貫通する貫通孔、あるいは表面側または裏面側に開
    口する凹部を備える配線基板本体と、かかる貫通孔また
    は凹部内に樹脂を介して内臓され且つ上端および下端の
    少なくとも一方に電極を有する電子部品と、この電子部
    品の電極と接続する接続導体と、を備える配線基板の製
    造方法であって、 上記貫通孔または凹部内に電子部品を配置する工程と、 上記貫通孔または凹部内に樹脂を充填し且つ硬化するこ
    とにより、上記電子部品を上記配線基板本体に樹脂を介
    して内臓する工程と、 上記硬化した樹脂の表面および裏面の少なくとも一方に
    穴明けして、上記電子部品の電極を穴内で露出させる工
    程と、 上記穴内に導電性物質を充填して、上記電極と導通する
    接続導体を形成する工程と、を含む、ことを特徴とする
    配線基板の製造方法。
12. 【請求項１２】前記樹脂に穴明けする工程は、レーザ照
    射により行われる、ことを特徴とする請求項１１に記載
    の配線基板の製造方法。
13. 【請求項１３】前記穴内に導電性物質を充填して前記接
    続導体を形成する工程は、ハンダよりも高融点の金属ま
    たは合金によるメッキを施すことにより行われる、こと
    を特徴とする請求項１１または１２に記載の配線基板の
    製造方法。
14. 【請求項１４】前記電子部品を内臓する工程の後に、 前記樹脂の表面および裏面の少なくとも一方を平坦に整
    面する工程と、を含む、ことを特徴とする請求項８乃至
    １３の何れかに記載の配線基板の製造方法。
15. 【請求項１５】前記接続導体の形成工程と同時に、 前記配線基板本体の表面の上方および裏面の下方の少な
    くとも一方に上記接続導体と導通する配線層を形成す
    る、 ことを特徴とする請求項１１乃至１４の何れかに記載の
    配線基板の製造方法。