JP2003008235A - 配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】コア基板の表面にのみビルドアップ層を有し且
つ反りを生じないか、あるいは反りにくい配線基板を提
供する。 【解決手段】表面４および裏面５を有し且つ無機繊維を
含有するコア基板２と、上記コア基板２における表面４
と裏面５との間を貫通するスルーホール導体６と、上記
コア基板２の表面４および裏面５に形成され且つ上記ス
ルーホール導体６と導通するコア配線層８，９と、上記
コア基板２の表面４の上方に形成され且つ上記スルーホ
ール導体６と導通するビルドアップ配線層１４，２０
と、上記コア基板２とビルドアップ配線層１４との間お
よびビルドアップ配線層１４，２０の間などに形成され
たビルドアップ絶縁層１０，１６と、上記コア基板２の
裏面５上(図面下側)に直接または上記裏面側のコア配線
層９を介して形成され且つ無機繊維を含有する裏面側絶
縁層１１と、を含む、配線基板１。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、コア基板の表面に
のみビルドアップ層を有する配線基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、低コスト化の要請に応じるため、
図７(Ａ)に示すように、コア基板７１の片面(表面)７２
上方にのみ複数の絶縁層７５，７９，８１および複数の
配線層７４，７７，８０を積層したビルドアップ層ＢＵ
を形成した配線基板７０が提案されている。上記コア基
板７１は、厚み約８００μｍの絶縁板であり、その表面
７２上方に厚み約３０μｍの絶縁層７５，７９，８１と
厚み約１５μｍの配線層７４，７７，８０とを交互に積
層している。また、図７(Ａ)に示すように、配線層７
４，７７，８０間を導通するため、ビア導体７６，７８
が絶縁層７５，７９に形成されている。更に、最上層の
配線層８０上の所定の位置には、絶縁層８１を貫通し且
つ第１主面８３よりも高く突出するハンダバンプ８２が
複数形成され、第１主面８３上に実装する図示しないＩ
Ｃチップの端子と個別に接続される。

【０００３】以上のような配線基板７０おいては、コア
基板７１の表面７２側に絶縁層７５，７９，８１と配線
層７４，７７，８０とからなるビルドアップ層ＢＵを形
成しているのに対し、コア基板７１の裏面７３側には何
も形成されていない。このため、コア基板７１と絶縁層
７５，７９，８１との熱膨張率の差により、図７(Ａ)中
の一点鎖線で示すように、配線基板７０全体が、当該配
線基板７０の厚み方向と垂直方向の長さ３３０ｍｍに対
し、厚み方向に約４〜５ｍｍ変形した反りを生じること
がある。かかる反りにより、例えば配線層７４，７７，
８０、ビア導体７６，７８、およびハンダバンプ８２相
互間の接続が不十分になるため、これらの間において導
通が取れなくなる、という問題があった。

【０００４】以上の問題点を解決するため、図７(Ｂ)に
示すような配線基板８４も検討されている。即ち、配線
基板８４は、厚み約８００μｍの絶縁板であるコア基板
８５と、その表面８６上方に厚み約３０μｍの絶縁層９
４，１０１，１０３と厚み約１５μｍの配線層９２，９
８，１０２とを交互に積層したビルドアップ層ＢＵと、
コア基板８５の裏面８７に形成した厚み約１５μｍの配
線層９１および厚みが約４０μｍの絶縁層(ソルダーレ
ジスト層)９３と、を備えている。コア基板８５には、
その表面８６と裏面８７との間を貫通する複数のスルー
ホール８８が形成され、それらの内壁に沿ってスルーホ
ール導体８９および充填樹脂９０が形成されている。各
スルーホール導体８９は、上端と下端で配線層９２，９
１と接続している。

【０００５】図７(Ｂ)に示すように、上記配線層９２，
９８，１０２間を導通するため、ビア導体９６，１００
が絶縁層９４，１０１に形成されている。また、最上層
の配線層１０２上の所定の位置には、絶縁層(ソルダー
レジスト層)１０３を貫通し且つ第１主面１０４よりも
高く突出するハンダバンプ１０６が複数形成され、第１
主面１０４上に実装する図示しないＩＣチップの端子と
個別に接続される。一方、図７(Ｂ)に示すように、コア
基板８５の裏面８７に形成した配線層９１から延び且つ
絶縁層９３の開口部９５から第２主面９９側に露出する
配線９７は、図示しないマザーボードなどのプリント基
板との接続端子として用いられる。以上の配線基板８４
では、コア基板８５を挟んでビルドアップ層ＢＵと厚め
の絶縁層(ソルダーレジスト層)９３が配置されている。
このため、コア基板８５と絶縁層９４，１０１，１０３
との熱膨張率の差による反りは、図７(Ｂ)中の一点鎖線
で示すように、第２主面９９寄りのある程度の変形に抑
制される。

【０００６】

【発明が解決すべき課題】しかしながら、図７(Ｂ)に示
す反りによっても、配線層９２，９８，１０２、ビア導
体９６，１００、ハンダバンプ１０４、スルーホール導
体８９、および配線層９１の相互間の接続が不十分にな
り得るため、これらの間において導通が取れなくなる、
という問題があった。本発明は、以上に説明した従来の
技術における問題点を解決し、コア基板の表面にのみビ
ルドアップ層を有し且つ反りを生じないか、あるいは反
りにくい配線基板を提供する、ことを課題とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、コア基板の表面側のビルドアップ層の熱膨
張(熱変形)とバランスする絶縁層を当該コア基板の裏面
側に形成する、ことに着想して成されたものである。即
ち、本発明の配線基板(請求項１)は、表面および裏面を
有し且つ無機繊維を含有するコア基板と、このコア基板
における表面と裏面との間を貫通するスルーホール導体
と、上記コア基板の表面および裏面に形成され且つ上記
スルーホール導体と導通するコア配線層と、上記コア基
板の表面上方に形成され且つ上記スルーホール導体と導
通する複数のビルドアップ配線層と、上記コア基板とビ
ルドアップ配線層との間およびビルドアップ配線層同士
の間に形成された複数のビルドアップ絶縁層と、上記コ
ア基板の裏面上に直接または上記裏面側のコア配線層を
介して形成され且つ無機繊維を含有する裏面側絶縁層
と、を含む、ことを特徴とする。

【０００８】これによれば、裏面側絶縁層は、コア基板
と共に無機繊維を含有しているので、その熱膨張率が抑
制される。このため、コア基板を挟んで、その表面上方
に積層した複数のビルドアップ絶縁層を含むビルドアッ
プ層の熱収縮と裏面側絶縁層との熱膨張のバランスが保
ち易くなるので、厚み方向に反りを生じないか、極く僅
かな反りに抑制可能とした配線基板とすることができ
る。従って、コア配線層、ビルドアップ配線層、および
スルーホール導体の相互間における導通を確実に取るこ
とが可能となる。上記コア基板には、単一の絶縁板の形
態に限らず、複数の絶縁層とこれらの間に配置した配線
層とからなる多層基板や、単一の絶縁板または多層基板
からなり、それらの裏面側に開口する凹部を有し且つか
かる凹部に電子部品を実装可能とした形態も含まれる。

【０００９】尚、裏面側絶縁層は、コア基板と同じかま
たは同様の樹脂に同じかまたは同様の無機繊維を含有し
た素材を用いることが望ましい。これにより、コア基板
と共にビルドアップ層のビルドアップ絶縁層による熱収
縮を一層確実に抑制し、配線基板全体の反りを防止する
ことができる。付言すれば、前記無機繊維は、ガラス繊
維または炭素繊維からなる、配線基板を本発明に含める
ことも可能である。これによる場合、裏面側絶縁層とコ
ア基板との熱膨張率を十分に抑制できるため、配線基板
全体の反りを一層確実に防止することが可能となる。こ
れらの無機繊維は、コア基板や裏面側絶縁層において、
４０〜６０ｗｔ％の割合で配合されると、後述する低い
熱膨張率を実現できる。尚また、上記ガラス繊維には、
Ｅガラス、Ｄガラス、Ｑガラス、Ｓガラスの何れか、ま
たはこれらのうちの２種類以上を併用したものが含まれ
る。

【００１０】また、本発明には、前記コア基板および裏
面側絶縁層における配線基板の厚み方向と直交する方向
の熱膨張率が、３０ｐｐｍ／℃以下である、配線基板
(請求項２)も含まれる。これによれば、裏面側絶縁層と
コア基板との熱膨張率を確実に抑制できるため、配線基
板全体の反りを一層防止することが可能となる。尚、上
記熱膨張率が３０ｐｐｍ／℃を越えると、裏面側絶縁層
の熱膨張を十分に抑制できず、ビルドアップ絶縁層の熱
収縮による反りを防ぎきれなくなるため、かかる範囲を
除外したものである。望ましい熱膨張率は２５ｐｐｍ／
℃以下、より望ましい熱膨張率は１５ｐｐｍ／℃、また
はこれ未満である(但し、これらは何れも０を含まず)。

【００１１】付言すれば、前記コア基板の厚みが４００
〜１０００μｍ、前記ビルドアップ絶縁層の厚みが１５
〜５０μｍ、および前記裏面側絶縁層の厚みが２０〜１
５０μｍである、配線基板を本発明に含めることも可能
である。これによる場合、コア基板および裏面側絶縁層
の前記無機繊維の含有や熱膨張率と相まって、これらの
熱膨張を十分に抑制できると共に、ビルドアップ絶縁層
の熱収縮とのバランスも一層容易に取れるため、配線基
板全体の反りをなくか、極く僅かに抑制することが可能
となる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下において、本発明の実施に好
適な形態を図面と共に説明する。図１は、本発明の配線
基板１における主要部を示す断面図である。配線基板１
は、図１に示すように、表面４および裏面５を有するコ
ア基板２と、かかるコア基板２の表面４と裏面５との間
を貫通する複数のスルーホール導体６と、コア基板２の
表面４および裏面５に形成したコア配線層８，９と、を
備えている。また、図１に示すように、コア基板２の表
面４上方には、複数のビルドアップ絶縁層１０，１６や
絶縁層(ソルダーレジスト)層２２と複数のビルドアップ
配線層１４，２０とを、交互に積層したビルドアップ層
ＢＵが形成され、コア基板２の裏面５上(図面下側)には
裏面側絶縁層１１が形成されている。

【００１３】上記コア基板２は、例えばエポキシ系樹脂
にガラス繊維または炭素繊維(本実施形態ではガラス繊
維)を含有させた厚みが４００〜１０００μｍ(本実施形
態では８００μｍ)で熱膨張率が３０ｐｐｍ／℃以下(本
実施形態では２６ｐｐｍ／℃)の絶縁板であり、平面視
でほぼ正方形を呈する。かかるコア基板２の表面４と裏
面５との間には、直径約２００μｍのスルーホール３が
複数貫通し、各スルーホール３の内壁に沿って厚み数１
０μｍで銅メッキ製のスルーホール導体６が形成されて
いる。各スルーホール導体６の内側には、シリカフィラ
などの無機フィラを含む充填樹脂７が形成されている。
また、図１に示すように、コア基板２の表面４と裏面５
には、厚み約１５μｍの銅メッキ製で所定パターンを有
するコア配線層８，９が形成され、これらは各スルーホ
ール導体６の上端または下端とそれぞれ個別に接続され
ている。

【００１４】更に、図１に示すように、コア基板２の表
面４上方には、シリカフィラなどの無機フィラを含むエ
ポキシ樹脂からなり、厚み約３０μｍのビルドアップ絶
縁層１０，１６と、厚み約２０μｍの絶縁層(ソルダー
レジスト層)２２と、コア基板２の表面４とビルドアッ
プ絶縁層１０，１６との間、およびビルドアップ絶縁層
１６と絶縁層２２との間に形成した銅メッキからなる厚
み約１５μｍのビルドアップ配線層１４，２０が位置す
る。コア配線層８、ビルドアップ配線層１４，２０間を
導通するため、ビルドアップ絶縁層１０，１６には、銅
メッキ製のフィルドビア導体１２，１８が形成される。
尚、ビルドアップ絶縁層１０，１６およびビルドアップ
配線層１４，２０は、ビルドアップ層ＢＵを形成する。
また、ビルドアップ絶縁層１０，１６や絶縁層２２の熱
膨張率は、因みに約４０〜７０ｐｐｍ／℃である。

【００１５】最上層の配線層２０上の所定の位置には、
ビルドアップ絶縁層２２を貫通し且つ第１主面２４より
も高く突出する複数のハンダバンプ２６が形成される。
かかるバンプ２６は、例えばＳｎ−Ａｇ系などの低融点
合金からなり、図１に示すように、第１主面２４上に実
装するＩＣチップ(半導体素子)２８の図示しない端子と
個別に接続される。尚、かかる端子と各バンプ２６と
は、図示しないアンダーフィル材により埋設され且つ保
護される。

【００１６】また、図１に示すように、コア基板２の裏
面５上(図面下側)で且つコア配線層９上には、例えばエ
ポキシ系樹脂にガラス繊維または炭素繊維(本実施形態
ではガラス繊維)を含有させた厚みが２０〜１５０μｍ
(本実施形態では４０μｍ)で且つ熱膨張率が３０ｐｐｍ
／℃以下(本実施形態では２６ｐｐｍ／℃)の裏面側絶縁
層１１が形成されている。かかる絶縁層１１の所定の位
置には、その表面である第２主面１３側に開口する複数
の開口部１５が形成され、その底部にはコア配線層９か
ら延びて第２主面１３側に露出する配線１７が位置す
る。かかる配線１７は、その表面にＮｉおよびＡｕメッ
キが被覆され、当該配線基板１を搭載する図示しないマ
ザーボードなどのプリント基板との接続端子となる。
尚、配線１７にハンダを介して銅系または鉄系合金から
なるピンを接続しても良い。

【００１７】以上のような配線基板１では、裏面側絶縁
層１１は、コア基板２と共に無機繊維を含有しているの
で、それらの熱膨張率が３０ｐｐｍ／℃以下に抑制され
る。このため、コア基板２を挟んで、その表面４上方に
交互に積層したビルドアップ絶縁層１０，１６を含むビ
ルドアップ層ＢＵの熱収縮と裏面側絶縁層１１との熱膨
張のバランスが保ち易くなる。この結果、かかる配線基
板１によれば、厚み方向に反りを生じないか、極く僅か
な反りに抑制可能となる。従って、配線基板１では、コ
ア配線層８，９、ビルドアップ配線層１４，２０、ビア
導体１２，１８、およびスルーホール導体６の相互間に
おける導通を、確実且つ安定して取ることが可能とな
る。尚、裏面側絶縁層１１は、コア基板２と同じ樹脂に
同じ無機繊維を含有したものとしたり、前記無機繊維を
含む接着性の樹脂としても良い。また、前記ガラス繊維
には、線径７〜９μｍのガラス糸の多数本を格子状に編
み込んだ布状物や、比較的長さの短いガラス糸を不規則
に積層して含有するガラス不織布を用いても良い。

【００１８】ここで、以上のような配線基板１の製造方
法を図２〜図４により説明する。図２(Ａ)は、厚みが約
８００μｍのコア基板２の断面を示し、その表面４と裏
面５とには、厚みが約１５μｍの銅箔４ａ，５ａが全面
に貼り付けてある。かかるコア基板２における所定の位
置に対し、その厚み方向に沿ってドリルの挿入またはレ
ーザ(炭酸ガスレーザなど)の照射を行う。その結果、図
２(Ｂ)に示すように、コア基板２において、その表面４
と裏面５との間を貫通する直径約２００μｍのスルーホ
ール３が複数穿孔される。次に、各スルーホール３の内
壁に予めＰｄなどを含むメッキ触媒を付着した後、コア
基板２の全面に対し無電解銅メッキおよび電解銅メッキ
を施す。

【００１９】その結果、図２(Ｃ)に示すように、各スル
ーホール３の内壁に沿ってスルーホール導体６が形成さ
れる。次に、各スルーホール導体６の内側に、シリカフ
ィラなどの無機フィラを含むエポキシ樹脂からなる充填
樹脂７を形成した後、かかる充填樹脂７を蓋メッキする
ため、コア基板２の表面４および裏面５の全面に図示し
ない銅メッキ層を形成する。この状態で、かかる銅メッ
キ層の上に所定のパターンを有する図示しないエッチン
グレジストを形成した後、かかるレジストの隙間から露
出する上記銅メッキ層および銅箔４ａ，５ａをエッチン
グして除去する公知のサブトラクティブ法を施す。その
結果、図２(Ｃ)に示すように、コア基板２の表面４およ
び裏面５には、上記レジストのパターンに倣った所定パ
ターンのコア配線層８，９が形成される。次いで、図２
(Ｄ)に示すように、コア基板２の裏面５上(図面下側)
に、エポキシ系樹脂にガラス繊維を含有させた厚みが４
０μｍで且つ熱膨張率が３０ｐｐｍ／℃以下の裏面側絶
縁層１１を形成する。かかる絶縁層１１の表面は、第２
主面１３となる。

【００２０】図３(Ａ)に示すように、スルーホール導体
６、コア配線層８，９、および裏面側絶縁層１１を有す
る一対のコア基板２，２を、それぞれの裏面側絶縁層１
１で対向させると共に、これらの間に離型シート２７を
挿入した状態で、図３(Ａ)中の矢印で示すように、一対
のコア基板２，２を互いに接近させる。尚、離型シート
２７には、例えば２枚のポリエチレンフイルムの間に熱
可塑性樹脂を介在させた樹脂モディファイドポリエチレ
ン３層構造フィルム(商品名：パコタンプラス)のような
シートが用いられる。そして、図３(Ｂ)に示すように、
一対のコア基板２，２を、それぞれの裏面側絶縁層１１
が離型シート２７を挟んで隣接した状態で拘束する。
尚、一対のコア基板２，２を離型シート２７を挟んで積
層し固定する際に、同時に裏面側絶縁層１１，１１をそ
れぞれの裏面５形成しても良い。次いで、図４(Ａ)に示
すように、一対のコア基板２におけるそれぞれのコア配
線層８を含む表面４に、シリカフィラなどの無機フィラ
を含むエポキシ樹脂からなり厚みが約３０μｍのビルド
アップ絶縁層１０を形成する。

【００２１】次に、一対のコア基板２における各ビルド
アップ絶縁層１０の所定の位置に対しレーザを照射し
て、図示しない円錐形状のビアホールを形成すると共
に、その底面にコア配線層１０を露出させる。かかるビ
アホールを含むそれぞれのビルドアップ絶縁層１０の上
に、図示しない銅メッキ層を形成した後、所定のパター
ンを有する図示しないエッチングレジストを形成する。
当該レジストの隙間から露出する銅メッキ層をエッチン
グして除去する公知のサブトラクティブ法を施す。その
結果、図４(Ｂ)に示すように、一対のコア基板２におけ
るそれぞれのビルドアップ絶縁層１０中にフィルドビア
導体１２が、且つそれぞれのビルドアップ絶縁層１０の
上に所定パターンのビルドアップ配線層１４が形成され
る。

【００２２】これ以降は、ビルドアップ配線層１４やビ
ルドアップ絶縁層１０と共に前記ビルドアップ層ＢＵを
形成する前記ビルドアップ絶縁層１６、絶縁層２２、ビ
ルドアップ配線層２０、およびビア導体１８を、公知の
ビルトアップ技術(セミアディティブ法、フルアディテ
ィブ法、サブトラクティブ法、フィルム状樹脂材料のラ
ミネートによる絶縁層の形成、フォトリソグラフィ技
術)により形成する。最後に前記ハンダバンプ(ＩＣ接続
端子)２６を第１主面２４側に形成する。また、ビルド
アップ層ＢＵを有する一対のコア基板２，２を離型シー
ト２７から離して分離し、露出した裏面側絶縁層１１に
フォトリソグラフィ技術により開口部１５を形成した
後、その底部に露出する前記配線１７にＮｉおよびＡｕ
メッキすることにより、前記図１に示した配線基板１を
得ることができる。尚、以上のような図２(Ａ)〜図４
(Ｂ)に示した製造工程は、複数のコア基板２(製品単位)
を平面方向に併有する多数個取りの基板(パネル)にて行
っても良い。

【００２３】図５は、配線基板１の応用形態の配線基板
１ａにおける主要部の断面を示す。配線基板１ａは、図
５に示すように、多層基板のコア基板２と、コア基板２
の表面４と裏面５との間を貫通する複数のスルーホール
導体６と、コア基板２の表面４および裏面５に形成した
前記同様のコア配線層８，９と、を備えている。また、
図５に示すように、コア基板２の表面４上方には、前記
同様の複数のビルドアップ絶縁層１０，１６および絶縁
層２２と複数のビルドアップ配線層１４，２０とを、交
互に積層したビルドアップ層ＢＵが形成される。前記同
様に、コア配線層８、ビルドアップ配線層１４，２０間
を導通するフィルドビア導体１２，１８や、最上層の上
記配線層２０にはハンダバンプ２６が形成されている。
更に、コア基板２の裏面５上(図面下側)には前記同様の
裏面側絶縁層１１が形成され、その開口部１５の底部に
は前記同様の配線１７が位置している。

【００２４】コア基板２は、エポキシ系樹脂にガラス繊
維などを含有させた厚みが約４００μｍで熱膨張率が３
０ｐｐｍ／℃以下の絶縁層２ａと、同じ素材からなり厚
みが約２００μｍで熱膨張率が３０ｐｐｍ／℃以下の絶
縁層２ｂ，２ｃと、これらの間に位置する銅メッキから
なる厚み約１５μｍの配線層２５，２７とからなる。か
かる多層基板のコア基板２の表面４と裏面５との間を貫
通する直径約２００μｍで複数のスルーホール３が複数
貫通し、各スルーホール３の内壁に沿って厚み数１０μ
ｍで銅メッキ製のスルーホール導体６が形成される。各
スルーホール導体６の内側には、シリカフィラなどの無
機フィラを含む充填樹脂７が形成されている。また、各
スルーホール導体６は、その中間で配線層２５，２７と
接続されている。

【００２５】以上のような配線基板１ａによれば、裏面
側絶縁層１１によりビルドアップ層ＢＵ側への反りが防
げると共に、コア基板２中の配線層２５，２７も、スル
ーホール導体６を介してコア配線層８，９やビルドアッ
プ配線層１４，２０と確実に導通する。このため、多く
の配線層を高密度で有し且つ互いに安定した導通を得る
ことが可能となる。尚、コア基板２は、中央の絶縁層２
ａにおける表面２１と裏面２３とに予め配線層２５，２
７を前述したサブトラクティブ法などにより形成し、こ
れらの上に絶縁層２ｂ，２ｃを形成した後、厚み方向に
前記同様してスルーホール３、スルーホール導体６、お
よび充填樹脂７を形成を形成することにより得られる。
これ以降は、前記図２(Ｄ)〜図４(Ｂ)の各工程を経るこ
とにより、図５に示すような配線基板１ａを得ることが
できる。

【００２６】図６は、異なる形態の配線基板３０におけ
る主要部を示す断面図である。配線基板３０は、図６に
示すように、表面３３および裏面３８を有するコア基板
３１と、コア基板３１の表面３３と裏面３８との間を貫
通する複数のスルーホール導体４１と、コア基板３１の
表面３３および裏面３８に形成したコア配線層４８，５
３と、を備えている。また、図６に示すように、コア基
板３１は、その裏面３８に開口する凹部３９を有する。
かかるコア基板３１は、エポキシ系樹脂にガラス繊維な
どを含有させた厚みが約３００μｍで熱膨張率が３０ｐ
ｐｍ／℃以下の絶縁層３２と、同じ素材からなり厚みが
約４５０μｍで同じ熱膨張率の絶縁層３６とを、同様の
素材からなり厚みが約５０μｍでほぼ同じ熱膨張率の接
着層(絶縁層：プリプレグ)３５を介して積層した多層基
板である。絶縁層３２の裏面３４と絶縁層３６の表面３
７には、接着層３５を挟むように配線層４３，４４が形
成され、これらはスルーホール導体４１の中間とそれぞ
れ接続されている。

【００２７】図６に示すように、比較的薄肉の絶縁層３
２の中央部で且つ凹部３９の真上には、短いスルーホー
ル４５と、その内壁に沿って形成したスルーホール導体
４６と充填樹脂４７とが位置する。各スルーホール導体
４６の下端には、凹部３９の底面(天井面)に露出する電
子部品接続配線４９が形成される。かかる配線４９には
Ｓｎ−Ｃｕ系などの低融点合金からなるハンダ５２を介
して、チップコンデンサ(電子部品)５０の上端から突出
する電極５１が接続され、当該コンデンサ５０を凹部３
９内に実装している。また、凹部３９を除いたコア基板
３１の周辺部には、表面３３と裏面３８との間を貫通す
る複数の長いスルーホール４０と、その内壁に沿ってス
ルーホール導体４１および充填樹脂４２とが形成され
る。

【００２８】尚、チップコンデンサ５０は、その両側面
の上端に突出する複数の電極５１を図６の前後方向に沿
って有し、例えばチタン酸バリウムを主成分とする誘電
層および内部電極になるＮｉ層を交互に積層したセラミ
ックスコンデンサであって、３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×
０．７ｍｍのサイズを有する。上記コア基板３１の表面
３３と裏面３８には、所定パターンのコア配線層４８，
５３が形成され、コア配線層４８は、スルーホール導体
４１，４６の上端と接続され、コア配線層５３は、スル
ーホール導体４１の下端と接続されている。

【００２９】図６に示すように、コア基板３１の表面３
３上方には、複数のビルドアップ絶縁層５４，６０およ
び絶縁層６４と複数のビルドアップ配線層５８，６３と
を、交互に積層したビルドアップ層ＢＵが形成される。
上記コア配線層４８、ビルドアップ配線層５８，６３間
を導通するため、上記絶縁層５４，６０にフィルドビア
導体５６，６２が形成される。また、最上層の上記配線
層６３における所定の位置には、上記絶縁層(ソルダー
レジスト層)６４を貫通し且つ第１主面６５よりも高く
突出する複数のハンダバンプ６６が形成される。かかる
バンプ６６は、第１主面６５上に実装するＩＣチップ
(半導体素子)６８と前記同様に接続される。因みに、ビ
ルドアップ絶縁層５４，６０や絶縁層６４の熱膨張率
は、約６５ｐｐｍ／℃である。尚、ビルドアップ絶縁層
５４，６０およびビルドアップ配線層５８，６３は、ビ
ルドアップ層ＢＵを形成する。

【００３０】図６に示すように、コア基板３１の裏面３
８上(図面下側)で且つ凹部３９を除いた位置には、エポ
キシ系樹脂にガラス繊維などを含有させた厚みが約４０
μｍで熱膨張率が３０ｐｐｍ／℃以下の裏面側絶縁層５
５が形成されている。かかる絶縁層５５の所定の位置に
は、その表面である第２主面６１側に開口する複数の開
口部５７が形成され、その底部にはコア配線層５３から
延びて第２主面６１側に露出する配線５９が位置する。
かかる配線５９は、その表面にＮｉおよびＡｕメッキが
被覆され、当該配線基板３０を搭載する図示しないマザ
ーボードなどのプリント基板との接続端子となる。尚、
配線５９にハンダを介して銅系または鉄系合金からなる
図示しないピンを接続しても良い。

【００３１】以上のような配線基板３０によれば、裏面
側絶縁層５５によりビルドアップ層ＢＵ側に凹み変形す
る反りが防げると共に、コア基板３１中の配線層４３，
４４はスルーホール導体４１を介して、またチップコン
デンサ５０はスルーホール導体４６を介して、コア配線
層４８，５３やビルドアップ配線層５８，６３と確実に
導通できる。このため、多くの配線層や電子部品５０を
高密度で有し且つ互いに安定した導通を得ることが可能
となる。

【００３２】尚、コア基板３１は、比較的薄肉の絶縁層
３２の中央部にスルーホール４５、スルーホール導体４
６、および充填樹脂４７を予め形成し、接着層３５を介
して比較的厚肉の絶縁層３６を接着することにより、形
成される。この際、凹部３９を予め絶縁層３６に穿設し
ておき、その内部に仮埋め樹脂などを充填した状態で、
裏面側絶縁層５５を形成した後、中央部の裏面側絶縁層
５５と上記仮埋め樹脂を除去して凹部３９を露出させて
も良い。あるいは、上記接着および裏面側絶縁層５５を
形成した後で、絶縁層３６の中央部に凹部３９を裏面３
８側からルータ加工により穿設しても良い。これ以降
は、前記図２(Ｄ)〜図４(Ｂ)と同様の工程を経ることに
より、図６に示すような配線基板３０を得ることができ
る。

【００３３】本発明は、以上に説明した各形態に限定さ
れるものではない。前記コア基板２などの材質は、前記
ガラス繊維または炭素繊維を含むものであれば、エポキ
シ系樹脂の他、ビスマレイミド・トリアジン(ＢＴ)樹
脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などを用いても良
い。あるいは、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網
目構造のフッ素系樹脂にガラス繊維などを含有させた複
合材料などを用いることも可能である。前記スルーホー
ル導体６、コア配線層８、ビルドアップ配線層１４など
の材質は、前記Ｃｕの他、Ａｇ、Ｎｉ、Ｎｉ−Ａｕ系な
どにしても良く、あるいは金属のメッキ層を用いず、導
電性樹脂を塗布するなどの方法により形成しても良い。

【００３４】更に、前記ビルドアップ絶縁層１０，５４
などの材質は、前記エポキシ樹脂を主成分とするものの
ほか、同様の耐熱性、パターン成形性などを有するポリ
イミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、あるいは、連続気
孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂
にエポキシ樹脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂系の
複合材料などを用いることもできる。尚、絶縁層の形成
には、絶縁性の樹脂フィルムを熱圧着する方法のほか、
液状の樹脂をロールコータにより塗布する方法を用いる
こともできる。尚また、絶縁層に混入するガラス繊維ま
たはガラスフィラの組成は、Ｅガラス、Ｄガラス、Ｑガ
ラス、Ｓガラスの何れか、またはこれらのうちの２種類
以上を併用したものとしても良い。また、ビア導体は、
前記フィルドビア導体１２などでなく、内部が完全に導
体で埋まってない逆円錐形状のコンフォーマルビア導体
とすることもできる。あるいは、各ビア導体の軸心をず
らしつつ積み重ねるスタッガードの形態でも良いし、途
中で平面方向に延びる配線層が介在する形態としても良
い。

【００３５】更に、前記配線基板３０の凹部３９に実装
する電子部品は、１つのみでも良い。あるいは、多数の
配線基板(製品単位)３０を含む多数個取りの基板(パネ
ル)内における製品単位１個内に、複数の凹部３９を形
成し且つ各凹部３９内に所要数の電子部品を実装しても
良い。更に、複数のチップ状電子部品を互いの側面間で
予め接着したユニットとし、これを前記凹部３９内に実
装することもできる。また、チップ状電子部品には、前
記チップコンデンサ５０の他、チップ状のインダクタ、
抵抗、フィルタなどの受動部品や、トランジスタ、半導
体素子、ＦＥＴ、ローノイズアンプ(ＬＮＡ)などの能動
部品も含まれ、互いに異種の電子部品同士を配線基板３
０の同じ凹部３９に併せて実装することも可能である。

【００３６】

【発明の効果】以上に説明した本発明の配線基板(請求
項１)によれば、裏面側絶縁層は、コア基板と共に無機
繊維を含有しているので、その熱膨張率が抑制されるた
め、コア基板を挟んで、その表面上方に交互に積層した
複数のビルドアップ絶縁層を含むビルドアップ層の熱収
縮と裏面側絶縁層との熱膨張のバランスが保ち易くな
る。従って、厚み方向に反りを生じないか、極く僅かな
反りに抑制可能とした配線基板とすることができ、コア
配線層、ビルドアップ配線層、およびスルーホール導体
の相互間における導通を確実に取ることが可能となる。
また、請求項２の配線基板によれば、裏面側絶縁層とコ
ア基板との熱膨張率を確実に抑制できるため、配線基板
全体の反りを一層防止可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の配線基板の１形態における主要部を示
す断面図。

【図２】(Ａ)〜(Ｄ)は図１の配線基板を得るための主な
製造工程を示す概略図。

【図３】(Ａ)，(Ｂ)は図２(Ｄ)に続く主な製造工程を示
す概略図。

【図４】(Ａ)，(Ｂ)は図３(Ｂ)に続く主な製造工程を示
す概略図。

【図５】図１の配線基板の応用形態における主要部を示
す断面図。

【図６】本発明の異なる形態の配線基板における主要部
を示す断面図。

【図７】(Ａ)，(Ｂ)は従来の配線基板における主要部を
示す断面図。

【符号の説明】

１，１ａ，３０………………………配線基板 ２，３１………………………………コア基板 ４，３３………………………………表面 ５，３８………………………………裏面 ６，４１………………………………スルーホール導体 ８，９，４８，５３…………………コア配線層 １０,１６，５４,６０………………ビルドアップ絶縁層 １１，５５……………………………裏面側絶縁層 １４，２０，５８，６３……………ビルドアップ配線層

フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E346 AA02 AA12 CC04 CC09 CC32 CC37 CC38 DD22 EE06 FF07 FF45 HH11

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】表面および裏面を有し且つ無機繊維を含有
   するコア基板と、 上記コア基板における表面と裏面との間を貫通するスル
   ーホール導体と、 上記コア基板の表面および裏面に形成され且つ上記スル
   ーホール導体と導通するコア配線層と、 上記コア基板の表面上方に形成され且つ上記スルーホー
   ル導体と導通する複数のビルドアップ配線層と、 上記コア基板とビルドアップ配線層との間およびビルド
   アップ配線層同士の間に形成された複数のビルドアップ
   絶縁層と、 上記コア基板の裏面上に直接または上記裏面側のコア配
   線層を介して形成され且つ無機繊維を含有する裏面側絶
   縁層と、を含む、ことを特徴とする配線基板。
2. 【請求項２】前記コア基板および裏面側絶縁層における
   配線基板の厚み方向と直交する方向の熱膨張率が、３０
   ｐｐｍ／℃以下である、ことを特徴とする請求項１に記
   載の配線基板。