JP2016066733A - プリント配線板 - Google Patents

Abstract

【課題】 プリント配線板の反り
【解決手段】 実施形態のプリント配線板は、コア基板と上側のビルドアップ層と上側のソルダーレジスト層と下側のソルダーレジスト層を有する。下側のソルダーレジスト層は１層のみで、補強材を有する。上側のビルドアップ層を構成する樹脂絶縁層は補強材を有さない。下側のソルダーレジストの厚みがＡ、上側のビルドアップ層に含まれる全ての上側の樹脂絶縁層の厚みの和がＢ、コア基板の厚みがＣ、上側のソルダーレジスト層の厚みがＤであるとき、実施形態のプリント配線板は次の関係式（１）と関係式（２）を満足する。
関係式（１）：０．３＜Ａ／（Ｂ＋Ｄ）＜１．０
関係式（２）：０．１６＜（Ｂ＋Ｄ）／（Ａ＋Ｃ）＜０．４８
【選択図】 図５

Description

本発明は、電子部品を内蔵しているプリント配線板に関する。

特許文献１は電子部品を内蔵する配線基板を開示している。特許文献１の図１に示される配線基板は、表面と裏面を有すると共に裏面側に形成されている凹部を有するコア基板とコア基板の凹部に内蔵されている電子部品とコア基板の表面上に形成されている絶縁層とコア基板の裏面上に形成されているソルダーレジスト層とを有する。そして、特許文献の図１によれば、コア基板の表面上に形成されている絶縁層の数は３層であり、コア基板の裏面上に形成されている絶縁層の数は１層である。そして、コア基板の裏面上に形成されている絶縁層はコア基板の凹部や電子部品上に形成されていない。

特開２００３−４６２５５号公報

特許文献１の図１に示される配線基板では、コア基板の表面上に形成されている絶縁層の数とコア基板の裏面上に形成されている絶縁層の数が異なる。そのため、配線基板の反りが大きくなると考えられる。

本発明の目的は、プリント配線板の反りを小さくすることである。

本発明に係るプリント配線板は、第１面と前記第１面と反対側の第２面を有し、前記第１面から前記第２面に到る電子部品内蔵用の開口を有するコア材と、前記第１面上に形成されている第１導体層と、前記第２面上に形成されている第２導体層と、前記電子部品内蔵用の開口に内蔵されている前記電子部品と、前記コア材の前記第１面と前記電子部品上に交互に積層されている複数の上側の樹脂絶縁層と複数の上側の導体層とからなる上側のビルドアップ層と、前記上側のビルドアップ層上に形成されている上側のソルダーレジスト層と、前記コア材の前記第２面と前記電子部品上に積層されている下側の樹脂絶縁層と、を有する。そして、前記下側の樹脂絶縁層は１層のみであって、補強材を有し、前記上側の樹脂絶縁層の全ては補強材を有さず、前記下側の樹脂絶縁層の厚みがＡであって、前記上側のビルドアップ層に含まれる全ての前記上側の樹脂絶縁層の厚みの和がＢであって、前記コア材の厚みがＣであって、前記上側のソルダーレジスト層の厚みがＤであるとき、前記Ａと前記Ｂ、前記Ｃ、前記Ｄは、下記の関係式（１）と関係式（２）を満足する。
関係式（１）：０．３＜Ａ／（Ｂ＋Ｄ）＜１．０
関係式（２）：０．１６＜（Ｂ＋Ｄ）／（Ａ＋Ｃ）＜０．４８

本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図。 第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。 第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。 第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。 図５（Ａ）、図５（Ｃ）は第１実施形態のプリント配線板の断面を示し、図５（Ｂ）は第１実施形態のプリント配線板の一部を示す断面図を示す。 第１実施形態のプリント配線板の応用例を示す図。 図７（Ａ）は第２実施形態のプリント配線板の断面を示し、図７（Ｂ）はスルーホール導体用の貫通孔の模式図を示し、図７（Ｃ）は下層の樹脂絶縁層の構成を示す。

[第１実施形態]
図５（Ａ）は本発明の第１実施形態のプリント配線板１０の断面図である。図５（Ｂ）は第１実施形態のプリント配線板１０の一部を示す。プリント配線板１０は、コア基板３０を有する。コア基板３０は、第１面Ｆと第１面と反対側の第２面Ｓとを有するコア材（絶縁基板）２０ｚを有する。絶縁基板は図５（Ｂ）に示されるように、厚みＣを有する。厚みＣは、１００μｍ〜２００μｍである。絶縁基板２０ｚの第１面とコア基板３０の第１面は同じ面であり、コア基板の第２面と絶縁基板の第２面は同じ面である。絶縁基板２０ｚは電子部品８０を内蔵するための開口２６を有する。さらに、絶縁基板２０ｚはスルーホール導体３６用の貫通孔２８を有する。図１（Ｂ）に示されるように、貫通孔２８は、第１面側に形成されている第１開口部２８Ｆと第２面側に形成されている第２開口部２８Ｓで形成されている。貫通孔の形状は、砂時計形状である。開口２６と貫通孔２８は絶縁基板２０ｚを貫通し、第１面Ｆから第２面に到る。

コア基板３０は、絶縁基板２０ｚの第１面Ｆ上に形成されている第１導体層３４Ｆと絶縁基板２０ｚの第２面上に形成されている第２導体層３４Ｓを有する。コア基板３０はさらに第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓとを接続しているスルーホール導体３６を有する。スルーホール導体３６は貫通孔２８に形成されている。貫通孔２８やスルーホール導体３６は、例えば、ＵＳ７７８６３９０に開示されている方法で製造される。ＵＳ７７８６３９０の内容は本明細書に取り込まれる。第１導体層や第２導体層は図示されていない複数の導体回路やスルーホール導体３６上に形成されている導体とスルーホール導体３６の周りに形成されている導体で形成されるスルーホール導体のランドを含む。

絶縁基板２０ｚの第１面Ｆと第１導体層３４Ｆと電子部品８０上に上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆと上側の導体層５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆが交互に積層されている。
上側の樹脂絶縁層５０Ｆは、上側の第１樹脂絶縁層５０Ｆであり、絶縁基板の第１面Ｆと第１導体層３４Ｆと電子部品８０上に形成されている。上側の第１樹脂絶縁層５０Ｆはコア基板３０と電子部品８０を覆っている。上側の第１樹脂絶縁層５０Ｆは厚みＢ１を有する。厚みＢ１は、図５（Ｂ）に示されるように、第１導体層３４Ｆの上面と上側の第１樹脂絶縁層５０Ｆの上面との間の距離である。厚みＢ１は１０μｍから３０μｍである。
上側の導体層５８Ｆは、上側の第１導体層５８Ｆであり、上側の第１樹脂絶縁層５０Ｆ上に形成されている。
上側の樹脂絶縁層１５０Ｆは、上側の第２樹脂絶縁層１５０Ｆであり、上側の第１樹脂絶縁層５０Ｆと上側の第１導体層５８Ｆ上に形成されている。上側の第２樹脂絶縁層１５０Ｆは厚みＢ２を有する。厚みＢ２は、図５（Ｂ）に示されるように、上側の第１導体層５８Ｆの上面と上側の第２樹脂絶縁層１５０Ｆの上面との間の距離である。厚みＢ２は１０μｍから３０μｍである。
上側の導体層１５８Ｆは、上側の第２導体層１５８Ｆであり、上側の第２樹脂絶縁層１５０Ｆ上に形成されている。
上側の樹脂絶縁層２５０Ｆは、上側の第３樹脂絶縁層２５０Ｆであり、上側の第２樹脂絶縁層１５０Ｆと上側の第２導体層１５８Ｆ上に形成されている。また、上側の樹脂絶縁層２５０Ｆは、最上の樹脂絶縁層である。上側の第３樹脂絶縁層２５０Ｆは厚みＢ３を有する。厚みＢ３は、図５（Ｂ）に示されるように、上側の第２導体層２５８Ｆの上面と上側の第３樹脂絶縁層２５０Ｆの上面との間の距離である。厚みＢ３は１０μｍから３０μｍである。
上側の導体層２５８Ｆは、上側の第３導体層２５８Ｆであり、上側の第３樹脂絶縁層２５０Ｆ上に形成されている。また、上側の導体層２５８Ｆは、最上の導体層であり、上側のパッド７６Ｐを含む。上側のパッド７６Ｐは、プリント配線板の中央部分に形成されている複数の第１パッド（Ｃ４パッド）７６Ｐ１とプリント配線板の外周部分に形成されている複数の第２パッド７６Ｐ２を有する。第１パッド７６Ｐ１はＩＣチップなどの電子部品を搭載するためのパッドであり、第２パッド７６Ｐ２１は第２のパッケージ基板を搭載するためのパッドである。
各上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆは、エポキシ等の樹脂とシリカ等の無機粒子で形成されている。各上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆは、ガラスクロス等の補強材を含まない。
プリント配線板１０は上側のビルドアップ層５５Ｆに属する各上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆの厚みＢ１、Ｂ２、Ｂ３の和Ｂを有する。図５（Ｂ）のプリント配線板１０では、和Ｂは厚みＢ１と厚みＢ２と厚みＢ３を合計することで得られる値である。

各上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆは上側のビア導体６０Ｆ、１６０Ｆ、２６０Ｆ用の開口を有する。各上側の樹脂絶縁層に形成されている開口はそれぞれの上側の樹脂絶縁層を貫通している。
上側のビア導体６０Ｆは上側の第１ビア導体６０Ｆであり、上側の第１樹脂絶縁層５０Ｆを貫通している。ビア導体６０Ｆは第１導体層３４Ｆと上側の第１導体層５８Ｆを接続している。さらに、ビア導体６０Ｆは上側の第１導体層５８Ｆと電子部品８０の電極８２を接続している。
上側のビア導体１６０Ｆは上側の第２ビア導体１６０Ｆであり、上側の第２樹脂絶縁層１５０Ｆを貫通している。ビア導体１６０Ｆは上側の第１導体層５８Ｆと上側の第２導体層１５８Ｆを接続している。
上側のビア導体２６０Ｆは上側の第３ビア導体２６０Ｆであり、上側の第３樹脂絶縁層２５０Ｆを貫通している。ビア導体２６０Ｆは上側の第２導体層１５８Ｆと上側の第３導体層２５８Ｆを接続している。

上側の樹脂絶縁層と上側の導体層と上側のビア導体で上側のビルドアップ層５５Ｆが形成される。
第１実施形態の上側のビルドアップ層５５Ｆは、３つの上側の導体層５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆと３つの上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆを含む。
上側のビルドアップ層５５Ｆは、３つの上側の導体層５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆのみを含むことが好ましい。
上側のビルドアップ層５５Ｆは、３つの上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆのみを含むことが好ましい。

上側のビルドアップ層５５Ｆ上に上側のソルダーレジスト層３５０Ｆが形成されている。図５（Ｂ）に示されるように、上側のソルダーレジスト層３５０Ｆは厚みＤを有する。厚みＤは上側の第３導体層２５８の上面と上側のソルダーレジスト層３５０Ｆの上面との間の距離である。厚みＤは１０μｍから２０μｍである。
上側のソルダーレジスト層３５０Ｆは最上の導体層２５８Ｆを露出する開口７１Ｆ（７１Ｆ１、７１Ｆ２）を有し、開口７１Ｆにより露出される最上の導体層２５８Ｆは上側のパッド７６Ｐとして機能する。

絶縁基板２０ｚの第２面Ｓと第２導体層３４Ｓと電子部品８０上に下側の樹脂絶縁層５０Ｓが積層されている。図５（Ｂ）に示されるように、下側の樹脂絶縁層（下側のソルダーレジスト層）５０Ｓは厚みＡを有する。厚みＡは第２導体層３４Ｓの上面と下側のソルダーレジスト層５０Ｓの上面との間の距離である。厚みＡは２０μｍから８０μｍである。厚みＡは、上側のソルダーレジスト層３５０Ｆの厚みＤや上側のビルドアップ層に属する上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆの厚みＢ１、Ｂ２、Ｂ３より厚い。
第１実施形態では、下側の樹脂絶縁層の層数は１である。下側の樹脂絶縁層の数は１層のみであることが好ましい。その場合、プリント配線板はコア基板の第２面上に下側のビルドアップ層を有しない。下側の樹脂絶縁層５０Ｓはコア基板３０と電子部品８０を内蔵する開口２６上に形成されていて、下側の樹脂絶縁層はコア基板と電子部品を内蔵する開口２６を覆っている。

下側の樹脂絶縁層５０Ｓは、エポキシ等の樹脂とシリカ等の無機粒子で形成されている。下側の樹脂絶縁層５０Ｓは、さらに、ガラスクロス等の補強材を有しても良い。
下側の樹脂絶縁層５０Ｓの例が図７（Ｃ）に示される。図７（Ｃ）では、第２導体層３４Ｓは描かれているが、コア材は省略されている。図７（Ｃ）の下側の樹脂絶縁層５０Ｓは、上面ＦＦと上面ＦＦと反対側の下面ＳＳを有する補強層５０１と補強層５０１を挟む第１樹脂層５０２と第２樹脂層５０３で形成される。図７（Ｃ）に示されるように、第１樹脂層５０２は厚みａ２を有し、補強層５０１は厚みａ１を有し、第２樹脂層５０３は厚みａ３を有する。厚みａ２は第２面Ｓと上面ＦＦとの間の距離である。厚みａ１は上面ＦＦと下面ＳＳとの間の距離である。厚みａ３は下側の樹脂絶縁層の上面と下面ＳＳとの間の距離である。厚みａ１は１０μｍから２５μｍである。厚みａ２は１０μｍから３０μｍである。厚みａ３は１２μｍから４０μｍである。例えば、厚みａ１は１４μｍであり、ａ２は２０μｍであり、ａ３は２５μｍである。尚、第２導体層の厚み３４Ｔは１２μｍである。
第１樹脂層５０２と第２樹脂層５０３は樹脂と無機粒子を含み、補強層５０１は樹脂と無機粒子と補強材を含む。
第１樹脂層５０２の厚みａ２と前記第２樹脂層５０３の厚みａ３は異なってもよい。厚みが異なる場合、第２樹脂層５０３の厚みａ３が第１樹脂層５０２の厚みａ２より厚く、第１樹脂層５０２がコア基板３０の第２面Ｓ上に積層上に積層される。第１樹脂層５０２がコア基板３０の第２面Ｓに接する。プリント配線板１０は上側のビルドアップ層を有し、下側のビルドアップ層を有していない。そのため、プリント配線板１０はコア基板に対し非対称な構造である。しかしながら、厚みａ３が厚みａ２より厚いと、非対称に起因する応力を小さくすることができる。

下側の樹脂絶縁層５０Ｓは下側のソルダーレジスト層として機能する。下側のソルダーレジスト層は開口７１Ｓを有する。下側のソルダーレジスト層の開口により第２導体層３４Ｓが露出する。下側のソルダーレジスト層の開口により露出する第２導体層は下側のパッド７１ＳＰとして機能する。下側の樹脂絶縁層５０Ｓは電子部品の電極８２を露出する開口７１Ｓを有しても良い。下側のパッド７６Ｓや電極８２を介してプリント配線板はマザーボードに搭載される。

プリント配線板１０はコア基板３０と上側のビルドアップ層５５Ｆと上側のソルダーレジスト層３５０Ｆと下側の樹脂絶縁層５０Ｓと電子部品８０を有する。また、プリント配線板１０は図５（Ｂ）に示されるように、厚みＥを有する。厚みＥは上側のソルダーレジスト層３５０Ｆの上面と下側のソルダーレジスト層５０Ｓの上面との間の距離である。厚みＥは２６０μｍ〜３８０μｍである。

図５（Ｃ）に示されるように、上側のソルダーレジスト層３５０Ｆの開口７１Ｆから露出している上側のパッド７６Ｐに半田バンプ７６Ｆを形成することができる。下側のソルダーレジスト層の開口７１Ｓから露出するパッド７１ＳＰや電子部品の電極８２に半田バンプ７６Ｓを形成することができる。

第１実施形態に係るプリント配線板は、下記の関係式（１）を満足する。
関係式（１）：０．３＜Ａ／（Ｂ＋Ｄ）＜１．０
関係式（１）中のＡは厚みＡの値であり、Ｂは和Ｂの値であり、Ｄは厚みＤの値である。
プリント配線板１０はコア基板３０の第１面Ｆ上にビルドアップ層を有するが第２面Ｓ上にビルドアップ層を有していない。そのため、プリント配線板１０の構造は非対称である。非対称に起因する応力がコア基板に働く。プリント配線板が反りやすい。しかしながら、プリント配線板が関係式（１）を満足することで非対称に起因する応力が小さくなる。プリント配線板１０の反りが小さくなる。
プリント配線板１０が関係式（１）を満足し、さらに、厚みＤと厚みＡとの比ＤＡ（厚みＤ／厚みＡ)は０．１５より大きく０．９より小さいことが好ましい。最外に位置する樹脂絶縁層が非対称に起因する応力に影響する。コア基板の第１面上の樹脂絶縁層の数がコア基板の第２面上の樹脂絶縁層の数より大きいが、コア基板の第２面上の最外の樹脂絶縁層の厚みがコア基板の第１面上の最外の樹脂絶縁層の厚みより厚い。さらに、比ＤＡが所定の値を満足し、コア基板の第２面上の最外の樹脂絶縁層が補強材を有する。そのため、非対称に起因する応力が小さくなる。プリント配線板の反りを小さくすることができる。

プリント配線板１０は関係式（１）に加え、以下の関係式（２）を満足する。
関係式（２）：０．１６＜（Ｂ＋Ｄ）／（Ａ＋Ｃ）＜０．４８
関係式（２）中のＡは厚みＡの値であり、Ｂは和Ｂの値であり、Ｃは厚みＣの値である。Ｄは厚みＤの値である。
プリント配線板１０が関係式（２）を満足すると、補強材を有する絶縁層がプリント配線板を形成する絶縁層の大半を占める。プリント配線板の強度が高いので、非対称に起因する応力でプリント配線板の反りが大きくならない。
第１実施形態では、プリント配線板１０が関係式（１）と関係式（２）を満足するので、プリント配線板１０が非対称な構造であってもプリント配線板の反りが小さくなる。

下側の樹脂絶縁層は樹脂と無機粒子と補強材を含む。下側の樹脂絶縁層５０Ｓ中の樹脂の量（Ｖｏｌ％）は６０〜８０である。
上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆ樹脂と無機粒子を含む。上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆ中の樹脂の量（Ｖｏｌ％）は４０〜９５である。

下側の樹脂絶縁層５０Ｓの熱膨張係数は５（ｐｐｍ／Ｋ）〜４０（ｐｐｍ／Ｋ）である。上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆの熱膨張係数は１０（ｐｐｍ／Ｋ）〜５０（ｐｐｍ／Ｋ）であり、上側のソルダーレジスト層３５０Ｆの熱膨張係数は３０（ｐｐｍ／Ｋ）〜７０（ｐｐｍ／Ｋ）である。上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆの熱膨張係数は上側のソルダーレジスト層３５０Ｆの熱膨張係数より小さく、下側の樹脂絶縁層５０Ｓの熱膨張係数は上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆの熱膨張係数より小さい。尚、これらの熱膨張係数はコア基板の第１面に平行な面での値である。これらの値は１００℃での値である。

図６は、第１実施形態のプリント配線板１０の応用例１０００を示す。応用例１０００は、ＰＯＰ（Package on Package）基板である。
第１実施形態のプリント配線板１０の第１パッド７６Ｐ１に半田バンプ７６ＦＩが形成される。プリント配線板１０の第２パッド７６Ｐ２に半田バンプ７６ＦＯが形成される。図５（Ｃ）に示される半田バンプ７６ＦＩ、７６ＦＯを有するプリント配線板が得られる。半田バンプ７６ＦＩを介してプリント配線板１０にＩＣチップ（ロジックチップ）等の電子部品９０が実装される。第１のパッケージ基板１２０が完成する。そして、応用例では、第１のパッケージ基板１２０に半田バンプ７６ＦＯを介して第２のパッケージ基板１３０が搭載されている。第２のパッケージ基板１３０は上基板１１０と上基板上に実装されているメモリ等の電子部品１９０を有する。
第１のパッケージ基板１２０と第２のパッケージ基板１３０との間にモールド樹脂１０２が形成されている。
上基板１１０上に電子部品１９０を封止するモールド樹脂２０２が形成されている。
図６では、第１のパッケージ基板と第２のパッケージ基板を接続する接続体は半田バンプ７６ＦＯである。半田バンプ以外に、接続体として、めっきポストやピンなどの金属ポストを例示することができる。めっきポストやピンの形状は円柱である。直円柱が好ましい。
また、プリント配線板１０は下側のパッド７１ＳＰにマザーボードと接続するための半田バンプ７６Ｓを有しても良い。半田バンプ７６Ｓは下側のソルダーレジスト層５０Ｓの開口７１Ｓから露出する電子部品８０の電極８２上にも形成される。

図１（Ｄ）や図２（Ａ）等に示されるように、プリント配線板１０の絶縁基板２０ｚは、電子部品収容用の開口２６を有する。開口２６は絶縁基板を貫通している。実施形態のプリント配線板の絶縁基板（コア材）２０ｚは開口２６を有するので、プリント配線板の強度が低下する。実施形態のプリント配線板では、コア基板の第１面上に積層されている樹脂絶縁層の数とコア基板の第２面上に積層されている樹脂絶縁層の数が異なる。そのため、実施形態のプリント配線板は反りやすい。しかしながら、プリント配線板１０が上述の関係式を満足する。下側のソルダーレジスト層が補強材を有する。厚みＡは厚みＢ１、Ｂ２、Ｂ３より大きい。このような点から実施形態のプリント配線板の反りは小さくなる。

第１実施形態のプリント配線板では、上側のソルダーレジスト層３５０Ｆと下側のソルダーレジスト層（下側の樹脂絶縁層）５０Ｓの材質が異なる。上側のソルダーレジスト層は光硬化タイプの樹脂絶縁層であり、下側のソルダーレジスト層は熱硬化タイプの樹脂絶縁層である。そのため、樹脂絶縁層の数が異なっても、実施形態のプリント配線板の反りが小さくなる。上側のソルダーレジスト層は樹脂と無機粒子で形成され、下側のソルダーレジスト層は樹脂と無機粒子と補強材（ガラスクロス）で形成されている。上側のソルダーレジスト層は補強材を有していない。

[第１実施形態のプリント配線板の製造方法]
第１面Ｆと第２面Ｓとを有する絶縁基板（コア材）２０ｚが準備される。出発基板は、絶縁基板２０ｚと絶縁基板２０ｚの両面に積層されている銅箔２２Ｆ、２２Ｓで形成されている（図１（Ａ））。補強材の例は、ガラスクロスやガラス繊維やアラミド繊維等である。樹脂は、エポキシ樹脂やＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂などである。厚みＣは１５０μｍである。

第１面Ｆ上の銅箔２２ＦにＣＯ２レーザが照射される。絶縁基板２０ｚの第１面Ｆ側にスルーホール導体用の貫通孔を形成するための第１開口部２８Ｆが絶縁基板２０ｚに形成される。更に、第２面Ｓ上の銅箔２２ＳにＣＯ２レーザが照射される。第１開口部２８Ｆに繋がる第２開口部２８Ｓが形成される。図１（Ｂ）に示されるように、第１開口部の軸線ＬＬ１と第２開口部の軸線ＬＬ２が一致するようにレーザが照射される。スルーホール導体用の貫通孔２８が形成される（図１（Ｂ））。第１開口部２８Ｆは第１面Ｆから第２面Ｓに向かってテーパーしている。第２開口部２８Ｓは第２面Ｓから第１面Ｆに向かってテーパーしている。第１開口部の側壁と第２開口部の側壁の交点で囲まれる面は接合面ＣＰである。接合面は図７（Ｂ）に示されている。接合面ＣＰに斜線が描かれている。

第１銅箔と第２銅箔、貫通孔２８の側壁上に無電解めっき膜が形成される。その後、無電解めっき膜上に電解めっき膜が形成される。貫通孔内に無電解めっき膜と無電解めっき膜上の電解めっき膜とからなるめっき膜２４が形成される。同時に、絶縁基板の第１面と第２面上にめっき膜２４が形成される。電解めっき膜で貫通孔２８が充填される。めっき膜２４上にエッチングレジストが形成される。エッチングレジストから露出するめっき膜２４と銅箔２２Ｆ、２２Ｓが除去される。エッチングレジストが除去される。絶縁基板の第１面に第１導体層３４Ｆが形成される。絶縁基板の第２面に第２導体層３４Ｓが形成される。貫通孔２８に第１導体層と第２導体層を接続するスルーホール導体３６が形成される。スルーホール導体は図７（Ｂ）に示される貫通孔内に形成されている。従って、スルーホール導体は接合面に最も細い部分を有する。貫通孔２８を有する絶縁基板と貫通孔２８に形成されているスルーホール導体３６と絶縁基板の第１面上に形成されている第１導体層３４Ｆと絶縁基板の第２面上に形成されている第２導体層３４Ｓとを有する回路基板４００が得られる（図１（Ｃ））。回路基板４００はＵＳ７７８６３９０に開示されている方法で製造される。

回路基板４００にＣＯ2ガスレーザにより電子部品収容用の開口２６が形成される（図１（Ｄ））。開口２６は第１導体層または第２導体層に含まれるアライメントマークを用い形成される。アライメントマークは図に示されていない。回路基板４００に電子部品収容用の開口２６を形成することでコア基板３０が完成する。コア基板３０の第１面と絶縁基板２０ｚの第１面は同じ面であり、コア基板３０の第２面と絶縁基板２０ｚの第２面は同じ面である。

コア基板が反転され、コア基板３０の第１面にＰＥＴフィルム９８が貼られる（図１（Ｅ））。ＰＥＴフィルム９８で開口２６が塞がれる。

電子部品収容用の開口２６により露出するＰＥＴフィルム上に積層セラミックコンデンサ８０が置かれる。積層セラミックコンデンサ８０が開口２６内に収容される（図２（Ａ））。積層セラミックコンデンサ８０は、ＰＥＴフィルム９８の粘着力により、ＰＥＴフィルム９８上に保持される。コア基板３０の第１導体層３４Ｆの上面と電子部品８０の電極８２の上面は略同一平面上に位置する。

コア基板３０の第２面と電子部品上に下側の樹脂絶縁層用のプリプレグが積層される。さらに、プリプレグ上に銅箔４８Ｓなどの金属箔が積層される。下側の樹脂絶縁層用のプリプレグはエポキシ等の樹脂とシリカ等の無機粒子とガラスクロス等の補強材を有する。実施形態に用いられるプレプレグはガラスクロスを含む補強層と補強層を挟む樹脂層で形成されている。金属箔４８Ｓの厚みは３μｍ〜５μｍである。

加熱プレスを行うことで、下側の樹脂絶縁層用のプリプレグから下側の樹脂絶縁層５０Ｓがコア基板３０の第２面Ｓと電子部品８０上に形成される。同時に、下側の樹脂絶縁層５０Ｓ上に銅箔４８Ｓが接着される（図２（Ｂ））。この際、プリプレグに含まれる樹脂と無機粒子が開口２６の側壁と積層セラミックコンデンサ８０との間の隙間に流れ込む。隙間中の樹脂を硬化することで隙間を充填する充填剤５０ＳＳが形成される。充填剤により電子部品はコア基板に内蔵される。充填剤により電子部品はコア基板に固定される。充填剤５０ＳＳと下側の樹脂絶縁層５０Ｓは同時に形成される。下側の樹脂絶縁層は樹脂と無機粒子と補強材を含む。充填剤は樹脂と無機粒子を含む。充填剤に含まれる樹脂と下側の樹脂絶縁層に含まれる樹脂は同じである。充填剤に含まれる無機粒子と下側の樹脂絶縁層に含まれる無機粒子は同じである。
下側の樹脂絶縁層５０Ｓは熱硬化タイプの樹脂絶縁層であり、補強層５０１と補強層５０１を挟む第１樹脂層５０２と第２樹脂層５０３で形成されている。図７（Ｃ）に示される厚みａ１は１５μｍであり、ａ２は１３μｍであり、ａ３は２２μｍである。尚、第２導体層の厚み３４Ｔは１２μｍである。厚みＡは３８μｍである。

コア基板３０からＰＥＴフィルム９８が除去される（図２（Ｃ））。コア基板３０とコア基板３０に内蔵されている電子部品８０と電子部品とコア基板間の隙間を充填している充填剤５０ＳＳとコア基板の第２面と電子部品上に形成されている下側の樹脂絶縁層５０Ｓと下側の樹脂絶縁層５０Ｓ上の銅箔４８Ｓとからなる中間基板３００が得られる（図２（Ｃ））。

２つの中間基板３００が準備される。１つの中間基板３００の銅箔４８Ｓと別の中間基板３００の銅箔４８Ｓが向かい合うように、２つの中間基板が重ねられる（図３（Ａ））。この時、１つの中間基板の外周と別の中間基板の外周が接着剤で接着されている。２つの中間基板のコア基板の第１面が外を向いている。外周の接着箇所ＡＰで２つの中間基板が接着されている。接着箇所より内側に位置する中間基板は接着されていない。接着剤は図に示されていない。

中間基板のコア基板の第１面と電子部品上に上側の第１樹脂絶縁層用の樹脂フィルムが積層される。上側の樹脂絶縁層用の樹脂フィルム（上側の樹脂フィルム）はエポキシ等の樹脂とシリカ等の無機粒子を含む。上側の樹脂フィルムは、ガラスクロス等の補強材を有しない。
加熱により、上側の樹脂フィルムから上側の第１樹脂絶縁層５０Ｆが形成される（図３（Ｂ））。上側の第１樹脂絶縁層５０Ｆは熱硬化タイプの樹脂絶縁層である。

次に、ＣＯ２ガスレーザで上側の第１樹脂絶縁層５０Ｆにビア導体用の開口５１Ｆが形成される。開口５１Ｆは電子部品８０の電極８２と第１導体層３４Ｆに至る。上側の第１樹脂絶縁層５０Ｆ上と開口５１Ｆの内壁に無電解銅めっき層５２が形成される。無電解銅めっき層５２上にめっきレジストが形成される。めっきレジストから露出する無電解銅めっき層５２上に、電解銅めっき層５６が形成される。めっきレジストが除去される。電解銅めっき層５６間の無電解銅めっき層５２がエッチングで除去される。上側の第１樹脂絶縁層５０Ｆ上に上側の第１導体層５８Ｆが形成される。同時に、上側の第１樹脂絶縁層を貫通し、第１導体層３４Ｆや電極８２に至る上側の第１ビア導体６０Ｆが形成される（図３（Ｃ））。上側の第１樹脂絶縁層の厚みＢ１は２０μｍである。

上側の第１樹脂絶縁層５０Ｆと上側の第１導体層５８Ｆ上に上側の第２樹脂絶縁層１５０Ｆが形成される。上側の第２樹脂絶縁層の厚みＢ２は２０μｍである。
上側の第２樹脂絶縁層に上側の第２ビア導体用の開口が形成される。上側の第２樹脂絶縁層の形成方法は、上側の第１樹脂絶縁層の形成方法と同様である。上側の第２樹脂絶縁層１５０Ｆは熱硬化タイプの樹脂絶縁層である。
上側の第２樹脂絶縁層上に上側の第２導体層１５８Ｆが形成される。上側の第２導体層の形成方法は、上側の第１導体層の形成方法と同様である。
上側の第２ビア導体用の開口に上側の第２ビア導体１６０Ｆが形成される。上側の第２ビア導体の形成方法は、上側の第１ビア導体の形成方法と同様である。

前の段落に示されている方法と同様な方法で上側の第３樹脂絶縁層２５０Ｆと上側の第３導体層２５８Ｆと上側の第３ビア導体２６０Ｆが形成される。上側の第３樹脂絶縁層の厚みＢ３は２０μｍである。上側のビルドアップ層に属する上側の樹脂絶縁層の厚みＢ１、Ｂ２、Ｂ３は厚みＡより薄い。

上側の第３樹脂絶縁層２５０Ｆと上側の第３導体層２５８Ｆ上に開口７１Ｆ（７１Ｆ１、７１Ｆ２）を有する上側のソルダーレジスト層３５０Ｆが形成される。厚みＤは１８μｍである。厚みＤは、上側のビルドアップ層に属する上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆの厚みＢ１、Ｂ２、Ｂ３や厚みＡより薄い。上側のソルダーレジスト層は光硬化タイプの樹脂絶縁層である。露光処理と現像処理により開口７１Ｆ（７１Ｆ１、７１Ｆ２）が形成される（図４（Ａ））。開口７１Ｆにより上側の第３導体層が露出される。開口７１Ｆにより露出される導体部分は上側のパッド７６Ｐ（７６Ｐ１、７６Ｐ２）として機能する。また、以上のプロセスにより、図４（Ａ）に示される積層体ＬＢが形成される。

接着箇所ＡＰより内側で積層体ＬＢが切断される。切断により１つの積層体から２つの中間の回路基板ＭＣＢが得られる。中間の回路基板ＭＣＢが図４（Ｂ）に示される。中間の回路基板ＭＣＢはコア基板とコア基板の第１面上に形成されている上側の樹脂絶縁層と上側の導体層と上側のビア導体と下側の樹脂絶縁層５０Ｓと金属箔４８Ｓを有する。

下側の樹脂絶縁層上の金属箔４８Ｓがエッチングにより除去される（図４（Ｃ））。この時、上側のパッドがエッチングで溶解されないように、上側のソルダーレジスト層上に保護フィルムが貼られている。上側のパッドが露出しない。保護フィルムは図に示されていない。また、金属箔４８Ｓの除去により、金属箔の粗面が下側のソルダーレジスト層に転写される。下側のソルダーレジスト層は粗面を有する。

下側の樹脂絶縁層５０Ｓにレーザで開口７１Ｓが形成される（図４（Ｃ））。金属箔４８Ｓにレーザを照射することで、開口７１Ｓが形成されてもよい。開口７１Ｓにより、下側のパッド７１ＳＰが露出される。下側のパッドは第２導体層に含まれる。下側の樹脂絶縁層５０Ｓは下側のソルダーレジスト層（下側の保護層）として機能する。電子部品の電極８２を露出する開口７１Ｓを下側のソルダーレジスト層に形成することができる。
上述では、２つの中間の回路基板が分離される前に上側のソルダーレジスト層に開口７１Ｆが形成されている。
２つの中間の回路基板が分離される前に上側のソルダーレジスト層に開口７１Ｆを形成することは必須でない。分離後、下側の樹脂絶縁層上の金属箔４８Ｓがエッチングにより除去される。その後、上側のソルダーレジスト層と下側のソルダーレジスト層に開口７１Ｆ、７１Ｓが形成される。金属箔４８Ｓがエッチングにより除去される時、上側のパッドを保護するための保護フィルムが不要になる。

上側のパッド７６Ｐ（７６Ｐ１、７６Ｐ２）と下側のパッド７１ＳＰ上に保護膜７２を形成することができる。図５（Ａ）に示されるプリント配線板１０が完成する。開口７１Ｓから露出している電子部品の電極８２上に保護膜を形成することができる。保護膜は、パッドや電極の酸化を防止するための膜である。保護膜は、例えば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｐｄ／ＡｕやOＳP（Organic Ｓolderability Preservative）膜で形成される。

上側のパッド上に半田バンプ７６ＦＩ、７６ＦＯが形成される。半田バンプを有するプリント配線板が完成する（図５（Ｃ））。半田バンプ７６ＦＩはＣ４パッド７６Ｐ１上に形成されていて、半田バンプ７６ＦＯは第２パッド７６Ｐ２上に形成されている。
図５（Ａ）や図５（Ｃ）に示されるプリント配線板１０は３つの上側の樹脂絶縁層と１つの下側の樹脂絶縁層を有する。

プリント配線板の下側のパッド７１ＳＰに半田バンプ７６Ｓを形成することができる（図５（Ｃ））。

プリント配線板の半田バンプ７６ＦＩを介してＩＣチップ９０が実装される。第１のパッケージ基板１２０が完成する。半田バンプ７６ＦＯを介して第２のパッケージ基板１３０が第１のパッケージ基板１２０に搭載される。プリント配線板１０と第２のパッケージ基板１３０との間にモールド樹脂１０２が形成される（図６）。ＰＯＰ基板が完成する。

第１実施形態のプリント配線板の製造方法では、２つの中間基板３００が貼り合わされている。そのため、製造過程で反りが生じ難い。高い精度で導体層を形成することが出来る。上側の樹脂絶縁層の数と下側の樹脂絶縁層の数をそれぞれ必要最小限にすることで、インピーダンスや寄生容量を減らすことができる。

第１実施形態では、上側の樹脂絶縁層や上側の導体層が形成される時、金属箔の粗面を介して下側のソルダーレジスト層と金属箔４８Ｓは強固に接着されている。そのため、上側の樹脂絶縁層の数と下側の樹脂絶縁層の数が異なっても、下側のソルダーレジスト層と金属箔との間で剥がれが発生しない。

[第２実施形態]
図７（Ａ）は第２実施形態のプリント配線板の断面を示す。
第２実施形態のプリント配線板では、コア基板３０の電子部品８０を収容するための開口２６は、テーパーを有する。それ以外、第２実施形態のプリント配線板と第１実施形態のプリント配線板は同様である。
図７（Ａ）に示されるように、開口２６は、第２面Ｓから第１面Ｆに向けてテーパーしている。第１面上の開口２６のサイズは第２面上の開口２６のサイズより小さい。開口の側壁は図７（Ａ）に示されるように、第２面Ｓから第１面に向かってテーパーしている。開口２６のサイズは第２面から第１面に向かって小さくなっている。
コア基板は補強材を有するので、コア基板の剛性は高い。そのため、コア基板は、コア基板上に形成されている樹脂絶縁層の変形を抑えることができる。
第２実施形態によれば、上側の第１樹脂絶縁層とコア基板の第１面との接触面積は、下側の樹脂絶縁層とコア基板の第２面との接触面積より大きい。
第２実施形態では、コア基板の第１面上の上側の樹脂絶縁層の数はコア基板の第２面上の下側の樹脂絶縁層の数より多い。そのため、上側の樹脂絶縁層がコア基板に与える力は、下側の樹脂絶縁層がコア基板に与える力より大きい。
コア基板の第１面の面積は大きく、コア基板の第１面に働く力は大きい。それに対し、コア基板の第２面の面積は小さく、コア基板の第２面に働く力は小さい。そのため、コア基板の第１面と第２面で単位面積当たりの力が比較されると、両者の差は小さくなる。もしくは、両者は略同等である。従って、コア基板に形成されている電子部品収容用の開口が、第２面から第１面に向かうテーパーを有し、さらに、コア基板の表裏で樹脂絶縁層の数が異なっても、反りの小さなプリント配線板やＰＯＰ基板を提供することができる。電子部品を内蔵するプリント配線板の接続信頼性が高くなる。

[第２実施形態のプリント配線板の製造方法]
第２実施形態では、絶縁基板の第２面側から絶縁基板にレーザを照射することで電子部品収容用の開口２６が形成される。それ以外、第２実施形態の製法は第１実施形態の製法と同様である。
レーザで開口２６が形成されるため、開口の側壁は図７（Ａ）に示されるように第２面から第１面に向かってテーパーしている。レーザの例はＵＶレーザやＣＯ２レーザである。
実施形態１と実施形態２のプリント配線板は上述の関係式（１）と関係式（２）を満足している。実施形態１と実施形態２のプリント配線板の反りは小さい。

１０ プリント配線板
２０ｚ 絶縁基板
２８ 貫通孔
３０ コア基板
５０Ｆ 上側の第１樹脂絶縁層
５０Ｓ 下側の樹脂絶縁層
５８Ｆ 上側の導体層
６０Ｆ 上側のビア導体
８０ 電子部品
８２ 電極
３５０Ｆ 上側のソルダーレジスト層

Claims (4)

1. 第１面と前記第１面と反対側の第２面を有し、前記第１面から前記第２面に到る電子部品内蔵用の開口を有するコア材と、
   前記第１面上に形成されている第１導体層と、
   前記第２面上に形成されている第２導体層と、
   前記電子部品内蔵用の開口に内蔵されている前記電子部品と、
   前記コア材の前記第１面と前記電子部品上に交互に積層されている複数の上側の樹脂絶縁層と複数の上側の導体層とからなる上側のビルドアップ層と、
   前記上側のビルドアップ層上に形成されている上側のソルダーレジスト層と、
   前記コア材の前記第２面と前記電子部品上に積層されている下側の樹脂絶縁層と、を有するプリント配線板であって、
   前記下側の樹脂絶縁層は１層のみであって、補強材を有し、前記上側の樹脂絶縁層の全ては補強材を有さず、前記下側の樹脂絶縁層の厚みがＡであって、前記上側のビルドアップ層に含まれる全ての前記上側の樹脂絶縁層の厚みの和がＢであって、前記コア材の厚みがＣであって、前記上側のソルダーレジスト層の厚みがＤであるとき、前記Ａと前記Ｂ、前記Ｃ、前記Ｄは、下記の関係式（１）と関係式（２）を満足する。
   関係式（１）：０．３＜Ａ／（Ｂ＋Ｄ）＜１．０
   関係式（２）：０．１６＜（Ｂ＋Ｄ）／（Ａ＋Ｃ）＜０．４８
2. 請求項１のプリント配線板であって、前記上側の樹脂絶縁層の数は３層である。
3. 請求項１のプリント配線板であって、前記下側の樹脂絶縁層は、上面と上面と反対側の下面を有し、前記補強材を含む補強層と前記補強層を挟む第１樹脂層と第２樹脂層とからなり、前記上面と前記第２面が対向し、前記第１樹脂層の厚みと前記第２樹脂層の厚みは異なる。
4. 請求項３のプリント配線板であって、前記第１樹脂層が前記上面上に形成されていて、前記第２樹脂層の厚みは前記第１樹脂層の厚みより厚い。

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