JP2015201594A

JP2015201594A - プリント配線板

Info

Publication number: JP2015201594A
Application number: JP2014080918A
Authority: JP
Inventors: 宏太野田; Kota Noda; 剛士古澤; Takeshi Furusawa
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 2014-04-10
Filing date: 2014-04-10
Publication date: 2015-11-12

Abstract

【課題】コア基板の表裏で樹脂絶縁層の数が異なっていても、プリント配線板の反りが小さくなる【解決手段】コア基板が補強層と補強層を挟む第１樹脂層と第２樹脂層で形成され、第１樹脂層上に積層される上側の樹脂絶縁層の数が第２樹脂層上に積層される下側の樹脂絶縁層の数より多い。そして、第１樹脂層の厚みは第２樹脂層の厚みより薄い。【選択図】図５

Description

本発明は、電子部品を内蔵しているプリント配線板に関する。

特許文献１は電子部品を内蔵する配線基板を開示している。特許文献１の図１に示される配線基板は、表面と裏面を有すると共に裏面側に形成されている凹部を有するコア基板とコア基板の凹部に内蔵されている電子部品とコア基板の表面上に形成されている絶縁層とコア基板の裏面上に形成されているソルダーレジスト層とを有する。そして、特許文献の図１によれば、コア基板の表面上に形成されている絶縁層の数は３層であり、コア基板の裏面上に形成されている絶縁層の数は１層である。そして、コア基板の裏面上に形成されている絶縁層はコア基板の凹部や電子部品上に形成されていない。

特開２００３−０４６２５５号公報

特許文献１の図１に示される配線基板では、コア基板の表面上に形成されている絶縁層の数とコア基板の裏面上に形成されている絶縁層の数が異なる。そのため、配線基板の反りが大きくなると考えられる。

本発明の目的は、プリント配線板の反りを小さくすることである。

本発明に係るプリント配線板は、補強層と前記補強層を挟む第１樹脂層と第２樹脂層とで形成されていて、前記第１樹脂層と前記補強層と前記第２樹脂層を貫通する電子部品内蔵用の開口とスルーホール導体用の貫通孔を有するコア材と前記第１樹脂層上に形成されている第１導体層と前記第２樹脂層上に形成されている第２導体層と前記貫通孔に形成され前記第１導体層と前記第２導体層とを接続しているスルーホール導体とからなるコア基板と、前記電子部品内蔵用の開口に内蔵されている前記電子部品と、前記コア基板の前記第１樹脂層と前記電子部品上に積層されているＮ層の上側の樹脂絶縁層と、前記コア基板の前記第２樹脂層と前記電子部品上に積層されているＫ層の下側の樹脂絶縁層と、を有する。そして、前記第１樹脂層の厚みは前記第２樹脂層の厚みより薄く、前記Ｎは２以上の整数であり、前記Ｋは１以上の整数であって、前記Ｎの数字は前記Ｋの数字より大きく、前記上側の樹脂絶縁層の内、Ｎ番目の上側の樹脂絶縁層は上側の保護層であり、前記下側の樹脂絶縁層の内、Ｋ番目の下側の樹脂絶縁層は下側の保護層である。

本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図。第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。図５（Ａ）は第１実施形態のプリント配線板の断面を示し、図５（Ｂ）は第１実施形態のプリント配線板の一部を示す断面図であり、図５（Ｃ）は第１実施形態の改変例に係るプリント配線板の断面を示す。第１実施形態のプリント配線板の応用例を示す図。図７（Ａ）は第２実施形態のプリント配線板の断面を示し、図７（Ｂ）はスルーホール導体用の貫通孔を示し、図７（Ｃ）は反りの形状を示す。第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。図９（Ａ）、（Ｂ）は第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図であり、図９（Ｃ）は参考例のプリント配線板の断面図を示す。図１０（Ａ）は、第３実施形態のプリント配線板の断面図であり、図１０（Ｂ）は、実施形態のプリント配線板のスルーホール導体の例を示す断面図である。

図５（Ａ）に示されるように、本発明の実施形態のプリント配線板１０は、コア基板３０を有する。コア基板３０は第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓを有する。実施形態のコア基板の第１面は特許文献１のコア基板の表面に相当し、実施形態のコア基板の第２面は特許文献１のコア基板の裏面に相当する。もしくは、実施形態のコア基板の第２面は特許文献１のコア基板の表面に相当し、実施形態のコア基板の第１面は特許文献１のコア基板の裏面に相当する。実施形態のコア基板は、更に、基準面Ｍを有する。コア基板の基準面Ｍはコア基板の第１面と平行である。さらに、基準面Ｍと第１面Ｆとの間の距離ＭＦと基準面Ｍと第２面Ｓとの間の距離ＭＳは等しい。

特許文献１の図１に示される配線基板では、コア基板の表面上に形成されている絶縁層の数はコア基板の裏面上に形成されている絶縁層の数より多い。さらに、コア基板の裏面上の絶縁層は、コア基板の凹部や電子部品上に形成されていない。そのため、特許文献１のコア基板が実施形態と同じ基準面を有すると、特許文献１では、基準面の上下で配線基板を形成している樹脂の体積が大きく異なる。それ故、ヒートサイクルで特許文献１の配線基板の反りが大きくなると予想される。特許文献１の配線基板では、コア基板に内蔵されている電子部品と配線基板内の配線間の接続信頼性が低下すると考えられる。特許文献１の配線基板に電子部品を実装することが難しくなると推察される。特許文献１の配線基板をマザーボードに実装することが難しくなると考えられる。

図５（Ｂ）は第１実施形態のプリント配線板１０の一部を示す。第１実施形態のプリント配線板１０は、コア基板３０を有する。コア基板３０は、図５（Ｂ）に示されるように第１面Ｆと第１面と反対側の第２面Ｓとを有するコア材（絶縁基板）２０ｚを有する。絶縁基板の第１面とコア基板の第１面は同じ面であり、コア基板の第２面と絶縁基板の第２面は同じ面である。図１（Ａ）は絶縁基板２０ｚを示す。絶縁基板２０ｚは、補強層２０ｍと補強層２０ｍを挟む第１樹脂層２０ｆと第２樹脂層２０Ｓとで形成されている。補強層２０ｍは第５面ＲＦと第５面と反対側の第６面ＲＳを有する。補強層の第５面ＲＦ上に第１面Ｆと第１面と反対側の第３面Ｓ３を有する第１樹脂層２０ｆが積層されている。第１樹脂層の第３面Ｓ３と補強層の第５面ＲＦが接している。補強層の第６面ＲＳ上に第４面Ｆ４と第４面と反対側の第２面Ｓを有する第２樹脂層２０ｓが積層されている。第２樹脂層の第４面Ｆ４と補強層の第６面ＲＳが接している。図１では、絶縁基板は３つの絶縁層で形成されている。絶縁基板（コア材）は第１面Ｆと第１面と反対側の第２面Ｓを有する。絶縁基板の第１面と第１樹脂層の第１面は同じ面であり、絶縁基板（コア材）の第２面と第２樹脂層の第２面は同じ面である。

第１樹脂層２０ｆと第２樹脂層２０ｓは無機繊維を含む補強部材を含まない。繊維の形状は細長い。繊維のアスペクト比（繊維の長さ／繊維の径）は１００以上である。
第１樹脂層と第２樹脂層は無機粒子を含むことが好ましい。無機粒子の形状は略球形である。無機粒子のアスペクト比（最大径／最少径）は２以下である。
補強層２０ｍは、無機繊維で形成されている補強部材と樹脂を含む。補強部材の例は、ガラスクロスやガラス繊維である。ガラスクロスやガラス繊維はＳガラス製であることが好ましい。補強層２０ｍは、さらに、無機粒子を含むことが好ましい。

第１樹脂層２０ｆの厚みは第２樹脂層２０Ｓの厚みより薄い。第１樹脂層の厚みｆ１は０．００５ｍｍ〜０．０１ｍｍであり、第２樹脂層の厚みｓ１は０．００７ｍｍ〜０．０２ｍｍであり、補強層の厚みｒ１は０．０５ｍｍ〜０．１５ｍｍである。第２樹脂層の厚みと第１樹脂層の厚みとの比（ｓ１／ｆ１）は、１．０５〜２．５である。第２樹脂層の厚みと補強層の厚みとの比（ｓ１／ｒ１）は、０．０５〜０．４である。第１樹脂層の厚みと補強層の厚みとの比（ｆ１／ｒ１）は、０．０５〜０．２である。補強層の厚みは第２樹脂層の厚みより厚いことが好ましい。

第１樹脂層と第２樹脂層は補強部材を含まず、補強層は補強部材を含む。そのため、第１樹脂層に含まれる樹脂の量（vol％）は、補強層に含まれる樹脂の量（vol％）より多い。第２樹脂層に含まれる樹脂の量（vol％）は、補強層に含まれる樹脂の量（vol％）より多い。第１樹脂層に含まれる樹脂の量（vol％）と第２樹脂層に含まれる樹脂の量（vol％）は略等しい。
第１樹脂層に含まれる樹脂の量（vol％）は、４０％〜６０％であり、第２樹脂層に含まれる樹脂の量（vol％）は、４０％〜６０％であり、補強層に含まれる樹脂の量（vol％）は、１２％〜３６％である。

実施形態では、第１樹脂層の厚みと第２樹脂層の厚みが異なる。そして、コア基板を形成する３つの樹脂層（第１樹脂層、補強層、第２樹脂層）の内、補強層に含まれる樹脂の量（vol％）が最も少ない。従って、コア基板の基準面Ｍの上下で絶縁基板２０ｚ内の樹脂の量（vol％）が異なる。第１実施形態では、基準面と第１面との間に含まれる樹脂の量（vol％）ＲＣ１は、基準面と第２面との間に含まれる樹脂の量（vol％）ＲＣ２より小さい。樹脂の量（vol％）ＲＣ２と樹脂の量（vol％）ＲＣ１との比（ＲＣ２／ＲＣ１）は、１．０５〜１．５５である。また、樹脂の量（vol％）ＲＣ２と樹脂の量（vol％）ＲＣ１との差は、０．１％〜１０％である。

第１樹脂層の熱膨張係数は７（ｐｐｍ／Ｋ）〜３０（ｐｐｍ／Ｋ）であり、第２樹脂層の熱膨張係数は７（ｐｐｍ／Ｋ）〜３０（ｐｐｍ／Ｋ）であり、補強層の熱膨張係数は０（ｐｐｍ／Ｋ）〜２０（ｐｐｍ／Ｋ）である。第１樹脂層の熱膨張係数と第２樹脂層の熱膨張係数は略同じで、絶縁基板を形成する３つの樹脂層（第１樹脂層、補強層、第２樹脂層）の内、補強層の熱膨張係数が最も小さい。尚、これらの熱膨張係数はコア基板の第１面に平行な面での値である。
以上より、第１実施形態のコア基板の温度が上がると、コア基板は凹状に反りやすい。コア基板の第２面が平面ＦＳと対向するように、コア基板が平面に置かれると、コア基板の中央部分が平面に接し、コア基板の外周は平面から浮く。このような反りは凹状の反りである。凹状の反りは、図７（Ｃ）に示されている。

図１（Ｄ）や図５（Ａ）に示されるように、コア基板３０は、絶縁基板２０ｚの第１面Ｆ上に形成されている第１導体層３４Ｆと絶縁基板２０ｚの第２面上に形成されている第２導体層３４Ｓを有する。第１導体層３４Ｆは第１樹脂層の第１面上に直接形成されていて、第２導体層３４Ｓは第２樹脂層の第２面上に直接形成されている。
コア基板３０はさらに第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓとを接続しているスルーホール導体３６を有する。スルーホール導体３６は絶縁基板２０ｚを貫通している貫通孔２８に形成されている。図１（Ｂ）に示されるように、貫通孔２８は、第１面側に形成されている第１開口部２８Ｆと第２面側に形成されている第２開口部２８Ｓで形成されている。貫通孔の形状は、砂時計形状である。貫通孔２８やスルーホール導体３６は、例えば、ＵＳ７７８６３９０に開示されている方法で製造される。ＵＳ７７８６３９０の内容は本明細書に取り込まれる。第１導体層や第２導体層は図示されていない複数の導体回路やスルーホール導体３６の周りに形成されているスルーホール導体のランドを含む。コア基板３０の第１面と絶縁基板２０ｚの第１面は同じ面であり、コア基板３０の第２面と絶縁基板２０ｚの第２面は同じ面である。

図５（Ａ）に示されるように、コア基板３０の第１面Ｆと第１導体層３４Ｆ上に上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆ、３５０Ｆが積層されている。上側の樹脂絶縁層の層数はＮである。Ｎは２以上の整数である。Ｎ番目の上側の樹脂絶縁層は最上の樹脂絶縁層である。最上の樹脂絶縁層は上側のソルダーレジスト層（上側の保護層）３５０Ｆとして機能する。
隣接する上側の樹脂絶縁層間に上側の導体層５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆが形成されている。Ｎ番目の上側の樹脂絶縁層と（Ｎ−１）番目の上側の樹脂絶縁層に挟まれる上側の導体層は最上の導体層２５８Ｆである。最上の導体層は電子部品等を搭載するための上側のパッド７６Ｐを有する。

各上側の樹脂絶縁層は開口を有する。各上側の樹脂絶縁層に形成されている開口はそれぞれの上側の樹脂絶縁層を貫通している。
上側のソルダーレジスト層３５０Ｆは開口７１Ｆ（７１Ｆ１、７１Ｆ２）を有し、開口により露出される最上の導体層２５８Ｆは上側のパッド７６Ｐとして機能する。図６などに示されるように、開口７１Ｆ１により露出される上側のパッドは上側の第１パッド７６Ｐ１である。上側の第１パッド７６Ｐ１はプリント配線板の実装面の略中央に形成されていて、複数の上側の第１パッド７６Ｐ１でＣ４パッド群が形成される。上側の第１パッド上にＩＣチップ等の電子部品が搭載される。開口７１Ｆ２により露出される上側のパッドは、上側の第２パッド７６Ｐ２である。上側の第２パッド７６Ｐ２はＣ４パッド群の外に形成されている。図６に示されるように、上側の第２パッドを介してプリント配線板上に第２のパッケージ基板１３０が搭載される。
１番目の上側の樹脂絶縁層から（Ｎ−１）番目の上側の樹脂絶縁層はビア導体用の開口を有する。ビア導体用の開口にビア導体６０Ｆ、１６０Ｆ、２６０Ｆが形成され、ビア導体により隣接する導体層が接続される。
各上側の樹脂絶縁層はコア基板と電子部品を内蔵する開口上に形成されていて、１番目の上側の樹脂絶縁層５０Ｆはコア基板と電子部品を内蔵する開口を覆っている。
図５（Ａ）では、上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆ、３５０Ｆは４層である。４番目の上側の樹脂絶縁層３５０Ｆは上側のソルダーレジスト層である。そして、ソルダーレジスト層３５０Ｆは上側のパッド７６Ｐを露出する開口７１Ｆを有する。

図５（Ａ）では、上側の導体層５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆは３層である。１番目の樹脂絶縁層５０Ｆと２番目の樹脂絶縁層１５０Ｆに挟まれている上側の導体層５８Ｆが１番目の上側の導体層である。２番目の樹脂絶縁層１５０Ｆと３番目の樹脂絶縁層２５０Ｆに挟まれている上側の導体層１５８Ｆが２番目の上側の導体層である。３番目の樹脂絶縁層２５０Ｆと４番目の樹脂絶縁層３５０Ｆに挟まれている上側の導体層２５８Ｆが３番目の上側の導体層である。３番目の上側の導体層２５８Ｆが最上の導体層であり、最上の導体層はＩＣチップ等の電子部品や第２のパッケージ基板を搭載するための上側のパッド７６Ｐを有する。上側のパッドは、上側の第２パッド７６Ｐ２を有さず、上側の第１パッド７６Ｐ１のみで形成されてもよい。上側のパッドは上側のソルダーレジスト層３５０Ｆの開口７１Ｆにより露出される。

図５（Ａ）では、１番目の樹脂絶縁層５０Ｆと２番目の樹脂絶縁層１５０Ｆと３番目の樹脂絶縁層２５０Ｆは、それぞれ、ビア導体用の開口を有する。
図５（Ａ）では、１番目の樹脂絶縁層５０Ｆのビア導体用の開口にビア導体６０Ｆが形成されている。ビア導体６０Ｆで第１導体層３４Ｆと導体層５８Ｆが接続されている。ビア導体６０Ｆで電極８２と導体層５８Ｆが接続されている。２番目の樹脂絶縁層１５０Ｆのビア導体用の開口にビア導体１６０Ｆが形成されている。ビア導体１６０Ｆで導体層５８Ｆと導体層１５８Ｆが接続されている。３番目の樹脂絶縁層２５０Ｆのビア導体用の開口にビア導体２６０Ｆが形成されている。ビア導体２６０Ｆで導体層１５８Ｆと導体層２５８Ｆが接続されている。

図５（Ａ）に示されるように、コア基板３０の第２面Ｓと第２導体層３４Ｓ上に下側の樹脂絶縁層５０Ｓが積層されている。下側の樹脂絶縁層の層数はＫである。Ｋは１以上の整数である。Ｋの数字はＮの数字より小さい。ＮとＫの差は、２以下であることが好ましい。プリント配線板の反りが小さくなる。つまり、上側の樹脂絶縁層の数は下側の樹脂絶縁層の数より多い。Ｋ番目の下側の樹脂絶縁層は最下の樹脂絶縁層である。最下の樹脂絶縁層は下側のソルダーレジスト層（下側の保護層）として機能する。
各下側の樹脂絶縁層はコア基板と電子部品を内蔵する開口上に形成されていて、１番目の下側の樹脂絶縁層はコア基板と電子部品を内蔵する開口を覆っている。

Ｋが１の時、下側の樹脂絶縁層は下側のソルダーレジスト層のみである。下側のソルダーレジスト層は開口７１Ｓを有する。下側のソルダーレジスト層の開口により第２導体層が露出する。下側のソルダーレジスト層の開口により露出する第２導体層は下側のパッド７１ＳＰとして機能する。下側のパッドを介してプリント配線板はマザーボードに搭載される。図５（Ｃ）に示されるように、下側のソルダーレジスト層５０Ｓは電子部品の電極８２を露出する開口７１Ｓを有しても良い。

Ｋが２以上であると、隣接する下側の樹脂絶縁層間に下側の導体層が形成される。Ｋ番目の下側の樹脂絶縁層と（Ｋ−１）番目の下側の樹脂絶縁層に挟まれる下側の導体層は最下の導体層である。最下の導体層はマザーボードと接続するための下側のパッド７１ＳＰを有する。

各下側の樹脂絶縁層は開口を有する。各下側の樹脂絶縁層に形成されている開口はそれぞれの下側の樹脂絶縁層を貫通している。
下側のソルダーレジスト層は開口を有し、開口により露出される最下の導体層は下側のパッドとして機能する。下側のパッドを介してプリント配線板はマザーボードに接続される。
１番目の下側の樹脂絶縁層から（Ｋ−１）番目の下側の樹脂絶縁層はビア導体用の開口を有する。ビア導体用の開口にビア導体が形成され、ビア導体により隣接する導体層が接続される。
図５（Ａ）では、下側の樹脂絶縁層の数は１である。１番目の下側の樹脂絶縁層は下側のソルダーレジスト層５０Ｓである。そして、ソルダーレジスト層５０Ｓは開口７１Ｓを有する。開口７１Ｓにより第２導体層に含まれる下側のパッドが露出される。

コア基板の基準面Ｍとコア基板の第１面Ｆとの間に含まれる樹脂の量は第１の樹脂含有量ＲＣ１である。
コア基板の基準面Ｍとコア基板の第２面Ｓとの間に含まれる樹脂の量は第２の樹脂含有量ＲＣ２である。
コア基板の第１面上に積層されている各樹脂絶縁層に含まれる樹脂の量の和は第３の樹脂含有量ＲＣ３である。
コア基板の第２面上に積層されている各樹脂絶縁層に含まれる樹脂の量の和は第４の樹脂含有量ＲＣ４である。
第１の樹脂含有量ＲＣ１と第３の樹脂含有量ＲＣ３の和は、第５の樹脂含有量ＲＣ５である。
第２の樹脂含有量ＲＣ２と第４の樹脂含有量ＲＣ４の和は、第６の樹脂含有量ＲＣ６である。
第５の樹脂含有量ＲＣ５と第６の樹脂含有量ＲＣ６の差は、樹脂量の差（ＲＣ５マイナスＲＣ６）ＲＤである。樹脂量の差ＲＤは、コア基板の基準面Ｍより上に位置するプリント配線板に含まれる樹脂の量とコア基板の基準面Ｍより下に位置するプリント配線板に含まれる樹脂の量との差を表す。コア基板の基準面より上に位置するプリント配線板は単に上側のプリント配線板と称される。コア基板の基準面より下に位置するプリント配線板は単に下側のプリント配線板と称される。
樹脂量の差ＲＤが存在すると、上側のプリント配線板と下側のプリント配線板で熱に起因する変形が異なる。従って、樹脂量の差ＲＤは、プリント配線板の反りの方向や反りの量に影響を及ぼす。樹脂量の差ＲＤが大きいと、反りの量が大きくなる。また、複雑な変形が起こると考えられる。

実施形態のコア基板は３つの絶縁層を含む。それに対し、コア基板の絶縁基板が特許文献１と同様に１つの絶縁層２０ｗで形成されると、図９（Ｃ）に示される参考例のプリント配線板が得られる。
参考例では、コア基板が１つの絶縁層２０ｗで形成されているので、第１の樹脂含有量ＲＣ１と第２の樹脂含有量ＲＣ２は等しい。そして、参考例では、コア基板の第１面上に形成されている絶縁層の数はコア基板の第２面上に形成されている絶縁層の数より多い。従って、参考例では、第３の樹脂含有量ＲＣ３は第４の樹脂含有量ＲＣ４より多い。従って、第５の樹脂含有量ＲＣ５は第６の樹脂含有量ＲＣ６より多い。参考例では、第５の樹脂含有量ＲＣ５と第６の樹脂含有量ＲＣ６の差は、第３の樹脂含有量ＲＣ３と第４の樹脂含有量ＲＣ４との差に一致する。樹脂量の差ＲＤは、第３の樹脂含有量ＲＣ３と第４の樹脂含有量ＲＣ４との差に一致する。

実施形態では、絶縁基板が補強層と補強層を挟む第１樹脂層と第２樹脂層で形成され、第１樹脂層の厚みは第２樹脂層の厚みより薄い。第１樹脂層中の樹脂量（vol％）と第２樹脂層中の樹脂量（vol％）は略等しい。そのため、実施形態では、第１の樹脂含有量ＲＣ１は、第２の樹脂含有量ＲＣ２より小さい。また、実施形態の第３の樹脂含有量ＲＣ３と参考例の第３の樹脂含有量ＲＣ３は同じであり、実施形態の第４の樹脂含有量ＲＣ４と参考例の第４の樹脂含有量ＲＣ４は同じである。従って、実施形態での第３の樹脂含有量ＲＣ３と第４の樹脂含有量ＲＣ４との差と参考例での第３の樹脂含有量ＲＣ３と第４の樹脂含有量ＲＣ４との差は同じである。そのため、実施形態の第５の樹脂含有量ＲＣ５は、参考例の第５の樹脂含有量ＲＣ５より小さい。実施形態の第６の樹脂含有量ＲＣ６は、参考例の第６の樹脂含有量ＲＣ６より大きい。従って、実施形態の樹脂量の差ＲＤは参考例の樹脂量の差ＲＤより小さい。熱等に起因する実施形態のプリント配線板の反りの量は、参考例のプリント配線板の反りの量より小さい。
特許文献１では、コア基板の裏面上に形成されている絶縁層が凹部を覆っていない。そのため、特許文献１の樹脂量の差ＲＤは参考例の樹脂量の差ＲＤより大きい。特許文献１の配線基板の反りは、参考例のプリント配線板の反りより大きいと推測される。実施形態のプリント配線板によれば、特許文献１の配線基板の反りを改善することができる。

図５（Ａ）に示されるように、上側のソルダーレジスト層３５０Ｆの開口７１Ｆから露出している上側のパッドに半田バンプ７６Ｆを形成することができる。
図５（Ｃ）に示されるように、下側のソルダーレジスト層の開口７１Ｓから露出するパッドや電子部品の電極に半田バンプ７６Ｓを形成することができる。

図６は、第１実施形態のプリント配線板１０の応用例１０００を示す。応用例１０００は、ＰＯＰ（Package on Package）基板である。
第１実施形態のプリント配線板１０にＩＣチップ（ロジックチップ）等の電子部品９０が実装される。そして、応用例では、ＩＣチップを実装しているプリント配線板（第１のパッケージ基板）１２０に第２のパッケージ基板１３０が搭載されている。第２のパッケージ基板１３０は上基板１１０と上基板上に実装されているメモリ等の電子部品１９０有する。プリント配線板１０の最上の導体層２５８Ｆは、中央部分に電子部品９０を実装する複数のパッド（Ｃ４パッド）７６Ｐ１を有する。複数のＣ４パッド（第１パッド）７６Ｐ１でパッド群（Ｃ４パッド群）が形成されている。さらに、プリント配線板１０の最上の導体層は、Ｃ４パッド群の外に第２のパッケージ基板を搭載するための複数の第２パッド７６Ｐ２を有する。Ｃ４パッド（上側の第１パッド）７６Ｐ１と上側の第２パッド７６Ｐ２は上側のパッド７６Ｐに含まれる。
Ｃ４パッドに半田バンプ７６ＦＩが形成されている。半田バンプ７６ＦＩを介してＩＣチップ９０が実装される。
第２パッド（上側の第２パッド）７６Ｐ２に半田バンプ７６ＦＯが形成されている。半田バンプ７６ＦＯを介して第２のパッケージ基板１３０が第１のパッケージ基板１２０に搭載される。第１のパッケージ基板１２０と第２のパッケージ基板１３０との間にモールド樹脂１０２が形成されている。
上基板１１０上に電子部品１９０を封止するモールド樹脂２０２が形成されている。
図６では、第１のパッケージ基板と第２のパッケージ基板を接続する接続体は半田バンプ７６ＦＯである。半田バンプ以外に、接続体として、めっきポストやピンなどの金属ポストを例示することができる。めっきポストやピンの形状は円柱である。直円柱が好ましい。
また、プリント配線板１０は下側のパッドにマザーボードと接続するための半田バンプ７６Ｓを有しても良い。

図１（Ｄ）や図２（Ａ）等に示されるように、プリント配線板１０の絶縁基板２０ｚは、電子部品収容用の開口２６を有する。開口２６は絶縁基板を貫通している。実施形態のプリント配線板の絶縁基板（コア材）２０ｚは開口２６を有するので、プリント配線板の強度が低下する。実施形態のプリント配線板では、コア基板の第１面上に積層されている樹脂絶縁層の数とコア基板の第２面上に積層されている樹脂絶縁層の数が異なる。そのため、実施形態のプリント配線板は反りやすい。しかしながら、実施形態では、第１の樹脂含有量ＲＣ１は第２の樹脂含有量ＲＣ２より小さい。従って、実施形態のプリント配線板の反りは小さくなる。

図２（Ａ）や図５（Ａ）等に示されるように、コア基板３０の開口２６内に、積層セラミックコンデンサ等の電子部品８０が収容されている。図２（Ｂ）や図４（Ｃ）等に示されるように、電子部品８０は、樹脂製の充填剤５０ＳＳを介してコア基板に固定されている。充填剤５０ＳＳは電子部品とコア基板との間の隙間に形成されている。充填剤５０ＳＳの熱膨張係数は、第１樹脂層２０ｆや第２樹脂層２０ｓの熱膨張係数と略等しく、補強層の熱膨張係数より大きい。
電子部品８０の電極８２に樹脂絶縁層５０Ｆを貫通するビア導体６０Ｆが接続している。樹脂絶縁層５０Ｓの開口７１Ｓ内に形成される半田バンプ７６Ｓが電極８２に接続する。第１樹脂層の熱膨張係数と充填剤５０ＳＳの熱膨張係数が略等しい。第２樹脂層の熱膨張係数と充填剤５０ＳＳの熱膨張係数が略等しい。そのため、電子部品の電極とビア導体間や電子部品の電極と半田バンプ間に働く熱応力が小さくなる。電子部品８０の電極８２とビア導体間や電子部品の電極８２と半田バンプ間の接続信頼性が向上する。

図５（Ｂ）に示されるように、コア基板３０の第１導体層３４Ｆの上面と電子部品８０の電極８２Ｆの上面が同一平面Ｈ上に位置している。このため、樹脂絶縁層５０Ｆを貫通し第１導体層３４Ｆへ至るビア導体６０Ｆの長さｔ１と樹脂絶縁層５０Ｆを貫通し電極８２Ｆへ至るビア導体６０Ｆの長さｔ２が略同一になる。ビア導体の接続信頼性が高くなる。
第２導体層３４Ｓの上面と電極８２Ｓの上面が同一平面Ｗ上に位置することが好ましい。電極８２Ｆはコア基板の第１面を向いていて、電極８２Ｓはコア基板の第２面を向いている。

第１実施形態のプリント配線板では、上側のソルダーレジスト層と下側のソルダーレジスト層の材質が異なる。上側のソルダーレジスト層は光硬化タイプの樹脂絶縁層であり、下側のソルダーレジスト層は熱硬化タイプの樹脂絶縁層である。そのため、樹脂絶縁層の数が異なっても、実施形態のプリント配線板の反りが小さくなる。上側のソルダーレジスト層は樹脂と無機粒子で形成され、下側のソルダーレジスト層は樹脂と無機粒子と補強部材で形成されている。上側のソルダーレジスト層は補強部材を有していない。

[第１実施形態のプリント配線板の製造方法]
第１実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図１〜図４に示される。
ガラスクロスと樹脂と無機粒子を含む補強層２０ｍと、補強層を挟む第１樹脂層２０ｆと第２樹脂層２０ｓで形成されている絶縁基板（コア材）２０ｚが準備される。補強層と第１樹脂層、第２樹脂層はシリカやアルミナなどの無機粒子を含む。第１樹脂層の樹脂量（vol％）は、５０％であり、第２樹脂層の樹脂量（vol％）は、５０％である。第１樹脂層の樹脂量（vol％）と第２樹脂層の樹脂量（vol％）は同じである。補強層の樹脂量（vol％）は、２０％である。

第１樹脂層の厚みは０．００７ｍｍであり、第２樹脂層の厚みは０．０１２ｍｍであり、補強層の厚みは０．１４５ｍｍである。
絶縁基板２０ｚは３つの樹脂層で形成されている。
出発基板は、絶縁基板２０ｚと絶縁基板２０ｚの両面に積層されている銅箔２２、２２で形成されている（図１（Ａ））。絶縁基板の第１面上の銅箔は第１銅箔２２Ｆであり、絶縁基板の第２面上の銅箔は第２銅箔２２Ｓである。第２樹脂層２０ｓの厚み（ｓ１）は、第１樹脂層２０ｆの厚み（ｆ１）より厚い。

補強層２０ｍは、補強材として、ガラスクロスやガラス繊維やアラミド繊維等を含む。各樹脂層に含まれる樹脂は、エポキシ樹脂やＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂などである。

第１銅箔２２ＦにＣＯ２レーザが照射される。絶縁基板２０ｚの第１面Ｆ側にスルーホール導体用の貫通孔を形成するための第１開口部２８Ｆが絶縁基板２０ｚに形成される。更に、第２銅箔２２ＳにＣＯ２レーザが照射される。第１開口部２８Ｆに繋がる第２開口部２８Ｓが形成される。第１開口部の軸線ＬＬ１と第２開口部の軸線ＬＬ２が一致するようにレーザが照射される。スルーホール導体用の貫通孔２８が形成される（図１（Ｂ））。第１開口部は第１面Ｆから第２面Ｓに向かってテーパーしている。第２開口部は第２面Ｓから第１面Ｆに向かってテーパーしている。第１開口部の側壁と第２開口部の側壁の交点で囲まれる面は接合面ＣＰである。接合面は図７（Ｂ）に示されている。接合面ＣＰに斜線が描かれている。
第１樹脂層と第２樹脂層は補強層を有していない。そのため、第１樹脂層や第２樹脂層は補強層よりレーザで加工されやすい。そして、第１樹脂層の厚みは第２樹脂層の厚みより薄い。従って、接合面ＣＰと第１面Ｆとの間の距離ＣＰＫ１は接合面ＣＰと第２面Ｓとの間の距離ＣＰＫ２より短い。接合面が第１面や第２面と平行でない場合、距離ＣＰＫ１は接合面の重心、または、接合面の中心と第１面との間の距離である。距離ＣＰＫ２も同様に測定される。従って、接合面ＣＰはコア基板の基準面Ｍと第１面Ｆとの間に位置する。接合面の重心や接合面の中心は、コア基板の基準面Ｍと第１面Ｆとの間に位置する。

第１銅箔と第２銅箔、貫通孔２８の側壁上に無電解めっき膜が形成される。その後、無電解めっき膜上に電解めっき膜が形成される。貫通孔内に無電解めっき膜と無電解めっき膜上の電解めっき膜とからなるめっき膜２４が形成される。同時に、絶縁基板の第１面と第２面上にめっき膜２４が形成される。電解めっき膜で貫通孔２８が充填される。めっき膜２４上にエッチングレジストが形成される。エッチングレジストから露出するめっき膜２４と銅箔２２Ｆ、２２Ｓが除去される。エッチングレジストが除去される。絶縁基板の第１面に第１導体層３４Ｆが形成される。絶縁基板の第２面に第２導体層３４Ｓが形成される。貫通孔２８に第１導体層と第２導体層を接続するスルーホール導体３６が形成される。スルーホール導体は図７（Ｂ）に示される貫通孔内に形成されている。従って、スルーホール導体は接合面に最も細い部分を有する。スルーホール導体の最も細い部分はコア基板の基準面Ｍと第１面Ｆとの間に位置する。そのため、コア基板の基準面と第２面Ｓとの間に形成されているスルーホール導体の体積は、コア基板の基準面と第１面Ｆとの間に形成されているスルーホール導体の体積より大きい。第２面側のコア基板は、高い剛性を有する金属で強化されるので、コア基板の基準面と第２面との間のコア基板の強度が高くなると考えられる。それ故、実施形態のコア基板によれば、コア基板の第１面上の樹脂絶縁層の数とコア基板の第２面上の樹脂絶縁層の数の差に起因して発生する熱応力の影響を小さくすることができる。熱応力による実施形態のプリント配線板の反りは小さい。貫通孔２８を有する絶縁基板と貫通孔２８に形成されているスルーホール導体３６と絶縁基板の第１面上に形成されている第１導体層３４Ｆと絶縁基板の第２面上に形成されている第２導体層３４Ｓとを有する回路基板３０００が得られる（図１（Ｃ））。回路基板３０００はＵＳ７７８６３９０に開示されている方法で製造される。

回路基板３０００にＣＯ2ガスレーザにより電子部品収容用の開口２６が形成される（図１（Ｄ））。開口２６は第１導体層または第２導体層に含まれるアライメントマークを用い形成される。アライメントマークは図に示されていない。回路基板３０００に電子部品収容用の開口２６を形成することでコア基板３０が完成する。コア基板３０の第１面と絶縁基板２０ｚの第１面は同じ面であり、コア基板３０の第２面と絶縁基板２０ｚの第２面は同じ面である。

コア基板が反転され、コア基板３０の第１面にＰＥＴフィルム９８が貼られる（図１（Ｅ））。ＰＥＴフィルム９８で開口２６が塞がれる。

電子部品収容用の開口２６により露出するＰＥＴフィルム上に積層セラミックコンデンサ８０が置かれる。積層セラミックコンデンサ８０が開口２６内に収容される（図２（Ａ））。積層セラミックコンデンサ８０は、ＰＥＴフィルム９８の粘着力により、ＰＥＴフィルム９８上に保持される。コア基板３０の第１導体層３４Ｆの上面と電子部品８０の電極８２Ｆの上面は略同一平面上に位置する。

コア基板３０の第２面と電子部品上に１番目の下側の樹脂絶縁層用の樹脂フィルムが積層される。下側の樹脂絶縁層用の樹脂フィルム（下側の樹脂フィルム）はエポキシ等の樹脂とシリカ等の無機粒子を含む。下側の樹脂フィルムは、さらに、ガラスクロス等の補強部材を有しても良い。実施形態の下側の樹脂フィルムは、ガラスクロスとシリカ粒子とエポキシ樹脂を含む。
下側の樹脂フィルム上に銅箔等の金属箔４８Ｓが積層される。金属箔４８Ｓの厚みは３μｍ〜５μｍである。
加熱プレスを行うことで、下側の樹脂フィルムから１番目の下側の樹脂絶縁層５０Ｓがコア基板の第２面と電子部品上に形成される。同時に、１番目の下側の樹脂絶縁層５０Ｓ上に銅箔４８Ｓが接着される（図２（Ｂ））。この際、下側の樹脂フィルムに含まれる樹脂と無機粒子が開口２６の側壁と積層セラミックコンデンサ８０との間の隙間に流れ込む。隙間中の樹脂を硬化することで隙間を充填する充填剤５０ＳＳが形成される。充填剤により電子部品はコア基板に内蔵される。充填剤により電子部品はコア基板に固定される。充填剤５０ＳＳと１番目の下側の樹脂絶縁層５０Ｓは同時に形成される。１番目の下側の樹脂絶縁層は樹脂と無機粒子と補強部材を含む。充填剤は樹脂と無機粒子を含む。充填剤に含まれる樹脂と１番目の下側の樹脂絶縁層に含まれる樹脂は同じである。充填剤に含まれる無機粒子と１番目の下側の樹脂絶縁層に含まれる無機粒子は同じである。
１番目の下側の樹脂絶縁層５０Ｓは熱硬化タイプの樹脂絶縁層である。

コア基板３０からＰＥＴフィルム９８が剥離される（図２（Ｃ））。コア基板３０とコア基板３０に内蔵されている電子部品８０と電子部品とコア基板間の隙間を充填している充填剤５０ＳＳとコア基板の第２面と電子部品上に形成されている１番目の下側の樹脂絶縁層５０Ｓと１番目の下側の樹脂絶縁層５０上の銅箔４８Ｓとからなる中間基板３００が得られる（図２（Ｃ））。

２つの中間基板３００が準備される。１つの中間基板３００の銅箔４８Ｓと別の中間基板３００の銅箔４８Ｓが向かい合うように、２つの中間基板が重ねられる（図３（Ａ））。この時、１つの中間基板の外周と別の中間基板の外周が接着剤で接着されている。２つの中間基板のコア基板の第１面が外を向いている。外周の接着箇所ＡＰで２つの中間基板が接着されている。接着箇所より内側に位置する中間基板は接着されていない。接着剤は図に示されていない。

中間基板のコア基板の第１面と電子部品上に1番目の上側の樹脂絶縁層用の樹脂フィルムが積層される。上側の樹脂絶縁層用の樹脂フィルム（上側の樹脂フィルム）はエポキシ等の樹脂とシリカ等の無機粒子を含む。上側の樹脂フィルムは、さらに、ガラスクロス等の補強部材を有しても良い。実施形態の上側の樹脂フィルムは、ガラスクロスとシリカ粒子とエポキシ樹脂を含む。
上側の樹脂フィルム上に銅箔等の金属箔４８Ｆが積層される。金属箔４８Ｆの厚みは３μｍ〜５μｍである。加熱プレスにより、上側の樹脂フィルムから１番目の上側の樹脂絶縁層５０Ｆが形成される。１番目の上側の樹脂絶縁層５０Ｆ上に銅箔４８Ｆが積層される（図３（Ｂ））。１番目の上側の樹脂絶縁層５０Ｆは熱硬化タイプの樹脂絶縁層である。

次に、ＣＯ２ガスレーザにて樹脂絶縁層５０Ｆにビア導体用の開口５１Ｆが形成される。開口５１Ｆは電極８２Ｆと第１導体層３４Ｆに至る。
銅箔４８Ｆ上と開口５１Ｆの内壁に無電解銅めっき層５２が形成される。
無電解銅めっき層５２上にめっきレジストが形成される。
めっきレジストから露出する無電解銅めっき層５２上に、電解銅めっき層５６が形成される。
めっきレジストが除去される。電解銅めっき層５６間の無電解銅めっき層５２と銅箔４８Ｆがエッチングで除去される。１番目の上側の樹脂絶縁層５０Ｆ上に１番目の上側の導体層５８Ｆが形成される。同時に、１番目の上側の樹脂絶縁層を貫通し、第１導体層３４Ｆや電極８２Ｆに至る１番目の上側のビア導体６０Ｆが形成される（図３（Ｃ））。

１番目の上側の樹脂絶縁層５０Ｆと１番目の上側の導体層５８Ｆ上に２番目の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆが形成される。２番目の上側の樹脂絶縁層に２番目の上側のビア導体用の開口が形成される。２番目の上側の樹脂絶縁層の形成方法は、１番目の上側の樹脂絶縁層の形成方法と同様である。２番目の上側の樹脂絶縁層は２番目の上側のビア導体用の開口を有する。２番目の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆは熱硬化タイプの樹脂絶縁層である。
２番目の上側の樹脂絶縁層上に２番目の上側の導体層１５８Ｆが形成される。２番目の上側の導体層の形成方法は、１番目の上側の導体層の形成方法と同様である。
２番目の上側のビア導体用の開口に２番目の上側のビア導体１６０Ｆが形成される。２番目の上側のビア導体の形成方法は、１番目の上側のビア導体の形成方法と同様である。

前の段落に示されている方法と同様な方法で３番目の上側の樹脂絶縁層２５０Ｆと３番目の上側の導体層２５８Ｆと３番目の上側のビア導体２６０Ｆが形成される。

３番目の上側の樹脂絶縁層２５０Ｆと３番目の上側の導体層２５８Ｆ上に４番目の上側の樹脂絶縁層３５０Ｆが形成される。４番目の上側の樹脂絶縁層は光硬化タイプの樹脂絶縁層である。４番目の上側の樹脂絶縁層に露光処理と現像処理により開口７１Ｆ（７１Ｆ１、７１Ｆ２）が形成される（図４（Ａ））。開口７１Ｆにより３番目の上側の導体層が露出される。開口７１Ｆにより露出される導体部分は上側のパッド７６Ｐ（７６Ｐ１、７６Ｐ２）として機能する。また、４番目の樹脂絶縁層は上側のソルダーレジスト層（上側の保護層）３５０Ｆとして機能する。以上のプロセスにより、図４（Ａ）に示される積層体ＬＢが形成される。

接着箇所ＡＰより内側で積層体ＬＢが切断される。切断により１つの積層体から２つの中間の回路基板ＭＣＢが得られる。中間の回路基板ＭＣＢが図４（Ｂ）に示される。中間の回路基板ＭＣＢはコア基板とコア基板の第１面上に形成されている上側の樹脂絶縁層と上側と導体層と上側のビア導体と下側の樹脂絶縁層と金属箔４８Ｓを有する。

一番目の下側の樹脂絶縁層上の金属箔４８Ｓがエッチングにより除去される（図４（Ｃ））。この時、上側のパッドがエッチングで溶解されないように、上側のソルダーレジスト層上に保護フィルムが貼られている。上側のパッドが露出しない。保護フィルムは図に示されていない。また、金属箔４８Ｓの除去により、金属箔の粗面が下側のソルダーレジスト層に転写される。下側のソルダーレジスト層は粗面を有する。

一番目の下側の樹脂絶縁層５０Ｓにレーザで開口７１Ｓが形成される（図４（Ｃ））。金属箔４８Ｓにレーザを照射することで、開口７１が形成されてもよい。開口７１Ｓにより、下側のパッド７１ＳＰが露出される。下側のパッドは第２導体層に含まれる。一番目の下側の樹脂絶縁層５０Ｓは下側のソルダーレジスト層（下側の保護層）として機能する。電子部品の電極８２Ｓを露出する開口７１Ｓを下側のソルダーレジスト層に形成することができる。
上述では、２つの中間の回路基板が分離される前に上側のソルダーレジスト層に開口７１Ｆが形成されている。
２つの中間の回路基板が分離される前に上側のソルダーレジスト層に開口７１Ｆを形成することは必須でない。分離後、一番目の下側の樹脂絶縁層上の金属箔４８Ｓがエッチングにより除去される。その後、上側のソルダーレジスト層と下側のソルダーレジスト層に開口７１Ｆ、７１Ｓが形成される。金属箔４８Ｓがエッチングにより除去される時、上側のパッドを保護するための保護フィルムが不要になる。

上側のパッド７６Ｐ（７６Ｐ１、７６Ｐ２）と下側のパッド７１ＳＰ上に保護膜を形成することができる。開口７１Ｓから露出している電子部品の電極８２Ｓ上に保護膜を形成することができる。保護膜は、パッドや電極の酸化を防止するための膜である。保護膜は、例えば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｐｄ／ＡｕやOＳP（Organic Ｓolderability Preservative）膜で形成される。

上側のパッド上に半田バンプ７６ＦＩ、７６ＦＯが形成される。半田バンプを有するプリント配線板が完成する（図５（Ａ））。半田バンプ７６ＦＩはＣ４パッド７６Ｐ１上に形成されていて、半田バンプ７６ＦＯは第２パッド７６Ｐ２上に形成されている。
図５（Ａ）に示されるプリント配線板は４つの上側の樹脂絶縁層と１つの下側の樹脂絶縁層を有する。

プリント配線板の下側のパッド７１ＳＰに半田バンプ７６Ｓを形成することができる。

プリント配線板の半田バンプ７６ＦＩを介してＩＣチップ９０が実装される。第１のパッケージ基板が完成する。半田バンプ７６ＦＯを介して第２のパッケージ基板１３０が第１のパッケージ基板１２０に搭載される。プリント配線板１０と第２のパッケージ基板１３０との間にモールド樹脂１０２が形成される（図６）。ＰＯＰ基板が完成する。

第１実施形態のプリント配線板の製造方法では、２つの中間基板３００が貼り合わされている。そのため、製造過程で反りが生じ難い。高い精度で導体層を形成することが出来る。上側の樹脂絶縁層の数と下側の樹脂絶縁層の数をそれぞれ必要最小限にすることで、インピーダンスや寄生容量を減らすことができる。

第１実施形態の製造方法によれば、電子部品がコア基板の開口内に下側のソルダーレジスト層で内蔵される。その後、２つの中間基板が貼り合され、コア基板の第１面上に上側の樹脂絶縁層や上側の導体層が形成される。この時、電子部品は下側のソルダーレジスト層で覆われているので、製造過程で電子部品が処理液から保護される。もし、接着箇所のシールドが不十分であり、電子部品が下側のソルダーレジスト層で封止されていないと、処理液が電子部品内蔵用の開口内に侵入するリスクが存在する。第１実施形態の製造方法では、そのようなリスクが無い。

第１実施形態では、上側の樹脂絶縁層や上側の導体層が形成される時、金属箔の粗面を介して下側のソルダーレジスト層と金属箔４８Ｓは強固に接着されている。そのため、上側の樹脂絶縁層の数と下側の樹脂絶縁層の数が異なっても、下側のソルダーレジスト層と金属箔との間で剥がれが発生しない。

[第２実施形態]
図７（Ａ）は第２実施形態のプリント配線板の一部を示す。第１実施形態では、上側の樹脂絶縁層の数は４で下側の樹脂絶縁層の数は１である。それに対し、第２実施形態では、上側の樹脂絶縁層の数は３で下側の樹脂絶縁層の数は２である。それ以外、第１実施形態のプリント配線板と第２実施形態のプリント配線板は同様である。

[第２実施形態のプリント配線板の製造方法]
第２実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図８と図９に示される。
第１実施形態の中間基板３００が準備される。その後、コア基板の第１面Ｆ上に１番目の上側の樹脂絶縁層５０Ｆと銅箔４８Ｆが、順に、積層される（図８（Ａ））。

第１実施形態と同様に、１番目の上側の導体層と１番目の上側のビア導体、１番目の下側の導体層、１番目の下側のビア導体が形成される（図８（Ｂ））。

１番目の上側の導体層と１番目の上側の樹脂絶縁層上に２番目の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆと金属箔５８ＭＦが順に積層される。１番目の下側の導体層と１番目の下側の樹脂絶縁層上に２番目の下側の樹脂絶縁層１５０Ｓと金属箔５８ＭＲが順に積層される（図８（Ｃ））。これらは、同時に行われる。図８（Ｃ）に示される第２実施形態の中間体３０１が完成する。

第２実施形態の中間体３０１が２つ準備される。第２実施形態の中間体３０１の２番目の下側の樹脂絶縁層上の金属箔５８ＭＲが向き合うように、２つの中間体３０１が貼り合される（図９（Ａ））。接着箇所は第１実施形態と同様である。

第１実施形態と同様に、２番目の上側の導体層と２番目の上側のビア導体が形成される。
第１実施形態と同様に、２番目の上側の樹脂絶縁層と２番目の上側の導体層上に３番目の上側の樹脂絶縁層２５０Ｆが形成される。３番目の上側の樹脂絶縁層は第１実施形態と同様に上側のソルダーレジスト層として機能する。その後、第１実施形態と同様に分離が行われる。２番目の下側の樹脂絶縁層上の金属箔５８ＭＲが除去される。２番目の下側の樹脂絶縁層１５０Ｓから下側のソルダーレジスト層が形成される（図７（Ａ））。
第２実施形態では、１番目の下側の樹脂絶縁層と充填剤５０ＳＳは同じ樹脂と同じ無機粒子を含む。
第２実施形態では、１番目の下側の樹脂絶縁層に電子部品の電極に至るビア導体が形成されている。
第１実施形態と第２実施形態では、ＭＳＡＰで導体層が形成されている。ＭＳＡＰでは、シード層として銅箔と銅箔上の化学銅層（無電解銅めっき膜）が用いられる。

上側のパッド上に半田バンプ７６Ｆが形成され、半田バンプを有するプリント配線板が完成する（図７（Ａ））。第２実施形態のプリント配線板にＩＣチップを実装することができる。第２実施形態のプリント配線板は、ＰＯＰ基板の第１のパッケージ基板に用いられる。

[第３実施形態]
図１０（Ａ）は第３実施形態のプリント配線板の一部を示す。
第３実施形態のプリント配線板では、コア基板３０の電子部品８０を収容するための開口２６は、テーパーを有する。それ以外、第３実施形態のプリント配線板と第１実施形態のプリント配線板は同様である。
図１０（Ａ）に示されるように、開口２６は、第２面Ｓから第１面Ｆに向けてテーパーしている。第１面上の開口２６のサイズは第２面上の開口２６のサイズより小さい。開口の側壁は図１０（Ａ）に示されるように、第２面Ｓから第１面に向かってテーパーしている。開口２６のサイズは第２面から第１面に向かって小さくなっている。
コア基板は補強部材を有するので、コア基板の剛性は高い。そのため、コア基板は、コア基板上に形成されている樹脂絶縁層の変形を抑えることができる。
第３実施形態によれば、１番目の上側の樹脂絶縁層とコア基板の第１面との接触面積は、１番目の下側の樹脂絶縁層とコア基板の第２面との接触面積より大きい。
第３実施形態では、コア基板の第１面上の上側の樹脂絶縁層の数はコア基板の第２面上の下側の樹脂絶縁層の数より多い。そのため、上側の樹脂絶縁層がコア基板に与える力は、下側の樹脂絶縁層がコア基板に与える力より大きい。
コア基板の第１面の面積は大きく、コア基板の第１面に働く力は大きい。それに対し、コア基板の第２面の面積は小さく、コア基板の第２面に働く力は小さい。そのため、コア基板の第１面と第２面で単位面積当たりの力が比較されると、両者の差は小さくなる。もしくは、両者は略同等である。従って、コア基板に形成されている電子部品収容用の開口が、第２面から第１面に向かうテーパーを有し、さらに、コア基板の表裏で樹脂絶縁層の数が異なっても、反りの小さなプリント配線板やＰＯＰ基板を提供することができる。電子部品を内蔵するプリント配線板の接続信頼性が高くなる。

[第３実施形態のプリント配線板の製造方法]
第３実施形態では、絶縁基板の第２面側から絶縁基板にレーザを照射することで電子部品収容用の開口２６が形成される。それ以外、第３実施形態の製法は第１実施形態の製法と同様である。
レーザで開口２６が形成されるため、開口の側壁は図１０（Ａ）に示されるように第２面から第１面に向かってテーパーしている。レーザの例はＵＶレーザやＣＯ２レーザである。

各実施形態では、図１０（Ｂ）に示されるように、補強層を貫通しているスルーホール導体に貫通孔の側壁から突出している補強部材が入り込んでいる。入り込んでいる長さは１０μｍから２０μｍである。スルーホール導体が貫通孔の側壁から剥がれない。
各実施形態や各改変例では、コア基板の第１面上にＩＣチップなどの電子部品が搭載される。コア基板の第２面がマザーボードと対向する。

ＮとＫは以下の関係を満足することが好ましい。。
（Ｎ、Ｋ）＝（３，１）、（３、２）、（４、２）
これらの内、Ｎが３であって、Ｋが１であると、プリント配線板の反りが小さくなる。

１０プリント配線板
２０ｚ絶縁基板
２８貫通孔
３０コア基板
５０Ｆ、５０Ｓ樹脂絶縁層
５８Ｆ、５８Ｓ導体層
６０Ｆ、６０Ｓビア導体
８０電子部品
８２電極

Claims

補強層と前記補強層を挟む第１樹脂層と第２樹脂層とで形成されていて、前記第１樹脂層と前記補強層と前記第２樹脂層を貫通する電子部品内蔵用の開口とスルーホール導体用の貫通孔を有するコア材と前記第１樹脂層上に形成されている第１導体層と前記第２樹脂層上に形成されている第２導体層と前記貫通孔に形成され前記第１導体層と前記第２導体層とを接続しているスルーホール導体とからなるコア基板と、
前記電子部品内蔵用の開口に内蔵されている前記電子部品と、
前記コア基板の前記第１樹脂層と前記電子部品上に積層されているＮ層の上側の樹脂絶縁層と、
前記コア基板の前記第２樹脂層と前記電子部品上に積層されているＫ層の下側の樹脂絶縁層と、を有するプリント配線板であって、
前記第１樹脂層の厚みは前記第２樹脂層の厚みより薄く、
前記Ｎは２以上の整数であり、前記Ｋは１以上の整数であって、前記Ｎの数字は前記Ｋの数字より大きく、前記上側の樹脂絶縁層の内、Ｎ番目の上側の樹脂絶縁層は上側の保護層であり、前記下側の樹脂絶縁層の内、Ｋ番目の下側の樹脂絶縁層は下側の保護層である。
請求項１のプリント配線板であって、
前記第１樹脂層は前記補強層と対向する第３面と前記第３面と反対側の第１面を有し、
前記第２樹脂層は前記補強層と対向する第４面と前記第４面と反対側の第２面を有し、
前記開口の側壁は前記第２面から前記第１面に向かってテーパーしている。