JP2001308484A

JP2001308484A - 回路基板及びその製造方法

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Publication number: JP2001308484A
Application number: JP2000122920A
Authority: JP
Inventors: Tsukasa Matsuzawa; 主松沢; Kaoru Hara; 薫原
Original assignee: Eastern Co Ltd
Current assignee: Eastern Co Ltd
Priority date: 2000-04-24
Filing date: 2000-04-24
Publication date: 2001-11-02

Abstract

(57)【要約】【目的】導体パターンの微細化、高密度化を図る上
で、加工コストを低減させしかも電気的接続信頼性の高
い回路基板を提供する。【構成】絶縁樹脂基材１の両面に銅箔層２が形成され
た両面銅張基板３の所要部位に該絶縁樹脂基材１及び銅
箔層２を貫通する貫通孔４が形成され、該貫通孔４の内
壁及び銅箔層２上に貫通孔４の一方側の開口６ａを閉塞
する銅めっき皮膜５が形成され、該銅めっき皮膜５及び
銅箔層２がエッチングされて貫通孔４を閉塞するパッド
部９を含む所要の導体パターン８に形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する利用分野】本発明は、回路基板及びその
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＭＣＭ（マルチチップモジュー
ル）、システムＬＳＩなどの実装基板には、半導体パッ
ケージが高集積化、高密度実装化して基板実装されてい
る。この半導体パッケージ用の回路基板としてＢＧＡ
（Ｂａｌｌ・Ｇｒｉｄ・Ａｒｒａｙ）用の基板やＣＳＰ
（Ｃｈｉｐ・Ｓｉｚｅ・Ｐａｃｋａｇｅ）用の基板など
小型化、薄型化した回路基板が好適に用いられている。

【０００３】上記回路基板が小型化、薄型化するのに伴
い、該回路基板に形成される配線パターンの微細化、回
路基板両面の導体層を接続するスルーホールの小径化な
どが必要になる。また、半導体パッケージの接続端子
は、スルーホール内壁に形成された導体層に接続するパ
ッド部を該スルーホール位置より基板表面に延設して該
パッド部にはんだボールなどの接続端子を接合していた
ため、配線効率が低下する。よって、スルーホールを閉
塞して直下にパッドを設ける（「パッドオンホール」を
形成する）ことによって配線長を短縮できるので、高密
度配線化が実現でき配線効率が高まる。

【０００４】ここで、パッドオンホール構造を有する回
路基板の一例を製造工程と共に説明する。回路基板に貫
通孔を開ける方法としてＮＣドリルによる孔開け方法と
レーザによる孔開け方法がある。

【０００５】先ず、図３（ａ）〜（ｆ）を参照してＮＣ
ドリルによる孔開け方法を用いた回路基板の製造工程に
ついて説明する。図３（ａ）において、エポキシ系、ポ
リイミド系などの絶縁樹脂基材５１の両面に厚さ８〜１
８μｍ程度の銅箔（第１の銅層）５２が貼り合わされた
両面銅張基板５３を用い、図３（ｂ）に示すように所要
位置にＮＣドリルを用いて孔開け加工を行い、絶縁樹脂
基材５１及び銅箔（第１の銅層）５２を貫通するスルー
ホール５４を形成する。このスルーホール５４の孔径は
量産品で２００〜４００μｍ程度である。

【０００６】次に、図３（ｃ）において、両面銅張基板
５３のスルーホール５４の内壁及び銅箔５２上に無電解
銅めっきを行った後、電解銅めっきを行い、銅めっき皮
膜（第２の銅層）５５を形成する。この電解銅めっき皮
膜（第２の銅層）５５により基板両面の導体層の電気的
導通が取られている。そして、図３（ｄ）において、ス
ルーホール５４を閉塞するパッドを直下に形成するた
め、該スルーホール５４に熱硬化性樹脂５６を充填す
る。この熱硬化性樹脂５６としては、スルーホール５４
内のめっき層の接続信頼性を確保するため、エポキシ系
の絶縁性樹脂に銀粉或いは銅粉などを混入された導電性
樹脂を用いても良い。

【０００７】次に、図３（ｅ）において、両面銅張基板
５３の全面に無電解銅めっきを行った後、電解銅めっき
を行い、熱硬化性樹脂５６及び銅めっき皮膜（第２の銅
層）５５の上に銅めっき皮膜（第３の銅層）５７を形成
する。次に、図３（ｆ）において、両面銅張基板５３の
両面に感光性レジストを印刷或いは塗布して予めパター
ン形成されたフォトマスクを重ね合わせて、公知のフォ
トリソグラフィー工程により露光してレジストパターン
を形成した後、エッチングにより不要な導体層（第１〜
第３の銅層）を除去する。そして、感光性レジストを剥
離させて導体パターン５８及び該導体パターン５８に接
続するパッド５９がスルーホール５４を閉塞して直下に
形成される。

【０００８】そして、両面銅張基板５３の両面に形成さ
れた導体パターン５８及びパッド５９間にソルダレジス
トを印刷或いは塗布することにより平坦化し、レジスト
層６０を形成する。これにより、両面の導体パターン５
８どうしが電気的に接続した回路基板６１が形成され
る。この回路基板の製造方法は、例えば特開平８−２３
０４７号公報などに開示されている。

【０００９】次に、図４（ａ）〜（ｆ）にレーザによる
孔開け方法を用いた回路基板の製造工程を説明する。
尚、図２と同一部材には同一番号を付して説明を援用す
る。図４（ａ）において、エポキシ系の絶縁樹脂基材５
１の両面に厚さ８〜３５μｍ程度の銅箔５２ａ、５２ｂ
が貼り合わされた両面銅張基板５３を用い、図４（ｂ）
に示すように、予め所要位置にマスクを重ね合わせて一
方側の銅箔５２ａをエッチングにより除去して直径φ１
５０μｍ程度の円形状のパターンに絶縁樹脂基材５１を
露出させておく。次に、図４（ｃ）において、ＣＯ₂レ
ーザーにより孔開け加工を行い、絶縁樹脂基材５１を除
去して他方側の銅箔５２ｂのみを残して有底状のビア穴
（ブラインドビアホール）６３を形成する。この穴径は
例えば開口側で１００μｍ程度底部側で８０μｍ程度で
ある。尚、図４（ｂ）に示す一方側の銅箔５２ａをエッ
チングにより除去することなく、図４（ｃ）に移行し
て、直接両面銅張基板５３にＣＯ₂レーザーにより孔開
け加工を行い、一方側の銅箔５２ａ及び絶縁樹脂基材５
１を除去して有底状のビア穴（ブラインドビアホール）
６３を形成しても良い。

【００１０】このビア穴（ブラインドビアホール）６３
の穴底には、スミア６４と呼ばれる炭化物が残留する。
このスミア６４が存在すると、後工程で銅めっき皮膜５
５と銅箔５２ｂとの導通不良の原因になったり、銅めっ
き皮膜５５の剥離の要因になったりするため、これを予
め除去する必要がある。図４（ｄ）において、両面銅張
基板５３を薬液（デスミア液）に漬けてスミア６４を除
去する。

【００１１】次に、図４（ｅ）において、両面銅張基板
５３の全面に無電解銅めっきを行った後、電解銅めっき
を行い、ビア穴（ブラインドビアホール）６３の内壁及
び銅箔５２ａ、５２ｂ上に銅めっき皮膜５５を形成す
る。この銅めっき皮膜（ビアホールめっき皮膜）５５に
より基板両面の導体層どうしを電気的に導通させる。次
に、図４（ｆ）において、両面銅張基板５３の両面に感
光性レジストを印刷或いは塗布して予めパターン形成さ
れたフォトマスクを重ね合わせて、公知のフォトリソグ
ラフィー工程により露光してレジストパターンを形成し
た後、エッチングにより不要な導体層（銅箔５２ａ、５
２ｂ及び銅めっき皮膜５５）を除去する。そして、感光
性レジストを剥離させて導体パターン６５及び該導体パ
ターン６５に接続するパッド部６６がビア穴（ブライン
ドビアホール）６３の底部の直下に形成される。

【００１２】そして、両面銅張基板５３の両面に形成さ
れた導体パターン６５及びパッド部６６間にソルダレジ
ストを印刷或いは塗布することにより平坦化しレジスト
層６７を形成する。これにより、両面の導体パターン６
５どうしが電気的に接続した回路基板６８が形成され
る。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】上記各回路基板におけ
る課題について説明する。先ず、ＮＣドリルによる孔開
け方法を用いた回路基板６１の場合、孔径を１５０μ
ｍ、１００μｍと小さくする程加工時間がかかる上に、
スルーホール５４を熱硬化性樹脂５６により孔埋めして
から電解銅めっきを行うため加工コストが上昇する。ま
た、第１の銅層５２の上に２回の電解銅めっきを繰り返
し行い、該第１の銅層５２の上に第２、第３の銅めっき
皮膜５５、５７を厚付けして形成されるため、導体パタ
ーン５８を形成する銅層が厚くなり、回路基板６１の高
密度配線化を図る上で限界がある。

【００１４】また、レーザによる孔開け方法を用いた回
路基板６８の場合、ビア穴（ブラインドビアホール）６
３の穴径はＮＣドリルに比べて小径にできるが、小径に
するほどビア穴（ブラインドビアホール）６３内の液循
環が悪くなる。このため、電解銅めっきを行う場合、ビ
ア穴（ブラインドビアホール）６３の開口側の内壁には
銅めっき皮膜５５のめっき厚を厚くできるが、穴底側の
内壁にはめっき厚を厚く形成できず、めっき厚にむらが
生じてビア穴（ブラインドビアホール）６３の内壁に形
成される導体パターン６５の接続信頼性が低下する。ま
た、穴開け加工において、穴底に生ずるスミア６４を除
去する場合にも、液循環の悪さからスミア６４が完全に
除去できず、導通不良などの要因となるという不具合が
生ずる。

【００１５】本発明の目的は、上記従来技術の課題を解
決し、導体パターンの微細化、高密度化を図る上で、加
工コストを低減させしかも電気的接続信頼性の高い回路
基板及びその製造方法を提供することにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は次の構成を備える。すなわち、回路基板に
おいては、絶縁樹脂基材の両面に導体層が形成された基
板の所要部位に、絶縁樹脂基材及び導体層又は一方の面
若しくは両面の導体層が所要の穴径に除去されて露出し
た絶縁樹脂基材を貫通する貫通孔が形成され、該貫通孔
の内壁及び導体層上に貫通孔の一方側の開口を閉塞する
金属めっき皮膜が形成され、該金属めっき皮膜を含む導
体層がエッチングされて貫通孔を閉塞するパッド部を含
む所要の導体パターンに形成されてなることを特徴とす
る。また、貫通孔の内壁は、パッド部が形成される一方
側の開口が他方側の開口より小径となるようなテーパー
面に形成されていても良い。また、貫通孔を閉塞するパ
ッド部には接続端子が接合されていても良い。

【００１７】また、回路基板の製造方法においては、絶
縁樹脂基材の両面に導体層が形成された基板の所要部位
に、絶縁樹脂基材及び導体層又は表面の一方若しくは両
方の導体層が所要の穴径に除去されて露出した絶縁樹脂
基材を貫通する貫通孔を形成する孔開け工程と、貫通孔
の内壁及び導体層上に貫通孔の一方側の開口を閉塞する
金属めっき皮膜を形成するめっき工程と、金属めっき皮
膜を含む導体層がエッチングされて貫通孔を閉塞するパ
ッド部を含む所要の導体パターンに形成するエッチング
工程と、導体パターン間にレジスト層を形成して平坦化
する工程とを含むことを特徴とする。また、孔開け工程
において、貫通孔の内壁を一方側の開口が他方側の開口
より小径となるようなテーパー面に形成しても良い。ま
た、貫通孔を閉塞するパッド部に接続端子を接合する工
程を含んでいても良い。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について添付図面に基づいて詳細に説明する。図１
（ａ）〜（ｆ）は回路基板の製造工程を示す説明図、図
２（ａ）〜（ｃ）は本実施例と製造条件や製造方法を変
えて製造した比較例に係る回路基板の説明図である。先
ず、回路基板の概略構成について図１（ｆ）を参照して
説明する。絶縁樹脂基材１の両面に銅箔層（導体層）２
が形成された両面銅張基板３が用いられ、該両面銅張基
板３の所要部位に該絶縁樹脂基材１及び銅箔層２を貫通
する貫通孔４が形成され、該貫通孔４の内壁及び銅箔層
２上に貫通孔４の一方側の開口６ａを閉塞する銅めっき
皮膜５が形成され、該銅めっき皮膜５及び銅箔層２（導
体層７）がエッチングされて貫通孔４を閉塞するパッド
部９を含む所要の導体パターン８に形成されている。ま
た、基板両面の導体パターン８間にはソルダレジスト１
０が印刷又は塗布されて平坦化され、回路基板１１が形
成されている。尚、パッド部９には、ニッケル−金めっ
きを介してはんだボール１２が搭載され、リフローする
ことにより接合されていても良い。また、パッド部９と
反対側の導体パターン８（閉塞された貫通孔４の銅めっ
き皮膜形成部位）にはんだボール１２が搭載され、リフ
ローすることにより接合されても良い。

【００１９】次に、回路基板１１の製造方法について図
１（ａ）〜（ｆ）を参照して詳述する。図１（ａ）にお
いて、両面銅張基板３は、エポキシ系の絶縁樹脂基材１
の両面に厚さ５μｍ程度の銅箔が貼り合わされて銅箔層
２が形成されたものが好適に用いられる。この銅箔層２
は、部品コストやハンドリングを考慮して、厚さ１２μ
ｍ程度の銅箔を用いて所望の厚さまでエッチングしたも
のを用いても良い。次に、図１（ｂ）において、両面銅
張基板３の所要部位にＵＶ−ＹＡＧレーザ加工により絶
縁樹脂基材１及び銅箔層２を貫通する貫通孔４を形成す
る。ＵＶ−ＹＡＧレーザ加工は比較的小径の孔開け加工
に適している。この貫通孔４の内壁は、後述する製造工
程でめっき液による貫通孔４の閉塞が孔の途中で起こる
のを防止するため、或いはめっき液による貫通孔４の閉
塞が孔の途中で複数箇所に起こるのを防止するため、パ
ッド部９が形成される一方側の開口６ａが他方側の開口
６ｂより小径となるようなテーパー面１３に形成されて
いるのが好ましい。貫通孔４の孔径は、本実施例では一
方側（パッド形成面側）の開口６ａは２５μｍ、他方側
の開口６ｂが５０μｍに形成されている。

【００２０】次に、図１（ｃ）において、両面銅張基板
３の全面に無電解銅めっきを行った後、電解銅めっきを
行って、貫通孔４の内壁及び銅箔層２上に銅めっき皮膜
５を形成する。このとき、貫通孔４の一方側の開口６ａ
を金属めっき皮膜５により閉塞して該貫通孔４の内壁に
銅めっき皮膜５が形成される（ビアホールめっき）。ま
た、貫通孔４の内壁は、小径の一方側（図１（ｃ）の下
部側）の内壁においても電解銅めっき液の循環が良いた
め、貫通孔４の内壁全面に銅めっき皮膜５をむらなく形
成できる。尚、一方側の開口６ａを電解銅めっき皮膜５
により確実に閉塞するには、該開口６ａの孔径は銅めっ
き皮膜５の厚さの１倍〜３倍程度に形成されているのが
望ましい。この銅めっき皮膜５により、基板両面に形成
された導体層７どうしを電気的に導通させる。この銅め
っき皮膜５の厚さは任意に形成可能であるが、本実施例
では貫通孔４の内壁（ビアホール内壁）の接続信頼性を
考慮して厚さ１３μｍ程度に形成する。

【００２１】次に、図１（ｄ）において、この基板の両
面に感光性レジストを印刷或いは塗布して予めパターン
形成されたフォトマスクを重ね合わせて、公知のフォト
リソグラフィー工程により露光してレジストパターンを
形成した後、エッチングにより不要な導体層７（銅めっ
き皮膜５及び銅箔層２）を除去する。そして、感光性レ
ジストを剥離させて貫通孔４を閉塞するパッド部９を含
む所要の導体パターン８が形成される。

【００２２】次に、図１（ｅ）において、基板両面に形
成された導体パターン８間にソルダレジスト１０を印刷
或いは塗布することにより平坦化し、両面の導体パター
ン８どうしが電気的に接続した回路基板１１が形成され
る。また、図１（ｆ）に示すように貫通孔４の直下に形
成されたパッド部９には、予めニッケル−金めっきが施
された後、接続端子としてはんだボール１２が搭載さ
れ、リフローすることにより接合されていても良い。ま
た、パッド部９と反対側の導体パターン８（閉塞された
貫通孔４の銅めっき皮膜形成部位）にはんだボール１２
が搭載され、リフローすることにより接合されても良
い。

【００２３】ここで、図１に示す回路基板（本実施例）
と図２（ａ）〜（ｃ）に示す回路基板（比較例１〜３）
とで製造条件や製造方法を変えて製造した結果を例示す
る。［本実施例］：両面銅張基板３の板厚；０．０６ｍｍ、
銅箔層２の厚さ；５μｍ、ＵＶ−ＹＡＧレーザを照射し
て孔開けした貫通孔４の孔径；５０μｍ（図１（ｄ）上
部側）、２５μｍ（図１（ｄ）下部側）、基板全面に無
電解銅めっきを行った後、電解銅めっきを行い、銅めっ
き皮膜５により貫通孔４の一方側の開口６ａを閉塞し
た。電解銅めっき厚（基板表面）；１３μｍ（図１
（ｄ）参照）。

【００２４】［比較例１］：両面銅張基板３の板厚；
０．０６ｍｍ、銅箔層２の厚さ；１２μｍ、ＵＶ−ＹＡ
Ｇレーザを照射して形成した有底状のビア穴（ブライン
ドビアホール）１４の穴径；５０μｍ（図２（ａ）上部
側）、２０μｍ（図２（ａ）下部側）、基板全面に無電
解銅めっきを行った後、電解銅めっきを行い、銅めっき
皮膜５を形成した。電解銅めっき厚（基板表面）；１３
μｍ（図２（ａ）参照）。

【００２５】［比較例２］：両面銅張基板３の板厚；
０．０６ｍｍ、銅箔層２の厚さ；１８μｍ、一方の銅箔
層２をφ１５０μｍの円形にエッチングして除去した部
位にＣＯ₂レーザを照射して形成した有底状のビア穴
（ブラインドビアホール）１４の穴径；１００μｍ（図
２（ｂ）上部側）、８０μｍ（図２（ｂ）下部側）、穴
底のスミア１５を薬液で除去した後、基板全面に無電解
銅めっきを行った後、電解銅めっきを行い、銅めっき皮
膜５を形成した。電解銅めっき厚（基板表面）；１３μ
ｍ（図２（ｂ）参照）。

【００２６】［比較例３］：両面銅張基板３の板厚；
０．０６ｍｍ、銅箔層２の厚さ；５μｍ、ＮＣドリルで
孔開けした貫通孔４の孔径；１００μｍ、基板全面に無
電解銅めっきを行った後、電解銅めっきを行って銅めっ
き皮膜５を形成した後、めっき孔１６に熱硬化性樹脂１
７を充填し、樹脂充填後基板全面に再度無電解銅めっき
を行った後、電解銅めっきを行って銅めっき皮膜を形成
した。１回目の電解銅めっき厚（基板表面）；１３μ
ｍ、（図２（ｃ）参照）。

【００２７】本実施例及び比較例１〜３に示す回路基板
の表面導体パターン８の導体厚（銅厚）とビア内壁１８
の銅めっき厚（ビア中央部めっき厚）との比較を以下に
示す。表面銅厚（μｍ）ビア内壁銅めっき厚（μｍ）本実施例：１８１１（ビア中央部めっき厚）比較例１：２５３（ビア中央部めっき厚）比較例２：３１７（ビア中央部めっき厚）比較例３：３１１３（ビア中央部めっき厚）

【００２８】比較例１は、図２（ａ）に示すように、ビ
ア穴１４の穴底側のビア内壁１８に銅めっき皮膜５が付
いていないビアが確認された。比較例２は、図２（ｂ）
に示すように、ビア穴１４の穴底の銅箔層２と銅めっき
皮膜５との間にスミア１５が残留するビア穴１４が確認
された。比較例３は、ビア内壁１８のめっき厚は本実施
例と同程度に形成できるが、表面導体パターン８の表面
銅厚が厚いため、高密度配線パターンの形成が困難であ
ることが確認された。これに対して、本実施例は、図１
（ｄ）に示すように、比較例１〜３に比べて表面銅厚が
小さく、しかもビア内壁１８のめっき厚も表面銅厚と同
程度の厚さに形成できることが確認された。また、ビア
内壁１８に銅めっきが付いていないビアは存在しなかっ
た。

【００２９】本実施例の回路基板及びその製造方法を用
いれば、孔径１００μｍ以下の微小な貫通孔４の一方側
の開口６ａを銅めっき皮膜５により閉塞してパッド４を
含む導体パターン８に形成できるので、回路基板１１の
高密度配線化を実現すると共に加工コストを削減して安
価に大量生産できる。また、ビア内壁１８に銅めっき皮
膜５を確実に形成して電気的接続信頼性の高い回路基板
１１を提供できる。また、貫通孔４は、一方側の銅箔層
２を残した有底状のビア穴（ブラインドビアホール）１
４に比べて、１００μｍ以下の小径な貫通孔４であって
も液循環が良いため、該貫通孔４の内壁に銅めっき皮膜
５をむらなく確実に形成できる。また、電解銅めっきを
１回行うだけで済むため、銅めっき厚を抑えて微細な導
体パターン８を形成できる。また、両面銅張基板３に貫
通孔４を形成した後、銅めっき皮膜５により一方側の開
口６ａを閉塞することにより、ＣＯ₂レーザにより両面
銅張基板３に一方側の銅箔層２を残した有底状のビア穴
（ブラインドビアホール）１４を形成した後、銅めっき
皮膜５を形成する場合に比べて、穴底にスミア１５が生
ずることがないため、電気的接続信頼性が高く、製造工
程も簡略化できる。

【００３０】本実施例は、単層回路基板について説明し
たが、複数の回路基板１１をプリプレグ（導電性樹脂）
を介して重ね合わせて積層プレスすることにより、多層
回路基板を形成することも可能である。

【００３１】以上、本発明の好適な実施例を挙げて種々
説明したが、本発明は上記各実施例に限定されるもので
なく、銅箔層２の厚さ、貫通孔４の孔径や銅めっき皮膜
５の厚さは適宜変更可能である。また、両面銅張基板３
に貫通孔４を形成するのに使用するレーザの種類は、Ｕ
Ｖ−ＹＡＧレーザの他にＣＯ₂レーザを用いても良い。
この場合、ＣＯ₂レーザを用いて絶縁樹脂基材１及び銅
箔層２を貫通する貫通孔４を形成しても良いが、両面銅
張基板３の一方の面若しくは両面の銅箔層２が所要の穴
径に除去されて露出した絶縁樹脂基材１を貫通する貫通
孔４を形成しても良い等、発明の精神を逸脱しない範囲
内で多くの改変を施し得ることはもちろんである。

【００３２】

【発明の効果】本発明の回路基板及びその製造方法によ
れば、孔径１００μｍ以下の微小な貫通孔の一方側の開
口を金属めっき皮膜により閉塞してパッドを含む導体パ
ターンに形成できるので、回路基板の高密度配線化を実
現すると共に加工コストを削減して安価に大量生産でき
る。また、ビア内壁に金属めっき皮膜を確実に形成して
電気的接続信頼性の高い回路基板を提供できる。また、
貫通孔は、１００μｍ以下の小径であっても液循環が良
いため、該貫通孔の内壁に金属めっき皮膜をむらなく確
実に形成できる。また、金属めっきを１回行うだけで済
むため、めっき厚を抑えて微細な導体パターンを形成で
きる。また、基板に貫通孔を形成した後、金属めっき皮
膜により一方側の開口を閉塞することにより、ＣＯ₂レ
ーザにより基板に一方側の導体層を残した有底状のビア
穴（ブラインドビアホール）を形成した後、金属めっき
皮膜を形成する場合に比べて、穴底にスミアが生ずるこ
とがないため、電気的接続信頼性が高く、製造工程も簡
略化できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】回路基板の製造工程を示す説明図である。

【図２】本実施例と製造条件や製造方法を変えて製造し
た比較例に係る回路基板の説明図である。

【図３】従来の回路基板の製造工程を示す説明図であ
る。

【図４】従来の回路基板の製造工程を示す説明図であ
る。

【符号の説明】

１絶縁樹脂基材２銅箔層３両面銅張基板４貫通孔５銅めっき皮膜６ａ、６ｂ開口７導体層８導体パターン９パッド部１０ソルダレジスト１１回路基板１２はんだボール１３テーパー面１４ビア穴１５スミア１６めっき孔１７熱硬化性樹脂１８ビア内壁

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁樹脂基材の両面に導体層が形成され
た基板の所要部位に、前記絶縁樹脂基材及び導体層又は
一方の面若しくは両面の前記導体層が所要の穴径に除去
されて露出した前記絶縁樹脂基材を貫通する貫通孔が形
成され、該貫通孔の内壁及び前記導体層上に前記貫通孔
の一方側の開口を閉塞する金属めっき皮膜が形成され、
該金属めっき皮膜を含む前記導体層がエッチングされて
前記貫通孔を閉塞するパッド部を含む所要の導体パター
ンに形成されてなることを特徴とする回路基板。
【請求項２】前記貫通孔の内壁は、前記パッド部が形
成される一方側の開口が他方側の開口より小径となるよ
うなテーパー面に形成されていることを特徴とする請求
項１記載の回路基板。
【請求項３】前記貫通孔を閉塞するパッド部には、接
続端子が接合されていることを特徴とする請求項１又は
２記載の回路基板。
【請求項４】絶縁樹脂基材の両面に導体層が形成され
た基板の所要部位に、前記絶縁樹脂基材及び導体層又は
表面の一方若しくは両方の前記導体層が所要の穴径に除
去されて露出した前記絶縁樹脂基材を貫通する貫通孔を
形成する孔開け工程と、前記貫通孔の内壁及び導体層上に前記貫通孔の一方側の
開口を閉塞する金属めっき皮膜を形成するめっき工程
と、前記金属めっき皮膜を含む前記導体層がエッチングされ
て前記貫通孔を閉塞するパッド部を含む所要の導体パタ
ーンに形成するエッチング工程と、前記導体パターン間にレジスト層を形成して平坦化する
工程とを含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項５】前記孔開け工程において、前記貫通孔の
内壁を一方側の開口が他方側の開口より小径となるよう
なテーパー面に形成することを特徴とする請求項４記載
の回路基板の製造方法。
【請求項６】前記貫通孔を閉塞するパッド部に接続端
子を接合する工程を含むことを特徴とする請求項４又は
５記載の回路基板の製造方法。