JP2002232102A - 配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ガラスクロスを含む基板とその表・裏面間を貫
通するスルーホール導体との密着が取れると共に、かか
るスルーホール導体の電気的特性が安定する配線基板を
提供する。 【解決手段】表面４および裏面５を有し且つガラス繊維
３を含む絶縁性の基板２と、この基板２における表面４
と裏面５との間を貫通するスルーホール６と、このスル
ーホール６の内壁に沿って形成されるスルーホール導体
８と、を含み、上記基板２に含まれるガラス繊維３は、
上記スルーホール導体８を形成する金属メッキ層内に進
入している、配線基板１。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板の表・裏面に
それぞれ形成した配線層の間を接続するスルーホール導
体を有する配線基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、配線基板は、絶縁性の基板(コ
ア基板)にその表・裏面間を貫通するスルーホール内に
形成したスルーホール導体を介して、上記基板の表面お
よび裏面にそれぞれ形成した配線層の間を接続してい
る。上記基板には、例えばガラス繊維を含むエポキシ系
樹脂からなるガラス−樹脂系の複合材が用いられてい
る。ところで、上記のような基板の表・裏面間に形成し
たスルーホールの内壁に沿って、銅メッキなどによりス
ルーホール導体を形成する際、その周囲に位置するガラ
ス繊維は、スルーホール導体の銅メッキ層内に進入して
いない。

【０００３】上記基板に含まれているガラス繊維がスル
ーホール導体に進入しないため、当該基板とスルーホー
ル導体との密着性が不足し、かかるスルーホール導体に
おける導通性などの電気的特性が低下するため、これを
含む配線基板の信頼性を損なう、という問題があった。
特に、基板本体の厚みが薄くなる場合には、上記密着性
不足による問題が顕著であった。

【０００４】

【発明が解決すべき課題】本発明は、以上に説明した従
来の技術における問題点を解決し、ガラス繊維を含む基
板とその表・裏面間を貫通するスルーホール導体との密
着が図れると共に、かかるスルーホール導体の電気的特
性が安定する配線基板を提供する、ことを課題とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、基板に含まれるガラス繊維をスルーホール
導体への進入させる、ことに着想して成されたものであ
る。即ち、本発明の配線基板は、表面および裏面を有し
且つガラス繊維を含む基板と、上記基板における表面と
裏面との間を貫通するスルーホールと、このスルーホー
ルの内壁に沿って形成されるスルーホール導体と、を含
み、上記基板に含まれるガラス繊維は、上記スルーホー
ル導体を形成する金属メッキ層内に進入している、こと
を特徴とする。

【０００６】これによれば、基板とこれを貫通するスル
ーホール導体との界面に、かかる界面を貫通してガラス
繊維が位置するため、基板とスルーホール導体とを確実
に密着させることができる。また、ガラス繊維は、スル
ーホール導体を形成する金属メッキ層を貫通しないた
め、かかるスルーホール導体を金属メッキにより形成す
る際に、その周囲の基板中への導電性(メッキ)成分の浸
透を抑制できる。これにより、隣接するスルーホール導
体間のショートを防止することも容易となる。更に、当
該スルーホール導体における電気抵抗の増大を抑制する
こともできる。この結果、かかるスルーホール導体を介
して、基板の表・裏面にそれぞれ形成される配線層間や
これらの上方に形成されるビルドアップ層内の配線層同
士間の導通を確実に取ることができる。従って、全体が
小型且つ薄肉であって高密度の配線を有する配線基板と
することが容易となる。

【０００７】尚、本明細書において、基板とは、単一の
絶縁層あるいは絶縁層と配線層とを交互に積層した多層
基板の何れかを指す。また、ガラス繊維は基板の絶縁層
に混入されており、かかるガラス繊維には、ガラス繊維
を織り上げた織布または不織布の他、ガラス繊維のラン
ダムな集合体も含まれる。更に、かかるガラス繊維にお
けるガラスには、Ｅガラス、Ｄガラス、Ｑガラス、Ｓガ
ラスの何れか、またはこれらのうちの２種類以上を併用
したものが含まれる。

【０００８】また、前記ガラス繊維は、前記スルーホー
ル導体の金属メッキ層に対し、かかるメッキ層の厚みの
２０〜６０％の範囲内で進入している、配線基板も本発
明に含まれる。これによれば、スルーホール導体を形成
する金属メッキ層に対するガラス繊維の進入程度が規制
されるため、前述した基板とスルーホール導体との密着
性が一層確実に得られ、且つスルーホール導体の電気抵
抗の増加も確実に抑制できる共に、隣接するスルーホー
ル導体間のショートも確実に予防することが可能とな
る。

【０００９】尚、ガラス繊維の上記メッキ層に対する進
入割合が２０％未満になると、基板とスルーホール導体
との密着性が不足するおそれがある。一方、上記進入割
合が６０％を越えると、導電性(メッキ)成分がガラス繊
維と絶縁層の樹脂との間からしみ込み易くなるため、隣
接するスルーホール導体間でショートするおそれが生
じ、且つ各スルーホール導体の抵抗が増加するおそれが
生じる。これらを防ぐため、上記の範囲に規制したもの
である。

【００１０】更に、前記スルーホールの内壁は、溶融固
着層となっている、配線基板も本発明に含まれる。尚、
前記スルーホールは、レーザ加工により形成され且つそ
の内壁が溶融固着層となっている、配線基板とすること
も可能である。これによれば、スルーホールの内壁は、
(レーザにより)基板中の樹脂が一旦溶けた状態となり、
その後で固まった状態、即ち溶融固着層(導体浸透防止
層)である。このため、基板に含まれているガラス繊維
は、スルーホール内壁の溶融固着層を貫通することが抑
制されるため、かかるスルーホールに沿って形成される
スルーホール導体への進入がその外周寄りの位置に制限
され易くなる。尚、上記溶融固着層のスルーホールに径
方向における厚みは、０．５μｍ以上で且つ５．０μｍ
以下の範囲が望ましい。かかる厚みが０．５μｍ未満で
は、導電性成分の浸透を防止する効果が小さくなり、
５．０μｍよりも厚くなると、かかる溶融固着層と基板
との密着力が低下する不具合を生じるためである。

【００１１】従って、スルーホールの内壁に沿って形成
されるスルーホール導体の導電性成分が基板中に浸透す
る事態を抑制できるため、高密度で配置され且つ互いに
隣接するスルーホール導体同士の間におけるショートを
一層確実に防止できると共に、当該基板とスルーホール
導体との密着性も確保することができる。尚、上記レー
ザには、炭酸ガスレーザ、ＹＡＧレーザ、エキシマレー
ザ、あるいは半導体レーザなどが含まれる。また、スル
ーホールの形成方法には、上記レーザの他、ドリルを用
いても良い。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下において本発明の実施に好適
な形態を図面と共に説明する。図１(Ａ)は、本発明によ
る１形態の配線基板１の主要部を示す断面図である。配
線基板１は、図１(Ａ)に示すように、絶縁性の基板(コ
ア基板)２と、当該基板２の表面４上に形成した銅製の
配線層１０，１６，２２およびエポキシ系の樹脂絶縁層
１２，１８，２４と、基板２の裏面５下に形成した配線
層１１，１７，２３および樹脂絶縁層１３，１９，２５
とを有する。基板２は、平面視が略正方形で厚みＴが５
００μｍ未満、例えば４００μｍであり、ガラス−エポ
キシ樹脂からなるシート状の絶縁材(絶縁層)である。

【００１３】上記エポキシ樹脂中には、図１(Ｃ)に拡大
して示すように、線径が５〜１５μｍ、例えば７μｍの
ガラス繊維(ガラス繊維を縦・横に織り込んだ織布)３が
混入されている。即ち、基板２は、ガラス繊維３にエポ
キシ樹脂を含浸して硬化したものである。尚、ガラス繊
維３は、図１(Ｃ)に示すように、その配合形態や製造時
に受ける圧力などにより基板本体２の平面方向にほぼ沿
った方向でエポキシ樹脂中に埋設されている。また、基
板２の表面４上方の配線層１６，２２と絶縁層１２，１
８，２４とは、ビルドアップ層ＢＵ１を構成し、裏面５
下方の配線層１７，２３と絶縁層１３，１９，２５と
は、ビルドアップ層ＢＵ２を構成する。配線層１６など
の厚みは約１５μｍ程度であり、絶縁層１２などの厚み
は約３０μｍ程度である。

【００１４】図１(Ａ)，(Ｂ)に示すように、基板２に
は、その表面４と裏面５との間を貫通する断面円形で複
数のスルーホール６，６が形成され、それらの内壁はレ
ーザにより一旦溶けた後で凝固した溶融固着層となって
いる。各スルーホール６の直径Ｄは、５０μｍ以上で且
つ１５０μｍ未満、例えば９５μｍであり、隣接するス
ルーホール６，６の内壁間距離Ｓは、５０μｍ以上、例
えば１００μｍと設定されている。更に、隣接するスル
ーホール６，６の中心間距離Ｌは、１５０μｍ以上で且
つ５００μｍ以下(より好ましくは３００μｍ以下)、例
えば２５０μｍとされている。

【００１５】図１(Ａ)〜(Ｃ)に示すように、各スルーホ
ール６には、それらの内壁に沿って、断面がほぼ円形で
内側に充填樹脂９を充填した全体がほぼ円筒形のスルー
ホール導体８が個別に形成されている。かかるスルーホ
ール導体８は、厚さ約１０〜数１０μｍの銅メッキ層か
らなり、それらの上下端で基板２の表・裏面４，５に位
置する配線層１２，１３と接続される。更に、図１(Ｃ)
に示すように、スルーホール導体８を形成する銅メッキ
層の外周側には、基板２に予め含まれているガラス繊維
３が進入している。

【００１６】かかるガラス繊維３は、スルーホール６を
前記レーザによって穿孔する際に溶け残った端部であ
り、スルーホール導体８の銅メッキ層に対し、その外周
側から当該メッキ層の厚みの２０〜６０％の範囲内で進
入している。このようなスルーホール導体８へのガラス
繊維３の進入により、基板２と各スルーホール導体８と
の密着性が確保される。また、かかるスルーホール導体
８における抵抗の増加も抑制できる。更に、銅メッキ時
の銅成分を含むメッキ液の基板２中への浸透も抑制され
るので、隣接するスルーホール導体８，８間のショート
も確実に予防することが可能となる。

【００１７】図１(Ａ)に示すように、ビルドアップ層Ｂ
Ｕ１の樹脂絶縁層１２，１８には、配線層１０，１６，
２２間を接続するビア導体(フィルドビア)１４，２０が
形成されている。最上層の絶縁層(ソルダーレジスト層)
２４には、これを貫通し且つ配線層２２(パッド)上に位
置する、例えばＳｎ−Ａｇからなる複数のハンダバンプ
２８が第１主面２６、即ち配線基板１の表面よりも高く
突出して形成されている。各バンプ２８は、第１主面２
６上に搭載される図示しないＩＣチップ(半導体素子)な
どの電子部品の端子と個別に接続される。ビルドアップ
層ＢＵ１における最上層の配線層２２において、第１主
面２６側に露出する部分をパッドと称し、その上にソル
ダーレジスト層２４がある場合には、当該レジスト層２
４に設けた開口部から露出する部分をパッドと称する。
かかるパッドの直径は１００μｍ以下、例えば８５μｍ
とされ、且つ隣接するパッド間の中心間距離は１５０μ
ｍ以下、例えば１００μｍに設定される。

【００１８】図１に示すように、ビルドアップ層ＢＵ２
には、配線層１１，１７，２３間を接続するビア導体
(フィルドビア)１５，２１が樹脂絶縁層１３，１９に形
成されている。また、最下層の絶縁層(ソルダーレジス
ト層)２５には、第２主面２５ａ側に開口する凹部２７
が形成され、かかる凹部２７内に配線層２３から延びて
露出する配線２９は、その表面にＮｉおよびＡｕメッキ
が被覆され、当該配線基板１自体を搭載する図示しない
マザーボードなどとの接続端子として活用される。

【００１９】以上のように、配線基板１では、基板２の
表・裏面４，５間を貫通する複数のスルーホール導体８
において、その外周側から各スルーホール導体８を形成
する銅メッキ層の厚みの２０〜６０％の範囲内で、ガラ
ス繊維３が進入している。このため、基板２と各スルー
ホール導体８との密着性が確保されると共に、各スルー
ホール導体８における抵抗の増加も抑制できる。また、
スルーホール導体８を銅メッキにより形成する際に、銅
成分がガラス繊維３を伝わって基板２中へ浸透する事態
も抑制されるので、隣接するスルーホール導体８，８間
のショートも確実に予防することができる。これによ
り、スルーホール導体８を介して、基板２の表・裏面
４，５に形成された配線層１０，１１間やこれらの上方
に形成されるビルドアップ層ＢＵ１，ＢＵ２内の配線層
１６，１７間などの導通を確実に取ることができる。従
って、小型且つ薄肉で高密度の配線を有する配線基板１
とすることができ、特に基板２が５００μｍ以下に薄肉
化された場合に有効である。

【００２０】図２〜図３は、前記配線基板１の製造方法
における主要な工程に関する。尚、図２〜図３では、基
板２などの厚さを図１(Ａ)に比べて便宜上圧縮してあ
る。図２(Ａ)に示すように、表・裏面４，５に厚み１８
μｍの銅箔２ａ，２ｂが貼り付けられ、且つ多数のガラ
ス繊維(ガラスクロス)３を含む、厚みＴが４００μｍの
ガラスーエポキシ樹脂からなる基板２を用意する。先
ず、図２(Ａ)に示すように、基板２の表面４における所
定の位置に対し、炭酸ガス(ＣＯ_２)レーザＬｓ，Ｌｓを
ほぼ垂直に照射する。この結果、図２(Ｂ)に示すよう
に、基板２における所定の位置には、その表・裏面４，
５間を貫通し且つ直径Ｄが９５μｍのスルーホール６が
複数穿孔される。

【００２１】各スルーホール６の内壁は、上記レーザＬ
ｓにより一旦溶けた後で凝固した状態となるため、基板
２の当初のマトリックス部分に比べて緻密な組織である
溶融固着層(導電性成分浸透抑止層)が形成される。この
ため、基板２に予め含まれているガラス繊維３は、レー
ザＬｓにより溶断されると共に、溶け残ったガラス繊維
３の端部のみがスルーホール６の内壁に露出する。これ
により、かかる内壁に追って施す銅メッキにより形成さ
れるスルーホール導体８と基板２とを密着でき、上記導
体８の剥離を防ぐことができる。また、隣接するスルー
ホール６，６の内壁間距離Ｓは１５５μｍに設定され、
且つ中心間距離Ｌは２５０μｍに設定される。尚、各ス
ルーホール６は、表面４側から裏面５側に向けて縮径す
るテーパ形状となるが、基板２が薄肉であるため、当該
テーパの影響を小さくできる。

【００２２】次に、スルーホール６，６内に予めＰｄな
どのメッキ用触媒を付着して無電解銅メッキを施した
後、基板２の銅箔２ａ，２ｂを含めて電解銅メッキを施
す。この結果、図２(Ｃ)に示すように、スルーホール
６，６内にほぼ円筒形で且つ基板２の表・裏面４，５間
に延びるスルーホール導体８，８が形成される。この
際、各スルーホール導体８の銅メッキ層には、その外周
側からガラス繊維３が当該メッキ層の厚みの２０〜６０
％の範囲で進入する。また、各スルーホール導体８の周
囲から、上記銅メッキ時の銅成分が基板２中にしみ出そ
うとする。しかしながら、スルーホール６の内壁が前記
レーザＬｓにより溶融固着層となっており、且つガラス
繊維３の上記銅メッキ層への進入が制限されていること
に起因して、メッキ時における上記銅成分の基板２中に
しみ出しを、当該スルーホール導体８の径方向で数１０
μｍ以下の厚みに抑制し得る。

【００２３】次いで、スルーホール導体８，８内側の各
中空部には、図示しないスキージおよびメタルマスクを
用い、無機フィラ入りのエポキシ樹脂からなる樹脂ペー
ストが印刷・充填され、図３(Ａ)に示すように、充填樹
脂９が穴埋め・充填される。更に、所定パターンの図示
しないエッチングレジストを表・裏面４，５の銅箔２
ａ，２ｂを含む銅メッキ層上における所定の位置に形成
した後、エッチング液(亜硫酸ナトリウム、濃硫酸、塩
化第２鉄、塩化第２銅など)によりエッチングを施す。

【００２４】上記エッチング後に前記レジストを剥離す
ると、図３(Ｂ)に示すように、基板２の表面４上と裏面
５下には、前記レジストに倣った所定パターンの配線層
１０，１１が形成される。同時に、配線層１０，１１
は、スルーホール導体８，８の上・下端と接続されるた
め、これらを介して互いに導通可能となる。次に、図３
(Ｃ)に示すように、配線層１０，１１の上／下に、エポ
キシ樹脂のフィルムを熱圧着により貼り付けて樹脂絶縁
層１２，１３を形成する。かかる樹脂絶縁層１２，１３
における所定の位置には、フォトリソグラフィ技術など
により底面に配線層１０，１１が露出するビアホール１
２ａ，１３ａが形成され、且つこれらに前記ビア導体１
４，１５が充填・形成される。

【００２５】これ以降は、配線層１６，２２，１７，２
３、樹脂絶縁層１８，２４，１９，２５、および、ビア
導体２０，２１からなるビルドアップ層ＢＵ１，ＢＵ２
を、公知のビルドアップ工程(セミアディティブ法、フ
ルアディティブ法、サブトラクティブ法、フィルム状樹
脂材料のラミネートによる樹脂絶縁層の形成、フォトリ
ソグラフィ技術、レーザ加工によるビアホールの穿孔な
ど)により形成する。これにより、前記図１(Ａ)〜(Ｃ)
に示した配線基板１を得ることができる。

【００２６】以上のような配線基板１の製造方法によれ
ば、薄肉の基板２に対しレーザＬｓを用いて内壁が溶融
固着層であるスルーホール６を形成し、その内壁に沿っ
てスルーホール導体８を銅メッキで形成した際に、基板
２中のガラス繊維３を銅メッキ層内の進入させることが
できる。これにより、スルーホール導体８と基板２との
密着が確保でき、且つスルーホール導体８における電気
抵抗の増加も抑制でき、その電気的特性を安定化させる
ことができる。しかも、隣接するスルーホール６，６の
内壁間距離Ｓを４００μｍ以下で且つ中心間距離Ｌを１
５０μｍ以上にして、隣接するスルーホール導体８，８
を、ショートさせることなく基板２に高密度で形成する
こともできる。従って、配線の高密度化が容易な配線基
板１を確実に提供することができる。尚、前記充填樹脂
９の穴埋め充填は、樹脂絶縁層１２，１３を形成する
際、エポキシ樹脂フィルムの熱圧着と同時に、スルーホ
ール導体８，８の内側の各中空部を上記エポキシ樹脂に
より穴埋め充填しても良い。この方法は、基板２が薄肉
の場合に適用可能であり、別途に穴埋め工程を必要とし
ないため、低コストで製造することが可能となる。

【００２７】図４(Ａ)は本発明の異なる形態の配線基板
３０における主要部の断面を示す。配線基板３０は、図
４(Ａ)に示すように、多層基板の基板３１と、かかる基
板３１の表面４２ａの上方に形成した銅製の配線層４
４，５０およびガラスフィラを含むエポキシ系の樹脂絶
縁層４６，５２と、基板３１の裏面４３ａの下方に形成
した銅製の配線層４５，５１およびガラスフィラを含む
樹脂絶縁層４７，５３とを有する。基板３１は、図４
(Ａ)に示すように、コア基板(絶縁層)３２と、その表・
裏面３４，３５上に形成した配線層４０，４１と、これ
らの上に形成した絶縁層４２，４３とからなる多層基板
である。コア基板３２は、平面視が略正方形で且つ厚み
Ｔが５００μｍ以下であり、図４(Ｂ)に拡大して示すよ
うに、多数のガラス繊維(ガラスクロス)３３を平面方向
にほぼ沿って含むエポキシ樹脂からなる絶縁板である。
また、配線層４０，４１は、厚さ１０数μｍの銅メッキ
層であり、絶縁層４２，４３は、ガラス繊維３３やシリ
カフィラなどの無機フィラを含む厚さ数１０μｍのエポ
キシ系樹脂からなる。

【００２８】以上のような基板３１は、コア基板３２の
表・裏面３４，３５にベタ状の配線層４０，４１を形成
した後、その上にエポキシ樹脂のフィルムを熱圧着によ
り貼り付けて絶縁層４２，４３を形成して多層基板とし
たもので、絶縁層４２，４３の上に所定パターンの配線
層４４，４５が更に形成される。尚、基板３１の表面４
２ａ上方の配線層５０および樹脂絶縁層４６，５２は、
ビルドアップ層ＢＵ３を構成し、基板３１の裏面４３ａ
下方の配線層５１および樹脂絶縁層４７，５３は、ビル
ドアップ層ＢＵ４を構成している。

【００２９】図４(Ａ)に示すように、コア基板３２、絶
縁層４２，４３、および配線層４０，４１を含む多層基
板の基板３１には、その表・裏面４２ａ，４３ａの間を
貫通する複数のスルーホール３６が前記同様のレーザ加
工により形成されている。各スルーホール３６の内壁
は、前記レーザＬｓにより一旦溶けた後で凝固した溶融
固着層(導電性成分浸透抑止層)となっている。かかるス
ルーホール３６に沿って、図４(Ａ)に示すように、断面
がほぼ円形で且つ内部に充填樹脂３９を充填した全体が
ほぼ円筒形のスルーホール導体３８が個別に形成されて
いる。尚、スルーホール３６の直径Ｄは、例えば１００
μｍであり、隣接するスルーホール３６，３６の内壁間
距離Ｓは、５００μｍ以下の例えば４００μｍで、且つ
中心間距離Ｌは、１５０μｍ以上で且つ５００μｍ以
下、例えば５００μｍに設定されている。

【００３０】また、スルーホール導体３８は、厚さ約１
０〜数１０μｍの銅メッキ層からなり、その外周側に
は、図４(Ｂ)に拡大して示すように、ガラス繊維３３が
当該メッキ層の厚みの２０〜６０％の範囲で進入してい
る。尚、スルーホール導体３８の周囲から、銅メッキ時
の銅成分がコア基板３２または絶縁層４２，４３中にし
み出そうとする。しかし、スルーホール３６の内壁が前
記レーザＬｓにより溶融固着層となっており、且つガラ
ス繊維３３の上記銅メッキ層への進入が制限されている
ことにより、かかるスルーホール導体３８を銅メッキす
る際にしみ出す銅成分(導電性成分)の径方向に沿った浸
透距離は、１０μｍ以下に制限される。スルーホール導
体３８は、その上下の中間で基板本体３１のコア基板３
２の表・裏面３４，３５上に位置する配線層４０，４１
と接続されると共に、その上下端で絶縁層４２，４３
(表・裏面４２ａ，４３ａ)上の配線層４４，４５と接続
されている。尚、配線層４０，４１は、コア基板３２の
表・裏面３４，３５上にほぼベタ状に形成された電源用
またはグランド用パターンである。

【００３１】更に、図４(Ａ)に示すように、ビルドアッ
プ層ＢＵ３の樹脂絶縁層４６には、配線層４４，５０間
を接続するビア導体４８が形成されている。また、最上
層の絶縁層(ソルダーレジスト層)５２には、これを貫通
しビア導体(パッド)４８の上に連通する孔５６内に位置
する例えばＳｎ−Ａｇからなるハンダバンプ５８が第１
主面５４よりも高く突出している。各バンプ５８は、第
１主面５４の上方に搭載される図示しないＩＣチップの
端子と個別に接続される。尚、図４(Ａ)に示すように、
第１主面５４上には、上記各バンプ５８を避けるような
開口部を内設した銅製の補強板６０が接着剤(エポキシ
系、熱硬化性)により取付けられている。かかる補強板
６０の表面には、ＮｉおよびＡｕメッキが被覆されてい
る。

【００３２】また、図４(Ａ)に示すように、ビルドアッ
プ層ＢＵ４の樹脂絶縁層４７には、配線層４５，５１の
間を接続するビア導体４９が形成され、最下層に位置す
る樹脂絶縁層(ソルダーレジスト層)５３には、第２主面
５３ａ側に開口する凹部５７，５９が形成されている。
凹部５７内で露出するビア導体４９と、凹部５９内で露
出するビア導体４９および配線層５１との表面には、Ｎ
ｉおよびＡｕメッキがそれぞれ被覆されている。図４
(Ａ)に示すように、第２主面５３ａ側に開口する凹部５
９内のビア導体４９には、Ｓｎ−Ａｇからなるハンダ６
３を介して、電極６２を有するチップキャパシタ６１が
実装される。また、凹部５７内のビア導体４９には、上
記ハンダ６３を介してコバール製のピン６５が接続さ
れ、図示しないマザーボードなどとの接続に用いられ
る。尚、ピン６５がない場合、凹部５９内の配線層５１
は、当該配線基板３０自体を搭載する図示しないマザー
ボードなどとのハンダ接続に用いることもできる。

【００３３】以上のように、配線基板３０も、基板３１
を貫通する複数のスルーホール３６の内壁に沿ったスル
ーホール導体３８内にガラス繊維３３それぞれ進入する
と共に、その進入深さを上記各導体３８の厚みの２０〜
６０％の範囲としている。このため、基板３１のコア基
板３２および絶縁層４２，４３と各スルーホール導体３
８との間の密着性が確保される。しかも、スルーホール
導体３８からコア基板３２や絶縁層４２，４３内へメッ
キ時の銅成分の浸透を抑制できるため、隣接するスルー
ホール導体３８，３８間のショートも確実に防止でき
る。

【００３４】このため、各スルーホール導体３８を介し
て、基板３１内の配線層４０，４１間や上下の配線層４
４，４５間、あるいはビルドアップ層ＢＵ３，ＢＵ４の
配線層５０，５１間の導通を確実に取ることができる。
しかも、複数のスルーホール導体３８を基板３１に高密
度で且つ相互間のショートを防ぎつつ配置することもで
きるため、特にコア基板３２を薄肉化した場合に有効と
なる。従って、配線基板３０によれば、配線層４０，４
１，４４，４５間はもとより、これらを含むビルドアッ
プ層ＢＵ３，ＢＵ４の配線層５０，５１間の電気的導通
を安定させ得る。しかも、第１主面５４上に搭載される
ＩＣチップと裏面３５下方の配線層４１，４５との間や
ビルドアップＢＵ４の配線層５１との間における信号配
線の引き回しも容易に行うこともできる。

【００３５】本発明は以上において説明した各形態に限
定されるものではない。前記基板２やコア基板(絶縁層)
３２などの材質は、前記ガラス−エポキシ樹脂系の複合
材料の他、ガラス繊維とビスマレイミド・トリアジン
(ＢＴ)樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、またはＢ
Ｔ樹脂などの樹脂との複合材料であるガラス繊維−樹脂
系の複合材料を用いることも可能である。更に、前記ス
ルーホール導体８，３８、配線層１０，１１などの材質
は、前記Ｃｕの他、Ａｇ、Ｎｉ、Ｎｉ−Ａｕ等にしても
良い。

【００３６】また、樹脂絶縁層１２，１３などの材質
は、前記エポキシ樹脂を主成分とするもののほか、同様
の耐熱性、パターン成形性等を有するポリイミド樹脂、
ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、あるいは、連続気孔を有するＰ
ＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹
脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂系の複合材料など
を用いることもできる。尚、樹脂絶縁層の形成には、絶
縁性の樹脂フィルムを熱圧着する方法のほか、液状の樹
脂をロールコータにより塗布する方法を用いることもで
きる。尚また、樹脂絶縁層に混入するガラス繊維、ガラ
スクロス、またはガラスフィラの組成は、Ｅガラス、Ｄ
ガラス、Ｑガラス、Ｓガラスの何れか、またはこれらの
うちの２種類以上を併用したものとしても良い。

【００３７】更に、スルーホール６およびスルーホール
導体８などの基板２，３１への配置は、前記中心間距離
Ｌなどを保つことを前提として、平面視で格子状、千鳥
状、矩形状、または、矩形枠状などの任意の配置パター
ンとすることができる。また、前記ハンダバンプには、
Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｚｎ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃ
ｕなどの低融点合金を用いても良い。更に、レーザＬｓ
には、前記炭酸ガスレーザに限らず、ＹＡＧレーザ、エ
キシマレーザ、または半導体レーザなどを用いることも
できる。更に、前記補強板６０には、銅の他、ステンレ
ス鋼、Ｆｅ−４２wt％Ｎｉ合金(いわゆる４２アロイ)、
コバール(Ｆｅ−２９wt％Ｎｉ−１７Ｃｏwt％合金)、ア
ルミニウム、チタンなどの金属またはこれらの合金を適
用することもできる。

【００３８】

【発明の効果】以上に説明した本発明の配線基板によれ
ば、基板とスルーホール導体との界面にガラス繊維が位
置するため、基板とスルーホール導体との確実性を高め
ることができる。また、ガラス繊維は、スルーホール導
体を形成する金属メッキ層を貫通しないため、かかるス
ルーホール導体を形成する金属メッキ時に、その周囲の
基板中へのメッキ金属成分の浸透を抑制できる。これに
より、隣接するスルーホール導体間のショートを防止す
ることも容易となると共に、当該スルーホール導体にお
ける電気抵抗の増大を抑制することもできる。従って、
かかるスルーホール導体を介して、基板の表・裏面の配
線層間やこれらの上方に形成されるビルドアップ層内の
配線層同士間の導通を確実に取ることができる。

【００３９】また、請求項３の配線基板によれば、スル
ーホールの内壁は、基板中の樹脂が一旦溶けて固まった
溶融固着層(導体浸透防止層)であるため、基板に含まれ
ているガラス繊維は、スルーホール内壁の溶融固着層を
貫通することが抑制される。このため、ガラス繊維は、
かかるスルーホールに沿って形成されるスルーホール導
体への進入がその外周寄りの位置に制限され易くなる。
従って、スルーホールの内壁に沿って形成されるスルー
ホール導体の導電性成分が、ガラス繊維を伝わって基板
中に浸透する事態を抑制できるので、高密度で配置され
且つ互いに隣接するスルーホール導体同士の間における
ショートを一層確実に防止できると共に、当該基板とス
ルーホール導体との密着性も確保することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】(Ａ)は本発明の配線基板の１形態における主要
部を示す断面図、(Ｂ)は(Ａ)中のＢ−Ｂ線に沿った視角
の断面図、(Ｃ)は(Ａ)中の一点鎖線部分Ｃの拡大図。

【図２】(Ａ)〜(Ｃ)は図１の配線基板の製造方法におけ
る主要な工程を示す概略図。

【図３】(Ａ)〜(Ｃ)は図２(Ｃ)に続く主要な製造工程を
示す概略図。

【図４】(Ａ)は異なる形態の配線基板における主要部を
示す断面図、(Ｂ)は(Ａ)中の一点鎖線部分Ｂの拡大図。

【符号の説明】

１，３０……配線基板 ２，３１……基板 ３，３３……ガラス繊維 ４，４２ａ…表面 ５，４３ａ…裏面 ６，３６……スルーホール ８，３８……スルーホール導体(金属メッキ層)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E317 AA24 CC31 CC32 CC33 CD27 CD32 GG03 5E346 AA12 AA15 AA32 AA43 AA51 CC08 FF04 FF07 FF12 GG15 GG17 GG28 HH01 HH11

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】表面および裏面を有し且つガラス繊維を含
   む基板と、 上記基板における表面と裏面との間を貫通するスルーホ
   ールと、 上記スルーホールの内壁に沿って形成されるスルーホー
   ル導体と、を含み、 上記基板に含まれるガラス繊維は、上記スルーホール導
   体を形成する金属メッキ層内に進入している、ことを特
   徴とする配線基板。
2. 【請求項２】前記ガラス繊維は、前記スルーホール導体
   の金属メッキ層に対し、かかるメッキ層の厚みの２０〜
   ６０％の範囲内で進入している、 ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
3. 【請求項３】前記スルーホールの内壁は、溶融固着層と
   なっている、 ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。