JP4160765B2 - 配線基板の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、現在の電子機器は、移動体通信機器に代表されるように小型・薄型・軽量・高性能・高機能・高品質・高信頼性が要求されてきており、このような電子機器に搭載される電子装置も小型・高密度化が要求されるようになってきている。そのため、電子装置を構成する配線基板にも小型・薄型・多端子化が求められてきており、それを実現するために信号導体等の配線導体の幅を細くするとともにその間隔を狭くし、さらに配線導体の多層化により高密度配線化が図られている。
【0003】
このような高密度配線が可能な配線基板として、ビルドアップ法を採用して製作された配線基板が知られている。このビルドアップ配線基板は、例えば、ガラスクロスやアラミド不布織等の補強材に耐熱性や耐薬品性を有するエポキシ樹脂に代表される熱硬化性樹脂を含浸させて加熱硬化した芯体絶縁層の表面に配線導体を被着形成するとともに、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成る樹脂ワニスを塗布するとともに加熱硬化して絶縁層を形成した後、配線導体上の絶縁層にレーザで径が50〜200μm程度の貫通孔を穿設し、しかる後、貫通孔の内部および絶縁層の表面を過マンガン酸カリウム溶液等の粗化液で化学粗化し、さらにセミアディティブ法を用いて絶縁層の表面および貫通孔の内壁に銅めっきから成るの導体膜を被着して配線導体および貫通導体を形成し、その上に絶縁層や貫通導体・配線導体の形成を複数回繰り返すことによって製作される。なお、貫通導体は貫通孔の下部で下層の配線導体と電気的に接続されている。
【0004】
しかしながら、レーザで貫通孔を穿設する際に、絶縁層の熱硬化性樹脂が貫通孔の下部に位置する配線導体上に残ってしまい、貫通孔の内部を過マンガン酸カリウム溶液等の粗化液で化学粗化しても、配線導体上に残った熱硬化性樹脂を完全に除去することができず、貫通導体と配線導体との電気的な接続を阻害してしまうという問題点があった。
【0005】
この残存する熱硬化性樹脂を完全に除去するために、特開2000−244127号公報には、貫通孔の下部に位置する配線導体の表面をエッチングして、凹部を設けた配線基板が提案されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開2000−244127号公報に記載された配線基板は、径が50μm以下の小径の貫通導体になると、貫通導体の底面と配線導体との接続面積が狭くなること、および、銅めっきから成る貫通導体の熱膨張係数が18×10-6/℃程度であるのに対して絶縁層の厚み方向の熱膨張係数が80〜200×10-6/℃と大きく異なるので、配線基板に長期の熱履歴を繰り返し印可すると、絶縁層と貫通導体との熱膨張差による熱応力が両者の接続部に集中して断線不良を発生させてうという問題点を有していた。
【0007】
本発明はかかる従来技術の問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、小径の貫通導体を有する配線基板において、長期の熱履歴を繰り返し印可しても、熱応力に充分耐え、断線等が生じない接続信頼性の高い配線基板を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の配線基板の製造方法は、上面に銅からなる配線導体が形成された第一の絶縁層を準備する工程と、該第一の絶縁層上にエポキシ樹脂からなる第二の絶縁層を積層する工程と、該第二の絶縁層の前記配線導体の上に位置する部位に貫通孔を形成して前記配線導体を露出させる工程と、該露出した配線導体をエッチングして断面視した前記貫通孔の最大孔径よりも外側に張り出した凹部を形成するとともに、前記貫通孔の側壁下端周辺部に位置する前記第二の絶縁層の下面を露出させる工程と、前記凹部内面及び前記第二の絶縁層の露出した下面の双方の面に被着するように銅めっきを形成するとともに前記貫通孔内に銅めっきを被着することにより、底面が前記配線導体よりも上方に位置する窪みを有する貫通導体を形成する工程と、前記窪みにエポキシ樹脂を充填する工程と、を具備することを特徴とする。
また、本発明の配線基板の製造方法は、前記第一の絶縁層はスルーホールを有し、前記貫通導体は前記スルーホールに前記配線導体を介して接続されており、前記貫通導体の中心と前記スルーホールの中心とが平面方向にずれて位置していることを特徴とする。
【0009】
本発明によれば、めっきの配線導体の凹部内に形成された部位がくさびとなって貫通導体と配線導体とを強固に接続することが可能となるので、半導体素子等の実装部品を配線基板に搭載した状態で、長期の熱履歴を繰り返し印可しても、熱応力からくる縦方向の引張応力に耐え、断線等が生じない接続信頼性の高い配線基板とすることができる。
【0010】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の配線基板の製造方法により作製される配線基板(以下、本発明の配線基板という)を添付の図面に基づいて詳細に説明する。図1は、本発明の配線基板をビルドアップ配線基板に適用した場合の実施の形態の一例を示す断面図であり、図2は、図1の要部拡大断面図である。
【0011】
これらの図において、1は絶縁層、2は配線導体、3は貫通孔、4は貫通導体、5は貫通孔3の下に位置する領域に形成された凹部で、主にこれらで本発明の配線基板が構成される。なお、本例では芯体と成る芯体絶縁層1aの上下面にそれぞれ第一の絶縁層1bと第二の絶縁層1cとを積層した例を示している。
【0012】
芯体絶縁層1aは、第一および第二の絶縁層1b・1cの支持体としての機能を有するとともに配線基板に強度を付与する機能を有し、厚みが0.3〜1.5mm程度の板状である。このような芯体絶縁層1aは、例えばガラス繊維を縦横に織り込んだガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて成り、その上面から下面にかけて直径が0.1〜1.0mm程度の複数のスルーホール11を有している。そして、その上下面には配線導体2が、各スルーホール11の内壁にはスルーホール導体12が被着されており、上下面の配線導体2同士がスルーホール11の内壁に形成されたスルーホール導体12を介して電気的に接続されている。
【0013】
このような芯体絶縁層1aには、未硬化の芯体絶縁層用のシートの上下全面に厚みが3〜50μmの銅箔を被着するとともにこの銅箔をシートの硬化後にエッチング加工して所定のパターンに形成することにより配線導体2が、また、上記シートを熱硬化させた後、これに上面から下面にかけてドリル加工を施すことによりスルーホール11が、さらに、スルーホール11の内壁にめっき法により厚みが3〜50μm程度の銅めっきを析出させて被着することによりスルーホール導体12が形成される。なお、配線導体2は、スルーホール11の内壁にスルーホール導体12を被着形成する際に、めっき法によりスルーホール導体12と一体的に形成してもよい。
【0014】
さらに、芯体絶縁層1aは、スルーホール11の内部にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から成る樹脂柱13が充填されている。樹脂柱13は、スルーホール11を塞ぐことによりスルーホール11の直上および直下に第一および第二の絶縁層1b・1cを形成可能とするためのものであり、未硬化のペースト状の熱硬化性樹脂をスルーホール11内にスクリーン印刷法により充填し、これを熱硬化させた後、その上下面を略平坦に研磨することにより形成される。そして、この樹脂柱13を含む芯体絶縁層1aの上下面に絶縁層1b・1cが積層されている。
【0015】
第一および第二の絶縁層1b・1cは、それぞれの厚みが20〜60μm程度で、エポキシ樹脂や変性ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂と粒径が0.01〜2μmで含有量が10〜50重量%のシリカやアルミナ・窒化アルミニウム等の無機絶縁フィラーとから成る。
【0016】
第一および第二の絶縁層1b・1cは、配線導体2を高密度に配線するための絶縁間隔を提供するためのものであり、そして、上下の配線導体2を貫通孔3の内壁に被着形成した貫通導体4を介して電気的に接続することにより高密度配線を立体的に形成可能としている。このような第一および第二の絶縁層1b・1cは、未硬化の熱硬化性樹脂と無機絶縁フィラーから成るフィルムを、それぞれ芯体絶縁層1a上下面に順番に積層し、これらを熱硬化することにより形成される。なお、配線導体2は第一の絶縁層1bを形成した後にその表面に、厚みが3〜50μm程度の銅めっき膜を従来公知のセミアディティブ法やサブトラクティブ法のパターン形成法により所定のパターンに被着させることによって形成される。
【0017】
また、第一の絶縁層1b上に形成された配線導体2上の第二の絶縁層1cには、貫通孔3が形成されている。貫通孔3は、その開孔径が20〜100μm程度であり、第二の絶縁層1cを積層後、従来周知の炭酸ガスレーザやUV−YAGレーザ・エキシマレーザ等を用いて加工することにより形成される。
【0018】
なお、配線導体2は、搭載される半導体素子等の電子部品(図示せず)の各電極を外部電気回路基板(図示せず)に接続するための導電路としての機能を有し、配線導体2の厚みが3〜50μm程度であることが好ましく、高速の信号を伝達させるという観点から3μm以上であることが、配線導体2と絶縁層1b・1cとの熱膨張差による剥離を防止するという観点からは50μm以下であることが好ましい。
【0019】
そして本発明の配線基板においては、配線導体2の貫通孔3の直下の上面に、貫通孔3よりも直径の大きな凹部5がその内側に貫通孔3が位置するように形成されており、この凹部5内が銅めっきにより充填されている。また、本発明の配線基板においては、このことが重要である。
【0020】
本発明の配線基板によれば、配線導体2の貫通孔3の直下の上面に、貫通孔3よりも直径の大きな凹部5をその内側に貫通孔3が位置するように形成し、この凹部5内を銅めっきにより充填したことから、銅めっきの凹部5内に形成された部位がくさびとなって貫通導体4と配線導体2とを強固に接続することが可能となり、半導体素子等の電子部品を配線基板に搭載した状態で、長期の熱履歴を繰り返し印可しても、熱応力からくる縦方向の引張応力に耐え、断線等が生じない接続信頼性の高い配線基板とすることができる。
【0021】
このような配線導体2・貫通孔3および貫通導体4は、次の方法により形成される。
まず、表面に配線導体2を被着形成した第一の絶縁層1b上に第二の絶縁層1cを被着するとともに、配線導体2上の第二の絶縁層1cにレーザで貫通孔3を穿設し、配線導体2の一部を露出させる。次に、第二の絶縁層1cの表面・貫通孔3の内壁、貫通孔3の内部に露出した配線導体2を過マンガン酸塩類水溶液等の粗化液に60℃で略15分間浸漬し粗化し、その後、硫酸・過酸化水素水等からなるエッチング液に25℃で数分間浸漬し、貫通孔3の内部に露出した配線導体2をエッチングして貫通孔3内に露出する部位に貫通孔3の直径よりも径の大きな凹部5を形成する。次に、硫酸銅・ロッセル塩・ホルマリン・EDTAナトリウム塩・安定剤等から成る無電解銅めっき液に40℃で略30分間浸漬し、絶縁層1c表面および貫通孔3の内壁、凹部5の全面に1〜2μm程度の無電解銅めっきを析出させる。さらに、無電解銅めっき層上に配線パターン状の開口部を有する耐めっき樹脂層を被着し、硫酸・硫酸5水和物・塩素・光沢剤から成る電解銅めっき液に略1時間浸漬し、耐めっき樹脂層の開口部に電解銅めっきを被着させた後、耐めっき樹脂層を剥離し、エッチングすることにより配線導体2および貫通導体4が形成される。
【0022】
凹部5は、断面形状が長方形・台形等の多角形や半円形等であり、その開口の直径が底部の直径に対して5〜20%程度大きいことが好ましい。凹部5の直径が貫通孔3の底部の直径より5%未満大きいと、くさび状の食込みが少なく配線導体2と貫通導体4とを強固に接続することができず、長期の熱履歴を繰り返し印可すると断線してしまう傾向にあり、20%を超えて大きいと、銅めっき液が凹部5の奥に十分に浸透することができず、良好な形状の貫通導体4を形成できない傾向にある。従って、凹部5の直径は貫通孔3の底部の径に対して5〜20%程度大きいことが好ましい。
【0023】
また、凹部5の深さは、配線導体2の厚みに対して5〜50%程度であることが好ましい。深さが配線導体2の厚みの5%未満では配線導体2上に残った熱硬化性樹脂を完全に除去することができず、貫通導体4と配線導体2との電気的な接続を阻害してしまう傾向にあり、深さが50%を超えると配線導体2が薄くなり、電気抵抗が高くなってしまう傾向がある。従って、凹部5の深さは、配線導体2の厚みに対して5〜50%程度であることが好ましい。
【0024】
かくして、本発明の配線基板によれば、配線導体2の貫通孔3の下に位置する領域にこの貫通孔3の直径よりも径の大きな凹部5を形成し、凹部5内を銅めっきにより充填したことから、配線導体2の貫通導体4の下に位置する部分に銅めっきがくさび状に食い込み強固な接続部を形成することができるので、半導体素子等の実装部品を配線基板に搭載した状態で、長期の熱履歴を繰り返し印可した場合の熱応力からくる縦方向の引張応力に充分耐え、断線等のない接続信頼性の高い配線基板とすることができる。
【0025】
なお、本発明は、上述の実施の形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例では、第一の絶縁層1cに貫通導体4を形成した例を示したが、第二の絶縁層1bに貫通導体4を形成しても良い。さらに、最外層の絶縁層1cの表面に、半田リフローの際の耐熱性を向上させるために、耐半田樹脂層6を被着形成してもよい。
【0026】
【発明の効果】
本発明によれば、めっきの配線導体の凹部内に形成された部位がくさびとなって貫通導体と配線導体とを強固に接続することが可能となるので、半導体素子等の実装部品を配線基板に搭載した状態で、長期の熱履歴を繰り返し印可しても、熱応力からくる縦方向の引張応力に耐え、断線等が生じない接続信頼性の高い配線基板とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図2】図1の配線基板の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
1・・・・・・・・・・絶縁層
1a・・・・・・・・・芯体絶縁層
1b・・・・・・・・・第一の絶縁層
1c・・・・・・・・・第二の絶縁層
2・・・・・・・・・・配線導体
3・・・・・・・・・・貫通孔
4・・・・・・・・・・貫通導体
5・・・・・・・・・・凹部
Claims (2)
- 上面に銅からなる配線導体が形成された第一の絶縁層を準備する工程と、
該第一の絶縁層上にエポキシ樹脂からなる第二の絶縁層を積層する工程と、
該第二の絶縁層の前記配線導体の上に位置する部位に貫通孔を形成して前記配線導体を露出させる工程と、
該露出した配線導体をエッチングして断面視した前記貫通孔の最大孔径よりも外側に張り出した凹部を形成するとともに、前記貫通孔の側壁下端周辺部に位置する前記第二の絶縁層の下面を露出させる工程と、
前記凹部内面及び前記第二の絶縁層の露出した下面の双方の面に被着するように銅めっきを形成するとともに前記貫通孔内に銅めっきを被着することにより、底面が前記配線導体よりも上方に位置する窪みを有する貫通導体を形成する工程と、
前記窪みにエポキシ樹脂を充填する工程と、を具備することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記第一の絶縁層はスルーホールを有し、前記貫通導体は前記スルーホールに前記配線導体を介して接続されており、前記貫通導体の中心と前記スルーホールの中心とが平面方向にずれて位置していることを特徴とする請求項1に記載の配線基板の製造方法。
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