JP4891578B2 - 配線基板およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、配線導体を有する絶縁基板の表面に電子部品の電極が半田を介して接続される半田接合パッドを形成して成る配線基板およびその製造方法に関するものである。

従来から、半導体集積回路素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板として、例えばガラス−エポキシ樹脂等の有機材料系の絶縁層と銅箔等の銅から成る配線導体とを交互に複数層積層して成る絶縁基板上に、電子部品の電極が半田を介して電気的に接続される銅めっき層から成る半田接合パッドを形成した配線基板が知られている。

このような配線基板として、例えば特許文献１には、電子部品の電極を半田接合パッドに強固に接続することができる配線基板の製造方法が記載されている。図３（ａ）〜（ｊ）は、特許文献１に記載されているような従来の配線基板の製造方法を示す各工程毎の要部断面図である。

この配線基板の製造方法は、まず、図３（ａ）に示すように、内部および／または表面に配線導体２２を有し、上面に半田接合パッド２３が形成される絶縁基板２１を準備する。この絶縁基板２１は、絶縁板２１ａと、該絶縁板２１ａ上に絶縁層２１ｂを積層して成り、絶縁層２１ｂには、配線導体２２を露出させる開口部２１ｃが形成されている。

次に、図３（ｂ）に示すように、絶縁基板２１の上面に無電解銅めっき層２３ａを被着させ、図３（ｃ）に示すように、その無電解銅めっき層２３ａ上に半田接合パッド２３が形成される部位の無電解銅めっき層２３ａを露出させる第一の開口部４１ａを有する第一のめっきレジスト層４１を被着させる。

次に、図３（ｄ）に示すように、その第一のめっきレジスト層４１の第一の開口部４１ａ内に露出した無電解銅めっき層２３ａ上に、電解銅めっき層２３ｂを被着させ、図３（ｅ）に示すように、第一のめっきレジスト層４１を剥離した後、図３（ｆ）に示すように、無電解銅めっき層２３ａおよび電解銅めっき層２３ｂ上に半田接合パッド３３が形成される部位の電解銅めっき層２３ｂの外周部を覆うとともに、その電解銅めっき層２３ｂの中央部を露出させる第二の開口部４２ａを有する第二のめっきレジスト層４２を被着させる。

次に、図３（ｇ）に示すように、第二のめっきレジスト層４２の第二の開口部４２ａ内に露出した電解銅めっき層２３ｂ上に、電解ニッケルめっき層２５および金めっき層２６を順次被着させ、図３（ｈ）に示すように、第二のめっきレジスト層４２を剥離した後、図３（ｉ）に示すように、電解銅めっき層２３ｂから露出する部位の無電解銅めっき層２３ａをエッチング除去し、絶縁基板２１上に無電解銅めっき層２３ａとその上の電解銅めっき層２３ｂとから成り、その上面の中央部に電解ニッケルめっき層２５と金めっき層２６とが順次被着された半田接合パッド２３が形成される。

そして、図３（ｊ）に示すように、絶縁基板２１の上面に、半田接合パッド２３の外周部を覆うとともに、半田接合パッド２３の中央部を露出させる耐半田樹脂層４４を形成して配線基板が得られる。

しかしながら、上述のような方法では、図３（ｄ）に示すように、第一のめっきレジスト層４１の第一の開口部４１ａ内に電解銅めっき層２３ｂを形成後、図３（ｅ）に示すように、第一のめっきレジスト層４１を一旦剥離し、その後、図３（ｆ）に示すように、第二の開口部４２ａを有する第二のめっきレジスト層４２を形成することから、図３（ｅ）に示すように、第一のめっきレジスト層４１を剥離した後に、電解銅めっき層２３ｂとその周囲に露出する無電解銅めっき層２３ａとの間に、電解銅めっき層２３ｂの厚みに対応した高さの段差ｈができる。このため、図３（ｆ）に示すように、この段差ｈが形成された無電解銅めっき層２３ａと電解銅めっき層２３ｂとの上に第二のめっきレジスト層４２を被着する際には、第二のめっきレジスト層４２が前記段差ｈに追従しきれず、第二のめっきレジスト層４２と無電解銅めっき層２３ａおよび電解銅めっき層２３ｂとの密着性が損なわれ、空気等が混入し、その結果、図３（ｇ）に示す電解ニッケルめっき層２５および金めっき層２６を電解銅めっき層２３ｂ上に良好に披着することができないおそれがある。

また、上記のような方法で製造された配線基板は、半田接合パッド２３の耐半田樹脂層４４から露出する上面中央部のみに電解ニッケルめっき層２５および金めっき層２６が被着された構成となる。このため、半田接合パッド２３の上面中央部に被着された電解ニッケルめっき層２５および金めっき層２６と、それより外周側に被着された耐半田樹脂層４４との境界を通して水分等が滲入し、下地の電解銅めっき層２３ｂに隙間腐食が発生するおそれがある。そのような腐食は、電子部品の電極を半田接合パッド２３に半田を介して接続する際において、両者を接続する半田にボイドを発生させたり、半田接合パッド２３と半田との強固な接合を阻害したりするので、電子部品の電極と半田接合パッド２３との半田を介した接続信頼性が低下する原因となる。

一方、特許文献２には、半田接合パッドの上面全面に電解ニッケルめっき層および金めっき層を被着させ、その上に半田接合パッドの外周部を覆う耐半田樹脂層を被着する配線基板の製造方法が記載されている。

しかしながら、半田接合パッドの上面全面に電解ニッケルめっき層および金めっき層を被着させた場合には、電子部品の電極を半田接合パッドに半田を介して接続すると、溶融した半田と金めっき層との濡れ性が極めて良好であること、および金めっき層と耐半田樹脂層との密着がそれ程強固ではないことから、溶融した半田が半田接合パッドの外周部を被覆する電解ニッケル層と耐半田樹脂層との間に金めっき層を吸収しながら滲入し、それが半田接合パッドの外周縁まで到達し、耐半田樹脂層に半田接合パッドの外周縁を起点とするクラックを発生させ、さらにそのクラック内に半田が滲入することにより隣接する半田接合パッド間の電気的な絶縁信頼性を低下させるおそれがある。

特開２００４−１４０１８９号公報 特開２００４−１４０１０９号公報

本発明の課題は、電解ニッケルめっき層および金めっき層が半田接合パッドの上面中央部に良好に被着されているとともに、電子部品の電極と半田接合パッドとを半田を介して信頼性高く接続することが可能であり、かつ隣接する半田接続パッド間の電気的な絶縁信頼性に優れた配線基板およびその製造方法を提供することである。

本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、以下の構成からなる解決手段を見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明の配線基板は、内部および表面の少なくとも一方に配線導体を有する絶縁基板と、該絶縁基板上に形成された銅からなる半田接合パッドと、該半田接合パッドの上面外周部の銅を露出させつつ、前記半田接合パッドの上面中央部に順次被着された電解ニッケルめっき層および金めっき層と、該金めっき層の上面中央部を露出させつつ、前記半田接合パッドの銅が露出した上面外周部および前記金めっき層の上面外周部に被着された耐半田樹脂層とを具備してなる。

本発明の配線基板の製造方法は、内部および表面の少なくとも一方に配線導体を有する絶縁基板と、該絶縁基板上に形成された銅からなる半田接合パッドと、該半田接合パッドの上面外周部を露出させつつ、前記半田接合パッドの上面中央部に順次被着された電解ニッケルめっき層および金めっき層と、該金めっき層の上面中央部を露出させつつ、前記半田接合パッドの上面外周部および前記金めっき層の上面外周部に被着された耐半田樹脂層とを具備するものであって、以下の（１）〜（８）の工程を含むことを特徴とする。
（１）内部および表面の少なくとも一方に配線導体を有する前記絶縁基板を準備する工程
（２）前記絶縁基板の上面に無電解銅めっき層を被着させる工程
（３）前記無電解銅めっき層上に、前記半田接合パッドが形成される第一の領域を選択的に露出させる第一のめっきレジスト層を被着させる工程
（４）前記第一の領域に露出した前記無電解銅めっき層の上に電解銅めっき層を前記第一のめっきレジスト層の厚みの半分を超える厚みに被着させる工程
（５）前記第一のめっきレジスト層および前記電解銅めっき層上に、前記電解ニッケルめっき層および金めっき層が順次被着される第二の領域を選択的に露出させる第二のめっきレジスト層を被着させる工程
（６）前記第二の領域に露出した前記電解銅めっき層上に、電解ニッケルめっき層および金めっき層を順次被着させる工程
（７）前記第一および第二のめっきレジスト層を剥離した後、前記電解銅めっき層から露出する部位の前記無電解銅めっき層をエッチング除去し、前記絶縁基板上に無電解銅めっき層とその上の電解銅めっき層とから成り、その上面に前記電解ニッケルめっき層および金めっき層が順次被着された前記半田接合パッドを形成する工程
（８）前記半田接合パッドが形成された前記絶縁基板の上面に、前記金めっき層の上面中央部を露出させつつ、前記半田接合パッドの上面外周部および前記金めっき層の上面外周部を覆う前記耐半田樹脂層を被着させる工程

本発明の配線基板によれば、電子部品の電極が半田を介して接続される半田接合パッドの上面に順次被着された電解ニッケルめっき層および金めっき層が、耐半田樹脂層から露出する半田接合パッドの上面中央部を被覆するとともに、耐半田樹脂層で覆われた半田接合パッドの外周部の途中まで延在していることから、下地の電解銅めっき層に腐食が発生し難いとともに、電子部品の電極を半田接合パッドに半田を介して接続する際等に溶融した半田が電解ニッケルめっき層と耐半田樹脂層との間に滲入したとしても、その滲入は電解ニッケルめっき層および金めっき層が延在する半田接合パッドの外周部の途中までしか進行せず、その結果、半田接合パッドの外周縁を起点として耐半田樹脂層にクラックが発生することが有効に防止される。
したがって、本発明の配線基板によれば、電子部品の電極を半田接合パッドに半田を介して信頼性高く接続することができるとともに、隣接する半田接合パッド間の電気的絶縁信頼性に優れた配線基板を提供することができる。

本発明の配線基板の製造方法によれば、所定の絶縁基板の上面に被着させた無電解銅めっき層上に、半田接合パッドが形成される第一の領域を選択的に露出させる第一のめっきレジスト層を被着させ、次に前記第一の領域に露出した前記無電解銅めっき層の上に電解銅めっき層を前記第一のめっきレジスト層の厚みの半分を超える厚みに被着させ、次に前記第一のめっきレジスト層および前記電解銅めっき層上に、前記電解ニッケルめっき層および金めっき層が順次被着される第二の領域を選択的に露出させる第二のめっきレジスト層を被着させることから、第二のめっきレジスト層を被着する際には、前記第一の領域に被着された電解銅めっき層とその周辺の無電解銅めっき層との間の段差は第一のめっきレジスト層で埋められており、かつ前記電解銅めっき層とその周囲の第一めっきレジスト層との間に形成される段差は、第二のめっきレジスト層がこの段差に追従できる程度に低くなり、その結果、第二めっきレジスト層を電解銅めっき層および第一のめっきレジスト層上に良好に密着させることができる。
したがって、第二の領域に露出した前記電解銅めっき層上に、電解ニッケルめっき層および金めっき層を良好に被着させることができる。しかも、第一のめっきレジスト層を剥離することなく、第二のめっきレジスト層を被着するので、製造コストを削減することができる。

＜配線基板＞
以下、本発明にかかる配線基板の一実施形態について図面を参照して詳細に説明する。 図１は、本実施形態にかかる配線基板の接合パッド周辺を示す拡大断面図である。図中、１は絶縁基板、２は配線導体、３は半田接合パッド、４は耐半田樹脂層、５は電解ニッケルめっき層、６は金めっき層をそれぞれ示しており、主としてこれらで本実施形態の配線基板１０が構成されている。

絶縁基板１は、例えばガラス繊維を縦横に編んで形成されたガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁板１ａ上に、エポキシ樹脂やアリル変性ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂から成る絶縁層１ｂを積層して成り、その内部や表面には、銅箔や銅めっき層等の銅から成る配線導体２が配設されている。

絶縁基板１の表面には、配線導体２に電気的に接続された無電解銅めっき層３ａおよびその上の電解銅めっき層３ｂから成る半田接合パッド３が形成されており、さらに、この半田接合パッド３の上面中央部には、電解ニッケルめっき層５および金めっき層６が順次被着されている。

半田接合パッド３は、図示しない電子部品の電極が半田を介して電気的に接続される接続端子として機能し、電解ニッケルめっき層５および金めっき層６が被着された半田接合パッド上に図示しない半田を溶着させ、次にその半田上に電子部品の電極を当接させるとともに半田を加熱溶融させて、電子部品の電極が半田接合パッド３に該半田を介して接続される。

半田接合パッド３に被着した電解ニッケルめっき層５および金めっき層６は、半田接合パッド３の酸化腐蝕を防止するとともに、半田接合パッド３と半田との接合を良好とするための表面処理部材として機能する。電解ニッケルめっき層５および金めっき層６が被着された半田接合パッド３に半田を溶着させると、金めっき層６は半田中に拡散して消滅するとともに、電解ニッケルめっき層５と半田とが接合する。このとき、半田接合パッド３の上面に被着された電解ニッケルめっき層５は、その結晶が緻密であることから、電解ニッケルめっき層５と半田との間に脆弱な金属間化合物が形成されにくく、電子部品の電極を半田接合パッド３に半田を介して強固に接続することができる。これにより、特に、従来より１０〜２０℃程度高い温度で半田を溶融させる必要がある、いわゆる鉛フリー半田を使用して電子部品の電極と配線基板の半田接合パッドとを接続する場合において、配線基板１０を好適に適用することができる。

さらに、絶縁基板１および半田接合パッド３の上には、半田接合パッド３の中央部を露出させるとともに、半田接合パッド３の外周部を覆うエポキシ樹脂等の耐熱樹脂から成る耐半田樹脂層４が被着されている。耐半田樹脂層４は、半田接合パッド３に半田を溶着させる際や、半田接合パッド３に電子部品の電極を半田を介して接続する際に、その熱から絶縁基板１を保護するとともに、半田接合パッド３同士が半田を介して電気的に短絡するのを防止するためのダムとして機能する。

特に、本発明では、半田接合パッド３の上面に被着された電解ニッケルめっき層５および金めっき層６が、耐半田樹脂層４から露出する半田接合パッド３の上面中央部を被覆するとともに、耐半田樹脂層４で覆われた半田接合パッド３の外周部の途中まで延在するように被着している。これにより、下地の電解銅めっき層３ｂに腐食が発生し難くなるとともに、電子部品の電極を半田接合パッド３に半田を介して接続する際等において、溶融した半田が電解ニッケルめっき層５と耐半田樹脂層４との間に滲入したとしても、その滲入は電解ニッケルめっき層５および金めっき層６が延在する半田接合パッド３の外周部の途中までしか進行せず、その結果、半田接合パッド３の外周縁を起点として耐半田樹脂層４にクラックが発生することが有効に防止される。
したがって、この配線基板１０によれば、電子部品の電極を半田接合パッド３に半田を介して信頼性高く接続することができるとともに、隣接する半田接合パッド３間の電気的絶縁信頼性に優れた配線基板とすることができる。

ここで、電解ニッケルめっき層５および金めっき層６が延在する半田接合パッド３の前記「外周部の途中」とは、電解ニッケルめっき層５と耐半田樹脂層４との間から滲入する水分や溶融した半田等を十分に食い止めることができる幅で、電解ニッケルめっき層５および金めっき層６が半田接合パッド３の外周部に延在していることを意味する。

具体的には、図１に示す半田接合パッド３の上面に被着された電解ニッケルめっき層５および金めっき層６が耐半田樹脂層４で覆われた半田接合パッド３の外周部に延在する幅Ｗ１が５μｍ以上、好ましくは５〜２０μｍであるのがよい。これにより、確実に水分や溶融した半田等の滲入を食い止めることができ、下地の電解銅めっき層３ｂに発生する腐食や、耐半田樹脂層４に発生するクラックを抑制することができる。これに対し、前記Ｗ１が５μｍ未満の場合には、電解ニッケルめっき層５と耐半田樹脂層４との間から滲入する水分や溶融した半田等を十分に食い止めることが困難となって、下地の電解銅めっき層３ｂに腐食が発生する危険性が高くなる。

また、半田接合パッド３の上面外周部において、図１に示す電解ニッケルめっき層５および金めっき層６で覆われていない幅Ｗ２が５μｍ未満であると、半田接合パッド３上に半田を溶着させた際等に溶融した半田が電解ニッケルめっき層５と耐半田樹脂層４との間に滲入して、それが半田接合パッド３の外周縁まで到達して耐半田樹脂層４に半田接合パッド３の外周縁を起点とするクラックが発生する危険性が高くなる。
したがって、半田接合パッド３の上面外周部において電解ニッケルめっき層５および金めっき層６で覆われていない幅Ｗ２は５μｍ以上、好ましくは５〜２０μｍであるのがよい。

さらに、半田接合パッド３の上面外周部において、電解ニッケルめっき層５および金めっき層６で覆われていない領域の表面を酸処理や酸化処理、あるいは酸化還元処理により粗化しておくと、半田接合パッド３と耐半田樹脂層４との密着が強固となるとともに、半田接合パッド３上に半田を溶着させた際等に溶融した半田が電解ニッケルめっき層５と耐半田樹脂層４との間から滲入しても、それが半田接合パッド３の外周縁まで到達することを有効に防止することができる。
したがって、半田接合パッド３の上面外周部において電解ニッケルめっき層５および金めっき層６で覆われていない領域の表面を酸処理や酸化処理、あるいは酸化還元処理により粗化しておくことが好ましい。

＜配線基板の製造方法＞
次に、本発明の配線基板の製造方法を図２に基づいて詳細に説明する。図２（ａ）〜（ｉ）は、本発明の配線基板の製造方法を上述の配線基板１０に適用した場合を説明するための各工程の要部断面図である。

まず、図２（ａ）に示すように、ガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁板１ａ上に、エポキシ樹脂や変性ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂から成る絶縁層１ｂを積層して成るとともに、内部および／または表面に銅箔や銅めっき層から成る配線導体２を有する絶縁基板１を準備する。

絶縁板１ａは、ガラス繊維を縦横に織り込んだガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて硬化させることにより形成され、絶縁層１ｂは、未硬化のエポキシ樹脂やアリル変性ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂から成る厚みが１０〜７０μｍの樹脂シートを絶縁板１ａの上面に貼着するとともに、その樹脂シートにレーザ加工やエッチング加工により配線導体２を露出させる開口部１ｃを形成した後、熱硬化させることにより絶縁板１ａ上に積層される。また、配線導体２は、絶縁板１ａの上面に予め銅箔を貼着しておくとともに、その銅箔を所定のパターンにエッチング加工することにより形成される。

次に、図２（ｂ）に示すように、開口部１ｃ内の配線導体２上を含む絶縁基板１の上面の全面に、厚みが１〜２μｍ程度の無電解銅めっき層３ａを被着させる。絶縁基板１の上面の全面に無電解銅めっき層３ａを被着させるには、まず、絶縁層１ｂの表面を約５０℃の過マンガン酸塩類水溶液等の粗化液に浸漬することにより粗化する。次に、絶縁層１ｂの表面が粗化された絶縁基板１の上面を、約３０℃の無電解めっき用のパラジウム触媒水溶液中に浸漬し、絶縁層１ｂの表面および開口部１ｃ内の配線導体２上にパラジウム触媒を付着させる。次に、その絶縁基板１の上面を硫酸銅、ロッセル塩、ホルマリン、ＥＤＴＡ（エチレンジアミン四酢酸）ナトリウム塩、安定剤等を含有する無電解銅めっき液に浸漬し、絶縁層１ｂの表面および開口部１ｃ内の配線導体２上に１〜２ｍ程度の厚みの無電解銅めっき層３ａを析出させる方法が採用される。

次に、図２（ｃ）に示すように、絶縁基板１の上面に被着させた無電解銅めっき層３ａ上に、半田接合パッド３が形成される第一の領域Ａ１を選択的に露出させる第一のめっきレジスト層１１を被着させる。第一のめっきレジスト層１１は、例えば厚みが１５〜３０μｍ程度の未硬化の紫外線硬化性樹脂および熱硬化性樹脂を含有する感光性樹脂フィルムを無電解銅めっき層３ａが被着された絶縁基板１上に貼着するとともに、これをフォトリソグラフィー技術により露光および現像することにより形成される。第一の領域Ａ１は、特に限定されるものではなく、例えば直径が５０〜１０００μｍ、好ましくは７０〜８００μｍ程度であるのがよい。

次に、図２（ｄ）に示すように、第一のめっきレジスト層１１から露出する第一の領域Ａ１の無電解銅めっき層３ａ上に電解銅めっき層３ｂを被着させる。電解銅めっき層３ｂを被着させるには、硫酸、硫酸銅５水和物、塩素、光沢剤等を含有する電解銅めっき液を用い、無電解銅めっき層３ａから数Ａ／ｄｍ²の電流を印加しながら電解銅めっきを施すことにより、１０〜２５μｍ程度の厚みの電解銅めっき層３ｂを析出させる方法が採用される。

ここで、電解銅めっき層３ｂの表面と第一のめっきレジスト層１１の表面との間には段差Ｈが形成されるが、本発明では、特に、電解銅めっき層３ｂを第一のめっきレジスト層１１の厚みの半分を超える厚みに被着させる。これにより、下記で説明する第二のめっきレジスト層１２が該段差Ｈに追従することができる程度まで前記段差Ｈが低くなるので、第二のめっきレジスト層１２を電解銅めっき層３ｂおよび第一のめっきレジスト層１１の上に良好に密着させることができる。

具体的には、前記で例示した電解銅めっき層３ｂの厚みを、前記で例示した第一のめっきレジスト層１１の厚みの半分を超える厚みで構成し、かつ図２（ｅ）に示す電解銅めっき層３ｂの表面から第一のめっきレジスト層１の表面までの段差Ｈが１〜１０μｍとなるように構成するのが好ましい。これにより、前記段差Ｈが、第二のめっきレジスト層１２が該段差に追従することができる程度まで低くなる。これに対し、前記段差Ｈが１μｍ未満であると、電解銅めっき層３ｂを披着させる際の厚みばらつきにより、電解銅めっき層３ｂが第一のめっきレジスト層１１の上に部分的にはみ出して正確な形状の半田接合パッド３を形成しにくくなり、１０μｍを超えると、第一のめっきレジスト層１１および電解銅めっき層３ｂの上に第二のめっきレジスト層１２を良好に密着させることが困難になる。

次に、図２（ｅ）に示すように、第一のめっきレジスト層１１および電解銅めっき層３ｂ上に、電解ニッケルめっき層５および金めっき層６が順次被着される第二の領域Ａ２を選択的に露出させる第二のめっきレジスト層１２を被着させる。このとき、上述したように、電解銅めっき層３ｂを第一のめっきレジスト層１１の厚みの半分を超える厚みに被着させているので、前記段差Ｈが、第二のめっきレジスト層１２が該段差Ｈに追従することができる程度まで低くなり、その結果、第一のめっきレジスト層１１および電解銅めっき層３ｂの上に第二のめっきレジスト層１２を良好に密着させることができる。

第二のめっきレジスト層１２は、例えば厚みが１０〜５０μｍ程度の未硬化の紫外線硬化性樹脂および熱硬化性樹脂を含有する感光性樹脂フィルムを第一のめっきレジスト層１１および電解銅めっき層３ｂ上に貼着するとともに、これをフォトリソグラフィー技術により露光および現像することにより形成される。なお、第二の領域Ａ２は、特に限定されるものではなく、例えば直径が３０〜８００μｍ、好ましくは５０〜６００μｍ程度であり、前記第一の領域Ａ１とは、Ａ１＞Ａ２の関係である。

次に、図２（ｆ）に示すように、第二のめっきレジスト層１２から露出する第二の領域Ａ２の電解銅めっき層３ｂ上に電解ニッケルめっき層５および金めっき層６を順次被着させる。このとき、第二のめっきレジスト層１２は、第一のめっきレジスト層１１および電解銅めっき層３ｂ上に良好に密着していることから、電解銅めっき層３ｂ上に電解ニッケルめっき層５および金めっき層６を良好に被着させることができる。

電解ニッケルめっき層５を被着させるには、スルファミン浴やワット浴を用い、無電解銅めっき層３ａから数Ａ／ｄｍ²の電流を印加しながら電解ニッケルめっきを施すことにより１〜５μｍ程度の厚みの電解ニッケルめっき層５を析出させる方法が採用される。このとき、電解めっきは緻密な結晶のめっき層を形成することができるので、電解ニッケルめっき層５の結晶は緻密なものとなる。

金めっき層６を被着させるには、中性シアン化金めっき浴を使用し、無電解銅めっき層３ａから０．１〜１Ａ／ｄｍ²の電流密度で電解金めっきを施すことにより０．１〜１μｍ程度の厚みの金めっき層６を被着させる方法やシアン化金カリウム、クエン酸カリウム、エチレンジアミンテトラアセティクアシッド等を含有する無電解金めっき液中に浸漬することにより０．１〜１μｍ程度の厚みの金めっき層６を被着させる方法が採用される。

次に、図２（ｇ）に示すように、第一のめっきレジスト層１１および第二のめっきレジスト層１２を水酸化ナトリウム水溶液等の剥離液を用いて剥離した後、図２（ｈ）に示すように、電解銅めっき層３ｂから露出する部位の無電解銅めっき層３ａを硫酸および過酸化水素水あるいは硫酸銅等の硫酸系水溶液によりエッチング除去することによって、絶縁基板１の上面に無電解銅めっき層３ａとその上の電解銅めっき層３ｂとから成り、その上面の中央部に電解ニッケルめっき層５と金めっき層６とが順次被着された半田接合パッド３が形成される。

ここで、電気的に独立した各半田接合パッドに、電解ニッケルめっき層および金めっき層を被着させる電荷を供給するための、めっき導通用の配線が接続されたままであると、半田接合パッドに不要な静電容量やインダクタンスが形成されてしまい、特に、高周波で作動する電子部品を搭載する場合には、そのような不要な静電容量やインダクタンスにより、電子部品を正常に作動させることができなくなるが、本発明方法では、電解銅めっき層３ｂから露出する部位の無電解銅めっき層３ａは除去されるので、めっき導通用の配線が残ることはなく、したがって、半田接合パッド３に不要な静電容量やインダクタンスが形成されることはない。

そして最後に、図２（ｉ）に示すように、絶縁基板１上に、電解ニッケルめっき層５および金めっき層６が被着された半田接合パッド３の上面中央部を露出させるとともに、半田接合パッド３の外周部を覆う耐半田樹脂層４を被着形成することによって本実施形態にかかる配線基板１０が完成する。

耐半田樹脂層４を被着形成するには、半田接合パッド３が形成された絶縁基板１の上面に、例えばアクリル変性エポキシ樹脂等の感光性樹脂と光開始剤等とからなる混合物に３０〜７０質量％のシリカやタルク等の無機粉末フィラーを含有させた未硬化の耐半田樹脂をスクリーン印刷やロールコート法等で１０〜８０μｍ程度の厚みに塗布し、しかる後、半田接合パッド３の中央部を露出させる開口部を有するように露光、現像した後、それを紫外線硬化および熱硬化させる方法が採用される。

なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能であり、例えば上述の実施の形態例では、電子部品の電極が半田接合パッド３に半田を介して接続される例について説明したが、前記電子部品に代えて、例えば他の配線基板が半田接合パッド３に半田を介して接続されていてもよい。

本発明の一実施形態にかかる配線基板の接合パッド周辺を示す拡大断面図である。 （ａ）〜（ｉ）は、本発明の一実施形態にかかる配線基板の製造方法を示す各工程毎の要部断面図である。 （ａ）〜（ｊ）は、従来の配線基板の製造方法を示す各工程毎の要部断面図である。

符号の説明

１・・・・絶縁基板
２・・・・配線導体
３・・・・半田接合パッド
３ａ・・・無電解銅めっき層
３ｂ・・・電解銅めっき層
４・・・・耐半田樹脂層
５・・・・電解ニッケルめっき層
６・・・・金めっき層
１１・・・第一のめっきレジスト層
１２・・・第二のめっきレジスト層
Ａ１・・・第一の領域
Ａ２・・・第二の領域

Claims (2)

1. 内部および表面の少なくとも一方に配線導体を有する絶縁基板と、
   該絶縁基板上に形成された銅からなる半田接合パッドと、
   該半田接合パッドの上面における外周から５μｍ以上の幅の銅を露出させつつ、前記半田接合パッドの上面中央部に順次被着された電解ニッケルめっき層および金めっき層と、
   該金めっき層の上面中央部を露出させつつ、前記半田接合パッドの銅が露出した上面外周部および前記金めっき層の上面における外周から５μｍ以上の幅の外周部を覆うように被着された耐半田樹脂層とを具備してなる配線基板。
2. 内部および表面の少なくとも一方に配線導体を有する絶縁基板と、
   該絶縁基板上に形成された銅からなる半田接合パッドと、
   該半田接合パッドの上面における外周から５μｍ以上の幅の銅を露出させつつ、前記半田接合パッドの上面中央部に順次被着された電解ニッケルめっき層および金めっき層と、
   該金めっき層の上面中央部を露出させつつ、前記半田接合パッドの銅が露出した上面外周部および前記金めっき層の上面における外周から５μｍ以上の幅の外周部を覆うように被着された耐半田樹脂層とを具備する配線基板を製造する方法であって、以下の（１）〜（８）の工程を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
   （１）内部および表面の少なくとも一方に配線導体を有する前記絶縁基板を準備する工程
   （２）前記絶縁基板の上面に無電解銅めっき層を被着させる工程
   （３）前記無電解銅めっき層上に、前記半田接合パッドが形成される第一の領域を選択的に露出させる第一のめっきレジスト層を被着させる工程
   （４）前記第一の領域に露出した前記無電解銅めっき層の上に電解銅めっき層を前記第一のめっきレジスト層の厚みの半分を超える厚みに被着させる工程
   （５）前記第一のめっきレジスト層および前記電解銅めっき層上に、前記電解ニッケルめっき層および金めっき層が順次被着される第二の領域を選択的に露出させる第二のめっきレジスト層を被着させる工程
   （６）前記第二の領域に露出した前記電解銅めっき層上に、電解ニッケルめっき層および金めっき層を順次被着させる工程
   （７）前記第一および第二のめっきレジスト層を剥離した後、前記電解銅めっき層から露出する部位の前記無電解銅めっき層をエッチング除去し、前記絶縁基板上に無電解銅めっき層とその上の電解銅めっき層とから成り、その上面に前記電解ニッケルめっき層および金めっき層が順次被着された前記半田接合パッドを形成する工程
   （８）前記半田接合パッドが形成された前記絶縁基板の上面に、前記金めっき層の上面中央部を露出させつつ、前記半田接合パッドの上面外周部および前記金めっき層の上面外周部を覆う前記耐半田樹脂層を被着させる工程
   

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