JP2004165573A - 配線基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】電子部品の電極を半田接合パッドに強固に接続することが可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】絶縁基板１の表面に無電解銅めっき層３ａを被着させ、その上に開口部１１ａを有する第一のめっきレジスト層１１を被着させ、開口部１１ａ内に露出した無電解銅めっき層３ａの上に電解銅めっき層３ｂを被着させ、第一のめっきレジスト層１１を剥離した後、電解銅めっき層３ｂをその側面まで露出させる第二の開口部１２ａを有する第二のめっきレジスト層１２を被着させ、第二の開口部１２ａ内に露出した電解めっき層３ｂ表面に電解ニッケルめっき層５を被着させ、第二のめっきレジスト層１２を剥離した後、半田接合パッド３が形成される部位以外の無電解銅めっき層３ａをエッチング除去して半田接合パッド３を形成し、その表面に無電解金めっき層６を被着し、耐半田樹脂層４を形成する。
【選択図】 図２
【解決手段】絶縁基板１の表面に無電解銅めっき層３ａを被着させ、その上に開口部１１ａを有する第一のめっきレジスト層１１を被着させ、開口部１１ａ内に露出した無電解銅めっき層３ａの上に電解銅めっき層３ｂを被着させ、第一のめっきレジスト層１１を剥離した後、電解銅めっき層３ｂをその側面まで露出させる第二の開口部１２ａを有する第二のめっきレジスト層１２を被着させ、第二の開口部１２ａ内に露出した電解めっき層３ｂ表面に電解ニッケルめっき層５を被着させ、第二のめっきレジスト層１２を剥離した後、半田接合パッド３が形成される部位以外の無電解銅めっき層３ａをエッチング除去して半田接合パッド３を形成し、その表面に無電解金めっき層６を被着し、耐半田樹脂層４を形成する。
【選択図】 図２
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、絶縁基板の表面に電子部品の電極が半田を介して接続される半田接合パッドを形成して成る配線基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体集積回路素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板として、例えばガラス−エポキシ樹脂等の有機材料系の絶縁層と銅箔等の銅から成る配線導体とを交互に複数層積層して成る絶縁基板上に、電子部品の電極が半田を介して電気的に接続される銅めっき層から成る半田接合パッドを形成した配線基板が知られている。この配線基板においては、半田接合パッドに電子部品の電極を半田を介して接続する際に絶縁基板を熱から保護するとともに半田接合パッド同士の電気的な短絡を防止するためにエポキシ樹脂等の耐熱樹脂から成る耐半田樹脂層を絶縁基板上に半田接合パッドの外周部を覆うようにして被着させている。なお、半田接合パッドは、その酸化腐食を防止するとともに半田接合パッドと電子部品の電極との半田を介した電気的接続を良好かつ強固なものとする目的で、半田接合パッドの露出する表面には通常、無電解ニッケルめっき層および無電解金めっき層が順次被着されている。
【０００３】
このような配線基板は、先ず有機材料系の絶縁層と銅から成る配線導体とを積層した絶縁基板上に直径が２５０〜６００μｍの銅めっき層から成る半田接合パッドを形成し、次に絶縁基板上に半田接合パッドの外周部を覆うとともに中央部を露出させる耐半田樹脂層を形成した後、半田接合パッドの露出表面に無電解ニッケルめっき層および無電解金めっき層を順次被着させることにより製造されている。なお、無電解ニッケルめっき層上に被着された無電解金めっき層は、電子部品の電極と半田接合パッドとを半田を介して接続する際に半田中に拡散して消滅する。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００１−１１０９３９号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年、環境への配慮から、電子部品の電極と配線基板の半田接合パッドとを接続する半田として鉛を含まない鉛フリー半田が使用されるようになってきている。このような鉛フリー半田は、従来の鉛を含んだ半田よりもその融点が一般的に１０〜２０℃程度高く、そのためこの鉛フリー半田を使用して電子部品の電極と配線基板の半田接合パッドとを接続する場合、従来よりも１０〜２０℃程度高い温度で半田を溶融させる必要がある。そして、このように高い温度を配線基板に印加すると、無電解ニッケルめっき層はその結晶が疎であるため半田接合パッド上に被着された無電解ニッケルめっき層と半田との界面に脆弱な金属間化合物が多量に形成され、そのため電子部品の電極を半田接合パッドに接続する半田に熱や外力による応力が印加されると、半田がめっき金属層との間で剥離しやすくなり、その結果、電子部品の電極と半田接合パッドとを半田を介して強固に接続することができなくなってしまうという問題点を誘発した。そこで、半田接合パッド上に被着させるめっき金属層を結晶が緻密な電解ニッケルめっき層およびその上に被着させた電解金めっき層とすることで半田接合パッドに被着されたニッケルめっき層と半田との間に脆弱な金属間化合物が形成されにくくすることが考えられる。しかしながら、電気的に独立した各半田接合パッドに電解ニッケルめっき層および電解金めっき層を被着させるには、各半田接合パッドに電荷を供給するためのめっき導通用の配線を接続させる必要があり、そのようなめっき導通用の配線により半田接合パッドに不要な静電容量やインダクタンスが形成されてしまい、特に高周波で作動する電子部品を搭載する場合にはそのような不要な静電容量やインダクタンスにより電子部品を正常に作動させることができなくなってしまうという問題点を誘発してしまう。
【０００６】
本発明は、かかる従来の問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、絶縁基板に形成した半田接合パッドの表面に電解めっきによる緻密なめっき金属層をめっき導通用の配線を残すことなく良好に被着して、電子部品の電極を半田接合パッドに半田を介して強固に接続することができるとともに電子部品を正常に作動させることが可能な配線基板を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の配線基板の製造方法は、内部および／または表面に配線導体を有し、上面に半田接合パッドが形成される絶縁基板を準備し、次にその絶縁基板の上面に無電解銅めっき層を被着させ、次にその無電解銅めっき層上に半田接合パッドが形成される部位の無電解銅めっき層を露出させる第一の開口部を有する第一のめっきレジスト層を被着させ、次に第一のめっきレジスト層の第一の開口部内に露出した無電解銅めっき層の上に電解銅めっき層を被着させ、次に第一のめっきレジスト層を剥離した後、無電解銅めっき層上に半田接合パッドが形成される部位の電解銅めっき層をその側面まで露出させる第二の開口部を有する第二のめっきレジスト層を被着させ、次に第二のめっきレジスト層の第二の開口部内に露出した電解銅めっき層の表面に電解ニッケルめっき層を被着させ、次に第二のめっきレジスト層を剥離した後、電解ニッケルめっき層から露出する部位の無電解銅めっき層をエッチング除去し、絶縁基板上に無電解銅めっき層とその上の電解銅めっき層とから成り、その上面に電解銅めっき層の側面まで被覆する電解ニッケルめっき層が被着された半田接合パッドを形成し、次に電解ニッケルめっき層が被着された半田接合パッドの表面に無電解金めっき層を被着させ、次に絶縁基板の上面に、半田接合パッドの外周部を覆うとともに中央部を露出させる耐半田樹脂層を形成することを特徴とするものである。
【０００８】
本発明の配線基板の製造方法によれば、内部および／または表面に配線導体を有し、上面に半田接合パッドが形成される絶縁基板を準備し、次にその絶縁基板の上面に無電解銅めっき層を被着させ、次にその無電解銅めっき層上に半田接合パッドが形成される部位の無電解銅めっき層を露出させる第一の開口部を有する第一のめっきレジスト層を被着させ、次に第一のめっきレジスト層の第一の開口部内に露出した無電解銅めっき層の上に電解銅めっき層を被着させ、次に第一のめっきレジスト層を剥離した後、無電解銅めっき層上に半田接合パッドが形成される部位の電解銅めっき層をその側面まで露出させる第二の開口部を有する第二のめっきレジスト層を被着させ、次に第二のめっきレジスト層の第二の開口部内に露出した電解銅めっき層の表面に電解ニッケルめっき層を被着させ、次に第二のめっきレジスト層を剥離した後、電解ニッケルめっき層から露出する部位の無電解銅めっき層をエッチング除去し、絶縁基板上に無電解銅めっき層とその上の電解銅めっき層とから成り、その上面に電解銅めっき層の側面まで被覆する電解ニッケルめっき層が被着された半田接合パッドを形成し、次に電解ニッケルめっき層が被着された半田接合パッドの表面に無電解金めっき層を被着させ、次に絶縁基板の上面に、半田接合パッドの外周部を覆うとともに中央部を露出させる耐半田樹脂層を形成することから、半田接合パッドに接続されためっき導通用の配線を残すことなく耐半田樹脂層から露出する表面に緻密な電解ニッケルめっき層および無電解金めっき層を被着させることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
次に本発明の製造方法を添付の図面に基づき詳細に説明する。
図１は、本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す要部断面図であり、図中、１は絶縁基板、２は配線導体、３は半田接合パッド、４は耐半田樹脂層であり、主としてこれらで本発明による配線基板が構成されている。
【００１０】
絶縁基板１は、例えばガラス繊維を縦横に編んで形成されたガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁板１ａ上にエポキシ樹脂や変性ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂から成る絶縁層１ｂを積層して成り、その内部や表面には銅箔や銅めっき層等の銅から成る複数の配線導体２が配設されている。
【００１１】
また、絶縁基板１の表面には、配線導体２に電気的に接続された銅めっき層から成る複数の半田接合パッド３が形成されており、この半田接合パッド３には図示しない電子部品の電極が半田を介して電気的に接続される。
【００１２】
なお、半田接合パッド３の表面には半田接合パッド３の酸化腐蝕を防止するとともに半田接合パッド３と半田との接合を良好とするために電解ニッケルめっき層５と無電解金めっき層６とが順次被着されている。そして半田接合パッド３に半田を溶着させると半田が接合される部位の無電解金めっき層６は半田中に拡散して消滅するとともに電解ニッケルめっき層５と半田とが接合する。このとき、半田接合パッド３の上面に被着された電解ニッケルめっき層５はその結晶が緻密であることから、電解ニッケルめっき層５と半田との間に脆弱な金属間化合物が多量に形成されにくく、そのため電子部品の電極を半田接合パッド３に半田を介して強固に接続することができる。
【００１３】
さらに、絶縁基板１および半田接合パッド３上には、半田接合パッド３の外周部を被覆するとともに中央部を露出させるエポキシ樹脂等の耐熱樹脂から成る耐半田樹脂層４が被着されている。耐半田樹脂層４は、半田接合パッド３に電子部品の電極を半田を介して接続する際に、その熱から絶縁基板１を保護するとともに半田接合パッド３同士が半田を介して電気的に短絡するのを防止するためのダムとして機能する。
【００１４】
次に、上述した配線基板を本発明により製造する方法を図２に基づいて詳細に説明する。図２（ａ）〜（ｊ）は、本発明の配線基板の製造方法を説明するための各工程毎の要部断面図である。
【００１５】
まず、図２（ａ）に示すように、ガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁板１ａ上にエポキシ樹脂や変性ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂から成る絶縁層１ｂを積層して成るとともに内部および／または表面に銅箔や銅めっき層から成る配線導体２を有する絶縁基板１を準備する。絶縁板１ａは、ガラス繊維を縦横に織り込んだガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて硬化させることにより形成され、絶縁層１ｂは、未硬化のエポキシ樹脂や変性ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂から成る厚みが１０〜７０μｍの樹脂シートを絶縁板１ａの上面に貼着するとともにその樹脂シートにレーザ加工により配線導体２を露出させる開口部１ｃを形成した後、上下から加圧しながら加熱して熱硬化させることにより絶縁板１ａ上に積層される。また、配線導体２は絶縁板１ａの上面に予め銅箔を貼着しておくとともにその銅箔を所定のパターンにエッチング加工することにより形成される。
【００１６】
次に図２（ｂ）に示すように、開口部１ｃ内の配線導体２上を含む絶縁基板１の上面の全面に厚みが１〜２μｍ程度の無電解銅めっき層３ａを被着させる。絶縁基板１の上面の全面に無電解銅めっき層３ａを被着させるには、まず、絶縁層１ｂの表面を約５０℃の過マンガン酸塩類水溶液等の粗化液に浸漬することにより粗化し、次に、絶縁層１ｂの表面が粗化された絶縁基板１の上面を約３０℃の無電解めっき用のパラジウム触媒水溶液中に浸漬して絶縁層１ｂの表面および開口部１ｃ内の配線導体２上にパラジウム触媒を付着させ、次にその絶縁基板１の上面を硫酸銅、ロッセル塩、ホルマリン、ＥＤＴＡナトリウム塩、安定剤等を含有する無電解めっき液に浸漬して絶縁層１ｂの表面および開口部１ｃ内の配線導体２上に１〜２ｍ程度の厚みの無電解銅めっき層３ａを析出させる方法が採用される。
【００１７】
次に、図２（ｃ）に示すように、絶縁基板１の上面に被着させた無電解銅めっき層３ａ上に、半田接合パッド３が形成される部位を露出させる第一の開口部１１ａを有する第一のめっきレジスト層１１を被着させる。第一のめっきレジスト層１１は、例えば厚みが１０〜５０μｍ程度の未硬化の紫外線硬化性樹脂および熱硬化性樹脂を含有する感光性樹脂フィルムを無電解銅めっき層３ａが被着された絶縁基板１上に貼着するとともに、これをフォトリソグラフィー技術を採用して露光および現像することにより形成される。
【００１８】
次に、図２（ｄ）に示すように、第一のめっきレジスト層１１の第一の開口部１１ａから露出した無電解銅めっき層３ａ上に電解銅めっき層３ｂを被着させる。電解銅めっき層３ｂを被着させるには、硫酸、硫酸銅５水和物、塩素、光沢剤等を含有する電解銅めっき液を用い、無電解銅めっき層３ａから数Ａ／ｄｍ２の電流を印加しながら電解銅めっきを施すことにより、５〜３０μｍ程度の厚みの電解銅めっき層３ｂを析出させる方法が採用される。
【００１９】
次に、図２（ｅ）に示すように、第一のめっきレジスト層１１を水酸化ナトリウム水溶液等の剥離液を用いて剥離した後、無電解銅めっき層３ａ上に、半田接合パッド３が形成される部位に被着された電解銅めっき層３ｂをその側面まで露出させる第二の開口部１２ａを有する第二のめっきレジスト層１２を被着させる。第二のめっきレジスト層１２は、例えば厚みが１０〜５０μｍ程度の未硬化の紫外線硬化性樹脂および熱硬化性樹脂を含有する感光性樹脂フィルムを無電解銅めっき層３ａおよび電解銅めっき層３ｂが被着された絶縁基板１上に貼着するとともに、これをフォトリソグラフィー技術を採用して開口部１２ａを有するように露光および現像することにより形成される。
【００２０】
次に、図２（ｆ）に示すように、第二のめっきレジスト層１２の第二の開口部１２ａから露出した電解銅めっき層３ｂの表面に電解ニッケルめっき層５を被着させる。電解ニッケルめっき層５を被着させるには、スルファミン浴やワット浴を用い、無電解銅めっき層３ａから数Ａ／ｄｍ２の電流を印加しながら電解ニッケルめっきを施すことにより１〜５μｍ程度の厚みの電解ニッケルめっき層５を析出させる方法が採用される。このとき、電解めっきは緻密な結晶のめっき層を形成することができるので、電解ニッケルめっき層５の結晶は緻密なものとなる。
【００２１】
次に、図２（ｇ）に示すように、第二のめっきレジスト層１２を水酸化ナトリウム水溶液等の剥離液を用いて剥離した後、図２（ｈ）に示すように、ニッケルめっき層５をエッチングレジストして使用して電解ニッケルめっき層５から露出する部位の無電解銅めっき層３ａを硫酸および過酸化水素水あるいは硫酸銅等の硫酸系水溶液によりエッチング除去することによって、絶縁基板１の上面に無電解銅めっき層３ａとその上の電解銅めっき層３ｂとから成り、その上面に電解ニッケルめっき層５が被着された半田接合パッド３を形成する。このとき、半田接合パッド３が形成される部位以外の無電解銅めっき層３ａは除去されるので、めっき導通用の配線が残ることはなく、したがって半田接合パッド３に不要な静電容量やインダクタンスが形成されることはない。
【００２２】
次に、図２（ｉ）に示すように、電解ニッケルめっき層５が被着された半田接合パッド３上の表面に無電解金めっき層６を被着させる。なお、無電解金めっき層６を被着させるには、シアン化金カリウム、クエン酸カリウム、エチレンジアミンテトラアセティクアシッド等を含有する無電解金めっき液中に浸漬することにより０．１〜１μｍ程度の厚みの無電解金めっき層６を被着させる方法が採用される。
【００２３】
そして最後に、図２（ｊ）に示すように、絶縁基板１上に、半田接合パッド３の外周部を覆うとともに中央部を露出させる耐半田樹脂層４を被着形成することによって本発明による配線基板が完成する。なお、耐半田樹脂層４を被着形成するには、表面に電解ニッケルめっき層５および無電解金めっき層６が被着された半田接合パッド３を有する絶縁基板１の上面に例えばアクリル変性エポキシ樹脂等の感光性樹脂と光開始剤等とからなる混合物に３０〜７０質量％のシリカやタルク等の無機粉末フィラーを含有させた未硬化の耐半田樹脂を、スクリーン印刷やロールコート法により１０〜８０μｍ程度の厚みに塗布し、しかる後、半田接合パッド３の中央部を露出させる開口部を有するように露光、現像した後、それを紫外線硬化および熱硬化させる方法が採用される。
【００２４】
このように、本発明の配線基板の製造方法によれば、半田接合パッド３の表面に緻密な結晶の電解ニッケルめっき層５および無電解金めっき層６をめっき導通用の配線を残すことなく良好に被着して、電子部品の電極を半田を介して半田接合パッド３に強固に接続することができるとともに電子部品を正常に作動させることが可能な配線基板を提供することができる。
【００２５】
なお、本発明は、上述の実施の形態の一例に限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変更や改良を施すことは何ら差し支えない。
【００２６】
【発明の効果】
本発明の配線基板の製造方法によれば、内部および／または表面に配線導体を有し、上面に半田接合パッドが形成される絶縁基板を準備し、次にその絶縁基板の上面に無電解銅めっき層を被着させ、次にその無電解銅めっき層上に半田接合パッドが形成される部位の無電解銅めっき層を露出させる第一の開口部を有する第一のめっきレジスト層を被着させ、次に第一のめっきレジスト層の第一の開口部内に露出した無電解銅めっき層の上に電解銅めっき層を被着させ、次に第一のめっきレジスト層を剥離した後、無電解銅めっき層上に半田接合パッドが形成される部位の電解銅めっき層をその側面まで露出させる第二の開口部を有する第二のめっきレジスト層を被着させ、次に第二のめっきレジスト層の第二の開口部内に露出した電解銅めっき層の表面に電解ニッケルめっき層を被着させ、次に第二のめっきレジスト層を剥離した後、電解ニッケルめっき層から露出する部位の無電解銅めっき層をエッチング除去し、絶縁基板上に無電解銅めっき層とその上の電解銅めっき層とから成り、その上面に電解銅めっき層の側面まで被覆する電解ニッケルめっき層が被着された半田接合パッドを形成し、次に電解ニッケルめっき層が被着された半田接合パッドの表面に無電解金めっき層を被着させ、次に絶縁基板の上面に、半田接合パッドの外周部を覆うとともに中央部を露出させる耐半田樹脂層を形成することから、半田接合パッドに接続されためっき導通用の配線を残すことなく耐半田樹脂層から露出する表面に緻密な電解ニッケルめっき層および無電解金めっき層を被着させることができる。したがって、電子部品の電極を半田接合パッドに半田を介して強固に接続することができるとともに電子部品を正常に作動させることが可能な配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明により製造される配線基板の実施の形態の一例を示す要部断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｊ）は本発明の配線基板の製造方法を説明するための各工程毎の要部断面図である。
【符号の説明】
１・・・・絶縁基板
２・・・・配線導体
３・・・・半田接合パッド
３ａ・・・無電解銅めっき層
３ｂ・・・電解銅めっき層
４・・・・耐半田樹脂層
５・・・・電解ニッケルめっき層
６・・・・無電解金めっき層
１１・・・第一のめっきレジスト層
１１ａ・・第一の開口部
１２・・・第二のめっきレジスト層
１２ａ・・第二の開口部
【発明の属する技術分野】
本発明は、絶縁基板の表面に電子部品の電極が半田を介して接続される半田接合パッドを形成して成る配線基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体集積回路素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板として、例えばガラス−エポキシ樹脂等の有機材料系の絶縁層と銅箔等の銅から成る配線導体とを交互に複数層積層して成る絶縁基板上に、電子部品の電極が半田を介して電気的に接続される銅めっき層から成る半田接合パッドを形成した配線基板が知られている。この配線基板においては、半田接合パッドに電子部品の電極を半田を介して接続する際に絶縁基板を熱から保護するとともに半田接合パッド同士の電気的な短絡を防止するためにエポキシ樹脂等の耐熱樹脂から成る耐半田樹脂層を絶縁基板上に半田接合パッドの外周部を覆うようにして被着させている。なお、半田接合パッドは、その酸化腐食を防止するとともに半田接合パッドと電子部品の電極との半田を介した電気的接続を良好かつ強固なものとする目的で、半田接合パッドの露出する表面には通常、無電解ニッケルめっき層および無電解金めっき層が順次被着されている。
【０００３】
このような配線基板は、先ず有機材料系の絶縁層と銅から成る配線導体とを積層した絶縁基板上に直径が２５０〜６００μｍの銅めっき層から成る半田接合パッドを形成し、次に絶縁基板上に半田接合パッドの外周部を覆うとともに中央部を露出させる耐半田樹脂層を形成した後、半田接合パッドの露出表面に無電解ニッケルめっき層および無電解金めっき層を順次被着させることにより製造されている。なお、無電解ニッケルめっき層上に被着された無電解金めっき層は、電子部品の電極と半田接合パッドとを半田を介して接続する際に半田中に拡散して消滅する。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００１−１１０９３９号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年、環境への配慮から、電子部品の電極と配線基板の半田接合パッドとを接続する半田として鉛を含まない鉛フリー半田が使用されるようになってきている。このような鉛フリー半田は、従来の鉛を含んだ半田よりもその融点が一般的に１０〜２０℃程度高く、そのためこの鉛フリー半田を使用して電子部品の電極と配線基板の半田接合パッドとを接続する場合、従来よりも１０〜２０℃程度高い温度で半田を溶融させる必要がある。そして、このように高い温度を配線基板に印加すると、無電解ニッケルめっき層はその結晶が疎であるため半田接合パッド上に被着された無電解ニッケルめっき層と半田との界面に脆弱な金属間化合物が多量に形成され、そのため電子部品の電極を半田接合パッドに接続する半田に熱や外力による応力が印加されると、半田がめっき金属層との間で剥離しやすくなり、その結果、電子部品の電極と半田接合パッドとを半田を介して強固に接続することができなくなってしまうという問題点を誘発した。そこで、半田接合パッド上に被着させるめっき金属層を結晶が緻密な電解ニッケルめっき層およびその上に被着させた電解金めっき層とすることで半田接合パッドに被着されたニッケルめっき層と半田との間に脆弱な金属間化合物が形成されにくくすることが考えられる。しかしながら、電気的に独立した各半田接合パッドに電解ニッケルめっき層および電解金めっき層を被着させるには、各半田接合パッドに電荷を供給するためのめっき導通用の配線を接続させる必要があり、そのようなめっき導通用の配線により半田接合パッドに不要な静電容量やインダクタンスが形成されてしまい、特に高周波で作動する電子部品を搭載する場合にはそのような不要な静電容量やインダクタンスにより電子部品を正常に作動させることができなくなってしまうという問題点を誘発してしまう。
【０００６】
本発明は、かかる従来の問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、絶縁基板に形成した半田接合パッドの表面に電解めっきによる緻密なめっき金属層をめっき導通用の配線を残すことなく良好に被着して、電子部品の電極を半田接合パッドに半田を介して強固に接続することができるとともに電子部品を正常に作動させることが可能な配線基板を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の配線基板の製造方法は、内部および／または表面に配線導体を有し、上面に半田接合パッドが形成される絶縁基板を準備し、次にその絶縁基板の上面に無電解銅めっき層を被着させ、次にその無電解銅めっき層上に半田接合パッドが形成される部位の無電解銅めっき層を露出させる第一の開口部を有する第一のめっきレジスト層を被着させ、次に第一のめっきレジスト層の第一の開口部内に露出した無電解銅めっき層の上に電解銅めっき層を被着させ、次に第一のめっきレジスト層を剥離した後、無電解銅めっき層上に半田接合パッドが形成される部位の電解銅めっき層をその側面まで露出させる第二の開口部を有する第二のめっきレジスト層を被着させ、次に第二のめっきレジスト層の第二の開口部内に露出した電解銅めっき層の表面に電解ニッケルめっき層を被着させ、次に第二のめっきレジスト層を剥離した後、電解ニッケルめっき層から露出する部位の無電解銅めっき層をエッチング除去し、絶縁基板上に無電解銅めっき層とその上の電解銅めっき層とから成り、その上面に電解銅めっき層の側面まで被覆する電解ニッケルめっき層が被着された半田接合パッドを形成し、次に電解ニッケルめっき層が被着された半田接合パッドの表面に無電解金めっき層を被着させ、次に絶縁基板の上面に、半田接合パッドの外周部を覆うとともに中央部を露出させる耐半田樹脂層を形成することを特徴とするものである。
【０００８】
本発明の配線基板の製造方法によれば、内部および／または表面に配線導体を有し、上面に半田接合パッドが形成される絶縁基板を準備し、次にその絶縁基板の上面に無電解銅めっき層を被着させ、次にその無電解銅めっき層上に半田接合パッドが形成される部位の無電解銅めっき層を露出させる第一の開口部を有する第一のめっきレジスト層を被着させ、次に第一のめっきレジスト層の第一の開口部内に露出した無電解銅めっき層の上に電解銅めっき層を被着させ、次に第一のめっきレジスト層を剥離した後、無電解銅めっき層上に半田接合パッドが形成される部位の電解銅めっき層をその側面まで露出させる第二の開口部を有する第二のめっきレジスト層を被着させ、次に第二のめっきレジスト層の第二の開口部内に露出した電解銅めっき層の表面に電解ニッケルめっき層を被着させ、次に第二のめっきレジスト層を剥離した後、電解ニッケルめっき層から露出する部位の無電解銅めっき層をエッチング除去し、絶縁基板上に無電解銅めっき層とその上の電解銅めっき層とから成り、その上面に電解銅めっき層の側面まで被覆する電解ニッケルめっき層が被着された半田接合パッドを形成し、次に電解ニッケルめっき層が被着された半田接合パッドの表面に無電解金めっき層を被着させ、次に絶縁基板の上面に、半田接合パッドの外周部を覆うとともに中央部を露出させる耐半田樹脂層を形成することから、半田接合パッドに接続されためっき導通用の配線を残すことなく耐半田樹脂層から露出する表面に緻密な電解ニッケルめっき層および無電解金めっき層を被着させることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
次に本発明の製造方法を添付の図面に基づき詳細に説明する。
図１は、本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す要部断面図であり、図中、１は絶縁基板、２は配線導体、３は半田接合パッド、４は耐半田樹脂層であり、主としてこれらで本発明による配線基板が構成されている。
【００１０】
絶縁基板１は、例えばガラス繊維を縦横に編んで形成されたガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁板１ａ上にエポキシ樹脂や変性ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂から成る絶縁層１ｂを積層して成り、その内部や表面には銅箔や銅めっき層等の銅から成る複数の配線導体２が配設されている。
【００１１】
また、絶縁基板１の表面には、配線導体２に電気的に接続された銅めっき層から成る複数の半田接合パッド３が形成されており、この半田接合パッド３には図示しない電子部品の電極が半田を介して電気的に接続される。
【００１２】
なお、半田接合パッド３の表面には半田接合パッド３の酸化腐蝕を防止するとともに半田接合パッド３と半田との接合を良好とするために電解ニッケルめっき層５と無電解金めっき層６とが順次被着されている。そして半田接合パッド３に半田を溶着させると半田が接合される部位の無電解金めっき層６は半田中に拡散して消滅するとともに電解ニッケルめっき層５と半田とが接合する。このとき、半田接合パッド３の上面に被着された電解ニッケルめっき層５はその結晶が緻密であることから、電解ニッケルめっき層５と半田との間に脆弱な金属間化合物が多量に形成されにくく、そのため電子部品の電極を半田接合パッド３に半田を介して強固に接続することができる。
【００１３】
さらに、絶縁基板１および半田接合パッド３上には、半田接合パッド３の外周部を被覆するとともに中央部を露出させるエポキシ樹脂等の耐熱樹脂から成る耐半田樹脂層４が被着されている。耐半田樹脂層４は、半田接合パッド３に電子部品の電極を半田を介して接続する際に、その熱から絶縁基板１を保護するとともに半田接合パッド３同士が半田を介して電気的に短絡するのを防止するためのダムとして機能する。
【００１４】
次に、上述した配線基板を本発明により製造する方法を図２に基づいて詳細に説明する。図２（ａ）〜（ｊ）は、本発明の配線基板の製造方法を説明するための各工程毎の要部断面図である。
【００１５】
まず、図２（ａ）に示すように、ガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁板１ａ上にエポキシ樹脂や変性ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂から成る絶縁層１ｂを積層して成るとともに内部および／または表面に銅箔や銅めっき層から成る配線導体２を有する絶縁基板１を準備する。絶縁板１ａは、ガラス繊維を縦横に織り込んだガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて硬化させることにより形成され、絶縁層１ｂは、未硬化のエポキシ樹脂や変性ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂から成る厚みが１０〜７０μｍの樹脂シートを絶縁板１ａの上面に貼着するとともにその樹脂シートにレーザ加工により配線導体２を露出させる開口部１ｃを形成した後、上下から加圧しながら加熱して熱硬化させることにより絶縁板１ａ上に積層される。また、配線導体２は絶縁板１ａの上面に予め銅箔を貼着しておくとともにその銅箔を所定のパターンにエッチング加工することにより形成される。
【００１６】
次に図２（ｂ）に示すように、開口部１ｃ内の配線導体２上を含む絶縁基板１の上面の全面に厚みが１〜２μｍ程度の無電解銅めっき層３ａを被着させる。絶縁基板１の上面の全面に無電解銅めっき層３ａを被着させるには、まず、絶縁層１ｂの表面を約５０℃の過マンガン酸塩類水溶液等の粗化液に浸漬することにより粗化し、次に、絶縁層１ｂの表面が粗化された絶縁基板１の上面を約３０℃の無電解めっき用のパラジウム触媒水溶液中に浸漬して絶縁層１ｂの表面および開口部１ｃ内の配線導体２上にパラジウム触媒を付着させ、次にその絶縁基板１の上面を硫酸銅、ロッセル塩、ホルマリン、ＥＤＴＡナトリウム塩、安定剤等を含有する無電解めっき液に浸漬して絶縁層１ｂの表面および開口部１ｃ内の配線導体２上に１〜２ｍ程度の厚みの無電解銅めっき層３ａを析出させる方法が採用される。
【００１７】
次に、図２（ｃ）に示すように、絶縁基板１の上面に被着させた無電解銅めっき層３ａ上に、半田接合パッド３が形成される部位を露出させる第一の開口部１１ａを有する第一のめっきレジスト層１１を被着させる。第一のめっきレジスト層１１は、例えば厚みが１０〜５０μｍ程度の未硬化の紫外線硬化性樹脂および熱硬化性樹脂を含有する感光性樹脂フィルムを無電解銅めっき層３ａが被着された絶縁基板１上に貼着するとともに、これをフォトリソグラフィー技術を採用して露光および現像することにより形成される。
【００１８】
次に、図２（ｄ）に示すように、第一のめっきレジスト層１１の第一の開口部１１ａから露出した無電解銅めっき層３ａ上に電解銅めっき層３ｂを被着させる。電解銅めっき層３ｂを被着させるには、硫酸、硫酸銅５水和物、塩素、光沢剤等を含有する電解銅めっき液を用い、無電解銅めっき層３ａから数Ａ／ｄｍ２の電流を印加しながら電解銅めっきを施すことにより、５〜３０μｍ程度の厚みの電解銅めっき層３ｂを析出させる方法が採用される。
【００１９】
次に、図２（ｅ）に示すように、第一のめっきレジスト層１１を水酸化ナトリウム水溶液等の剥離液を用いて剥離した後、無電解銅めっき層３ａ上に、半田接合パッド３が形成される部位に被着された電解銅めっき層３ｂをその側面まで露出させる第二の開口部１２ａを有する第二のめっきレジスト層１２を被着させる。第二のめっきレジスト層１２は、例えば厚みが１０〜５０μｍ程度の未硬化の紫外線硬化性樹脂および熱硬化性樹脂を含有する感光性樹脂フィルムを無電解銅めっき層３ａおよび電解銅めっき層３ｂが被着された絶縁基板１上に貼着するとともに、これをフォトリソグラフィー技術を採用して開口部１２ａを有するように露光および現像することにより形成される。
【００２０】
次に、図２（ｆ）に示すように、第二のめっきレジスト層１２の第二の開口部１２ａから露出した電解銅めっき層３ｂの表面に電解ニッケルめっき層５を被着させる。電解ニッケルめっき層５を被着させるには、スルファミン浴やワット浴を用い、無電解銅めっき層３ａから数Ａ／ｄｍ２の電流を印加しながら電解ニッケルめっきを施すことにより１〜５μｍ程度の厚みの電解ニッケルめっき層５を析出させる方法が採用される。このとき、電解めっきは緻密な結晶のめっき層を形成することができるので、電解ニッケルめっき層５の結晶は緻密なものとなる。
【００２１】
次に、図２（ｇ）に示すように、第二のめっきレジスト層１２を水酸化ナトリウム水溶液等の剥離液を用いて剥離した後、図２（ｈ）に示すように、ニッケルめっき層５をエッチングレジストして使用して電解ニッケルめっき層５から露出する部位の無電解銅めっき層３ａを硫酸および過酸化水素水あるいは硫酸銅等の硫酸系水溶液によりエッチング除去することによって、絶縁基板１の上面に無電解銅めっき層３ａとその上の電解銅めっき層３ｂとから成り、その上面に電解ニッケルめっき層５が被着された半田接合パッド３を形成する。このとき、半田接合パッド３が形成される部位以外の無電解銅めっき層３ａは除去されるので、めっき導通用の配線が残ることはなく、したがって半田接合パッド３に不要な静電容量やインダクタンスが形成されることはない。
【００２２】
次に、図２（ｉ）に示すように、電解ニッケルめっき層５が被着された半田接合パッド３上の表面に無電解金めっき層６を被着させる。なお、無電解金めっき層６を被着させるには、シアン化金カリウム、クエン酸カリウム、エチレンジアミンテトラアセティクアシッド等を含有する無電解金めっき液中に浸漬することにより０．１〜１μｍ程度の厚みの無電解金めっき層６を被着させる方法が採用される。
【００２３】
そして最後に、図２（ｊ）に示すように、絶縁基板１上に、半田接合パッド３の外周部を覆うとともに中央部を露出させる耐半田樹脂層４を被着形成することによって本発明による配線基板が完成する。なお、耐半田樹脂層４を被着形成するには、表面に電解ニッケルめっき層５および無電解金めっき層６が被着された半田接合パッド３を有する絶縁基板１の上面に例えばアクリル変性エポキシ樹脂等の感光性樹脂と光開始剤等とからなる混合物に３０〜７０質量％のシリカやタルク等の無機粉末フィラーを含有させた未硬化の耐半田樹脂を、スクリーン印刷やロールコート法により１０〜８０μｍ程度の厚みに塗布し、しかる後、半田接合パッド３の中央部を露出させる開口部を有するように露光、現像した後、それを紫外線硬化および熱硬化させる方法が採用される。
【００２４】
このように、本発明の配線基板の製造方法によれば、半田接合パッド３の表面に緻密な結晶の電解ニッケルめっき層５および無電解金めっき層６をめっき導通用の配線を残すことなく良好に被着して、電子部品の電極を半田を介して半田接合パッド３に強固に接続することができるとともに電子部品を正常に作動させることが可能な配線基板を提供することができる。
【００２５】
なお、本発明は、上述の実施の形態の一例に限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変更や改良を施すことは何ら差し支えない。
【００２６】
【発明の効果】
本発明の配線基板の製造方法によれば、内部および／または表面に配線導体を有し、上面に半田接合パッドが形成される絶縁基板を準備し、次にその絶縁基板の上面に無電解銅めっき層を被着させ、次にその無電解銅めっき層上に半田接合パッドが形成される部位の無電解銅めっき層を露出させる第一の開口部を有する第一のめっきレジスト層を被着させ、次に第一のめっきレジスト層の第一の開口部内に露出した無電解銅めっき層の上に電解銅めっき層を被着させ、次に第一のめっきレジスト層を剥離した後、無電解銅めっき層上に半田接合パッドが形成される部位の電解銅めっき層をその側面まで露出させる第二の開口部を有する第二のめっきレジスト層を被着させ、次に第二のめっきレジスト層の第二の開口部内に露出した電解銅めっき層の表面に電解ニッケルめっき層を被着させ、次に第二のめっきレジスト層を剥離した後、電解ニッケルめっき層から露出する部位の無電解銅めっき層をエッチング除去し、絶縁基板上に無電解銅めっき層とその上の電解銅めっき層とから成り、その上面に電解銅めっき層の側面まで被覆する電解ニッケルめっき層が被着された半田接合パッドを形成し、次に電解ニッケルめっき層が被着された半田接合パッドの表面に無電解金めっき層を被着させ、次に絶縁基板の上面に、半田接合パッドの外周部を覆うとともに中央部を露出させる耐半田樹脂層を形成することから、半田接合パッドに接続されためっき導通用の配線を残すことなく耐半田樹脂層から露出する表面に緻密な電解ニッケルめっき層および無電解金めっき層を被着させることができる。したがって、電子部品の電極を半田接合パッドに半田を介して強固に接続することができるとともに電子部品を正常に作動させることが可能な配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明により製造される配線基板の実施の形態の一例を示す要部断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｊ）は本発明の配線基板の製造方法を説明するための各工程毎の要部断面図である。
【符号の説明】
１・・・・絶縁基板
２・・・・配線導体
３・・・・半田接合パッド
３ａ・・・無電解銅めっき層
３ｂ・・・電解銅めっき層
４・・・・耐半田樹脂層
５・・・・電解ニッケルめっき層
６・・・・無電解金めっき層
１１・・・第一のめっきレジスト層
１１ａ・・第一の開口部
１２・・・第二のめっきレジスト層
１２ａ・・第二の開口部
Claims (1)
- 内部および／または表面に配線導体を有し、上面に半田接合パッドが形成される絶縁基板を準備する工程と、該絶縁基板の上面に無電解銅めっき層を被着させる工程と、該無電解銅めっき層上に前記半田接合パッドが形成される部位の前記無電解銅めっき層を露出させる第一の開口部を有する第一のめっきレジスト層を被着させる工程と、前記第一の開口部内に露出した前記無電解銅めっき層の上に電解銅めっき層を被着させる工程と、前記第一のめっきレジスト層を剥離した後、前記無電解銅めっき層上に前記半田接合パッドが形成される部位の前記電解銅めっき層をその側面まで露出させる第二の開口部を有する第二のめっきレジスト層を被着させる工程と、前記第二の開口部内に露出した前記電解銅めっき層の表面に電解ニッケルめっき層を被着させる工程と、前記第二のめっきレジスト層を剥離した後、前記電解ニッケルめっき層から露出する部位の前記無電解銅めっき層をエッチング除去し、前記絶縁基板上に無電解銅めっき層とその上の電解銅めっき層とから成り、その上面に前記電解銅めっき層の側面まで被覆する電解ニッケルめっき層が順次被着された半田接合パッドを形成する工程と、前記電解ニッケルめっき層が被着された半田接合パッドの表面に無電解金めっき層を被着する工程と、前記絶縁基板の上面に、前記半田接合パッドの外周部を覆うとともに中央部を露出させる耐半田樹脂層を形成する工程とを順次行なうことを特徴とする配線基板の製造方法。
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| JP2002332468A JP2004165573A (ja) | 2002-11-15 | 2002-11-15 | 配線基板の製造方法 |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007048948A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Kyocer Slc Technologies Corp | 配線基板およびその製造方法 |
| JP2016127222A (ja) * | 2015-01-08 | 2016-07-11 | イビデン株式会社 | バンプ付きプリント配線板 |
| EP3817525A4 (en) * | 2018-06-26 | 2022-03-30 | Kyocera Corporation | PCB |
-
2002
- 2002-11-15 JP JP2002332468A patent/JP2004165573A/ja active Pending
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