JP2004165327A - 配線基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】電子部品の電極を半田接合パッドに強固に接続することが可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】絶縁基板1の表面に無電解銅めっき層3aを被着させ、その上に開口部11aを有する第一のめっきレジスト層11を被着させ、露出した無電解銅めっき層3aの上に電解銅めっき層3bおよび電解ニッケルめっき層5を被着させ、第一のめっきレジスト層11を剥離した後、電解銅めっき層3bおよび電解ニッケルめっき層5をその側面まで露出させる第二の開口部12aを有する第二のめっきレジスト層12を被着させ、電解銅めっき層3bおよび電解ニッケル層5の表面に無電解金めっき層6を被着させ、第二のめっきレジスト層12を剥離した後、半田接合パッド3が形成される部位以外の無電解銅めっき層3aをエッチング除去して半田接合パッド3を形成し、最後に耐半田樹脂層4を形成する。
【選択図】 図2
【解決手段】絶縁基板1の表面に無電解銅めっき層3aを被着させ、その上に開口部11aを有する第一のめっきレジスト層11を被着させ、露出した無電解銅めっき層3aの上に電解銅めっき層3bおよび電解ニッケルめっき層5を被着させ、第一のめっきレジスト層11を剥離した後、電解銅めっき層3bおよび電解ニッケルめっき層5をその側面まで露出させる第二の開口部12aを有する第二のめっきレジスト層12を被着させ、電解銅めっき層3bおよび電解ニッケル層5の表面に無電解金めっき層6を被着させ、第二のめっきレジスト層12を剥離した後、半田接合パッド3が形成される部位以外の無電解銅めっき層3aをエッチング除去して半田接合パッド3を形成し、最後に耐半田樹脂層4を形成する。
【選択図】 図2
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、絶縁基板の表面に電子部品の電極が半田を介して接続される半田接合パッドを形成して成る配線基板の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体集積回路素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板として、例えばガラス−エポキシ樹脂等の有機材料系の絶縁層と銅箔等の銅から成る配線導体とを交互に複数層積層して成る絶縁基板上に、電子部品の電極が半田を介して電気的に接続される銅めっき層から成る半田接合パッドを形成した配線基板が知られている。この配線基板においては、半田接合パッドに電子部品の電極を半田を介して接続する際に絶縁基板を熱から保護するとともに半田接合パッド同士の電気的な短絡を防止するためにエポキシ樹脂等の耐熱樹脂から成る耐半田樹脂層を絶縁基板上に半田接合パッドの外周部を覆うようにして被着させている。なお、半田接合パッドは、その酸化腐食を防止するとともに半田接合パッドと電子部品の電極との半田を介した電気的接続を良好かつ強固なものとする目的で、半田接合パッドの露出する表面には通常、無電解ニッケルめっき層および無電解金めっき層が順次被着されている。
【0003】
このような配線基板は、先ず有機材料系の絶縁層と銅から成る配線導体とを積層した絶縁基板上に直径が250〜600μmの銅めっき層から成る半田接合パッドを形成し、次に絶縁基板上に半田接合パッドの外周部を覆うとともに中央部を露出させる耐半田樹脂層を形成した後、半田接合パッドの露出表面に無電解ニッケルめっき層および無電解金めっき層を順次被着させることにより製造されている。なお、無電解ニッケルめっき層上に被着された無電解金めっき層は、電子部品の電極と半田接合パッドとを半田を介して接続する際に半田中に拡散して消滅する。
【0004】
【特許文献1】
特開2001−110939号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年、環境への配慮から、電子部品の電極と配線基板の半田接合パッドとを接続する半田として鉛を含まない鉛フリー半田が使用されるようになってきている。このような鉛フリー半田は、従来の鉛を含んだ半田よりもその融点が一般的に10〜20℃程度高く、そのためこの鉛フリー半田を使用して電子部品の電極と配線基板の半田接合パッドとを接続する場合、従来よりも10〜20℃程度高い温度で半田を溶融させる必要がある。そして、このように高い温度を配線基板に印加すると、無電解ニッケルめっき層はその結晶が疎であるため半田接合パッド上に被着された無電解ニッケルめっき層と半田との界面に脆弱な金属間化合物が多量に形成され、そのため電子部品の電極を半田接合パッドに接続する半田に熱や外力による応力が印加されると、半田がめっき金属層との間で剥離しやすくなり、その結果、電子部品の電極と半田接合パッドとを半田を介して強固に接続することができなくなってしまうという問題点を誘発した。そこで、半田接合パッド上に被着させるめっき金属層を結晶が緻密な電解ニッケルめっき層およびその上に被着させた電解金めっき層とすることで半田接合パッドに被着されたニッケルめっき層と半田との間に脆弱な金属間化合物が形成されにくくすることが考えられる。しかしながら、電気的に独立した各半田接合パッドに電解ニッケルめっき層および電解金めっき層を被着させるには、各半田接合パッドに電荷を供給するためのめっき導通用の配線を接続させる必要があり、そのようなめっき導通用の配線により半田接合パッドに不要な静電容量やインダクタンスが形成されてしまい、特に高周波で作動する電子部品を搭載する場合にはそのような不要な静電容量やインダクタンスにより電子部品を正常に作動させることができなくなってしまうという問題点を誘発してしまう。
【0006】
本発明は、かかる従来の問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、絶縁基板に形成した半田接合パッドの表面に電解めっきによる緻密なめっき金属層をめっき導通用の配線を残すことなく良好に被着して、電子部品の電極を半田接合パッドに半田を介して強固に接続することができるとともに電子部品を正常に作動させることが可能な配線基板を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明の配線基板の製造方法は、内部および/または表面に配線導体を有し、上面に半田接合パッドが形成される絶縁基板を準備し、次にその絶縁基板の上面に無電解銅めっき層を被着させ、次にその無電解銅めっき層上に半田接合パッドが形成される部位の無電解銅めっき層を露出させる第一の開口部を有する第一のめっきレジスト層を被着させ、次に第一のめっきレジスト層の第一の開口部内に露出した無電解銅めっき層の上に電解銅めっき層および電解ニッケルめっき層を順次被着させ、次に第一のめっきレジスト層を剥離した後、無電解銅めっき層上に半田接合パッドが形成される部位の電解銅めっき層および電解ニッケルめっき層をその側面まで露出させる第二の開口部を有する第二のめっきレジスト層を被着させ、次に第二のめっきレジスト層の第二の開口部内に露出した電解銅めっき層および電解ニッケルめっき層の表面に無電解金めっき層を被着させ、次に第二のめっきレジスト層を剥離した後、無電解金めっき層から露出する部位の無電解銅めっき層をエッチング除去して絶縁基板上に無電解銅めっき層とその上の電解銅めっき層とから成り、その上面に電解ニッケルめっき層と無電解金めっき層とが順次被着された半田接合パッドを形成し、次に絶縁基板の上面に、半田接合パッドの外周部を覆うとともに半田接合パッドの中央部を露出させる耐半田樹脂層を形成することを特徴とするものである。
【0008】
本発明の配線基板の製造方法によれば、内部および/または表面に配線導体を有し、上面に半田接合パッドが形成される絶縁基板を準備し、次にその絶縁基板の上面に無電解銅めっき層を被着させ、次にその無電解銅めっき層上に半田接合パッドが形成される部位の無電解銅めっき層を露出させる第一の開口部を有する第一のめっきレジスト層を被着させ、次に第一のめっきレジスト層の第一の開口部内に露出した無電解銅めっき層の上に電解銅めっき層および電解ニッケルめっき層を順次被着させ、次に第一のめっきレジスト層を剥離した後、無電解銅めっき層上に半田接合パッドが形成される部位の電解銅めっき層および電解ニッケルめっき層をその側面まで露出させる第二の開口部を有する第二のめっきレジスト層を被着させ、次に第二のめっきレジスト層の第二の開口部内に露出した電解銅めっき層および電解ニッケルめっき層の表面に無電解金めっき層を被着させ、次に第二のめっきレジスト層を剥離した後、無電解金めっき層から露出する部位の無電解銅めっき層をエッチング除去して絶縁基板上に無電解銅めっき層とその上の電解銅めっき層とから成り、その上面に電解ニッケルめっき層と無電解金めっき層とが順次被着された半田接合パッドを形成し、次に絶縁基板の上面に、半田接合パッドの外周部を覆うとともに半田接合パッドの中央部を露出させる耐半田樹脂層を形成することから、半田接合パッドに接続されためっき導通用の配線を残すことなく耐半田樹脂層から露出する表面に緻密な電解ニッケルめっき層および無電解金めっき層を被着させることができる。
【0009】
【発明の実施の形態】
次に本発明の配線基板の製造方法を添付の図面に基づき詳細に説明する。
図1は、本発明の製造方法により製造される配線基板の実施の形態の一例を示す要部断面図であり、図中、1は絶縁基板、2は配線導体、3は半田接合パッド、4は耐半田樹脂層であり、主としてこれらで本発明による配線基板が構成されている。
【0010】
絶縁基板1は、例えばガラス繊維を縦横に編んで形成されたガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁板1a上にエポキシ樹脂や変性ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂から成る絶縁層1bを積層して成り、その内部や表面には銅箔や銅めっき層等の銅から成る複数の配線導体2が配設されている。
【0011】
また、絶縁基板1の表面には、配線導体2に電気的に接続された銅めっき層から成る複数の半田接合パッド3が形成されており、この半田接合パッド3には図示しない電子部品の電極が半田を介して電気的に接続される。
【0012】
なお、半田接合パッド3の表面には半田接合パッド3の酸化腐蝕を防止するとともに半田接合パッド3と半田との接合を良好とするために電解ニッケルめっき層5と無電解金めっき層6とが順次被着されている。そして半田接合パッド3に半田を溶着させると半田が接合される部位の無電解金めっき層6は半田中に拡散して消滅するとともに電解ニッケルめっき層5と半田とが接合する。このとき、半田接合パッド3の上面に被着された電解ニッケルめっき層5はその結晶が緻密であることから、電解ニッケルめっき層5と半田との間に脆弱な金属間化合物が多量に形成されにくく、そのため電子部品の電極を半田接合パッド3に半田を介して強固に接続することができる。
【0013】
さらに、絶縁基板1および半田接合パッド3上には、半田接合パッド3の外周部を覆うとともに中央部を露出させるエポキシ樹脂等の耐熱樹脂から成る耐半田樹脂層4が被着されている。耐半田樹脂層4は、半田接合パッド3に電子部品の電極を半田を介して接続する際に、その熱から絶縁基板1を保護するとともに半田接合パッド3同士が半田を介して電気的に短絡するのを防止するためのダムとして機能する。
【0014】
次に、上述した配線基板を本発明により製造する方法を図2に基づいて詳細に説明する。図2(a)〜(i)は、本発明の配線基板の製造方法を説明するための各工程毎の要部断面図である。
【0015】
まず、図2(a)に示すように、ガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁板1a上にエポキシ樹脂や変性ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂から成る絶縁層1bを積層して成るとともに内部および/または表面に銅箔や銅めっき層から成る配線導体2を有する絶縁基板1を準備する。絶縁板1aは、ガラス繊維を縦横に織り込んだガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて硬化させることにより形成され、絶縁層1bは、未硬化のエポキシ樹脂や変性ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂から成る厚みが10〜70μmの樹脂シートを絶縁板1aの上面に貼着するとともにその樹脂シートにレーザ加工により配線導体2を露出させる開口部1cを形成した後、上下から加圧しながら加熱して熱硬化させることにより絶縁板1a上に積層される。また、配線導体2は絶縁板1aの上面に予め銅箔を貼着しておくとともにその銅箔を所定のパターンにエッチング加工することにより形成される。
【0016】
次に図2(b)に示すように、開口部1c内の配線導体2上を含む絶縁基板1の上面の全面に厚みが1〜2μm程度の無電解銅めっき層3aを被着させる。絶縁基板1の上面の全面に無電解銅めっき層3aを被着させるには、まず、絶縁層1bの表面を約50℃の過マンガン酸塩類水溶液等の粗化液に浸漬することにより粗化し、次に、絶縁層1bの表面が粗化された絶縁基板1の上面を約30℃の無電解めっき用のパラジウム触媒水溶液中に浸漬して絶縁層1bの表面および開口部1c内の配線導体2上にパラジウム触媒を付着させ、次にその絶縁基板1の上面を硫酸銅、ロッセル塩、ホルマリン、EDTAナトリウム塩、安定剤等を含有する無電解銅めっき液に浸漬して絶縁層1bの表面および開口部1c内の配線導体2上に1〜2m程度の厚みの無電解銅めっき層3aを析出させる方法が採用される。
【0017】
次に、図2(c)に示すように、絶縁基板1の上面に被着させた無電解銅めっき層3a上に、半田接合パッド3が形成される部位を露出させる第一の開口部11aを有する第一のめっきレジスト層11を被着させる。第一のめっきレジスト層11は、例えば厚みが10〜50μm程度の未硬化の紫外線硬化性樹脂および熱硬化性樹脂を含有する感光性樹脂フィルムを無電解銅めっき層3aが被着された絶縁基板1上に貼着するとともに、これをフォトリソグラフィー技術を採用して露光および現像することにより形成される。
【0018】
次に、図2(d)に示すように、第一のめっきレジスト層11の第一の開口部11aから露出した無電解銅めっき層3a上に電解銅めっき層3bおよび電解ニッケルめっき層5を順次被着させる。電解銅めっき層3bを被着させるには、硫酸、硫酸銅5水和物、塩素、光沢剤等を含有する電解銅めっき液を用い、無電解銅めっき層3aから数A/dm2の電流を印加しながら電解銅めっきを施すことにより、5〜30μm程度の厚みの電解銅めっき層3bを析出させる方法が採用される。また、電解ニッケルめっき層5を被着させるには、スルファミン浴やワット浴を用い、無電解銅めっき層3aから数A/dm2の電流を印加しながら電解ニッケルめっきを施すことにより1〜5μm程度の厚みの電解ニッケルめっき層5を析出させる方法が採用される。このとき、電解めっきは緻密な結晶のめっき層を形成することができるので、電解ニッケルめっき層5の結晶は緻密なものとなる。
【0019】
次に、図2(e)に示すように、第一のめっきレジスト層11を水酸化ナトリウム水溶液等の剥離液を用いて剥離した後、無電解銅めっき層3a上に、半田接合パッド3が形成される部位に被着された電解銅めっき層3bおよびその上の電解ニッケルめっき層5をその側面まで露出させる第二の開口部12aを有する第二のめっきレジスト層12を被着させる。第二のめっきレジスト層12は、例えば厚みが10〜50μm程度の未硬化の紫外線硬化性樹脂および熱硬化性樹脂を含有する感光性樹脂フィルムを無電解銅めっき層3aおよび電解銅めっき層3bおよび電解ニッケルめっき層5が被着された絶縁基板1上に貼着するとともに、これをフォトリソグラフィー技術を採用して開口部12aを有するように露光および現像することにより形成される。
【0020】
次に、図2(f)に示すように、第二のめっきレジスト層12の第二の開口部12aから露出した電解銅めっき層3bおよび電解ニッケルめっき層5の表面に無電解金めっき層6を被着させる。無電解金めっき層6を被着させるには、シアン化金カリウム、クエン酸カリウム、エチレンジアミンテトラアセティクアシッド等を含有する無電解金めっき液中に浸漬することにより0.1〜1μm程度の厚みの無電解金めっき層6を被着させる方法が採用される。
【0021】
次に、図2(g)に示すように、第二のめっきレジスト層12を水酸化ナトリウム水溶液等の剥離液を用いて剥離した後、図2(h)に示すように、電解金めっき層6をエッチングレジストして使用して無電解金めっき層6から露出する部位の無電解銅めっき層3aを硫酸および過酸化水素水あるいは硫酸銅等の硫酸系水溶液によりエッチング除去することによって、絶縁基板1の上面に無電解銅めっき層3aとその上の電解銅めっき層3bとから成り、その上面に電解ニッケルめっき層5と無電解金めっき層6とが被着された半田接合パッド3を形成する。このとき、無電解金めっき層6から露出する部位の無電解銅めっき層3aは除去されるので、めっき導通用の配線が残ることはなく、したがって半田接合パッド3に不要な静電容量やインダクタンスが形成されることはない。
【0022】
そして最後に、図2(i)に示すように、絶縁基板1上に、半田接合パッド3の外周部を覆うとともに中央部を露出させる耐半田樹脂層4を被着形成することによって本発明による配線基板が完成する。なお、耐半田樹脂層4を被着形成するには、表面に電解ニッケルめっき層5および無電解金めっき層6が被着された半田接合パッド3を有する絶縁基板1の上面に例えばアクリル変性エポキシ樹脂等の感光性樹脂と光開始剤等とからなる混合物に30〜70質量%のシリカやタルク等の無機粉末フィラーを含有させた未硬化の耐半田樹脂を、スクリーン印刷やロールコート法により10〜80μm程度の厚みに塗布し、しかる後、半田接合パッド3の中央部を露出させる開口部を有するように露光、現像した後、それを紫外線硬化および熱硬化させる方法が採用される。
【0023】
このように、本発明の配線基板の製造方法によれば、半田接合パッド3の表面に緻密な結晶の電解ニッケルめっき層5および無電解金めっき層6をめっき導通用の配線を残すことなく良好に被着して、電子部品の電極を半田を介して半田接合パッド3に強固に接続することができるとともに電子部品を正常に作動させることが可能な配線基板を提供することができる。
【0024】
なお、本発明は、上述の実施の形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変更や改良を施すことは何ら差し支えない。
【0025】
【発明の効果】
本発明の配線基板の製造方法によれば、内部および/または表面に配線導体を有し、上面に半田接合パッドが形成される絶縁基板を準備し、次にその絶縁基板の上面に無電解銅めっき層を被着させ、次にその無電解銅めっき層上に半田接合パッドが形成される部位の無電解銅めっき層を露出させる第一の開口部を有する第一のめっきレジスト層を被着させ、次に第一のめっきレジスト層の第一の開口部内に露出した無電解銅めっき層の上に電解銅めっき層および電解ニッケルめっき層を順次被着させ、次に第一のめっきレジスト層を剥離した後、無電解銅めっき層上に半田接合パッドが形成される部位の電解銅めっき層および電解ニッケルめっき層をその側面まで露出させる第二の開口部を有する第二のめっきレジスト層を被着させ、次に第二のめっきレジスト層の第二の開口部内に露出した電解銅めっき層および電解ニッケルめっき層の表面に無電解金めっき層を被着させ、次に第二のめっきレジスト層を剥離した後、無電解金めっき層から露出する部位の無電解銅めっき層をエッチング除去して絶縁基板上に無電解銅めっき層とその上の電解銅めっき層とから成り、その上面に電解ニッケルめっき層と無電解金めっき層とが順次被着された半田接合パッドを形成し、次に絶縁基板の上面に、半田接合パッドの外周部を覆うとともに半田接合パッドの中央部を露出させる耐半田樹脂層を形成することから、半田接合パッドに接続されためっき導通用の配線を残すことなく耐半田樹脂層から露出する表面に緻密な電解ニッケルめっき層および無電解金めっき層を被着させることができる。したがって、電子部品の電極を半田接合パッドに半田を介して強固に接続することができるとともに電子部品を正常に作動させることが可能な配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明により製造される配線基板の実施の形態の一例を示す要部断面図である。
【図2】(a)〜(i)は本発明の配線基板の製造方法を説明するための各工程毎の要部断面図である。
【符号の説明】
1・・・・絶縁基板
2・・・・配線導体
3・・・・半田接合パッド
3a・・・無電解銅めっき層
3b・・・電解銅めっき層
4・・・・耐半田樹脂層
5・・・・電解ニッケルめっき層
6・・・・無電解金めっき層
11・・・第一のめっきレジスト層
11a・・第一の開口部
12・・・第二のめっきレジスト層
12a・・第二の開口部
【発明の属する技術分野】
本発明は、絶縁基板の表面に電子部品の電極が半田を介して接続される半田接合パッドを形成して成る配線基板の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体集積回路素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板として、例えばガラス−エポキシ樹脂等の有機材料系の絶縁層と銅箔等の銅から成る配線導体とを交互に複数層積層して成る絶縁基板上に、電子部品の電極が半田を介して電気的に接続される銅めっき層から成る半田接合パッドを形成した配線基板が知られている。この配線基板においては、半田接合パッドに電子部品の電極を半田を介して接続する際に絶縁基板を熱から保護するとともに半田接合パッド同士の電気的な短絡を防止するためにエポキシ樹脂等の耐熱樹脂から成る耐半田樹脂層を絶縁基板上に半田接合パッドの外周部を覆うようにして被着させている。なお、半田接合パッドは、その酸化腐食を防止するとともに半田接合パッドと電子部品の電極との半田を介した電気的接続を良好かつ強固なものとする目的で、半田接合パッドの露出する表面には通常、無電解ニッケルめっき層および無電解金めっき層が順次被着されている。
【0003】
このような配線基板は、先ず有機材料系の絶縁層と銅から成る配線導体とを積層した絶縁基板上に直径が250〜600μmの銅めっき層から成る半田接合パッドを形成し、次に絶縁基板上に半田接合パッドの外周部を覆うとともに中央部を露出させる耐半田樹脂層を形成した後、半田接合パッドの露出表面に無電解ニッケルめっき層および無電解金めっき層を順次被着させることにより製造されている。なお、無電解ニッケルめっき層上に被着された無電解金めっき層は、電子部品の電極と半田接合パッドとを半田を介して接続する際に半田中に拡散して消滅する。
【0004】
【特許文献1】
特開2001−110939号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年、環境への配慮から、電子部品の電極と配線基板の半田接合パッドとを接続する半田として鉛を含まない鉛フリー半田が使用されるようになってきている。このような鉛フリー半田は、従来の鉛を含んだ半田よりもその融点が一般的に10〜20℃程度高く、そのためこの鉛フリー半田を使用して電子部品の電極と配線基板の半田接合パッドとを接続する場合、従来よりも10〜20℃程度高い温度で半田を溶融させる必要がある。そして、このように高い温度を配線基板に印加すると、無電解ニッケルめっき層はその結晶が疎であるため半田接合パッド上に被着された無電解ニッケルめっき層と半田との界面に脆弱な金属間化合物が多量に形成され、そのため電子部品の電極を半田接合パッドに接続する半田に熱や外力による応力が印加されると、半田がめっき金属層との間で剥離しやすくなり、その結果、電子部品の電極と半田接合パッドとを半田を介して強固に接続することができなくなってしまうという問題点を誘発した。そこで、半田接合パッド上に被着させるめっき金属層を結晶が緻密な電解ニッケルめっき層およびその上に被着させた電解金めっき層とすることで半田接合パッドに被着されたニッケルめっき層と半田との間に脆弱な金属間化合物が形成されにくくすることが考えられる。しかしながら、電気的に独立した各半田接合パッドに電解ニッケルめっき層および電解金めっき層を被着させるには、各半田接合パッドに電荷を供給するためのめっき導通用の配線を接続させる必要があり、そのようなめっき導通用の配線により半田接合パッドに不要な静電容量やインダクタンスが形成されてしまい、特に高周波で作動する電子部品を搭載する場合にはそのような不要な静電容量やインダクタンスにより電子部品を正常に作動させることができなくなってしまうという問題点を誘発してしまう。
【0006】
本発明は、かかる従来の問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、絶縁基板に形成した半田接合パッドの表面に電解めっきによる緻密なめっき金属層をめっき導通用の配線を残すことなく良好に被着して、電子部品の電極を半田接合パッドに半田を介して強固に接続することができるとともに電子部品を正常に作動させることが可能な配線基板を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明の配線基板の製造方法は、内部および/または表面に配線導体を有し、上面に半田接合パッドが形成される絶縁基板を準備し、次にその絶縁基板の上面に無電解銅めっき層を被着させ、次にその無電解銅めっき層上に半田接合パッドが形成される部位の無電解銅めっき層を露出させる第一の開口部を有する第一のめっきレジスト層を被着させ、次に第一のめっきレジスト層の第一の開口部内に露出した無電解銅めっき層の上に電解銅めっき層および電解ニッケルめっき層を順次被着させ、次に第一のめっきレジスト層を剥離した後、無電解銅めっき層上に半田接合パッドが形成される部位の電解銅めっき層および電解ニッケルめっき層をその側面まで露出させる第二の開口部を有する第二のめっきレジスト層を被着させ、次に第二のめっきレジスト層の第二の開口部内に露出した電解銅めっき層および電解ニッケルめっき層の表面に無電解金めっき層を被着させ、次に第二のめっきレジスト層を剥離した後、無電解金めっき層から露出する部位の無電解銅めっき層をエッチング除去して絶縁基板上に無電解銅めっき層とその上の電解銅めっき層とから成り、その上面に電解ニッケルめっき層と無電解金めっき層とが順次被着された半田接合パッドを形成し、次に絶縁基板の上面に、半田接合パッドの外周部を覆うとともに半田接合パッドの中央部を露出させる耐半田樹脂層を形成することを特徴とするものである。
【0008】
本発明の配線基板の製造方法によれば、内部および/または表面に配線導体を有し、上面に半田接合パッドが形成される絶縁基板を準備し、次にその絶縁基板の上面に無電解銅めっき層を被着させ、次にその無電解銅めっき層上に半田接合パッドが形成される部位の無電解銅めっき層を露出させる第一の開口部を有する第一のめっきレジスト層を被着させ、次に第一のめっきレジスト層の第一の開口部内に露出した無電解銅めっき層の上に電解銅めっき層および電解ニッケルめっき層を順次被着させ、次に第一のめっきレジスト層を剥離した後、無電解銅めっき層上に半田接合パッドが形成される部位の電解銅めっき層および電解ニッケルめっき層をその側面まで露出させる第二の開口部を有する第二のめっきレジスト層を被着させ、次に第二のめっきレジスト層の第二の開口部内に露出した電解銅めっき層および電解ニッケルめっき層の表面に無電解金めっき層を被着させ、次に第二のめっきレジスト層を剥離した後、無電解金めっき層から露出する部位の無電解銅めっき層をエッチング除去して絶縁基板上に無電解銅めっき層とその上の電解銅めっき層とから成り、その上面に電解ニッケルめっき層と無電解金めっき層とが順次被着された半田接合パッドを形成し、次に絶縁基板の上面に、半田接合パッドの外周部を覆うとともに半田接合パッドの中央部を露出させる耐半田樹脂層を形成することから、半田接合パッドに接続されためっき導通用の配線を残すことなく耐半田樹脂層から露出する表面に緻密な電解ニッケルめっき層および無電解金めっき層を被着させることができる。
【0009】
【発明の実施の形態】
次に本発明の配線基板の製造方法を添付の図面に基づき詳細に説明する。
図1は、本発明の製造方法により製造される配線基板の実施の形態の一例を示す要部断面図であり、図中、1は絶縁基板、2は配線導体、3は半田接合パッド、4は耐半田樹脂層であり、主としてこれらで本発明による配線基板が構成されている。
【0010】
絶縁基板1は、例えばガラス繊維を縦横に編んで形成されたガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁板1a上にエポキシ樹脂や変性ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂から成る絶縁層1bを積層して成り、その内部や表面には銅箔や銅めっき層等の銅から成る複数の配線導体2が配設されている。
【0011】
また、絶縁基板1の表面には、配線導体2に電気的に接続された銅めっき層から成る複数の半田接合パッド3が形成されており、この半田接合パッド3には図示しない電子部品の電極が半田を介して電気的に接続される。
【0012】
なお、半田接合パッド3の表面には半田接合パッド3の酸化腐蝕を防止するとともに半田接合パッド3と半田との接合を良好とするために電解ニッケルめっき層5と無電解金めっき層6とが順次被着されている。そして半田接合パッド3に半田を溶着させると半田が接合される部位の無電解金めっき層6は半田中に拡散して消滅するとともに電解ニッケルめっき層5と半田とが接合する。このとき、半田接合パッド3の上面に被着された電解ニッケルめっき層5はその結晶が緻密であることから、電解ニッケルめっき層5と半田との間に脆弱な金属間化合物が多量に形成されにくく、そのため電子部品の電極を半田接合パッド3に半田を介して強固に接続することができる。
【0013】
さらに、絶縁基板1および半田接合パッド3上には、半田接合パッド3の外周部を覆うとともに中央部を露出させるエポキシ樹脂等の耐熱樹脂から成る耐半田樹脂層4が被着されている。耐半田樹脂層4は、半田接合パッド3に電子部品の電極を半田を介して接続する際に、その熱から絶縁基板1を保護するとともに半田接合パッド3同士が半田を介して電気的に短絡するのを防止するためのダムとして機能する。
【0014】
次に、上述した配線基板を本発明により製造する方法を図2に基づいて詳細に説明する。図2(a)〜(i)は、本発明の配線基板の製造方法を説明するための各工程毎の要部断面図である。
【0015】
まず、図2(a)に示すように、ガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁板1a上にエポキシ樹脂や変性ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂から成る絶縁層1bを積層して成るとともに内部および/または表面に銅箔や銅めっき層から成る配線導体2を有する絶縁基板1を準備する。絶縁板1aは、ガラス繊維を縦横に織り込んだガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて硬化させることにより形成され、絶縁層1bは、未硬化のエポキシ樹脂や変性ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂から成る厚みが10〜70μmの樹脂シートを絶縁板1aの上面に貼着するとともにその樹脂シートにレーザ加工により配線導体2を露出させる開口部1cを形成した後、上下から加圧しながら加熱して熱硬化させることにより絶縁板1a上に積層される。また、配線導体2は絶縁板1aの上面に予め銅箔を貼着しておくとともにその銅箔を所定のパターンにエッチング加工することにより形成される。
【0016】
次に図2(b)に示すように、開口部1c内の配線導体2上を含む絶縁基板1の上面の全面に厚みが1〜2μm程度の無電解銅めっき層3aを被着させる。絶縁基板1の上面の全面に無電解銅めっき層3aを被着させるには、まず、絶縁層1bの表面を約50℃の過マンガン酸塩類水溶液等の粗化液に浸漬することにより粗化し、次に、絶縁層1bの表面が粗化された絶縁基板1の上面を約30℃の無電解めっき用のパラジウム触媒水溶液中に浸漬して絶縁層1bの表面および開口部1c内の配線導体2上にパラジウム触媒を付着させ、次にその絶縁基板1の上面を硫酸銅、ロッセル塩、ホルマリン、EDTAナトリウム塩、安定剤等を含有する無電解銅めっき液に浸漬して絶縁層1bの表面および開口部1c内の配線導体2上に1〜2m程度の厚みの無電解銅めっき層3aを析出させる方法が採用される。
【0017】
次に、図2(c)に示すように、絶縁基板1の上面に被着させた無電解銅めっき層3a上に、半田接合パッド3が形成される部位を露出させる第一の開口部11aを有する第一のめっきレジスト層11を被着させる。第一のめっきレジスト層11は、例えば厚みが10〜50μm程度の未硬化の紫外線硬化性樹脂および熱硬化性樹脂を含有する感光性樹脂フィルムを無電解銅めっき層3aが被着された絶縁基板1上に貼着するとともに、これをフォトリソグラフィー技術を採用して露光および現像することにより形成される。
【0018】
次に、図2(d)に示すように、第一のめっきレジスト層11の第一の開口部11aから露出した無電解銅めっき層3a上に電解銅めっき層3bおよび電解ニッケルめっき層5を順次被着させる。電解銅めっき層3bを被着させるには、硫酸、硫酸銅5水和物、塩素、光沢剤等を含有する電解銅めっき液を用い、無電解銅めっき層3aから数A/dm2の電流を印加しながら電解銅めっきを施すことにより、5〜30μm程度の厚みの電解銅めっき層3bを析出させる方法が採用される。また、電解ニッケルめっき層5を被着させるには、スルファミン浴やワット浴を用い、無電解銅めっき層3aから数A/dm2の電流を印加しながら電解ニッケルめっきを施すことにより1〜5μm程度の厚みの電解ニッケルめっき層5を析出させる方法が採用される。このとき、電解めっきは緻密な結晶のめっき層を形成することができるので、電解ニッケルめっき層5の結晶は緻密なものとなる。
【0019】
次に、図2(e)に示すように、第一のめっきレジスト層11を水酸化ナトリウム水溶液等の剥離液を用いて剥離した後、無電解銅めっき層3a上に、半田接合パッド3が形成される部位に被着された電解銅めっき層3bおよびその上の電解ニッケルめっき層5をその側面まで露出させる第二の開口部12aを有する第二のめっきレジスト層12を被着させる。第二のめっきレジスト層12は、例えば厚みが10〜50μm程度の未硬化の紫外線硬化性樹脂および熱硬化性樹脂を含有する感光性樹脂フィルムを無電解銅めっき層3aおよび電解銅めっき層3bおよび電解ニッケルめっき層5が被着された絶縁基板1上に貼着するとともに、これをフォトリソグラフィー技術を採用して開口部12aを有するように露光および現像することにより形成される。
【0020】
次に、図2(f)に示すように、第二のめっきレジスト層12の第二の開口部12aから露出した電解銅めっき層3bおよび電解ニッケルめっき層5の表面に無電解金めっき層6を被着させる。無電解金めっき層6を被着させるには、シアン化金カリウム、クエン酸カリウム、エチレンジアミンテトラアセティクアシッド等を含有する無電解金めっき液中に浸漬することにより0.1〜1μm程度の厚みの無電解金めっき層6を被着させる方法が採用される。
【0021】
次に、図2(g)に示すように、第二のめっきレジスト層12を水酸化ナトリウム水溶液等の剥離液を用いて剥離した後、図2(h)に示すように、電解金めっき層6をエッチングレジストして使用して無電解金めっき層6から露出する部位の無電解銅めっき層3aを硫酸および過酸化水素水あるいは硫酸銅等の硫酸系水溶液によりエッチング除去することによって、絶縁基板1の上面に無電解銅めっき層3aとその上の電解銅めっき層3bとから成り、その上面に電解ニッケルめっき層5と無電解金めっき層6とが被着された半田接合パッド3を形成する。このとき、無電解金めっき層6から露出する部位の無電解銅めっき層3aは除去されるので、めっき導通用の配線が残ることはなく、したがって半田接合パッド3に不要な静電容量やインダクタンスが形成されることはない。
【0022】
そして最後に、図2(i)に示すように、絶縁基板1上に、半田接合パッド3の外周部を覆うとともに中央部を露出させる耐半田樹脂層4を被着形成することによって本発明による配線基板が完成する。なお、耐半田樹脂層4を被着形成するには、表面に電解ニッケルめっき層5および無電解金めっき層6が被着された半田接合パッド3を有する絶縁基板1の上面に例えばアクリル変性エポキシ樹脂等の感光性樹脂と光開始剤等とからなる混合物に30〜70質量%のシリカやタルク等の無機粉末フィラーを含有させた未硬化の耐半田樹脂を、スクリーン印刷やロールコート法により10〜80μm程度の厚みに塗布し、しかる後、半田接合パッド3の中央部を露出させる開口部を有するように露光、現像した後、それを紫外線硬化および熱硬化させる方法が採用される。
【0023】
このように、本発明の配線基板の製造方法によれば、半田接合パッド3の表面に緻密な結晶の電解ニッケルめっき層5および無電解金めっき層6をめっき導通用の配線を残すことなく良好に被着して、電子部品の電極を半田を介して半田接合パッド3に強固に接続することができるとともに電子部品を正常に作動させることが可能な配線基板を提供することができる。
【0024】
なお、本発明は、上述の実施の形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変更や改良を施すことは何ら差し支えない。
【0025】
【発明の効果】
本発明の配線基板の製造方法によれば、内部および/または表面に配線導体を有し、上面に半田接合パッドが形成される絶縁基板を準備し、次にその絶縁基板の上面に無電解銅めっき層を被着させ、次にその無電解銅めっき層上に半田接合パッドが形成される部位の無電解銅めっき層を露出させる第一の開口部を有する第一のめっきレジスト層を被着させ、次に第一のめっきレジスト層の第一の開口部内に露出した無電解銅めっき層の上に電解銅めっき層および電解ニッケルめっき層を順次被着させ、次に第一のめっきレジスト層を剥離した後、無電解銅めっき層上に半田接合パッドが形成される部位の電解銅めっき層および電解ニッケルめっき層をその側面まで露出させる第二の開口部を有する第二のめっきレジスト層を被着させ、次に第二のめっきレジスト層の第二の開口部内に露出した電解銅めっき層および電解ニッケルめっき層の表面に無電解金めっき層を被着させ、次に第二のめっきレジスト層を剥離した後、無電解金めっき層から露出する部位の無電解銅めっき層をエッチング除去して絶縁基板上に無電解銅めっき層とその上の電解銅めっき層とから成り、その上面に電解ニッケルめっき層と無電解金めっき層とが順次被着された半田接合パッドを形成し、次に絶縁基板の上面に、半田接合パッドの外周部を覆うとともに半田接合パッドの中央部を露出させる耐半田樹脂層を形成することから、半田接合パッドに接続されためっき導通用の配線を残すことなく耐半田樹脂層から露出する表面に緻密な電解ニッケルめっき層および無電解金めっき層を被着させることができる。したがって、電子部品の電極を半田接合パッドに半田を介して強固に接続することができるとともに電子部品を正常に作動させることが可能な配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明により製造される配線基板の実施の形態の一例を示す要部断面図である。
【図2】(a)〜(i)は本発明の配線基板の製造方法を説明するための各工程毎の要部断面図である。
【符号の説明】
1・・・・絶縁基板
2・・・・配線導体
3・・・・半田接合パッド
3a・・・無電解銅めっき層
3b・・・電解銅めっき層
4・・・・耐半田樹脂層
5・・・・電解ニッケルめっき層
6・・・・無電解金めっき層
11・・・第一のめっきレジスト層
11a・・第一の開口部
12・・・第二のめっきレジスト層
12a・・第二の開口部
Claims (1)
- 内部および/または表面に配線導体を有し、上面に半田接合パッドが形成される絶縁基板を準備する工程と、該絶縁基板の上面に無電解銅めっき層を被着させる工程と、該無電解銅めっき層上に前記半田接合パッドが形成される部位の前記無電解銅めっき層を露出させる第一の開口部を有する第一のめっきレジスト層を被着させる工程と、前記第一の開口部内に露出した前記無電解銅めっき層の上に電解銅めっき層および電解ニッケルめっき層を順次被着させる工程と、前記第一のめっきレジスト層を剥離した後、前記無電解銅めっき層上に前記半田接合パッドが形成される部位の前記電解銅めっき層および電解ニッケルめっき層をその側面まで露出させる第二の開口部を有する第二のめっきレジスト層を被着させる工程と、前記第二の開口部内に露出した前記電解銅めっき層および電解ニッケルめっき層の表面に無電解金めっき層を被着させる工程と、前記第二のめっきレジスト層を剥離した後、前記無電解金めっき層から露出する部位の前記無電解銅めっき層をエッチング除去し、前記絶縁基板上に無電解銅めっき層とその上の電解銅めっき層とから成り、その上面に電解ニッケルめっき層と無電解金めっき層とが順次被着された半田接合パッドを形成する工程と、前記絶縁基板の上面に、前記半田接合パッドの外周部を覆うとともに該半田接合パッドの中央部を露出させる耐半田樹脂層を形成する工程とを順次行なうことを特徴とする配線基板の製造方法。
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JP2006216719A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Fujitsu Ltd | チップ実装用基板の製造方法およびめっき膜の形成方法 |
-
2002
- 2002-11-12 JP JP2002327819A patent/JP2004165327A/ja active Pending
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