JP4051244B2

JP4051244B2 - 配線基板

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Publication number: JP4051244B2
Application number: JP2002250796A
Authority: JP
Inventors: 正昭原園
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2002-08-29
Filing date: 2002-08-29
Publication date: 2008-02-20
Anticipated expiration: 2022-08-29
Also published as: JP2004095597A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コア基板の両面に絶縁層と配線導体とを交互に積層して成る配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、現在の電子機器は、移動体通信機器に代表されるように小型・薄型・軽量・高性能・高機能・高品質・高周波特性が要求されてきている。これに対して電子機器の一部を構成する配線基板にも小型・薄型・多端子化が求められてきており、それを実現するために信号導体等の配線導体の幅を細くするとともにその間隔を狭くし、配線導体の高密度配線化が図られている。
【０００３】
このような高密度配線が可能な配線基板として、ビルドアップ工法を採用して製作された配線基板が知られている。ビルドアップ配線基板は、例えば、ガラスクロスやアラミド不布織等の補強材に耐熱性や耐薬品性を有するエポキシ樹脂に代表される熱硬化性樹脂を含浸させて硬化したコア基板上に、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成るワニスを塗布する、あるいはフィルム状の熱硬化性樹脂をラミネートするとともに加熱硬化して絶縁層を形成した後、絶縁層にレーザ光で径が50〜200μｍの貫通孔を穿設し、次に、貫通孔内壁および絶縁層表面を過マンガン酸カリウム溶液等の粗化液で化学粗化し、しかる後、無電解銅めっき法および電解銅めっき法を用いて貫通孔に銅めっきを充填するとともに絶縁層表面に銅導体膜を被着して貫通導体および配線導体を形成し、さらに、この絶縁層上に上記と同様の工程を繰り返して複数の絶縁層や配線導体・貫通導体の形成を行なうことによって製作される。
【０００４】
なお、通常は、コア基板の上下に位置する配線導体間を電気的に接続するために、コア基板にはあらかじめドリル等によりスルーホールが形成され、スルーホールの内壁には無電解めっき法および電解めっき法によりスルーホール導体が形成されている。さらに、コア基板の表面を平坦にし、コア基板に積層する絶縁層の平坦度を確保するために、スルーホールにはエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を充填することによって樹脂柱が形成されている。
【０００５】
近年、配線基板にもより小型化の要求が強まってきており、このような小型化の要求に対して、貫通導体をスルーホール導体の直上に配置して配線基板を小型化することが提案されている。なお、スルーホール導体と貫通導体との電気的な接続は、スルーホールに充填した樹脂柱の表面にスルーホール導体と電気的に接続した、配線導体の一部からなる蓋めっきを形成し、この蓋めっきと貫通導体とを電気的に接続することにより行なわれる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような貫通導体をスルーホール導体の直上に配置して成る配線基板は、コア基板のスルーホール導体の直上に絶縁層の貫通導体を設けるためにスルーホールの樹脂柱表面に蓋めっきを形成しているが、この蓋めっきと樹脂柱との密着強度が低いため、電子部品を配線基板に実装する際の熱履歴により蓋めっきが樹脂柱から剥がれてしまい、スルーホール導体と貫通導体との間で断線してしまうという問題点を有していた。また、蓋めっきの膨れを抑えるためにその厚みを厚くすると、コア基板上に形成した配線導体の厚みも厚くなってしまい、高密度な配線導体が形成できないという問題点を有していた。
【０００７】
本発明は、かかる従来の問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、スルーホール導体や貫通導体を垂直方向に配置して成るビルドアップ配線基板において、スルーホール導体と貫通導体との接続信頼性が良好で、電子部品を配線基板に実装する際の熱履歴によりスルーホール導体と貫通導体とが断線することのない、接続信頼性に優れた配線基板を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の配線基板は、絶縁基体の内部にスルーホールと該スルーホールの内壁に沿って形成されたスルーホール導体を設けるとともに前記絶縁基体の表面に前記スルーホール導体から延設された第１の配線導体を有し、前記スルーホール導体の内部に樹脂柱を配置してなるコア基板と、該コア基板上に配置され、表面に形成される第２の配線導体と前記第１の配線導体とを前記スルーホール上で相互に接続する貫通導体を内部に有した絶縁層と、を備えた配線基板であって、前記貫通導体は、上端部に平坦面を有し、下端部が前記スルーホール導体の内周面および前記第１の配線導体と面当接した状態で前記スルーホール内に埋設され、前記貫通導体の平坦面上に、さらに他の絶縁層内の他の貫通導体が配置されて前記貫通導体と前記他の貫通導体とが相互に接続されていることを特徴とするものである。
また本発明の配線基板は、前記貫通導体の下端部が前記スルーホール内に前記スルーホールの径の０．０３倍以上の深さまで埋め込まれていることを特徴とするものである。
また本発明の配線基板は、前記貫通導体の下端部が前記スルーホール内に前記スルーホールの径の１．４倍以下の深さまで埋め込まれていることを特徴とするものである。
また本発明の配線基板は、前記貫通導体の平坦面が前記絶縁層の主面と略同一面上に位置していることを特徴とするものである。
また本発明の配線基板は、前記コア基板上に複数の絶縁層が積層されているとともに、これら絶縁層の最上層に接合パッドが設けられており、該接合パッドと前記貫通導体とがその間に位置する複数の他の貫通導体を介して電気的に接続されていることを特徴とするものである。
【０００９】
本発明の配線基板によれば、貫通孔のスルーホール側の径がスルーホールの径より大きく、貫通導体のスルーホール導体側の端部の中央部がスルーホール導体の内側にスルーホールの径の0.03〜1.4倍の深さで埋め込まれていることから、スルーホール導体の内側に埋め込まれた貫通導体のアンカー効果により、貫通導体とスルーホール導体との接続が強固なものとなり、その結果、電子部品を配線基板に実装する際の熱履歴により、貫通導体とスルーホール導体との間で断線することはなく、上下に位置する第１および第２の配線導体間の接続信頼性にすぐれた配線基板とすることができる。また、スルーホール導体と貫通導体との断線を防止するために、コア基板上に形成する配線導体の厚みを厚くする必要はなく、高密度な配線導体を形成することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の配線基板を添付の図面に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す断面図であり、図２は、その要部拡大断面図である。
【００１１】
これらの図において、１は絶縁基体、２はスルーホール、３はスルーホール導体、４は樹脂柱、５ａは第１の配線導体であり、主にこれらでコア基板６が構成されている。また、７は絶縁層、８は貫通孔、９は貫通導体、５ｂは第２の配線導体であり、主にこれらとコア基板６とで、本発明の配線基板10が構成されている。なお、本実施例では、コア基板６の上下面に各３層の絶縁層７を積層して成る配線基板10の例を示している。
【００１２】
絶縁基体１は、第１の配線導体５ａや絶縁層７を支持する支持板としての機能を有し、厚みが0.8〜1.5ｍｍで、ガラス繊維を縦横に織り込んだガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて成る。
【００１３】
絶縁基体１には、その上面から下面にかけて、径が100〜500μｍのスルーホール２がレーザやドリルを用いて形成されている。スルーホール２は、その内壁に絶縁基体１の上下に位置する配線導体５ａ間を電気的に接続するためのスルーホール導体３を形成するための作用をなす。
【００１４】
また、スルーホール２には、スルーホール導体３を形成した後、エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を充填してなる樹脂中４が形成されている。樹脂柱４は、絶縁基体１の表面を平坦にし、絶縁基体１に積層する絶縁層７の平坦度を確保する作用をなす。
【００１５】
さらに、絶縁基体１の表面には、スルーホール導体３から延設された配線導体５ａが形成されている。配線導体５ａは、この絶縁基体１に搭載される半導体素子等の電子部品（図示せず）を支持する機能を有する。
【００１６】
そして、主に上述の絶縁基体１、スルーホール２、スルーホール導体３、樹脂柱４、配線導体５ａでコア基板６が構成される。
このようなコア基板６は、次に述べる方法により製作される。
【００１７】
まず、厚さが0.8〜1.5ｍｍのガラスクロスにビスマレイミドトリアジン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて成る絶縁基体１の両面に厚みが12μｍ程度の第１の配線導体５ａの一部となる銅箔を被着し、次に絶縁基体１表面に被着した銅箔を硫酸−過酸化水素水溶液を用いてエッチング処理して銅箔の厚みを７μｍとし、さらに、これらを酸化雰囲気下のオーブンで170℃、２時間熱処理することによって両面銅張基板を得る。
【００１８】
次に、両面銅張基板に炭酸ガスレーザまたはドリルを用いて直径が100〜500μｍのスルーホール２を穿孔する。
次に、スルーホール２を穿孔した両面銅張基板を過マンガン酸塩類水溶液等の粗化液に浸漬して、スルーホール２の内壁を粗化する。その後、スルーホール２の内壁を粗化した両面銅張基板をパラジウムまたはパラジウム−スズコロイドの無電解銅めっき触媒を含んだ水溶液に浸漬し、パラジウム−スズコロイドをスルーホール２の内壁に付着する。次に、スルーホール２の内壁にパラジウム−スズコロイドを付着させた両面銅張基板を、硫酸銅・ロッセル塩・ホルマリン・ＥＤＴＡナトリウム塩・安定剤等から成る無電解めっき液に約30分間浸漬してスルーホール２内壁に無電解銅めっき層を析出させ、しかる後、硫酸・硫酸銅５水和物・塩素・光沢剤等から成る電解銅めっき液に数時間浸漬して、スルーホール２内壁の無電解銅めっき層上に電解銅めっき層を被着させ、厚みが10〜50μｍのスルーホール導体３を形成する。なお、スルーホール２の内壁にスルーホール導体３を形成する際に、絶縁基体１の表面に被着した銅箔表面にも、厚みがスルーホール導体３と同程度の銅めっき層が形成される。
【００１９】
次に、銅めっき層が被着された銅箔表面に耐エッチング樹脂層を被着し、露光・現像処理により耐エッチング樹脂層を所定のパターンに加工し、しかる後、硫酸−過酸化水素水溶液で銅めっき層をエッチングすることによって、スルーホール導体３から延設した所定パターンの第１の配線導体５ａを形成する。
【００２０】
そして最後に、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を、従来周知のスクリーン印刷法を用いてスルーホール２に充填し、100〜200℃の温度で２時間熱硬化することにより樹脂柱４が形成されコア基板６が得られる。なお、樹脂柱４となる樹脂に、シリカ等の無機絶縁物粉末を添加し、絶縁基体１の熱膨張係数と樹脂柱４の熱膨張係数とを整合させることが好ましい。
【００２１】
このようなコア基板６の表面には、絶縁層７がそしてこの絶縁層７の表面には第２の配線導体５ｂが形成されている。また、絶縁層７には、上下に位置する配線導体７間を電気的に接続するための貫通導体９が形成されている。
【００２２】
絶縁層７は、第１の配線導体５ａと第２の配線導体５ｂとの間に絶縁間隔を提供する作用をなし、また、第２の配線導体５ｂは、配線基板10に搭載される電子部品に電源電圧を供給するとともに外部からの電気信号を電子部品に伝達する機能を有する。
【００２３】
このような絶縁層７は、コア基板６の表面にエポキシ樹脂および絶縁無機フィラーから成る、厚みが10〜50μｍのフィルムを積層するとともに真空下・温度130〜150℃で圧着し、しかる後、175〜200℃の温度で数時間熱硬化することにより、コア基板６の表面に積層される。
【００２４】
貫通孔８は、この内部に貫通導体９を形成する作用をなし、炭酸ガスレーザやＹＡＧレーザ等従来周知のレーザ加工法を用いて形成されている。そして、貫通孔８には、後述するめっき法により導体を充填して成る貫通導体９が形成されている。なお、貫通導体９は、絶縁層７の上下に位置する第１の配線導体５ａと第２の配線導体５ｂとを電気的に接続する機能を有する。
【００２５】
そして本発明の配線基板10においては、貫通孔８のスルーホール２側の径がスルーホール２の径より大きく、貫通導体９のスルーホール導体３側の端部の中央部がスルーホール導体３の内側にスルーホール２の径の0.03〜1.4倍の深さで埋め込まれている。また、このことが重要である。
【００２６】
本発明の配線基板10によれば、貫通孔８のスルーホール２側の径がスルーホール２の径より大きく、貫通導体９のスルーホール導体３側の端部の中央部がスルーホール導体３の内側にスルーホール２の径の0.03〜1.4倍の深さで埋め込まれていることから、スルーホール導体３の内側に埋め込まれた貫通導体９のアンカー効果により、貫通導体９とスルーホール導体３との接続が強固なものとなり、その結果、電子部品（図示せず）を配線基板10に実装する際の熱履歴により、貫通導体９とスルーホール導体３との間で断線することはなく、上下に位置する第１および第２の配線導体５ａ・５ｂ間の接続信頼性にすぐれた配線基板10とすることができる。また、スルーホール導体３と貫通導体９との断線を防止するために、コア基板６上に形成する第１の配線導体５ａの厚みを厚くする必要はなく、高密度な配線導体を形成することができる。
【００２７】
なお、貫通孔８のスルーホール２側の径がスルーホール２の径より小さい場合、貫通導体９とスルーホール導体３との接続ができなくなる傾向があり、両者間で断線し易くなる傾向がある。従って、貫通孔８のスルーホール２側の径がスルーホール２の径より大きくすることが重要である。
【００２８】
また、貫通導体９のスルーホール導体３側の端部の中央部がスルーホール導体３の内側への埋め込み深さが、スルーホール２の径の0.03倍未満であると、スルーホール導体３と貫通導体９との接合部分が少ないものとなり、電子部品を外部電気回路基板に実装する際の熱履歴によりスルーホール導体３と貫通導体９と接合部で断線してしまい易くなる傾向があり、1.4倍を超えるとめっき液のスルーホール２への浸透が悪くなってスルーホール２を充分にめっきで充填できなくなり、スルーホール２内にボイドが発生し易くなる傾向がある。従って、貫通導体９のスルーホール導体３側の端部の中央部のスルーホール導体３の内側への埋め込みは、スルーホール２の径の0.03〜1.4倍の深さであることが重要である。
【００２９】
このような貫通孔８・貫通導体９は次に述べる方法により形成される。
絶縁層７をコア基板６の上下面に積層して熱硬化させた後、絶縁層７のコア基板６に形成されたスルーホール２の直上に、例えば炭酸ガスレーザを照射し貫通孔８を穿設する。この際、貫通孔８の裏面側の径をスルーホール２の径よりも大きくなるように穿孔すると同時に、樹脂柱４の表面にも炭酸ガスレーザを照射して、貫通導体９を形成する導体の端部が埋め込まれる穴を穿設する。
【００３０】
このような炭酸ガスレーザによる貫通孔８や樹脂柱４の加工は、フラットビームモードおよび尖角状ビームモードで行なわれる。フラットビームモードは、パルス幅の広いレーザ光の先端部分を用いて加工を行なう方法であり、この方法により穿設された穴は、その断面形状が開口径が底部の径より大きな台形状となり、その深さが開口径の0.03〜1.0倍になる。また、尖角状ビームモードは、パルス幅の狭いレーザ光の全体を用いて加工を行なう方法であり、この方法により穿設された穴は、その断面形状がＵ字形状となり、その深さが開口径の0.4〜1.4倍になる。
【００３１】
本発明においては、絶縁層７に貫通孔８を炭酸ガスレーザを用いてその裏面側の径がスルーホール２の径より大きく成るように穿孔した後、引続きスルーホール２内の樹脂柱４表面に炭酸ガスレーザをフラットビームモードおよび尖角状ビームモードで照射することにより、樹脂柱４にスルーホール２の径の0.03〜1.4倍の穴を穿設することができる。
【００３２】
なお、貫通導体９は、絶縁層７に貫通孔８を穿孔した後、まず、絶縁層７表面・貫通孔８内壁および樹脂柱４表面を過マンガン酸塩類水溶液等の粗化液に浸漬し粗化し、その後、硫酸銅・ロッセル塩・ホルマリン・ＥＤＴＡナトリウム塩・安定剤等から成る無電解銅めっき液に約30分間浸漬して絶縁層７表面・貫通孔８内壁および樹脂柱４表面に0.1〜２μｍの無電解銅めっき層を析出させ、次に、絶縁層７表面に被着した無電解銅めっき層上に耐めっき樹脂層を被着するとともに露光・現像により絶縁層７表面の電解銅めっきを行なわない部分を耐めっき樹脂層で被覆し、しかる後、硫酸・硫酸銅５水和物・塩素・光沢剤等から成る電解銅めっき液に数時間浸漬してスルーホール２内および貫通孔８内に銅めっきから成る導体を充填し、その後、水酸化ナトリウムで絶縁層７表面の耐めっき樹脂層を剥離し、露出した無電解銅めっき層をエッチングにより除去することにより第２の配線導体５ｂと同時に形成される。
【００３３】
そして、このような絶縁層７・貫通孔８・貫通導体９・第２の配線導体５ｂの形成を複数回行なうことにより、図１に示すような多層の配線基板10が形成される。
【００３４】
なお、通常は、絶縁層７の一方の最外層表面に形成された第２の配線導体５ｂの一部は、搭載される電子部品の各電極に例えば鉛−錫から成る半田バンプ12ａを介して接合される電子部品接続用の半田接合パッド11ａを形成し、また、絶縁層７の他方の最外層表面に形成された第２の配線導体５ｂの一部は、外部電気回路基板の各電極に例えば鉛−錫から成る半田バンプ12ｂを介して接続される外部接続用の半田接合パッド11ｂを形成している。また、半田接合パッド11ａ・11ｂの表面には、その酸化腐蝕を防止するとともに半田バンプ12ａ・12ｂの接続を良好とするために、半田との濡れ性が良好で耐腐蝕性に優れたニッケル・金等のめっき層を被着してもよい。
【００３５】
さらに、最外層の絶縁層７および半田接合パッド11ａ・11ｂに、半田接合パッド11ａ・11ｂの中央部を露出させる開口を有する耐半田樹脂層13を被着してもよい。耐半田樹脂層13は、その厚みが10〜50μｍ程度であり、例えばアクリル変性エポキシ樹脂等の感光性樹脂と光開始剤等とから成る混合物に30〜70重量％のシリカやタルク等の無機粉末フィラーを含有させた絶縁材料から成り、隣接する半田接合パッド11ａ・11ｂ同士が半田バンプ12ａ・12ｂにより電気的に短絡することを防止するとともに、半田接合パッド11ａ・11ｂと絶縁層７との接合強度を向上させる機能を有する。
【００３６】
このような耐半田樹脂層13は、感光性樹脂と光開始剤と無機粉末フィラーとから成る未硬化樹脂フィルムあるいは熱硬化性樹脂と無機粉末フィラーとから成る未硬化樹脂ワニスを塗布するか、未硬化樹脂フィルムを被着した後、露光・現像により開口部を形成した後、これに紫外線照射し熱硬化させることにより形成される。
【００３７】
かくして、本発明の配線基板によれば、絶縁層に形成した貫通導体をスルーホールの直上にに配置して成るビルドアップ配線基板において、スルーホール導体と貫通導体との接続信頼性が良好で、電子部品を配線基板に実装する際の熱履歴によりスルーホール導体と貫通導体とが断線することのない、接続信頼性に優れた配線基板とすることができる。
【００３８】
なお、本発明は、上述の実施の形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば、変更・改良を施すことは何ら差し支えない。例えば、本実施例では、樹脂柱をスルーホールに熱硬化性樹脂をスクリーン印刷法を用いて充填することにより形成したが、樹脂柱をコア基板の表面にエポキシ樹脂および絶縁無機フィラーから成るフィルムを積層する際に、このフィルムの一部をスルーホールに圧入して形成しても良い。
【００３９】
【実施例】
本発明の配線基板のスルーホール導体と貫通導体との接続信頼性および貫通孔への銅めっきの充填性を評価するために、以下に説明するような配線基板を製作して評価した。
【００４０】
まず、厚みが1.5ｍｍの絶縁基体に炭酸ガスレーザを用いて直径が100、300、500μｍのスルーホールを穿孔するとともにスルーホール内壁にめっきにより厚みがそれぞれ10、30、50μｍのスルーホール導体を被着した。次に、エポキシ樹脂および絶縁無機フィラーから成るフィルムをコア基板の両面から真空下、温度130℃で熱圧着して厚みがそれぞれ10、30、50μｍの絶縁層を被着するとともにスルーホール内に絶縁層の一部を充填して、175℃、２時間で絶縁層を熱硬化した。さらに、スルーホール上の絶縁層に炭酸ガスレーザを照射して、絶縁層に貫通孔を穿孔するとともに樹脂柱の表面から内部にかけて１〜750μｍの深さで穴を形成した。次に貫通孔内壁および樹脂柱表面を粗化し、銅めっき法により貫通孔内部および樹脂柱に形成した穴内部を銅めっきで充填した。
【００４１】
得られた配線基板の接続信頼性評価のために半田の浸漬試験を行なった。また、貫通孔への銅めっきの充填性評価のために貫通導体の断面観察を行なった。評価結果を表１に示す。
【００４２】
【表１】

【００４３】
なお、接続信頼性評価は、配線基板を半田槽に260℃、１回５秒で10回浸漬し、スルーホール導体と貫通導体との接続部分の断面を電子顕微鏡で観察し剥がれの有無を観察した。充填性評価は、めっき後の貫通導体部分の断面を電子顕微鏡で観察し空隙の有無を観察した。
【００４４】
表１に示すように、導体の埋めこみ深さがスルーホール径の0.03倍未満であると（試料Ｎｏ.１，６，11）、スルーホール導体と貫通導体との接続部分が少なく、半田の浸漬試験で剥がれが生じてしまった。また、貫通導体の埋めこみ深さがスルーホール径の1.4より大きいと（試料Ｎｏ.５，10，15）、銅めっき液が樹脂柱に形成した穴の底面まで良好に浸透せず、導体に空隙が生じてしまった。それに対して、導体の埋めこみ深さをスルーホール径の0.03〜1.4にした場合（試料Ｎｏ.２〜４，７〜９，12〜14）、260℃の半田槽へ５秒間浸漬を10回行なっても剥がれ生じず、スルーホール導体と貫通導体との接続信頼性に優れており、導体にも空隙がなかった。
【００４５】
【発明の効果】
本発明の配線基板によれば、貫通孔のスルーホール側の径がスルーホールの径より大きく、貫通導体のスルーホール導体側の端部の中央部がスルーホール導体の内側にスルーホールの径の0.03〜1.4倍の深さで埋め込まれていることから、スルーホール導体の内側に埋め込まれた貫通導体のアンカー効果により、貫通導体とスルーホール導体との接続が強固なものとなり、その結果、電子部品を配線基板に実装する際の熱履歴により、貫通導体とスルーホール導体との間で断線することはなく、上下に位置する第１および第２の配線導体間の接続信頼性にすぐれた配線基板とすることができる。また、スルーホール導体と貫通導体との断線を防止するために、コア基板上に形成する配線導体の厚みを厚くする必要はなく、高密度な配線導体を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】図１に示す配線基板の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
１・・・・・・絶縁基体
２・・・・・・スルーホール
３・・・・・・スルーホール導体
４・・・・・・樹脂柱
５ａ・・・・・第１の配線導体
５ｂ・・・・・第２の配線導体
６・・・・・・コア基板
７・・・・・・絶縁層
８・・・・・・貫通孔
９・・・・・・貫通導体
10・・・・・・配線基板

Claims

絶縁基体の内部にスルーホールと該スルーホールの内壁に沿って形成されたスルーホール導体を設けるとともに前記絶縁基体の表面に前記スルーホール導体から延設された第１の配線導体を有し、前記スルーホール導体の内部に樹脂柱を配置してなるコア基板と、
該コア基板上に配置され、表面に形成される第２の配線導体と前記第１の配線導体とを前記スルーホール上で相互に接続する貫通導体を内部に有した絶縁層と、を備えた配線基板であって、
前記貫通導体は、上端部に平坦面を有し、下端部が前記スルーホール導体の内周面および前記第１の配線導体と面当接した状態で前記スルーホール内に埋設され、
前記貫通導体の平坦面上に、さらに他の絶縁層内の他の貫通導体が配置されて前記貫通導体と前記他の貫通導体とが相互に接続されていることを特徴とする配線基板。
前記貫通導体の下端部が前記スルーホール内に前記スルーホールの径の０．０３倍以上の深さまで埋め込まれていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
前記貫通導体の下端部が前記スルーホール内に前記スルーホールの径の１．４倍以下の深さまで埋め込まれていることを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
前記貫通導体の平坦面が前記絶縁層の主面と略同一面上に位置していることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の配線基板。
前記コア基板上に複数の絶縁層が積層されているとともに、これら絶縁層の最上層に接合パッドが設けられており、該接合パッドと前記貫通導体とがその間に位置する複数の他の貫通導体を介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の配線基板。