JP4207885B2 - プリント配線板 - Google Patents

プリント配線板 Download PDF

Info

Publication number
JP4207885B2
JP4207885B2 JP2004351404A JP2004351404A JP4207885B2 JP 4207885 B2 JP4207885 B2 JP 4207885B2 JP 2004351404 A JP2004351404 A JP 2004351404A JP 2004351404 A JP2004351404 A JP 2004351404A JP 4207885 B2 JP4207885 B2 JP 4207885B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulating layer
wiring board
printed wiring
hole
conduction hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2004351404A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005094032A (ja
Inventor
昌留 高田
恒 箕浦
輝代隆 塚田
博之 小林
光広 近藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ibiden Co Ltd filed Critical Ibiden Co Ltd
Priority to JP2004351404A priority Critical patent/JP4207885B2/ja
Publication of JP2005094032A publication Critical patent/JP2005094032A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4207885B2 publication Critical patent/JP4207885B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/49105Connecting at different heights
    • H01L2224/49109Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01028Nickel [Ni]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1515Shape
    • H01L2924/15153Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1517Multilayer substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1532Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1532Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
    • H01L2924/15321Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate being a ball array, e.g. BGA
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/35Mechanical effects
    • H01L2924/351Thermal stress

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)

Description

本発明は、高密度実装を実現できる多層のプリント配線板に関する。
従来、プリント配線板としては、例えば、図42に示すごとく、導電層911〜914を積層したものがある。各導電層911〜914は導通用孔931〜933を通じて互いに電気的に接続している。各導電層911〜914の間には、絶縁層921〜923が介設されている。
導電層911は、電子部品961を搭載して電子部品961に電流を導出入するための部品接続層である。一方の最外層の導電層911と電子部品961との間は、ボンディングワイヤー962により電気的に接続されている。他方の最外層の導電層914は、プリント配線板941に流れる電流を外部に導出入する外部接続端子97を接合する外部接続層である。内部の導電層912、913は、プリント配線板941の内部の電流を伝達するための電流伝達層である(特許文献1)。
次に、上記プリント配線板の製造方法について説明する。
まず、図43に示すごとく、絶縁層922の上面及び下面に、導電層912、913を形成する。また、絶縁層922を貫通する導通用孔932を形成して、その内壁を金属めっき膜95により被覆する。次いで、導通用孔932の内部に樹脂92を充填する。
次いで、絶縁層922の上面には絶縁層921及び銅箔を、下面には絶縁層923及び銅箔を積層し、次いで銅箔をエッチングして、導電層911、914を形成する。
次いで、図44に示すごとく、絶縁層921、923に、内部の導電層912、913の表面を露出させる導通用孔931、933を形成する。
次いで、図42に示すごとく、導通用孔931、933の内壁に金属めっき膜95を形成する。次いで、最外層の導電層914の表面に外部接続端子97を接合する。
以上により、プリント配線板941が得られる。
上述の図43、図44に示す方法を繰り返すことにより、プリント配線板941の導電層の積層数を増加する事ができる。この場合、得られたプリント配線板は、中心となる絶縁層922の上面及び下面の両側に、絶縁層及び導電層が繰り返し積層されることとなる。そのため、上述の製造方法によると、偶数の導電層が形成される。
特開平7−283538号公報
しかしながら、上記従来のプリント配線板の製造方法は、偶数の導電層を効率良く積層することはできるが、奇数の導電層を積層するには不向きである。
即ち、図45に示すごとく、5層の導電層910〜914を積層してなるプリント配線板を製造する場合を例示説明すると、まず、上記と同様の製造方法により、図46に示すごとく、第2番目から第5番目の導電層911〜914を積層する。但し、導電層914は、パターン形成していない銅箔である。
次いで、図47に示すごとく、導電層914をすべて除去する。次いで、図48に示すごとく、導通用孔931を孔明けし、その内壁に金属めっき膜95を形成する。次いで、図49に示すごとく、プリプレグを積層、圧着して、絶縁層920、924を形成する。次いで、絶縁層920、924の両方の表面に導電層910、914を形成する。次いで、図50に示すごとく、絶縁層920、924に導通用孔930、933を形成する。次いで、図45に示すごとく、導通用孔930、933の内壁に金属めっき膜95を形成する。
このように、奇数の導電層を有するプリント配線板を製造する場合には、プレス(圧着)後のプリント配線板の反りを防止するため、一旦内層の導電層911、914を形成した後に、一方の導電層914を除去する操作が必要である。そのため、無駄な作業を行うことになり、製造上極めて非効率である。また、絶縁層の厚みが大きくなり、プリント配線板の小型化にそぐわない。
そこで、一方の絶縁層921の片面にだけ、絶縁層920及び導電層910を形成することが考えられる。しかし、この場合には、絶縁層920を形成するためのプリプレグの圧着工程の際に、プリント配線板に反りが発生する場合がある。
また、多層積層型のプリント配線板においては、内部に埋め込まれる内部絶縁層921、923は、樹脂よりなるため、その吸水率は0.5〜1.0%と高く、多くの水分を含んでいる。この水分は時間経過と共に自然と気化し、水蒸気となり、絶縁層921と隣接する絶縁層922、920との間、絶縁層923と隣接する絶縁層922、924との間等に集中して溜まってしまう。
このため、層間の密着性が低下し、各層が剥離し易くなるおそれがあった。特に積層数が多くなるに連れて、水分を含む内部絶縁層が多くなり、各層間で剥離が生じる傾向が高くなる。
また、プリント配線板を製造するに当たっては、従来、例えば、我々が先に発明した先願の特願平8−21975号に開示した方法がある。即ち、図51に示すごとく、S91工程において、各絶縁層に導電層を形成する。次いで、S92工程において、各絶縁層に導通用孔形成用の貫通孔を形成する。このS91、S92工程は、積層する絶縁層の枚数nだけ行う。次いで、S93工程において、これらのn枚数の絶縁層を接着材を介して積層し、各貫通孔が連結して導通用孔を形成するように位置あわせを行う。次いで、S94工程において、加熱等により接着材を溶融させて、圧着して、多層基板となす。次いで、S95工程において、導通用孔の内部に導電性物質、例えば半田等を充填して、導通用孔に導電性を付与する。以上により、プリント配線板を得る。
しかしながら、上記従来のプリント配線板の製造方法においては、各絶縁層ごとに、導通用孔形成用の貫通孔を形成しなければならない。そのため、孔明け操作が煩雑となる。また、各貫通孔の位置あわせを行う必要がある。特に、導通用孔の狭小化に伴って、各貫通孔の正確な位置あわせが困難となってきた。
また、多層のプリント配線板においては、その最表面層に半田ボールなどの外部端子を接続するためのパッドが設けられている。この場合、導通用孔とパッドとの間を接続回路により電気的に接続する必要がある。しかし、接続回路に要される面積が大きくなり、基板表面の高密度実装が妨げられる。特に多層のプリント配線板においては、最表面部における高密度配線が要求される。また、外部接続端子を通じて多量の電気の授受を行う必要がある。
本発明はかかる従来の問題点に鑑み、層間の剥離が生じ難く、高い信頼性を維持することができるプリント配線板を提供することを目的とする。
説明の都合上、まず第1参考発明について説明する。
第1参考発明は、奇数nの導電層を、絶縁層を介在させて積層してなるとともに各導電層は導通用孔を通じて互いに電気的に接続してなるプリント配線板であって、第1番目の導電層は、電子部品を搭載して電子部品に電流を導出入するための部品接続層であり、第n番目の導電層はプリント配線板に流れる電流を外部に導出入する外部接続端子を接合する外部接続層であり、第2番目から第(n−1)番目の導電層はプリント配線板の内部の電流を伝達するための電流伝達層であり、かつ、上記第n番目の導電層の表面は、上記外部接続端子を露出させた状態で、最外層である第n番目の絶縁層により被覆されていることを特徴とするプリント配線板である。
第1参考発明において最も注目すべきことは、導電層が奇数nであること、第n番目の導電層の表面は、上記外部接続端子を露出させた状態で、最外層である第n番目の絶縁層により被覆されていることである。
上記奇数nとは、1を除く、3、5、7等の、2で割り切れない整数をいう。奇数nを除くのは、1の導電層の場合には、プリント配線板にはならないからである。
次に作用及び効果について説明する。
上記プリント配線板は、奇数nの導電層が、奇数nの絶縁層の間に形成されている。第(n+1)/2番目の絶縁層は中心絶縁層であり、その上面及び下面には、同数の絶縁層を設けている。そのため、絶縁層形成用のプリプレグの圧着の際に、プリント配線板に反りが発生することはない。
また、上記の中心絶縁層を中心として、その上面及び下面に、効率よく導電層を積層、形成することができる。
従って、奇数nの導電層を効率よく積層することができる構造である。
また、最後の第n番目の導電層は、最外層である第n番目の絶縁層により被覆されている。そのため、第n番目の導電層は、プリント配線板の内部に埋設されることとなる。しかし、第n番目の導電層と接続する外部接続端子が、最外層の第n番目の絶縁層の接合用孔から露出している。そのため、プリント配線板の外部への電気の導出入は、外部接続端子を通じて行うことができる。
上記外部接続端子は、半田ボールであることが好ましい。これにより、第n番目の導電層から、安定して電気の導出入を行う事ができる。
また、第n番目の導電層の表面に外部接続端子を接合するとともに、その表面の第n番目の絶縁層の表面にも第(n+1)番目の導電層を設けることができる。この場合には、偶数層の導電層が形成されることとなる。また、上記第(n+1)番目の導電層の表面に外部接続端子を接合することができる。
上記第1参考発明のプリント配線板を製造する方法としては、例えば、奇数nの導電層を、絶縁層を介在させて積層してなるとともに各導電層は導通用孔を通じて互いに電気的に接続してなるプリント配線板を製造する方法において、第2番目の導電層から第n番目の導電層の間に、絶縁層を介設するとともに各導電層を電気的に接続する導通用孔を形成する工程と、第2番目の導電層の表面にはプリプレグ及び銅箔を積層し、第n番目の導電層の表面にはプリプレグを積層し、圧着して、奇数nの絶縁層からなる多層板を形成するとともに第2番目から第n番目の導電層を上記多層板の内部に配置する工程と、上記銅箔をエッチングして、第1番目の導電層を形成する工程と、第1番目の絶縁層に導体用孔を孔明けするとともに第n番目の絶縁層に接合用孔を孔明けする工程と、第1番目の絶縁層の導体用孔の内壁に、第1番目の導電層と第2番目の導電層とを電気的に接続する金属めっき膜を形成する工程と、第n番目の絶縁層の導体用孔から露出した第n番目の導電層の表面に外部接続端子を接合する工程とからなることを特徴とするプリント配線板の製造方法がある。
この製造方法において最も注目すべきことは、第2番目の導電層の表面には、プリプレグ及び第1番目の導電層を形成するための銅箔を積層し、第n番目の導電層の表面には銅箔を積層することなくプリプレグだけを積層する。そして、これらを圧着すると、第1番目の絶縁層と第n番目の絶縁層とが、同時に圧着、形成される。そのため、すでに積層、一体化された第2番目から第(n−1)番目の絶縁層の上面及び下面は、圧着時に、プリプレグから均等に熱応力を受ける。そのため、プリント配線板に反りが発生することはない。
また、最後の第n番目の導電層の表面にはプリプレグの積層、圧着により絶縁層により被覆する。この状態では、第n番目の導電層から外部への電流の導出入はできない。しかし、その後、最外層の絶縁層に接合用孔を孔明けして、該接合用孔から外部接続端子を露出させている。そのため、この外部接続端子を通じて、最後の第n番目の導電層から外部への電流の導出入を行う事ができる。
また、上記外部接続端子は、半田ボールであることが好ましい。これにより、第n番目の導電層から外部に電流を安定して導出入することができる。
上記導電層は、例えば、配線回路、パッド、端子、ランド等の、絶縁基板の表面に形成し得るあらゆる導電性パターンをいう。導体パターンは、例えば、金属箔のエッチング、金属めっき等により形成する。
上記絶縁層としては、合成樹脂単体、プリプレグ等がある。上記合成樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリブタジエン樹脂、弗素樹脂等がある。
また、第1参考発明のプリント配線板は、例えばメモリーモジュール、マルチチップモジュール、マザーボード、ドーターボード、プラスチックパッケージなどに利用できる。
また、上記導通用孔の孔明け、接合用孔の孔明けは、例えば、レーザー光を絶縁層の孔明け部分に照射する方法、化学的に絶縁層の孔明け部分を溶融する方法、ドリルを用いる加工方法等がある。
次に、本願発明について説明する。
本発明は、表面に導体回路を設けた内部絶縁基板と該内部絶縁基板の表面に積層された少なくとも一層の内部絶縁層と、該内部絶縁層の表面に積層された外部絶縁層とを有し、上記内部絶縁層の表面には内部導体回路を、上記外部絶縁層の表面には外部導体回路を設けたプリント配線板において、
上記内部絶縁層は、ガラスクロスを30〜70重量%含有する、ガラスクロス入りプリプレグよりなり、
また、該内部絶縁層の吸水率は0.1〜0.3%であり、
かつ、上記外部絶縁層は樹脂よりなることを特徴とするプリント配線板にある(請求項1)。
上記ガラスクロス入りプリプレグとは、ガラスクロスを基材としてこれに樹脂を含浸させて構成した材料であるが、本発明においては特にガラスクロスを30〜70重量%含有するものを使用する。これにより、吸水率を低く抑制し層間の剥離を防止できる。一方、30重量%未満の場合には吸水率が高くなり層間剥離が生ずるおそれがある。また、70重量%を超える場合には、樹脂の絶対量が少ないため、層間の密着性が低くなるおそれがある
なお、本発明にかかるプリント配線板の内部絶縁基板、内部絶縁層、外部絶縁層には、導通用孔、ブラインドビアホール、ビアホール等を設けることができる。また、外部絶縁層には半田ボール載置用のランド、外部導体回路間の絶縁等を確保するためのソルダーレジスト等を設けることもできる。つまり、一般的なプリント配線板に設ける各種の構造を設けることができる。
本発明の作用につき、以下に説明する。
本発明のプリント配線板においては、内部絶縁層をガラスクロス入りプリプレグより構成し、上記外部絶縁層を樹脂より構成する。即ち、上記内部絶縁層はガラスクロスを含むため、吸水率が低く抑えられている。このため、上記内部絶縁層全体としての吸水率が低下する。
また、内部絶縁層の吸水率は0.1〜0.3%としている。そのため、上記内部絶縁層に含まれる水分の絶対量が減り、これらの水分の気化により発生する水蒸気の絶対量も減少する。このため、層間に溜まる水蒸気の量も減少し、層間の密着性を高めることができる。
したがって、本発明にかかるプリント配線板は層間の剥離が生じ難く、信頼性の高い構造を有する。
また、上記外部絶縁層は樹脂よりなるため、ファインパターンの形成が容易となる。よって、本発明にかかるプリント配線板にて高密度基板を作成することも容易に行うことができる。
以上のように、本発明によれば、各層の剥離が生じ難く、より多層構造に構成した場合であっても高い信頼性を維持できる、プリント配線板を提供することができる。
なお、本発明にかかるプリント配線板は信頼性が高いことから、例えば、メモリーモジュール、マルチチップモジュール、マザーボード、ドーターボード、プラスチックパッケージ等に使用することができる。
上記内部絶縁層は二層以上であることが好ましい。これにより、より多層構造で信頼性の高いプリント配線板を得ることができる。
上記内部絶縁層の吸水率は0.1〜0.3%である。上記吸水率が0.1%未満であるようなプリプレグは製造し難く、一方、吸水率が0.3%より大となった場合には、水分の含有量が増大するため、本発明にかかる効果を得られなくなるおそれがある。
次に、第2参考発明について説明する。
第2参考発明は、複数の導電層を絶縁層を介在して積層してなり、上記導電層は導通用孔を通じて電気的に接続してなるプリント配線板の製造方法において、複数の絶縁層に導電層を形成し、次いで、上記絶縁層を積層し、圧着して、多層基板となし、次いで、上記多層基板の導通用孔形成部分にレーザー光を照射することにより導通用孔を孔明けするとともに該導通用孔の底部を導電層に至らしめ、次いで、上記導通用孔に半田ボールを溶融接合するとともに上記導通用孔の内部に半田を充填することを特徴とするプリント配線板の製造方法である。
第2参考発明においては、絶縁層を積層した後に、レーザー光を照射して、導通用孔を形成している。そのため、1回の孔明け操作で、各絶縁層を貫通する導通用孔を形成することができる。また、各絶縁層ごとに導通用孔形成用の貫通孔を形成する必要がない。ゆえに、導通用孔を容易に形成することができる。
また、第2参考発明によれば、深さの異なる導通用孔を1回の孔明け操作で形成することができる。
また、従来のように、貫通孔を連結するための各絶縁層の位置決めが不要となる。更に、狭小化した導通用孔であっても、正確に形成することができる。
また、上記導通用孔の内部には半田を充填するとともに上記導通用孔の開口部に半田ボールを溶融接合している。そのため、内部の導電層を流れる電流を、上記半田及び半田ボールを介して容易に外部に取り出すことができる。
上記導通用孔の内壁には、金属めっき膜を被覆することが好ましい。これにより、導通用孔に導通性を容易に付与することができる。
上記導電層の厚みは、10〜70μmであることが好ましい。10μm未満の場合には、レーザー光の照射により、導電層に孔が空いてしまうおそれがある。一方、70μmを越える場合には、導電層のパターン形成が困難となるおそれがある。
上記絶縁層は、ガラス繊維入り樹脂からなるフレキシブルフィルムであることが好ましい。これにより、レーザー光による孔明け操作が容易となる。また、プリント配線板の薄層化を実現することができる。
上記レーザー光としては、例えば、炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー等を用いる。
上記絶縁層としては、例えば、合成樹脂単体、合成樹脂と無機フィラーとよりなる樹脂基材、合成樹脂と無機質クロスとよりなるクロス基材等を用いることができる。上記合成樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリブタジエン樹脂、弗化樹脂等がある。これらの合成樹脂のみによる絶縁層は、プリプレグ、ソルダーレジストとして他の絶縁層の間に積層形成する場合がある。
また、上記合成樹脂に添加する無機フィラーとしては、ガラス短繊維、シリカ粉末、マイカ粉末、アルミナ、カーボンなどがある。合成樹脂と無機フィラーとの混合物よりなる基材は、合成樹脂単体の場合に比較して強度が高い。
また、上記クロス基材とは、ガラス−エポキシ基板、ガラス−ポリイミド基板など、布状に織成又は編成したクロスと合成樹脂とからなる基板をいう。かかるクロス基材としては上記クロスに合成樹脂を含浸させた基材がある。また、該クロスの材料としては、ガラス繊維クロス、カーボンクロス、アラミドクロスなどがある。合成樹脂は上記と同様の材料を用いる。
上記導電層としては、配線パターン、パッド、ランド、端子等、絶縁層の平面方向に形成された導電性パターンをいう。導電層は、金属箔のエッチング、金属めっき等により形成することができる。
第2参考発明により製造されたプリント配線板は、例えば、メモリーモジュール、マルチチップモジュール、マザーボード、ドーターボード、プラスチックパッケージ等に利用することができる。
次に、第3参考発明について説明する。
第3参考発明は、絶縁基板を貫通する導通用孔と、該導通用孔の一方の開口部を被覆する被覆パッドと、上記導通用孔の他方の開口部を開口させたまま該開口部の周縁に設けた導体回路とからなり、上記被覆パッドと上記導体回路との間は、上記導通用孔の内壁を被覆する金属めっき膜を通じて電気的に接続されており、上記被覆パッドの表面には、外部接続用の半田ボールが接合されていることを特徴とするプリント配線板である。
第3参考発明においては、導通用孔の一方の開口部を被覆パッドにより被覆し、該被覆パッドの表面に半田ボールを接合している。そのため、半田ボール接合用の被覆パッドを、導通用孔とほぼ同じ位置に設けることができる。
それゆえ、導通用孔に必要な領域と半田ボール接合に必要な領域とを重複して設けることができ、従来のように導通用孔用の領域と半田ボール接合用の領域とを別々に設ける必要はない。このため、導通用孔と半田ボールとを高密度に実装することができる。
また、導通用孔及び半田ボールに必要な領域の狭小化によって、絶縁基板の表面に余剰領域が生まれ、そこに導体回路等を設けることができる。従って、絶縁基板の表面実装の高密度化を図ることができる。また、特に表面高密度実装が要求される多層積層型のプリント配線板に対しては、第3参考発明はその要求を十分に満足するものである。
上記半田ボールは、上記導通用孔の中心軸線上に配置されていることが好ましい。これにより、導通用孔と半田ボールとが同一軸線上に位置することになるため、両者に必要とされる領域の更なる狭小化を図ることができる。
また、上記半田ボールは、上記導通用孔に対してずれた位置に配置されていてもよい。この場合には、導通用孔及び半田ボール接合に必要とされる領域面積が上記同一軸線上に配置する場合よりも大きくなるが、従来のように、導通用孔形成用の領域と半田ボール接合用の領域とを全く別々に設ける場合よりも狭い領域に、両者を設けることができる。
上記絶縁基板の表面はソルダーレジストにより被覆されているとともに、上記導通用孔の内部にはソルダーレジストが充填されていることが好ましい。これにより、絶縁基板表面の導体回路及び導通用孔の内壁の金属めっき膜を湿気、外傷等から保護することができる。なお、被覆パッドにおける半田ボール接合部は、ソルダーレジストから露出させておく。また、上記半田ボール以外の端子接続部を設ける場合には、その部分もソルダーレジストから露出させておく。また、導通用孔の中には、ソルダーレジストの代わりに、半田等の導電性金属等の充填物が充填されていてもよい。
次に第4参考発明について説明する。
第4参考発明は、絶縁基板を貫通する導通用孔と、該導通用孔の一方の開口部を開口させたまま該開口部の周縁に設けたリング状パッドと、上記導通用孔の他方の開口部を被覆する被覆パッドと、該被覆パッドと接続する導体回路とからなり、上記リング状パッドと上記被覆パッドとの間は、上記導通用孔の内壁を被覆する金属めっき膜を通じて電気的に接続されており、上記リング状パッドの表面には、外部接続用の半田ボールが接合されていることを特徴とするプリント配線板である。
第4参考発明においては、導通用孔の一方の開口部の周縁にリング状パッドを設け、該リング状パッドの表面に半田ボールを接合している。そのため、半田ボールを、導通用孔とほぼ同じ位置に設けることができる。それゆえ、導通用孔に必要な領域と半田ボール接合に必要な領域とを重複して設けることができ、従来のように導通用孔用の領域と半田ボール接合用の領域とを別々に設ける必要はない。このため、導通用孔と半田ボールとを高密度に実装することができる。
また、導通用孔と半田ボールに必要な領域の狭小化によって、絶縁基板の表面に余剰領域が生まれ、そこに導体回路等を設けることができる。従って、絶縁基板の表面実装の高密度化を図ることができる。
上記半田ボールは、上記導通用孔の中心軸線上に配置されているとともに、上記導通用孔の内部は、半田ボールの下部の半田により充填されていることが好ましい。これにより、導通用孔と半田ボールとが同一軸線上に位置することになるため、両者に必要とされる領域の狭小化を図ることができる。
また、上記半田ボールは、上記導通用孔に対してずれた位置に配置されていてもよい。この場合には、導通用孔と半田ボールとに必要とされる領域面積が上記同一軸線上に配置する場合よりも大きくなるが、従来のように導通用孔形成用の領域と半田ボール接合用の領域とを全く別々に設ける場合よりも狭い領域に、両者を設けることができる。
上記絶縁基板の表面は、ソルダーレジストにより被覆されていることが好ましい。これにより、絶縁基板表面の導体回路を湿気、外傷等から保護することができる。なお、被覆パッドにおける半田ボール接合部は、ソルダーレジストから露出させておく。また、上記半田ボール以外の端子接続部を設ける場合には、その部分もソルダーレジストから露出させておく。
説明の都合上、まず参考実施例について説明する。
参考実施例1
第1参考発明に関する参考実施例1のプリント配線板について、図1〜図9を用いて説明する。
本例のプリント配線板41は、図1に示すごとく、3層の導電層11〜13を、絶縁層21〜23を介在させて積層してなる。各導電層11〜13は導通用孔31、32を通じて互いに電気的に接続している。
第1番目の導電層11は、電子部品61を搭載して電子部品61に電流を導出入するための部品接続層である。
第2番目の導電層12は、プリント配線板41の内部の電流を伝達するための電流伝達層である。
第3番目の導電層13は、プリント配線板41に流れる電流を外部に導出入するための外部接続端子7を接合する外部接続層である。第3番目の導電層13の表面は、外部接続端子7を露出させた状態で、最外層である第3番目の絶縁層23により被覆されている。外部接続端子7は、半田ボールである。
次に、上記プリント配線板の製造方法について説明する。
まず、図2に示すごとく、第2番目の絶縁層22の上面及び下面に銅箔1を貼着する。次いで、図3に示すごとく、ドリルを用いて、絶縁層22及び銅箔1に導通用孔32を孔明けし、次いで、銅箔をエッチングして、導電層12、13を形成する。
次いで、図4に示すごとく、導通用孔32の内壁に、化学銅めっき及び電気銅めっき処理を行い、金属めっき膜5を形成する。このとき、導電層12、13の表面は、金属めっき膜5により被覆される。
次いで、図5に示すごとく、印刷法を用いて、導通用孔32の内部に、ペースト状の樹脂2を充填する。次いで、導電層12、13の表面に、黒化皮膜10を形成する。黒化皮膜10は、導電層と、その表面に積層される絶縁層との密着性を高めるために行う。
次いで、図6に示すごとく、導電層12の表面にはプリプレグ20及び銅箔1を積層し、導電層13の表面にはプリプレグ20だけを積層し、これらを熱圧着する。これにより、図7に示すごとく、第2番目の絶縁層22の上面、及び下面に絶縁層21、23が形成され、絶縁層21の表面には銅箔1が貼着する。次いで、銅箔1をエッチングして、図8に示すごとく、第1番目の導電層11を形成する。
次いで、図8、図9に示すごとく、絶縁層21の導通用孔形成部分39に、レーザー光6を照射して、内部の導電層12に達する導通用孔31を明ける。また、絶縁層23の接合用孔形成部分30にも、レーザー光6を照射して、内部の導電層13に達する接合用孔3を明ける。
次いで、図1に示すごとく、化学銅めっき処理及び電気銅めっき処理を行い、導通用孔31の内壁に、金属めっき膜5を形成する。次いで、接合用孔3の内部に、ボール状の半田を供給して、導電層13と接合する外部接続端子7を形成する。
以上により、プリント配線板41が得られる。
上記プリント配線板41には、第1番目の絶縁層21の表面に、半田等の接着剤611により電子部品61を接着する。電子部品61は、ボンディングワイヤー62を用いて、導電層11と電気的に接続する。
また、外部接続端子7は、マザーボード8の表面のパッドと接合される。
次に、本例の作用及び効果について説明する。
本例のプリント配線板41は、図1に示すごとく、3層の導電層11〜13が、3層の絶縁層21〜23の間に形成されている。3層の絶縁層21〜23の中、第2番目の絶縁層22は中心絶縁層であり、その上面及び下面には、同数の絶縁層が設けられている。そのため、図6、図7に示すごとく、絶縁層形成用のプリプレグ20の圧着の際にプリント配線板に反りが発生することはない。
また、上記の中心の絶縁層22を中心として、その上面及び下面に、効率よく導電層11、14を積層、形成することができる。
従って、本例のプリント配線板41は、3層の導電層11〜13を効率よく積層することができる構造である。
また、最後の第3番目の導電層13は、最外層である第3番目の絶縁層23により被覆されている。そのため、第3番目の導電層13は、プリント配線板41の内部に埋設されることとなる。しかし、第3番目の導電層13と接続する外部接続端子7が、最外層の第3番目の絶縁層23の接合用孔3から露出している。そのため、プリント配線板41の外部への電気の導出入は、外部接続端子7を通じて行うことができる。
また、外部接続端子7は、半田ボールである。そのため、内部の導電層13との接合が容易で、外部のマザーボード8に対して、プリント配線板41を安定して接合することができる。
また、本例のプリント配線板の製造方法においては、図6に示すごとく、第2番目の導電層12の表面には、プリプレグ20及び第1番目の導電層を形成するための銅箔1を積層し、第3番目の導電層13の表面には銅箔を積層することなくプリプレグ20だけを積層する。
そして、これらを圧着すると、第1番目の絶縁層21と第4番目の絶縁層24とが、同時に圧着、形成される。そのため、すでに積層、一体化された第2番目の絶縁層22の上面及び下面に、圧着時に、表面のプリプレグ20から均等に熱応力を受ける。そのため、プリント配線板41に反りが発生することはない。
また、最後の第3番目の導電層13の表面は、絶縁層23により被覆する。この状態では、第3番目の導電層13から外部への電流の導出入はできない。しかし、その後、最外層の絶縁層24に接合用孔3を孔明けして、該接合用孔3から外部接続端子7を露出させる。すると、この外部接続端子7を通じて、最後の第3番目の導電層13から外部への電流の導出入を行う事ができる。
参考実施例2
本例のプリント配線板は、第1参考発明に関し、図10に示すごとく、5層の導電層11〜15を積層している。
第1番目の導電層11は、電子部品61を搭載して電子部品61に電流を導出入するための部品接続層である。
第2番目から第4番目の導電層12〜14は、プリント配線板42の内部の電流を伝達するための電流伝達層である。
第5番目の導電層15は、プリント配線板42に流れる電流を外部に導出入するための外部接続端子7を接合する外部接続層である。第5番目の導電層15の表面は、外部接続端子7を露出させた状態で、最外層である第5番目の絶縁層25により被覆されている。
本例のプリント配線板42を製造するに当たっては、参考実施例1と同様に、中心の第3番目の絶縁層23に導電層13、14、導通用孔33を形成する。次いで、導電層13、14の表面に、絶縁層22、24を積層するとともに、その表面に導電層12、15を形成する。次いで、絶縁層22、24に導通用孔32、34を形成し、内壁に金属めっき膜5を形成する。
次いで、導電層12、15の表面に、参考実施例1と同様に、第1番目の絶縁層21、導電層11、及び導通用孔31を形成するとともに、第5番目の絶縁層25、導電層15、及び接合用孔3を形成する。
以上により、5層の導電層11〜15を有するプリント配線板42が得られる。
その他は、参考実施例1と同様である。
本例においても、参考実施例1と同様の効果を得ることができる。
第1実施例
本発明の第1実施例にかかるプリント配線板につき、図11を用いて説明する。
図11に示すごとく、本例のプリント配線板101は、表面に導体回路115を設けた内部絶縁基板116と該内部絶縁基板116の表面に積層された内部絶縁層117と、該内部絶縁層117の表面に積層された外部絶縁層118とを有し、上記内部絶縁層117の表面には内部導体回路125を、上記外部絶縁層118の表面には外部導体回路135を設けてある。
そして、上記内部絶縁層117はガラスクロス入りプリプレグよりなり、上記外部絶縁層118は樹脂よりなる。
なお、上記内部絶縁層117はガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させたプリプレグよりなり、上記外部絶縁層118はエポキシ樹脂にて構成する。
次に、本例にかかるプリント配線板101の詳細について以下に説明する。
上記プリント配線板101における内部絶縁基板116の両表面には導体回路115が設けてある。上記内部絶縁基板116には半田111が充填された導通用孔110が設けてあり、該導通用孔110によって、内層導体回路11間の導通が確保されている。
上記内層導体回路11は銅箔パターン112と該銅箔パターン112の表面に設けためっき膜113とよりなる。
上記内部絶縁層117は上記内部絶縁基板116の両面にそれぞれ一層づつ設けてある。上記内部絶縁層117には壁面にめっき膜123が形成されたブラインドビアホール120が設けてある。
また、上記内部絶縁層117の表面には内部導体回路125が設けてある。上記内部導体回路125は銅箔パターン122とめっき膜123とよりなる。
上記外部絶縁層118は上記内部絶縁層117の表面にそれぞれ設けてある。上記外部絶縁層118には壁面にめっき膜133が形成されたビアホール130が設けてある。また、上記外部絶縁層118の表面には外部導体回路135が設けてある。上記外部導体回路135は銅箔パターン132とめっき膜133とよりなる。
なお、図示を略したが、上記外部絶縁層1185の表面は部分的にソルダーレジストにより被覆され、また半田ボール載置用のランドが設けられている。
次に、上記プリント配線板を作製する方法につき説明する。この製造方法は、ビルドアップ法及びアディティブ法を利用して、内部絶縁層117、外部絶縁層118を形成し、導体回路、導通用孔を形成する方法である。
即ち、まず、その表面に銅箔を有する銅張積層板を準備する。次に、上記銅箔をエッチングによりパターニングし、銅箔パターン112とする。その後、上記銅張積層板に対し導通用孔110を設ける。
次に、上記導通用孔110の壁面及び上記銅箔パターン112に対し無電解銅めっきによるめっき膜113を形成する。以上により、上記導通用孔110と導通した導体回路11を得る。その後、上記導通用孔110に対し半田111を充填する。
次に、上記内部絶縁基板116の両面に対し、プリプレグ、銅箔を積層し、圧着する。これにより、内部絶縁基板116の表面に、内部絶縁層117を介して銅箔を積層する。
次に、上記銅箔をパターニングし、銅箔パターン122とする。その後、レーザー光を照射して、内部絶縁層117に対しブラインドビアホール120を形成する。なお、上記レーザー光としては、エキシマレーザー、波長248nm、出力50Wを用いる。
次に、上記ブラインドビアホール120の壁面及び銅箔パターン122に無電解めっきを施す。これにより、めっき膜123を形成する。
次に、上記内部絶縁層117及び上記内部導体回路125を設けた場合と同様にして、上記内部絶縁層117の表面にビアホール130を設けた外部絶縁層118及び銅箔パターン132及びめっき膜133よりなる外部導体回路135を形成する。
以上によりプリント配線板101を得る。
次に、本例における作用効果につき説明する。
本例のプリント配線板101においては、内部絶縁層117をガラスクロス入りプリプレグより構成し、上記外部絶縁層118を樹脂より構成する。
このため、内部絶縁層117の吸水率が低下する。
よって、上記内部絶縁層117に含まれる水分の絶対量が減るため、層間に溜まる水蒸気の量も減少し、内部絶縁層117と内部絶縁基板116との間、内部絶縁層117と外部絶縁層11との間の密着性を高めることができる。
つまり、本例のプリント配線板101は層間の剥離が生じ難く、信頼性の高い構造を有する。
以上のように、本例によれば、各層の剥離が生じ難く、より多層構造に構成した場合であっても高い信頼性を維持できる、プリント配線板101を提供することができる。
なお、本例において示したプリント配線板101は内部絶縁基板116の両面に内部絶縁層117を積層した構造を有するものであるが、該内部絶縁層を片面だけに積層した構造のプリント配線板を作製し、これの内部絶縁層をガラスクロス入りプリプレグで構成しても同様の作用効果を得ることができる。
また、本例のごとき6層基板以外プリント配線板、例えば8層基板、10層基板等のより多層な構造についても同様の作用効果を得ることができる。
参考実施例3
第2参考発明に関する参考実施例3のプリント配線板の製造方法について、図12〜図24を用いて説明する。
本例により製造されるプリント配線板209は、図13に示すごとく、第1〜第3絶縁層211〜213、及び該絶縁層の厚み方向に設けた2層の導電層231、233よりなる多層基板201と、第1〜第3絶縁層211〜213のすべてを貫通する貫通穴210、220、230と、該貫通穴を覆うよう多層基板201の上面側に設けた放熱金属板202とを有している。
貫通穴210、220、230と放熱金属板202とは、電子部品298を搭載するための搭載用凹部214を形成している。多層基板201には、導電層231、233に導通する導通用孔217、218が設けられている。
多層基板201における搭載用凹部214の開口側には半田ボール251、252が設けられている。一方の半田ボール251は、導通用孔217の下側開口部に接合されている。そして、半田ボール251は、導通用孔217を介して、多層基板201の内部に設けた導電層231と、マザーボード295との間を接続している。他方の半田ボール252は、多層基板201の下面側に設けた導電層233に接合されており、該導電層233とマザーボード295との間を接続している。
半田ボール251、252は、マザーボード295の表面に設けた端子296、297に溶融接合される。
次に、本例のプリント配線板の製造方法の概要について、図12を用いて説明する。まず、S1工程において、n枚の絶縁層211〜213に導電層231、233を形成する(図16、図18、図21)。次いで、S2、S3工程において、絶縁層211〜213を積層し、圧着して、多層基板201となす(図23)。次いで、S4工程において、多層基板201の導通用孔形成部分にレーザー光208を照射することにより導通用孔217、218を孔明けするとともにその底部を導電層231、233に至らしめる(図24)。次いで、S5工程において、導通用孔217の内部に半田251、252を充填する(図51)。
次に、上記プリント配線板209の製造方法の詳細について、図14〜図24を用いて説明する。
まず、ガラス繊維入りエポキシ系材料からなるフレキシブルフィルムを絶縁層として準備する。フレキシブルフィルムは、厚み0.05mm、幅2.5〜15cmの可撓性を有する帯状のフィルムである。このフレキシブルフィルムは、予めロール状に巻回しておき、複数のロール体を形成しておく。
次いで、上記ロール体から絶縁層としてのフレキシブルフィルムを引き出す。そして、図14に示すごとく、引き出した絶縁層211の下面側に、熱可塑性のガラス繊維入りエポキシ系材料からなる絶縁性接着剤262を接着する。次いで、図15に示すごとく、パンチング加工により、絶縁層211の略中央部分に貫通穴210を穿設する。次いで、図15に示すごとく、絶縁層211の下面側に、上記絶縁性接着剤262を介して、厚み35μmの銅箔230を接着する。
次いで、図16に示すごとく、露光法、エッチング法により、上記銅箔より導電層231を形成する。次いで、導電層231の表面に、Ni/Auめっき膜を被覆する。これにより、多層基板の上層となる第1絶縁層211を得る。
次に、図17に示すごとく、別個のロール体から引き出した絶縁層212としてのフレキシブルフィルムの上面側及び下面側に、上記絶縁性接着剤262と同じ料料からなる絶縁性接着剤263、264を接着する。次いで、図18に示すごとく、パンチング加工により、絶縁層212の略中央部分に貫通穴220を穿設する。これにより、多層基板の中層となる第2絶縁層212を得る。
次に、図19に示すごとく、別個のロール体から引き出した絶縁層213としてのフレキシブルフィルムの下面側に、上記絶縁性接着剤262と同じ材料からなる絶縁性接着剤265を接着する。次いで、パンチング加工により、絶縁層213の略中央部分に貫通穴230を穿設する。
次いで、図20に示すごとく、絶縁層213の下面側を銅箔230により被覆する。
次いで、図21に示すごとく、露光法、エッチング法により、銅箔230よりパターン形成を行い導体層233を形成する。次いで、導電層233の表面に、Ni/Auめっき膜を被覆する。
次いで、図22に示すごとく、絶縁層213の下面側に、ソルダーレジスト266を被覆する。これにより、多層基板の下層となる第3絶縁層213を得る。
次いで、図23に示すごとく、上記の第1絶縁層211、第2絶縁層212、第3絶縁層213を、積層して、上記絶縁性接着剤262〜264により熱圧着する。これにより、3層からなる多層基板201が得られる。
次いで、多層基板201の上面側に、銅製の厚み1.0mmの放熱金属板202を、絶縁性接着剤261を介して熱圧着する。これにより、貫通穴210、220、230とその上面側を被覆する放熱金属板202とよりなる搭載用凹部214が形成される。
次に、多層基板201の導通用孔形成部分にレーザー光208を照射する。レーザー光208としては、炭酸ガスレーザーを用いる。これにより、図24に示すごとく、多層基板201に導通用孔217、218を孔明けするとともに、導通用孔217、218の底部を導電層231、233に至らしめる。
次いで、図13に示すごとく、深い導通用孔217の内部に、半田254を充填する。次いで、導通用孔217の下面側開口部及び浅い導通用孔218の下面側開口部に、半田ボール251、252を溶融接合する。
これにより、上記プリント配線板209が得られる。
その後、図13に示すごとく、搭載用凹部214に、例えば銀ペースト、半田等のダイボンド用の接着剤269により、電子部品298を搭載する。次いで、電子部品298と導電層231、233の先端とを、ワイヤー281により接続する。次いで、搭載用凹部214の内部を封止用樹脂206により被覆する。
次に、本例の作用及び効果について説明する。
本例においては、図23、図24に示すごとく、第1〜第3絶縁層211〜213を積層した後に、レーザー光208を照射して、導通用孔217、218を形成している。そのため、1回の孔明け操作で、各絶縁層212、213を貫通する導通用孔217、218を形成することができる。また、各絶縁層ごとに導通用孔形成用の貫通孔を形成する必要がない。ゆえに、導通用孔を容易に形成することができる。
また、1回の孔明け操作で、深さの異なる導通用孔217、218を孔明けすることができる。
また、従来のように、貫通孔を連結するための各絶縁層の位置決めが不要となる。更に、狭小化した導通用孔であっても、正確に形成することができる。
また、導電層231、233の厚みは35μmであるため、レーザー光208の照射によって導電層31、33に孔を明けることなく、導通用孔217、218を形成することができる。
参考実施例4
第3参考発明に関する参考実施例4のプリント配線板について、図25〜図32を用いて説明する。
本例のプリント配線板305は、図25に示すごとく、絶縁基板307を貫通する導通用孔302を有する。導通用孔302の一方の開口部は、被覆パッド311により被覆されており、他方の開口部は、開口したままその周縁に導体回路316を設けている。
被覆パッド311と導体回路316との間は、導通用孔302の内壁を被覆する金属めっき膜322を通じて電気的に接続されている。
被覆パッド311の表面には、外部接続用の半田ボール303が接合されている。半田ボール303は、導通用孔302の中心軸線A上に配置されている。
絶縁基板307の表面はソルダーレジスト306により被覆されているとともに、導通用孔302の内部にはソルダーレジスト306が充填されている。
また、図26、図27に示すごとく、絶縁基板307の上面には、導通用孔302の周縁にリング状に設けたランド312と、電子部品350を搭載するための搭載用パッド355を設けている。搭載用パッド305の周囲には、電子部品350と接続するボンディングワイヤー351を接合するためのボンディングパッド317を設けている。電子部品350及びボンディングワイヤー351は、封止用樹脂359により保護されている。
一方、図26、図28に示すごとく、絶縁基板307の下面には、半田ボール303を接合するための多数の被覆パッド311が、導通用孔302と同一軸線上に設けられている。半田ボール303は、相手部材308のパッド381に対して溶融接合される。
次に、上記プリント配線板の製造方法について説明する。
まず、エポキシ系、ポリイミド系、又はビスマレイミドトリアジン系の樹脂とガラスファイバー若しくはガラスクロスからなる補強材とからなる絶縁基板を準備する。絶縁基板307の表面に、銅箔を貼着する。
次いで、露光、エッチング等の処理を行うことにより、図29、図26に示すごとく、銅箔321のパターンニングを行い、導体回路316、ボンディングパッド317及び搭載用パッド355を形成するとともに、絶縁基板307の一方の片面には、その導通用孔形成部分320を被覆する被覆パッド311を形成し、また他方の片面には、導通用孔形成部分320の周縁を囲むリング状のランド312を形成する。
次いで、図29に示すごとく、絶縁基板307における導通用孔形成部分320にレーザー光341を照射する。レーザー光341は、レーザー発振装置342から、絶縁基板307の平面方向に移動し、導通用孔形成部分320の位置においてスポット的に発振される。レーザー光341としては、出力エネルギーが大きい炭酸ガスレーザー、熱影響の少ないエキシマレーザー等を用いることが好ましい。
レーザー光341の照射による導通用孔302の形成は、絶縁基板307をその高いエネルギーによって、気化除去させていき、順次絶縁基板307の内方へ穴をあけていく。そして、レーザー光341の先端が底部を被覆する被覆パッド311に到達したときに、この銅箔からなる被覆パッド311によって反射され、ここでレーザー光341の照射を停止する。導通用孔302の直径は、例えば0.1mmとする。
次いで、図30に示すごとく、金属めっき膜を形成すべき部分、即ちパターニングされた銅箔321及び導通用孔302の内壁に、厚み1μm程度の薄い化学銅めっき膜321を形成する。次いで、絶縁基板307を洗浄する。
次いで、図31に示すごとく、導通用孔302の内壁を含めて絶縁基板307の表面に、電気銅めっき処理を行う。電気銅めっき処理は、化学銅めっき膜を電気リード319を通じてカソードに接続した状態で、絶縁基板をアノードとともに電気めっき浴に浸漬する。電気めっき浴には、硫酸銅が含まれており、浴温は60℃とする。この状態で、化学めっき膜323に電流密度0.8〜1.4A/dm2の電流を20分間流す。
これにより、カソードの表面から銅が溶出し、アノードとして働く化学めっき膜の表面に銅が析出する。これにより、銅からなる金属めっき膜322が、導通用孔302の内壁に形成されるとともに、被覆パッド311、導体回路316、ランド312、ボンディングパッド317及び搭載用パッド305の表面を被覆する(図27参照)。なお、電気リード319は、めっき処理後エッチング、レーザ照射等により除去する。
導通用孔302の穿設の際に、レーザー光のエネルギーは中心部で高く周縁部で低いため、図32に示すごとく、被覆パッド311の中心部に微小な穴313があくことがある。この穴313は、後述するように、めっき液の上下間の流通路となり、めっき液が導通用孔の内外に十分に行き来するため、導通用孔302の内壁に金属めっき膜322を均一に形成できる。
次いで、図26に示すごとく、絶縁基板307の表面に、ソルダーレジスト306を被覆する。このとき、導通用孔302の内部にソルダーレジスト306を充填する。一方、被覆パッド311の半田ボール接合部、ボンディングパッド317及び搭載用パッド305の表面は、ソルダーレジストから露出させておく。
次いで、絶縁基板307の被覆パッド311を形成した片面を上方に向けた状態で、被覆パッド311の表面に、半田ボール303を供給する。次いで、半田ボール303を加熱溶融させて、被覆パッド311に接合する。
その後、搭載用パッド305の表面に、銀ペースト等の接着材を用いて電子部品350を搭載し、電子部品350とボンディングパッド317との間をボンディングワイヤー351により接続する。次いで、電子部品350及びボンディングワイヤー351を、封止用樹脂359により封止する。
以上により、図25〜図28に示すプリント配線板305が得られる。
次に、本例の作用及び効果について説明する。
本例のプリント配線板305においては、導通用孔302の一方の開口部を被覆パッド311により被覆し、被覆パッド311の表面に半田ボール303を接合している。そのため、半田ボール接続用の被覆パッド311を、導通用孔302とほぼ同じ位置に設けることができる。
それゆえ、導通用孔に必要な領域と半田ボール接合に必要な領域とを重複して設けることができる。このため、導通用孔302と半田ボール303とを高密度に実装することができる。
また、導通用孔302と半田ボール303に必要な領域の狭小化ができ、これにより絶縁基板307の表面に余剰領域が生まれる。従って、この余剰領域に導体回路等を設けることができ、絶縁基板の表面実装の高密度化を図ることができる。
また、図29に示すごとく、導通用孔302は、レーザー光341の照射により形成しているため、微小な導通用孔302を容易にかつ正確に形成することができ、更なる高密度実装を実現できる。
参考実施例5
本例は、第3参考発明に関する。
本例のプリント配線板305においては、図33に示すごとく、半田ボール303が、導通用孔302からずれた位置に配置されている。
図34に示すごとく、導通用孔302の一方の開口部は、長円状の被覆パッド314により被覆されている。被覆パッド314の表面には、導通用孔302の中心軸からずれた位置に、半田ボール303が接合されている。半田ボール303は、導通用孔302の開口部と一部重複した位置に配置されている。
その他は、参考実施例4と同様である。
本例においては、半田ボール303が、導通用孔302の中心軸からずれた位置に配置されているため、半田ボール接合用及び導通用孔形成用の領域を、参考実施例4よりは多く必要とする。しかし、本例においては導通用孔302の開口部を被覆する被覆パッド314の一部に半田ボール303を接合しているため、従来のように半田ボール接合用領域と導通用孔形成用領域とを全く別個に形成する必要がない。従って、本例によれば、従来よりも高密度の導通用孔及び半田ボールを実装できるとともに、絶縁基板表面の高密度配線が可能である。
参考実施例6
本例は、第3参考発明に関する。
本例のプリント配線板305においては、図35に示すごとく、半田ボール303が、導通用孔302からわずかに離れた位置に接合されている。
図36に示すごとく、半田ボール303は、長円状の被覆パッド315の表面に、導通用孔302に隣接した位置に接合されている。
その他は、参考実施例5と同様である。
本例においては、半田ボール303が、導通用孔302に隣接した位置に接合されているため、半田ボール接合用及び導通用孔形成用の領域を、従来よりは多く必要とする。しかし、本例においては導通用孔302の開口部を被覆する被覆パッド315の一部に半田ボール303を接合しているため、参考実施例5と同様に、従来よりも高密度に実装できるとともに、絶縁基板表面の高密度配線が可能である。
参考実施例7
本例は、第3参考発明に関する。
本例のプリント配線板305は、図37に示すごとく、複数の絶縁基板307を積層してなる多層基板370である。
プリント配線板305は、多層基板370の各層間を電気的に接続するための導通用孔302を有する。導通用孔302の一方の開口部は、該開口部に対する位置がそれぞれ異なる被覆パッド311、314、315により被覆されている。導通用孔302の他方の開口部は開口したままであり、その周縁には導体回路316が設けられている。なお、導通用孔302には、多層基板370を貫通するものや、貫通しないものもある。
被覆パッド311、314、315と導体回路316との間は、導通用孔302の内壁を被覆する金属めっき膜322を通じて電気的に接続されている。被覆パッド311の表面には、相手部材308のパッド381に接続するための半田ボール303が接合されている。
被覆パッド311の表面には、導通用孔302の中心軸線A上に、半田ボール303が接合されている(図25参照)。また、他の被覆パッド314の表面には、導通用孔302の中心軸線からずれた位置であって、その一部が導通用孔302に重複した位置に、半田ボール303が接合されている(図34参照)。また、更に他の被覆パッド315の表面には、導通用孔302の中心軸線からずれた位置であって、その一部が導通用孔302とは重複しない位置、即ち導通用孔と隣接した位置に、半田ボール303が接合されている(図36参照)。
プリント配線板305は、その略中央に階段状に開口した搭載用凹部358が設けられている。搭載用凹部358の底部には、電子部品350が搭載されている。電子部品350は、ボンディングワイヤー351によって、階段状の搭載用凹部358に露出しているボンディングパッド317に電気的に接続されている。搭載用凹部358の内部は、封止用樹脂359により封止されている。
各絶縁基板307の表面には、導体回路316が形成されている。各絶縁基板307は、その表面がソルダーレジスト306により被覆されている。導通用孔324、325の内部には、ソルダーレジスト306が充填されている。また、各絶縁基板307の間は、プリプレグ等の接着材379により接着されている。
その他は、参考実施例4と同様である。
本例においては、複数の絶縁基板307を積層してなる多層基板370に、各層間を電気的に接続するための、貫通又は未貫通の導通用孔302を形成している。そのため、更に多層状に高密度に導体回路316を形成できる。また、より多くの導通用孔及び被覆パッドを形成でき、より多くの半田ボール303の接合をすることができる。
参考実施例8
本例は、第4参考発明に関する。
本例のプリント配線板305は、図38に示すごとく、導通用孔302の一方の開口部の周縁にリング状パッド313を設け、その表面に半田ボール303を接合している。
即ち、導通用孔302の一方の開口部は、開口したままであり、その周縁にはリング状パッド313が設けられている。一方、導通用孔302の他方の開口部は、被覆パッド314により被覆されている。被覆パッド314は、導体回路316と接続されている。
半田ボール303は、導通用孔302の中心軸線A上に配置されている。導通用孔302の内部は、半田ボール303の下部の半田330により充填されている。この半田330は、半田ボール303の溶融接合時に半田ボール303が溶融してその一部が導通用孔302の内部に侵入したものである。
導通用孔302の内部には、その全体に半田330が充填されていることが好ましい。これにより、導通用孔302の上下間の電気導通を確実に行うことができる。導通用孔302の内部全体に半田330を充填するためには、半田ボール303の加熱溶融の前に導通用孔302の内壁に形成した金属めっき膜321表面にフラックスを塗布するか又は、予め導通用孔302内に半田ペーストを塗布しておくとよい。絶縁基板307の表面は、ソルダーレジスト306により被覆されている。その他は、参考実施例4と同様である。
本例においては、導通用孔302の一方の開口部の周縁にリング状パッド313を設け、その表面に半田ボール303を接合しているため、半田ボール303を、導通用孔302とほぼ同じ位置に設けることができる。それゆえ、導通用孔302に必要な領域と半田ボール303接合に必要な領域とを重複して設けることができる。このため、導通用孔及び半田ボールを高密度に形成することができる。
また、導通用孔302及び半田ボール303に必要な領域の狭小化によって、絶縁基板307の表面に余剰領域が生まれ、そこに導体回路等を設けることができる。従って、プリント配線板の表面実装の高密度化を図ることができる。
また、導通用孔302の内部には、半田ボール303の一部である半田330が充填されているため、導通用孔302と半田ボール303との電気的接続信頼性も高い。
その他、参考実施例4と同様の効果を得ることができる。
参考実施例9
本例は、第4参考発明に関する。
本例のプリント配線板305においては、図39に示すごとく、半田ボール303が、導通用孔302に隣接する位置に接合されている。
導通用孔302の一方の開口部の周縁には、図40に示すごとく、長円状のリング状パッド310が設けられている。リング状パッド310の表面には、導通用孔302の中心軸からずれた位置に、半田ボール303が接合されている。
その他は、参考実施例4と同様である。
本例においては、半田ボール303が、導通用孔302の中心軸からずれた位置に配置されているため、半田ボール接合用及び導通用孔形成用の領域を、参考実施例8よりは多く必要とする。
しかし、本例においては導通用孔302の開口部周縁に設けたリング状パッド310の一部に半田ボール303を接合しているため、従来のように半田ボール接合用領域と導通用孔形成用領域とを全く別個に形成する必要がない。従って、本例によれば、従来よりも高密度の導通用孔及び半田ボールを実装できるとともに、プリント配線板表面の高密度配線が可能である。
その他は、参考実施例8と同様である。
参考実施例10
本例は、第4参考発明に関する。
本例のプリント配線板305は、図41に示すごとく、複数の絶縁基板307を積層してなる多層基板370である。
プリント配線板305は、多層基板370の各層間を電気的に接続するための、貫通又は未貫通の導通用孔302を有する。導通用孔302の一方の開口部は、開口したままで、その周縁には、それぞれ形状の異なるリング状パッド313、310が設けられている。導通用孔302の他方の開口部は、被覆パッド314により被覆されている。被覆パッド314は導体回路316と接続している。
リング状パッド313、310と被覆パッド314との間は、導通用孔325の内壁を被覆する金属めっき膜322を通じて電気的に接続されている。リング状パッド313、310の表面には、相手部材308のパッド381に接続するための半田ボール303が接合されている。
リング状パッド313の表面には、導通用孔302の中心軸線A上に、半田ボール303が接合されている(図38参照)。また、他のリング状パッド310の表面には、導通用孔302の中心軸線からずれた位置であって、その一部が導通用孔302とは重複しない位置、即ち導通用孔302と隣接した位置に、半田ボール303が接合されている(図39、図40参照)。
多層基板370の半田ボール303接合側と反対側に、放熱板304がプリプレグ等の接着剤390により接着されている。放熱板304は、多層基板370に階段状に開口した搭載穴357を被覆し、その表面には半田ペースト等の接着剤379により電子部品350を接着している。
その他は、参考実施例7と同様である。
本例においては、複数の絶縁基板307を積層してなる多層基板に、各層間を電気的に接続するための導通用孔302を設けている。そのため、参考実施例8と同様に、導体回路316、導通用孔302及び半田ボール303の高密度実装化を実現できる。
参考実施例1のプリント配線板の断面図。 参考実施例1のプリント配線板の製造方法における、絶縁層の断面図。 図2に続く、導通用孔を明けた第2番目の絶縁層の断面図。 図3に続く、導通用孔の内壁に金属めっき膜を形成した、第2番目の絶縁層の断面図。 図4に続く、黒化皮膜を形成した、第2番目の絶縁層の断面図。 図5に続く、プリプレグ及び銅箔を積層した、第2番目の絶縁層の断面図。 図6に続く、第1番目から第3番目の絶縁層の断面図。 図7に続く、第1番目の導電層を形成した、第1番目から第3番目の絶縁層の断面図。 図8に続く、導通用孔及び接合用孔を明けた、第1番目から第3番目の絶縁層の断面図。 参考実施例2のプリント配線板の断面図。 第1実施例にかかる、プリント配線板の断面説明図。 参考実施例3にかかる、プリント配線板の製造方法の説明図。 参考実施例3にかかる、プリント配線板の断面図。 参考実施例3にかかる、第1絶縁層の製造方法を示すための絶縁層の断面図。 図14に続く、銅箔を貼着した絶縁層の断面図。 図15に続く、導電層を形成した絶縁層の断面図。 参考実施例3における、第2絶縁層の製造方法を示すための、絶縁層の断面図。 図17に続く、搭載用凹部形成用の貫通穴を形成した絶縁層の断面図。 参考実施例3における、第3絶縁層の製造方法を示すための、絶縁層の断面図。 図19に続く、銅箔を貼着した絶縁層の断面図。 図20に続く、導電層を形成した絶縁層の断面図。 図21に続く、ソルダーレジストを被覆した絶縁層の断面図。 第1絶縁層、第2絶縁層、第3絶縁層及び放熱金属板を積層、圧着してなる多層基板の断面図。 図23に続く、導通用孔を孔明けしてなる多層基板の断面図。 参考実施例4における、プリント配線板の要部断面図。 参考実施例4における、プリント配線板の断面図。 参考実施例4における、プリント配線板の平面図。 参考実施例4における、プリント配線板の裏面図。 参考実施例4における、絶縁基板に導通用孔を穿設する方法を示す説明図。 参考実施例4における、絶縁基板に化学銅めっき処理を施す方法を示すための説明図。 参考実施例4における、絶縁基板に電気銅めっき処理を施す方法を示すための説明図。 参考実施例4における、被覆パッドにめっき液流通用の穴があいた場合の、めっきの形成状態を示す説明図。 参考実施例5における、プリント配線板の要部断面図。 参考実施例5における、被覆パッドの説明図。 参考実施例6における、プリント配線板の要部断面図。 参考実施例6における、被覆パッドの説明図。 参考実施例7における、多層のプリント配線板の断面図。 参考実施例8における、プリント配線板の要部断面図。 参考実施例9における、プリント配線板の要部断面図。 参考実施例9における、リング状パッドを示す説明図。 参考実施例10における、多層のプリント配線板の断面図。 従来例における、偶数の導電層からなるプリント配線板の断面図。 従来例のプリント配線板の製造方法を示すための、最外層に導電層を形成する方法を示す説明図。 図43に続く、導通用孔を孔明けする方法を示す説明図。 従来例における、奇数の導電層からなるプリント配線板の断面図。 従来例における、奇数の導電層からなるプリント配線板の製造方法を示すための、第2〜第5番目の導電層を形成してなる絶縁層の説明図。 図46に続く、第5番目の導電層を除去してなる絶縁層の説明図。 図47に続く、第2番目の絶縁層に導通用孔を形成してなる絶縁層の説明図。 図48に続く、第1〜第5番目の導電層を形成してなる絶縁層の説明図。 図49に続く、最外層に導通用孔を形成してなる絶縁層の説明図。 他の従来例におけるプリント配線板の製造方法を示すための説明図。
符号の説明
11、12、13、14、15 導電層
2 樹脂
21、22、23、24、25 絶縁層
3 接合用孔
31、32、33、34 導通用孔
41、42 プリント配線板
5 金属めっき膜
61 電子部品
7 外部接続端子
8 マザーボード
101 プリント配線板
115 導体回路
116 内部絶縁基板
117 内部絶縁層
118 外部絶縁層
125 内部導体回路
135 外部導体回路
201 多層基板
202 放熱金属板
208 レーザー光
209 プリント配線板
211 第1絶縁層
212 第2絶縁層
213 第3絶縁層
214 搭載用凹部
217、218 導通用孔
210、220、230、250 貫通穴
231、233 導体回路
251、252 半田ボール
254 半田
261〜265 絶縁性接着剤
266 ソルダーレジスト
295 マザーボード
298 電子部品
302 導通用孔
303 半田ボール
305 プリント配線板
306 ソルダーレジスト
307 絶縁基板
310、313 リング状パッド
311、314、315 被覆パッド
312 ランド
316 導体回路
317 ボンディングパッド
321 銅箔
322 金属めっき膜

Claims (2)

  1. 表面に導体回路を設けた内部絶縁基板と該内部絶縁基板の表面に積層された少なくとも一層の内部絶縁層と、該内部絶縁層の表面に積層された外部絶縁層とを有し、上記内部絶縁層の表面には内部導体回路を、上記外部絶縁層の表面には外部導体回路を設けたプリント配線板において、
    上記内部絶縁層は、ガラスクロスを30〜70重量%含有する、ガラスクロス入りプリプレグよりなり、
    また、該内部絶縁層の吸水率は0.1〜0.3%であり、
    かつ、上記外部絶縁層は樹脂よりなることを特徴とするプリント配線板。
  2. 請求項1において、上記内部絶縁層は二層以上であることを特徴とするプリント配線板。
JP2004351404A 1997-03-13 2004-12-03 プリント配線板 Expired - Lifetime JP4207885B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004351404A JP4207885B2 (ja) 1997-03-13 2004-12-03 プリント配線板

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8204097 1997-03-13
JP8221397 1997-03-15
JP17101697 1997-06-11
JP17768797 1997-06-17
JP2004351404A JP4207885B2 (ja) 1997-03-13 2004-12-03 プリント配線板

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10041399A Division JPH1174651A (ja) 1997-03-13 1998-02-05 プリント配線板及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005094032A JP2005094032A (ja) 2005-04-07
JP4207885B2 true JP4207885B2 (ja) 2009-01-14

Family

ID=34382207

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004351404A Expired - Lifetime JP4207885B2 (ja) 1997-03-13 2004-12-03 プリント配線板
JP2004351405A Pending JP2005064543A (ja) 1997-03-13 2004-12-03 プリント配線板の製造方法
JP2004351406A Expired - Lifetime JP4131261B2 (ja) 1997-03-13 2004-12-03 プリント配線板
JP2006119247A Pending JP2006237637A (ja) 1997-03-13 2006-04-24 プリント配線板及びその製造方法

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004351405A Pending JP2005064543A (ja) 1997-03-13 2004-12-03 プリント配線板の製造方法
JP2004351406A Expired - Lifetime JP4131261B2 (ja) 1997-03-13 2004-12-03 プリント配線板
JP2006119247A Pending JP2006237637A (ja) 1997-03-13 2006-04-24 プリント配線板及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (4) JP4207885B2 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4609317B2 (ja) * 2005-12-28 2011-01-12 カシオ計算機株式会社 回路基板
KR101351188B1 (ko) 2008-02-29 2014-01-14 삼성테크윈 주식회사 볼 그리드 어레이 패키지용 인쇄회로기판 및 그 제조 방법
JP2010010329A (ja) * 2008-06-26 2010-01-14 Kyocer Slc Technologies Corp 配線基板およびその製造方法
JP2011176067A (ja) * 2010-02-24 2011-09-08 Nec Tokin Corp 固体電解コンデンサ
JP2014027212A (ja) * 2012-07-30 2014-02-06 Ibiden Co Ltd プリント配線板
KR102284123B1 (ko) * 2014-05-26 2021-07-30 삼성전기주식회사 회로기판, 전자부품 및 회로기판 제조방법
KR102311677B1 (ko) 2014-08-13 2021-10-12 삼성전자주식회사 반도체소자 및 그 제조방법
KR101876159B1 (ko) * 2018-01-19 2018-07-06 주식회사 테라닉스 인쇄 회로 기판, 그 인쇄 회로 기판을 이용한 발광 소자 모듈 및 그 인쇄 회로 기판의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP4131261B2 (ja) 2008-08-13
JP2006237637A (ja) 2006-09-07
JP2005094032A (ja) 2005-04-07
JP2005064543A (ja) 2005-03-10
JP2005094033A (ja) 2005-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100572143B1 (ko) 프린트배선판 및 그 제조방법
JP3395621B2 (ja) プリント配線板及びその製造方法
WO1998031204A1 (en) Printed wiring board and method of manufacturing the same
JP2006237637A (ja) プリント配線板及びその製造方法
JP2016063130A (ja) プリント配線板および半導体パッケージ
JP3492467B2 (ja) 多層プリント配線板用片面回路基板、および多層プリント配線板とその製造方法
US20090288293A1 (en) Metal core package substrate and method for manufacturing the same
KR20160090626A (ko) 전자부품내장형 인쇄회로기판 및 그 제조방법
KR100691297B1 (ko) 프린트배선판및 그 제조방법
JP4423023B2 (ja) 配線基板
JPH09148739A (ja) 多層回路板およびその製造方法
JP2002198652A (ja) 多層プリント配線板用片面回路基板、および多層プリント配線板とその製造方法
JP3253886B2 (ja) 多層プリント配線板用片面回路基板とその製造方法、および多層プリント配線板
JP3610769B2 (ja) 多層電子部品搭載用基板
JP2007208298A (ja) プリント配線板
JP2010123799A (ja) 回路基板および多層回路基板
JP2007115952A (ja) インターポーザ基板及びその製造方法
JP3540809B2 (ja) 高密度多層プリント配線板用片面回路基板および高密度多層プリント配線板
JP2005057298A (ja) プリント配線板及びその製造方法
JP2020092209A (ja) プリント配線板及びその製造方法
KR20090121163A (ko) 메탈코어 패키지 기판 및 이의 제조방법
JPH1051139A (ja) 多層プリント配線板用片面回路基板とその製造方法、および多層プリント配線板
JP2001168527A (ja) 多層配線基板の製造方法及び多層配線基板
JP2007201515A (ja) プリント配線板の製造方法
KR20080043207A (ko) 능동 소자 내장형 인쇄회로기판 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050112

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070710

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070906

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080311

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080509

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080930

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20081013

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111031

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111031

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121031

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131031

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term