JP2020004930A - プリント配線板 - Google Patents
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Abstract
【課題】反りが抑制されるプリント配線板の提供。【解決手段】実施形態のプリント配線板は、第1面10Fおよび第1面と反対側の第2面10Sを備え、第1面10Fを構成する最上層11、第2面10Sを構成する最下層12、および最上層11と最下層12の間に形成される中間層13を有する下基板10と、下基板10の第1面10F側に積層される上基板5と、上基板5を貫通して下基板10の第1面10Fの一部を露出するキャビティ7と、を備えるプリント配線板であって、下基板10の最上層11、最下層12、中間層13は互いに異なる材料を含む絶縁層を有し、最上層11は第1の材料を含む絶縁層を有し、最下層12は第2の材料を含む絶縁層を有し、中間層13は第1および第2の材料よりも熱膨張率の高い第3の材料を含む絶縁層を有している。【選択図】図1
Description
本発明はキャビティを有するプリント配線板に関する。
特許文献1には、コア層、およびコア層に積層された絶縁性樹脂からなる絶縁層によって形成された基板に、電子部品が収容されるキャビティとなるザグリ部が形成されているプリント配線板が開示されている。ザグリ部が形成されている領域では、ガラスクロス等のシート状補強材にエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂を含浸して硬化させた絶縁層がキャビティの底面を構成している。プリント配線板のキャビティの底面に対する反対側の面は、絶縁性樹脂が硬化した層で構成されている。
特許文献1のプリント配線板では、キャビティの底面を構成する層と、キャビティの底面に対する反対側の面を構成する層が異なる材料で形成されている。キャビティが形成されている領域では、キャビティへの電子部品の実装の際に、キャビティの底面を構成する層と、キャビティの底面に対する反対側の面を構成する層の熱膨張率の違いからプリント配線板に反りが生じやすいと考えられる。
本発明の実施形態であるプリント配線板は、第1面および第1面と反対側の第2面を備え、前記第1面を構成する最上層、前記第2面を構成する最下層、および前記最上層と前記最下層の間に形成される中間層を有する下基板と、前記下基板の前記第1面側に積層される上基板と、前記上基板を貫通して前記下基板の前記第1面の一部を露出するキャビティと、を備えている。そして、前記下基板の前記最上層、前記最下層、および前記中間層は互いに異なる材料を含む絶縁層を有し、前記最上層は第1の材料を含む絶縁層を有し、前記最下層は第2の材料を含む絶縁層を有し、前記中間層は前記第1および第2の材料よりも熱膨張率の高い第3の材料を含む絶縁層を有している。
本発明の実施形態によれば、反りが抑制され、電子部品が高い信頼性で実装されるプリント配線板を提供することができる。
次に、本発明の一実施形態であるプリント配線板が図面を参照しながら説明される。図1には、一実施形態のプリント配線板の一例であるプリント配線板1の断面図が示されている。図1に示されるように、プリント配線板1は、第1面10Fおよび第1面10Fと反対側の第2面10Sを備える下基板10を備えている。下基板10の第1面10Fは、下基板10の積層方向の一方に露出する最上層11の面からなる。また、下基板10の第2面10Sは、下基板10の積層方向の他方に露出する最下層12と最下層12の開口部から露出する中間層13の一部の面からなる。プリント配線板1はさらに、下基板10の第1面10F側に積層される上基板5を備えている。
最上層11は第1面10F側に第1導体層110を有しており、第1導体層110は少なくとも1つの部品実装パッド115を含んでいる。そして、プリント配線板1は、上基板5を貫通して、部品実装パッド115の一面115sを含む下基板10の第1面10Fの一部を露出するキャビティ7を備えている。キャビティ7には、プリント配線板1に実装される、半導体装置などの外部の電子部品(図示せず)が収容される。部品実装パッド115には、このような外部の電子部品の端子が、はんだなどの接合材を介して、または直接、接続される。
図1に示される例では、下基板10は、第1面10Fを構成する最上層11と、第2面10Sを構成する最下層12、および最上層11と最下層12の間に形成される中間層13と、第2中間層14を有している。最上層11は絶縁層101と第1導体層110、および絶縁層110の第1導体層101と反対側に形成される第2導体層111を有している。最下層12は絶縁層である。中間層13は絶縁層103と、絶縁層103に接して形成される導体層130を有し、第2中間層14は絶縁層104と、絶縁層104に接して形成される導体層140を有している。図1の例では、下基板10には絶縁層および導体層がそれぞれ4層形成されているが、絶縁層および導体層がさらに積層されて4層よりも多く形成されてよい。たとえば、第2中間層14を構成する絶縁層104および導体層140が複数形成されてよい。下基板10がより多くの導体層を含むことにより、プリント配線板1の平面サイズを大きくすることなく、より規模が大きく複雑な電気回路をプリント配線板1内に形成することが可能となる。絶縁層および導体層がさらに追加して形成された例は図2を参照して後述される。
下基板10の第2面10Sの一部を構成する中間層13が有する導体層130は、下側接続パッド135を含んでいる。下側接続パッド135は、たとえば、プリント配線板1が用いられる電子機器のマザーボードや、積層構造を有する半導体装置のパッケージ基板などとの接続に用いられ得る。
下基板10に含まれる絶縁層は任意の絶縁性樹脂を用いて形成される。下基板10の最上層11、最下層12、および中間層13は互いに異なる材料を含む絶縁層を有している。最上層11の絶縁層101は第1の材料を含み、最下層12は第2の材料を含み、中間層13の絶縁層103は第3の材料を含んでいる。第2中間層14の絶縁層104は第4の材料を含んでおり、第4の材料は第1の材料と同じであり得る。図1に示される例では、下基板10の絶縁層101および絶縁層104に含まれる第1の材料と第4の材料は、芯材を含有する樹脂であり、第2および第3の材料は芯材を含有しない樹脂である。
最上層11の絶縁層101に含まれる第1の材料は、たとえばガラス繊維やアラミド繊維などの芯材、および芯材に含浸されたエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂が例示される。第2中間層14の絶縁層104に含まれる第4の材料も第1の材料と同様に芯材に含浸された樹脂である。中間層13の絶縁層103に含まれる第3の材料は芯材を含んでいない任意の絶縁性樹脂であり、たとえばエポキシ樹脂である。そして最下層12に含まれる第2の材料は芯材を含んでおらず、たとえば、感光性のポリイミド樹脂やエポキシ樹脂である。第1、第2、第3、および第4の材料はシリカなどの無機フィラーを含み得る。
図1に示される例では、下基板10の第1面10F側に積層される上基板5は、下基板10に対して反対側の最表に形成される上層52と、上層52と下基板10の間に形成される下層53と、下層53と下基板10の間に形成される追加層54とを有している。上層52は絶縁層である。下層53は絶縁層503と、絶縁層503に接して形成される導体層530を有している。追加層54は絶縁層504と、絶縁層504に接して形成される導体層540を有している。絶縁層504は下基板10の絶縁層104と同じく第4の材料を含んでいる。絶縁層503は下基板10の絶縁層103と同じく第3の材料を含んでいる。上層52は、下基板10の最下層12と同じく第2の材料を含んでいる。導体層530は、電子部品や外部の配線板(図示せず)との接続に用いられ得る上側接続パッド535を含んでいる。上側接続パッド535に接続されるこれらの配線板や電子部品は、たとえば、キャビティ7を跨ぐように、導体層530上に配置され得る。
絶縁層101、第1導体層110、および第2導体層111から構成される最上層11はコア基板100として形成されてよい。すなわち、プリント配線板1の製造過程においては、後述されるように、コア基板100を出発基板として、第2導体層111が形成されている側に第2中間層14、中間層13、最下層12が順次積層され、下基板10が形成される。また、コア基板100の第1導体層110が形成されている側には、追加層54、下層53、上層52が一般的なビルドアップ配線板の製造方法により順次積層されて上基板5が形成される。図1に示される例では、コア基板100を中心にして、第1導体層110側と第2導体層111側で対称な層構造が形成されている。絶縁層101と第1導体層110および第2導体層111からなるコア基板100は両面銅張積層板を加工して形成され得る。
下基板10の絶縁層103に含まれる第3の材料は、絶縁層101に含まれる第1の材料よりも熱膨張率が高い。たとえば第1の材料の熱膨張率は約5〜7ppm/℃であり、第3の材料の熱膨張率は約20ppm/℃である。プリント配線板1に上層52と最下層12が形成されておらず、キャビティ7が形成されていない状態(図4E参照)を考えると、低温度から高温度への温度変化が生じた場合に、最上層11と第2中間層14および中間層13とで構成される積層体には、絶縁層101と絶縁層103の熱膨張率の違いに起因する、U字に反る(絶縁層101側が凹になり絶縁層103側が凸になる)応力が発生する。一方、最上層11の第2中間層14と反対の側には、最上層11に対して第2中間層14および中間層13と対称になるように、追加層54と下層53が配されており、下層53の絶縁層503は絶縁層103と同じく第3の材料を含んでいる。このため、絶縁層101と絶縁層503の熱膨張率の違いにより、上述の絶縁層101と絶縁層103の間で発生する応力とは反対方向の応力が発生し、全体としての反りは生じにくくなっている。しかし、上層52と最下層12が形成されていない状態の積層体(図4E参照)にキャビティが形成された状態を仮定すると、キャビティが形成された領域においては、絶縁層101と絶縁層103の間で発生する応力が打ち消されずに上述のU字状の反りが生じ得る。
本実施形態では、第3の材料よりも熱膨張率の低い第2の材料を含む最下層12が中間層13の最上層11と反対側に接して形成されている。たとえば、最下層12に含まれる第2の材料の熱膨張率は約10ppm/℃である。プリント配線板1では、熱膨張率が第3の材料よりも低い第2の材料を含む最下層12が、中間層13の最上層11と反対側に配されることにより、キャビティ7が形成されている領域においても下基板10の反りが抑制され得る。反りを効果的に抑制する観点から第2の材料の熱膨張率は第1の材料の熱膨張率よりも高く第1の材料の熱膨張率と第2の材料の熱膨張率との差は、第3の材料の熱膨張率と第2の材料の熱膨張率との差よりも小さいことが好ましい。第1の材料と第2の材料の熱膨張率がより近いことで、生じる反りの程度を小さくし得る。なお、第4の材料としては、熱膨張率が第3の材料よりも低いものが使用され、第1の材料と同じであってもよい。
図1の例では最下層12はソルダーレジスト層として形成されている。ソルダーレジスト層である最下層12は、たとえば、感光性のポリイミド樹脂やエポキシ樹脂を用いて形成され、下側接続パッド135を露出させる開口135aを有している。プリント配線板1の反りが抑制されると同時に、下側接続パッド135上に供されるはんだなどの接合材の濡れ広がりが抑制される。近接する下側接続パッド135同士のショート不良が抑制されながら、良好な品質で電子機器のマザーボードや、積層構造を有する半導体装置のパッケージ基板などと接続され得る。
上基板5の上層52もソルダーレジスト層として形成されている。ソルダーレジスト層である上層52は、下基板10のソルダーレジスト層である最下層12と同じく、たとえば、感光性のポリイミド樹脂やエポキシ樹脂を用いて形成されている。上層52は、上側接続パッド535を露出させる開口535aを有している。
図示されていないが、部品実装パッド115、下側接続パッド135、ならびに上側接続パッド535の露出面には、保護膜が形成されていてもよい。このような保護膜は、たとえば、Ni/Au、Ni/Pd/Au、またはSnなどの複数または単一の金属めっき膜であってよく、また、OSP膜であってもよい。なお、キャビティ7の開口形状やプリント配線板1内での形成位置、ならびに、部品実装パッド115や上側および下側の各接続パッド535、135の配列パターンは、図1に示される例に限定されない。
プリント配線板1に含まれる導体層530、540、140、130、第1導体層110、および第2導体層111は、銅やニッケルなどの、適切な導電性を備えている任意の材料を用いて形成され得る。好ましくは、銅箔、電解銅めっき膜、もしくは無電解銅めっき膜、またはこれらの組み合わせによって形成されている。導体層540、導体層140、第1導体層110、および第2導体層111は3層構造を有しており、それぞれ金属箔層112、金属膜層113、電解めっき膜層114、を有している(図1において、符号112〜114は、第1導体層110だけに付され、第2導体層111、導体層130、140、530、および540に対するこれらの符号は省略されている)。そして、導体層130および導体層530は2層構造を有しており、金属膜層と電解めっき膜層を有している。しかし、各導体層の構成は、図1に例示される層構造に限定される訳ではない。
上基板5には、上基板5を構成している導体層を接続するビア導体が形成されている。図1の例では、絶縁層503を貫通して導体層530と導体層540とを接続するビア導体531と、絶縁層504を貫通して導体層540と第1導体層110とを接続するビア導体541が形成されている。ビア導体531およびビア導体541は、第1導体層110に向って縮径するテーパー形状を有している。なお、便宜上、「縮径」という文言が用いられているが、ビア導体531、541および後述の他の各ビア導体の開口形状は、必ずしも円形に限定されない。「縮径」は、単にビア導体の水平断面における外周上の最長の2点間の距離が小さくなることを意味している。
下基板10内の中間層13には、絶縁層103を貫通して導体層130と導体層140とを接続するビア導体131が形成されている。第2中間層14には、絶縁層104を貫通して導体層140と第2導体層111とを接続するビア導体141が形成されている。ビア導体131、141は、第2導体層111に向って縮径しており、上基板5内のビア導体531、541が縮径する方向と逆方向に縮径するテーパー形状を有している。ビア導体531、541、131、および141は、好ましくは、無電解銅めっき膜と電解銅めっき膜とで形成される。ビア導体531、541、131、および141は、それぞれ、導体層530、540、130、および導体層140を構成している金属膜層および電解めっき膜層と一体的に形成され得る。
最上層11の絶縁層101にはスルーホール導体116が形成されている。スルーホール導体116は、絶縁層101を貫通して第1導体層110および第2導体層111を互いに接続している。スルーホール導体116は、絶縁層101の厚さ方向の中央部を境に第1導体層110側および第2導体層111側それぞれにおいて、絶縁層101の厚さ方向の中央部に向って縮径するテーパー形状を有している。
本実施形態では、プリント配線板1の上基板5および下基板10の層構造は、図1に示されるプリント配線板1の例と異なってもよい。上基板5の下層53および追加層54、ならびに、下基板10の中間層13および第2中間層14は、複数の絶縁層と導体層から構成されてもよい。より複雑な電気回路がプリント配線板1の中に形成され得る。下層53、追加層54、中間層13、第2中間層14が複数の絶縁層と導体層で構成された例は、本実施形態の他の例であるプリント配線板1aとして、図2を参照して次に説明される。
図2には、本実施形態の他の例であるプリント配線板1aの層構造が模式的に示されている。プリント配線板1aでは、上基板5の下層53は、それぞれ複数の絶縁層503と導体層530から構成されており、追加層54はそれぞれ複数の絶縁層504と導体層540から構成されている。また、下基板10の中間層13は、それぞれ複数の絶縁層103と導体層130から構成されており、第2中間層14は複数の絶縁層104と導体層140から構成されている。図2の模式図では、絶縁層と導体層による層構造と、各層を貫通して形成されるビア導体およびスルーホール導体が模式的に示され、プリント配線板1aの他の構成要素である、接続パッド、導体層内の金属箔、金属膜などの構成要素の表示は省略され、またその説明も省略される。
図2に示される例では、プリント配線板1aは上基板5および下基板10を含み、中央部にキャビティ7が形成されている。下基板10では、中間層13を構成する絶縁層103が2層形成され、2層の絶縁層103の各々に接して導体層130が形成されている。そして第2中間層14を構成する絶縁層104は5層形成され、5層の絶縁層104の各々に接して導体層140が形成されている。
上基板5では、下層53を構成する絶縁層503が2層形成されており、2層の絶縁層503の各々に接して導体層530が形成されている。そして、追加層54を構成する絶縁層504は5層形成され、5層の絶縁層504の各々に接して導体層540が形成されている。なお、図2に示される例では、絶縁層103と絶縁層503は2層形成され、絶縁層104と絶縁層504は5層形成されているが、形成される層数はこれに限定されない。
プリント配線板1aでは、各絶縁層に含まれる材料はプリント配線板1と同様である。最上層11(コア基板100)の絶縁層101は第1の材料を含み、絶縁層103は第3の材料を含み、絶縁層104は第4の材料を含み、第4の材料は第1の材料と同じであり得る。絶縁層503は第3の材料を含み、絶縁層504は第4の材料を含む。下基板10の最下層12、および上基板5の上層52は、図1に示されるプリント配線板1と同じく、ソルダーレジスト層として形成されてよい。プリント配線板1と同様に、プリント配線板1aにおいても、第3の材料の熱膨張率は第1の材料および第2の材料の熱膨張率よりも高い。第3の材料よりも熱膨張率の低い第2の材料を含む最下層12が配されることで、下基板10の絶縁層の熱膨張率の違いによる反りが抑制され得る。追加された絶縁層には、必要に応じて適宜、プリント配線板1a内の各導体層を接続するビア導体が形成され得る。なお、プリント配線板1aには図2に模式的に示されるように、追加層54、コア基板100、および第2中間層14を貫通して導体層540と導体層140を接続するスルーホール導体166が形成されてもよい。
次に、一実施形態のプリント配線板のさらに他の例が図面を参照して説明される。図3には、他の実施形態のプリント配線板の一例であるプリント配線板1bの断面図が示されている。プリント配線板1bにおける下基板10は、第1面10Fおよび第2面10Sを備えている。下基板10は、絶縁層101、第1導体層110、および第2導体層111から構成される最上層11と、絶縁層103、導体層130から構成される中間層13と、最下層12とで構成されている。プリント配線板1bの下基板10はプリント配線板1、1aの例とは異なり、第2中間層14は設けられていない。また、最上層11はプリント配線板1bのコア基板としては形成されていない。プリント配線板1、1aは、下基板および上基板の形成はコア基板100(図1参照)を出発基板として、その両面に絶縁層および導体層が順次積層されることで形成され得るが、後述されるように、プリント配線板1bは異なる方法により形成される。
下基板10内の各絶縁層(図3の例では絶縁層101、103、および最下層12)は、エポキシ樹脂などの任意の絶縁性樹脂を用いて形成され、プリント配線板1と同様に、絶縁層101は第1の材料を、最下層12は第2の材料を、絶縁層103は第3の材料を含んでいる。第1、第2、および第3の材料の熱膨張率の関係はプリント配線板1と同じく、第3の材料が第1の材料および第2の材料よりも高い。第1の材料と第3の材料の熱膨張率の差に起因する下基板10の反りは、ソルダーレジスト層として形成される最下層12が配されることによって抑制され得る。好ましくは、第2の材料の熱膨張率が第1の材料の熱膨張率よりも高く、第1の材料の熱膨張率と第2の材料の熱膨張率との差が、第3の材料と第2の材料の熱膨張率の差よりも小さい。絶縁層の熱膨張率の差に起因する基板の反りの程度が効果的に抑制され得る。図1に示されるプリント配線板1の例と同様に、絶縁層101は芯材を含んでいる。芯材としては、たとえば、ガラス繊維やアラミド繊維などが例示される。そして、下基板10の絶縁層101以外の絶縁層、すなわち、絶縁層101より第2面10S側に位置する全ての絶縁層(図3の例では絶縁層103および最下層12)は芯材を含まない。
図3に示されるプリント配線板1bでは上基板5は、上層52と、上層52と下基板10との間に配される絶縁層503と導体層530からなる下層53とで構成されている。プリント配線板1bの上基板5は、プリント配線板1、1aの例と異なり、追加層54は設けられておらず、また、下層53を構成する絶縁層503は2層設けられている。上層52はプリント配線板1と同様に、第2の材料を含むソルダーレジスト層として設けられている。絶縁層503は第4の材料を含み、たとえば、絶縁層101に含まれる第1の材料と同じ材料で形成され、ガラス繊維などの芯材にエポキシ樹脂などの樹脂材料を含浸してなるプリプレグで形成されてよい。絶縁層503が絶縁層101と同じく芯材を含むことで、キャビティ7の剛性は向上し得る。
プリント配線板1bが有する導体層は、図1のプリント配線板1と同様に、銅やニッケルなどの適切な導電性を備えている任意の材料を用いて形成され得る。好ましくは銅箔、電解銅めっき膜、もしくは無電解銅めっき膜、またはこれらの組み合わせで形成されている。第1導体層110は一層で形成され、好ましくは電解めっき膜により形成される。第1導体層110は、絶縁層101内に埋め込まれ、キャビティ7の底面において部品実装パッドの一面115sを下基板10の第1面10F側に、絶縁層101の一面101sより凹んだ位置に露出している。キャビティ7の底面に露出する部品実装パッド115上に供されるはんだなどの接合材の濡れ広がりが抑制される。第2導体層111、および導体層530は3層構造を有し、図1のプリント配線板1と同様に、金属箔層、金属膜層、および電解めっき膜層を有している。導体層130は2層構造を有し、金属膜層、電解めっき膜層を有している。プリント配線板1bでは、プリント配線板1のスルーホール導体116に代えて第1導体層110と第2導体層111を接続し、第1導体層110へ向って縮径するビア導体117が形成されている。絶縁層103には、第2導体層111と導体層130を接続して第2導体層111側に向って縮径するビア導体131が形成されている。そして、上基板5には、2層の絶縁層503を貫通して導体層530と下基板10の第1導体層110とを接続するビア導体536が形成されている。
次に、図1に示されるプリント配線板1を例にして、一実施形態のプリント配線板の製造方法が図4A〜4Hを参照して以下に説明される。まず、図4Aに示される、芯材を含む絶縁層101と、絶縁層101の両面に、たとえば熱圧着などにより積層されている銅箔122からなる銅張積層板99が準備される。絶縁層101は第1の材料を含み、第1の材料はガラス繊維やアラミド繊維などの芯材にエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂を含浸させたものである。
次いで、図4Bに示されるように、絶縁層101のスルーホール導体116の形成箇所に、炭酸ガスレーザーなどの照射によって導通用孔116aが形成される。そしてサブトラクティブ法やセミアディティブ法を用いて所望の導体パターンを有する第1導体層110および第2導体層111が形成される。同時に導通用孔116a内にスルーホール導体116が、第1および第2導体層110、111と一体的に形成される。プリント配線板1の出発基板となるコア基板100が完成する。
図4Cに示されるように、キャビティ7の開口形状に基づく平面形状を有する剥離膜8が絶縁層101および第1導体層110上に設けられる。剥離膜8は粘着層81と接合層82を有している。剥離膜8は粘着層81側を第1導体層110に向けて設けられる。粘着層81は、第1導体層110と絶縁層101とは強固に接着せず、しかしこれらと密着し得る材料で形成される。粘着層81には、たとえばアクリル樹脂が用いられる。一方、接合層82は剥離膜8上に配される上基板5(図1参照)を構成する絶縁層に対して十分な接着性を発現し得る材料で形成される。接合層82にはたとえばポリイミド樹脂が用いられる。剥離膜8はコア基板100の第1導体層110側のキャビティ7が形成される領域(形成領域A)に形成される。剥離膜8はキャビティ7の形成領域Aの全領域に及ぶように設けられる。また、剥離膜8は、たとえば粘着層81だけの一層で構成されてもよく、粘着層81と接合層82との間に中間層を含む3層構造を有していてもよい。たとえば、中間層の厚さを調節することによって剥離膜8の厚さが所望の厚さに調整されてもよい。
図4Dに示されるように、コア基板100の第2導体層111側に絶縁層104となるプリプレグ104pが積層され、第1導体層110側には絶縁層504となるプリプレグ504pが積層される。このプリプレグが硬化することによって絶縁層104、504が形成される。つぎのステップで形成される導体層140および導体層540の一部を構成する金属箔層112もプリプレグ上に積層される。さらに図4Eに示されるように、絶縁層104に接して導体層140が形成されることで第2中間層14が形成され、絶縁層504に接して導体層540が形成されることで追加層54が形成される。さらに、第2中間層14に接して絶縁層103と導体層130が積層されることで中間層13が形成され、追加層54に接して絶縁層503と導体層530が積層されることで下層53が形成される。一般的なビルドアップ配線板の製造方法が用いられ得る。
絶縁層101および第2導体層111に接して積層される第4の材料を含む絶縁層104は、たとえばエポキシ樹脂などを含浸させた芯材を有するプリプレグである。絶縁層101および第1導体層110に接して積層される絶縁層504も絶縁層104と同じく第4の材料を含む。絶縁層504は、剥離膜8の平面形状に基づく開口504aを有する。絶縁層504は、開口504aの内部に剥離膜8が収まるように、開口504aと剥離膜8を対向させて積層される。第3の材料を含む絶縁層103は、第2中間層14の導体層140が形成されている側へ、フィルム状のエポキシ樹脂などの熱圧着によって積層される。絶縁層503は、絶縁層103と同様に第3の材料を含んでおり、追加層54の導体層540が形成されている側に積層される。
次いで、図4Fに示されるように、中間層13の絶縁層103および導体層130に接して、最下層12がソルダーレジスト層として形成される。また、下層53の絶縁層503および導体層530に接してソルダーレジスト層として上層52が形成される。ソルダーレジスト層である最下層12および上層52は、第2の材料を含んでおり、たとえば感光性エポキシ樹脂などの塗布ならびに露光および現像によって形成される。
図4Gに示されるように、剥離膜8の周縁に沿って、上基板5の上層52および下層53を貫通する溝71が、上基板5の下基板10と反対側の表面側から形成される。溝71は剥離膜8の周囲全周にわたってキャビティ7の形成領域Aを囲むように形成される。図4Gの例では、ソルダーレジスト層である上層52の側からレーザー光Bが照射される。レーザー光Bの種類としては、炭酸ガスレーザー、YAGレーザーなどが例示されるが、レーザー光Bはこれらに限定されない。また、溝71は、ドリル加工などの切削加工によって形成されてもよい。
次いで、溝71に囲まれた上基板5の一部が剥離膜8と共に除去される。この結果、図4Hに示されるように、部品実装パッド115を底面に露出するキャビティ7が形成される。剥離膜8の粘着層81は、下基板10と強固に接着せずに単にその粘着性によって付着しているだけである。従って、除去は任意の方法で容易に行われ得る。たとえば、除去される上基板5の表面が治工具などに吸着され、下基板10と反対側に引き上げられることにより除去され得る。以上の工程を経ることによって、図1に示される本実施形態の一例であるプリント配線板1が完成する。
図2に示されるプリント配線板1aが製造される場合には、プリント配線板1の製造方法における、コア基板100の第2導体層111側への第2中間層14の形成工程が繰り返されることで、第2中間層14として複数の絶縁層104と導体層140が形成される。第2中間層14が形成された後、プリント配線板1の製造方法における中間層13の形成工程が繰り返され、第2中間層14のコア基板100と反対の側に複数の絶縁層103および導体層130を有する中間層13が形成される。複数の絶縁層104および絶縁層103には、必要に応じでビア導体が形成される。
コア基板100の第1導体層110側においても、絶縁層504と導体層540の積層が繰り返され、追加層54として複数の絶縁層504と導体層540が形成される。なお、追加層54における複数の絶縁層504のうち、コア基板100に接して形成される絶縁層504のみが、上述のプリント配線板1の製造方法における絶縁層504と同じく開口504aを有し、この開口504aが剥離膜8と対向して積層される。そして、下層53の形成工程が繰り返されることにより、追加層54のコア基板100と反対の側に、複数の絶縁層503と導体層530を有する下層53が形成される。
プリント配線板1aのように第2中間層14および追加層54が複数の絶縁層および導体層から構成される場合には、コア基板100と追加層54および第2中間層14とは、積層プレスによって一体的に同時に形成されてもよい。たとえば、コア基板100が準備され、コア基板100の第1導体層110側に、たとえば両面に所望のパターンに形成された導体層540を有する絶縁層504がプリプレグを介して必要な数だけ重ねられる。コア基板100の導体層111側には、たとえば両面に所望のパターンに形成された導体層140を有する絶縁層104がプリプレグを介して必要な数だけ重ねられる。そして重ねられた構成を一組として加圧加熱することでプリプレグを硬化させ、コア基板100と第2中間層14および追加層54が一体的に形成された積層体が得られる。積層体の形成の後に、図2に示されるように、追加層54、コア基板100、および第2中間層14を貫通するスルーホール導体166が形成されてもよい。
次に、他の実施形態であるプリント配線板1bの製造方法が図5A〜5Hを参照して説明される。まず、図5Aに示されるように、コア材93およびその表面に金属箔91を有するベース板90が用意される。コア材93には、たとえばガラスエポキシ基板が用いられる。金属箔91は一面に接着されたキャリア金属箔92を備えており、キャリア金属箔92とコア材93とが熱圧着などにより接合されている。
図5Bに示されるように、ベース板90上に第1導体層110が形成される。たとえば、図示されないめっきレジストが金属箔91上に形成され、めっきレジストの開口部に、金属箔91をシード層とする電解めっきにより電解銅めっき膜が形成される。その後、めっきレジストが除去され、所望の導体パターンを含む第1導体層110が形成される。第1導体層110は、無電解めっきなどで形成されてもよい。
次いで、図5Cに示されるように、ベース板90上および第1導体層110上に絶縁層および導体層が積層され、下基板10が形成される。まず、ガラス繊維やアラミド繊維などの芯材、および芯材に含浸されたエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂などによって構成されるプリプレグが、第1導体層110およびベース板90の露出部分上に積層され、その硬化物として第1の材料を含む絶縁層101が形成される。つぎのステップで形成される第2導体層111の一部を構成する金属箔もプリプレグ上に積層される。なお、図5Cではベース板90の両側(上側と下側)に下基板10が形成されている状態が示されているが、符号はベース板90の下側の各要素にのみに付され、これをもとに説明される。
その後、ビア導体117の形成場所に対応する位置の絶縁層101に、たとえばCO2レーザー光の照射によって導通用孔が形成される。そして、導通用孔内および絶縁層101の上に積層された金属箔の表面上に、無電解銅めっきなどによって金属膜が形成される。さらに、この金属膜をシード層として用いて、パターンめっき法を用いて銅などからなる電解めっき膜が形成される。その後、パターンめっきに用いられたレジストが除去され、その除去により露出する金属膜(および金属箔)が除去される。その結果、所望の導体パターンを含む第2導体層111が形成される。また、導通用孔内にビア導体117が形成される。下基板10の最上層11が完成する。
中間層13は、最上層11の絶縁層101および第2導体層111へ、第3の材料を含む絶縁層103となるフィルム状のエポキシ樹脂などの熱圧着と導体層130の積層によって形成される。次いで、ソルダーレジスト層として第2の材料を含む最下層12が、導体層130および絶縁層103の表面上への感光性のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂からなる樹脂層の形成によって形成される。そして、フォトリソグラフィ技術により、下側接続パッド135を露出させる開口135aが形成される。その結果、下基板10がベース板90上に形成される。
その後、ベース板90が除去され、図5Dに示されるように、第1導体層110および絶縁層101が露出する側(下基板10の第1面10F側)のキャビティ7の形成領域Aに、粘着層81と接合層82を有する剥離膜8が設けられる。ベース板90の除去により露出する第1導体層110の一面110sは、エッチングされることによって絶縁層101の露出面101sよりも凹んでいる。
続いて、図5Eに示されるように、ガラス繊維やアラミド繊維などの芯材、および、芯材に含浸されたエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂によって主に構成され、剥離膜8の平面形状に基づく開口を有するプリプレグ503p1が用意される。プリプレグ503p1は下基板10の第1面10Fに接して積層される。さらに、下基板10の平面形状と略同じ形状のプリプレグ503p2が用意される。プリプレグ503p2はプリプレグ503p1と同様の樹脂材料で構成され同様の芯材を含む。プリプレグ503p2の表面上には、銅などからなる金属箔層112が積層される。そして、プリプレグ503p2の金属箔層112側とは反対側がプリプレグ503p1と対向するように、プリプレグ503p2が、プリプレグ503p1上に積層される。プリプレグ503p1、503p2の硬化物として図3に示される上基板5の下層53を構成する2層の絶縁層503が形成される。
次いで、図5Fに示されるように、絶縁層503上に導体層530が形成されると共に、ビア導体536が形成される。導体層530およびビア導体536は、上述の第2導体層111およびビア導体117と同様の方法で形成される。なお、図5Fに示されている例では、導体層530は、キャビティ7(図5H参照)の形成領域内に導体パターン532を含んでいる。製造途中のプリント配線板における反りの抑制に有利な場合がある。次いで、ソルダーレジスト層として第2の材料を含む上層52が形成される。導体層530および絶縁層503の表面上への感光性のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂層の形成によって、上層52が形成される。そして、フォトリソグラフィ技術を用いて、上側接続パッド535を露出する開口535aが形成される。
次に、図5Gに示されるように、剥離膜8の周縁に沿って絶縁層503を貫通する溝71が上基板5の下基板10とは反対側の表面側から形成される。次いで、溝71に囲まれた上基板5の一部が剥離膜8と共に除去される。この結果、図5Hに示されるように、部品実装パッド115を底面に露出するキャビティ7が形成される。溝71の形成、および溝71に囲まれた上基板5の一部の除去は、プリント配線板1の製造方法における溝71の形成および上基板5の一部の除去と同様の方法で行われ得る。溝71の形成はドリル加工などの切削加工によって形成されてもよい。キャビティ7を有するプリント配線板1bが完成する。
実施形態のプリント配線板は、各図面に例示される構造や、本明細書において例示された構造や材料を備えるものに限定されない。また、プリント配線板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されず、その条件や順序などは適宜変更されてよい。現に製造されるプリント配線板の構造に応じて、一部の工程が省略されてもよく、別の工程が追加されてもよい。
1、1a、1b プリント配線板
10 下基板
10F 第1面
10S 第2面
11、 最上層
52、 上層
12、 最下層
53、 下層
13 中間層
14 第2中間層
5 上基板
54 追加層
7 キャビティ
71 溝
8 剥離膜
81 粘着層
82 接合層
90 ベース板
91 金属箔
92 キャリア金属箔
93 コア材
99 銅張積層板
100 コア基板
101、103、104、504、503 絶縁層
110 第1導体層
111 第2導体層
112 金属箔層
113 金属膜層
114 電解めっき膜層
115 部品実装パッド
116、166 スルーホール導体
116a 導通用孔
122 銅箔
135 下側接続パッド
532 導体パターン
535 上側接続パッド
135a、504a、535a 開口
130、140、530、540 導体層
117、131、141、531、536、541 ビア導体
104p、503p1、503p2、504p プリプレグ
A キャビティ形成領域
B レーザー光
10 下基板
10F 第1面
10S 第2面
11、 最上層
52、 上層
12、 最下層
53、 下層
13 中間層
14 第2中間層
5 上基板
54 追加層
7 キャビティ
71 溝
8 剥離膜
81 粘着層
82 接合層
90 ベース板
91 金属箔
92 キャリア金属箔
93 コア材
99 銅張積層板
100 コア基板
101、103、104、504、503 絶縁層
110 第1導体層
111 第2導体層
112 金属箔層
113 金属膜層
114 電解めっき膜層
115 部品実装パッド
116、166 スルーホール導体
116a 導通用孔
122 銅箔
135 下側接続パッド
532 導体パターン
535 上側接続パッド
135a、504a、535a 開口
130、140、530、540 導体層
117、131、141、531、536、541 ビア導体
104p、503p1、503p2、504p プリプレグ
A キャビティ形成領域
B レーザー光
Claims (8)
- 第1面および第1面と反対側の第2面を備え、前記第1面を構成する最上層、前記第2面を構成する最下層、および前記最上層と前記最下層の間に形成される中間層を有する下基板と、
前記下基板の前記第1面側に積層される上基板と、
前記上基板を貫通して前記下基板の前記第1面の一部を露出するキャビティと、を備えるプリント配線板であって、
前記下基板の前記最上層、前記最下層、および前記中間層は互いに異なる材料を含む絶縁層を有し、
前記最上層は第1の材料を含む絶縁層を有し、前記最下層は第2の材料を含む絶縁層を有し、前記中間層は前記第1および第2の材料よりも熱膨張率の高い第3の材料を含む絶縁層を有している。 - 請求項1記載のプリント配線板であって、前記第1の材料は芯材を含んでおり、前記第2および第3の材料は芯材を含んでいない。
- 請求項1記載のプリント配線板であって、前記最下層はソルダーレジスト層として形成されている。
- 請求項1記載のプリント配線板であって、前記上基板は、前記第2の材料を含む絶縁層を有していて前記下基板に対して反対側の最表に形成される上層を有し、さらに前記上基板は、前記第3の材料を含む絶縁層を有していて前記上基板の前記上層と前記下基板の間に形成される下層を有している。
- 請求項1記載のプリント配線板であって、前記下基板の前記最上層は、前記プリント配線板のコア基板として形成されている。
- 請求項1記載のプリント配線板であって、前記下基板の前記最上層と前記中間層との間に、さらに第4の材料を含む絶縁層を有する第2中間層が形成され、前記第4の材料の熱膨張率は前記第3の材料よりも低い。
- 請求項6記載のプリント配線板であって、前記第4の材料は前記第1の材料と同じである。
- 請求項1記載のプリント配線板であって、前記第2の材料の熱膨張率は前記第1の材料の熱膨張率よりも高く、前記第1の材料の熱膨張率と前記第2の材料の熱膨張率との差が前記第3の材料の熱膨張率と前記第2の材料の熱膨張率との差よりも小さい。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2018126126A JP2020004930A (ja) | 2018-07-02 | 2018-07-02 | プリント配線板 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021112252A (ja) * | 2020-01-16 | 2021-08-05 | 株式会社三共 | 遊技機 |
-
2018
- 2018-07-02 JP JP2018126126A patent/JP2020004930A/ja active Pending
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