JP2021027167A

JP2021027167A - 配線基板

Info

Publication number: JP2021027167A
Application number: JP2019143844A
Authority: JP
Inventors: 成充國兼; Shigemitsu Kunikane; 大介池田; Daisuke Ikeda
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 2019-08-05
Filing date: 2019-08-05
Publication date: 2021-02-22
Also published as: US11277910B2; US20210045238A1

Abstract

【課題】配線基板の反りの抑制。【解決手段】実施形態の配線基板１００は、多層コア基板１０と、多層コア基板１０の各表面上の第１積層体１及び第２積層体２と、を含んでいる。多層コア基板１０は、コア層５と、コア層５の両表面それぞれに交互に積層されているコア基板内導体層３ａ〜３ｃ、４ａ〜４ｃと、コア基板内絶縁層３１、４１と、コア層５を貫通するスルーホール導体５５と、スルーホール導体５５の上に積層されているビア導体３５、４５と、を含み、コア基板内絶縁層３１、４１は補強材１０ｃを含み、第１及び第２の積層体１、２内の絶縁層１１、２１は補強材を含まず、コア層５の厚さはコア基板内絶縁層３１、４１の厚さよりも厚く、多層コア基板１０の最表層の導体層３ｃ、４ｃ同士は、ビア導体３５、４５とスルーホール導体５５との積層体を介して接続されている。【選択図】図１

Description

本発明は、配線基板に関する。

特許文献１には、３層の絶縁層及び４層の導体回路を含む多層コア基板と、この多層コア基板の両面それぞれに形成された、２層の層間絶縁層及び２層の導体回路とを含む多層プリント配線板が開示されている。

国際公開第２００８／０５３８３３号

特許文献１の多層プリント配線板では、多層コア基板を構成する３層の絶縁層のうちの中央の絶縁層を構成する絶縁性基材が、多層プリント配線板の出発材料として用いられる。３層の絶縁層は互いに同じ厚さを有しており、絶縁性基材の厚さは多層コア基板の１／３程度の厚さである。そのため、多層プリント配線板の製造工程において絶縁性基材が反り易く、完成後の多層プリント配線板においても反りが生じることがある。

本発明の配線基板は、第１面及び前記第１面の反対面である第２面を有する多層コア基板と、前記第１面上に交互に積層されている絶縁層及び導体層によって構成される第１積層体と、前記第２面上に交互に積層されている絶縁層及び導体層によって構成される第２積層体と、を含んでいる。前記多層コア基板は、前記第１面を向く第１ベース面及び前記第２面を向く第２ベース面を有していて前記多層コア基板の厚さ方向の中央部を構成するコア層と、前記第１ベース面上及び前記第２ベース面上それぞれに交互に積層されているコア基板内導体層及びコア基板内絶縁層と、前記コア層を貫通し、前記第１ベース面上の前記コア基板内導体層と前記第２ベース面上の前記コア基板内導体層とを接続するスルーホール導体と、前記スルーホール導体と平面視で重なる位置に形成されていて前記コア基板内絶縁層それぞれを貫通するビア導体と、を含み、前記コア層及び前記コア基板内絶縁層は補強材を含む絶縁性樹脂によって形成され、前記第１積層体又は前記第２積層体に含まれる絶縁層は補強材を含まない樹脂によって形成され、前記コア層の厚さは前記コア基板内絶縁層それぞれの厚さよりも厚く、前記多層コア基板の前記第１面側及び前記第２面側それぞれの最表層の導体層同士は、前記コア基板内絶縁層それぞれに含まれる前記ビア導体と前記スルーホール導体との積層体を介して接続されている。

本発明の実施形態によれば、多層コア基板を含む配線基板の反りを抑制し得ることがある。

本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。図１のII部の拡大図。一実施形態の配線基板のコア基板内導体層の導体パターンの一例を示す平面図。一実施形態の配線基板の他の例を示す断面図。一実施形態の配線基板のさらに他の例を示す断面図。一実施形態の配線基板の製造工程における出発基板の一例を示す断面図。一実施形態の配線基板の製造工程におけるスルーホール導体の導体膜の形成後の状態の一例を示す断面図。一実施形態の配線基板の製造工程におけるスルーホール導体の充填後の状態の一例を示す断面図。一実施形態の配線基板の製造工程におけるコア層上の導体層の形成後の状態の一例を示す断面図。一実施形態の配線基板の製造工程におけるコア層上の導体層のパターニング後の状態の一例を示す断面図。一実施形態の配線基板の製造工程におけるコア基板の形成後の状態の一例を示す断面図。一実施形態の配線基板の製造工程における第１及び第２の積層体の形成後の状態の一例を示す断面図。

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１には、一実施形態の配線基板の一例である配線基板１００の断面図が示されている。

図１に示されるように、配線基板１００は、第１面１０ａ及び第１面１０ａの反対面である第２面１０ｂを有する多層コア基板１０と、第１面１０ａ上に形成されている第１積層体１と、第２面１０ｂ上に形成されている第２積層体２と、を備えている。第１積層体１は、多層コア基板１０の第１面１０ａ上に交互に積層されている絶縁層１１及び導体層１ａによって構成されている。第２積層体２は、多層コア基板１０の第２面１０ｂ上に交互に積層されている絶縁層２１及び導体層２ａによって構成されている。図１の例では、第１積層体１は、２つの絶縁層１１と２つの導体層１ａとによって構成され、第２積層体２は、２つの絶縁層２１と２つの導体層２ａとによって構成されている。各絶縁層１１は、各絶縁層１１を挟む導体層同士（例えば、導体層１ａ同士、又は、後述するコア基板内導体層３ｃと導体層１ａとの間）を接続するビア導体１５を含んでいる。各絶縁層２１は、各絶縁層２１を挟む導体層同士（例えば導体層２ａ同士、又は、後述するコア基板内導体層４ｃと導体層２ａとの間）を接続するビア導体２５を含んでいる。

多層コア基板１０は、多層コア基板１０の厚さ方向の中央部を構成するコア層５と、コア層５の上に交互に積層された導体層（コア基板内導体層３ａ〜３ｃ及びコア基板内導体層４ａ〜４ｃ）及び絶縁層（コア基板内絶縁層３１、４１）とを含んでいる。コア層５は、第１面１０ａを向く第１ベース面５ａ、及び、第２面１０ｂを向く第２ベース面５ｂを有している。図１の例では、第１ベース面５ａ上に、コア基板内導体層３ａ（第１導体層）、コア基板内導体層３ｂ、及びコア基板内導体層３ｃ（第３導体層）と、コア基板内導体層３ａ〜３ｃそれぞれの間に介在する２つのコア基板内絶縁層３１とが交互に積層されている。そして、第２ベース面５ｂ上に、コア基板内導体層４ａ（第２導体層）、コア基板内導体層４ｂ、及びコア基板内導体層４ｃ（第４導体層）と、コア基板内導体層４ａ〜４ｃそれぞれの間に介在する２つのコア基板内絶縁層４１とが交互に積層されている。なお、「多層コア基板」は、以下の説明において、単に「コア基板」とも称される。

コア基板内導体層３ａは、第１ベース面５ａ上に形成され、コア基板内導体層４ａは、第２ベース面５ｂ上に形成されている。コア基板内導体層３ａ及びコア基板内導体層４ａは、配線基板１００及びコア基板１０の最内層の導体層である。また、図１の例において、コア基板内導体層３ｃはコア基板１０の第１面１０ａ側の最表層の導体層であり、コア基板内導体層４ｃはコア基板１０の第２面側１０ｂ側の最表層の導体層である。

なお、本実施形態の配線基板（例えば配線基板１００）の説明では、配線基板の厚さ方向においてコア層５から遠い側は「上側」もしくは「上方」、又は単に「上」とも称され、コア層５に近い側は「下側」もしくは「下方」、又は単に「下」とも称される。さらに、各導体層及び各絶縁層において、コア層５と反対側を向く表面は「上面」とも称され、コア層５側を向く表面は「下面」とも称される。従って、例えば第１積層体１及び第２積層体２の説明では、コア基板１０から遠い側が「上側」、「上方」、又は単に「上」とも称され、コア基板１０に近い側が「下側」、「下方」、又は単に「下」とも称される。また、各実施形態の説明において配線基板の厚さ方向は、単に「Ｚ方向」とも称される。

配線基板１００は、コア層５を含む基板を出発基板としてコア層５の両面に各導体層及び各絶縁層を形成することによって効率よく製造され得る。本実施形態では、このように配線基板１００の製造時の出発基板を構成し得るコア層５の厚さが、複数のコア基板内絶縁層３１、４１それぞれの厚さよりも厚い。また、コア層５は、補強材１０ｃを含む絶縁性樹脂によって形成されている。コア層５がコア基板内絶縁層３１、４１よりも厚く、且つ、補強材１０ｃを含んでいるので、配線基板１００の製造時の初期工程においても、製造途上の配線基板１００に反りが生じ難い。そのため、完成後の配線基板１００の反りが抑制されると考えられる。

なお、コア基板内絶縁層３１、４１の厚さをコア層５と同様の厚さにすることによって、製造途上、延いては完成後の配線基板１００の剛性をさらに高めることができるが、コア基板１０及び配線基板１００の厚さが過大になり得る。またコア基板内絶縁層３１、４１それぞれの上下の導体層同士が電気的に接続される場合に、その接続経路の電気抵抗が過大となり得る。そのため、本実施形態では、コア層５の厚さがコア基板内絶縁層３１、４１の厚さに対して相対的に厚い。

コア層５の厚さは、例えば、コア基板内絶縁層３１及びコア基板内絶縁層４１それぞれの厚さの１０倍以上、２０倍以下である。また、コア層５の厚さは、第１積層体１に含まれる絶縁層１１及び第２積層体２に含まれる絶縁層２１それぞれの厚さの２０倍以上、５０倍以下である。このような厚さをコア層５が有していると、配線基板１００の反りが抑制され易く、しかも、配線基板１００の厚さが所望の厚さに対して過大になり難い。

また、本実施形態では、コア基板内絶縁層３１、４１は、補強材１０ｃを含む絶縁性樹脂によって形成されている。さらに、図１の例では、コア基板内絶縁層３１、４１それぞれの厚さは、第１積層体１に含まれる絶縁層１１それぞれの厚さよりも厚く、また、第２積層体２に含まれる絶縁層２１それぞれの厚さよりも厚い。従って、配線基板１００の製造工程において、比較的早い段階から、製造途上の配線基板１００の剛性が高まり、例えば、後工程で機械的ストレス及び／又は熱的ストレスを受けても反りが生じ難い。そのため、配線基板１００の反りが抑制されると考えられる。

一方、第１積層体１に含まれる絶縁層１１及び第２積層体２に含まれる絶縁層２１は補強材を含まない樹脂によって形成されている。さらに、図１の例では、絶縁層１１及び絶縁層２１それぞれの厚さは、コア基板内絶縁層３１、４１それぞれの厚さ、及びコア層５の厚さよりも薄い。絶縁層１１及び絶縁層２１がガラス繊維などの補強材を含んでいないため、絶縁層１１及び絶縁層２１それぞれの上に、金属箔などを用いることなく安定してめっき膜などの導体膜を形成することができる。従って比較的薄い導体層１ａ又は導体層２ａを形成することができる。また、絶縁層１１及び絶縁層２１が比較的薄いため、比較的小径のビア導体１５、２５を設けることができる。すなわち、第１積層体１又は第２積層体２内の導体層には、各コア基板内導体層と比べて、ファインピッチで並ぶ導体パターンを設けることができる。

コア層５の厚さは、例えば、５００μｍ以上、２０００μｍ以下である。また、コア基板内絶縁層３１、４１それぞれの厚さは、例えば、４０μｍ以上、２００μｍ以下である。また、絶縁層１１、２１それぞれの厚さは、例えば、１０μｍ以上、４０μｍ未満である。各絶縁層がこのような厚さを有する場合、配線基板１００の厚さが過大になることなく、前述したように配線基板１００の反りが抑制され、且つ、第１及び第２の積層体１、２それぞれに、ファインピッチで並ぶ導体パターンを設けることができる。

本実施形態において、コア基板１０は、さらに、コア層５に含まれるスルーホール導体５５と、コア基板内絶縁層３１それぞれに含まれるビア導体３５と、コア基板内絶縁層４１それぞれに含まれるビア導体４５とを含んでいる。スルーホール導体５５は、コア層５を貫通し、第１ベース面５ａ上のコア基板内導体層３ａと第２ベース面５ｂ上のコア基板内導体層４ａとを接続している。スルーホール導体５５は、コア層５に設けられた貫通孔の内壁に形成された導体膜５５ａとスルーホール導体５５の内部を埋める充填物５５ｂとを含んでいる。

ビア導体３５及びビア導体４５は、スルーホール導体５５と平面視で重なる位置に形成され、スルーホール導体５５と電気的に接続されている。なお「平面視」は、配線基板１００をＺ方向に沿った視線で見ることを意味する。各ビア導体３５は、各ビア導体３５を含むコア基板内絶縁層３１を貫通し、そのコア基板内絶縁層３１を挟む導体層同士を接続している。各ビア導体４５は、各ビア導体４５を含むコア基板内絶縁層４１を貫通し、そのコア基板内絶縁層４１を挟む導体層同士を接続している。

そして、コア基板内導体層３ｃとコア基板内導体層４ｃとは、コア基板内絶縁層３１、４１それぞれに含まれるビア導体３５、４５とスルーホール導体５５との積層体である貫通導体５６を介して電気的に接続されている。貫通導体５６は、スルーホール導体５５、及び、スルーホール導体５５の上に積み重ねられたビア導体３５、４５によって構成されており、コア基板１０の厚さ方向に沿って延在している。

従って、本実施形態によれば、コア基板１０における第１面１０ａ側及び第２面１０ｂ側それぞれの最表層の導体層同士（コア基板内導体層３ｃ及びコア基板内導体層４ｃ）を、略最短の経路で接続することができる。すなわち、本実施形態において比較的厚いコア層５を含むコア基板１０は比較的厚くなり得るが、コア基板１０の最表層の導体層同士は、貫通導体５６を通じて、電気抵抗の小さい略最短の経路で電気的に接続され得る。

また、第１ベース面５ａ上のコア基板内導体層３ａと第２ベース面５ｂ上のコア基板内導体層４ａとは、１つのスルーホール導体５５によって接続されている。コア層５と同等の厚さを得るべく積層された複数の薄い絶縁層それぞれに設けられたビア導体の積層体と比べて、１つのスルーホール導体５５は、コア層５の厚さ方向における特性インピーダンスの変動が少ない。すなわち、高周波信号の反射や減衰の少ない、伝送特性の良好な経路でコア基板１０の最表層の導体層同士を電気的に接続することができる。

図１の例では、第１ベース面５ａ上に、コア基板内導体層３ａ、下側のコア基板内絶縁層３１、コア基板内導体層３ｂ、上側のコア基板内絶縁層３１及びコア基板内導体層３ｃが、順に積層されている。上側のコア基板内絶縁層３１及びコア基板内導体層３ｃそれぞれの上面が、コア基板１０の第１面１０ａを構成している。第１面１０ａ上に第１積層体１が形成されている。

また、第２ベース面５ｂ上に、コア基板内導体層４ａ、下側のコア基板内絶縁層４１、コア基板内導体層４ｂ、上側のコア基板内絶縁層４１及びコア基板内導体層４ｃが、順に積層されている。上側のコア基板内絶縁層４１及びコア基板内導体層４ｃそれぞれの上面が、コア基板１０の第２面１０ｂを構成している。第２面１０ｂ上に第２積層体２が形成されている。

第１及び第２の積層体１、２は、配線基板１００において、コア基板１０の第１面１０ａ上及び第２面１０ｂ上それぞれに形成されているビルドアップ層である。コア基板内導体層３ｂ、３ｃ、４ｂ、４ｃ、及び各コア基板内絶縁層３１、４１も、ビルドアップ製法によって、第１ベース面５ａ上又は第２ベース面５ｂ上に形成され得る。

第１積層体１及び第２積層体２は、それぞれ、３つ以上の導体層及び３つ以上の絶縁層を含んでいてもよく、導体層及び絶縁層それぞれを１つだけ含んでいてもよい。また、コア基板１０は、第１面１０ａ側及び第２面１０ｂ側全体で、６層よりも多い又は少ないコア基板内導体層及びを含んでいてもよく、４層よりも多い又は少ないコア基板内絶縁層を含んでいてもよい。

配線基板１００において、各コア基板内導体層、並びに第１及び第２の積層体１、２それぞれの中の各導体層は、任意の導体パターンを有し得る。図１の例では、第１積層体１の２つの導体層１ａのうち表層側（外側）の導体層１ａは、外部の電子部品（図示せず）などの実装に用いられる接続パッド１ａ１を含んでいる。第１積層体１の上にはソルダーレジスト層６１が形成されている。ソルダーレジスト層６１は、接続パッド１ａ１を露出させる開口を備えている。一方、第２積層体２の２つの導体層２ａのうちの表層側（外側）の導体層２ａは、外部のマザーボード（図示せず）などとの接続に用いられる接続パッド２ａ１を含んでいる。第２積層体２の上にはソルダーレジスト層６２が形成されている。ソルダーレジスト層６２は、接続パッド２ａ１を露出させる開口を備えている。

ソルダーレジスト層６１、６２は、絶縁性を有する任意の材料を用いて形成され得る。ソルダーレジスト層６１、６２は、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを主原料とする感光性樹脂を用いて形成される。

図１の例では、それぞれ複数の接続パッド１ａ１及び接続パッド２ａ１の上に、バンプ１０１が設けられている。バンプ１０１は、例えば、はんだ、銅、又は錫などの任意の金属で形成され、例えば、図示されていない外部の電子部品又はマザーボードなどとの接続に用いられる。本実施形態では、前述したように、配線基板１００の反りが抑制され得るため、複数個形成されるバンプ１０１の高さに関して高い均一性（バンプコプラナリティ）が得られ易い。従って、配線基板１００と外部の電子部品などとの接続に関して良好な品質が得られることがある。なお、バンプ１０１は必ずしも設けられていなくてもよい。バンプ１０１が設けられない場合、接続パッド１ａ１、２ａ１の露出面には、Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、はんだ、又は耐熱性プリフラックスなどからなる表面保護膜（図示せず）が形成されていてもよい。

コア層５、各コア基板内絶縁層、並びに、絶縁層１１及び絶縁層２１は、任意の絶縁性樹脂によって形成される。絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などが例示される。これら絶縁性樹脂を用いて形成されるコア層５及び各絶縁層は、シリカなどの無機フィラーを含んでいてもよい。前述したように、本実施形態では、コア層５及び各コア基板内絶縁層は補強材１０ｃを含んでおり、絶縁層１１及び絶縁層２１は補強材を含んでいない。補強材１０ｃとしては、ガラス繊維、アラミド繊維、ガラス不織布、及びアラミド不織布などが例示されるが、補強材１０ｃはこれらに限定されない。

図１の例において、コア基板内絶縁層３１のそれぞれは、ビア導体３５の他に、平面視でスルーホール導体５５と重ならない位置に形成されているビア導体３６を含んでいる。また、コア基板内絶縁層４１それぞれは、ビア導体４５の他に、平面視でスルーホール導体５５と重ならない位置に形成されているビア導体４６を含んでいる。このように、各コア基板内絶縁層は、スルーホール導体５５と平面視で重ならないビア導体、及び／又は、スルーホール導体５５と電気的に接続されないビア導体を含んでいてもよい。

第１積層体１又は第２積層体２内のビア導体１５、２５、並びに、コア基板１０内のビア導体３５、３６、４５、４６は、各ビア導体を包含する絶縁層を貫く貫通孔を導電体で埋めることによって形成されている所謂フィルドビアである。各ビア導体は、それぞれの上側の導体層と一体的に形成されている。

コア基板内導体層３ａ〜３ｃ、コア基板内導体層４ａ〜４ｃ、並びに、導体層１ａ及び導体層２ａは、例えば、銅、ニッケル、銀、又はパラジウムなどを含む金属箔、蒸着膜、又はめっき膜単独で、又はこれらの積層体で形成され得る。すなわち、これら各導体層は、図１では、見易さのために簡略化して単層構造を有するように示されているが、図２に示されるように、２層以上の多層構造を有し得る。

図２を参照して、配線基板１００に含まれる各導体層、各ビア導体、及び、スルーホール導体５５の構造が、さらに詳細に説明される。図２には、図１のII部の拡大図が示されている。図２では、コア層５の中央部が省略されている。

図２に示されるように、コア層５には、貫通孔５０が設けられており、貫通孔５０内にスルーホール導体５５が形成されている。また、コア層５の第１ベース面５ａ上には金属箔３ａ１が積層されており、第２ベース面５ｂ上には金属箔４ａ１が積層されている。金属箔３ａ１、４ａ１としては銅箔が例示されるが、金属箔３ａ１、４ａ１の材料は、銅に限定されない。金属箔３ａ１上、金属箔４ａ１上、及び、貫通孔５０の内壁面上に、シード膜３ａ２及び電解めっき膜３ａ３が形成されている。シード膜３ａ２は、例えば、無電解めっきやスパッタリングなどによって形成される金属膜である。シード膜３ａ２は、例えば、銅又はニッケルなどからなり、電解めっき膜３ａ３の形成時に給電層として用いられる。

貫通孔５０の内壁面上のシード膜３ａ２と電解めっき膜３ａ３とによって、スルーホール導体５５を構成する２層構造の導体膜５５ａが構成されている。貫通孔５０において導体膜５５ａの内側は、充填物５５ｂによって満たされており、スルーホール導体５５の内部は、充填物５５ｂで充填されている。スルーホール導体５５は、スルーホール導体５５の導電性を担う導体膜５５ａと、スルーホール導体５５の内部を埋める充填物５５ｂとを含んでいる。充填物５５ｂは、例えばエポキシ、アクリル、フェノールなどの樹脂を含有する絶縁性材料を用いて形成されている。或いは、充填物５５ｂは、銀粒子などの導電性粒子を含む導電性ペースト又は導電性インクの固化物であってもよい。スルーホール導体５５の内部が充填物５５ｂで充填されるため、スルーホール導体５５の上にビア導体３５、４５を積層することができる。また、電解めっき膜３ａ３でスルーホール導体５５の内部が充填される場合と比べて、比較的厚いコア層５を貫通するスルーホール導体５５の内部全体を容易に充填することができ、且つ、ボイドなどの発生を抑制することができる。

一方、第１ベース面５ａ上及び第２ベース面５ｂ上の電解めっき膜３ａ３上には、さらにシード膜３ａ４及び電解めっき膜３ａ５が形成されている。シード膜３ａ４は、シード膜３ａ２と同様に、例えば、銅又はニッケルなどを用いて無電解めっきやスパッタリングなどによって形成され、電解めっき膜３ａ５の形成時に給電層として用いられる。

第１ベース面５ａ上の金属箔３ａ１、並びに、金属箔３ａ１上に順に形成されているシード膜３ａ２、電解めっき膜３ａ３、シード膜３ａ４、及び電解めっき膜３ａ５によって、コア基板内導体層３ａが形成されている。同様に、第２ベース面５ｂ上の金属箔４ａ１、並びに、金属箔４ａ１上に順に形成されているシード膜３ａ２、電解めっき膜３ａ３、シード膜３ａ４、及び電解めっき膜３ａ５によって、コア基板内導体層４ａが形成されている。すなわち、図１及び図２の例のコア基板内導体層３ａ及びコア基板内導体層４ａは、それぞれ、スルーホール導体５５上の部分を除いて５層構造を有している。コア基板内導体層３ａ及びコア基板内導体層４ａそれぞれのシート抵抗を小さくできることがある。

スルーホール導体５５の内部を埋める充填物５５ｂの第１ベース面５ａ側及び第２ベース面５ｂ側それぞれの端面は、２層の金属膜（シード膜３ａ４及び電解めっき膜３ａ５）に覆われている。充填物５５ｂが導電性を有しない場合でも、ビア導体３５、４５と、コア基板内導体層３ａ又はコア基板内導体層４ａとを電気的に接続することができる。

コア基板内導体層３ａ及びコア基板内導体層４ａは、例えば、電解めっき膜３ａ５の形成後に、所定の導体パターンを有するようにパターニングされる。すなわち、コア基板内導体層３ａ及びコア基板内導体層４ａはサブトラクティブ法を用いて形成され得る。

コア基板内導体層３ｂ、コア基板内導体層３ｃ、コア基板内導体層４ｂ、及びコア基板内導体層４ｃは、いずれも、図２に示されるように、金属箔を含む３層構造を有している。すなわち、図１及び図２の例では、各コア基板内導体層は金属箔を含んでいる。コア基板内導体層３ｂは、金属箔３ｂ１、シード膜３ｂ２、及び電解めっき膜３ｂ３を含んでいる。また、コア基板内導体層３ｃは、金属箔３ｃ１、シード膜３ｃ２、及び電解めっき膜３ｃ３を含んでいる。コア基板内導体層４ｂ、４ｃは、それぞれ、コア基板内導体層３ｂ、３ｃと同様の構造を有している。金属箔３ｂ１、３ｃ１としては銅箔が例示されるが、金属箔３ｂ１、３ｃ１の材料は、銅に限定されない。シード膜３ｂ２、３ｃ２は、シード膜３ａ２などと同様に、例えば、銅又はニッケルなどを用いて無電解めっきやスパッタリングなどによって形成される。シード膜３ｂ２、３ｃ２は、それぞれ、電解めっき膜３ｂ３、電解めっき膜３ｃ３の形成時に給電層として用いられる。

コア基板内導体層３ｂ、コア基板内導体層３ｃ、コア基板内導体層４ｂ、及びコア基板内導体層４ｃは、例えば、サブトラクティブ法、又は、金属箔を用いるセミアディティブ（ＭＳＡＰ：Modified Semi-Additive Process）法を用いて形成される。

一方、第１積層体１内の導体層１ａ、及び、第２積層体２内の導体層２ａは、金属箔を用いずに形成されている。導体層１ａは、図２に示されるように、シード膜１ａ２及び電解めっき膜１ａ３を含んでいる。導体層２ａは、導体層１ａと同様の構造を有している。シード膜１ａ２は、シード膜３ｂ２などと同様に、例えば、銅又はニッケルなどを用いて無電解めっきやスパッタリングなどによって形成され、電解めっき膜１ａ３の形成時に給電層として用いられる。図１の例の第１積層体１及び第２積層体２それぞれの各導体層は、例えば、金属箔を用いないセミアディティブ（ＳＡＰ：Semi-Additive Process）法で形成される。

図２の例において、各コア基板内導体層の厚さは、導体層１ａ及び導体層２ａそれぞれの厚さよりも厚い。すなわち、コア基板１０内の各導体層は、低いシート抵抗を有し得る。従って、コア基板１０内の各導体層を、各導体層内での電圧降下の少ない良好な電源プレーン又はグランドプレーンなどとして用いることができる。すなわち、配線基板１００内において電源からグランドに至る経路の強化を図ることができる。一方、比較的薄い導体層１ａ及び導体層２ａには、例えば、ベアチップ半導体（図示せず）の実装などに適した、ファインイッチで並ぶ導体パターンを設けることができる。

一方、コア基板１０内の各導体層同士の比較では、コア基板内導体層３ｃ及びコア基板内導体層４ｃそれぞれの厚さは、コア基板内導体層３ｃ及びコア基板内導体層４ｃ以外のコア基板内導体層それぞれ（図２の例においてコア基板内導体層３ａ、３ｂ、４ａ、４ｂ）の厚さよりも薄い。コア基板内導体層３ｃ又はコア基板内導体層４ｃを覆う、第１積層体１内の絶縁層１１及び第２積層体２内の絶縁層２１それぞれの厚さは、前述したように、コア基板内絶縁層３１及びコア基板内絶縁層４１それぞれの厚さよりも薄い。コア基板内導体層３ｃ及びコア基板内導体層４ｃそれぞれの厚さを比較的薄くすることによって、コア基板内導体層３ｃ及びコア基板内導体層４ｃそれぞれと導体層１ａ又は導体層２ａとの間に所要の間隔を確保し得ることがある。

一方、５層構造を有するコア基板内導体層３ａ及びコア基板内導体層４ａそれぞれの厚さは、コア基板内導体層３ａ及びコア基板内導体層４ａ以外のコア基板内導体層それぞれ（図２の例において、コア基板内導体層３ｂ、３ｃ、４ｂ、４ｃ）の厚さよりも厚くてもよい。前述したように、コア基板内導体層３ａ及びコア基板内導体層４ａのシート抵抗を特に小さくできることがあり、コア層５の両表面に、特に特性の良好な電源プレーン又はグランドプレーンなどを設けることができる。

導体層１ａ及び導体層２ａそれぞれの厚さは、例えば、１０μｍ以上、２０μｍ未満である。金属箔を含まずこのような厚さを有し得る導体層１ａ及び導体層２ａのそれぞれは、最小線幅／最小線間幅（Ｌ／Ｓ）に関して１０μｍ／１０μｍの配線ルールで配置された導体パターンを含み得る。

一方、金属箔を有し得る各コア基板内導体層のうち、最内層の導体層であって５層構造を有するコア基板内導体層３ａ、４ａそれぞれの厚さは、例えば、２０μｍ以上、８０μｍ以下である。コア基板１０の最内層の導体層ではなく最表層の導体層でもないコア基板内導体層３ｂ、４ｂそれぞれの厚さは、例えば、２０μｍ以上、８０μｍ以下である。また、コア基板１０の最表層の導体層であるコア基板内導体層３ｃ、４ｃそれぞれの厚さは、例えば、１５μｍ以上、７５μｍ以下である。金属箔を含む各コア基板内導体層は、例えば、最小線幅／最小線間幅（Ｌ／Ｓ）に関して４０μｍ／４０μｍの配線ルールで配置された配線パターンを有し得る。

また、スルーホール導体５５の幅（外径）Ｄは、例えば、１００μｍ以上、２５０μｍ以下である。このような範囲の幅（外径）を有するスルーホール導体５５は、十分に低い導体抵抗を有し、且つ、その平面形状が過大になり難いと考えられる。

図３を参照して、配線基板１００の各コア基板内導体層が有する導体パターンの一例が説明される。図３には、配線基板１００に含まれるコア基板内導体層のうちの任意の一つ（この任意の一つのコア基板内導体層は、図３が参照される説明では、「コア基板内導体層３４」と称される）に含まれ得る導体パターンの一例の平面図が示されている。

コア基板内導体層３４は、図３に示されるように、接続部３４１と、平面視において接続部３４１以外の領域の略全面に形成されているベタパターン３４２とを含み得る。接続部３４１は、コア基板内導体層３４において、スルーホール導体５５又はビア導体３５、４５それぞれと物理的に接続されている部分である（図３では、一例としてスルーホール導体５５が破線で示されている）。例えば、コア基板内導体層３４が図１の例のコア基板内導体層３ａ又はコア基板内導体層４ａである場合、接続部３４１はスルーホール導体５５に物理的に接続されている。コア基板内導体層３４が図１の例のコア基板内導体層３ｂ又はコア基板内導体層３ｃである場合、接続部３４１はビア導体３５に物理的に接続されている。また、コア基板内導体層３４が図１の例のコア基板内導体層４ｂ又はコア基板内導体層４ｃである場合、接続部３４１は、ビア導体４５に物理的に接続されている。

接続部３４１は、例えば、スルーホール導体５５又はビア導体３５、４５に対してコア基板内導体層３４に設けられる所謂スルーホールランド（スルーホールパッド）又は所謂ビアランド（ビアパッド）である。スルーホール導体５５又はビア導体３５、４５が、対応するコア基板内導体層３４においてランドパターンを有さない所謂ランドレスタイプの場合、接続部３４１は、コア基板内導体層３４におけるスルーホール導体５５又はビア導体３５、４５と平面視で重なる部分であってもよい。

図３の例では、コア基板内導体層３４において、接続部３４１とベタパターン３４２とは、物理的及び電気的に分離されている。すなわち、前述した電源プレーン又はグランドプレーンなどとしてベタパターン３４２が設けられている場合、電源及びグランド以外の任意の電気信号が、スルーホール導体５５及びビア導体３５、４５のそれぞれを通じて伝送される。なお「ベタパターン」は、各コア基板内導体層において所望の電気回路を構成する導体パターンが占める領域以外の余白領域の略全体に広がるように形成される導体パターンである。ベタパターンには、配線基板１００の使用時に、グランド電位又はグランド電位以外の所定の電位が印加される。

本実施形態の配線基板１００では、コア基板１０に含まれる一つ又は複数のコア基板内導体層が、接続部３４１及びベタパターン３４２だけを含んでいてもよい。すなわち、コア基板１０は、接続部３４１とベタパターン３４２だけを含むコア基板内導体層を含んでいてもよい。その場合、例えば、良好な電源プレーン又はグランドプレーンなどをコア基板１０内に設けることができる。

図４及び図５には、本実施形態の配線基板の他の例である配線基板１００ａ、１００ｂがそれぞれ示されている。図４に示される配線基板１００ａは、第１ベース面５ａ及び第２ベース面５ｂそれぞれから、Ｚ方向におけるコア層５の中央部に向って縮径する（先細りする）テーパー形状を有するスルーホール導体５７が設けられている。すなわち、スルーホール導体５７の幅（外径）は、Ｚ方向におけるコア層５の中央部において最も小さく、第１ベース面５ａ又は第２ベース面５ｂにおいて最も大きい。換言すると、スルーホール導体５７は、Ｚ方向における中央部に、最少の幅（外径）を有するネック部を有している。

図４に示されるスルーホール導体５７は、例えば、第１ベース面５ａ及び第２ベース面５ｂからの炭酸ガスレーザー光の照射によって、スルーホール導体５７の形成のための貫通孔をコア層５に形成することによって形成することができる。図４の例の配線基板１００ａの構造は、スルーホール導体５７を除いて図１の配線基板１００の構造と同様である。図１の配線基板１００の構成要素と同様の構成要素には図４において適宜図１に示される符号と同様の符号が付され、その説明は省略される。

図５に示される配線基板１００ｂは、図１の配線基板１００と同様にスルーホール導体５５を含み、さらに、スルーホール導体５５１及びスルーホール導体５５２を含んでいる。スルーホール導体５５１には、ビア導体３５及びビア導体４５のいずれも積層されていない。すなわち、スルーホール導体５５１は、第１ベース面５ａ上の導体層（コア基板内導体層３ａ）と第２ベース面５ｂ上の導体層（コア基板内導体層４ａ）との接続だけに関与し、他の各コア基板内導体層、並びに、導体層１ａ及び導体層２ａに関するＺ方向の電気的接続には関与していない。

一方、スルーホール導体５５２の上に積層された２つのビア導体３５の上には、ビア導体１５が積層されており、スルーホール導体５５２の上に積層された２つのビア導体４５の上には、ビア導２５が積層されている。その結果、配線基板１００ｂの最表層の導体層同士（それぞれ２つの導体層１ａ及び導体層２ａのうちのそれぞれ表層側の導体層１ａと導体層２ａと）が、貫通導体５６１によって接続されている。貫通導体５６１は、スルーホール導体５５２と、スルーホール導体５５２の上に積層されたビア導体３５、４５、さらにビア導体３５、４５の上にそれぞれ積層されたビア導体１５、２５との積層体によって構成されており、Ｚ方向に沿って延在している。従って、図５の例では、配線基板１００ｂの２つの最表層の導体層同士を、略最短の経路で接続することができる。

本実施形態の配線基板は、図５の例の配線基板１００ｂのように、ビア導体３５、４５が積み重ねられないスルーホール導体５５１を含んでいてもよい。また、本実施形態の配線基板は、ビア導体３５、４５に加えてビア導体１５、２５が積み重ねられるスルーホール導体５５２を含んでいてもよい。図５の例の配線基板１００ｂの構造は、スルーホール導体５５１及び貫通導体５６１、並びにそれらの周辺部分を除いて図１の配線基板１００の構造と同様である。図１の配線基板１００の構成要素と同様の構成要素には図５において適宜図１に示される符号と同様の符号が付され、その説明は省略される。

次に、図１の配線基板１００が製造される場合を例に、一実施形態の配線基板を製造する方法の一例が、図６Ａ〜図６Ｇを参照して説明される。

図６Ａに示されるように、配線基板１００のコア層５となる絶縁層と、この絶縁層の両表面にそれぞれ積層された金属箔３ａ１、４ａ１を含む出発基板５００が用意される。コア層５となる絶縁層は、例えばエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂を用いて形成されており、補強材１０ｃを含んでいる。コア層５の一方の表面である第１ベース面５ａに金属箔３ａ１が積層されており、第１ベース面５ａと反対の表面である第２ベース面５ｂに金属箔４ａ１が積層されている。例えば銅箔を表裏両面に備える両面銅張積層板が出発基板５００として用意される。

図６Ｂ〜図６Ｄには、図６ＡのVIＢ部に相当する部分が拡大して示されている。図６Ｂ〜図６Ｄでは、コア層５の厚さ方向の中央部が省略されている。図６ＡのVIＢ部は、スルーホール導体５５が形成される領域を含んでいる。VIＢ部以外の所定の領域においても、図６Ｂ〜図６Ｄを参照して説明される方法で、VIＢ部に形成されるスルーホール導体５５と同時にスルーホール導体５５が形成される。

図６Ｂに示されるように、コア層５、及び、金属箔３ａ１、４ａ１を貫通する貫通孔５０が、スルーホール導体５５が形成されるべき所定の位置に形成される。貫通孔５０は、例えば、ドリル加工によって形成される。その場合、コア層５の厚さ方向と略平行な内壁面を有する貫通孔５０が形成され易い。また、貫通孔５０は、第１ベース面５ａ側及び第２ベース面５ｂ側の一方又は両方からのレーザー光の照射によって形成されてもよい。

貫通孔５０の形成後、貫通孔５０の内壁面上、並びに金属箔３ａ１上及び金属箔４ａ１上にシード膜３ａ２が形成される、シード膜３ａ２は、例えば、無電解めっき又はスパッタリングなどによって形成される。シード膜３ａ２は例えば銅からなる無電解めっき膜であるが、シード膜３ａ２の材料は銅に限定されない。

シード膜３ａ２を給電層として用いる電解めっきによって、シード膜３ａ２上に電解めっき膜３ａ３が形成される。電解めっき膜３ａ３は、シード膜３ａ２上に析出される例えば銅などの金属からなる。しかし、電解めっき膜３ａ３の材料は銅に限定されない。貫通孔５０の内壁面上には、シード膜３ａ２と電解めっき膜３ａ３とを含み、スルーホール導体５５の導電性を担う２層構造の導体膜５５ａが形成される。

図６Ｃに示されるように、貫通孔５０の空洞部が充填物５５ｂで充填される。例えば、エポキシ、アクリル又はフェノールなどの樹脂が、第１ベース面５ａ側及び第２ベース面５ｂ側のいずれか又は両方から注入される。必要に応じて、第１ベース面５ａ側及び第２ベース面５ｂ側のうちの一方から供給されたエポキシ樹脂などが、他方から、貫通孔５０を通じて吸引されてもよい。エポキシ樹脂などの絶縁性樹脂の代わりに、例えば銀粒子などの導電性粒子を含む導電性ペーストで貫通孔５０が充填されてもよい。

エポキシ樹脂などの絶縁性樹脂又は導電性ペーストは、必要に応じて加熱などによって固化され、充填物５５ｂを形成する。貫通孔５０内に、導体膜５５ａと充填物５５ｂとを含むスルーホール導体５５が形成される。固化後の充填物５５ｂは、必要に応じて、第１ベース面５ａ側及び第２ベース面５ｂ側それぞれの端面を化学機械研磨などの任意の方法で研磨される。この研磨によって、充填物５５ｂの両端面それぞれと、第１ベース面５ａ上の電解めっき膜３ａ３の表面又は第２ベース面５ｂ上の電解めっき膜３ａ３の表面とが、好ましくは略面一にされる。

図６Ｄに示されるように、電解めっき膜３ａ３及び充填物５５ｂの上にシード膜３ａ４及び電解めっき膜３ａ５が順に形成される。シード膜３ａ４及び電解めっき膜３ａ５は、例えば、シード膜３ａ２及び電解めっき膜３ａ３と同様の方法で形成される。その結果、第１ベース面５ａ上にコア基板内導体層３ａが形成され、第２ベース面５ｂ上にコア基板内導体層４ａが形成される。コア基板内導体層３ａ、４ａそれぞれは、５層構造を有している。

図６Ｅに示されるように、コア基板内導体層３ａ、４ａがパターニングされる。例えば、適切な位置に開口を備えるエッチングマスクを用いたエッチングによって、コア基板内導体層３ａ、４ａに所望の導体パターンが設けられる。コア基板内導体層３ａ、４ａは、このようにサブトラクティブ法を用いて形成され得る。コア基板内導体層３ａの所定の導体パターン（例えばスルーホールランド３ａａ）とコア基板内導体層４ａ内の所定の導体パターン（例えばスルーホールランド４ａａ）とは、スルーホール導体５５によって電気的に接続される。

図６Ｆに示されるように、コア基板内絶縁層３１、４１、及びコア基板内導体層３ｂ、３ｃ、４ｂ、４ｃが形成される。まず、コア基板内導体層３ａ及びコア基板内導体層４ａそれぞれの上に、補強材１０ｃを含むプリプレグと金属箔とが熱圧着され、それぞれ下側のコア基板内絶縁層３１、４１が形成される。下側のコア基板内絶縁層３１及びその上の金属箔におけるビア導体３５の形成箇所、並びに、下側のコア基板内絶縁層４１及びその上の金属箔におけるビア導体４５の形成箇所に、例えば炭酸ガスレーザー光の照射によって貫通孔が形成される。そしてサブトラクティブ法又はＭＳＡＰ法を用いて、所望の導体パターンを有するコア基板内導体層３ｂ、４ｂ、並びに、下側のコア基板内絶縁層３１を貫通するビア導体３５及び下側のコア基板内絶縁層４１を貫通するビア導体４５が形成される。

さらに、上側のコア基板内絶縁層３１及び上側のコア基板内絶縁層４１が、下側のコア基板内絶縁層３１及び下側のコア基板内絶縁層４１と同様の方法で形成される。また、コア基板内導体層３ｃ、４ｃが、コア基板内導体層３ｂ、４ｂと同様の方法で形成される。また、上側のコア基板内絶縁層３１、４１それぞれを貫通するビア導体３５、４５が、下側のコア基板内絶縁層３１、４１それぞれを貫通するビア導体３５、４５と同様の方法で形成される。図６Ｆに示されるようにコア基板１０の形成が完了する。

図６Ｇに示されるように、コア基板１０の第１面１０ａ上に第１積層体１が形成されると共に、第２面１０ｂ上に第２積層体２が形成される。例えば、補強材を含まないフィルム状の絶縁性樹脂（例えばエポキシ樹脂）が第１面１０ａ及び第２面１０ｂに熱圧着され、２つの絶縁層１１のうちの第１面１０ａ側の絶縁層１１及び２つの絶縁層２１のうちの第２面１０ｂ側の絶縁層２１が形成される。この絶縁層１１及び絶縁層２１それぞれにおけるビア導体１５又はビア導体２５の形成箇所に、例えば炭酸ガスレーザー光の照射によって貫通孔が形成される。貫通孔の内壁上及び絶縁層１１、２１の表面上に、無電解めっき又はスパッタリングなどによって銅などの導体からなるシード膜が形成される。このシード膜を給電層として用いると共に、適切な開口を有するめっきレジストを用いる電解めっきによって、それぞれ所望の導体パターンを有する導体層１ａ及び導体層２ａ、並びに、ビア導体１５、及びビア導体２５が形成される。すなわち、金属箔を用いないセミアディティブ法（ＳＡＰ法）によって、２つの導体層１ａのうちの第１面１０ａ側の導体層１ａ、及び、２つの導体層２ａのうちの第２面１０ｂ側の導体層２ａが形成される。この導体層１ａ、２ａと共に、第１面１０ａ側の絶縁層１１を貫通するビア導体１５、及び、第２面１０ｂ側の絶縁層２１を貫通するビア導体２５が形成される。

さらに、表層側の絶縁層１１及び表層側の絶縁層２１が、第１面１０ａ側の絶縁層１１及び第２面１０ｂ側の絶縁層２１と同様の方法で形成される。また、それぞれ表層側の導体層１ａ、２ａが、第１面１０ａ側の導体層１ａ及び第２面１０ｂ側の導体層２ａと同様の方法で形成される。また、表層側の絶縁層１１、２１をそれぞれ貫通するビア導体１５、２５が、第１面１０ａ側の絶縁層１１を貫通するビア導体１５及び第２面１０ｂ側の絶縁層２１を貫通するビア導体２５と同様の方法で形成される。このようにして、第１積層体１及び第２積層体２が形成される。

その後、第１積層体１上にソルダーレジスト層６１が形成され、第２積層体２上にソルダーレジスト層６２が形成される。ソルダーレジスト層６１、６２は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを含む樹脂層の形成と、適切な開口パターンを有するマスクを用いた露光及び現像とによって形成される。

図１の配線基板１００が形成される場合は、さらに、ソルダーレジスト層６１、６２の開口に露出する接続パッド１ａ１及び接続パッド２ａ１上にバンプ１０１（図１参照）が形成される。バンプ１０１は、はんだボールの配置及びリフロー炉でのはんだボールの溶解による固着、或いは、電解めっきによる金属めっき膜の形成などによって形成される。以上の工程を経ることによって、図１の例の配線基板１００が完成する。なお、バンプ１０１が形成されずに、無電解めっき、半田レベラ、又はスプレーコーティングなどによって、Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、はんだ、又は耐熱性プリフラックスなどからなる表面保護膜（図示せず）が形成されてもよい。

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示された構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。例えば、スルーホール導体５５が導電性の充填物で充填されている場合、コア基板内導体層３ａ、４ａは、シード膜３ａ４及び電解めっき膜３ａ５を含んでいなくてもよい。また、ソルダーレジスト層６１、６２は、必ずしも設けられなくてもよい。各ビア導体は、必ずしも、コア層５に向かって幅（外径）が縮小するテーパー形状を有していなくてもよい。

１００、１００ａ、１００ｂ配線基板
１０多層コア基板
１０ａ第１面
１０ｂ第２面
１０ｃ補強材
１第１積層体
１１絶縁層
１ａ導体層
１５ビア導体
２第２積層体
２１絶縁層
２ａ導体層
２５ビア導体
３１コア基板内絶縁層
３ａコア基板内導体層（第１導体層）
３ａ１金属箔
３ａ４シード膜
３ａ５電解めっき膜
３ｂコア基板内導体層
３ｂ１金属箔
３ｃコア基板内導体層（第３導体層）
３ｃ１金属箔
３５ビア導体
４１コア基板内絶縁層
４ａコア基板内導体層（第２導体層）
４ａ１金属箔
４ｂコア基板内導体層
４ｃコア基板内導体層（第４導体層）
４５ビア導体
５コア層
５ａ第１ベース面
５ｂ第２ベース面
５５、５７、５５１、５５２スルーホール導体
５５ａ導体膜
５５ｂ充填物
５６貫通導体（スルーホール導体とビア導体との積層体）
６１、６２ソルダーレジスト層

Claims

第１面及び前記第１面の反対面である第２面を有する多層コア基板と、
前記第１面上に交互に積層されている絶縁層及び導体層によって構成される第１積層体と、
前記第２面上に交互に積層されている絶縁層及び導体層によって構成される第２積層体と、
を含む配線基板であって、
前記多層コア基板は、
前記第１面を向く第１ベース面及び前記第２面を向く第２ベース面を有していて前記多層コア基板の厚さ方向の中央部を構成するコア層と、
前記第１ベース面上及び前記第２ベース面上それぞれに交互に積層されているコア基板内導体層及びコア基板内絶縁層と、
前記コア層を貫通し、前記第１ベース面上の前記コア基板内導体層と前記第２ベース面上の前記コア基板内導体層とを接続するスルーホール導体と、
前記スルーホール導体と平面視で重なる位置に形成されていて前記コア基板内絶縁層それぞれを貫通するビア導体と、
を含み、
前記コア層及び前記コア基板内絶縁層は補強材を含む絶縁性樹脂によって形成され、
前記第１積層体又は前記第２積層体に含まれる絶縁層は補強材を含まない樹脂によって形成され、
前記コア層の厚さは前記コア基板内絶縁層それぞれの厚さよりも厚く、
前記多層コア基板の前記第１面側及び前記第２面側それぞれの最表層の導体層同士は、前記コア基板内絶縁層それぞれに含まれる前記ビア導体と前記スルーホール導体との積層体を介して接続されている。
請求項１記載の配線基板であって、前記スルーホール導体の内部は、樹脂を含有する充填物で充填されている。
請求項２記載の配線基板であって、前記充填物の前記第１ベース面側の端面及び前記第２ベース面側の端面は金属膜に覆われている。
請求項１記載の配線基板であって、
前記コア基板内導体層それぞれは、前記スルーホール導体又は前記ビア導体と接続されている接続部と、平面視において前記接続部以外の領域の略全面に形成されているベタパターンとを含み、
前記コア基板内導体層それぞれにおいて、前記接続部と前記ベタパターンとが電気的に分離されている。
請求項４記載の配線基板であって、前記多層コア基板は、前記接続部及び前記ベタパターンだけを含む前記コア基板内導体層を含んでいる。
請求項１記載の配線基板であって、前記第１積層体又は前記第２積層体に含まれる導体層は金属箔を用いずに形成されており、前記コア基板内導体層は金属箔を含んでいる。
請求項１記載の配線基板であって、前記コア基板内導体層それぞれの厚さは、前記第１積層体又は前記第２積層体に含まれる導体層それぞれの厚さよりも厚い。
請求項１記載の配線基板であって、前記多層コア基板に含まれる複数の前記コア基板内導体層のうち、前記第１面側及び前記第２面側それぞれの最表層の導体層の厚さは、前記最表層の導体層以外の前記コア基板内導体層それぞれの厚さよりも薄い。
請求項１記載の配線基板であって、前記多層コア基板に含まれる複数の前記コア基板内導体層のうち、前記第１ベース面上、又は前記第２ベース面上に形成される導体層は５層構造を有している。
請求項１記載の配線基板であって、前記コア基板内絶縁層それぞれの厚さは、前記第１積層体又は前記第２積層体に含まれる絶縁層それぞれの厚さよりも厚い。
請求項１記載の配線基板であって、前記コア層の厚さは前記コア基板内絶縁層それぞれの厚さの１０倍以上、２０倍以下である。
請求項１１記載の配線基板であって、前記コア層の厚さは、前記第１積層体又は前記第２積層体に含まれる絶縁層それぞれの厚さの２０倍以上、５０倍以下である。