JP5846594B1 - 配線形成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
絶縁樹脂層を介して配置された配線同士がコンタクトホールにより接続されている構造を有する配線を形成する方法であって、
下層配線上に形成された前記絶縁樹脂層の上面のコンタクトホール形成箇所に、光吸収により導電性を発現するインクを塗布する工程と、
前記インクに光照射し、該インクを導体化させるとともに、該インクの発熱により該インクの塗布面の下の前記絶縁樹脂層を除去することにより、前記コンタクトホールを形成する工程と、
を含む、配線形成方法を提供する。
絶縁樹脂層を介して配置された配線同士がコンタクトホールにより接続されている構造を有する配線を形成する方法であって、
下層配線の上面のコンタクトホール形成箇所に、光吸収により導電性を発現するインクを塗布する工程と、
前記インクを塗布した後、前記下層配線の上に前記絶縁樹脂層を形成する工程と、
前記絶縁樹脂層の外から前記インクに光照射し、該インクを導体化させるとともに、該インクの発熱により該インクの塗布面の上の前記絶縁樹脂層を除去することにより、前記コンタクトホールを形成する工程と、
を含む、配線形成方法を提供する。
絶縁樹脂層を介して配置された配線同士を接続して配線を形成する方法であって、
下層配線上に形成された前記絶縁樹脂層の上面に、上層配線として、光吸収により導電性を発現するインクを塗布する工程と、
前記インクに光照射し、該インクを導体化させるとともに、該インクの発熱により該インクの塗布面の下の前記絶縁樹脂層を除去することにより、前記下層配線と前記上層配線とを接続する工程と、
を含む、配線形成方法を提供する。
図1に示すように、配線構造10は、基板1、下層配線2、絶縁樹脂層3、上層配線4及びコンタクトホール5を有する。基板1の上に下層配線2、絶縁樹脂層3及び上層配線4がこの順番で配置されている。絶縁樹脂層3によって、下層配線2と上層配線3とが隔てられている。コンタクトホール5は、絶縁樹脂層3を厚さ方向に貫通しており、下層配線2と上層配線4とを電気的に接続している。詳細には、コンタクトホール5の内部に導体7(ビア導体)が充填されており、導体7によって下層配線2と上層配線4とが電気的に接続されている。
本実施形態に係る方法は、第1実施形態に係る方法とは絶縁樹脂層3の形成とインクの塗布との工程順序が逆である。つまり、本実施形態に係る方法は、絶縁樹脂層3の積層に先立って、コンタクトホール形成箇所にインク6を塗布しておく方法である。このような方法によっても、第1実施形態に係る方法と同様に、インク6の光焼成によって、コンタクトホール5を簡便に形成することができる。
本実施形態は、コンタクトホールの形成を必須としない点で第1実施形態及び第2実施形態と相違する。本実施形態も、インクの光焼成によって、配線を形成する方法を提供する。本実施形態では、絶縁樹脂層を介して配置された配線同士を直接接続して配線を形成する。
図2を参照して説明した方法によって配線を形成した。まず、ガラス基板上に、銀ナノ粒子インク(ハリマ化成社製 NPS−JL)を、インクジェットプリンター(富士フイルム社製 ダイマティックス・マテリアルプリンター DMP−2831)で、配線幅150μmとなるようにパターン印刷し、120℃でアニール処理を行い、下層配線を形成した。この下層配線上に、ポリビニルフェノールとメラミンを混合した熱硬化性の絶縁樹脂層を膜厚500nmとなるよう成膜し、150℃で乾燥、硬化させた。次に、下層配線の直上の絶縁樹脂層上に、銅ナノ粒子インク(石原ケミカル社製)を直径約100μmのドット形状にインクジェット印刷し、60℃で10分間乾燥させた。そして、フラッシュランプアニール装置(菅原研究所社製)で光照射し、銅ナノ粒子インクを焼成した。光照射条件は、放電エネルギー6000J、光閃光時間0.8msとした。光焼成による銅ナノ粒子インクの発熱によって、銅ナノ粒子インクの下の絶縁樹脂層が除去され、印刷されたドット形状でコンタクトホールが形成された。コンタクトホール内の銅ナノ粒子焼成体の上及び絶縁樹脂層の上に、銀ナノ粒子インクを下層配線と同様にインクジェット印刷することにより、上層配線を形成した。これにより、実施例1の配線構造を得た。
図3を参照して説明した方法によって配線を形成した。実施例1と同様にして、ガラス基板上に下層配線を形成した。この下層配線上に、銅ナノ粒子インク(石原ケミカル社製)を直径約100μmのドット形状にインクジェット印刷し、60℃で10分間乾燥させた。次に、銅ナノ粒子インクが積層された下層配線上に、ポリビニルフェノールとメラミンを混合した熱硬化性の絶縁樹脂層を膜厚500nmとなるよう成膜し、150℃で乾燥、硬化させた。そして、実施例1と同様にして、銅ナノ粒子インクを光焼成した。銅ナノ粒子インクの発熱によって、銅ナノ粒子インクの上の絶縁樹脂層が除去され、印刷されたドット形状でコンタクトホールが形成された。その後、実施例1と同様にして、上層配線を形成した。これにより、実施例2の配線構造を得た。
図4に示す方法によって配線を形成した。実施例1と同様にして、ガラス基板101上に下層配線102及び絶縁樹脂層103を積層させた(図4(a)参照)。そして、コンタクトホールを形成せずに、絶縁樹脂層103上に、実施例1と同様にして、上層配線104を形成した(図4(b)参照)。これにより、比較例1の配線構造を得た。
図6を参照して説明した方法によって配線を形成した。まず、ガラス基板1上に、銀ナノ粒子インク(ハリマ化成社製 NPS−JL)を、インクジェットプリンター(富士フイルム社製 ダイマティックス・マテリアルプリンター DMP−2831)で、間隔約100μmの平行な2本のライン状にパターン印刷し、120℃でアニール処理を行い、2本のライン状の下層配線を形成した。この下層配線上に、ポリビニルフェノールとメラミンを混合した熱硬化性の絶縁樹脂層を膜厚500nmとなるよう成膜し、150℃で乾燥、硬化させた。次に、2本のライン状の下層配線に直交して橋渡しするような形状で、銅ナノ粒子インク(石原ケミカル社製)をインクジェット印刷し、60℃で10分間乾燥させた。そして、実施例1と同様にして、銅ナノ粒子インクを光焼成した。銅ナノ粒子インクの発熱によって、銅ナノ粒子インクの下の絶縁樹脂層が除去され、2本のライン状の下層配線がブリッジ接続された。このようにして、実施例3の配線構造を得た。
実施例3と同様にして、ガラス基板上に下層配線及び絶縁樹脂層を積層させた配線構造を比較例2とした。
以下の手順で銀ナノ粒子インクA及び銀ナノ粒子インクBを調製した。
実施例4と同様にして、ガラス基板上に下地層、下層配線及び絶縁樹脂層を積層させた。そして、コンタクトホールを形成せずに、絶縁樹脂層上に、実施例1と同様にして、上層配線を形成した。これにより、比較例3の配線構造を得た。
Claims (9)
- 絶縁樹脂層を介して配置された配線同士がコンタクトホールにより接続されている構造を有する配線を形成する方法であって、
下層配線上に形成された前記絶縁樹脂層の上面のコンタクトホール形成箇所に、光吸収により導電性を発現するインクを塗布する工程と、
前記インクに光照射し、該インクを導体化させるとともに、該インクの発熱により該インクの塗布面の下の前記絶縁樹脂層を除去することにより、前記コンタクトホールを形成する工程と、
を含む、配線形成方法。 - 絶縁樹脂層を介して配置された配線同士がコンタクトホールにより接続されている構造を有する配線を形成する方法であって、
下層配線の上面のコンタクトホール形成箇所に、光吸収により導電性を発現するインクを塗布する工程と、
前記インクを塗布した後、前記下層配線の上に前記絶縁樹脂層を形成する工程と、
前記絶縁樹脂層の外から前記インクに光照射し、該インクを導体化させるとともに、該インクの発熱により該インクの塗布面の上の前記絶縁樹脂層を除去することにより、前記コンタクトホールを形成する工程と、
を含む、配線形成方法。 - 絶縁樹脂層を介して配置された配線同士を接続して配線を形成する方法であって、
下層配線上に形成された前記絶縁樹脂層の上面に、上層配線として、光吸収により導電性を発現するインクを塗布する工程と、
前記インクに光照射し、該インクを導体化させるとともに、該インクの発熱により該インクの塗布面の下の前記絶縁樹脂層を除去することにより、前記下層配線と前記上層配線とを接続する工程と、
を含む、配線形成方法。 - 前記コンタクトホールにおいて前記下層配線と導通する上層配線を前記絶縁樹脂層の上面に形成する工程をさらに含む、請求項1又は2に記載の配線形成方法。
- 前記インクが金属微粒子を含むインクである、請求項1〜4のいずれか1項に記載の配線形成方法。
- 前記光照射が、パルス光源を用いて行われる、請求項1〜5のいずれか1項に記載の配線形成方法。
- 前記光照射が、フラッシュランプ又はレーザーを用いて行われる、請求項1〜6のいずれか1項に記載の配線形成方法。
- 前記インクの塗布は、インクジェット印刷、スクリーン印刷、グラビアオフセット印刷、ダイレクトグラビア印刷、及び凸版反転印刷から選ばれるいずれかにより行われる、請求項1〜7のいずれか1項に記載の配線形成方法。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法で配線を形成することを含む、電子デバイスの製造方法。
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