JP2001144035A - 半導体装置の製造方法および半導体装置 - Google Patents

半導体装置の製造方法および半導体装置

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JP2001144035A JP32260799A JP32260799A JP2001144035A JP 2001144035 A JP2001144035 A JP 2001144035A JP 32260799 A JP32260799 A JP 32260799A JP 32260799 A JP32260799 A JP 32260799A JP 2001144035 A JP2001144035 A JP 2001144035A
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resin layer
cutting
semiconductor
semiconductor wafer
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Mitsuru Osono
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 樹脂封止後の半導体ウェハを効率よくしかも
高品質で切断することができる半導体装置の製造方法お
よび半導体装置を提供すること。 【解決手段】 半導体素子の電極形成面上を樹脂で封止
した半導体装置の製造方法において、樹脂層形成工程後
に半導体ウェハを半導体素子の境界線に沿って切断する
際に、レーザ加工などの非接触加工によって樹脂層４に
除去幅Ｂ１の除去溝４ａを設けて樹脂層４の切断を行っ
た後に、機械的切断ツールによる接触加工によって除去
幅Ｂ１より狭い切断幅Ｂ２で半導体ウェハ１を切断す
る。これにより、封止面の剥離を防止し切断ツールの損
耗を防止して、樹脂封止後の半導体ウェハ１を効率よく
しかも高品質で切断することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の外部
接続用の電極上に導電部を形成する半導体装置の製造方
法および半導体装置に関するものである。
【従来の技術】電子機器の基板などに実装される半導体
装置は、ウェハ状態で回路パターン形成が行われた半導
体素子の外部接続用電極に、リードフレームのピンや金
属バンプなどを接続し、この接続部分を含む半導体素子
全体を樹脂モールドで封止して半導体装置とするパッケ
ージング工程を経て製造されている。ところで近年この
パッケージング工程をウェハ状態で行う方法が実用化さ
れている。この方法では、半導体素子の表面を樹脂で封
止して保護する樹脂層の形成がウェハ状態で行われる。
これにより、半導体素子の製造工程において回路形成面
が汚染などから保護されるとともに、薄くてダメージを
受けやすい半導体ウェハの取りあつかいが容易になると
いう利点がある。そして樹脂層形成後に半導体ウェハは
個片に分割するための切断工程に送られ、ここで切断ツ
ールによって機械的に切断される。
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、樹脂層
が形成された後に半導体ウェハを切断するに際しては、
以下に述べるような問題点があった。まず、樹脂を機械
的な方法で切断する場合には樹脂の切断面は粗面になり
やすいとともに、切断時の外力によって封止樹脂層とウ
ェハ表面との接着面の剥離が生じ、品質不良による歩留
まり低下を招く結果となっていた。そしてこのような品
質不良を防止するためには、樹脂切断用とウェハ切断用
の切断ツールをその都度取り変えることによって切断条
件を変更するなど、煩雑な工程を採用する必要があっ
た。そこで本発明は、樹脂封止後の半導体ウェハを効率
よくしかも高品質で切断することができる半導体装置の
製造方法および半導体装置を提供することを目的とす
る。
【課題を解決するための手段】請求項１記載の半導体装
置の製造方法は、半導体素子の外部接続用の電極が形成
された電極形成面上を樹脂で封止した半導体装置を製造
する半導体装置の製造方法であって、複数の半導体素子
が形成された半導体ウェハの電極形成面にこの電極形成
面を封止する封止機能を有する樹脂層を形成する樹脂層
形成工程と、この樹脂層形成工程後に前記半導体ウェハ
を半導体素子の境界線に沿って切断する切断工程とを含
み、この切断工程において非接触加工によって樹脂層の
切断を行った後に機械的切断ツールによる接触加工によ
って前記半導体ウェハの切断を行うようにした。請求項
２記載の半導体装置の製造方法は、請求項１記載の半導
体装置の製造方法であって、前記非接触加工に、レーザ
光の照射、プラズマ放電またはアーク放電、ウオータジ
ェットのいずれかを用いるようにした。請求項３記載の
半導体装置の製造方法は、請求項１記載の半導体装置の
製造方法であって、前記非接触加工による封止樹脂層の
切断幅よりも前記接触加工による半導体ウェハの切断幅
を狭く設定するようにした。請求項４記載の半導体装置
の製造方法は、請求項２記載の半導体装置の製造方法で
あって、前記レーザ光による非接触加工において、ライ
ン光源を用いて光エネルギーを切断部位に対してライン
状に供給するようにした。請求項５記載の半導体装置の
製造方法は、請求項１ないし４記載の半導体装置の製造
方法であって、前記非接触加工時に切断部位以外の封止
樹脂を除去する樹脂除去加工を併せて行うようにした。
請求項６記載の半導体装置は、半導体素子の外部接続用
の電極が形成された電極形成面上を樹脂で封止した半導
体装置であって、複数の半導体素子が形成された半導体
ウェハの電極形成面にこの電極形成面を封止する封止機
能を有する樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、この樹
脂層形成工程後に前記半導体ウェハを半導体素子の境界
線に沿って切断する切断工程とを含み、この切断工程に
おいて非接触加工によって樹脂層の切断を行った後に機
械的切断ツールによる接触加工によって前記半導体ウェ
ハの切断を行う。本発明によれば、樹脂層形成工程後の
半導体ウェハを半導体素子の境界線に沿って切断する切
断工程において、樹脂層の切断には非接触加工を用いこ
の非接触加工後に前記半導体ウェハの切断を機械的切断
ツールによる接触加工によって行うことにより、樹脂封
止後の半導体ウェハを効率よくしかも高品質で切断する
ことができる。
【発明の実施の形態】（実施の形態１）図１、図２は本
発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法の工程説明
図である。なお、図１、図２は半導体装置の製造方法を
工程順に示している。図１（ａ）において、１は複数の
半導体素子が形成された半導体ウェハである。半導体ウ
ェハ１の上面には、外部接続用の電極２が形成されてい
る。半導体ウェハ１の電極形成面は保護膜３で覆われて
おり、電極２上面は保護膜３が部分的に存在しない開口
部３ａとなっている。次に図１（ｂ）に示すように、半
導体ウェハ１の上面の電極形成面には、樹脂層４が形成
される。この樹脂層４は、半導体ウェハ１の表面を保護
するのみならず、半導体ウェハ１から半導体素子が切り
出されて個片の半導体装置として完成した後においても
そのまま封止用の樹脂として機能する。したがって樹脂
層４に用いる樹脂材料には、半導体素子を保護するため
の封止機能に優れたものが選定される。すなわち、耐湿
性、耐マイグレーション性、外力に対する十分な強度、
電気絶縁性等、封止材として満足できる性能を有するも
のでなければならない。このような樹脂は、既に半導体
装置の製造に用いられているものでよい。また半導体装
置を基板に実装した後の信頼性を高めるために、ＳｉＯ
2 等のフィラーを混合したものを用いてもよい。樹脂層
形成の方法としては、樹脂膜の貼付や樹脂塗布などが用
いられる。樹脂膜貼付による方法は、エポキシ樹脂やポ
リイミド樹脂などの樹脂材料をシート状に加工した樹脂
膜の片面に接着剤をコートしたものを半導体ウェハ１上
面に貼付した後に、加熱により接着剤を熱硬化させて樹
脂膜を半導体ウェハ１に密着させるものである。樹脂塗
布は、液状樹脂を半導体ウェハ１の電極形成面に所定厚
さで塗布するものである。次に図１（ｃ）に示すよう
に、樹脂層４に貫通孔４ｂが形成される。この貫通孔形
成にはレーザ加工が用いられ、電極２に対応した位置に
レーザ光を照射することにより、樹脂層４には電極２の
表面に到達する貫通孔４ｂが形成される。この貫通孔形
成工程において、半導体素子の境界線に相当する位置の
樹脂層４が除去される。この樹脂層４の除去は、半導体
ウェハ１の切断に先立って樹脂層４のみを除去するもの
であり、図２（ａ）に示すように、樹脂層４には所定の
除去幅Ｂ１の除去溝４ａが形成される。この樹脂層除去
は、貫通孔形成と同様にレーザ加工によって行われ、切
断部位にレーザ光を照射することにより樹脂を切断す
る。レーザ光の照射形態としては、次の２通りの方法が
用いられる。すなわち、第１のレーザ照射方法はスポッ
ト状のレーザ光を境界線に沿って線状にスキャンさせる
ことにより、樹脂層４を線状に除去するものであり、第
２のレーザ照射方法は、レーザ光源としてライン光源を
用い、切断部位に対してレーザ光をライン状に照射する
ことにより行われる。ここで示す樹脂層除去では、機械
的ツールを直接切断部位に接触させない非接触加工を用
いている。このような非接触加工により、切断ツールの
損耗が生じやすい樹脂の切断を、切断ツールを用いるこ
となく効率的に行うことができる。なお、非接触加工の
手段としては、レーザ光照射以外にも、プラズマ放電や
アーク放電などによって樹脂層４に熱エネルギーを集中
的に作用させることにより所定部位の樹脂を除去する方
法や、またはウオータジェットなど流体の機械的エネル
ギーを集中的に作用させることにより樹脂を除去する方
法などを用いることができる。上記いずれの方法によっ
ても、エネルギーを切断部位に集中的に作用させること
により、切断部位以外の他の部分へのダメージを抑えた
加工を行うことができる。また、この際に除去される樹
脂の除去幅（切断幅）は、この後に行われる半導体ウェ
ハ１の機械的切断時の切断幅との兼ね合わせで決定さ
れ、樹脂層４の除去幅の方が半導体ウェハ１の切断幅よ
りも大きくなるように設定される。次いで図２（ｂ）に
示すように、貫通孔４内にはペースト状の導電材である
クリーム半田５が充填される。そしてこの後、半導体ウ
ェハ１をリフロー工程に送り加熱することにより、クリ
ーム半田５が溶融し、溶融半田が固化した後には電極２
と導通し樹脂層４の表面に到達する導電部５’が形成さ
れる。次に導電部形成後の半導体ウェハ１は切断工程に
送られ、図２（ｃ）に示すように半導体ウェハ１を構成
する各半導体素子１’毎に個片に切断される。これによ
り、外部接続用電極の電極形成面が樹脂層４によって封
止された半導体装置７が完成する。この切断は、機械的
切断ツールを用いた接触加工によって行われる。このと
きの切断幅Ｂ２は、樹脂層４の除去幅Ｂ１よりも狭くな
るように設定される。このため、半導体ウェハ１の切断
時に切断ツールが樹脂層４に接触することがなく、従っ
て樹脂層４と半導体ウェハ１との界面の剥離が発生せ
ず、切断時のダメージによる品質劣化を防止することが
できると共に、半導体ウェハ切断用の切断ツールがエポ
キシ樹脂など硬質の樹脂層４によって損耗を受けること
がなく、切断ツールの使用寿命を延長することができ
る。このようにして形成された半導体装置７は、上述の
ように切断時のダメージの発生がないことから封止用の
樹脂層４と半導体ウェハ１との密封性に優れており、従
って使用状態での信頼性に優れた半導体装置となってい
る。 （実施の形態２）図３、図４は本発明の実施の形態２の
半導体装置の製造方法の工程説明図である。なお、図
３、図４は半導体装置の製造方法を工程順に示してい
る。図３（ａ）において、１１は実施の形態１に示す半
導体ウェハと同様に、複数の半導体素子が形成された半
導体ウェハである。半導体ウェハ１１の上面には外部接
続用の電極１２が形成され、電極形成面は保護膜１３に
よって覆われている。この電極１２上面の保護膜１３の
開口部１３ａには、図３（ｂ）に示すように導電部１５
が形成される。導電部１５は電極１２の上面に金属メッ
キ層を積層する方法や、または電極１２上にワイヤボン
ディングを行って金属部を形成する方法などを用いて形
成される。次いで、導電部１５が形成された半導体ウェ
ハ１１は樹脂封止される。ここでは半導体ウェハ１１の
電極形成面に封止機能を有する樹脂層１４が形成され
る。樹脂層１４には、実施の形態１における樹脂層４と
同様の材質が用いられる。この後半導体ウェハ１１上面
の樹脂層１４には、図４（ａ）に示すように実施の形態
１と同様に所定幅Ｂ１の除去溝１４ａがレーザ加工によ
り形成される。そしてこの後半導体ウェハ１１は切断工
程に送られ、図４（ｂ）に示すように半導体ウェハ１１
を構成する各半導体素子１１’毎に個片に切断される。
この切断は、機械的ツールを用いた接触加工によって行
われる。このときの切断幅Ｂ２は、実施の形態１と同様
に樹脂層１４の除去幅Ｂ１よりも狭くなるように設定さ
れる。これにより、切断時のダメージによる品質劣化を
防止することができると共に、切断ツールの使用寿命を
延長することができることについては実施の形態１と同
様である。これにより、外部接続用電極の電極形成面が
樹脂層１４によって封止された半導体装置１７が完成す
る。この半導体装置１７も、実施の形態１における半導
体装置７と同様の優れた特性を有している。 （実施の形態３）図５、図６は本発明の実施の形態３の
半導体装置の製造方法の工程説明図である。なお、図
５、図６は半導体装置の製造方法を工程順に示してい
る。図５（ａ）において、２１は実施の形態１に示す半
導体ウェハと同様に、複数の半導体素子が形成された半
導体ウェハである。半導体ウェハ２１の上面には外部接
続用の電極２２が形成されており、電極形成面は保護膜
２３によって覆われている。電極２２上面は保護膜３が
部分的に存在しない開口部３ａとなっている。次に図５
（ｂ）に示すように、半導体ウェハ２１の上面の電極形
成面には、実施の形態１の樹脂層４と同様の樹脂層２４
が形成される。次いで図５（ｃ）に示すように、樹脂層
２４にテーパ形状の貫通孔２４ｂが形成される。この貫
通孔形成にも実施の形態１と同様のレーザ加工が用いら
れ、電極２２に対応した位置にレーザ光を照射すること
により、樹脂層２４には電極２２の表面に到達するテー
パ形状の貫通孔２４ｂが形成される。この貫通孔形成工
程において、半導体素子の境界線に相当する位置の樹脂
層２４が除去される。この樹脂層２４の除去は、半導体
ウェハ２１の切断に先立って樹脂層２４のみを除去する
ものであり、図６（ａ）に示すように、樹脂層２４には
底面の除去幅Ｂ１の除去溝２４ａが形成される。次いで
図６（ｂ）に示すように、貫通孔２４内にはペースト状
の導電材であるクリーム半田２５が充填される。そして
この後、半導体ウェハ１１をリフロー工程に送り加熱す
ることにより、クリーム半田２５が溶融し、溶融半田が
固化した後には電極２２と導通し樹脂層２４の表面に到
達する導電部２５’が形成される。次に導電部形成後の
半導体ウェハ２１は実施の形態１と同様の切断工程に送
られ、図６（ｃ）に示すように半導体ウェハ２１を構成
する各半導体素子２１’毎に個片に切断される。このと
きの切断幅Ｂ２は、実施の形態１と同様に樹脂層２４の
除去溝２４ａの底部における除去幅Ｂ１よりも狭くなる
ように設定される。これにより、切断時のダメージによ
る品質劣化を防止することができると共に、切断ツール
の使用寿命を延長することができることについては実施
の形態１と同様である。これにより、外部接続用電極の
電極形成面が樹脂層２４によって封止された半導体装置
２７が完成する。この半導体装置２７も、実施の形態１
における半導体装置７と同様の優れた特性を有してい
る。 （実施の形態４）図７、図８は本発明の実施の形態４の
半導体装置の製造方法の工程説明図である。なお、図
７、図８は半導体装置の製造方法を工程順に示してい
る。図７（ａ）において、３１は実施の形態１に示す半
導体ウェハと同様に、複数の半導体素子が形成された半
導体ウェハである。半導体ウェハ３１の上面には外部接
続用の電極３２が形成され、電極形成面は保護膜３３に
よって覆われている。この電極３２上面の保護膜３３の
開口部１３ａには、図３（ｂ）に示すように実施の形態
２に示す導電部１５と同様の導電部３５が形成される。
次いで、導電部３５が形成された半導体ウェハ３１は樹
脂封止される。ここでは図７（ｃ）に示すように半導体
ウェハ３１の電極形成面および下面の両面に封止機能を
有する樹脂層３４が形成される。樹脂層３４には、実施
の形態１における樹脂層４と同様の材質が用いられる。
この後半導体ウェハ３１上面の樹脂層３４には、図８
（ａ）に示すように実施の形態１と同様に除去溝３４ａ
がレーザ加工により形成され、次いで図８（ｂ）に示す
ように半導体ウェハ３１の下面の樹脂層３４にも同様の
除去溝３４ａが形成される。そしてこの後半導体ウェハ
３１は切断ツールを用いた接触加工による切断工程に送
られ、図８（ｃ）に示すように半導体ウェハ３１を構成
する各半導体素子３１’毎に個片に切断される。このと
きの切断幅Ｂ２は、実施の形態１と同様に樹脂層３４の
除去幅Ｂ１よりも狭くなるように設定される。これによ
り、切断時のダメージによる品質劣化を防止することが
できると共に、切断ツールの使用寿命を延長することが
できることについては実施の形態１と同様である。これ
により、外部接続用電極の電極形成面が樹脂層３４によ
って封止された半導体装置３７が完成する。この半導体
装置３７も、実施の形態１における半導体装置７と同様
の優れた特性を有している。 （実施の形態５）図９、図１０は本発明の実施の形態５
の半導体装置の製造方法の工程説明図である。なお、図
９、図１０は半導体装置の製造方法を工程順に示してい
る。図９（ａ）において、４１は実施の形態１に示す半
導体ウェハと同様に、複数の半導体素子が形成された半
導体ウェハである。半導体ウェハ４１の上面には外部接
続用の電極４２が形成され、電極形成面は保護膜４３に
よって覆われている。この電極４２上面の開口部４３ａ
内には、図９（ｂ）に示すように実施の形態２に示す導
電部１５と同様の導電部４５が形成される。次いで、導
電部４５が形成された半導体ウェハ４１は樹脂封止され
る。ここでは実施の形態１に示す樹脂層４と同様の材質
を用いて、導電部４５の上面を完全に覆う厚さの樹脂層
４４が電極形成面に形成されると共に、半導体ウェハ４
１の下面にも同様の樹脂層４４が形成される。次いで、
図１０（ａ）に示すように、電極形成面上の樹脂層４４
に実施の形態１と同様の除去溝４４ａが形成されると共
に、導電部４５上の樹脂層４が除去されて開口部４４ｂ
が形成される。これにより導電部４５は露呈状態とな
り、外部との接続が可能となる。次いで、図１０（ｂ）
に示すように半導体ウェハ４１の下面の樹脂層４４にも
同様の除去溝４４ａが形成される。そしてこの後半導体
ウェハ４１は切断ツールを用いた接触加工による切断工
程に送られ、図１０（ｃ）に示すように半導体ウェハ３
１を構成する各半導体素子４１’毎に個片に切断され
る。このときの切断幅Ｂ２は、実施の形態１と同様に樹
脂層４４の除去幅Ｂ１よりも狭くなるように設定され
る。これにより、切断時のダメージによる品質劣化を防
止することができると共に、切断ツールの使用寿命を延
長することができることについては実施の形態１と同様
である。これにより、外部接続用電極の電極形成面が樹
脂層４４によって封止された半導体装置４７が完成す
る。この半導体装置４７も、実施の形態１における半導
体装置７と同様の優れた特性を有している。以上説明し
たように本発明の各実施の形態は、半導体素子の外部接
続用の電極が形成された電極形成面上を樹脂で封止した
半導体装置の製造での半導体ウェハの切断工程、すなわ
ち複数の半導体素子が形成された半導体ウェハの電極形
成面を樹脂封止した後の半導体ウェハの切断において、
非接触加工によって樹脂層の除去を行った後に機械的切
断ツールによる接触加工によって半導体ウェハの切断を
行うようにしたものである。これにより、性状が異なる
材質からなり切断加工に対する適性が異なる樹脂層と半
導体ウェハに対して、それぞれの適性に応じた適切な切
断手段を用いることができ、効率のよい切断作業を行え
ると共に、良好な切断品質を確保して製品の信頼性を向
上させることができる。そして、各実施の形態に示す半
導体装置の製造工程では、非接触加工時に外部接続用の
電極上への導電部形成目的など、切断部位以外の封止樹
脂を除去する樹脂除去加工が併せて行われるため、同一
工程でこれらの樹脂除去が行えるという利点がある。
【発明の効果】本発明によれば、樹脂層形成工程後の半
導体ウェハを半導体素子の境界線に沿って切断する切断
工程において、樹脂層の切断には非接触加工を用いこの
非接触加工後に前記半導体ウェハの切断を機械的切断ツ
ールによる接触加工によって行うようにしたので、樹脂
封止後の半導体ウェハを効率よくしかも高品質で切断す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法
の工程説明図
【図２】本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法
の工程説明図
【図３】本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法
の工程説明図
【図４】本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法
の工程説明図
【図５】本発明の実施の形態３の半導体装置の製造方法
の工程説明図
【図６】本発明の実施の形態３の半導体装置の製造方法
の工程説明図
【図７】本発明の実施の形態４の半導体装置の製造方法
の工程説明図
【図８】本発明の実施の形態４の半導体装置の製造方法
の工程説明図
【図９】本発明の実施の形態５の半導体装置の製造方法
の工程説明図
【図１０】本発明の実施の形態５の半導体装置の製造方
法の工程説明図
【符号の説明】
１、１１、２１、３１、４１ 半導体ウェハ １’、１１’、２１’、３１’、４１’ 半導体素子 ２、１２、２２、３２、４２ 電極 ３ａ、１３ａ、２３ａ、３３ａ、４３ａ 開口部 ４、１４、２４、３４、４４ 樹脂層 ４ａ、１４ａ、２４ａ、３４ａ、４４ａ 除去溝 ４ｂ、２４ｂ 貫通孔 ７、１７、２７、３７、４７ 半導体装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/60 Ｈ０１Ｌ 21/78 Ａ 23/12 21/92 ６０２Ｌ // Ｂ２３Ｋ 101:40 ６０４Ｅ ６０４Ｂ ６０４Ｊ 23/12 Ｌ

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体素子の外部接続用の電極が形成され
    た電極形成面上を樹脂で封止した半導体装置を製造する
    半導体装置の製造方法であって、複数の半導体素子が形
    成された半導体ウェハの電極形成面にこの電極形成面を
    封止する封止機能を有する樹脂層を形成する樹脂層形成
    工程と、この樹脂層形成工程後に前記半導体ウェハを半
    導体素子の境界線に沿って切断する切断工程とを含み、
    この切断工程において非接触加工によって樹脂層の切断
    を行った後に機械的切断ツールによる接触加工によって
    前記半導体ウェハの切断を行うことを特徴とする半導体
    装置の製造方法。
  2. 【請求項２】前記非接触加工に、レーザ光の照射、プラ
    ズマ放電またはアーク放電、ウオータジェットのいずれ
    かを用いることを特徴とする請求項１記載の半導体装置
    の製造方法。
  3. 【請求項３】前記非接触加工による封止樹脂層の切断幅
    よりも前記接触加工による半導体ウェハの切断幅を狭く
    設定することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の
    製造方法。
  4. 【請求項４】前記レーザ光による非接触加工において、
    ライン光源を用いて光エネルギーを切断部位に対してラ
    イン状に供給することを特徴とする請求項２記載の半導
    体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】前記非接触加工時に切断部位以外の封止樹
    脂を除去する樹脂除去加工を併せて行うことを特徴とす
    る請求項１ないし４記載の半導体装置の製造方法。
  6. 【請求項６】半導体素子の外部接続用の電極が形成され
    た電極形成面上を樹脂で封止した半導体装置であって、
    複数の半導体素子が形成された半導体ウェハの電極形成
    面にこの電極形成面を封止する封止機能を有する樹脂層
    を形成する樹脂層形成工程と、この樹脂層形成工程後に
    前記半導体ウェハを半導体素子の境界線に沿って切断す
    る切断工程とを含み、この切断工程において非接触加工
    によって樹脂層の切断を行った後に機械的切断ツールに
    よる接触加工によって前記半導体ウェハの切断を行う半
    導体装置の製造方法によって製造されたことを特徴とす
    る半導体装置。
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