CN106058006A - 发光装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种发光装置及其制造方法，抑制透光性部件的剥离且可靠性高。本发明的发光装置(10)包含：发光元件，其具有第一面(21)、与第一面相对的第二面(22)、在第一面与第二面之间的多个侧面(23)，并且具有多个第二面和多个侧面中的两个面相接的角部(241、242、243、244)，在第二面侧具有一对电极；透光性部件(30)，其以使多个角部的一个角部以上露出的方式覆盖至少一个侧面的一部分和该至少一个侧面(23)和第二面相接的边的一部分；包覆部件(40)，其以使一对电极(251、252)露出的方式覆盖发光元件(20)的露出的角部和透光性部件(30)的外面(33)，包覆部件和发光元件的热膨胀率差(ΔT40)比透光性部件和发光元件的热膨胀率差(ΔT30)小。
Description
技术领域
本发明涉及发光装置及其制造方法。
背景技术
已知代替设置收纳发光元件的壳体而利用反射性部件覆盖发光元件的侧面的发光装置(例如专利文献1～4)。在这些发光装置中，在发光元件与反射性部件之间配置透光性部件，且将从发光元件的侧面射出的光通过该透光性部件向发光装置的发光面侧取出，由此实现发光装置的光取出效率的提高。
专利文献1：(日本)特开2012－227470号公报
专利文献2：(日本)特开2013－012545号公报
专利文献3：国际公开第2013/005646号
专利文献4：(日本)特开2010－219324号公报
发明内容
当在发光元件与反射性部件之间设置透光性部件时，透光性部件可能从发光元件剥离。由于该剥离，发光元件和透光性部件的界面的光学特性发生变化，因此，通过透光性部件而取出的光的光量及配光性发生变化。即，由于透光性部件的剥离，可改变发光装置的光取出效率及配光特性，故而发光装置的品质不一定，可能不能保证充分的可靠性。因此，在本发明中，其目的在于提供一种发光装置，抑制透光性部件和发光元件的剥离，且可靠性高。
因此，本发明一方面的发光装置具有：发光元件，其具有第一面、与所述第一面相对的第二面，在所述第一面与所述第二面之间具有多个侧面且具有多个所述第二面和所述多个侧面中的两个面相接的角部，在所述第二面侧具有一对电极；透光性部件，其以使多个所述角部的一个以上露出的方式覆盖至少一个所述侧面的一部分、和该至少一个侧面与所述第二面相接的边的一部分；包覆部件，其以使所述一对电极露出的方式覆盖所述发光元件的露出的所述角部和所述透光性部件的外面，所述包覆部件与所述发光元件的热膨胀率差比所述透光性部件与所述发光元件的热膨胀率差小。
根据本发明的一方面，能够抑制透光性部件从发光元件剥离，能够提高发光装置的可靠性。
附图说明
图1是实施方式1的发光装置的概略平面图；
图2(a)是沿着图1的A－A线的概略剖面图，图2(b)是沿着图1的B－B线的概略剖面图；
图3是表示对实施方式1的发光装置省略包覆部件而使透光性部件露出的状态的概略立体图；
图4是实施方式1的发光装置的概略仰视图；
图5(a)～图5(c)是用于说明实施方式1的发光装置的第一制造方法的概略剖面图；
图6(a)、图6(b)是用于说明实施方式1的发光装置的第二制造方法的概略平面图；
图7(a)、图7(b)是用于说明实施方式1的发光装置的第二制造方法的概略平面图；
图8是用于说明实施方式1的发光装置的第二制造方法的概略平面图；
图9(a)是沿着图6(a)的C－C线的概略剖面图，图9(b)是沿着图6(b)的D－D线的概略剖面图，图9(c)是沿着图7(a)的E－E线的概略剖面图；
图10(a)是沿着图7(b)的F－F线的概略剖面图，图10(b)是沿着图8的G－G线的概略剖面图；
图11(a)、图11(b)是用于说明实施方式1的发光装置的第三制造方法的概略平面图；
图12(a)是沿着图11(a)的H－H线的概略剖面图，图12(b)是沿着图11(b)的I－I线的概略剖面图；
图13(a)～图13(c)是用于说明实施方式1的发光装置的第三制造方法的概略剖面图；
图14(a)～图14(c)是用于说明实施方式1的发光装置的第三制造方法的另一例的概略剖面图；
图15(a)是实施方式2的发光装置的概略平面图，图15(b)是沿着图15(a)的J－J线的概略剖面图，图15(c)是沿着图15(a)的K－K线的概略剖面图；
图16(a)～图16(e)是用于说明实施方式2的发光装置的制造方法的概略剖面图；
图17(a)～图17(d)是用于说明实施方式2的发光装置的制造方法的概略剖面图；
图18是实施方式3的发光装置的概略立体图；
图19是表示对实施方式3的发光装置省略包覆部件而使透光性部件露出的状态的概略平面图；
图20是表示对实施方式3的发光装置省略包覆部件而使透光性部件露出的状态的概略立体图；
图21是用于说明适于发光装置的透光性部件的尺寸形状的图，图21(a)是发光装置的概略平面图，图21(b)是沿着图21(a)的L－L线的概略剖面图。
标记说明
10、15、17：发光装置
11：发光装置的第一面(上面)
12：发光装置的第二面(下面)
20、207：发光元件
21：发光元件的第一面(上面)
22：发光元件的第二面(下面)
23：发光元件的侧面
241、242、243、244：发光元件的角部
251、252：电极
30：透光性部件
33：透光性部件的外面
40：包覆部件
50：波长变换部件
500：波长变换片材
502：含荧光体部件
510：波长变换层
具体实施方式
以下，基于附图详细说明本发明的实施方式。此外，在以下的说明中，使用根据需要表示特定的方向及位置的术语(例如，“上”、“下”、“右”、“左”及包含这些术语的其它术语)。这些术语的使用是用于使参照附图的发明的理解容易，并非利用这些术语的内容限定本发明的技术范围。另外，多个附图中表示的相同标记的部分表示相同的部分或部件。
＜实施方式1＞
图1、图2(a)、(b)所示的本实施方式的发光装置10包含：发光元件20、设于发光元件20的侧面23侧的透光性部件30、覆盖透光性部件30的外面33的包覆部件40。发光装置10能够在作为发光面发挥作用的第一面(上面)11侧具备波长变换部件50。
图2(a)是沿着图1的A－A线(与发光元件20的相对的一对侧面23正交的线)的概略剖面图。图2(b)是沿着图1的B－B线(以俯视为矩形的发光元件20的对角线一致的线)的概略剖面图。如图2(a)、(b)所示，发光元件20可包含透光性基板27和形成于透光性基板27的下面侧的半导体层积体28。发光元件20具有：透光性基板27侧的第一面(上面)21、与第一面21相对的半导体层积体28侧的第二面(下面)22、在第一面21与第二面22之间的多个侧面23。由发光元件20发出的光从半导体层积体28通过透光性基板27，或从半导体层积体28通过发光元件20的侧面23及透光性部件30，在发光装置10的第一面11侧取出。
在发光元件20的第二面22(图2(a)、(b)中，半导体层积体28侧)设有用于向发光元件20通电的一对电极251、252。此外，在本说明书中，发光元件20的“第二面22”是指不包含电极251、252的状态下发光元件20的面。在本实施方式中，第二面22与半导体层积体28的下面一致。
构成一对电极的两个电极251、252各自可以设为任意的形状。例如，在图4所示的发光装置10中，从发光装置10的第二面12侧观察时(即，沿着z方向观察时)，电极251、252可设为沿一方向(y方向)伸长的长方形。此外，电极251、252也可以不是相同的形状。另外，两个电极251、252只要相互分开，则能够任意地配置。在图4中，两个电极251、252沿着y方向平行地配置。
再次参照图2(a)，透光性部件30覆盖发光元件20的侧面23，将从该侧面23射出的光向发光装置10的第一面11方向导光。即，到达发光元件20的侧面23的光能够在由该侧面23反射而在发光元件20内衰减之前，将该光通过透光性部件30在发光元件20的外侧取出。通过设置透光性部件30，能够抑制光的损耗，提高发光装置10的光取出效率。
特别是在发光元件20的侧面23相对于第二面22倾斜的情况下，透光性部件30的效果显著。例如，在发光元件20的制造工序中，通过裂开将发光元件20单片化的情况下，有时发光元件20的侧面23相对于第二面22不垂直。一般而言，在沿着图1的A－A线的截面(图2(a))中，发光元件20成为平行四边形。即，第一面21和第二面22平行，相对的两个侧面23平行，成为各侧面23相对于第一面21及第二面22倾斜的发光元件20。一侧面23与第二面22构成的角度成为钝角，故而由该一侧面23反射的光可在朝向发光元件20的第一面21的状态下在发光装置10的外部取出。但是，另一侧面23与第二面22构成的角度成为锐角，故而由该另一侧面23反射的光可朝向第二面22而在发光元件20内衰减。
通过利用透光性部件30覆盖该另一侧面23，能够将到达另一侧面23的光通过透光性部件30在发光装置10的外侧取出。
图3表示为了易于掌握透光性部件30对发光元件20的包覆状态而省略了包覆部件40的状态的发光装置10。另外，为了易于看到发光元件20的第二面22和两个侧面23相接的角部(将其称为“第二面22侧的角部”)，发光元件20以第二面22朝上的方式图示。
透光性部件30未覆盖发光元件20的整个侧面23而部分地覆盖侧面23。因此，具体而言，在处于发光元件20的第二面22侧的角部241、242、243、244的附近，发光元件20的侧面23从透光性部件30露出。另外，通过角部241、242、243、244沿z方向伸长的发光元件20的边(将其称为“第三边231、232、233、234”)也在该角部的附近从透光性部件30露出(参照图3、图2(b))。此外，从透光性部件30露出的侧面23的部分(侧面23的露出部分)由后述的包覆部件40覆盖，故而不在发光装置10的外面露出。
再次参照图2(a)、(b)，包覆部件40覆盖透光性部件30的外面33和发光元件20的侧面23的露出部分(图3)。包覆部件40由热膨胀率的大小关系中满足与透光性部件30及发光元件20规定的关系的材料形成。具体而言，将透光性部件30与发光元件20的热膨胀率差(将其称为“第一热膨胀率差ΔT30”)、包覆部件40和发光元件20的热膨胀率差(将其称为“第二热膨胀率差ΔT40”)比较时，以成为ΔT40＜ΔT30的方式选择包覆部件40的材料。换言之，以覆盖部件的热膨胀率比透光性部件的热膨胀率低的方式选择覆盖部件40的材料。由此，能够抑制透光性部件30从发光元件20剥离。认为能够抑制透光性部件30的剥离的机制如下。
透光性部件30从发光元件20的剥离主要是由于发光元件20点亮时的发热。在发光元件20为半导体发光元件，且透光性部件30为树脂材料的情况下，透光性部件30的热膨胀率(例如，线膨胀系数，杨氏弹性模量等)为发光元件20的热膨胀率的10倍以上。因此，当点亮发光元件20时，由于发光元件20的热膨胀量与透光性部件30的热膨胀量的差，在发光元件20与透光性部件30的界面产生拉伸应力。当熄灭发光元件20时，解除该应力。即，当反复进行发光元件20的点亮和熄灭时，每次点亮时在界面上产生拉伸应力，因此，发光元件20与透光性部件30的界面上的粘接力变弱，最终，透光性部件30从发光元件20剥离。
如上述，透光性部件30是用于将到达发光元件20的侧面23的光在该侧面23反射而在发光元件内衰减之前，将该光通过透光性部件30在发光元件20的外侧取出的部件。因此，当透光性部件30从发光元件20剥离时，发光元件20与透光性部件30的界面的光学特性发生变化。即，到达发光元件20的侧面23的光的一部分未射出至透光性部件30，可在侧面23反射。其结果，在透光性部件30剥离后，通过透光性部件30取出的光量可能比透光性部件30剥离前减少。由此，发光装置10的光取出效率降低，另外，发光装置10的配光特性可能变化。因此，在本发明实施方式的发光装置中，通过使用透光性部件30且抑制透光性部件30从发光元件20剥离，提供长期使用后发光效率和配光特性也不易变化、质量一定的可靠性高的发光装置10。
观察透光性部件30的剥离状态，可知，以发光元件20的第二面22侧的角部241、242、243、244(参照图2(b)、图3)为起点而容易产生剥离。认为这是由于，在发光元件20与透光性部件30的界面产生的拉伸应力集中在角部。特别是，认为发光元件20的第二面22侧形成有半导体层积体28，因此容易产生热，即使发光元件20的角部中，也容易在第二面22侧的角部241、242、243、244产生剥离。而且，在透光性部件30在发光元件20的第二面22侧的角部241、242、243、244未剥离的情况下，即使在发光元件20的侧面23，透光性部件30也不剥离。即，如果能够抑制发光元件20的第二面22侧的角部241、242、243、244的透光性部件30的剥离，能够有效地抑制透光性部件30的剥离。
因此，在本发明的实施方式中，如图1(a)、(b)及图3所示，提供利用透光性部件30覆盖发光元件20的侧面23的大部分来提高光取出效率，且通过利用不易从(代替由透光性部件30覆盖的)发光元件20剥离的部件(包覆部件40)覆盖发光元件20的第二面22侧的角部241、242、243、244，抑制覆盖侧面23的透光性部件30的剥离。如上述，剥离的原因是由于，发光元件20与覆盖发光元件20的部件的热膨胀率差较大。因此，将发光元件20的热膨胀率与透光性部件30的热膨胀率的差即“第一热膨胀率差ΔT30”、发光元件20的热膨胀率与覆盖发光元件20的第二面22侧的角部的包覆部件40的热膨胀率的差即“第二热膨胀率差ΔT40”比较时，为第二热膨胀率差ΔT40＜第一热膨胀率差ΔT30。即，在发光元件20的热膨胀率高时，使覆盖部件40的热膨胀率比透光性部件30的热膨胀率低。由此，在将发光元件20的第二面22侧的角部241、242、243、244由透光性部件30覆盖时，与透光性部件30剥离的概率相比，利用包覆部件40覆盖该角部241、242、243、244时，包覆部件40剥离的概率较低。因此，能够降低覆盖发光元件20的侧面23的透光性部件30剥离的概率。
对于各部件的热膨胀率，发光元件20的热膨胀率例如为7～10ppm/℃。就透光性部件30的热膨胀率而言，在使用树脂材料作为母材的情况下，在玻璃化转变点(Tg)以上的温度条件下，例如为200～300ppm/℃。就包覆部件40的热膨胀率而言，使用树脂材料作为母材的情况下，在玻璃化转变点(Tg)以上的温度条件下，例如为45～100ppm/℃。
作为具体例，就各部件的热膨胀率而言，当设定发光元件20为7ppm/℃，透光性部件30为200ppm/℃，包覆部件40为45ppm/℃时，为第一热膨胀率差ΔT30＝(200－7)＝193ppm/℃、“第二热膨胀率差ΔT40＝(45－7)＝38ppm/℃。因此，满足第二热膨胀率差ΔT40＜第一热膨胀率差ΔT30的关系。
此外，本说明书中“发光元件20的热膨胀率”是指，发光元件20整体的热膨胀率。例如，如图2(a)、(b)所示，在发光元件20包含透光性基板27、半导体层积体28等多个材料的情况下，是指作为它们整体的热膨胀率。
如图3所示，当使发光元件20的第二面22侧的角部241、242、243、244从透光性部件30露出时，角部241、242、243、244附近的发光元件20的侧面23也从透光性部件30露出。到达透光性部件30未接触的侧面23的露出部分的光不能通过透光性部件30从发光装置10取出。因此，从发光装置10的光取出效率的观点来看，侧面23露出部分的面积越小越好。另一方面，侧面23的露出部分由包覆部件40覆盖，因此，从透光性部件30的防剥离的观点来看，露出部分的面积越大越好。因此，能够根据目的对露出部分的配置及形式考虑各种变化。
如图3所示，以发光元件20为在第二面22侧具有四个角部241、242、243、244的大致长方体形状的情况为例进行了变化的说明。在图3的例子中，发光元件20的半导体层积体28包含第一导电型半导体层281、发光层282及第二导电型半导体层283的三个半导体层。在半导体层积体28的侧面露出的三个半导体层281、282、283中，第一导电型半导体层281及发光层282全部被透光性部件30覆盖，仅第二导电型半导体层283的一部分从透光性部件30露出。
在变化的第一例中，能够仅使一个角部(例如，图3的角部244)从透光性部件30露出，将剩余的三个角部241、242、243由透光性部件30覆盖。由此，能够利用扩展到角部241、242、243的透光性部件30覆盖发光元件20的侧面23，故而光取出效率高。从透光性部件30露出的角部244如图2(b)所示，由包覆部件40覆盖，故而在角部244的附近能够抑制透光性部件30从发光元件20剥离。
在变化的第二例中，能够使位于对角的两个角部(例如，图3的角部241、243)从透光性部件30露出，将剩余的两个角部242、244由透光性部件30覆盖。由此，能够利用透光性部件30将发光元件20的侧面23覆盖到角部242、244，因此，光取出效率良好。从透光性部件30露出的角部241、243如图2(b)所示，由包覆部件40覆盖，故而在两个角部241、243的附近能够抑制透光性部件30从发光元件20剥离。此外，在对角配置的两个角部241、243中，在发光元件20与包覆部件40的界面产生的应力被缓和，故而即使是配置在这些角部之间的角部242、244，也能够期待在发光元件20与透光性部件30的界面产生的应力的缓和效果。
在变化的第三例中，能够使邻接的两个角部(例如，图3的角部243、244)从透光性部件30露出，将剩余的两个角部241、242由透光性部件30覆盖。由此，能够利用透光性部件30将发光元件20的侧面23覆盖到角部241、242，因此，光取出效率良好。从透光性部件30露出的角部243、244如图2(b)所示，由包覆部件40覆盖，故而在两个角部243、244的附近能够抑制透光性部件30从发光元件20剥离。此外，此时，对于由两个角部243、244夹持的边223而言，也可以从透光性部件30露出并由包覆部件40覆盖，能够进一步提高剥离抑制效果。
在变化的第四例中，能够使三个角部(例如，图3的角部241、242、243)从透光性部件30露出，将剩余的一个角部244由透光性部件30覆盖。由此，可以利用透光性部件30将发光元件20的侧面23覆盖到角部244，因此，光取出效率良好。从透光性部件30露出的角部241、242、243如图2(b)所示，由包覆部件40覆盖，故而在角部241、242、243的附近能够抑制透光性部件30从发光元件20剥离的效果高。
在变化的第五例中，能够使全部四个角部(图3的角部241、242、243、244)从透光性部件30露出。从透光性部件30露出的角部241、242、243、244如图2(b)所示，由包覆部件40覆盖，因此，在角部241、242、243、244的附近能够抑制透光性部件30从发光元件20剥离的效果特别高。
以全部四个角部241、242、243、244从透光性部件30露出的发光元件20(即，变化的第五例)为例，一边参照图3一边详细叙述利用透光性部件30覆盖的发光元件20的形式。此外，在图3中，将发光元件20的第一面21和侧面23相接的四个边称为“第一边211、212、213、214”，将第二面22和侧面23相接的四个边称为“第二边221、222、223、224”，且将邻接的两个侧面23相接的四个边称为“第三边231、232、233、234”。
包围发光元件20的第一面21的第一边211、212、213、214由透光性部件30覆盖至它们的全长。从第一面21伸长到第二面22的第三边231、232、233、234中，除了第二面22的附近(即，第二面22侧的角部241、242、243、244的附近)以外，大部分由透光性部件30覆盖。包围发光元件20的第二面22的第二边221、222、223、224中，除了第二面22侧的角部241、242、243、244以外的部分(图3中，各边的中点附近)由透光性部件30覆盖，其它部分从透光性部件30露出。通过这样利用透光性部件30覆盖发光元件20，由发光元件20的侧面23的大部分被透光性部件30覆盖，且发光元件20的第二面22侧的角部241、242、243、244露出。
此外，如上述，图3是表示发光元件20的第二面22侧的角部241、242、243、244从透光性部件30全部露出的情况(变化的第五例)的图。因此，在角部的一部分被透光性部件30覆盖的情况下(变化的第一例～第四例)，第二边221、222、223、224、第三边231、232、233、234中，更多的部分被透光性部件30覆盖。例如，当角部244由透光性部件30覆盖时，从角部244伸长的第二边223、224的角部244侧的端部被透光性部件30覆盖。另外，从角部244伸长的第三边234的全长被透光性部件30覆盖。
再次参照图2(a)，覆盖发光元件20的侧面23的透光性部件30也可以超过发光元件20的第一边(图2(a)的标记212、214)而部分地覆盖第一面21或覆盖第一面21的整个面。能够利用透光性部件30保护发光元件20的第一面21。另外，在发光元件20的第一面21侧设置波长变换部件50的情况下，通过在发光元件20的第一面21与波长变换部件50之间设置透光性部件30，能够作为使第一面21和波长变换部件50粘接的粘接部件发挥作用。
在图3中，覆盖发光元件20的侧面23的透光性部件30部分地到达第二边221、222、223、224，但优选以不超过第二边的方式形成。即，如图3所示，透光性部件30的上缘部在角部241、242、243、244的附近位于第二边221、222、223、224的更下侧，除此以外，与第二边一致。这种形状的透光性部件30中，作为透光性部件30的原材料，利用如下原材料，即，使用液状的树脂材料，液状的树脂材料通过表面张力在发光元件20的侧面23进行湿润扩展，从而能够容易地形成。另外，通过在发光元件20的第二面22和侧面23交叉的部分设置台阶差，能够抑制液状的树脂材料超过该台阶差而在第二面22上湿润扩展。这种台阶差能够通过除去例如发光元件20的半导体层积体28的一部分，更优选仅除去靠近发光元件20的第二面22的第二导电型半导体层283的一部分而设置。
透光性部件30尽可能扩展在发光元件20的侧面23露出的发光层282，特别是优选全部覆盖。由此，能够将来自发光层282的发光通过透光性部件30更有效地在发光元件20的外侧取出。
此外，透光性部件30的上缘部不是全部排除超过发光元件20的第二边221、222、223、224。即，也可以使透光性部件30的上缘部超过发光元件20的第二边221、222、223、224，透光性部件30部分地覆盖第二面22。但是，当利用透光性部件30大范围覆盖第二面22时，第二面22和透光性部件30的界面的剥离的问题可能显著化。
如图2(a)、(b)及图3所示，透光性部件30的外面33优选从发光元件20的第二面22侧向第一面21侧朝向外方倾斜。即，在图2(a)、(b)所示的剖面图中，优选透光性部件30的左右的外面33向发光装置10的第一面(发光面)11扩展。从发光元件20的侧面23射出且在透光性部件30中传播的光到达倾斜的外面33。因此，由外面33反射光时，能够使光朝向发光装置10的第一面11的方向。由此，能够提高发光装置10的光取出效率。
在与发光元件20的一个侧面23平行的截面(沿着图1的A－A线的截面，即图2(a))，与该一个侧面23正交的另一侧面23和覆盖该另一侧面23的透光性部件30的外面33构成的角度(将其设为“倾斜角度θ1”)优选处于恰当的范围。具体而言，倾斜角度θ1优选为40°～60°，例如可设为45°。当倾斜角度θ1较大时，透光性部件30的第一面31的外形(在图1中，描绘成大致圆形)变大，光取出效率提高。另一方面，当倾斜角度θ1较小时，第一面31的外形变小，故而能够缩小俯视时的发光装置10的一边的尺寸(即，能够将发光装置10小型化)。当考虑光取出效率和发光装置10的小型化双方时，倾斜角度θ1＝45°最佳。
在俯视下沿着发光元件20的对角线的截面(沿着图1的B－B线的截面，即图2(b))，发光元件20的第三边(图2(b)的标记231、233)和覆盖该第三边的透光性部件30的外面33构成的角度(将其设为“倾斜角度θ2”)比倾斜角度θ1小。即，如图2(a)、(b)所示，成为倾斜角度θ2＜倾斜角度θ1。
此外，在透光性部件30的外面33上，也可以以外面33和发光元件20的第三边231、232、233、234(参照图3)接触的点为起点设置棱线。但是，当在外面33上存在棱线时，从发光元件20的侧面23射入透光性部件30的光在透光性部件30的外面33和包覆部件40的界面(参照图2(a)、(b))上反射时，在棱线的附近，在位于棱线的两侧的面(即，构成棱线的两个面)之间，光可能反复反射。光在反复反射的期间逐渐被吸收，可减弱强度，因此，可导致发光装置10的光取出效率的降低。为了提高光取出效率，优选在透光性部件30的外面不存在棱线，即透光性部件30的外面33由平滑地连续的曲面形成。由此，能够降低在透光性部件30内部的多重反射，提高发光装置10的光取出效率。
透光性部件30的外面33也可以在图2(a)、(b)所示的剖面图中为直线状，但也可以是曲线状。在此，“曲线状”也可以是向外(包覆部件40侧)凸的曲线和向内(发光元件20侧)成凸状的曲线的任意曲线。从光取出效率的观点来看，外面33优选为向外成凸状的曲线。
此外，剖面图中向外凸的曲线状的外面33在立体图中成为图3那样的穹顶状。另外，剖面图中向内凸的曲线状的外面33成为图20那样的喇叭状(Flare)。
在发光元件20包含透光性基板27和半导体层积体28的情况下，如图2所示，能够将透光性基板27配置在发光元件20的第一面21侧，将半导体层积体28配置在第二面22侧。发光元件20点亮时，在半导体层积体28所包含的发光层(图3的标记282)引起发热，故而在半导体层积体28侧的附近，透光性部件30容易从发光元件20剥离。如图2(b)所示，在发光元件20的第二面22侧，发光元件20的角部(图2(b)中，标记241、243)从透光性部件30露出，被包覆部件40覆盖。由此，在发光元件20的第二面22侧，抑制透光性部件30从发光元件20剥离。因此，通过在发光元件20的第二面22侧配置成为剥离的原因的发热的产生源即半导体层积体28，能够有效地抑制透光性部件30的剥离。
图4是从第二面12侧观察发光装置10的图。发光元件20的一对电极251、252从包覆部件40露出，在发光装置10的第二面(下面)12上露出。由此，能够将设于安装发光元件20的基板等的外部电极和发光元件20的电极251、252连接。此外，发光元件20中，为了保护发光元件20免于受到外部环境的影响，将第二面22的设有电极251、252的部分以外的部分由包覆部件40覆盖。
由包覆部件40覆盖发光元件20的第二面22时，使在发光元件20的第二面22形成的电极251、252在发光装置10的表面(第二面12)露出。例如，电极251、252的侧面(图3的标记251c、252c)也可以被包覆部件40覆盖，但电极251、252的表面251s、252s以不被包覆部件40覆盖的方式调节包覆部件40的厚度。此外，电极的表面251s、252s既可以从包覆部件40突出，也可以大致共面(参照图2(a))。
再次参照图2(a)、(b)，如上述，发光装置10能够在第一面11侧包含波长变换部件50。波长变换部件50是用于将透过的光的一部分变换成另一波长的部件。波长变换部件50含有由透过的光激发的荧光体。发光装置10具备波长变换部件50，由此，能够得到具有与发光元件20的发光色不同的发光色的发光装置10。例如，通过组合发出蓝色光的发光元件20和吸收蓝色光并发出黄色的荧光的波长变换部件50，能够得到发出白色光的发光装置10。
波长变换部件50优选以覆盖发光元件20的第一面21和透光性部件30的第一面31的方式设置。由发光元件20产生的光从发光元件20的第一面21直接取出，或从发光元件20的侧面23射出并通过透光性部件30而从透光性部件30的第一面31间接地取出。因此，通过以覆盖发光元件20的第一面21和透光性部件30的第一面31的方式配置波长变换部件50，能够使由发光元件20产生的实质上全部的光通过波长变换部件50。即，实质上不存在不通过波长变换部件50的光，因此，能够抑制发光装置10的发光不均。
＜第一制造方法＞
接着，参照图5说明本实施方式的发光装置10的第一制造方法。
工序1－1.发光元件20的固定
在波长变换部件50上配置发光元件20(图5(a))。此时，将发光元件20的第一面21与波长变换部件50的第二面52面对面配置。发光元件20能够利用透光性的粘接剂等固定在波长变换部件50上。也可以代替使用粘接剂，发光元件20利用后面形成的透光性部件30固定在波长变换部件50上。另外，在波长变换部件50自身具有粘接性的情况下(在为半固化状态等的情况下)，也可以不使用粘接剂进行固定。
工序1－2.透光性部件30的形成
以覆盖发光元件20的侧面23的一部分和波长变换部件50的第二面52中发光元件20的附近区域的方式形成透光性部件30(图5(b))。在透光性部件30由透光性树脂材料形成的情况下，使用分配器等将成为透光性部件30的原材料的液状树脂材料30L沿着发光元件20的第一边(图5(b)的标记212、214和波长变换部件50的边界进行涂敷。液状树脂材料30L在波长变换部件50上扩展，并且通过表面张力爬上发光元件20的侧面23。然后，通过加热等使液状树脂材料30L固化，得到透光性部件30。
液状树脂材料30L爬上发光元件20的距离能够通过调节液状树脂材料30L的粘度及涂敷量进行控制。例如，在图3所示的透光性部件30中，液状树脂材料30L爬上发光元件20的侧面23，与第二边221、222、223、224的一部分接触。但是，液状树脂材料在第三边231、232、233、234上爬上到中途，未到达发光元件20的角部241、242、243、244。如图3所示的方式那样，通过调节液状树脂材料30L的粘度及涂敷量，能够使发光元件20的角部241、242、243、244从透光性部件30露出。液状树脂材料30L的粘度能够通过填料等的添加进行调节。
当由液状树脂材料30L形成透光性部件30时，通过表面张力，使透光性部件30的外面33向Z方向，向外(即，远离发光元件20的侧面23的方式的方向)倾斜(图5(b))。
工序1－3.包覆部件40的形成
将透光性部件30的外面33和波长变换部件50的第二面52中未由透光性部件30覆盖的部分(即，第二面52露出的部分)利用包覆部件40覆盖。另外，发光元件20的第二面22中，未由电极251、252覆盖的部分(即，第二面22露出的部分)也可以由包覆部件40覆盖。此时，优选以电极251、252的一部分(例如，电极251、252的表面251s、252s)从包覆部件40露出的方式调节包覆部件40的厚度(－Z方向的尺寸)。即，以波长变换部件50的第二面52为基准时，包覆部件40的第二面42的高度也可以设为电极251、252的表面251s、252s的高度以下。
在包覆部件40由树脂材料形成的情况下，例如设置包围发光元件20和透光性部件30的模板，使成为包覆部件40的原材料的液状树脂材料40L流入模板内。此时，通过在波长变换部件50的外周嵌入模框，能够将波长变换部件50用作模框的底部(参照图5(c))。然后，通过加热等使液状树脂材料40L固化，得到包覆部件40。通过卸下模框，能够得到图1、图2及图4所示那样的发光装置10。此外，包覆部件40也可以通过喷雾涂敷、压缩成形等各种方法形成。另外，也可以在以埋入电极251、252的方式形成包覆部件后，仅将包覆部件40或将包覆部件40和电极251、252的一部分除去，使电极251、252露出。
＜第二制造方法＞
参照图6～图10说明本实施方式的发光装置10的第二制造方法。在第二制造方法中，能够同时制造多个发光装置10。
工序2－1.发光元件20的固定
在波长变换片材500的第二面520上配置发光元件20(图6(a)、图9(a))。波长变换片材500在针对各发光装置10单片化之后，成为波长变换部件50。此时，使用比较大的波长变换片材500，在一张波长变换片材500上配置多个发光元件20。邻接的发光元件20隔开规定的间隔配置。此外，当邻接的发光元件20的间隔过宽时，可同时形成的发光装置10的个数减少，发光装置10的量产效率变差，因此，发光元件20优选以适当的间隔配置。发光元件20通过与第一制造方法的工序1－1.中说明的固定方法相同的固定方法，固定在波长变换片材500的规定位置。
工序2－2.透光性部件30的形成
与第一制造方法的工序1－2.同样地，在各发光元件20的周围形成透光性部件30(图6(b)、图9(b))。以形成于某发光元件20的周围的透光性部件30和在与该发光元件20邻接配置的发光元件20的周围形成的透光性部件30不接触的方式形成透光性部件30。
工序2－3.包覆部件400的形成
与第一制造方法的工序1－3.同样地，将透光性部件30的外面33和波长变换片材500的第二面520由包覆部件400覆盖(图7(a)、图9(c))。包覆部件400在针对各发光装置10单片化之后，成为包覆部件40。工序2－3.与工序1－3.不同，以也覆盖发光元件20的电极251、252的表面251s、252s的方式调节包覆部件400的厚度(－z方向的尺寸)。此时，在配置于波长变换片材500上的多个发光元件20的周围设置的多个透光性部件30由连续的一个包覆部件400覆盖。
然后，以发光元件20的电极251、252露出的方式，通过公知的加工方法减薄包覆部件400的厚度(图7(b)、图10(a))。
工序2－4.发光装置10的单片化
沿着通过邻接的发光元件20的中间的虚线X1、虚线X2、虚线X3及虚线X4(图7(b)、图10(a))，利用切割机等切断包覆部件400和波长变换片材500。由此，针对各个发光装置10进行单片化(图8、图10(b))。这样，能够同时制造多个包含一个发光元件20的发光装置10。
此外，在单片化的发光装置10中，当透光性部件30在发光装置10的侧面13(包覆部件40的侧面40c)露出时，来自发光元件20的发光通过透光性部件30从发光装置10的侧面13向横方向泄露。因此，优选以透光性部件30不从发光装置10的侧面13露出的方式调节邻接的发光元件20间的间隔或透光性部件30的粘度等。
＜第三制造方法＞
参照图11～图12说明本实施方式的发光装置10的第三制造方法。在第三制造方法中，能够同时制造多个发光装置10。此外，对与第二制造方法相同的工序省略说明。
工序3－1.透光性部件30的配置
在波长变换片材500的第二面520上，将用于形成透光性部件30的液状树脂材料300涂敷成分离的多个岛状(图11(a)、12(a))。此时，使用比较大的波长变换片材500，在一张波长变换片材500上配置多个岛状的液状树脂材料300。岛状设置的各液状树脂材料300俯视可形成任意的形状，例如可举出圆形、椭圆形、正方形、长方形。此外，当邻接的岛状的液状树脂材料300的间隔过宽时，可同时形成的发光装置10的个数减少，发光装置10的量产的效率变差，因此，液状树脂材料300优选以适当的间隔配置。
工序3－2.发光元件20的固定和液状树脂材料300的固化
如图11(b)、图12(b)所示，在岛状的各液状树脂材料300上配置发光元件20。仅将发光元件20配置在岛状的液状树脂材料300上，或配置后按压发光元件20，从而，液状树脂材料300通过表面张力向发光元件20的侧面23爬上，液状树脂材料300的外面303(后面的透光性部件30的外面33)成为向下扩展的形状。然后，通过将液状树脂材料300固化而形成透光性部件30。
液状树脂材料300的俯视形状通过发光元件20的配置或按压而变形，成为与作为成品的发光装置10具备的透光性部件30的第一面31(参照图1、图2)的外形大致一致的形状。
此外，在该制造方法中，液状树脂材料300在波长变换片材500与发光元件20之间膜状地存在。将该膜状的液状树脂材料300固化而形成的膜状的透光性部件30t也可作为波长变换片材500和发光元件20的粘接剂发挥作用。膜状的透光性部件30t的厚度优选考虑粘接性和发光装置10的散热性来决定。具体而言，在使发光装置10发光时，为了能够使来自波长变换部件500的发热有效地向发光元件20侧传递，膜状的透光性部件30t的厚度可设为例如2～30μm，优选为4～20μm，最优选为5～10μm左右。
然后，与第二制造方法的工序2－3.同样地形成包覆部件400，与工序2－4.同样地将发光装置10单片化。由此，能够同时制造多个包含一个发光元件20的发光装置10。
如上述，根据该制造方法，在波长变换片材500上岛状涂敷液状树脂材料300，然后在其上配置发光元件20，由此，能够同时进行发光元件20的粘接和透光性部件30的形成。由此，能够提高量产性。
＜第四制造方法＞
参照图13～图14说明本实施方式的发光装置10的第四制造方法。在第四制造方法中，能够同时制造多个发光装置10。
工序4－1.发光元件20的固定
在由耐热性片材等构成的支承部件60的上面60a上配置发光元件20(图13(a))。此时，使用比较大的支承部件60在一张支承部件60上配置多个发光元件20。与第二制造方法的工序2－1同样地，邻接的发光元件20隔开规定的间隔配置。发光元件20通过与第一制造方法的工序1－1.中说明的固定方法相同的固定方法固定在支承部件60的规定位置。
工序4－2.透光性部件30的形成
与第一制造方法的工序1－2.同样地，在各发光元件20的周围形成透光性部件30(图13(b))。以形成于某发光元件20的周围的透光性部件30和在与该发光元件20邻接配置的发光元件20的周围形成的透光性部件30不接触的方式形成透光性部件30。
工序4－3.包覆部件400的形成
通过与第一制造方法的工序1－3.相同的方法，利用包覆部件400覆盖透光性部件30的外面33和支承部件60的上面60a(图13(c))。包覆部件400在针对各发光装置10单片化之后，成为包覆部件40。在配置于支承部件60上的多个发光元件20的周围设置的多个透光性部件30由连续的一个包覆部件400覆盖。
工序4－4.波长变换层510的形成
除去(剥离)支承部件60，使发光元件20的第一面21和包覆部件400的第一面400a露出(图14(a))。然后，形成发光元件20的第一面21和包覆部件400的第一面400a(以下，称为“第一面21、400a”)覆盖的波长变换层510。波长变换层510在针对各发光装置10单片化之后，成为波长变换部件50。作为波长变换层510的形成方法，可举出：将由包含荧光体的透光性树脂构成的片材通过热熔或粘接剂与第一面21、400a粘接的方法；通过电泳沉积法在第一面21、400a上附着荧光体后使透光性树脂含浸于该附着的荧光体上的方法；通过浇注、传递模塑成形、压缩成形、铸件的成形、喷雾法、静电涂敷法、印刷法等已知的技术将包含荧光体的透光性树脂涂敷在第一面21、400a的方法。这些方法中，优选喷雾法，特别优选间歇性地喷射喷雾的脉冲喷雾法。
工序4－5.发光装置10的单片化
与第二制造方法的工序2－4同样地，沿着通过邻接的发光元件20的中间的虚线X1及虚线X2，利用切割机等将包覆部件400和波长变换层510切断(图14(b))。由此，针对各个发光装置10进行单片化(图14(c))。这样，能够同时制造多个包含一个发光元件20的发光装置10。
＜实施方式2＞
如图15所示，与实施方式1的发光装置10相比，本实施方式的发光装置15在波长变换部件501的侧面501b被包覆部件403覆盖的方面和包覆部件403为双层结构的方面不同。其它方面与实施方式1相同。
本实施方式的发光装置15包含发光元件20、覆盖发光元件20的第一面21的波长变换部件501、设于发光元件20的侧面23侧的透光性部件30、覆盖透光性部件30的外面33的包覆部件403。在本实施方式中，包覆部件403包含覆盖波长变换部件501的侧面501b的第一包覆部件401和覆盖透光性部件30的外面33的第二包覆部件402。
通过利用包覆部件403(第一包覆部件401)覆盖波长变换部件501的侧面501b，能够抑制来自发光元件20的发光在波长变换部件501的内部传播并从侧面501b向横方向漏出。来自发光装置15的发光的大部分从作为发光装置15的发光面发挥作用的第一面(上面)16取出。即，来自发光装置15的光向大致z方向射出，故而能够提高发光装置15的光的指向性。
接着，参照图16～图17对发光装置15的制造方法进行说明。
工序A.波长变换部件501的形成
在由耐热性片材等构成的第一支承部件61上形成用于形成第一包覆层401的包覆材料层404(图16(a))。然后，通过在包覆部件404上设置多个贯通孔409，得到框部件405(图16(b))。从z方向观察时的、框部件405的贯通孔409的内面的尺寸及形状与图15(a)所示的发光装置15的平面图中的波长变换部件501的外形的尺寸及形状相同。此外，形成贯通孔409时，以贯通包覆材料层404且不贯通第一支承部件61的方式形成。
向各贯通孔409中浇注含有荧光体的透光性树脂(固化前的液状树脂材料)502L(图16(b))。然后，通过加热使透光性树脂502L固化，形成含荧光体部件502(图16(c))。将比图16(c)的Ct－Ct线(虚线)靠上侧的“含荧光体部件502的上侧部分”和“框部件405的上侧部分”通过切削加工等除去。由此，形成包含含荧光体部件502的下侧部分(波长变换部件501)和框部件405的下侧部分(以下称为“薄形框部件406”)的片材状部件(图16(d))。薄形框部件406成为后面图15(b)所示的第一包覆部件401。接着，将片材状部件(波长变换部件501和薄形框部件406)转印至由耐热性片材等构成的第二支承部件62上(图16(e))。此外，片材状部件的转印也可以省略。
工序B.发光元件20的固定
在各波长变换部件501的露出面501x上固定发光元件20(图17(a))。发光元件20的固定方法与实施方式1的工序1－1.中说明的固定方法同样。
工序C.透光性部件30的形成
与实施方式1的工序1－2.同样地，在发光元件20的周围涂敷成为透光性部件30的原材料的液状的树脂材料30L(图17(b))。通过加热等使液状树脂材料30L固化而得到透光性部件30。此外，涂敷的液状的树脂材料30L沿着波长变换部件501的露出面501x扩展，但到达波长变换部件501和薄形框部件406的边界线时，由于束缚效果，难以进一步扩展。因此，在本实施方式的发光装置15中，容易控制透光性部件30的形式。如图15(a)所示，透光性部件30不会到达波长变换部件501的四角部分501e(阴影的部分)。因此，四角部分501e从透光性部件30露出。
工序D.包覆部件407的形成
通过与实施方式1的工序1－3.相同的方法，利用包覆部件407覆盖透光性部件30的外面33、波长变换部件501的四角部分(图15(a)的标记501e)、包围波长变换部件501的薄形框部件406的第二面406b(图17(c))。包覆部件407针对各发光装置15单片化之后，成为第二包覆部件402。设于多个发光元件20的周围的多个透光性部件30由连续的一个包覆部件407覆盖。此外，如图15(a)所示，波长变换部件501除了四角部分501e以外被透光性部件30覆盖。因此，波长变换部件501中，仅将未由透光性部件30覆盖的四角部分501e由包覆部件407覆盖(图15(c))。
工序E.发光装置15的单片化
沿着通过邻接的发光元件20的中间的虚线X5及虚线X6，利用切割机等切断包覆部件407、薄形框部件406和第二支承部件62。最后，通过除去(剥离)第二支承部件62而得到发光装置15。此外，也可以在切断前除去第二支承部件62，然后切断包覆部件407和薄形框部件406。
＜实施方式3＞
在本实施方式中，发光装置所包含的发光元件的电极的形状与实施方式1的发光元件20的电极251、252的形状不同。除此以外的发光装置的构成与实施方式1相同。
图18是本实施方式的发光装置17的立体图。发光装置17所包含的发光元件207包含半导体层积体28和一对电极257、258。发光装置17的第二面(下面)172中，一对电极257、258的表面257s、258s从包覆部件40露出。
在本实施方式中，第一电极257的表面257s和第二电极258的表面258s形成不同的形状。第一电极257的表面257s为沿一方向(y方向)伸长的长方形。第二电极258的表面258s为在与第一电极257相对的边258L上交替配置多个凸部258a和多个凹部258b的梳状形状。凹部258b由包覆部件40埋入。由此，能够提高发光元件207和包覆部件40的紧密贴合性。
凸部258a及凹部258b的形状能够形成任意的形状。例如在图18中，凹部258b的形状形成由从边258L向x方向伸长的带状部分和设于带状部分的端部的圆形部分构成的形状。在形成两个以上的凹部258b的情况下，凹部258b的形状既可以如图18所示地全部设为相同的形状，也可以将一部分或全部设为不同的形状。在形成三个以上凹部258b的情况下，邻接的凹部258b的间隔也可以如图18所示全部相等，但也可以不同。
图19是省略了图18中图示的包覆部件40的状态的发光装置17的平面图，图20是省略了包覆部件40的状态的发光装置17的立体图。如图19及图20所示，发光元件207可以在第二面207b侧、更详细地在发光元件207的半导体层积体28的第二半导体层283侧(参照图20、图3)具备反射膜29。反射膜29可以由例如Ag或Al等光反射率较高的金属或电介质多层膜等材料形成。通过具备反射膜29，能够将射向第二面207b方向的光向第一面207a方向反射。
如图19所示，发光元件207由于制造工序上的原因，有时在透光性基板27的角部未形成有半导体层积体28及反射膜29。未形成有反射膜29的透光性基板27的角部优选由包覆部件40覆盖，通过将射向透光性基板27的角部的光在透光性基板27和包覆部件40的界面反射，可有助于发光装置17的光取出效率的提高。
以下，对适于实施方式1～3的发光装置10的各构成部件的材料等进行说明。
(发光元件20、207)
作为发光元件20、207，能够使用例如发光二极管等半导体发光元件。半导体发光元件能够包含透光性基板27和形成于该基板上的半导体层积体28。
(透光性基板27)
发光元件20、207的透光性基板27可以使用例如蓝宝石(Al2O3)、尖晶石(MgA12O4)那样的透光性的绝缘性材料或使来自半导体层积体28的发光透过的半导体材料(例如，氮化物类半导体材料)。
(半导体层积体28)
半导体层积体28包含多个半导体层。作为半导体层积体28的一例，能够包含第一导电型半导体层(例如n型半导体层)281、发光层(活性层)282及第二导电型半导体层(例如p型半导体层)283的三个半导体层(参照图3)。半导体层可以由例如III－V族化合物半导体、II－VI族化合物半导体等半导体材料形成。具体而言，可以使用InXAlYGa1－X－YN(0≤X，0≤Y，X+Y≤1)等氮化物类的半导体材料(例如InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等)。
(电极251、252、257、258)
作为发光元件20、207的电极251、252、257、258，能够使用电的良导体，例如优选为Cu等金属。
(透光性部件30)
透光性部件30能够由透光性树脂、玻璃等透光性材料形成。作为透光性树脂，特别优选为硅树脂、硅改性树脂、环氧树脂、苯酚树脂等热固化性的透光性树脂。透光性部件30与发光元件20的侧面23接触，故而在点亮时，容易受到发光元件20产生的热的影响。热固化性树脂的耐热性优良，故而适于透光性部件30。此外，优选透光性部件30的光的透过率较高。因此，优选通常不向透光性部件30中添加反射、吸收或散射光的添加物。但是，为了赋予期望的特性，也有时优选向透光性部件30中添加添加物。例如，为了调整透光性部件30的折射率，或为了调整固化前的透光性部件(液状树脂材料300)的粘度，也可以添加各种填料。
在发光装置10的俯视下，透光性部件30的第一面31的外形至少比发光元件20的第二面22的外形大。透光性部件30的第一面31的外形可以设为各种形状，例如，能够设为图21(a)所示那样的圆形、图15(a)所示那样的圆角的四边形及椭圆形、正方形、长方形等形状。
特别是如图21(a)所示，对于俯视下的透光性部件30的第一面31的尺寸(从发光元件20的第一面21的外形到透光性部件30的第一面31的外形的距离)而言，当比较发光元件20的对角线上的尺寸30D和从发光元件20的侧面23的中心到与该侧面23垂直的线上的尺寸30W时，优选为尺寸30D＜尺寸30W。为了满足该尺寸条件，透光性部件30的第一面31的形状优选设为圆形、椭圆形或圆角的四边形。
另外，透光性部件30的第一面31的外形形状也可以基于其它条件决定。例如，在使发光装置10与光学透镜(二次透镜)组合使用的情况下，优选将第一面31的外形设为圆形时，从发光装置10射出的发光也接近圆形，故而利用光学透镜容易聚光。另一方面，在期望发光装置10的小型化的情况下，优选将第一面31的外形设为圆角的四边形，可缩小尺寸30W，因此，能够缩小发光装置10的上面11的尺寸。
一般而言，考虑到利用光学透镜容易聚光和发光装置10的小型化，优选尺寸30D和尺寸30W的比率为30D/30W＝2/3～1/2。
另外，如21(a)、图21(b)所示，当将从发光元件20的第一面21到第二面22的尺寸设为“发光元件20的厚度20T”时，尺寸30W和厚度20T可在tanθ1＝30W/20T的关系上近似。因此，在例如30W＝250μm、20T＝150μm的的情况下，倾斜角度θ1＝59°，能够提高光取出效率。
如上述，倾斜角度θ1优选为40°～60°，因此，如果决定使用的发光元件20的厚度20T，则也能够决定优选的30W的范围。
(包覆部件40、403)
包覆部件40、403由相对于透光性部件30及发光元件20的热膨胀率的关系为规定的关系那样的材料形成。即，包覆部件40、403中，以包覆部件40、403和发光元件20的热膨胀率差ΔT40比透光性部件30和发光元件20的热膨胀率差ΔT30小的方式选择材料。例如，在发光元件20包含蓝宝石的透光性基板27和由GaN类半导体构成的半导体层积体28的情况下，发光元件20的热膨胀率大致为5～9×10－6/K。另一方面，在将透光性部件30由硅树脂形成的情况下，透光性部件30的热膨胀率为2～3×10－5/K。因此，包覆部件40、403利用热膨胀率比硅树脂小的材料形成，由此，能够设为ΔT40＜ΔT30。
在包覆部件40、403使用树脂材料的情况下，一般而言，热膨胀率成为10－5/K级，比一般的发光元件20的热膨胀率大十倍。但是，通过向树脂材料中添加填料等，能够降低树脂材料的热膨胀率。例如，通过向硅树脂中添加二氧化硅等填料，与添加填料之前的硅树脂相比，能够降低热膨胀率。
作为可用于包覆部件40、403的树脂材料，特别优选为硅树脂、硅改性树脂、环氧树脂、苯酚树脂等热固化性的透光性树脂。
包覆部件40、403能够由反光性树脂形成。反光性树脂是指，相对于来自发光元件20的光的反射率为70％以上的树脂材料。到达包覆部件40、403的光被反射并射向发光装置10的第一面11(发光面)，由此，能够提高发光装置10的光取出效率。
作为反光性树脂，可使用例如向透光性树脂中分散有反光性物质的树脂。作为反光性物质，例如优选为氧化钛、二氧化硅、二氧化钛、二氧化锆、钛酸钾、氧化铝、氮化铝、氮化硼、莫来石等。反光性物质可利用粒状、纤维状、薄板片状等，特别是纤维状的物质也可期待降低包覆部件40、403的热膨胀率的效果，故而优选。
(波长变换部件50)
波长变换部件50包含荧光体和透光性材料。作为透光性材料，可使用透光性树脂、玻璃等。特别优选透光性树脂，可以使用硅树脂、硅改性树脂、环氧树脂、苯酚树脂等热固化性树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、甲基戊烯树脂、聚降冰片烯树脂等热塑性树脂。特别优选为耐光性、耐热性优异的硅树脂。
荧光体可使用通过来自发光元件20的发光可激发的荧光体。例如，作为通过蓝色发光元件或紫外线发光元件可激发的荧光体，可举出：利用铈激活的钇·铝·石榴石类荧光体(Ce：YAG)；利用铈激活的镥·铝·石榴石类荧光体(Ce：LAG)；利用铕及/或铬激活的含氮铝硅酸钙系荧光体(CaO－Al2O3－SiO2)；利用铕激活的硅酸盐类荧光体((Sr，Ba)2SiO4)；β塞隆荧光体、CASN类荧光体、SCASN类荧光体等氮化物类荧光体；KSF类荧光体(K2SiF6：Mn)；硫化物类荧光体、量子点荧光体等。通过组合这些荧光体和蓝色发光元件或紫外线发光元件，能够制造各种颜色的发光装置(例如白色系的发光装置)。
为了调整粘度等，波长变换部件50中也可以含有各种填料等。
此外，也可以代替波长变换部件50，发光元件的表面由不含有荧光体的透光性的材料包覆。另外，为了调整粘度等，该透光性的材料中也可以含有各种填料等。
以上，对本发明的一些实施方式进行了示例，但本发明不限于上述的实施方式，显然只要不脱离本发明的宗旨，就可以设为任意方式。
Claims (14)
1.一种发光装置，其具有：
发光元件，其具有第一面、与所述第一面相对的第二面、在所述第一面与所述第二面之间的多个侧面，并且具有多个所述第二面和所述多个侧面中的两个面相接的角部，在所述第二面侧具有一对电极；
透光性部件，其以使多个所述角部的一个以上露出的方式覆盖至少一个所述侧面的一部分、和该至少一个侧面与所述第二面相接的边的一部分；
包覆部件，其以使所述一对电极露出的方式覆盖所述发光元件的露出的所述角部和所述透光性部件的外面，
所述包覆部件与所述发光元件的热膨胀率差比所述透光性部件与所述发光元件的热膨胀率差小。
2.一种发光装置，其具有：
发光元件，其具有第一面、与所述第一面相对的第二面、在所述第一面与所述第二面之间的多个侧面，并且具有多个所述第二面和所述多个侧面中的两个面相接的角部，在所述第二面侧具有一对电极；
透光性部件，其以使多个所述角部的一个以上露出的方式覆盖至少一个所述侧面的一部分、和该至少一个侧面与所述第二面相接的边的一部分；
包覆部件，其以使所述一对电极露出的方式覆盖所述发光元件的露出的所述角部和所述透光性部件的外面，
所述包覆部件的热膨胀率比所述透光性部件的热膨胀率低。
3.如权利要求1或2所述的发光装置，其中，
所述透光性部件的所述外面从所述发光元件的所述第二面侧朝向所述第一面侧且向外倾斜。
4.如权利要求1～3中任一项所述的发光装置，其中，
所述发光元件为具有四个所述角部的大致长方体形状，
所述四个角部中，位于对角的两个角部被所述包覆部件覆盖。
5.如权利要求1～3中任一项所述的发光装置，其中，
所述发光元件为具有四个所述角部的大致长方体形状，
所述四个角部中的邻接的两个角部和该邻接的两个角部之间的边的一部分被所述包覆部件覆盖。
6.如权利要求4或5所述的发光装置，其中，
所述四个角部的全部被所述包覆部件覆盖。
7.如权利要求1～6中任一项所述的发光装置，其中，
所述发光元件包含透光性基板和半导体层积体，
所述透光性基板配置在所述发光元件的所述第一面侧，所述半导体层积体配置在所述第二面侧。
8.如权利要求1～7中任一项所述的发光装置，其中，
所述透光性部件由透光性树脂构成，所述包覆部件由反光性树脂构成。
9.如权利要求1～8中任一项所述的发光装置，其中，
所述透光性部件具有与所述发光元件的所述第一面共面的第一面，
所述发光元件的所述第一面和所述透光性部件的所述第一面被波长变换部件覆盖。
10.如权利要求1～9中任一项所述的发光装置，其中，
所述发光元件的所述第一面被所述透光性部件覆盖。
11.一种发光装置的制造方法，其中，具有如下的工序：
准备波长变换部件；
以发光元件的第一面与所述波长变换部件的第二面相对的方式将所述发光元件配置在所述波长变换部件之上；
以覆盖所述发光元件的侧面的一部分并且使所述发光元件的至少一个角部露出的方式形成透光性部件；
以将所述透光性部件的外面、及从所述透光性部件露出的所述发光元件的所述至少一个角部覆盖的方式形成包覆部件。
12.如权利要求11所述的发光装置的制造方法，其中，
形成所述透光性部件的工序包括：
将液状树脂材料配置在所述波长变换部件之上；
将所述发光元件配置在所述液状树脂材料之上；以及
使所述液状树脂材料固化而成为所述透光性部件。
13.如权利要求11或12所述的发光装置的制造方法，其中，
准备所述波长变换部件的工序包括：
在包覆材料层设置贯通孔；
在所述贯通孔中形成含荧光体部件。
14.如权利要求11～13中任一项所述的发光装置的制造方法，其中，
所述包覆部件与所述发光元件的热膨胀率差比所述透光性部件与所述发光元件的热膨胀率之差小。
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109616567A (zh) * | 2017-09-29 | 2019-04-12 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置 |
| CN110010745A (zh) * | 2017-12-25 | 2019-07-12 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置以及发光装置的制造方法 |
| CN110021697A (zh) * | 2017-12-04 | 2019-07-16 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 用于制造光电子组件的方法和光电子组件 |
| CN110140218A (zh) * | 2017-02-02 | 2019-08-16 | 首尔半导体株式会社 | 发光二极管单元 |
| CN110494991A (zh) * | 2017-04-04 | 2019-11-22 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 制造多个发射辐射的半导体器件的方法和发射辐射的半导体器件 |
| CN110494996A (zh) * | 2017-04-04 | 2019-11-22 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 制造多个发射辐射的半导体器件的方法和发射辐射的半导体器件 |
| CN110794614A (zh) * | 2018-08-03 | 2020-02-14 | 日亚化学工业株式会社 | 发光模块 |
| CN110943148A (zh) * | 2018-09-25 | 2020-03-31 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置的制造方法以及发光装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017013869A1 (ja) | 2015-07-22 | 2017-01-26 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光装置及び発光モジュール |
| JP6974324B2 (ja) * | 2015-12-29 | 2021-12-01 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | 側面反射器と蛍光体とを備えるフリップチップｌｅｄ |
| JP7011143B2 (ja) * | 2016-11-30 | 2022-01-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| JP6776855B2 (ja) * | 2016-12-06 | 2020-10-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| US10522728B2 (en) | 2017-01-26 | 2019-12-31 | Maven Optronics Co., Ltd. | Beveled chip reflector for chip-scale packaging light-emitting device and manufacturing method of the same |
| JP6729525B2 (ja) * | 2017-09-14 | 2020-07-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| JP6806042B2 (ja) | 2017-11-28 | 2021-01-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| US10461231B2 (en) | 2018-02-27 | 2019-10-29 | Lumens Co., Ltd. | Method for fabricating LED package |
| KR102527384B1 (ko) | 2018-03-09 | 2023-04-28 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법 |
| JP6760321B2 (ja) | 2018-03-20 | 2020-09-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
| JP7037052B2 (ja) * | 2018-04-20 | 2022-03-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
| JP2019201089A (ja) * | 2018-05-15 | 2019-11-21 | マブン オプトロニックス カンパニー リミテッドＭａｖｅｎ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | チップスケールパッケージング発光素子の斜角チップ反射器およびその製造方法 |
| JP7208478B2 (ja) | 2018-09-28 | 2023-01-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| JP7299492B2 (ja) * | 2018-10-15 | 2023-06-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光モジュール |
| JP7007598B2 (ja) * | 2018-12-14 | 2022-02-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、発光モジュール及び発光装置の製造方法 |
| US11594662B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-28 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010219324A (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Nichia Corp | 発光装置 |
| CN102290500A (zh) * | 2010-06-16 | 2011-12-21 | 斯坦雷电气株式会社 | 发光装置及其制造方法 |
| WO2013005646A1 (ja) * | 2011-07-01 | 2013-01-10 | シチズンホールディングス株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
| US20140131753A1 (en) * | 2012-11-09 | 2014-05-15 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light emitting device and light emitting device |
| US20140291716A1 (en) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2014207349A (ja) * | 2013-04-15 | 2014-10-30 | パナソニック株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3303162B2 (ja) * | 1998-11-30 | 2002-07-15 | 日本特殊陶業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2001144423A (ja) * | 1999-11-15 | 2001-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バンプ付きワークの実装方法および実装構造 |
| JP4180537B2 (ja) * | 2003-10-31 | 2008-11-12 | シャープ株式会社 | 光学素子の封止構造体および光結合器ならびに光学素子の封止方法 |
| JP2005311321A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-11-04 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法、並びに、該半導体装置を備えた液晶モジュールおよび半導体モジュール |
| DE112006000694B4 (de) * | 2005-03-24 | 2013-10-17 | Kyocera Corp. | Gehäuse für Lichtemissionsvorrichtung, lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung |
| JP2008186946A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-08-14 | Toshiba Corp | 光半導体装置及びその製造方法 |
| JP4957394B2 (ja) * | 2007-06-04 | 2012-06-20 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品及びその製造方法 |
| JP5294579B2 (ja) * | 2007-06-28 | 2013-09-18 | 株式会社豊田中央研究所 | セラミックセンサ |
| US20110024890A1 (en) * | 2007-06-29 | 2011-02-03 | Stats Chippac, Ltd. | Stackable Package By Using Internal Stacking Modules |
| JP2010114141A (ja) * | 2008-11-04 | 2010-05-20 | Sharp Corp | 受光・発光一体型光半導体装置および電子機器 |
| JP5521325B2 (ja) * | 2008-12-27 | 2014-06-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| JP5680472B2 (ja) * | 2011-04-22 | 2015-03-04 | シチズンホールディングス株式会社 | 半導体発光装置の製造方法 |
| JP5777952B2 (ja) * | 2011-06-28 | 2015-09-09 | シチズン電子株式会社 | 発光装置とその製造方法 |
| KR20130081515A (ko) * | 2012-01-09 | 2013-07-17 | 삼성전자주식회사 | Ｌｅｄ 패키지용 기판 및 ｌｅｄ 패키지 제조방법 |
-
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-
2018
- 2018-01-16 JP JP2018004933A patent/JP6724933B2/ja active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010219324A (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Nichia Corp | 発光装置 |
| CN102290500A (zh) * | 2010-06-16 | 2011-12-21 | 斯坦雷电气株式会社 | 发光装置及其制造方法 |
| WO2013005646A1 (ja) * | 2011-07-01 | 2013-01-10 | シチズンホールディングス株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
| US20140131753A1 (en) * | 2012-11-09 | 2014-05-15 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light emitting device and light emitting device |
| US20140291716A1 (en) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2014207349A (ja) * | 2013-04-15 | 2014-10-30 | パナソニック株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110140218A (zh) * | 2017-02-02 | 2019-08-16 | 首尔半导体株式会社 | 发光二极管单元 |
| CN110494991A (zh) * | 2017-04-04 | 2019-11-22 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 制造多个发射辐射的半导体器件的方法和发射辐射的半导体器件 |
| CN110494996A (zh) * | 2017-04-04 | 2019-11-22 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 制造多个发射辐射的半导体器件的方法和发射辐射的半导体器件 |
| US11616178B2 (en) | 2017-04-04 | 2023-03-28 | Osram Oled Gmbh | Method for producing a plurality of radiation-emitting semiconductor devices with a screen for a screen printing process |
| CN109616567A (zh) * | 2017-09-29 | 2019-04-12 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置 |
| CN109616567B (zh) * | 2017-09-29 | 2023-11-03 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置 |
| CN110021697A (zh) * | 2017-12-04 | 2019-07-16 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 用于制造光电子组件的方法和光电子组件 |
| CN110010745A (zh) * | 2017-12-25 | 2019-07-12 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置以及发光装置的制造方法 |
| CN110794614A (zh) * | 2018-08-03 | 2020-02-14 | 日亚化学工业株式会社 | 发光模块 |
| CN110943148A (zh) * | 2018-09-25 | 2020-03-31 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置的制造方法以及发光装置 |
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