JP7208478B2 - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、発光装置及びその製造方法に関するものである。

従来、ＬＥＤ等の発光素子から照射される光を波長変換して外部に放出する発光装置として、発光素子と、発光素子の側面を電極部が露出するように覆う被覆樹脂部材と、発光素子の半導体層側に接合された波長変換部材を含有する透光性部材と、を備える発光装置が知られている（例えば、特許文献１、２参照）。

特開２０１１－２５８６５７号公報 特開２０１７－１７５１１３号公報

発光装置を選別または整列する際、発光装置の電極部が発光装置の最下面に位置しているので発光装置の電極部に傷が付きやすい。発光装置の電極部に傷が付くことで半田濡れ不良が発生する恐れがある。

そこで、本開示に係る実施形態は、半田濡れ不良の発生を抑制できる発光装置及びその製造方法を提供することを課題とする。

上記課題を解決するために、本開示の実施形態に係る発光装置は、光取り出し面と、前記光取り出し面の反対側に位置する電極形成面と、を備える半導体積層体と、前記電極形成面に備えられた一対の素子電極と、を有する発光素子と、前記光取り出し面上に配置され、前記光取り出し面よりも大きな面積を有する透光性樹脂と、前記素子電極を露出させた状態で前記発光素子の側面と、前記透光性樹脂の下面と、を被覆する被覆樹脂と、を備え、前記透光性樹脂の上面は、前記発光素子の直上に位置する第１中央領域と、前記第１中央領域を囲む第１外周領域と、を有し、前記第１外周領域の少なくとも一部が前記第１中央領域よりも高い透光性樹脂凸部とを有し、前記被覆樹脂の下面の少なくとも一部は、前記素子電極の下面よりも下側に位置する被覆樹脂凸部を有する。

本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法は、支持体の上面に貼り付けられた樹脂フィルムの上面に、光取り出し面と、前記光取り出し面の反対側に位置する電極形成面と、を備える半導体積層体と、前記電極形成面に備えられた一対の素子電極と、を有する発光素子に比べて線膨張率が高い透光性樹脂が固定され、前記透光性樹脂の上面と前記光取り出し面とを対向させて前記発光素子が複数載置された中間部材を準備する準備工程と、複数の前記発光素子を連続して覆うように前記発光素子に比べて線膨張率が高い被覆樹脂を成形する成形工程と、前記素子電極を前記被覆樹脂から露出させ、前記素子電極の露出面と前記被覆樹脂の除去面とが同一平面になるように前記被覆樹脂を除去する除去工程と、前記支持体と、前記樹脂フィルムと、を分離させる支持体分離工程と、前記樹脂フィルムと、前記透光性樹脂と、を分離させる透光性樹脂分離工程と、複数の前記発光素子間に位置する透光性樹脂及び被覆樹脂を切断して発光装置を個片化する個片化工程と、を含む。

本開示の実施形態に係る発光装置及びその製造方法によれば、半田濡れ不良の発生を抑制できる。

第１実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す斜視図である。 図１のＩＢ－ＩＢ線における断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法の支持体準備工程において準備された支持体を模式的に示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法の樹脂フィルム貼付工程において樹脂フィルムが貼り付けられた支持体を模式的に示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法の透光性樹脂固定工程において透光性樹脂が樹脂フィルムを介して固定された支持体を模式的に示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法の発光素子載置工程において発光素子が透光性樹脂の上に載置された支持体を模式的に示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法の成形工程において発光素子を被覆樹脂で覆った支持体を模式的に示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法の除去工程において被覆樹脂の上面が除去された支持体を模式的に示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法の支持体分離工程において支持体が分離された中間部材を模式的に示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法の透光性樹脂分離工程において樹脂フィルムが分離された中間部材を模式的に示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法の個片化工程において個片化された発光装置を模式的に示す断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す断面図である。

実施形態を、以下に図面を参照しながら説明する。但し、以下に示す形態は、本実施形態の技術思想を具現化するための発光装置を例示するものであって、以下に限定するものではない。また、実施形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさ、位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。また、以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており詳細説明を適宜省略する。

［第１実施形態］
＜発光装置＞
はじめに、第１実施形態に係る発光装置について説明する。
図１Ａは、第１実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す斜視図である。図１Ｂは、図１のＩＢ－ＩＢ線における断面図である。

図１Ａ、図１Ｂに示すように、発光装置１は、光取り出し面３ａと、光取り出し面３ａの反対側に位置する電極形成面３ｂと、を備える半導体積層体３と、電極形成面３ｂに備えられた一対の素子電極４と、を有する発光素子５と、光取り出し面３ａ上に配置され、光取り出し面３ａよりも大きな面積を有する透光性樹脂６と、素子電極４を露出させた状態で発光素子５の側面と、透光性樹脂６の下面と、を被覆する被覆樹脂７と、を備え、透光性樹脂６の上面は、発光素子５の直上に位置する第１中央領域６ａと、第１中央領域６ａを囲む第１外周領域６ｂと、を有し、第１外周領域６ｂの少なくとも一部が第１中央領域６ａよりも高い透光性樹脂凸部６ｃとを有し、被覆樹脂７の下面の少なくとも一部は、素子電極４の下面よりも下側に位置する被覆樹脂凸部７ａを有する。
また、発光装置１は、図面では、平面形状が矩形の発光装置を示したが、これに限定されものではなく、多角形、円形又は楕円形であってもよい。さらに、発光装置１は、複数の発光素子５が載置された発光装置であってもよい。以下、各構成について説明する。

（発光素子）
発光素子５は、光取り出し面３ａと、光取り出し面３ａの反対側に位置する電極形成面３ｂと、を備える半導体積層体３と、電極形成面３ｂに備えられた一対の素子電極４と、を有する。また、発光素子５の光取り出し面３ａは、接合樹脂８を介して透光性樹脂６の下面と接合している。接合樹脂８の材料としては、シリコーン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂が挙げられる。

なお、本実施形態では、半導体積層体３が、半導体層２Ａと、素子基板２Ｂと、を備える構成を一例に挙げて説明するが、素子基板２Ｂは除去されていてもよい。半導体積層体３が、素子基板２Ｂを備える場合には、光取り出し面３ａとは、電極形成面３ｂと反対側に位置する素子基板２Ｂの面を指す。半導体積層体３が、素子基板２Ｂを備えていない場合には、光取り出し面３ａとは、電極形成面３ｂと反対側に位置する半導体層２Ａの面を指す。

半導体層２Ａは、例えば窒化ガリウム系の化合物半導体からなるｎ型半導体層と活性層とｐ型半導体層とが積層された構造体である。発光素子５の素子基板２Ｂとは、主として半導体層を構成する半導体の結晶を成長可能な結晶成長用基板であるが、結晶成長用基板から分離した半導体層を接合させる接合用基板であってもよい。素子基板は、透光性を有する。素子基板の母材としては、サファイア、窒化ガリウム、ダイヤモンドなどが挙げられる。なかでも、サファイアが好ましい。素子基板２Ｂの厚さは、適宜選択でき、例えば０．０２ｍｍ以上１ｍｍ以下であり、素子基板の強度及び／若しくは発光装置の厚さの観点において、０．０５ｍｍ以上０．３ｍｍ以下であることが好ましい。

素子電極４は、半導体積層体３の電極形成面３ｂに設けられる。図１Ｂでは、素子電極４は、半導体積層体３の下面に設けられている。そして、素子電極４は、半導体積層体３の同一面側、すなわち電極形成面３ｂ側に一対の電極が設けられている。素子電極４のｎ側素子電極はｎ型半導体層に、素子電極４のｐ側素子電極はｐ型半導体層に電気的に接続して、発光素子５に外部から電流を供給する。素子電極４の平面形状は、一方が長方形で、他方が凹部を有する樹歯状となる形状であってもよい。
素子電極４としては、電気抵抗が低い材料が好ましく、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｐｔなどの金属やこれらの合金の単層、又は多層膜を用いることができる。素子電極４は、例えば、Ｃｕ単層又はＣｕ／Ｎｉ積層膜を半導体積層体３の上層側とし、Ａｕ又はＡｕＳｎ合金を積層した多層膜とすることができる。

（透光性樹脂） 透光性樹脂６は、発光素子５の光取り出し面３ａ上に配置される。透光性樹脂６は、半導体積層体３の光取り出し面３ａよりも大きな面積を有する。透光性樹脂６は、発光素子５の直上に位置する第１中央領域６ａと、第１中央領域６ａを囲む第１外周領域６ｂと、を有する。そして、透光性樹脂６の第１外周領域６ｂの少なくとも一部は、第１中央領域６ａよりも高さが高い透光性樹脂凸部６ｃを有する。透光性樹脂凸部６ｃは、発光素子５を囲む領域にあることが好ましい。さらに、また、透光性樹脂凸部６ｃの頂部は、発光装置１（透光性樹脂６）の外縁から離隔する位置、例えば、第１外周領域６ｂの幅方向の中央部に形成されることが好ましい。ここでいう幅方向とは、発光素子５側から透光性樹脂６の外縁側の方向である。
透光性樹脂６が透光性樹脂凸部６ｃを有することにより、透光性樹脂６がタック性の高
い樹脂で構成されていても、透光性樹脂６同士の接触面積が小さくなるため、選別装置や整列装置内で発光装置１同士の互いの付着が抑制される。その結果、発光装置１の搬送が容易となる。また、発光装置１の梱包体においても、搬送時の振動等によって発光装置１の透光性樹脂６側がカバーテープへ付着することが抑制されるため、発光装置１の取り出しが容易となる。なお、透光性樹脂６の透光性樹脂凸部６ｃは、発光装置１の製造の際の透光性樹脂分離工程Ｓ１０８及び個片化工程Ｓ１０９において、透光性樹脂６の上面に成形された被覆樹脂７が収縮することよって、透光性樹脂６も収縮して形成される。

透光性樹脂６は、半導体積層体３が発光する波長の光の一部を吸収し、異なる波長の光に変換する波長変換部材、例えば蛍光体を含有する樹脂によって構成されることが好ましい。透光性樹脂６は、波長変換部材の他に、拡散部材を含有して構成されてもよい。さらに、透光性樹脂６は、単層構造だけでなく、多層構造とすることもできる。透光性樹脂６の厚さは、波長変換部材の含有量、半導体積層体３が発光する光と、波長変換後の光との混色後の色調などによって定めることができるが、例えば、１μｍ以上１０００μｍ以下とすることができる。

透光性樹脂６に含有される波長変換部材（蛍光体）としては、Ｃｅ（セリウム）で付活されたイットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光体、Ｅｕ及び／又はＣｒで付活されたサファイア（酸化アルミニウム）蛍光体、Ｅｕ及び／又はＣｒで付活された窒素含有Ｃａ－Ａｌ－Ｓｉ－Ｏ蛍光体（オキシナイトライド蛍光硝子）等が挙げられる。これらの蛍光体を利用することにより、発光素子５（半導体積層体３）からの光と蛍光体からの光の混色により白色光を得ることもできる。透光性樹脂６に含有される拡散部材としては、酸化チタン等が挙げられる。透光性樹脂６を構成する樹脂としては、シリコ－ン系樹脂等の熱硬化性樹脂が挙げられ、透光性樹脂凸部６ｃを形成しやすくするために、発光素子５に比べて線膨張係数が高い樹脂が用いられる。透光性樹脂６の線膨張係数とは、透光性樹脂６を構成する部材の内で最も体積割合の大きい部材の線膨張係数とする。同様に、発光素子５の線膨張係数とは、発光素子５を構成する部材の内で最も体積割合の大きい部材の線膨張係数とする。

（被覆樹脂）
図１Ｂに示すように、被覆樹脂７は、素子電極４の下面を露出させた状態で発光素子５の側面（半導体積層体３の側面）と、透光性樹脂６の下面と、を被覆する樹脂である。被覆樹脂７は、光を反射する樹脂であることが好ましい。被覆樹脂７は、半導体積層体３が発光し、横方向又は上方向に進行する光を、発光素子５の光取り出し面である透光性樹脂６側に反射する部材である。被覆樹脂７の下面の少なくとも一部は、発光素子５の周縁に素子電極４の下面よりも下側に位置する被覆樹脂凸部７ａを有する。

被覆樹脂凸部７ａは、発光素子５（素子電極４）を囲むように形成されていることが好ましい。また、被覆樹脂凸部７ａの頂部は、発光装置１（被覆樹脂７）の外縁から離隔する位置に形成されることが好ましい。例えば、図１Ｂに示すように、断面視において、発光素子を挟んで位置する２か所の被覆樹脂のそれぞれの被覆樹脂凸部７ａの頂部が、被覆樹脂凸部７ａの幅方向の中央部の位置することが好ましい。ここでいう幅方向とは、発光素子５側から被覆樹脂７の外縁側の方向である。被覆樹脂凸部７ａは、発光装置１の製造の際の透光性樹脂分離工程Ｓ１０８において、発光素子５間の被覆樹脂７が収縮して形成される。また、個片化工程Ｓ１０９においても被覆樹脂７が発光素子５側にさらに収縮して、被覆樹脂凸部７ａの高さが高くなる。

被覆樹脂７は、反射部材を含有する樹脂で構成されることが好ましく、反射部材の他に透光性樹脂６に含有される蛍光体を含有して構成されてもよい。被覆樹脂７の横方向における厚さ（素子電極４の側面及び／又は半導体積層体３の側面に垂直方向の厚さ）は、半導体積層体３が発光した光を反射するのに十分な厚さであって、１～５００μｍであることが好ましい。被覆樹脂７に含有される反射部材としては、透光性樹脂６に含有される拡散部材として用いる酸化チタン等が挙げられる。被覆樹脂７を構成する樹脂としては、透光性樹脂６を構成する樹脂として用いるシリコ－ン系樹脂等の熱硬化性樹脂が挙げられる。そして、被覆樹脂７は、被覆樹脂凸部７ａを形成しやすくするために、透光性樹脂６と同等の線膨張係数を有する樹脂が好ましい。被覆樹脂７は、強度を上げるため、及び、熱伝導率を上げるために、ガラス繊維等の充填部材を含有してもよい。被覆樹脂７の線膨張係数とは、被覆樹脂７を構成する部材の内で最も体積割合の大きい部材の線膨張係数とする。
被覆樹脂７が被覆樹脂凸部７ａを有することにより、被覆樹脂凸部７ａの下面の少なくとも一部が素子電極４の下面よりも下側に位置する。これにより、選別装置や整列装置内で素子電極が擦れて搬送されることが抑制できる。そのため、素子電極４が擦れることで、素子電極４の最表面の保護成膜が剥がれ、酸化皮膜が形成されることが抑制される。その結果、素子電極４を実装基板に接合する際、半田濡れ不良を抑制できる。

＜第１実施形態に係る発光装置の製造方法＞
次に、第１実施形態に係る発光装置の製造方法について図２～図４Ｄを参照して説明する。
図２は第１実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。図３Ａは第１実施形態に係る発光装置の製造方法の支持体準備工程において準備された支持体を模式的に示す断面図である。図３Ｂは第１実施形態に係る発光装置の製造方法の樹脂フィルム貼付工程において樹脂フィルムが貼り付けられた支持体を模式的に示す断面図である。図３Ｃは第１実施形態に係る発光装置の製造方法の透光性樹脂固定工程において透光性樹脂が樹脂フィルムを介して固定された支持体を模式的に示す断面図である。図３Ｄは第１実施形態に係る発光装置の製造方法の発光素子載置工程において発光素子が透光性樹脂の上に載置された支持体を模式的に示す断面図である。図３Ｅは第１実施形態に係る発光装置の製造方法の成形工程において発光素子を被覆樹脂で覆った支持体を模式的に示す断面図である。図３Ｆは第１実施形態に係る発光装置の製造方法の除去工程において被覆樹脂の上面が除去された支持体を模式的に示す断面図である。図３Ｇは第１実施形態に係る発光装置の製造方法の支持体分離工程において支持体が分離された中間部材を模式的に示す断面図である。図３Ｈは第１実施形態に係る発光装置の製造方法の透光性樹脂分離工程において樹脂フィルムが分離された中間部材を模式的に示す断面図である。図３Ｉは第１実施形態に係る発光装置の製造方法の個片化工程において個片化された発光装置を模式的に示す断面図である。

図２に示すように、発光装置の製造方法は、支持体２１の上面に貼り付けられた樹脂フィルム２２の上面に、光取り出し面３ａと、光取り出し面３ａの反対側に位置する電極形成面３ｂと、を備える半導体積層体３と、電極形成面３ｂに備えられた一対の素子電極４と、を有する発光素子５に比べて線膨張率が高い透光性樹脂６が固定され、透光性樹脂６の上面と光取り出し面３ａとを対向させて発光素子５が複数載置された中間部材２０を準備する準備工程Ｓ１００と、複数の前記発光素子５を連続して覆うように発光素子５に比べて線膨張率が高い被覆樹脂７を成形する成形工程Ｓ１０５と、素子電極４を被覆樹脂７から露出させ、素子電極４の露出面と被覆樹脂７の除去面とが同一平面になるように被覆樹脂７を除去する除去工程Ｓ１０６と、支持体２１と、樹脂フィルム２２と、を分離させる支持体分離工程Ｓ１０７と、樹脂フィルム２２と、透光性樹脂６と、を分離させる透光性樹脂分離工程Ｓ１０８と、複数の前記発光素子５間に位置する透光性樹脂６及び被覆樹脂７を切断して発光装置１を個片化する個片化工程Ｓ１０９と、を含み、この順に行う。以下、各工程について説明する。

（準備工程）
準備工程Ｓ１００は、透光性樹脂６に発光素子５が複数載置された中間部材２０を準備する工程である。
好ましくは、準備工程Ｓ１００は、支持体準備工程Ｓ１０１と、樹脂フィルム貼付工程Ｓ１０２と、透光性樹脂固定工程Ｓ１０３と、発光素子載置工程Ｓ１０４と、を含み、この順で行う。

図３Ａに示すように、支持体準備工程Ｓ１０１は、樹脂フィルム２２を支持するための支持体２１を準備する工程である。支持体２１としては、金属プレートが好ましい。

図３Ｂに示すように、樹脂フィルム貼付工程Ｓ１０２は、支持体２１の上面に樹脂フィルム２２を貼り付ける工程である。樹脂フィルム２２は、その厚さ等に制限はない。例えば、樹脂フィルム２２として厚さ３０～２００μｍのポリエステル樹脂フィルムを用いることができる。なお、樹脂フィルム２２の支持体２１への貼り付けは、樹脂フィルム２２の下面の粘着力で行うが、接着シート等を介して支持体２１に樹脂フィルム２２を貼り付けてもよい。

図３Ｃに示すように、透光性樹脂固定工程Ｓ１０３は、樹脂フィルム２２の上面に透光性樹脂６を固定する工程で、例えば、シート状の透光性樹脂６を樹脂フィルム２２の上面の粘着力で固定する。また、透光性樹脂６は、透光性樹脂分離工程Ｓ１０８及び個片化工程Ｓ１０９における被覆樹脂７の収縮に伴って、収縮して透光性樹脂凸部６ｃが形成されるように、発光素子５に比べて線膨張率が大きく、被覆樹脂７と同等の線膨張率を有するものを用いる。なお、透光性樹脂６は、成形などにより樹脂フィルム２２の上面に形成してもよい。

図３Ｄに示すように、発光素子載置工程Ｓ１０４は、透光性樹脂６の上面に複数の発光素子５を載置する工程である。発光素子５の載置は、素子電極４を上方にして、半導体積層体３の光取り出し面３ａと、透光性樹脂６の上面と、を接合することで行う。光取り出し面３ａと透光性樹脂６の上面とは、接合樹脂８を介して接合している。また、複数の発光素子５の配置形態は、特に制限されないが、個片化工程Ｓ１０９での作業性を考慮して行列状に配置するのが好ましい。

（成形工程）
図３Ｅに示すように、成形工程Ｓ１０５は、透光性樹脂６の上面に載置された複数の発光素子５を連続して覆うように被覆樹脂７を成形する工程である。具体的には、被覆樹脂７を構成する熱硬化性樹脂を塗工機等で透光性樹脂６及び発光素子５の上方から塗布して、発光素子５の素子電極４を覆うように設け、加熱硬化させて被覆樹脂７を成形する。被覆樹脂７は、高温下で膨張した状態で硬化し、それを常温へ戻すと収縮する。この成形工程Ｓ１０５では、被覆樹脂７が樹脂フィルム２２及び透光性樹脂６で固定されているため、被覆樹脂７の成形後の収縮が抑制された状態となる。被覆樹脂７は、透光性樹脂分離工程Ｓ１０８及び個片化工程Ｓ１０９において樹脂フィルム２２が分離された際に収縮して被覆樹脂凸部７ａを形成させるために、発光素子５に比べて線膨張率が大きいものを用いる。

（除去工程）
図３Ｆに示すように、除去工程Ｓ１０６は、素子電極４を被覆樹脂７から露出させ、素子電極４の露出面と被覆樹脂７の除去面が同一平面になるように被覆樹脂７を除去する工程である。なお、除去は、研削等の公知の方法を用いて行う。さらに、除去後、素子電極４の保護のため、素子電極４の上面に保護膜の形成を行ってもよい。

（支持体分離工程）
図３Ｇに示すように、支持体分離工程Ｓ１０７は、支持体２１と樹脂フィルム２２とを分離させる工程である。

（透光性樹脂分離工程）
図３Ｈに示すように、透光性樹脂分離工程Ｓ１０８は、樹脂フィルム２２と透光性樹脂６とを分離させる工程である。
この透光性樹脂分離工程Ｓ１０８では、中間部材２０から樹脂フィルム２２が分離されるため、樹脂フィルム２２による被覆樹脂７の固定が解放される。その結果、樹脂フィルム２２の固定により抑制されていた被覆樹脂７の収縮力が解放され、被覆樹脂７が収縮する。このとき、発光素子５は線膨張率が低く変形しないため、線膨張率が高い被覆樹脂７が収縮することで、発光素子５同士を近づけようとする力が発生する。その力によって発光素子５間の被覆樹脂７の中央に被覆樹脂の凸部の頂部が形成される。また、被覆樹脂７に接合している透光性樹脂６も、発光素子５よりも線膨張率が高いので、透光性樹脂６も収縮する。その結果、発光素子５間の透光性樹脂６の中央に透光性樹脂の凸部の頂部が形成される。

（個片化工程）
図３Ｉに示すように、個片化工程Ｓ１０９は、複数の発光素子５間に位置する透光性樹脂６及び被覆樹脂７をダイシングブレード等により切断して、発光装置１を個片化する工程である。この個片化工程Ｓ１０９では、支持体２１及び樹脂フィルム２２を分離した中間部材２０をＵＶテープ等の粘着テープを介してダイシング冶具（丸リング）に載置する。その後、ブレード等の切断工具を用いて切断線ＣＬの位置でダイシングする。なお、他の手法を用いて個片化を行ってもよい。
個片化前の透光性樹脂分離工程Ｓ１０８では、透光性樹脂６及び被覆樹脂７に凸部を形成することができるが、中間部材２０は発光装置集合体であるため、透光性樹脂６及び被覆樹脂７には各方向より応力が作用している。個片化工程Ｓ１０９では、個片化により各方向からの応力の作用がなくなるため、透光性樹脂６及び被覆樹脂７がさらに収縮する。その結果、透光性樹脂６及び被覆樹脂７の外縁と発光素子５との間の凸部がさらに盛り上がり、透光性樹脂凸部６ｃ及び被覆樹脂凸部７ａが形成される。特に、被覆樹脂７では、線膨張率が発光素子５に比べて高いため、発光素子５の素子電極４に比べて高い位置に被覆樹脂凸部７ａの頂部を形成することができる。

＜第２実施形態に係る発光装置及びその製造方法＞
次に、第２実施形態に係る発光装置及びその製造方法について説明する。
図４は、第２実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す断面図である。なお、第１実施形態に係る発光装置と同一構成については、同一符号を付して、説明も省略する。

発光装置１Ａは、前記発光装置１と同一構成に加えて、接合樹脂８の形状が異なり、且つ、導光樹脂９をさらに備える。なお、発光装置１Ａは、発光装置１からの相違点が接合樹脂８の形状が異なっている点のみでもよく、導光樹脂９を更に備える点のみでもよい。
接合樹脂８は、発光素子５と、透光性樹脂６と、を接合させるためのものである。接合樹脂８は、半導体積層体３の光取り出し面３ａと、半導体積層体３の側面３ｃと、透光性樹脂６の下面と、を被覆するように形成される。また、接合樹脂８の上面は、発光素子５の直上に位置する第２中央領域８ａと、第２中央領域８ａを囲む第２外周領域８ｂと、を有し、第２外周領域８ｂの少なくとも一部が第２中央領域８ａよりも高い接合樹脂凸部８ｃを有することが好ましい。さらに、接合樹脂８の厚さは、半導体積層体３の側面３ｃから遠ざかるにつれて厚さ（側面に垂直な方向の厚さ）が増加するように形成されていることが好ましい。接合樹脂８は、が、このような上面及び厚さを有することにより、発光素子５と透光性樹脂６との接合力が増加する。接合樹脂８は、シリコーン系樹脂等のダイボンド材料から構成されている。なお、被覆樹脂７は接合樹脂８を介して設けられている。
導光樹脂９は、発光素子５と対面する面と反対側に位置する透光性樹脂６の面を覆うように形成される。導光樹脂９は、素子電極４を外部環境から保護する発光装置１Ａの光取り出し効率を向上させるためのもので、シリコーン系樹脂等の透明樹脂にシリカ、アルミナ等の透光性の導光粒子を含有させた樹脂から構成される。

発光装置１Ａの製造方法は、準備工程Ｓ１００において発光素子載置工程Ｓ１０４の接合樹脂８の形状が異なること、また、個片化工程Ｓ１０９の前に被覆工程を行うこと以外の事項については、第１実施形態に係る発光装置の製造方法と同様である。
発光素子接合工程は、発光素子載置工程Ｓ１０４において、半導体積層体３の光取り出し面３ａと、半導体積層体３の側面３ｃと、透光性樹脂６の上面と、を被覆する接合樹脂８を形成する。発光素子５と透光性樹脂６とは、接合樹脂８を介して接合される。
被覆工程は、個片化工程Ｓ１０９の前に、支持体２１を剥離した中間部材２０をポリイミドテープ等の粘着テープを介してオーバーコート冶具（角リング）に載置する。その際、発光素子５と対面する面と反対側に位置する透光性樹脂６の面を導光樹脂９で被覆する。導光樹脂９の被覆は、塗工機等の塗布により行う。

１ 発光装置
１Ａ 発光装置
２Ａ 半導体層
２Ｂ 素子基板
３ 半導体積層体
３ａ 光取り出し面
３ｂ 電極形成面
３ｃ 側面
４ 素子電極
５ 発光素子
６ 透光性樹脂
６ａ 第１中央領域
６ｂ 第１外周領域
６ｃ 透光性樹脂凸部
７ 被覆樹脂
７ａ 被覆樹脂凸部
８ 接合樹脂
８ａ 第２中央領域
８ｂ 第２外周領域
８ｃ 接合樹脂凸部
９ 導光樹脂
２０ 中間部材
２１ 支持体
２２ 樹脂フィルム
３１ 分離ステージ
３２ プレート押さえ
３３ 吸着ヘッド
３４ 移載ステージ
Ｓ１００ 準備工程
Ｓ１０１ 支持体準備工程
Ｓ１０２ 樹脂フィルム貼付工程
Ｓ１０３ 透光性樹脂固定工程
Ｓ１０４ 発光素子載置工程
Ｓ１０５ 成形工程
Ｓ１０６ 除去工程
Ｓ１０７ 支持体分離工程
Ｓ１０８ 透光性樹脂分離工程
Ｓ１０９ 個片化工程

Claims (14)

1. 光取り出し面と、前記光取り出し面の反対側に位置する電極形成面と、を備える半導体積層体と、前記電極形成面に備えられた一対の素子電極と、を有する発光素子と、
   前記光取り出し面上に配置され、前記光取り出し面よりも大きな面積を有する透光性樹脂と、
   前記素子電極を露出させた状態で前記発光素子の側面と、前記透光性樹脂の下面と、を被覆し、前記半導体積層体が発光する光を前記透光性樹脂側に反射する被覆樹脂と、を備え、
   前記透光性樹脂の上面は、前記発光素子の直上に位置する第１中央領域と、前記第１中央領域を囲む第１外周領域と、を有し、前記第１外周領域の少なくとも一部が前記第１中央領域よりも高い透光性樹脂凸部とを有し、
   前記被覆樹脂の下面の少なくとも一部は、前記素子電極の下面よりも下側に位置する被覆樹脂凸部を有する発光装置。
2. 前記被覆樹脂凸部が前記発光素子を囲む領域にある請求項１に記載の発光装置。
3. 前記透光性樹脂凸部が前記発光素子を囲む領域にある請求項１又は２に記載の発光装置。
4. 前記被覆樹脂凸部の頂部が前記発光装置の外縁から離隔する請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置。
5. 前記透光性樹脂凸部の頂部が前記発光装置の外縁から離隔する請求項１から４のいずれか１項に記載の発光装置。
6. 前記半導体積層体の光取り出し面と、前記半導体積層体の側面と、前記透光性樹脂の下面と、を被覆する接合樹脂を備える請求項１から５のいずれか１項に記載の発光装置。
7. 前記接合樹脂の上面は、前記発光素子の直上に位置する第２中央領域と、前記第２中央領域を囲む第２外周領域と、を有し、前記第２外周領域の少なくとも一部が前記第２中央領域よりも高い接合樹脂凸部を有する請求項６に記載の発光装置。
8. 前記透光性樹脂は、前記発光素子からの光を波長変換させる波長変換部材を含有する請求項１から７のいずれか１項に記載の発光装置。
9. 前記被覆樹脂は、前記発光素子からの光を反射する反射部材を含有する請求項１から８のいずれか１項に記載の発光装置。
10. 支持体の上面に貼り付けられた樹脂フィルムの上面に、光取り出し面と、前記光取り出し面の反対側に位置する電極形成面と、を備える半導体積層体と、前記電極形成面に備えられた一対の素子電極と、を有する発光素子に比べて線膨張率が高い透光性樹脂が固定され、前記透光性樹脂の上面と前記光取り出し面とを対向させて前記発光素子が複数載置された中間部材を準備する準備工程と、
    複数の前記発光素子を連続して覆うように前記発光素子に比べて線膨張率が高い被覆樹脂を加熱硬化させて成形する成形工程と、
    前記素子電極を前記被覆樹脂から露出させ、前記素子電極の露出面と前記被覆樹脂の除去面とが同一平面になるように前記被覆樹脂を除去する除去工程と、
    前記支持体と、前記樹脂フィルムと、を分離させる支持体分離工程と、
    前記樹脂フィルムと、前記透光性樹脂と、を分離させる透光性樹脂分離工程と、
    複数の前記発光素子間に位置する透光性樹脂及び被覆樹脂を切断して発光装置を個片化する個片化工程と、を含む発光装置の製造方法。
11. 前記支持体分離工程の後に、前記透光性樹脂分離工程を行う請求項１０に記載の発光装置の製造方法。
12. 前記個片化工程の前に、導光樹脂で前記透光性樹脂を被覆する被覆工程をさらに含む請求項１０又は１１に記載の発光装置の製造方法。
13. 前記準備工程は、
    支持体を準備する支持体準備工程と、
    前記支持体の上面に樹脂フィルムを貼り付ける樹脂フィルム貼付工程と、
    前記樹脂フィルムの上面に透光性樹脂を固定する透光性樹脂固定工程と、
    前記透光性樹脂の上面に前記発光素子を載置する発光素子載置工程と、を含む請求項１０から１２のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
14. 前記準備工程において、前記半導体積層体の光取り出し面と、前記半導体積層体の側面と、前記透光性樹脂の上面と、を被覆する接合樹脂を形成し、前記発光素子と前記透光性樹脂とを前記接合樹脂を介して接合させる請求項１０から１３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。

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