JP2018092989A - 発光装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
透光性部材、発光素子及び反射部材を備えた発光装置の製造方法であって、
貫通孔又は凹部を備える保持部材を準備する工程と、
前記透光性部材を、前記貫通孔又は前記凹部内に配置する工程と、
前記貫通孔又は前記凹部内において、前記透光性部材上に前記発光素子を載置する工程と、
前記貫通孔又は前記凹部の側面と接し、前記発光素子の側面を被覆する前記反射部材を形成する工程と、
前記保持部材から前記発光装置を取り外す工程と、
を含む。
図1A〜図7Bを参照しながら、実施形態1に係る発光装置の製造方法について説明する。
以下、各工程について詳説する。
図1A、図1Bに示すように、貫通孔11を備える保持部材10を準備する。貫通孔11は、保持部材10の上面102と下面103とを貫通している。保持部材10の上面102と下面103との間に位置する貫通孔11の側面101は略平坦な面であることが好ましい。貫通孔11の側面101が略平坦な面であることで、後述する発光装置を保持部材から取り出しやすくなる。本明細書で、略平坦な面とは凹凸がない又はほとんど凹凸がないことを意味し、5μm以下の凹凸は許容されることを意図する。
図3Aに示すように、透光体を貫通孔11内に充填し、透光体を硬化することで、透光性部材30を貫通孔11内に配置する。尚、本明細書では硬化前の透光性部材を透光体と呼ぶことがある。透光体を充填する方法としては、当該分野で公知の方法のいずれを利用してもよい。例えば、印刷、ポッティング等が挙げられる。透光体を貫通孔内に充填することで貫通孔の側面と接する透光性部材を容易に形成することができる。貫通孔の側面と透光性部材とが接することで、後述する発光装置の外側面の一部が透光性部材により構成される。これにより、発光装置の外側面が反射部材によって構成される場合よりも発光装置の配光を広くすることができる。
図4に示すように、貫通孔内において、透光性部材30上に発光素子40を載置する。接着部材50を介して発光素子40を透光性部材30上に載置することが好ましい。透光性部材30と、発光素子40と、が接着部材50により接着されるので、後述する反射部材を形成する時に透光性部材30と、発光素子40との位置がずれることを抑制できる。上面視において、透光性部材の略中央に発光素子が載置されることが好ましい。後述する反射部材を形成した時に、発光素子の側面を被覆する反射部材の幅(X方向)のばらつきを抑制することができる。これにより、反射部材の幅(X方向)の薄い部分から発光素子の光が透過することを抑制できる。1つの透光性部材上に、複数の発光素子を載置してもよい。発光素子40は、サファイア基板等の透光性基板41上に、半導体積層体42と、半導体積層体の上面に一対の電極43、44と、を備える。また、発光素子40は電極形成面401と、電極形成面と反対側にある発光面402と、電極形成面401と発光面402との間にある側面403を備える。電極形成面401には一対の電極43、44を有している。一対の電極43、44の各々は、任意の形状にすることができる。本実施の形態の発光装置では、電極形成面401は半導体積層体42の上面であり、発光面402は透光性基板41の下面である。
図5に示すように、発光素子40の側面403を被覆する反射部材60を形成する。反射部材60は透光性部材30の上面301も被覆してもよい。尚、ここでの透光性部材30の上面301とは発光素子40の発光面402と対向する透光性部材30の面のことである。透光性部材30と発光素子40とが接着部材50により接着されている場合は、反射部材60が、接着部材50と接して発光素子40の側面403を被覆してもよい。また、接着部材50が発光素子の側面403を被覆している場合は、反射部材60は、接着部材50を介して発光素子40の側面403を被覆してもよい。
図6に示すように、保持部材の貫通孔から透光性部材30、発光素子40及び反射部材60を備える発光装置100を取り外す。発光素子40と透光性部材30とが接着部材50により接着されている場合は、接着部材50も発光装置100に含まれる。保持部材から発光装置を取り外す方法としては、発光装置を押すこと、保持部材を溶解させること、又は、発光装置に遠心力を加えること等が挙げられる。特に、図6に示すように、発光装置100を押圧部材70で押して保持部材10から取り外すことが好ましい。発光装置100を押して保持部材10から取り外す場合は、保持部材10を固定した後に押圧部材70で発光装置100を下方向に押して保持部材10から発光装置100を取り外してもよいし、押圧部材70で発光装置100を押して発光装置100を固定した後に保持部材10を上方向に移動させて保持部材10から発光装置100を取り外してもよい。
図8〜図10Bを参照しながら、実施形態2に係る発光装置の製造工程について説明する。実施形態2に係る発光装置の製造工程は、実施形態1に係る発光装置の製造工程と比較して透光性部材を保持部材と離間して配置する点で相違する。
第1実施形態に係る発光装置100の製造方法と同様に貫通孔又は凹部を備える保持部材を準備する。
図8に示すように、保持部材10の貫通孔11の側面101と離間するように透光性部材30を貫通孔11内に配置する。上面視において、透光性部材の面積が貫通孔の面積よりも小さいことで、貫通孔11の側面101と、透光性部材30と、が離間する。硬化後の透光性部材30を、貫通孔内に配置することで貫通孔11の側面101と透光性部材30とを容易に離間させることができる。また、上面視において、透光性部材の面積が発光素子の面積よりも大きいことが好ましい。このようにすることで、透光性部材上に発光素子を載置しやすくなる。
第1実施形態に係る発光装置100の製造方法と同様に透光性部材上に発光素子を載置する。
図9に示すように、貫通孔の側面101と接し、発光素子40の側面403を被覆する反射部材60を形成する。反射部材60は発光素子40の発光面402と対向する透光性部材30の上面301を被覆してもよい。発光素子40と透光性部材30とが接着部材50により接着されている場合は、反射部材60は、接着部材50を介して側面403を被覆してもよい。本実施の形態の発光装置の製造方法では、透光性部材30と貫通孔の側面101とが離間しているので反射部材60が透光性部材30の側面302を被覆する。接着部材50が透光性部材の側面302を被覆する場合は、反射部材60は、接着部材50を介して透光性部材の側面302を被覆してもよい。
第1実施形態に係る発光装置100の製造方法と同様に保持部材から発光装置を取り外すことで図10A及び図10Bに示す発光装置200を得ることができる。発光装置200は、発光装置100と比較して透光性部材30の側面302が反射部材60に被覆されているので発光装置200の配光を第1実施形態に係る発光装置100よりも狭くすることができる。このようにすることで、例えば発光装置200から出射された光を2次レンズ等で制御しやすくなる。上面視において反射部材60が、透光性部材の周囲を被覆していることが好ましい。このようにすることで、更に発光装置200の配光を狭くすることができる。第2実施形態に係る発光装置の製造方法も、発光装置を1個ずつ保持部材の貫通孔又は凹部内で製造するので、実施形態1で述べたように、発光装置を切断して個片化する場合よりも発光装置の形状がばらつくことを抑制できる。これにより、発光装置の歩留まりを向上させることができる。
図11A〜図14Cを参照しながら、実施形態3に係る発光装置の製造工程について説明する。実施形態3に係る発光装置の製造工程は、実施形態1に係る発光装置の製造工程と比較して保持部材の貫通孔又は凹部内で波長変換部材を偏在させる点と、保持部材の貫通孔又は凹部内において透光性部材を移動させる工程を含む点で相違する。
第1実施形態に係る発光装置100の製造方法と同様に貫通孔又は凹部を備える保持部材を準備する。
図11Aに示すように、透光性部材30内において波長変換部材31が偏在して位置する透光性部材30を貫通孔11内に配置する。まず、波長変換部材を含有する透光体を貫通孔11内に充填する。透光体に含有される波長変換部材を、透光体内において支持部材20側に偏在させる。例えば、自然沈降又は遠心沈降により、波長変換部材31を透光体内において支持部材20側に偏在させることができる。透光体は、波長変換部材を偏在させた後、加熱等により硬化する。これにより、透光性部材30内において波長変換部材31が偏在して位置する透光性部材30を貫通孔11内に配置することができる。
保持部材が貫通孔を備える場合には、貫通孔内において、透光性部材を透光性部材が位置する保持部材の一方の開口部側から保持部材の他方の開口部側に移動させる。換言すると、透光性部材を支持部材により閉塞されていた保持部材の開口部側から、支持部材により閉塞されていない保持部材の開口部側に移動させる。
図13に示すように、透光性部材30の波長変換部材31を偏在させた側の面上に発光素子40を載置する。透光性部材30と、発光素子40と、を透光性の接着部材50を介して接着してもよい。透光性部材30は、波長変換部材31を偏在させていない側の面と対向する支持部材21によって支持される。第1実施形態に係る発光装置100の製造方法と同様に発光素子40の発光面402が透光性部材30と対向するように、透光性部材上に発光素子を載置する。
第1実施形態に係る発光装置100の製造方法と同様に発光素子の側面を被覆する反射部材を形成する。
第1実施形態に係る発光装置100の製造方法と同様に保持部材から発光装置を取り外すことで図14Aに示す発光装置300を得ることができる。第3実施形態に係る発光装置の製造方法も、発光装置を1個ずつ保持部材の貫通孔又は凹部内で製造するので、実施形態1で述べたように、発光装置を切断して個片化する場合よりも発光装置の形状がばらつくことを抑制できる。これにより、発光装置の歩留まりを向上させることができる。発光装置300は、発光素子の発光面402と、透光性部材30の波長変換部材31が偏在した側の面とを対向させることができる。これにより、水分に弱い波長変換部材を用いても波長変換部材が劣化されることを抑制できるので、良好な色度を保つことができる。
図15〜図17Dを参照しながら、実施形態4に係る発光装置の製造工程について説明する。実施形態4に係る発光装置の製造工程は、実施形態1に係る発光装置の製造工程と比較して透光性部材と発光素子の側面とが対向している点で相違する。
第1実施形態に係る発光装置100の製造方法と同様に貫通孔又は凹部を備える保持部材を準備する。
第1実施形態に係る発光装置100の製造方法と同様に貫通孔又は凹部内に透光性部材を配置する。尚、第2実施形態に係る発光装置200の製造方法又は第3実施形態に係る発光装置300の製造方法と同様の透光性部材を貫通孔又は凹部内に配置してもよい。また、第3実施形態に係る発光装置300の製造方法と同様に透光性部材を移動する工程を備えていてもよい。
図15に示すように、貫通孔内において、透光性部材30と発光素子40の側面403とを対向させて、透光性部材30上に発光素子40を載置する。透光性部材30と、発光素子40と、を透光性の接着部材50を介して接着してもよい。発光素子を載置する場合は、発光素子の電極43、44と貫通孔の側面101とが接するように載置することが好ましい。このようにすることで、後述する反射部材から発光素子の電極43、44を露出させやすくなる。
図16に示すように、貫通孔の側面と接し、発光素子40の側面403を被覆する反射部材60を形成する。本実施形態の発光装置の製造方法では、発光素子の発光面402も反射部材60で被覆する。電極43、44の一部は反射部材60から露出される。電極43、44と貫通孔の側面101とが接することで、容易に反射部材から発光素子の電極43、44を露出させることができる。また、電極43、44を埋設する反射部材60を形成した後に、反射部材60の一部を除去し、電極43、44を露出させるようにしてもよい。反射部材60の一部を除去する場合は、保持部材から発光装置を取り外した後に反射部材60の一部を除去する。反射部材60を除去する際は、上述と同様の方法を用いることができる。
保持部材の貫通孔から透光性部材、発光素子及び反射部材を備える発光装置を取り外す。発光装置を取り外す方法としては、第1実施形態に係る発光装置100製造方法と同様の方法を用いることができる。
保持部材10は、貫通孔又は凹部を備え、貫通孔又凹部内で発光装置を製造する部材である。保持部材10の材料としては、金属、樹脂等を用いることができる。保持部材を加工しない場合は、保持部材10の材料としては金属を用いることが好ましい。金属を用いると、樹脂と比較して劣化しにくいので繰り返し使用できる。保持部材10を加工する場合は、保持部材10の材料として樹脂を用いることが好ましい。保持部材10の材料として樹脂を用いると、金属と比較して加工が容易になる。
支持部材は、保持部材の貫通孔を閉塞する部材である。発光素子を載置する工程等で熱が発生するので、支持部材の材料としては耐熱シートが好ましい。支持部材は、片面に粘着剤が塗布されたシートやUV露光により粘着力を消失させることができるシートを用いてもよい。
透光性部材30は、発光素子を外部環境から保護するための部材である。透光性部材の材料としては、透光性を有する樹脂材料又はガラス材料等を用いることができる。透光性部材の樹脂材料としては、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、メチルペンテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂などの熱可塑性樹脂を用いることができる。特に、耐光性、耐熱性に優れるシリコーン樹脂が好適である。尚、透光性樹脂は、光の透過率が高いことが好ましい。透光性部材の厚みは、10μm〜500μmであることが好ましく、さらには50μm〜300μmであることがより好ましい。
透光性部材は、波長変換部材31を含有していてもよい。波長変換部材31とは、発光素子から発する光のピーク波長を異なるピーク波長に変換する粒子である。波長変換部材31としては、発光素子からの発光で励起可能な蛍光体が使用される。例えば、青色発光素子又は紫外線発光素子で励起可能な蛍光体としては、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(YAG:Ce)、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(LAG:Ce)、ユウロピウム及び/又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム系蛍光体(CaO−Al2O3−SiO2:Eu,Cr)、ユウロピウムで賦活されたシリケート系蛍光体((Sr,Ba)2SiO4:Eu)、βサイアロン蛍光体、CASN系蛍光体、SCASN系蛍光体等の室化物系蛍光体;KSF系蛍光体等のフッ化物系蛍光体、硫化物系蛍光体、塩化物系蛍光体、ケイ酸塩系蛍光体、リン酸塩系蛍光体などが挙げられる。これらの蛍光体と、青色発光素子又は紫外線発光素子と組み合わせることにより、様々な波長の発光装置を製造することができる。
輝度ムラや色ムラの改善のために透光性部材に光拡散材を含有させてもよい。光拡散材の材料として、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素などを用いることができる。特に、酸化チタンは、水分などに対して比較的安定でかつ高屈折率であるため好ましい。
発光素子40は、窒化物半導体等から構成される既知の半導体素子を適用できる。発光素子の発光波長は、可視域(380〜780nm)を含め、紫外域も選択することができる。例えば、ピーク波長430〜490nmの発光素子としては、窒化物半導体を用いることができる。その窒化物半導体としては、InXAlYGa1−X−YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)等を用いることができる。発光素子は、透光性基板41、半導体積層体42、及び電極43、44と、を含む。発光素子の透光性基板には、例えば、サファイア等の透光性の絶縁性材料を用いることができる。
接着部材は、透光性部材と発光素子とを接着する部材である。接着部材は、透光性樹脂により構成することができる。透光性樹脂としては、特に、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性の透光性樹脂であるのが好ましい。接着部材は発光素子と接触しているので、点灯時に発光素子で発生する熱の影響を受けやすい。熱硬化性樹脂は、耐熱性に優れているので、接着部材に適している。なお、接着部材は、発光素子からの光の透過率が高いことが好ましい。
反射部材は、発光素子からの光を反射する部材である。反射部材は、光反射性樹脂により構成することができる。光反射性樹脂とは、発光素子のピーク波長に対する反射率が70%以上の樹脂を意味する。光反射性樹脂としては、例えば透光性樹脂に、光反射性物質を分散させたものを使用できる。光反射性物質としては、例えば、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウムなどを用いることができる。光反射性物質は、粒状、繊維状、薄板片状などを用いることができる。光反射性樹脂に含まれる樹脂材料としては、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性の透光性樹脂であるのが好ましい。特に、耐光性、耐熱性に優れるシリコーン樹脂が好適である。
11 貫通孔
20、21 支持部材
30 透光性部材
31 波長変換部材
40 発光素子
41 透光性基板
42 半導体積層体
43、44 電極
50 接着部材
60 反射部材
70、71 押圧部材
100、200、300、400 発光装置
Claims (10)
- 透光性部材、発光素子及び反射部材を備えた発光装置の製造方法であって、
貫通孔又は凹部を備える保持部材を準備する工程と、
前記透光性部材を、前記貫通孔又は前記凹部内に配置する工程と、
前記貫通孔又は前記凹部内において、前記透光性部材上に前記発光素子を載置する工程と、
前記貫通孔又は前記凹部の側面と接し、前記発光素子の側面を被覆する前記反射部材を形成する工程と、
前記保持部材から前記発光装置を取り外す工程と、
を含む発光装置の製造方法。 - 前記発光素子は前記透光性部材と対向する面と反対側の面に一対の電極を備え、前記反射部材を形成する工程において、前記反射部材を前記一対の電極を埋設するように形成した後に、前記反射部材の一部を除去し、前記一対の電極を露出させる工程を含む請求項1に記載の発光装置の製造方法。
- 前記発光装置を取り外す工程において、前記発光素子及び/又は前記反射部材を押して前記保持部材から前記発光装置を取り外す請求項1又は請求項2に記載の発光装置の製造方法。
- 前記発光素子を載置する工程において、接着部材を介して前記発光素子を前記透光性部材上に載置する請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記接着部材が前記発光素子の側面と接する請求項4に記載の発光装置の製造方法。
- 前記反射部材が前記接着部材と接する請求項4又は請求項5に記載の発光装置の製造方法。
- 前記反射部材の硬度が前記透光性部材の硬度より高い請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記透光性部材が波長変換部材を含有する請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記透光性部材内で前記波長変換部材が偏在する請求項8に記載の発光装置の製造方法。
- 前記透光性部材は前記発光素子と対向する面側に前記波長変換部材が偏在する請求項9に記載の発光装置の製造方法。
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---|---|
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020057662A (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2020096151A (ja) * | 2018-08-03 | 2020-06-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュール |
US10794558B2 (en) | 2018-08-06 | 2020-10-06 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP2020167396A (ja) * | 2019-03-27 | 2020-10-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
US11011688B2 (en) | 2018-11-14 | 2021-05-18 | Nichia Corporation | Light emitting element, light emitting device, and method of manufacturing light emitting element |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10580932B2 (en) * | 2016-12-21 | 2020-03-03 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light-emitting device |
TWI685131B (zh) * | 2018-10-22 | 2020-02-11 | 隆達電子股份有限公司 | 發光二極體裝置及其製造方法 |
JP6680349B1 (ja) * | 2018-12-28 | 2020-04-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュール |
JP7239840B2 (ja) * | 2020-08-31 | 2023-03-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
Citations (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000022222A (ja) * | 1998-07-07 | 2000-01-21 | Stanley Electric Co Ltd | 発光ダイオード |
JP2001347346A (ja) * | 2000-06-08 | 2001-12-18 | Ykk Corp | 合金塊の製造方法及び装置 |
JP2002261325A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-09-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2012179771A (ja) * | 2011-03-01 | 2012-09-20 | Ube Machinery Corporation Ltd | 金型内塗装用金型及び金型内塗装方法 |
JP2012227470A (ja) * | 2011-04-22 | 2012-11-15 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2012256678A (ja) * | 2011-05-16 | 2012-12-27 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
JP2013077679A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Citizen Electronics Co Ltd | 半導体発光装置とその製造方法 |
US8754435B1 (en) * | 2013-02-19 | 2014-06-17 | Cooledge Lighting Inc. | Engineered-phosphor LED package and related methods |
JP2015506591A (ja) * | 2012-01-24 | 2015-03-02 | クーレッジ ライティング インコーポレイテッド | 波長変換材料を組み込んでいる発光ダイおよび関連する方法 |
JP2015524620A (ja) * | 2012-08-08 | 2015-08-24 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクス半導体デバイス、変換手段プレートおよび変換手段プレートの製造方法 |
WO2015124719A1 (de) * | 2014-02-21 | 2015-08-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur herstellung optoelektronischer halbleiterbauteile und optoelektronisches halbleiterbauteil |
JP2015213170A (ja) * | 2014-04-30 | 2015-11-26 | 新世紀光電股▲フェン▼有限公司 | パッケージ方法及びパッケージ |
US20160181485A1 (en) * | 2014-12-18 | 2016-06-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wavelength conversion film and light emitting device package including the same |
JP2016533030A (ja) * | 2013-07-24 | 2016-10-20 | クーレッジ ライティング インコーポレイテッド | 波長変換材料を組み込む発光ダイおよび関連方法 |
JP2016197715A (ja) * | 2015-04-02 | 2016-11-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
EP3098861A1 (en) * | 2015-05-29 | 2016-11-30 | Nichia Corporation | Light emitting device, method of manufacturing a covering member, and method of manufacturing a light emitting device |
JP6183486B2 (ja) * | 2015-05-29 | 2017-08-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、被覆部材の製造方法及び発光装置の製造方法 |
JP6627316B2 (ja) * | 2015-08-04 | 2020-01-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP6790478B2 (ja) * | 2016-06-14 | 2020-11-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3627592B2 (ja) | 1999-10-08 | 2005-03-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
DE10020465A1 (de) * | 2000-04-26 | 2001-11-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
US7429757B2 (en) * | 2002-06-19 | 2008-09-30 | Sanken Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device capable of increasing its brightness |
WO2011099384A1 (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
JPWO2012086517A1 (ja) * | 2010-12-20 | 2014-05-22 | ローム株式会社 | 発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ |
JP5860289B2 (ja) | 2012-01-05 | 2016-02-16 | シチズン電子株式会社 | Led装置の製造方法 |
JP6094062B2 (ja) | 2012-06-01 | 2017-03-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP5995695B2 (ja) | 2012-12-03 | 2016-09-21 | シチズンホールディングス株式会社 | Led装置の製造方法 |
JP2015153844A (ja) * | 2014-02-13 | 2015-08-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US9601670B2 (en) * | 2014-07-11 | 2017-03-21 | Cree, Inc. | Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate |
JP6446951B2 (ja) | 2014-09-26 | 2019-01-09 | 日亜化学工業株式会社 | 素子の実装方法及び発光装置の製造方法 |
JP6398626B2 (ja) | 2014-11-07 | 2018-10-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2016119402A (ja) | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP6269753B2 (ja) | 2016-08-29 | 2018-01-31 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
-
2016
- 2016-11-30 JP JP2016233206A patent/JP7011143B2/ja active Active
-
2017
- 2017-11-29 US US15/826,568 patent/US10186646B2/en active Active
-
2018
- 2018-12-21 US US16/230,913 patent/US10680149B2/en active Active
Patent Citations (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000022222A (ja) * | 1998-07-07 | 2000-01-21 | Stanley Electric Co Ltd | 発光ダイオード |
JP2001347346A (ja) * | 2000-06-08 | 2001-12-18 | Ykk Corp | 合金塊の製造方法及び装置 |
JP2002261325A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-09-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2012179771A (ja) * | 2011-03-01 | 2012-09-20 | Ube Machinery Corporation Ltd | 金型内塗装用金型及び金型内塗装方法 |
JP2012227470A (ja) * | 2011-04-22 | 2012-11-15 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2012256678A (ja) * | 2011-05-16 | 2012-12-27 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
JP2013077679A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Citizen Electronics Co Ltd | 半導体発光装置とその製造方法 |
JP2015506591A (ja) * | 2012-01-24 | 2015-03-02 | クーレッジ ライティング インコーポレイテッド | 波長変換材料を組み込んでいる発光ダイおよび関連する方法 |
JP2015524620A (ja) * | 2012-08-08 | 2015-08-24 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクス半導体デバイス、変換手段プレートおよび変換手段プレートの製造方法 |
US8754435B1 (en) * | 2013-02-19 | 2014-06-17 | Cooledge Lighting Inc. | Engineered-phosphor LED package and related methods |
JP2016533030A (ja) * | 2013-07-24 | 2016-10-20 | クーレッジ ライティング インコーポレイテッド | 波長変換材料を組み込む発光ダイおよび関連方法 |
WO2015124719A1 (de) * | 2014-02-21 | 2015-08-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur herstellung optoelektronischer halbleiterbauteile und optoelektronisches halbleiterbauteil |
JP2015213170A (ja) * | 2014-04-30 | 2015-11-26 | 新世紀光電股▲フェン▼有限公司 | パッケージ方法及びパッケージ |
US20160181485A1 (en) * | 2014-12-18 | 2016-06-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wavelength conversion film and light emitting device package including the same |
JP2016197715A (ja) * | 2015-04-02 | 2016-11-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
EP3098861A1 (en) * | 2015-05-29 | 2016-11-30 | Nichia Corporation | Light emitting device, method of manufacturing a covering member, and method of manufacturing a light emitting device |
JP6183486B2 (ja) * | 2015-05-29 | 2017-08-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、被覆部材の製造方法及び発光装置の製造方法 |
JP6627316B2 (ja) * | 2015-08-04 | 2020-01-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP6790478B2 (ja) * | 2016-06-14 | 2020-11-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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