JP6790478B2 - 発光装置の製造方法 - Google Patents
発光装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6790478B2 JP6790478B2 JP2016117756A JP2016117756A JP6790478B2 JP 6790478 B2 JP6790478 B2 JP 6790478B2 JP 2016117756 A JP2016117756 A JP 2016117756A JP 2016117756 A JP2016117756 A JP 2016117756A JP 6790478 B2 JP6790478 B2 JP 6790478B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- wavelength conversion
- light emitting
- light
- conversion member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
- B29D11/00—Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
- B29D11/00663—Production of light guides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/61—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing fluorine, chlorine, bromine, iodine or unspecified halogen elements
- C09K11/617—Silicates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/64—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing aluminium
- C09K11/646—Silicates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2083/00—Use of polymers having silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only, in the main chain, as moulding material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2105/00—Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped
- B29K2105/06—Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped containing reinforcements, fillers or inserts
- B29K2105/16—Fillers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2995/00—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds
- B29K2995/0018—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds having particular optical properties, e.g. fluorescent or phosphorescent
- B29K2995/0026—Transparent
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2995/00—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds
- B29K2995/0018—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds having particular optical properties, e.g. fluorescent or phosphorescent
- B29K2995/0035—Fluorescent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
Description
内側面が略平坦な面である孔を複数有する上面を備えた保持部材を準備する工程と、
蛍光体と透光性部材とを含む波長変換部材を、前記複数の孔の内側面と接するように充填する工程と、
前記波長変換部材を成形した後に、前記保持部材から前記波長変換部材を取り外す工程と、
を含む。
図1A〜図5を参照しながら、実施形態1に係る光透過部材の製造方法について説明する。
以下、各工程について詳説する。
工程1−1.保持部材10の準備
図1Bに示すように、内側面101が略平坦な面である孔を複数有する上面を備えた保持部材10を準備する。換言すると、保持部材10は上面に開口を備える複数の孔を備え、複数の孔の内側面101は略平坦な面である。実施形態1に係る孔は貫通孔11であり、保持部材10の上面102と下面103とを貫通している。本明細書で、略平坦な面とは凹凸がない又はほとんど凹凸がないことを意味し、10μm以下の凹凸は許容されることを意図する。また、図1Aに示すように、上面視における貫通孔の形状は、直線から構成される四角形、五角形、六角形等の多角形だけでなく、図2に示すように曲線から構成される円形状でもよい。また、上面視における貫通孔の形状は、直線と曲線との両方を備えた形状でもよい。上面視における貫通孔の角が角丸めをした曲線から構成されることで、貫通孔内の隅々まで後述する波長変換部材を充填しやすくなる。
図1Bに示すように、耐熱性シート等からなる支持部材20上に、保持部材10の下面103を貼り付けて、貫通孔11を閉塞する。
図3Aに示すように、蛍光体31と透光性部材32とを含む波長変換部材30を、複数の孔の内側面と接するように充填する。波長変換部材30を充填する方法としては、当該分野で公知の方法のいずれを利用してもよい。例えば、印刷、ポッティング等が挙げられる。また、波長変換部材30が光拡散材を含んでいてもよい。波長変換部材が光拡散材を含むことで、後述する発光素子からの光が波長変換部材30内で拡散されるので、波長変換部材30内での色ムラや輝度ムラが抑制できる。蛍光体31の粒径は特に限定されず、適宜調整することができる。例えば、蛍光体31の粒径は1μmから50μm程度が挙げられる。
貫通孔内に充填された波長変換部材を硬化し成形する。尚、本明細書での硬化とは、完全硬化だけでなく、半硬化でも波長変換部材の形状を保つことができれば硬化とする。
保持部材から波長変換部材を取り外す。保持部材から波長変換部材を取り外す方法としては、保持部材を溶解させること、波長変換部材を押すこと、又は、波長変換部材に遠心力を加えること等が考えられる。特に、図4に示すように、波長変換部材30と接する押出部材40を用いて、波長変換部材30を押し出して保持部材10から取り外すことが好ましい。波長変換部材30を直接押し出すことで、容易に保持部材10から波長変換部材を取り外すことができる。波長変換部材を押して保持部材から取り外す場合は、保持部材10を固定した後に押出部材40で波長変換部材30を下方向に押して保持部材から波長変換部材を取り外してもよいし、押出部材40で波長変換部材30を押して波長変換部材30を固定した後に保持部材10を上方向に移動させて保持部材10から波長変換部材30を取り外してもよい。
図5〜図8Bを参照しながら、実施形態2に係る光透過部材の製造工程について説明する。実施形態2に係る光透過部材の製造工程は、実施形態1に係る光透過部材の製造工程と比較して孔の形状が相違する。
実施形態2に係る保持部材の孔は、図6Bに示すように、内側面101及び底面104を備える凹部12である点で実施形態1にある貫通孔と相違する。尚、凹部12の内側面101も実施形態1に係る貫通孔の内側面と同様に略平坦な面である。また、凹部12の上面視形状は、図6Aに示すような、上面視において凹部12が直線から構成される四角形状だけでなく、曲線から構成される円形状や、直線と曲線との両方を備えた形状でもよい。
図7Aに示すように、蛍光体31と透光性部材32とを含む波長変換部材30を、複数の凹部12内に充填する。波長変換部材30を充填する方法としては、実施形態1と同様の方法を用いることができる。
凹部内に充填された波長変換部材を硬化し成形する。
保持部材から波長変換部材を取り外す。保持部材から波長変換部材を取り外す方法としては、保持部材10を溶解させること、波長変換部材に遠心力を加えること等が考えられる。また、図8Aに示すように、Ct1−Ct1線より上側に位置する保持部材10の一部を除去して、波長変換部材の上面及び下面を保持部材から露出させてもよい。このようにすると、図8Bに示すように、保持部材の貫通孔内に形成された波長変換部材を得ることができるので、実施形態1と同様に、押出部材40で波長変換部材30を押して保持部材10から取り外すことができる。尚、各工程において支持部材20上における保持部材及び波長変換部材の上下方向の向きは適宜変更してもよい。
工程A−1.光透過部材と発光素子の接着
図9に示すように、上述の方法で製造した光透過部材50と、発光素子60と、を透光性の接合部材70を用いて接着する。光透過部材50上に、複数の発光素子60を接着してもよい。発光素子60は、サファイア基板等の透光性基板61上に、半導体積層体62と、半導体積層体の上面に一対の電極63、64と、を備える。一対の電極を構成する2つの電極63、64の各々は、任意の形状にすることができる。尚、本明細書において、発光素子60の「電極形成面」は、電極63、64を含まない状態における発光素子60の面を指している。また、発光素子60は一対の電極を備える電極形成面601と、電極形成面に対して反対側にある面である光取り出し面602と、電極形成面601と光取り出し面602との間に位置する側面603と、を備える。本実施の形態では、電極形成面601は、半導体積層体62の上面と一致し、光取り出し面602は、透光性基板61の下面と一致する。
図10に示すように、発光素子60の側面603と、光透過部材50の側面501と、接合部材70と、を被覆する反射部材80を形成する。また、発光素子60が複数ある場合は、隣接する発光素子60の間を埋めるように反射部材80を形成してもよい。更に、発光素子60の電極形成面601のうち、電極63、64が形成されていない部分も、反射部材80で覆ってもよい。このとき、電極63、64の一部が反射部材80から露出するように、反射部材80の厚さ(z方向の寸法)を調節してもよい。
図11Aに示すように、透光性部材32内で蛍光体31が偏在している場合には、Ct2−Ct2線より上側に位置する透光性部材32を除去してもよい。つまり、光透過部材の蛍光体が偏在された側と反対側の一部を除去してもよい。蛍光体が偏在された側と反対側の透光性部材を除去する場合は、実質的に蛍光体31が含まれない部分の透光性部材を除去することが好ましい。換言すると、透光性部材を除去する場合は透光性部材32のみを除去することが好ましい。これにより、透光性部材32内に含まれる蛍光体31の含有量を実質的に変化させることなく、図11Bに示すように、光透過部材50を薄くすることができるので発光装置も薄くすることができる。また、実質的に蛍光体31が含まれない部分を除去するので、光透過部材の透光性部材を除去した面から蛍光体が突き出にくくなる。尚、光透過部材50を除去する時に、反射部材80の一部も除去してもよい。
隣接する発光素子60の間を埋めるように反射部材80を形成した場合は、発光素子間において、反射部材80を切断することにより個々の発光装置に分割する。図12Aに示すように、隣接する発光素子60の中間を通る破線X1、破線X2、破線X3および破線X4に沿って、反射部材80と、支持部材20とを、例えば、ダイサー等で切断し個片化する。最後に、支持部材20を除去することにより、発光装置を得る。また、反射部材80と、支持部材20と、を切断する時に支持部材20は完全に切断しない方が好ましい。つまり、図12Bに示すように、切断部800により反射部材80は切り離され、支持部材20は切り離されていないことが好ましい。このようにすることで支持部材20が複数に分割されないので、支持部材20を一度に除去することができる。尚、切断前に支持部材20を除去し、その後に、反射部材80を切断してもよい。また、複数の発光素子60を含む位置で反射部材80を切断してもよい。
保持部材10は、内側面が略平坦な面である孔を複数有する上面を備え、孔内に波長変換部材を充填することで光透過部材を成形する型である。保持部材10の材料としては、金属、樹脂等を用いることができる。波長変換部材を取り外す工程等で保持部材10を加工しない場合は、保持部材10の材料として金属を用いることが好ましい。金属を用いると、樹脂と比較して劣化しにくいので繰り返し使用できる。波長変換部材を取り外す工程等で保持部材10の加工をする場合は、保持部材10の材料として樹脂を用いることが好ましい。保持部材10の材料として樹脂を用いると、金属と比較して加工が容易になる。
波長変換部材30は、照射された第一ピーク波長の光を、この第一ピーク波長とは波長の異なる第二ピーク波長の光に波長変換する部材である。波長変換部材30は、蛍光体31と透光性部材32とを含む。
蛍光体31としては、発光素子からの発光で励起可能な粒子が使用される。例えば、青色発光素子又は紫外線発光素子で励起可能な蛍光体としては、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(YAG:Ce)、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(LAG:Ce)、ユウロピウムおよび/又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム系蛍光体(CaO−Al2O3−SiO2:Eu,Cr)、ユウロピウムで賦活されたシリケート系蛍光体((Sr,Ba)2SiO4:Eu)、βサイアロン蛍光体、CASN系蛍光体、SCASN系蛍光体等の室化物系蛍光体;KSF系蛍光体等のフッ化物系蛍光体、硫化物系蛍光体、塩化物系蛍光体、ケイ酸塩系蛍光体、リン酸塩系蛍光体などが挙げられる。これらの蛍光体と、青色発光素子又は紫外線発光素子と組み合わせることにより、様々な波長の発光装置を製造することができる。
透光性部材の材料としては、透光性を有する樹脂材料又はガラス材料等を用いることができる。透光性部材の樹脂材料としては、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、メチルペンテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂などの熱可塑性樹脂を用いることができる。特に、耐光性、耐熱性に優れるシリコーン樹脂が好適である。尚、透光性樹脂は、光の透過率が高いことが好ましい。
輝度ムラや色ムラの改善のために波長変換部材に光拡散材を含有させてもよい。光拡散材の材料として、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素などを用いることができる。特に、酸化チタンは、水分などに対して比較的安定でかつ高屈折率であるため好ましい。
発光素子60は、窒化物半導体等から構成される既知の半導体素子を適用できる。発光素子の発光波長は、可視域(380〜780nm)を含め、紫外域も選択することができる。例えば、ピーク波長430〜490nmの発光素子としては、窒化物半導体を用いることができる。その窒化物半導体としては、InXAlYGa1−X−YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)等を用いることができる。発光素子は、透光性基板61と、その上に形成された半導体積層体62と、電極63、64と、を含む。
発光素子の透光性基板には、例えば、サファイア(Al2O3)等の透光性の絶縁性材料や、半導体積層体からの発光を透過する半導体材料(例えば、窒化物系半導体材料)を用いることができる。
接合部材は、透光性樹脂により構成することができる。透光性樹脂としては、特に、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性の透光性樹脂であるのが好ましい。接合部材は発光素子と接触しているので、点灯時に発光素子で発生する熱の影響を受けやすい。熱硬化性樹脂は、耐熱性に優れているので、接合部材に適している。なお、接合部材は、発光素子からの光の透過率が高いことが好ましい。
反射部材は、光反射性樹脂により構成することができる。光反射性樹脂とは、発光素子からの光に対する反射率が高く、例えば、反射率が70%以上の樹脂を意味する。光反射性樹脂としては、例えば透光性樹脂に、光反射性物質を分散させたものを使用できる。光反射性物質としては、例えば、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウムなどを用いることができる。光反射性物質は、粒状、繊維状、薄板片状などを用いることができる。特に、繊維状の光反射性物質のものは反射部材の熱膨張率を低くして、例えば、発光素子との間の熱膨張率差を小さくできるので、好ましい。光反射性樹脂に含まれる樹脂材料としては、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性の透光性樹脂であるのが好ましい。特に、耐光性、耐熱性に優れるシリコーン樹脂が好適である。
11 貫通孔
12 凹部
20 支持部材
30 波長変換部材
31 蛍光体
32 透光性部材
40 押出部材
50 光透過部材
60 発光素子
61 透光性基板
62 半導体積層体
63、64 電極
70 接合部材
80 反射部材
Claims (7)
- 内側面が略平坦な面である孔を複数有する上面を備えた保持部材を準備する工程と、
蛍光体と透光性部材とを含む波長変換部材を、前記複数の孔の内側面と接するように充填し、前記蛍光体を前記波長変換部材内で偏在させる工程と、
前記波長変換部材を成形した後に、前記波長変換部材の前記蛍光体を偏在させた側の面とは反対側の面を押して前記保持部材から前記波長変換部材を取り外す工程と、
前記保持部材から取り外した前記波長変換部材である光透過部材の前記蛍光体を偏在させた側の面に発光素子を接着する工程と、
前記発光素子の側面と、前記光透過部材の側面と、を被覆する反射部材を形成する工程と、
前記反射部材を形成する工程の後に、前記光透過部材の前記蛍光体が偏在された側と反対側の一部を除去する工程と
を含む発光装置の製造方法。 - 前記孔が前記保持部材を貫通している請求項1に記載の発光装置の製造方法。
- 前記孔は、前記内側面および底面を有する凹部であり、
前記蛍光体を偏在させる工程の後に、前記保持部材の一部を除去し、前記蛍光体を偏在させた側の面、および、その反対側の面を、それぞれ上面および下面として前記保持部材から露出させる工程と、
をさらに含む請求項1に記載の発光装置の製造方法。 - 前記波長変換部材を取り外す工程において、前記波長変換部材と接する押出部材を用いる請求項2または3に記載の発光装置の製造方法。
- 前記蛍光体は、フッ化物系蛍光体を含有する、請求項1から4のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
- 前記蛍光体が、βサイアロン蛍光体を含有する、請求項1から5のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記蛍光体のアスペクト比が1.5以上である、請求項1から6のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016117756A JP6790478B2 (ja) | 2016-06-14 | 2016-06-14 | 発光装置の製造方法 |
US15/617,140 US10084120B2 (en) | 2016-06-14 | 2017-06-08 | Method of producing light transmissive element and method of producing light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016117756A JP6790478B2 (ja) | 2016-06-14 | 2016-06-14 | 発光装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017224667A JP2017224667A (ja) | 2017-12-21 |
JP6790478B2 true JP6790478B2 (ja) | 2020-11-25 |
Family
ID=60574143
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016117756A Active JP6790478B2 (ja) | 2016-06-14 | 2016-06-14 | 発光装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10084120B2 (ja) |
JP (1) | JP6790478B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018092989A (ja) * | 2016-11-30 | 2018-06-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019064980A1 (ja) * | 2017-09-27 | 2019-04-04 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光源装置及び投光装置 |
KR102652590B1 (ko) * | 2018-11-07 | 2024-04-01 | 엘지전자 주식회사 | 레이저 광원용 형광체 및 그 제조 방법 |
KR20200085082A (ko) * | 2019-01-04 | 2020-07-14 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
JP2023167773A (ja) * | 2022-05-13 | 2023-11-24 | 日本特殊陶業株式会社 | 波長変換部材および光源装置 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0425185A (ja) * | 1990-05-18 | 1992-01-28 | Omron Corp | 光半導体素子の製造方法 |
JP4109756B2 (ja) * | 1998-07-07 | 2008-07-02 | スタンレー電気株式会社 | 発光ダイオード |
JP2001347346A (ja) * | 2000-06-08 | 2001-12-18 | Ykk Corp | 合金塊の製造方法及び装置 |
JP3921545B2 (ja) * | 2004-03-12 | 2007-05-30 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体とその製造方法 |
JP4253266B2 (ja) | 2004-03-16 | 2009-04-08 | 住友重機械工業株式会社 | 平板状樹脂の成形装置 |
JP2009076656A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Sharp Corp | 発光装置、画像表示装置および液晶ディスプレイ |
JP5446432B2 (ja) * | 2009-04-28 | 2014-03-19 | 三菱化学株式会社 | 蛍光体と、その蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置 |
KR20120022628A (ko) * | 2010-08-16 | 2012-03-12 | 후지필름 가부시키가이샤 | Led 용 방열 반사판 |
KR101253586B1 (ko) * | 2010-08-25 | 2013-04-11 | 삼성전자주식회사 | 형광체 필름, 이의 제조방법, 형광층 도포 방법, 발광소자 패키지의 제조방법 및 발광소자 패키지 |
JP2013077679A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Citizen Electronics Co Ltd | 半導体発光装置とその製造方法 |
JP5995695B2 (ja) | 2012-12-03 | 2016-09-21 | シチズンホールディングス株式会社 | Led装置の製造方法 |
JP2014207349A (ja) * | 2013-04-15 | 2014-10-30 | パナソニック株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP6331389B2 (ja) * | 2013-12-27 | 2018-05-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
TWI528601B (zh) * | 2014-04-30 | 2016-04-01 | 新世紀光電股份有限公司 | 封裝方法及封裝結構 |
JP2016058689A (ja) * | 2014-09-12 | 2016-04-21 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
JP6459354B2 (ja) | 2014-09-30 | 2019-01-30 | 日亜化学工業株式会社 | 透光部材及びその製造方法ならびに発光装置及びその製造方法 |
US9397276B2 (en) * | 2014-10-17 | 2016-07-19 | Nichia Corporation | Light emitting device and resin composition |
JP6623577B2 (ja) | 2015-06-30 | 2019-12-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
-
2016
- 2016-06-14 JP JP2016117756A patent/JP6790478B2/ja active Active
-
2017
- 2017-06-08 US US15/617,140 patent/US10084120B2/en active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018092989A (ja) * | 2016-11-30 | 2018-06-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP7011143B2 (ja) | 2016-11-30 | 2022-01-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017224667A (ja) | 2017-12-21 |
US10084120B2 (en) | 2018-09-25 |
US20170358720A1 (en) | 2017-12-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6790478B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP7011143B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
CN106206921B (zh) | 发光装置及其制造方法 | |
JP6179555B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6702280B2 (ja) | 発光装置、被覆部材の製造方法及び発光装置の製造方法 | |
KR102393760B1 (ko) | 발광 장치 및 그 제조 방법 | |
JP7152675B2 (ja) | 発光装置 | |
KR20150038136A (ko) | 세라믹 녹색 인광체 및 보호된 적색 인광체 층을 갖는 led | |
JP6493053B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6264862B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP2016213451A (ja) | 蛍光体層−封止層付光半導体素子の製造方法 | |
JP6314968B2 (ja) | 発光装置 | |
JP7111939B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP2017201666A (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP6848244B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
CN108878625A (zh) | 发光装置及其制造方法 | |
JP6822526B2 (ja) | 発光装置とその製造方法 | |
JP6696521B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP7054005B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6885494B1 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
US11710809B2 (en) | Light-emitting device and method of manufacturing the light-emitting device | |
JP6669292B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
KR102035043B1 (ko) | 삼면 발광 칩 스케일 패키지 및 그의 제조 방법 | |
JP2018049865A (ja) | 被覆層付光半導体素子および蛍光体層−被覆層付光半導体素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20170316 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190111 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191119 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200115 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200526 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20200612 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200623 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201006 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201019 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6790478 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |