KR20150038136A - 세라믹 녹색 인광체 및 보호된 적색 인광체 층을 갖는 ｌｅｄ - Google Patents

세라믹 녹색 인광체 및 보호된 적색 인광체 층을 갖는 ｌｅｄ Download PDF

Info

Publication number
KR20150038136A
KR20150038136A KR1020157004248A KR20157004248A KR20150038136A KR 20150038136 A KR20150038136 A KR 20150038136A KR 1020157004248 A KR1020157004248 A KR 1020157004248A KR 20157004248 A KR20157004248 A KR 20157004248A KR 20150038136 A KR20150038136 A KR 20150038136A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
light emitting
material layer
red
wavelength converting
Prior art date
Application number
KR1020157004248A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102131747B1 (ko
Inventor
에이프릴 다운 쉬리커
킴 케빈 마이
그리고리 바신
우베 맥켄스
주스트 피터 안드레 보겔스
알데곤다 루시아 베이저스
칼 아드리안 지즈트벨드
Original Assignee
코닌클리케 필립스 엔.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 코닌클리케 필립스 엔.브이. filed Critical 코닌클리케 필립스 엔.브이.
Publication of KR20150038136A publication Critical patent/KR20150038136A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102131747B1 publication Critical patent/KR102131747B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/0004—Devices characterised by their operation
    • H01L33/0041—Devices characterised by their operation characterised by field-effect operation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

세라믹 녹색 파장 변환 소자(120)가 적색 파장 변환 재료(330)로 코팅되고, 세라믹 소자(120)가 발광 소자(110)에 부착되도록 청색 발광 소자(110) 위에 배치되고, 이로써 적색 및 녹색 변환기들(330, 120)로부터 발광 소자(110) 및 그것의 연관된 열 싱크(heat sink)로의 유효한 열적 커플링을 제공한다. 후속 프로세스들의 영향들로부터 적색 변환기 코팅(330)을 보호하기 위해, 적색 변환기 소자(330) 위에 희생 투명한 코팅(sacrificial clear coating; 340)이 생성된다. 이러한 투명한 코팅(340)은 투명한 재료의 별개 층으로서 제공될 수도 있고, 또는 그것은 적색 변환기들이 그것의 현탁 재료의 저부에 침하(settle)할 수 있게 하고 이로써 후속 제작 프로세스들이 실시될 수 있는 변환기-미포함 상부 층을 형성함으로써 제조될 수도 있다.

Description

세라믹 녹색 인광체 및 보호된 적색 인광체 층을 갖는 ＬＥＤ{LED WITH CERAMIC GREEN PHOSPHOR AND PROTECTED RED PHOSPHOR LAYER}
본 발명은 발광 디바이스들의 분야에 관한 것이며, 특히 발광 소자, 세라믹 녹색 파장 변환 소자 및 적색 파장 변환 층을 포함하는 발광 디바이스에 관한 것이다.
단일 파장 발광 소자로부터 복수의 파장들을 포함하는 광을 제공하기 위해 인광체(phosphor)들과 같은 파장 변환기들이 일반적으로 사용된다. 복합 광 출력은 발광 소자로부터 방출하는 광의 일부의 흡수 시에 변환기들로부터 방출되는 광과, 발광 소자로부터의 비흡수 광의 나머지의 조합이 일반적이다.
도 1a에 예시된 것과 같은 예시적 실시예에서, 발광 디바이스(101)는 청색 광을 방출하는 발광 소자(110) 및 그것의 위에, 청색-녹색 파장 변환기 재료를 포함하는 세라믹 소자(120)를 포함한다. 참조하기 쉽도록, 변환기에 의해 흡수되는 광의 파장에 상관없이, 녹색 광을 방출하는 파장 변환기는 이후에 녹색 변환기라고 칭해지고, 그 변환을 초래하는 개별 소자들 또는 입자들은 녹색 변환기 재료라 칭해진다. 세라믹 소자(120) 내의 녹색 변환기 재료가 발광 소자(110)로부터의 청색 광을 흡수할 때, 그들은 녹색 광을 방출한다. 그 복합 광은 발광 소자로부터 방출되는 청색 광보다 '백색' 광에 더 가깝고, 현재 차가운 백색 조명(cool white illumination)을 가능하게 하는 자동차 헤드라이트들과 같은 엄선된 응용들을 위해 사용될 수도 있다.
세라믹 소자(120)는 그 소자(120)를 통한 녹색 변환기 재료의 상당히 균일하고 일관된 분포를 가능하게 한다. 소자(120)의 세라믹 조성물의 경성 성질(rigid nature)은 소자(120) 내의 녹색 변환기 재료의 이러한 분포에 영구성을 제공하도록 기능한다. 세라믹 소자(120)의 표면(125)은 소자(120)의 구조 및 특징들에 크게 영향을 주지 않고서 광 출력 효율을 강화시키기 위해 조면화될 수도 있다. 세라믹 소자(120)의 경성은 또한, 발광 소자(110)의 맨 위에 세라믹 소자(120)를 두는 픽 앤드 플레이스 프로세스(pick-and-place process)와 같은 프로세스들에 대해 소자의 취급을 용이하게 한다.
세라믹 소자(120)를 갖는 발광 소자(110)는 산화티탄(TiO)을 적재한 실리콘과 같은 반응성 재료(140) 내에 둘러싸여 있다. 반사성 재료(140)는 발광 디바이스(101)를 보호하고 그리고 발광 소자(110) 및 세라믹 소자(120)로부터 측면 방출된 광을 세라믹 소자(120)의 표면(125)으로 반사시켜, 더 높은 투사 콘트라스트(higher projection contrast)(조명된 영역과 비조명 영역 사이의 명확한 경계)를 제공하도록 기능하는데, 더 높은 투사 콘트라스트는 자동차 조명과 같은 특정 응용들에서 바람직하다.
통상적인 동작 환경에서, 발광 디바이스(102)는 세라믹 소자(120) 내의 녹색 변환기들 및 광 에미터(110)에 의해 발생된 열을 흡수하고 소산시키는 열 싱크(heat sink; 160)에 커플링된다. 세라믹 소자(120)는 효율적인 열 전도체이지만, 주위 분위기는 그렇지 않으므로, 세라믹 소자(120)에서 발생되는 열의 소량만이 소산된다. 청색 광에서 녹색 광으로의 변환에 의해 발생되는 열은 접착제 층(glue layer; 115) 및 청색 에미터(110)를 통해 열 싱크(160)로 전도될 것이다.
비록 발광 디바이스(101)의 복합 광 출력이 발광 소자(110)로부터의 청색 광보다 백색 출력에 더 가깝긴 하지만, 몇몇 응용들은 '더 따뜻한' 색 온도를 갖는 광 출력을 요구한다.
디바이스(101)의 차가운 백색 광 출력보다 (더 따뜻한 색 온도를 갖는) '더 백색'으로 보이는 광을 제공하기 위해, 도 1b의 디바이스(102)에 예시된 바와 같이, 적색 광을 방출하는 파장 변환 소자('적색 변환기')가 추가될 수도 있다. 그러나, 현재 기술로는 적색 변환 재료가 세라믹 소자에 내장되는(embedded) 것이 가능하지 않으므로, 적색 변환기 재료 적재 실리콘 층(130)과 같은 별도의 코팅이 (청색) 발광 소자(110)와 세라믹 (녹색) 변환기 소자(120) 사이에 제공된다.
비록 디바이스(102)의 청색-적색-녹색 방출 소자들의 이러한 배열은, 청색 발광 소자(110)에 인접하는, 비교적 높은 적색 변환기 효율 및 내구성 있는 외부 표면(125)을 제공하는 것을 포함한, 다수의 장점이 있긴 하기만, 그것은 열악한 열 소산 효율을 나타낸다.
상기 서술된 바와 같이, 비록 세라믹 층(120)이 상부 표면(125)을 통해 주위 분위기로 일부 열을 소산시킬 수도 있긴 하지만, 이 계면에서의 열 전달 효율은 열악하다. 문제를 악화시키는 것은, 적색 변환기들이 더 큰 파장 변환을 초래하는 녹색 변환기들보다 더 많은 열을 발생시킨다는 점이다. 비록 이러한 열의 일부는 세라믹 소자(120)로 전달될 것이지만, 세라믹 소자는 이러한 추가적인 열을 효율적으로 소산시킬 수 없다.
따라서, 변환-발생된 열의 대부분은 적색 변환기 층(130) 및 접착제 층(115)을 통과해 에미터(110) 및 열 싱크(160)로 이동해야 한다. 적색 변환기 층(130) 및 접착제 층(115)은 일반적으로 실리콘계이고, 실리콘은 비교적 낮은 열 전달 효율을 갖는다. 그리하여, 층들(130 및 115)은 이러한 요구되는 열 전달에 대한 열적 장애물(thermal barrier)로서 작용할 것이다. 그러므로, 도 1b의 디바이스의 예상되는 동작 온도는 높아서, 디바이스의 수명을 줄이고 실패의 가능성을 증가시킬 것이다.
세라믹 녹색 변환기 소자를 갖는 종래의 청색 발광 소자보다 더 따뜻한 색 온도를 제조하는 열 효율적 발광 디바이스를 제공하는 것이 유리할 것이다. 그러한 열 효율적 발광 디바이스들 간에 일관된 색 온도를 제공하는, 열 효율적 발광 디바이스들을 제조하는 방법을 제공하는 것이 또한 유리할 것이다.
이 관심사들 중 하나 이상을 더 잘 다루기 위해, 본 발명의 실시예에서, 녹색 변환기 세라믹 소자가 적색 변환기 적재 실리콘으로 코팅되고, 세라믹 소자가 청색 발광 소자에 부착되도록 청색 발광 소자 위에 배치되고, 이로써 적색 및 녹색 변환기들로부터 발광 소자 및 그것의 연관된 열 싱크로의 유효한 열적 커플링을 제공한다. 후속 프로세스들의 영향들로부터 적색 변환기 코팅을 보호하기 위해, 적색 변환기 소자 위에 희생 투명한 코팅(sacrificial clear coating)이 생성된다. 이러한 투명한 코팅은 투명한 재료의 별개 층으로서 제공될 수도 있고, 또는 그것은 적색 변환기들이 그것의 현탁 재료의 저부에 침하(settle)할 수 있게 하고 이로써 후속 제작 프로세스들이 실시될 수 있는 변환기-미포함 상부 층을 형성함으로써 제조될 수도 있다.
본 발명은 첨부 도면들을 참조하면서 예로서 더욱 상세하게 설명된다:
도 1a 및 도 1b는 세라믹 변환기 소자들을 갖는 예시적 종래 기술의 발광 디바이스들을 예시한다.
도 2는 세라믹 변환기 소자 및 보호된 적색 변환기 층을 갖는 예시적 발광 디바이스를 예시한다.
도 3a 도 3c는 세라믹 녹색 변환기 소자 상에 보호된 적색 변환기 층을 생성하기 위한 예시적 프로세스를 예시한다.
도 4a 도 4d는 세라믹 녹색 변환기 소자 및 보호된 적색 변환기 층을 갖는 발광 디바이스들을 생성하기 위한 예시적 프로세스를 예시한다.
도 5a 도 5e는 세라믹 녹색 변환기 소자 및 보호된 적색 변환기 층을 갖는 발광 디바이스들을 생성하기 위한 예시적 대안 프로세스를 예시한다.
도면들 전체에 걸쳐, 동일한 참조 번호들은 유사 또는 대응하는 특징들 또는 기능들을 표시한다. 도면들은 예시적 목적으로 포함된 것이고, 본 발명의 범위를 제한하도록 의도된 것이 아니다.
하기 설명에서, 본 발명의 개념들의 완전한 이해를 제공하기 위해서, 제한이 아닌 설명을 목적으로 특정한 아키텍처, 인터페이스들, 기법들 등과 같이 특정 상세사항들이 서술된다. 하지만, 본 발명이 이 특정 상세사항들로부터 벗어나는 다른 실시예들에서 실현될 수도 있다는 것은 관련 기술분야의 통상의 기술자에게 명백할 것이다. 마찬가지로, 이 설명의 본문은 도면들에 예시되는 바와 같은 예시적 실시예들에 관련되고, 청구항들에 분명히 포함된 제한들을 넘어서 청구된 발명을 제한하도록 의도된 것이 아니다. 단순함 및 명료함을 위해, 주지된 디바이스들, 회로들 및 방법들의 상세한 설명들은 불필요한 상세사항으로 본 발명의 설명을 모호하게 하지 않게 하기 위해서 생략된다.
도 2는 발광 소자(110), 세라믹 녹색 변환기 소자(120), 보호된 적색 변환기 층(230), 및 보호성 반사성 코팅(140)을 갖는 예시적 발광 디바이스를 예시한다. 이 예시적 실시예에서, 세라믹 녹색 변환기 소자(120)가 적색 변환기 층(230) 위의 환경보다 상당히 더 양호한 열 전도체이기 때문에 그리고 적색 변환기 층(230)과 녹색 변환기 소자(120) 사이에 본질적으로 접착제가 없기 때문에, 적색 변환기 층(230)으로부터의 열은 녹색 변환기 소자(120)로 효율적으로 전도될 것이다. 이 열 및 녹색 변환기 소자(120)에서의 변환에 의해 야기된 열은 접착제 층(115) 및 발광 소자(110)를 통해 열 싱크(160)로 전도되는데, 열 싱크(160) 상에 디바이스가 탑재될 것이다.
상기 언급된 바와 같이 그리고 이하 더욱 상세히 설명되는 바와 같이, 발광 소자(110)에 변환기 소자(120) 및 변환기 층(230)을 부착한 후에, 발광 디바이스에 후속 제작 프로세스들, 이를테면 적색 변환기 층(230)의 표면(235) 상의 임의의 잔류물들의 제거와, 광 추출 효율을 향상시키기 위해 표면(235)의 대응하는 조면화가 실시된다. 이들 프로세스들은 예를 들면, 표면 상으로 미립자들을 고속으로 투사함으로써 표면 재료를 제거하는 마이크로 비드 블라스팅(micro-bead blasting)을 포함한다. 현재 공기와 베이킹 소다의 입자들(직경 약 80 마이크로미터)이 표면 상으로 투사되는 '건식' 블라스팅 프로세스가 일반적으로 사용되지만, 물과 플라스틱 입자들(직경 약 180 마이크로미터)의 슬러리가 표면 상으로 투사되는 '습식' 블라스팅도 있다.
세라믹 소자(120)와 같은 내구성이 있는 재료에 마이크로 비드 블라스팅이 실시될 때, 표면은 점차 닳아지고; 이 점차적인 삭감은 마이크로 비드 블라스팅이 매우 높은 정밀도로 제어될 수 있게 한다. 변환기 소자들이 내장되는 실리콘 층(230)과 같은 내구성이 적은 재료에 마이크로 비드 블라스팅이 실시될 때, 표면은 신속하게 닳아지고, 삭감 정도의 상대적으로 대략적 제어(coarse control)만을 허용한다.
적색 변환기 층(230)에 삭감 정도의 대략적 제어만을 갖는 마이크로 비드 블라스팅이 실시된다면, 디바이스들 간의 광 출력의 편차가 클 것이다. 몇몇 디바이스들에서, 소량의 적색 변환기들만이 마이크로 비드 블라스팅에 의해 제거될 것이고; 다른 디바이스들에서, 더 많은 양의 적색 변환기들이 마이크로 비드 블라스팅에 의해 제거될 것이다. 적색 변환기 층(230)에 남은 적색 변환기 재료의 분량은 생성될 적색 광의 양을 결정할 것이고, 이로써 복합 광 출력의 컬러 포인트(color point)를 결정할 것이다. 남은 적색 변환기 재료의 분량이 변환기 적재 실리콘에 대한 마이크로 비드 블라스팅 영향들의 제어의 부족으로 인해 디바이스들 간에 현저하게 다르다면, 디바이스들 간의 컬러 포인트는 그에 대응하여 달라질 것이다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 적색 변환기 층(230)은, 디바이스에 적용되는 다른 프로세스들 및 마이크로 비드 블라스팅의 영향들의 정밀한 제어의 부족에도 불구하고, 층(230) 내의 적색 변환기들의 양이 디바이스들 간에 매우 일관되도록 형성된다. 적색 변환기 재료의 이러한 일관된 양은 적색 변환기 재료를 함유하는 층을 후속 프로세스들 동안 손상으로부터 보호하기 위해 희생 변환기-미포함(투명한) 층을 제공함으로써 유지된다. 상부 표면을 마모시키거나 또는 다르게 손상시키는 마이크로 비드 블라스팅 또는 다른 프로세스가 적용될 때, 재료가 변환기-비함유 희생 층으로부터 제거될 것이기 때문에, 재료의 삭감은 적색 변환기 재료의 양의 대응하는 삭감을 도입하지 않을 것이다. 통상적으로, 희생 층은 변환기들(120, 230) 또는 에미터(110)에 의해 발생된 광의 파장들 중 임의의 것에 대해 투명할 것이다. 하지만, 관련 기술분야의 통상의 기술자는, 희생 층이 마모된 후에, 산란과 같은 다른 영향들을 제공하도록 기능하고 본질적으로 투명할 필요가 없는 나머지 층을 제공하도록 희생 층의 크기가 정해질 수도 있음을 인식할 것이다.
도 3a 도 3c는 세라믹 녹색 변환기 소자(120) 상에 보호된 적색 변환기 층(330)을 생성하기 위한 예시적 프로세스를 예시한다. 도 3a에서, 적색 변환기 층(330)은, 블레이드 코팅막의 적층, 스크린 인쇄, 스텐실 인쇄, 스핀 캐스트, 또는 임의의 다른 적합한 방법을 포함한, 다양한 도포 기법들 중 임의의 것을 이용하여 세라믹 소자(120)에 도포되고, 스크린 인쇄가 통상적으로 바람직하다. 층(330) 내의 적색 변환기들은 예를 들면, BR102C, a-Sialon, BSSN2.0, BSSN2.6, 및 BSSNE2.6을 포함할 수도 있고, 세라믹 소자(120) 내의 녹색 변환기들은 YAG, LuYAG, NYAG1, 2 등을 포함할 수도 있다. 적색 변환기들은 임의의 다양한 실리콘, 산화규소 졸 겔, 및 그 외에 관련 기술분야에 알려진 것들을 포함한, 임의의 적합한 재료에 현탁될 수도 있다. 참조하기 쉽도록, 본 명세서에서 '실리콘'이라는 용어는 이러한 재료들을 포함하도록 사용된다.
비록 녹색 변환기 소자 상에 적색 변환기 층(130)을 직접 도포하기 위한 상술된 '유체' 기법들이 이러한 도포에 확실히 적합하긴 하지만, 관련 기술분야의 통상의 기술자는 다른 기법들도 역시 이용될 수도 있음을 인식할 것이다. 예를 들면, Haryanto Chandra에게 2008년 7월 3일자로 허여된 미국 특허 7,344,952 "Laminating Encapsulant Film Containing Phosphor Over LEDs"에는 서브마운트 상의 발광 디바이스들의 세트에 인광체 막을 적층하기 위한 기법이 개시되어 있다. 적색 변환기 층(330)을 미리 형성된 막으로서 생성한 후에 이 막을 세라믹 소자들(120)의 세트에 적층하기 위해 유사한 기법이 이용될 수도 있다. 마찬가지로, 비록 접착제의 사용이 열 효율을 어느 정도 감소시키긴 하겠지만, 관련 기술분야의 통상의 기술자는 미리 형성된 적색 변환기들이 세라믹 소자(120)에 접착될 수도 있음을 인식할 것이다.
본 발명의 실시예에서, 변환기 층(330)의 두께는 5와 50 마이크로미터 사이, 통상적으로 약 30 마이크로미터일 수도 있고, 이 층 내의 적색 변환기들의 농도는 1%와 70% 사이, 통상적으로 7%와 20% 사이일 수도 있다. 실리콘이 현탁 재료로서 사용된다면, 경화의 스케줄은 80℃에서 1 시간, 그리고 나서 120℃에서 1 시간, 그 후에 150℃에서 4 시간일 수도 있다.
도 3b에서, 적색 변환기 층(330) 위에 투명한 변환기-비함유 희생 층(340)이 생성된다. 이러한 희생 층(340)은 예를 들면, 실리콘 화합물들 KJR9222A/B 및 KRJ9226D, 그리고 다른 재료들을 포함할 수도 있다. 바람직하게는, 희생 층(340)은 층들(330, 340) 사이의 경계에서의 손실들을 회피하기 위해 적색 변환기 층(330)과 동일한 굴절률을 갖는다. 희생 층(340)은 예를 들면, 스크린 인쇄, 적층, 오버몰딩(overmolding), 캐스팅(casting), 또는 임의의 다른 적합한 방법을 포함한, 다양한 기법들 중 임의의 것을 이용하여 적색 변환기 층(330) 위에 형성될 수도 있다.
변환기 층(330) 위의 희생 층(340)의 형성을 용이하게 하기 위해, 변환기 층(330)에 산소 플라즈마, UV 오존 등과 같은 처리들이 통상적으로 2와 30분 사이 동안 실시될 수도 있다. 이러한 처리의 유효성을 최대화하기 위해, 희생 층의 형성과 처리 사이의 지연은, 만약 있다면, 몇 시간을 초과하지 않아야 한다.
희생 층(340)의 두께는 마이크로 비드 블라스팅, 또는 두께를 감소시키는 다른 프로세스들의 영향들의 예상된 제어 정도에 의존할 것이고, 2와 100 마이크로미터 사이의 범위일 수도 있다. 종래의 프로세싱 기법들을 가정하면, 20 내지 40 마이크로미터의 희생 층 두께가 일반적으로 충분할 것이다. 실리콘이 희생 재료로서 사용된다면, 경화의 스케줄은 80℃에서 1 시간, 그리고 나서 120℃에서 1 시간, 그 후에 150℃에서 4 시간일 수도 있다.
층(330) 및 세라믹 소자(120) 각각 내의 적색 및 녹색 변환기 재료의 농도, 그리고 층(330) 및 세라믹 소자(120)의 두께는 주로 복합 광 출력의 결과적인 컬러 포인트를 결정할 것이다. 따라서, 디바이스들 간의 컬러 포인트의 편차는 주로 이 농도들 및 두께들의 제어 정도에 의해 결정될 것인데, 이 농도들 및 두께들의 제어 정도는 통상적으로 마이크로 비드 블라스팅과 같은 다른 프로세스들의 영향들의 제어 정도보다 상당히 더 크다.
세라믹 소자(120) 상에 적색 변환기 층(330) 및 희생 층(340)을 형성한 후에, 그 결합물은 다이싱되거나(diced) 또는 '단일화되어(singulated)', 개별 세라믹계 파장 변환기 소자들(350)을 제조한다. 상기 언급된 바와 같이, 세라믹계 구조체의 장점은 후속 프로세스들 동안 요구되는 이들 구조체들의 효율적인 픽 앤드 플레이스를 용이하게 하는 데에 충분히 경성이라는 것이다.
도 4a 내지 도 4d는 세라믹 녹색 변환기 소자 및 보호된 적색 변환기 층을 갖는 발광 디바이스들을 생성하기 위한 예시적 프로세스를 예시한다.
복수의 세라믹계 파장 변환기 소자들(350)이 형성되면, 도 4a 및 도 4b에 예시된 바와 같이, 이들 변환기 소자들(350)은 복수의 발광 소자들(110)에 부착된다. 이 프로세스 및 후속 프로세스들을 용이하게 하기 위해, 발광 소자들(110)은 기판(410) 상에 탑재될 수도 있다. 이 기판(410)은 발광 소자들(110)로의 외부 접속들을 용이하게 하는 전기 회로를 포함할 수도 있다.
세라믹계 변환기 소자들(350)이 발광 소자들(110)에 부착된 후에, 이들 소자들(110, 350) 사이의 공간에, 오버몰딩 기법을 이용하여, TiO를 적재한 실리콘과 같은 보호성 및 반사성 재료(450)가 가압될 수도 있다. 제조를 용이하게 하기 위해, 도 4c에 예시된 바와 같이, 소자들(110, 350) 모두를 덮고 그들 사이의 공간을 채우는 코팅으로서 재료(450)가 도포될 수도 있다.
발광 표면(345)으로부터 덮은 반사성 재료(450)를 제거하기 위해, 기판(410) 상의 디바이스들에, 마이크로 비드 블라스팅 프로세스 또는 디바이스의 노출된 표면들을 손상시키는 다른 프로세스가 실시될 수도 있다. 이 개시내용과 관련하여, 이러한 손상이 유익한 효과를 가질 수도 있지만, '손상'이라는 용어는 노출된 표면을 닳게 하거나 또는 마멸시키는 임의 것을 포함한다. 예를 들면, 마이크로 비드들의 크기 및 다른 요인들에 의존하여, 프로세스는 노출된 층들(340a, 340b, 340c) 상에 조면화된 표면(345a, 345b, 345c)을 제공할 수도 있는데, 조면화된 표면은 이 표면을 통한 광 추출 효율을 향상시킬 수도 있다.
상기 언급된 바와 같이, 도 4d에 예시된 바와 같이, 이러한 프로세스는 디바이스들의 노출된 층들(340a, 340b, 340c)에 대한 상이한 영향들을 가지는 경향이 있는데, 이것은 실리콘과 같이 비교적 내구성이 없는 재료에 대한 이들 영향들의 대략적 제어 성질 때문이다.
비록 이 후속 프로세싱이 상이한 층들(340a, 340b, 340c)에 대해 상이한 영향들을 갖긴 하지만, 적색 변환기 층들(330a, 330b, 330c)은 이러한 후속 프로세싱에 의해 영향을 받지 않고, 희생 층들(340a, 340b, 340c)에 의해 손상으로부터 보호된다는 것에 유의하는 것이 중요하다. 따라서, 디바이스들 간의 컬러 포인트는 이들 후속 프로세스들과 연관된 편차들에 의존하지 않을 것이다.
도 5a 내지 도 5e는 세라믹 녹색 변환기 소자 및 보호된 적색 변환기 층을 갖는 발광 디바이스들을 생성하기 위한 예시적 대안 프로세스를 예시한다.
도 5a는 세라믹 녹색 변환기 소자(120) 상의 두꺼운 적색 변환기 층(530)의 예시적 도포를 예시한다. 층(530)의 두께는 일반적으로 30과 150 마이크로미터 사이의 범위일 것이고, 50 내지 80 마이크로미터가 가장 일반적이다. 적색 변환기 층(530)은 적색 변환기 재료(560)가 내장된 현탁 재료(540)로 이루어질 수도 있다. 본 발명의 일 양태에 따르면, 현탁 재료(540)는 점성을 가지며, 도 5b에 예시된 바와 같이, 적색 변환기 재료(560)는 현탁 재료(540)가 충분히 경화되기 이전에 층의 저부까지 '침강하거나(sink)' 또는 침하(settle)할 수 있다. 적색 변환기 재료(560)의 이러한 침강 또는 침하는 적색 변환기 재료(560)를 함유하지 않는 현탁 재료(540)의 상부 영역, 및 원래의 적색 변환기 재료(560)를 고밀도의 형태로 함유하는 하부 영역을 생성한다.
비변환기 영역의 소정 깊이를 달성하기 위한 침전 시간(sedimentation time)은 현탁 재료(540)의 점도, 적색 변환기 재료(560)의 밀도, 현탁 재료(540) 내의 적색 변환기 재료(560)의 농도, 적색 변환기 재료(560)의 입자들의 전하, 및 다른 요인들에 의존할 것이다. 현탁 재료(540) 내의 적색 변환기 재료(560)의 농도는 일반적으로 1%와 70% 사이일 것이지만, 25% 미만의 농도들이 가장 일반적이다.
광을 정확한 컬러 포인트로 변환하기 위해 필요한 적색 변환기 재료(560)의 양은 타깃 컬러 포인트 및 청색 에미터와 녹색 변환기 재료로부터 방출된 광에 기초한다. 변환기 층(530) 내의 적색 변환기 재료(560)의 양, 및 그에 따른 적색 변환의 정도는 변환기 층(530)의 총 두께 및 침전 시간을 제어함으로써 제어될 수 있다.
재료(560)가 침강하여 적절히 깊은 영역(예컨대, 20 내지 40 마이크로미터)의 비변환기 재료를 생성할 때, 현탁 재료(540)는 경화되고, 이로써 현탁 재료(540) 내의 적색 변환기 재료(560)의 분포를 안정화시킨다. 실리콘이 변환기 층(530) 내의 현탁 재료(540)로서 사용된다면, 경화의 스케줄은 80℃에서 1 시간, 그리고 나서 120℃에서 1 시간, 그 후에 150℃에서 4 시간일 수도 있지만, 변환기 층(530)의 특정한 구성에 따라, 25 내지 60℃에서 1 시간 동안만큼 짧은 경화가 충분할 수도 있다.
관련 기술분야의 통상의 기술자는 극소량의 변환기 재료(560)가 변환기 층(530)의 상부 영역에 존재할 수도 있음을 인식할 것이다. 이 개시내용과 관련하여, 침하된 변환기 재료를 갖는 하부 층/영역에서의 농도보다 한자릿수 더 작은 농도를 갖는 층/영역이 비변환기 층/영역이라고 고려된다.
도 5c에서, 변환기 층(530)을 갖는 세라믹 소자들(120)은 발광 소자들(110)에 부착되고, 세라믹 변환기 소자(120) 및 층(530)을 갖는 소자들(110) 사이의 공간들을 채우도록 보호성 및 반사성 재료(450)가 제공된다.
과잉 재료(450)는 통상적으로 마이크로 비드 블라스팅 또는 다른 재료 제거 프로세스를 통해 제거된다. 도 5d에서 변환기 층들(530a, 530b, 530c)의 상이한 높이들 및 거칠기 패턴들에 의해 예시된 바와 같이, 이러한 제거 프로세스는 변환기 층들(530a, 530b, 530c) 각각에 대해 상이한 제거 영향들(손상)을 초래할 수도 있다. 그러나, 제거 프로세스가 이들 변환기 층들(530a, 530b, 530c)의 비변환기 영역에만 영향을 준다면, 이들 제거 차이들은 층들(530a, 530b, 530c)의 남은 부분에서 적색 변환기 재료(560a, 560b, 560c)에 의해 생성되는 컬러 포인트에 대해, 만약 있다면, 최소의 영향을 가질 것이다.
도 5e에 예시된 바와 같이, 기판(410) 상의 디바이스들은 다이싱/단일화되어 기판들(410a, 410b, 410c) 상에 개별 발광 디바이스들을 제공한다. 상기 언급된 바와 같이, 비록 이 개별 발광 디바이스들이 상이한 변환기 층들(530a, 530b, 530c)을 갖긴 하지만, 각각의 변환기 층(530a, 530b, 530c) 내부의 변환기 농도는 실질적으로 동일하고, 변환기 층들(530a, 530b, 530c)이 세라믹 소자들(120) 및 발광 소자들(110)에 부착된 후에 적용되는 프로세스들과 연관된 편차들에 의해 영향을 받지 않는다.
동작시에, 기판(410)은 열 싱크(160)에 커플링되어, 적색 변환기 층(530) 및 녹색 변환기 소자(120)에 의해 발생된 열이 세라믹 녹색 변환기 소자(120)를 통과해, 접착제 층(115), 발광 소자(110), 및 기판(410)을 통해 전도되고, 열 싱크(160)를 통해 소산되도록 한다. 선택적으로, 기판(410)은 제거될 수도 있고, 또는 기판(410)은 열 싱크(160)를 포함할 수도 있다.
본 발명이 도면들 및 상기 설명에서 상세하게 예시되고 설명되었지만, 이러한 예시 및 설명은 제한이 아닌 예시 또는 본보기로 고려되어야 하고; 본 발명은 개시된 실시예들로 한정되지 않는다.
도면들, 개시내용, 및 첨부된 청구항들을 연구함으로써, 청구된 발명을 실현할 때 개시된 실시예들에 대한 다른 변경들이 관련 기술분야의 통상의 기술자에 의해 이해되고 야기될 수 있다. 청구항들에서, "포함하는(comprising)"이라는 단어는 다른 엘리먼트들 또는 단계들을 배제하지 않고, 부정 관사("a" 또는 "an")는 복수를 배제하지 않는다. 특정 조치들이 서로 다른 종속 청구항들에서 인용된다는 단순한 사실은 이들 조치들의 조합이 유리하게 이용될 수 없음을 나타내지는 않는다. 청구항들에서의 임의의 참조 부호들은 그 범위를 제한하는 것으로서 해석되지 않아야 한다.

Claims (20)

  1. 발광 디바이스로서,
    발광 소자,
    상기 발광 소자 상의 세라믹 소자 - 상기 세라믹 소자는 제1 파장 변환 재료를 포함함 -,
    상기 세라믹 소자 상의 제1 재료 층 - 상기 제1 재료 층은 제2 파장 변환 재료를 포함함 -, 및
    상기 제1 재료 층 상의 제2 재료 층 - 상기 제2 층은, 만약 갖는다고 해도, 상기 제1 층 내의 제2 파장 변환 재료의 농도보다 상당히 더 낮은 농도의 파장 변환 재료를 가짐 -
    을 포함하는 발광 디바이스.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2 재료 층의 표면은 조면화되는(roughened) 발광 디바이스.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 재료 층과 제2 재료 층 사이의 차이는, 상기 제2 파장 변환 재료의 유무 이외에는 존재하지 않는 발광 디바이스.
  4. 제1항에 있어서, 상기 발광 소자는 청색 광을 방출하고, 상기 제1 파장 변환 재료는 청색-흡수 녹색-방출 재료를 포함하고, 상기 제2 파장 변환 재료는 청색-흡수 적색-방출 재료를 포함하는 발광 디바이스.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 재료 층은 상기 제2 파장 변환 재료가 내장된(embedded) 실리콘을 포함하는 발광 디바이스.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제2 재료 층은 실리콘을 포함하는 발광 디바이스.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제2 재료 층은 2와 100 마이크로미터 사이인 발광 디바이스.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제2 재료 층은 5와 40 마이크로미터 사이인 발광 디바이스.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제1 재료 층은 1%와 70% 사이인 농도의 상기 제2 파장 변환 재료를 포함하는 발광 디바이스.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제1 재료 층은 7%와 20% 사이인 농도의 상기 제2 파장 변환 재료를 포함하는 발광 디바이스.
  11. 제1 파장 변환 재료를 포함하는 세라믹 소자를 제공하는 단계,
    상기 세라믹 소자 상에 제2 파장 변환 재료를 포함하는 제1 재료 층을 생성하는 단계,
    상기 제1 층 상에 제2 재료 층을 생성하는 단계 - 상기 제2 층은, 만약 갖는다고 해도, 상기 제1 층 내의 제2 파장 변환 재료의 농도보다 상당히 더 낮은 농도의 파장 변환 재료를 가짐 -,
    발광 소자 상에 제1 재료 층 및 제2 재료 층을 갖는 상기 세라믹 소자를 부착(affixing)하는 단계, 및
    상기 제1 재료 층 및 제2 재료 층을 갖는 상기 세라믹 소자에, 상기 제2 재료 층의 일부 또는 전부를 제거하는 프로세스를 실시하는 단계
    를 포함하고,
    상기 제2 재료 층은, 상기 프로세스에 의해 상당한 양의 상기 제1 재료 층의 제거를 방지하도록 크기가 정해지고 선택되는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1 재료 층 및 제2 재료 층을 생성하는 단계는:
    상기 세라믹 소자 상에 상기 제2 파장 변환 재료를 포함하는 점성 재료(viscous material)의 제3 층을 도포하는 단계,
    상기 제2 파장 변환 재료가 상기 세라믹 소자를 향해 침강(sink)할 수 있게 하는 단계, 및
    상기 점성 재료를 경화시켜 상기 제2 파장 재료의 추가적인 침강을 방지함으로써, 상기 제2 파장 재료를 포함하는 상기 제1 층 및 상기 제1 층 위의 상기 제2 층을 형성하는 단계 - 상기 제2 층은, 만약 갖는다고 해도, 상당한 농도의 상기 제2 파장 재료를 포함하지 않음 - 를 포함하는 방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 발광 소자는 청색 광을 방출하고, 상기 제1 파장 변환 재료는 청색-흡수 녹색-방출 재료를 포함하고, 상기 제2 파장 변환 재료는 청색-흡수 적색-방출 재료를 포함하는 방법.
  14. 제11항에 있어서, 상기 제1 재료 층은 상기 제2 파장 변환 재료가 내장된 실리콘을 포함하는 방법.
  15. 제11항에 있어서, 상기 제2 재료 층은 실리콘을 포함하는 방법.
  16. 제11항에 있어서, 상기 제2 재료 층은 2와 100 마이크로미터 사이인 방법.
  17. 제11항에 있어서, 상기 제2 재료 층은 5와 40 마이크로미터 사이인 방법.
  18. 제11항에 있어서, 상기 제1 재료 층은 1%와 70% 사이인 농도의 상기 제2 파장 변환 재료를 포함하는 방법.
  19. 제11항에 있어서, 상기 제1 재료 층은 7%와 20% 사이인 농도의 상기 제2 파장 변환 재료를 포함하는 방법.
  20. 제11항에 있어서, 상기 프로세스는 마이크로 비드 블라스팅(micro-bead blasting)을 포함하는 방법.
KR1020157004248A 2012-07-20 2013-07-12 세라믹 녹색 인광체 및 보호된 적색 인광체 층을 갖는 ｌｅｄ KR102131747B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261673810P 2012-07-20 2012-07-20
US61/673,810 2012-07-20
PCT/IB2013/055752 WO2014013406A1 (en) 2012-07-20 2013-07-12 Led with ceramic green phosphor and protected red phosphor layer

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207019153A Division KR20200085912A (ko) 2012-07-20 2013-07-12 세라믹 녹색 인광체 및 보호된 적색 인광체 층을 갖는 ｌｅｄ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150038136A true KR20150038136A (ko) 2015-04-08
KR102131747B1 KR102131747B1 (ko) 2020-07-09

Family

ID=49226224

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207019153A KR20200085912A (ko) 2012-07-20 2013-07-12 세라믹 녹색 인광체 및 보호된 적색 인광체 층을 갖는 ｌｅｄ
KR1020157004248A KR102131747B1 (ko) 2012-07-20 2013-07-12 세라믹 녹색 인광체 및 보호된 적색 인광체 층을 갖는 ｌｅｄ

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207019153A KR20200085912A (ko) 2012-07-20 2013-07-12 세라믹 녹색 인광체 및 보호된 적색 인광체 층을 갖는 ｌｅｄ

Country Status (6)

Country Link
US (3) US9379293B2 (ko)
EP (1) EP2875532B1 (ko)
JP (1) JP6348491B2 (ko)
KR (2) KR20200085912A (ko)
CN (1) CN104471730B (ko)
WO (1) WO2014013406A1 (ko)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9543478B2 (en) * 2012-11-07 2017-01-10 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device including a filter and a protective layer
DE102014100771A1 (de) * 2014-01-23 2015-07-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines keramischen Konversionselements und Licht emittierendes Bauelement
DE102014107472A1 (de) * 2014-05-27 2015-12-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement und Beleuchtungsvorrichtung
JP2017520118A (ja) * 2014-06-19 2017-07-20 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 小型光源を有する波長変換発光デバイス
US20160023242A1 (en) * 2014-07-28 2016-01-28 Osram Sylvania Inc. Method of making wavelength converters for solid state lighting applications
JP6940784B2 (ja) * 2014-09-26 2021-09-29 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
DE102014117448A1 (de) * 2014-11-27 2016-06-02 Osram Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip, Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips, Konversionselement und Leuchtstoff für ein Konversionselement
DE102015102842A1 (de) 2015-02-27 2016-09-01 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Leuchtstoffkompositkeramik sowie Verfahren zu deren Herstellung
FR3033939B1 (fr) * 2015-03-20 2018-04-27 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif optoelectronique a diode electroluminescente
CN106206912B (zh) 2015-05-29 2020-08-07 日亚化学工业株式会社 发光装置、覆盖部件的制造方法及发光装置的制造方法
JP6183486B2 (ja) * 2015-05-29 2017-08-23 日亜化学工業株式会社 発光装置、被覆部材の製造方法及び発光装置の製造方法
JP6217705B2 (ja) 2015-07-28 2017-10-25 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
CN106486585A (zh) * 2015-08-25 2017-03-08 比亚迪股份有限公司 Led荧光膜、led组件、制备方法以及电子器件
US9859477B2 (en) 2016-01-15 2018-01-02 Corning Incorporated Method of forming light emitting diode with high-silica substrate
JP2017174908A (ja) * 2016-03-22 2017-09-28 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
KR20180053489A (ko) 2016-11-11 2018-05-23 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
DE102016224090B4 (de) * 2016-12-05 2024-03-28 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement, Modul mit mindestens zwei optoelektronischen Bauelementen und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
DE102017101729A1 (de) * 2017-01-30 2018-08-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
CN110556464A (zh) * 2018-06-01 2019-12-10 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 发光二极管封装结构及封装方法
JP6760350B2 (ja) * 2018-10-25 2020-09-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN111640844B (zh) * 2020-06-17 2021-11-30 鸿利智汇集团股份有限公司 一种复合荧光膜及led封装工艺
US20230178690A1 (en) * 2021-12-06 2023-06-08 Lumileds Llc Monolithic LED Array And Method Of Manufacturing Thereof
WO2024068205A1 (en) * 2022-09-29 2024-04-04 Ams-Osram International Gmbh Conversion element, method for producing a conversion element, and light emitting component

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007273998A (ja) * 2006-03-17 2007-10-18 Philips Lumileds Lightng Co Llc 蛍光体プレートを有するバックライト用白色ｌｅｄ
JP2010519757A (ja) * 2007-02-26 2010-06-03 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ レンズ内にオーバーモールドされた蛍光体及び蛍光体タイルを持つｌｅｄ
KR20110070989A (ko) * 2008-09-25 2011-06-27 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 코팅된 발광 장치 및 그 코팅 방법
US20110227476A1 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Nitto Denko Corporation Light emitting device using orange-red phosphor with co-dopants
DE102010053362A1 (de) * 2010-12-03 2012-06-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips, strahlungsemittierender Halbleiterchip und strahlungsemittierendes Bauelement

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001291901A (ja) * 2000-04-07 2001-10-19 Yamada Shomei Kk 照明器具及びその製造方法
JP4292794B2 (ja) * 2002-12-04 2009-07-08 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光装置の製造方法および発光装置の色度調整方法
US7256483B2 (en) 2004-10-28 2007-08-14 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Package-integrated thin film LED
US7344902B2 (en) 2004-11-15 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Overmolded lens over LED die
US7344952B2 (en) 2005-10-28 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Laminating encapsulant film containing phosphor over LEDs
JP2007266246A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Mitsubishi Electric Corp Ｌｅｄモジュール
JP2008270144A (ja) 2007-03-22 2008-11-06 Furukawa Electric Co Ltd:The ライトボックス
JP2009054801A (ja) * 2007-08-27 2009-03-12 Sanyo Electric Co Ltd 放熱部材及びそれを備えた発光モジュール
JP2009070869A (ja) * 2007-09-11 2009-04-02 Panasonic Corp 半導体発光装置
CN101953230B (zh) * 2008-02-21 2013-03-27 日东电工株式会社 具有半透明陶瓷板的发光装置
WO2009118985A2 (en) 2008-03-25 2009-10-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device, and method and apparatus for manufacturing same
JP5025625B2 (ja) * 2008-03-25 2012-09-12 株式会社東芝 発光装置の製造方法
TWI497747B (zh) * 2008-06-02 2015-08-21 Panasonic Corp 半導體發光裝置及使用該發光裝置之光源裝置
US7973327B2 (en) * 2008-09-02 2011-07-05 Bridgelux, Inc. Phosphor-converted LED
KR20110057239A (ko) * 2008-09-16 2011-05-31 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 고분자 파장 변환 소자
JP2010100743A (ja) * 2008-10-24 2010-05-06 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体含有組成物の製造方法
US20100181582A1 (en) * 2009-01-22 2010-07-22 Intematix Corporation Light emitting devices with phosphor wavelength conversion and methods of manufacture thereof
CN102356479A (zh) * 2009-03-19 2012-02-15 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有远端发光材料的照明设备
US8227276B2 (en) * 2009-05-19 2012-07-24 Intematix Corporation Manufacture of light emitting devices with phosphor wavelength conversion
US8803171B2 (en) * 2009-07-22 2014-08-12 Koninklijke Philips N.V. Reduced color over angle variation LEDs
US20110031516A1 (en) 2009-08-07 2011-02-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led with silicone layer and laminated remote phosphor layer
US9909058B2 (en) * 2009-09-02 2018-03-06 Lg Innotek Co., Ltd. Phosphor, phosphor manufacturing method, and white light emitting device
US20110049545A1 (en) * 2009-09-02 2011-03-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led package with phosphor plate and reflective substrate
US8203161B2 (en) * 2009-11-23 2012-06-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wavelength converted semiconductor light emitting device
TW201208143A (en) * 2010-08-06 2012-02-16 Semileds Optoelectronics Co White LED device and manufacturing method thereof
JP5622494B2 (ja) * 2010-09-09 2014-11-12 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
JP5566263B2 (ja) * 2010-11-08 2014-08-06 株式会社小糸製作所 発光モジュール

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007273998A (ja) * 2006-03-17 2007-10-18 Philips Lumileds Lightng Co Llc 蛍光体プレートを有するバックライト用白色ｌｅｄ
JP2010519757A (ja) * 2007-02-26 2010-06-03 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ レンズ内にオーバーモールドされた蛍光体及び蛍光体タイルを持つｌｅｄ
KR20110070989A (ko) * 2008-09-25 2011-06-27 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 코팅된 발광 장치 및 그 코팅 방법
US20110227476A1 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Nitto Denko Corporation Light emitting device using orange-red phosphor with co-dopants
DE102010053362A1 (de) * 2010-12-03 2012-06-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips, strahlungsemittierender Halbleiterchip und strahlungsemittierendes Bauelement

Also Published As

Publication number Publication date
US20160276551A1 (en) 2016-09-22
JP2015522954A (ja) 2015-08-06
KR102131747B1 (ko) 2020-07-09
EP2875532A1 (en) 2015-05-27
CN104471730B (zh) 2018-04-17
US9379293B2 (en) 2016-06-28
US20190172983A1 (en) 2019-06-06
KR20200085912A (ko) 2020-07-15
JP6348491B2 (ja) 2018-06-27
US10205067B2 (en) 2019-02-12
CN104471730A (zh) 2015-03-25
EP2875532B1 (en) 2019-02-27
US20150188001A1 (en) 2015-07-02
WO2014013406A1 (en) 2014-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10205067B2 (en) LED with ceramic green phosphor and protected red phosphor layer
US9728678B2 (en) Light emitting element and method of manufacturing the same
JP6554914B2 (ja) 発光装置とその製造方法
TWI396299B (zh) 薄膜發光二極體晶片及製造薄膜發光二極體晶片之方法
US10680149B2 (en) Method for manufacturing light-emitting device
KR102393760B1 (ko) 발광 장치 및 그 제조 방법
WO2019009033A1 (ja) 光源装置及び発光装置
JP6702280B2 (ja) 発光装置、被覆部材の製造方法及び発光装置の製造方法
JP7164586B2 (ja) Ｌｅｄパッケージおよびその製造方法
JP6065408B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
US9276183B2 (en) Optoelectronic semiconductor component and method for producing such an optoelectronic semiconductor component
US20110002127A1 (en) Optical element and manufacturing method therefor
US9761769B2 (en) Assembly that emits electromagnetic radiation and method of producing an assembly that emits electromagnetic radiation
US20140312375A1 (en) Method for producing an optoelectronic assembly and optoelectronic assembly
TW201737516A (zh) 具有側反射體及磷光體之覆晶發光二極體
JP6790478B2 (ja) 発光装置の製造方法
US9739452B2 (en) Method of producing a conversion element, and conversion element
JP2017076673A (ja) 発光装置の製造方法
US20230049186A1 (en) Optical Component, Optoelectronic Semiconductor Component and Method for Producing an Optical Component
JP7288200B2 (ja) 発光装置および梱包体
JP2016524180A (ja) 波長変換要素の製造方法、波長変換要素、および波長変換要素を備えた部品
KR101549827B1 (ko) Led 봉지구조 및 그 제작방법
JP2016139833A (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
AMND Amendment
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant