JP2018049865A - 被覆層付光半導体素子および蛍光体層−被覆層付光半導体素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 光の取出効率に優れる被覆層付光半導体素子の製造方法、および、蛍光体層−被覆層付光半導体素子の製造方法を提供すること。【解決手段】この方法は、電極が設けられる第１下面１１、第１下面１１に対向する第１上面１２、および、第１下面１１と第１上面１２との周端縁を連結する第１側面１３を有する光半導体素子１と、光半導体素子１の第１側面１３に接触する光反射層２とを備える光反射層付光半導体素子１０の製造方法である。この方法は、光半導体素子１を用意する第１工程と、光反射層２を、光半導体素子１の第１側面１３に形成する第２工程と、第２工程において第１上面１２に付着する付着部分５を除去する第３工程とを備える。第２工程において第１上面１２に付着する付着部分５の厚みＴが、５０μｍ以下である。光反射層２の、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００９）に従って測定される算術平均粗さＲａが、１０μｍ以下である。【選択図】図１

Description

本発明は、被覆層付光半導体素子および蛍光体層−被覆層付光半導体素子の製造方法、詳しくは、被覆層付光半導体素子の製造方法、および、それにより得られる被覆層付光半導体素子を用いて蛍光体層−被覆層付光半導体素子を製造する蛍光体層−被覆層付光半導体素子の製造方法に関する。

従来、発光素子の側面に、光反射性粒子および透光性樹脂を含有する被覆部材を配置する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特許文献１では、まず、複数の発光素子を基板に対してフリップチップ実装し、その後、ディスペンサ（液体定量吐出装置）により、光反射性粒子を含有する液状の樹脂を複数の発光素子の間にポッティング（滴下）することにより、被覆部材を各発光素子の側面に配置している。

特開２０１０−２３８８４６号公報

しかし、特許文献１の方法では、液状の樹脂の性状および量によって、被覆部材が、発光素子の上面に付着する場合がある。その場合には、発光素子から上側に向かって発光された光は、上面に付着した被覆部材により吸収されるため、効率的に外部に取り出されないという不具合がある。

本発明の目的は、光の取出効率に優れる被覆層付光半導体素子の製造方法、および、蛍光体層−被覆層付光半導体素子の製造方法を提供することにある。

本発明（１）は、電極が設けられる第１下面、前記第１下面に対向する第１上面、および、前記第１下面と前記第１上面との周端縁を連結する第１側面を有する光半導体素子と、前記光半導体素子の第１側面に接触する被覆層とを備える被覆層付光半導体素子の製造方法であり、前記光半導体素子を用意する第１工程と、前記被覆層を、前記光半導体素子の前記第１側面に形成する第２工程と、前記第２工程において前記第１上面に付着する前記被覆層を除去する第３工程とを備え、前記第２工程において前記第１上面に付着する前記被覆層の厚みＴが、５０μｍ以下であり、前記第２工程における前記被覆層の上面の、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００９）に従って測定される算術平均粗さＲａが、１０μｍ以下である、被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

この製造方法によれば、第３工程では、第２工程において第１上面に付着する被覆層を除去するので、光半導体素子から発光された光を効率的に取り出すことができる。

また、第２工程において第１上面に付着する被覆層の厚みＴが、５０μｍ以下であるので、第２工程において第１上面に付着する被覆層を確実に除去することができる。

また、第２工程における前記被覆層の上面の、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００９）に従って測定される算術平均粗さＲａが、１０μｍ以下であるので、第２工程において第１上面に付着する被覆層を確実に除去することができる。

本発明（２）は、前記第３工程では、前記第２工程において前記第１上面に付着する前記被覆層を、感圧接着シートを用いて、前記第１上面から引き剥がす、（１）に記載の被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

この製造方法によれば、第３工程で、第２工程において第１上面に付着する被覆層を、感圧接着シートを用いて、第１上面から引き剥がすので、上記した第１上面に付着する被覆層を簡易かつ確実に除去することができる。

本発明（３）は、前記被覆層は、熱硬化性樹脂を含有し、前記第３工程における前記被覆層が、完全硬化前である、（１）または（２）に記載の被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

この製造方法によれば、被覆層は、熱硬化性樹脂を含有し、第３工程における被覆層が、完全硬化前であるため、所望の弾性率を有する被覆層を確実に除去することができる。

本発明（４）は、前記第２工程において前記第１上面に付着する前記被覆層の厚みＴが、３μｍ以上である、（１）〜（３）のいずれか一項に記載の被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

この製造方法によれば、第２工程において第１上面に付着する被覆層の厚みＴが、３μｍ以上であるので、第２工程において第１上面に付着する被覆層をより確実に除去することができる。

本発明（５）は、前記第２工程における前記被覆層の上面の前記算術平均粗さＲａが、１μｍ以上である、（１）〜（４）のいずれか一項に記載の被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

この製造方法によれば、第２工程における被覆層の上面の、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００９）に従って測定される算術平均粗さＲａが、１μｍ以上であるので、第２工程において第１上面に付着する被覆層を確実に除去することができる。

本発明（６）は、前記被覆層および前記光半導体素子間の剥離強度が、１（Ｎ／２０ｍｍ）以下である、（１）〜（５）のいずれか一項に記載の被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

この製造方法によれば、被覆層および光半導体素子間の剥離強度が、１（Ｎ／２０ｍｍ）以下であるので、第２工程において第１上面に付着する被覆層をより確実に除去することができる。

本発明（７）は、前記第３工程では、除去後の前記被覆層の上面が、前記光半導体素子の前記第１上面より、上側に配置されている、（１）〜（６）のいずれか一項に記載の被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

この製造方法によれば、第３工程において、除去後の被覆層の上面が、光半導体素子の第１上面より、上側に配置されているので、光半導体素子から上方斜め側方に発光された光を、被覆層を機能させて効率的に取り出すことができる。

本発明（８）は、前記第２工程では、前記被覆層を形成するための被覆材料からシート状に形成される被覆シートにより、前記光半導体素子を埋設する、（１）〜（７）のいずれか一項に記載の被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

第２工程では、被覆層を形成するための被覆材料からシート状に形成される被覆シートにより光半導体素子を埋設すると、被覆材料が光半導体素子の第１上面に不可避的に付着する。

しかし、この方法では、第２工程において第１上面に付着する被覆層の厚みＴが、５０μｍ以下であり、第２工程における被覆層の上面の、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００９）に従って測定される算術平均粗さＲａが、１０μｍ以下であるので、第２工程において第１上面に付着する被覆層を確実に除去できる。

また、第２工程では、被覆層を形成するための被覆材料からシート状に形成される被覆シートにより光半導体素子を埋設するので、被覆層を、光半導体素子の第１側面に簡単に形成できる。

本発明（９）は、前記第１工程では、前記光半導体素子を、互いに間隔を隔てて複数配置し、前記第２工程では、前記被覆層を形成するための被覆材料からシート状に形成される被覆シートを前記第１上面に配置するとともに、前記被覆シートを、互いに隣接する前記光半導体素子の隙間に充填し、前記第３工程では、前記第２工程において複数の前記光半導体素子の前記第１上面に付着する前記被覆層を除去する、（１）〜（８）のいずれか一項に記載の被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

この製造方法によれば、第２工程において複数の第１上面に付着する被覆層を効率的に除去することができる。

本発明（１０）は、前記第２工程の除去後の前記被覆層は、前記光半導体素子の第１側面に接触する第２側面、および、前記第２側面の上端縁から、前記第１側面と離れる方向に延びる第２上面を有し、（１）〜（９）のいずれか一項に記載の被覆層付光半導体素子の製造方法により被覆層付光半導体素子を製造する工程と、蛍光体層を、前記第１上面と前記第２上面とに形成する工程とを備える、蛍光体層−被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

この製造方法によれば、蛍光体層を、第１上面と第２上面とに形成するため、光半導体素子から発光され、蛍光体層によって波長変換された光を効率的に放出することができる。

本発明の被覆層付光半導体素子の製造方法によれば、光の取出効率に優れる被覆層付光半導体素子を製造することができる。

本発明の蛍光体層−被覆層付光半導体素子の製造方法によれば、蛍光体層によって波長変換された光を効率よく放出することができる蛍光体層−被覆層付光半導体素子を製造することができる。

図１Ａ〜図１Ｄは、本発明の被覆層付光半導体素子の製造方法の一実施形態である光反射層付光半導体素子の製造方法の工程図であり、図１Ａが、光半導体素子を用意する第１工程、図１Ｂが、光反射層を形成する第２工程、図１Ｃが、付着部分を除去する第３工程、図１Ｄが、光反射層付光半導体素子を個片化する第４工程を示す。 図２Ａおよび図２Ｂは、複数の光半導体素子および複数の光反射層付光半導体素子の平面図であって、図２Ａが、図１Ａに対応する複数の光半導体素子の平面図、図２Ｂが、図１Ｄに対応する複数の光反射層付光半導体素子の平面図を示す。 図３は、図１Ｄに示す光反射層付光半導体素子を基板に実装する工程を示す。 図４は、図４Ａおよび図４Ｂは、本発明の蛍光体層−被覆層付光半導体素子の製造方法の一実施形態である蛍光体層−光反射層付光半導体素子の製造方法の工程図であり、図４Ａが、蛍光体層を形成する工程、図４Ｂが、蛍光体層−光反射層付光半導体素子を個片化する工程を示す。 図５は、図４Ｂに示す蛍光体層−光反射層付光半導体素子を基板に実装する工程を示す。 図６は、光反射層付光半導体素子の製造方法の変形例（光半導体素子が１つである態様）の工程図であり、図６Ａが、光半導体素子を用意する第１工程、図６Ｂが、光反射層を形成する第２工程、図６Ｃが、付着部分を除去する第３工程、図６Ｄが、蛍光体層を形成する工程を示す。 図７は、光反射層付光半導体素子の製造方法の変形例（付着部分を除去した後の、光反射層の上面と、光半導体素子の上面とが、厚み方向において同一位置である態様）によって製造される光反射層付光半導体素子の概略図である。 図８Ａ〜図８Ｄは、光反射層付光半導体素子の製造方法の変形例（付着部分を除去した後の、光反射層の上面を、光半導体素子の上面に対して、下側に配置する態様）である光反射層付光半導体素子の製造方法の部分工程図であり、図８Ａおよび図８Ｂが、光反射層を形成する第２工程、図８Ｃが、付着部分を除去する第３工程、図８Ｄが、光反射層付光半導体素子を個片化する第４工程を示す。 図９は、光蛍光体層−光反射層付光半導体素子の製造方法の変形例（蛍光体層の上面に、光拡散層または透明層を配置する態様）によって製造される蛍光体層−光反射層付光半導体素子の概略図である。

＜一実施形態＞
本発明の被覆層付光半導体素子の製造方法の一実施形態を、図１Ａ〜図１Ｄを用いて説明する。

この被覆層付光半導体素子の製造方法は、図１Ｄに示すように、光半導体素子１と、光半導体素子１の一部を被覆する被覆層の一例としての光反射層２とを備える光反射層付光半導体素子１０を製造するための方法である。

１．光反射層付光半導体素子
光半導体素子１は、例えば、電気エネルギーを光エネルギーに変換するＬＥＤやＬＤである。光半導体素子１は、例えば、サファイアなどの半導体材料からなる。好ましくは、光半導体素子１は、青色光を発光する青色ＬＥＤ（発光ダイオード素子）である。一方、光半導体素子１は、光半導体素子１とは技術分野が異なるトランジスタなどの整流器（半導体素子）を含まない。

光半導体素子１は、上下方向に直交する面方向（前後方向および左右方向）に延びる平面視略矩形板（シート）形状を有している。

光半導体素子１は、第１下面１１、第１上面１２、および、第１側面１３を有している。

第１下面１１は、図示しない電極が設けられる電極面である。

第１上面１２は、第１下面１１に対して上側に間隔を隔てて対向配置されている。第１上面１２は、第１下面１１と同じサイズを有し、面方向に平坦な形状を有する。

第１側面１３は、第１下面１１の周端縁と第１上面１２との周端縁を上下方向に連結している。

光半導体素子１の寸法は、適宜設定されており、具体的には、厚み（上下方向長さ）が、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、７００μｍ以下である。光半導体素子１の面方向における一辺の長さは、例えば、０．２ｍｍ以上、好ましくは、０．５ｍｍ以上であり、また、例えば、３．００ｍｍ以下、好ましくは、２．００ｍｍ以下である。

光反射層２は、光半導体素子１から発光された光を反射する層である。光反射層２は、後述する光反射樹脂組成物から調製されている。

光反射層２は、光半導体素子１の第１側面１３を被覆する。光反射層２は、上下方向に延びる略角筒形状を有する。光反射層２は、光半導体素子１の第１側面１３に接触する第２側面の一例としての内周面２１、内周面２１の下端縁から、第１側面１３と離れるように水平方向に延びる第２下面２２、内周面２１の上端縁から、第１側面１３と離れるように水平方向に延びる第２上面２３、および、内周面２１に対して、第１側面１３と離れる方向に間隔を隔てて対向配置される外周面２４を有する。

光反射層２の内周面２１は、上下方向に沿う平坦面を有する。内周面２１の上端部以外の部分は、光半導体素子１の第１側面１３に接触する。一方、内周面２１の上端部は、光半導体素子１から露出している。

光反射層２の第２下面２２は、光半導体素子１の第１下面１１に連続する。第２下面２２は、光半導体素子１の第１下面１１の周端縁から外側（光半導体素子１から離れるように水平方向）に延びる底面視略矩形枠形状を有する。

光反射層２の第２上面２３は、平面視略矩形枠形状を有する。第２上面２３は、光半導体素子１の第１上面１２より上側に位置する。具体的には、第２上面２３は、光半導体素子１の第１上面１２に連続せず、光半導体素子１の第１上面１２の周端縁（外端縁）より上側に位置する。

光反射層２の外周面２４は、第２下面２２の外周端縁と、第２上面２３の外周端縁とを上下方向に連続している。外周面２４は外側に露出している。

２．光反射層付光半導体素子の製造方法
この光反射層付光半導体素子１０の製造方法は、光半導体素子１を用意する第１工程（図１Ａ参照）と、光反射層２を、光半導体素子１の第１側面１３に形成する第２工程（図１Ｂ参照）と、第２工程において第１上面１２に付着する光反射層２（後述する付着部分５）を除去する第３工程（図１Ｃ参照）と、隣接する光半導体素子１間の光反射層２を切断して、光反射層付光半導体素子１０を個片化する第４工程（図１Ｄ参照）とを備える。

（１）第１工程
図１Ａおよび図２Ａに示すように、第１工程では、光半導体素子１を用意する。

光半導体素子１は、剥離シート３の上面に互いに面方向に間隔を隔てて複数整列配置されて、用意される。

剥離シート３としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム（ＰＥＴなど）などのポリマーフィルム、例えば、セラミックスシート、例えば、金属箔などが挙げられる。また、剥離シート３の上面は、例えば、剥離処理が施されていてもよい。剥離シート３の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、２，０００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下である。

第１工程において、光半導体素子１を用意するには、まず、複数の光半導体素子１および剥離シート３のそれぞれを用意する。次いで、複数の光半導体素子１を剥離シート３に載置する。具体的には、光半導体素子１の第１下面１１を剥離シート３の上面に接触させる。

図２が参照されるように、平面視において、複数の光半導体素子１の総面積の、最外側に配置される光半導体素子１の第１側面１３に沿う仮想線Ｌによって囲まれる素子領域（複数の光半導体素子１全てを包含する領域）の面積に対する割合は、例えば、１０％以上、好ましくは、２０％以上であり、また、例えば、９５％以下、好ましくは、９０％以下、より好ましくは、８０％以下である。

（２）第２工程
第２工程では、図１Ｂに示すように、光反射層２を、光半導体素子１の第１側面１３に形成する。

例えば、光反射層２を形成するための被覆材料からシート状に形成される被覆シートにより、光半導体素子１を埋設する。

具体的には、まず、図１Ａの上側図に示すように、被覆シートの一例としての光反射シート４を用意する。

光反射シート４は、光反射層２を形成するための被覆材料の一例としての光反射樹脂組成物から、面方向に延びる略平板（シート）形状に形成される。光反射樹脂組成物は、例えば、光反射成分、粒子および樹脂を含有する。

光反射成分は、光半導体素子１から側方に向かって発光された光を上方に反射するための成分である。

光反射成分としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウムなどの酸化物、例えば、鉛白（塩基性炭酸鉛）、炭酸カルシウムなどの炭酸塩、例えば、カオリンなどの粘土鉱物などの、無機物粒子が挙げられる。好ましくは、酸化チタンが挙げられる。光反射性粒子の平均粒子径は、例えば、０．２５μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下でもある。

光反射成分の屈折率は、例えば、２．０以上、好ましくは、２．５以上であり、また、例えば、５．０以下である。また、光反射成分の屈折率は、次に説明する樹脂との屈折率差が、例えば、０．５以上、好ましくは、０．７５以上、より好ましくは、１以上、また、例えば、５以下となるように、調整される。

光反射成分の配合割合は、光反射樹脂組成物に対して、例えば、１質量％以上、好ましくは、５質量％以上であり、また、例えば、７０質量％以下、好ましくは、５０質量％以下である。

粒子は、後述する第２工程における光反射層２の上面２３の算術平均粗さＲａが比較的高い所望範囲となるように、光反射樹脂組成物に配合される微小凹凸付与成分である。また、粒子は、光反射層２の強化や、光反射樹脂組成物を増量させるために、光反射樹脂組成物に任意的に配合されるフィラーでもある。

そのような粒子として、例えば、無機粒子、有機粒子などから選択される。

無機粒子としては、例えば、シリカ（ＳｉＯ_２）、タルク（Ｍｇ_３（Ｓｉ_４Ｏ_１０）（ＨＯ）_２）、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化ホウ素（Ｂ_２Ｏ_３）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化アンチモン（Ｓｂ_２Ｏ_３）などの酸化物、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）などの窒化物などの無機物粒子（無機物）が挙げられる。また、無機粒子として、例えば、上記例示の無機物から調製される複合無機物粒子が挙げられ、具体的には、酸化物から調製される複合無機酸化物粒子（具体的には、ガラス粒子など）が挙げられる。

有機粒子としては、例えば、アクリル系樹脂粒子、スチレン系樹脂粒子、アクリル−スチレン系樹脂粒子、シリコーン系樹脂粒子、ポリカーボネート系樹脂粒子、ベンゾグアナミン系樹脂粒子、ポリオレフィン系樹脂粒子、ポリエステル系樹脂粒子、ポリアミド系樹脂粒子、ポリイミド系樹脂粒子などが挙げられる。

粒子は、単独使用または併用することができる。

好ましくは、無機粒子、より好ましくは、無機物粒子、複合無機酸化物粒子、さらに好ましくは、シリカ、ガラス粒子が挙げられる。

粒子の形状は、特に限定されず、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。好ましくは、球状である。

粒子の平均粒子径は、例えば、０．２５μｍ以上、好ましくは、０．３μｍ以上、より好ましくは、０．５μｍ以上、さらに好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下、より好ましくは、５０μｍ以下である。

粒子の屈折率は、例えば、１．４以上、１．７以下である。粒子は、次に説明する樹脂との屈折率が近似する屈折率を有する。詳しくは、粒子と樹脂との屈折率差が、例えば、０．２０以下、さらには、０．１５以下である。

粒子の配合割合は、光反射樹脂組成物に対して、例えば、５質量％以上、好ましくは、１０質量％以上であり、また、例えば、７０質量％以下、好ましくは、６０質量％以下である。

樹脂としては、光反射成分および粒子を分散できるマトリクスを構成できる透明樹脂が挙げられる。そのような樹脂としては、例えば、熱硬化性樹脂、活性エネルギー線硬化性樹脂、熱可塑性樹脂が挙げられ、好ましくは、熱硬化性樹脂、活性エネルギー線硬化性樹脂、より好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられる。また、熱硬化性樹脂および活性エネルギー線硬化性樹脂としては、Ｂステージとなることができる樹脂が挙げられる。なお、Ｂステージは、熱硬化性樹脂および活性エネルギー線硬化性樹脂が、液状または溶剤に可溶であるＡステージ状態と、完全硬化したＣステージとの間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、溶剤に膨潤するが完全に溶解せず、加熱によって軟化または溶融する状態である。

熱硬化性樹脂として、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。耐久性の観点から、好ましくは、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂が挙げられ、透明性の観点から、より好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。

シリコーン樹脂としては、例えば、フェニル系シリコーン樹脂、メチル系シリコーン樹脂が挙げられる。好ましくは、フェニル系シリコーン樹脂が挙げられる。

フェニル系シリコーン樹脂は、完全硬化時（Ｃステージ時）において、例えば、シロキサン結合である主骨格に結合するフェニル基を少なくとも有しており、具体的には、主骨格に結合するメチル基およびフェニル基を有し、あるいは、例えば、主骨格に結合するフェニル基のみを有する。好ましくは、フェニル系シリコーン樹脂硬化体は、主骨格に結合するメチル基およびフェニル基を有する。そのようなフェニル系シリコーン樹脂は、例えば、特開２０１６−０３７５６２号公報などに記載される。なお、Ｂステージのフェニル系シリコーン樹脂は、さらなる加熱において、一旦軟化した後、硬化する（Ｃステージとなる）。フェニル系シリコーン樹脂の完全硬化時における屈折率は、例えば、１．４５以上、好ましくは、１．５０以上、より好ましくは、１．５３以上、さらに好ましくは、１．５５以上であり、また、例えば、１．７５以下、好ましくは、１．６５以下である。

メチル系シリコーン樹脂は、完全硬化時（Ｃステージ）において、主骨格に結合するメチル基を有する。メチル系シリコーン樹脂の屈折率は、完全硬化時において、例えば、１．５０未満、好ましくは、１．４５以下であり、また、例えば、１．３以上、好ましくは、１．３５以上である。

具体的には、樹脂の屈折率は、上記した光反射成分との屈折率差が、上記した範囲（例えば、０．５以上、５以下）となり、かつ、上記した粒子との屈折率が近似する。

樹脂の含有割合は、光反射樹脂組成物に対して、例えば、１０質量％以上、好ましくは、２５質量％以上であり、また、例えば、９９質量％以下、好ましくは、９７質量％以下である。

さらに、光反射樹脂組成物には、必要により、チクソ付与粒子を添加することができる。

チクソ付与粒子は、光反射樹脂組成物に揺変性（ｔｈｉｘｏｔｒｏｐｙ、チクソ性）を付与または向上させる揺変剤である。揺変性は、せん断応力を受け続けると粘度が次第に低下し、静止すると粘度が次第に上昇する性質である。

チクソ付与粒子としては、例えば、ヒュームドシリカ（煙霧シリカ）などのナノシリカなどが挙げられる。ヒュームドシリカとしては、例えば、ジメチルジクロロシラン、シリコーンオイルなどの表面処理剤により表面が疎水化された疎水性煙霧シリカ、および、表面処理されていない親水性煙霧シリカのいずれであってもよい。

チクソ付与粒子の平均粒子径は、光反射成分および粒子の平均粒子径より小さく、具体的には、例えば、２００ｎｍ以下、好ましくは、５０ｎｍ以下であり、また、例えば、１ｎｍ以上、好ましくは、５ｎｍ以上である。

チクソ付与粒子は、単独使用または併用することができる。

チクソ付与粒子の光反射樹脂組成物における含有割合は、例えば、０．１質量％以上、好ましくは、０．２質量％以上であり、また、例えば、１０質量％以下、好ましくは、５質量％以下である。

そして、まず、上記した光反射成分と、粒子と、樹脂（Ａステージ）と、必要により添加されるチクソ付与粒子とを配合して、それらを混合して、液状の光反射樹脂組成物を調製する。

次いで、液状の光反射樹脂組成物を図示しない剥離シートの表面に塗布して、剥離シートの表面に、光反射樹脂組成物をシート状に形成する。

その後、光反射樹脂組成物がＢステージとなることができる熱硬化性樹脂を含有する場合には、光反射樹脂組成物を加熱によりＢステージ化する。加熱温度は、例えば、５０℃以上、好ましくは、７０℃以上であり、また、例えば、１５０℃以下、好ましくは、１００℃以下である。加熱時間は、例えば、２．５分以上、好ましくは、５．５分以上であり、また、例えば、１時間以下、好ましくは、３０分以下である。

これによって、図示しない剥離シートの表面に、シート状に形成された光反射シート４（好ましくは、Ｂステージの光反射シート４）を用意する。

次いで、光反射シート４を、複数の光半導体素子１の上面に配置する。具体的には、光反射シート４の下面を、複数の光半導体素子１のそれぞれの第１上面１２に配置する。

続いて、光反射シート４を、複数の光半導体素子１に対して熱プレスする。

熱プレスは、光反射シート４を変形させるが、光反射シート４をＣステージ化（完全硬化）させない条件で実施され、具体的には、熱プレス温度は、例えば、５０℃以上、好ましくは、７０℃以上であり、また、例えば、１８０℃以下である。また、加熱時間は、例えば、３分以上、好ましくは、５分以上であり、また、例えば、３０分以下、好ましくは、２０分以下である。

また、熱プレスの際には、複数の光半導体素子１の外側にスペーサを配置し、プレス厚みを調整する。プレス厚みは、比較的広く（厚く）設定されている。

そうすると、光反射シート４は、熱プレスによって、変形（溶融）して、複数の光半導体素子１のそれぞれを埋設する。具体的には、光反射シート４が、互いに隣接する光半導体素子１の隙間に充填されるとともに、最外側に配置される光半導体素子１の外周側の第１側面１３を被覆する。これによって、複数の光半導体素子１のすべての第１側面１３が光反射シート４によって被覆される。なお、光半導体素子１の第１側面１３を被覆する光反射シート４の下端部は、剥離シート３の上面に接触する。

なお、Ｂステージの光反射シート４が熱プレスによって溶融する際の溶融粘度、具体的には、光反射シート４の６０℃における溶融粘度は、例えば、１０Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは、５０Ｐａ・ｓ以上であり、さらに好ましくは、１００Ｐａ・ｓ以上、とりわけ好ましくは、２００Ｐａ・ｓ以上であり、また、例えば、２０００Ｐａ・ｓ以下、好ましくは、１０００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは、５００Ｐａ・ｓ以下である。

これとともに、光半導体素子１の第１上面１２も、光反射シート４によって被覆され、付着部分５が形成される。

付着部分５は、光反射層付光半導体素子１０に本来不要な部分であって、第２工程によって不可避的に生じる部分である。

これによって、第２工程において、複数の光半導体素子１の第１側面１３を被覆する部分と、付着部分５とを有する光反射層２（好ましくは、完全硬化前の光反射層２）が形成される。

光反射層２は、平面視において、複数の光半導体素子１のそれぞれの第１上面１２を含む第２上面２３を有する。光反射層２の第２上面２３は、光半導体素子１の第１上面１２に対して、上側に配置されている。

光反射層２の第２上面２３は、図１Ｂでは、平坦状に描画されているが、実際には、光反射樹脂組成物に含有される粒子の形状に基づく、極めて微小な凹凸形状を有する。

具体的には、第２工程における光反射層２の第２上面２３の算術平均粗さＲａは、１０μｍ以下、好ましくは、７μｍ以下である。第２工程における光反射層２の第２上面２３の算術平均粗さＲａが上記した上限を超過すれば、感圧接着シート６（後述）の感圧接着剤が、付着部分５の第２上面２３に十分に広がらず（行き渡らず）、そのため、感圧接着シート６の付着部分５に対する被着面積が低下する。その結果、次に説明する第３工程（図１Ｃ参照）において付着部分５を確実に除去することができない。また、第２工程における光反射層２の第２上面２３の算術平均粗さＲａが上記した上限以下であれば、感圧接着シート６の付着部分５に対する被着面積が低下することを抑制できるので、次に説明する第３工程（図１Ｃ参照）において付着部分５を確実に除去することができる。

また、第２工程における光反射層２の第２上面２３の算術平均粗さＲａは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、２μｍ以上である。第２工程における光反射層２の第２上面２３の算術平均粗さＲａが上記した下限以上であれば、感圧接着シート６の付着部分５に対する被着面積が低下することを抑制できるので、次に説明する第３工程（図１Ｃ参照）において付着部分５を確実に除去することができる。

第２工程における光反射層２の第２上面２３の算術平均粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００９）に従って測定される。

光反射層２の２５℃における弾性率（ヤング率）は、例えば、１０Ｎ／ｍｍ^２以上、好ましくは、２０Ｎ／ｍｍ^２以上であり、また、例えば、１００Ｎ／ｍｍ^２以下、好ましくは、５０Ｎ／ｍｍ^２以下、より好ましくは、３０Ｎ／ｍｍ^２以下である。光反射層２の弾性率が上記した上限以下、または、下限以上であれば、付着部分５をより確実に除去することができる。

また、光反射層２の弾性率が上記した上限以下、または、下限以上であれば、付着部分５を除去する前に、光反射層２をＣステージ化（完全硬化）した場合であっても、Ｃステージの付着部分５を確実に除去することができる。

さらに、光反射層２の弾性率が低ければ（１００Ｎ／ｍｍ^２以下、さらには、５０Ｎ／ｍｍ^２以下）、付着部分５をより小さい力で剥離可能となるから好適である。

付着部分５の厚みＴは、５０μｍ以下、好ましくは、４０μｍ以下である。付着部分５の厚みＴが上記した上限を超過すれば、剥離方向への付着部分５の屈折（折り返し）が妨げられるので、次に説明する第３工程（図１Ｃ参照）において付着部分５を確実に除去することができない。また、付着部分５の厚みＴが上記した上限以下であれば、剥離時の屈折（折り返し）変形に付着部分５が追従できるので、次に説明する第３工程（図１Ｃ参照）において付着部分５を確実に除去することができる。

付着部分５の厚みＴは、例えば、３μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上である。付着部分５の厚みＴが上記した上限以上であれば、剥離時の屈折（折り返し）変形に付着部分５が追従できるので、次に説明する第３工程（図１Ｃ参照）において付着部分５を確実に除去することができる。

付着部分５の厚みＴは、光反射層２の第２上面２３と、光半導体素子１の第１上面１２との最短距離である。

厚みＴは、ダイヤルゲージによって測定される。

また、付着部分５の、光半導体素子１の第１上面１２に対する剥離強度（光反射層２および光半導体素子１間の剥離強度）は、例えば、１．５（Ｎ／２０ｍｍ）以下、好ましくは、１（Ｎ／２０ｍｍ）以下、より好ましくは、１（Ｎ／２０ｍｍ）未満であり、また、例えば、０．０１（Ｎ／２０ｍｍ）以上、好ましくは、０．０５（Ｎ／２０ｍｍ）以上である。剥離強度が上記した上限以下であれば、あるいは、上記した下限以上であれば、次に説明する第３工程（図１Ｃ参照）において付着部分５を確実に除去することができる。

上記した剥離強度の測定方法は、後の実施例で詳述される。

（３）第３工程
第３工程では、上記した付着部分５を除去する。

付着部分５を除去するには、例えば、図１Ｂの仮想線が参照されるように、感圧接着シート６を用いる。

感圧接着シート６は、感圧接着剤から調製されており、面方向に連続するシート形状を有している。感圧接着シート６の大きさは、例えば、感圧接着シート６を、平面視において、光反射層２を含むことができる大きさに設定されている。感圧接着剤としては、例えば、アクリル系感圧接着剤、ゴム系感圧接着剤、シリコーン系感圧接着剤、ウレタン系感圧接着剤、ポリアクリルアミド系感圧接着剤などが挙げられる。また、感圧接着シート６は、支持材などで支持されていてもよい。感圧接着シート６の２５℃における剥離強度（１８０℃剥離接着力）は、例えば、２．０（Ｎ／２０ｍｍ）以上、好ましくは、４．０（Ｎ／２０ｍｍ）以上であり、また、例えば、１００（Ｎ／２０ｍｍ）以下、好ましくは、２０．０（Ｎ／２０ｍｍ）以下である。剥離強度は、感圧接着シート６を２０ｍｍ幅に切り出し、これを、シリコーンウェハーに感圧接着し、その後、感圧接着シート６を、剥離速度１００ｍｍ／分、剥離角度１８０℃で剥離試験したときの接着力として測定される。

この方法では、感圧接着シート６の感圧接着面（感圧接着シート６が支持材が支持されている場合には、支持材によって支持される面に対する反対側の面）を、付着部分５を含む光反射層２の第２上面２３に対向配置し、付着部分５に感圧接着し、続いて、付着部分５を、光半導体素子１の第１上面１２から引き剥がす。

具体的には、まず、感圧接着シート６を下降させ、続いて、図１Ｂの仮想線で示すように、感圧接着シート６を付着部分５に対して十分に感圧接着する。その後、図１Ｃの仮想線で示すように、感圧接着シート６の面方向一端部（例えば、左端部）（一辺、具体的には、左辺）を把持し、感圧接着シート６の一端部（例えば、左端部）（一辺、具体的には、左辺）を面方向他方側（例えば、右方）に向けて引っ張りながら、付着部分５を蛍光半導体素子１の第１上面１２から引き剥がす。

好ましくは、感圧接着シート６の隅部（例えば、左端前端部）を把持し、感圧接着シート６の隅部（例えば、左端前端部）を右方斜め後側に向けて引っ張る。つまり、感圧接着シート６の剥離方向を、面方向（前後方向および左右方向）に対して傾斜する方向にする。感圧接着シート６の隅部を把持すれば、感圧接着シート６の一辺を把持する場合に比べて、把持した部分を剥離のきっかけによりし易く、かかるきっかけ（隅部）を容易かつ確実に把持できる。そのため、付着部分５をより確実に除去することができる。

この際、上記したように、付着部分５に上方への引き剥がし力が付与されないように、感圧接着シート６を、例えば、１２０度以上、好ましくは、１５０度以上、より好ましくは、１６５度以上、さらに好ましくは、１７０度以上、とりわけ好ましくは、１８０度で、剥離する。具体的には、感圧接着シート６を折り返すように、感圧接着シート６を剥離する。

すると、付着部分５は、光半導体素子１の第１上面１２から剥離され、感圧接着シート６に追従する。また、付着部分５の剥離が一回で完了しない時には、上記動作を複数回繰り返し、これによって付着部分５の剥離を完了させる。

一方、この際、図１Ｃに示すように、平面視において光半導体素子１と重ならない光反射層２は、かかる光反射層２の厚みが付着部分５の厚みに対して十分に厚いため、感圧接着シート６によって引き剥がされず（感圧接着シート６に追従せず）、残存する。

そのため、付着部分５を除去した光反射層２における第２上面２３は、光半導体素子１の第１上面１２より上側に位置する。光反射層２は、面方向に投影したときに、光半導体素子１と重ならない上端部２５を有する。光反射層２の上端部２５は、光半導体素子１の第１上面１２より上側に位置し、光半導体素子１の第１上面１２に対して上側に突出する突出部分である。

光反射層２において、付着部分５が除去され、上端部２５が残存することから、第２上面２３から光半導体素子１の第１上面１２に向かって凹む凹部２６が、後述する被覆層付光半導体素子集合体１４に形成される。凹部２６は、光反射層２の上端部２５の内周面２１と、光半導体素子１の第１上面１２とからなる。

光反射層２の厚み（平面視において、光半導体素子１と重ならない光反射層２における第２上面２３および剥離シート３の上面の間の距離）は、光半導体素子１の厚みより厚く、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、７００μｍ以下である。

上端部２５の厚み（上下方向長さ、突出長さ、または、凹部２６の深さ）は、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。

これにより、複数の光半導体素子１と、それらの第１側面１３を被覆する光反射層２（好ましくは、完全硬化前の光反射層２）とを備える光反射層付光半導体素子集合体１４を、剥離シート３に支持された状態で得る。

その後、光反射層２が、完全硬化前である場合には、第３工程の後に、付着部分５が除去された光反射層２を加熱し、Ｃステージ化（完全硬化）する。

具体的には、加熱温度は、例えば、１００℃以上、好ましくは、１２０℃以上であり、また、例えば、１５０℃以下である。また、加熱時間は、例えば、１０分以上、好ましくは、３０分以上であり、また、例えば、１８０分以下、好ましくは、１２０分以下である。

（４）第４工程
図１Ｄおよび図２Ｂに示すように、第４工程では、隣接する光半導体素子１間の光反射層２を切断する。

具体的には、光反射層付光半導体素子集合体１４において、複数の光半導体素子１を個片化するように、光反射層２を切断する。

光反射層２を切断するには、例えば、円盤状のダイシングソー（ダイシングブレード）を用いるダイシング装置、例えば、カッターを用いるカッティング装置、例えば、レーザー照射装置などの切断装置が用いられる。好ましくは、ダイシング装置が用いられる。ダイシングソーの刃厚は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。

光反射層２の切断によって、光反射層２には、互いに隣接する光半導体素子１の間において、面方向（前後方向および左右方向）に沿って整列する切断溝２７が形成される。切断溝２７は、光反射層２を厚み方向に貫通する。切断溝２７は、図３Ｂに示すように、平面視において、略碁盤目形状を有している。切断溝２７の幅は、切断装置（好ましくは、ダイシングソーの刃厚）に対応しており、具体的には、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。

切断溝２７の形成によって、光反射層２には、切断溝２７に面する外周面２４が形成される。切断溝２７は、光反射層２を複数に仕切って（分割して）いる。

第４工程によって、１つの光半導体素子１と、光半導体素子１の第１側面１３を被覆し、光半導体素子１の第１上面１２を露出し、切断溝２７によって仕切られた光反射層２とを備える複数の光反射層付光半導体素子１０を、剥離シート３に支持された状態で得る。

この光反射層付光半導体素子１０は、次に説明する光半導体装置４１（図３参照）ではなく、つまり、光半導体装置４１に備えられる基板４０を含まない。つまり、光反射層付光半導体素子１０は、光半導体装置４１の一部品、すなわち、光半導体装置４１を作製するための部品であり、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。

（５）光反射層付光半導体素子の基板への実装
その後、図３に示すように、光反射層付光半導体素子１０を基板４０に実装する。具体的には、光半導体素子１を基板４０にフリップチップ実装する。

これによって、基板４０と、光反射層付光半導体素子１０とを備える光半導体装置４１を得る。

光半導体装置４１において、光反射層２の第２下面２２は、基板４０の上面と接触している。

３．一実施形態の作用効果
この製造方法によれば、図１Ｃに示す第３工程では、第２工程において光半導体素子１の第１上面１２に付着する付着部分５を除去するので、光半導体素子１から発光された光を効率的に取り出すことができる。

また、第２工程において第１上面１２に付着する付着部分５の厚みＴが、５０μｍ以下であり、剥離時の屈折（折り返し）変形に付着部分５が追従できるので、図１Ｃに示す第３工程では、第２工程において第１上面１２に付着する付着部分５を確実に除去することができる。

また、第２工程における光反射層２の第２上面２３の、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００９）に従って測定される算術平均粗さＲａが、１０μｍ以下であるので、感圧接着シート６の感圧接着剤が、付着部分５の第２上面２３に十分に広がる（行き渡る）。そのため、感圧接着シート６の付着部分５に対する被着面積が低下することを抑制できる。その結果、図１Ｃに示す第３工程では、第２工程において第１上面１２に付着する付着部分５を確実に除去することができる。具体的には、付着部分５の第１上面１２に対する剥離強度が、付着部分５の感圧接着シート６に対する剥離強度に対して、小さくなるので、付着部分５を確実に除去することができる。

この製造方法によれば、第３工程で、第２工程において第１上面１２に付着する付着部分５を、感圧接着シート６を用いて、第１上面１２から引き剥がすので、上記した第１上面１２に付着する付着部分５を簡易かつ確実に除去することができる。

この製造方法によれば、光反射層２は、熱硬化性樹脂を含有し、第３工程における光反射層２が、完全硬化前であれば、図１Ｃに示す第３工程では、第２工程において第１上面１２に付着し、所望の弾性率を有する付着部分５を確実に除去することができる。

この製造方法によれば、第２工程において第１上面１２に付着する付着部分５の厚みＴが、３μｍ以上であれば、剥離時の屈折（折り返し）変形に付着部分５が追従できるので、図１Ｃに示す第３工程では、第２工程において第１上面１２に付着する付着部分５をより確実に除去することができる。

この製造方法によれば、第２工程における光反射層２の第２上面２３の、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００９）に従って測定される算術平均粗さＲａが、１μｍ以上であれば、感圧接着シート６の付着部分５に対する被着面積が低下することを抑制できるため、図１Ｃに示す第３工程では、第２工程において第１上面１２に付着する付着部分５を確実に除去することができる。

この製造方法によれば、光反射層２および光半導体素子１間の剥離強度が、１（Ｎ／２０ｍｍ）以下であれば、図１Ｃに示す第３工程では、第２工程において第１上面１２に付着する付着部分５をより確実に除去することができる。

この製造方法によれば、第３工程において、付着部分５を除去後の光反射層２の第２上面２３が、光半導体素子１の第１上面１２より、上側に配置されるので、光半導体素子１から側方斜め上方に発光された光を、光反射層２の上端部２５がより一層有効に反射することができる。そのため、光半導体素子１から発光された光を効率的に取り出すことができる。

この製造方法によれば、第２工程では、光反射層２を形成するための被覆材料からシート状に形成される光反射シート４により、光半導体素子１を埋設する。

第２工程では、光反射層２を形成するための光反射樹脂組成物からシート状に形成される光反射シート４により光半導体素子１を埋設すると、光反射樹脂組成物が光半導体素子１の第１上面１２に不可避的に付着する。

しかし、この方法では、第２工程において第１上面１２に付着する付着部分５の厚みＴが、５０μｍ以下であり、第２工程における光反射層２の第２上面２３の、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００９）に従って測定される算術平均粗さＲａが、１０μｍ以下であるので、第２工程において第１上面１２に付着する付着部分５を確実に除去できる。

また、第２工程では、光反射層２を形成するための光反射樹脂組成物からシート状に形成される光反射シート４により光半導体素子１を埋設するので、光反射層２を、光半導体素子１の第１側面１３に簡単に形成できる。

この製造方法によれば、図１Ｃに示す第３工程では、第２工程において複数の第１上面に付着する付着部分５を効率的に除去することができる。

４．蛍光体層−被覆層付光半導体素子の製造方法
本発明の蛍光体層−被覆層付光半導体素子の製造方法の一実施形態である蛍光体層−光反射層付光半導体素子１５の製造方法を、図４Ａおよび図４Ｂを用いて説明する。

この蛍光体層−光反射層付光半導体素子１５の製造方法は、上記した光反射層付光半導体素子集合体１４を用いて、蛍光体層−光反射層付光半導体素子１５を製造する。

具体的には、この方法では、図１Ｃに示す光反射層付光半導体素子集合体１４を用意し、次いで、蛍光体層７を、光半導体素子１の第１上面１２、および、光反射層２の第２上面２３に形成する（図４Ａ参照）。

図１Ｃに示すように、光反射層付光半導体素子集合体１４は、切断溝２７が光反射層２にまだ形成されず、光半導体素子１が個片化されていない。つまり、光反射層付光半導体素子集合体１４は、１つの光反射層２と、それによって被覆された複数の光半導体素子１とを備える。

図４Ａに示すように、蛍光体層７を、光反射層付光半導体素子集合体１４の第１上面１２および第２上面２３に形成するには、まず、図１Ｃの上側図（仮想線）に示すように、蛍光体シート８を用意する。

蛍光体シート８は、例えば、蛍光体と、樹脂とを含有する蛍光体樹脂組成物から、面方向に延びる略矩形平板（シート）に形成される。

蛍光体は、波長変換機能を有しており、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変換することのできる赤色蛍光体などが挙げられる。

黄色蛍光体としては、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ）_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ（バリウムオルソシリケート（ＢＯＳ））などのシリケート蛍光体、例えば、Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ（ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）、Ｔｂ_３Ａｌ_３Ｏ_１２：Ｃｅ（ＴＡＧ（テルビウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）などのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮなどの酸窒化物蛍光体などが挙げられる。

赤色蛍光体としては、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ_２：Ｅｕなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。

蛍光体としては、好ましくは、黄色蛍光体、より好ましくは、ＹＡＧが挙げられる。

樹脂としては、上記した樹脂が挙げられる。

上記した各成分の配合割合は、用途および目的に応じて適宜設定されている。

好ましくは、加熱によって変形することができるＢステージの蛍光体シート８を用意する。次に、１つの蛍光体シート８を、光反射層付光半導体素子集合体１４における複数の光半導体素子１の第１上面１２、および、光反射層２の第２上面２３を被覆するように、光反射層付光半導体素子１０に熱プレスする。

具体的には、まず、蛍光体シート８を、複数の光半導体素子１の第１上面１２に、複数の凹部２６を被覆（閉塞）するように配置し、蛍光体シート８を上側から熱プレスする。

熱プレスの条件として、具体的には、加熱温度は、例えば、５０℃以上、好ましくは、７０℃以上であり、また、例えば、１８０℃以下である。また、加熱時間は、例えば、３分以上、好ましくは、５分以上であり、また、例えば、３０分以下、好ましくは、２０分以下である。

これにより、蛍光体シート８が変形して、蛍光体樹脂組成物が凹部２６に充填され、蛍光体樹脂組成物が、上端部２５の内周面２１と、光半導体素子１の第１上面１２とに接触する。

これによって、光反射層２の第２上面２３および凹部２６に対応する形状を有する下面と、その上方に対向配置される平坦状の上面と、それらの周端縁を連続する外周面とを連続して有する蛍光体層７が形成される。

その後、蛍光体層７が、Ｂステージである場合には、蛍光体層７を加熱し、Ｃステージ化する。

具体的には、加熱温度は、例えば、１００℃以上、好ましくは、１２０℃以上であり、また、例えば、１８０℃以下である。また、加熱時間は、例えば、１０分以上、好ましくは、３０分以上であり、また、例えば、３００分以下、好ましくは、２４０分以下である。

上記した熱プレスにより、蛍光体層７をＣステージ化（完全硬化）する。

蛍光体層７の厚み（蛍光体層７の上面および光反射層２における第２上面２３の間の距離）は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、３００μｍ以下である。

これによって、複数の光反射層付光半導体素子１０と、１つの蛍光体層７とを備える蛍光体層−光反射層付光半導体素子集合体１６を、剥離シート３に支持された状態で用意する。

図４Ｂに示すように、隣接する光反射層付光半導体素子１０間の光反射層２および蛍光体層７を切断する。

具体的には、蛍光体層−光反射層付光半導体素子集合体１６において、複数の光反射層付光半導体素子１０を個片化するように、光反射層２および蛍光体層７を切断する。

切断方法は、上記した第４工程における切断方法と同じである。

これによって、１つの光反射層付光半導体素子１０と、１つの蛍光体層７とを備える複数の蛍光体層−光反射層付光半導体素子１５を、剥離シート３に支持された状態で得る。

蛍光体層−光反射層付光半導体素子１５において、蛍光体層７の上面は、上方に露出している。

その後、図５に示すように、蛍光体層−光反射層付光半導体素子１５を基板５０に実装する。具体的には、光半導体素子１を基板５０にフリップチップ実装する。

これによって、基板５０と、蛍光体層−光反射層付光半導体素子１５とを備える光半導体装置５１を得る。

この製造方法によれば、蛍光体層７を、光半導体素子１の第１上面１２と、光反射層２の第２上面２３と、光反射層２の凹部２６の内周面２１とに形成するため、光半導体素子１から側方に発光され、蛍光体層７によって波長変換された光を効率的に取り出すことができる。

＜変形例＞
変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

図１Ａおよび図１Ｂに示すように、第２工程において、光反射シート４から光反射層２を形成したが、これに限定されない。例えば、光反射樹脂組成物をポッティングすることにより、光反射層２を形成することもできる。好ましくは、光反射シート４から光反射層２を形成する。光反射シート４から光反射層２を形成すれば、光反射層２を光半導体素子１の第１側面１３に簡単に形成できる。

一実施形態の第３工程では、感圧接着シート６を用いて付着部分５を除去している。しかし、付着部分５の除去は、上記に限定されない。例えば、溶媒を用いる方法、例えば、図示しないが、研磨部材を用いる方法を用いることもできる。

溶媒としては、例えば、光反射樹脂組成物を完全または部分的に溶解または分散させることができる溶媒が選択される。具体的には、溶媒としては、有機溶媒、水系溶媒が挙げられる。有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノールなどのアルコール、例えば、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン、例えば、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素、例えば、トルエンなどの芳香族炭化水素、例えば、テトラヒドロフランなどのエーテルなどが挙げられる。好ましくは、アルコール、芳香族炭化水素が挙げられる。

この方法では、次いで、上記した溶媒を布に吸収させ、その布によって、付着部分５を含む光反射層２の第２上面２３を拭く。

研磨部材としては、バフなどの布、ブラシ、ウォーターブラストなどが挙げられる。

研磨部材によって、付着部分５を含む光反射層２の第２上面２３を研磨する。

また、上記した各方法は、適宜併用することができる。例えば、まず、溶媒によって、付着部分５を含む光反射層２の第２上面２３を拭き、その後、感圧接着シート６で付着部分５を引き剥がす。

また、一実施形態では、光反射樹脂組成物がＢステージとなることができる樹脂を含有する場合において、まず、光反射層２を形成し、付着部分５を含む光反射層２を完全硬化（Ｃステージ化）する前に、付着部分５を除去し、その後、付着部分５が除去された光反射層２を完全硬化（Ｃステージ化）している。

しかし、例えば、まず、光反射層２を完全硬化（Ｃステージ化）した後、付着部分５を除去することもできる。その際には、完全硬化（Ｃステージ化）した光反射層２は、上記した弾性率を有する。

好ましくは、光反射層２を完全硬化（Ｃステージ化）する前に、付着部分５を除去する。これによれば、所望の弾性率を有する付着部分５を簡易かつ確実に除去することができる。

また、一実施形態では、第２工程において、粒子を、光反射樹脂組成物に配合しているが、これに限定されない。例えば、粒子を光反射樹脂組成物に配合しなくてもよい。その場合には、光反射層２の第２上面２３を、硬質かつ微小な凸部を複数有する切削部材で摺擦することにより、光反射層２の第２上面２３に微小な凹凸を付与することができる。切削部材としては、例えば、やすりなどが挙げられる。

また、一実施形態では、図１Ｂおよび図１Ｃに示すように、複数の光半導体素子１のそれぞれの第１上面１２に付着する付着部分５をまとめて除去している。

しかし、図６Ｂおよび図６Ｃに示すように、１つの光半導体素子１の第１上面１２に付着する付着部分５を除去することもできる。

図６Ａに示す第１工程では、剥離シート３の上面に１つの光半導体素子１を用意する。

図６Ｂに示す第２工程では、１つの光半導体素子１の第１上面１２および第１側面１３を、光反射層２によって被覆する。これにより、１つの光半導体素子１、および、１つの光反射層２を備える１つの光反射層付光半導体素子１０を得る。

図６Ｃに示す第３工程において、付着部分５を除去する。これにより、１つの光半導体素子１と、光半導体素子１の第１側面１３を被覆する１つの光反射層２とを備える光反射層付光半導体素子１０を得る。

その後、図６Ｄに示すように、蛍光体層７を、光半導体素子１の第１上面１２に、凹部２６を被覆（閉塞）するように配置する。

これによって、１つの光反射層付光半導体素子１０と、１つの蛍光体層７とを備える蛍光体層−光反射層付光半導体素子１５を、剥離シート３に支持された状態で得る。

この方法によっても、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、この方法によれば、光反射層２を切断して、光半導体素子１を個片化する第４工程を実施しない。そのため、工程を簡略化することができる。

一実施形態では、図１Ｄに示すように、光反射層付光半導体素子１０において、光反射層２の第２上面２３は、光半導体素子１の第１上面１２に対して、上側に配置されている。しかし、図７に示すように、光反射層２の第２上面２３を、光半導体素子１の第１上面１２に対して、厚み方向において同一位置に配置することもできる。つまり、光反射層２の第２上面２３は、光半導体素子１の第１上面１２に連続している。つまり、光反射層付光半導体素子１０は、上端部２５および凹部２６を有しない。

さらには、図８Ｄに示すように、光反射層２の第２上面２３が、光半導体素子１の第１上面１２に対して、下側に配置されてもよい。

図８Ｄに示す光反射層付光半導体素子１０を得るには、図８Ａに示す第２工程の熱プレスおいて、比較的薄いスペーサを用いて、プレス厚みを比較的狭く（薄く）設定する。

そうすると、熱プレスにおいて、付着部分５は、比較的硬い光半導体素子１の第１上面１２に位置するから、光半導体素子１の外周面２４を被覆する側部２８に比べて、高い圧力で下側に圧縮される。そのため、図８Ａに示すように、付着部分５の下側に位置する光半導体素子１は、剥離シート３に向かってわずかに沈み込む。

続いて、上記した光半導体素子１へのプレスが解放されると、図８Ｂに示すように、光半導体素子１は、復元し、つまり、光半導体素子１の下面が、周囲の剥離シート３の上面と同一位置に配置される。光半導体素子１の復元に伴って、付着部分５の上面２９は、側部２８の第２上面２３に対して、上側に位置する。

その後、図８Ｂの仮想線で示すように、感圧接着シート６を付着部分５に対して十分に感圧接着する。その際、図８Ｂに示すように、感圧接着シート６は、側部２８の第２上面２３に対して、間隔が隔てられてもよい。そして、図８Ｃの仮想線で示すように、付着部分５を蛍光半導体素子１の第１上面１２から引き剥がす。

その後、光反射層２が完全硬化前である場合には、光反射層２を加熱によりＣステージ化する（完全硬化させる）。

光反射層２の加熱によって、光反射層２は熱収縮する。そのため、図８Ｄに示すように、側部２８の第２上面２３は、光半導体素子１の第１上面１２に対して、下側に位置する。

好ましくは、図１Ｄに示すように、光反射層付光半導体素子１０において、光反射層２の第２上面２３を、光半導体素子１の第１上面１２に対して、上側に配置する。

光反射層２の第２上面２３が、光半導体素子１の第１上面１２より、上側に配置されると、光半導体素子１から側方斜め上方に発光された光を、光反射層２の上端部２５がより一層有効に反射することができる。そのため、光半導体素子１から発光された光を効率的に取り出すことができる。

また、図８Ｄに示すように、光反射層付光半導体素子１０において、光反射層２の第２上面２３を、光半導体素子１の第１上面１２に対して、下側に配置するには、図８Ａに示す第２工程におけるプレス厚みを比較的狭く（薄く）設定する。さらに、光半導体素子１は硬質な半導体材料からなることから、図８Ａに示す第２工程における熱プレスの押し込み量およびプレス圧を精密に調整する必要がある。

一方、図１Ｄに示すように、光反射層２の第２上面２３を、光半導体素子１の第１上面１２より、上側に配置する場合には、図１Ｂに示す第２工程におけるプレス厚みを比較的広く（厚く）設定する。そのため、図１Ｂに示す第２工程における熱プレスの押し込み量およびプレス圧を調整する必要がなく、作業効率に優れる。

一実施形態では、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、蛍光体層７の上面を上方に露出させている。

しかし、図９に示すように、蛍光体層７の上面に、光拡散層３０を配置（光拡散層３０を被覆）することもできる。

光拡散層３０は、面方向に延びる略矩形平板形状（シート）を有している。光拡散層３０は、蛍光体層７の上面に配置される。光拡散層３０は、蛍光体層７の上面を被覆する下面と、光拡散層３０の下面に対して上側に間隔を隔てて対向配置される上面と、光拡散層３０の下面の周端縁と光拡散層３０の上面との周端縁を上下方向に連結する側面とを有する。光拡散層３０の上面は、光拡散層３０の下面と同じサイズを有し、面方向に平坦な形状を有する。

光拡散層３０は、上記した樹脂と、特開２０１６−０４８７６４号公報などに記載される光拡散性粒子とを適宜の割合で含有する光拡散組成物から形成される。

これにより、光半導体素子１と、光反射層２と、蛍光体層７と、光拡散層３０とを備える光拡散層−蛍光体層−被覆層付光半導体素子６０を得る。

また、図９の括弧書きで示すように、光拡散層３０に代えて、透明層３１を用いることもできる。

透明層３１は、蛍光体層７の上面に配置される。透明層３１は、上記した光拡散層３０と同一形状を有する。透明層３１は、上記した樹脂と、充填材とを適宜の割合で含有した透明樹脂組成物から形成される。充填材としては、例えば、上記した粒子が挙げられ、上記した樹脂との屈折率が実質的に同一の屈折率を有する。

透明層３１は、透明層−蛍光体層−被覆層付光半導体素子６１に備えられる。

透明層−蛍光体層−被覆層付光半導体素子６１は、光半導体素子１と、光反射層２と、蛍光体層７と、透明層３１とを備える。

図４Ａの括弧書きおよび図４Ｂ書きの括弧に示すように、蛍光体層７に代えて、透明層３１を用いることもできる。

なお、透明層３１は、蛍光体層７と同一の形状であり、上記した透明層３１の組成と同一の組成を有する。

透明層３１は、透明層−被覆層付光半導体素子６２に備えられる。

透明層−被覆層付光半導体素子６２は、光半導体素子１と、光反射層２と、透明層３１とを備える。

上記した各変形例は、上記した一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。

以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。

実施例１
（１）第１工程
図１Ａに示すように、複数の光半導体素子１を剥離シート３の上面に用意した。

光半導体素子１の寸法は、１．１４ｍｍ×１．１４ｍｍ、厚み１５０μｍであった。

また、複数の光半導体素子１間の間隔は、０．５ｍｍであった。

（２）第２工程
特開２０１６−０３７５６２号公報の実施例に記載の調製例１に準拠したＡステージのフェニル系シリコーン樹脂（Ｂステージとなることができる１段反応硬化性樹脂、Ｃステージにおける屈折率１．５６）１００質量部に、光反射性粒子として酸化チタン粒子（屈折率２．７、平均粒子径０．３６μｍ、Ｒ７０６、デュポン社製）４０質量部、粒子としてのシリカ（屈折率１．４４、平均粒子径３μｍ）４０質量部、および、チクソ付与粒子としての煙霧シリカ（Ｒ９７６ｓ（日本アエロジル社製）２質量部を、配合して混合することにより、Ａステージの光反射性樹脂組成物を調製した。

別途、図示しない剥離シート（ＰＥＴフィルム、品名「ＳＥ−１」、厚み５０μｍ、フジコー社製）の表面に、加熱後の厚みが１００μｍとなるように、光反射性樹脂組成物を、コンマコーターで塗布し、続いて、８０℃、１１．５分加熱（ベイク）した。

これにより、Ｂステージの光反射シート４を作製した。

続いて、１枚のＢステージの光反射シート４を、複数の光半導体素子１の第１上面１２に配置し、続いて、Ｂステージの光反射シート４を複数の光半導体素子１に対して熱プレス（加熱温度９０℃、加熱時間１０分）し、光反射シート４を変形させた。これにより、図１Ｂに示すように、光反射シート４を、複数の光半導体素子１間に充填するとともに、光反射層２で、光半導体素子１の第１側面１３を被覆した。

一方、光半導体素子１の第１上面１２には、光反射層２の一部である付着部分５が付着した。

なお、熱プレス中、光反射層２は、軟化および溶融し、その際、第２上面２３がプレス板に対応する平坦面を有していた。

また、第２工程の後の光反射層２は、完全硬化前であった。

（３）第３工程
図１Ｃに示すように、感圧接着シート６（商品名５６１５、日東電工社製）を用いて、光反射層２の第２上面２３に対して１８０度剥離することにより、付着部分５を光反射層２の第２上面２３から剥離した。

これによって、複数の光半導体素子１と、光反射層２とを備える光反射層付光半導体素子集合体１４を、剥離シート３で支持した状態で、得た。

（４）第４工程
まず、光反射層２を、１５０℃、１８０分加熱して、Ｃステージ化した（完全硬化させた）。

次いで、ダイシングソーによって、光反射層２を切断して、光半導体素子１を個片化した。

これによって、光半導体素子１と、光反射層２とを備える複数の光反射層付光半導体素子１０を得た。

実施例２〜５および比較例１および２
表１に従って処方を変更した以外は、実施例１と同様に処理して、光反射層付光半導体素子１０を得た。

実施例２〜４については、粒子として、シリカに代えて、ガラス粒子（屈折率１．５５、平均粒子径２０μｍ、組成および組成比率（質量％）：ＳｉＯ_２／Ａｌ_２Ｏ_３／ＣａＯ／ＭｇＯ＝６０／２０／１５／５の無機粒子）を用いた。

実施例５については、第２工程において、光半導体素子１に対して、９０℃で、１０分、熱プレスし、光反射シート４を変形させ、光反射層２で、光半導体素子１の第１側面１３を被覆した。その後、１５０℃で１８０分加熱することにより、光反射シート４をＣステージ化した（完全硬化させた）。

評価
各実施例および各比較例について、以下の項目を評価した。その結果を表１に示す。

１．付着部分の厚みＴ
ダイヤルゲージによって、付着部分５の厚みＴを測定した。

２．光反射層および光半導体素子間の剥離強度
光反射層２および光半導体素子１間の剥離強度を、オートグラフＡＧシリーズ（島津製作所社製）によって、測定した。

３．光反射層の上面の算術平均粗さＲａ
第２工程における光反射層２の第２上面２３の算術平均粗さＲａを、ＪＩＳ Ｂ０６０１（２００９）に従って測定した。

４．光反射層の弾性率
付着部分５を剥離する直前の光反射層２の弾性率として、加熱（加熱温度９０℃、加熱時間１０分））した光反射シート４（３００μｍ×１０ｍｍ×１０ｍｍ）の２５℃におけるヤング率（ＪＩＳ Ｋ７１６１−１９９４）を求めた。

５．付着部分の除去性
付着部分５の除去性を、下の基準で評価した。
○：付着部分５の残存が全く観察されなかった。
△：付着部分５の残存がほとんど観察されなかった。
×：付着部分５の残存が観察された。

１ 光半導体素子
２ 光反射層
４ 光反射シート
５ 付着部分
６ 感圧接着シート
７ 蛍光体層
１０ 被覆層付光半導体素子
１１ 第１下面
１２ 第１上面
１３ 第１側面
１５ 蛍光体層−被覆層付光半導体素子
２１ 内周面
２３ 第２上面
Ｔ 付着部分の厚み
Ｒａ 算術表面粗さ（光反射層の第２上面）

Claims (10)

1. 電極が設けられる第１下面、前記第１下面に対向する第１上面、および、前記第１下面と前記第１上面との周端縁を連結する第１側面を有する光半導体素子と、
   前記光半導体素子の第１側面に接触する被覆層とを備える被覆層付光半導体素子の製造方法であり、
   前記光半導体素子を用意する第１工程と、
   前記被覆層を、前記光半導体素子の前記第１側面に形成する第２工程と、
   前記第２工程において前記第１上面に付着する前記被覆層を除去する第３工程とを備え、
   前記第２工程において前記第１上面に付着する前記被覆層の厚みＴが、５０μｍ以下であり、
   前記第２工程における前記被覆層の上面の、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００９）に従って測定される算術平均粗さＲａが、１０μｍ以下であることを特徴とする、被覆層付光半導体素子の製造方法。
2. 前記第３工程では、前記第２工程において前記第１上面に付着する前記被覆層を、感圧接着シートを用いて、前記第１上面から引き剥がすことを特徴とする、請求項１に記載の被覆層付光半導体素子の製造方法。
3. 前記被覆層は、熱硬化性樹脂を含有し、
   前記第３工程における前記被覆層が、完全硬化前であることを特徴とする、請求項１または２に記載の被覆層付光半導体素子の製造方法。
4. 前記第２工程において前記第１上面に付着する前記被覆層の厚みＴが、３μｍ以上であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の被覆層付光半導体素子の製造方法。
5. 前記第２工程における前記被覆層の上面の前記算術平均粗さＲａが、１μｍ以上であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の被覆層付光半導体素子の製造方法。
6. 前記被覆層および前記光半導体素子間の剥離強度が、１（Ｎ／２０ｍｍ）以下であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の被覆層付光半導体素子の製造方法。
7. 前記第３工程では、除去後の前記被覆層の上面が、前記光半導体素子の前記第１上面より、上側に配置されていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の被覆層付光半導体素子の製造方法。
8. 前記第２工程では、前記被覆層を形成するための被覆材料からシート状に形成される被覆シートにより、前記光半導体素子を埋設することを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の被覆層付光半導体素子の製造方法。
9. 前記第１工程では、前記光半導体素子を、互いに間隔を隔てて複数配置し、
   前記第２工程では、前記被覆層を形成するための被覆材料からシート状に形成される被覆シートを前記第１上面に配置するとともに、前記被覆シートを、互いに隣接する前記光半導体素子の隙間に充填し、
   前記第３工程では、前記第２工程において複数の前記光半導体素子の前記第１上面に付着する前記被覆層を除去することを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の被覆層付光半導体素子の製造方法。
10. 前記第２工程の除去後の前記被覆層は、前記光半導体素子の第１側面に接触する第２側面、および、前記第２側面の上端縁から、前記第１側面と離れる方向に延びる第２上面を有し、
    請求項１〜９のいずれか一項に記載の被覆層付光半導体素子の製造方法により被覆層付光半導体素子を製造する工程と、
    蛍光体層を、前記第１上面と前記第２上面とに形成する工程とを備えることを特徴とする、蛍光体層−被覆層付光半導体素子の製造方法。

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