TW201401584A - 反射層－螢光體層被覆ｌｅｄ、其製造方法、ｌｅｄ裝置及其製造方法 - Google Patents

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江部悠紀
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福家一浩
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Abstract

本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法包括：配置步驟，其係將反射層配置於支持台之厚度方向一側；反射層被覆步驟，其係於配置步驟之後，將於一面上設置端子之LED以使LED之一面被反射層被覆之方式配置於支持台之厚度方向一側；及螢光體層被覆步驟，其係以被覆LED之至少另一面之方式形成螢光體層。

Description

反射層-螢光體層被覆LED、其製造方法、LED裝置及其製造方法
本發明係關於一種反射層-螢光體層被覆LED(Light-Emitting Diode，發光二極體)、其製造方法、LED裝置及其製造方法，詳細而言本發明係關於一種反射層-螢光體層被覆LED之製造方法、藉由該反射層-螢光體層被覆LED之製造方法而獲得之反射層-螢光體層被覆LED、使用該反射層-螢光體層被覆LED之LED裝置之製造方法以及藉由該LED裝置之製造方法而獲得之LED裝置。
先前，已知發光二極體裝置(以下略記為LED裝置)係藉由如下方式製造，即，首先將複數個發光二極體元件(以下略記為LED)安裝至基板，其次以被覆複數個LED之方式設置螢光體層，其後單片化成各LED。
然而，於複數個LED之間，由於發光波長或發光效率產生偏差，故而於安裝有此種LED之LED裝置中，於複數個LED之間，有發光產生偏差之不良情況。
為消除該不良情況，例如研究出利用螢光體層被覆複數個LED，而製作螢光體層被覆LED，其後，根據發光波長或發光效率，挑選出螢光體層被覆LED後，將其安裝至基板。
例如提出有如下陶瓷被覆LED，即，其係藉由於黏著片上配置LED，其次，將分散混入有螢光體之陶瓷油墨以被覆LED之表面之方式塗佈至黏著片上，進行加熱，藉此使陶瓷油墨暫時硬化後，與LED地對應地切割(dicing)陶瓷油墨，其後，加熱陶瓷油墨使其本硬化且使其玻璃化而獲得(例如參照日本專利特開2012-39013號公報)。其後，將陶瓷被覆LED安裝至基板，而獲得LED裝置。
然而，於藉由日本專利特開2012-39013號公報中記載之方法而獲得之LED裝置中，有無法獲得充分之發光效率之不良情況。
本發明之目的在於提供一種發光效率優異之LED裝置、其製造方法、其中所使用之反射層-螢光體層被覆LED及該反射層-螢光體層被覆LED之製造方法。
本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之特徵在於包括：配置步驟，其係將反射層配置於支持台之厚度方向一側；反射層被覆步驟，其係於上述配置步驟之後，將於一面上設置端子之LED以使上述LED之上述一面被上述反射層被覆之方式配置於上述支持台之上述厚度方向一側；及螢光體層被覆步驟，其係以被覆上述LED之至少另一面之方式形成螢光體層。
又，於本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法中，較佳為上述螢光體層由螢光體片形成。
又，於本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法中，較佳為於上述配置步驟中，設置B階段之上述反射層，且於上述反射層被覆步驟中，使上述LED之上述一面接著於B階段之上述反射層。
又，較佳為本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法進而包括：剝離步驟，其係於上述螢光體層被覆步驟之後，將上述反射層-螢光體層被覆LED自上述支持台剝離。
又，於本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法中，較佳為上述支持台係具備硬質之支持板之支持片，且上述螢光體層被覆步驟進而包括：層配置步驟，其係將由含有硬化性樹脂及螢光體之螢光樹脂組合物形成之螢光體層以被覆上述LED之方式配置於上述支持片之上述厚度方向一側；密封步驟，其係使上述螢光體層硬化，且利用可撓性之上述螢光體層密封上述LED；及切斷步驟，其係於上述密封步驟之後，藉由與上述LED對應地切斷可撓性之上述螢光體層，而獲得上述反射層-螢光體層被覆LED。
又，於本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法中，較佳為上述支持片進而包括黏著層，該黏著層層疊於上述支持板之上述厚度方向一面。
又，於本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法中，較佳為於上述剝離步驟中，將上述反射層-螢光體層被覆LED自上述支持板及上述黏著層剝離。
又，較佳為本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法進而包括：支持板剝離步驟，其係於上述切斷步驟之後、且上述剝離步驟之前，將上述支持板自上述黏著層剝離；且於上述剝離步驟中，將上述反射層-螢光體層被覆LED自上述黏著層剝離。
又，較佳為本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法進而包括：支持板剝離步驟，其係於上述剝離步驟之後、且上述切斷步驟之前，將上述支持板自上述黏著層剝離；且於上述剝離步驟中，將上述反射層-螢光體層被覆LED自上述黏著層剝離。
又，於本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法中，較佳為上述剝離步驟包括如下步驟：將上述反射層-螢光體層被覆LED轉印至可沿與上述厚度方向正交之方向延伸之延伸支持片；及一面使上述延伸支持片沿上述正交方向延伸，一面將上述反射層-螢光體層被 覆LED自上述延伸支持片剝離。
又，於本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法中，較佳為上述支持台係支持片，上述螢光體層被覆步驟進而包括：層配置步驟，其係將由含有藉由活性能量射線之照射而硬化之活性能量射線硬化性樹脂及螢光體之螢光樹脂組合物形成的螢光體層以被覆上述LED之方式配置於上述支持片之上述厚度方向一側；密封步驟，其係對上述螢光體層照射活性能量射線，而利用上述螢光體層密封上述LED；及切斷步驟，其係與上述LED對應地切斷上述螢光體層。
又，於本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法中，較佳為上述支持片可沿與上述厚度方向正交之方向延伸，且於上述剝離步驟中，一面使上述支持片沿上述正交方向延伸，一面將上述反射層-螢光體層被覆LED自上述支持片剝離。
又，於本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法中，較佳為上述支持片係黏著力會因受到加熱而降低之熱剝離片，且於上述剝離步驟中，加熱上述支持片，而將上述反射層-螢光體層被覆LED自上述支持片剝離。
又，於本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法中，較佳為上述支持台係支持片，該支持片包含：硬質之支持板；及黏著層，其層疊於上述支持板上述厚度方向一面，且黏著力因活性能量射線之照射而降低；且上述螢光體層被覆步驟包括：密封步驟，其係將螢光體層以被覆上述LED之方式配置於上述支持板之上述厚度方向一面，而利用上述螢光體層密封上述LED；及切斷步驟，其係於上述密封步驟之後，與上述LED對應地切斷上述螢光體層；且於上述剝離步驟中，至少自上述厚度方向一側對上述黏著層照射活性能量射線，而將上述反射層-螢光體層被覆LED自上述黏著層剝離。
又，於本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法中，較佳 為上述支持台係支持片，該支持片包含：硬質之支持板，其形成有貫通厚度方向之貫通孔；及黏著層，其以被覆上述貫通孔之方式層疊於上述支持板之上述厚度方向一側；且於上述反射層被覆步驟中，使上述LED與上述貫通孔於上述厚度方向上對向，於上述剝離步驟中，藉由使推壓構件自上述厚度方向另一側插入至上述貫通孔，且對上述支持板相對地將與上述貫通孔對應之上述黏著層向上述厚度方向一側推壓，而一面使上述反射層-螢光體層被覆LED向上述厚度方向一側相對移動，一面將上述反射層-螢光體層被覆LED自上述黏著層剝離。
又，於本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法中，較佳為上述螢光體層被覆步驟進而包括：層配置步驟，其係將由含有硬化性樹脂及螢光體之螢光樹脂組合物形成之螢光體層以被覆上述LED之方式配置於上述支持台之上述厚度方向一側；密封步驟，其係使上述螢光體層硬化，並利用可撓性之上述螢光體層密封上述LED；及切斷步驟，其係於上述密封步驟之後，藉由與上述LED對應地切斷可撓性之上述螢光體層，而獲得上述反射層-螢光體層被覆LED。
又，本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法較佳為於上述配置步驟中，使用以預先設置於切斷步驟中成為切斷之基準的基準標記之方式準備之支持片。
又，於本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法中，較佳為於上述配置步驟中，按照與上述LED之上述一面對應之圖案設置上述反射層。
又，於本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法中，較佳為於上述配置步驟中，將上述反射層設置於上述支持台之上述厚度方向一側之整個面。
又，於本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法中，較佳為於上述配置步驟中，藉由將由反射樹脂組合物形成之反射片層疊於 上述支持台，而設置上述反射層。
又，於本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法中，較佳為於上述配置步驟中，藉由將液狀之反射樹脂組合物塗佈至上述支持台，而設置上述反射層。
又，於本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法中，較佳為上述螢光體層包括：被覆部，其被覆上述LED；及反射部，其含有光反射成分，且以包圍上述被覆部之方式形成。
又，本發明之反射層-螢光體層被覆LED之特徵在於：其係藉由反射層-螢光體層被覆LED之製造方法而獲得者，該反射層-螢光體層被覆LED之製造方法包括：配置步驟，其係將反射層配置於支持台之厚度方向一側；反射層被覆步驟，其係於上述配置步驟之後，將於一面上設置端子之LED以使上述LED之上述一面被上述反射層被覆之方式配置於上述支持台之上述厚度方向一側；及螢光體層被覆步驟，其係以被覆上述LED之至少另一面之方式形成螢光體層。
又，本發明之LED裝置之製造方法之特徵在於包括：藉由反射層-螢光體層被覆LED之製造方法，而獲得反射層-螢光體層被覆LED之步驟，以及經由上述端子而將上述反射層-螢光體層被覆LED安裝至基板；該反射層-螢光體層被覆LED之製造方法包括：配置步驟，其係將反射層配置於支持台之厚度方向一側；反射層被覆步驟，其係於上述配置步驟之後，將於一面上設置端子之LED以使上述LED之上述一面被上述反射層被覆之方式配置於上述支持台之上述厚度方向一側；螢光體層被覆步驟，其係以被覆上述LED之至少另一面之方式形成螢光體層；及剝離步驟，其係於上述螢光體層被覆步驟之後，將上述反射層-螢光體層被覆LED自上述支持台剝離。
又，本發明之LED裝置之特徵在於：其係藉由LED裝置之製造方法而獲得者，該LED裝置之製造方法包括：配置步驟，其係將反射層 配置於支持台之厚度方向一側；反射層被覆步驟，其係於上述配置步驟之後，將於一面上設置端子之LED以使上述LED之上述一面被上述反射層被覆之方式配置於上述支持台之上述厚度方向一側；及螢光體層被覆步驟，其係以被覆上述LED之至少另一面之方式形成螢光體層；以及剝離步驟，其係於上述螢光體層被覆步驟之後，將上述反射層-螢光體層被覆LED自上述支持台剝離。
又，本發明之LED裝置之製造方法之特徵在於：其係藉由反射層-螢光體層被覆LED之製造方法而製造LED裝置之方法，該反射層-螢光體層被覆LED之製造方法包括：配置步驟，其係將反射層配置於支持台之厚度方向一側；反射層被覆步驟，其係於上述配置步驟之後，將於一面上設置端子之LED以使上述LED之上述一面被上述反射層被覆之方式配置於上述支持台之上述厚度方向一側；及螢光體層被覆步驟，其係以被覆上述LED之至少另一面之方式形成螢光體層；且該LED裝置之製造方法係於上述反射層被覆步驟之前實施上述螢光體層被覆步驟，上述支持台係基板，於上述反射層被覆步驟中，經由上述端子而將上述LED安裝於上述基板。
又，於本發明之LED裝置之製造方法中，較佳為於上述配置步驟中，按照與上述LED之上述一面對應之圖案而設置上述反射層。
又，於本發明之LED裝置之製造方法中，較佳為於上述配置步驟中，將上述反射層設置於上述支持台之上述厚度方向一側之整個面。
又，本發明之LED裝置之製造方法中，較佳為於上述配置步驟中，藉由將由反射樹脂組合物形成之反射片層疊於上述支持台，而設置上述反射層。
又，本發明之LED裝置之製造方法較佳為於上述配置步驟中，藉由將液狀之反射樹脂組合物塗佈於上述支持台，而設置上述反射層。
又，本發明之LED裝置之特徵在於：其係藉由LED裝置之製造方 法而獲得者，該LED裝置之製造方法係藉由反射層-螢光體層被覆LED之製造方法而製造LED裝置之方法，該反射層-螢光體層被覆LED之製造方法包括：配置步驟，其係將反射層配置於支持台之厚度方向一側；反射層被覆步驟，其係於上述配置步驟之後，將於一面上設置端子之LED以使上述LED之上述一面被上述反射層被覆之方式配置於上述支持台之上述厚度方向一側；及螢光體層被覆步驟，其係以被覆上述LED之至少另一面之方式形成螢光體層；且該LED裝置之製造方法係於上述反射層被覆步驟之前實施上述螢光體層被覆步驟，上述支持台係基板，且於上述反射層被覆步驟中，經由上述端子而將上述LED安裝於上述基板。
又，本發明之反射層-螢光體層被覆LED之特徵在於包括：LED，其於一面上設置端子；反射層，其係以被覆上述LED之上述一面之方式形成；及螢光體層，其係以被覆上述LED之至少另一面之方式形成。
又，本發明之反射層-螢光體層被覆LED較佳為上述螢光體層係以亦被覆上述LED之與上述一面及上述另一面連續之連續面之方式形成。
根據本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法，由於將於一面上設置端子之LED以使LED之一面被反射層被覆之方式配置於支持台之厚度方向一側，且以被覆LED之至少另一面之方式形成螢光體層，故而於本發明之反射層-螢光體層被覆LED中，反射層形成於LED之一面，螢光體層形成於LED之另一面。
因此，於藉由將上述反射層-螢光體層被覆LED經由端子而安裝至基板所獲得之本發明之LED裝置中，向LED之另一側照射之光透過螢光體層，且藉由螢光體層而實現波長轉換。另一方面，向LED之一側照射之光經反射層反射，而朝向另一側。即，可防止光自LED向基 板照射而被基板吸收，而使朝向另一側之光量增大。
其結果，於本發明之LED裝置中，發光效率優異。
1‧‧‧支持片
2‧‧‧支持板
3‧‧‧黏著層
4‧‧‧LED
5‧‧‧螢光體片
6‧‧‧反射層
8‧‧‧切痕
9‧‧‧基板
10‧‧‧反射層-螢光體片被覆LED
11‧‧‧轉印片
13‧‧‧脫模片
14‧‧‧推壓構件
15‧‧‧LED裝置
16‧‧‧抽吸構件
17‧‧‧拾取裝置
18‧‧‧基準標記
19‧‧‧間隙
20‧‧‧密封保護層
21‧‧‧貫通孔
22‧‧‧露出面
23‧‧‧突出部
24‧‧‧延伸支持片
25‧‧‧螢光體層
26‧‧‧分注器
27‧‧‧導入部
28‧‧‧塗佈部
30‧‧‧反射層被覆LED
31‧‧‧端子
33‧‧‧埋設部
34‧‧‧反射部
35‧‧‧加壓裝置
35‧‧‧螢光體片-反射層被覆LED
36‧‧‧支持板
37‧‧‧模
38‧‧‧平板部
39‧‧‧突出部
40‧‧‧間隔件
40‧‧‧螢光體層被覆LED
41‧‧‧貫通孔
42‧‧‧反射片
43‧‧‧被覆部
44‧‧‧被覆-反射片
49‧‧‧剝離片
53‧‧‧貫通孔
55‧‧‧打孔裝置
56‧‧‧支持板
57‧‧‧模
58‧‧‧平板部
59‧‧‧突出部
61‧‧‧切割機(切割刀片)
64‧‧‧埋設-反射片
圖1係表示本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第1實施形態之步驟圖，圖1(a)表示準備支持片之步驟，圖1(b)表示將反射層配置於支持片上之配置步驟，圖1(c)表示將LED以LED之下表面被反射層被覆之方式配置於支持片上之反射層被覆步驟，圖1(d)表示將螢光體片配置於支持片上之片配置步驟，圖1(e)表示使螢光體片硬化而利用螢光體片密封LED之密封步驟、及與LED對應地切斷螢光體片之切斷步驟，圖1(f)表示將反射層-螢光體層被覆LED自支持片剝離之剝離步驟，圖1(g)表示將反射層-螢光體層被覆LED安裝至基板之步驟。
圖2表示圖1(a)所示之支持片之平面圖。
圖3係表示本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第2實施形態之步驟圖，圖3(a)表示準備支持片之步驟，圖3(b)表示將反射層配置於支持片上之配置步驟，圖3(c)表示將LED以LED之下表面被反射層被覆之方式配置於支持片上之反射層被覆步驟，圖3(d)表示將螢光體片配置於支持片上之片配置步驟，圖3(e)表示使螢光體片硬化而利用螢光體片密封LED之密封步驟、及與LED對應地切斷螢光體片之切斷步驟，圖3(f)表示將支持板自黏著層剝離之支持板剝離步驟， 圖3(g)表示將反射層-螢光體層被覆LED自黏著層剝離之步驟，圖3(g')表示詳細說明於圖3(g)之剝離步驟中利用拾取裝置將反射層-螢光體層被覆LED自黏著層剝離之狀態之步驟圖，圖3(h)表示將反射層-螢光體層被覆LED安裝至基板之安裝步驟。
圖4係表示本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第3實施形態之步驟圖，圖4(a)表示準備支持片之步驟，圖4(b)表示將反射層配置於支持片上之配置步驟，圖4(c)表示將LED以LED之下表面被反射層被覆之方式配置於支持片上之反射層被覆步驟，圖4(d)表示將螢光體片配置於支持片上之片配置步驟，圖4(e)表示使螢光體片硬化而利用螢光體片密封LED之密封步驟、及與LED對應地切斷螢光體片之切斷步驟，圖4(f)表示將反射層-螢光體層被覆LED轉印至轉印片之步驟，圖4(g)表示將反射層-螢光體層被覆LED轉印至延伸支持片之步驟，圖4(h)表示將反射層-螢光體層被覆LED自延伸支持片剝離之步驟，圖4(h')表示詳細說明於圖4(h)之剝離步驟中利用拾取裝置將反射層-螢光體層被覆LED自延伸支持片剝離之狀態之步驟圖，圖4(i)表示將反射層-螢光體層被覆LED安裝至基板之安裝步驟。
圖5係表示本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第4實施形態之步驟圖，圖5(a)表示將反射層配置於支持片上之配置步驟，圖5(b)表示將LED以LED之下表面被反射層被覆之方式配置於支持片上之反射層被覆步驟， 圖5(c)表示將螢光體片配置於支持片上之片配置步驟，圖5(d)表示使螢光體片硬化而利用螢光體片密封LED之密封步驟，圖5(e)表示與LED對應地切斷螢光體片之切斷步驟，圖5(f)表示將反射層-螢光體層被覆LED自支持片剝離之剝離步驟，圖5(f')表示詳細說明於圖5(h)之剝離步驟中利用拾取裝置將反射層-螢光體層被覆LED自支持片剝離之狀態之步驟圖，圖5(g)表示將反射層-螢光體層被覆LED安裝至基板之步驟。
圖6係表示本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第5實施形態之步驟圖，圖6(a)表示準備支持片之步驟，圖6(b)表示將反射層配置於支持片上之配置步驟，圖6(c)表示將LED以LED之下表面被反射層被覆之方式配置於支持片上之反射層被覆步驟，圖6(d)表示將螢光體片配置於支持片上之片配置步驟，圖6(e)表示使螢光體片硬化而利用螢光體片密封LED之密封步驟、及與LED對應地切斷螢光體片之切斷步驟，圖6(f)表示將反射層-螢光體層被覆LED自支持片剝離之剝離步驟，圖6(g)表示將反射層-螢光體層被覆LED安裝至基板之步驟。
圖7係表示本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第6實施形態之步驟圖，圖7(a)表示準備支持片之步驟，圖7(b)表示將反射層配置於支持片上之配置步驟，圖7(c)表示將LED以LED之下表面被反射層被覆之方式配置於支 持片上之反射層被覆步驟，圖7(d)表示將螢光體片配置於支持片上之片配置步驟，圖7(e)表示使螢光體片硬化而利用螢光體片密封LED之密封步驟、及將支持板自黏著層剝離之支持板剝離步驟，圖7(f)表示與LED對應地切斷螢光體片之切斷步驟，圖7(g)表示將反射層-螢光體層被覆LED自支持片剝離之剝離步驟，圖7(h)表示將反射層-螢光體層被覆LED安裝至基板之步驟。
圖8係表示本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第7實施形態之步驟圖，圖8(a)表示將反射層配置於支持片上之配置步驟，圖8(b)表示將LED以LED之下表面被反射層被覆之方式配置於支持片上之反射層被覆步驟，圖8(c)表示將螢光體片配置於支持片上之片配置步驟，圖8(d)表示使螢光體片硬化而利用螢光體片密封LED之密封步驟、及與LED對應地切斷螢光體片之切斷步驟，圖8(e)表示將反射層-螢光體層被覆LED自支持片剝離之剝離步驟，圖8(e')表示詳細說明於圖8(e)之剝離步驟中利用拾取裝置將反射層-螢光體層被覆LED自支持片剝離之狀態之步驟圖，圖8(f)表示將反射層-螢光體層被覆LED安裝至基板之步驟。
圖9表示圖8(a)所示之支持片之平面圖。
圖10表示圖8(e)及圖8(e')所示之剝離步驟之變形例、且將未單片化之螢光體片-反射層被覆LED剝離之變形例。
圖11係表示本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第8實施形態之步驟圖， 圖11(a)表示準備支持片之步驟，圖11(b)表示將反射層配置於支持片之上表面整個面之配置步驟，圖11(c)表示將LED以LED之下表面被反射層被覆之方式配置於支持片上之反射層被覆步驟，圖11(d)表示將螢光體片配置於支持片上之片配置步驟，圖11(e)表示使螢光體片硬化而利用螢光體片密封LED之密封步驟、及與LED對應地切斷螢光體片之切斷步驟，圖11(f)表示將反射層-螢光體層被覆LED自支持片剝離之剝離步驟，圖11(g)表示將反射層-螢光體層被覆LED安裝至基板之步驟。
圖12係表示本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第9實施形態之步驟圖，圖12(a)表示準備螢光體層被覆LED之螢光體層被覆步驟、及將反射層配置於基板上之配置步驟，圖12(b)表示將螢光體層被覆LED以LED之下表面被反射層被覆之方式配置於基板上之反射層被覆步驟。
圖13係表示本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第10實施形態之步驟圖，圖13(a)表示準備螢光體層被覆LED之螢光體層被覆步驟、及將反射層配置於基板之上表面整個面之配置步驟，圖13(b)表示將螢光體層被覆LED以LED之下表面被反射層被覆之方式配置於基板上之反射層被覆步驟。
圖14係表示本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第11實施形態之步驟圖，圖14(a)表示準備支持片之準備步驟， 圖14(b)表示將反射層配置於支持片上之配置步驟，圖14(c)表示將LED以LED之下表面被反射層被覆之方式配置於支持片上之反射層被覆步驟，圖14(d)表示利用埋設-反射片之埋設部埋設LED之片配置步驟，圖14(e)表示利用埋設部密封LED之密封步驟、及切斷反射部之切斷步驟，圖14(f)表示將設置有反射部之反射層-螢光體片被覆LED自支持片剝離之剝離步驟，圖14(g)表示將設置有反射部反射層-螢光體片被覆LED安裝至基板之安裝步驟。
圖15表示圖14(e)所示之螢光體片埋設LED之平面圖。
圖16係圖14(c)所示之埋設-反射片之製造方法之步驟圖，圖16(a)表示將反射片配置於加壓裝置中之步驟，圖16(b)表示對反射片加壓而形成反射部之步驟，圖16(c)表示將螢光體片配置於反射部上之步驟，圖16(d)表示對螢光體片加壓而形成埋設部之步驟，圖16(e)表示將埋設-反射片自剝離片剝離之步驟。
圖17係於本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第12實施形態中使用之埋設-反射片之製造方法之步驟圖，圖17(a)表示將反射片配置於加壓裝置中之步驟，圖17(b)表示對反射片加壓而形成反射部之步驟，圖17(c)表示將螢光樹脂組合物之清漆(varnish)灌注(potting)至貫通孔內之步驟，圖17(d)表示將埋設-反射片自剝離片剝離之步驟。
圖18係表示本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第13實施形態之步驟圖， 圖18(a)表示準備支持片之準備步驟，圖18(b)表示將反射層配置於支持片上之配置步驟，圖18(c)表示將LED以LED之下表面被反射層被覆之方式配置於支持片上之反射層被覆步驟，圖18(d)表示利用埋設-反射片之埋設部埋設LED之片配置步驟，圖18(e)表示利用埋設部密封LED之密封步驟、及切斷反射部之切斷步驟，圖18(f)表示將設置有反射部之反射層-螢光體片被覆LED自支持片剝離之剝離步驟，圖18(g)表示將設置有反射部反射層-螢光體片被覆LED安裝至基板之安裝步驟。
圖19係表示本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第14實施形態之步驟圖，圖19(a)表示準備支持片之準備步驟，圖19(b)表示將反射層配置於支持片上之配置步驟，圖19(c)表示將LED以LED之下表面被反射層被覆之方式配置於支持片上之反射層被覆步驟，圖19(d)表示利用埋設-反射片之埋設部埋設LED之螢光體片被覆步驟，圖19(e)表示利用埋設部密封LED之密封步驟、及切斷反射部之切斷步驟，圖19(f)表示將設置有反射部之反射層-螢光體片被覆LED自支持片剝離之剝離步驟，圖19(g)表示將設置有反射部反射層-螢光體片被覆LED安裝至基板之安裝步驟。
圖20係圖19(c)所示之埋設-反射片之製造方法之步驟圖， 圖20(a)表示將反射片配置於打孔裝置中之步驟，圖20(b)表示對反射片打孔而形成反射部之步驟，圖20(c)表示將螢光體片配置於反射部上之步驟，圖20(d)表示對螢光體片加壓而形成埋設部之步驟，圖20(e)表示將埋設-反射片自剝離片剝離之步驟。
圖21係於本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第15實施形態中使用之埋設-反射片之製造方法之步驟圖，圖21(a)表示將反射片配置於打孔裝置中之步驟，圖21(b)表示對反射片打孔而形成反射部之步驟，圖21(c)表示將螢光樹脂組合物之清漆灌注至貫通孔內之步驟，圖21(d)表示將埋設-反射片自剝離片剝離之步驟。
圖22係表示本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第16實施形態之步驟圖，圖22(a)表示準備支持片之準備步驟，圖22(b)表示將反射層配置於支持片上之配置步驟，圖22(c)表示將LED以LED之下表面被反射層被覆之方式配置於支持片上之反射層被覆步驟，圖22(d)表示藉由被覆-反射片之被覆部被覆LED之上表面之螢光體片被覆步驟，圖22(e)表示使埋設-反射片之被覆部硬化之硬化步驟、及切斷反射部之切斷步驟，圖22(f)表示將設置有反射部之反射層-螢光體片被覆LED自支持片剝離之剝離步驟，圖22(g)表示將設置有反射部反射層-螢光體片被覆LED安裝至基板之安裝步驟。
圖23係表示本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第 17實施形態之步驟圖，圖23(a)表示準備支持片之準備步驟，圖23(b)表示將反射層配置於支持片上之配置步驟，圖23(c)表示將LED以LED之下表面被反射層被覆之方式配置於支持片上之反射層被覆步驟，圖23(d)表示利用螢光體片被覆LED之側面之螢光體片被覆步驟，圖23(e)表示利用螢光體片密封LED之密封步驟、及切斷反射部之切斷步驟，圖23(f)表示將設置有反射部之反射層-螢光體片被覆LED自支持片剝離之剝離步驟，圖23(g)表示將設置有反射部反射層-螢光體片被覆LED安裝至基板之安裝步驟。
圖24表示於本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第18實施形態中使用之分注器之立體圖。
<第1實施形態>
於圖1中，將圖紙上下方向設為上下方向(第1方向、厚度方向)，將圖紙左右方向設為左右方向(第2方向、與第1方向正交之方向)，將圖紙紙厚方向設為前後方向(第3方向、與第1方向及第2方向正交之方向)。圖2之後之各圖係依據上述方向及圖1之方向箭頭。
圖1係表示本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第1實施形態之步驟圖。圖2表示圖1(a)所示之支持片之平面圖。
再者，於圖2中，為明確表示下述支持板2與基準標記18之相對配置，而省略下述黏著層3。
作為該反射層-螢光體層被覆LED之一例的反射層-螢光體層被覆 LED10之製造方法包括：配置步驟，其係將反射層(第1反射部)6配置於作為支持台之支持片1上(厚度方向一側)(參照圖1(a)及圖1(b))；反射層被覆步驟，其係於配置步驟之後，將於下表面(一面)設置有端子31之LED4以LED4之下表面(一面)被反射層6被覆之方式配置於支持片1上(厚度方向一側)(參照圖1(c))；螢光體片被覆步驟，其係於反射層被覆步驟之後，以被覆LED4之上表面(另一面)及側面之方式形成螢光體片5(螢光體層被覆步驟之一例、參照圖1(d)及圖1(e))；及剝離步驟，其係於螢光體片被覆步驟之後，將反射層-螢光體片被覆LED10自支持片1剝離(參照圖1(f))。
以下，對第1實施形態之各步驟進行詳細敍述。
[配置步驟]
於配置步驟中，首先，準備支持片1。
如圖1(a)及圖2所示，支持片1形成為沿面方向(與厚度方向正交之方向、即、左右方向及前後方向)延伸之片形狀，且俯視形狀(投影至厚度方向時之形狀)例如形成為矩形狀。
又，以預先設置於以下說明之切斷步驟(參照圖1(e)之虛線)中成為切斷之基準的基準標記18之方式，準備支持片1。
如圖2所示，基準標記18係於支持片1之面方向之周端部隔開間隔設置有複數個。例如基準標記18分別設置於支持片1之相互對向之2邊，基準標記18係以於支持片1之2邊之對向方向形成對向之1對之方式形成。1對基準標記18係對應於之後配置之LED4而設置，於以基準標記18基準切斷螢光體片5時，以可將LED4單片化之方式配置。
各基準標記18形成為俯視時容易識別之形狀，例如形成為俯視大致三角形狀。
支持片1之尺寸之最大長度例如為10 mm以上且300 mm以下。
支持片1構成為可支持以下說明之LED4(參照圖1(b))，如圖1(a)及 圖2所示，例如包括支持板2、及層疊於支持板2之上表面之黏著層3。
支持板2形成為沿面方向延伸之板形狀，設置於支持片1之下部，且於俯視時與支持片1形成為大致同一形狀。
又，於支持板2之上部形成有基準標記18。雖未圖示，但基準標記18於剖面視時，例如形成為自上表面向上下方向中途凹下之凹部、或沿上下方向貫通之貫通孔。
支持板2包含不可沿面方向延伸之硬質之材料，具體而言，作為此種材料，可列舉例如氧化矽(石英等)、氧化鋁等氧化物、例如不鏽鋼等金屬、例如矽等。
支持板2之23℃下之楊氏模數(Young Modulus)例如為106 Pa以上，較佳為107 Pa以上，更佳為108 Pa以上，又，例如亦為1012 Pa以下。若支持板2之楊氏模數為上述下限以上，則可保證支持板2之硬質，而可更確實地支持下述LED4(參照圖1(b))。再者，支持板2之楊氏模數例如係根據JIS(Japanese Industrial Standards，日本工業標準)H 7902：2008之壓縮彈性率等求出。
支持板2之厚度例如為0.1 mm以上，較佳為0.3 mm以上，又，例如亦為5 mm以下，較佳為2 mm以下。
黏著層3形成於支持板2之上表面整個面。
作為形成黏著層3之黏著材料，例如可列舉丙烯酸系感壓接著劑、矽銅系感壓接著劑等之感壓接著劑。又，例如可利用黏著力因活性能量射線之照射而降低之活性能量射線照射剝離片(具體而言，日本專利特開2005-286003號公報等中所記載之活性能量射線照射剝離片)、黏著力因受到加熱而降低之熱剝離片(具體而言，REVALPHA(日東電工公司製)等熱剝離片)等形成黏著層3。具體而言，於下述螢光體片5(參照圖1(c)之上部)之螢光樹脂組合物含有熱固性樹脂之情形時，較佳為利用活性能量射線照射剝離片形成黏著層3，另一方面， 於下述螢光體片5之螢光樹脂組合物含有活性能量射線硬化性樹脂之情形時，較佳為利用熱剝離片形成黏著層3。
黏著層3之厚度例如為0.1 mm以上，較佳為0.2 mm以上，又，亦為1 mm以下，較佳為0.5 mm以下。
為準備支持片1，例如使支持板2與黏著層3貼合。再者，亦可首先，準備支持板2，其次，將由上述黏著材料及視需要而調配之溶劑調製成之清漆塗佈至支持板2，其後，視需要，而利用將溶劑蒸餾去除之塗佈方法等，將黏著層3直接層疊於支持板2。
支持片1之厚度例如為0.2 mm以上，較佳為0.5 mm以上，又，亦為6 mm以下，較佳為2.5 mm以下。
其後，將反射層6配置於支持片1上。
反射層6係按照與之後配置之LED4之下表面對應之圖案設置於黏著層3之上表面，具體而言，設置於與LED4之下表面對應之區域中之除端子31以外之區域。
為將反射層6設置於支持片1上，而使用例如將由反射樹脂組合物形成之反射片層疊於支持片1之層疊方法、例如將液狀之反射樹脂組合物塗佈至支持片1之塗佈方法等。具體而言，使用澆鑄、旋轉塗佈、輥塗佈等。
反射樹脂組合物例如含有樹脂及光反射成分。
作為樹脂，例如可列舉熱固性矽樹脂、環氧樹脂、熱固性聚醯亞胺樹脂、酚性樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂、熱固性胺基甲酸酯樹脂等熱固性樹脂。較佳為可列舉熱固性矽樹脂、環氧樹脂。
光反射成分例如為白色之化合物，作為此種白色之化合物，具體而言，可列舉白色顏料。
作為白色顏料，例如可列舉白色無機顏料，作為此種白色無機 顏料，可列舉例如氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯等氧化物、例如鉛白(碳酸鉛)、碳酸鈣等碳酸鹽、例如高嶺土(高嶺石)等黏土礦物等。
作為白色無機顏料，較佳為可列舉氧化物，進而較佳為可列舉氧化鈦。
具體而言，此種氧化鈦為TiO2、(氧化鈦(IV)、二氧化鈦)。
氧化鈦之結晶結構並無特別限定，例如為金紅石、板鈦礦(板鈦石)、銳鈦礦(銳錐石)等，較佳為金紅石。
又，氧化鈦之結晶系並無特別限定，例如為正方晶系、斜方晶系等，較佳為正方晶系。
若氧化鈦之結晶結構及結晶系為金紅石及正方晶系，則即便於反射層6長時間暴露於高溫下之情形時，亦可有效地防止對光(具體而言為可見光、尤其係波長為450 nm附近之光)之反射率降低。
光反射成分為粒子狀，其形狀並無限定，例如可列舉球狀、板狀、針狀等。光反射成分之最大長度之平均值(於為球狀之情形時，其平均粒徑)例如為1 nm以上且1000 nm以下。最大長度之平均值係利用雷射繞射散射式粒度分佈計測定。
光反射成分之調配比率相對於樹脂100質量份例如為30質量份以上，較佳為50質量份以上，又，例如亦為200質量份以下，較佳為100質量份以下。
上述光反射成分均勻地分散混合於樹脂中。
又，於反射樹脂組合物中，亦可進而添加填充劑。即，可併用填充劑與光反射成分(具體而言為白色顏料)。
作為填充劑，可列舉除上述白色顏料以外之周知之填充劑，具體而言，可列舉矽粒子等有機微粒子，或例如二氧化矽、滑石、氧化鋁、氮化鋁、氮化矽等無機微粒子。
填充劑之添加比率係以填充劑及光反射成分之總量例如相對於 樹脂100質量份成為400質量份以上，較佳為500質量份以上，更佳為600質量份以上之方式，且例如成為2500質量份以下，較佳為2000質量份以下，更佳為1600質量份以下之方式被調整。
於層疊方法中，反射樹脂組合物係藉由調配且均勻混合上述樹脂、光反射成分、及視需要添加之填充劑，而調製為A階段(stage)。
於層疊方法中，例如利用澆鑄、旋轉塗佈、輥塗佈等將A階段之反射樹脂組合物塗佈至未圖示之脫模片之表面整個面，其後，進行加熱而製成B階段，其後藉由進行蝕刻，而按照上述圖案形成反射片。作為脫模片，可列舉例如聚乙烯薄膜、聚酯薄膜(PET(polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)等)等聚合物薄膜、例如陶瓷片、例如金屬箔等。較佳為可列舉聚合物薄膜。又，亦可對脫模片之表面實施氟處理等剝離處理。
或例如利用絲網印刷等，且按照上述圖案將A階段之反射樹脂組合物塗佈至未圖示之脫模片之表面，其後，藉由進行加熱，而按照上述圖案形成B階段之反射片。
其後，將反射片轉印至黏著層3，而於黏著層3之上表面獲得與反射片為同一圖案之反射層6。繼而，剝下未圖示之脫模片。
另一方面，於塗佈方法中，利用絲網印刷等，且按照上述圖案將上述A階段之反射樹脂組合物塗佈至黏著層3之上表面，其後，藉由進行加熱，而按照上述圖案形成B階段之反射層6。
[反射層被覆步驟]
於反射層被覆步驟中，如圖1(b)及圖2之假想線所示，準備複數個LED4，且將該等配置於支持片1上。
LED4係將電能轉換為光能之半導體元件，例如形成為厚度短於面方向長度(最大長度)之剖面視大致矩形狀及俯視大致矩形狀。作為LED4，例如可列舉發出藍色光之藍色二極體元件。
又，於各LED4之下表面設置有複數個(2個)端子31。複數個端子31包括p型凸塊及n型凸塊。複數個端子31沿面方向相互隔開間隔而對向配置，且以於仰視時沿對向配置之LED4之2邊延伸、且自LED4之下表面略向下方突出之方式形成。又，各端子31之下表面以於向2個端子31之對向方向投影時配置於同一位置之方式形成。
LED4之面方向之最大長度例如為0.1 mm以上且3 mm以下。又，LED4之厚度例如為0.05 mm以上且1 mm以下。
端子31之長度例如為0.01 mm以上且0.5 mm以下，寬度例如為0.005 mm以上且0.2 mm以下。又，端子31之厚度(高度)形成得較反射層6之厚度厚，具體而言，例如為0.01 mm以上，較佳為0.05 mm以上，又，例如亦為1 mm以下，較佳為0.5 mm以下。又，複數個端子31之底面積相對於LED4之底面積例如為1%以上，較佳為5%以上，又，例如亦為99%以下，較佳為90%以下。
而且，於反射層被覆步驟中，如圖1(b)之箭頭所示，對黏著層3及反射層6層疊複數個LED4。具體而言，使LED4之下表面中之自端子31露出之露出面(中央面)22接著(感壓接著)於反射層6。詳細而言，將LED4之露出面壓接至B階段之反射層6。具體而言，將LED4熱壓接至B階段之反射層6。而且，藉由熱壓接，而使反射層6硬化(完全硬化)，從而成為C階段。藉此，反射層6與露出面22接著。
同時，將LED4之端子31壓入至未形成反射層6之黏著層3。即，若LED4之露出面22接著於反射層6，則由於端子31之厚度厚於反射層6之厚度，故而將端子31之下端部設為自反射層6向下方突出之突出部23，該突出部23陷入(沉入)至B階段之黏著層3內。再者，突出部23之突出長度係自端子31之厚度減去反射層6之厚度，且調整得較黏著層3之厚度薄。
藉此，利用反射層6被覆露出面22。
藉此，可於密接於黏著層3之狀態下獲得包括LED4、及以被覆下表面之露出面22之方式形成之反射層6的反射層被覆LED30。
[螢光體片被覆步驟]
於反射層被覆步驟之後實施螢光體片被覆步驟。
於螢光體片被覆步驟中，以被覆LED4之上表面及側面之方式形成螢光體片5，而獲得反射層-螢光體片被覆LED10。螢光體片被覆步驟包括：片配置步驟，其係將螢光體片5配置於支持片1上(厚度方向一側)(層配置步驟之一例、參照圖1(d))；密封步驟，其係使螢光體片5硬化，利用螢光體片5密封LED4(參照圖1(e))；及切斷步驟，其係於密封步驟之後，與LED4對應地切斷螢光體片5(參照圖1(e)之虛線)。
[片配置步驟]
於圖1(c)中，螢光體片5由含有硬化性樹脂及螢光體之螢光樹脂組合物形成為片形狀。
作為硬化性樹脂，可列舉例如藉由加熱而得到硬化之熱固性樹脂、例如藉由活性能量射線(例如紫外線、電子束等)之照射而得到硬化之活性能量射線硬化性樹脂等。較佳為可列舉熱固性樹脂。
具體而言，作為硬化性樹脂，例如可列舉矽樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、酚性樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂等熱固性樹脂。較佳為可列舉矽樹脂。
作為矽樹脂，例如可列舉2階段硬化型矽樹脂、1階段硬化型矽樹脂等矽樹脂，較佳為可列舉2階段硬化型矽樹脂。
2階段硬化型矽樹脂係具有2階段之反應機構、且於第1階段之反應中得到B階段化(半硬化)、於第2階段之反應中得到C階段化(最終硬化)之熱固性矽樹脂。另一方面，1階段硬化型矽樹脂係具有1階段之反應機構、且於第1階段之反應中得到最終硬化之熱固性矽樹脂。
又，B階段係熱固性矽樹脂為液狀之A階段、與完全硬化之C階段 之間之狀態、且硬化及凝膠化略進行、壓縮彈性率小於C階段之彈性率之狀態。
作為2階段硬化型矽樹脂，例如可列舉具有縮合反應與加成反應之2個反應系統之縮合反應、加成反應硬化型矽樹脂等。
硬化性樹脂之調配比率相對於螢光樹脂組合物例如為30質量%以上，較佳為50質量%以上，又，例如亦為99質量%以下，較佳為95量%以下。
螢光體具有波長轉換功能，例如可列舉可將藍色光轉換為黃色光之黃色螢光體、可將藍色光轉換為紅色光之紅色螢光體等。
作為黃色螢光體，可列舉例如Y3Al5O12：Ce(YAG(Yttrium Aluminum Garnet，釔鋁石榴石)：Ce)、Tb3Al3O12：Ce(TAG(Terbium Aluminium Garnet，鋱鋁石榴石)：Ce)等具有石榴石型結晶結構之石榴石型螢光體、例如Ca-α-SiAlON等氮氧化物螢光體等。
作為紅色螢光體，例如可列舉CaAlSiN3：Eu、CaSiN2：Eu等氮化物螢光體等。
較佳為可列舉黃色螢光體。
作為螢光體之形狀，例如可列舉球狀、板狀、針狀等。就流動性之觀點而言，較佳為可列舉球狀。
螢光體之最大長度之平均值(如為球狀之情形時，平均粒徑)例如為0.1 μm以上，較佳為1 μm以上，又，例如亦為200 μm以下，較佳為100 μm以下。
螢光體之調配比率相對於硬化性樹脂100質量份例如為0.1質量份以上，較佳為0.5質量份以上，例如亦為80質量份以下，較佳為50質量份以下。
進而，螢光樹脂組合物亦可含有填充劑。作為填充劑，可列舉於反射樹脂組合物中所列舉之填充劑，其調配比率相對於硬化性樹脂 100質量份例如為0.1質量份以上，較佳為0.5質量份以上，又，例如亦為70質量份以下，較佳為50質量份以下。
而且，如圖1(d)所示，為將螢光體片5配置於支持片1上，首先，如圖1(c)之上部所示，準備螢光體片5。為準備螢光體片5，對硬化性樹脂及螢光體以及視需要而調配之填充劑進行調配，而調製螢光樹脂組合物。其次，將螢光樹脂組合物塗佈至脫模片13之表面，其後進行加熱。
於硬化性樹脂含有2階段硬化型矽樹脂之情形時，藉由上述加熱，而將硬化性樹脂B階段化(半硬化)。即，準備B階段之螢光體片5。
該螢光體片5之23℃下之壓縮彈性率例如為0.01 MPa以上，較佳為0.04 MPa以上，又，例如亦為1.0 MPa以下，較佳為0.2 MPa以下。
若螢光體片5之壓縮彈性率為上述上限以下，則可保證充分之柔軟性。另一方面，若螢光體片5之壓縮彈性率為下限以上，則可埋設反射層被覆LED30。
其次，如圖1(d)所示，將螢光體片5以埋設反射層被覆LED30之方式配置於支持片1上。
具體而言，如圖1(c)之箭頭所示，將層疊於脫模片13之螢光體片5向黏著層3壓接。
其後，如圖1(d)之假想線所示，將脫模片13自螢光體片5之上表面剝離。
[密封步驟]
於片配置步驟(參照圖1(d))之後實施密封步驟。
於密封步驟中，如圖1(e)所示，使螢光體片5硬化。於硬化性樹脂為熱固性樹脂之情形時，使螢光體片5熱硬化。具體而言，將螢光體片5加熱至例如80℃以上，較佳為100℃以上，又，例如200℃以 下，較佳為180℃以下。
於熱固性樹脂含有2階段硬化型矽樹脂，且埋設反射層被覆LED30之螢光體片5為B階段之情形時，螢光體片5藉由上述加熱而得到完全硬化(最終硬化)，而成為C階段。
又，於熱固性樹脂含有1階段硬化型矽樹脂之情形時，螢光體片5藉由上述加熱而得到完全硬化(最終硬化)，而成為C階段。
或於硬化性樹脂為活性能量射線硬化性樹脂之情形時，對螢光體片5照射活性能量射線。
硬化(完全硬化)後之螢光體片5具有可撓性，具體而言，23℃下之壓縮彈性率例如為0.5 MPa以上，較佳為1.0 MPa以上，又，例如亦為100 MPa以下，較佳為10 MPa以下。
若螢光體片5之壓縮彈性率為上述上限以下，則可確實地保證可撓性，例如於後續之切斷步驟(參照圖1(e))中，亦可利用裁切(cutting)裝置(下述)切斷螢光體片5。若螢光體片5之壓縮彈性率為上述下限以上，則可保持切斷後之形狀。
若螢光體片5之光透過率為上述下限以上，則可確實地保證透光性，而可獲得亮度優異之LED裝置15(於下文敍述)。
藉由片配置步驟及密封步驟，而利用螢光體片5密接狀地被覆反射層被覆LED30之LED4之側面(與上表面及下表面連續之連續面)及上表面、以及自反射層被覆LED30露出之黏著層3之上表面。即，利用C階段之螢光體片5密封反射層被覆LED30。
[切斷步驟]
如圖1(e)之虛線所示，於切斷步驟中，沿厚度方向切斷LED4之周圍之可撓性之螢光體片5。例如，如圖2之一點鏈線所示，將螢光體片5切斷成例如包圍各LED4之俯視大致矩形狀。
為切斷螢光體片5，例如可利用使用圓盤狀之切割機(切割刀 片)61之切割裝置、使用裁切器之裁切裝置、雷射照射裝置等。
又，螢光體片5之切斷係以基準標記18為基準而實施。具體而言，沿將形成為1對之基準標記18連結之直線(於圖2中以一點鏈線表示)，以形成切痕8之方式切斷螢光體片5。
再者，於螢光體片5之切斷中，例如以切痕8未貫通支持片1之方式，具體而言，以切痕8未貫通黏著層3之方式，自螢光體片5之上表面向下表面進行切斷。
藉由切斷步驟，而於密接於支持片1之狀態下獲得包括反射層被覆LED30、及被覆反射層被覆LED30之螢光體片5的反射層-螢光體片被覆LED10。
即，反射層-螢光體片被覆LED10包括：LED4；反射層6，其以被覆LED4之下表面之方式形成；以及螢光體片5，其以與LED4之上表面及側面連續地被覆之方式形成，進而，於反射層-螢光體片被覆LED10之下部，設置有形成自反射層6向下方突出之突出部23之端子31。
[剝離步驟]
於圖1(f)中，於剝離步驟中，將LED4、具體而言為反射層-螢光體片被覆LED10自黏著層3之上表面剝離。即，以產生端子31之突出部23與黏著層3之間之界面剝離、及反射層6與黏著層3之界面剝離之方式，將反射層-螢光體片被覆LED10自支持板2及黏著層3剝下。
具體而言，於黏著層3由活性能量射線照射剝離片形成之情形時，對黏著層3照射活性能量射線。或於黏著層3由熱剝離片形成之情形時，對黏著層3加熱。
藉由該等處理，而獲得自支持片1剝離後之反射層-螢光體片被覆LED10。
[安裝步驟]
其後，於根據發光波長或發光效率挑選出反射層-螢光體片被覆LED10後，如圖1(g)所示，將所挑選出之反射層-螢光體片被覆LED10安裝至基板9。藉此，獲得LED裝置15。
具體而言，使反射層-螢光體片被覆LED10之端子31以LED4之凸塊(未圖示)與設置於基板9之上表面之端子(未圖示)對向之方式與基板9對向配置。即，將反射層-螢光體片被覆LED10之LED4倒裝晶片安裝至基板9。
於該倒裝晶片安裝中，由於一面謀求端子31與基板9之端子之電性連接，一面沿上下方向推壓端子31，故而突出部23實質上磨損且消失，藉此，反射層-螢光體片被覆LED10之下表面、與基板9之上表面密接。
藉此，獲得包括基板9、及安裝至基板9上之反射層-螢光體片被覆LED10之LED裝置15。
其後，如圖1(g)之假想線所示，視需要而於LED裝置15中設置密封反射層-螢光體片被覆LED10之密封保護層20。藉此，可使LED裝置15之可靠性提昇。
而且，根據該方法，由於將於下表面設置有端子31之LED4以LED4之下表面被反射層6被覆之方式配置於支持片1上，其後，以被覆LED4之上表面及側面之方式形成螢光體片5，故而於所獲得之反射層-螢光體片被覆LED10中，反射層6形成於LED4之下表面，螢光體片5形成於LED4之上表面及側面。
因此，於藉由將此種反射層-螢光體片被覆LED10經由端子31而安裝至基板9所獲得之LED裝置15中，向LED之上方及側方照射之光透過螢光體片5，且藉由螢光體片5而實現波長轉換。另一方面，向LED4之下方照射之光經反射層6反射，而朝上方或側方。即，可防止光自LED4向基板9照射而被基板9吸收，而可使自LED4朝上方及側方 之光量增大。
另一方面，於日本專利特開2012-39013號公報所記載之LED裝置中，照射至LED之背面側之光因LED之背面直接接觸於基板而被基板吸收。
與此相對，於第1實施形態之LED裝置LED裝置15中，藉由如上所述般利用反射層6使光反射，而使發光效率優異。
進而，於該反射層-螢光體片被覆LED10之製造方法中，於切斷步驟之後，將反射層-螢光體片被覆LED10自支持片1剝離。即，於切斷步驟中，可藉由具備硬質之支持板2之支持片1，而一面支持反射層被覆LED30及螢光體片5，一面切斷螢光體片5。因此，可獲得尺寸穩定性優異之反射層-螢光體片被覆LED10。
又，因於使螢光體片5硬化之密封步驟之後，實施切斷螢光體片5之切斷步驟，故而於切斷步驟中可消除因於硬化中可能產生之螢光體片5之收縮而導致之公差。因此，可獲得尺寸穩定性更優異之反射層-螢光體片被覆LED10。
進而，由於密封反射層被覆LED30之螢光體片5具有可撓性，故而於切斷步驟中，可使用包括相對較經濟之裁切裝置而非昂貴之切割裝置之各種切斷裝置，順利地切斷螢光體片5。
進而，於該方法之片配置步驟中，利用B階段之螢光體片5埋設反射層被覆LED30，於密封步驟中，使螢光體片5硬化而成為C階段，利用C階段之螢光體片5密封反射層被覆LED30。因此，可利用B階段之螢光體片5容易且確實地被覆反射層被覆LED30，且利用C階段之螢光體片5確實地密封反射層被覆LED30。
因此，反射層-螢光體片被覆LED10之尺寸穩定性優異。
又，LED裝置15由於包括尺寸穩定性優異之反射層-螢光體片被覆LED10，故而可靠性優異，因此，發光效率提昇。
再者，於該第1實施形態之配置步驟(參照圖1(a))中，以包括支持板2及黏著層3之方式準備支持片1，但例如，雖未圖示，亦可以僅包括支持板2而不包括黏著層3之方式準備支持片1。
較佳為如圖1(a)所示般以包括支持板2及黏著層3之方式準備支持片1。
藉此，於圖1(b)所示之反射層被覆步驟中，於將LED4配置於支持片1及反射層6上時，可使LED4經由黏著層3而接著於支持板2。因此，支持片1可確實地支持LED4。
又，於該方法中之配置步驟中，以預先設置於切斷步驟中成為切斷之基準的基準標記18之方式準備支持片1。
而且，於切斷步驟中，由於LED4支持於支持片1，故而可如上所述般以基準標記18為基準而以優異之精度將LED4單片化。
再者，於圖2中，將基準標記18形成為俯視大致三角形狀，但其形狀並無特別限定，例如可形成為俯視大致圓形狀、俯視大致矩形狀、俯視大致X字形狀、俯視大致T字形狀等適當之形狀。
<第2實施形態>
圖3係表示本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第2實施形態之步驟圖。
再者，於圖3中，對與第1實施形態相同之構件及步驟標註同一參照符號，並省略其詳細說明。
於第1實施形態中之剝離步驟(參照圖1(f))中，將反射層-螢光體片被覆LED10自支持板2及黏著層3剝離，但例如，如圖3(f)所示，亦可首先將支持板2自黏著層3剝離，其後，如圖3(g)所示，僅將反射層-螢光體片被覆LED10自黏著層3剝離。
即，該方法包括與第1實施形態相同之配置步驟(參照圖3(a)及圖3(b))、反射層被覆步驟(參照圖3(c))、螢光體片被覆步驟(參照圖3(d) 及圖3(e))及剝離步驟(參照圖3(g))，進而，進而包括支持板剝離步驟，該支持板剝離步驟係於反射被覆步驟中之切斷步驟(參照圖3(e))之後、且剝離步驟(參照圖3(g))之前，如圖3(f)之假想線所示般將支持板2自黏著層3剝離。
[支持板剝離步驟]
如圖3(f)所示，於支持板剝離步驟中，將支持板2自黏著層3之下表面剝下。
為將支持板2自黏著層3剝下，例如利用黏著力因照射紫外線等活性能量射線而降低之感壓接著劑形成黏著層3，而且，對該黏著層3照射活性能量射線，使黏著層3之黏著力降低。其後，將支持板2自該黏著層3剝下。
或利用黏著力因受到加熱而降低之感壓接著劑形成黏著層3，而且，對該黏著層3加熱，使黏著層3之黏著力降低。其後，將支持板2自該黏著層3剝下。
[剝離步驟]
其次，於圖3(g)之箭頭所示之剝離步驟中，將反射層-螢光體片被覆LED10自黏著層3剝離。
具體而言，如圖3(g')所示，例如藉由包括針等推壓構件14、及筒夾(collet)等抽吸構件16之拾取裝置17，而將反射層-螢光體片被覆LED10自黏著層3剝離。於拾取裝置17中，藉由推壓構件14自下方推壓(上推)與欲剝離之反射層-螢光體片被覆LED10對應之黏著層3，而將欲剝離之反射層-螢光體片被覆LED10朝上方上推，一面利用筒夾等抽吸構件16抽吸經上推之反射層-螢光體片被覆LED10，一面將其自黏著層3剝離。
藉此，如圖3(g)所示，獲得自支持片1剝離後之反射層-螢光體片被覆LED10。
[安裝步驟]
其後，於根據發光波長或發光效率挑選出反射層-螢光體片被覆LED10後，如圖3(h)所示，將所挑選出之反射層-螢光體片被覆LED10安裝至基板9。藉此，獲得LED裝置15。
而且，根據該方法，於剝離步驟中，由於將反射層-螢光體片被覆LED10自黏著層3剝離，故而可利用上述拾取裝置17，容易且確實地將反射層-螢光體片被覆LED10自黏著層3剝離。
<第3實施形態>
圖4係表示本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第3實施形態之步驟圖。
再者，於圖4中，對與第1實施形態相同之構件及步驟標註同一參照符號，並省略其詳細說明。
於第1實施形態及第2實施形態之剝離步驟(參照圖1(f)及圖3(g))中，將反射層-螢光體片被覆LED10自支持片1剝離，且直接安裝至基板9(參照圖1(g)及圖3(h))。然而，例如，亦可如圖4(f)及圖4(g)所示，將反射層-螢光體片被覆LED10依次轉印至轉印片11及延伸支持片24，其後，如圖4(h)所示，將反射層-螢光體片被覆LED10自延伸支持片24剝離。
即，該方法包括與第1實施形態相同之配置步驟(參照圖4(a)及圖4(b))、反射層被覆步驟(參照圖4(c))及螢光體片被覆步驟(參照圖4(d))，且進而包括剝離步驟(參照圖4(e)~圖4(g))。
[剝離步驟]
剝離步驟包括以下步驟：將反射層-螢光體片被覆LED10轉印至延伸支持片24(參照圖4(g))；及一面使延伸支持片24沿面方向延伸，一面將反射層-螢光體片被覆LED10自延伸支持片24剝離(參照圖4(h)及圖4(h'))。
即，為將反射層-螢光體片被覆LED10轉印至延伸支持片24，如圖4(e)之箭頭及圖4(f)所示，預先將切斷步驟(圖4(e)之虛線)後之反射層-螢光體片被覆LED10轉印至轉印片11。
轉印片11係以與以下說明之延伸支持片24相同之材料及厚度形成。
藉由反射層-螢光體片被覆LED10朝轉印片11之轉印，而形成有未圖示之凸塊之LED4之露出面22(上表面)自LED4之周圍之螢光體片5露出，另一方面，螢光體片5之表面(下表面)接觸(密接)於轉印片11之上表面。
其後，如圖4(g)所示，將反射層-螢光體片被覆LED10轉印至延伸支持片24。
延伸支持片24係可沿面方向延伸之可延伸黏著片，例如可列舉黏著力因活性能量射線之照射而降低之活性能量射線照射剝離片(具體而言，日本專利特開2005-286003號公報等中所記載之活性能量射線照射剝離片)、黏著力因受到加熱而降低之熱剝離片(具體而言，REVALPHA(日東電工公司製)等熱剝離片)等，較佳為可列舉活性能量射線照射剝離片等。
延伸支持片24之23℃下之拉伸彈性率例如為0.01 MPa以上，較佳為0.1 MPa以上，又，例如亦為10 MPa以下，較佳為1 MPa以下。
延伸支持片24之厚度例如為0.05 mm以上且1 mm以下。
藉由反射層-螢光體片被覆LED10朝延伸支持片24之轉印，而形成有未圖示之凸塊之LED4之露出面22(下表面)接觸(密接)於延伸支持片24之上表面，另一方面，螢光體片5之表面(上表面)自LED4之周圍之螢光體片5露出。
其後，如圖4(h)所示，一面使延伸支持片24沿面方向延伸，一面將反射層-螢光體片被覆LED10自延伸支持片24剝離。
具體而言，首先，如圖4(g)之箭頭所示，使延伸支持片24向面方向外側延伸。藉此，如圖4(h)所示，因於反射層-螢光體片被覆LED10密接於延伸支持片24之狀態下，拉伸應力集中於切痕8，故而切痕8擴大，而且，各反射層-螢光體片被覆LED10相互間隔，而形成間隙19。間隙19以隔開各反射層-螢光體片被覆LED10之方式形成為俯視大致格子形狀。
繼而，如圖4(h')所示，一面利用推壓構件14自下方上推與欲剝離之反射層-螢光體片被覆LED10對應之延伸支持片24，一面將該反射層-螢光體片被覆LED10朝上方上推，且一面利用抽吸構件16抽吸經上推之反射層-螢光體片被覆LED10，一面將其自延伸支持片24剝離。
又，於延伸支持片24為活性能量射線照射剝離片之情形時，於將反射層-螢光體片被覆LED10自延伸支持片24剝離時，對延伸支持片24照射活性能量射線。或於延伸支持片24為熱剝離片之情形時，對延伸支持片24加熱。由於藉由該等處理，而延伸支持片24之黏著力降低，故而可容易且確實地將反射層-螢光體片被覆LED10自延伸支持片24剝離。
藉此，獲得自支持片1剝離後之反射層-螢光體片被覆LED10。
[安裝步驟]
其後，於根據發光波長或發光效率挑選出反射層-螢光體片被覆LED10後，如圖4(i)所示，將所挑選出之反射層-螢光體片被覆LED10安裝至基板9。藉此，獲得LED裝置15。
而且，於該方法中，一面使延伸支持片24沿面方向延伸，一面將反射層-螢光體片被覆LED10自延伸支持片24剝離。
因此，因於反射層-螢光體片被覆LED10之周圍形成有間隙19，故而可利用拾取裝置17更容易且確實地將該反射層-螢光體片被覆 LED10自延伸支持片24剝離。
而且，因於欲剝離之反射層-螢光體片被覆LED10、與同其鄰接之反射層-螢光體片被覆LED10之間形成有間隙19，故而於使抽吸構件16靠近欲剝離之反射層-螢光體片被覆LED10時，亦可防止抽吸構件16接觸於與欲剝離之反射層-螢光體片被覆LED10鄰接之反射層-螢光體片被覆LED10而導致該反射層-螢光體片被覆LED10損傷。
<第4實施形態>
圖5係表示本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第4實施形態之步驟圖。
再者，於圖5中，對與第1實施形態相同之構件及步驟標註同一參照符號，並省略其詳細說明。
於第1實施形態中之配置步驟(參照圖1(a))中，準備包括支持板2及黏著層3之2層之支持片1作為支持台，但例如亦可準備1層之支持片1。於該情形時，於螢光體片被覆步驟(參照圖1(f))中，利用含有活性能量射線硬化性樹脂及螢光體之螢光樹脂組合物形成螢光體片5。
[配置步驟]
如圖5(a)所示，首先，準備支持片1。
支持片1由於無需對下述螢光體片5之加熱硬化的耐熱性，故而亦可自耐熱性較低之片中選擇。此種支持片1可支持LED4，且可沿面方向延伸。又，支持片1例如亦可為黏著力因受到加熱而降低之熱剝離片(具體而言，REVALPHA(日東電工公司製)等熱剝離片)、或黏著力因活性能量射線(例如紫外線、電子束等)之照射而降低之活性能量射線照射剝離片(具體而言，日本專利特開2005-286003號公報等中所記載之活性能量射線照射剝離片)，較佳為熱剝離片。再者，於支持片1為活性能量射線照射剝離片之情形時，以支持片1之黏著力不會因對螢光體片5照射活性能量射線而降低之方式，選擇活性能量射線硬 化性樹脂或照射條件。
支持片1之23℃下之楊氏模數例如為1×104 Pa以上，較佳為1×105 Pa以上，又，例如亦為1×107 Pa以下。若支持片1之楊氏模數為上述下限以上，則可保證支持片1沿面方向之延伸性，且可順利地實施下述支持片1沿面方向之延伸(參照圖5(e))。支持片1之楊氏模數例如係根據JIS H 7902：2008之壓縮彈性率等求出。
支持片1之厚度例如為0.1 mm以上，較佳為0.2 mm以上，又，例如亦為1 mm以下，較佳為0.5 mm以下。
其後，將反射層6設置於支持片1上。
[反射層被覆步驟]
以與第1實施形態相同之方式實施圖5(b)所示之反射層被覆步驟。
[螢光體片被覆步驟]
如圖5(c)~圖5(e)所示，螢光體片被覆步驟包括：片配置步驟，其係將由含有活性能量射線硬化性樹脂及螢光體之螢光樹脂組合物形成之螢光體片5以埋設反射層被覆LED30之方式配置於支持片1上(參照圖5(c))；密封步驟，其係對螢光體片5照射活性能量射線，利用螢光體片5密封反射層被覆LED30(參照圖5(d))；及切斷步驟，其係與反射層被覆LED30對應地切斷螢光體片5(參照圖5(e))。
[片配置步驟]
參照圖5(b)之上部可知，為製作螢光體片5，例如對A階段之活性能量射線硬化性樹脂及螢光體以及視需要而調配之填充劑進行調配，將該等之混合物塗佈於脫模片13之表面，其後，進行加熱，而將螢光樹脂組合物調製成B階段之片狀。製作由含有半硬化體及螢光體(以及視需要而調配之填充劑)之螢光樹脂組合物形成之螢光體片5。
其後，將所製作之螢光體片5以埋設LED4之方式配置於支持片1 之上表面(埋設步驟)。即，將螢光體片5以被覆LED4之上表面及側面之方式配置於支持片1上。
具體而言，如圖5(b)之箭頭及圖5(c)所示，將層疊於脫模片13之螢光體片5向支持片1壓接。
即，於薄片配置步驟中，實施利用螢光體片5埋設LED4之埋設步驟。
其後，如圖5(c)之假想線所示，視需要而將脫模片13自螢光體片5剝下。
[密封步驟]
於薄片配置步驟後，如圖5(d)之箭頭所示，於密封步驟中，對螢光體片5照射活性能量射線。
活性能量射線例如包括紫外線、電子束等，可列舉於例如波長為180 nm以上之區域、較佳為200 nm以上、且例如為460 nm以下、較佳為400 nm以下之區域內具有光譜分佈之活性能量射線。
於活性能量射線之照射中，例如可使用化學燈、準分子雷射、黑光燈、汞弧燈、碳弧燈、低壓水銀燈、中壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、金屬鹵化物燈等照射裝置。再者，亦可使用可使相較上述波長區域為長波長側或短波長側之活性能量射線產生之照射裝置。
照射量例如為0.001 J/cm2以上，又，例如亦為100 J/cm2以下，較佳為10 J/cm2以下。
照射時間例如為10分鐘以下，較佳為1分鐘以下，又，亦為5秒以上。
又，例如自上方及/或下方向螢光體片5照射活性能量射線，較佳為如圖5(d)之箭頭所示般自上方向螢光體片5照射活性能量射線。
再者，於對螢光體片5之活性能量射線之照射中，於支持片1為 活性能量射線照射剝離片之情形時，以支持片1之黏著力不會因對螢光體片5照射活性能量射線而降低之方式，選擇活性能量射線照射剝離片或照射條件。
亦可與上述活性能量射線之照射一併進行加熱。
加熱之階段亦可與活性能量射線之照射一併、或於活性能量射線之照射之前或之後實施，較佳為於活性能量射線之照射後實施。
加熱條件係溫度例如為50℃以上，較佳為100℃以上，又，例如亦為250℃以下，又，200℃以下，又，加熱時間例如為0.1分鐘以上，又，例如亦為1440分鐘以下，較佳為180分鐘以下。
藉由上述活性能量射線之照射(及視需要而實施之加熱)，而使螢光體片5完全硬化(最終硬化)，而成為C階段。
[切斷步驟]
於薄片配置步驟後，如圖5(e)之虛線所示，於切斷步驟中，沿厚度方向切斷LED4之周圍之可撓性之螢光體片5。
藉由切斷步驟，而於密接於支持片1之狀態下獲得反射層被覆LED30、及以被覆反射層被覆LED30之方式包括螢光體片5之反射層-螢光體片被覆LED10。
[剝離步驟]
如圖5(f)及圖5(f')所示，於切斷步驟中，藉由與第3實施形態(參照圖4(h)及圖4(h'))相同之方法，一面使支持片1沿面方向延伸，一面利用包括推壓構件14及抽吸構件16之拾取裝置17，將反射層-螢光體片被覆LED10自支持片1剝離。
再者，於代替支持片1之延伸，或除支持片1之延伸以外，上述支持片1亦為熱剝離片之情形時，亦可將支持片1加熱至例如50℃以上，較佳為70℃以上，又，例如200℃以下，較佳為150℃以下。
又，於代替上述支持片1之延伸，或除支持片1之延伸以外，上 述支持片1亦為活性能量射線照射剝離片之情形時，亦可對支持片1照射活性能量射線。
藉由該等處理，支持片1之黏著力降低，可更容易地將反射層-螢光體片被覆LED10自支持片1剝離。
藉此，如圖5(f)所示，獲得自支持片1剝離後之反射層-螢光體片被覆LED10。
[安裝步驟]
如圖5(g)所示，於安裝步驟中，利用與第1實施形態相同之方法，將所挑選出之反射層-螢光體片被覆LED10安裝至基板9。藉此，獲得LED裝置15。
而且，於該方法中，將由含有藉由活性能量射線之照射而得到硬化之活性能量射線硬化性樹脂及螢光體之螢光樹脂組合物形成之螢光體片5以被覆反射層被覆LED30之方式層疊於支持片1之上表面，其後，對螢光體片5照射活性能量射線，利用螢光體片5密封反射層被覆LED30。因此，可一面抑制支持片1之損傷，一面密封反射層被覆LED30，且使螢光體均勻地分散於反射層被覆LED30之周圍。
即，由於即便不加熱或減少加熱螢光體片5，但藉由對螢光體片5照射活性能量射線，而使該螢光體片5硬化，藉此，可密封反射層被覆LED30，故而支持螢光體片5之支持片1無需具有耐熱性，即，可利用耐熱性較低之支持片1。
而且，於使螢光體片5完全硬化之情形時，照射活性能量射線之照射時間與僅利用加熱而使螢光體片5完全硬化之情形時相比，可設定為短時間。
又，藉由與反射層被覆LED30對應地切斷螢光體片5，而獲得反射層被覆LED30、及以被覆反射層被覆LED30之表面之方式包括螢光體片5之反射層-螢光體片被覆LED10，其後，將反射層-螢光體片被覆 LED10自支持片1剝離。因此，可以優異之尺寸穩定性切斷支持於損傷得到抑制之支持片1上之螢光體片5，而可獲得尺寸穩定性優異之反射層-螢光體片被覆LED10。
又，因於切斷步驟中，利用支持片1一面支持螢光體片5一面切斷，其後，於剝離步驟中，若加熱支持片1，則係對已於切斷步驟中支持螢光體片5而完成其作用之支持片1加熱，接著，將反射層-螢光體片被覆LED10剝離，故而可高效地獲得尺寸穩定性優異之反射層-螢光體片被覆LED10。
因此，該反射層-螢光體片被覆LED10之尺寸穩定性優異。
又，LED裝置15由於包括尺寸穩定性優異之反射層-螢光體片被覆LED10，故而可靠性優異，因此，發光效率提昇。
<變形例>
於第4實施形態中，利用1層支持片1形成支持片，但例如雖未圖示，亦可利用不可沿面方向延伸之硬質之支持板、及層疊於支持板上(厚度方向一側)之黏著層之2層形成支持片。
作為形成支持板之硬質材料，可列舉例如氧化矽(石英等)等氧化物、例如不鏽鋼等金屬等。支持板之厚度例如為0.1 mm以上，較佳為0.3 mm以上，又，例如亦為5 mm以下，較佳為2 mm以下。
黏著層形成於支持板之上表面整個面。作為形成黏著層之黏著材料，例如可列舉丙烯酸系感壓接著劑等感壓接著劑。黏著層之厚度例如為0.1 mm以上，較佳為0.2 mm以上，又，亦為1 mm以下，較佳為0.5 mm以下。
如圖5(a)之下部所示，較佳為使用可沿面方向延伸之1層之支持片1作為支持片。
由此，於圖5(f)所示之剝離步驟中，可一面使支持片1沿面方向延伸，一面將反射層-螢光體片被覆LED10自支持片1剝離，因此，如 圖5(f')所示，可利用上述拾取裝置17容易且確實地將反射層-螢光體片被覆LED10自支持片1剝離。
再者，因於支持片1上未設置硬質之支持板，故而參照圖5(f')可知，可利用拾取裝置17之推壓構件14，自下方上推支持片1及與其對應之反射層-螢光體片被覆LED10。
而且，由於無需將硬質之支持板層疊於黏著層，故而可謀求製程之簡化。
<第5實施形態>
圖6係表示本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第5實施形態之步驟圖。
再者，於圖6中，對與第1實施形態相同之構件及步驟標註同一參照符號，並省略其詳細說明。
[配置步驟]
參照圖6(a)可知，於配置步驟中，利用黏著力因活性能量射線之照射而降低之材料形成黏著層3作為活性能量射線照射剝離層(片)。 又，例如利用丙烯酸系感壓接著劑層等感壓接著劑層等形成黏著層3。又，例如亦可利用日本專利特開2001-308116號公報中所記載之活性能量射線照射剝離層(片)形成黏著層3。
又，支持板2至少不可沿面方向延伸，且由硬質之材料形成，作為此種材料，只要保證硬質性，並無特別限定，例如自阻斷活性能量射線之活性能量阻斷性材料、或使活性能量射線透過之活性能量射線透過材料、進而使活性能量射線部分性地透過(半透過)之活性能量射線半透過性材料等中適當選擇。具體而言，作為形成支持板2之材料，可列舉例如氧化矽(石英等)、氧化鋁等氧化物、例如不鏽鋼等金屬、例如矽等。
[反射層被覆步驟]
如圖6(b)所示，以與第1實施形態相同之方式實施反射層被覆步驟。
[螢光體片被覆步驟]
如圖6(c)及圖6(d)所示，以與第1實施形態相同之方式實施螢光體片被覆步驟。
[剝離步驟]
為將反射層-螢光體片被覆LED10自黏著層3之上表面剝離，首先，如圖6(f)之朝下之箭頭所示，將活性能量射線自上方(厚度方向一側)經由螢光體片5而照射至黏著層3。
活性能量射線例如包括紫外線、電子束等，可列舉於例如波長為180 nm以上之區域、較佳為200 nm以上、且例如為460 nm以下、較佳為400 nm以下之區域內具有光譜分佈之活性能量射線。
於活性能量射線之照射中，例如可使用化學燈、準分子雷射、黑光燈、汞弧燈、碳弧燈、低壓水銀燈、中壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、金屬鹵化物燈等照射裝置。再者，亦可使用可使相較上述波長區域為長波長側或短波長側之活性能量射線產生之照射裝置。
照射量例如為0.001 J/cm2以上，較佳為0.01 J/cm2以上，又，例如亦為100 J/cm2以下，較佳為10 J/cm2以下。若照射量為上述下限以上，則可確實且有效地使黏著層3之黏著力降低。另一方面，若照射量為上述上限以下，則可抑制成本增大，且可有效地防止機器之損傷。
照射時間例如為10分鐘以下，較佳為1分鐘以下，又，亦為5秒以上。若照射時間之上限為上述上限以下，則可縮短反射層被覆LED30之剝離步驟之時間。
而且，活性能量射線之全部或一部分自上方透過螢光體片5而照 射至黏著層3。
藉由該活性能量射線之照射，而使黏著層3之黏著力降低。
於該狀態下，如圖6(f)之朝上之箭頭所示，將反射層-螢光體片被覆LED10自黏著層3剝下。再者，為將反射層-螢光體片被覆LED10自黏著層3剝下，視需要，可使用雖未圖示但包括筒夾等抽吸構件之拾取裝置。具體而言，可一面利用抽吸構件抽吸反射層-螢光體片被覆LED10一面將其自黏著層3剝下。
藉此，獲得自黏著層3剝離後之反射層-螢光體片被覆LED10。
[安裝步驟]
其後，於根據發光波長或發光效率挑選出反射層-螢光體片被覆LED10後，如圖6(g)所示，將所挑選出之反射層-螢光體片被覆LED10安裝至基板9。藉此，獲得LED裝置15。
而且，根據該方法，於剝離步驟中，將活性能量射線自上方經由螢光體片5而照射至黏著層3。於是，活性能量射線透過螢光體片5而照射至黏著層3。因此，無需利用使活性能量射線透過之基板材料形成支持板2，以使活性能量射線透過該支持板2。其結果，支持板2並不限定於活性能量射線透過性之支持板，亦可自活性能量射線阻斷性之支持板中選擇。
又，於切斷步驟後，實施剝離步驟。即，於切斷步驟中，可一面利用具備硬質之支持板2之支持片1支持LED4及螢光體片5，一面切斷螢光體片5。因此，可獲得尺寸穩定性優異之反射層-螢光體片被覆LED10。
進而，於該方法中，於剝離步驟中，由於將活性能量射線照射至黏著層3，故而與藉由黏著層3之加熱而減少黏著層3之黏著力之方法相比，可防止因加熱而導致之支持片1之變形，而可使尺寸穩定性進而提昇。
因此，該反射層-螢光體片被覆LED10之尺寸穩定性優異。
又，LED裝置15由於包括尺寸穩定性優異之反射層-螢光體片被覆LED10，故而可靠性優異，因此，發光效率提昇。
<變形例>
再者，於圖6(f)之剝離步驟中，僅自上方(厚度方向一側)對黏著層3照射活性能量射線，於本發明中，至少自上方(厚度方向一側)照射活性能量射線即可，例如於支持板2由活性能量射線透過性材料或活性能量射線半透過性材料形成之情形時，亦可自上下兩方(厚度方向一側及另一側)對黏著層3照射活性能量射線。於該情形時，自支持片1之下方照射之活性能量射線之全部或一部分透過支持板而到達黏著層3。
根據上述變形例，於剝離步驟中，可進而縮短使黏著層3之黏著力降低所需之時間、即、活性能量射線之照射時間，而使反射層-螢光體片被覆LED10之製造效率提昇。
<第6實施形態>
圖7係表示本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第6實施形態之步驟圖。
再者，於圖7中，對與第2實施形態相同之構件及步驟標註同一參照符號，並省略其詳細說明。
於第2實施形態中，於切斷步驟(參照圖3(f))之後、且剝離步驟(參照圖3(g))之前實施支持板剝離步驟(參照圖3(f))，但例如，如圖7所示，亦可於密封步驟(參照圖7(e))之後、且切斷步驟(參照圖7(f))之前實施支持板剝離步驟(參照圖3(f))。
即，依次實施密封步驟(參照圖7(e))、支持板剝離步驟(參照圖7(e)'之虛線)及切斷步驟(參照圖7(f))。
<第7實施形態>
圖8係表示本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第7實施形態之步驟圖。圖9表示圖8(a)所示之支持片之平面圖。
再者，於圖8中，為明確表示支持板2、基準標記18及下述貫通孔21之相對配置，而省略下述黏著層3。
又，於圖8中，對與第1實施形態相同之構件及步驟標註同一參照符號，並省略其詳細說明。
[配置步驟]
於第1實施形態中，於配置步驟中，如圖1(a)及圖2所示，將支持板2形成為平板狀，但例如，如圖8(a)及圖9所示，亦可於支持板2中形成貫通孔21。
貫通孔21係以沿上下方向貫通支持板2之方式形成，以於剝離步驟(參照圖8(e'))中供推壓構件14插入。
如圖9所示，貫通孔21於支持板2中與之後配置之LED4對應地設置，且隔開間隔而設置有複數個。例如貫通孔21以於以基準標記18為基準而將反射層-螢光體片被覆LED10單片化時可推壓各反射層-螢光體片被覆LED10之方式配置。
更具體而言，複數個貫通孔21以於俯視時於前後左右相互隔開等間隔之方式排列配置於支持片1。
貫通孔21之形狀例如形成為俯視圓形狀，其大小係孔徑例如為0.1 mm以上，較佳為0.2 mm以上，又，例如亦為1 mm以下，較佳為0.7 mm以下。
又，貫通孔21之大小相對於LED4之大小例如為10%以上，較佳為20%以上，又，例如亦為90%以下，較佳為80%以下。
又，作為形成黏著層3之黏著材料，除黏著力因紫外線照射、化學藥品或加熱而降低者以外，通常可自可用作黏著劑者中廣泛地選擇。
[剝離步驟]
如圖8(e)所示，剝離步驟係將反射層-螢光體片被覆LED10自黏著層3剝離之步驟，如圖8(e')所示，利用包括針等推壓構件14、及筒夾等抽吸構件16之拾取裝置17，經由貫通孔21而利用推壓構件14推壓黏著層3，從而將反射層-螢光體片被覆LED10自支持板2及黏著層3剝離。
詳細而言，首先，將支持片1設置於拾取裝置17，使推壓構件14自下側(厚度方向另一側)與同欲剝離之反射層-螢光體片被覆LED10對應之貫通孔21對向配置。
而且，將推壓構件14自下側插入至貫通孔21。
於是，將與貫通孔21對應之黏著層3向相對於支持板2為上側(厚度方向一側)推壓，且將反射層-螢光體片被覆LED10一併上推。
利用抽吸構件16抽吸經上推之反射層-螢光體片被覆LED10。
然後，反射層-螢光體片被覆LED10一面被抽吸構件16抽吸，一面向相對於支持板2為上側(厚度方向一側)進而移動，其後，將其自黏著層3剝離。
再者，視需要，亦可於剝離步驟之前，藉由紫外線照射、化學藥品或加熱，使黏著層3之黏著力降低後，將反射層-螢光體片被覆LED10剝離。
藉此，如圖8(e)所示，獲得自支持片1剝離後之反射層-螢光體片被覆LED10。
而且，根據該方法，於配置步驟中，準備預先形成有貫通孔21之硬質之支持板2，於剝離步驟中，藉由利用上述拾取裝置17，使推壓構件14插入至支持板2之貫通孔21且推壓黏著層3，而將反射層-螢光體片被覆LED10自黏著層3剝離。
因此，於剝離步驟之前，即便無需使黏著層3之黏著力降低之步 驟，亦可將LED4自黏著層3剝離。
其結果，可削減反射層-螢光體片被覆LED10之製造所需之工時。
又，除如黏著力會因紫外線照射、化學藥品或加熱而降低之材料以外，亦可廣泛地選擇黏著層3之材料。
其結果，可使步驟設計之自由度提昇。
又，由於反射層-螢光體片被覆LED10之製造所需之工時減少，故而可減少成本。
又，由於LED裝置15包括上述反射層-螢光體片被覆LED10，故而可減少成本。
[變形例]
於圖9中，將貫通孔21形成為俯視圓形狀，但其形狀並無特別限定，例如可形成為俯視大致矩形狀、俯視大致三角形狀等適當之形狀。
又，於第7實施形態中，首先，於切斷步驟中，將複數個反射層被覆LED30、及被覆複數個反射層被覆LED30之表面之螢光體片5(以下將該等設為螢光體片-反射層被覆LED35)單片化成反射層-螢光體片被覆LED10，其次，於剝離步驟中，將反射層-螢光體片被覆LED10自黏著層3剝離，但亦可於切斷步驟中，不使螢光體片-反射層被覆LED35單片化，而於剝離步驟中，將螢光體片-反射層被覆LED35自黏著層3剝離。
圖10係圖8(e)及(e')所示之剝離步驟之變形例，且表示將螢光體片-反射層被覆LED35(未單片化之複數個反射層-螢光體片被覆LED10)剝離之變形例。
於變形例中，如圖9所示，拾取裝置17與複數個LED4對應地包括複數個推壓構件14及複數個抽吸構件16，複數個推壓構件14連動而同 時上下移動。
為將螢光體片-反射層被覆LED35剝離，首先，將螢光體片-反射層被覆LED35設置於拾取裝置17中，使複數個推壓構件14分別自下側(厚度方向另一側)與複數個貫通孔21對向配置。
而且，將複數個推壓構件14同時自下側插入至複數個貫通孔21。
於是，將黏著層3整體向相對於支持板2而言之上側(厚度方向一側)推壓，且將螢光體片-反射層被覆LED35一併上推。
利用複數個抽吸構件16抽吸經上推之螢光體片-反射層被覆LED35。
而且，螢光體片-反射層被覆LED35一面被複數個抽吸構件16抽吸，一面向相對於支持板2而言之上側(厚度方向一側)進而移動，其後，將其自黏著層3剝離。
其後，於切斷步驟中，將自黏著層3剝離後之螢光體片-反射層被覆LED35與反射層被覆LED30對應地單片化，而獲得反射層-螢光體片被覆LED10。
<第8實施形態>
圖11係表示本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第8實施形態之步驟圖。
再者，於圖11中，對與第1實施形態相同之構件及步驟標註同一參照符號，並省略其詳細說明。
於第1實施形態中，如圖1(b)所示，按照與LED4之下表面對應之圖案，將反射層6設置於黏著層3之上表面，但例如亦可將反射層6設置於黏著層3之上表面整個面。
[配置步驟]
於配置步驟中，如圖11(b)所示，例如利用層疊方法、塗佈方法 等將反射層6形成於黏著層3之上表面整個面。較佳為可列舉將板狀之螢光體片層疊(laminate)於黏著層3上之層疊方法、或利用澆鑄、旋轉塗佈、輥塗佈將液狀之反射樹脂組合物塗佈至黏著層3之塗佈方法。
[反射層被覆步驟]
於反射層被覆步驟中，如圖11(b)所示，準備複數個LED4，且將該等配置於支持片1上。
而且，如圖11(b)之箭頭所示，對黏著層3及反射層6層疊複數個LED4。具體而言，將LED4之露出面22壓接於B階段之反射層6，並且使LED4之端子31衝破反射層6，且將端子31之下端部壓入至黏著層3。即，若LED4之露出面22接著於反射層6，則由於端子31之厚度厚於反射層6之厚度，故而端子31之下端部衝破反射層6，而成為侵入至黏著層3中之突出部23，該突出部23陷入(沉入)至B階段之黏著層3內。
藉此，利用反射層6被覆下表面之露出面22。
藉此，可於密接於黏著層3之狀態下獲得包括LED4、及以被覆下表面之露出面22之方式形成之反射層6的反射層被覆LED30。
而且，於該方法中，利用簡便之方法將反射層6形成於黏著層3之上表面整個面，而非形成特定圖案。因此，可省略圖案形成之工時，而簡便地獲得反射層被覆LED30、進而反射層-螢光體片被覆LED10及LED裝置15，且可減少製造成本。
<第9實施形態>
圖12係表示本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第9實施形態之步驟圖。
再者，於圖12中，對與第1實施形態相同之構件及步驟標註同一參照符號，並省略其詳細說明。
於第1實施形態中，如圖1(a)所示，將本發明之支持台設為支持 片1進行了說明，但例如，如圖12所示，亦可設為基板9。
該方法包括：螢光體片被覆步驟，其係以被覆LED4之上表面及側面之方式形成螢光體片5，而準備螢光體層被覆LED40(參照圖12(a)之上部)；配置步驟，其係將反射層6配置於基板9上(厚度方向一側)(參照圖12(a)之下部)；及反射層被覆步驟，其係於配置步驟之後，將於下表面設置有端子31、且上表面及側面被螢光體片5被覆之螢光體層被覆LED40以LED4之下表面被反射層6被覆之方式配置於基板9上(厚度方向一側)(參照圖12(b))。
[螢光體片被覆步驟]
於圖12(a)之上部所示之螢光體片被覆步驟中，為以被覆LED4之上表面及側面之方式準備螢光體片5，而依據第1實施形態之方法，以不將反射層6設置於黏著層3上且利用螢光體片5被覆LED4之上表面及側面之方式形成。藉此，準備上表面及側面被螢光體片5被覆之螢光體層被覆LED40。
[配置步驟]
於配置步驟中，按照使LED4之端子31露出之圖案形成反射層6。
[反射層被覆步驟]
於反射層被覆步驟中，將LED4、具體而言為螢光體層被覆LED40安裝至基板9。
基板9形成為大致平板狀，具體而言，其係由於絕緣基板上層疊有包括端子(未圖示)及配線(未圖示)之導體層(未圖示)作為電路圖案之層疊板形成。絕緣基板例如包括矽基板、陶瓷基板、聚醯亞胺樹脂基板等，較佳為陶瓷基板，具體而言，包括藍寶石(Al2O3)基板。
導體層例如由金、銅、銀、鎳等導體形成。基板9之厚度例如為30~1500 μm，較佳為500~1000 μm。
而且，將基板9之端子(未圖示)、與螢光體層被覆LED40之端子 31連接，而將螢光體層被覆LED40倒裝晶片安裝至基板9。
再者，視需要，雖未圖示，但利用密封保護層20密封反射層-螢光體層被覆LED40。
其後，切斷基板9，而將各反射層-螢光體層被覆LED40單片化。
<第10實施形態>
圖13係表示本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第10實施形態之步驟圖。
再者，於圖13中，對與第1實施形態相同之構件及步驟標註同一參照符號，並省略其詳細說明。
於第9實施形態中，於配置步驟中，於基板9之上表面，按照使端子露出之圖案形成反射層6，但例如，如圖13(a)之下部所示，亦可將反射層6形成於基板9之上表面整個面。
[配置步驟]
具體而言，於配置步驟中，如圖13(a)所示，利用層疊方法、塗佈方法將反射層6形成於基板9之上表面整個面。較佳為可列舉利用澆鑄、旋轉塗佈、輥塗佈將液狀之反射樹脂組合物塗佈至基板9之塗佈方法。
<其他>
於上述說明中，將螢光體片5設置於LED4之上表面及側面之兩者，但例如，雖未圖示，亦可僅設置於LED4之上表面。
於該情形時，例如可利用含有螢光體之陶瓷板形成螢光體片5。
<第11實施形態>
圖14係表示本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第11實施形態之步驟圖。圖15表示圖14(e)所示之螢光體片埋設LED之平面圖。圖16表示圖14(c)所示之埋設-反射片之製造方法之步驟圖。
再者，於第11實施形態中，對與第1實施形態相同之構件及步驟 標註同一參照符號，並省略其詳細說明。
於第1實施形態中，作為成為本發明之螢光體層之一例的螢光體片，如圖1(c)所示，例示了均勻(至少沿面方向均勻)地分散有螢光體之螢光體片5，但例如，如圖14(c)及圖15所示，作為螢光體片，亦可例示包括作為含有螢光體之被覆部之埋設部33、及包圍埋設部33之反射部(與反射層6不同之第2反射部)34的埋設-反射片64。
如圖15所示，埋設部33於埋設-反射片64中隔開間隔而設置有複數個，來作為埋設複數個LED4之部分，各埋設部33形成為俯視大致圓形狀。具體而言，如圖14(c)所示，各埋設部33形成為隨著向下方而逐漸成為窄幅之大致圓錐台形狀。
埋設部33之下端部之直徑(最大長度)大於LED4之面方向之最大長度，具體而言，相對於LED4之面方向之最大長度例如為200%以上，較佳為300%以上，更佳為500%以上，且例如為3000%以下。具體而言，埋設部33之下端部之直徑(最大長度)例如為5 mm以上，較佳為7 mm以上，又，例如為300 mm以下，較佳為200 mm以下。
又，埋設部33之上端部之直徑(最大長度)大於下端部之直徑(最大長度)，具體而言，例如為7 mm以上，較佳為10 mm以上，又，例如為400 mm以下，較佳為250 mm以下。
進而，各埋設部33間之間隔(最小間隔、具體而言為埋設部33之上端部間之間隔)例如為20 mm以上，較佳為50 mm以上，又，例如為1000 mm以下，較佳為200 mm以下。
埋設部33由上述螢光樹脂組合物形成。埋設部33於螢光樹脂組合物含有硬化性樹脂之情形時，係形成為B階段。
如圖15所示，反射部34於埋設-反射片64之周端部連續，並且配置於各埋設部33之間，且形成為包圍各埋設部33之俯視大致格子狀。
又，反射部34由上述反射樹脂組合物形成。
其次，參照圖15及圖16對該埋設-反射片64之製造方法進行說明。
於該方法中，首先，如圖16(a)所示，準備加壓裝置135。
加壓裝置135包括支持板36、及對向配置於支持板36之上側之模37。
支持板36例如由不鏽鋼等金屬形成為大致矩形平板形狀。
模37例如由不鏽鋼等金屬形成，且一體地包括平板部38、及以自平板部38向下側突出之方式形成之突出部39。
平板部38於俯視時與支持板36形成為同一形狀。
突出部39於模37中以與埋設部33對應之方式沿面方向相互隔開間隔而設置有複數個。即，突出部39形成為自平板部38之下表面向下方逐漸成為窄幅之大致圓錐台形狀，具體而言，於正剖面視及側剖面視時，形成為向下方逐漸成為窄幅之錐形狀。即，突出部39與埋設部33形成為同一形狀。
又，如圖16(a)所示，於支持板36之周端部之上表面設置有間隔件140。間隔件140例如包含不鏽鋼等金屬，且於投影至厚度方向時，以包圍複數個埋設部33之方式配置。又，間隔件140於投影至厚度方向時，以包括於模37中、具體而言與平板部38之周端部重合之方式配置於支持板36。
間隔件140之厚度係以成為下述剝離片49之厚度、與突出部39之厚度之合計厚度之方式設定。具體而言，間隔件140之厚度例如為0.3 mm以上，較佳為0.5 mm以上，又，例如為5 mm以下，較佳為3 mm以下。
再者，加壓裝置135構成為可交換形狀不同之模37，具體而言，構成為可交換圖16(a)所示之包括突出部39之模37、與圖16(c)所示之下述不包括突出部39之平板狀之模37。
又，如圖16(a)所示，於支持板36之上表面，於間隔件140之內側載置有剝離片49。剝離片49之周端面於支持板36之上表面，以接觸於間隔件140之內側面之方式形成。剝離片49之厚度例如為10 μm以上，較佳為30 μm以上，又，例如為200 μm以下，較佳為150 μm以下。
其次，於圖16(a)所示之加壓裝置135中，將反射片42配置於剝離片49之上表面。
為將反射片42配置於剝離片49之上表面，可採用例如將由上述反射樹脂組合物形成之反射片42層疊於剝離片49之上表面之層疊方法、例如將液狀之上述反射樹脂組合物塗佈至剝離片49之上表面之塗佈方法等。
於層疊方法中，反射樹脂組合物係藉由調配且均勻混合上述樹脂、光反射成分、與視需要添加之填充劑，而調製為A階段。
繼而，於層疊方法中，例如利用澆鑄、旋轉塗佈、輥塗佈等塗佈方法將A階段之反射樹脂組合物塗佈至未圖示之脫模片之表面，其後，進行加熱，而成為B階段或C階段。作為脫模片，例如可列舉與上述脫模片13相同者。
或例如利用絲網印刷等且利用上述塗佈方法，將A階段之反射樹脂組合物塗佈至未圖示之脫模片之表面，其後，藉由進行加熱，而形成B階段或C階段之反射片42。
其後，將反射片42轉印至剝離片49。繼而，將未圖示之脫模片剝離。
另一方面，於塗佈方法中，利用絲網印刷等將上述A階段之反射樹脂組合物塗佈至剝離片49之上表面，其後，藉由進行加熱，而形成B階段之反射片42。
反射片42之厚度例如為0.3 mm以上，較佳為0.5 mm以上，又，例如為5 mm以下，較佳為3 mm以下。
繼而，如圖16(a)之箭頭及圖16(b)所示，利用加壓裝置135對反射片42加壓。
具體而言，相對於支持板36下壓模37。詳細而言，以突出部39沿厚度方向貫通反射片42之方式，將模37向下側下壓。與此同時使模37之平板部38之周端部抵接於間隔件140之上表面。
藉此，於反射片42中，如圖16(b)所示，形成有沿厚度方向貫通、且與突出部39對應之形狀之貫通孔41。
於模37之下壓中，於反射樹脂組合物含有B階段之熱固性樹脂之情形時，亦可預先使加熱器(未圖示)內置於模37中，利用該加熱器加熱反射片42。藉此，使反射樹脂組合物完全硬化(C階段化)。
加熱溫度例如為80℃以上，較佳為100℃以上，又，例如為200℃以下，較佳為180℃以下。
藉此，於剝離片49上形成反射部34。
其後，如圖16(c)所示，解除加壓裝置135之加壓狀態。具體而言，提拉模37。
繼而，對包括平板部38及突出部39之模37與僅包括平板部38之模37進行交換。
與此同時將螢光體片5配置於反射部34上。
具體而言，將螢光體片5以被覆貫通孔41之方式載置於反射部34之上表面。
於螢光樹脂組合物含有硬化性樹脂之情形時，將B階段之螢光體片5配置於反射部34上。螢光體片5於為B階段之情形時，其平板形狀於某程度上得到維持，因此，不會落入至貫通孔41內，而以被覆貫通孔41之方式載置於反射部34之上表面。
又，螢光體片5形成得較反射部34(具體而言，於反射片42之反射樹脂組合物含有硬化性樹脂之情形時，C階段之反射部34)柔軟。具體 而言，螢光體片5為可藉由後續之加壓(圖16(d))而變形之柔軟度，另一方面，反射部34形成不可藉由後續之加壓而變形之硬度。
其次，如圖16(d)所示，利用加壓裝置135對螢光體片5加壓。具體而言，將包括平板部38之模37向支持板36下壓。與此同時使平板部38之周端部抵接於間隔件140之上表面。又，平板部38之下表面接觸於反射部34之上表面。
藉此，相對較柔軟之螢光體片5經平板部38自上側推壓後，填充至貫通孔41內。另一方面，相對較硬之反射部34將埋設部33收容於其貫通孔41內而不變形。
又，於硬化性樹脂為熱固性樹脂之情形時，亦可利用內置於平板部38之加熱器，加熱螢光體片5。
藉此，將埋設部33形成於反射部34之貫通孔41內。
藉此，可獲得於支持板36與模37之間具備埋設部33及反射部34之埋設-反射片64。
如圖16(e)所示，其後，提拉模37，繼而，將埋設-反射片64自剝離片49剝離。
其次，關於利用圖16(e)所示之埋設-反射片64製造反射層-螢光體片被覆LED10及LED裝置15之方法，參照圖14，對與上述實施形態不同之步驟進行詳細敍述。
[螢光體片被覆步驟]
如圖14(c)之上側圖所示，將埋設-反射片64以使埋設部33成為向下方逐漸成為窄幅之錐形狀之方式配置於支持片1上。
即，使複數個埋設部33之各者與複數個LED4之各者對向配置。具體而言，以於俯視時與LED4之中心對向、並且於反射部34之內側隔有間隔之方式配置各埋設部33。
繼而，如圖14(d)所示，對埋設-反射片64加壓。藉此，LED4以其 上表面及側面被埋設部33被覆之方式埋設於埋設部33。
[密封步驟]
如圖14(e)所示，於密封步驟中，於螢光樹脂組合物含有硬化性樹脂之情形時，使螢光體片5硬化。藉此，埋設部33完全硬化。藉此，利用埋設部33密封LED4。
[切斷步驟]
如圖14(e)之虛線所示，於切斷步驟中，沿厚度方向切斷反射部34。例如，參照圖15之一點鏈線可知，以使反射部34為例如包圍各埋設部33之俯視大致矩形狀之方式，切斷螢光體片5。
藉由切斷步驟，而於密接於支持片1之狀態下獲得包括1個LED4、埋設LED4之埋設部33、及設置於埋設部33之周圍之反射部34的反射層-螢光體片被覆LED10。即，於反射層-螢光體片被覆LED10中設置有反射部34。即，反射層-螢光體片被覆LED10係帶反射部之反射層-螢光體片被覆LED。
[剝離步驟]
於剝離步驟中，如圖14(f)所示，將設置有反射部34之反射層-螢光體片被覆LED10自支持片1剝離。
[安裝步驟]
於安裝步驟中，於根據發光波長或發光效率挑選出設置有反射部34之反射層-螢光體片被覆LED10後，如圖14(g)所示，將所挑選出之反射層-螢光體片被覆LED10安裝至基板9。藉此，獲得LED裝置15。
藉此，獲得包括基板9、及安裝至基板9且設置有反射部34之反射層-螢光體片被覆LED10的LED裝置15。
而且，根據該第11實施形態，由於埋設-反射片64包括埋設LED4之埋設部33、及含有光反射成分且以包圍埋設部33之方式形成之反射 部34，故而亦可利用反射部34反射自LED4發出之光。即，可利用反射部34及反射層6之兩者，反射自LED4照射之光。因此，可使LED裝置15之發光效率提昇。
<變形例>
於圖16(c)所示之平板部38與螢光體片5之間設置脫模片13(參照圖14(c)之假想線)，而形成於上表面層疊有脫模片13之埋設-反射片64，其後，如圖14(d)之假想線所示，例如亦可相對於複數個LED4及支持片1而對該埋設-反射片64進行例如平板加壓。
<第12實施形態>
圖17表示於本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第12實施形態中使用之埋設-反射片之製造方法之步驟圖。
再者，於第12實施形態中，對與第11實施形態相同之構件及步驟標註同一參照符號，並省略其詳細說明。
於第11實施形態之埋設-反射片64之製造方法中，如圖16(c)及圖16(d)所示，利用螢光體片5形成埋設部33，但例如，如圖17(c)所示，亦可藉由將螢光樹脂組合物之清漆灌注至貫通孔41內，而形成埋設部33，而不使用螢光體片5。
具體而言，首先，調製螢光樹脂組合物作為清漆。具體而言，於螢光樹脂組合物含有硬化性樹脂之情形時，調製A階段之清漆。藉此，將A階段之螢光樹脂組合物填充至貫通孔41內。
其後，於螢光樹脂組合物含有硬化性樹脂之情形時，將A階段之螢光樹脂組合物B階段化。
根據第12實施形態，亦可發揮與第11實施形態相同之作用效果。
<第13實施形態>
圖18係表示本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第13實施形態之步驟圖。
再者，於第13實施形態中，對與第11實施形態及第12實施形態相同之構件及步驟標註同一參照符號，並省略其詳細說明。
於第11實施形態中，如圖14(c)及圖15所示，於俯視時，將埋設部33之下端部形成得較LED4大，但例如，如圖18(c)所示，亦可將埋設部33之下端部、與LED4形成為同一尺寸。
[LED配置步驟]
例如埋設部33形成為向下方逐漸成為窄幅之大致四角錐台形狀。
為形成圖18(c)所示之埋設部33，而將參照圖16及圖17之突出部39形成為自平板部38之下表面向下方逐漸成為窄幅之大致四角錐台形狀。
又，如圖18(c)之一點鏈線所示，於投影至厚度方向時，埋設部33之下端部、與LED4相互重複，具體而言，於俯視時，以埋設部33之下端部之周端緣、與LED4之周端緣形成於同一位置之方式，將埋設-反射片64配置於包括LED4之黏著層3上。
根據第13實施形態，亦可發揮與第11實施形態及第12實施形態相同之作用效果。
<第14實施形態>
圖19係表示本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第14實施形態之步驟圖。圖20表示圖19(c)所示之埋設-反射片之製造方法之步驟圖。
再者，於第14實施形態中，對與第11實施形態相同之構件及步驟標註同一參照符號，並省略其詳細說明。
於第11實施形態中，如圖14(c)所示，將埋設-反射片64中之埋設部33形成為向下方逐漸成為窄幅之大致圓錐台形狀，但例如，如圖19(c)所示，可形成為沿上下方向(厚度方向)延伸之大致圓柱形狀。
為形成上述埋設部33，而使用圖20(a)及圖20(b)所示之打孔裝置55。
打孔裝置55包括支持板56、及對向配置於支持板56之上側之模57。
支持板56例如由不鏽鋼等金屬形成為大致矩形平板形狀，又，於支持板56中形成有沿厚度方向貫通之貫通孔53。
貫通孔53形成為俯視大致圓形狀。
模57一體地包括平板部58、及以自平板部58向下側突出之方式形成之突出部59。
平板部58與圖16(a)所示之平板部38形成為同一形狀。
突出部59於模57中以與埋設部33(參照圖20(d))對應之方式沿面方向相互隔開間隔而設置有複數個。突出部59於俯視時與貫通孔53形成為同一形狀及同一尺寸，具體而言，形成為大致圓柱形狀。突出部59與埋設部33(參照圖20(d))形成為同一形狀。即，突出部59於正剖面視及側剖面視時形成為大致矩形狀。
藉此，打孔裝置55構成為可藉由模57之下壓而使突出部59插入至貫通孔53。
貫通孔53之孔徑及突出部59之直徑例如為5 mm以上，較佳為7 mm以上，又，例如為300 mm以下，較佳為200 mm以下。
又，於支持板56之周端部之上表面設置有間隔件140。間隔件140於俯視時以包圍貫通孔53之方式呈俯視大致框形狀地配置於支持板56之周端部。
而且，為利用圖20(a)及圖20(b)所示之打孔裝置55形成埋設-反射片64，首先，如圖20(a)所示，將反射片42配置於支持板56上。具體而言，將反射片42以被覆複數個貫通孔53之方式載置於支持板56之上表面。
其次，如圖20(b)所示，利用打孔裝置55對反射片42打孔。
具體而言，藉由下壓模37，而使突出部59對反射片42打孔。
藉此，於反射片42中形成與突出部59對應之形狀之貫通孔41。
藉此，於支持板56上形成反射部34。
其次，如圖20(c)所示，提拉模57。
其後，將所形成之反射部34設置於包括支持板36、及具有平板部38之模37、且設置有剝離片49之加壓裝置135中。
其次，將螢光體片5配置於反射部34上。
其次，如圖20(c)之箭頭及圖20(d)所示，利用加壓裝置135對螢光體片5加壓。藉此，將埋設部33形成於反射部34之貫通孔41內。
藉此，可獲得於支持板36與模37之間包括埋設部33及反射部34之埋設-反射片64。
其後，提拉模37，繼而，如圖20(e)所示，將埋設-反射片64自剝離片49剝離。
根據第14實施形態，亦可發揮與第11實施形態相同之作用效果。
<第15實施形態>
圖21表示於本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第15實施形態中使用之埋設-反射片之製造方法之步驟圖。
再者，於第15實施形態中，對與第14實施形態相同之構件及步驟標註同一參照符號，並省略其詳細說明。
於第14實施形態之埋設-反射片64之製造方法中，如圖20(c)及圖20(d)所示，利用螢光體片5形成埋設部33，但如圖21(c)所示，亦可藉由將螢光樹脂組合物之清漆灌注至貫通孔41內，而形成埋設部33，而不利用螢光體片5。
具體而言，將圖21(b)所示之反射部34自打孔裝置55中取出，繼而，如圖21(c)所示，配置於剝離片49之上表面。繼而，將螢光樹脂 組合物之清漆灌注至貫通孔41內。
根據第15實施形態，亦可發揮與第14實施形態相同之作用效果。
<第16實施形態>
圖22係表示本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第16實施形態之步驟圖。
再者，於第16實施形態中，對與第14實施形態相同之構件及步驟標註同一參照符號，並省略其詳細說明。
於第14實施形態中，如圖19(d)所示，作為被覆部，例示了埋設LED4之埋設部33，具體而言為被覆LED4之上表面及側面之埋設部33，但例如，如圖22(d)所示，亦可例示被覆LED4之上表面之被覆部43。
如圖22(c)所示，被覆部43於被覆-反射片44中以被反射部34包圍之方式設置。於被覆-反射片44中，被覆部43與圖19(c)所示之埋設部33形成為同一形狀，進而，與LED4形成為同一尺寸。
例如，如圖22(c)所示，被覆部43於投影至厚度方向時與LED4相互重複，具體而言，於俯視時，以被覆部43之周端緣、與LED4之周端緣形成於同一位置之方式，將LED4載置於被覆部43之上表面。
[被覆步驟]
於第16實施形態中，於圖22(d)所示之螢光體片被覆步驟中，被覆部43被覆LED4之上表面。
再者，被覆部43雖於藉由對LED4之加壓而將LED4壓入後略向面方向外側凸出，但由於其凸出之程度微小，故而於圖22(d)中，以同一長度表示加壓後之被覆部43與LED4之左右方向長度。
[硬化步驟]
於第16實施形態中，實施圖22(e)所示之硬化步驟代替圖19(e)所 示之密封步驟。
於硬化步驟中，使被覆部43硬化。硬化步驟之條件與上述密封步驟相同。
根據第16實施形態，亦可發揮與第14實施形態相同之作用效果。
<第17實施形態>
圖23係表示本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第17實施形態之步驟圖。
再者，於第17實施形態中，對與第1實施形態相同之構件及步驟標註同一參照符號，並省略其詳細說明。
於第1實施形態中，如圖1(d)所示，於螢光體片被覆步驟中，利用螢光體片5被覆LED4之側面及上表面，但例如，如圖23(d)所示，亦可僅利用螢光體片5被覆LED4之側面。
[薄片配置步驟]
如圖23(c)所示，將所準備之螢光體片5之厚度設定得較LED4之厚度薄，且相對於LED4之厚度設定為例如95%以下，較佳為90%以下，又，例如10%以上。具體而言，將螢光體片5之厚度設定為例如1000 μm以下，較佳為800 μm以下，又，例如30 μm以上，較佳為50 μm以上。
於螢光體片被覆步驟中，如圖23(d)所示，藉由加壓，而將包括脫模片13、及層疊於脫模片13之下表面之螢光體片5的層疊體(參照圖23(c)之上側圖)以脫模片13之下表面接觸於各LED4之上表面之方式壓入至包括LED4之支持片1。
又，對複數個LED4壓入之螢光體片5之上表面與各LED4之上表面形成為同一平面狀。又，螢光體片5之下表面與各反射層6之下表面形成為同一平面狀。即，壓入有複數個LED4之螢光體片5之厚度等於 LED4與反射層6之總厚度。
又，LED4之上表面露出，另一方面，LED4之側面被螢光體片5被覆。
[切斷步驟]
如圖23(e)之虛線所示，一面自上側確認LED4之位置一面切斷螢光體片5。具體而言，對於螢光體片5，例如一面利用相機等自上側視認LED4一面確認LED4之位置。又，參照圖15之虛線可知，於俯視時，以形成劃分包圍LED4之區域之切痕8之方式切斷螢光體片5。
再者，亦可一面視認LED4，進而，一面以基準標記18(參照圖2)為基準，切斷螢光體片5。
[剝離步驟]
於圖23(f)中，於剝離步驟中，將反射層-螢光體片被覆LED10自黏著層3之上表面剝離。即，以產生螢光體片5及LED4、與黏著層3之間之界面剝離之方式，將反射層-螢光體片被覆LED10自支持板2及黏著層3剝離。
根據第17實施形態，亦可發揮與第1實施形態相同之作用效果。
進而，於被覆步驟中，對於LED4，由於以至少其上表面自螢光體片5露出之方式，利用螢光體片5被覆其側面，故而於切斷步驟中，可一面視認上表面露出之LED4，一面與該LED4對應地高精度地切斷螢光體片5。因此，所獲得之反射層-螢光體片被覆LED10之尺寸穩定性優異。其結果，包括該反射層-螢光體片被覆LED10之LED裝置15之發光穩定性優異。
<第18實施形態>
圖24表示於本發明之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法之第18實施形態中使用之分注器之立體圖。
再者，於第18實施形態中，對與第1實施形態相同之構件及步驟 標註同一參照符號，並省略其詳細說明。
於第1實施形態中，如圖1(c)所示，於作為層配置步驟之一例之薄片配置步驟中，作為螢光體層，例示了預先成形之螢光體片5。然而，參照圖24可知，例如亦可調製螢光樹脂組合物作為清漆，將清漆以被覆複數個LED4之方式直接塗佈至支持片1上，而形成螢光體層25。即，可利用螢光樹脂組合物之清漆形成螢光體層25。
為形成螢光體層25，首先，將清漆以被覆LED4之方式塗佈至支持片1上。
為塗佈清漆，例如可使用分注器、敷料器、擠壓式塗佈機等塗佈機。較佳為使用圖24所示之分注器26。
如圖24所示，分注器26一體地包括導入部27及塗佈部28。
導入部27形成為沿上下方向延伸之大致圓筒形狀，其下端部連接於塗佈部28。
塗佈部28形成為沿左右方向及上下方向延伸之平板形狀，又，形成為沿上下方向較長之側視大致矩形狀。於塗佈部28之上端部連接有導入部27。塗佈部28之下端部形成為其前端部及後端部有切口之側剖面視尖細形狀(錐)。又，塗佈部28之下端面構成為可對黏著層3之上表面及LED4之上表面進行推壓。進而，於塗佈部28之內部設置有隨著自導入部27導入之清漆靠向下游側(下側)而向左右方向擴展之寬幅之流路(未圖示)。
又，分注器26構成為可相對於沿面方向延伸之支持片1沿前後方向相對移動。
為利用該分注器26將清漆塗佈至支持片1，而一面將塗佈部28對向配置(推壓)於複數個LED4之上表面，一面將清漆供給至導入部27。與此同時使分注器26相對於複數個LED4向後側相對移動。藉此，將清漆自導入部27導入至塗佈部28，繼而，自塗佈部28之下端部呈寬幅 狀地供給至支持片1及LED4。又，藉由分注器26相對於複數個LED4向後側相對移動，而於支持片1之上表面，將清漆以被覆複數個LED4之方式塗佈成沿前後方向延伸之帶形狀。
再者，清漆係於螢光樹脂組合物含有硬化性樹脂之情形時調製為A階段狀態，又，具有如例如於自塗佈部28供給至支持片1時不自該部位向面方向外側流出、即、滯留於該部位般之黏性。具體而言，清漆之25℃、1氣壓之條件下之黏度例如為1,000 mPa．s以上，較佳為4,000 mPa．s以上，又，例如為1,000,000 mPa．s以下，較佳為100,000 mPa．s以下。再者，黏度係將清漆之溫度調節至25℃後利用E型錐於旋轉數99s-1下進行測定。
若清漆之黏度為上述下限以上，則可有效地防止清漆向面方向外側流出。因此，因於支持片1中(具體而言為複數個LED4之周圍)無需另行設置障壁構件等，故而可謀求製程之簡化，且可利用分注器26簡易且確實地按照所需之厚度及所需之形狀將清漆塗佈至支持片1。
另一方面，若清漆之黏度為上述上限以下，則可使塗佈性(操作性)提昇。
其後，於螢光樹脂組合物含有硬化性樹脂之情形時，將所塗佈之清漆B階段化(半硬化)。
藉此，將B階段之螢光體層25以被覆複數個LED4之方式形成於支持片1上(黏著層3之上表面)。
根據第18實施形態，亦可發揮與第1實施形態相同之作用效果。
<變形例>
於第1實施形態~第18實施形態中，利用螢光體片5被覆複數個LED4，但例如亦可利用螢光體片5被覆單個LED4。
於該情形時，具體而言，於第1實施形態中例示之圖1(e)所示之切斷步驟中，對LED4之周圍之螢光體片5以成為所需之尺寸之方式進 行外形加工(trimming)。
又，亦可適當組合上述各實施形態。
再者，上述說明係作為本發明之例示之實施形態而被提供，但上述實施形態僅為例示，不可限定地進行解釋。該技術領域之技術人員所明瞭之本發明之變形例包含於下述申請專利範圍中。
1‧‧‧支持片
2‧‧‧支持板
3‧‧‧黏著層
4‧‧‧LED
5‧‧‧螢光體片
6‧‧‧反射層
8‧‧‧切痕
9‧‧‧基板
10‧‧‧反射層-螢光體片被覆LED
13‧‧‧脫模片
15‧‧‧LED裝置
20‧‧‧密封保護層
22‧‧‧露出面
23‧‧‧突出部
30‧‧‧反射層被覆LED
31‧‧‧端子
61‧‧‧切割機(切割刀片)

Claims (33)

  1. 一種反射層-螢光體層被覆LED之製造方法，其特徵在於包括：配置步驟，其係將反射層配置於支持台之厚度方向一側；反射層被覆步驟，其係於上述配置步驟之後，將於一面上設置端子之LED以使上述LED之上述一面被上述反射層被覆之方式配置於上述支持台之上述厚度方向一側；及螢光體層被覆步驟，其係以被覆上述LED之至少另一面之方式形成螢光體層。
  2. 如請求項1之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法，其中上述螢光體層係由螢光體片形成。
  3. 如請求項1之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法，其中於上述配置步驟中，設置B階段之上述反射層，且於上述反射層被覆步驟中，使上述LED之上述一面接著於B階段之上述反射層。
  4. 如請求項1之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法，其進而包括：剝離步驟，其係於上述螢光體層被覆步驟之後，將上述反射層-螢光體層被覆LED自上述支持台剝離。
  5. 如請求項4之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法，其中上述支持台係具備硬質之支持板之支持片，且上述螢光體層被覆步驟進而包括：層配置步驟，其係將由含有硬化性樹脂及螢光體之螢光樹脂組合物形成之螢光體層以被覆上述LED之方式配置於上述支持片之上述厚度方向一側；密封步驟，其係使上述螢光體層硬化，且利用可撓性之上 述螢光體層密封上述LED；及切斷步驟，其係於上述密封步驟之後，藉由與上述LED對應地切斷可撓性之上述螢光體層，而獲得上述反射層-螢光體層被覆LED。
  6. 如請求項5之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法，其中上述支持片進而包括黏著層，該黏著層係層疊於上述支持板之上述厚度方向一面。
  7. 如請求項6之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法，其中於上述剝離步驟中，將上述反射層-螢光體層被覆LED自上述支持板及上述黏著層剝離。
  8. 如請求項6之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法，其進而包括：支持板剝離步驟，其係於上述切斷步驟之後、且上述剝離步驟之前，將上述支持板自上述黏著層剝離；且於上述剝離步驟中，將上述反射層-螢光體層被覆LED自上述黏著層剝離。
  9. 如請求項6之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法，其進而包括：支持板剝離步驟，其係於上述剝離步驟之後、且上述切斷步驟之前，將上述支持板自上述黏著層剝離；且於上述剝離步驟中，將上述反射層-螢光體層被覆LED自上述黏著層剝離。
  10. 如請求項4之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法，其中上述剝離步驟包括如下步驟：將上述反射層-螢光體層被覆LED轉印至可沿與上述厚度方向正交之方向延伸之延伸支持片；及 一面使上述延伸支持片沿上述正交方向延伸，一面將上述反射層-螢光體層被覆LED自上述延伸支持片剝離。
  11. 如請求項4之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法，其中上述支持台係支持片，上述螢光體層被覆步驟進而包括：層配置步驟，其係將由含有藉由活性能量射線之照射而硬化之活性能量射線硬化性樹脂及螢光體之螢光樹脂組合物形成的螢光體層以被覆上述LED之方式配置於上述支持片之上述厚度方向一側；密封步驟，其係對上述螢光體層照射活性能量射線，而利用上述螢光體層密封上述LED；及切斷步驟，其係與上述LED對應地切斷上述螢光體層。
  12. 如請求項11之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法，其中上述支持片可沿與上述厚度方向正交之方向延伸，且於上述剝離步驟中，一面使上述支持片沿上述正交方向延伸，一面將上述反射層-螢光體層被覆LED自上述支持片剝離。
  13. 如請求項11之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法，其中上述支持片係黏著力會因受到加熱而降低之熱剝離片，且於上述剝離步驟中，加熱上述支持片，而將上述反射層-螢光體層被覆LED自上述支持片剝離。
  14. 如請求項4之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法，其中上述支持台係支持片，該支持片包含：硬質之支持板；及黏著層，其層疊於上述支持板之上述厚度方向一面，且黏著力因活性能量射線之照射而降低；且上述螢光體層被覆步驟包括：密封步驟，其係將螢光體層以被覆上述LED之方式配置於 上述支持板之上述厚度方向一面，而利用上述螢光體層密封上述LED；及切斷步驟，其係於上述密封步驟之後，與上述LED對應地切斷上述螢光體層；且於上述剝離步驟中，至少自上述厚度方向一側對上述黏著層照射活性能量射線，而將上述反射層-螢光體層被覆LED自上述黏著層剝離。
  15. 如請求項4之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法，其中上述支持台係支持片，該支持片包含：硬質之支持板，其形成貫通厚度方向之貫通孔；及黏著層，其以被覆上述貫通孔之方式層疊於上述支持板上述厚度方向一側；且於上述反射層被覆步驟中，使上述LED與上述貫通孔於上述厚度方向上對向，於上述剝離步驟中，藉由使推壓構件自上述厚度方向另一側插入至上述貫通孔，且對上述支持板相對地將與上述貫通孔對應之上述黏著層向上述厚度方向一側推壓，而一面使上述反射層-螢光體層被覆LED向上述厚度方向一側相對移動，一面將上述反射層-螢光體層被覆LED自上述黏著層剝離。
  16. 如請求項15之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法，其中上述螢光體層被覆步驟進而包括：層配置步驟，其係將由含有硬化性樹脂及螢光體之螢光樹脂組合物形成之螢光體層以被覆上述LED之方式配置於上述支持台之上述厚度方向一側；密封步驟，其係使上述螢光體層硬化，並利用可撓性之上述螢光體層密封上述LED；及切斷步驟，其係於上述密封步驟之後，藉由與上述LED對 應地切斷可撓性之上述螢光體層，而獲得上述反射層-螢光體層被覆LED。
  17. 如請求項5之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法，其中於上述配置步驟中，使用以預先設置於切斷步驟中成為切斷之基準的基準標記之方式準備之支持片。
  18. 如請求項1之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法，其中於上述配置步驟中，按照與上述LED之上述一面對應之圖案設置上述反射層。
  19. 如請求項1之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法，其中於上述配置步驟中，將上述反射層設置於上述支持台之上述厚度方向一側之整個面。
  20. 如請求項1之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法，其中於上述配置步驟中，藉由將由反射樹脂組合物形成之反射片層疊於上述支持台，而設置上述反射層。
  21. 如請求項1之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法，其中於上述配置步驟中，藉由將液狀之反射樹脂組合物塗佈至上述支持台，而設置上述反射層。
  22. 如請求項1之反射層-螢光體層被覆LED之製造方法，其中上述螢光體層包括：被覆部，其被覆上述LED；及反射部，其含有光反射成分，且以包圍上述被覆部之方式形成。
  23. 一種反射層-螢光體層被覆LED，其特徵在於：其係藉由反射層-螢光體層被覆LED之製造方法而獲得者，該反射層-螢光體層被覆LED之製造方法包括：配置步驟，其係將反射層配置於支持台之厚度方向一側； 反射層被覆步驟，其係於上述配置步驟之後，將於一面上設置端子之LED以使上述LED之上述一面被上述反射層被覆之方式配置於上述支持台之上述厚度方向一側；及螢光體層被覆步驟，其係以被覆上述LED之至少另一面之方式形成螢光體層。
  24. 一種LED裝置之製造方法，其特徵在於包括：藉由反射層-螢光體層被覆LED之製造方法，而獲得反射層-螢光體層被覆LED之步驟，及經由上述端子而將上述反射層-螢光體層被覆LED安裝至基板之步驟；該反射層-螢光體層被覆LED之製造方法包括：配置步驟，其係將反射層配置於支持台之厚度方向一側；反射層被覆步驟，其係於上述配置步驟之後，將於一面上設置端子之LED以使上述LED之上述一面被上述反射層被覆之方式配置於上述支持台之上述厚度方向一側；螢光體層被覆步驟，其係以被覆上述LED之至少另一面之方式形成螢光體層；及剝離步驟，其係於上述螢光體層被覆步驟之後，將上述反射層-螢光體層被覆LED自上述支持台剝離。
  25. 一種LED裝置，其特徵在於：其係藉由LED裝置之製造方法而獲得者，該LED裝置之製造方法包括：配置步驟，其係將反射層配置於支持台之厚度方向一側；反射層被覆步驟，其係於上述配置步驟之後，將於一面上設置端子之LED以使上述LED之上述一面被上述反射層被覆之方式配置於上述支持台之上述厚度方向一側；螢光體層被覆步驟，其係以被覆上述LED之至少另一面之方式形成螢光體層；以及 剝離步驟，其係於上述螢光體層被覆步驟之後，將上述反射層-螢光體層被覆LED自上述支持台剝離。
  26. 一種LED裝置之製造方法，其特徵在於：其係藉由反射層-螢光體層被覆LED之製造方法而製造LED裝置之方法，該反射層-螢光體層被覆LED之製造方法包括：配置步驟，其係將反射層配置於支持台之厚度方向一側；反射層被覆步驟，其係於上述配置步驟之後，將於一面上設置端子之LED以使上述LED之上述一面被上述反射層被覆之方式配置於上述支持台之上述厚度方向一側；及螢光體層被覆步驟，其係以被覆上述LED之至少另一面之方式形成螢光體層；且該LED裝置之製造方法係於上述反射層被覆步驟之前實施上述螢光體層被覆步驟；上述支持台係基板；於上述反射層被覆步驟中，經由上述端子而將上述LED安裝於上述基板。
  27. 如請求項26之LED裝置之製造方法，其中於上述配置步驟中，按照與上述LED之上述一面對應之圖案而設置上述反射層。
  28. 如請求項26之LED裝置之製造方法，其中於上述配置步驟中，將上述反射層設置於上述支持台之上述厚度方向一側之整個面。
  29. 如請求項26之LED裝置之製造方法，其中於上述配置步驟中，藉由將由反射樹脂組合物形成之反射片層疊於上述支持台，而設置上述反射層。
  30. 如請求項26之LED裝置之製造方法，其中於上述配置步驟中，藉由將液狀之反射樹脂組合物塗佈於上述支持台，而設置上述反射層。
  31. 一種LED裝置，其特徵在於：其係藉由LED裝置之製造方法而獲得者，該LED裝置之製造方法係藉由反射層-螢光體層被覆LED之製造方法而製造LED裝置之方法，且該反射層-螢光體層被覆LED之製造方法包括：配置步驟，其係將反射層配置於支持台之厚度方向一側；反射層被覆步驟，其係於上述配置步驟之後，將於一面上設置端子之LED以使上述LED之上述一面被上述反射層被覆之方式配置於上述支持台之上述厚度方向一側；及螢光體層被覆步驟，其係以被覆上述LED之至少另一面之方式形成螢光體層；且該LED裝置之製造方法係於上述反射層被覆步驟之前實施上述螢光體層被覆步驟，上述支持台係基板，且於上述反射層被覆步驟中，經由上述端子而將上述LED安裝於上述基板。
  32. 一種反射層-螢光體層被覆LED，其特徵在於包括：LED，其於一面上設置端子；反射層，其係以被覆上述LED之上述一面之方式形成；及螢光體層，其係以被覆上述LED之至少另一面之方式形成。
  33. 如請求項32之反射層-螢光體層被覆LED，其中上述螢光體層係以亦被覆上述LED之與上述一面及上述另一面連續之連續面之方式形成。
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