JP6762736B2 - 光反射層付光半導体素子、および、光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法 - Google Patents

光反射層付光半導体素子、および、光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6762736B2
JP6762736B2 JP2016043581A JP2016043581A JP6762736B2 JP 6762736 B2 JP6762736 B2 JP 6762736B2 JP 2016043581 A JP2016043581 A JP 2016043581A JP 2016043581 A JP2016043581 A JP 2016043581A JP 6762736 B2 JP6762736 B2 JP 6762736B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical semiconductor
light reflecting
layer
sheet
phosphor layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016043581A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016174148A (ja
JP2016174148A5 (ja
Inventor
恭也 大薮
恭也 大薮
広希 河野
広希 河野
逸旻 周
逸旻 周
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Epistar Corp
Original Assignee
Epistar Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epistar Corp filed Critical Epistar Corp
Priority to EP16764849.2A priority Critical patent/EP3273491B1/en
Priority to CN201680016213.0A priority patent/CN107431115A/zh
Priority to PCT/JP2016/057597 priority patent/WO2016148019A1/ja
Priority to CN202110035694.2A priority patent/CN112736183A/zh
Priority to US15/556,020 priority patent/US10424703B2/en
Priority to KR1020177025605A priority patent/KR102541533B1/ko
Priority to TW105108133A priority patent/TW201640705A/zh
Publication of JP2016174148A publication Critical patent/JP2016174148A/ja
Publication of JP2016174148A5 publication Critical patent/JP2016174148A5/ja
Priority to US16/523,627 priority patent/US10923639B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6762736B2 publication Critical patent/JP6762736B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/12105—Bump connectors formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bumps on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/96—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0025—Processes relating to coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

本発明は、光反射層付光半導体素子、および、光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法、詳しくは、光反射層および光半導体素子を備える光反射層付光半導体素子の製造方法、および、光反射層、蛍光体層および光半導体素子を備える、光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法に関する。
従来、複数の発光素子のそれぞれの側面に、光反射性粒子を含有する被覆部材を配置する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１では、まず、複数の発光素子を、基板に、面方向に互いに間隔を隔ててフリップチップ実装し、その後、ディスペンサ（液体定量吐出装置）により、光反射性粒子を含有する液状の樹脂を、隣接する発光素子の間に、ポッティング（滴下）して、被覆部材を複数の発光素子の側面に配置している。
特開２０１０−２３８８４６号公報
近年、被覆部材を、シートから形成することが試案されており、具体的には、被覆シートによって複数の発光素子を埋設することが試案されている。
しかし、このような試案では、発光素子の上面に被覆部材が付着する。そうすると、発光素子から上側に向かって発光された光は、被覆部材により反射され、そのため、効率的に外部に取り出されないという不具合がある。
本発明の目的は、光の取出効率に優れる光反射層付光半導体素子、および、光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法を提供することにある。
本発明（１）は、電極が設けられる電極面、前記電極面に対向し、発光層が設けられる発光面、および、前記電極面と前記発光面との周端縁を連結する連結面を有する複数の光半導体素子の前記電極面を、仮固定シートに互いに間隔を隔てて仮固定する工程と、光反射シートを互いに隣接する前記光半導体素子の第１隙間に充填して、光反射層を前記複数の光半導体素子の前記連結面に形成する工程と、前記複数の光半導体素子の前記発光面に付着する前記光反射層を除去する工程と、互いに隣接する前記光半導体素子の間において、前記光反射層を切断する工程とを備える、光反射層付光半導体素子の製造方法を含む。
この方法によれば、複数の光半導体素子の発光面に付着する光反射層を除去するので、複数の光半導体素子の発光面から発光された光を効率的に取り出すことができる。
また、本発明（２）は、前記光反射シートは、前記光反射シートの厚み方向に投影したときに前記複数の光半導体素子を含むように、前記厚み方向に対する直交方向に連続する形状を有している、（１）に記載の光反射層付光半導体素子の製造方法を含む。
この方法によれば、光反射シートは、光反射シートの厚み方向に投影したときに複数の光半導体素子を含むように、厚み方向に対する直交方向に連続する形状を有しているので、光反射シートを第１隙間に簡便に充填することができる。
本発明（３）は、電極が設けられる電極面、前記電極面に対向し、発光層が設けられる発光面、および、前記電極面と前記発光面との周端縁を連結する連結面を有する複数の光半導体素子の前記電極面を、仮固定シートに互いに間隔を隔てて仮固定する工程と、蛍光体層を、互いに隣接する前記光半導体素子の間に第２隙間が形成されるように、前記複数の光半導体素子の前記発光面に形成する工程と、光反射シートを前記第２隙間に充填して、光反射層を、前記第２隙間に面する前記蛍光体層の側面に形成する工程と、前記蛍光体層の表面に付着する前記光反射層を除去する工程と、互いに隣接する前記蛍光体層の間において、前記光反射層を切断する工程とを備える、光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法を含む。
この方法によれば、蛍光体層の表面に付着する光反射層を除去するので、複数の光半導体素子の発光面から発光され、蛍光体層によって波長変換された光を効率的に取り出すことができる。
また、本発明（４）は、光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法において、前記蛍光体層を形成する工程では、前記複数の光半導体素子の前記連結面にも形成する、（３）に記載の光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法を含む。
この方法によれば、光反射層および蛍光体層付光半導体素子における光半導体素子の連結面にも蛍光体層を形成するので、光半導体素子の連結面から発光された光を効率的に波長変換することができ、その後、かかる光を、第２隙間に面する蛍光体層の側面に形成された光反射層によって、確実に反射させることができる。
また、本発明（５）は、前記蛍光体層を形成する工程は、厚み方向に投影したときに前記複数の光半導体素子を含むように、前記厚み方向に対する直交方向に連続する形状を有する蛍光体シートを、互いに隣接する前記光半導体素子の第１隙間に充填する工程と、互いに隣接する前記光半導体素子の間において、前記蛍光体層を、前記第２隙間が形成されるように、切断する工程とを備える、（３）または（４）に記載の光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法を含む。
この方法によれば、蛍光体シートを第１隙間に簡便に充填し、次いで、第２隙間を簡単に形成することができる。
また、本発明（６）は、前記蛍光体層を形成する工程では、厚み方向に投影したときに前記複数の光半導体素子の前記発光面に対応するパターンを有する蛍光体シートを、前記複数の光半導体素子の前記発光面に配置し、前記光反射層を形成する工程では、前記複数の光半導体素子の前記連結面に形成する、（３）または（４）に記載の光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法を含む。
この方法によれば、光反射層を複数の光半導体素子の連結面に形成するので、光半導体素子の連結面から発光された光を光反射層によって効率的に反射させることができる。
また、本発明（７）は、前記光反射シートは、前記光反射シートの厚み方向に投影したときに前記複数の光半導体素子を含むように、前記厚み方向に対する直交方向に連続する形状を有している、（３）〜（６）のいずれか一項に記載の光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法を含む。
この方法によれば、光反射シートは、光反射シートの厚み方向に投影したときに複数の光半導体素子を含むように、厚み方向に対する直交方向に連続する形状を有しているので、光反射シートを第２隙間に簡便に充填することができる。
本発明の光反射層付光半導体素子の製造方法によれば、複数の光半導体素子の発光面から発光された光を効率的に取り出すことができる。
本発明の光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法によれば、複数の光半導体素子の発光面から発光され、蛍光体層によって波長変換された光を効率的に取り出すことができる。
図１Ａ〜図１Ｅは、本発明の光反射層付光半導体素子の製造方法の一実施形態の工程図であり、図１Ａは、仮固定工程、図１Ｂは、光反射シート充填工程、図１Ｃは、第１付着部分除去工程、図１Ｄは、切断工程、図１Ｅは、剥離工程を示す。 図２は、図１Ａ〜図１Ｅに示す方法により得られた光反射層付光半導体素子を備える光半導体装置の断面図を示す。 図３は、第１実施形態の変形例であって、開口部が形成された光反射シートを用いる態様を示す。 図４Ａ〜図４Ｄは、本発明の光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法の一実施形態（第２実施形態）の工程図であり、図４Ａは、仮固定工程、図４Ｂは、蛍光体シート充填工程、図４Ｃは、蛍光体層除去工程、図４Ｄは、光反射シート充填工程を示す。 図５Ｅ〜図５Ｇは、図４Ｄに引き続き、本発明の光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法の一実施形態（第２実施形態）の工程図であり、図５Ｅは、第２付着部分除去工程、図５Ｆは、切断工程、図５Ｇは、剥離工程を示す。 図６は、図４Ａ〜図５Ｇに示す方法により得られた光反射層および蛍光体層付光半導体素子を備える光半導体装置の断面図を示す。 図７は、第２実施形態の変形例であって、開口部が形成された光反射シートを用いる態様を示す。 図８Ａ〜図８Ｃは、本発明の光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法の他の実施形態（第３実施形態）の工程図であり、図８Ａは、仮固定工程、図８Ｂは、蛍光体シート積層工程、図８Ｃは、光反射シート充填工程を示す。 図９Ｄ〜図９Ｆは、図８Ｃに引き続き、本発明の光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法の他の実施形態（第３実施形態）の工程図であり、図９Ｄは、第２付着部分除去工程、図９Ｅは、切断工程、図９Ｆは、剥離工程を示す。 図１０は、図８Ａ〜図９Ｆに示す方法により得られた光反射層および蛍光体層付光半導体素子を備える光半導体装置の断面図を示す。 図１１Ａ〜図１１Ｄは、本発明の光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法の一実施形態（第４実施形態）の工程図であり、図１１Ａが、蛍光体シート充填工程、図１１Ｂが、蛍光体層除去工程、図１１Ｃが、光反射シート充填工程図１１Ｄが、剥離シートを除去する工程を示す。 図１２Ｅ〜図１２Ｇは、図１１Ｄに引き続き、本発明の光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法の一実施形態（第４実施形態）の工程図であり、図１２Ｅが、第２付着部分除去工程、図１２Ｆが、切断工程、図１２Ｇが、剥離工程を示す。 図１３は、図１１Ａ〜図１２Ｇに示す方法により得られた光反射層および蛍光体層付光半導体素子を備える光半導体装置の断面図を示す。 図１４Ａ〜図１４Ｃは、光反射シートの硬度の測定の工程図であり、図１４Ａは、軟物質硬度計および光反射シートをそれぞれ用意する工程、図１４Ｂは、センサーヘッドを光反射シートに対して初期荷重で負荷する工程、図１４Ｃは、センサーヘッドを光反射シートに対して本荷重で負荷する工程を示す。
＜第１実施形態＞
図１Ａ〜図１Ｅにおいて、紙面上下方向は、上下方向（第１方向、厚み方向の一例）であり、紙面上側が上側（第１方向一方側、厚み方向一方側）、紙面下側が下側（第１方向他方側、厚み方向他方側）である。紙面左右方向は、左右方向（第１方向に直交する第２方向、厚み方向に対する直交方向の一例）であり、紙面左側が左側（第２方向一方側）、紙面右側が右側（第２方向他方側）である。紙厚方向は、前後方向（第１方向および第２方向に直交する第３方向、厚み方向に対する直交方向の一例）であり、紙面手前側が前側（第３方向一方側）、紙面奥側が後側（第３方向他方側）である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。
本発明の第１実施形態（光反射層付光半導体素子の製造方法の一実施形態）は、仮固定工程（図１Ａ参照）と、光反射シート充填工程（図１Ｂ参照）と、第１付着部分除去工程（図１Ｃ参照）と、切断工程（図１Ｄ参照）と、剥離工程（図１Ｅ参照）とを備える。以下、各工程を説明する。
１． 仮固定工程
図１Ａに示すように、仮固定工程は、複数の光半導体素子１を、仮固定シート２に互いに間隔を隔てて仮固定する工程である。
光半導体素子１は、例えば、電気エネルギーを光エネルギーに変換するＬＥＤやＬＤである。好ましくは、光半導体素子１は、青色光を発光する青色ＬＥＤ（発光ダイオード素子）である。一方、光半導体素子１は、光半導体素子とは技術分野が異なるトランジスタなどの整流器（半導体素子）を含まない。
光半導体素子１は、前後方向および左右方向に沿う略平板形状を有している。光半導体素子１は、電極面３と、発光面４と、連結面の一例としての周側面５とを有している。
電極面３は、光半導体素子１における下面であって、電極６が形成されている面である。
発光面４は、光半導体素子１における上面であって、電極面３に対して上側に間隔を隔てて対向配置されている。発光面４は、平坦な形状を有している。発光面４には、光半導体素子１の上部に配置される発光層７が設けられている。なお、発光層７は、図１Ｂ〜図１Ｅにおいて、光半導体素子１と後述する光反射層１４との相対配置を明確にするために、省略している。
周側面５は、電極面３の周端縁と、対向面４の周端縁とを連結している。
光半導体素子１の寸法は、適宜設定されており、具体的には、厚み（高さ）が、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．２μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。光半導体素子１の前後方向および／または左右方向における長さＬ１は、例えば、０．２ｍｍ以上、好ましくは、０．５ｍｍ以上であり、また、例えば、３．００ｍｍ以下、好ましくは、２．００ｍｍ以下である。
仮固定シート２は、支持板８と、支持板８の上に配置される感圧接着剤層９とを備えている。
支持板８としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム（ＰＥＴなど）などのポリマーフィルム、例えば、セラミックスシート、例えば、金属箔などが挙げられる。支持板８の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、２，０００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下である。
感圧接着剤層９は、支持板８の上面全面に配置されている。感圧接着剤層９は、支持板８の上面において、シート形状を有している。感圧接着剤層９は、例えば、処理（例えば、紫外線の照射や加熱など）によって感圧接着力が低減するような感圧接着剤から形成されている。また、感圧接着剤層９には、感圧接着剤層９の機械強度を向上させるための支持層（図示せず）が、感圧接着剤層９の厚み方向途中に介在されていてもよい。支持層としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム（ＰＥＴなど）などのポリマーフィルムなどが挙げられる。感圧接着剤層９の総厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、１，０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。
仮固定工程では、図１Ａに示すように、複数の光半導体素子１を、前後方向および左右方向に互いに間隔を隔てて、仮固定シート２の上に仮固定する。具体的には、複数の光半導体素子１の電極面３を、次に述べる間隔Ｌ０およびピッチＬ２が確保されるように、感圧接着剤層９の上面に感圧接着する。また、複数の光半導体素子１を、発光層７が上側に向かうように、仮固定シート２に仮固定する。なお、図１Ａでは、電極６のみが、感圧接着剤層９に接触しているが、電極６以外の電極面３が、感圧接着剤層９に接触してもよい。
互いに隣接する光半導体素子１の間の間隔（前後方向および／または左右方向における間隔）Ｌ０は、例えば、０．０５ｍｍ以上、好ましくは、０．１ｍｍ以上であり、また、例えば、１．５０ｍｍ以下、好ましくは、０．８０ｍｍ以下である。互いに隣接する光半導体素子１のピッチＬ２、具体的には、上記した長さＬ１および間隔Ｌ０の和（Ｌ１＋Ｌ０）は、例えば、０．２５ｍｍ以上、好ましくは、０．６０ｍｍ以上であり、また、例えば、３．００ｍｍ以下、好ましくは、２．００ｍｍ以下である。
これにより、複数の光半導体素子１を、感圧接着剤層９を介して、支持板８に支持させる。また、互いに隣接する光半導体素子１の間には、第１隙間１０が形成される。
第１隙間１０は、間隔Ｌ０に対応する寸法を有し、図１Ａにおいて図示されないが、平面視において、略碁盤目形状を有している。
２． 光反射シート充填工程
図１Ｂに示すように、光反射シート充填工程を、仮固定工程（図１Ａ参照）の後に実施する。
光反射シート充填工程では、光反射シート１１を第１隙間１０に充填する。
光反射シート１１は、図１Ａに示すように、光反射部材１３に備えられている。
光反射部材１３は、剥離シート１２と、剥離シート１２に支持される光反射シート１１とを備える。好ましくは、光反射部材１３は、剥離シート１２と、光反射シート１１とのみからなる。
剥離シート１２は、上記した支持板８と同じ材料からなり、前後方向および左右方向に連続する層（平板）形状を有している。剥離シート１２の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、２，０００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下である。剥離シート１２の前後方向長さおよび左右方向長さは、次に説明する光反射シート１１のそれらに対して大きいかまたはそれらと同じ大きさに設定されている。
光反射シート１１は、剥離シート１２の下面に配置されている。光反射シート１１は、前後方向および左右方向に連続する層（平板）形状を有している。具体的には、光反射シート１１は、光反射部材１３を、仮固定シート２に仮固定された複数の光半導体素子１の上側に対向させて、そして、それらを厚み方向に投影したときに、複数の光半導体素子１を含む大きさ（前後方向長さおよび左右方向長さ）に設定されている。
また、光反射シート１１の体積Ｖ１（つまり、光反射シート１１の厚み×前後方向長さ×左右方向長さ）は、好ましくは、第１隙間１０の総体積Ｖ０に対して大きいかまたはそれと同じに設定されている。より好ましくは、光反射シート１１の体積Ｖ１は、第１隙間１０の総体積Ｖ０に対して大きい。この場合には、光反射シート１１を第１隙間１０に簡易かつ確実に充填することができる。
具体的には、光反射シート１１の体積Ｖ１は、第１隙間１０の総体積Ｖ０に対して、例えば、９５％以上、好ましくは、１０３％以上、また、例えば、１２０％以下、好ましくは、１１０％以下である。
光反射シート１１の厚みは、例えば、５０μｍ以上、好ましくは、１００μｍ以上であり、また、例えば、１，０００μｍ以下、好ましくは、４５０μｍ以下である。
光反射シート１１は、例えば、光反射成分および樹脂を含有する光反射組成物から調製されている。
光反射成分としては、例えば、無機粒子、有機粒子などの光反射粒子が挙げられる。
無機粒子としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、複合無機酸化物粒子（ガラスなど）などの酸化物、例えば、鉛白（塩基性炭酸鉛）、炭酸カルシウムなどの炭酸塩、例えば、カオリンなどの粘土鉱物などが挙げられる。好ましくは、酸化物が挙げられる。
有機粒子としては、例えば、アクリル系樹脂粒子、スチレン系樹脂粒子、アクリル−スチレン系樹脂粒子、シリコーン系樹脂粒子、ポリカーボネート系樹脂粒子、ベンゾグアナミン系樹脂粒子、ポリオレフィン系樹脂粒子、ポリエステル系樹脂粒子、ポリアミド系樹脂粒子、ポリイミド系樹脂粒子などが挙げられる。好ましくは、アクリル系樹脂粒子が挙げられる。
光反射成分の含有割合は、光反射組成物に対して、例えば、１質量％以上、好ましくは、３質量％以上であり、また、例えば、８０質量％以下、好ましくは、７５質量％以下である。
樹脂は、光反射組成物において光反射成分を均一に分散させるマトリクスであって、例えば、加熱されたときに光反射シート１１を第１隙間１０に充填できる粘度（後述）を光反射シート１１に付与する成分である。樹脂としては、例えば、硬化性樹脂、熱可塑性樹脂が挙げられる。好ましくは、硬化性樹脂が挙げられる。硬化性樹脂としては、２段反応硬化性樹脂、１段反応硬化性樹脂などの熱硬化性樹脂が挙げられる。
２段反応硬化性樹脂は、２つの反応機構を有しており、第１段の反応で、Ａステージ状態からＢステージ化（半硬化）し、次いで、第２段の反応で、Ｂステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる。つまり、２段反応硬化性樹脂は、適度の加熱条件によりＢステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。Ｂステージ状態は、熱硬化性樹脂が、液状であるＡステージ状態と、完全硬化したＣステージ状態との間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、圧縮弾性率がＣステージ状態の圧縮弾性率よりも小さい半固体状態または固体状態である。
１段反応硬化性樹脂は、１つの反応機構を有しており、第１段の反応で、Ａステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる。このような１段反応硬化性樹脂は、第１段の反応の途中で、その反応が停止して、Ａステージ状態からＢステージ状態となることができ、その後のさらなる加熱によって、第１段の反応が再開されて、Ｂステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる熱硬化性樹脂を含む。つまり、かかる熱硬化性樹脂は、Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂を含む。また、１段反応硬化性樹脂は、１段の反応の途中で停止するように制御できず、つまり、Ｂステージ状態となることができず、一度に、Ａステージ状態からＣステージ化（完全硬化）する熱硬化性樹脂を含むこともできる。
好ましくは、熱硬化性樹脂としては、Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂が挙げられる。
Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂としては、好ましくは、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂が挙げられ、より好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。
シリコーン樹脂としては、例えば、フェニル基を分子内に含むフェニル系シリコーン樹脂、例えば、メチル基を分子内に含むメチル系シリコーン樹脂などが挙げられる。
Ｂステージ状態のフェニル系シリコーン樹脂は、加熱により、一旦、融解または液化した後、完全硬化する。一方、Ｂステージ状態のメチル系シリコーン樹脂は、加熱により、一旦、軟化または可塑化した後、完全硬化する。
Ｂステージ状態のフェニル系シリコーン樹脂は、Ｂステージ状態のメチル系シリコーン樹脂に比べて、図１Ｂに示す光反射シート充填工程において第１付着部分１７（後述）を形成し易い。
つまり、Ｂステージ状態のシリコーン樹脂は、昇温とともに、粘度が次第に降下し、その後、昇温を継続すると、粘度が次第に上昇し、Ｃステージ状態のシリコーン樹脂となる。
上記した熱硬化性樹脂は、同一種類または複数種類のいずれでもよい。
樹脂の配合割合は、光反射組成物に対して、例えば、１０質量％以上、好ましくは、２５質量％以上であり、また、例えば、９９質量％以下、好ましくは、９７質量％以下である。
光反射組成物には、添加剤を、適宜の割合で含有することもできる。
光反射シート１１を形成するには、例えば、まず、光反射成分と、樹脂と、必要により添加される添加剤とを配合して、光反射組成物のワニスを調製する。続いて、ワニスを、剥離シート１２の表面に塗布する。その後、光反射組成物が、Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂を含有する場合には、光反射組成物を、Ｂステージ化する（半硬化させる）。具体的には、光反射組成物を、加熱する。
加熱温度は、例えば、５０℃以上、好ましくは、７０℃以上であり、また、例えば、１２０℃以下、好ましくは、１００℃以下である。加熱時間は、例えば、５分以上、好ましくは、１０分以上であり、また、例えば、２０分以下、好ましくは、１５分以下である。
これにより、光反射シート１１を形成する。好ましくは、Ｂステージ状態の光反射シート１１を、剥離シート１２の表面に形成する。
光反射シート１１の６０℃における溶融粘度は、例えば、４０Ｐａ・ｓ以上であり、例えば、１，０００Ｐａ・ｓ以下、好ましくは、３００Ｐａ・ｓ以下である。溶融粘度は、Ｅ型粘度計を用いて測定される。
６０℃における溶融粘度が上記した上限以下であれば、熱プレス（後述）によって、光反射シート１１の粘度を十分に降下させて、光反射シート１１を第１隙間１０へ迅速かつ確実に充填することができる。一方、６０℃における溶融粘度が上記した下限以上であれば、光反射シート１１が過度に柔らかくなることを抑制して、光反射シート１１が、光半導体素子１から離れるように外部に向かって流動することを抑制することができる。
次いで、図１Ｂに示すように、光反射シート充填工程では、光反射部材１３を、仮固定シート２および光半導体素子１に対して、圧着する。
具体的には、光反射部材１３、仮固定シート２および光半導体素子１を、光反射シート１１と光半導体素子１とが厚み方向に対向するように、プレス機にセットして、それらを、例えば、熱プレスする。
熱プレスの条件は、適宜設定される。熱プレスの温度は、６０℃以上、好ましくは、７０℃以上であり、また、２００℃以下、好ましくは、１８０℃以下である。熱プレスの圧力は、例えば、０．０１ＭＰａ以上、好ましくは、０．１０ＭＰａ以上であり、また、例えば、１０．００ＭＰａ以下、好ましくは、５．００ＭＰａ以下である。熱プレスの時間は、例えば、１分以上、好ましくは、３分以上であり、また、例えば、６０分以下、好ましくは、３０分以下である。また、熱プレスは、複数回実施することができる。
この熱プレスによって、光反射シート１１（光反射組成物）が第１隙間１０に充填される。
これによって、光反射組成物（光反射シート１１）からなる光反射層１４が、第１隙間１０に充填された形状で、形成される。なお、光反射層１４において、第１隙間１０に充填された部分は、第１充填部分３３である。
光反射層１４（第１充填部分３３）は、光半導体素子１の周側面５を被覆している。つまり、光反射層１４は、複数の光半導体素子１の周側面５に形成されている。また、光反射層１４は、光半導体素子１の電極面３において、電極６から露出する面も被覆している。さらに、光反射層１４は、光半導体素子１の発光面４に、被覆して付着している。光反射層１４において、発光面４に付着する部分は、第１付着部分１７である。
一方、光反射層１４は、平坦な上面１５を有している。詳しくは、第１付着部分１７の上面１５と、第１充填部分３３の上に位置する部分（隣接する第１付着部分１７の間に位置する部分）の上面１５とは、前後方向および左右方向に面一である。
第１付着部分１７の厚みＴ１は、例えば、１μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、さらには２００μｍ以下である。
その後、図１Ｂの矢印で示すように、剥離シート１２を光反射層１４から剥離する。具体的には、剥離シート１２を、光反射層１４の上面１５から引き剥がす。
そうすると、光反射層１４の上面１５が露出する。
これによって、複数の光半導体素子１と、第１充填部分３３および第１付着部分１７を有する光反射層１４とを備える光反射層付光半導体素子１６を、電極面３が仮固定シート２に仮固定された状態で、得る。光反射層付光半導体素子１６の上面は、光反射層１４の上面１５からなり、具体的には、光半導体素子１の発光面４が光反射層１４に被覆されている。
これによって、光半導体素子１と、光反射層１４とを備える光反射層付光半導体素子１６を、仮固定シート２に仮固定された状態で、得る。
３． 第１付着部分除去工程
図１Ｃに示すように、第１付着部分除去工程を、光反射シート充填工程（図１Ｂ参照）の後に実施する。
第１付着部分除去工程では、第１付着部分１７を除去する。
第１付着部分１７を除去するには、例えば、図１Ｃに示すように、（１）感圧接着シート１８を用いる方法、例えば、図示しないが、（２）溶媒を用いる方法、例えば、図示しないが、（３）研磨部材を用いる方法が採用される。以下、各方法を説明する。
（１）感圧接着シート１８を用いる方法
感圧接着シート１８は、感圧接着剤から調製されており、前後方向および左右方向に連続するシート形状を有している。感圧接着シート１８の大きさは、例えば、感圧接着シート１８を、厚み方向に投影したときに、第１付着部分１７を含むことができる大きさに設定されている。感圧接着剤としては、例えば、アクリル系感圧接着剤、ゴム系感圧接着剤、シリコーン系感圧接着剤、ウレタン系感圧接着剤、ポリアクリルアミド系感圧接着剤などが挙げられる。また、感圧接着シート１８は、支持材などで支持されていてもよい。感圧接着シート１８の２５℃における粘着力（１８０℃剥離接着力）は、例えば、７．５（Ｎ／２０ｍｍ）以上、好ましくは、１０．０（Ｎ／２０ｍｍ）以上であり、また、例えば、１００（Ｎ／２０ｍｍ）以下、好ましくは、２０．０（Ｎ／２０ｍｍ）以下である。粘着力は、感圧接着シート１８を２０ｍｍ幅に切り出し、これを、シリコーンウェハーに感圧接着し、その後、感圧接着シート１８を、剥離速度１００ｍｍ／分、剥離角度１８０℃で剥離試験したときの接着力として測定される。
感圧接着シート１８を用いる方法では、感圧接着シート１８の感圧接着面（感圧接着シート１８が支持材が支持されている場合には、まず、支持材によって支持される面に対する逆側面）を、第１付着部分１７を含む光反射層１４の上面１５に対向配置し、第１付着部分１７に感圧接着し、続いて、第１付着部分１７を、発光面４から引き剥がす。具体的には、図１Ｂの右側部分に示すように、まず、感圧接着シート１８を下降させ、続いて、図１Ｂの中央部分に示すように、感圧接着シート１８を第１付着部分１７に対して感圧接着し、その後、図１Ｂの左側部分に示すように、感圧接着シート１８を第１付着部分１７とともに、上昇させる（引き上げる）。
第１付着部分１７は、第１付着部分１７と発光面４との界面で剥離し、感圧接着シート１８に追従する。また、第１付着部分１７の剥離が一回で完了しない時には、上記動作を複数回繰り返し、これによって第１付着部分１７の剥離を完了させる。このとき、光反射層１４において、第１充填部分３３の上に位置する部分も、第１付着部分１７とともに、感圧接着シート１８に追従する。つまり、光反射層１４において、第１付着部分１７と、第１充填部分３３の上に位置する部分とが、除去される。すなわち、光反射層１４において、前後方向および左右方向に投影したときに、発光面４より上に位置する部分３４（上層部分３４）が、除去される。光反射層１４の上層部分３４の除去によって、第１充填部分３３の上面１５は、発光面４と、前後方向および左右方向に面一となる。つまり、第１充填部分３３の上面１５と、発光面４とが、同一平面を形成する。
その後、樹脂が熱硬化性樹脂（Ｂステージの熱硬化性樹脂）である場合には、光反射層１４を、加熱して硬化（完全硬化）させる。
加熱温度は、例えば、１００℃以上、好ましくは、１２０℃以上であり、また、例えば、２００℃以下、好ましくは、１５０℃以下である。また、加熱時間が、例えば、１０分以上、好ましくは、３０分以上であり、また、例えば、１８０分以下、好ましくは、１２０分以下である。
（２）溶媒を用いる方法
この方法では、具体的には、溶媒、および、感圧接着シート１８を併用する。
溶媒としては、例えば、第１付着部分１７を形成する光反射組成物を完全または部分的に溶解または分散させることができる溶媒が選択される。具体的には、溶媒としては、有機溶媒、水系溶媒が挙げられる。有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノールなどのアルコール、例えば、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン、例えば、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素、例えば、トルエンなどの芳香族炭化水素、例えば、テトラヒドロフランなどのエーテルなどが挙げられる。好ましくは、アルコール、芳香族炭化水素が挙げられる。
感圧接着シート１８は、（１）で説明した感圧接着シート１８が挙げられる。
この方法では、まず、樹脂が熱硬化性樹脂（Ｂステージの熱硬化性樹脂）である場合には、光反射層１４を、加熱して硬化（完全硬化）させる。
この方法では、次いで、上記した溶媒を布に吸収させ、その布によって、硬化した光反射層１４の上面１５を拭く。なお、この溶媒によって、光反射層１４の上面１５を拭いても、第１付着部分１７が残存する。
その後、残存する第１付着部分１７を（１）で説明した感圧接着シート１８を用いて除去する。
これによって、第１付着部分１７を含む上層部分３４が除去される。
（３）研磨部材を用いる方法
研磨部材としては、バフなどの布、ブラシ、ウォーターブラストなどが挙げられる。
研磨部材によって、光反射層付光半導体素子１６における光反射層１４の上面１５を研磨する。これによって、第１付着部分１７を含む上層部分３４が除去される。
（３）の方法では、研磨部材による上面１５の研磨のタイミングは、樹脂が熱硬化性樹脂（Ｂステージの熱硬化性樹脂）である場合には、光反射層１４の硬化の前後のいずれであってもよい。
４． 切断工程
図１Ｄに示すように、切断工程を、第１付着部分除去工程（図１Ｃ参照）の後に実施する。
切断工程では、互いに隣接する光半導体素子１の間において、光反射層１４を切断する。つまり、切断工程では、第１充填部分３３を切断する。これにより、光反射層付光半導体素子１６において、複数の光半導体素子１を個片化する。
光反射層１４（第１充填部分３３）を切断するには、例えば、円盤状のダイシングソー（ダイシングブレード）１９を用いるダイシング装置、例えば、カッターを用いるカッティング装置、例えば、レーザー照射装置などの切断装置が用いられる。好ましくは、ダイシング装置が用いられる。ダイシングソー１９の刃厚Ｔ３は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
光反射層１４（第１充填部分３３）の切断によって、光反射層１４には、互いに隣接する光半導体素子１の間において、前後方向および左右方向に沿って整列する切断溝２０が形成される。切断溝２０は、光反射層１４を厚み方向に貫通している。切断溝２０は、図１Ｄにおいて図示されないが、平面視において、略碁盤目形状を有している。なお、切断溝２０は、図１Ｄにおける部分拡大図に示すように、感圧接着剤層９にも形成されていてもよい。その場合には、切断溝２０の下端部は、感圧接着剤層９の厚み方向途中に到達する。つまり、光反射層１４および感圧接着剤層９の両方に、切断溝２０が切り込まれている。切断溝２０の幅Ｗ１は、切断装置（好ましくは、ダイシングソー１９の刃厚Ｔ３）に対応しており、具体的には、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
切断溝２０によって、光反射層１４（第１充填部分３３）には、切断溝２０に面する側面３２が形成される。
これにより、個片化された１つの光半導体素子１と、周側面５を被覆し、発光面４を露出し、切断溝２０により仕切られた光反射層１４とを備える光反射層付光半導体素子１６を、仮固定シート２に支持された状態で、得る。
５． 剥離工程
図１Ｅに示すように、剥離工程を、切断工程（図１Ｄ参照）の後に実施する。
剥離工程では、まず、図１Ｅの下向き矢印で示すように、支持板８を感圧接着剤層９から剥離する。
支持板８を感圧接着剤層９から剥離するには、例えば、紫外線の照射や加熱など処理を、支持板８および感圧接着剤層９の界面に対して、実施する。すると、感圧接着剤層９の支持板８に対する感圧接着力が低減し、これによって、支持板８が除去される。
これによって、前後方向および左右方向に互いに間隔（幅Ｗ１）を隔てて整列配置された複数の光反射層付光半導体素子１６が、感圧接着剤層９に支持された状態で、得られる。
その後、図１Ｅの上向き矢印で示すように、光反射層付光半導体素子１６を感圧接着剤層９から剥離する。
光反射層付光半導体素子１６を感圧接着剤層９から剥離するには、コレットおよびそれに接続される吸引ポンプを備えるピックアップ装置（図示せず）などを用いる。具体的には、コレットを、発光面４に接触させ、続いて、吸引ポンプを駆動させ、次いで、コレットを引き上げる。
これによって、１つの光半導体素子１と、光半導体素子１の周側面５を被覆し、発光面４を露出する光反射層１４とを備える光反射層付光半導体素子１６を得る。好ましくは、光反射層付光半導体素子１６は、光半導体素子１と、光反射層１４とのみからなる。
図１Ｅの破線で示すように、光反射層付光半導体素子１６では、光反射層１４の側面３２が側方に露出し、発光面４と、発光面４の周囲に位置する光反射層１４の上面１５とが、上側に露出し、電極６の下面が下側に露出している。光半導体素子１の発光面４は、光反射層１４の上面１５と面一である。
この光反射層付光半導体素子１６は、次に説明する光半導体装置６０（図２参照）ではなく、つまり、光半導体装置６０に備えられる基板５０を含まない。つまり、光反射層付光半導体素子１６は、電極６が、基板５０に設けられる端子５１と電気的に接続されていない。つまり、光反射層付光半導体素子１６は、光半導体装置６０の一部品、すなわち、光半導体装置６０を作製するための部品であり、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。
６． 光半導体装置の製造
その後、図２に示すように、光反射層付光半導体素子１６の電極６を、基板５０の上面に設けられた端子５１に電気的に接続する。具体的には、光反射層付光半導体素子１６を基板５０にフリップチップ実装する。
これによって、光反射層付光半導体素子１６と、基板５０とを備える光半導体装置６０を得る。つまり、光半導体装置６０は、基板５０と、基板５０に実装される光半導体素子１と、光半導体素子１の周側面５を被覆する光反射層１４とを備える。光半導体装置６０は、好ましくは、基板５０と、光半導体素子１と、光反射層１４とのみからなる。光半導体装置６０では、発光層７が、光半導体素子１の上部に位置しており、発光面４が光反射層１４から上方に露出している。
７． 第１実施形態の作用効果
この方法によれば、図１Ｃに示すように、複数の光半導体素子１の発光面４に付着する光反射層１４、つまり、第１付着部分１７を除去するので、複数の光半導体素子１の発光面４から発光された光を効率的に取り出すことができる。
また、この方法によれば、図１Ａに示すように、光反射シート１１は、厚み方向に投影したときに複数の光半導体素子１を含むように、前後方向および左右方向に連続する形状を有しているので、図１Ｂに示すように、光反射シート１１を第１隙間１０（図１Ａ参照）に簡便に充填することができる。
８． 変形例
第１実施形態の「４． 第２付着部分除去工程」における（１）の方法では、まず、感圧接着シート１８を用いて、光反射層１４における第２付着部分３１を除去した後、光反射層１４に含有される樹脂が熱硬化性樹脂（Ｂステージの熱硬化性樹脂）である場合には、光反射層１４を、加熱して硬化（完全硬化）させている。しかし、例えば、まず、光反射層１４を加熱して硬化（完全硬化）させ、その後、感圧接着シート１８を用いて、光反射層１４における第２付着部分３１を除去することもできる。
第１実施形態の「４． 第２付着部分除去工程」における（２）の方法では、溶媒、および感圧接着シート１８を併用している。しかし、溶媒により、光反射層１４における第２付着部分３１を十分に除去できる場合には、溶媒のみによって、光反射層１４における第２付着部分３１を除去することもできる。
第１実施形態では、図１Ａに示すように、光反射シート１１を、剥離シート１２の下面において、前後方向および左右方向に連続する層（平板）形状を有しているが、図３に示すように、第１隙間１０に対応するパターン形状を有することもできる。
図３に示すように、光反射シート１１には、開口部２１が複数形成されている。
開口部２１は、厚み方向に投影したときに、光半導体素子１の外形形状と同一の形状を有している。一方、光反射シート１１は、厚み方向に投影したときに、第１隙間１０の形状と同一の形状を有している。
この変形例においても、図１Ｂに示す光反射シート充填工程では、光反射層１４が、発光面４に付着して、第１付着部分１７を形成する。
一方、第１実施形態における図１Ａに示す光反射シート１１は、変形例における図３に示す光反射シート１１に比べて、第１付着部分１７（図１Ｂ参照）を生じ易く、つまり、本発明の課題を生じ易い。
また、第１実施形態では、図１Ｃおよび図１Ｄに示すように、第１付着部分除去工程（図１Ｃ参照）の後に、切断工程（図１Ｄ参照）を実施している。しかし、例えば、切断工程（図１Ｄ参照）の後に、第１付着部分除去工程（図１Ｃ参照）を実施することもできる。
好ましくは、図１Ｃおよび図１Ｄに示される第１実施形態のように、第１付着部分除去工程（図１Ｃ参照）の後に、切断工程（図１Ｄ参照）を実施する。
一方、変形例のように、切断工程（図１Ｄ参照）の後に、第１付着部分除去工程（図１Ｃ参照）を、「（１）感圧接着シート１８を用いる方法」および／または「（３）研磨部材を用いる方法」により実施すれば、切断工程によって形成された切断溝２０（図１Ｄ参照）に、感圧接着シート１８の感圧接着剤、および／または、研磨部材が入り込み、第１充填部分３３（周側面５を被覆する光反射層１４）が、感圧接着シート１８、および／または、研磨部材によって除去されるおそれがある。他方、第１実施形態であれば、上記したおそれを解消できる。
また、切断工程（図１Ｄ参照）の後に、第１付着部分除去工程（図１Ｃ参照）を、「（２）溶媒を用いる方法」により実施すれば、切断工程によって形成された切断溝２０に、溶媒が入り込み、残存するおそれがあり、また、そのため、溶媒を除去する工程が別途必要となる。他方、第１実施形態であれば、上記したおそれを解消できる。
また、例えば、光反射シート充填工程において、図１Ｂに示すように、Ｂステージ（半硬化）状態の、第１付着部分１７を含む光反射層１４を形成する際に、光反射シート１１の充填温度と時間とを制御することにより、「（２）溶媒を用いる方法」が採用できる。具体的には、Ｂステージの光反射シート１１の硬度を、例えば、９５以上、９９以下に設定する。光反射シート１１の硬度は、例えば、軟物質硬度計（シチズンセイミツ製：ＣＨ−Ｒ０１。センサーヘッドの直径：２ｍｍ）を用いて算出される。具体的には、図１４Ａに示すように、軟物質硬度計７１を用意する。軟物質硬度計７１は、上下方向に延びるプランジャー７４と、プランジャー７４の下端部に設けられるセンサーヘッド７２と、プランジャー７４を収容するシリンダー７３と、センサーヘッド７２に接続され、センサーヘッド７２の位置を検知可能に構成される処理装置（図示せず）を備える。センサーヘッド７２の略球形状を有している。
そして、図１４Ｂに示すように、まず、シリンダー７３の下端部と、センサーヘッド７２の下端部とを、剥離シート１２の上に配置された光反射シート１１の表面に、接触させる。
続いて、プランジャー７４の駆動に基づいて、プランジャー７４で光反射シート１１に対して初期荷重８．３ｍＮで、５秒間かける。この際、センサーヘッド７２の下端部の位置が処理装置（図示せず）に入力される。
次いで、図１４Ｃに示すように、プランジャー７４の駆動に基づいて、センサーヘッド７２で光反射シート１１に対して本荷重１５０ｍＮで、２０秒間かける。すると、プランジャー７４が光反射シート１１に対して沈み込む。この際、センサーヘッド７２の下端部の位置が処理装置（図示せず）に入力される。
そして、図１４Ｃに示すように、センサーヘッド７２を光反射シート１１に対して本荷重をかけた際に、光反射シート１１の表面からセンサーヘッド７２が沈み込んだ距離ｄを測定し、以下の式に基づいて、硬度を算出する。
硬度＝［１−｛センサーヘッド７２が沈み込んだ距離ｄ（本荷重の沈み込み−初期荷重の沈み込み）（μｍ）／３００（基準値）（μｍ）｝］×１００
１つの光反射シート１１に対して５回測定し、その平均値を硬度として得る。
光反射シート１１の充填時間は、充填温度に応じて適宜設定される。光反射シート１１の充填温度が１００℃のときには、光反射シート１１の充填時間が、例えば、２５０秒以上、６００秒以下である。光反射シート１１の充填温度が９０℃のときには、光反射シート１１の充填時間が、例えば、４００秒以上、７５０秒以下である。光反射シート１１の充填温度が８０℃のときには、光反射シート１１の充填時間が、例えば、８００秒以上、１，０００秒以下である。
この方法によれば、「（２）溶媒を用いる方法」により第１付着部分１７を除去するとき（後述）に、第１付着部分１７をより確実に除去することができる。
第１実施形態において、図１Ｅに示すように、剥離工程を実施しているが、剥離工程を実施しなくてもよい。つまり、図１Ｄに示すように、個片化された１つの光半導体素子１と、光反射層１４とを備え、仮固定シート２（支持板８および感圧接着剤層９）に支持された状態の複数の光反射層付光半導体素子１６も、光半導体装置６０を作製するための部品であり、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスとして用いられる。
さらに、図１Ｅにおける剥離工程における支持板８のみを除去することもできる。つまり、図１Ｅの実線で示すように、感圧接着剤層９のみに支持された状態の複数の光反射層付光半導体素子１６も、光半導体装置６０を作製するための部品であり、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスとして用いられる。
また、図示しないが、図１Ｅに示す光反射層付光半導体素子１６における発光面４に、蛍光体層などを設置することもできる。
＜第２実施形態＞
第２実施形態において、第１実施形態と同じ部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
本発明の第２実施形態（光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法の一実施形態）は、仮固定工程（図４Ａ参照）と、蛍光体層形成工程（図４Ｂおよび図４Ｃ参照）と、光反射シート充填工程（図４Ｄ参照）と、第２付着部分除去工程（図５Ｅ参照）と、切断工程（図５Ｆ参照）と、剥離工程（図５Ｇ参照）とを備える。以下、各工程を説明する。
１． 仮固定工程
図４Ａに示すように、仮固定工程は、複数の光半導体素子１を、仮固定シート２に互いに間隔を隔てて仮固定する工程である。
２． 蛍光体層形成工程
図４Ｂおよび図４Ｃに示すように、蛍光体層形成工程を、仮固定工程（図４Ａ参照）の後に実施する。
蛍光体層形成工程では、蛍光体層２６を、互いに隣接する光半導体素子１の間に第２隙間２３が形成されるように、複数の光半導体素子１の発光面４および周側面５に形成する。
蛍光体層２６を形成するには、まず、例えば、図４Ａに示すように、蛍光体シート２４を用意する。蛍光体シート２４は、蛍光体部材２５に備えられている。
蛍光体部材２５は、剥離シート１２と、剥離シート１２に支持される蛍光体シート２４とを備える。好ましくは、蛍光体部材２５は、剥離シート１２と、蛍光体シート２４とのみからなる。
蛍光体シート２４は、剥離シート１２の下面に形成されており、前後方向および左右方向に連続する層（平板）形状を有している。蛍光体シート２４は、例えば、蛍光体および樹脂を含有する蛍光組成物から調製されている。
蛍光体は、光半導体素子１から発光される光を波長変換する。蛍光体としては、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変換することのできる赤色蛍光体などが挙げられる。
黄色蛍光体としては、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）２ＳｉＯ４；Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ（バリウムオルソシリケート（ＢＯＳ））などのシリケート蛍光体、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）、Ｔｂ３Ａｌ３Ｏ１２：Ｃｅ（ＴＡＧ（テルビウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）などのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮなどの酸窒化物蛍光体などが挙げられる。
赤色蛍光体としては、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ２：Ｅｕなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。
蛍光体として、好ましくは、黄色蛍光体、より好ましくは、ガーネット型蛍光体が挙げられる。
蛍光体の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。
蛍光体の最大長さの平均値（球状である場合には、平均粒子径）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下でもある。
蛍光体は、単独使用または併用することができる。
蛍光体の配合割合は、蛍光組成物に対して、例えば、５質量％以上、好ましくは、１０質量％以上であり、また、例えば、８０質量％以下、好ましくは、７０質量％以下である。
樹脂は、蛍光組成物において蛍光体を均一に分散させるマトリクスであって、例えば、加熱されたときに蛍光体シート２４を第１隙間１０に充填できる粘度を蛍光体シート２４に付与する成分である。樹脂は、第１実施形態において光反射組成物に含まれる樹脂と同一である。樹脂の配合割合は、蛍光体（および次に説明する光反射成分および／または添加剤）の配合割合の残部である。
蛍光組成物には、光反射成分および／または添加剤を、適宜の割合で含有することもできる。
蛍光体シート２４を形成するには、例えば、蛍光体と、樹脂と、必要により添加される光反射成分および／または添加剤とを配合して、蛍光組成物のワニスを調製する。続いて、ワニスを、剥離シート１２の表面に塗布する。その後、蛍光組成物が、Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂を含有する場合には、蛍光組成物を、Ｂステージ化する（半硬化させる）。具体的には、蛍光組成物を、加熱する。これにより、蛍光体シート２４を形成する。蛍光体シート２４の物性（貯蔵剪断弾性率Ｇ’など）は、第１実施形態における光反射組成物の物性から適宜選択される。蛍光体シート２４の厚みは、例えば、５０μｍ以上、好ましくは、１００μｍ以上であり、また、例えば、１，０００μｍ以下、好ましくは、４５０μｍ以下である。蛍光体シート２４は、図１Ａに示すように、光反射部材１３を、仮固定シート２に仮固定された複数の光半導体素子１の上側に対向し、そして、それらを厚み方向に投影したときに、複数の光半導体素子１を含む大きさ（前後方向長さおよび左右方向長さ）に設定されている。
次いで、図４Ｂに示すように、蛍光体層形成工程では、蛍光体部材２５を、仮固定シート２に対して、熱プレスする。
熱プレスによって、蛍光体シート２４（蛍光組成物）が、第１隙間１０に充填される（蛍光体シート充填工程）。蛍光体シート２４（具体的には、次に説明する蛍光体層２６）において、第１隙間１０に充填された部分は、第２充填部分３５である。
これに伴って、複数の光半導体素子１に対向する蛍光体シート２４は、複数の光半導体素子１の発光面４を被覆する。これによって、蛍光体シート２４から、蛍光体層２６が、複数の光半導体素子１の発光面４および周側面５に形成される。
蛍光体層２６は、複数の光半導体素子１を埋設している。また、蛍光体層２６は、前後方向および左右方向において連続する形状を有している。さらに、蛍光体層２６は、平坦な表面の一例としての上面２７を有している。なお、蛍光体層２６は、光半導体素子１の電極面３において、電極６から露出する面も被覆する。
その後、図４Ｃに示すように、蛍光体層形成工程では、互いに隣接する光半導体素子１の間において、蛍光体層２６を切断する。
蛍光体層２６を切断するには、所定幅（刃厚Ｔ４）を有する円盤状のダイシングソー（ダイシングブレード）２８（図４Ｂ参照）によって、互いに隣接する光半導体素子１の間における蛍光体層２６、つまり、第２充填部分３５を切削する。
ダイシングソー２８は、径方向内側から外側にむかうに従って、同一幅（同一刃厚Ｔ４）を有している。ダイシングソー２８の刃厚Ｔ４は、第１実施形態において光反射層１４を切断したダイシングソー１９の刃厚Ｔ３（図１Ｄ参照）より厚く、具体的には、ダイシングソー１９の刃厚Ｔ３に対して、例えば、１５０％以上、好ましくは、２００％以上、より好ましくは、３００％以上であり、また、例えば、１０，０００％以下である。より具体的には、ダイシングソー２８の刃厚Ｔ４は、次に説明する第２隙間２３の幅Ｗ２（図４Ｃ参照）に対応して適宜設定され、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、２００μｍ以上であり、また、例えば、２，０００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下である。
または、エッチングによって、互いに隣接する光半導体素子１の間における蛍光体層２６を切断する（蛍光体層除去工程）。
これによって、図４Ｃに示すように、互いに隣接する光半導体素子１の間において、蛍光体層２６に第２隙間２３が形成される。第２隙間２３は、蛍光体層２６を厚み方向に貫通している。具体的には、第２隙間２３は、蛍光体層２６において、第２充填部分３５と、第２充填部分３５の上に位置する部分とに、形成される。第２隙間２３は、図示されないが、平面視において、略碁盤目形状を有している。また、第２隙間２３において、その下端部における開口断面形状および開口断面積と、上端部における開口断面および開口断面積とは、同一である。
なお、上記した蛍光体層２６の切断によって、周側面５に形成される蛍光体層２６の幅Ｗ３が所望寸法に調節される。つまり、周側面５に形成される蛍光体層２６の切断では、蛍光体層２６の幅Ｗ３が所定の寸法となるように、蛍光体層２６を外形加工する。周側面５に形成される蛍光体層２６の幅Ｗ３は、例えば、５０μｍ以上、好ましくは、１００μｍ以上であり、また、例えば、２，０００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下である。蛍光体層２６の幅Ｗ３は、厚み方向にわたって、同一である。
第２隙間２３の幅Ｗ２は、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、２００μｍ以上であり、また、例えば、２，０００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下である。第２隙間２３の幅Ｗ２は、厚み方向にわたって、同一である。

これによって、蛍光体層２６が、複数の光半導体素子１の発光面４および周側面５を被覆するパターンで、複数の光半導体素子１に対応して、複数形成される。複数の蛍光体層２６のそれぞれは、下方に向かって開放される、断面略Ｕ字形状を有している。
３． 光反射シート充填工程
図４Ｄに示すように、光反射シート充填工程を、蛍光体層形成工程（図４Ｂおよび図４Ｃ）の後に実施する。
光反射シート充填工程では、光反射シート１１（図４Ｃ参照）を第２隙間２３に充填する。
光反射シート１１は、第１実施形態の光反射シート１１と同一である。
具体的には、光反射部材１３、仮固定シート２、光半導体素子１および蛍光体層２６を、光反射シート１１と蛍光体層２６とが対向するように、プレス機にセットして、それらを、例えば、熱プレスする。
このプレスによって、光反射シート１１（光反射組成物）が第２隙間２３に充填される。これによって、光反射組成物（光反射シート１１）からなる光反射層１４が、第２隙間２３に充填された形状で、形成される。なお、光反射層１４において、第２隙間２３に充填された部分は、第３充填部分３７である。
光反射層１４（第３充填部分３７）は、光半導体素子１の周側面５に形成される蛍光体層２６の周側面２９を被覆している。また、光反射層１４は、光半導体素子１の発光面４に形成される蛍光体層２６の上面２７に、被覆して付着している。光反射層１４において、蛍光体層２６の上面２７に付着する部分は、第２付着部分３１である。また、光反射層１４は、平坦な上面１５を有している。
光反射層１４の上面１５において、第２付着部分３１と、第３充填部分３７の上に位置する部分とは、前後方向および左右方向に面一である。
第２付着部分３１の厚みＴ２は、例えば、１μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、さらには２００μｍ以下である。
その後、図４Ｄの矢印で示すように、剥離シート１２を光反射層１４から剥離する。具体的には、剥離シート１２を、光反射層１４の上面１５から引き剥がす。
そうすると、光反射層１４の上面１５が露出する。これによって、複数の光半導体素子１と、光半導体素子１の発光面４および周側面５に形成された蛍光体層２６と、第３充填部分３７および第２付着部分３１を有する光反射層１４とを備える光反射層および蛍光体層付光半導体素子３０を、光半導体素子１の電極面３が仮固定シート２に仮固定された状態で、得る。
４． 第２付着部分除去工程
図５Ｅに示すように、第２付着部分除去工程を、光反射シート充填工程（図４Ｄ参照）の後に実施する。
第２付着部分除去工程では、第２付着部分３１を、除去する。
このとき、光反射層１４において、第３充填部分３７の上に位置する部分も、第２付着部分３１とともに、除去される。すなわち、光反射層１４において、前後方向および左右方向に投影したときに、蛍光体層２６の上面２７より上に位置する部分３６（上層部分３６）が、除去される。
第２付着部分３１を除去する方法は、第１実施形態において例示した第１付着部分１７を除去する方法と同一である。具体的には、（１）感圧接着シート１８を用いる方法、例えば、図示しないが、（２）溶媒を用いる方法、例えば、図示しないが、（３）研磨部材を用いる方法が採用される。
（１）の方法では、まず、感圧接着シート１８を用いて、光反射層１４における第２付着部分３１を除去した後、光反射層１４に含有される樹脂が熱硬化性樹脂（Ｂステージの熱硬化性樹脂）である場合には、光反射層１４を、加熱して硬化（完全硬化）させる。
（２）の方法では、溶媒、および感圧接着シート１８が併用される。
つまり、（２）の方法では、まず、光反射層１４に含有される樹脂が熱硬化性樹脂（Ｂステージの熱硬化性樹脂）である場合には、光反射層１４を、加熱して硬化（完全硬化）させる。
この方法では、次いで、上記溶媒を布に吸収させ、その布によって、硬化した光反射層１４の上面１５を拭く。なお、この溶媒によって、光反射層１４の上面１５を拭いても、第２付着部分３１が残存する。
その後、残存する第２付着部分３１を（１）で説明した感圧接着シート１８を用いて除去する。
（３）の方法では、研磨部材による上面１５の研磨のタイミングは、樹脂が熱硬化性樹脂（Ｂステージの熱硬化性樹脂）である場合には、光反射層１４の硬化の前後のいずれであってもよい。
そして、光反射層１４の上層部分３６の除去によって、第３充填部分３７の上面１５は、蛍光体層２６の上面２７と、前後方向および左右方向に面一となる。つまり、光反射層１４から露出する蛍光体層２６の上面２７と、光反射層１４の第３充填部分３７の上面１５とは、同一平面を形成する。
５． 切断工程
図５Ｆに示すように、切断工程を、第２付着部分除去工程（図５Ｅ参照）の後に実施する。
切断工程では、互いに隣接する光半導体素子１の間において、光反射層１４を切断する。具体的には、第３充填部分３７（図５Ｅ参照）を切断する。光反射層１４を切断する方法は、第１実施形態のそれと同一である。なお、切断溝２０は、図５Ｆでは、図示されないが、感圧接着剤層９にも形成されていてもよい。その場合には、切断溝２０の下端部は、感圧接着剤層９の厚み方向途中に到達する。つまり、光反射層１４および感圧接着剤層９の両方に、切断溝２０が切り込まれている。
光反射層１４（第３充填部分３７）には、互いに隣接する光半導体素子１の間において、前後方向および左右方向に沿って整列する切断溝２０が形成される。
６． 剥離工程
図５Ｇに示すように、剥離工程を、切断工程（図５Ｆ参照）の後に実施する。
剥離工程では、まず、図５Ｇの下向き矢印で示すように、支持板８を感圧接着剤層９から剥離する。これによって、前後方向および左右方向に互いに間隔（幅Ｗ１）を隔てて整列配置された複数の光反射層および蛍光体層付光半導体素子３０が、感圧接着剤層９に支持された状態で、得られる。
その後、図５Ｇの上向き矢印で示すように、光反射層および蛍光体層付光半導体素子３０を感圧接着剤層９から剥離する。光反射層および蛍光体層付光半導体素子３０を感圧接着剤層９から剥離する方法は、第１実施形態において例示した方法と同一である。
これによって、１つの光半導体素子１と、光半導体素子１の発光面４および周側面５を被覆する蛍光体層２６と、蛍光体層２６の周側面２９を被覆する光反射層１４とを備える光反射層および蛍光体層付光半導体素子３０を得る。好ましくは、光反射層および蛍光体層付光半導体素子３０は、光半導体素子１と、蛍光体層２６と、光反射層１４とのみからなる。
光反射層および蛍光体層付光半導体素子３０では、光反射層１４の側面３２が側方に露出し、蛍光体層２６の上面２７と、上面２７の周囲に位置する光反射層１４の上面１５とが、上側に露出し、電極６の下面が下側に露出している。蛍光体層２６の上面２７は、光反射層１４の上面１５と面一となる。
この光反射層および蛍光体層付光半導体素子３０は、光半導体装置６０（図６参照）ではなく、つまり、光半導体装置６０に備えられる基板５０を含まない。つまり、光反射層および蛍光体層付光半導体素子３０は、電極６が、基板５０に設けられる端子５１と電気的に接続されていない。さらに、光反射層および蛍光体層付光半導体素子３０は、光半導体装置６０の一部品、すなわち、光半導体装置６０を作製するための部品であり、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。
７． 光半導体装置の製造
その後、図６に示すように、光反射層および蛍光体層付光半導体素子３０の電極６を、基板５０の上面に設けられた端子５１に電気的に接続する。具体的には、光反射層および蛍光体層付光半導体素子３０を基板５０にフリップチップ実装する。
これによって、光反射層および蛍光体層付光半導体素子３０と、基板５０とを備える光半導体装置６０を得る。つまり、光半導体装置６０は、基板５０と、基板５０に実装される光半導体素子１と、光半導体素子１の発光面４および周側面５を被覆する蛍光体層２６と、蛍光体層２６の周側面２９を被覆する光反射層１４とを備える。光半導体装置６０は、好ましくは、基板５０と、光半導体素子１と、蛍光体層２６と、光反射層１４とのみからなる。また、光半導体装置６０では、蛍光体層２６および光反射層１４が、基板５０に接触している。
８． 第２実施形態の作用効果
この方法によれば、図５Ｅに示すように、蛍光体層２６の上面２７に付着する光反射層１４、つまり、第２付着部分３１を除去するので、複数の光半導体素子１の発光面４から発光され、蛍光体層２６によって波長変換された光を蛍光体層２６の上面２７から効率的に取り出すことができる。
また、この方法によれば、図４Ｂに示すように、蛍光体シート２４を第１隙間１０に簡便に充填し、次いで、図４Ｃに示すように、第２隙間２３を簡単に形成することができる。
また、この方法によれば、図４Ａに示す蛍光体シート２４は、厚み方向に投影したときに複数の光半導体素子１を含むように、前後方向および左右方向に連続する形状を有しているので、図４Ｂに示すように、蛍光体シート２４を第１隙間１０に簡便に充填することができる。
９． 変形例
第２実施形態の「４． 第２付着部分除去工程」における（１）の方法では、まず、感圧接着シート１８を用いて、光反射層１４における第２付着部分３１を除去した後、光反射層１４に含有される樹脂が熱硬化性樹脂（Ｂステージの熱硬化性樹脂）である場合には、光反射層１４を、加熱して硬化（完全硬化）させている。しかし、例えば、まず、光反射層１４を加熱して硬化（完全硬化）させ、その後、感圧接着シート１８を用いて、光反射層１４における第２付着部分３１を除去することもできる。
第２実施形態の「４． 第２付着部分除去工程」における（２）の方法では、溶媒、および感圧接着シート１８を併用している。しかし、溶媒により、光反射層１４における第２付着部分３１を十分に除去できる場合には、溶媒のみによって、光反射層１４における第２付着部分３１を除去することもできる。
第２実施形態では、蛍光体層形成工程を、図４Ａに示すように、蛍光体シート２４を用いて実施しているが、例えば、蛍光体シート２４を用いず、蛍光組成物のワニスを、第１隙間１０に対して、ポッティングすることによって、図４Ｂに示すような、前後方向および左右方向において連続する形状を有する蛍光体層２６を形成することができる。その後、図４Ｃに示すように、蛍光体層２６を切断する。
第２実施形態では、図４Ｃに示すように、光反射シート１１を、剥離シート１２の下面全面において、前後方向および左右方向に連続する層（平板）形状を有しているが、図７に示すように、第２隙間２３に対応するパターン形状を有することもできる。
光反射シート１１には、開口部２１が複数形成されている。
開口部２１は、厚み方向に投影したときに、蛍光体層２６の外形形状と同一の形状を有している。光反射シート１１は、厚み方向に投影したときに、第２隙間２３の形状と同一の形状を有している。
この変形例においても、光反射シート充填工程では、図４Ｄに示すように、光反射層１４が、蛍光体層２６の上面２７に付着して、第２付着部分３１を形成する。
一方、第２実施形態における図４Ｃに示す光反射シート１１は、変形例における図７に示す光反射シート１１に比べて、第２付着部分３１を生じ易く、つまり、本発明の課題を生じ易い。
また、第２実施形態では、図５Ｅおよび図５Ｆに示すように、第２付着部分除去工程（図５Ｅ参照）の後に、切断工程（図５Ｆ参照）を実施している。しかし、例えば、切断工程（図５Ｆ参照）の後に、第２付着部分除去工程（図５Ｅ参照）を実施することもできる。
好ましくは、図５Ｅおよび図５Ｆに示すように、第２付着部分除去工程（図５Ｅ参照）の後に、切断工程（図５Ｆ参照）を実施する（第２実施形態）。
一方、変形例のように、切断工程（図５Ｆ参照）の後に、付着部分除去工程（図５Ｅ参照）を、「（１）感圧接着シート１８を用いる方法」および／または「（３）研磨部材を用いる方法」により実施すれば、切断工程によって形成された切断溝２０に、感圧接着シート１８の感圧接着剤、および／または、研磨部材が入り込み、第３充填部分３７（蛍光体層２６の周側面２９を被覆する光反射層１４）が、感圧接着シート１８、および／または、研磨部材によって除去されるおそれがある。他方、第２実施形態であれば、上記したおそれを解消できる。
また、切断工程（図５Ｆ参照）の後に、第２付着部分除去工程（図５Ｅ参照）を、「（２）溶媒を用いる方法」により実施すれば、切断工程によって形成された切断溝２０に、溶媒が入り込み、残存するおそれがあり、また、そのため、溶媒を除去する工程が別途必要となる。他方、第２実施形態であれば、上記したおそれを解消できる。
また、例えば、光反射シート充填工程において、Ｂステージ（半硬化）状態の、第２付着部分３１を含む光反射層１４を形成する際に、光反射シート１１の充填温度と時間とを制御することにより、を形成した後、第２付着部分除去工程を実施し、その後、光反射層１４をＣステージ（完全硬化）させることもできる。この場合には、第２付着部分除去工程では、好ましくは、「（２）溶媒を用いる方法」が採用される。具体的には、Ｂステージの光反射シート１１の硬度を、例えば、９５以上、９９以下に設定する。硬度の測定は、上記と同一である。光反射シート１１の充填温度および充填時間は、上記と同一である。「（２）溶媒を用いる方法」により第１付着部分１７を除去するとき（後述）、第１付着部分１７を確実に除去することができる。
第２実施形態において、図５Ｇに示すように、剥離工程を実施しているが、剥離工程を実施しなくてもよい。つまり、図５Ｆに示すように、個片化された１つの光半導体素子１と、光反射層１４と、蛍光体層２６とを備え、仮固定シート２（支持板８および感圧接着剤層９）に支持された状態の複数の光反射層付光半導体素子１６も、光半導体装置６０を作製するための部品であり、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスとして用いられる。
さらに、図５Ｇの実線で示されるように、剥離工程における支持板８のみを除去することもできる。つまり、感圧接着剤層９のみに支持された状態の複数の光反射層付光半導体素子１６も、光半導体装置６０を作製するための部品であり、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスとして用いられる。
＜第３実施形態＞
第３実施形態において、第１〜第２実施形態と同じ部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
本発明の第３実施形態（光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法の他の実施形態）は、仮固定工程（図８Ａ参照）と、蛍光体シート積層工程（図８Ｂ参照）と、光反射シート充填工程（図８Ｃ参照）と、第２付着部分除去工程（図９Ｄ参照）と、切断工程（図９Ｅ参照）と、剥離工程（図９Ｆ参照）とを備える。
１．蛍光体シート積層工程
図８Ｂに示すように、蛍光体シート積層工程を、仮工程（図８Ａ参照）の後に実施する。
蛍光体シート積層工程では、図８Ａに示すように、まず、厚み方向に投影したときに複数の光反射シート１１の発光面４に対応するパターンを有する蛍光体シート２４を用意する。
蛍光体シート２４は、厚み方向に投影したときに、第１隙間１０と同一パターンを有する第２開口部３８を有する。これにより、蛍光体シート２４は、第２開口部３８により仕切られており、光反射シート１１の発光面４と同一寸法およびパターン形状を有する。
また、蛍光体シート２４は、蛍光体セラミックプレートから調製されていてもよい。その際には、蛍光体部材２５は、蛍光体シート２４のみからなっており、蛍光体部材２５は、剥離シート１２（図８Ａの仮想線参照）を備えなくてもよい。
次いで、蛍光体シート積層工程では、図８Ｂに示すように、蛍光体シート２４を、発光面４に積層する。
これにより、蛍光体シート２４は、光半導体素子１の発光面４を被覆する蛍光体層２６として形成される。また、第２隙間２３が、光半導体素子１の第１隙間１０と、第１隙間１０の上側に連通し、蛍光体層２６の第２開口部３８（図８Ａ参照）とから形成される。蛍光体層２６の周側面２９と、光半導体素子１の周側面５とは、ともに、第２隙間２３に面しており、厚み方向に面一に形成されている。
２．光反射シート充填工程
図８Ｃに示すように、光反射シート充填工程を、蛍光体シート積層工程（図８Ｂ参照）の後に実施する。
光反射シート充填工程では、光反射シート１１（図８Ｂ参照）を第２隙間２３に充填する。
これによって、光反射層１４は、光半導体素子１の周側面５と、蛍光体層２６の周側面２９とに連続して被覆する第３充填部分３７を有している。また、光反射層１４は、蛍光体層２６の上面２７に被覆して付着しており、第２付着部分３１とを有している。さらに、光反射層１４は、光半導体素子１の電極面３において、電極６から露出する面も被覆する。
３．第２付着部分除去工程、切断工程および剥離工程
その後、図９Ｄに示す第２付着部分除去工程と、図９Ｅに示す切断工程と、図９Ｆに示す剥離工程とを順に実施する。
これにより、図９Ｆの仮想線で示すように、光半導体素子１の発光面４を被覆する蛍光体層２６と、蛍光体層２６の周側面２９、および、光半導体素子１の周側面５を被覆する光反射層１４とを備える光反射層および蛍光体層付光半導体素子３０を得る。
その後、図１０に示すように、光反射層および蛍光体層付光半導体素子３０の電極６を、基板５０の端子５１に電気的に接続する。これにより、基板５０と、基板５０に実装される光半導体素子１と、光半導体素子１の発光面４を被覆する蛍光体層２６と、蛍光体層２６の周側面２９、および、光半導体素子１の周側面５を被覆する光反射層１４とを備える光半導体装置６０を得る。
４．第３実施形態の作用効果
この方法によれば、図９Ｆに示すように、光反射層１４を複数の光半導体素子１の周側面５に形成するので、光半導体素子１の周側面５から発光された光を光反射層１４によって効率的に反射させることができる。
＜第４実施形態＞
第４実施形態において、第１〜第３実施形態と同じ部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第２実施形態では、図４Ｂに示すように、「２． 蛍光体層形成工程」において、径方向内側から外側に向かうに従って、同一刃厚Ｔ４を有する第２ダイシングソー（ダイシングブレード）２８を用いて、蛍光体層２６を切断する。
しかし、第４実施形態では、図１１Ｂに示すように、径方向内側から外側に向かうに従って刃厚が狭くなる第２ダイシングソー（ダイシングブレード）４３を用いて、蛍光体層２６を切断する。
本発明の第４実施形態（光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法の一実施形態）は、仮固定工程（図１１Ａ参照）と、蛍光体層形成工程（図１１Ａ〜図Ｃ参照）と、光反射シート充填工程（図１１Ｄ参照）と、第２付着部分除去工程（図１２Ｅ参照）と、切断工程（図１２Ｆ参照）と、剥離工程（図１２Ｇ参照）とを備える。第２実施形態と異なる工程を説明する。
１．蛍光体層形成工程
蛍光体層形成工程は、蛍光体層２６を複数の光半導体素子１の発光面４および周側面５に形成する工程（１）（図１１Ａ参照）、複数の光半導体素子１および蛍光体層２６を第２固定シート４０に転写する工程（２）（図１１Ｂ参照）、および、第２固定シート４０に支持された蛍光体層２６を切断する工程（３）（図１１Ｃ参照）を備える。蛍光体層形成工程では、工程（１）、工程（２）および工程（３）を順次実施する。
１−１．工程（１）
図１１Ａに示すように、工程（１）は、第２実施形態における「蛍光体層形成工程」（図４Ｂおよび図４Ｃ参照）と同一である。
１−２．第２工程（２）
図１１Ｂに示すように、第２固定シート４０は、第２支持板４１と、第２支持板４１の上に配置される第２感圧接着剤層４２とを備える。第２固定シート４０は、複数の光半導体素子１および蛍光体層２６を仮固定シート２から転写される転写シートである。
第２支持板４１および第２感圧接着剤層４２のそれぞれは、第２実施形態で例示した支持板８および感圧接着剤層９のそれぞれと同一である。
複数の光半導体素子１および蛍光体層２６を第２固定シート４０に転写するには、図１１Ａに示すように、まず、複数の光半導体素子１および蛍光体層２６の上側に、第２固定シート４０を配置する。第２固定シート４０において、第２感圧接着剤層４２は、蛍光体層２６に向かっている。
次いで、図１１Ａの矢印で示すように、第２固定シート４０を蛍光体層２６に近接させて、第２感圧接着剤層４２と蛍光体層２６とを接触させる。その後、複数の光半導体素子１および蛍光体層２６を感圧接着剤層９（仮固定シート２）から剥離する。
これによって、図１１Ｂに示すように、複数の光半導体素子１および蛍光体層２６は、仮固定シート２から第２固定シート４０に転写される。これにより、複数の光半導体素子１および蛍光体層２６が、第２固定シート４０に支持された状態で得られる。光半導体素子１における電極６および電極側面３は、上側に向かう。また、電極６は、上側に露出している。一方、発光面４は、下側に向かっている。
１−３．工程（３）
図１１Ｃに示すように、工程（３）では、蛍光体層２６を、第２ダイシングソー（ダイシングブレード）４３を用いて、蛍光体層２６（第２充填部分３５）を切断する。
第２ダイシングソー４３は、中心から径方向外側に向かって刃厚が次第に狭くなる形状を有する。また、第２ダイシングソー４３は、径方向外側に向かって幅狭となるテーパー面を有する。また、第２ダイシングソー４３は、断面略Ｖ字形状を有する。第２ダイシングソー４３のテーパー面の、径方向に沿う仮想面に対する角度αは、例えば、１０度以上、好ましくは、３０度以上であり、また、例えば、６０度以下、好ましくは、８０度以下である。
工程（３）では、まず、第２ダイシングソー４３を蛍光体層２６の上側に配置し、続いて、第２ダイシングソー４３を下降させて、第２ダイシングソー４３の先端部（径方向外端部）を蛍光体層２６の上面に接触させる。続いて、第２ダイシングソー４３の先端部を、蛍光体層２６の厚み方向全部を貫通して、さらに、第２感圧接着剤層４２に接触するまで、下降させる。続いて、第２ダイシングソー４３を前後方向および左右方向に移動させる。
これによって、下側に向かうに従って、開口断面積が小さくなる第２隙間２３が形成される。第２隙間２３は、第２ダイシングソー４３のテーパー面に対応する形状を有する。
つまり、第２隙間２３は、開口断面積が下側に向かうに従って小さくなる形状を有する。具体的には、第２隙間２３は、断面視において、厚み方向に沿って延びる２つの対向辺間の間隔が下側に向かうに従って狭くなる形状を有する。詳しくは、第２隙間２３は、下側に向かって尖る断面略三角形状を有する。
また、第２隙間２３は、蛍光体層２６の厚み方向を貫通する。さらに、第２隙間２３の下端部は、図１１Ｃの部分拡大図に示すように、第２感圧接着剤層４２の厚み方向途中に到達していてもよい。つまり、蛍光体層２６および第２感圧接着剤層４２の両方に、第２隙間２３が切り込まれていてもよい。
そのため、蛍光体層２６の周側面２９は、上側（電極６側）に向かうに従って左右方向内側（隣接する光半導体素子１の間における光半導体素子１側）に傾斜するテーパー面である。
隣接する光半導体素子１の周側面２９の下端部間の距離（幅）Ｗ４は、例えば、５０μｍ以上、好ましくは、１００μｍ以上であり、また、例えば、６００μｍ以下、好ましくは、４００μｍ以下である。
２．光反射シート充填工程
図１１Ｄに示すように、光反射シート充填工程では、光反射シート１１（図１１Ｃ参照）を第２隙間２３に充填する。
光反射層１４において、第２隙間２３に充填された部分である第３充填部分３７は、第２隙間２３と同一形状（下底より長い上底を有する断面略台形状）を有する。また、光反射層１４は、電極側面３に対向する蛍光体層２６の上面２７に付着する第２付着部分３１を有する。
３．第２付着部分除去工程、切断工程および剥離工程
その後、図１２Ｅに示す第２付着部分除去工程と、図１２Ｆに示す切断工程と、図１２Ｇに示す剥離工程とを順に実施する。
これによって、複数の光半導体素子１と、光半導体素子１の電極側面３、発光面４および周側面５を被覆する蛍光体層２６と、蛍光体層２６の周側面２９を被覆する光反射層１４とを備える、光反射層および蛍光体層付光半導体素子３０が、第２固定シート４０に仮固定された状態で得られる。
これによって、１つの光半導体素子１と、光半導体素子１の電極側面３、発光面４および周側面５を被覆する蛍光体層２６と、蛍光体層２６の周側面２９を被覆する光反射層１４とを備える光反射層および蛍光体層付光半導体素子３０を得る。好ましくは、光反射層および蛍光体層付光半導体素子３０は、光半導体素子１と、蛍光体層２６と、光反射層１４とのみからなる。
光反射層および蛍光体層付光半導体素子３０では、光反射層１４の側面３２は、側方に露出している。蛍光体層２６の上面２７と、上面２７の周囲に位置する光反射層１４の上面１５と、電極６とは、上側に露出しており、それらは、面一である。また、蛍光体層２６の下面と、光反射層１４の下面とは、下側に露出しており、それらは、面一である。
光反射層１４の内側面は、蛍光体層２６の周側面２９に対応するテーパー面である。光反射層１４の外側面３２は、厚み方向に沿う垂直面である。光反射層１４の上端部（光半導体素子１の電極側面３側端部）の幅Ｗ５は、蛍光体層２６の厚みをＴ５とした場合に、下記式で表される。
Ｗ５＝（Ｔ５×ｔａｎα）＋Ｗ６
（αは、蛍光体層２６の周側面（外面）２９と、光反射層１４の周側面（外面）との成す角度α（図１３参照）であり、上記した第２ダイシングソー４３（図１１Ｂ参照）のテーパー面の、径方向に沿う仮想面に対する角度αと同一である。Ｗ６は、光反射層１４の下端部の幅であり、光半導体素子１の発光面４側端部の幅である。）
具体的には、光反射層１４の上端部の幅Ｗ５は、例えば、２５μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。
４． 光半導体装置の製造
その後、図１３に示すように、光反射層および蛍光体層付光半導体素子３０の電極６を、基板５０の上面に設けられた端子５１に電気的に接続する。具体的には、光反射層および蛍光体層付光半導体素子３０を基板５０にフリップチップ実装する。
これによって、光反射層および蛍光体層付光半導体素子３０と、基板５０とを備える光半導体装置６０を得る。つまり、光半導体装置６０は、基板５０と、基板５０に実装される光半導体素子１と、光半導体素子１の電極側面３、発光面４および周側面５を被覆する蛍光体層２６と、蛍光体層２６の周側面２９を被覆する光反射層１４とを備える。光半導体装置６０は、好ましくは、基板５０と、光半導体素子１と、蛍光体層２６と、光反射層１４とのみからなる。また、光半導体装置６０では、蛍光体層２６および光反射層１４が、基板５０に接触している。
５． 第４実施形態の作用効果
この方法によれば、図１１Ｂおよび図１１Ｃに示すように、第２ダイシングソー（ダイシングブレード）４３を用いて、蛍光体層２６を切断して、下底より長い上底を有する断面略台形状を有する第２隙間２３を形成し、図１１Ｄに示すように、第２隙間２３に、光反射層１４の第３充填部分３７を形成する。これによって、光反射層１４の内側面を、容易にテーパー面とすることができる。
また、この光反射層および蛍光体層付光半導体素子３０では、光反射層１４の内側面が上記したテーパー面であるので、輝度を向上させることができる。
６． 第４実施形態の変形例
第４実施形態では、図１１Ｂおよび図１１Ｃに示すように、第２ダイシングソー（ダイシングブレード）４３を用いて、蛍光体層２６を切断している。しかし、下底より長い上底を有する断面略台形状を有する第２隙間２３を形成できれば、上記に限定されず、例えば、ウォータジェットを用いることもできる。
１ 光半導体素子
２ 仮固定シート
３ 電極面（光半導体素子）
４ 発光面（光半導体素子）
５ 周側面（光半導体素子）
６ 電極
７ 発光層
１０ 第１隙間
１１ 光反射シート
１４ 光反射層
１６ 光反射層付光半導体素子
１７ 第１付着部分
２３ 第２隙間
２４ 蛍光体シート
２６ 蛍光体層
２７ 上面（蛍光体層）
２９ 周側面（蛍光体層）
３０ 光反射層および蛍光体層付光半導体素子
３１ 第２付着部分

Claims (6)

  1. 電極が設けられる電極面、前記電極面に対向し、発光層が設けられる発光面、および、前記電極面と前記発光面との周端縁を連結する連結面を有する複数の光半導体素子の前記電極面を、仮固定シートに互いに間隔を隔てて仮固定する工程と、
    蛍光体層を、互いに隣接する前記光半導体素子の間に第２隙間が形成されるように、前記複数の光半導体素子の前記発光面に形成する工程と、
    光反射シートを前記第２隙間に充填して、光反射層を、前記第２隙間に面する前記蛍光体層の側面に形成する工程と、
    前記蛍光体層の表面に付着する前記光反射層を除去する工程と、
    互いに隣接する前記蛍光体層の間において、前記光反射層を切断する工程と
    を備え、
    前記蛍光体層を形成する工程は、
    厚み方向に投影したときに前記複数の光半導体素子を含むように、前記厚み方向に対する直交方向に連続する形状を有する蛍光体シートを、互いに隣接する前記光半導体素子の第１隙間に充填する工程と、
    互いに隣接する前記光半導体素子の間において、前記蛍光体層を、前記第２隙間が形成されるように、切断する工程と
    を備えることを特徴とする、光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法。
  2. 前記蛍光体層を形成する工程では、前記複数の光半導体素子の前記連結面にも形成することを特徴とする、請求項１に記載の光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法。
  3. 電極が設けられる電極面、前記電極面に対向し、発光層が設けられる発光面、および、前記電極面と前記発光面との周端縁を連結する連結面を有する複数の光半導体素子の前記電極面を、仮固定シートに互いに間隔を隔てて仮固定する工程と、
    蛍光体層を、互いに隣接する前記光半導体素子の間に第２隙間が形成されるように、前記複数の光半導体素子の前記発光面に形成する工程と、
    光反射シートを前記第２隙間に充填して、光反射層を、前記第２隙間に面する前記蛍光体層の側面に形成する工程と、
    前記蛍光体層の表面に付着する前記光反射層を除去する工程と、
    互いに隣接する前記蛍光体層の間において、前記光反射層を切断する工程と
    を備え、
    前記蛍光体層を形成する工程では、厚み方向に投影したときに前記複数の光半導体素子の前記発光面に対応するパターンを有する蛍光体シートを、前記複数の光半導体素子の前記発光面に配置し、
    前記光反射層を形成する工程では、前記複数の光半導体素子の前記連結面に形成することを特徴とする、光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法。
  4. 前記蛍光体層を形成する工程では、前記複数の光半導体素子の前記連結面にも形成することを特徴とする、請求項３に記載の光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法。
  5. 電極が設けられる電極面、前記電極面に対向し、発光層が設けられる発光面、および、前記電極面と前記発光面との周端縁を連結する連結面を有する複数の光半導体素子の前記電極面を、仮固定シートに互いに間隔を隔てて仮固定する工程と、
    蛍光体層を、互いに隣接する前記光半導体素子の間に第２隙間が形成されるように、前記複数の光半導体素子の前記発光面に形成する工程と、
    光反射シートを前記第２隙間に充填して、光反射層を、前記第２隙間に面する前記蛍光体層の側面に形成する工程と、
    前記蛍光体層の表面に付着する前記光反射層を除去する工程と、
    互いに隣接する前記蛍光体層の間において、前記光反射層を切断する工程と
    を備え、
    前記光反射シートは、前記光反射シートの厚み方向に投影したときに前記複数の光半導体素子を含むように、前記厚み方向に対する直交方向に連続する形状を有していることを特徴とする、光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法。
  6. 前記蛍光体層を形成する工程では、前記複数の光半導体素子の前記連結面にも形成することを特徴とする、請求項５に記載の光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法。
JP2016043581A 2015-03-16 2016-03-07 光反射層付光半導体素子、および、光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法 Active JP6762736B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020177025605A KR102541533B1 (ko) 2015-03-16 2016-03-10 광 반사층 부착 광 반도체 소자, 및 광 반사층 및 형광체층 부착 광 반도체 소자의 제조 방법
PCT/JP2016/057597 WO2016148019A1 (ja) 2015-03-16 2016-03-10 光反射層付光半導体素子、および、光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法
CN202110035694.2A CN112736183A (zh) 2015-03-16 2016-03-10 带光反射层或带其和荧光体层的光半导体元件的制造方法
US15/556,020 US10424703B2 (en) 2015-03-16 2016-03-10 Method of producing an optical semiconductor device
EP16764849.2A EP3273491B1 (en) 2015-03-16 2016-03-10 Optical semiconductor element with light reflecting layer and phosphor layer
CN201680016213.0A CN107431115A (zh) 2015-03-16 2016-03-10 带光反射层的光半导体元件的制造方法、带光反射层和荧光体层的光半导体元件的制造方法
TW105108133A TW201640705A (zh) 2015-03-16 2016-03-16 附光反射層之光半導體元件、以及附光反射層及螢光體層之光半導體元件之製造方法
US16/523,627 US10923639B2 (en) 2015-03-16 2019-07-26 Method for producing an optical semiconductor device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015052523 2015-03-16
JP2015052523 2015-03-16

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2016174148A JP2016174148A (ja) 2016-09-29
JP2016174148A5 JP2016174148A5 (ja) 2019-04-18
JP6762736B2 true JP6762736B2 (ja) 2020-09-30

Family

ID=57009272

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016043581A Active JP6762736B2 (ja) 2015-03-16 2016-03-07 光反射層付光半導体素子、および、光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US10424703B2 (ja)
EP (1) EP3273491B1 (ja)
JP (1) JP6762736B2 (ja)
KR (1) KR102541533B1 (ja)
CN (2) CN107431115A (ja)
TW (1) TW201640705A (ja)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6762736B2 (ja) * 2015-03-16 2020-09-30 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 光反射層付光半導体素子、および、光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法
CN107994109A (zh) * 2016-10-27 2018-05-04 佛山市国星光电股份有限公司 一种cob显示模组及其制造方法
JP6776859B2 (ja) 2016-12-09 2020-10-28 日本電気硝子株式会社 波長変換部材の製造方法、波長変換部材及び発光デバイス
TWI630732B (zh) * 2016-12-30 2018-07-21 光寶光電（常州）有限公司 螢光粉片供應模組、發光二極體封裝結構及其製造方法
TW201911610A (zh) 2017-07-27 2019-03-16 美商羅門哈斯電子材料有限公司 聚矽氧組合物及控制光之物件
JP7037030B2 (ja) * 2017-07-31 2022-03-16 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US10361349B2 (en) 2017-09-01 2019-07-23 Cree, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
JP6627838B2 (ja) * 2017-09-29 2020-01-08 日亜化学工業株式会社 透光性シートの製造方法
US11355548B2 (en) * 2017-12-20 2022-06-07 Lumileds Llc Monolithic segmented LED array architecture
CN109282178B (zh) * 2018-08-24 2022-02-08 京东方科技集团股份有限公司 灯条及其制备方法、显示装置
DE102018127521A1 (de) * 2018-11-05 2020-05-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
JP6933817B2 (ja) 2019-04-05 2021-09-08 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
CN112820205B (zh) * 2019-11-15 2023-01-31 成都辰显光电有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
WO2023076349A1 (en) * 2021-10-29 2023-05-04 Lumileds Llc Patterned deposition mask formed using polymer dispersed in a liquid solvent

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6785447B2 (en) * 1998-10-09 2004-08-31 Fujitsu Limited Single and multilayer waveguides and fabrication process
JP2001274528A (ja) * 2000-01-21 2001-10-05 Fujitsu Ltd 薄膜デバイスの基板間転写方法
JP5388167B2 (ja) * 2008-09-08 2014-01-15 日東電工株式会社 光半導体素子封止用シート及びそれを用いてなる光半導体装置
JP5689225B2 (ja) 2009-03-31 2015-03-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
US8704258B2 (en) * 2009-06-26 2014-04-22 Asahi Rubber Inc. White color reflecting material and process for production thereof
JP2011029504A (ja) * 2009-07-28 2011-02-10 Toshiba Corp 実装構造体
WO2011093454A1 (ja) * 2010-01-29 2011-08-04 シチズン電子株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
JP5886584B2 (ja) * 2010-11-05 2016-03-16 ローム株式会社 半導体発光装置
KR20120061376A (ko) * 2010-12-03 2012-06-13 삼성엘이디 주식회사 반도체 발광 소자에 형광체를 도포하는 방법
CN102593307A (zh) * 2011-01-07 2012-07-18 钰桥半导体股份有限公司 发光二极管光学反射结构
CN102694103B (zh) * 2011-03-25 2015-07-08 展晶科技(深圳)有限公司 Led封装结构
JP5670249B2 (ja) * 2011-04-14 2015-02-18 日東電工株式会社 発光素子転写シートの製造方法、発光装置の製造方法、発光素子転写シートおよび発光装置
JP5700544B2 (ja) * 2011-04-14 2015-04-15 日東電工株式会社 発光ダイオード装置の製造方法
JP5745319B2 (ja) * 2011-04-14 2015-07-08 日東電工株式会社 蛍光反射シート、および、発光ダイオード装置の製造方法
JP6029262B2 (ja) * 2011-04-26 2016-11-24 日本メクトロン株式会社 フレキシブル回路体
JP5840388B2 (ja) * 2011-06-01 2016-01-06 日東電工株式会社 発光ダイオード装置
CN102832295A (zh) * 2011-06-14 2012-12-19 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构的制造方法
JP5753446B2 (ja) * 2011-06-17 2015-07-22 株式会社東芝 半導体発光装置の製造方法
JP5910811B2 (ja) 2011-07-27 2016-04-27 日本電気株式会社 スイッチ装置の制御システム、その構成制御装置および構成制御方法
WO2013038304A1 (en) * 2011-09-14 2013-03-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Reflective coating for a light emitting device mount
TWI606618B (zh) * 2012-01-03 2017-11-21 Ｌｇ伊諾特股份有限公司 發光裝置
US9269873B2 (en) * 2012-03-13 2016-02-23 Citizen Holdings Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same
US9735198B2 (en) 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
JP5816127B2 (ja) 2012-04-27 2015-11-18 株式会社東芝 半導体発光装置およびその製造方法
US20140001948A1 (en) * 2012-06-29 2014-01-02 Nitto Denko Corporation Reflecting layer-phosphor layer-covered led, producing method thereof, led device, and producing method thereof
JP6055259B2 (ja) * 2012-10-03 2016-12-27 日東電工株式会社 封止シート被覆半導体素子、その製造方法、半導体装置およびその製造方法
JP6535598B2 (ja) * 2012-11-07 2019-06-26 ルミレッズ ホールディング ベーフェー フィルタ及び保護層を含む発光デバイス
US9490398B2 (en) * 2012-12-10 2016-11-08 Citizen Holdings Co., Ltd. Manufacturing method of light emitting device in a flip-chip configuration with reduced package size
US9055643B2 (en) * 2013-03-13 2015-06-09 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus and methods of forming
CN108922959B (zh) 2013-03-28 2022-07-29 日亚化学工业株式会社 发光装置、及使用发光装置的装置
CN106688115B (zh) * 2014-09-12 2019-06-14 世迈克琉明有限公司 半导体发光元件的制造方法
JP6762736B2 (ja) * 2015-03-16 2020-09-30 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 光反射層付光半導体素子、および、光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法
JP6246879B1 (ja) * 2016-09-20 2017-12-13 株式会社東芝 光半導体モジュール及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP3273491B1 (en) 2021-12-01
CN112736183A (zh) 2021-04-30
JP2016174148A (ja) 2016-09-29
US20180309034A1 (en) 2018-10-25
EP3273491A4 (en) 2019-01-16
KR20170128298A (ko) 2017-11-22
US10923639B2 (en) 2021-02-16
US10424703B2 (en) 2019-09-24
CN107431115A (zh) 2017-12-01
KR102541533B1 (ko) 2023-06-07
US20190348587A1 (en) 2019-11-14
EP3273491A1 (en) 2018-01-24
TW201640705A (zh) 2016-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6762736B2 (ja) 光反射層付光半導体素子、および、光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法
WO2016148019A1 (ja) 光反射層付光半導体素子、および、光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法
JP6354159B2 (ja) 半導体発光素子の製造方法
JP5110229B1 (ja) 樹脂シート積層体、その製造方法およびそれを用いた蛍光体含有樹脂シート付きｌｅｄチップの製造方法
JP5862066B2 (ja) 蛍光体含有シート、それを用いたｌｅｄ発光装置およびその製造方法
JP6287212B2 (ja) 蛍光体含有樹脂シートおよび発光装置
JP2016213451A (ja) 蛍光体層−封止層付光半導体素子の製造方法
TW201401584A (zh) 反射層－螢光體層被覆ｌｅｄ、其製造方法、ｌｅｄ裝置及其製造方法
JP2014022704A (ja) 蛍光体含有樹脂シートと発光装置及びその製造方法
TW201401576A (zh) 密封層被覆半導體元件、其製造方法及半導體裝置
JPWO2017057454A1 (ja) 発光装置の製造方法および表示装置の製造方法
JP2014116587A (ja) 蛍光体含有樹脂シート、これを用いたｌｅｄ素子およびその製造方法
TW201401575A (zh) 密封層被覆半導體元件、其製造方法及半導體裝置
JP5953797B2 (ja) 半導体発光装置の製造方法
JP2011171712A (ja) 半導体ウエハ加工用接着テープ、半導体ウエハ加工用接着テープ付き半導体ウエハの製造方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置
WO2017221606A1 (ja) 蛍光体層付光半導体素子およびその製造方法
JP2013252637A (ja) 蛍光体シート積層体
KR102493235B1 (ko) 투광성 부재의 제조 방법 및 발광 장치의 제조 방법
JP6543564B2 (ja) 被覆光半導体素子の製造方法
WO2016178397A1 (ja) 蛍光体層－封止層付光半導体素子の製造方法
WO2017047246A1 (ja) 封止光半導体素子および発光装置の製造方法
WO2017221608A1 (ja) 蛍光体層シート、および、蛍光体層付光半導体素子の製造方法
US11398587B2 (en) Method of manufacturing light-transmissive sheet
WO2017221607A1 (ja) 蛍光体層付光半導体素子
JP2018049864A (ja) 機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20171222

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20171222

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180329

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20180517

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190305

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190305

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200204

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200427

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200811

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200909

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6762736

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250