JP2018049864A - 機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 機能層が機能を十分に奏することができる、機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法を提供すること。【解決手段】この方法は、電極が設けられる下面１１および下面１１に対向する上面１２を有する光半導体素子１と、光半導体素子１の上面１２を被覆する蛍光体層２と、蛍光体層２の外周面２６を被覆する光反射層３とを備える蛍光体層−光反射層付光半導体素子の製造方法である。この方法は、光半導体素子１と蛍光体層２とを備える蛍光体層付光半導体素子を用意する第１工程と、光反射層３を、蛍光体層２の外周面２６に形成する第２工程と、第２工程において蛍光体層２の上面２４に付着する光反射層を除去する第３工程とを備える。第２工程において蛍光体層の上面に付着する付着部分８の厚みＴが、５０μｍ以下である。第２工程における光反射層の上面の算術平均粗さＲａが、１μｍ以上、１０μｍ以下である。【選択図】図１

Description

本発明は、機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法に関する。

従来、発光素子の側面に、光反射性粒子および透光性樹脂を含有する被覆部材を配置する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特許文献１では、まず、複数の発光素子を基板に対してフリップチップ実装し、その後、ディスペンサ（液体定量吐出装置）により、光反射性粒子を含有する液状の樹脂を複数の発光素子の間にポッティング（滴下）することにより、被覆部材を各発光素子の側面に配置している。

特開２０１０−２３８８４６号公報

しかし、特許文献１の方法では、液状の樹脂の性状および量によって、被覆部材が、発光素子の上面に付着する場合がある。さらに、発光素子の上面に予め機能層を配置する場合があり、その場合にも、被覆部材が機能層の上面に付着するという不具合がある。

そうすると、機能層が所望の機能を十分に奏することができないという不具合がある。

本発明の目的は、機能層が機能を十分に奏することができる、機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法を提供することにある。

本発明（１）は、電極が設けられる下面および前記下面に対向する上面を有する光半導体素子と、前記光半導体素子の前記上面を被覆する機能層と、前記機能層の側面を被覆する被覆層とを備える機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法であり、前記光半導体素子と前記機能層とを備える機能層付光半導体素子を用意する第１工程と、前記被覆層を、前記機能層の前記側面に形成する第２工程と、前記第２工程において前記機能層の前記上面に付着する前記被覆層を除去する第３工程とを備え、前記第２工程において前記機能層の前記上面に付着する前記被覆層の厚みＴが、５０μｍ以下であり、前記第２工程における前記被覆層の前記上面の、ＪＩＳ Ｂ０６０１（２００９）に従って測定される算術平均粗さＲａが、１μｍ以上、１０μｍ以下である、機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

この製造方法によれば、第３工程では、第２工程において機能層の上面に付着する被覆層を除去するので、光半導体素子の上面から発光された光を、機能層が機能を確実に奏しながら、取り出すことができる。

また、第２工程において機能層の上面に付着する被覆層の厚みＴが、５０μｍ以下であるので、第２工程において機能層の上面に付着する被覆層を確実に除去することができる。

また、第２工程における被覆層の上面の、ＪＩＳ Ｂ０６０１（２００９）に従って測定される算術平均粗さＲａが、１μｍ以上、１０μｍ以下であるので、第２工程において機能層の上面に付着する被覆層を確実に除去することができる。

本発明（２）は、前記第３工程で、前記第２工程において前記機能層の前記上面に付着する前記被覆層を、感圧接着シートを用いて、前記機能層の前記上面から引き剥がす、（１）に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

この製造方法によれば、第３工程で、第２工程において機能層の上面に付着する被覆層を、感圧接着シートを用いて、機能層の上面から引き剥がすので、上記した機能層の上面に付着する被覆層を簡易かつ確実に除去することができる。

本発明（３）は、前記被覆層は、粒子を含有する、（１）または（２）に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

この製造方法によれば、被覆層が粒子を含有するので、被覆層の上面に所望の算術平均粗さＲａを容易に付与することができる。

本発明（４）は、前記第２工程において前記機能層の前記上面に付着する前記被覆層の厚みＴが、３μｍ以上である、（１）〜（３）のいずれか一項に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

この製造方法によれば、第２工程において機能層の上面に付着する被覆層の厚みＴが、３μｍ以上であるので、第２工程において機能層の上面に付着する被覆層をより確実に除去することができる。

本発明（５）は、前記被覆層および前記機能層間の剥離強度が、０．３（Ｎ／２０ｍｍ）超過、８（Ｎ／２０ｍｍ）以下である、（１）〜（４）のいずれか一項に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

この製造方法によれば、被覆層および機能層間の剥離強度が、０．３（Ｎ／２０ｍｍ）超過、８（Ｎ／２０ｍｍ）以下であるので、第２工程において機能層の上面に付着する被覆層をより確実に除去することができる。

本発明（６）は、前記第２工程において前記機能層の前記上面に付着する前記被覆層の弾性率は、２０Ｎ／ｍｍ^２以上であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

この製造方法によれば、前記第２工程において前記機能層の前記上面に付着する前記被覆層の弾性率は、２０Ｎ／ｍｍ^２以上であれば、前記第２工程において前記機能層の前記上面に付着する前記被覆層をより確実に除去することができる。

また、本発明（７）は、前記機能層は、蛍光体を含有し、前記機能層は、前記光半導体素子の側面を被覆している、（１）〜（６）のいずれか一項に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

この製造方法によれば、蛍光体を含有する機能層が光半導体素子の側面を被覆するので、光半導体素子から側方に発光され、機能層によって波長変換された光を取り出すことができる。

本発明（８）は、前記第２工程では、前記被覆層を形成するための被覆材料からシート状に形成される被覆シートにより、前記機能層を埋設することを特徴とする、（１）〜（７）のいずれか一項に記載の被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

第２工程では、被覆層を形成するための被覆材料からシート状に形成される被覆シートにより機能層を埋設すると、被覆材料が機能層の上面に不可避的に付着する。

しかし、この方法では、第２工程において機能層の上面に付着する被覆層の厚みＴが、５０μｍ以下であり、第２工程における被覆層の上面の、ＪＩＳ Ｂ０６０１（２００９）に従って測定される算術平均粗さＲａが、１μｍ以上、１０μｍ以下であるので、第２工程において機能層の上面に付着する被覆層を確実に除去できる。

また、第２工程では、被覆層を形成するための被覆材料からシート状に形成される被覆シートにより機能層を埋設するので、被覆層を、機能層の側面に簡単に形成できる。

本発明（９）は、前記第１工程では、前記機能層付光半導体素子を、互いに間隔を隔てて複数配置し、前記第２工程では、前記被覆層を形成するための被覆材料から形成される被覆シートを前記機能層付光半導体素子の前記上面に配置するとともに、前記被覆シートを、互いに隣接する複数の前記機能層付光半導体素子間に充填し、前記第３工程では、前記第２工程において複数の前記機能層の前記上面に付着する前記被覆層を除去する、（１）〜（８）のいずれか一項に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

この製造方法によれば、第２工程において複数の機能層の上面に付着する被覆層を効率的に除去することができる。

本発明の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法によれば、第２工程において機能層の上面に付着する被覆層を確実に除去して、機能層が機能を確実に奏することができる。

図１Ａ〜図１Ｃは、本発明の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法の一実施形態である蛍光体層−光反射層付光半導体素子の製造方法の工程図であり、図１Ａが、蛍光体層−光反射層付光半導体素子を用意する第１工程、図１Ｂが、光反射層を形成する第２工程であって、蛍光体層付光半導体素子がプレスによって剥離シートに対して沈み込む態様、図１Ｃが、光反射層を形成する第２工程であって、蛍光体層付光半導体素子に対するプレスが解放されて、蛍光体層付光半導体素子が復元し、付着部分が上側に突出する態様を示す。 図２Ｄ〜図２Ｅは、図１Ｃに引き続き、本発明の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法の一実施形態である蛍光体層−光反射層付光半導体素子の製造方法の工程図であり、図２Ｄが、付着部分を除去する第３工程、図２Ｅが、蛍光体層−光反射層付光半導体素子を個片化する第４工程を示す。 図３Ａおよび図３Ｂは、複数の蛍光体層付光半導体素子および複数の蛍光体層−光反射層付光半導体素子の平面図であって、図３Ａが、図１Ａに対応する複数の蛍光体層付光半導体素子の平面図、図３Ｂが、図２Ｅに対応する複数の蛍光体層−光反射層付光半導体素子の平面図を示す。 図４は、図２Ｅに示す蛍光体層−光反射層付光半導体素子を基板に実装する工程を示す。 図５Ａ〜図５Ｃは、図１Ａ〜図２Ｅの製造方法の変形例であって、図５Ａが、１つの蛍光体層−光反射層付光半導体素子を用意する第１工程、図５Ｂおよび図５Ｃが、光反射層を形成する第２工程を示す。 図６Ｄ〜図６Ｅは、図５Ｃに引き続き、図１Ａ〜図２Ｅの製造方法の変形例であって、図６Ｄが、付着部分を除去する第３工程、図６Ｅが、１つの蛍光体層−光反射層付光半導体素子を基板に実装する工程を示す。 図７は、蛍光体層−光反射層付光半導体素子の変形例（光反射層の上面と、蛍光体層の上面とが連続する態様）の断面図を示す。 図８Ａ〜図８Ｃは、図１Ａ〜図２Ｅの製造方法の変形例であって、図８Ａが、光反射層を形成する第２工程、図８Ｂが、付着部分を除去する第３工程、図８Ｃが、蛍光体層−光反射層付光半導体素子を個片化する第４工程を示す。 図９Ａ〜図９Ｃは、一実施形態の変形例（蛍光体層が上壁のみを有する態様）の一部工程図であって、図９Ａが、蛍光体層付光半導体素子を用意する第１工程、図９Ｂが、光反射層を形成する第２工程、図９Ｃが、付着部分を除去する第３工程を示す。 図１０Ａ〜図１０Ｃは、一実施形態の変形例（蛍光体層の上壁が突出部を有する態様）の一部工程図であって、図１０Ａが、蛍光体層付光半導体素子を用意する第１工程、図１０Ｂが、光反射層を形成する第２工程、図１０Ｃが、付着部分を除去する第３工程を示す。 図１１Ａ〜図１１Ｃは、一実施形態の変形例（蛍光体層の周壁が、光半導体素子の周側面の上側部分を被覆する態様）の一部工程図であって、図１１Ａが、蛍光体層付光半導体素子を用意する第１工程、図１１Ｂが、光反射層を形成する第２工程、図１１Ｃが、付着部分を除去する第３工程を示す。 図１２Ａ〜図１２Ｃは、一実施形態の変形例（蛍光体層が、鍔部をさらに有する態様）の一部工程図であって、図１２Ａが、蛍光体層付光半導体素子（光拡散層−蛍光体層付光半導体素子）を用意する第１工程、図１２Ｂが、光反射層を形成する第２工程、図１２Ｃが、付着部分を除去する第３工程を示す。 図１３Ａ〜図１３Ｃは、一実施形態の変形例（光反射層−透明層−蛍光体層付光半導体素子（光反射層−光拡散層−蛍光体層付光半導体素子）の製造方法）の一部工程図であって、図１３Ａが、透明層−蛍光体層付光半導体素子（光拡散層−蛍光体層付光半導体素子）を用意する第１工程、図１３Ｂが、光反射層を形成する第２工程、図１３Ｃが、付着部分を除去する第３工程を示す。 図１４Ａ〜図１４Ｃは、一実施形態の変形例（透明層の外周面が蛍光体層の外周面と面一である態様）の一部工程図であって、図１４Ａが、透明層−蛍光体層付光半導体素子（光拡散層−蛍光体層付光半導体素子）を用意する第１工程、図１４Ｂが、光反射層を形成する第２工程、図１４Ｃが、付着部分を除去する第３工程を示す。 図１５Ａ〜図１５Ｃは、一実施形態の変形例（透明層が第２突出部を有する態様）の一部工程図であって、図１５Ａが、透明層−蛍光体層付光半導体素子（光拡散層−蛍光体層付光半導体素子）を用意する第１工程、図１５Ｂが、光反射層を形成する第２工程、図１５Ｃが、付着部分を除去する第３工程を示す。

＜一実施形態＞
本発明の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法の一実施形態である蛍光体層−光反射層付光半導体素子の製造方法を図１Ａ〜図２Ｅを用いて説明する。

この蛍光体層−光反射層付光半導体素子の製造方法は、図２Ｅに示すように、光半導体素子１と、光半導体素子１の一部を被覆する機能層の一例としての蛍光体層２と、蛍光体層２の一部を被覆する被覆層の一例としての光反射層３とを備える蛍光体層−被覆層付光半導体素子１０を製造するための方法である。

１．蛍光体層−光反射層付光半導体素子
光半導体素子１は、例えば、電気エネルギーを光エネルギーに変換するＬＥＤやＬＤである。好ましくは、光半導体素子１は、青色光を発光する青色ＬＥＤ（発光ダイオード素子）である。一方、光半導体素子１は、光半導体素子とは技術分野が異なるトランジスタなどの整流器（半導体素子）を含まない。

光半導体素子１は、上下方向に直交する面方向（前後方向および左右方向）に延びる平面視略矩形板（シート）形状を有している。光半導体素子１は、下面１１と、上面１２と、側面の一例としての周側面１３とを連続して有している。

下面１１は、図示しない電極が設けられる電極面である。

上面１２は、下面１１に対して上側に間隔を隔てて対向配置されている。上面１２は、下面１１と同じサイズを有し、面方向に平坦な形状を有する。

周側面１３は、下面１１の周端縁と、上面１２の周端縁とを上下方向に連結している。

光半導体素子１の寸法は、適宜設定されており、具体的には、厚み（上下方向長さ）が、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、７００μｍ以下である。光半導体素子１の面方向における一辺の長さは、例えば、０．２ｍｍ以上、好ましくは、０．５ｍｍ以上であり、また、例えば、３．００ｍｍ以下、好ましくは、２．００ｍｍ以下である。

蛍光体層２は、光半導体素子１から発光された光を波長変換することができる波長変換層である。蛍光体層２は、後述する蛍光体樹脂組成物から調製されている。

蛍光体層２は、光半導体素子１を埋設している。具体的には、蛍光体層２は、光半導体素子１の上面１２および周側面１３を被覆している。蛍光体層２は、上下方向に延び、上端が閉塞された略角筒形状を有する。蛍光体層２は、上下方向に延びる断面視において、下方に向かって開放される略Ｕ字（コ字）形状を有する。蛍光体層２は、上壁２１と、上壁２１の周端縁から下方に延びる（垂れ下がる）形状を有する周壁２２とを連続して有する。

上壁２１は、面方向に延びる平面視略矩形板（シート）形状を有する。上壁２１は、光半導体素子１の上面１２を被覆する。上壁２１は、面方向に平行し、平坦な上壁下面２３と、上壁下面２３に対して上下方向に対向し、平坦な上面２４とを有する。

上壁２１の上壁下面２３は、光半導体素子１の上面１２と接触する。

上壁２１の上面２４は、上壁下面２３に平行する。

周壁２２は、光半導体素子１の周側面１３を被覆する。周壁２２は、面方向に内側に臨む内周面２５と、内周面２５に対して外側（光半導体素子１から遠ざかる方向）に対向する側面の一例としての外周面２６と、内周面２５および外周面２６の下端縁を連結する周壁下面２７を有する。

周壁２２の内周面２５は、上壁２１の上壁下面２３の周端縁から下方に延びる。内周面２５は、光半導体素子１の周側面１３に接触する。

周壁２２の外周面２６は、上壁２１の上面２４の周端縁から下方に延びる。外周面２６は、上下方向に延びる平坦面を有する。

周壁２２の周壁下面２７は、光半導体素子１の下面１１に連続する。周壁下面２７は、光半導体素子１の下面１１の周端縁から外側（光半導体素子１から遠ざかる方向）に延びる、底面視略矩形枠形状を有する。

蛍光体層２の寸法は、用途および目的に応じて適宜設定される。上壁２１の厚み（上壁下面２３および上面２４間の距離）は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、３００μｍ以下である。上壁２１の上面２４の面方向における一辺の長さは、例えば、０．２ｍｍ以上、好ましくは、０．５ｍｍ以上であり、また、例えば、１０ｍｍ以下、好ましくは、３ｍｍ以下である。上面２４の面積（上壁２１の平面積）は、例えば、０．０４ｍｍ^２以上、好ましくは、０．２５ｍｍ^２以上であり、また、例えば、１００ｍｍ^２以下、好ましくは、９ｍｍ^２以下である。

周壁２２の厚み（内周面２５および外周面２６間の距離）は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。周壁２２の厚みは、好ましくは、上壁２１の厚みと同一である。

光反射層３は、光半導体素子１から発光され、蛍光体層２によって波長変換された光を反射する層である。光反射層３は、後述する光反射樹脂組成物から調製されている。

光反射層３は、蛍光体層２の外周面２６を被覆する。光反射層３は、上下方向に延びる略角筒形状を有する。光反射層３は、内周面３１と、内周面３１の外側（光半導体素子１から遠ざかる方向）に間隔を隔てて対向配置される外周面３２と、内周面３１および外周面３２の下端縁を連結する下面３３と、内周面３１および外周面３２の上端縁を連結する上面３４とを連続して有する。

光反射層３の内周面３１は、上下方向に沿う平坦面を有する。内周面３１の上端部以外の部分は、蛍光体層２の外周面２６に接触する。一方、内周面３１の上端部は、蛍光体層２から露出している。

光反射層３の外周面３２は、外側に露出している。

光反射層３の下面３３は、蛍光体層２の周壁下面２７に連続する。下面３３は、蛍光体層２の周壁下面２７の周端縁から外側（光半導体素子１から遠ざかる方向）に延びる底面視略矩形枠形状を有する。

光反射層３の上面３４は、平面視略矩形枠形状を有する。上面３４は、蛍光体層２の上面２４より下側に位置する。具体的には、上面３４は、蛍光体層２の上面２４に連続せず、かかる蛍光体層２の上面２４より下側に位置する。

光反射層３の上面３４と、蛍光体層２の上面２４との距離ｄは、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。

２．蛍光体層−光反射層付光半導体素子の製造方法
この蛍光体層−被覆層付光半導体素子１０の製造方法は、図１Ａ〜図２Ｅに示すように、光半導体素子１と蛍光体層２とを備える機能層−被覆層付光半導体素子の一例としての蛍光体層付光半導体素子７を用意する第１工程（図１Ａ参照）と、光反射層３を、蛍光体層２の周壁２２の外周面２６に形成する第２工程（図１Ｂおよび図１Ｃ参照）と、第２工程において蛍光体層２の上壁２１の上面２４に付着する付着部分８を除去する第３工程（図２Ｄ参照）と、隣接する蛍光体層付光半導体素子７間の光反射層３を切断して、蛍光体層−光反射層付光半導体素子１０を個片化する第４工程（図２Ｅ参照）とを備える。

（１）第１工程
図１Ａおよび図３Ａに示すように、第１工程では、蛍光体層付光半導体素子７を用意する。

蛍光体層付光半導体素子７は、上記した光半導体素子１と、光半導体素子１の上面１２および周側面１３を被覆する蛍光体層２とを備える。また、蛍光体層付光半導体素子７は、剥離シート５の上面に互いに面方向に間隔を隔てて複数整列配置されて、用意される。

剥離シート５としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム（ＰＥＴなど）などのポリマーフィルム、例えば、セラミックスシート、例えば、金属箔などが挙げられる。また、剥離シート５の上面は、例えば、剥離処理が施されていてもよい。剥離シート５の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、２，０００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下である。

第１工程において、蛍光体層付光半導体素子７を用意するには、まず、複数の光半導体素子１を用意する。次いで、複数の光半導体素子１を剥離シート５に載置する。具体的には、光半導体素子１の下面１１を剥離シート５の上面に接触させる。

次いで、図示しない剥離シートに支持された蛍光体シートを用意する。蛍光体シートは、例えば、ＹＡＧなどの蛍光体と、シリコーン樹脂などの樹脂（熱硬化性樹脂、好ましくは、加熱によって変形できるＢステージとなることができる硬化性樹脂）とを含有する蛍光体樹脂組成物から調製する。なお、Ｂステージは、熱硬化性樹脂が、液状または溶剤に可溶であるＡステージ状態と、完全硬化したＣステージとの間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、溶剤に膨潤するが完全に溶解せず、加熱によって軟化または溶融する状態である。また、蛍光体樹脂組成物は、充填材（後述）、チクソ付与粒子（後述）をさらに含有することもできる。上記した各成分の割合は、用途および目的に応じて適宜設定されている。

好ましくは、加熱によって変形することができるＢステージの蛍光体シートを用意する。次いで、１つの蛍光体シートを、複数の光半導体素子１を埋設するように、剥離シート５の上面に熱プレスする。その後、Ｂステージの蛍光体シートをＣステージ化させる。その後、蛍光体シートに、広幅のダイシングソーを用いて、光半導体素子１から離れた蛍光体シートを除去して、蛍光体層２を形成する。

これによって、１つの光半導体素子１と、それの上面１２および周側面１３を被覆する１つの蛍光体層２とを備える複数の蛍光体層付光半導体素子７を、剥離シート５に支持された状態で用意する。

なお、蛍光体層２における周壁２２の外周面２６は、蛍光体層付光半導体素子７の外周面２６に相当する。また、蛍光体層２における上壁２１の上面２４は、蛍光体層付光半導体素子７の上面２４に相当する。さらに、蛍光体層２における周壁２２の周壁下面２７、および、光半導体素子１の下面１１は、蛍光体層付光半導体素子７の下面に相当する。

図３Ａが参照されるように、複数の蛍光体層付光半導体素子７の総面積の、最外側に配置される蛍光体層付光半導体素子７の外周面２６に沿う仮想線Ｌによって囲まれる素子領域（複数の蛍光体層付光半導体素子７全てを包含する領域）の面積に対する割合は、例えば、１％以上、好ましくは、１０％以上であり、また、例えば、９５％以下、好ましくは、９０％以下、より好ましくは、８０％以下である。

（２）第２工程
第２工程では、図１Ｂおよび図１Ｃに示すように、光反射層３を、蛍光体層２の外周面２６に形成する。

まず、図１Ａの上側図に示すように、光反射シート６を用意する。

光反射シート６は、例えば、光反射成分、粒子および樹脂を含有する被覆材料の一例としての光反射樹脂組成物から、面方向に延びる略平板（シート）形状に形成する。

光反射成分は、光半導体素子１から側方に向かって発光され、蛍光体層２を透過した光、および、蛍光体層２によって波長変換された光を上方に反射するための成分である。

光反射成分としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウムなどの酸化物、例えば、鉛白（塩基性炭酸鉛）、炭酸カルシウムなどの炭酸塩、例えば、カオリンなどの粘土鉱物などの、無機物粒子が挙げられる。好ましくは、酸化チタンが挙げられる。光反射成分の平均粒子径は、例えば、０．２５μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下でもある。

光反射成分の屈折率は、例えば、２．０以上、好ましくは、２．５以上であり、また、例えば、５．０以下である。また、光反射成分の屈折率は、次に説明する樹脂との屈折率差が、例えば、０．５以上、好ましくは、０．７５以上、より好ましくは、１以上、また、例えば、５以下となるように、調整される。

光反射成分の割合は、光反射樹脂組成物に対して、例えば、１質量％以上、好ましくは、５質量％以上であり、また、例えば、７０質量％以下、好ましくは、５０質量％以下である。

粒子は、後述する第２工程において形成される付着部分８の上面３４の算術平均粗さＲａが比較的高い所望範囲となるように、光反射樹脂組成物に配合される微小凹凸付与成分である。また、粒子は、光反射層３の強化や、光反射樹脂組成物を増量させるために、光反射樹脂組成物に任意的に配合されるフィラーでもある。

そのような粒子として、例えば、無機粒子、有機粒子などが挙げられる。

無機粒子としては、例えば、シリカ（ＳｉＯ_２）、タルク（Ｍｇ_３（Ｓｉ_４Ｏ_１０）（ＨＯ）_２）、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化ホウ素（Ｂ_２Ｏ_３）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化アンチモン（Ｓｂ_２Ｏ_３）などの酸化物、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）などの窒化物などの無機物粒子（無機物）が挙げられる。また、無機粒子として、例えば、上記例示の無機物から調製される複合無機物粒子が挙げられ、具体的には、酸化物から調製される複合無機酸化物粒子（具体的には、ガラス粒子など）が挙げられる。

有機粒子としては、例えば、アクリル系樹脂粒子、スチレン系樹脂粒子、アクリル−スチレン系樹脂粒子、シリコーン系樹脂粒子、ポリカーボネート系樹脂粒子、ベンゾグアナミン系樹脂粒子、ポリオレフィン系樹脂粒子、ポリエステル系樹脂粒子、ポリアミド系樹脂粒子、ポリイミド系樹脂粒子などが挙げられる。

粒子は、単独使用または併用することができる。

好ましくは、無機酸化物粒子、より好ましくは、ガラス粒子が挙げられる。

粒子の形状は、特に限定されず、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。好ましくは、球状である。

粒子の平均粒子径は、例えば、０．２５μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上、より好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下、より好ましくは、５０μｍ以下である。

粒子の屈折率は、例えば、１．４以上、１．７以下である。粒子は、次に説明する樹脂との屈折率差が実質的に同一である屈折率を有する。なお、粒子は、例えば、樹脂の屈折率と近似する屈折率を有することが許容される。詳しくは、粒子と樹脂との屈折率差が、例えば、０．０５以下、さらには、０．０４以下の微小値となることが、許容される。

粒子の割合は、蛍光体樹脂組成物に対して、例えば、１質量％以上、好ましくは、１０質量％以上であり、また、例えば、８０質量％以下、好ましくは、６０質量％以下である。

樹脂としては、光反射成分および粒子を分散できるマトリクスを構成できる透明樹脂が挙げられる。そのような樹脂としては、例えば、熱硬化性樹脂、活性エネルギー線硬化性樹脂、熱可塑性樹脂が挙げられ、好ましくは、熱硬化性樹脂、活性エネルギー線硬化性樹脂、より好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられる。また、熱硬化性樹脂および活性エネルギー線硬化性樹脂としては、Ｂステージとなることが樹脂が挙げられる。

熱硬化性樹脂として、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。好ましくは、耐久性の観点から、好ましくは、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂が挙げられ、透明性の観点から、より好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。

シリコーン樹脂としては、例えば、フェニル系シリコーン樹脂、メチル系シリコーン樹脂が挙げられる。好ましくは、フェニル系シリコーン樹脂が挙げられる。

フェニル系シリコーン樹脂は、完全硬化時（Ｃステージ時）において、例えば、シロキサン結合である主骨格に結合するフェニル基を少なくとも有しており、具体的には、主骨格に結合するメチル基およびフェニル基を有し、あるいは、例えば、主骨格に結合するフェニル基のみを有する。好ましくは、フェニル系シリコーン樹脂硬化体は、主骨格に結合するメチル基およびフェニル基を有する。そのようなフェニル系シリコーン樹脂は、例えば、特開２０１６−０３７５６２号公報などに記載される。なお、Ｂステージのフェニル系シリコーン樹脂は、さらなる加熱において、一旦軟化した後、硬化する（Ｃステージとなる）。フェニル系シリコーン樹脂の完全硬化時における屈折率は、例えば、１．４５以上、好ましくは、１．５０以上、より好ましくは、１．５３以上、さらに好ましくは、１．５５以上であり、また、例えば、１．７５以下、好ましくは、１．６５以下である。

メチル系シリコーン樹脂は、完全硬化時（Ｃステージ）において、主骨格に結合するメチル基を有する。メチル系シリコーン樹脂の屈折率は、完全硬化時において、例えば、１．５０未満、好ましくは、１．４５以下であり、また、例えば、１．３以上、好ましくは、１．３５以上である。

具体的には、樹脂の屈折率は、上記した光反射成分との屈折率差が、上記した範囲（例えば、０．５以上、５以下）となり、かつ、上記した粒子との屈折率差が実質的に同一となる。

樹脂の割合は、光反射樹脂組成物に対して、例えば、１０質量％以上、好ましくは、２５質量％以上であり、また、例えば、９９質量％以下、好ましくは、９７質量％以下である。

さらに、光反射樹脂組成物には、必要により、チクソ付与粒子を添加することができる。

チクソ付与粒子は、光反射樹脂組成物に揺変性（ｔｈｉｘｏｔｒｏｐｙ、チクソ性）を付与または向上させる揺変剤である。揺変性は、せん断応力を受け続けると粘度が次第に低下し、静止すると粘度が次第に上昇する性質である。

チクソ付与粒子としては、例えば、ヒュームドシリカ（煙霧シリカ）などのナノシリカなどが挙げられる。ヒュームドシリカとしては、例えば、ジメチルジクロロシラン、シリコーンオイルなどの表面処理剤により表面が疎水化された疎水性煙霧シリカ、および、表面処理されていない親水性煙霧シリカのいずれであってもよい。

チクソ付与粒子の平均粒子径は、光反射成分および粒子の平均粒子径より小さく、具体的には、例えば、２００ｎｍ以下、好ましくは、５０ｎｍ以下であり、また、例えば、１ｎｍ以上、好ましくは、５ｎｍ以上である。

チクソ付与粒子は、単独使用または併用することができる。

チクソ付与粒子の光反射樹脂組成物における割合は、例えば、０．１質量％以上、好ましくは、０．２質量％以上であり、また、例えば、１０質量％以下、好ましくは、５質量％以下である。

そして、まず、上記した光反射成分と、粒子と、樹脂（Ａステージ）と、必要により添加されるチクソ付与粒子とを配合して、それらを混合して、液状の光反射樹脂組成物を調製する。

次いで、液状の光反射樹脂組成物を図示しない剥離シートの表面に塗布して、剥離シートの表面に、光反射樹脂組成物をシート状に成形する。

その後、光反射樹脂組成物がＢステージとなることができる熱硬化性樹脂を含有する場合には、光反射樹脂組成物を加熱によりＢステージ化する。加熱温度は、例えば、５０℃以上、好ましくは、７０℃以上であり、また、例えば、１５０℃以下、好ましくは、１００℃以下である。加熱時間は、例えば、２．５分以上、好ましくは、５．５分以上であり、また、例えば、１時間以下、好ましくは、３０分以下である。

これによって、図示しない剥離シートの表面に、シート状に形成された光反射シート６（好ましくは、Ｂステージの光反射シート６）を用意する。

次いで、光反射シート６を、複数の蛍光体層付光半導体素子７の上面に配置する。具体的には、光反射シート６の下面を、複数の蛍光体層付光半導体素子７のそれぞれにおける蛍光体層２の上面２４に接触される。

続いて、光反射シート６が、上記したＢステージとなることができ、そのＢステージにおける加熱によって十分に軟化して変形することができる熱硬化性樹脂を含有する場合には、光反射シート６を加熱する。

具体的には、Ｂステージの光反射シート６を、複数の蛍光体層付光半導体素子７に対して熱プレスする。

熱プレスは、光反射シート６をＣステージ化（完全硬化）させることなく、光反射シート６を変形させる条件で実施される。熱プレス温度は、例えば、５０℃以上、好ましくは、７０℃以上であり、また、例えば、１８０℃以下である。また、加熱時間は、例えば、３分以上、好ましくは、５分以上であり、また、例えば、３０分以下、好ましくは、２０分以下である。

また、熱プレスの際には、複数の蛍光体層付光半導体素子７の外側にスペーサを配置し、プレス厚みを調整する。プレス厚みは、比較的狭く（薄く）設定されている。

そうすると、光反射シート６は、熱プレスによって、変形（溶融）して、複数の蛍光体層付光半導体素子７のそれぞれを埋設する。具体的には、光反射樹脂組成物が、隣接する蛍光体層付光半導体素子７の間に充填されるとともに、最外側に配置される蛍光体層付光半導体素子７の外周面２６を被覆する。これによって、複数の蛍光体層付光半導体素子７のすべての外周面２６が光反射シート６によって被覆される。なお、蛍光体層付光半導体素子７の外周面２６を被覆する光反射シート６の下端部は、剥離シート５の上面に接触する。

なお、Ｂステージの光反射シート６が熱プレスによって溶融する際の溶融粘度、具体的には、光反射シート６の６０℃における溶融粘度は、例えば、１０Ｐａ・ｓ以上、好ましくは、５０Ｐａ・ｓ以上であり、また、例えば、２０００Ｐａ・ｓ以下、好ましくは、１０００Ｐａ・ｓ以下である。

これとともに、蛍光体層付光半導体素子７の上面２４も、光反射樹脂組成物によって被覆され、付着部分８が形成される。

付着部分８は、蛍光体層−光反射層付光半導体素子１０に本来不要な部分であって、第２工程によって不可避的に形成される部分である。

同時に、熱プレスにおいて、付着部分８は、比較的硬い蛍光体層付光半導体素子７の上面２４に位置するから、蛍光体層付光半導体素子７の外周面２６を被覆する側部３８に比べて、高い圧力で下側に圧縮される。そのため、図１Ｂに示すように、付着部分８の下側に位置する蛍光体層付光半導体素子７は、剥離シート５に向かってわずかに沈み込む。

続いて、上記した蛍光体層付光半導体素子７へのプレスが解放されると、図１Ｃに示すように、蛍光体層付光半導体素子７は、復元し、つまり、蛍光体層付光半導体素子７の下面が、周囲の剥離シート５の上面と同一位置に配置される。蛍光体層付光半導体素子７の復元に伴って、付着部分８の上面３４（後述）は、側部３８の上面３４に対して、上側に位置する。例えば、側部３８の上面３４は、蛍光体層付光半導体素子７の上面２４と同一位置に配置される。

これによって、第２工程において、複数の蛍光体層付光半導体素子７の外周面２６を被覆する側部３８と、付着部分８とを有する光反射層３が形成される。

光反射層３は、平面視において、複数の蛍光体層付光半導体素子７の上面２４を含む上面３４を有する。付着部分８の上面３４は、蛍光体層付光半導体素子７の上面２４に対して、上側に配置されている。

付着部分８の上面３４は、図１Ｂでは、平坦状に描画されているが、実際には、光反射樹脂組成物に含有される粒子の形状に基づく、極めて微小な凹凸形状を有する。

そのため、付着部分８の上面３４の算術平均粗さＲａは、１μｍ以上、好ましくは、２μｍ以上であり、また、１０μｍ以下、好ましくは、７μｍ以下である。

付着部分８の上面３４の算術平均粗さＲａが上記した下限を下回れば、あるいは、上限を上回れば、感圧接着シート９の付着部分８に対する被着面積が低下するので、次に説明する第３工程（図２Ｄ参照）において付着部分８を確実に除去することができない。

また、付着部分８の上面３４の算術平均粗さＲａは、１０μｍ以下、好ましくは、７μｍ以下である。付着部分８の上面３４の算術平均粗さＲａが上記した上限を上回れば、後述する感圧接着シート９の感圧接着剤が、付着部分８の上面３４に十分に広がらず（行き渡らず）、そのため、感圧接着シート９の付着部分８に対する被着面積が低下する。その結果、次に説明する第３工程（図２Ｄ参照）において付着部分８を確実に除去することができない。

要するに、付着部分８の上面３４の算術平均粗さＲａが上記した上限以下、かつ、上記した下限以上であれば、感圧接着シート９の付着部分８に対する被着面積が低下することを抑制して、感圧接着シート９により付着部分８を確実に除去することができる。

付着部分８の上面の算術平均粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ０６０１（２００９）に従って測定される。

光反射層３の２５℃における弾性率（ヤング率）は、例えば、１４Ｎ／ｍｍ^２以上、好ましくは、２０Ｎ／ｍｍ^２以上、より好ましくは、２１Ｎ／ｍｍ^２以上であり、また、例えば、１５０Ｎ／ｍｍ^２以下、好ましくは、１１０Ｎ／ｍｍ^２以下、より好ましくは、５０Ｎ／ｍｍ^２以下である。光反射層３の弾性率が上記した上限以下、または、下限以上であれば、付着部分８をより確実に除去することができる。とりわけ、光反射層３の弾性率が低ければ（１１０Ｎ／ｍｍ^２以下、さらには、５０Ｎ／ｍｍ^２以下）、付着部分８をより小さい力で剥離可能となるから好適である。

付着部分８の厚みＴは、５０μｍ以下、好ましくは、４０μｍ以下である。付着部分８の厚みＴが上記した上限を上回れば、剥離方向への付着部分８の屈曲（折り返し）が妨げられるので、次に説明する第３工程（図２Ｄ参照）において付着部分８を確実に除去することができない。

付着部分８の厚みＴは、例えば、３μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上である。付着部分８の厚みＴが上記した上限以上であれば、剥離時の屈曲（折り返し）変形に付着部分８が追従できるので、次に説明する第３工程（図２Ｄ参照）において付着部分８を確実に除去することができる。

付着部分８の厚みＴは、光反射層３の上面３４と、蛍光体層２の上面２４との最短距離である。

付着部分８の厚みＴは、ダイヤルゲージによって測定される。

また、付着部分８の、蛍光体層２の上壁２１に対する剥離強度（光反射層３および蛍光体層２間の剥離強度）は、例えば、０．３（Ｎ／２０ｍｍ）超過、好ましくは、１（Ｎ／２０ｍｍ）以上であり、また、例えば、８（Ｎ／２０ｍｍ）以下、好ましくは、４（Ｎ／２０ｍｍ）以下である。剥離強度が上記した下限を上回れば、あるいは、上限を下回れば、次に説明する第３工程（図２Ｄ参照）において付着部分８を確実に除去することができる。

上記した剥離強度の測定方法は、後の実施例で詳述される。

（３）第３工程
図２Ｄに示すように、第３工程では、上記した付着部分８を除去する。

付着部分８を除去するには、例えば、図１Ｃに示すように、感圧接着シート９を用いる。

感圧接着シート９は、感圧接着剤から調製されており、面方向に連続するシート形状を有している。感圧接着シート９の大きさは、例えば、感圧接着シート９を、平面視において、付着部分８を含むことができる大きさに設定されている。感圧接着剤としては、例えば、アクリル系感圧接着剤、ゴム系感圧接着剤、シリコーン系感圧接着剤、ウレタン系感圧接着剤、ポリアクリルアミド系感圧接着剤などが挙げられる。また、感圧接着シート９は、支持材などで支持されていてもよい。感圧接着シート９の２５℃における剥離強度（１８０度剥離接着力）は、例えば、２．０（Ｎ／２０ｍｍ）以上、好ましくは、４．０（Ｎ／２０ｍｍ）以上であり、また、例えば、１００（Ｎ／２０ｍｍ）以下、好ましくは、２０．０（Ｎ／２０ｍｍ）以下である。剥離強度は、感圧接着シート９を２０ｍｍ幅に切り出し、これを、シリコーンウェハーに感圧接着し、その後、感圧接着シート９を、剥離速度１００ｍｍ／分、剥離角度１８０℃で剥離試験したときの接着力として測定される。

この方法では、感圧接着シート９の感圧接着面（感圧接着シート９が支持材が支持されている場合には、支持材によって支持される面に対する反対側の面）を、付着部分８の上面３４に対向配置し、付着部分８に感圧接着し、続いて、付着部分８を、蛍光体層付光半導体素子７の上面２４から引き剥がす。

具体的には、まず、図１Ｂに示すように、感圧接着シート９を下降させ、続いて、図１Ｃに示すように、感圧接着シート９を付着部分８に対して十分に感圧接着する。その際、図１Ｃに示すように、感圧接着シート９は、側部３８の上面３４に対して、間隔が隔てられてもよい。

その後、図２Ｄの仮想線で示すように、感圧接着シート９の面方向一端部（例えば、左端部）（一辺、具体的には、左辺）を把持し、感圧接着シート９の一端部（例えば、左端部）（一辺、具体的には、左辺）を面方向他方側（例えば、右方）に向けて引っ張りながら、付着部分８を蛍光体層付光半導体素子７の上面２４から引き剥がす。

好ましくは、感圧接着シート９の隅部（例えば、左端前端部）を把持し、感圧接着シート９の隅部（例えば、左端前端部）を右方斜め後側に向けて引っ張る。つまり、感圧接着シート９の剥離方向を、前後方向および左右方向に対して傾斜する方向にする。感圧接着シート９の隅部を把持すれば、感圧接着シート９の一辺を把持する場合に比べて、把持した部分を剥離のきっかけによりし易く、かかるきっかけ（隅部）を容易かつ確実に把持できる。そのため、付着部分８をより確実に除去することができる。

この際、上記したように、付着部分８に上方への引き剥がし力が付与されないように、感圧接着シート９を、例えば、１２０度以上、好ましくは、１５０度以上、より好ましくは、１６５度以上、さらに好ましくは、１７０度以上、とりわけ好ましくは、１８０度で、剥離する。具体的には、感圧接着シート９を折り返すように、感圧接着シート９を剥離する。

すると、付着部分８は、蛍光体層付光半導体素子７の上面２４から剥離され、感圧接着シート９に追従する。また、付着部分８の剥離が一回で完了しない時には、上記動作を複数回繰り返し、これによって付着部分８の剥離を完了させる。

光反射層３の厚み（蛍光体層付光半導体素子７と重ならない光反射層３における上面３４および剥離シート５の上面の間の最短距離）は、蛍光体層付光半導体素子７の厚みより厚く、例えば、５０μｍ以上、好ましくは、１００μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、７００μｍ以下である。

上端部３６の厚み（上下方向長さ、突出長さ）は、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。

これにより、複数の蛍光体層付光半導体素子７と、それらの外周面２６を被覆する１つの光反射層３とを備える光半導体素子集合体１５を、剥離シート５に支持された状態で得る。

（４）第４工程
図２Ｅおよび図３Ｂに示すように、第４工程では、隣接する蛍光体層付光半導体素子７間の光反射層３を切断する。

光反射層３がＢステージである場合には、まず、光反射層３を加熱によりＣステージ化する（完全硬化させる）。

加熱温度は、例えば、１００℃以上、好ましくは、１２０℃以上であり、また、例えば、１８０℃以下である。また、加熱時間は、例えば、１０分以上、好ましくは、３０分以上であり、また、例えば、１８０分以下、好ましくは、１２０分以下である。

光反射層３の加熱によって、光反射層３は熱収縮する。そのため、図２Ｅに示すように、側部３８の上面３４は、蛍光体層付光半導体素子７の上面２４に対して、下側に位置する。

次いで、具体的には、光半導体素子集合体１５において、複数の光半導体素子１を個片化するように、光反射層３を切断する。

光反射層３を切断するには、例えば、円盤状のダイシングソー（ダイシングブレード）を用いるダイシング装置、例えば、カッターを用いるカッティング装置、例えば、レーザー照射装置などの切断装置が用いられる。好ましくは、ダイシング装置が用いられる。ダイシングソーの刃厚は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。

光反射層３の切断によって、光反射層３には、互いに隣接する蛍光体層付光半導体素子７の間において、前後方向および左右方向に沿って整列する切断溝３７が形成される。切断溝３７は、光反射層３を厚み方向に貫通する。切断溝３７は、図３Ｂに示すように、平面視において、略碁盤目形状を有している。切断溝３７の幅は、切断装置（好ましくは、ダイシングソーの刃厚）に対応しており、具体的には、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。

切断溝３７の形成によって、光反射層３には、切断溝３７に面する外周面３２が形成される。切断溝３７は、光反射層３を複数に仕切って（分割して）いる。

第４工程によって、１つの蛍光体層付光半導体素子７と、蛍光体層付光半導体素子７の外周面２６を被覆し、蛍光体層付光半導体素子７の上面２４を露出する１つの光反射層３とを備える複数の蛍光体層−光反射層付光半導体素子１０を、剥離シート５に支持された状態で、得る。

好ましくは、蛍光体層−光反射層付光半導体素子１０は、蛍光体層付光半導体素子７（光半導体素子１および蛍光体層２）と、光反射層３とのみからなる。

この蛍光体層付光半導体素子７は、次に説明する光半導体装置４１（図４参照）ではなく、つまり、光半導体装置４１に備えられる基板４０を含まない。つまり、蛍光体層付光半導体素子７は、光半導体装置４１の一部品、すなわち、光半導体装置４１を作製するための部品であり、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。

（５）蛍光体層−光反射層付光半導体素子の基板への実装
その後、図４に示すように、蛍光体層−光反射層付光半導体素子１０を基板４０に実装する。具体的には、光半導体素子１を基板４０にフリップチップ実装する。

これによって、基板４０と、蛍光体層−光反射層付光半導体素子１０とを備える光半導体装置４１を得る。

光半導体装置４１において、蛍光体層２の周壁下面２７、および、光反射層３の下面３３は、基板４０の上面と接触している。

３．一実施形態の作用効果
この製造方法によれば、図２Ｄに示す第３工程では、第２工程（図１Ｂ参照）において蛍光体層２の上面２４に付着する付着部分８を除去するので、光半導体素子１の上面１２から発光された光を、蛍光体層２が確実に波長変換し、その後、波長変換された光を取り出すことができる。

また、付着部分８の厚みＴが、５０μｍ以下であるので、図２Ｄに示す第３工程では、付着部分８が感圧接着シート９に追従して屈曲できる（折り返される）ので、付着部分８を確実に除去することができる。

また、光反射層３の上面３４の、ＪＩＳ Ｂ０６０１（２００９）に従って測定される算術平均粗さＲａが、１μｍ以上、１０μｍ以下であるので、感圧接着シート９の付着部分８に対する被着面積の低下を抑制できる。そのため、上面３４に対する付着部分８の剥離強度を低減して、感圧接着シート９によって、図２Ｄに示す第３工程では、付着部分８を確実に除去することができる。具体的には、付着部分８の上面３４に対する剥離強度が、付着部分８の感圧接着シート９に対する剥離強度に対して、小さくなるので、付着部分８を確実に除去することができる。

また、この製造方法によれば、図２Ｄに示すように、第３工程で、付着部分８を、感圧接着シート９を用いて、蛍光体層２の上面３４から引き剥がすので、付着部分８を簡易かつ確実に除去することができる。

また、この製造方法によれば、光反射層３が粒子を含有するので、光反射層３の上面３４に所望の算術平均粗さＲａを容易に付与することができる。

また、この製造方法によれば、付着部分８の厚みＴが、３μｍ以上であれば、感圧接着シート９の屈曲（折り返し）時に付着部分８が千切れずに追従できるので、付着部分８をより確実に除去することができる。

また、この製造方法によれば、蛍光体層２および光反射層３間の剥離強度が、０．３（Ｎ／２０ｍｍ）超過、８（Ｎ／２０ｍｍ）以下であれば、付着部分８をより確実に除去することができる。

また、この製造方法によれば、第３工程において、付着部分８が除去された後の光反射層３の上面３４が、蛍光体層２の上面２４より、下側に配置されている。

詳しくは、図１Ｃに示すように、付着部分８の上面３４が、側部３８の上面３４より上側に配置される。そうすると、感圧接着シート９を光反射層３に対して配置すれば、感圧接着シート９は、付着部分８には接触する一方、側部３８には接触しにくい。そのため、感圧接着シート９が側部３８に付着することによって起因する、本来除去する必要のない側部３８の上端部の除去を防止することができる。そのため、側部３８の上端部の除去を防止する設計を考慮する必要がない。従って、感圧接着シート９によって、本来除去する必要がある付着部分８のみを簡単に除去することができる。そのため、製造工程を簡便にして、製造効率を向上させることができる。

また、この製造方法によれば、蛍光体層２が光半導体素子１の周側面１３を被覆するので、光半導体素子１から側方に発光され、蛍光体層２によって波長変換された光を取り出すことができる。そのため、蛍光体層付光半導体素子７の光の取出効率を向上することができる。

また、この製造方法によれば、第２工程において複数の光反射層３の上面３４に付着する付着部分８を効率的に除去することができる。

＜変形例＞
変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

図１Ａおよび図１Ｂに示すように、一実施形態の第２工程において、光反射シート６から光反射層３を形成したが、これに限定されない。例えば、光反射樹脂組成物をポッティングすることにより、光反射層３を形成することもできる。

好ましくは、光反射シート６から光反射層３を形成する。

第２工程では、光反射樹脂組成物からシート状に形成される光反射シート６により蛍光体層付光半導体素子７を埋設すると、光反射樹脂組成物が蛍光体層付光半導体素子７の上面２４に不可避的に付着する。

しかし、この方法では、第２工程において付着部分８の厚みＴが、５０μｍ以下であり、第２工程における付着部分８の上面３４の算術平均粗さＲａが、１μｍ以上、１０μｍ以下であるので、第２工程において付着部分８を確実に除去できる。

また、第２工程では、光反射樹脂組成物からシート状に形成される光反射シート６により蛍光体層付光半導体素子７を埋設するので、光反射層３を、蛍光体層付光半導体素子７の外周面２６に簡単に形成できる。

図２Ｄに示すように、一実施形態の第３工程では、感圧接着シート９を好適には１８０度剥離しているが、剥離方向は特に限定されない。感圧接着シート９を、図示しないが、例えば、９０度剥離することもできる。好ましくは、第３工程では、一実施形態のように、感圧接着シート９を１８０度剥離する。これにより、付着部分８に上方への引き剥がし力が付与されず、剥離シート５ごと持ち上げることなく剥離できるので、付着部分８を蛍光体層２の上面２４から確実に引き剥がすことができる。

一実施形態の第３工程では、感圧接着シート９を用いて付着部分８を除去している。しかし、付着部分８の除去は、上記に限定されない。例えば、溶媒を用いる方法、例えば、図示しないが、研磨部材を用いる方法を用いることもできる。

溶媒としては、例えば、光反射樹脂組成物を完全または部分的に溶解または分散させることができる溶媒が選択される。具体的には、溶媒としては、有機溶媒、水系溶媒が挙げられる。有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノールなどのアルコール、例えば、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン、例えば、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素、例えば、トルエンなどの芳香族炭化水素、例えば、テトラヒドロフランなどのエーテルなどが挙げられる。好ましくは、アルコール、芳香族炭化水素が挙げられる。

この方法では、次いで、上記した溶媒を布に吸収させ、その布によって、光反射層３の上面３４を拭く。

研磨部材としては、バフなどの布、ブラシ、ウォーターブラストなどが挙げられる。

研磨部材によって、付着部分８を含む光反射層３の上面３４を研磨する。

また、上記した各方法は、適宜併用することができる。例えば、まず、溶媒によって、光反射層３の上面３４を拭き、その後、感圧接着シート９で付着部分８を引き剥がす。

また、一実施形態では、まず、光反射層３を形成し、付着部分８を含む光反射層３を完全硬化（Ｃステージ化）する前に、付着部分８を除去し、その後、付着部分８が除去された光反射層３を完全硬化（Ｃステージ化）している。

しかし、例えば、まず、光反射層３を完全硬化（Ｃステージ化）した後、付着部分８を除去することもできる。その際には、完全硬化（Ｃステージ化）した光反射層３は、上記した弾性率を有する。

好ましくは、光反射層３を完全硬化（Ｃステージ化）する前に、付着部分８を除去する。これにすれば、所望の弾性率を有する付着部分８を簡易かつ確実に除去することができる。

また、一実施形態の第１工程において、蛍光体層付光半導体素子７における蛍光体層２をＣステージで調製しているが、例えば、Ｂステージで調製することもできる。Ｂステージの蛍光体層２は、第２工程において、光反射層３のＣステージ化とともに、Ｃステージ化する。好ましくは、一実施形態のように、蛍光体層付光半導体素子７における蛍光体層２を予めＣステージ化する。これによれば、蛍光体層２および光反射層３間の剥離強度を低い所望範囲に設定して、付着部分８を蛍光体層２から確実に剥離することができる。

また、一実施形態では、第２工程において、粒子を、光反射樹脂組成物に配合しているが、これに限定されない。例えば、粒子を光反射樹脂組成物に配合しなくてもよい。その場合には、光反射層３の上面３４を、硬質かつ微小な凸部を複数有する切削部材で摺擦することにより、光反射層３の上面３４に微小な凹凸を付与することができる。切削部材としては、例えば、やすりなどが挙げられる。

また、一実施形態では、図１Ａ〜図２Ｄに示すように、複数の蛍光体層付光半導体素子７のそれぞれの上面３４に付着する付着部分８をまとめて除去している。

しかし、図５Ｂ〜図６Ｄに示すように、１つの蛍光体層付光半導体素子７の上面３４に付着する付着部分８を除去することもできる。

図５Ａに示す第１工程では、１つの光半導体素子１と、その上面１２および周側面１３を被覆する１つの蛍光体層２とを備える１つの蛍光体層付光半導体素子７を用意する。

図５Ｂおよび図５Ｃに示す第２工程では、１つの蛍光体層付光半導体素子７の上面２４および外周面２６を、光反射層３によって被覆する。これにより、１つの蛍光体層付光半導体素子７、および、１つの光反射層３を備える１つの蛍光体層−光反射層付光半導体素子１０を得る。

図６Ｄに示す第３工程において、付着部分８を除去する。

その後、蛍光体層−光反射層付光半導体素子１０を剥離シート５から剥離した後、図６Ｅに示すように、蛍光体層−光反射層付光半導体素子１０を基板４０にフリップチップ実装する。

この方法によっても、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、この方法によれば、光反射層３を切断して、蛍光体層付光半導体素子７を個片化する第４工程を実施しない。そのため、工程を簡略化することができる。

他方、一実施形態のように、複数の蛍光体層付光半導体素子７のそれぞれの上面３４に付着する付着部分８をまとめて除去すれば、製造効率を向上させることができる。

一実施形態では、図２Ｅに示すように、蛍光体層−光反射層付光半導体素子１０において、光反射層３の上面３４は、蛍光体層２の上面２４に対して、下側に配置されている。しかし、図７に示すように、光反射層３の上面３４を、蛍光体層２の上面２４に対して、厚み方向において同一位置に配置することもできる。光反射層３の上面３４は、蛍光体層２の上面２４に連続している。

さらには、図８Ｃに示すように、蛍光体層−光反射層付光半導体素子１０において、光反射層３の上面３４を、蛍光体層２の上面２４に対して、上側に配置することもできる。

図８Ｃに示す蛍光体層−被覆層付光半導体素子１０を得るには、図８Ａに示す第２工程の熱プレスおいて、比較的厚いスペーサを用いて、プレス厚みを比較的広く（厚く）設定する。

すると、熱プレスによっても、図１Ｂに示す蛍光体層付光半導体素子７の沈み込み、および、図１Ｃに示す蛍光体層付光半導体素子７の復元を抑制できる。そのため、図１Ｃに示すような付着部分８が側部３８から上側に配置されず、具体的には、図８Ｂに示すように、付着部分８の上面３４と、側部３８の上面３４とが、連続し、面一となる。

その後、図８Ｃに示すように、第３工程を実施すると、光反射層３において、付着部分８のみが除去される。この際、平面視において蛍光体層付光半導体素子７と重ならない光反射層３は、感圧接着シート９に接触しているものの、かかる光反射層３の厚みが付着部分８の厚みに対して十分に厚いため、感圧接着シート９によって引き剥がされず（感圧接着シート９に追従せず）、残存する。

そのため、光反射層３の上面３４は、蛍光体層２の上面２４よりも、上側に配置されている。光反射層３は、蛍光体層付光半導体素子７と重ならない上端部３６を有する。光反射層３の上端部３６は、蛍光体層付光半導体素子７の上面２４より上側に位置し、蛍光体層付光半導体素子７の上面２４に対して上側に突出する突出部分である。

また、上面３４から蛍光体層付光半導体素子７の上面２４に向かって凹む凹部３９が光半導体素子集合体１５に形成される。

凹部３９は、光反射層３の上端部３６の内周面３１と、蛍光体層付光半導体素子７の上面２４とからなる。

光反射層３の突出部分（上端部３６）の厚み、すなわち、凹部３９の深さは、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。

この蛍光体層−被覆層付光半導体素子１０では、付着部分８が除去された後の光反射層３の上面３４が、蛍光体層２の上面２４より、上側に配置されている。そのため、光半導体素子１から側方斜め上方に発光された光を、光反射層３の上端部３６がより一層有効に反射することができる。そのため、蛍光体層付光半導体素子７の光の指向性（光が上方に集中する性質）を向上することができる。

図１Ａに示すように、一実施形態の蛍光体層付光半導体素子７では、蛍光体層２は、断面視において、下方に向かって開放される略Ｕ字（コ字）形状を有し、上壁２１および周壁２２を有する。しかし、蛍光体層２の形状は、上記に限定されない。

例えば、図９Ａに示すように、蛍光体層２が、周壁２２（図１Ａおよび図２Ｅ参照）を有さず、上壁２１のみを有してもよく、また、図１０Ａに示すように、蛍光体層２の上壁２１が突出部２８を有してもよく、さらに、図１１Ａに示すように、蛍光体層２の周壁２２が、光半導体素子１の周側面１３の上側部分のみを被覆してもよく、さらにまた、図１２Ａに示すように、蛍光体層２が、鍔部２９をさらに有することもできる。

図９Ａに示すように、第１工程で用意される蛍光体層付光半導体素子７において、光反射層３は、上壁２１からなる。上壁２１は、外周面２６を有する。外周面２６は、光半導体素子１の周側面１３と面一であって、周側面１３に連続する。

図９Ｂに示すように、第２工程では、光反射層３を、蛍光体層２の外周面２６、および、光半導体素子１の周側面１３に形成する。この際、光反射層３の上壁２１の上面２４に付着部分８が形成される。

図９Ｃに示すように、第３工程では、光反射層３の上壁２１の上面２４に付着する付着部分８を除去する。

また、図１０Ａに示すように、第１工程で用意される蛍光体層付光半導体素子７において、上壁２１は、平面視において、光半導体素子１から外方（光半導体素子１から離れる方向）に突出する突出部２８を有する。突出部２８は、平面視において、光半導体素子１と重複しない非重複部である。突出部２８の先端面は、上壁２１の外周面２６を構成する。

図１０Ｂに示すように、第２工程では、光反射層３を、上壁２１の突出部２８の外周面２６および下面と、光半導体素子１の周側面１３とに形成する。この際、光反射層３の上壁２１の上面２４に付着部分８が形成される。

図１０Ｃに示すように、第３工程では、光反射層３において、突出部２８を含む上壁２１の上面２４に付着する付着部分８を除去する。

図１１Ａに示すように、第１工程で用意される蛍光体層付光半導体素子７において、周壁２２は、光半導体素子１の周側面１３の下側部分を露出する一方、周側面１３の上側部分を被覆する。周壁２２の周壁下面２７は、光半導体素子１の下面１１に対して、上側に位置する。

図１１Ｂに示すように、第２工程では、光反射層３を、蛍光体層２における周壁２２の外周面２６および周壁下面２７と、光半導体素子１の周側面１３の下側部分とに形成する。この際、光反射層３の上壁２１の上面２４に付着部分８が形成される。

図１１Ｃに示すように、第３工程では、上壁２１の上面２４に付着する付着部分８を除去する。

図１２Ａに示すように、第１工程で用意される蛍光体層付光半導体素子７において、鍔部２９は、周壁２２の下端縁から外方（光半導体素子１から離れる方向）に膨出する、平面視略矩形枠形状を有する。

図１２Ｂに示すように、第２工程では、光反射層３を、蛍光体層２における周壁２２の外周面２６と、鍔部２９の上面とに形成する。この際、光反射層３の上壁２１の上面２４に付着部分８が形成される。

図１２Ｃに示すように、第３工程では、光反射層３の上壁２１の上面２４に付着する付着部分８を除去する。

さらに、図９Ｃ、図１０Ｃ、図１１Ｃおよび図１２Ｃにおいて図示しないが、図８Ｃが参照されるように、光反射層３の上面３４が、蛍光体層付光半導体素子７の上面２４に対して、上側に配置されてもよい。あるいは、図７が参照されるように、光反射層３の上面３４が、蛍光体層付光半導体素子７の上面２４に対して、連続し、面一となってもよい。

また、図１Ｂに示すように、一実施形態の第２工程において、付着部分８（光反射層３）は、蛍光体層２の上面２４に付着している。しかし、光反射層３の付着対象は、上記に限定されない。例えば、図１３Ａ、図１４Ａおよび図１５Ａに示すように、まず、第１工程において、蛍光体層２の上壁２１の上面２４に、機能層の一例としての透明層４２を形成し、次いで、図１３Ｂ、図１４Ｂおよび図１５Ｂに示すように、第２工程において、かかる透明層４２の上面４４に付着部分８が付着してもよい。つまり、第２工程において、透明層４２が、蛍光体層２と光反射層３との間に介在してもよい。

図１３Ａに示すように、第１工程で用意される機能層付光半導体素子の一例としての透明層−蛍光体層付光半導体素子４７は、光半導体素子１および蛍光体層２に加え、透明層４２をさらに備えられる。

透明層４２は、蛍光体層２の上面２４を被覆する。透明層４２は、蛍光体層２の上面２４に接触する下面４３と、下面４３の上側に対向配置される上面４４と、下面４３および上面４４の周端縁を連結する外周面４５とを有する。透明層４２の外周面４５は、蛍光体層２の外周面２６に連続する。透明層４２は、上記した透明樹脂と、必要により充填材およびチクソ付与粒子とを適宜の割合で含有する透明樹脂組成物から、略平板（シート）形状に形成されている。

図１３Ｂに示すように、第２工程では、光反射層３を、透明層４２の外周面４５と、蛍光体層２の外周面２６とに形成する。この際、透明層４２の上面４４に付着部分８が形成される。

図１３Ｃに示すように、第３工程では、透明層４２の上面４４に付着する付着部分８を除去する。これによって、透明層−蛍光体層付光半導体素子４７および光反射層３を備える光反射層−透明層−蛍光体層付光半導体素子５０を得る。

図１４Ａに示すように、第１工程で用意される透明層−蛍光体層付光半導体素子４７において、蛍光体層２は、上壁２１のみからなる。透明層４２の外周面４５は、蛍光体層２の上壁２１の外周面２６に連続する。

図１４Ｂに示すように、第２工程では、光反射層３を、透明層４２の外周面４５と、蛍光体層２の外周面２６と、光半導体素子１の周側面１３とに形成する。この際、透明層４２の上面４４に付着部分８が形成される。

図１４Ｃに示すように、第３工程では、透明層４２の上面４４に付着する付着部分８を除去する。

図１５Ａに示すように、第１工程で用意される透明層−蛍光体層付光半導体素子４７において、透明層４２は、平面視において、光半導体素子１から外方（光半導体素子１から離れる方向）に突出する第２突出部４８を有する。第２突出部４８は、蛍光体層２の突出部２８の上側に配置されている。第２突出部４８の外周面４５と、突出部２８の外周面２６とは、面一であって、連続している。

図１５Ｂに示すように、第２工程では、光反射層３を、透明層４２の第２突出部４８の外周面４５と、蛍光体層２の突出部２８の外周面２６および下面と、光半導体素子１の周側面１３とに形成する。この際、透明層４２の上面４４に付着部分８が形成される。

図１５Ｃに示すように、第３工程では、透明層４２の上面４４に付着する付着部分８を除去する。

図１３Ｃ、図１４Ｃおよび図１５Ｃにおいて図示しないが、図８Ｃが参照されるように、図８Ｃが参照されるように、光反射層３の上面３４が、透明層−蛍光体層付光半導体素子４７の上面に対して、上側に配置されてもよい。あるいは、図７が参照されるように、光反射層３の上面３４が、透明層−蛍光体層付光半導体素子４７の上面に対して、連続し、面一となってもよい。

さらに、図１３Ａ〜図１５Ｃの括弧書き符号で示すように、機能層の一例として、透明層４２に代えて、光拡散層４９を用いることができる。

光拡散層４９は、上記した樹脂と、特開２０１６−０４８７６４号公報などに記載される光拡散性粒子とを適宜の割合で含有する。

図１３Ａ、図１４Ａおよび図１５Ａに示すように、第１工程では、光半導体素子１、蛍光体層２および光拡散層４９を備える機能層付光半導体素子の一例としての光拡散層−蛍光体層付光半導体素子４６を用意する。

この方法では、図１３Ｃ、図１４Ｃおよび図１５Ｃに示すように、光半導体素子１、蛍光体層２、光拡散層４９および光反射層３を備える光反射層−光拡散層−蛍光体層付光半導体素子５１が得られる。

図１３Ｃ、図１４Ｃおよび図１５Ｃにおいて図示しないが、図８Ｃが参照されるように、図８Ｃが参照されるように、光反射層３の上面３４が、光拡散層−蛍光体層付光半導体素子４６の上面に対して、上側に配置されてもよい。あるいは、図７が参照されるように、光反射層３の上面３４が、光拡散層−蛍光体層付光半導体素子４６の上面に対して、連続し、面一となってもよい。

また、一実施形態では、被覆層の一例として光反射層３を挙げたが、これに限定されず、例えば、透明層、有色層、熱伝導層などを挙げることもできる。

上記した各変形例は、上記した一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。

以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。

実施例１
（１）第１工程（蛍光体層付光半導体素子の作製）
図１Ａに示すように、一実施形態と同様の、光半導体素子１、および、光半導体素子１の上面１２および周側面１３を被覆する蛍光体層２を有する複数の蛍光体層付光半導体素子７を用意した。

光半導体素子１の寸法は、１．１４ｍｍ×１．１４ｍｍ、厚み１５０μｍであった。

蛍光体層２における上壁２１の厚みは、２００μｍであり、周壁２２の厚みは、１００μｍであった。また、蛍光体層２は、フェニル系シリコーン樹脂（屈折率１．５６）１００質量部、蛍光体（商品名「Ｙ４６８」、ＹＡＧ：Ｃｅ、平均粒子径１７μｍ、ネモト・ルミマテリアル社製）４０質量部、充填材としてのガラス粒子（屈折率１．５５、平均粒子径２０μｍ、組成および組成比率（質量％）：ＳｉＯ_２／Ａｌ_２Ｏ_３／ＣａＯ／ＭｇＯ＝６０／２０／１５／５の無機粒子）１００質量部、および、チクソ付与粒子としての煙霧シリカ（Ｒ９７６ｓ、日本アエロジル社製）２質量部を含有する蛍光体樹脂組成物から調製した。また、蛍光体層２は、Ｃステージであった。

蛍光体層付光半導体素子７の寸法は、１．３４ｍｍ×１．３４ｍｍ、厚み３５０μｍであった。複数の蛍光体層付光半導体素子７間の間隔は、０．３ｍｍでった。また、複数の蛍光体層付光半導体素子７の総面積の、素子領域の面積に対する割合は、６７％であった。

（２）第２工程
特開２０１６−０３７５６２号公報の実施例に記載の調製例１に準拠したＡステージのフェニル系シリコーン樹脂（Ｂステージとなることができる１段反応硬化性樹脂、Ｃステージにおける屈折率１．５６）１００質量部に、光反射成分として酸化チタン粒子（屈折率２．７、平均粒子径０．３６μｍ、Ｒ７０６、デュポン社製）６０質量部、粒子としてのガラス粒子（屈折率１．５５、平均粒子径２０μｍ、組成および組成比率（質量％）：ＳｉＯ_２／Ａｌ_２Ｏ_３／ＣａＯ／ＭｇＯ＝６０／２０／１５／５の無機粒子）４０質量部（光反射性樹脂組成物に対して３０質量％）、および、チクソ付与粒子としての煙霧シリカ（屈折率１．４１、Ｒ９７６ｓ（日本アエロジル社製）２質量部を、配合して混合することにより、光反射性樹脂組成物を調製した。

別途、図示しない剥離シート（ＰＥＴフィルム、品名「ＳＥ−１」、厚み５０μｍ、フジコー社製）の表面に、加熱後の厚みが２００μｍとなるようにコンマコーターで光反射性樹脂組成物を塗布し、続いて、８０℃、１１．５分加熱（ベイク）した。

これにより、図１Ａに示すように、Ｂステージの光反射シート６を作製した。

続いて、１枚のＢステージの光反射シート６を、複数の蛍光体層付光半導体素子７の上面２４に配置し、続いて、Ｂステージの光反射シート６を複数の蛍光体層付光半導体素子７に対して、平板熱プレスを用いて、９０℃で、１０分、熱プレスした。これにより、図１Ｂおよび図１Ｃに示すように、Ｂステージの光反射樹脂組成物を、複数の蛍光体層付光半導体素子７間に充填するとともに、Ｂステージの光反射層３で、平面視において外側に配置される蛍光体層付光半導体素子７の外周面２６を被覆した。

一方、蛍光体層付光半導体素子７の上面２４には、光反射層３の一部である付着部分８が付着した。付着部分８の上面３４は、側部３８の上面３４に対して、２０μｍ上側に配置されていた。

なお、熱プレス中、光反射層３は、軟化および溶融し、その際、付着部分８の上面３４がプレス板に対応する平坦面を有していた。

（３）第３工程
図２Ｄに示すように、感圧接着シート９（商品名５６１５、日東電工社製）を付着部分８の上面３４に感圧接着し、その後、感圧接着シート９を付着部分８の上面３４に対して１８０度剥離することにより、付着部分８を蛍光体層２の上面２４から剥離した。

これによって、複数の蛍光体層付光半導体素子７と、１つの光反射層３とを備える光半導体素子集合体１５を、仮固定シートで支持した状態で、得た。

（４）第４工程
まず、光反射層３を、１５０℃、３時間加熱して、Ｃステージ化した（完全硬化させた）。光反射層３の加熱によって、光反射層３は、熱収縮した。そのため、側部３８の上面３４は、蛍光体層付光半導体素子７の上面２４より、５μｍ下側に配置された。

続いて、ダイシングソーによって、Ｃステージの光反射層３を切断して、蛍光体層付光半導体素子７を個片化した。

これによって、蛍光体層付光半導体素子７と、光反射層３とを備える複数の蛍光体層−光反射層付光半導体素子１０を得た。

実施例２〜７および比較例１〜３
表１に従って処方を変更した以外は、実施例１と同様に処理して、蛍光体層−光反射層付光半導体素子１０を得た。

なお、実施例２は、第２工程において、１枚のＢステージの光反射シート６を、複数の蛍光体層付光半導体素子７の上面２４に配置し、続いて、Ｂステージの光反射シート６を複数の蛍光体層付光半導体素子７に対して、９０℃で、１０分、熱プレスし、光反射シート６を変形させた。次いで、１５０℃で３時間加熱することでＣステージ化した（完全硬化させた）。その後、第３工程を実施した。

実施例４については、やすり（種類Ｎｏ．２４０）によって、光反射層３の上面３４に微小な凹凸を付与した。

評価
各実施例および各比較例について、以下の項目を評価した。その結果を表１に示す。

１．付着部分の厚みＴ
ダイヤルゲージによって、付着部分８の厚みＴを測定した。

２．剥離強度
蛍光体層２および光反射層３間の剥離強度を、オートグラフＡＧシリーズ（島津製作所社製）によって、測定した。

３．光反射層の弾性率
付着部分８を剥離する直前の光反射層３の弾性率として、表中、「蛍光体シートの加熱条件」で加熱した光反射シート６（３００μｍ×１０ｍｍ×１０ｍｍ）の２５℃におけるヤング率（ＪＩＳ Ｋ７１６１−１９９４）を求めた。

４．光反射層の上面の観察
（１）表面粗さ
付着部分８の上面３４の算術平均粗さＲａを、ＪＩＳ Ｂ０６０１（２００９）に従って測定した。
（２）第２工程における光反射層の上面の凹凸
第２工程の熱プレス時における付着部分８の上面３４をマイクロスコープＶＨＸシリーズ（キーエンス社製）により観察した。

４．付着部分の除去性
第３工程における付着部分８の除去性を、下の基準で評価した。
○：付着部分８の残存が全く観察されなかった。
△：付着部分８の残存がほとんど観察されなかった。
×：付着部分８の残存が観察された。

１ 光半導体素子
２ 蛍光体層
３ 光反射層
７ 蛍光体層付光半導体素子
９ 感圧接着シート
１１ 下面（光半導体素子）
１２ 上面（光半導体素子）
２４ 上面（蛍光体層）
３４ 上面（光反射層）
４２ 透明層
４４ 上面（透明層）
４５ 外周面（透明層）
４６ 光拡散層−蛍光体層付光半導体素子
４７ 透明層−蛍光体層付光半導体素子
４９ 光拡散層
５０ 光反射層−透明層−蛍光体層付光半導体素子
５１ 光反射層−光拡散層−蛍光体層付光半導体素子
Ｔ 付着部分の厚み
Ｒａ 算術表面粗さ（光反射層の上面）

Claims (9)

1. 電極が設けられる下面および前記下面に対向する上面を有する光半導体素子と、
   前記光半導体素子の前記上面を被覆する機能層と、
   前記機能層の側面を被覆する被覆層とを備える機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法であり、
   前記光半導体素子と前記機能層とを備える機能層付光半導体素子を用意する第１工程と、
   前記被覆層を、前記機能層の前記側面に形成する第２工程と、
   前記第２工程において前記機能層の前記上面に付着する前記被覆層を除去する第３工程とを備え、
   前記第２工程において前記機能層の前記上面に付着する前記被覆層の厚みＴが、５０μｍ以下であり、
   前記第２工程における前記被覆層の前記上面の、ＪＩＳ Ｂ０６０１（２００９）に従って測定される算術平均粗さＲａが、１μｍ以上、１０μｍ以下であることを特徴とする、機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法。
2. 前記第３工程で、前記第２工程において前記機能層の前記上面に付着する前記被覆層を、感圧接着シートを用いて、前記機能層の前記上面から引き剥がすことを特徴とする、請求項１に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法。
3. 前記被覆層は、粒子を含有することを特徴とする、請求項１または２に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法。
4. 前記第２工程において前記機能層の前記上面に付着する前記被覆層の厚みＴが、３μｍ以上であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法。
5. 前記被覆層および前記機能層間の剥離強度が、０．３（Ｎ／２０ｍｍ）超過、８（Ｎ／２０ｍｍ）以下であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法。
6. 前記第２工程において前記機能層の前記上面に付着する前記被覆層の弾性率は、２０Ｎ／ｍｍ^２以上であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法。
7. 前記機能層は、蛍光体を含有し、
   前記機能層は、前記光半導体素子の側面を被覆していることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法。
8. 前記第２工程では、前記被覆層を形成するための被覆材料からシート状に形成される被覆シートにより、前記機能層を埋設することを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の被覆層付光半導体素子の製造方法。
9. 前記第１工程では、前記機能層付光半導体素子を、互いに間隔を隔てて複数配置し、
   前記第２工程では、前記被覆層を形成するための被覆材料から形成される被覆シートを前記機能層付光半導体素子の前記上面に配置するとともに、前記被覆シートを、互いに隣接する複数の前記機能層付光半導体素子間に充填し、
   前記第３工程では、前記第２工程において複数の前記機能層の前記上面に付着する前記被覆層を除去することを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法。

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