JP2014168032A - 蛍光体層被覆led、その製造方法およびled装置 - Google Patents

蛍光体層被覆led、その製造方法およびled装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2014168032A
JP2014168032A JP2013136504A JP2013136504A JP2014168032A JP 2014168032 A JP2014168032 A JP 2014168032A JP 2013136504 A JP2013136504 A JP 2013136504A JP 2013136504 A JP2013136504 A JP 2013136504A JP 2014168032 A JP2014168032 A JP 2014168032A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
led
sheet
phosphor
phosphor layer
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013136504A
Other languages
English (en)
Inventor
Ryuichi Kimura
龍一 木村
Hiroyuki Katayama
博之 片山
Yuki Ebe
悠紀 江部
Shusuke Onishi
秀典 大西
Kazuhiro Fukuya
一浩 福家
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Priority to JP2013136504A priority Critical patent/JP2014168032A/ja
Publication of JP2014168032A publication Critical patent/JP2014168032A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12042LASER
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • H01L33/0095Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【課題】活性エネルギー線透過性の支持板に限らず、活性エネルギー線遮断性の支持板をも用いることができ、簡便に、かつ、優れた寸法安定性で蛍光体層被覆LEDを得ることのできる、蛍光体層被覆LEDの製造方法、それにより得られる蛍光体層被覆LED、および、それを備えるLED装置を提供すること。
【解決手段】蛍光体シート被覆LED10の製造方法では、硬質の支持板2と、支持板2の上面に形成され、活性エネルギー線の照射によって粘着力が低下する粘着層3とを備える支持シート1を用意し、LED4を、支持板2に粘着層3を介して貼着し、蛍光体シート5を支持板2の上面に配置してLED4を封止した後、蛍光体シート5を、LED4に対応して切断することにより、蛍光体シート被覆LED10を得、その後、活性エネルギー線を少なくとも上方から蛍光体シート5を介して粘着層3に照射して、蛍光体シート被覆LED10を粘着層3から剥離する。
【選択図】図1

Description

本発明は、蛍光体層被覆LED、その製造方法およびLED装置に関し、詳しくは、蛍光体層被覆LEDの製造方法、それにより得られる蛍光体層被覆LED、および、それを備えるLED装置に関する。
従来、発光ダイオード装置(以下、LED装置と略記する。)は、まず、基板に複数の発光ダイオード素子(以下、LEDと略記する。)を実装し、次いで、複数のLEDを被覆するように蛍光体層を設け、その後、各LEDに個片化することにより、製造されることが知られている。
しかしながら、複数のLEDの間において、発光波長や発光効率にバラツキを生じるため、そのようなLEDが実装されたLED装置では、複数のLEDの間において発光にバラツキを生じる不具合がある。
かかる不具合を解消すべく、例えば、複数のLEDを蛍光体層で被覆して蛍光体層被覆LEDを作製し、その後、蛍光体層被覆LEDを発光波長や発光効率に応じて選別した後、基板に実装することが検討されている。
例えば、下記の方法により得られる蛍光体層被覆LED(チップ部品)が提案されている(例えば、下記特許文献1参照。)。
すなわち、まず、石英基板の上に、紫外線の照射によって粘着力が低下する粘着シートを貼り付け、その後、粘着シートの上にチップ(LED)を貼り付ける。その後、チップの上から樹脂を塗布して、樹脂で被覆されたチップからなる疑似ウエーハを粘着シートの上で作製する。その後、石英基板の裏側(下側)から紫外線を照射して、粘着シートの粘着力を弱くして、疑似ウエーハを、石英基板および粘着シートから剥離する。その後、剥離した疑似ウエーハを、チップ単位でダイシングして個片化する。
特開2001−308116号公報
しかし、特許文献1に記載の方法では、裏側から照射される紫外線が、石英基板を透過した後、粘着シートに至ることから、基板として、石英基板など、紫外線を透過させることができる基板材料を選択する必要がある。そのため、基板材料の選択に制限を受ける。
また、特許文献1に記載の方法では、疑似ウエーハをダイシングするときには、疑似ウエーハは、すでに石英基板および粘着シートから剥離され、つまり、石英基板に支持されておらず、そのため、疑似ウエーハを優れた精度でダイシングすることができず、その結果、得られるチップ部品の寸法安定性が低いという不具合がある。
本発明の目的は、活性エネルギー線透過性の支持板に限らず、活性エネルギー線遮断性の支持板をも用いることができ、簡便に、かつ、優れた寸法安定性で蛍光体層被覆LEDを得ることのできる、蛍光体層被覆LEDの製造方法、それにより得られる蛍光体層被覆LED、および、それを備えるLED装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の蛍光体層被覆LEDの製造方法は、硬質の支持板と、前記支持板の厚み方向一方面に積層され、活性エネルギー線の照射によって粘着力が低下する粘着層とを備える支持シートを用意する用意工程、LEDを、前記支持板に前記粘着層を介して貼着するLED貼着工程、蛍光体層を前記支持板の前記厚み方向一方面に配置して、前記蛍光体層によって前記LEDを被覆する被覆工程、前記被覆工程後に、前記蛍光体層を、前記LEDに対応して切断することにより、前記LEDと、前記LEDを被覆する前記蛍光体層とを備える蛍光体層被覆LEDを得る切断工程、および、前記切断工程の後に、活性エネルギー線を少なくとも前記厚み方向一方側から前記粘着層に照射して、前記蛍光体層被覆LEDを前記粘着層から剥離するLED剥離工程を備えることを特徴としている。
また、本発明の蛍光体層被覆LEDの製造方法では、前記蛍光体層は、蛍光体シートから形成されていることが好適である。
また、本発明の蛍光体層被覆LEDの製造方法において、前記被覆工程では、Bステージの前記蛍光体シートによって、前記LEDを被覆し、その後、前記蛍光体シートを硬化させてCステージにすることが好適である。
また、本発明の蛍光体層被覆LEDの製造方法では、前記蛍光体層は、前記LEDを被覆する被覆部と、光反射成分を含有し、前記被覆部を囲むようにして形成されるリフレクタ部とを備えることが好適である。
また、本発明の蛍光体層被覆LEDの製造方法において、前記用意工程では、前記支持シートを、前記切断工程において切断の基準となる基準マークが予め設けられるように、用意することが好適である。
また、本発明の蛍光体層被覆LEDは、上記した蛍光体層被覆LEDの製造方法により得られることを特徴としている。
また、本発明のLED装置は、基板と、前記基板に実装される上記した蛍光体層被覆LEDとを備えることを特徴としている。
本発明の蛍光体層被覆LEDの製造方法によれば、LED剥離工程では、活性エネルギー線を少なくとも厚み方向一方側から粘着層に照射する。すると、活性エネルギー線が蛍光体層を透過して粘着層に照射される。そのため、支持板を、活性エネルギー線を透過させる基板材料から形成して、その支持板に活性エネルギー線を透過させる必要がない。その結果、支持板として、活性エネルギー線透過性の支持板に限らず、活性エネルギー線遮断性の支持板からも選択することができる。
また、切断工程後に、LED剥離工程を実施する。つまり、切断工程では、硬質の支持板を備える支持シートにより、LEDおよび蛍光体シートを支持しながら、蛍光体シートを切断することができる。そのため、寸法安定性に優れる蛍光体層被覆LEDを得ることができる。
従って、本発明の蛍光体層被覆LEDは、寸法安定性に優れる。
また、本発明のLED装置は、寸法安定性に優れる蛍光体層被覆LEDを備えるので、信頼性に優れ、そのため、発光効率が向上されている。
図1は、本発明の蛍光体層被覆LEDの製造方法の第1実施形態を示す工程図であり、(a)は、支持シートを用意する用意工程、(b)は、LEDを支持シートの上に配置するLED貼着工程、(c)は、蛍光体シートを支持シートの上面に貼着するシート貼着工程、(d)は、蛍光体シートによってLEDを封止する封止工程、および、蛍光体シートを切断する切断工程、(e)は、蛍光体層被覆LEDを支持シートから剥離するLED剥離工程、(f)は、蛍光体層被覆LEDを基板に実装する実装工程を示す。 図2は、図1(a)に示す支持シートの平面図を示す。 図3は、本発明の蛍光体層被覆LEDの製造方法の第2実施形態を示す工程図であり、(a)は、支持シートを用意する用意工程、(b)は、LEDを支持シートの上に配置するLED貼着工程、(c)は、埋設−リフレクタシートの埋設部によってLEDを埋設するシート貼着工程、(d)は、埋設部によってLEDを封止する封止工程、および、リフレクタ部を切断する切断工程、(e)は、リフレクタ部が設けられた蛍光体シート被覆LEDを支持シートから剥離するLED剥離工程、(f)は、リフレクタ部が設けられた蛍光体シート被覆LEDを基板に実装する実装工程を示す。 図4は、図3(d)に示す蛍光体シート埋設LEDの平面図を示す。 図5は、図3(b)に示す埋設−リフレクタシートの製造方法の工程図であり、(a)は、プレス装置にリフレクタシートを配置する工程、(b)は、リフレクタシートをプレスして、リフレクタ部を形成する工程、(c)は、蛍光体シートを、リフレクタ部の上に配置する工程、(d)は、蛍光体シートをプレスして、埋設部を形成する工程、(e)は、埋設−リフレクタシートを剥離シートから剥離する工程を示す。 図6は、本発明の蛍光体層被覆LEDの製造方法の第3実施形態に用いられる埋設−リフレクタシートの製造方法の工程図であり、(a)は、プレス装置にリフレクタシートを配置する工程、(b)は、リフレクタシートをプレスして、リフレクタ部を形成する工程、(c)は、蛍光樹脂組成物のワニスを貫通孔にポッティングする工程、(d)は、埋設−リフレクタシートを剥離シートから剥離する工程を示す。 図7は、本発明の蛍光体層被覆LEDの製造方法の第4実施形態を示す工程図であり、(a)は、支持シートを用意する用意工程、(b)は、LEDを支持シートの上に配置するLED貼着工程、(c)は、埋設−リフレクタシートの埋設部によってLEDを埋設するシート貼着工程、(d)は、埋設部によってLEDを封止する封止工程、および、リフレクタ部を切断する切断工程、(e)は、リフレクタ部が設けられた蛍光体シート被覆LEDを支持シートから剥離するLED剥離工程、(f)は、リフレクタ部が設けられた蛍光体シート被覆LEDを基板に実装する実装工程を示す。 図8は、本発明の蛍光体層被覆LEDの製造方法の第5実施形態を示す工程図であり、(a)は、支持シートを用意する用意工程、(b)は、LEDを支持シートの上に配置するLED貼着工程、(c)は、埋設−リフレクタシートの埋設部によってLEDを埋設するシート貼着工程、(d)は、埋設部によってLEDを封止する封止工程、および、リフレクタ部を切断する切断工程、(e)は、リフレクタ部が設けられた蛍光体シート被覆LEDを支持シートから剥離するLED剥離工程、(f)は、リフレクタ部が設けられた蛍光体シート被覆LEDを基板に実装する実装工程を示す。 図9は、図8(b)に示す埋設−リフレクタシートの製造方法の工程図であり、(a)は、打抜装置にリフレクタシートを配置する工程、(b)は、リフレクタシートを打ち抜いて、リフレクタ部を形成する工程、(c)は、蛍光体シートを、リフレクタ部の上に配置する工程、(d)は、蛍光体シートをプレスして、埋設部を形成する工程、(e)は、埋設−リフレクタシートを剥離シートから剥離する工程を示す。 図10は、本発明の蛍光体層被覆LEDの製造方法の第6実施形態に用いられる埋設−リフレクタシートの製造方法の工程図であり、(a)は、打抜装置にリフレクタシートを配置する工程、(b)は、リフレクタシートを打ち抜いて、リフレクタ部を形成する工程、(c)は、蛍光樹脂組成物のワニスを貫通孔にポッティングする工程、(d)は、埋設−リフレクタシートを剥離シートから剥離する工程を示す。 図11は、本発明の蛍光体層被覆LEDの製造方法の第7実施形態を示す工程図であり、(a)は、支持シートを用意する用意工程、(b)は、LEDを支持シートの上に配置するLED貼着工程、(c)は、LEDを被覆部によって被覆する被覆工程、(d)は、被覆部を硬化させる硬化工程、および、リフレクタ部を切断する切断工程、(e)は、リフレクタ部が設けられた蛍光体シート被覆LEDを支持シートから剥離するLED剥離工程、(f)は、リフレクタ部が設けられた蛍光体シート被覆LEDを基板に実装する実装工程を示す。 図12は、本発明の蛍光体層被覆LEDの製造方法の第8実施形態を示す工程図であり、(a)は、支持シートを用意する用意工程、(b)は、LEDを支持シートの上に配置するLED貼着工程、(c)は、蛍光体シートによってLEDの側面を被覆するシート貼着工程、(d)は、蛍光体シートを硬化させる硬化工程、および、蛍光体シートを切断する切断工程、(e)は、蛍光体シート被覆LEDを支持シートから剥離するLED剥離工程、(f)は、蛍光体シート被覆LEDを基板に実装する実装工程を示す。 図13は、本発明の蛍光体層被覆LEDの製造方法の第9実施形態に用いられるディスペンサの斜視図を示す。
<第1実施形態>
図1において、紙面上下方向を上下方向(第1方向、厚み方向)、紙面左右方向を左右方向(第2方向、第1方向に直交する方向)、紙面紙厚方向を前後方向(第3方向、第1方向および第2方向に直交する方向)とする。図2以降の各図は、上記した方向および図1の方向矢印に準拠する。
図1は、本発明の蛍光体層被覆LEDの製造方法の第1実施形態を示す工程図である。図2は、図1(a)に示す支持シートの平面図を示す。
なお、図2において、後述する粘着層3は、後述する支持板2および基準マーク18の相対配置を明確に示すために、省略している。
蛍光体層被覆LEDの一例である蛍光体シート被覆LED10の製造方法は、支持シート1を用意する用意工程(図1(a)参照)、LED4を、支持板2に粘着層3を介して貼着するLED貼着工程(図1(b)参照)、蛍光体層としての蛍光体シート5によってLED4を封止する封止工程(被覆工程の一例、図1(c)および図1(d)参照)、蛍光体シート5を、LED4に対応して切断する切断工程(図1(d)の破線参照)、および、蛍光体シート被覆LED10を粘着層3から剥離するLED剥離工程(図1(e)参照)を備える。
以下、各工程について詳述する。
<用意工程>
図1(a)および図2に示すように、支持シート1は、面方向に(厚み方向に対する直交方向、すなわち、左右方向および前後方向)に延びるシート形状をなし、平面視形状(厚み方向に投影したときの形状)は、例えば、矩形状に形成されている。
また、支持シート1は、後で説明する切断工程(図1(d)破線参照)において切断の基準となる基準マーク18が予め設けられるように、用意される。
図2に示すように、基準マーク18は、支持シート1における面方向における周端部において、間隔を隔てて複数設けられている。例えば、基準マーク18は、支持シート1において互いに対向する2辺にそれぞれ設けられており、基準マーク18は、支持シート1の2辺の対向方向において対向する1対をなすように形成されている。1対の基準マーク18は、その後に配置されるLED4(図2の仮想線参照)に対応して設けられ、基準マーク18を基準として蛍光体シート5を切断したときに、LED4を個片化できるように配置されている。
各基準マーク18は、平面視において容易に認識される形状に形成されており、例えば、平面視略三角形状に形成されている。
支持シート1のサイズは、最大長さが、例えば、10mm以上、300mm以下であり、また、1辺の長さが、例えば、10mm以上、300mm以下である。
支持シート1は、次に説明するLED4(図1(b)参照)を支持できるように構成されており、例えば、支持板2と、支持板2の上面に積層される粘着層3とを備える。
支持板2は、少なくとも面方向に延伸不能であって、硬質の材料から形成されており、そのような材料としては、硬質性が担保されていれば、特に限定されず、例えば、活性エネルギー線を遮断する活性エネルギー遮断性材料や、活性エネルギー線を透過させる活性エネルギー線透過材料、さらには、活性エネルギー線を部分的に透過させる(半透過させる)活性エネルギー線半透過性材料などから適宜選択される。具体的に、支持板2を形成する材料としては、例えば、酸化ケイ素(石英など)、アルミナなどの酸化物、例えば、ステンレスなどの金属、例えば、シリコンなどが挙げられる。
支持板2の23℃におけるヤング率は、例えば、1×10Pa以上、好ましくは、1×10Pa以上、より好ましくは、1×10Pa以上であり、また、例えば、1×1012Pa以下でもある。支持板2のヤング率が上記した下限以上であれば、支持板2の硬質を担保して、後述するLED4(図1(b)参照)を確実に支持することができる。なお、支持板2のヤング率は、例えば、JIS H 7902:2008の圧縮弾性率などから求められる。
支持板2の厚みは、例えば、0.1mm以上、好ましくは、0.3mm以上であり、また、例えば、5mm以下、好ましくは、2mm以下でもある。
図1(a)に示すように、粘着層3は、支持板2の上面全面に形成されている。
粘着層3は、活性エネルギー線の照射によって粘着力が低下する材料から、活性エネルギー線照射剥離層(シート)として形成されており、具体的には、例えば、アクリル系感圧接着剤層などの感圧接着剤層が挙げられる。また、粘着層3は、例えば、特開2001−308116号公報に記載の活性エネルギー線照射剥離層(シート)から形成することもできる。
粘着層3の厚みは、例えば、0.1mm以上、好ましくは、0.2mm以上であり、また、1mm以下、好ましくは、0.5mm以下でもある。
支持シート1を用意するには、例えば、支持板2と粘着層3とを貼り合わせる。なお、まず、支持板2を用意し、次いで、上記した粘着材料および必要により配合される溶媒から調製されるワニスを支持板2に塗布し、その後、必要により、溶媒を留去する塗布方法などによって、粘着層3を支持板2に直接積層することもできる。
支持シート1の厚みは、例えば、0.2mm以上、好ましくは、0.5mm以上であり、また、6mm以下、好ましくは、2.5mm以下でもある。
<LED貼着工程>
LED貼着工程は、用意工程の後に、実施する。
図1(b)の下部および図2の仮想線に示すように、LED4は、例えば、厚みが面方向(厚み方向に対する直交方向)長さ(最大長さ)より短い断面視略矩形状および平面視略矩形状に形成されている。また、LED4の下面は、図示しないバンプから形成されている。LED4としては、例えば、青色光を発光する青色ダイオード素子が挙げられる。
LED4の面方向の最大長さは、例えば、0.1mm以上、3mm以下である。また、LED4の厚みは、例えば、0.05mm以上、1mm以下である。
LED貼着工程では、例えば、複数のLED4を、粘着層3の上面に整列状に貼着する。具体的には、複数のLED4が平面視において前後左右に互いに等間隔を隔てるように、LED4を粘着層3の上面に貼着する。また、LED4を、図示しないバンプが粘着層3の上面に対向するように、粘着層3の上面に貼着する。これによって、LED4は、その整列状態が維持されるように、粘着層3の上面に支持(感圧接着)される。
各LED4間の間隔は、例えば、0.05mm以上、2mm以下である。
<封止工程>
封止工程は、LED貼着工程の後に、実施する。
図1(b)の上部において、蛍光体シート5は、硬化性樹脂および蛍光体を含有する蛍光樹脂組成物から、面方向に延びるシート状に形成されている。
硬化性樹脂としては、例えば、加熱により硬化する熱硬化性樹脂、例えば、紫外線、電子線などの活性エネルギー線(例えば、紫外線、電子線など)の照射により硬化する活性エネルギー線硬化性樹脂などが挙げられる。好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられる。
具体的には、硬化性樹脂として、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などの熱硬化性樹脂が挙げられる。好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。
シリコーン樹脂としては、例えば、2段階硬化型シリコーン樹脂、1段階硬化型シリコーン樹脂などのシリコーン樹脂が挙げられ、好ましくは、2段階硬化型シリコーン樹脂が挙げられる。
2段階硬化型シリコーン樹脂は、2段階の反応機構を有しており、1段階目の反応でBステージ化(半硬化)し、2段階目の反応でCステージ化(最終硬化)する熱硬化性シリコーン樹脂である。一方、1段階硬化型シリコーン樹脂は、1段階の反応機構を有しており、1段階目の反応で完全硬化する熱硬化性シリコーン樹脂である。
また、Bステージは、熱硬化性シリコーン樹脂が、液状であるAステージと、完全硬化したCステージとの間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、圧縮弾性率がCステージの弾性率よりも小さい状態である。
2段階硬化型シリコーン樹脂としては、例えば、縮合反応と付加反応との2つの反応系を有する縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂などが挙げられる。
硬化性樹脂の配合割合は、蛍光樹脂組成物に対して、例えば、30質量%以上、好ましくは、50質量%以上であり、また、例えば、99質量%以下、好ましくは、95質量%以下でもある。
蛍光体は、波長変換機能を有しており、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変換することのできる赤色蛍光体などが挙げられる。
黄色蛍光体としては、例えば、YAl12:Ce(YAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット):Ce)、TbAl12:Ce(TAG(テルビウム・アルミニウム・ガーネット):Ce)などのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ca−α−SiAlONなどの酸窒化物蛍光体などが挙げられる。
赤色蛍光体としては、例えば、CaAlSiN:Eu、CaSiN:Euなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。
好ましくは、黄色蛍光体が挙げられる。
蛍光体の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。好ましくは、流動性の観点から、球状が挙げられる。
蛍光体の最大長さの平均値(球状である場合には、平均粒子径)は、例えば、0.1μm以上、好ましくは、1μm以上であり、また、例えば、200μm以下、好ましくは、100μm以下でもある。
蛍光体の配合割合は、硬化性樹脂100質量部に対して、例えば、0.1質量部以上、好ましくは、0.5質量部以上であり、例えば、80質量部以下、好ましくは、50質量部以下でもある。
さらに、蛍光樹脂組成物は、充填剤を含有することもできる。
充填剤としては、例えば、シリコーン粒子などの有機微粒子、例えば、シリカ、タルク、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素などの無機微粒子が挙げられる。また、充填剤の配合割合は、硬化性樹脂100質量部に対して、例えば、0.1質量部以上、好ましくは、0.5質量部以上であり、また、例えば、70質量部以下、好ましくは、50質量部以下でもある。
そして、図1(c)に示すように、蛍光体シート5を、支持板2に粘着層3を介して貼着するには、まず、図1(b)の上部に示すように、蛍光体シート5を用意する。蛍光体シート5を用意するには、硬化性樹脂および蛍光体ならびに必要により配合される充填剤を配合して、蛍光樹脂組成物を調製する。次いで、蛍光樹脂組成物を、離型シート13の表面に塗布し、その後、加熱する。離型シート13としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム(PETなど)などのポリマーフィルム、例えば、セラミクスシート、例えば、金属箔などが挙げられる。好ましくは、ポリマーフィルムが挙げられる。また、離型シート13の表面には、フッ素処理などの剥離処理を施すこともできる。
硬化性樹脂が2段階硬化型シリコーン樹脂を含有する場合には、上記した加熱によって、硬化性樹脂がBステージ化(半硬化)する。つまり、Bステージの蛍光体シート5を用意する。
この蛍光体シート5の23℃における圧縮弾性率は、例えば、0.01MPa以上、好ましくは、0.04MPa以上であり、また、例えば、1.0MPa以下でもある。
蛍光体シート5の圧縮弾性率が上記上限以下であれば、十分な柔軟性を担保することができる。一方、蛍光体シート5の圧縮弾性率が下限以上であれば、LED4を埋設することができる。
次いで、図1(c)に示すように、蛍光体シート5を、LED4を埋設するように、粘着層3の上面に配置する(埋設工程)。すなわち、蛍光体シート5を、LED4の上面および側面を被覆するように、支持シート1の上に配置する。
具体的には、図1(b)の矢印で示すように、離型シート13に積層された蛍光体シート5を、粘着層3に向けて圧着する。
これにより、LED4の側面および上面と、LED4から露出する粘着層3の上面とが、蛍光体シート5によって密着状に被覆される。
すなわち、封止工程では、蛍光体シート5によってLED4を埋設する埋設工程が実施される。
その後、図1(c)の仮想線で示すように、離型シート13を蛍光体シート5の上面から剥離する。
その後、図1(d)に示すように、蛍光体シート5を硬化させる。硬化性樹脂が熱硬化性樹脂である場合には、蛍光体シート5を熱硬化させる。具体的には、蛍光体シート5を、例えば、80℃以上、好ましくは、100℃以上、また、例えば、200℃以下、好ましくは、180℃以下に、加熱する。
熱硬化性樹脂が2段階硬化型シリコーン樹脂を含有し、LED4を埋設する蛍光体シート5がBステージである場合には、蛍光体シート5は、上記した加熱によって、完全硬化(最終硬化)してCステージとなる。
また、熱硬化性樹脂が1段階硬化型シリコーン樹脂を含有する場合には、蛍光体シート5は、上記した加熱によって、完全硬化(最終硬化)してCステージとなる。
あるいは、硬化性樹脂が活性エネルギー線硬化性樹脂である場合には、蛍光体シート5に活性エネルギー線を上方から照射する。なお、活性エネルギー線を上方から照射する場合には、それによって粘着層3の粘着力が低下しないように、硬化性樹脂や照射条件が選択される。
硬化(完全硬化)した蛍光体シート5は、可撓性を有しており、具体的には、23℃における圧縮弾性率が、例えば、0.5MPa以上、好ましくは、1.0MPa以上であり、また、例えば、100MPa以下、好ましくは、10MPa以下でもある。蛍光体シート5の圧縮弾性率が上記上限以下であれば、可撓性を確実に担保することができ、例えば、次の切断工程(図1(d)参照)において、カッティング装置(後述)を用いて、蛍光体シート5を切断することもできる。蛍光体シート5の圧縮弾性率が上記下限以上であれば、切断後の形状を保持することができる。
また、蛍光体シート5の波長400nm以下における光透過率は、例えば、50%以上、好ましくは、60%以上である。蛍光体シート5の光透過率が上記した下限以上であれば、蛍光体シート5における活性エネルギー線の透過性を担保して、活性エネルギー線が蛍光体シート5を透過して粘着層3に到達することができる。同時に、輝度に優れるLED装置15(後述)を得ることができる。
これにより、LED4の側面および上面と、LED4から露出する粘着層3の上面とが、蛍光体シート5によって密着状に被覆される。つまり、Cステージの蛍光体シート5によってLED4が封止される。
<切断工程>
封止工程後、図1(d)の破線で示すように、切断工程では、LED4の周囲の蛍光体シート5を、厚み方向に沿って切断する。例えば、図2の1点破線で示すように、蛍光体シート5を、例えば、各LED4を囲む平面視略矩形状に切断する。
蛍光体シート5を切断するには、例えば、円盤状のダイシングソー(ダイシングブレード)31を用いるダイシング装置、カッターを用いるカッティング装置、レーザー照射装置などが用いられる。
また、蛍光体シート5の切断は、基準マーク18を基準として実施する。具体的には、1対をなす基準マーク18を結ぶ直線(図2において1点破線で示される)に沿って、蛍光体シート5を切り目8が形成されるように切断する。
蛍光体シート5の切断では、例えば、切り目8が支持シート1を貫通しないように、好ましくは、切り目8が粘着層3を貫通しないように、蛍光体シート5の上面から下面に向かって切断する。
切断工程によって、LED4と、LED4の表面(上面および側面)を被覆するように、蛍光体シート5とを備える蛍光体シート被覆LED10を、支持シート1に密着する状態で得る。つまり、蛍光体シート5を、LED4に対応して個片化する。
<LED剥離工程>
切断工程後、図1(e)において、LED剥離工程では、蛍光体シート被覆LED10を粘着層3の上面から剥離する。
蛍光体シート被覆LED10を粘着層3の上面から剥離するには、まず、図1(e)の下向き矢印で示すように、活性エネルギー線を上方(厚み方向一方側)から蛍光体シート5を介して粘着層3に照射する。
活性エネルギー線は、例えば、紫外線、電子線などを含み、例えば、波長180nm以上、好ましくは、200nm以上、また、例えば、460nm以下、好ましくは、400nm以下の領域にスペクトル分布を持つ活性エネルギー線が挙げられる。
活性エネルギー線の照射には、例えば、ケミカルランプ、エキシマレーザ、ブラックライト、水銀アーク、炭素アーク、低圧水銀ランプ、中圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、メタルハライドランプなどの照射装置が用いられる。なお、上記波長領域より長波長側あるいは短波長側の活性エネルギー線を発生させることができる照射装置を用いることもできる。
照射量は、例えば、0.001J/cm以上、好ましくは、0.01J/cm以上であり、また、例えば、100J/cm以下、好ましくは、10J/cm以下でもある。照射量が上記下限以上であれば、粘着層3の粘着力を確実に効率よく低下させることができる。一方、照射量が上記上限以下であれば、コスト増大を抑制して、機器の損傷を有効に防止することができる。
照射時間は、例えば、10分間以下、好ましくは、1分間以下であり、また、例えば、5秒間以上でもある。照射時間の上限が上記した上限以下であれば、LED4にかかる剥離工程にかかる時間を短縮することができる。
そして、活性エネルギー線の全部または一部は、上方から蛍光体シート5を透過して粘着層3に照射される。
この活性エネルギー線の照射によって、粘着層3の粘着力が低下する。
この状態で、図1(e)の上向き矢印で示すように、蛍光体シート被覆LED10を粘着層3から引き剥がす。なお、蛍光体シート被覆LED10を粘着層3から引き剥がすには、必要により、図示しないが、コレットなどの吸引部材を備えるピックアップ装置を用いることができる。具体的には、吸引部材によって蛍光体シート被覆LED10を吸引しながら粘着層3から引き剥がすことができる。
これによって、粘着層3から剥離された蛍光体シート被覆LED10を得る。
[実装工程]
LED剥離工程後、蛍光体シート被覆LED10を発光波長や発光効率に応じて選別した後、図1(f)に示すように、選別された蛍光体シート被覆LED10を基板9に実装する。これによって、LED装置15を得る。
具体的には、蛍光体シート被覆LED10を、LED4のバンプ(図示せず)が基板9の上面に設けられる端子(図示せず)と対向するように、基板9と対向配置させる。つまり、蛍光体シート被覆LED10のLED4を基板9にフリップチップ実装する。
これにより、基板9と、基板9に実装される蛍光体シート被覆LED10とを備えるLED装置15を得る。
その後、必要により、図1(f)の仮想線で示すように、LED装置15に、蛍光体シート被覆LED10を封止する封止保護層20を設ける。これによって、LED装置15の信頼性を向上させることができる。
そして、この方法によれば、LED剥離工程では、活性エネルギー線を上方から蛍光体シート5を介して粘着層3に照射する。すると、活性エネルギー線が蛍光体シート5を透過して粘着層3に照射される。そのため、支持板2を、活性エネルギー線を透過させる基板材料から形成して、その支持板2に活性エネルギー線を透過させる必要がない。その結果、支持板2として、活性エネルギー線透過性の支持板に限らず、活性エネルギー線遮断性の支持板からも選択することができる。
また、切断工程後に、LED剥離工程を実施する。つまり、切断工程では、硬質の支持板2を備える支持シート1により、LED4および蛍光体シート5を支持しながら、蛍光体シート5を切断することができる。そのため、寸法安定性に優れる蛍光体シート被覆LED10を得ることができる。
さらに、この方法では、LED剥離工程において、活性エネルギー線を粘着層3に照射するので、粘着層3の加熱によって粘着層3の粘着力を低減する方法に比べると、加熱に起因する支持シート1の変形を防止して、寸法安定性をより一層向上させることができる。
従って、この蛍光体シート被覆LED10は、寸法安定性に優れる。
また、LED装置15は、寸法安定性に優れる蛍光体シート被覆LED10を備えるので、信頼性に優れ、そのため、発光効率が向上されている。
<変形例>
なお、第1実施形態における図1(e)のLED剥離工程では、活性エネルギー線を上方(厚み方向一方側)のみから粘着層3に照射しているが、本発明において、活性エネルギー線を少なくとも上方(厚み方向一方側)から照射すればよく、例えば、支持板2が活性エネルギー線透過性材料または活性エネルギー線半透過性材料から形成される場合には、活性エネルギー線を上下両方(厚み方向一方側および他方側)から粘着層3に照射することもできる。その場合には、支持シート1の下方から照射される活性エネルギー線は、全部または一部が、支持板2を透過して粘着層3に到達する。
このような変形例によれば、LED剥離工程において、粘着層3の粘着力を低下させるために要する時間、つまり、活性エネルギー線の照射時間をより一層短縮することができ、蛍光体シート被覆LED10の製造効率を向上させることができる。
また、図2において、基準マーク18を平面視略三角形状に形成しているが、その形状は、特に限定されず、例えば、平面視略円形状、平面視略矩形状、平面視略X形状、平面視略T字形状など、適宜の形状に形成することができる。
<第2実施形態>
図3は、本発明の蛍光体層被覆LEDの製造方法の第2実施形態を示す工程図を示す。図4は、図3(d)に示す蛍光体シート埋設LEDの平面図を示す。図5は、図3(b)に示す埋設−リフレクタシートの製造方法の工程図を示す。
なお、第2実施形態において、第1実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第1実施形態では、本発明の蛍光体層の一例として、図1(b)に示すように、蛍光体が均一に(少なくとも面方向に均一に)分散される蛍光体シート5を例示しているが、例えば、図3(b)および図4に示すように、蛍光体を含有する被覆部としての埋設部33と、埋設部33を囲むリフレクタ部34とを備える埋設−リフレクタシート24を例示することもできる。
図4に示すように、埋設部33は、埋設−リフレクタシート24において、複数のLED4を埋設する部分として間隔を隔てて複数設けられており、各埋設部33は、平面視略円形状に形成されている。具体的には、図3(b)に示すように、各埋設部33は、下方に向かって次第に幅狭となる略円錐台形状に形成されている。
埋設部33の下端部の直径(最大長さ)は、LED4の面方向の最大長さより大きく、具体的には、LED4の面方向の最大長さに対して、例えば、200%以上、好ましくは、300%以上、より好ましくは、500%以上であり、例えば、3000%以下である。具体的には、埋設部33の下端部の直径(最大長さ)は、例えば、5mm以上、好ましくは、7mm以上であり、また、例えば、300mm以下、好ましくは、200mm以下である。
また、埋設部33の上端部の直径(最大長さ)は、下端部の直径(最大長さ)より大きく、具体的には、例えば、7mm以上、好ましくは、10mm以上であり、また、例えば、400mm以下、好ましくは、250mm以下である。
さらに、各埋設部33間の間隔(最小間隔、具体的には、埋設部33の上端部間の間隔)は、例えば、20mm以上、好ましくは、50mm以上であり、また、例えば、1000mm以下、好ましくは、200mm以下である。
埋設部33は、上記した蛍光樹脂組成物から形成されている。埋設部33は、蛍光樹脂組成物が硬化性樹脂を含有する場合には、Bステージで形成されている。
図4に示すように、リフレクタ部34は、埋設−リフレクタシート24の周端部において連続するとともに、各埋設部33の間に配置され、各埋設部33を囲む平面視略格子状に形成されている。
また、リフレクタ部34は、後述する光反射成分を含有する反射樹脂組成物から形成されている。
次に、この埋設−リフレクタシート24の製造方法について、図4および図5を参照して説明する。
この方法では、まず、図5(a)に示すように、プレス装置35を用意する。
プレス装置35は、支持板36と、支持板36の上側に対向配置される型37とを備えている。
支持板36は、例えば、ステンレスなどの金属から、略矩形平板形状に形成されている。
型37は、例えば、ステンレスなどの金属から形成されており、平板部38と、平板部38から下側に突出するように形成される突出部39とを一体的に備えている。
平板部38は、平面視において、支持板36と同一形状に形成されている。
突出部39は、型37において、埋設部33に対応するように、面方向に互いに間隔を隔てて複数設けられている。すなわち、突出部39は、平板部38の下面から下方に向かって次第に幅狭となる略円錐台形状に形成されており、具体的には、正断面視および側断面視において、下方に向かって次第に幅狭となるテーパ形状に形成されている。つまり、突出部39は、埋設部33と同一形状に形成されている。
また、図5(a)に示すように、支持板36の周端部の上面には、スペーサ40が設けられている。スペーサ40は、例えば、ステンレスなどの金属からなり、厚み方向に投影したときに、複数の埋設部33を囲むように、配置されている。また、スペーサ40は、厚み方向に投影したときに、型37に含まれ、具体的には、平板部38の周端部と重なるように、支持板36に配置されている。
スペーサ40の厚みは、後述する剥離シート49の厚みと、突出部39の厚みとの合計厚みとなるように、設定されている。具体的には、スペーサ40の厚みは、例えば、0.3mm以上、好ましくは、0.5mm以上であり、また、例えば、5mm以下、好ましくは、3mm以下である。
なお、プレス装置35は、形状の異なる型37が交換可能に構成されており、具体的には、図5(a)に示す突出部39を有する型37と、図5(c)に示す後述する、突出部39を有しない平板状の型37とが交換可能に構成されている。
また、図5(a)に示すように、支持板36の上面において、スペーサ40の内側には、剥離シート49が載置されている。剥離シート49の周端面は、支持板36の上面において、スペーサ40の内側面に接触するように、形成されている。剥離シート49の厚みは、例えば、10μm以上、好ましくは、30μm以上であり、また、例えば、200μm以下、好ましくは、150μm以下である。
次いで、図5(a)に示すプレス装置35において、リフレクタシート42を、剥離シート49の上面に配置する。
リフレクタシート42を剥離シート49の上面に配置するには、例えば、反射樹脂組成物から形成されるリフレクタシート42を剥離シート49の上面に積層する積層方法、例えば、液状の反射樹脂組成物を剥離シート49の上面に塗布する塗布方法などが用いられる。
反射樹脂組成物は、例えば、樹脂と光反射成分とを含有する。
樹脂としては、例えば、熱硬化性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、熱硬化性ウレタン樹脂などの熱硬化性樹脂が挙げられ、好ましくは、熱硬化性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂が挙げられる。
光反射成分は、例えば、白色の化合物であって、そのような白色の化合物としては、具体的には、白色顔料が挙げられる。
白色顔料としては、例えば、白色無機顔料が挙げられ、そのような白色無機顔料としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウムなどの酸化物、例えば、鉛白(炭酸鉛)、炭酸カルシウムなどの炭酸塩、例えば、カオリン(カオリナイト)などの粘土鉱物などが挙げられる。
白色無機顔料として、好ましくは、酸化物、さらに好ましくは、酸化チタンが挙げられる。
そのような酸化チタンは、具体的には、TiO2、(酸化チタン(IV)、二酸化チタン)である。
酸化チタンの結晶構造は、特に限定されず、例えば、ルチル、ブルッカイト(板チタン石)、アナターゼ(鋭錐石)などであり、好ましくは、ルチルである。
また、酸化チタンの結晶系は、特に限定されず、例えば、正方晶系、斜方晶系などであり、好ましくは、正方晶系である。
酸化チタンの結晶構造および結晶系が、ルチルおよび正方晶系であれば、リフレクタ部34が長期間高温に曝される場合でも、光(具体的には、可視光、とりわけ、波長450nm付近の光)に対する反射率が低下することを有効に防止することができる。
光反射成分は、粒子状であり、その形状は限定されず、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。光反射成分の最大長さの平均値(球状である場合には、その平均粒子径)は、例えば、1nm以上1000nm以下である。最大長さの平均値は、レーザー回折散乱式粒度分布計を用いて測定される。
光反射成分の配合割合は、樹脂100質量部に対して、例えば、30質量部以上、好ましくは、50質量部以上であり、また、例えば、200質量部以下、好ましくは、100質量部以下である。
上記した光反射成分は、樹脂中に均一に分散混合される。
また、反射樹脂組成物には、さらに、上記した充填剤を添加することもできる。つまり、充填剤を、光反射成分(具体的には、白色顔料)と併用することができる。
充填剤は、上記した白色顔料を除く、公知の充填剤が挙げられ、具体的には、シリコーン粒子などの有機微粒子、例えば、シリカ、タルク、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素などの無機微粒子が挙げられる。
充填剤の添加割合は、充填剤および光反射成分の総量が、樹脂100質量部に対して、例えば、400質量部以上、好ましくは、500質量部以上、より好ましくは、600質量部以上となるように、また、例えば、2500質量部以下、好ましくは、2000質量部以下、より好ましくは、1600質量部以下となるように、調整される。
積層方法では、反射樹脂組成物は、上記した樹脂と、光反射成分と、必要により添加される充填剤とを配合して、均一混合することにより、Aステージとして調製される。
続いて、積層方法では、Aステージの反射樹脂組成物を、図示しない離型シートの表面に、例えば、キャスティング、スピンコーティング、ロールコーティングなどの塗布方法によって塗布し、その後、加熱してBステージあるいはCステージとする。離型シートとしては、上記した離型シート13と同様のものが挙げられる。
あるいは、Aステージの反射樹脂組成物を、例えば、図示しない離型シートの表面に、スクリーン印刷などによって上記した塗布方法によって塗布し、その後、加熱することにより、BステージあるいはCステージのリフレクタシート42を形成する。
その後、リフレクタシート42を剥離シート49に転写する。続いて、図示しない離型シートを剥離する。
一方、塗布方法では、上記したAステージの反射樹脂組成物を、剥離シート49の上面に、スクリーン印刷などによって塗布し、その後、加熱することにより、Bステージのリフレクタシート42を形成する。
リフレクタシート42の厚みは、例えば、0.3mm以上、好ましくは、0.5mm以上であり、また、例えば、5mm以下、好ましくは、3mm以下である。
続いて、図5(a)の矢印および図5(b)に示すように、プレス装置35によってリフレクタシート42をプレスする。
具体的には、型37を支持板36に対して押し下げる。詳しくは、突出部39が、リフレクタシート42を厚み方向に貫通するように、型37を下側に押し下げる。併せて、型37の平板部38の周端部を、スペーサ40の上面に当接させる。
これにより、リフレクタシート42には、図5(b)に示すように、厚み方向を貫通し、突出部39に対応する形状の貫通孔41が形成される。
型37の押し下げにおいて、反射樹脂組成物がBステージの熱硬化性樹脂を含有する場合には、型37に予めヒータ(図示せず)を内蔵させて、かかるヒータによって、リフレクタシート42を加熱することもできる。これによって、反射樹脂組成物を完全硬化(Cステージ化)させる。
加熱温度は、例えば、80℃以上、好ましくは、100℃以上であり、また、例えば、200℃以下、好ましくは、180℃以下である。
これによって、剥離シート49の上に、リフレクタ部34が形成される。
その後、図5(c)に示すように、プレス装置35のプレス状態を解放する。具体的には、型37を引き上げる。
続いて、平板部38および突出部39を備える型37を、平板部38のみを備える型37と交換する。
これとともに、蛍光体シート5を、リフレクタ部34の上に配置する。
具体的には、蛍光体シート5を、リフレクタ部34の上面に、貫通孔41を被覆するように、載置する。
蛍光樹脂組成物が硬化性樹脂を含有する場合には、Bステージの蛍光体シート5をリフレクタ部34の上に配置する。蛍光体シート5は、Bステージである場合には、その平板形状がある程度維持されるので、貫通孔41内に落ち込むことなく、貫通孔41を被覆するように、リフレクタ部34の上面に載置される。
また、蛍光体シート5は、リフレクタ部34(具体的には、リフレクタシート42の反射樹脂組成物が硬化性樹脂を含有する場合には、Cステージのリフレクタ部34)に比べて柔軟に形成されている。具体的には、蛍光体シート5は、次のプレス(図5(d))によって、変形可能な柔らかさである一方、リフレクタ部34は、次のプレスによって、変形不可能な硬さに形成されている。
次いで、図5(d)に示すように、プレス装置35によって、蛍光体シート5をプレスする。具体的には、平板部38からなる型37を、支持板36に向けて押し下げる。併せて、平板部38の周端部を、スペーサ40の上面に当接させる。また、平板部38の下面が、リフレクタ部34の上面に接触する。
これによって、比較的柔軟な蛍光体シート5は、平板部38によって上側から押圧されて、貫通孔41内に充填される。一方、比較的硬いリフレクタ部34は、変形することなく、その貫通孔41に埋設部33を収容する。
また、硬化性樹脂が熱硬化性樹脂である場合には、平板部38に内蔵されるヒータによって、蛍光体シート5を加熱することもできる。
これによって、埋設部33が、リフレクタ部34の貫通孔41内に形成される。
これによって、支持板36および型37の間において、埋設部33およびリフレクタ部34を備える埋設−リフレクタシート24が得られる。
図5(e)に示すように、その後、型37を引き上げ、続いて、埋設−リフレクタシート24を剥離シート49から剥離する。
次に、図5(e)に示す埋設−リフレクタシート24を用いて、蛍光体シート被覆LED10およびLED装置15を製造する方法について、図3を参照して、上記実施形態と異なる工程を詳述する。
[シート貼着工程]
図3(b)の上側図に示すように、埋設−リフレクタシート24を、埋設部33が下方に向かって次第に幅狭となるテーパ形状となるように、支持シート1の上に配置する。
すなわち、複数の埋設部33のそれぞれを、複数のLED4のそれぞれに対して対向配置させる。具体的には、各埋設部33を、平面視において、LED4の中心と対向するとともに、リフレクタ部34の内側に間隔が隔てられるように、配置する。
続いて、図3(c)に示すように、埋設−リフレクタシート24をプレスする。これにより、LED4が、その上面および側面が埋設部33に被覆されるように、埋設部33に埋設される。
なお、埋設部33がBステージである場合には、埋設部33に、LED4の上面および側面と、粘着層3の上面とが、密着状に被覆される。
[封止工程]
図3(d)に示すように、封止工程では、蛍光樹脂組成物が硬化性樹脂を含有する場合には、蛍光体シート5を硬化させる。これによって、埋設部33が完全硬化する。これによって、LED4が埋設部33によって封止される。
[切断工程]
図3(d)の破線で示すように、切断工程では、リフレクタ部34を、厚み方向に沿って切断する。例えば、図4の1点破線が参照されるように、リフレクタ部34を、例えば、各埋設部33を囲む平面視略矩形状に、蛍光体シート5を切断する。
切断工程によって、1つのLED4と、LED4を埋設する埋設部33と、埋設部33の周りに設けられるリフレクタ部34とを備える蛍光体シート被覆LED10を、支持シート1に密着する状態で得る。つまり、蛍光体シート被覆LED10には、リフレクタ部34が設けられている。つまり、蛍光体シート被覆LED10は、リフレクタ部付蛍光体シート被覆LEDである。
[LED剥離工程]
LED剥離工程において、図3(e)に示すように、リフレクタ部34が設けられた蛍光体シート被覆LED10を、支持シート1から剥離する。
[実装工程]
実装工程において、リフレクタ部34が設けられた蛍光体シート被覆LED10を発光波長や発光効率に応じて選別した後、図3(f)に示すように、選別された蛍光体シート被覆LED10を基板9に実装する。これによって、LED装置15を得る。
これにより、基板9と、基板9に実装され、リフレクタ部34が設けられる蛍光体シート被覆LED10とを備えるLED装置15を得る。
そして、この第2実施形態によれば、埋設−リフレクタシート24は、LED4を埋設する埋設部33と、光反射成分を含有し、埋設部33を囲むようにして形成されるリフレクタ部34とを備えるので、LED4から発光される光をリフレクタ部34によって反射させることができる。そのため、LED装置15の発光効率を向上させることができる。
<変形例>
さらに、図5(c)に示す平板部38と蛍光体シート5との間に離型シート13(図3(b)の仮想線参照)を設け、上面に離型シート13が積層された埋設−リフレクタシート24を形成し、その後、図3(c)の仮想線で示すように、かかる埋設−リフレクタシート24を、例えば、複数のLED4および支持シート1に対して、例えば、平板プレスすることもできる。
<第3実施形態>
図6は、本発明の蛍光体層被覆LEDの製造方法の第3実施形態に用いられる埋設−リフレクタシートの製造方法の工程図を示す。
なお、第3実施形態において、第2実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第2実施形態の埋設−リフレクタシート24の製造方法において、図5(c)および図5(d)に示すように、蛍光体シート5から埋設部33を形成しているが、例えば、図6(c)に示すように、蛍光体シート5を用いることなく、蛍光樹脂組成物のワニスを、貫通孔41にポッティングすることによって、埋設部33を形成することもできる。
具体的には、まず、蛍光樹脂組成物をワニスとして調製する。具体的には、蛍光樹脂組成物が硬化性樹脂を含有する場合には、Aステージのワニスを調製する。これによって、Aステージの蛍光樹脂組成物が貫通孔41内に充填される。
その後、蛍光樹脂組成物が硬化性樹脂を含有する場合には、Aステージの蛍光樹脂組成物をBステージ化する。
第3実施形態によっても、第2実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
<第4実施形態>
図7は、本発明の蛍光体層被覆LEDの製造方法の第4実施形態を示す工程図を示す。
なお、第4実施形態において、第2実施形態および第3実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第2実施形態において、図3(b)および図4に示すように、平面視において、埋設部33の下端部を、LED4より大きく形成しているが、例えば、図7(b)に示すように、埋設部33の下端部と、LED4とを、同一寸法に形成することもできる。
[LED貼着工程]
例えば、埋設部33は、下方に向かって次第に幅狭となる略四角錐台形状に形成されている。
図7(b)に示す埋設部33を形成するには、図5および図6が参照される突出部39を、平板部38の下面から下方に向かって次第に幅狭となる略四角錐台形状に形成する。
また、図7(b)の1点破線で示すように、厚み方向に投影したときに、埋設部33の下端部と、LED4とは、互いに重複し、具体的には、平面視において、埋設部33の下端部の周端縁と、LED4の周端縁とが、同一位置に形成されるように、埋設−リフレクタシート24を、LED4を含む粘着層3の上に配置する。
第4実施形態によっても、第5実施形態および8実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
<第5実施形態>
図8は、本発明の蛍光体層被覆LEDの製造方法の第5実施形態を示す工程図を示す。図9は、図8(b)に示す埋設−リフレクタシートの製造方法の工程図を示す。
なお、第5実施形態において、第2実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第2実施形態において、図3(b)に示すように、埋設−リフレクタシート24における埋設部33を、下方に向かって次第に幅狭となる略円錐台形状に形成しているが、例えば、図8(b)に示すように、上下方向(厚み方向)に延びる略円柱形状に形成することができる。
このような埋設部33を形成するには、図9(a)および図9(b)に示す打抜装置55を用いる。
打抜装置55は、支持板56と、支持板56の上側に対向配置される型57とを備えている。
支持板56は、例えば、ステンレスなどの金属から、略矩形平板形状に形成されており、また、支持板56には、厚み方向を貫通する貫通孔53が形成されている。
貫通孔53は、平面視略円形状に形成されている。
型57は、平板部58と、平板部58から下側に突出するように形成される突出部59とを一体的に備えている。
平板部58は、図5(a)に示す平板部38と同一形状に形成される。
突出部59は、型57において、埋設部33(図9(d)参照)に対応するように、面方向に互いに間隔を隔てて複数設けられている。突出部59は、平面視において、貫通孔53と同一形状および同一寸法に形成されており、具体的には、略円柱形状に形成されている。突出部59は、埋設部33(図9(d)参照)と同一形状に形成されている。つまり、突出部59は、正断面視および側断面視において、略矩形状に形成されている。
これによって、打抜装置55は、型57の押し下げによって、突出部59が貫通孔53に挿入可能に構成されている。
貫通孔53の孔径および突出部59の直径は、例えば、5mm以上、好ましくは、7mm以上であり、また、例えば、300mm以下、好ましくは、200mm以下である。
また、支持板56の周端部の上面には、スペーサ40が設けられている。スペーサ40は、平面視において、貫通孔53を囲むように、支持板56の周端部に、平面視略枠形状に配置されている。
そして、図9(a)および図9(b)に示す打抜装置55によって埋設−リフレクタシート24を形成するには、まず、図9(a)に示すように、リフレクタシート42を、支持板56の上に配置する。具体的には、リフレクタシート42を、複数の貫通孔53を被覆するように、支持板56の上面に載置する。
次いで、図9(b)に示すように、打抜装置55を用いて、リフレクタシート42を打ち抜く。
具体的には、型57を押し下げることによって、突出部59がリフレクタシート42を打ち抜く。
これによって、リフレクタシート42には、突出部59に対応する形状の貫通孔41が形成される。
これによって、支持板56の上に、リフレクタ部34が形成される。
次いで、図9(c)に示すように、型57を引き上げる。
その後、形成されたリフレクタ部34を、支持板36と、平板部38からなる型37とを備え、剥離シート49が設けられるプレス装置35に設置する。
次いで、蛍光体シート5を、リフレクタ部34の上に配置する。
次いで、図9(c)の矢印および図9(d)に示すように、プレス装置35によって、蛍光体シート5をプレスする。これによって、埋設部33を、リフレクタ部34の貫通孔41内に形成する。
これによって、支持板36および型37の間において、埋設部33およびリフレクタ部34を備える埋設−リフレクタシート24が得られる。
その後、型37を引き上げ、続いて、図9(e)に示すように、埋設−リフレクタシート24を剥離シート49から剥離する。
第5実施形態によっても、第2実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
<第6実施形態>
図10は、本発明の蛍光体層被覆LEDの製造方法の第6実施形態に用いられる埋設−リフレクタシートの製造方法の工程図を示す。
なお、第6実施形態において、第5実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第5実施形態の埋設−リフレクタシート24の製造方法において、図9(c)および図9(d)に示すように、蛍光体シート5から埋設部33を形成しているが、図10(c)に示すように、蛍光体シート5を用いることなく、蛍光樹脂組成物のワニスを、貫通孔41にポッティングすることによって、埋設部33を形成することもできる。
具体的には、図10(b)に示すリフレクタ部34を打抜装置55から取り出し、続いて、図10(c)に示すように、剥離シート49の上面に配置する。続いて、蛍光樹脂組成物のワニスを、貫通孔41内にポッティングする。
第6実施形態によっても、第5実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
<第7実施形態>
図11は、本発明の蛍光体層被覆LEDの製造方法の第7実施形態を示す工程図を示す。
なお、第7実施形態において、第5実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第5実施形態において、図8(c)に示すように、被覆部として、LED4を埋設する埋設部33を例示しているが、例えば、図11(c)に示すように、LED4の上面を被覆する被覆部43を例示することもできる。
被覆部43は、図11(b)に示すように、被覆−リフレクタシート44において、リフレクタ部34に囲まれるように設けられている。被覆−リフレクタシート44において、被覆部43は、図8(b)に示す埋設部33と同一形状をなし、さらに、LED4と同一寸法に形成されている。
例えば、図11(b)に示すように、被覆部43は、厚み方向に投影したときに、LED4と、互いに重複し、具体的には、平面視において、被覆部43の周端縁と、LED4の周端縁とが、同一位置に形成されるように、被覆部43をLED4の上面に載置する。
[被覆工程]
第7実施形態では、図8(c)に示す埋設工程に代えて、図11(c)に示す被覆工程を実施する。被覆工程の条件については、埋設工程のそれと同様である。
なお、図11(c)に示す被覆工程において、被覆部43は、LED4の上面を密着状に被覆する。被覆部43は、LED4のプレスによって、LED4が圧入されて、面方向外側にわずかに膨出するが、その膨出の程度は、微小であることから、図11(c)において、プレス後の被覆部43とLED4との左右方向長さを同一長さで示している。
[硬化工程]
第7実施形態では、図8(d)に示す封止工程に代えて、図11(d)に示す硬化工程を実施する。
硬化工程では、被覆部43を硬化させる。硬化工程の条件は、上記した封止工程のそれと同様である。
第7実施形態によっても、第5実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
<第8実施形態>
図12は、本発明の蛍光体層被覆LEDの製造方法の第8実施形態を示す工程図を示す。
なお、第8実施形態において、第1実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第1実施形態において、図1(c)に示すように、シート貼着工程において、LED4を側面および上面を蛍光体シート5によって被覆する埋設工程を実施しているが、例えば、埋設工程に代えて、図12(c)に示すように、LED4の側面のみを蛍光体シート5によって被覆する被覆工程を実施することもできる。また、封止工程に代えて、硬化工程を実施することもできる。
[シート貼着工程]
図12(b)に示すように、用意した蛍光体シート5の厚みを、LED4の厚みより薄く設定し、LED4の厚みに対して、例えば、95%以下、好ましくは、90%以下に、また、例えば、10%以上に設定する。蛍光体シート5の厚みを、具体的には、例えば、1000μm以下、好ましくは、800μm以下に、また、例えば、30μm以上、好ましくは、50μm以上に設定する。
被覆工程では、図12(c)に示すように、プレスによって、離型シート13と、離型シート13の下面に積層される蛍光体シート5とからなる積層体(図12(b)の上側図参照)を、離型シート13の下面が各LED4の上面に接触するように、LED4を含む支持シート1に圧入する。
また、複数のLED4に対して圧入された蛍光体シート5は、その上面が、各LED4の上面と面一に形成される。また、蛍光体シート5の下面も、各LED4の下面と面一に形成される。つまり、複数のLED4が圧入された蛍光体シート5の厚みと、各LED4の厚みとが、同一になる。
また、LED4の下面の一部を形成するバンプと、LED4の上面とが、ともに露出する一方、LED4の側面が、蛍光体シート5によって被覆されている。
[硬化工程]
硬化工程では、蛍光体シート5を硬化させる。硬化工程の条件は、上記した封止工程のそれと同様である。
[切断工程]
図12(d)の破線で示すように、上側から、LED4の位置を確認しながら、蛍光体シート5を切断する。具体的には、例えば、カメラなどによって、LED4を上側から視認しながら、LED4の位置を確認する。また、図4の破線が参照されるように、平面視において、LED4を囲む領域を区画する切り目8が形成されるように、蛍光体シート5を切断する。
なお、LED4を視認しながら、さらに、基準マーク18(図2参照)を基準として、蛍光体シート5を切断することもできる。
[LED剥離工程]
図12(e)において、LED剥離工程では、蛍光体シート被覆LED10を粘着層3の上面から剥離する。つまり、蛍光体シート5およびLED4と、粘着層3との間の界面剥離が起こるように、蛍光体シート被覆LED10を支持板2および粘着層3から剥離する。
第8実施形態によっても、第1実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
さらに、被覆工程において、LED4を、少なくとも上面が蛍光体シート5から露出されるように、蛍光体シート5によって側面を被覆しているので、シート貼着工程後の切断工程において、上面が露出されるLED4を視認しながら、そのLED4に対応して蛍光体シート5を精度よく切断することができる。そのため、得られる蛍光体シート被覆LED10は、寸法安定性に優れる。その結果、かかる蛍光体シート被覆LED10を備えるLED装置15は、発光安定性に優れる。
<第9実施形態>
図13は、本発明の蛍光体層被覆LEDの製造方法の第9実施形態に用いられるディスペンサの斜視図を示す。
なお、第9実施形態において、第1実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第1実施形態では、図1(b)に示すように、封止工程において、本発明の蛍光体層の一例として、予め成形された蛍光体シート5を例示している。しかし、図13が参照されるように、例えば、蛍光樹脂組成物をワニスとして調製し、ワニスを支持シート1の上に、複数のLED4を被覆するように、直接塗布して、蛍光体層25を形成することもできる。つまり、蛍光体層25を、蛍光樹脂組成物のワニスから形成することができる。
蛍光体層25を形成するには、まず、ワニスをLED4を被覆するように、支持シート1の上に塗布する。
ワニスを塗布するには、例えば、ディスペンサ、アプリケータ、スリットダイコータなどの塗布機が用いられる。好ましくは、図13に示すディスペンサ26が用いられる。
図13に示すように、ディスペンサ26は、導入部27と、塗布部28とを一体的に備える。
導入部27は、上下方向に延びる略円筒形状に形成されており、その下端部は、塗布部28に接続されている。
塗布部28は、左右方向および上下方向に延びる平板形状に形成され、また、上下方向に長い側面視略矩形状に形成されている。塗布部28の上端部には、導入部27が接続されている。塗布部28の下端部は、その前端部および後端部が切り欠かれた、側断面視先細り形状(テーパ)に形成されている。また、塗布部28の下端面は、粘着層3の上面およびLED4の上面に対して、押付可能に構成されている。さらに、塗布部28の内部には、導入部27から導入されるワニスが下流側(下側)に向かうに従って左右方向に広がる幅広の流路(図示せず)が設けられている。
また、ディスペンサ26は、面方向に延びる支持シート1に対して、相対的に前後方向に移動可能に構成されている。
このディスペンサ26を用いて、ワニスを支持シート1に塗布するには、塗布部28を複数のLED4の上面に対向配置し(押付け)ながら、ワニスを導入部27に供給する。これとともに、ディスペンサ26を複数のLED4に対して相対的に後側に移動させる。これによって、ワニスは、導入部27から塗布部28に導入され、続いて、塗布部28の下端部から支持シート1およびLED4に対して幅広状に供給される。また、ディスペンサ26の複数のLED4に対する相対的に後側への移動によって、ワニスは、支持シート1の上面において、複数のLED4を被覆するように、前後方向に延びる帯形状に塗布される。
なお、ワニスは、蛍光樹脂組成物が硬化性樹脂を含有する場合には、Aステージ状態として調製されており、また、例えば、塗布部28から支持シート1に供給されたときに、その箇所から、面方向外側に流れ出さない、つまり、その箇所に留まるような粘性を有する。具体的には、ワニスの25℃、1気圧の条件下における粘度は、例えば、1,000mPa・s以上、好ましくは、4,000mPa・s以上であり、また、例えば、1,000,000mPa・s以下、好ましくは、100,000mPa・s以下である。なお、粘度は、ワニスを25℃に温度調節し、E型コーンを用いて、回転数99s−1で測定される。
ワニスの粘度が上記下限以上であれば、ワニスが面方向外側に流れ出すことを有効に防止できる。そのため、ダム部材などを支持シート1(具体的には、複数のLED4の周囲)に別途設ける必要がなくなるので、プロセスの簡便化を図ることができ、ワニスを、ディスペンサ26によって支持シート1に簡易かつ確実に所望の厚みおよび所望の形状で塗布することができる。
一方、ワニスの粘度が上記上限以下であれば、塗布性(ハンドリング性)を向上させることができる。
その後、蛍光樹脂組成物が硬化性樹脂を含有する場合には、塗布されたワニスをBステージ化(半硬化)する。
これによって、Bステージの蛍光体層25を、支持シート1の上(粘着層3の上面)に、複数のLED4を被覆するように、形成する。
第9実施形態によっても、第1実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
<変形例>
第1実施形態〜第9実施形態では、複数のLED4を蛍光体シート5によって被覆しているが、例えば、単数のLED4を蛍光体シート5によって被覆することもできる。
その場合には、具体的には、第1実施形態で例示される図1(d)に示す切断工程では、LED4の周囲の蛍光体シート5を、所望の寸法となるように、外形加工(トリミング)する。
1 支持シート
2 支持板
3 粘着層
4 LED
5 蛍光体シート
7 蛍光体層
10蛍光体層被覆LED
15LED装置
24埋設−リフレクタシート
25蛍光体層
33埋設部
34リフレクタ部
43被覆部
44被覆−リフレクタシート

Claims (7)

  1. 硬質の支持板と、前記支持板の厚み方向一方面に積層され、活性エネルギー線の照射によって粘着力が低下する粘着層とを備える支持シートを用意する用意工程、
    LEDを、前記支持板に前記粘着層を介して貼着するLED貼着工程、
    蛍光体層を前記支持板の前記厚み方向一方面に配置して、前記蛍光体層によって前記LEDを被覆する被覆工程、
    前記被覆工程後に、前記蛍光体層を、前記LEDに対応して切断することにより、前記LEDと、前記LEDを被覆する前記蛍光体層とを備える蛍光体層被覆LEDを得る切断工程、および、
    前記切断工程の後に、活性エネルギー線を少なくとも前記厚み方向一方側から前記粘着層に照射して、前記蛍光体層被覆LEDを前記粘着層から剥離するLED剥離工程
    を備えることを特徴とする、蛍光体層被覆LEDの製造方法。
  2. 前記蛍光体層は、蛍光体シートから形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の蛍光体層被覆LEDの製造方法。
  3. 前記被覆工程では、Bステージの前記蛍光体層によって、前記LEDを被覆し、その後、前記蛍光体層を硬化させてCステージにする
    ことを特徴とする、請求項1または2に記載の蛍光体層被覆LEDの製造方法。
  4. 前記蛍光体層は、
    前記LEDを被覆する被覆部と、
    光反射成分を含有し、前記被覆部を囲むようにして形成されるリフレクタ部と
    を備えることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の蛍光体層被覆LEDの製造方法。
  5. 前記用意工程では、前記支持シートを、前記切断工程において切断の基準となる基準マークが予め設けられるように、用意する
    ことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の蛍光体層被覆LEDの製造方法。
  6. 請求項1〜5のいずれか一項に記載の蛍光体層被覆LEDの製造方法により得られることを特徴とする、蛍光体層被覆LED。
  7. 基板と、
    前記基板に実装される請求項6に記載の蛍光体層被覆LEDと
    を備えることを特徴とする、LED装置。
JP2013136504A 2012-06-29 2013-06-28 蛍光体層被覆led、その製造方法およびled装置 Pending JP2014168032A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013136504A JP2014168032A (ja) 2012-06-29 2013-06-28 蛍光体層被覆led、その製造方法およびled装置

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012147550 2012-06-29
JP2012147550 2012-06-29
JP2013015783 2013-01-30
JP2013015783 2013-01-30
JP2013136504A JP2014168032A (ja) 2012-06-29 2013-06-28 蛍光体層被覆led、その製造方法およびled装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014168032A true JP2014168032A (ja) 2014-09-11

Family

ID=48692379

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013136504A Pending JP2014168032A (ja) 2012-06-29 2013-06-28 蛍光体層被覆led、その製造方法およびled装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20140009060A1 (ja)
EP (1) EP2680328A2 (ja)
JP (1) JP2014168032A (ja)
KR (1) KR20140002536A (ja)
CN (1) CN103531692A (ja)
TW (1) TW201401574A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016171170A1 (ja) * 2015-04-24 2016-10-27 日東電工株式会社 封止半導体素子および半導体装置の製造方法
JP2020161834A (ja) * 2018-12-28 2020-10-01 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP7444309B2 (ja) 2022-04-26 2024-03-06 大日本印刷株式会社 自発光型表示体

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101538603B1 (ko) * 2012-08-13 2015-07-21 코니카 미놀타 가부시키가이샤 형광체 분산액의 제조 방법 및 led 장치의 제조 방법
US10439111B2 (en) 2014-05-14 2019-10-08 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
US9997676B2 (en) 2014-05-14 2018-06-12 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
CN105576107B (zh) * 2014-10-09 2018-02-13 广东德豪润达电气股份有限公司 Led封装结构及其封装方法
TWI712187B (zh) 2015-09-11 2020-12-01 晶元光電股份有限公司 發光元件以及其製造方法
US9922963B2 (en) 2015-09-18 2018-03-20 Genesis Photonics Inc. Light-emitting device
US9871174B2 (en) 2015-12-04 2018-01-16 Epistar Corporation Light-emitting device
CN107154455B (zh) * 2016-03-04 2020-03-10 日东电工(上海松江)有限公司 密封光半导体元件的制造方法
CN107154453B (zh) * 2016-03-04 2021-11-16 日东电工(上海松江)有限公司 元件集合体临时固定片及其制造方法
JP6928437B2 (ja) * 2016-03-04 2021-09-01 日東電工(上海松江)有限公司 封止光半導体素子の製造方法
CN106252474A (zh) * 2016-09-01 2016-12-21 佛山市国星半导体技术有限公司 一种倒装白光led芯片及其制造方法
JP6758387B2 (ja) * 2016-09-02 2020-09-23 富士フイルム株式会社 蛍光体含有フィルムおよびバックライトユニット
TWI651870B (zh) 2016-10-19 2019-02-21 新世紀光電股份有限公司 發光裝置及其製造方法
JP6776859B2 (ja) 2016-12-09 2020-10-28 日本電気硝子株式会社 波長変換部材の製造方法、波長変換部材及び発光デバイス
US10784423B2 (en) 2017-11-05 2020-09-22 Genesis Photonics Inc. Light emitting device
TWI778167B (zh) 2017-11-05 2022-09-21 新世紀光電股份有限公司 發光裝置及其製作方法
CN111081848B (zh) * 2019-12-31 2021-02-05 广东晶科电子股份有限公司 一种发光装置的制作方法
CN112462554B (zh) * 2020-07-16 2024-05-17 江西晶亮光电科技协同创新有限公司 新型发光装置及其制备方法、背光模组

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4403631B2 (ja) 2000-04-24 2010-01-27 ソニー株式会社 チップ状電子部品の製造方法、並びにその製造に用いる擬似ウエーハの製造方法
TW200616232A (en) * 2004-08-09 2006-05-16 Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd Semiconductor device including semiconductor thin film, which is subjected to heat treatment to have alignment mark, crystallizing method for the semiconductor thin film, and crystallizing apparatus for the semiconductor thin film
JP4952910B2 (ja) * 2004-12-15 2012-06-13 株式会社クラレ 活性エネルギー線硬化性樹脂組成物およびその用途
JP5378666B2 (ja) * 2007-09-03 2013-12-25 日東電工株式会社 光半導体装置の製造方法
JP2009117450A (ja) * 2007-11-02 2009-05-28 Rohm Co Ltd モジュールおよびその製造方法
WO2009117345A2 (en) * 2008-03-17 2009-09-24 Henkel Corporation Adhesive compositions for use in die attach applications
JP4810565B2 (ja) * 2008-11-26 2011-11-09 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
JP5518502B2 (ja) * 2009-01-27 2014-06-11 シチズン電子株式会社 発光ダイオードの製造方法
US8232117B2 (en) * 2010-04-30 2012-07-31 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED wafer with laminated phosphor layer
JP5486431B2 (ja) * 2010-07-27 2014-05-07 日東電工株式会社 発光装置用部品、発光装置およびその製造方法
JP5775375B2 (ja) * 2010-07-27 2015-09-09 日東電工株式会社 発光ダイオード装置の製造方法
KR101253586B1 (ko) * 2010-08-25 2013-04-11 삼성전자주식회사 형광체 필름, 이의 제조방법, 형광층 도포 방법, 발광소자 패키지의 제조방법 및 발광소자 패키지
US8486724B2 (en) * 2010-10-22 2013-07-16 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Wafer level reflector for LED packaging
JP2012216712A (ja) * 2011-03-28 2012-11-08 Nitto Denko Corp 発光ダイオード装置の製造方法および発光ダイオード素子
JP5745319B2 (ja) * 2011-04-14 2015-07-08 日東電工株式会社 蛍光反射シート、および、発光ダイオード装置の製造方法
JP5840388B2 (ja) * 2011-06-01 2016-01-06 日東電工株式会社 発光ダイオード装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016171170A1 (ja) * 2015-04-24 2016-10-27 日東電工株式会社 封止半導体素子および半導体装置の製造方法
JP2020161834A (ja) * 2018-12-28 2020-10-01 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP7444309B2 (ja) 2022-04-26 2024-03-06 大日本印刷株式会社 自発光型表示体

Also Published As

Publication number Publication date
EP2680328A2 (en) 2014-01-01
CN103531692A (zh) 2014-01-22
US20140009060A1 (en) 2014-01-09
KR20140002536A (ko) 2014-01-08
TW201401574A (zh) 2014-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2014168032A (ja) 蛍光体層被覆led、その製造方法およびled装置
JP2014168033A (ja) 反射層−蛍光体層被覆led、その製造方法、led装置およびその製造方法
JP2014168036A (ja) 封止層被覆半導体素子、その製造方法および半導体装置
JP2014168035A (ja) 封止層被覆半導体素子、その製造方法および半導体装置
US20140339582A1 (en) Resin sheet laminate, method for manufacturing the same and method for manufacturing led chip with phosphor-containing resin sheet
CN109690181B (zh) 光学半导体元件覆盖用薄片
US10978625B2 (en) Method for forming light-transmissive member, method for producing light emitting device, and light emitting device
US11923488B2 (en) Light emitting device including light transmissive member with concave portions
JP2016213451A (ja) 蛍光体層−封止層付光半導体素子の製造方法
WO2017221606A1 (ja) 蛍光体層付光半導体素子およびその製造方法
JP2017085085A (ja) 発光装置の製造方法
JP2018014480A (ja) 反射層および蛍光体層付光半導体素子
WO2017221608A1 (ja) 蛍光体層シート、および、蛍光体層付光半導体素子の製造方法
WO2016178397A1 (ja) 蛍光体層-封止層付光半導体素子の製造方法
US11398587B2 (en) Method of manufacturing light-transmissive sheet
WO2017221607A1 (ja) 蛍光体層付光半導体素子
TW202209701A (zh) 光學半導體元件覆蓋用薄片