TW201401574A - 被覆有螢光體層之ｌｅｄ、其製造方法及ｌｅｄ裝置 - Google Patents

被覆有螢光體層之ｌｅｄ、其製造方法及ｌｅｄ裝置 Download PDF

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Hidenori Onishi
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Abstract

本發明之被覆有螢光體層之LED之製造方法包括：準備步驟，其係準備包含硬質之支持板、及積層於支持板之厚度方向之一面且藉由活性能量線之照射而黏著力降低之黏著層的支持片材；LED黏貼步驟，其係將LED經由黏著層而黏貼於支持板；被覆步驟，其係將螢光體層配置於支持板之厚度方向之一面，從而藉由螢光體層被覆LED；切斷步驟，其係於被覆步驟後對應LED而將螢光體層切斷，藉此獲得包含LED、及被覆LED之螢光體層的被覆有螢光體層之LED；及LED剝離步驟，其係於切斷步驟之後，自至少厚度方向之一側對黏著層照射活性能量線，將被覆有螢光體層之LED自黏著層剝離。

Description

被覆有螢光體層之LED、其製造方法及LED裝置
本發明係關於一種被覆有螢光體層之LED、其製造方法及LED裝置，詳細而言，係關於一種被覆有螢光體層之LED之製造方法、藉由該方法獲得之被覆有螢光體層之LED、及包含該被覆有螢光體層之LED之LED裝置。
已知先前發光二極體裝置(以下，簡稱為LED裝置)係藉由如下方式而製造：首先於基板上安裝複數個發光二極體元件(以下，簡稱為LED)，其次以被覆複數個LED之方式設置螢光體層，其後單片化成各LED。
然而，於複數個LED之間發光波長或發光效率會產生不均，因此安裝有此種LED之LED裝置存在複數個LED之間之發光產生不均之不良情況。
為消除該不良情況，例如業界正在研究以螢光體層被覆複數個LED而製作被覆有螢光體層之LED，其後根據發光波長或發光效率而分選出被覆有螢光體層之LED之後安裝於基板上。
例如，提出有藉由下述方法而獲得之被覆有螢光體層之LED(晶片零件)(例如，參照日本專利特開2001-308116號公報)。
即，首先於石英基板上黏附藉由紫外線之照射而黏著力降低之黏著片材，其後於黏著片材上黏附晶片(LED)。其後，自晶片上塗佈樹脂，從而於黏著片材上製作包含由樹脂被覆之晶片之偽晶圓。其後，自石英基板之背面側(下側)照射紫外線，使黏著片材之黏著力減弱，將偽晶圓自石英基板及黏著片材剝離。其後，以晶片為單位切割所剝離之偽晶圓而進行單片化。
但是，於日本專利特開2001-308116號公報中所記載之方法中，由於自背面側照射之紫外線係透過石英基板之後到達至黏著片材，故而必需選擇石英基板等可使紫外線透過之基板材料作為基板。因此，基板材料之選擇受到限制。
又，於日本專利特開2001-308116號公報中所記載之方法中，有如下不良情況：對偽晶圓進行切割時，由於偽晶圓已自石英基板及黏著片材剝離，即不由石英基板支持，因此無法以優異之精度切割偽晶圓，其結果，所獲得之晶片零件之尺寸穩定性較低。
本發明之目的在於提供一種不限定於活性能量線透過性之支持板而亦可使用活性能量線遮斷性之支持板，可簡便且以優異之尺寸穩定性獲得被覆有螢光體層之LED的被覆有螢光體層之LED之製造方法，藉由該方法而獲得之被覆有螢光體層之LED，及包含該被覆有螢光體層之LED之LED裝置。
本發明之被覆有螢光體層之LED之製造方法之特徵在於包括：準備步驟，其係準備支持片材，該支持片材包含硬質之支持板、及積層於上述支持板之厚度方向之一面且藉由活性能量線之照射而黏著力降低之黏著層；LED黏貼步驟，其係將LED經由上述黏著層而黏貼於上述支持板；被覆步驟，其係將螢光體層配置於上述支持板之上述厚度 方向之一面，從而藉由上述螢光體層被覆上述LED；切斷步驟，其係於上述被覆步驟後對應上述LED而將上述螢光體層切斷，藉此獲得包含上述LED、及被覆上述LED之上述螢光體層的被覆有螢光體層之LED；及LED剝離步驟，其係於上述切斷步驟之後，自至少上述厚度方向之一側對上述黏著層照射活性能量線，將上述被覆有螢光體層之LED自上述黏著層剝離。
又，於本發明之被覆有螢光體層之LED之製造方法中，較佳為上述螢光體層係由螢光體片材所形成。
又，於本發明之被覆有螢光體層之LED之製造方法中，較佳為於上述被覆步驟中，藉由B階段之上述螢光體片材被覆上述LED，其後使上述螢光體片材硬化而成為C階段。
又，於本發明之被覆有螢光體層之LED之製造方法中，較佳為上述螢光體層包含：被覆部，其被覆上述LED；及反射部，其含有光反射成分，且形成為包圍上述被覆部。
又，於本發明之被覆有螢光體層之LED之製造方法中，較佳為於上述準備步驟中，以預先設置在上述切斷步驟中成為切斷之基準之基準標記之方式準備上述支持片材。
又，本發明之被覆有螢光體層之LED之特徵在於，其係藉由包括如下步驟之被覆有螢光體層之LED之製造方法而獲得：準備步驟，其係準備包含上述硬質之支持板、及積層於上述支持板之厚度方向之一面且藉由活性能量線之照射而黏著力降低之黏著層的支持片材；LED黏貼步驟，其係將LED經由上述黏著層而黏貼於上述支持板；被覆步驟，其係將螢光體層配置於上述支持板之上述厚度方向之一面，從而藉由上述螢光體層被覆上述LED；切斷步驟，其係於上述被覆步驟後對應上述LED而將上述螢光體層切斷，藉此獲得包含上述LED、及被覆上述LED之上述螢光體層的被覆有螢光體層之LED；及LED剝離步 驟，其係於上述切斷步驟之後，自至少上述厚度方向之一側對上述黏著層照射活性能量線，將上述被覆有螢光體層之LED自上述黏著層剝離。
又，本發明之LED裝置之特徵在於：包含基板、及安裝於上述基板上之上述被覆有螢光體層之LED；且上述被覆有螢光體層之LED係藉由包括如下步驟之被覆有螢光體層之LED之製造方法而獲得：準備步驟，其係準備支持片材，該支持片材包含硬質之支持板、及積層於上述支持板之厚度方向之一面且藉由活性能量線之照射而黏著力降低之黏著層；LED黏貼步驟，其係將LED經由上述黏著層而黏貼於上述支持板；被覆步驟，其係將螢光體層配置於上述支持板之上述厚度方向之一面，從而藉由上述螢光體層被覆上述LED；切斷步驟，其係於上述被覆步驟後對應上述LED而將上述螢光體層切斷，藉此獲得包含上述LED、及被覆上述LED之上述螢光體層的被覆有螢光體層之LED；及LED剝離步驟，其係於上述切斷步驟之後，自至少上述厚度方向之一側對上述黏著層照射活性能量線，將上述被覆有螢光體層之LED自上述黏著層剝離。
根據本發明之被覆有螢光體層之LED之製造方法，於LED剝離步驟中，自至少厚度方向之一側對黏著層照射活性能量線。如此，活性能量線透過螢光體層而照射至黏著層。因此，無需由可使活性能量線透過之基板材料形成支持板而使得活性能量線可透過該支持板。其結果，支持板並不限定於活性能量線透過性之支持板，亦可自活性能量線遮斷性之支持板中選擇。
又，於切斷步驟後實施LED剝離步驟。即，於切斷步驟中，一面藉由包含硬質之支持板之支持片材支持LED及螢光體片材，一面將螢光體片材切斷。因此，可獲得尺寸穩定性優異之被覆有螢光體層之LED。
因此，本發明之被覆有螢光體層之LED之尺寸穩定性優異。
又，由於本發明之LED裝置包含尺寸穩定性優異之被覆有螢光體層之LED，故而可靠性優異，因此發光效率提高。
1‧‧‧支持片材
2‧‧‧支持板
3‧‧‧黏著層
4‧‧‧LED
5‧‧‧螢光體片材
8‧‧‧切縫
9‧‧‧基板
10‧‧‧被覆有螢光體片材之LED
13‧‧‧脫模片材
15‧‧‧LED裝置
18‧‧‧基準標記
20‧‧‧密封保護層
24‧‧‧埋設-反射片材
25‧‧‧螢光體層
26‧‧‧分注器
27‧‧‧導入部
28‧‧‧塗佈部
31‧‧‧晶圓切割機(切割刀片)
33‧‧‧埋設部
34‧‧‧反射部
35‧‧‧壓製裝置
36‧‧‧支持板
37‧‧‧模具
38‧‧‧平板部
39‧‧‧突出部
40‧‧‧間隔件
41‧‧‧貫通孔
42‧‧‧反射片材
43‧‧‧被覆部
44‧‧‧被覆-反射片材
49‧‧‧剝離片材
53‧‧‧貫通孔
55‧‧‧沖裁裝置
56‧‧‧支持板
57‧‧‧模具
58‧‧‧平板部
59‧‧‧突出部
圖1係表示本發明之被覆有螢光體層之LED之製造方法的第1實施形態之步驟圖，圖1(a)表示準備支持片材之準備步驟，圖1(b)表示將LED配置於支持片材上之LED黏貼步驟，圖1(c)表示將螢光體片材黏貼於支持片材之上表面之片材黏貼步驟，圖1(d)表示藉由螢光體片材密封LED之密封步驟、及將螢光體片材切斷之切斷步驟，圖1(e)表示將被覆有螢光體層之LED自支持片材剝離之LED剝離步驟，圖1(f)表示將被覆有螢光體層之LED安裝於基板上之安裝步驟。
圖2表示圖1(a)所示之支持片材之平面圖。
圖3係表示本發明之被覆有螢光體層之LED之製造方法的第2實施形態之步驟圖，圖3(a)表示準備支持片材之準備步驟，圖3(b)表示將LED配置於支持片材上之LED黏貼步驟，圖3(c)表示藉由埋設-反射片材之埋設部埋設LED之片材黏貼步驟，圖3(d)表示藉由埋設部密封LED之密封步驟、及將反射部切斷之切斷步驟，圖3(e)表示將設置有反射部之被覆有螢光體片材之LED自支持片材剝離之LED剝離步驟， 圖3(f)表示將設置有反射部之被覆有螢光體片材之LED安裝於基板上之安裝步驟。
圖4表示圖3(d)所示之螢光體片材埋設LED之平面圖。
圖5係圖3(b)所示之埋設-反射片材之製造方法之步驟圖，圖5(a)表示於壓製裝置中配置反射片材之步驟，圖5(b)表示對反射片材加壓而形成反射部之步驟，圖5(c)表示將螢光體片材配置於反射部上之步驟，圖5(d)表示對螢光體片材加壓而形成埋設部之步驟，圖5(e)表示將埋設-反射片材自剝離片材剝離之步驟。
圖6係本發明之被覆有螢光體層之LED之製造方法的第3實施形態中所使用之埋設-反射片材之製造方法之步驟圖，圖6(a)表示於壓製裝置中配置反射片材之步驟，圖6(b)表示對反射片材加壓而形成反射部之步驟，圖6(c)表示將螢光樹脂組合物之清漆灌注至貫通孔中之步驟，圖6(d)表示將埋設-反射片材自剝離片材剝離之步驟。
圖7係表示本發明之被覆有螢光體層之LED之製造方法的第4實施形態之步驟圖，圖7(a)表示準備支持片材之準備步驟，圖7(b)表示將LED配置於支持片材上之LED黏貼步驟，圖7(c)表示藉由埋設-反射片材之埋設部埋設LED之片材黏貼步驟，圖7(d)表示藉由埋設部密封LED之密封步驟、及將反射部切斷之切斷步驟，圖7(e)表示將設置有反射部之被覆有螢光體片材之LED自支持片材剝離之LED剝離步驟，圖7(f)表示將設置有反射部之被覆有螢光體片材之LED安裝於基 板上之安裝步驟。
圖8係表示本發明之被覆有螢光體層之LED之製造方法的第5實施形態之步驟圖，圖8(a)表示準備支持片材之準備步驟，圖8(b)表示將LED配置於支持片材上之LED黏貼步驟，圖8(c)表示藉由埋設-反射片材之埋設部埋設LED之片材黏貼步驟，圖8(d)表示藉由埋設部密封LED之密封步驟、及將反射部切斷之切斷步驟，圖8(e)表示將設置有反射部之被覆有螢光體片材之LED自支持片材剝離之LED剝離步驟，圖8(f)表示將設置有反射部之被覆有螢光體片材之LED安裝於基板上之安裝步驟。
圖9係圖8(b)所示之埋設-反射片材之製造方法之步驟圖，圖9(a)表示於沖裁裝置中配置反射片材之步驟，圖9(b)表示對反射片材進行沖裁而形成反射部之步驟，圖9(c)表示將螢光體片材配置於反射部上之步驟，圖9(d)表示對螢光體片材加壓而形成埋設部之步驟，圖9(e)表示將埋設-反射片材自剝離片材剝離之步驟。
圖10係本發明之被覆有螢光體層之LED之製造方法的第6實施形態中所使用之埋設-反射片材之製造方法之步驟圖，圖10(a)表示於沖裁裝置中配置反射片材之步驟，圖10(b)表示對反射片材進行沖裁而形成反射部之步驟，圖10(c)表示將螢光樹脂組合物之清漆灌注至貫通孔中之步驟，圖10(d)表示將埋設-反射片材自剝離片材剝離之步驟。
圖11係表示本發明之被覆有螢光體層之LED之製造方法的第7實 施形態之步驟圖，圖11(a)表示準備支持片材之準備步驟，圖11(b)表示將LED配置於支持片材上之LED黏貼步驟，圖11(c)表示藉由被覆部被覆LED之被覆步驟，圖11(d)表示使被覆部硬化之硬化步驟、及將反射部切斷之切斷步驟，圖11(e)表示將設置有反射部之被覆有螢光體片材之LED自支持片材剝離之LED剝離步驟，圖11(f)表示將設置有反射部之被覆有螢光體片材之LED安裝於基板上之安裝步驟。
圖12係表示本發明之被覆有螢光體層之LED之製造方法的第8實施形態之步驟圖，圖12(a)表示準備支持片材之準備步驟，圖12(b)表示將LED配置於支持片材上之LED黏貼步驟，圖12(c)表示藉由螢光體片材被覆LED之側面之片材黏貼步驟，圖12(d)表示使螢光體片材硬化之硬化步驟及將螢光體片材切斷之切斷步驟，圖12(e)表示將被覆有螢光體片材之LED自支持片材剝離之LED剝離步驟，圖12(f)表示將被覆有螢光體片材之LED安裝於基板上之安裝步驟。
圖13表示本發明之被覆有螢光體層之LED之製造方法的第9實施形態中所使用之分注器之立體圖。
<第1實施形態>
於圖1中，將紙面上下方向設為上下方向(第1方向，厚度方向)， 將紙面左右方向設為左右方向(第2方向，與第1方向正交之方向)，將紙面紙厚方向設為前後方向(第3方向，與第1方向及第2方向正交之方向)。圖2以下之各圖係依據上述之方向及圖1之方向箭頭。
圖1係表示本發明之被覆有螢光體層之LED之製造方法的第1實施形態之步驟圖。圖2表示圖1(a)所示之支持片材之平面圖。
再者，於圖2中，為明確表示後述之支持板2及基準標記18之相對配置而將後述之黏著層3省略。
作為被覆有螢光體層之LED之一例的被覆有螢光體片材之LED10之製造方法包括：準備步驟(參照圖1(a))，準備支持片材1；LED黏貼步驟(參照圖1(b))，將LED4經由黏著層3而黏貼於支持板2；密封步驟(被覆步驟之一例，參照圖1(c)及圖1(d))，藉由作為螢光體層之螢光體片材5密封LED4；切斷步驟(參照圖1(d)之虛線)，對應LED4而將螢光體片材5切斷；及LED剝離步驟(參照圖1(e))，將被覆有螢光體片材之LED10自黏著層3剝離。
以下，對各步驟進行詳細敍述。
<準備步驟>
如圖1(a)及圖2所示，支持片材1係呈於面方向(與厚度方向正交之方向，即左右方向及前後方向)上延伸之片狀，俯視形狀(於厚度方向上投影時之形狀)例如形成為矩形。
又，支持片材1係以預先設置在後文說明之切斷步驟(參照圖1(d)之虛線)中成為切斷之基準之基準標記18之方式準備。
如圖2所示，基準標記18係於支持片材1之面方向之周端部隔開間隔地設置複數個。例如，基準標記18分別設置於支持片材1中相互對向之2邊，且基準標記18以成為於支持片材1之2邊之對向方向上相對向之1對的方式而形成。1對基準標記18係對應於其後配置之LED4(參照圖2之假想線)而設置，係以於以基準標記18作為基準將螢 光體片材5切斷時可將LED4單片化之方式而配置。
各基準標記18係形成為於俯視下容易識別之形狀，例如形成為俯視大致三角形。
關於支持片材1之尺寸，最大長度例如為10 mm以上、300 mm以下，又，1邊之長度例如為10 mm以上、300 mm以下。
支持片材1係構成為可支持下述說明之LED4(參照圖1(b))，例如包含支持板2、及積層於支持板2之上表面之黏著層3。
支持板2至少無法於面方向上延伸，由硬質之材料所形成，作為此種材料，只要可確保硬質性，則並無特別限定，例如可自遮斷活性能量線之活性能量遮斷性材料、或使活性能量線透過之活性能量線透過材料、以及使活性能量線部分透過(半透過)之活性能量線半透過性材料等中適當選擇。具體而言，作為形成支持板2之材料，可列舉：例如氧化矽(石英等)、氧化鋁等氧化物、例如不鏽鋼等金屬、例如矽等。
支持板2於23℃下之楊氏模數例如為1×106 Pa以上，較佳為1×107 Pa以上，更佳為1×108 Pa以上，又，例如亦為1×1012 Pa以下。若支持板2之楊氏模數為上述下限以上，則可確保支持板2之硬質，從而確實地支持後述之LED4(參照圖1(b))。再者，支持板2之楊氏模數例如根據JIS H 7902：2008之壓縮彈性模數等而求出。
支持板2之厚度例如為0.1 mm以上，較佳為0.3 mm以上，又，例如亦為5 mm以下，較佳為2 mm以下。
如圖1(a)所示，黏著層3係形成於支持板2之上表面整面。
黏著層3係由藉由活性能量線之照射而黏著力降低之材料形成為活性能量線照射剝離層(片材)，具體而言，例如可列舉丙烯酸系感壓接著劑層等感壓接著劑層。又，黏著層3例如亦可由日本專利特開2001-308116號公報中所記載之活性能量線照射剝離層(片材)所形成。
黏著層3之厚度例如為0.1 mm以上，較佳為0.2 mm以上，又，亦為1 mm以下，較佳為0.5 mm以下。
準備支持片材1時，例如將支持板2與黏著層3貼合。再者，亦可首先準備支持板2，繼而藉由如下塗佈方法等將黏著層3直接積層於支持板2：將由上述黏著材料及視需要調配之溶劑製備之清漆塗佈於支持板2，其後視需要將溶劑蒸餾去除。
支持片材1之厚度例如為0.2 mm以上，較佳為0.5 mm以上，又，亦為6 mm以下，較佳為2.5 mm以下。
<LED黏貼步驟>
LED黏貼步驟係於準備步驟之後實施。
如圖1(b)之下部及圖2之假想線所示，LED4例如形成為厚度短於面方向(與厚度方向正交之方向)長度(最大長度)之剖面視大致矩形及俯視大致矩形。又，LED4之下表面係由未圖示之凸塊所形成。作為LED4，例如可列舉發出藍色光之藍色二極體元件。
LED4之面方向之最大長度例如為0.1 mm以上、3 mm以下。又，LED4之厚度例如為0.05 mm以上、1 mm以下。
於LED黏貼步驟中，例如將複數個LED4以排列狀而黏貼於黏著層3之上表面。具體而言，以使複數個LED4於俯視下前後左右相互隔開相等間隔之方式而將LED4黏貼於黏著層3之上表面。又，將LED4以使未圖示之凸塊與黏著層3之上表面相對向之方式黏貼於黏著層3之上表面。藉此，LED4係以其排列狀態可維持之方式由黏著層3之上表面支持(感壓接著)。
各LED4間之間隔例如為0.05 mm以上、2 mm以下。
<密封步驟>
密封步驟係於LED黏貼步驟之後實施。
於圖1(b)之上部，螢光體片材5係由含有硬化性樹脂及螢光體之 螢光樹脂組合物形成為於面方向上延伸之片狀。
作為硬化性樹脂，可列舉：例如藉由加熱而硬化的熱硬化性樹脂，例如藉由紫外線、電子束等活性能量線(例如，紫外線、電子束等)之照射而硬化的活性能量線硬化性樹脂等。可較佳地列舉熱硬化性樹脂。
具體而言，作為硬化性樹脂，例如可列舉：聚矽氧樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、酚樹脂、脲樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂等熱硬化性樹脂。可較佳地列舉聚矽氧樹脂。
作為聚矽氧樹脂，例如可列舉2階段硬化型聚矽氧樹脂、1階段硬化型聚矽氧樹脂等聚矽氧樹脂，可較佳地列舉2階段硬化型聚矽氧樹脂。
2階段硬化型聚矽氧樹脂為具有2階段之反應機制，於第1階段之反應中B階段化(半硬化)，於第2階段之反應中C階段化(最終硬化)的熱硬化性聚矽氧樹脂。另一方面，1階段硬化型聚矽氧樹脂為具有1階段之反應機制，於第1階段之反應中完全硬化的熱硬化性聚矽氧樹脂。
又，B階段係熱硬化性聚矽氧樹脂為液狀之A階段、與經完全硬化之C階段之間的狀態，係硬化及凝膠化略微進行，壓縮彈性模數小於C階段之彈性模數的狀態。
作為2階段硬化型聚矽氧樹脂，例如可列舉具有縮合反應與加成反應2個反應體系的縮合反應-加成反應硬化型聚矽氧樹脂等。
硬化性樹脂之調配比率係相對於螢光樹脂組合物，例如為30質量%以上，較佳為50質量%以上，又，例如亦為99質量%以下，較佳為95質量%以下。
螢光體具有波長轉換功能，例如可列舉：可將藍色光轉換為黃色光之黃色螢光體、可將藍色光轉換為紅色光之紅色螢光體等。
作為黃色螢光體，可列舉：例如Y3Al5O12：Ce(YAG(釔-鋁-石榴石)：Ce)、Tb3Al3O12：Ce(TAG(鋱-鋁-石榴石)：Ce)等具有石榴石型結晶結構之石榴石型螢光體，例如Ca-α-SiAlON等氮氧化物螢光體等。
作為紅色螢光體，例如可列舉：CaAlSiN3：Eu、CaSiN2：Eu等氮化物螢光體等。
可較佳地列舉黃色螢光體。
作為螢光體之形狀，例如可列舉：球狀、板狀、針狀等。就流動性之觀點而言，可較佳地列舉球狀。
螢光體之最大長度之平均值(為球狀之情形時為平均粒徑)例如為0.1 μm以上，較佳為1 μm以上，又，例如亦為200 μm以下，較佳為100 μm以下。
螢光體之調配比率係相對於硬化性樹脂100質量份，例如為0.1質量份以上，較佳為0.5質量份以上，例如亦為80質量份以下，較佳為50質量份以下。
進而，螢光樹脂組合物亦可含有填充劑。
作為填充劑，可列舉：例如聚矽氧粒子等有機微粒子，例如二氧化矽、滑石、氧化鋁、氮化鋁、氮化矽等無機微粒子。又，填充劑之調配比率係相對於硬化性樹脂100質量份，例如為0.1質量份以上，較佳為0.5質量份以上，又，例如亦為70質量份以下，較佳為50質量份以下。
並且，如圖1(c)所示，將螢光體片材5經由黏著層3而黏貼於支持板2時，首先，如圖1(b)之上部所示，準備螢光體片材5。準備螢光體片材5時，係將硬化性樹脂及螢光體以及視需要調配之填充劑加以調配而製備螢光樹脂組合物。其次，將螢光樹脂組合物塗佈於脫模片材13之表面，其後進行加熱。作為脫模片材13，可列舉：例如聚乙烯膜、聚酯膜(PET(polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)等) 等聚合物膜，例如陶瓷片材，例如金屬箔等。可較佳地列舉聚合物膜。又，亦可對脫模片材13之表面實施氟處理等剝離處理。
於硬化性樹脂含有2階段硬化型聚矽氧樹脂之情形時，藉由上述加熱使硬化性樹脂B階段化(半硬化)。即，準備B階段之螢光體片材5。
該螢光體片材5於23℃下之壓縮彈性模數例如為0.01 MPa以上，較佳為0.04 MPa以上，又，例如亦為1.0 MPa以下。
若螢光體片材5之壓縮彈性模數為上述上限以下，則可確保充分之柔軟性。另一方面，若螢光體片材5之壓縮彈性模數為下限以上，則可埋設LED4。
其次，如圖1(c)所示，將螢光體片材5以埋設LED4之方式配置於黏著層3之上表面(埋設步驟)。即，將螢光體片材5以被覆LED4之上表面及側面之方式配置於支持片材1上。
具體而言，如圖1(b)之箭頭所示，將積層於脫模片材13上之螢光體片材5朝向黏著層3進行壓接。
藉此，藉由螢光體片材5將LED4之側面及上表面、及自LED4露出之黏著層3之上表面以密接狀被覆。
即，於密封步驟中，實施藉由螢光體片材5埋設LED4之埋設步驟。
其後，如圖1(c)之假想線所示，將脫模片材13自螢光體片材5之上表面剝離。
其後，如圖1(d)所示，使螢光體片材5硬化。於硬化性樹脂為熱硬化性樹脂之情形時，使螢光體片材5進行熱硬化。具體而言，將螢光體片材5加熱至例如80℃以上、較佳為100℃以上，又，例如200℃以下、較佳為180℃以下。
於熱硬化性樹脂含有2階段硬化型聚矽氧樹脂，埋設LED4之螢光 體片材5為B階段之情形時，螢光體片材5藉由上述加熱而完全硬化(最終硬化)成為C階段。
又，於熱硬化性樹脂含有1階段硬化型聚矽氧樹脂之情形時，螢光體片材5藉由上述加熱而完全硬化(最終硬化)成為C階段。
或者，於硬化性樹脂為活性能量線硬化性樹脂之情形時，自上方對螢光體片材5照射活性能量線。再者，於自上方照射活性能量線之情形時，以使黏著層3之黏著力不會因該照射而降低之方式選擇硬化性樹脂或照射條件。
硬化(完全硬化)之螢光體片材5具有可撓性，具體而言，23℃下之壓縮彈性模數例如為0.5 MPa以上，較佳為1.0 MPa以上，又，例如亦為100 MPa以下，較佳為10 MPa以下。若螢光體片材5之壓縮彈性模數為上述上限以下，則可確實地確保可撓性，例如於下述切斷步驟(參照圖1(d))中，亦可使用裁切裝置(後述)將螢光體片材5切斷。若螢光體片材5之壓縮彈性模數為上述下限以上，則可保持切斷後之形狀。
又，螢光體片材5於波長400 nm以下之透光率例如為50%以上，較佳為60%以上。若螢光體片材5之透光率為上述下限以上，則可確保螢光體片材5對活性能量線之透過性，使活性能量線透過螢光體片材5而到達至黏著層3。同時，可獲得亮度優異之LED裝置15(後述)。
藉此，藉由螢光體片材5將LED4之側面及上表面、及自LED4露出之黏著層3之上表面以密接狀被覆。即，藉由C階段之螢光體片材密封LED4。
<切斷步驟>
於密封步驟後，如圖1(d)之虛線所示，於切斷步驟中，將LED4之周圍之螢光體片材5沿厚度方向切斷。例如，如圖2之單點虛線所示，將螢光體片材5切斷成例如包圍各LED4之俯視大致矩形。
將螢光體片材5切斷時，例如可使用利用圓盤狀之晶圓切割機(dicing saw)(切割刀片)31之切割裝置、利用裁切刀(cutter)之裁切裝置、雷射照射裝置等。
又，螢光體片材5之切斷係以基準標記18作為基準而實施。具體而言，沿連接呈1對之基準標記18之直線(於圖2中以單點虛線表示)，將螢光體片材5以形成切縫8之方式切斷。
螢光體片材5之切斷例如係以切縫8不貫通支持片材1之方式、較佳為切縫8不貫通黏著層3之方式自螢光體片材5之上表面向下表面切斷。
藉由切斷步驟，以密接於支持片材1之狀態獲得包含LED4、及被覆LED4之表面(上表面及側面)之螢光體片材5的被覆有螢光體片材之LED10。即，對應LED4而將螢光體片材5單片化。
<LED剝離步驟>
於切斷步驟後，於圖1(e)中，於LED剝離步驟中，將被覆有螢光體片材之LED10自黏著層3之上表面剝離。
將被覆有螢光體片材之LED10自黏著層3之上表面剝離時，首先，如圖1(e)之向下之箭頭所示，自上方(厚度方向之一側)經由螢光體片材5對黏著層3照射活性能量線。
活性能量線例如包含紫外線、電子束等，例如可列舉於波長180 nm以上、較佳為200 nm以上，又，例如為460 nm以下、較佳為400 nm以下之區域內具有光譜分佈之活性能量線。
活性能量線之照射例如可使用化學燈、準分子雷射、黑光燈、水銀弧燈、碳弧燈、低壓水銀燈、中壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、金屬鹵素燈等照射裝置。再者，亦可使用可產生相較於上述波長區域為長波長側或短波長側之活性能量線的照射裝置。
照射量例如為0.001 J/cm2以上，較佳為0.01 J/cm2以上，又，例 如亦為100 J/cm2以下，較佳為10 J/cm2以下。若照射量為上述下限以上，則可確實高效地降低黏著層3之黏著力。另一方面，若照射量為上述上限以下，則可抑制成本增大，有效地防止機器之損傷。
照射時間例如為10分鐘以下，較佳為1分鐘以下，又，例如亦為5秒鐘以上。若照射時間之上限為上述上限以下，則可縮短LED4之剝離步驟所花費之時間。
並且，活性能量線之全部或一部分係自上方透過螢光體片材5而照射至黏著層3。
藉由該活性能量線之照射而黏著層3之黏著力降低。
於該狀態下，如圖1(e)之朝上之箭頭所示，將被覆有螢光體片材之LED10自黏著層3剝離。再者，將被覆有螢光體片材之LED10自黏著層3剝離時，可視需要使用未圖示的包含筒夾等吸引構件之拾取裝置。具體而言，可一面利用吸引構件吸引被覆有螢光體片材之LED10一面將其自黏著層3剝離。
藉此，獲得經自黏著層3剝離之被覆有螢光體片材之LED10。
[安裝步驟]
於LED剝離步驟後，根據發光波長或發光效率而分選出被覆有螢光體片材之LED10之後，如圖1(f)所示，將分選出之被覆有螢光體片材之LED10安裝於基板9上。藉此，獲得LED裝置15。
具體而言，將被覆有螢光體片材之LED10以使LED4之凸塊(未圖示)與設置於基板9之上表面之端子(未圖示)相對向之方式與基板9對向配置。即，將被覆有螢光體片材之LED10之LED4覆晶安裝於基板9上。
藉此，獲得包含基板9、及安裝於基板9上之被覆有螢光體片材之LED10的LED裝置15。
其後，視需要如圖1(f)之假想線所示，於LED裝置15上設置將被 覆有螢光體片材之LED10密封之密封保護層20。藉此，可提高LED裝置15之可靠性。
並且，藉由該方法，於LED剝離步驟中，自上方經由螢光體片材5對黏著層3照射活性能量線。如此，使活性能量線透過螢光體片材5而照射至黏著層3。因此，無需由可使活性能量線透過之基板材料形成支持板2，使活性能量線透過該支持板2。其結果，作為支持板2，並不限定於活性能量線透過性之支持板，而亦可自活性能量線遮斷性之支持板中選擇。
又，於切斷步驟後實施LED剝離步驟。即，於切斷步驟中，一面藉由包含硬質之支持板2之支持片材1支持LED4及螢光體片材5，一面將螢光體片材5切斷。因此，可獲得尺寸穩定性優異之被覆有螢光體片材之LED10。
進而，於該方法中，於LED剝離步驟中，對黏著層3照射活性能量線，因此與藉由黏著層3之加熱而使黏著層3之黏著力降低之方法相比，可防止由加熱引起之支持片材1之變形，可進一步提高尺寸穩定性。
因此，該被覆有螢光體片材之LED10之尺寸穩定性優異。
又，由於LED裝置15包含尺寸穩定性優異之被覆有螢光體片材之LED10，故而可靠性優異，因此，發光效率提高。
<變化例>
再者，於第1實施形態中之圖1(e)之LED剝離步驟中，僅自上方(厚度方向之一側)對黏著層3照射活性能量線，但於本發明中，只要自至少上方(厚度方向之一側)照射活性能量線即可，例如於由活性能量線透過性材料或活性能量線半透過性材料形成支持板2之情形時，亦可自上下兩側(厚度方向之一側及另一側)對黏著層3照射活性能量線。於此情形時，自支持片材1之下方照射之活性能量線全部或一部 分透過支持板2而到達至黏著層3。
根據上述變化例，於LED剝離步驟中，可進一步縮短用以使黏著層3之黏著力降低所需之時間、即活性能量線之照射時間，可提高被覆有螢光體片材之LED10之製造效率。
又，於圖2中，使基準標記18形成為俯視大致三角形，但其形狀並無特別限定，例如可形成為俯視大致圓形、俯視大致矩形、俯視大致X形、俯視大致T字形等適當之形狀。
<第2實施形態>
圖3表示本發明之被覆有螢光體層之LED之製造方法的第2實施形態之步驟圖。圖4表示圖3(d)所示之螢光體片材埋設LED之平面圖。圖5表示圖3(b)所示之埋設-反射片材之製造方法之步驟圖。
再者，於第2實施形態中，對與第1實施形態相同之構件及步驟標附相同之參照符號，並省略其詳細之說明。
於第1實施形態中，作為本發明之螢光體層之一例，係如圖1(b)所示般例示螢光體均勻(至少於面方向上均勻)分散之螢光體片材5，但例如亦可如圖3(b)及圖4所示般，例示包含作為含有螢光體之被覆部之埋設部33、及包圍埋設部33之反射部34的埋設-反射片材24。
如圖4所示，於埋設-反射片材24中，埋設部33係作為埋設複數個LED4之部分而隔開間隔地設置複數個，各埋設部33係形成為俯視大致圓形。具體而言，如圖3(b)所示，各埋設部33係形成為寬度朝向下方逐漸變窄之大致圓錐台形狀。
埋設部33之下端部之直徑(最大長度)大於LED4之面方向之最大長度，具體而言，相對於LED4之面方向之最大長度，例如為200%以上，較佳為300%以上，更佳為500%以上，且例如為3000%以下。具體而言，埋設部33之下端部之直徑(最大長度)例如為5 mm以上，較佳為7 mm以上，又，例如為300 mm以下，較佳為200 mm以下。
又，埋設部33之上端部之直徑(最大長度)大於下端部之直徑(最大長度)，具體而言，例如為7 mm以上，較佳為10 mm以上，又，例如為400 mm以下，較佳為250 mm以下。
進而，各埋設部33間之間隔(最小間隔，具體而言係埋設部33之上端部間之間隔)例如為20 mm以上，較佳為50 mm以上，又，例如為1000 mm以下，較佳為200 mm以下。
埋設部33係由上述螢光樹脂組合物所形成。於螢光樹脂組合物含有硬化性樹脂之情形時，埋設部33係以B階段形成。
如圖4所示，反射部34於埋設-反射片材24之周端部連續，並且配置於各埋設部33之間，形成為包圍各埋設部33之俯視大致格子狀。
又，反射部34係由後述之含有光反射成分之反射樹脂組合物所形成。
其次，參照圖4及圖5對該埋設-反射片材24之製造方法進行說明。
於該方法中，首先，如圖5(a)所示，準備壓製裝置35。
壓製裝置35包含支持板36、及對向配置於支持板36之上側之模具37。
支持板36例如係由不鏽鋼等金屬形成為大致矩形平板形狀。
模具37例如係由不鏽鋼等金屬所形成，一體地包含平板部38、及形成為自平板部38向下側突出之突出部39。
平板部38於俯視下形成為與支持板36相同之形狀。
突出部39於模具37中係以對應埋設部33之方式於面方向上相互隔開間隔地設置複數個。即，突出部39係形成為寬度自平板部38之下表面朝向下方逐漸變窄之大致圓錐台形狀，具體而言，形成為於正剖面視及側剖面視下寬度朝向下方逐漸變窄之錐形。即，突出部39係形成為與埋設部33相同之形狀。
又，如圖5(a)所示，支持板36之周端部之上表面設置有間隔件40。間隔件40例如包含不鏽鋼等金屬，以於厚度方向上投影時包圍複數個埋設部33之方式而配置。又，間隔件40係以於厚度方向上投影時包含於模具37內、具體而言與平板部38之周端部重合之方式而配置於支持板36上。
間隔件40之厚度係設定為後述之剝離片材49之厚度與突出部39之厚度的合計厚度。具體而言，間隔件40之厚度例如為0.3 mm以上，較佳為0.5 mm以上，又，例如為5 mm以下，較佳為3 mm以下。
再者，壓製裝置35係構成為可更換不同形狀之模具37，具體而言，構成為可將圖5(a)所示之具有突出部39之模具37、與圖5(c)所示之後述之不具有突出部39的平板狀之模具37更換。
又，如圖5(a)所示，於支持板36之上表面的間隔件40之內側載置有剝離片材49。剝離片材49之周端面係以接觸間隔件40之內側面之方式形成於支持板36之上表面。剝離片材49之厚度例如為10 μm以上，較佳為30 μm以上，又，例如為200 μm以下，較佳為150 μm以下。
其次，於圖5(a)所示之壓製裝置35中，將反射片材42配置於剝離片材49之上表面。
將反射片材42配置於剝離片材49之上表面時，可使用：例如將由反射樹脂組合物所形成之反射片材42積層於剝離片材49之上表面的積層方法；例如將液狀之反射樹脂組合物塗佈於剝離片材49之上表面的塗佈方法等。
反射樹脂組合物例如含有樹脂及光反射成分。
作為樹脂，例如可列舉：熱硬化性聚矽氧樹脂、環氧樹脂、熱硬化性聚醯亞胺樹脂、酚樹脂、脲樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂、熱硬化性胺基甲酸酯樹脂等熱硬化性樹脂，可較佳地列舉熱硬化性聚矽氧樹脂、環氧樹脂。
光反射成分例如為白色化合物，作為此種白色化合物，具體而言，可列舉白色顏料。
作為白色顏料，例如可列舉白色無機顏料，作為此種白色無機顏料，可列舉：例如氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯等氧化物，例如鉛白(碳酸鉛)、碳酸鈣等碳酸鹽，例如高嶺土(kaolinite)等黏土礦物等。
作為白色無機顏料，可較佳地列舉氧化物，可進而較佳地列舉氧化鈦。
此種氧化鈦具體而言為TiO2(氧化鈦(IV)、二氧化鈦)。
氧化鈦之結晶結構並無特別限定，例如為金紅石、板鈦礦(板鈦石)、銳鈦礦(銳錐石)等，較佳為金紅石。
又，氧化鈦之晶系並無特別限定，例如為正方晶系、斜方晶系等，較佳為正方晶系。
若氧化鈦之結晶結構及晶系為金紅石及正方晶系，則即便於將反射部34長期曝露於高溫下之情形時，亦可有效地防止對光(具體而言為可見光、尤其是波長450 nm附近之光)之反射率降低。
光反射成分為粒子狀，其形狀並無限定，例如可列舉：球狀、板狀、針狀等。光反射成分之最大長度之平均值(為球狀之情形時為其平均粒徑)例如為1 nm以上、1000 nm以下。最大長度之平均值係使用雷射繞射散射式粒度分佈計測定。
光反射成分之調配比率係相對於樹脂100質量份，例如為30質量份以上，較佳為50質量份以上，又，例如為200質量份以下，較佳為100質量份以下。
上述光反射成分係均勻地分散混合於樹脂中。
又，反射樹脂組合物中亦可進而添加上述填充劑。即，可將填充劑與光反射成分(具體而言為白色顏料)併用。
填充劑除上述白色顏料以外，亦可列舉公知之填充劑，具體而 言，可列舉：聚矽氧粒子等有機微粒子，例如二氧化矽、滑石、氧化鋁、氮化鋁、氮化矽等無機微粒子。
填充劑之添加比率係以使填充劑及光反射成分之總量相對於樹脂100質量份成為例如400質量份以上、較佳為500質量份以上、更佳為600質量份以上，又，成為例如2500質量份以下、較佳為2000質量份以下、更佳為1600質量份以下之方式進行調整。
於積層方法中，反射樹脂組合物係將上述樹脂、光反射成分、及視需要添加之填充劑加以調配並均勻混合，藉此製備成A階段。
繼而，於積層方法中，將A階段之反射樹脂組合物藉由例如澆鑄、旋轉塗佈、輥式塗佈等塗佈方法塗佈於未圖示之脫模片材之表面，其後進行加熱而成為B階段或C階段。作為脫模片材，例如可列舉與上述脫模片材13相同者。
或者，將A階段之反射樹脂組合物利用絲網印刷等藉由上述塗佈方法塗佈於例如未圖示之脫模片材之表面，其後進行加熱，藉此形成B階段或C階段之反射片材42。
其後，將反射片材42轉印至剝離片材49上。繼而，將未圖示之脫模片材剝離。
另一方面，於塗佈方法中，藉由絲網印刷等將上述A階段之反射樹脂組合物塗佈於剝離片材49之上表面，其後進行加熱，藉此形成B階段之反射片材42。
反射片材42之厚度例如為0.3 mm以上，較佳為0.5 mm以上，又，例如為5 mm以下，較佳為3 mm以下。
繼而，如圖5(a)之箭頭及圖5(b)所示，藉由壓製裝置35對反射片材42加壓。
具體而言，對支持板36按壓模具37。詳細而言，以使突出部39於厚度方向上貫通反射片材42之方式，將模具37向下側按壓。並且， 使模具37之平板部38之周端部抵接於間隔件40之上表面。
藉此，如圖5(b)所示，反射片材42中形成貫通厚度方向且形狀與突出部39對應之貫通孔41。
關於模具37之按壓，於反射樹脂組合物含有B階段之熱硬化性樹脂之情形時，亦可於模具37中預先內藏加熱器(未圖示)，藉由該加熱器對反射片材42進行加熱。藉此，使反射樹脂組合物完全硬化(C階段化)。
加熱溫度例如為80℃以上，較佳為100℃以上，又，例如為200℃以下，較佳為180℃以下。
藉此，於剝離片材49上形成反射部34。
其後，如圖5(c)所示，解除壓製裝置35之加壓狀態。具體而言，抬起模具37。
繼而，將包含平板部38及突出部39之模具37更換為僅包含平板部38之模具37。
與此同時，將螢光體片材5配置於反射部34上。
具體而言，將螢光體片材5以被覆貫通孔41之方式載置於反射部34之上表面。
於螢光樹脂組合物含有硬化性樹脂之情形時，將B階段之螢光體片材5配置於反射部34上。螢光體片材5於為B階段之情形時其平板形狀可一定程度地維持，因此可以不塌陷至貫通孔41內地被覆貫通孔41之方式載置於反射部34之上表面。
又，螢光體片材5係形成為較反射部34(具體而言，反射片材42之反射樹脂組合物含有硬化性樹脂之情形時為C階段之反射部34)柔軟。具體而言，螢光體片材5為可藉由下述加壓(圖5(d))而變形之柔軟度，另一方面，反射部34形成為藉由下述加壓無法使之變形之硬度。
其次，如圖5(d)所示，藉由壓製裝置35對螢光體片材5加壓。具 體而言，將包含平板部38之模具37朝向支持板36進行按壓。並且，使平板部38之周端部抵接於間隔件40之上表面。又，使平板部38之下表面接觸反射部34之上表面。
藉此，平板部38自上側推壓相對較柔軟之螢光體片材5而將其填充至貫通孔41內。另一方面，相對較硬之反射部34不產生變形而將埋設部33收容於其貫通孔41內。
又，於硬化性樹脂為熱硬化性樹脂之情形時，亦可藉由內藏於平板部38之加熱器對螢光體片材5進行加熱。
藉此，使埋設部33形成於反射部34之貫通孔41內。
藉此，於支持板36與模具37之間獲得包含埋設部33及反射部34之埋設-反射片材24。
如圖5(e)所示，其後抬起模具37，繼而將埋設-反射片材24自剝離片材49剝離。
其次，針對使用圖5(e)所示之埋設-反射片材24製造被覆有螢光體片材之LED10及LED裝置15之方法，參照圖3詳細敍述與上述實施形態不同之步驟。
[片材黏貼步驟]
如圖3(b)之上側圖所示，將埋設-反射片材24以使埋設部33成為寬度朝向下方逐漸變窄之錐形之方式配置於支持片材1上。
即，將複數個埋設部33之各個相對於複數個LED4之各個對向配置。具體而言，將各埋設部33以於俯視下與LED4之中心相對向，並且於反射部34之內側隔開間隔之方式進行配置。
繼而，如圖3(c)所示，對埋設-反射片材24加壓。藉此，將LED4以使其上表面及側面由埋設部33被覆之方式埋設於埋設部33中。
再者，於埋設部33為B階段之情形時，由埋設部33將LED4之上表面及側面與黏著層3之上表面以密接狀被覆。
[密封步驟]
如圖3(d)所示，於密封步驟中，於螢光樹脂組合物含有硬化性樹脂之情形時，使螢光體片材5硬化。藉此使埋設部33完全硬化。藉此，LED4由埋設部33密封。
[切斷步驟]
如圖3(d)之虛線所示，於切斷步驟中，將反射部34沿厚度方向切斷。例如，如參照圖4之單點虛線般，以使反射部34形成為例如包圍各埋設部33之俯視大致矩形之方式將螢光體片材5切斷。
藉由切斷步驟，以密接於支持片材1之狀態獲得包含1個LED4、埋設LED4之埋設部33、及設置於埋設部33之周圍之反射部34的被覆有螢光體片材之LED10。即，於被覆有螢光體片材之LED10中設置有反射部34。即，被覆有螢光體片材之LED10為附有反射部之被覆有螢光體片材之LED。
[LED剝離步驟]
於LED剝離步驟中，如圖3(e)所示，將設置有反射部34之被覆有螢光體片材之LED10自支持片材1剝離。
[安裝步驟]
於安裝步驟中，根據發光波長或發光效率而分選出設置有反射部34之被覆有螢光體片材之LED10之後，如圖3(f)所示，將分選出之被覆有螢光體片材之LED10安裝於基板9上。藉此，獲得LED裝置15。
藉此，獲得包含基板9、及安裝於基板9上且設置有反射部34之被覆有螢光體片材之LED10的LED裝置15。
並且，根據該第2實施形態，埋設-反射片材24包含埋設LED4之埋設部33、及含有光反射成分且形成為包圍埋設部33之反射部34，因此可藉由反射部34將自LED4發出之光反射。因此，可提高LED裝置 15之發光效率。
<變化例>
進而，亦可於圖5(c)所示之平板部38與螢光體片材5之間設置脫模片材13(參照圖3(b)之假想線)，形成上表面積層有脫模片材13之埋設-反射片材24，其後，如圖3(c)之假想線所示，將該埋設-反射片材24例如相對於複數個LED4及支持片材1進行例如平板加壓。
<第3實施形態>
圖6表示本發明之被覆有螢光體層之LED之製造方法的第3實施形態中所使用之埋設-反射片材之製造方法之步驟圖。
再者，於第3實施形態中，對與第2實施形態相同之構件及步驟標附相同之參照符號，並省略其詳細之說明。
於第2實施形態之埋設-反射片材24之製造方法中，如圖5(c)及圖5(d)所示，係由螢光體片材5形成埋設部33，但例如亦可如圖6(c)所示般不使用螢光體片材5，而將螢光樹脂組合物之清漆灌注至貫通孔41內，藉此形成埋設部33。
具體而言，首先，製備螢光樹脂組合物之清漆。具體而言，於螢光樹脂組合物含有硬化性樹脂之情形時，製備A階段之清漆。藉此，將A階段之螢光樹脂組合物填充至貫通孔41內。
其後，於螢光樹脂組合物含有硬化性樹脂之情形時，使A階段之螢光樹脂組合物B階段化。
藉由第3實施形態，亦可發揮出與第2實施形態相同之作用效果。
<第4實施形態>
圖7表示本發明之被覆有螢光體層之LED之製造方法的第4實施形態之步驟圖。
再者，於第4實施形態中，對與第2實施形態及第3實施形態相同 之構件及步驟標附相同之參照符號，並省略其詳細之說明。
於第2實施形態中，如圖3(b)及圖4所示，係使埋設部33之下端部形成為於俯視下大於LED4，但例如亦可如圖7(b)所示般使埋設部33之下端部與LED4形成為相同尺寸。
[LED黏貼步驟]
例如，埋設部33係形成為寬度朝向下方逐漸變窄之大致四角錐台形狀。
為形成圖7(b)所示之埋設部33，使參照圖5及圖6之突出部39形成為寬度自平板部38之下表面朝向下方逐漸變窄之大致四角錐台形狀。
又，如圖7(b)之單點虛線所示，於厚度方向上投影時，埋設部33之下端部係與LED4相互重疊，具體而言，以於俯視下埋設部33之下端部之周端緣與LED4之周端緣形成於同一位置之方式將埋設-反射片材24配置於包含LED4之黏著層3上。
藉由第4實施形態，亦可發揮出與第5實施形態及第8實施形態相同之作用效果。
<第5實施形態>
圖8表示本發明之被覆有螢光體層之LED之製造方法的第5實施形態之步驟圖。圖9表示圖8(b)所示之埋設-反射片材之製造方法之步驟圖。
再者，於第5實施形態中，對與第2實施形態相同之構件及步驟標附相同之參照符號，並省略其詳細之說明。
於第2實施形態中，如圖3(b)所示，係使埋設-反射片材24中之埋設部33形成為寬度朝向下方逐漸變窄之大致圓錐台形狀，但例如亦可如圖8(b)所示般形成為於上下方向(厚度方向)上延伸之大致圓柱形狀。
為形成此種埋設部33，使用圖9(a)及圖9(b)所示之沖裁裝置55。
沖裁裝置55包含支持板56、及對向配置於支持板56之上側之模具57。
支持板56例如由不鏽鋼等金屬形成為大致矩形平板形狀，又，支持板56中形成有貫通厚度方向之貫通孔53。
貫通孔53係形成為俯視大致圓形。
模具57係一體地包含平板部58、及形成為自平板部58向下側突出之突出部59。
平板部58係形成為與圖5(a)所示之平板部38相同之形狀。
突出部59於模具57中係以對應埋設部33(參照圖9(d))之方式於面方向上相互隔開間隔地設置複數個。突出部59於俯視下形成為與貫通孔53相同形狀及相同尺寸，具體而言形成為大致圓柱形狀。突出部59形成為與埋設部33(參照圖9(d))相同之形狀。即，突出部59於正剖面視及側剖面視下形成為大致矩形。
藉此，沖裁裝置55構成為可藉由按壓模具57而將突出部59插入至貫通孔53中。
貫通孔53之孔徑及突出部59之直徑例如為5 mm以上，較佳為7 mm以上，又，例如為300 mm以下，較佳為200 mm以下。
又，於支持板56之周端部之上表面設置有間隔件40。間隔件40以於俯視下包圍貫通孔53之方式而於支持板56之周端部配置為俯視大致框形。
並且，於藉由圖9(a)及圖9(b)所示之沖裁裝置55形成埋設-反射片材24時，首先，如圖9(a)所示，將反射片材42配置於支持板56上。具體而言，將反射片材42以被覆複數個貫通孔53之方式載置於支持板56之上表面。
其次，如圖9(b)所示，使用沖裁裝置55對反射片材42進行沖裁。
具體而言，藉由按壓模具57，而使突出部59對反射片材42進行 沖裁。
藉此，於反射片材42中形成形狀與突出部59對應之貫通孔41。
藉此，於支持板56上形成反射部34。
其次，如圖9(c)所示，抬起模具57。
其後，將所形成之反射部34設置於包含支持板36、及含有平板部38之模具37且設置有剝離片材49之壓製裝置35中。
其次，將螢光體片材5配置於反射部34上。
其次，如圖9(c)之箭頭及圖9(d)所示，藉由壓製裝置35對螢光體片材5加壓。藉此，使埋設部33形成於反射部34之貫通孔41內。
藉此，於支持板36與模具37之間獲得包含埋設部33及反射部34之埋設-反射片材24。
其後，抬起模具37，繼而，如圖9(e)所示，將埋設-反射片材24自剝離片材49剝離。
藉由第5實施形態，亦可發揮出與第2實施形態相同之作用效果。
<第6實施形態>
圖10表示本發明之被覆有螢光體層之LED之製造方法的第6實施形態中所使用之埋設-反射片材之製造方法之步驟圖。
再者，於第6實施形態中，對與第5實施形態相同之構件及步驟標附相同之參照符號，並省略其詳細之說明。
於第5實施形態之埋設-反射片材24之製造方法中，如圖9(c)及圖9(d)所示，係由螢光體片材5形成埋設部33，但亦可如圖10(c)所示般不使用螢光體片材5而將螢光樹脂組合物之清漆灌注至貫通孔41內，藉此形成埋設部33。
具體而言，將圖10(b)所示之反射部34自沖裁裝置55中取出，繼而如圖10(c)所示般配置於剝離片材49之上表面。繼而，將螢光樹脂 組合物之清漆灌注至貫通孔41內。
藉由第6實施形態，亦可發揮出與第5實施形態相同之作用效果。
<第7實施形態>
圖11表示本發明之被覆有螢光體層之LED之製造方法的第7實施形態之步驟圖。
再者，於第7實施形態中，對與第5實施形態相同之構件及步驟標附相同之參照符號，並省略其詳細之說明。
於第5實施形態中，如圖8(c)所示，作為被覆部係例示埋設LED4之埋設部33，但例如亦可如圖11(c)所示般，例示被覆LED4之上表面之被覆部43。
如圖11(b)所示，被覆部43係以由反射部34包圍之方式設置於被覆-反射片材44中。於被覆-反射片材44中，被覆部43係呈與圖8(b)所示之埋設部33相同之形狀，並且形成為與LED4相同之尺寸。
例如，如圖11(b)所示，於厚度方向上投影時，被覆部43與LED4相互重疊，具體而言，以於俯視下被覆部43之周端緣與LED4之周端緣形成於同一位置之方式將被覆部43載置於LED4之上表面。
[被覆步驟]
於第7實施形態中，實施圖11(c)所示之被覆步驟代替圖8(c)所示之埋設步驟。被覆步驟之條件與埋設步驟之條件相同。
再者，於圖11(c)所示之被覆步驟中，被覆部43以密接狀被覆LED4之上表面。被覆部43藉由對LED4加壓而將LED4壓入其中，因而向面方向外側略微鼓出，但其鼓出程度微小，故而於圖11(c)中，將加壓後之被覆部43與LED4之左右方向長度以相同長度表示。
[硬化步驟]
於第7實施形態中，實施圖11(d)所示之硬化步驟代替圖8(d)所示 之密封步驟。
於硬化步驟中，使被覆部43硬化。硬化步驟之條件與上述密封步驟之條件相同。
藉由第7實施形態，亦可發揮出與第5實施形態相同之作用效果。
<第8實施形態>
圖12表示本發明之被覆有螢光體層之LED之製造方法的第8實施形態之步驟圖。
再者，於第8實施形態中，對與第1實施形態相同之構件及步驟標附相同之參照符號，並省略其詳細之說明。
於第1實施形態中，如圖1(c)所示，於片材黏貼步驟中，係實施藉由螢光體片材5被覆LED4之側面及上表面之埋設步驟，但例如亦可代替埋設步驟，如圖12(c)所示般實施藉由螢光體片材5僅被覆LED4之側面之被覆步驟。又，亦可實施硬化步驟代替密封步驟。
[片材黏貼步驟]
如圖12(b)所示，將所準備之螢光體片材5之厚度設定為薄於LED4之厚度，設定為相對於LED4之厚度例如為95%以下、較佳為90%以下，又，例如10%以上。具體而言，將螢光體片材5之厚度設定為例如1000 μm以下、較佳為800 μm以下，又，例如30 μm以上、較佳為50 μm以上。
於被覆步驟中，如圖12(c)所示，藉由加壓將包含脫模片材13、及積層於脫模片材13上之下表面之螢光體片材5之積層體(參照圖12(b)之上側圖)，以使脫模片材13之下表面接觸各LED4之上表面之方式壓入至包含LED4之支持片材1。
又，對複數個LED4壓入之螢光體片材5其上表面與各LED4之上表面形成為同一平面。又，螢光體片材5之下表面亦與各LED4之下表 面形成為同一平面。即，壓入有複數個LED4之螢光體片材5之厚度與各LED4之厚度相同。
又，形成LED4之下表面之一部分之凸塊與LED4之上表面均露出，另一方面，LED4之側面由螢光體片材5被覆。
[硬化步驟]
於硬化步驟中，使螢光體片材5硬化。硬化步驟之條件與上述密封步驟之條件相同。
[切斷步驟]
如圖12(d)之虛線所示，自上側一面確認LED4之位置一面將螢光體片材5切斷。具體而言，例如一面藉由相機等自上側觀視LED4一面確認LED4之位置。又，如參照圖4之虛線般，以形成於俯視下劃分包圍LED4之區域之切縫8之方式將螢光體片材5切斷。
再者，亦可一面觀視LED4，一面進而以基準標記18(參照圖2)作為基準將螢光體片材5切斷。
[LED剝離步驟]
於圖12(e)中，LED剝離步驟中，將被覆有螢光體片材之LED10自黏著層3之上表面剝離。即，以產生螢光體片材5及LED4與黏著層3之間之界面剝離之方式將被覆有螢光體片材之LED10自支持板2及黏著層3剝離。
藉由第8實施形態，亦可發揮出與第1實施形態相同之作用效果。
進而，因於被覆步驟中，係將LED4以至少上表面自螢光體片材5露出之方式藉由螢光體片材5被覆側面，故於片材黏貼步驟後之切斷步驟中，可一面觀視露出上表面之LED4，一面對應該LED4而將螢光體片材5精度良好地切斷。因此，所獲得之被覆有螢光體片材之 LED10之尺寸穩定性優異。其結果，包含該被覆有螢光體片材之LED10之LED裝置15之發光穩定性優異。
<第9實施形態>
圖13表示本發明之被覆有螢光體層之LED之製造方法的第9實施形態中所使用之分注器之立體圖。
再者，於第9實施形態中，對與第1實施形態相同之構件及步驟標附相同之參照符號，並省略其詳細之說明。
於第1實施形態中，如圖1(b)所示，於密封步驟中，係例示預先成形之螢光體片材5作為本發明之螢光體層之一例。但是，如參照圖13般，例如亦可製備螢光樹脂組合物之清漆，將清漆以被覆複數個LED4之方式直接塗佈於支持片材1上，而形成螢光體層25。即，可由螢光樹脂組合物之清漆形成螢光體層25。
形成螢光體層25時，首先，將清漆以被覆LED4之方式塗佈於支持片材1上。
塗佈清漆時，例如可使用分注器、敷料器、狹縫式模嘴塗機(slit die coater)等塗佈機。較佳為使用圖13所示之分注器26。
如圖13所示，分注器26一體地包含導入部27、及塗佈部28。
導入部27係形成為於上下方向上延伸之大致圓筒形狀，其下端部連接於塗佈部28。
塗佈部28係形成為於左右方向及上下方向上延伸之平板形狀，又，形成為於上下方向上較長之側視大致矩形。於塗佈部28之上端部連接有導入部27。塗佈部28之下端部係形成為其前端部及後端部有切口之側剖面視前端漸細狀(錐形)。又，塗佈部28之下端面係構成為可壓抵於黏著層3之上表面及LED4之上表面。進而，於塗佈部28之內部，設置有自導入部27導入之清漆隨著朝向下游側(下側)而於左右方向上擴展之寬幅之流路(未圖示)。
又，分注器26係構成為可相對於在面方向上延伸之支持片材1於前後方向上相對移動。
使用該分注器26將清漆塗佈於支持片材1上時，一面將塗佈部28對向配置(壓抵)於複數個LED4之上表面，一面將清漆供給至導入部27。與此同時，使分注器26相對於複數個LED4向後側相對移動。藉此，清漆自導入部27導入至塗佈部28，繼而，自塗佈部28之下端部以寬幅狀供給至支持片材1及LED4。又，藉由分注器26相對於複數個LED4之向後側之相對移動，清漆於支持片材1之上表面以被覆複數個LED4之方式塗佈成於前後方向上延伸之帶狀。
再者，於螢光樹脂組合物含有硬化性樹脂之情形時，清漆係製備成A階段狀態，並且具有例如於自塗佈部28供給至支持片材1上時，不會自該部位向面方向外側流出、即停留於該部位的黏性。具體而言，清漆於25℃、1個大氣壓之條件下之黏度例如為1,000 mPa．s以上，較佳為4,000 mPa．s以上，又，例如為1,000,000 mPa．s以下，較佳為100,000 mPa．s以下。再者，黏度係將清漆之溫度調節至25℃，使用E型錐，於轉速99 s-1下測定。
若清漆之黏度為上述下限以上，則可有效地防止清漆向面方向外側流出。因此，無需於支持片材1上(具體而言，複數個LED4之周圍)另外設置障壁構件等，故而可實現製程之簡便化，可藉由分注器26將清漆簡易且確實地以所期望之厚度及所期望之形狀塗佈於支持片材1上。
另一方面，若清漆之黏度為上述上限以下，則可提高塗佈性(操作性)。
其後，於螢光樹脂組合物含有硬化性樹脂之情形時，使所塗佈之清漆B階段化(半硬化)。
藉此，使B階段之螢光體層25以被覆複數個LED4之方式形成於 支持片材1上(黏著層3之上表面)。
藉由第9實施形態，亦可發揮出與第1實施形態相同之作用效果。
<變化例>
於第1實施形態~第9實施形態中，係藉由螢光體片材5被覆複數個LED4，但例如亦可藉由螢光體片材5被覆單個LED4。
於此情形時，具體而言，於第1實施形態中所例示之圖1(d)所示之切斷步驟中，對LED4之周圍之螢光體片材5以成為所期望之尺寸之方式進行外形加工(修整(trimming))。
再者，上述說明係作為本發明之例示之實施形態而提供，但其僅為例示，不可限定性地解釋。該技術領域之業者明瞭的本發明之變化例係包含於後述之申請專利範圍中。
1‧‧‧支持片材
2‧‧‧支持板
3‧‧‧黏著層
4‧‧‧LED
5‧‧‧螢光體片材
8‧‧‧切縫
9‧‧‧基板
10‧‧‧被覆有螢光體片材之LED
13‧‧‧脫模片材
15‧‧‧LED裝置
20‧‧‧密封保護層
31‧‧‧晶圓切割機(切割刀片)

Claims (7)

  1. 一種被覆有螢光體層之LED之製造方法，其特徵在於包括：準備步驟，其係準備支持片材，該支持片材包含硬質之支持板、及積層於上述支持板之厚度方向之一面且藉由活性能量線之照射而黏著力降低之黏著層；LED黏貼步驟，其係將LED經由上述黏著層而黏貼於上述支持板；被覆步驟，其係將螢光體層配置於上述支持板之上述厚度方向之一面，從而藉由上述螢光體層被覆上述LED；切斷步驟，其係於上述被覆步驟後對應上述LED而將上述螢光體層切斷，藉此獲得包含上述LED、及被覆上述LED之上述螢光體層的被覆有螢光體層之LED；及LED剝離步驟，其係於上述切斷步驟之後，自至少上述厚度方向之一側對上述黏著層照射活性能量線，將上述被覆有螢光體層之LED自上述黏著層剝離。
  2. 如請求項1之被覆有螢光體層之LED之製造方法，其中上述螢光體層係由螢光體片材所形成。
  3. 如請求項1之被覆有螢光體層之LED之製造方法，其中於上述被覆步驟中，藉由B階段之上述螢光體層被覆上述LED，其後使上述螢光體層硬化而成為C階段。
  4. 如請求項1之被覆有螢光體層之LED之製造方法，其中上述螢光體層包含：被覆部，其被覆上述LED；及反射部，其含有光反射成分，且形成為包圍上述被覆部。
  5. 如請求項1之被覆有螢光體層之LED之製造方法，其中於上述準 備步驟中，以預先設置在上述切斷步驟中成為切斷之基準之基準標記之方式準備上述支持片材。
  6. 一種被覆有螢光體層之LED，其特徵在於，其係藉由包括如下步驟之被覆有螢光體層之LED之製造方法而獲得：準備步驟，其係準備支持片材，該支持片材包含硬質之支持板、及積層於上述支持板之厚度方向之一面且藉由活性能量線之照射而黏著力降低之黏著層；LED黏貼步驟，其係將LED經由上述黏著層而黏貼於上述支持板；被覆步驟，其係將螢光體層配置於上述支持板之上述厚度方向之一面，從而藉由上述螢光體層被覆上述LED；切斷步驟，其係於上述被覆步驟後對應上述LED而將上述螢光體層切斷，藉此獲得包含上述LED、及被覆上述LED之上述螢光體層的被覆有螢光體層之LED；及LED剝離步驟，其係於上述切斷步驟之後，自至少上述厚度方向之一側對上述黏著層照射活性能量線，將上述被覆有螢光體層之LED自上述黏著層剝離。
  7. 一種LED裝置，其特徵在於包含：基板、及安裝於上述基板上之被覆有螢光體層之LED；且上述被覆有螢光體層之LED係藉由包括如下步驟之被覆有螢光體層之LED之製造方法而獲得：準備步驟，其係準備支持片材，該支持片材包含硬質之支持板、及積層於上述支持板之厚度方向之一面且藉由活性能量線之照射而黏著力降低之黏著層；LED黏貼步驟，其係將LED經由上述黏著層而黏貼於上述支持 板；被覆步驟，其係將螢光體層配置於上述支持板之上述厚度方向之一面，從而藉由上述螢光體層被覆上述LED；切斷步驟，其係於上述被覆步驟後對應上述LED而將上述螢光體層切斷，藉此獲得包含上述LED、及被覆上述LED之上述螢光體層的被覆有螢光體層之LED；及LED剝離步驟，其係於上述切斷步驟之後，自至少上述厚度方向之一側對上述黏著層照射活性能量線，將上述被覆有螢光體層之LED自上述黏著層剝離。
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